JPH1167964A - Manufacture of semiconductor package - Google Patents

Manufacture of semiconductor package

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JPH1167964A
JPH1167964A JP22961697A JP22961697A JPH1167964A JP H1167964 A JPH1167964 A JP H1167964A JP 22961697 A JP22961697 A JP 22961697A JP 22961697 A JP22961697 A JP 22961697A JP H1167964 A JPH1167964 A JP H1167964A
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JP
Japan
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substrate
resin composition
cured
semiconductor package
resin layer
Prior art date
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Pending
Application number
JP22961697A
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Japanese (ja)
Inventor
Toshiyuki Makita
俊幸 牧田
Koji Sato
光司 佐藤
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Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH1167964A publication Critical patent/JPH1167964A/en
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    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
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    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H05K3/4673—Application methods or materials of intermediate insulating layers not specially adapted to any one of the previous methods of adding a circuit layer
    • H05K3/4676—Single layer compositions

Landscapes

  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a semiconductor package, which hardly reduces the bonding strength of the part between a conductor circuit and an applied resin composition in the case, where the package is subjected to moisture absorption treatment and at the same time, can obtain the semiconductor package, whose insulation characteristic is hardly deteriorated. SOLUTION: A thermosetting resin composition is applied on a prescribed position on the surface of a substrate 11b with a conductor circuit 12b, formed on the surface thereof and thereafter, a resin layer is cured. Then a sheetlike bonding agent 15 is made to interpose between the substrate 11b and a substrate 11a and while a recessed semiconductor element arrangement part 17, through which the circuit 12b is exposed, is formed, the substrate 11a is laminated on the substrate 11b and is adhered to the substrate 11b. In this case, after the epoxy resin composition containing a cresol novolak resin as a curing agent is applied on the prescribed position on the surface of the substrate 11b with the circuit 12b formed on the surface thereof, the resin layer 22 is cured. Then, after a cresol novolak resin composition containing an aromatic amine curing agent is applied on the surface of the cured resin layer 22, a resin layer is cured, and then, the bonding agent 15 is made to interpose between the substrates 11b and 11a, and the substrate 11a is laminated on the substrate 11b.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
に用いられる半導体パッケージの製造方法に関するもの
である。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor package used for manufacturing a semiconductor device.

【０００２】[0002]

【従来の技術】ピングリッドアレイ半導体装置等の半導
体装置は、例えば、一方の面に、半導体素子を配置可能
に形成された凹状の半導体素子配置部と、その半導体素
子配置部の周囲に形成され、ボンディングワイヤー等と
接続可能に形成された導体回路であるボンディングパッ
トとを備え、他方の面に、上記ボンディングパットと電
気的に接続された電極と、その電極と接続され、母基板
（半導体装置を実装するプリント配線板）に実装するた
めの端子とを備える半導体パッケージを用いて、半導体
素子を実装した後、ボンディングワイヤー等でボンディ
ングパットと半導体素子を接続し、次いで封止材で封止
して製造されている。2. Description of the Related Art A semiconductor device such as a pin grid array semiconductor device is formed, for example, on one surface with a concave semiconductor element disposing portion formed so as to be capable of disposing a semiconductor element, and around the semiconductor element disposing portion. And a bonding pad which is a conductor circuit formed to be connectable to a bonding wire or the like. On the other surface, an electrode electrically connected to the bonding pad, and an electrode connected to the electrode, the mother board (semiconductor device) After mounting the semiconductor element using a semiconductor package having terminals for mounting on a printed wiring board on which the semiconductor device is mounted, the bonding pad and the semiconductor element are connected with a bonding wire or the like, and then sealed with a sealing material. Manufactured.

【０００３】近年の半導体装置の高機能化に伴い、ボン
ディングパットの必要数が増大する傾向にある。そのた
め、図３に示すような、表層に形成したボンディングパ
ット１２ａに加え、半導体素子配置部１７の内部にもボ
ンディングパット１２ｂを形成して、ボンディングパッ
ト１２ａ，１２ｂの数を増加させた半導体パッケージ１
０を用いた半導体装置が検討されている。[0003] With the recent increase in the functions of semiconductor devices, the required number of bonding pads tends to increase. Therefore, as shown in FIG. 3, in addition to the bonding pads 12a formed on the surface layer, the bonding pads 12b are also formed inside the semiconductor element disposition portion 17, and the number of the bonding pads 12a and 12b is increased.
A semiconductor device using 0 is under study.

【０００４】このボンディングパット１２ａ，１２ｂの
数を増加させた半導体パッケージ１０は、例えば図４に
示すような方法で製造されている。図４（ａ）に示すよ
うな、一方の面（図で下の面）に導体回路を形成すると
共に、貫通して形成された基板開口部１３を有する有機
系基板１１ａ（以下第１基板１１ａと記す）と、一方の
面（図で上の面）にボンディングパット用等の導体回路
１２ｂを形成した有機系基板１１ｂ（以下第２基板１１
ｂと記す）と、シート状の接着剤１５を用いる。このと
き接着剤１５としては、第１基板１１ａの基板開口部１
３とほぼ同じ大きさの接着剤開口部１６を有する接着剤
１５を用いる。The semiconductor package 10 in which the number of the bonding pads 12a and 12b is increased is manufactured by, for example, a method shown in FIG. As shown in FIG. 4A, an organic substrate 11a (hereinafter referred to as a first substrate 11a) having a substrate opening 13 formed with a conductor circuit formed on one surface (a lower surface in the drawing) and penetrating therethrough. ) And an organic substrate 11b (hereinafter referred to as a second substrate 11) having a conductor circuit 12b for bonding pads or the like formed on one surface (upper surface in the figure).
b) and a sheet-like adhesive 15 is used. At this time, as the adhesive 15, the substrate opening 1 of the first substrate 11a is used.
An adhesive 15 having an adhesive opening 16 of substantially the same size as 3 is used.

【０００５】そして、必要に応じて導体回路の表面を研
磨等を行い粗面化した後、基板開口部１３と接着剤開口
部１６の位置がほぼ一致するように第１基板１１ａと第
２基板１１ｂの間に、接着剤１５を介在させて積層し、
次いで、加熱・加圧して接着すると、図４（ｂ）に示す
ように、ボンディングパット用等の導体回路１２ｂが露
出している凹状の半導体素子配置部１７が形成される。
次いで、図４（ｃ）に示すように、表層にボンディング
パット用の導体回路１２ａや、電極１８等を形成すると
共に、各層の導体回路１２ａ，１２ｂ・・等を接続する
スルホール金属層１９を形成して、半導体パッケージは
製造されている。After the surface of the conductor circuit is polished or the like, if necessary, the first substrate 11a and the second substrate 11a are so aligned that the positions of the substrate opening 13 and the adhesive opening 16 are substantially the same. 11b, laminated with an adhesive 15 interposed therebetween,
Then, when bonding is performed by applying heat and pressure, as shown in FIG. 4B, a concave semiconductor element arrangement portion 17 in which the conductor circuit 12b for a bonding pad or the like is exposed is formed.
Next, as shown in FIG. 4C, a conductor circuit 12a for bonding pads, an electrode 18, and the like are formed on the surface layer, and a through-hole metal layer 19 that connects the conductor circuits 12a, 12b,. As a result, semiconductor packages are manufactured.

【０００６】なお、接着剤１５で接着される第１基板１
１ａ及び第２基板１１ｂの面は、ボンディングパット用
等の導体回路１２ｂ・・を形成しているため、凹凸を有
している。この凹凸を有する面を接着するとき凹部に気
泡が残らないように、第１基板１１ａ及び第２基板１１
ｂを接着する接着剤１５には、ある程度流動性のあるも
のを用いる必要があり、一般にプリプレグと呼ばれる熱
硬化性樹脂組成物を半硬化させてシート状とした接着剤
１５が用いられている。この半硬化させた熱硬化性樹脂
組成物の接着剤１５は接着するために加熱すると、いっ
たん粘度が低下し液状化して樹脂が流れ、さらに加熱す
ると硬化して樹脂が流れなくなるため、凹部に気泡が残
りにくいという特徴があり、一般に用いられている。The first substrate 1 bonded with the adhesive 15
The surfaces of the first substrate 1a and the second substrate 11b have irregularities because they form conductor circuits 12b for bonding pads and the like. The first substrate 11a and the second substrate 11 are bonded so that no air bubbles remain in the concave portions when the surface having the irregularities is bonded.
It is necessary to use an adhesive 15 that adheres to b to a certain degree of fluidity, and a sheet-like adhesive 15 obtained by semi-curing a thermosetting resin composition generally called a prepreg is used. The adhesive 15 of the semi-cured thermosetting resin composition, when heated for bonding, once lowers in viscosity and liquefies, causing the resin to flow. When further heated, the resin hardens and the resin no longer flows. Has the characteristic that it is difficult to remain, and is generally used.

