JPH1172643A - Production of v-grooved substrate for optical fiber and terminal holding structure of optical fiber - Google Patents
Production of v-grooved substrate for optical fiber and terminal holding structure of optical fiberInfo
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- JPH1172643A JPH1172643A JP23109897A JP23109897A JPH1172643A JP H1172643 A JPH1172643 A JP H1172643A JP 23109897 A JP23109897 A JP 23109897A JP 23109897 A JP23109897 A JP 23109897A JP H1172643 A JPH1172643 A JP H1172643A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、光ファイバの光学
的接続部に使用されるＶ溝基板の製造方法と、このＶ溝
基板を用いた光ファイバの端末保持構造に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a V-groove substrate used for an optical connection portion of an optical fiber, and an optical fiber terminal holding structure using the V-groove substrate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】光通信などに使われる光ファイバを平面
型三次元光導波路等に接続したり、複数本の光ファイバ
どうしを光学的に接続するために、光ファイバアレイが
使用されることがある。光ファイバアレイは、例えば特
開昭５７−３０８１２号公報などに記載されているよう
なＶ溝を有する基板（Ｖ溝基板）を用いて、裸の光ファ
イバ（非被覆部）を整列させた状態で接着剤等により固
定するようにしている。そしてこの光ファイバを含んだ
Ｖ溝基板の端面を光学研磨などの方法により平坦に加工
することにより、精度の良い接続端面を得ることができ
る。2. Description of the Related Art An optical fiber array is used to connect an optical fiber used for optical communication to a planar three-dimensional optical waveguide or to optically connect a plurality of optical fibers. is there. An optical fiber array is a state in which bare optical fibers (uncoated portions) are aligned using a substrate having a V-groove (V-groove substrate) as described in, for example, JP-A-57-30812. Is fixed by an adhesive or the like. The end face of the V-groove substrate including the optical fiber is flattened by a method such as optical polishing, so that a highly accurate connection end face can be obtained.
【０００３】上記Ｖ溝基板は、ガラスあるいはシリコン
単結晶などの材料により構成されるが、高精度な光学的
接続を実現するにはＶ溝の加工精度を高めることが重要
となる。Ｖ溝の加工方法として、物理的（機械的）に加
工する機械研削加工とエッチングなどの化学的な処理に
よる加工方法が考えられる。またこのＶ溝基板は、光フ
ァイバの被覆部（シースによって被覆されている箇所）
を外側から挾持できるようにする必要があるため、Ｖ溝
以外に段差加工と呼ばれる加工も必要である。この段差
部では加工精度はさほど必要としないが、大きな体積を
加工する必要があるためそれなりの問題が生じる。The above-mentioned V-groove substrate is made of a material such as glass or silicon single crystal, and it is important to increase the processing accuracy of the V-groove in order to realize high-precision optical connection. As a processing method of the V-groove, a processing method by mechanical processing such as physical (mechanical) processing and a chemical processing such as etching can be considered. The V-groove substrate has a coating portion of an optical fiber (a portion covered with a sheath).
Is required to be able to be clamped from the outside, so that in addition to the V-groove, processing called step processing is also required. Although processing accuracy is not so much required at this step portion, it is necessary to process a large volume, so that a certain problem arises.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】従来は上記のようなＶ
溝と段差部を有する基板を製造するために、機械的研削
によってＶ溝と段差部を形成するか、あるいはエッチン
グによってＶ溝と段差部を形成することが提案された。
しかしながら、これら２種類の加工方法は、基板材料
（ガラスあるいはシリコン単結晶）によって下記のよう
な長所および短所があるため、Ｖ溝基板を加工するため
の理想的な方法については優劣つけがたいものであっ
た。Ｖ溝基板の加工性について、ガラスおよびシリコン
単結晶のそれぞれについてみると下記の通りとなる。Conventionally, the above-mentioned V
In order to manufacture a substrate having a groove and a step, it has been proposed to form the V groove and the step by mechanical grinding or to form the V groove and the step by etching.
However, since these two types of processing methods have the following advantages and disadvantages depending on the substrate material (glass or silicon single crystal), it is difficult to compare the ideal method for processing the V-groove substrate. Met. The workability of the V-groove substrate is as follows when looking at glass and silicon single crystal, respectively.
