JPH11791A - はんだ及び電子部品の実装方法 - Google Patents
はんだ及び電子部品の実装方法Info
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- JPH11791A JPH11791A JP16508397A JP16508397A JPH11791A JP H11791 A JPH11791 A JP H11791A JP 16508397 A JP16508397 A JP 16508397A JP 16508397 A JP16508397 A JP 16508397A JP H11791 A JPH11791 A JP H11791A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】Ｓｎ−Ｐｂ系のはんだにおいて、はんだ付け部
の耐熱疲労性をＣｕ単独添加の場合に較べて一段と向上
させるたはんだ合金及びそのはんだ合金を用いた実装方
法を提供する。 【解決手段】Ｓｎが５．０〜９５．０重量％、Ｃｕが
０．１〜３．０重量％、Ｐｔが０．０５〜２．０重量
％、残部がＰｂからなる。この組成１００重量部に対
し、ＰまたはＢの少なくとも何れか一方を０．３重量部
以下添加することができる。
の耐熱疲労性をＣｕ単独添加の場合に較べて一段と向上
させるたはんだ合金及びそのはんだ合金を用いた実装方
法を提供する。 【解決手段】Ｓｎが５．０〜９５．０重量％、Ｃｕが
０．１〜３．０重量％、Ｐｔが０．０５〜２．０重量
％、残部がＰｂからなる。この組成１００重量部に対
し、ＰまたはＢの少なくとも何れか一方を０．３重量部
以下添加することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明ははんだに関し、特に
ＩＣ等の電子部品を回路基板に実装するのに有用なもの
である。
ＩＣ等の電子部品を回路基板に実装するのに有用なもの
である。
【０００２】
【従来の技術】近来、電子機器の小型、薄型、軽量、多
機能化は、ＰＨＳ、カ−ナビゲ−ションシステム、ビデ
オカメラ、ノ−トブックパソコン等のパ−ソナルユ−ス
において顕著であり、これに伴い電子部品の小型化、複
合化、高機能化、表面実装の高密度化が加速され、電子
回路板の発熱量の増加や使用条件の過酷化に対処するた
めに、電子部品のはんだ付け部の熱疲労に対する信頼性
の一層の向上が要求されている。電子部品のはんだ付け
には、Ｓｎ−Ｐｂ系はんだを使用することが多く、前述
した要求に対応するため、そのはんだ付け部の機械的強
度を増強させ、耐熱疲労性を向上させるために、Ｃｕを
添加することが公知である。
機能化は、ＰＨＳ、カ−ナビゲ−ションシステム、ビデ
オカメラ、ノ−トブックパソコン等のパ−ソナルユ−ス
において顕著であり、これに伴い電子部品の小型化、複
合化、高機能化、表面実装の高密度化が加速され、電子
回路板の発熱量の増加や使用条件の過酷化に対処するた
めに、電子部品のはんだ付け部の熱疲労に対する信頼性
の一層の向上が要求されている。電子部品のはんだ付け
には、Ｓｎ−Ｐｂ系はんだを使用することが多く、前述
した要求に対応するため、そのはんだ付け部の機械的強
度を増強させ、耐熱疲労性を向上させるために、Ｃｕを
添加することが公知である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】回路基板のランド或い
は半導体パッケ−ジのリ−ドやランドには、防食のため
にＮｉをメッキすることがあり、この場合、そのメッキ
を無電解メッキで行うことがある。例えば、ＢＧＡ（ボ
−ルグリッドアレイ）においては、はんだボ−ルを固着
するランドのＮｉメッキを無電解メッキで行って、ラン
ドの微小化、工数の低減、低コスト化を図ることが公知
である。しかしながら、無電解Ｎｉメッキ面を、上記Ｃ
ｕを添加したＳｎ−Ｐｂ系はんだではんだ付けしても、
耐熱疲労性のさしたる向上を得ることができない。
は半導体パッケ−ジのリ−ドやランドには、防食のため
にＮｉをメッキすることがあり、この場合、そのメッキ
を無電解メッキで行うことがある。例えば、ＢＧＡ（ボ
−ルグリッドアレイ）においては、はんだボ−ルを固着
するランドのＮｉメッキを無電解メッキで行って、ラン
ドの微小化、工数の低減、低コスト化を図ることが公知