【０００７】しかし、凹部に気泡が残らないように流動
性を高めると、図５に示すように、第１基板１１ａと第
２基板１１ｂを接着するときの加圧により、接着剤１５
が半導体素子配置部内に露出するボンディングパット用
の導体回路１２ｂの部分に流れ出し、導体回路１２ｂの
部分を覆った状態で接着剤１５が硬化する場合があっ
た。この接着剤１５で覆われた導体回路１２ｂの部分は
ボンディングワイヤー等との接続が不十分となり、電気
的接続の信頼性が確保できない場合があるという問題が
あった。However, if the fluidity is increased so that no air bubbles remain in the concave portions, as shown in FIG. 5, the adhesive 15 is applied by pressure when the first substrate 11a and the second substrate 11b are bonded.
May flow out to the portion of the conductor circuit 12b for the bonding pad exposed in the semiconductor element arrangement portion, and the adhesive 15 may be cured while covering the portion of the conductor circuit 12b. The portion of the conductor circuit 12b covered with the adhesive 15 has a problem that the connection with the bonding wire or the like becomes insufficient, and the reliability of the electrical connection may not be secured.

【０００８】そのため、特開平７−２７３４６４号の従
来例に記載されたように、半導体素子配置部内に露出さ
せようとする導体回路の部分を除く基板表面に、ソルダ
ーレジスト等の熱硬化性樹脂組成物を塗布した後、無加
圧で硬化させて導体回路間の凹部を埋め、次いで樹脂流
れの少ない接着剤で接着することにより、導体回路間の
凹部に気泡を残りにくくすると共に、半導体素子配置部
内に露出する導体回路への樹脂流出を少なくした製造方
法が検討されている。Therefore, as described in the conventional example of Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 7-273664, a thermosetting resin composition such as a solder resist is formed on the surface of the substrate except for a portion of the conductor circuit to be exposed in the semiconductor element disposition portion. After applying the object, it is cured under no pressure to fill the recesses between the conductor circuits, and then bonded with an adhesive with a small resin flow, so that air bubbles are less likely to remain in the recesses between the conductor circuits and the semiconductor element arrangement. A manufacturing method that reduces resin outflow to a conductor circuit exposed in a part has been studied.

【０００９】しかし、この基板表面に熱硬化性樹脂組成
物を塗布した後、硬化させる方法で製造した場合、導体
回路間の凹部には気泡が残りにくいが、得られた半導体
パッケージを吸湿処理した場合、導体回路と塗布した樹
脂組成物の間の部分の接着強度が低下したり、絶縁性が
低下する場合があるという問題があった。However, when the thermosetting resin composition is applied to the surface of the substrate and then cured, air bubbles hardly remain in the recesses between the conductor circuits, but the obtained semiconductor package is subjected to a moisture absorption treatment. In this case, there has been a problem that the adhesive strength at the portion between the conductor circuit and the applied resin composition may be reduced, or the insulating property may be reduced.

【００１０】[0010]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
を改善するために成されたもので、その目的とするとこ
ろは、その中の少なくとも１枚には導体回路を表面に形
成した複数枚の有機系基板を用い、その導体回路を表面
に形成した基板表面の所定の位置に熱硬化性樹脂組成物
を塗布した後、硬化させ、次いで各基板の間にシート状
の接着剤を介在させて、導体回路が露出している凹状の
半導体素子配置部を形成しながら積層、接着して製造す
る半導体パッケージの製造方法であって、吸湿処理した
場合に、導体回路と塗布した樹脂組成物の間の部分の接
着強度が低下しにくいと共に、絶縁性が低下しにくい半
導体パッケージが得られる、半導体パッケージの製造方
法を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide at least one of the devices having a plurality of conductive circuits formed on the surface thereof. After applying a thermosetting resin composition to a predetermined position on the surface of a substrate on which a conductive circuit is formed using a plurality of organic substrates, curing is performed, and then a sheet-like adhesive is interposed between the substrates. A method of manufacturing a semiconductor package by laminating and bonding while forming a concave semiconductor element arrangement portion where a conductive circuit is exposed, wherein a resin composition applied to the conductive circuit when subjected to moisture absorption processing It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a semiconductor package, which can obtain a semiconductor package in which the adhesive strength of a portion between the two hardly decreases and the insulating property hardly decreases.

【００１１】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
半導体パッケージの製造方法は、その中の少なくとも１
枚には導体回路を表面に形成した複数枚の有機系基板を
用い、その導体回路を表面に形成した基板表面の所定の
位置に熱硬化性樹脂組成物を塗布した後、硬化させ、次
いで各基板の間にシート状の接着剤を介在させて、導体
回路が露出している凹状の半導体素子配置部を形成しな
がら積層、接着して製造する半導体パッケージの製造方
法において、導体回路を表面に形成した基板表面の所定
の位置に熱硬化性樹脂組成物を塗布した後、硬化させる
方法が、クレゾールノボラック樹脂を硬化剤として含有
するエポキシ樹脂組成物を、導体回路を表面に形成した
基板表面の所定の位置に塗布した後、硬化させ、次いで
その硬化した樹脂層の表面に芳香族アミン系硬化剤を含
有するクレゾールノボラック樹脂組成物を塗布した後、
硬化させる方法であることを特徴とする。According to a first aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor package, comprising:
Using a plurality of organic substrates having a conductive circuit formed on the surface, a thermosetting resin composition is applied to a predetermined position on the surface of the substrate having the conductive circuit formed on the surface, and then cured. In a method of manufacturing a semiconductor package in which a sheet-like adhesive is interposed between substrates and laminated and bonded while forming a concave semiconductor element arrangement portion where a conductive circuit is exposed, the conductive circuit is formed on the surface. After applying the thermosetting resin composition to a predetermined position on the formed substrate surface, the method of curing the epoxy resin composition containing a cresol novolak resin as a curing agent, a conductive circuit on the surface of the substrate surface formed on the surface After being applied to a predetermined position, cured, and then applied to the surface of the cured resin layer a cresol novolak resin composition containing an aromatic amine-based curing agent,
It is a method of curing.

【００１２】本発明の請求項２に係る半導体パッケージ
の製造方法は、請求項１記載の半導体パッケージの製造
方法において、エポキシ樹脂組成物が、ビスフェノール
Ａ型エポキシ樹脂を含有するエポキシ樹脂組成物である
ことを特徴とする。According to a second aspect of the present invention, in the method for manufacturing a semiconductor package according to the first aspect, the epoxy resin composition is an epoxy resin composition containing a bisphenol A type epoxy resin. It is characterized by the following.

【００１３】本発明の請求項３に係る半導体パッケージ
の製造方法は、請求項１又は請求項２記載の半導体パッ
ケージの製造方法において、芳香族アミン系硬化剤とし
て、ジアミノジフェニルメタンを含有することを特徴と
することを特徴とする。According to a third aspect of the present invention, there is provided the method of manufacturing a semiconductor package according to the first or second aspect, wherein the aromatic amine-based curing agent contains diaminodiphenylmethane. It is characterized by the following.

【００１４】本発明の請求項４に係る半導体パッケージ
の製造方法は、請求項１から請求項３のいずれかに記載
の半導体パッケージの製造方法において、硬化した樹脂
層の表面に芳香族アミン系硬化剤を含有するクレゾール
ノボラック樹脂組成物を塗布する方法が、硬化した樹脂
層の表面を粗面化した後、その粗面化した樹脂層の表面
に芳香族アミン系硬化剤を含有するクレゾールノボラッ
ク樹脂組成物を塗布する方法であることを特徴とする。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor package according to any one of the first to third aspects, wherein the surface of the cured resin layer is cured with an aromatic amine-based resin. Novolak resin comprising a method of applying a cresol novolak resin composition containing a curing agent, after roughening the surface of the cured resin layer, and then containing an aromatic amine-based curing agent on the surface of the roughened resin layer. It is a method of applying a composition.