【０００５】まず、シリコン単結晶からなるＶ溝基板の
場合には、異方性エッチングによってＶ溝を精度良く加
工することができるが、段差部の加工については加工体
積が大であるためエッチングは得策ではない。しかし機
械研削加工によるＶ溝の加工は精度に問題があるばかり
でなく、単結晶という性質上、機械加工ではクラックな
どが入りやすい。また、加工すべき体積が大きいと加工
に要する時間も長くかかり、コストが高くなるという問
題がある。[0005] First, in the case of a V-groove substrate made of silicon single crystal, the V-groove can be accurately processed by anisotropic etching. Not a good idea. However, machining of V-grooves by mechanical grinding not only has a problem in accuracy, but also cracks and the like are apt to occur in machining due to the property of a single crystal. Further, when the volume to be processed is large, the time required for processing is long, and there is a problem that the cost is increased.
【０００６】一方、基板材料がガラスの場合、異方性エ
ッチングの適用が不可能であるため機械加工に頼らざる
を得ない。ガラス製の基板材料のＶ溝および段差部の機
械加工性はシリコン単結晶に比較して良い反面、光ファ
イバを整列させる上で重要なＶ溝の加工精度に関して
は、シリコン単結晶のエッチング加工に比べると劣るこ
とがある。On the other hand, when the substrate material is glass, it is impossible to apply anisotropic etching, so that it is necessary to rely on machining. Although the machinability of the V-groove and the stepped portion of the glass substrate material is better than that of silicon single crystal, the processing accuracy of V-groove, which is important for aligning optical fibers, is required for etching silicon single crystal. Sometimes it is inferior.
【０００７】従ってこの発明の目的は、シリコン単結晶
を用いたＶ溝基板において、Ｖ溝と段差部とも加工性に
優れかつ、Ｖ溝の精度が高くしかも加工時間が短くてす
むようなＶ溝基板の製造方法およびＶ溝基板を用いた光
ファイバの端末保持構造を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a V-groove substrate using a silicon single crystal, in which both the V-groove and the stepped portion have excellent workability, have high V-groove precision, and require a short processing time. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a substrate and a structure for holding an end of an optical fiber using a V-groove substrate.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記の目的を果たすため
の本発明のＶ溝基板の製造方法は、請求項１に記載した
ように、シリコン単結晶からなる基板材料に異方性エッ
チングによりＶ溝を形成するエッチング工程と、上記基
板材料の一部を機械研削加工により肉厚を減らして段差
部およびこの段差部に連なる平坦な延長部を形成する機
械加工工程とを有することを特徴とする。According to a first aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a V-groove substrate, comprising: An etching step of forming a groove, and a machining step of reducing the thickness of a part of the substrate material by mechanical grinding to form a step and a flat extension connected to the step. .
【０００９】このように、シリコン単結晶を用いたＶ溝
基板の製造において、異方性エッチングと機械研削加工
とを組合わせることにより、加工性に優れ、かつ精度良
く、しかも短時間で加工できるようになる。また、これ
ら２種類の加工方法を組合わせたことにより、それぞれ
の加工方法の特徴を生かし、量産性に優れ、低コストな
Ｖ溝基板の製作が可能となる。As described above, in the production of a V-groove substrate using a silicon single crystal, by combining anisotropic etching and mechanical grinding, processing can be performed with excellent workability, with high accuracy, and in a short time. Become like In addition, by combining these two types of processing methods, it is possible to produce a low-cost V-groove substrate that is excellent in mass productivity and makes use of the characteristics of each processing method.
【００１０】さらにこの発明の製造方法は、請求項２に
記載したように、シリコン単結晶からなる基板材料に異
方性エッチングによって互いに平行な複数の光ファイバ
整列用のＶ溝を形成するエッチング工程と、上記基板材
料の一部を機械研削加工により肉厚を減らして上記Ｖ溝
に連なる段差部を形成するとともに光ファイバの被覆部
を配置すべき箇所に平坦な延長部を形成する機械加工工
程とを有する。そしてこの製造方法においては、請求項
３に記載したように、上記段差部と上記延長部との間に
機械研削加工により曲面部を形成することも含まれる。According to a second aspect of the present invention, there is provided an etching step of forming a plurality of V-grooves for aligning a plurality of optical fibers parallel to each other by anisotropic etching in a substrate material made of silicon single crystal. And a machining step of forming a stepped portion connected to the V-groove by reducing the thickness of a part of the substrate material by mechanical grinding, and forming a flat extension at a position where the covering portion of the optical fiber is to be disposed. And In this manufacturing method, as described in claim 3, forming a curved surface portion between the step portion and the extension portion by mechanical grinding is also included.
