JPH1167856A - Burn-in board and manufacture thereof - Google Patents
Burn-in board and manufacture thereofInfo
- Publication number
- JPH1167856A JPH1167856A JP22729397A JP22729397A JPH1167856A JP H1167856 A JPH1167856 A JP H1167856A JP 22729397 A JP22729397 A JP 22729397A JP 22729397 A JP22729397 A JP 22729397A JP H1167856 A JPH1167856 A JP H1167856A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- burn
- test
- ring
- board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハ上に多数形
成された半導体ディバイスのバーンイン試験を一括して
行うために使用されるバーンインボード及びその製造方
法に関する。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a burn-in board used for performing a burn-in test on a large number of semiconductor devices formed on a wafer, and a method of manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ウエハ上に多数形成された半導体ディバ
イスの検査は、プローブカードによる製品検査（電気的
特性試験）と、その後に行われる信頼性試験であるバー
ンイン試験に大別される。バーンイン試験は、固有欠陥
のある半導体ディバイス、あるいは製造上のばらつきか
ら、時間とストレスに依存する故障を起こすディバイス
を除くために行われるスクリーニング試験の一つであ
る。プローブカードによる検査が製造したディバイスの
電気的特性試験であるのに対し、バーンイン試験は熱加
速試験と言える。2. Description of the Related Art Inspection of a large number of semiconductor devices formed on a wafer is roughly classified into a product inspection (electrical characteristic test) using a probe card and a burn-in test which is a reliability test performed thereafter. The burn-in test is one of screening tests performed to remove a semiconductor device having an intrinsic defect or a device which causes a time- and stress-dependent failure from manufacturing variations. The burn-in test can be said to be a thermal acceleration test, while the inspection with a probe card is an electrical characteristic test of the manufactured device.
【０００３】バーンイン試験の内容を細分して以下に示
す。スタティックバーンイン（static burn-in）は、高
温下において、定格もしくはそれを超える電源電圧を印
加し、ディバイスに電流を流して温度及び電圧ストレス
をディバイスに加えるバーンイン試験であり、高温バイ
アステストとも言われる。ダイナミックバーンイン（dy
namic burn-in）は、高温下において、定格もしくはそ
れを超える電源電圧を印加し、ディバイスの入力回路に
実動作に近い信号を印加しながら行うバーンイン試験で
ある。モニタードバーンイン（monitored burn-in）
は、ダイナミックバーンインにおいて、ディバイスの入
力回路に信号を印加するだけでなく、出力回路の特性も
モニターできる機能を持ったバーンイン試験である。テ
ストバーンイン（test burn-in）は、バーンインにおい
て、被試験ディバイスの良否判定、評価を行えるバーン
イン試験である。リキッドバーンイン（liquid burn-i
n）は、液体を熱媒体として行うバーンイン試験であ
り、温度環境が安定しており、発熱量の大きなディバイ
スのバーンイン試験に適している。[0003] The details of the burn-in test are shown below. Static burn-in is a burn-in test in which a power supply voltage at or above a rated voltage is applied at a high temperature and current is applied to the device to apply temperature and voltage stress to the device, and is also called a high-temperature bias test. . Dynamic burn-in (dy
The “namic burn-in” is a burn-in test performed at a high temperature by applying a power supply voltage that is rated or higher than that and applying a signal close to actual operation to an input circuit of the device. Monitored burn-in
Is a burn-in test having a function of not only applying a signal to an input circuit of a device but also monitoring characteristics of an output circuit in dynamic burn-in. Test burn-in is a burn-in test in which the quality of a device under test can be determined and evaluated in burn-in. Liquid burn-i
n) is a burn-in test using a liquid as a heat medium, and is suitable for a burn-in test of a device having a stable temperature environment and a large amount of heat generation.
【０００４】バーンイン試験は、信頼性試験であるため
全数実施することが望ましくユーザーの要望も強いが、
コスト的に合わないため、現在全くと言ってよい程行わ
れていない。[0004] The burn-in test is a reliability test, so it is desirable to perform all of the burn-in tests.
At present, it is not done at all because it does not fit in cost.
【０００５】バーンイン試験は、図６に示すように、プ
ローブカードによる電気的特性試験の後に、ウエハをダ
イシングによりチップに切断し、パッケージングしたも
のを一つずつバーンイン試験を行う通常の方法（１チッ
プバーンインシステム）ではコスト的に実現性に乏し
い。そこで、ウエハ上に多数形成された半導体ディバイ
スのバーンイン試験を一括して行うためのバーンインボ
ード（コンタクトボード）の開発及び実用化が進められ
ている（特開平７−２３１０１９号公報）。バーンイン
ボードを用いたウエハ・一括バーンインシステムは、コ
スト的に実現可能性が高い他に、ベアチップ出荷及びベ
アチップ搭載といった最新の技術的な流れを実現可能に
するためにも重要な技術である。In the burn-in test, as shown in FIG. 6, after performing an electrical characteristic test using a probe card, a wafer is cut into chips by dicing, and the packaged products are subjected to a burn-in test one by one. In the case of the chip burn-in system), the cost is poor. Accordingly, a burn-in board (contact board) for performing a burn-in test on a large number of semiconductor devices formed on a wafer at once is being developed and put into practical use (Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 7-231019). The wafer / batch-in burn-in system using the burn-in board is a technology that is highly feasible in terms of cost and is also an important technology for realizing the latest technical flow such as bare chip shipping and mounting.