【００１５】本発明の請求項５に係る半導体パッケージ
の製造方法は、請求項４記載の半導体パッケージの製造
方法において、硬化した樹脂層の表面を粗面化する方法
が、機械的に硬化した樹脂層の表面を削って粗面化する
方法、及び、酸化処理液で化学的に硬化した樹脂層の表
面をエッチングして粗面化する方法の、少なくとも一方
の方法であることを特徴とする。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor package according to the fourth aspect, wherein the method of roughening the surface of the cured resin layer comprises the step of mechanically curing the resin. The method is characterized by at least one of a method of shaving the surface of the layer to roughen the surface and a method of etching and roughening the surface of the resin layer chemically cured with the oxidizing solution.

【００１６】本発明の請求項６に係る半導体パッケージ
の製造方法は、請求項１から請求項５のいずれかに記載
の半導体パッケージの製造方法において、硬化した樹脂
層の硬度が、室温で鉛筆硬度１〜４Ｈであることを特徴
とする。According to a sixth aspect of the present invention, in the method of manufacturing a semiconductor package according to any one of the first to fifth aspects, the hardness of the cured resin layer is a pencil hardness at room temperature. 1 to 4H.

【００１７】本発明によると、クレゾールノボラック樹
脂を硬化剤として含有するエポキシ樹脂組成物を、基板
表面に塗布した後、硬化させ、次いでその硬化した樹脂
層の表面に芳香族アミン系硬化剤を含有するクレゾール
ノボラック樹脂組成物を塗布した後、硬化して製造する
ため、この両者の樹脂組成物によって、吸湿処理した場
合に、導体回路と塗布した樹脂組成物の間の部分の接着
強度が低下しにくいと共に、絶縁性が低下しにくい半導
体パッケージが得られる。According to the present invention, an epoxy resin composition containing a cresol novolak resin as a curing agent is applied to a substrate surface, cured, and then contains an aromatic amine curing agent on the surface of the cured resin layer. After the cresol novolak resin composition is applied and cured, the two resin compositions reduce the adhesive strength of the portion between the conductor circuit and the applied resin composition when subjected to moisture absorption treatment. It is possible to obtain a semiconductor package that is difficult to reduce the insulation property.

【００１８】[0018]

【発明の実施の形態】本発明に係る半導体パッケージの
製造方法を図面に基づいて説明する。図１及び図２は、
本発明に係る半導体パッケージの製造方法の一実施の形
態の、工程を説明する断面図である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A method for manufacturing a semiconductor package according to the present invention will be described with reference to the drawings. 1 and 2
FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a step in one embodiment of the method for manufacturing a semiconductor package according to the present invention.

【００１９】本発明に係る半導体パッケージの製造方法
の一実施の形態は、図１（ａ）に示すように、貫通して
形成された基板開口部１３を有する有機系の第１基板１
１ａと、一方の面（図で上の面）にボンディングパット
用等の導体回路１２ｂを形成した有機系の第２基板１１
ｂと、第１基板１１ａの基板開口部１３とほぼ同じ大き
さの接着剤開口部１６を有するシート状の接着剤１５を
用いる。One embodiment of a method of manufacturing a semiconductor package according to the present invention, as shown in FIG. 1A, is an organic first substrate 1 having a substrate opening 13 formed therethrough.
1a and an organic second substrate 11 having a conductor circuit 12b for bonding pads or the like formed on one surface (upper surface in the figure).
b and a sheet-like adhesive 15 having an adhesive opening 16 having substantially the same size as the substrate opening 13 of the first substrate 11a.

【００２０】なお、第１基板１１ａの接着剤１５と接し
ない面（図で上の面）は導体回路を形成していてもよ
く、全面に銅箔等の導体箔を有していてもよい。なお、
製造しようとする半導体パッケージの表層に導体回路を
設けない場合や、接着後アディティブ法等により形成す
る場合等は導体はなくてもよい。また、第１基板１１ａ
の接着剤１５と接する面（図で下の面）は、導体回路を
形成していてもよく、なくてもよい。The surface of the first substrate 11a that is not in contact with the adhesive 15 (the upper surface in the figure) may form a conductor circuit, or may have a conductor foil such as a copper foil on the entire surface. . In addition,
The conductor may not be provided when no conductor circuit is provided on the surface layer of the semiconductor package to be manufactured, or when the semiconductor package is formed by an additive method after bonding. Also, the first substrate 11a
The surface in contact with the adhesive 15 (the lower surface in the figure) may or may not form a conductor circuit.

【００２１】また、第２基板１１ｂの接着剤１５と接し
ない面（図で下の面）は導体回路を形成していてもよ
く、全面に銅箔等の導体箔を有していてもよく、導体が
なくてもよい。なお、第２基板１１ｂの接着剤１５と接
する面（図で上の面）は、少なくとも第１基板１１ａに
形成された基板開口部１３と対応する位置に、導体回路
１２ｂを形成しているものに限定される。The surface of the second substrate 11b that is not in contact with the adhesive 15 (the lower surface in the figure) may form a conductor circuit, and may have a conductor foil such as a copper foil on the entire surface. The conductor may not be provided. The surface (upper surface in the figure) of the second substrate 11b in contact with the adhesive 15 has the conductor circuit 12b formed at least at a position corresponding to the substrate opening 13 formed in the first substrate 11a. Is limited to

【００２２】この導体回路１２ｂを形成する方法は特に
限定するものではなく、表面に導体箔を有した有機系基
板を用いて、その導体箔をエッチングして形成する方法
や、表面に導体箔を有しない有機系基板を用いて、回路
を形成しない部分にレジスト皮膜を形成した後、無電解
メッキ等を施すことにより形成する方法等が挙げられ
る。なお、導体回路１２ｂを形成する金属としては、
銅、アルミニウム、真鍮、ニッケル等の単独、合金等が
挙げられるが、電気的信頼性より銅や、銅の表面に金め
っき層等を形成したものが好ましい。The method of forming the conductive circuit 12b is not particularly limited, and a method of forming the conductive circuit by etching the conductive foil using an organic substrate having the conductive foil on the surface, or a method of forming the conductive foil on the surface. A method in which a resist film is formed on a portion where a circuit is not formed using an organic substrate having no resist, and then formed by applying electroless plating or the like. In addition, as a metal forming the conductor circuit 12b,
Copper, aluminum, brass, nickel and the like alone, alloys and the like are listed, but copper and a copper plated layer formed on the surface of copper are preferable from the viewpoint of electrical reliability.

【００２３】本発明に用いる基板１１ａ，１１ｂは、有
機系であれば特に限定するものではなく、例えば、エポ
キシ樹脂系、フェノール樹脂系、ポリイミド樹脂系、不
飽和ポリエステル樹脂系、ポリフェニレンエーテル樹脂
系等の熱硬化性樹脂組成物や、これらの熱硬化性樹脂組
成物に無機充填材等を配合したものの板や、ガラス等の
無機質繊維やポリエステル、ポリアミド、木綿等の有機
質繊維のクロス、ペーパー等の基材を、上記熱硬化性樹
脂組成物等で接着した板等が挙げられる。The substrates 11a and 11b used in the present invention are not particularly limited as long as they are organic, and examples thereof include epoxy resin, phenol resin, polyimide resin, unsaturated polyester resin, and polyphenylene ether resin. Thermosetting resin compositions, or boards of those thermosetting resin compositions in which an inorganic filler or the like is blended, inorganic fibers such as glass, polyester, polyamide, polyamide, cloth of organic fibers such as cotton, paper, etc. A plate in which a substrate is bonded with the above-mentioned thermosetting resin composition or the like can be used.

【００２４】なお、これらの第１基板１１ａ及び第２基
板１１ｂには、その壁面に金属層を形成した穴を有して
いてもよく、内部に導体回路を形成していてもよい。ま
た、第２基板１１ｂにも、基板開口部を有していてもよ
い。The first substrate 11a and the second substrate 11b may have a hole formed with a metal layer on the wall surface, or may have a conductor circuit formed therein. The second substrate 11b may also have a substrate opening.