である。しかしながら、無電解Ｎｉメッキ面を、上記Ｃ
ｕを添加したＳｎ−Ｐｂ系はんだではんだ付けしても、
耐熱疲労性のさしたる向上を得ることができない。
【０００４】そこで、本発明者において、その原因を鋭
意探究したところ、Ｎｉ膜の析出時、無電解Ｎｉメッキ
浴中の還元剤〔Ｎａ2Ｈ2ＰＯ2、ＫＨ2ＰＯ2、ＮａＢ
Ｈ4、（ＣＨ3）2ＮＨ・ＢＨ3〕のＰやＢが共析してその
析出Ｎｉ膜に含有され、熱履歴の経過中、接合界面にＳ
ｎの脆弱な燐化物や硼化物が生成される結果であること
が判明した。本発明の目的は、Ｓｎ−Ｐｂ系のはんだに
おいて、はんだ付け部の耐熱疲労性をＣｕ単独添加の場
合に較べて一段と向上させることにある。
意探究したところ、Ｎｉ膜の析出時、無電解Ｎｉメッキ
浴中の還元剤〔Ｎａ2Ｈ2ＰＯ2、ＫＨ2ＰＯ2、ＮａＢ
Ｈ4、（ＣＨ3）2ＮＨ・ＢＨ3〕のＰやＢが共析してその
析出Ｎｉ膜に含有され、熱履歴の経過中、接合界面にＳ
ｎの脆弱な燐化物や硼化物が生成される結果であること
が判明した。本発明の目的は、Ｓｎ−Ｐｂ系のはんだに
おいて、はんだ付け部の耐熱疲労性をＣｕ単独添加の場
合に較べて一段と向上させることにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係るはんだは、
Ｓｎが５．０〜９５．０重量％、Ｃｕが０．１〜３．０
重量％、Ｐｔが０．０５〜２．０重量％、残部がＰｂか
らなることを特徴とする構成であり、１００重量部に対
し、ＰまたはＢの少なくとも何れか一方を０．３重量部
以下添加することができる。本発明に係る電子部品の実
装方法は、無電解Ｎｉメッキ面を有する電子部品、特に
シリコンチップと該電子部品を実装する基板とを上記は
んだにより接続することを特徴とする構成である。
Ｓｎが５．０〜９５．０重量％、Ｃｕが０．１〜３．０
重量％、Ｐｔが０．０５〜２．０重量％、残部がＰｂか
らなることを特徴とする構成であり、１００重量部に対
し、ＰまたはＢの少なくとも何れか一方を０．３重量部
以下添加することができる。本発明に係る電子部品の実
装方法は、無電解Ｎｉメッキ面を有する電子部品、特に
シリコンチップと該電子部品を実装する基板とを上記は
んだにより接続することを特徴とする構成である。
【０００６】本発明に係るはんだにおいて、Ｓｎ−Ｐｂ
系をベ−スとした理由は、耐熱性の低い半導体部品の実
装にも使用できるようにすることにある。本発明に係る
はんだにおいては、被接合面が無電解Ｎｉメッキ面であ
っても、すなわち、析出金属膜中に無電解Ｎｉメッキ浴
中の還元剤成分であるＰやＢが共析していても、好適に
はんだ付けできる。本発明に係るはんだにおいて、Ｓｎ
を５〜９５重量％とした理由は、被接合面に対する濡れ
性及び広がり性を確保するためである。Ｃｕを添加する
理由は、後述するＰｔとの相乗作用で、はんだの機械的
強度を増強させ、耐熱疲労性を向上させると共に当該Ｃ
ｕの接合界面近傍への移行によりＳｎと金属間化合物を
形成させ、Ｓｎの燐化物や硼化物の生成を抑えて接合強
度の低下を抑制するためである。Ｃｕの添加量を０．１
重量％〜３．０重量％とする理由は、０．１重量％未満
では、これらの向上・抑制効果を満足に達成し難く、
３．０重量％を越えると、液相線温度が高くなり（２５
０℃以上）、半導体部品の安全なはんだ付けが難しくな
り、またＳｎとの金属間化合物量の過剰化のために、接
合界面の機械的強度の低下が招来されるからである。Ｐ
ｔを添加する理由は、上記Ｃｕとの相乗作用で、はんだ
の機械的強度を増強させ、耐熱疲労性を向上させると共
に当該Ｐｔの接合界面近傍への移行により燐化物や硼化
物をＳｎよりも優先的に生成させ、Ｓｎの燐化物や硼化
物の生成を抑えて接合強度の低下を抑制するためであ
る。Ｐｔの添加量を０．０５重量％〜２．０重量％とす
る理由は、０．０５重量％未満では、機械的強度の増
強、耐熱疲労性の向上がＣｕ単独添加の場合に較べ実質
的に優位差がなくなり、またＰｔの燐化物や硼化物の生
成が僅少となって接合強度の低下阻止を満足に達成し難
く、２．０重量％を越えると、コストが高くなり過ぎ、
また液相線温度が高くなって（２５０℃以上）、半導体
部品の安全なはんだ付けが難しくなり、また、流動性も
低下するからである。
系をベ−スとした理由は、耐熱性の低い半導体部品の実
装にも使用できるようにすることにある。本発明に係る