【０００６】図７にバーンインボードの具体例を示す。
バーンインボードは、図７に示すように、配線基板１０
上に、異方性導電ゴムシート２０を介して、バンプ１を
有するフィルム２をリング３で固定した構造を有する。
配線基板１０はフィルム２上に孤立する各バンプ１に所
定のバーンイン試験信号を付与するための配線をムライ
ト系セラミクス基板等の上に有する。配線基板１０は配
線が複雑であるため多層配線構造を有する。異方性導電
ゴムシート２０は、主面と垂直な方向にのみ導電性を有
する弾性体であり、配線基板１０上の端子とフィルム２
上のバンプ１とを電気的に接続する。異方性導電ゴムシ
ート２０は、その表面に形成された凸部でフィルム上の
パッドに当接することで、半導体ウエハ表面の凹凸及び
バンプ１の高さのバラツキを吸収し、半導体ウエハ上の
パッドとフィルム２上のバンプ１とを確実に接続する。
フィルム２とリング３は、フィルム及びリングを加熱し
て熱膨張させ、熱膨張した状態でネジ又は接着剤でリン
グとフィルムを貼り合わせる。FIG. 7 shows a specific example of a burn-in board.
The burn-in board is, as shown in FIG.
There is a structure in which a film 2 having bumps 1 is fixed with a ring 3 via an anisotropic conductive rubber sheet 20.
The wiring substrate 10 has wiring on the mullite ceramic substrate or the like for applying a predetermined burn-in test signal to each of the bumps 1 isolated on the film 2. The wiring board 10 has a multilayer wiring structure because the wiring is complicated. The anisotropic conductive rubber sheet 20 is an elastic body having conductivity only in a direction perpendicular to the main surface, and the terminal on the wiring board 10 and the film 2
The upper bump 1 is electrically connected. The anisotropic conductive rubber sheet 20 absorbs irregularities on the surface of the semiconductor wafer and variations in the height of the bumps 1 by contacting the pads on the film with the projections formed on the surface thereof. And the bump 1 on the film 2 are securely connected.
The film 2 and the ring 3 are heated and thermally expanded by heating the film and the ring, and the ring and the film are bonded together with a screw or an adhesive in the thermally expanded state.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】上記バーンインボード
の製造方法では、フィルムに皺（しわ）や撓み（たわ
み）、弛み（たるみ）なく、リングにフィルムを貼り合
わせるのは意外に難しい。すなわち、接着前にフィルム
に皺や撓み、弛みが生じないように目視及び手作業で神
経を使いつつ調整する必要があるが、確実性がなく歩留
まりが悪い。また、この方法ではフィルムの貼り具合の
均一性ひいては均一な張力歪みの精度にも自ずと限界が
ある。さらに、調整に経験を要するとともに調整に時間
と労力を要する。In the above-described method for manufacturing a burn-in board, it is surprisingly difficult to attach the film to the ring without wrinkling, bending (sagging), or sagging (sagging) of the film. That is, it is necessary to adjust the film visually and manually using a nerve to prevent wrinkles, bending, and slack from occurring before bonding, but the yield is poor because of lack of certainty. Further, in this method, there is naturally a limit in the uniformity of the state of application of the film, and in the accuracy of the uniform tensile strain. In addition, the adjustment requires experience and the adjustment requires time and effort.
【０００８】本発明は上述した背景の下になされたもの
であり、上記方法を改良したバーンインボードの製造方
法等の提供を目的とする。The present invention has been made under the above-mentioned background, and an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a burn-in board in which the above method is improved.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、以下に示す構成としてある。Means for Solving the Problems To achieve the above object, the present invention has the following configuration.
【００１０】（構成１）ウエハ上に多数形成された半導
体ディバイスのバーンイン試験を一括して行うために使
用されるバーンインボードの製造方法であって、バンプ
が形成されるフィルムと該フィルムを展開した状態で支
持するためのリングとの間にバーンイン試験の設定温度
以上の温度で硬化する接着剤を介在させ、バーンイン試
験の設定温度以上の温度で加熱して、前記フィルムと前
記リングを接着することを特徴とするバーンインボード
の製造方法。(Structure 1) A method of manufacturing a burn-in board used for performing a burn-in test on a large number of semiconductor devices formed on a wafer, wherein a film on which bumps are formed and the film are developed. Bonding the film and the ring by interposing an adhesive that cures at a temperature equal to or higher than the set temperature of the burn-in test between the ring for supporting in a state and heating at a temperature equal to or higher than the set temperature of the burn-in test. A method for manufacturing a burn-in board.
【００１１】（構成２）ウエハ上に多数形成された半導
体ディバイスのバーンイン試験を一括して行うために使
用されるバーンインボードの製造方法であって、バンプ
が形成されるフィルムよりも熱膨張率が大きいシート上
に、前記バンプが形成されるフィルムを均一に展開した
状態で吸着させた後、前記フィルムと前記リングを接着
することを特徴とする上記構成２記載のバーンインボー
ドの製造方法。(Structure 2) A method of manufacturing a burn-in board used for performing a burn-in test on a large number of semiconductor devices formed on a wafer at one time, wherein the coefficient of thermal expansion is higher than that of a film on which bumps are formed. 3. The method for manufacturing a burn-in board according to the above configuration 2, wherein the film on which the bumps are formed is adsorbed on a large sheet in a uniformly spread state, and then the film and the ring are bonded.