【００２５】また、本発明に用いる接着剤１５は、第１
基板１１ａ及び第２基板１１ｂと積層した後、加熱・加
圧して接着するときに、半導体素子配置部内へ流れる樹
脂量が少なくなるよう制御したものであれば特に限定す
るものではなく、例えば、エポキシ樹脂系、フェノール
樹脂系、ポリイミド樹脂系、不飽和ポリエステル樹脂
系、ポリフェニレンエーテル樹脂系等の熱硬化性樹脂組
成物や、これらの熱硬化性樹脂組成物に無機充填材等を
配合したものを半硬化させてシート状としたものや、ガ
ラス等の無機質繊維やポリエステル、ポリアミド、木綿
等の有機質繊維のクロス、ペーパー等の基材に、上記熱
硬化性樹脂組成物を含浸した後、半硬化させてシート状
としたもの等が挙げられる。なお、エポキシ樹脂系の接
着剤１５の場合、加熱・加圧して接着するときに、半導
体素子配置部内へ流れる樹脂量を制御しやすく好まし
い。The adhesive 15 used in the present invention comprises
There is no particular limitation as long as the amount of resin flowing into the semiconductor element placement portion is controlled to be small when bonding by heating and pressing after lamination with the substrate 11a and the second substrate 11b. Thermosetting resin compositions such as resin-based, phenolic resin-based, polyimide resin-based, unsaturated polyester resin-based, and polyphenylene ether-based resins, and those obtained by blending inorganic fillers and the like with these thermosetting resin compositions. Cured into sheet form, inorganic fibers such as glass, polyester, polyamide, cloth of organic fibers such as cotton, base material such as paper, impregnated with the thermosetting resin composition, and then semi-cured. And the like. In the case of the epoxy resin-based adhesive 15, it is preferable to easily control the amount of resin flowing into the semiconductor element arrangement portion when bonding by heating and pressing.

【００２６】そして、図１（ｂ）に示すように、半導体
素子配置部内に露出させようとする導体回路１２ｂの部
分を除く基板１１ｂ表面に、エポキシ樹脂組成物を塗布
した後、硬化させて第一の樹脂層２２を形成し、次いで
その硬化した第一の樹脂層２２の表面に、クレゾールノ
ボラック樹脂組成物を塗布した後、硬化させて第二の樹
脂層２１を形成する。なお、エポキシ樹脂組成物には、
クレゾールノボラック樹脂を硬化剤として含有し、クレ
ゾールノボラック樹脂組成物には、芳香族アミン系硬化
剤を含有していることが重要である。これらの一方又は
両方を含有していない場合や、これらの一方又は両方の
樹脂組成物を塗布しない場合には、得られた半導体パッ
ケージを吸湿処理した場合、導体回路と塗布した樹脂組
成物の間の部分の接着強度が低下したり、絶縁性が低下
する場合がある。なお、芳香族アミン系硬化剤としてジ
アミノジフェニルメタンを含有していると、特に接着強
度及び絶縁性が優れ好ましい。Then, as shown in FIG. 1B, an epoxy resin composition is applied to the surface of the substrate 11b excluding the portion of the conductor circuit 12b which is to be exposed in the semiconductor element arrangement portion, and then cured to cure. After forming one resin layer 22, a cresol novolak resin composition is applied to the surface of the cured first resin layer 22 and then cured to form the second resin layer 21. In addition, the epoxy resin composition,
It is important that the cresol novolak resin is contained as a curing agent, and that the cresol novolak resin composition contains an aromatic amine-based curing agent. When one or both of these are not contained, or when one or both of these resin compositions are not applied, when the obtained semiconductor package is subjected to a moisture absorption treatment, between the conductor circuit and the applied resin composition. In some cases, the adhesive strength of the portion may decrease, or the insulating property may decrease. When diaminodiphenylmethane is contained as an aromatic amine-based curing agent, the adhesive strength and the insulating property are particularly excellent, which is preferable.

【００２７】上記エポキシ樹脂組成物中には、エポキシ
樹脂及びクレゾールノボラック樹脂をその硬化剤を必須
として含有し、必要に応じて他の硬化剤、無機充填材及
び顔料等を含有することができる。The epoxy resin composition contains an epoxy resin and a cresol novolak resin as a curing agent as essential components, and may further contain other curing agents, inorganic fillers, pigments, and the like, if necessary.

【００２８】なお、含有することができるクレゾールノ
ボラック樹脂以外の硬化剤としては、特に限定するもの
ではなく、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−
メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール等のイ
ミダゾール系硬化剤や、ジシアンジアミド、脂肪族ポリ
アミド等のアミド系硬化剤や、アンモニア、トリエチル
アミン、ジエチルアミン等の脂肪族アミン系硬化剤や、
ジアミノジフェニルメタン、メタフェニレンジアミン等
の芳香族アミン系硬化剤や、フェノールノボラック樹
脂、ｐ−キシレン−ノボラック樹脂等の、クレゾールノ
ボラック樹脂以外のフェノール系硬化剤や、メチルヘキ
サヒドロフタル酸無水物等の酸無水物系硬化剤等が挙げ
られる。なお、クレゾールノボラック樹脂以外の硬化剤
を含有させる場合には、クレゾールノボラック樹脂を官
能基比率で５０％以上含有させると好ましい。なお、硬
化剤合計の配合量としては、通常エポキシ樹脂に対し
て、当量比で０．５〜１．５の範囲で配合される。な
お、クレゾールノボラック樹脂の配合量は、エポキシ樹
脂１００重量部に対し、１５〜１５０重量部程度が好ま
しい。The curing agent other than the cresol novolak resin that can be contained is not particularly limited, and 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-
Methyl imidazole, imidazole-based curing agents such as 2-phenylimidazole, dicyandiamide, amide-based curing agents such as aliphatic polyamides, ammonia, triethylamine, aliphatic amine-based curing agents such as diethylamine,
Aromatic amine curing agents such as diaminodiphenylmethane and metaphenylenediamine; phenolic curing agents other than cresol novolak resin such as phenol novolak resin and p-xylene-novolak resin; and acids such as methylhexahydrophthalic anhydride. An anhydride-based curing agent is exemplified. When a curing agent other than the cresol novolak resin is contained, it is preferable to contain the cresol novolak resin in a proportion of 50% or more in terms of a functional group ratio. The total amount of the curing agent is usually 0.5 to 1.5 in an equivalent ratio to the epoxy resin. The amount of the cresol novolak resin is preferably about 15 to 150 parts by weight based on 100 parts by weight of the epoxy resin.

【００２９】また、エポキシ樹脂組成物に含有するエポ
キシ樹脂としては、特に限定するものではなく、例えば
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型
エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノ
ボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦノボラック
型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹
脂、ジアミノジフェニルメタン型エポキシ樹脂、及びこ
れらのエポキシ樹脂構造体中の水素原子の一部をハロゲ
ン化することにより難燃化したエポキシ樹脂等が挙げら
れる。なお、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を含有す
ると、特に導体回路と塗布した樹脂組成物の間の接着強
度が優れ好ましい。The epoxy resin contained in the epoxy resin composition is not particularly limited. For example, bisphenol A epoxy resin, bisphenol F epoxy resin, bisphenol S epoxy resin, phenol novolak epoxy resin, bisphenol A novolak type epoxy resin, bisphenol F novolak type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, diaminodiphenylmethane type epoxy resin, and epoxy flame retarded by halogenating a part of hydrogen atoms in these epoxy resin structures Resins. When a bisphenol A type epoxy resin is contained, the adhesive strength between the conductor circuit and the applied resin composition is particularly excellent, which is preferable.

【００３０】また、エポキシ樹脂組成物に含有すること
ができる無機充填材としては、シリカ、炭酸カルシウ
ム、水酸化アルミニウム、タルク等の無機質粉末充填材
や、ガラス繊維、セラミック繊維等の繊維質充填材が挙
げられる。また、エポキシ樹脂組成物に含有することが
できる顔料としては、例えば、酸化チタン等が挙げられ
る。なお、無機充填材は、エポキシ樹脂や硬化剤と比較
して吸湿しにくいため、エポキシ樹脂組成物に含有する
と吸湿率を低下させ、特に吸湿信頼性が優れた半導体パ
ッケージを得ることが可能となる。なお、無機充填材の
含有量は、エポキシ樹脂１００重量部に対し、１００〜
２５０重量部含有するようにすると好ましい。Examples of the inorganic filler that can be contained in the epoxy resin composition include inorganic powder fillers such as silica, calcium carbonate, aluminum hydroxide and talc, and fibrous fillers such as glass fiber and ceramic fiber. Is mentioned. Examples of the pigment that can be contained in the epoxy resin composition include titanium oxide. In addition, since the inorganic filler is less likely to absorb moisture than the epoxy resin and the curing agent, when included in the epoxy resin composition, the moisture absorption rate is reduced, and a semiconductor package having particularly excellent moisture absorption reliability can be obtained. . The content of the inorganic filler is 100 to 100 parts by weight of the epoxy resin.
It is preferable to contain 250 parts by weight.