【００１１】本発明のＶ溝基板を用いた光ファイバの端
末保持構造は、請求項４に記載したように、シリコン単
結晶からなりかつ互いの対向面にエッチングによって形
成された複数の平行な光ファイバ整列用のＶ溝を有する
一対のＶ溝基板を備え、上記一対のＶ溝基板は、上記Ｖ
溝に連なりかつ機械研削加工によって形成された段差部
およびこの段差部に連なる平坦な延長部を有するととも
に、上記段差部と上記延長部との間にこれら両者に連な
る曲面部を有し、上記一対のＶ溝基板の各Ｖ溝にそれぞ
れ光ファイバの非被覆部を収容するとともに、上記曲面
部の外側に各光ファイバの被覆部のシースの端が位置す
るように上記延長部に被覆部を配置した状態で、上記一
対のＶ溝基板を互いに重ね合わせることにより上記各光
ファイバを整列させることを特徴とする。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided an optical fiber terminal holding structure using a V-groove substrate, comprising a plurality of parallel light beams made of silicon single crystal and formed on the mutually facing surfaces by etching. A pair of V-groove substrates having V-grooves for aligning the fibers;
A stepped portion connected to the groove and formed by mechanical grinding and a flat extension connected to the stepped portion, and a curved surface portion connected to both the stepped portion and the extended portion between the stepped portion and the extended portion, Each V-groove of the V-groove substrate accommodates an uncoated portion of the optical fiber, and a coating portion is disposed on the extension portion so that the end of the sheath of the coating portion of each optical fiber is located outside the curved surface portion. In this state, the optical fibers are aligned by overlapping the pair of V-groove substrates.
【００１２】このように構成される端末保持構造は、光
ファイバの光学的接続などに使用される光ファイバアレ
イに適用され、シースによって被覆された複数本の光フ
ァイバが一対のＶ溝基板によって精度良く保持される。
この場合、Ｖ溝基板に上記曲面部を設けているため機械
加工の際にクラックが生じにくい。また、曲面部の外側
に各光ファイバの被覆部のシースの端が位置するため、
各Ｖ溝基板の平行度が保たれる。The terminal holding structure configured as described above is applied to an optical fiber array used for optical connection of optical fibers and the like, and a plurality of optical fibers covered by a sheath are precisely formed by a pair of V-groove substrates. Well held.
In this case, since the V-groove substrate has the curved surface, cracks are less likely to occur during machining. In addition, since the end of the sheath of the covering portion of each optical fiber is located outside the curved surface portion,
The parallelism of each V-groove substrate is maintained.
【００１３】[0013]
【発明の実施の形態】以下にこの発明の一実施形態につ
いて図１ないし図５を参照して説明する。図１に示す光
ファイバアレイ１０は、複数本の光ファイバ１１の端末
を一対のＶ溝基板１２，１３によって保持する構造であ
る。光ファイバ１１はその保護のためにシース１５によ
って被覆されている。この光ファイバ１１は、シース１
５によって被覆されている被覆部１１ａと、その先端側
のシース１５によって被覆されていない裸の部分すなわ
ち非被覆部１１ｂとからなる。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. The optical fiber array 10 shown in FIG. 1 has a structure in which terminals of a plurality of optical fibers 11 are held by a pair of V-groove substrates 12 and 13. The optical fiber 11 is covered with a sheath 15 for its protection. This optical fiber 11 has a sheath 1
5 and a bare portion that is not covered by the sheath 15 on the distal end side, that is, an uncovered portion 11b.