【００１２】（構成３）前記バンプが形成されるフィル
ムが、銅箔とポリイミドフィルムを貼り合わせた構造の
ものである上記構成１又は２記載のバーンインボード。(Structure 3) The burn-in board according to Structure 1 or 2, wherein the film on which the bumps are formed has a structure in which a copper foil and a polyimide film are bonded together.
【００１３】（構成４）前記バンプが形成されるフィル
ムよりも熱膨張率が大きいシートが、シリコンゴムシー
トであることを特徴とする上記構成２又は３記載のバー
ンインボードの製造方法。(Structure 4) The method for manufacturing a burn-in board according to Structure 2 or 3, wherein the sheet having a higher coefficient of thermal expansion than the film on which the bumps are formed is a silicon rubber sheet.
【００１４】（構成５）前記バンプが形成されるフィル
ムよりも熱膨張率が大きいシートを、表面の平坦度の高
いアルミニウム板又はテフロン板の上に載せ、前記フィ
ルムと前記リングの接着を行うことを特徴とする上記構
成２乃至４記載のバーンインボードの製造方法。(Structure 5) A sheet having a larger coefficient of thermal expansion than the film on which the bumps are formed is placed on an aluminum plate or a Teflon plate having a high surface flatness, and the film and the ring are bonded. 5. The method for manufacturing a burn-in board according to any one of the constitutions 2 to 4, characterized in that:
【００１５】[0015]
【作用】上記構成１によれば、常温でリングの接着面に
バーンイン試験の設定温度以上の温度で硬化する熱硬化
性接着剤を塗布し、これをフィルム上に置き、その後、
バーンイン試験の設定温度以上の温度に加熱することで
熱硬化性接着剤が硬化しフィルムとリングが接着され
る。これにより、フィルムとリングが熱膨張した状態で
接着できるとともに、熱硬化性接着剤が所定の温度で固
化しその温度でフィルムのテンションをコントロールし
易い。また、常温では接着剤が硬化しない（接着剤が直
ちに硬化しない）ので、作業がやり易くかつ同時に大量
に処理できる。According to the above configuration 1, a thermosetting adhesive which cures at a temperature equal to or higher than a set temperature of a burn-in test is applied to the bonding surface of the ring at normal temperature, and this is placed on a film.
By heating to a temperature higher than the temperature set in the burn-in test, the thermosetting adhesive is cured and the film and the ring are bonded. Accordingly, the film and the ring can be bonded in a thermally expanded state, and the thermosetting adhesive is solidified at a predetermined temperature, and the tension of the film can be easily controlled at that temperature. Further, since the adhesive does not cure at room temperature (the adhesive does not cure immediately), it is easy to perform the work, and at the same time, it can be processed in a large amount.
【００１６】上記構成２によれば、シートの熱膨張率は
フィルムの熱膨張率よりも大きいので、シートに均一に
展開した状態で吸着されたフイルムはシートと同じだけ
熱膨張し、フイルムを単にバーンイン試験の設定温度以
上の温度で加熱した場合に比べ、より熱膨張した状態
で、フィルムとリングを接着することができる。According to the above configuration 2, since the coefficient of thermal expansion of the sheet is larger than the coefficient of thermal expansion of the film, the film adsorbed in a state where the film is uniformly spread on the sheet expands by the same amount as the sheet, and the film is simply removed. The film and the ring can be bonded in a more thermally expanded state than when the film is heated at a temperature equal to or higher than the temperature set in the burn-in test.
【００１７】上記構成３によれば、バンプが形成される
フィルムとして適するとともに、本発明の各種要求特性
の面でも適合する。According to the above configuration 3, while being suitable as a film on which bumps are formed, it also meets various required characteristics of the present invention.
【００１８】上記構成４によれば、シリコンゴムシート
は、フィルムを、皺や撓み、弛みなく均一に展開した状
態で作業性良く容易に吸着させる性質に特に優れるの
で、フィルムに皺や撓み、弛みなく、リングにフィルム
を確実かつ容易に高歩留まりで接着することができる。
また、シリコンゴムシートを用いることでフイルムを均
一に熱膨張した状態で接着が行えるので、フィルムの貼
り具合の均一性ひいては均一な張力歪みの精度の向上を
図ることができる。さらに、シリコンゴムシートは、平
坦性が高く、弾力性を有するので、リングの接着面に、
均一にむらなくフイルムを接着できる。また、シリコン
ゴムシートは、耐熱性があり、柔らかいのでフィルムを
傷つけない。According to the above configuration 4, the silicon rubber sheet is particularly excellent in a property of easily adsorbing the film with good workability in a state where the film is uniformly spread without wrinkles, bending, and slack. In addition, the film can be securely and easily bonded to the ring at a high yield.
Further, since the film can be bonded in a state where the film is thermally expanded uniformly by using the silicon rubber sheet, it is possible to improve the uniformity of the bonding state of the film and the accuracy of the uniform tensile strain. Furthermore, since the silicone rubber sheet has high flatness and elasticity,
Film can be bonded evenly and evenly. Further, the silicone rubber sheet has heat resistance and is soft and does not damage the film.