【００３１】エポキシ樹脂組成物を塗布する方法として
は特に限定するものではなく、例えば、エポキシ樹脂組
成物を溶剤で粘度調整した後、印刷法等を用いて塗布す
る。なお、半導体素子配置部内に露出させようとするボ
ンディングパット用の導体回路１２ｂの部分には塗布し
ないようにする。そして、用いたエポキシ樹脂組成物が
硬化する温度・時間加熱して硬化させる。なお、第一の
樹脂層２２の硬度が、完全硬化状態を鉛筆硬度６Ｈとし
て、室温で鉛筆硬度１〜４Ｈとなるように硬化させる
と、第二の樹脂層２１との間の接着強度が高くなり好ま
しい。The method for applying the epoxy resin composition is not particularly limited. For example, after the viscosity of the epoxy resin composition is adjusted with a solvent, the epoxy resin composition is applied using a printing method or the like. Note that the coating should not be applied to the portion of the bonding pad conductor circuit 12b that is to be exposed in the semiconductor element arrangement portion. Then, the epoxy resin composition used is cured by heating at a temperature and time for curing. When the hardness of the first resin layer 22 is set to a pencil hardness of 6H in a completely cured state and is cured so as to have a pencil hardness of 1 to 4H at room temperature, the adhesive strength between the first resin layer 22 and the second resin layer 21 is high. It is preferable.

【００３２】なお、粘度調整に用いることができる溶剤
としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトン、
メチルエチルケトン、メタノール、ベンゼン、トルエ
ン、ブチルカルビトール、ブチルセロソルブ、ブチルセ
ロソルブアセテート等が挙げられる。The solvents that can be used for adjusting the viscosity include N, N-dimethylformamide, acetone,
Examples include methyl ethyl ketone, methanol, benzene, toluene, butyl carbitol, butyl cellosolve, and butyl cellosolve acetate.

【００３３】なお、エポキシ樹脂組成物を塗布する前
に、導体回路の表面を研磨等を行い粗面化し、次いで、
エポキシ樹脂組成物を塗布するようにすると、特に導体
回路と塗布した樹脂組成物の間の接着強度が優れ好まし
い。Before applying the epoxy resin composition, the surface of the conductor circuit is polished or the like to be roughened.
When the epoxy resin composition is applied, the adhesive strength between the conductor circuit and the applied resin composition is particularly excellent, which is preferable.

【００３４】この粗面化する方法としては、バフブラ
シ、スクラブ等で機械的に表面を削って粗面化する方法
や、硫酸及び過酸化水素を含む粗面化処理液や過硫酸ア
ンモニウムを含む粗面化処理液等で化学的に表面をエッ
チングして粗面化する方法等が挙げられる。The surface can be roughened by mechanically shaving the surface with a buff brush, scrub, or the like, a surface roughening treatment solution containing sulfuric acid and hydrogen peroxide, or a rough surface containing ammonium persulfate. And a method of chemically etching the surface with a surface treatment liquid to roughen the surface.

【００３５】また、上記クレゾールノボラック樹脂組成
物中には、クレゾールノボラック樹脂及びジアミノジフ
ェニルメタン、メタフェニレンジアミン等の芳香族アミ
ン系硬化剤を必須として含有し、必要に応じて他の硬化
剤、無機充填材及び顔料等を含有することができる。The cresol novolak resin composition essentially contains a cresol novolak resin and an aromatic amine-based curing agent such as diaminodiphenylmethane, metaphenylenediamine, and the like. Materials and pigments.

【００３６】なお、含有することができる芳香族アミン
系硬化剤以外の硬化剤としては、特に限定するものでは
なく、ヘキサメチレンテトラミン等が挙げられる。な
お、芳香族アミン系硬化剤以外の硬化剤を含有させる場
合には、芳香族アミン系硬化剤を官能基比率で５０％以
上含有させると好ましい。なお、芳香族アミン系硬化剤
の配合量は、クレゾールノボラック樹脂１００重量部に
対し、２０〜４０重量部程度が好ましい。The curing agent other than the aromatic amine curing agent that can be contained is not particularly limited, and examples thereof include hexamethylenetetramine. When a curing agent other than the aromatic amine-based curing agent is contained, it is preferable to contain the aromatic amine-based curing agent in a proportion of 50% or more in terms of the functional group ratio. The amount of the aromatic amine-based curing agent is preferably about 20 to 40 parts by weight based on 100 parts by weight of the cresol novolak resin.

【００３７】また、クレゾールノボラック樹脂組成物に
含有することができる無機充填材としては、シリカ、炭
酸カルシウム、水酸化アルミニウム、タルク等の無機質
粉末充填材や、ガラス繊維、セラミック繊維等の繊維質
充填材が挙げられる。また、クレゾールノボラック樹脂
組成物に含有することができる顔料としては、例えば、
酸化チタン等が挙げられる。なお、無機充填材は、クレ
ゾールノボラック樹脂や硬化剤と比較して吸湿しにくい
ため、クレゾールノボラック樹脂組成物に含有すると吸
湿率を低下させ、特に吸湿信頼性が優れた半導体パッケ
ージを得ることが可能となる。なお、無機充填材の含有
量は、クレゾールノボラック樹脂１００重量部に対し、
７５〜２００重量部含有するようにすると好ましい。The inorganic fillers that can be contained in the cresol novolak resin composition include inorganic powder fillers such as silica, calcium carbonate, aluminum hydroxide and talc, and fibrous fillers such as glass fibers and ceramic fibers. Materials. Further, as a pigment that can be contained in the cresol novolak resin composition, for example,
Titanium oxide and the like can be mentioned. In addition, since the inorganic filler is less likely to absorb moisture than the cresol novolak resin or the curing agent, when contained in the cresol novolak resin composition, the moisture absorption rate is reduced, and a semiconductor package having particularly excellent moisture absorption reliability can be obtained. Becomes The content of the inorganic filler is based on 100 parts by weight of the cresol novolak resin.
It is preferable to contain 75 to 200 parts by weight.

【００３８】クレゾールノボラック樹脂組成物を、第一
の樹脂層２２の表面に塗布する方法としては特に限定す
るものではなく、例えば、クレゾールノボラック樹脂組
成物を溶剤で粘度調整した後、印刷法等を用いて塗布す
る。なお、第一の樹脂層２２が形成されていない導体回
路の部分には塗布しないようにする。そして、用いたク
レゾールノボラック樹脂組成物が硬化する温度・時間加
熱して硬化させる。なお、第二の樹脂層２１の硬度が、
完全硬化状態を鉛筆硬度６Ｈとして、室温で鉛筆硬度１
〜４Ｈとなるように硬化させると、接着剤１５との間の
接着強度が高くなり好ましい。なお、粘度調整に用いる
ことができる溶剤としては、上記エポキシ樹脂組成物の
場合と同様のものが挙げられる。The method of applying the cresol novolak resin composition to the surface of the first resin layer 22 is not particularly limited. For example, after the viscosity of the cresol novolak resin composition is adjusted with a solvent, a printing method or the like is used. And apply. It should be noted that the first resin layer 22 is not applied to portions of the conductor circuit where the first resin layer 22 is not formed. Then, the used cresol novolak resin composition is cured by heating at a temperature and time for curing. The hardness of the second resin layer 21 is
The pencil hardness is 6H at room temperature and the pencil hardness is 1 at room temperature.
Curing so as to be 4H is preferable because the adhesive strength with the adhesive 15 is increased. In addition, as the solvent that can be used for adjusting the viscosity, the same solvents as in the case of the epoxy resin composition can be used.

【００３９】なお、クレゾールノボラック樹脂組成物を
塗布する前に、第一の樹脂層２２の表面を粗面化し、次
いで、クレゾールノボラック樹脂組成物を塗布するよう
にすると、第一の樹脂層２２と第二の樹脂層２１の間の
接着強度が優れ好ましい。Before applying the cresol novolak resin composition, the surface of the first resin layer 22 is roughened, and then the cresol novolak resin composition is applied. The adhesive strength between the second resin layers 21 is excellent and preferable.

【００４０】この粗面化する方法としては、バフブラ
シ、スクラブ等で機械的に表面を削って粗面化する方法
や、過マンガン酸カリウムやクロム酸等の酸化処理液で
化学的に表面をエッチングして粗面化する方法等が挙げ
られる。The surface can be roughened by mechanically shaving the surface with a buff brush or scrub, or by chemically etching the surface with an oxidizing solution such as potassium permanganate or chromic acid. Surface roughening method.