はんだにおいては、被接合面が無電解Ｎｉメッキ面であ
っても、すなわち、析出金属膜中に無電解Ｎｉメッキ浴
中の還元剤成分であるＰやＢが共析していても、好適に
はんだ付けできる。本発明に係るはんだにおいて、Ｓｎ
を５〜９５重量％とした理由は、被接合面に対する濡れ
性及び広がり性を確保するためである。Ｃｕを添加する
理由は、後述するＰｔとの相乗作用で、はんだの機械的
強度を増強させ、耐熱疲労性を向上させると共に当該Ｃ
ｕの接合界面近傍への移行によりＳｎと金属間化合物を
形成させ、Ｓｎの燐化物や硼化物の生成を抑えて接合強
度の低下を抑制するためである。Ｃｕの添加量を０．１
重量％〜３．０重量％とする理由は、０．１重量％未満
では、これらの向上・抑制効果を満足に達成し難く、
３．０重量％を越えると、液相線温度が高くなり（２５
０℃以上）、半導体部品の安全なはんだ付けが難しくな
り、またＳｎとの金属間化合物量の過剰化のために、接
合界面の機械的強度の低下が招来されるからである。Ｐ
ｔを添加する理由は、上記Ｃｕとの相乗作用で、はんだ
の機械的強度を増強させ、耐熱疲労性を向上させると共
に当該Ｐｔの接合界面近傍への移行により燐化物や硼化
物をＳｎよりも優先的に生成させ、Ｓｎの燐化物や硼化
物の生成を抑えて接合強度の低下を抑制するためであ
る。Ｐｔの添加量を０．０５重量％〜２．０重量％とす
る理由は、０．０５重量％未満では、機械的強度の増
強、耐熱疲労性の向上がＣｕ単独添加の場合に較べ実質
的に優位差がなくなり、またＰｔの燐化物や硼化物の生
成が僅少となって接合強度の低下阻止を満足に達成し難
く、２．０重量％を越えると、コストが高くなり過ぎ、
また液相線温度が高くなって（２５０℃以上）、半導体
部品の安全なはんだ付けが難しくなり、また、流動性も
低下するからである。
【０００７】本発明に係るはんだにおいて、ＰまたはＢ
を添加する理由は、ＰやＢを含有する無電解Ｎｉメッキ
膜との接合前に、はんだ中に予めＳｎの燐化物や硼化物
を生成させておき、はんだ付け時やその後の熱履歴の経
過中に、無電解Ｎｉメッキ膜に含有されているＰやＢと
の化合物が接合界面に生成するのを抑制し、接合強度の
低下を抑制することにある。ＰまたはＢの添加量を０．
３重量部以下とする理由は、０．３重量部を越えると高
価になるばかりか、はんだの脆弱化が招来されるからで
ある。
を添加する理由は、ＰやＢを含有する無電解Ｎｉメッキ
膜との接合前に、はんだ中に予めＳｎの燐化物や硼化物
を生成させておき、はんだ付け時やその後の熱履歴の経
過中に、無電解Ｎｉメッキ膜に含有されているＰやＢと
の化合物が接合界面に生成するのを抑制し、接合強度の
低下を抑制することにある。ＰまたはＢの添加量を０．
３重量部以下とする理由は、０．３重量部を越えると高
価になるばかりか、はんだの脆弱化が招来されるからで
ある。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明に係るはんだは、発明の作
用効果を実質的に維持できる範囲内であれば、不純物を
含んだ状態で使用することができる。而して、ＪＩＳ
Ｚ ３２８２−１９８６−表３に規定されているＡ級の
化学成分に従い、Ｚｎを０．００３重量％以下、Ｆｅを
０．０３重量％以下、Ａｌを０．００５重量％以下、Ａ
ｓを０．０３重量％以下、Ｃｄを０．００５重量％以下
の範囲で含有することが許容される。
用効果を実質的に維持できる範囲内であれば、不純物を
含んだ状態で使用することができる。而して、ＪＩＳ
Ｚ ３２８２−１９８６−表３に規定されているＡ級の
化学成分に従い、Ｚｎを０．００３重量％以下、Ｆｅを
０．０３重量％以下、Ａｌを０．００５重量％以下、Ａ
ｓを０．０３重量％以下、Ｃｄを０．００５重量％以下
の範囲で含有することが許容される。
【０００９】本発明に係るはんだは、ランドを無電解Ｎ
ｉメッキしたＢＧＡやＣＳＰ（チップサイズパツケ−
ジ）等におけるランドでのはんだバンプの形成に使用す
るはんだボ−ル、シリコンチップ等の電子部品をフロ−
はんだ付け法によって回路基板に実装する場合に使用す
るはんだ浴、電子部品をリフロ−はんだ付け法によって
回路基板に実装する場合に使用するクリ−ムはんだのは
んだ粉末の外、棒状はんだ、線状はんだ、リボン状はん
だ、プリフォ−ム状はんだ、やに入りはんだとしても使
用できる。