【００１４】一対のＶ溝基板１２，１３はいずれもシリ
コン単結晶からなり、互いに実質的に同等の構成である
から、図２に示す一方のＶ溝基板１２を代表して説明す
る。これらＶ溝基板１２，１３の相互対向面には、後述
する異方性エッチングによって互いに平行な複数のＶ溝
２０を形成したＶ溝部２１と、Ｖ溝部２１の端に位置し
かつ機械研削加工によって形成された段差部２５および
この段差部２５に連なる平坦な形状の延長部２６を有し
ている。段差部２５と延長部２６との間には、両者に連
なる曲面状の加工部すなわち曲面部２７が形成されてい
る。Each of the pair of V-groove substrates 12 and 13 is made of silicon single crystal and has substantially the same configuration. Therefore, one V-groove substrate 12 shown in FIG. 2 will be described as a representative. The mutually facing surfaces of the V-groove substrates 12 and 13 have a V-groove portion 21 in which a plurality of V-grooves 20 parallel to each other are formed by anisotropic etching to be described later, It has a step 25 formed and a flat extension 26 connected to the step 25. Between the step portion 25 and the extension portion 26, a curved processing portion, that is, a curved surface portion 27, which is continuous with the both, is formed.
【００１５】図１に示すように、各Ｖ溝基板１２，１３
のＶ溝２０に光ファイバ１１の非被覆部１１ｂを配置す
るとともに、各Ｖ溝基板１２，１３の延長部２６に光フ
ァイバ１１の被覆部１１ａを配置し、各Ｖ溝基板１２，
１３を重ね合わせた状態で接着剤等の適宜の固定手段に
よって各Ｖ溝基板１２，１３を固定する。このとき段差
部２５からシース１５の端１５ａを距離Ｇだけ離すこと
により、シース１５の端１５ａを曲面部２７の外側に位
置させる。As shown in FIG. 1, each V-groove substrate 12, 13
The uncovered portion 11b of the optical fiber 11 is arranged in the V-groove 20, and the covered portion 11a of the optical fiber 11 is arranged in the extension 26 of each of the V-groove substrates 12, 13.
The V-groove substrates 12 and 13 are fixed by an appropriate fixing means such as an adhesive in a state where the substrates 13 are overlapped. At this time, by separating the end 15a of the sheath 15 from the step 25 by the distance G, the end 15a of the sheath 15 is positioned outside the curved surface portion 27.
【００１６】このＶ溝基板１２，１３は、図４に示すよ
うにエッチング工程ＳＴ１と機械加工工程ＳＴ２を含む
加工プロセスにより製造される。すなわちＶ溝２０はエ
ッチング工程ＳＴ１によって形成され、段差部２５と延
長部２６および曲面部２７は機械加工工程ＳＴ２によっ
て形成される。The V-groove substrates 12, 13 are manufactured by a processing process including an etching step ST1 and a machining step ST2 as shown in FIG. That is, the V-groove 20 is formed by the etching process ST1, and the step 25, the extension 26, and the curved surface 27 are formed by the machining process ST2.
【００１７】エッチング工程ＳＴ１は以下に述べる通り
である。まず、Ｖ溝基板１２，１３の材料である（１０
０）Ｓｉウェハー１２ａを準備する。（１００）はミラ
ー指数である。（図５・Ａ） 上記Ｓｉウェハー（基板材料）１２ａ上に、例えばＣＶ
Ｄ法（Chemical VaporDeposition ：化学気相蒸着法）
などの膜形成方法によって、保護膜３０としてのＳｉＯ
2 を形成する。（図５・Ｂ） 前記保護膜３０の上に、レジスト（フォトレジスト）３
１を塗布する。（図５・Ｃ） 所望のパターンが形成されたマスク３２を重ねて光を照
射し、露光する。（図５・Ｄ） 前記露光後、現像を行なうと、マスクパターン３５がレ
ジスト３１に転写される。（図５・Ｅ） 前記パターンニングされたレジスト３１をマスクにし
て、前記保護膜３０をバッファードフッ酸にてエッチン
グする。エッチングすると保護膜３０に窓３６が形成さ
れる。（図５・Ｆ） レジスト３１を除去する。（図５・Ｇ） パターン化された保護膜３０をマスクにして、Ｓｉウェ
ハー１２ａを水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液にて異方
性エッチングを行う。これにより、Ｖ溝２０が形成され
る。（図５・Ｈ） バッファードフッ酸によって、保護膜３０（ＳｉＯ2 ）
を除去する。（図５・Ｉ） 上記のようなエッチング工程ＳＴ１を経て、複数のＶ溝
２０を同時に形成するため、Ｓｉ単結晶からなる基板材
料（Ｓｉウェハー１２ａ）もクラックを生じるおそれが
なく、しかも異方性エッチングにより正確な形状にＶ溝
２０を形成することができる。The etching step ST1 is as described below. First, the material of the V-groove substrates 12 and 13 (10
0) Prepare a Si wafer 12a. (100) is the Miller index. (FIG. 5A) On the Si wafer (substrate material) 12a, for example, CV
Method D (Chemical Vapor Deposition)
By using a film forming method such as SiO.