【００４１】そして、第１基板１１ａの基板開口部１３
と、接着剤１５の接着剤開口部１６の位置がほぼ一致す
るように第１基板１１ａと第２基板１１ｂの間に、接着
剤１５を介在させて積層する。なお、この各基板１１
ａ，１１ｂの間に介在させる接着剤１５の枚数は１枚に
限定するものではなく、複数枚積層してもよい。The substrate opening 13 of the first substrate 11a
Then, the adhesive 15 is laminated between the first substrate 11a and the second substrate 11b with the adhesive 15 interposed therebetween such that the positions of the adhesive openings 16 of the adhesive 15 substantially match. Each of the substrates 11
The number of the adhesives 15 interposed between a and 11b is not limited to one, and a plurality of adhesives 15 may be laminated.

【００４２】なお、これらを積層する前に、第二の樹脂
層２１の表面を粗面化し、次いで、接着剤１５等と積層
するようにすると、第二の樹脂層２１と接着剤１５の間
の接着強度が優れ好ましい。この粗面化する方法として
は、第一の樹脂層２２の表面を粗面化する方法と同様の
方法が挙げられる。Before laminating these layers, the surface of the second resin layer 21 is roughened and then laminated with the adhesive 15 or the like. Are preferred because of their excellent adhesive strength. As a method for roughening the surface, the same method as the method for roughening the surface of the first resin layer 22 can be used.

【００４３】次いで、加熱・加圧すると、図１（ｃ）に
示すように、ボンディングパット用等の導体回路１２ｂ
が露出している凹状の半導体素子配置部１７が形成され
て、第１基板１１ａと第２基板１１ｂと接着剤１５が一
体化する。Next, when heating and pressurizing, as shown in FIG. 1 (c), the conductor circuit 12b for bonding pad etc.
Is formed, and the first substrate 11a, the second substrate 11b, and the adhesive 15 are integrated.

【００４４】次いで、図２に示すように、表層にボンデ
ィングパット用の導体回路１２ａや、電極１８等を形成
すると共に、各層の導体回路１２ａ・・や電極１８等を
接続するスルホール金属層１９等を形成し、次いで電極
１８と接続した、針状や球状の端子２０を形成すること
により半導体パッケージは製造される。なお、端子２０
は、半導体素子を実装した後、形成するようにしてもよ
い。Next, as shown in FIG. 2, a conductor circuit 12a for a bonding pad, an electrode 18 and the like are formed on the surface layer, and a through-hole metal layer 19 and the like for connecting the conductor circuits 12a. Then, a semiconductor package is manufactured by forming a needle-like or spherical terminal 20 connected to the electrode 18. The terminal 20
May be formed after the semiconductor element is mounted.

【００４５】なお、上記実施の形態は、第１基板１１ａ
及び第２基板１１ｂを用いて製造する実施の形態につい
て説明したが、２枚の基板（１１ａ，１１ｂ）を用いる
ことに限定するものではなく、第１基板１１ａ及び第２
基板１１ｂの間に、図示しないが、貫通して形成された
基板開口部を有すると共に、表面にボンディングパット
用等の導体回路を形成した有機系の基板を挟むようにし
てもよく、第２基板の外側に、表面に導体回路を形成し
た有機系の基板等を積層するようにしてもよい。In the above embodiment, the first substrate 11a
Although the embodiment using the second substrate 11b and the second substrate 11b has been described, the present invention is not limited to the use of two substrates (11a, 11b), but includes the first substrate 11a and the second substrate 11b.
Although not shown, an organic substrate having a substrate opening formed therethrough and having a conductor circuit such as a bonding pad formed on the surface thereof may be interposed between the substrates 11b (not shown). Alternatively, an organic substrate or the like having a conductive circuit formed on the surface may be laminated.

【００４６】[0046]

【実施例】【Example】

（実施例１）大きさ５０×５０ｃｍ、銅箔を除く厚み
０．５ｍｍのガラス基材ポリイミド樹脂両面銅張積層板
［松下電工株式会社製、商品名 Ｒ−４７８５、銅箔厚
み１８μｍ］を第１基板及び第２基板の材料として用い
た。そして、この積層板の一方の面の銅箔をエッチング
して導体回路を形成した後、その積層板に一辺が約２０
ｍｍの四角状の貫通する基板開口部を複数形成して第１
基板とした。(Example 1) A glass substrate polyimide resin double-sided copper-clad laminate (manufactured by Matsushita Electric Works, trade name: R-4785, copper foil thickness: 18 µm) having a size of 50 x 50 cm and a thickness of 0.5 mm excluding copper foil was used. It was used as a material for the first substrate and the second substrate. After etching the copper foil on one side of the laminate to form a conductor circuit, the laminate has a side of about 20
A plurality of rectangular substrate openings having a square
A substrate was used.

【００４７】また、上記積層板の一方の面の銅箔をエッ
チングして導体回路を形成して第２基板とした。なお、
この第２基板に形成した導体回路は、上記第１基板に形
成した基板開口部と対応する位置、及び上記第１基板に
形成した基板開口部以外の部分と対応する位置の両者に
形成した。The copper foil on one side of the laminate was etched to form a conductor circuit, which was used as a second substrate. In addition,
The conductor circuit formed on the second substrate was formed at both a position corresponding to the substrate opening formed on the first substrate and a position corresponding to a portion other than the substrate opening formed on the first substrate.

【００４８】次いで、第１基板及び第２基板に形成した
導体回路の表面を、バフブラシで研磨を行い粗面化し
た。Next, the surfaces of the conductor circuits formed on the first substrate and the second substrate were polished with a buff brush to be roughened.

【００４９】次いで、半導体素子配置部内に露出させよ
うとする導体回路の部分を除く第２基板の表面に、下記
のエポキシ樹脂組成物（以下エポキシ樹脂組成物Ａと記
す）を塗布した後、１３０℃で３０分加熱して硬化させ
た。次いでその硬化した樹脂層の表面に下記のクレゾー
ルノボラック樹脂組成物（以下クレゾールノボラック樹
脂組成物ａと記す）を塗布した後、１３０℃で３０分加
熱して硬化させた。Next, the following epoxy resin composition (hereinafter referred to as epoxy resin composition A) was applied to the surface of the second substrate except for the portion of the conductor circuit to be exposed in the semiconductor element arrangement portion. The composition was cured by heating at 30 ° C. for 30 minutes. Next, the following cresol novolak resin composition (hereinafter referred to as cresol novolak resin composition a) was applied to the surface of the cured resin layer, and then cured by heating at 130 ° C. for 30 minutes.

【００５０】エポキシ樹脂組成物Ａは、重量平均分子量
３９００のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂１００重量
部と、重量平均分子量３９００のクレゾールノボラック
樹脂８０重量部と、平均粒径１０μｍのシリカ１５重量
部とを配合したものに、溶剤としてブチルカルビトー
ル、ブチルセロソルブ及びブチルセロソルブアセテート
を合計で１００重量部配合して粘度を調整した液を用い
た。The epoxy resin composition A is composed of 100 parts by weight of a bisphenol A type epoxy resin having a weight average molecular weight of 3900, 80 parts by weight of a cresol novolak resin having a weight average molecular weight of 3900, and 15 parts by weight of silica having an average particle diameter of 10 μm. A solution having a viscosity adjusted by mixing 100 parts by weight of butyl carbitol, butyl cellosolve, and butyl cellosolve acetate as a solvent with the solvent was used.

【００５１】クレゾールノボラック樹脂組成物ａは、重
量平均分子量３９００のクレゾールノボラック樹脂１０
０重量部と、芳香族アミンとしてジアミノジフェニルメ
タン３０重量部と、平均粒径１０μｍのタルク１２０重
量部とを配合したものに、溶剤としてブチルカルビトー
ル、ブチルセロソルブ及びブチルセロソルブアセテート
を合計で１００重量部配合して粘度を調整した液を用い
た。The cresol novolak resin composition a was a cresol novolak resin 10 having a weight average molecular weight of 3,900.
0 parts by weight, 30 parts by weight of diaminodiphenylmethane as an aromatic amine, and 120 parts by weight of talc having an average particle size of 10 μm, and butyl carbitol, butyl cellosolve, and butyl cellosolve acetate as a solvent in a total of 100 parts by weight. A liquid whose viscosity was adjusted by using the liquid was used.