【００１９】上記構成５によれば、可撓性を有するシリ
コンゴムシート等に、高い平坦性を付与できる。According to the above configuration 5, high flatness can be imparted to a flexible silicon rubber sheet or the like.
【００２０】[0020]
【実施例】以下、本発明の一実施例に係るバーンインボ
ードの製造方法について説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A method for manufacturing a burn-in board according to one embodiment of the present invention will be described below.
【００２１】図１は本発明の一実施例に係るバーンイン
ボードの製造手順を示す断面図である。準備工程 準備工程はすべて常温において行う。まず、図１（ａ）
に示すように、アルミニウム板５上にシリコンゴムシー
ト６を置く。ここで、アルミニウム板５としては、平坦
度の高いものを使用することが好ましい。また、この板
は、シリコンとの摩擦係数が小さいか、あるいは、シリ
コンゴムシートと同一又はそれ以上の熱膨張係数を有す
るものを使用することが好ましい。シリコンゴムシート
６としては、厚さ５ｍｍの均一の厚さのものを使用す
る。シリコンゴムシート６の厚さは３〜５ｍｍ以上であ
ればよい。シリコンゴムシート６は、可撓性であるが、
平坦度の高いアルミニウム板５上に載置することで、高
い平坦性を付与される。FIG. 1 is a sectional view showing a procedure for manufacturing a burn-in board according to an embodiment of the present invention. Preparation Step All preparation steps are performed at room temperature. First, FIG.
A silicon rubber sheet 6 is placed on an aluminum plate 5 as shown in FIG. Here, it is preferable to use a high flatness as the aluminum plate 5. Further, it is preferable to use a plate having a small coefficient of friction with silicon or having a coefficient of thermal expansion equal to or higher than that of the silicon rubber sheet. As the silicon rubber sheet 6, a sheet having a uniform thickness of 5 mm is used. The thickness of the silicone rubber sheet 6 may be 3 to 5 mm or more. The silicone rubber sheet 6 is flexible,
By mounting on the aluminum plate 5 with high flatness, high flatness is provided.
【００２２】次いで、上記シリコンゴムシート６上に、
銅箔とポリイミドフィルムを貼り合わせた構造のフィル
ム２を銅箔側を下にして均一に展開した状態で吸着させ
る。ここでは、シリコンゴムシート６にフィルム２が吸
着する性質を利用し、皺や撓みが生じないように、空気
層を追い出しつつ吸着させることで、均一に展開した状
態で吸着できる。上述したようにシリコンゴムシート６
は、アルミニウム板５によって高い平坦性を有するの
で、シリコンゴムシート６に吸着されたフィルム２も高
い平坦性を有する。銅箔とポリイミドフィルムを貼り合
わせた構造のフィルム２は、例えば、厚さ約１８μｍの
銅箔にポリイミドを約２５μｍの厚みにキャスティング
した後、ポリイミドを加熱して乾燥及び硬化させて形成
する。Next, on the silicone rubber sheet 6,
The film 2 having a structure in which a copper foil and a polyimide film are bonded to each other is adsorbed while being uniformly spread with the copper foil side down. Here, by utilizing the property that the film 2 is adsorbed to the silicon rubber sheet 6, by adsorbing while expelling the air layer so as not to cause wrinkles and bending, the film can be adsorbed in a uniformly developed state. Silicon rubber sheet 6 as described above
Has high flatness due to the aluminum plate 5, the film 2 adsorbed on the silicon rubber sheet 6 also has high flatness. The film 2 having a structure in which a copper foil and a polyimide film are bonded together is formed by, for example, casting polyimide to a thickness of about 25 μm on a copper foil having a thickness of about 18 μm, and then heating and drying and curing the polyimide.
【００２３】次に、直径約８インチ、厚さ約２ｍｍの円
形のＳｉＣリング３の接着面に熱硬化性接着剤４を薄く
均一に（５０〜１００μｍ）塗布し、フィルム２上に置
く。熱硬化性接着剤６としては、バーンイン試験の設定
温度（８０〜１５０℃）以上の温度で硬化するものを使
用する。熱硬化性接着剤６としては、バーンイン試験の
設定温度より０〜３０℃程度以上高い温度で硬化するも
のが良いが、接着剤の硬化温度にバラツキがあるためバ
ーンイン試験の設定温度より２０〜３０℃程度高い温度
で硬化する接着剤を使用することが好ましい。本実施例
では、ボンドハイチップＨＴ−１００Ｌ（主剤：硬化剤
＝４：１）（コニシ（株）社製）を使用した。Next, a thermosetting adhesive 4 is thinly and uniformly applied (50 to 100 μm) on the bonding surface of the circular SiC ring 3 having a diameter of about 8 inches and a thickness of about 2 mm, and is placed on the film 2. As the thermosetting adhesive 6, one that is cured at a temperature equal to or higher than the set temperature (80 to 150 ° C.) of the burn-in test is used. As the thermosetting adhesive 6, one that cures at a temperature higher than the set temperature of the burn-in test by about 0 to 30 ° C. or more is preferable. It is preferable to use an adhesive that cures at a temperature as high as about ° C. In the present embodiment, Bond High Chip HT-100L (main agent: curing agent = 4: 1) (manufactured by Konishi Co., Ltd.) was used.