Form 2 . (FIG. 5B) On the protective film 30, a resist (photoresist) 3
1 is applied. (FIG. 5C) The mask 32 on which the desired pattern is formed is superposed and irradiated with light to expose. (FIG. 5D) When development is performed after the exposure, the mask pattern 35 is transferred to the resist 31. (FIG. 5E) The protective film 30 is etched with buffered hydrofluoric acid using the patterned resist 31 as a mask. When etched, a window 36 is formed in the protective film 30. (FIG. 5F) The resist 31 is removed. (FIG. 5G) Using the patterned protective film 30 as a mask, the Si wafer 12a is anisotropically etched with an aqueous solution of potassium hydroxide (KOH). As a result, the V groove 20 is formed. (FIG. 5H) Protective film 30 (SiO 2 ) by buffered hydrofluoric acid
Is removed. (FIG. 5I) Since a plurality of V-grooves 20 are simultaneously formed through the above-described etching step ST1, the substrate material (Si wafer 12a) made of Si single crystal does not have a possibility of cracking and is anisotropic. V-groove 20 can be formed in an accurate shape by the reactive etching.
【００１８】一方、機械加工工程ＳＴ２によって、光フ
ァイバ１１の被覆部１１ａを配置する箇所に段差部２５
と延長部２６および曲面部２７の機械研削加工を行な
う。加工具としては、半導体ウェハーの溝切加工などに
用いられているダイシングソー（dicing saw）などを用
いることができる。この機械加工工程ＳＴ２では、段差
部２５と延長部２６との間に曲面部２７も形成される。
この曲面部２７を設けたことにより、Ｖ溝基板１２，１
３の機械研削時のクラック発生を抑制できるとともに、
Ｖ溝基板１２，１３の強度を高めることができた。On the other hand, in the machining step ST2, the step 25 is formed at the position where the coating 11a of the optical fiber 11 is to be arranged.
Then, mechanical grinding of the extension portion 26 and the curved surface portion 27 is performed. As a processing tool, a dicing saw used for grooving a semiconductor wafer or the like can be used. In the machining step ST2, a curved surface 27 is also formed between the step 25 and the extension 26.
By providing the curved surface portion 27, the V-groove substrates 12, 1
Crack generation at the time of mechanical grinding can be suppressed, and
The strength of the V-groove substrates 12 and 13 could be increased.
【００１９】上記加工プロセスを経て完成したＶ溝基板
１２，１３の各Ｖ溝２０に、光ファイバ１１の非被覆部
１１ｂを配置し、かつ、Ｖ溝基板１２，１３の各延長部
２６間に光ファイバ１１の被覆部１１ａを配置し、Ｖ溝
基板１２，１３を重ね合わせることにより、全ての光フ
ァイバ１１が互いに平行に整列しかつ位置決めされた状
態で保持されるとともに、Ｖ溝基板１２，１３に対する
光ファイバ１１の光軸位置が定まる。この場合、シース
１５の端１５ａを曲面部２７の外側に配置することによ
り、光ファイバアレイ１０の平行度も保たれる。The uncoated portion 11b of the optical fiber 11 is arranged in each V-groove 20 of the V-groove substrates 12 and 13 completed through the above-mentioned processing process, and is provided between the respective extension portions 26 of the V-groove substrates 12 and 13. By disposing the covering portion 11a of the optical fiber 11 and overlapping the V-groove substrates 12, 13, all the optical fibers 11 are held in a state of being aligned and positioned in parallel with each other, and the V-groove substrates 12, 13 The optical axis position of the optical fiber 11 with respect to 13 is determined. In this case, by arranging the end 15a of the sheath 15 outside the curved surface portion 27, the parallelism of the optical fiber array 10 is also maintained.