ｉメッキしたＢＧＡやＣＳＰ（チップサイズパツケ−
ジ）等におけるランドでのはんだバンプの形成に使用す
るはんだボ−ル、シリコンチップ等の電子部品をフロ−
はんだ付け法によって回路基板に実装する場合に使用す
るはんだ浴、電子部品をリフロ−はんだ付け法によって
回路基板に実装する場合に使用するクリ−ムはんだのは
んだ粉末の外、棒状はんだ、線状はんだ、リボン状はん
だ、プリフォ−ム状はんだ、やに入りはんだとしても使
用できる。
【００１０】上記ＢＧＡにおけるはんだバンプの形成に
おいては、本発明に係るはんだのボ−ル（通常１０００
〜５００μｍの直径）を、ＢＧＡの無電解Ｎｉメッキラ
ンド（直径は上記のボ−ル直径よりもやや小）にフラッ
クスと共に搭載し、リフロ−によりはんだボ−ルを溶融
してバンプに形成することができる。このようにして、
バンプを形成したＢＧＡを実装するには、回路基板にフ
ラックスまたはソルダ−ペ−ストを印刷し、ＢＧＡのバ
ンプをこの印刷フラックス或いは印刷ソルダ−ペ−スト
に仮固定し、リフロ−によりバンプを溶融させ、次いで
冷却してはんだを凝固させ、これにて実装を終了する。
本発明に係るはんだを使用する無電解Ｎｉ接合面は、本
発明の効果を実質的に維持できる範囲内であれば、はん
だの濡れ性を良くするために、その表面にＳｎやＰｄや
Ａｕ等をメッキすることもできる。
おいては、本発明に係るはんだのボ−ル（通常１０００
〜５００μｍの直径）を、ＢＧＡの無電解Ｎｉメッキラ
ンド（直径は上記のボ−ル直径よりもやや小）にフラッ
クスと共に搭載し、リフロ−によりはんだボ−ルを溶融
してバンプに形成することができる。このようにして、
バンプを形成したＢＧＡを実装するには、回路基板にフ
ラックスまたはソルダ−ペ−ストを印刷し、ＢＧＡのバ
ンプをこの印刷フラックス或いは印刷ソルダ−ペ−スト
に仮固定し、リフロ−によりバンプを溶融させ、次いで
冷却してはんだを凝固させ、これにて実装を終了する。
本発明に係るはんだを使用する無電解Ｎｉ接合面は、本
発明の効果を実質的に維持できる範囲内であれば、はん
だの濡れ性を良くするために、その表面にＳｎやＰｄや
Ａｕ等をメッキすることもできる。
【００１１】
〔実施例１〕ＢＧＡ（ランドピッチ１．５ｍｍ、ランド
外径７００μｍ、ランド個数１５×１５）のランドに無
電解Ｎｉメッキを施したものを、被接合面とした。はん
だには、Ｓｎ５重量％、Ｃｕ０．５重量％、Ｐｔ０．２
重量％、残部Ｐｂを使用し、このはんだで直径８００μ
ｍのはんだボ−ルを調製し、このはんだボ−ルを上記Ｂ
ＧＡの無電解Ｎｉメッキランドにフラックスで付着さ
せ、不活性雰囲気中、液相線温度＋５０℃の温度でリフ
ロ−によりバンプを形成した。このバンプ形成ＢＧＡを
不活性雰囲気中、液相線温度＋５０℃の温度でリフロ−
により回路基板に接合した。この試料を１５０℃×１０
０時間でエ−ジングし、プッシュプルゲ−ジを用い引張
り速度約１ｍｍ／sec、試験温度２５℃で引張り試験を
行ったところ、初期引張り強度及びエ−ジング後引張り
強度は表１の通りであった。また、エ−ジング後での引
張り破断は、はんだ合金内部からの破断であった。
外径７００μｍ、ランド個数１５×１５）のランドに無
電解Ｎｉメッキを施したものを、被接合面とした。はん
だには、Ｓｎ５重量％、Ｃｕ０．５重量％、Ｐｔ０．２
重量％、残部Ｐｂを使用し、このはんだで直径８００μ
ｍのはんだボ−ルを調製し、このはんだボ−ルを上記Ｂ
ＧＡの無電解Ｎｉメッキランドにフラックスで付着さ
せ、不活性雰囲気中、液相線温度＋５０℃の温度でリフ
ロ−によりバンプを形成した。このバンプ形成ＢＧＡを
不活性雰囲気中、液相線温度＋５０℃の温度でリフロ−
により回路基板に接合した。この試料を１５０℃×１０
０時間でエ−ジングし、プッシュプルゲ−ジを用い引張
り速度約１ｍｍ／sec、試験温度２５℃で引張り試験を
行ったところ、初期引張り強度及びエ−ジング後引張り
強度は表１の通りであった。また、エ−ジング後での引
張り破断は、はんだ合金内部からの破断であった。
【００１２】
【表１】
【００１３】〔実施例２〜８〕はんだとして、表１に示
す組成のものを使用した以外、実施例１に同じとした。
実施例１と同様の条件でエ−ジングし、引張り試験を行
ったところ、初期引張り強度及びエ−ジング後引張り強
度は表１の通りであった。また、エ−ジング後での引張