【００２４】さらに、平坦性の高いアルミニウム板（重
さ約２．５ｋｇ）を重石としてリング３上に載せる（図
示せず）。Further, a highly flat aluminum plate (weighing about 2.5 kg) is placed on the ring 3 as a weight (not shown).
【００２５】加熱接着工程 上記準備工程を終えたものをバーンイン試験の設定温度
（８０〜１５０℃）以上の温度（２００℃、２．５時
間）で加熱して前記フィルム２と前記リング３を接着す
る（図１（ｂ））。加熱温度は熱硬化性接着剤６の硬化
温度とする。この際、シリコンゴムシート６の熱膨張率
はフィルム２の熱膨張率よりも大きいので、シリコンゴ
ムシート６に吸着したフイルム２はシリコンゴムシート
６と同じだけ熱膨張する。すなわち、フイルム２を単に
バーンイン試験の設定温度（８０〜１５０℃）以上の温
度で加熱した場合に比べ、より熱膨張する。この状態
で、熱硬化性接着剤４が硬化し、前記フィルムと前記リ
ングが接着される。また、シリコンゴムシート上のフィ
ルムは、皺や撓み、弛みなく均一に展開した状態で吸着
されているので、フィルムに皺や撓み、弛みなく、リン
グにフィルムを接着することができる。さらに、シリコ
ンゴムシート６は平坦性が高く、弾力性を有するので、
リング３の接着面に、均一にむらなくフイルム２を接着
ができる。なお、熱硬化性接着剤を使用しない場合、フ
ィルムが収縮し、張力が弱まる他に、接着剤の硬化時期
が場所によってばらつくため、リングの接着面に均一に
むらなく接着ができない。上記加熱接着工程は、例えば
真空オーブン中で行うと接着層中の泡を除去できるなど
より効果的である。また、リングに荷重をかけながら接
着を行うことによっても接着層中の泡を除去できるなど
効果的である。 Heat Bonding Step After completion of the above preparatory step, the film 2 and the ring 3 are bonded by heating at a temperature (200 ° C., 2.5 hours) above a set temperature (80 to 150 ° C.) of a burn-in test. (FIG. 1B). The heating temperature is the curing temperature of the thermosetting adhesive 6. At this time, since the coefficient of thermal expansion of the silicon rubber sheet 6 is larger than the coefficient of thermal expansion of the film 2, the film 2 adsorbed on the silicon rubber sheet 6 expands by the same amount as the silicon rubber sheet 6. That is, the film 2 expands more thermally than the case where the film 2 is simply heated at a temperature higher than the set temperature (80 to 150 ° C.) of the burn-in test. In this state, the thermosetting adhesive 4 is cured, and the film and the ring are bonded. Further, since the film on the silicon rubber sheet is adsorbed in a state where the film is uniformly developed without wrinkles, bending, or slack, the film can be bonded to the ring without wrinkling, bending, or slack. Furthermore, since the silicon rubber sheet 6 has high flatness and elasticity,
The film 2 can be uniformly bonded to the bonding surface of the ring 3. When the thermosetting adhesive is not used, the film shrinks and the tension is weakened, and the curing time of the adhesive varies depending on the location, so that the adhesive cannot be uniformly and evenly adhered to the bonding surface of the ring. The above heat bonding step is more effective when performed in a vacuum oven, for example, to remove bubbles in the bonding layer. It is also effective to perform the bonding while applying a load to the ring, such that bubbles in the bonding layer can be removed.
【００２６】切断工程 上記加熱接着工程を終えたものを常温まで冷却し、加熱
前の状態まで収縮させる。カッターでリング３の外周に
沿ってリング３の外側のフィルム２を切断除去する（図
１（ｃ））。フィルム上の銅箔に、Ｎｉ，Ａｕメッキ
（厚さ１〜２μｍ）を順次施し、アライメントマークを
形成する（図示せず）。 Cutting Step After the above-mentioned heating and bonding step is completed, it is cooled to room temperature and shrunk to a state before heating. The film 2 outside the ring 3 is cut and removed along the outer periphery of the ring 3 with a cutter (FIG. 1C). Ni and Au plating (thickness: 1 to 2 μm) are sequentially applied to the copper foil on the film to form an alignment mark (not shown).
【００２７】バンプ形成工程 図２（ａ）に示すように、ポリイミドフィルム２ａの所
定位置に、エキシマレーザーを用いて、直径約３０μｍ
φのバンプホール２ｃを形成する。次いで、銅箔２ｂの
表面がメッキされないように保護した後、銅箔２ｂにメ
ッキ用電極の一方を接続してＮｉの電気メッキを行う。
メッキはバンプホールを埋めるようにして成長した後、
ポリイミドフィルムの表面に達すると、等方的に広がっ
てほぼ半球状に成長し硬質Ｎｉ合金からなるバンプ１が
形成される（図２（ｂ））。この場合、バンプ１の高さ
が約２０〜３０μｍになるまでメッキを行う。その後、
バンプ１と半導体ウエハ上のパッドとの間のコンタクト
抵抗を安定させるため、バンプ１の表面にＡｕからなる
電気メッキ層を形成する（図示せず）。銅箔２ｂを周知
のリソグラフィー法でエッチングして直径約１５０μｍ
φのパッド２ｄを形成する（図２（ｃ））。As shown in FIG. 2 (a), a bump forming step is carried out at a predetermined position on the polyimide film 2a using an excimer laser with a diameter of about 30 μm.