【００５２】また、接着剤として、エポキシ当量が５０
０のテトラブロモビスフェノールＡ型エポキシ樹脂９４
重量部と、エポキシ当量が２２０のクレゾールノボラッ
ク型エポキシ樹脂１３重量部と、ジシアンジアミド２．
８重量部と、２−エチル−４−メチルイミダゾール０．
１重量部と、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド２５重量部
とを配合した熱硬化性樹脂組成物を、厚さ０．１ｍｍの
ガラスクロスに含浸した後、加熱してシート状とした接
着剤を用いた。The adhesive has an epoxy equivalent of 50.
Tetrabromobisphenol A type epoxy resin 94
1. parts by weight, 13 parts by weight of a cresol novolak type epoxy resin having an epoxy equivalent of 220, and dicyandiamide
8 parts by weight and 0.2% of 2-ethyl-4-methylimidazole.
A thermosetting resin composition containing 1 part by weight and 25 parts by weight of N, N-dimethylformamide is impregnated into a glass cloth having a thickness of 0.1 mm, and then heated to form a sheet-like adhesive. Was.

【００５３】この接着剤を大きさ５０×５０ｃｍに切断
した後、第１基板に形成した基板開口部と対応する位置
に、ほぼ同じ大きさの接着剤開口部を形成した。After the adhesive was cut into a size of 50 × 50 cm, an adhesive opening having substantially the same size was formed at a position corresponding to the substrate opening formed in the first substrate.

【００５４】次いで、第１基板の基板開口部と、接着剤
の接着剤開口部の位置がほぼ一致するように第１基板と
第２基板の間に、接着剤を１枚介在させて積層した。な
お、第１基板と第２基板に形成した導体回路が、接着剤
と接する側になるように積層した。次いで、最高温度１
７０℃、圧力２ＭＰａの条件で６０分加熱・加圧して、
導体回路が露出している凹状の半導体素子配置部を形成
した評価用半導体パッケージを得た。Next, one adhesive was laminated between the first substrate and the second substrate so that the position of the opening of the first substrate and the position of the adhesive opening of the adhesive almost coincided. . In addition, the conductor circuits formed on the first substrate and the second substrate were laminated such that they were in contact with the adhesive. Then, the maximum temperature 1
Heating and pressurizing for 60 minutes at 70 ° C and a pressure of 2 MPa,
An evaluation semiconductor package was obtained in which a concave semiconductor element arrangement portion where the conductive circuit was exposed was formed.

【００５５】（実施例２）エポキシ樹脂組成物Ａを塗布
して硬化させた樹脂層の表面と、クレゾールノボラック
樹脂組成物ａを塗布して硬化させた樹脂層の表面を、バ
フブラシで研磨を行い粗面化したこと以外は実施例１と
同様にして、評価用半導体パッケージを得た。Example 2 The surface of the resin layer coated and cured with the epoxy resin composition A and the surface of the resin layer coated and cured with the cresol novolak resin composition a were polished with a buff brush. A semiconductor package for evaluation was obtained in the same manner as in Example 1 except that the surface was roughened.

【００５６】（実施例３）エポキシ樹脂組成物Ａを塗布
して硬化させた樹脂層の表面と、クレゾールノボラック
樹脂組成物ａを塗布して硬化させた樹脂層の表面を、過
マンガン酸カリウムで処理を行い粗面化したこと以外は
実施例１と同様にして、評価用半導体パッケージを得
た。Example 3 The surface of the resin layer coated and cured with the epoxy resin composition A and the surface of the resin layer coated and cured with the cresol novolak resin composition a were treated with potassium permanganate. A semiconductor package for evaluation was obtained in the same manner as in Example 1 except that the surface was roughened by performing the treatment.

【００５７】（比較例１）エポキシ樹脂組成物Ａを塗布
して硬化させた樹脂層の表面に、クレゾールノボラック
樹脂組成物ａを塗布せず、エポキシ樹脂組成物Ａを塗布
して硬化させた樹脂層と接着剤が直接接するように積層
したこと以外は実施例１と同様にして、評価用半導体パ
ッケージを得た。Comparative Example 1 A resin obtained by applying and curing the epoxy resin composition A without applying the cresol novolak resin composition a to the surface of the resin layer cured by applying the epoxy resin composition A A semiconductor package for evaluation was obtained in the same manner as in Example 1 except that the layers were laminated so that the adhesive was in direct contact with the layers.

【００５８】（比較例２）エポキシ樹脂組成物Ａを塗布
せず、第２基板の表面にクレゾールノボラック樹脂組成
物ａを直接塗布して硬化させ、第２基板の表面とクレゾ
ールノボラック樹脂組成物ａを塗布して硬化させた樹脂
層が直接接するようにしたこと以外は実施例１と同様に
して、評価用半導体パッケージを得た。(Comparative Example 2) Without applying the epoxy resin composition A, the cresol novolak resin composition a was directly applied to the surface of the second substrate and cured, and the surface of the second substrate and the cresol novolak resin composition a A semiconductor package for evaluation was obtained in the same manner as in Example 1 except that the resin layer cured by applying was used.

【００５９】（比較例３）エポキシ樹脂組成物Ａ及びク
レゾールノボラック樹脂組成物ａを共に塗布せず、導体
回路と接着剤が直接接するように積層したこと以外は実
施例１と同様にして、評価用半導体パッケージを得た。Comparative Example 3 Evaluation was performed in the same manner as in Example 1 except that the epoxy resin composition A and the cresol novolak resin composition a were not applied together but were laminated so that the conductor circuit and the adhesive were in direct contact. Semiconductor package was obtained.

【００６０】（評価、結果）各実施例及び各比較例で得
られた評価用半導体パッケージについて、接着強度、絶
縁抵抗及び成形性を評価した。接着強度の評価方法は、
常態、及び、吸湿処理として１２１℃、２気圧、相対湿
度１００％のプレッシャークッカーテストを２００時間
行った半導体パッケージの、第２基板に形成した幅５ｍ
ｍの導体回路と樹脂の硬化物（エポキシ樹脂組成物Ａの
硬化物、又はクレゾールノボラック樹脂組成物ａの硬化
物、又は接着剤中の熱硬化性樹脂組成物の硬化物）の間
を、９０度方向に５０ｍｍ／分の速度で引き剥がし、そ
の引き剥がし強さを測定した。そして、１ｋｇ／ｃｍを
越える場合を◎とし、０．８〜１ｋｇ／ｃｍの場合を○
とし、０．８ｋｇ／ｃｍ未満の場合を×とした。(Evaluation and Results) With respect to the semiconductor packages for evaluation obtained in each example and each comparative example, the adhesive strength, insulation resistance and moldability were evaluated. The evaluation method of the adhesive strength
5 m in width formed on the second substrate of a semiconductor package which was subjected to a pressure cooker test at 121 ° C., 2 atm, and 100% relative humidity for 200 hours under normal conditions and as a moisture absorption process.
m between the conductive circuit and the cured product of the resin (the cured product of the epoxy resin composition A, the cured product of the cresol novolak resin composition a, or the cured product of the thermosetting resin composition in the adhesive) The film was peeled off at a speed of 50 mm / min in the degree direction, and the peeling strength was measured. Then, the case of exceeding 1 kg / cm is represented by ◎, and the case of 0.8 to 1 kg / cm is represented by ○.
And less than 0.8 kg / cm was evaluated as x.

【００６１】絶縁抵抗の評価方法は、吸湿処理として１
２１℃、２気圧、相対湿度１００％のプレッシャークッ
カーテストを２００時間行った半導体パッケージの、第
２基板に形成した導体回路と導体回路の間の絶縁抵抗を
測定した。なお、測定に用いた導体回路は、１３０μｍ
の絶縁間隔を設けて形成した櫛型の導体回路を用いた。The method for evaluating the insulation resistance is as follows.
The insulation resistance between the conductor circuits formed on the second substrate of the semiconductor package subjected to a pressure cooker test at 21 ° C., 2 atm, and 100% relative humidity for 200 hours was measured. The conductor circuit used for the measurement was 130 μm
A comb-shaped conductor circuit formed with the above-mentioned insulation intervals was used.

【００６２】成形性の評価方法は、第１基板と第２基板
の間の、接着剤が硬化した樹脂層を削り出し、導体回路
の間等に気泡が残留しているかを目視で観察し、気泡が
残留していない場合を○とし、気泡が残留している場合
を×とした。The method of evaluating the moldability is as follows: a resin layer in which the adhesive is cured between the first substrate and the second substrate is scraped, and it is visually observed whether or not bubbles remain between the conductive circuits, and the like. The case where no air bubbles remained was evaluated as ○, and the case where air bubbles remained was evaluated as x.

【００６３】その結果は、表１に示すように、各実施例
は、比較例１，３と比べて吸湿処理後の接着強度が優れ
ており、比較例２，３と比べて吸湿処理後の絶縁抵抗が
優れており、比較例３と比べて成形性が優れていること
が確認された。すなわち、各比較例は、吸湿処理後の接
着強度、吸湿処理後の絶縁抵抗及び成形性の少なくとも
１つの特性が劣っているが、各実施例は共に優れている
ことが確認された。The results show that, as shown in Table 1, the adhesive strength of each of the examples after the moisture absorption treatment was superior to that of the comparative examples 1 and 3, and the adhesive strength after the moisture absorption treatment was superior to the comparative examples 2 and 3. It was confirmed that the insulation resistance was excellent and the moldability was excellent as compared with Comparative Example 3. That is, each comparative example was inferior in the adhesive strength after the moisture absorption treatment, the insulation resistance after the moisture absorption treatment, and at least one property of the moldability, but it was confirmed that each example was excellent.

【００６４】また、エポキシ樹脂組成物Ａを塗布して硬
化させた樹脂層の表面や、クレゾールノボラック樹脂組
成物ａを塗布して硬化させた樹脂層の表面を粗面化した
実施例２，３は、実施例１と比べて吸湿後の接着強度が
優れていることが確認された。Examples 2 and 3 in which the surface of the resin layer cured by applying the epoxy resin composition A and the surface of the resin layer cured by applying the cresol novolak resin composition a were roughened. Was confirmed to be superior in adhesive strength after moisture absorption as compared with Example 1.

【００６５】[0065]

【表１】 [Table 1]

【００６６】[0066]

【発明の効果】本発明に係る半導体パッケージの製造方
法は、クレゾールノボラック樹脂を硬化剤として含有す
るエポキシ樹脂組成物を、基板表面に塗布した後、硬化
させ、次いでその硬化した樹脂層の表面に芳香族アミン
系硬化剤を含有するクレゾールノボラック樹脂組成物を
塗布した後、硬化して製造するため、吸湿処理した場合
に、導体回路と塗布した樹脂組成物の間の部分の接着強
度が低下しにくいと共に、絶縁性が低下しにくい半導体
パッケージが得られる。According to the method of manufacturing a semiconductor package according to the present invention, an epoxy resin composition containing a cresol novolak resin as a curing agent is applied to the surface of a substrate, cured, and then applied to the surface of the cured resin layer. After applying a cresol novolak resin composition containing an aromatic amine-based curing agent, the composition is cured and manufactured, so that when subjected to moisture absorption, the adhesive strength of the portion between the conductor circuit and the applied resin composition decreases. It is possible to obtain a semiconductor package that is difficult to reduce the insulation property.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明に係る半導体パッケージの製造方法の一
実施の形態の、工程を説明する断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a process in an embodiment of a method for manufacturing a semiconductor package according to the present invention.

【図２】本発明に係る半導体パッケージの製造方法の一
実施の形態の、工程を説明する断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a step in a semiconductor package manufacturing method according to an embodiment of the present invention;

【図３】従来の半導体パッケージを説明する斜視図であ
る。FIG. 3 is a perspective view illustrating a conventional semiconductor package.

【図４】従来の半導体パッケージの製造方法の、工程を
説明する断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating steps of a conventional method for manufacturing a semiconductor package.

【図５】従来の半導体パッケージを説明する要部斜視図
である。FIG. 5 is a perspective view of a main part for explaining a conventional semiconductor package.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１０ 半導体パッケージ １１ａ 第１基板 １１ｂ 第２基板 １２ａ，１２ｂ 導体回路 １３ 基板開口部 １５ 接着剤 １６ 接着剤開口部 １７ 半導体素子配置部 １８ 電極 １９ スルホール金属層 ２０ 端子 ２１ 第二の樹脂層 ２２ 第一の樹脂層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Semiconductor package 11a 1st board 11b 2nd board 12a, 12b Conductor circuit 13 Substrate opening 15 Adhesive 16 Adhesive opening 17 Semiconductor element arrangement part 18 Electrode 19 Through hole metal layer 20 Terminal 21 Second resin layer 22 First Resin layer

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 その中の少なくとも１枚には導体回路を
表面に形成した複数枚の有機系基板を用い、その導体回
路を表面に形成した基板表面の所定の位置に熱硬化性樹
脂組成物を塗布した後、硬化させ、次いで各基板の間に
シート状の接着剤を介在させて、導体回路が露出してい
る凹状の半導体素子配置部を形成しながら積層、接着し
て製造する半導体パッケージの製造方法において、導体
回路を表面に形成した基板表面の所定の位置に熱硬化性
樹脂組成物を塗布した後、硬化させる方法が、クレゾー
ルノボラック樹脂を硬化剤として含有するエポキシ樹脂
組成物を、導体回路を表面に形成した基板表面の所定の
位置に塗布した後、硬化させ、次いでその硬化した樹脂
層の表面に芳香族アミン系硬化剤を含有するクレゾール
ノボラック樹脂組成物を塗布した後、硬化させる方法で
あることを特徴とする半導体パッケージの製造方法。1. A thermosetting resin composition comprising a plurality of organic substrates each having a conductor circuit formed on the surface thereof, and a thermosetting resin composition formed at a predetermined position on the substrate surface having the conductor circuit formed thereon. Is applied, cured, and then laminated and bonded by forming a concave semiconductor element disposing portion where the conductive circuit is exposed by interposing a sheet-like adhesive between the substrates to form a semiconductor package. In the manufacturing method, after applying a thermosetting resin composition at a predetermined position on the surface of the substrate on which the conductive circuit is formed, a method of curing the epoxy resin composition containing a cresol novolak resin as a curing agent, A cresol novolak resin composition containing an aromatic amine-based curing agent on the surface of the cured resin layer after the conductor circuit is applied to a predetermined position on the substrate surface formed on the surface, and then cured. A method of manufacturing a semiconductor package, comprising applying an object and curing the applied object. 【請求項２】 エポキシ樹脂組成物が、ビスフェノール
Ａ型エポキシ樹脂を含有するエポキシ樹脂組成物である
ことを特徴とする請求項１記載の半導体パッケージの製
造方法。2. The method according to claim 1, wherein the epoxy resin composition is an epoxy resin composition containing a bisphenol A type epoxy resin. 【請求項３】 芳香族アミン系硬化剤として、ジアミノ
ジフェニルメタンを含有することを特徴とすることを特
徴とする請求項１又は請求項２記載の半導体パッケージ
の製造方法。3. The method for manufacturing a semiconductor package according to claim 1, wherein diaminodiphenylmethane is contained as an aromatic amine-based curing agent. 【請求項４】 硬化した樹脂層の表面に芳香族アミン系
硬化剤を含有するクレゾールノボラック樹脂組成物を塗
布する方法が、硬化した樹脂層の表面を粗面化した後、
その粗面化した樹脂層の表面に芳香族アミン系硬化剤を
含有するクレゾールノボラック樹脂組成物を塗布する方
法であることを特徴とする請求項１から請求項３のいず
れかに記載の半導体パッケージの製造方法。4. A method of applying a cresol novolak resin composition containing an aromatic amine-based curing agent to the surface of a cured resin layer, comprising the steps of: roughening the surface of the cured resin layer;
The semiconductor package according to any one of claims 1 to 3, wherein the method comprises applying a cresol novolak resin composition containing an aromatic amine-based curing agent to the surface of the roughened resin layer. Manufacturing method. 【請求項５】 硬化した樹脂層の表面を粗面化する方法
が、機械的に硬化した樹脂層の表面を削って粗面化する
方法、及び、酸化処理液で化学的に硬化した樹脂層の表
面をエッチングして粗面化する方法の、少なくとも一方
の方法であることを特徴とする請求項４記載の半導体パ
ッケージの製造方法。5. A method of roughening a surface of a cured resin layer, a method of shaving a surface of a mechanically cured resin layer to roughen the surface, and a method of chemically curing a resin layer by an oxidation treatment liquid. 5. The method of manufacturing a semiconductor package according to claim 4, wherein the method is at least one of a method of etching and roughening the surface. 【請求項６】 硬化した樹脂層の硬度が、室温で鉛筆硬
度１〜４Ｈであることを特徴とする請求項１から請求項
５のいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。6. The method for manufacturing a semiconductor package according to claim 1, wherein the hardness of the cured resin layer is a pencil hardness of 1 to 4 H at room temperature.
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