り破断は、何れの実施例ともはんだ合金内部からの破断
であった。なお、Ｓｎ−Ｐｂ系はんだの電解Ｎｉメッキ
面に対する接合部のエ−ジング引張り破断ははんだ合金
内部からの破断であり、上記各実施例の破断はエ−ジン
グ後での引張り破断は、この破断状態に一致している。
す組成のものを使用した以外、実施例１に同じとした。
実施例１と同様の条件でエ−ジングし、引張り試験を行
ったところ、初期引張り強度及びエ−ジング後引張り強
度は表１の通りであった。また、エ−ジング後での引張
り破断は、何れの実施例ともはんだ合金内部からの破断
であった。なお、Ｓｎ−Ｐｂ系はんだの電解Ｎｉメッキ
面に対する接合部のエ−ジング引張り破断ははんだ合金
内部からの破断であり、上記各実施例の破断はエ−ジン
グ後での引張り破断は、この破断状態に一致している。
【００１４】〔比較例１〜４〕はんだとして、表１に示
す組成のものを使用した以外、実施例１に同じとした。
実施例１と同様の条件でエ−ジングし、引張り試験を行
ったところ、初期引張り強度及びエ−ジング後引張り強
度は表１の通りであった。また、エ−ジング後での引張
り破断は、比較例４においては、はんだ合金内部からの
破断であったが、他は全て接合界面からの破断であっ
た。
す組成のものを使用した以外、実施例１に同じとした。
実施例１と同様の条件でエ−ジングし、引張り試験を行
ったところ、初期引張り強度及びエ−ジング後引張り強
度は表１の通りであった。また、エ−ジング後での引張
り破断は、比較例４においては、はんだ合金内部からの
破断であったが、他は全て接合界面からの破断であっ
た。
【００１５】
【発明の効果】比較例１と比較例３または４との対比か
ら、ＣｕまたはＰｔ単独添加でも初期引張り強度を増加
できるが、この単独添加では、エ−ジング後での引張り
強度保持率がたかだか６０％であって、耐熱疲労特性が
不充分であるのに対し、ＣｕとＰｔの両方を添加してい
る本発明に係るはんだでは、初期引張り強度の増加及び
エ−ジング後での引張り強度保持率９０％もの充分な耐
熱疲労特性を保証できる。かかる優れた耐熱疲労特性
と、破断状態も対電解Ｎｉ接合時と同様にはんだ内部か
ら発生することから、はんだ付け界面に脆いＳｎの燐化
物や硼化物が生成するのを防止できることが明らかであ
る。従って、本発明に係るはんだを使用して電子部品を
実装すれば、電子部品を無電解Ｎｉメッキ面にはんだ付
けしても、充分な接合信頼性、安定性を保証できる。
ら、ＣｕまたはＰｔ単独添加でも初期引張り強度を増加
できるが、この単独添加では、エ−ジング後での引張り
強度保持率がたかだか６０％であって、耐熱疲労特性が
不充分であるのに対し、ＣｕとＰｔの両方を添加してい
る本発明に係るはんだでは、初期引張り強度の増加及び
エ−ジング後での引張り強度保持率９０％もの充分な耐
熱疲労特性を保証できる。かかる優れた耐熱疲労特性
と、破断状態も対電解Ｎｉ接合時と同様にはんだ内部か
ら発生することから、はんだ付け界面に脆いＳｎの燐化
物や硼化物が生成するのを防止できることが明らかであ
る。従って、本発明に係るはんだを使用して電子部品を
実装すれば、電子部品を無電解Ｎｉメッキ面にはんだ付
けしても、充分な接合信頼性、安定性を保証できる。
【手続補正書】
【提出日】平成９年７月３日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
Claims (6)
- 【請求項１】Ｓｎが５．０〜９５．０重量％、Ｃｕが
０．１〜３．０重量％、Ｐｔが０．０５〜２．０重量
％、残部がＰｂからなることを特徴とするはんだ。 - 【請求項２】Ｓｎが５．０〜９５．０重量％、Ｃｕが
０．１〜３．０重量％、Ｐｔが０．０５〜２．０重量
％、残部がＰｂからなる組成１００重量部にＰまたはＢ
の少なくとも何れか一方が０．３重量部以下添加されて
いることを特徴とするはんだ。 - 【請求項３】無電解Ｎｉメッキ面のはんだ付けに使用す
る請求項１または２記載のはんだ。 - 【請求項４】無電解Ｎｉメッキ面を有する電子部品と該
電子部品を実装する基板とを請求項１記載のはんだによ
り接続することを特徴とする電子部品の実装方法。 - 【請求項５】無電解Ｎｉメッキ面を有する電子部品と該
電子部品を実装する基板とを請求項１記載のはんだによ