【００２０】こうして製造された光ファイバアレイ１０
は、光ファイバ１１を含むＶ溝基板１２，１３の端面が
光学研磨などの方法により更に平坦に加工され、光学的
な接続端面が得られる。The optical fiber array 10 thus manufactured
The end faces of the V-groove substrates 12 and 13 including the optical fiber 11 are further flattened by a method such as optical polishing to obtain an optical connection end face.
【００２１】なお、図３に示すＶ溝基板１２の変形例の
ように、段差部２５と延長部２６との間に上記曲面部２
７を設けずに、段差部２５と延長部２６とが互いにほぼ
垂直となるように形成しても本発明の所期の目的は達成
できる。As in the modification of the V-groove substrate 12 shown in FIG. 3, the curved surface portion 2 is provided between the step portion 25 and the extension portion 26.
Even if the step 7 is not provided and the step 25 and the extension 26 are formed so as to be substantially perpendicular to each other, the intended object of the present invention can be achieved.
【００２２】[0022]
【発明の効果】本発明の製造方法によれば、Ｖ溝基板を
製造する場合に、基板材料としてシリコン単結晶を用い
て異方性エッチングと機械研削加工のそれぞれの特徴を
生かすようにこれら加工方法を組合わせたことにより、
Ｖ溝基板の加工性に優れ、しかも精度良く、加工時間も
短くてすむ。このためＶ溝基板の量産性に優れ、Ｖ溝基
板を低コストで提供することが可能である。According to the manufacturing method of the present invention, when manufacturing a V-groove substrate, a silicon single crystal is used as a substrate material so as to make use of the characteristics of anisotropic etching and mechanical grinding. By combining the methods,
The processability of the V-groove substrate is excellent, the accuracy is high, and the processing time is short. Therefore, the mass productivity of the V-groove substrate is excellent, and the V-groove substrate can be provided at low cost.
【００２３】また本発明の光ファイバの端末保持構造に
よれば、光ファイバアレイ等において、精度良く加工さ
れたＶ溝基板を用いて各光ファイバの光軸位置を精度良
く定めることができ、しかも光ファイバアレイを低コス
トで提供することが可能である。また、段差部と延長部
との間に曲面部を設けたことにより、Ｖ溝基板の強度を
高めることができる。According to the optical fiber terminal holding structure of the present invention, in an optical fiber array or the like, the optical axis position of each optical fiber can be accurately determined by using a V-groove substrate that has been precisely processed. An optical fiber array can be provided at low cost. Further, by providing the curved surface portion between the step portion and the extension portion, the strength of the V-groove substrate can be increased.
【図１】 本発明の一実施形態を示すＶ溝基板を有する
光ファイバアレイの側面図。FIG. 1 is a side view of an optical fiber array having a V-groove substrate according to an embodiment of the present invention.
【図２】 図１に示された光ファイバアレイに用いるＶ
溝基板の斜視図。FIG. 2 shows a V used in the optical fiber array shown in FIG.
FIG. 3 is a perspective view of a groove substrate.
【図３】 Ｖ溝基板の変形例を示す斜視図。FIG. 3 is a perspective view showing a modification of the V-groove substrate.
【図４】 上記Ｖ溝基板の製造工程を示すフローチャー
ト。FIG. 4 is a flowchart showing a manufacturing process of the V-groove substrate.
【図５】 上記Ｖ溝基板のエッチング工程を工程順に示
す断面図。FIG. 5 is a sectional view showing an etching step of the V-groove substrate in the order of steps.
１０…光ファイバアレイ １１…光ファイバ １１ａ…被覆部 １１ｂ…非被覆部 １２，１３…Ｖ溝基板 １５…シース ２０…Ｖ溝 ２５…段差部 ２６…延長部 ２７…曲面部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Optical fiber array 11 ... Optical fiber 11a ... Coated part 11b ... Uncoated part 12, 13 ... V-groove board 15 ... Sheath 20 ... V-groove 25 ... Stepped part 26 ... Extension part 27 ... Curved surface part
Claims (4)
エッチングによりＶ溝を形成するエッチング工程と、 上記基板材料の一部を機械研削加工により肉厚を減らし
て段差部およびこの段差部に連なる平坦な延長部を形成
する機械加工工程と、 を有することを特徴とする光ファイバ用Ｖ溝基板の製造
方法。An etching step of forming a V-groove in a substrate material made of silicon single crystal by anisotropic etching; and reducing a thickness of a part of the substrate material by mechanical grinding to form a stepped portion and a stepped portion. A machining step for forming a continuous flat extension, and a method for manufacturing an optical fiber V-groove substrate.