A φ bump hole 2c is formed. Next, after protecting the surface of the copper foil 2b from being plated, one of the plating electrodes is connected to the copper foil 2b to perform Ni electroplating.
After plating grows to fill the bump hole,
When it reaches the surface of the polyimide film, it isotropically spreads and grows almost hemispherically to form a bump 1 made of a hard Ni alloy (FIG. 2B). In this case, plating is performed until the height of the bump 1 becomes about 20 to 30 μm. afterwards,
In order to stabilize the contact resistance between the bump 1 and the pad on the semiconductor wafer, an electroplating layer made of Au is formed on the surface of the bump 1 (not shown). The copper foil 2b is etched by a known lithography method to have a diameter of about 150 μm.
A pad 2d of φ is formed (FIG. 2C).
【００２８】ガラス多層配線基盤の作製 ガラス多層配線基盤は、低膨張無アルカリガラス（例え
ば、ＮＡ４０：ＨＯＹＡ社製）等の基板１１上に、Ｃｒ
（約２００オンク゛ストローム）／Ｃｕ（約２．５μｍ）／Ｎｉ
（約０．２μｍ）層をスパッタ法で順次形成しこれを周
知のリソグラフィー法でパターンニングして１層目の配
線層１２を形成し（図３（ａ））、その上に、ポリイミ
ド樹脂をコートしこれを周知のリソグラフィー法でパタ
ーンニングし１層目の絶縁層１３を形成する（図３
（ｂ））。これを繰り返し配線層１２及び絶縁層１３を
積層して、多層配線基盤を作製する（図３（ｃ）〜
（ｅ））。なお、最上層のＣｕ層は機械的強度を考慮し
１０μｍ以上の厚さとすることが望ましい。図４に４層
構造のガラス多層配線基盤の例を示す。１〜４層目の各
配線層は、それぞれ配線、電源、ＧＮＤ、パッドに対応
する。 Preparation of Glass Multilayer Wiring Board The glass multilayer wiring board is made of a low-expansion non-alkali glass (for example, NA40: manufactured by HOYA) on a substrate 11 or the like.
(About 200 angstroms) / Cu (about 2.5 μm) / Ni
(Approximately 0.2 μm) layers are sequentially formed by a sputtering method, and are patterned by a well-known lithography method to form a first wiring layer 12 (FIG. 3A). This is coated and patterned by a well-known lithography method to form a first insulating layer 13 (FIG. 3).
(B)). This is repeated to form a multilayer wiring board by laminating the wiring layer 12 and the insulating layer 13 (FIG. 3C).
(E)). The uppermost Cu layer is desirably 10 μm or more in consideration of mechanical strength. FIG. 4 shows an example of a glass multilayer wiring board having a four-layer structure. Each of the first to fourth wiring layers corresponds to a wiring, a power supply, a GND, and a pad, respectively.
【００２９】検査態様（バーンイン構造） バーンイン試験は、図５に示すように、バキュームチャ
ック（図示せず）上に載せたウエハ３０上に、バンプ
（図示せず）を有するフィルム２をリング３で固定した
構造のメンブレンリング、異方性導電ゴムシート２０、
ガラス多層配線基盤１４の順に載せ、全体を吸着固定し
てウエハ３０上の各ディバイスをガラス多層基盤１４に
接続したテスターにて評価していく。 Inspection Mode (Burn-in Structure) In the burn-in test, as shown in FIG. 5, a film 2 having bumps (not shown) is placed on a wafer 30 placed on a vacuum chuck (not shown) by a ring 3. Fixed structure membrane ring, anisotropic conductive rubber sheet 20,
Each device on the wafer 30 is evaluated by a tester connected to the glass multilayer substrate 14 by mounting the entire substrate on the glass multilayer wiring substrate 14 in order and fixing the entire device by suction.
【００３０】本発明は、上記実施例に限定されず、本発
明の範囲内で適宜変形実施できる。例えば、ＳｉＣリン
グの代わりに、ＳｉＮ、ＳｉＣＮ、インバーニッケル
や、その他のＳｉに近い熱膨張率を有し強度の高いセラ
ミクス、低膨張ガラス、金属、その他の材料からなるリ
ングを用いてもよい。また、アルミニウム板の代わり
に、テフロン板を用いてもよい。さらに、シリコンゴム
シートの代わりに、粘着性を持たせたフッ素ゴムを用い
てもよい。また、熱硬化性接着剤として、他の市販の各
種熱硬化性接着剤を用いてもよい。例えば、エイブルボ
ンド７３６等を使用できる。さらに、ガラス多層配線基
盤において、Ｓｉと膨張率が同じか又はＳｉと膨張率が
近いガラス基板を用いてもよい。これらのガラス基板
は、セラミクス基板に比べ、安価で、高精度研磨によっ
てフラットネス等が良く、透明であるのでアライメント
しやすい。The present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be appropriately modified within the scope of the present invention. For example, instead of the SiC ring, a ring made of SiN, SiCN, invar nickel, or other ceramics having a coefficient of thermal expansion close to Si and having high strength, low expansion glass, metal, or another material may be used. Further, a Teflon plate may be used instead of the aluminum plate. Further, instead of the silicon rubber sheet, fluorine rubber having an adhesive property may be used. Further, various other commercially available thermosetting adhesives may be used as the thermosetting adhesive. For example, Able Bond 736 can be used. Further, in the glass multilayer wiring board, a glass substrate having the same expansion coefficient as that of Si or having an expansion coefficient close to that of Si may be used. These glass substrates are inexpensive, have high flatness due to high-precision polishing, are transparent, and are easy to align because they are transparent as compared with ceramic substrates.