り接続することを特徴とする電子部品の実装方法。 - 【請求項６】電子部品がシリコンチップである請求項４
または５記載の電子部品の実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16508397A JP3719624B2 (ja) | 1997-06-07 | 1997-06-07 | 電子部品実装用はんだ及び電子部品の実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16508397A JP3719624B2 (ja) | 1997-06-07 | 1997-06-07 | 電子部品実装用はんだ及び電子部品の実装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11791A true JPH11791A (ja) | 1999-01-06 |
| JP3719624B2 JP3719624B2 (ja) | 2005-11-24 |
Family
ID=15805560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16508397A Expired - Fee Related JP3719624B2 (ja) | 1997-06-07 | 1997-06-07 | 電子部品実装用はんだ及び電子部品の実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3719624B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1391261A1 (en) * | 2002-08-22 | 2004-02-25 | Delphi Technologies, Inc. | Lead-based solder alloys containing copper |
| EP1402988A1 (en) * | 2002-09-25 | 2004-03-31 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | The use of a solder on surfaces coated with nickel by electroless plating |
| US7472817B2 (en) * | 2004-10-27 | 2009-01-06 | Quantum Chemical Technologies (Singapore) Pte. Ltd | Solders |
| JP2009028746A (ja) * | 2007-07-25 | 2009-02-12 | Nippon Steel Materials Co Ltd | ハンダ合金、ハンダボール及びハンダバンプを有する電子部材 |
| US7829910B2 (en) * | 2005-01-31 | 2010-11-09 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Light emitting device and method of fabricating light emitting device |
| US8501088B2 (en) | 2007-07-25 | 2013-08-06 | Nippon Steel & Sumikin Materials Co., Ltd. | Solder alloy, solder ball and electronic member having solder bump |
| US8887980B2 (en) | 2005-06-10 | 2014-11-18 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | Method of soldering portions plated by electroless Ni plating |
-
1997
- 1997-06-07 JP JP16508397A patent/JP3719624B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
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