エッチングによって互いに平行な複数の光ファイバ整列
用のＶ溝を形成するエッチング工程と、 上記基板材料の一部を機械研削加工により肉厚を減らし
て上記Ｖ溝に連なる段差部を形成するとともに光ファイ
バの被覆部を配置すべき箇所に平坦な延長部を形成する
機械加工工程と、 を有することを特徴とする光ファイバ用Ｖ溝基板の製造
方法。2. An etching step of forming a plurality of V-grooves for aligning a plurality of optical fibers in parallel with each other by anisotropic etching in a substrate material made of silicon single crystal; A V-groove substrate for an optical fiber, comprising: a step of forming a step portion connected to the V-groove by reducing the above-mentioned V-groove and forming a flat extension at a place where a coating portion of the optical fiber is to be disposed. Manufacturing method.
加工により曲面部を形成することを特徴とする請求項２
記載の光ファイバ用Ｖ溝基板の製造方法。3. A curved surface portion is formed between said step portion and said extension portion by mechanical grinding.
The manufacturing method of the optical fiber V-groove substrate described in the above.
にエッチングによって形成された複数の平行な光ファイ
バ整列用のＶ溝を有する一対のＶ溝基板を備え、 上記一対のＶ溝基板は、 上記Ｖ溝に連なりかつ機械研削加工によって形成された
段差部およびこの段差部に連なる平坦な延長部を有する
とともに、 上記段差部と上記延長部との間にこれら両者に連なる曲
面部を有し、 上記一対のＶ溝基板の各Ｖ溝にそれぞれ光ファイバの非
被覆部を収容するとともに、上記曲面部の外側に各光フ
ァイバの被覆部のシースの端が位置するように上記延長
部に被覆部を配置した状態で、上記一対のＶ溝基板を互
いに重ね合わせることにより上記各光ファイバを整列さ
せることを特徴とする光ファイバの端末保持構造。4. A pair of V-groove substrates having a plurality of V-grooves for aligning a plurality of parallel optical fibers, the V-groove substrates being made of silicon single crystal and formed by etching on opposing surfaces of each other. A stepped portion connected to the V-groove and formed by mechanical grinding and a flat extended portion connected to the stepped portion, and a curved surface portion connected to both of the stepped portion and the extended portion, Each of the V-grooves of the pair of V-groove substrates accommodates an uncoated portion of an optical fiber, and a coating portion is provided on the extension portion so that an end of a sheath of the coated portion of each optical fiber is located outside the curved surface portion. Wherein the pair of V-groove substrates are overlapped with each other in a state where the optical fibers are arranged to align the optical fibers.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23109897A JPH1172643A (en) | 1997-08-27 | 1997-08-27 | Production of v-grooved substrate for optical fiber and terminal holding structure of optical fiber |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23109897A JPH1172643A (en) | 1997-08-27 | 1997-08-27 | Production of v-grooved substrate for optical fiber and terminal holding structure of optical fiber |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1172643A true JPH1172643A (en) | 1999-03-16 |
Family
ID=16918272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23109897A Pending JPH1172643A (en) | 1997-08-27 | 1997-08-27 | Production of v-grooved substrate for optical fiber and terminal holding structure of optical fiber |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1172643A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003025647A1 (en) * | 2001-08-31 | 2003-03-27 | Microsolutions, Inc. | Optical device and method for fabricating the same |
| JP2005227574A (en) * | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Fujikura Ltd | V-grooved substrate, manufacturing method therefor, and optical fiber array |
-
1997
- 1997-08-27 JP JP23109897A patent/JPH1172643A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003025647A1 (en) * | 2001-08-31 | 2003-03-27 | Microsolutions, Inc. | Optical device and method for fabricating the same |
| JP2005227574A (en) * | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Fujikura Ltd | V-grooved substrate, manufacturing method therefor, and optical fiber array |
| JP4570885B2 (en) * | 2004-02-13 | 2010-10-27 | 株式会社フジクラ | Manufacturing method of V-groove substrate |
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