【００３１】[0031]
【発明の効果】以上説明したように、本発明のバーンイ
ンボードの製造方法によれば、フィルムに皺や撓み、弛
みなく、リングにフィルムを確実かつ容易に高歩留まり
で接着することができる。また、フィルムの貼り具合の
均一性ひいては均一な張力歪みの精度の向上を図ること
ができる。さらに、リングの接着面に、均一にむらなく
フイルムを接着できる。As described above, according to the method for manufacturing a burn-in board of the present invention, the film can be securely and easily adhered to the ring at a high yield without wrinkling, bending, or loosening of the film. Further, it is possible to improve the uniformity of the state of application of the film, and thus the accuracy of uniform tension distortion. Further, the film can be uniformly and uniformly bonded to the bonding surface of the ring.
【図１】本発明の一実施例に係るバーンインボードの製
造手順を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing a procedure for manufacturing a burn-in board according to one embodiment of the present invention.
【図２】本発明の一実施例に係るバンプ形成工程を示す
断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a bump forming step according to one embodiment of the present invention.
【図３】本発明の一実施例に係るガラス多層配線基盤の
形成工程を説明するための断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a process of forming a glass multilayer wiring board according to an embodiment of the present invention.
【図４】本発明の一実施例に係るガラス多層配線基盤を
示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a glass multilayer wiring board according to an embodiment of the present invention.
【図５】バーンイン試験の様子を模式的に示す図であ
る。FIG. 5 is a diagram schematically showing a state of a burn-in test.
【図６】バーンイン試験の流れを説明するための図であ
る。FIG. 6 is a diagram for explaining the flow of a burn-in test.
【図７】バーンインボードを説明するための図である。FIG. 7 is a diagram for explaining a burn-in board.
１ バンプ ２ フィルム ２ａ ポリイミドフィルム ２ｂ 銅箔 ３ リング ４ 熱硬化性接着剤 ５ アルミニウム板 ６ シリコンゴムシート １４ ガラス多層配線基盤 ２０ 異方性導電ゴムシート ３０ シリコンウエハ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Bump 2 Film 2a Polyimide film 2b Copper foil 3 Ring 4 Thermosetting adhesive 5 Aluminum plate 6 Silicon rubber sheet 14 Glass multilayer wiring board 20 Anisotropic conductive rubber sheet 30 Silicon wafer
Claims (5)
イスのバーンイン試験を一括して行うために使用される
バーンインボードの製造方法であって、 バンプが形成されるフィルムと該フィルムを展開した状
態で支持するためのリングとの間にバーンイン試験の設
定温度以上の温度で硬化する接着剤を介在させ、バーン
イン試験の設定温度以上の温度で加熱して、前記フィル
ムと前記リングを接着することを特徴とするバーンイン
ボードの製造方法。1. A method for manufacturing a burn-in board used for performing a burn-in test on a large number of semiconductor devices formed on a wafer at one time, comprising: a film on which bumps are formed; An adhesive that cures at a temperature equal to or higher than the set temperature of the burn-in test is interposed between the ring for support and heating at a temperature equal to or higher than the set temperature of the burn-in test to bond the film and the ring. Method of manufacturing a burn-in board.
イスのバーンイン試験を一括して行うために使用される
バーンインボードの製造方法であって、 バンプが形成されるフィルムよりも熱膨張率が大きいシ
ート上に、前記バンプが形成されるフィルムを均一に展
開した状態で吸着させた後、前記フィルムと前記リング
を接着することを特徴とする請求項２記載のバーンイン
ボードの製造方法。2. A method for manufacturing a burn-in board used for performing a burn-in test on a large number of semiconductor devices formed on a wafer at one time, wherein the sheet has a larger coefficient of thermal expansion than a film on which bumps are formed. 3. The method for manufacturing a burn-in board according to claim 2, wherein the film on which the bumps are formed is adsorbed while being uniformly spread, and then the film and the ring are bonded.
箔とポリイミドフィルムを貼り合わせた構造のものであ
る請求項１又は２記載のバーンインボード。3. The burn-in board according to claim 1, wherein the film on which the bumps are formed has a structure in which a copper foil and a polyimide film are bonded.
熱膨張率が大きいシートが、シリコンゴムシートである
ことを特徴とする請求項２又は３記載のバーンインボー
ドの製造方法。4. The method for manufacturing a burn-in board according to claim 2, wherein the sheet having a higher coefficient of thermal expansion than the film on which the bumps are formed is a silicon rubber sheet.
熱膨張率が大きいシートを、表面の平坦度の高いアルミ
ニウム板又はテフロン板の上に載せ、前記フィルムと前
記リングの接着を行うことを特徴とする請求項２乃至４
記載のバーンインボードの製造方法。5. A sheet having a higher coefficient of thermal expansion than a film on which the bumps are formed is placed on an aluminum plate or a Teflon plate having a high flatness on the surface, and the film and the ring are bonded. Claims 2 to 4
The method for manufacturing the burn-in board described in the above.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22729397A JP3565305B2 (en) | 1997-08-08 | 1997-08-08 | Burn-in board and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22729397A JP3565305B2 (en) | 1997-08-08 | 1997-08-08 | Burn-in board and manufacturing method thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1167856A true JPH1167856A (en) | 1999-03-09 |
| JP3565305B2 JP3565305B2 (en) | 2004-09-15 |
Family
ID=16858551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22729397A Expired - Fee Related JP3565305B2 (en) | 1997-08-08 | 1997-08-08 | Burn-in board and manufacturing method thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3565305B2 (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2003003027A1 (en) * | 2001-06-28 | 2004-10-21 | 日本発条株式会社 | Support assembly for conductive contacts |
| KR100619265B1 (en) * | 1999-09-13 | 2006-09-04 | 호야 가부시키가이샤 | Multilayer wiring board, manufacturing method thereof, and wafer block contact board |
| JP2008034569A (en) * | 2006-07-28 | 2008-02-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor integrated circuit checking probe card and its manufacturing method |
| JP2010114470A (en) * | 2010-02-08 | 2010-05-20 | Hoya Corp | Wafer collectively-contact board |
| KR102052737B1 (en) * | 2018-12-15 | 2020-01-08 | 김현철 | Manufacturing method of pocket carrier plate for burn-in test apparatus and Jig assembly for burn-in test apparatus including the pocket carrier plate |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4160665B2 (en) * | 1998-07-22 | 2008-10-01 | Ｈｏｙａ株式会社 | Contact board and its components |
-
1997
- 1997-08-08 JP JP22729397A patent/JP3565305B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100619265B1 (en) * | 1999-09-13 | 2006-09-04 | 호야 가부시키가이샤 | Multilayer wiring board, manufacturing method thereof, and wafer block contact board |
| JPWO2003003027A1 (en) * | 2001-06-28 | 2004-10-21 | 日本発条株式会社 | Support assembly for conductive contacts |
| JP4749666B2 (en) * | 2001-06-28 | 2011-08-17 | 日本発條株式会社 | Support assembly for conductive contact |
| JP2008034569A (en) * | 2006-07-28 | 2008-02-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor integrated circuit checking probe card and its manufacturing method |
| JP2010114470A (en) * | 2010-02-08 | 2010-05-20 | Hoya Corp | Wafer collectively-contact board |
| KR102052737B1 (en) * | 2018-12-15 | 2020-01-08 | 김현철 | Manufacturing method of pocket carrier plate for burn-in test apparatus and Jig assembly for burn-in test apparatus including the pocket carrier plate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3565305B2 (en) | 2004-09-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2828410B2 (en) | Probe card and semiconductor chip inspection method | |
| US6278286B1 (en) | Interconnect and system for making temporary electrical connections to semiconductor components | |
| TWI292602B (en) | ||
| JPH07115113A (en) | Semiconductor wafer testing device and testing method | |
| US7541203B1 (en) | Conductive adhesive for thinned silicon wafers with through silicon vias | |
| JPH08330372A (en) | Semiconductor device inspection | |
| JPH04226046A (en) | Bonding method of electronic chip | |
| JP2004205487A (en) | Probe card fixing mechanism | |
| EP0737027B1 (en) | Integrated circuit testing board having constrained thermal expansion characteristics | |
| JP3096234B2 (en) | Method of manufacturing probe structure | |
| JP3565305B2 (en) | Burn-in board and manufacturing method thereof | |
| JP3108398B2 (en) | Method of manufacturing probe card | |
| JP2922486B2 (en) | Probe card | |
| JPH11211755A (en) | Testing apparatus for electronic device | |
| JPH08148533A (en) | Method and equipment for testing semiconductor wafer | |
| JPH0121620B2 (en) | ||
| Frisk et al. | The effects of chip and substrate thickness on the reliability of ACA bonded flip chip joints | |
| JP2002151558A (en) | Semiconductor inspection apparatus and manufacturing method therefor as well as inspection method for semiconductor device | |
| JPH05259223A (en) | Film carrier tape | |
| JP3898363B2 (en) | Multilayer wiring board for wafer batch contact board, connector connected to the multilayer wiring board, connection structure thereof, and inspection apparatus | |
| JP2800463B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| JP2002134572A (en) | Semiconductor device testing apparatus | |
| JP3645095B2 (en) | Burn-in board, bumped membrane ring and manufacturing method thereof | |
| JPH11191579A (en) | Manufacture of membrane ring with bump | |
| JP2010219391A (en) | Method of manufacturing membrane ring with bump and wafer batch contact board |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20040109 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20040210 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20040407 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Effective date: 20040601 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Effective date: 20040602 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 4 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080618 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 5 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090618 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090618 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 6 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100618 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100618 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110618 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110618 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120618 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 8 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120618 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130618 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |