JPH1164006A - コイル幾何学パラメータの制御による光フアイバジヤイロスコープの振動および温度勾配感度の低減方法 - Google Patents

コイル幾何学パラメータの制御による光フアイバジヤイロスコープの振動および温度勾配感度の低減方法

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JPH1164006A
JPH1164006A JP10151859A JP15185998A JPH1164006A JP H1164006 A JPH1164006 A JP H1164006A JP 10151859 A JP10151859 A JP 10151859A JP 15185998 A JP15185998 A JP 15185998A JP H1164006 A JPH1164006 A JP H1164006A
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    • G01C19/58Turn-sensitive devices without moving masses
    • G01C19/64Gyrometers using the Sagnac effect, i.e. rotation-induced shifts between counter-rotating electromagnetic beams
    • G01C19/72Gyrometers using the Sagnac effect, i.e. rotation-induced shifts between counter-rotating electromagnetic beams with counter-rotating light beams in a passive ring, e.g. fibre laser gyrometers
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 光フアイバジヤイロスコープのセン
サに使用される感知コイルのバイアス振動およびバイア
ス温度勾配感知を低減する。 【解決手段】 感知コイルのポテイング処理長、接
着層の厚さ、層当たりの巻きの数、層の数および巻きの
終端部形態を含むコイルの幾何学的フアクタを制御しつ
ゝ調整する。またコイル設計での幾何学的フアクタを調
整して実質残留シユペバイアスの無視できるコイルを得
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は光フアイバ回転セン
サ、特に振動および熱による非相反性の影響を低減する
ためにセンサに使用される感知コイルの製造構成に関す
る。
【0002】
【従来の技術】光フアイバ回転センサは、光フアイバ回
転センサのコイルでのサニヤツク効果を利用してコイル
の平面に対し垂直な感知軸を中心とする回転を検出す
る。感知コイル内の逆伝搬光波は回転速度に関連した位
相シフトを受ける。この位相シフトは光波が合成される
ときにその合成光波により形成される干渉パターンの変
化と考えられる。この干渉パターンは同一の偏光の2光
波が光フアイバの感知コイルを互いに反対方向に移動す
るときに生じる。干渉パターンは光波を光り検出器に向
け干渉縞パターンの光の強さを示す電気信号を発生させ
て監視される。
【0003】光フアイバ回転センサの理論的分析の結
果、このセンサは時間当たり0.01度、あるいはこれ
より良好な値まで回転速度を測定できることが判明して
いる。この感度の範囲では、光フアイバ回転センサはレ
ーザジヤイロスコープおよび従来のスピン質量ジヤイロ
スコープと競合する航海級のジヤイロスコープとして使
用できよう。
【0004】実験結果から感度を、光フアイバの感知コ
イルおよび光路の他の部分での非相反性バイアスエラー
によつて制限し得ることが判明している。この非相反性
バイアスエラーは、干渉計を用いて確実に単一モード複
屈折フアイバを単一偏光状態にすることにより大きく低
減できる。一方単一モードおよび単一偏光状態を利用す
る場合でも、光フアイバ回転センサの精度は光フアイバ
コイルの熱による非相反性により制限される。この熱に
よる非相反性はシユペ効果として知られており、シユペ
著の応用光学、巻19(5),6534−655(19
80)、「光フアイバ干渉計の熱による非相反性」と題
した刊行物に開示されている。
【0005】熱による非相反性は光フアイバに沿つて、
時間(経過)に伴う温度勾配が発生したときに生じる。
非相反性は2個の反対方向に回転するビームの、対応す
る波面が異なる時間に光フアイバの同じ領域を横断する
ときに生じる。光フアイバの伝搬定数が光フアイバに沿
い異なる時間で変化すると、2個の逆回転するビームの
波面が僅かに異なる有効路を横断する。これに伴い回転
により引き起こされる位相シフトと区別できないような
比較的大きな非相反性の位相シフトが生じる。
【0006】熱による非相反性によりジヤイロスコープ
の精度が制限されることを防止するために、角度エラー
は1時間の動作時間に対し0.0078度以下にする必
要がある。この場合上記のシユペ理論によれば、温度変
化をΔT<6.7×10−℃に制限する必要がある。
回転センサが受けることの多いウオームアツプあるいは
環境変化状態中は別として、比較的定常動作状態の下で
この変化量での温度均一性を維持することが極めて困難
になる。
【0007】シユペ効果を抑制する一の方法として、低
い屈折率温度係数を有する金属から光フアイバを製造す
ることが挙げられる。また別の方法として、コイルの中
心から等距離に配置される光フアイバの部分を互いに離
間するように光フアイバコイルを巻回させる構成も採用
され得る。しかして一例として、周知な四重巻き構成が
挙げられよう。
【0008】四重巻き構成は軸対称の不均衡を利用し
て、統合シユペバイアスを減少させるよう機能させ得る
が、同一の四重巻き内の異種の不均衡が不完全に残され
るため常に小さな残留バイアスを存在させることにな
る。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】本発明による、FOG
バイアス振動感度およびバイアス温度勾配感度、即ちシ
ユペ効果により引き起こされる非相反性バイアスエラー
を低減する方法においては、ポテイング処理されたコイ
ル長さ、接着層の厚さ、層当たりの巻き数、層数および
コイルの終端部ノ位置決め(例えば完全四重巻き、ダイ
アポール、不完全四重巻きあるいは不完全ダイアポー
ル)等のようなコイルの幾何学的フアクタを制御し調整
する構成が含まれる。
【0010】
【課題を解決するための手段】しかして本発明による光
フアイバのシユペ効果により引き起こされる非相反性バ
イアスエラーを低減する本発明による方法は、(a)
コイルの幾何学的フアクタの1組を定義する工程と、
(b) 多数の幾何学的フアクタから1組を選択する工
程と、(c) 選択され変更された幾何学的フアクタを
有する複数の光フアイバコイルを巻く工程と、(d)
複数の光フアイバコイルの各々のシユペバイアスを測定
する工程と、(e) 選択された幾何学的フアクタの最
適値および許容度を選択しシユペバイアスを最小にする
工程と、(f) コイルの製造時に選択された許容度内
に、選択された幾何学的フアクタを制御する工程とを含
む構成をとり、上記の課題を克服する。
【0011】
【作用】上述のように構成された本発明によれば、特に
コイル幾何学的パラメータを効果的に制御して、振動お
よび熱による非相反性の影響を最小限に低減し得る。
【0012】
【発明の実施の形態】シユペ効果の最重要な留意点は以
下の3点である。 1.特定コイルセグメントのシユペバイアスエラーに対
する寄与がこのセグメントのコイルの中点との距離によ
り倍増される。 2.特定コイルセグメントのシユペバイアスエラーに対
する寄与が位相乱れの時間的微分関数であり、この位相
乱れが正弦波の如く生じるのであれば乱れの求積法に依
存する。 3.中点から等距離離間されたコイルセグメント(整合
されたセグメント)に作用する位相乱れの大きさ、数値
が同じであれば、シユペバイアスエラーが無効にされ
る。
【0013】シユペ効果の上記並びに他の留意点は以下
の数学パラメータを用いて説明される。 ε(s,t) 時間依存する位相乱れ関数 ε(r,θ,z,t) 時間依存する位相乱れ関数 r,θ,z コイルの円筒座標値 sjo コイル中点からi−番目光フアイバの巻き開始位置ま での距離 r,Z i−番目光フアイバの巻きの半径および軸方向位置 s,s’ コイル中点に位置する原点を有したコイルに沿う座標 値で、sはCCW方向で増加し、s’はCW方向で増 加する l コイルの一方端に位置する原点を有したコイルに沿う 座標値 τ コイルを通過する光走査時間 L コイルの長さ T 位相乱れの最短特性時間 N 光フアイバの感知コイルの巻き数 n 屈折率 λ 波長(真空中での)
【0014】時間依存の位相乱れが図1に略示される感
知コイル10に作用しているものとする。位相乱れ関数
は長さdl=dsの小さなコイルセグメントを横断する
とき、光を受ける単位長さ当たりの位相変化(2π/
λ)・(d(ns)/ds)として定義される。位相変
化は光フアイバに作用する温度乱れあるいは圧力乱れに
起因する。
【0015】コイルの特定セグメントからコイルの端部
へのCCW波およびCW波の時間遅れはそれぞれτ
{(1/2)−(s/L)}およびτ{(1/2)+
(s/L)}である。従つて、乱れによるCCW波お
よびCW波の総合位相変化はすべてのコイルセグメント
の寄与を積分することにより得られる。
【0016】シュペバイアスエラーはCCW波とCW波
との位相差により与えられ、式(2)を式(1)に代入
することにより下式(3)の如く得られる。
【0017】時間原点が0からτ/2へ変化すると、シ
ユペバイアスエラーの式は下式(4)のようになる。
【0018】位相乱れがテイラー級数で展開可能な連続
微分関数であるとする。 ここに、Δt=±τs/L、従つて|Δt|≦±τ/
2である。
【0019】また位相乱れ関数が乱れの最大変化率ωに
連係される時間TによりT=2π/ωにより表されるも
のとする。
【0020】特性時間Tがコイルの光走査時間より大幅
に長いとき、テイラー級数の内の高い次数の項が小さい
ことが予想される。従つてテイラー級数は分断でき、最
大第2次のみの項が必要と考えられる。このとき式
(5)は下式(6)のようにも表される。
【0021】 シユペバイアスエラーの上式(4)は下
式(7)のようにも表される。
【0022】式(7)の項を組み合わせると、下式
(8)次のようになる。
【0023】式内の偶数項はシユペバイアスエラー式内
で無効にされることは理解されよう。
【0024】ここで、2、3の数学的ステップを上式
(8)に適用してより有効なシユペバイアスエラー式が
得られる。まず、式(8)の積分部分は2ステツプに分
離される。
【0025】ここで、式(9)の2番目の積分部分の積
分限界値は逆にされる。即ち、
【0026】いま積分変数をsからs’=−s’に変更
すると、 が得られる。
【0027】最後にシュペバイアスエラー式は下式(1
2)のように示される。
【0028】シユペバイアスエラー式(12)の前の導
関数は完全な一般式である。これはサニヤツクループの
基本特性に基づく、即ちサニヤツクループはコイルの光
走査時間である特性時間τを有した遅延ラインとして動
作し、干渉波(CWおよびCCW)は感知ループ内で互
いに反対方向に移動する。更に導関数は、位相乱れがコ
イルの光走査時間に対し極く緩徐に、時間とともに変化
するものと仮定する。
【0029】コイルセグメントのシユペバイアスエラー
に対する寄与は2つの時刻、即ちCCW波がこのセグメ
ントを通過するときの時刻tおよびCW波が同じセグ
メントを通過するときの時刻tで、このセグメントに
作用する位相乱れの差である(図3および図4参照)。
差|t−t|はτより小さい。この結果、位相乱れ
はτに比し緩徐であると仮定しているから、位相乱れ関
数のテイラー級数内の高次項(例えば2次項)を無視で
きる。
【0030】位相乱れ関数を二次展開することにより、
コイルセグメントのシユペバイアスエラーに対する寄与
は位相乱れの時間導関数に比例し、また|t−t
がセグメントとコイル中点との距離に比例するので、こ
の寄与はこの距離にも比例する。
【0031】式(12)の変数s,s’は共に正である
が、これらは反対方向において測定される。即ち一方の
変数はCCW方向で増加し、他方の変数はCW方向で増
加する。
【0032】式(12)はコイル中点によりCCW半部
(CCW巻き数)およびCW半部(CW巻き数)の2半
部に分離すること示している。CCW半部はCCW波が
コイル中点を通過した後、CCW波が横断するコイルの
部分である。同様の説明がCW半部に対しても当てはま
る。
【0033】更に式(12)から、整合されたコイルセ
グメントの重要さが容易に理解されよう。CCW半部の
各コイルセグメントに対し、CW半部にはコイル中点に
対して同一の距離の部位に別のセグメント(整合された
セグメント)が存在させられる。式(12)が示すよう
に、整合されたセグメントに作用する位相乱れが大き
さ、数値に関して同一であるとき、整合されたセグメン
トのシユペバイアスエラーに対する寄与が無効にされ
る。
【0034】これはシユペエラーを低減するコイル巻き
方法の基礎原理である。標準四重巻きは半径方向の時間
により変化する温度勾配の影響を最小にするための巻き
パターンの一態様である。ある種類の四重巻き構成も軸
勾配の効果の抑制に効果がある。一方軸対称性を示さな
い乱れ(横断乱れあるいはアジマス乱れ)によるシユペ
バイアスエラーは四重巻きによつて必ずしも低減され得
ないこともある。
【0035】式(8)はまたシユペ効果を理解するため
に有効である。乱れの時間変化率が座標値sの偶数関数
であるとき、この関数の時間sの積が奇数であるため積
分は消滅する、即ち原点に対し対称の間隔に対する奇数
関数の積分がゼロになる。乱れが、主に半径あるいは軸
方向であるとき、四重巻きは乱れをsの偶数関数にする
傾向にあるから、シユペバイアスエラーは小さい。一方
乱れの変化率がsの奇数関数である場合には、sとの積
が偶数であり、従つて正および負のs座標値からの寄与
は減算ではなく加算になり、四重巻きでもシユペ積分を
大にし得る。後者は振動軸がスプールセンタおよびコイ
ル中点を結ぶ線に対し垂直であるときの横断振動と言え
よう。上述から誘導されるシユペバイアスエラーの一般
式はシユペ1およびシユペ2(圧力シユペ)並びに振動
シユペ(横断および軸方向の)に当てはまる。
【0036】次の誘導部分では、位相乱れ関数が円筒座
標値r、θ、zおよび時間座標値tを用いて表される。
各光フアイバ巻きに対し、座標値r,zはほぼ一定であ
る。従つて光フアイバ巻きに対する積分は角度座標値θ
に対するものだけである。これは積分を行うことが必須
の唯一の計算工程である。この工程は乱れのアジマス
(θ)依存性のみに関与する。これ以外の計算は全ての
巻きの寄与に対するものであり、加算である。
【0037】図2を参照するに、r、θ、zの円筒座標
系が定義される。反時計方向は正の角度θの方向として
任意に選択される。CCW巻きでは、光がコイル中点を
通過した後CCW方向に向かうとき横断する。同様にC
W巻きでは光がコイル中点を通過した後CW方向に向か
つて横断する。
【0038】スプールの中心とコイル中点とを結ぶ線で
は角度θをゼロとする。この線およびコイル中点から、
最初のCCWおよびCW巻きは図3に示すように定義さ
れる。i−番目の巻きの開始点はθ=0のとき前に定義
した線とその巻きが交差する点として定義される。更
に、sjoはこの点からコイル中点へのコイルに沿う距
離とする。一般にこの距離は多くの円周辺を集めたもの
である。
【0039】シユペバイアスエラーは位相乱れ関数の時
間導関数の円筒座標値での積分として計算される。上式
(12)の2番目の項は光フアイバ巻き寄与に対する和
に変換される。各々の巻きに対し、座標値r,zはほぼ
一定であるから、各巻き当たりの積分は角度θのみに対
してだけである。
【0040】正のθの変換のため、CCW巻きに対し、
角度θは0から2π変化し、一方CW巻きに対しては、
角度θは0から−2π変化することは理解されよう。こ
れは、式(12)の最初の積分が角度θを増加するsで
表され、二番目の積分は減少するθで行われることにな
り、重要である。しかして式(12)は下式のようにも
なる。
【0041】次の工程ではsとθとの間およびs’とθ
と間の関係を求める。この関係は以下のように要約され
る。図4を参照するに、i−番目のCCW巻きでは図示
のようにs>0,θ〉0である。角度θは下式(14)
のように表される。
【0042】座標値sについて解くと下式(15)次の
ようになる。
【0043】変数r、s、sjoはすべてゼロより大
きい。角度θは関係0<θ<2πを満足する。増分距離
ds=rdθである。
【0044】図5を参照するに、j−番目のCW巻きで
は角度θは下式(16)のように与えられる。
【0045】座標値s’について解くと、下式(17)
のようになる。
【0046】変数r、s’、sjoは全てゼロより大
である。角度θは関係−2π<θ<0を満足する。増分
距離ds’=−rdθである。
【0047】i−番目のCCW巻きのシユペバイアスエ
ラーに対する寄与は下式(18)のように示される。
【0048】同様に、jCW巻きのシユペバイアスエラ
ーに対する寄与は下式(19)のように示される。
【0049】上式(19)の積分はθ=0からθ=−2
πへの正のs’の方向で行われる。式(19)の積分の
限界値を逆にすると下式(20)次のようになる。
【0050】最終的に全部の巻きに対し加算すると、下
式(21)のようなシユペバイアスエラーの一般式が得
られる。
【0051】物理的理由により、位相乱れ関数は周期2
πの角度θが周期的であることが最適である。しかし
て、これはθに依存しない項、共正弦波項に対する和お
よび正弦波項に対する項を含むフーリエ級数で表現でき
る。このフーリエ級数の異なる項に対するシユペバイア
スエラー式は以下のように与えられる。CCW巻きおよ
びCW巻きの寄与は下の式(26)のθに依存しない項
のためシユペバイアスエラー式内では反対の符号を有
し、一方下式(38)の正弦波項の式ではこれらの寄与
は同一の符号を用いて示される。更に下式(32)の共
正弦波項ではシユペバイアスはゼロになる。
【0052】代表的な巻きパターンはCCWコイル半部
の各セグメントをCWコイル半部の整合されたセグメン
トに近接して位置するように設計される。このように両
方のセグメントに作用する位相乱れの時間導関数はその
大きさ、数値がほぼ等しくなる。従つてシユペバイアス
エラーに対する寄与はθに依存しない位相乱れ関数の
み、あるいはフーリエ級数のθに依存しない項のみに対
して互いに打ち消される。
【0053】一方正弦波位相乱れ関数では、整合された
セグメントに作用する位相乱れの時間導関数の数値が等
しい場合、シユペバイアスエラーに対するこれら寄与は
減算ではなく加算される。従つて標準の四重巻き自体は
正弦波乱れのためシユペバイアスエラーを低減するには
有用ではない。
【0054】コイルの境界条件を満足させるため、横断
振動による動的歪み、延いては結果としての位相乱れ関
数はθの正弦波関数にすることが必須である。この結果
フーリエ級数の正弦波項に関する上述した結論は横断振
動にも当てはまる。
【0055】上述した変数に加えて、次の変数が使用さ
れる。 ε(r,z,t) 位相乱れ関数に対するフーリエ級数のθ に依存しない項 ε(r,z,t)cos(nθ) 同じフーリエ級数のn一番目の正弦波項 ε(r,z,t)cos(mθ) 同じフーリエ級数のn一番目の正弦波項
【0056】最汎用の場合位相乱れ関数は周期2πを有
する角度θの周期関数にすることが必須である。従つて
位相乱れ関数はフーリエ級数を用いて下式(22)で表
される。 ここに、係数ε.ε.εはr,z.tの関数であ
るがθには依存しない。
【0057】以下の説明において位相乱れ関数のフーリ
エ級数内の異なる項によるシユペバイアスエラーが計算
される。この計算での開始点は上式(21)を用いる。
【0058】θに依存しない項によるシユペバイアスエ
ラー 上式(22)のθに依存しない項ε(r,z,t)の
ためにシユペバイアス項のみを用いて上式(21)の積
分部分が評価される要がある。この項の時間導関数もθ
に依存せず積分から取られ、この結果下式(23)のよ
うになる。 2個の積分は下式(24)、(25)のようになる。
【0059】従つて位相乱れ関数のθに依存しない項に
よるシユペバイアスエラーは下式(26)で与えられ
る。 上式では積分が含まれておらず和のみが存在することは
理解されよう。またCCW巻きおよびCW巻きからの寄
与は反対の数値を持つている。
【0060】共正弦波項によるシユペバイアスエラー さてε(r,z,t)cos(nθ)の項を用いる式
(21)の積分が評価 シユペバイアスエラーが存在する
【0061】偏微分すると、CCW巻きに対し下式(2
8)、(29)が得られる。
【0062】同様にCW巻きに対しては、下式(3
0)、(31)が得られる。
【0063】全ての積分がなくなるので、正弦波項によ
るシユペバイアスエラーがゼロとなり、これは数学的に
は下式(32)のように示される。
【0064】正弦波項によるシユペバイアスエラー 最後に、上式(21)の積分はε(r,z,t)si
n(mθ)の項を用い 式(33)のようなシユペバイアスエラーが存在する。
【0065】偏微分するとCCW巻きに対し下式(3
4)、(35)のような結果が得られる。
【0066】同様にCW巻きに対しては下式(36)の
ような結果が得られる。
【0067】従つて位相乱れ関数のm一番目の正弦波項
によるシユペバイアスエラーは下式(38)のように与
えられる。
【0068】上式(26)と同様に、上式(38)には
積分がなく、和のみが存在することは理解されよう。ま
た上式(38)は全ての光フアイバ巻きからの寄与はC
W巻きあるいはCCW巻きとは無関係であることを示し
ている。従つてコイルでのすべての光フアイバ巻きに対
する和として上式(38)の二番目項を下式(3)のよ
うに書き換えできる。 ここに、
【0069】本明細書では、シユペバイアスエラーの評
価はすべての位相乱れ関数に対する和の計算に換算でき
ることを示した。上式(26)、(38)あるいは(3
9)のθの依存性によりシユペバイアスエラーに対し2
個の式が誘導された。
【0070】上式(26)では、量r、r
jo、sjoは全て正の実数である。従つて上式(2
6)はCCW巻きの寄与およびCW巻きの寄与は符号が
反対である、即ちこれら寄与は(位相乱れの時間導関数
が同一の数値を有している場合)互いに打ち消しあう傾
向にあることを示す。これは以前に得られた結論と同一
である。一方この結論はθ(軸対称乱れ)に無関係な位
相乱れ関数のみに対する、あるいはθに無関係な乱れ関
数のフーリエ級数のみに対し有効であることがを示し
た。
【0071】時間と共に変動する温度勾配が主に半径方
向ないしは軸方向であるとき、上式(26)は温度勾配
によるシユペバイアス(シユペ1)に適用する。この式
はまた、例えばスプールの熱膨張により温度に依存する
圧力勾配(シユペ2)によるシユペバイアスに適用す
る。すべての場合、位相乱れ関数は軸対称である。
【0072】上式(26)について前に述べたことに比
べ、上式(38)、(39)では、CW巻きおよびCC
W巻きの寄与は(乱れ関数の時間導関数の符号により)
減算ではなく加算される。実際この式は、乱れの正弦波
項に関する限り、巻きがコイルのCCW半部あるいはC
W半部に属するかは実際重要ではないことを表してい
る。
【0073】横断振動による動的歪みはθの正弦波関数
であるので、上式(38)あるいは(39)から得られ
た上記結論は横断振動に適用する。
【0074】上式(38)および(39)はまた、(対
応する位相乱れ関数の少なくとも正弦波成分に対し)軸
対称ではない温度勾配によるシユペバイアスに適用す
る。
【0075】コイル軸バイアス振動応答とコイルのポテ
ィング処理部の長さとの相関関係 図6〜図13は、「強い振動や熱環境に対するポティン
グ処理された光フアイバジヤイロセンサコイル」と題
し、エイコードバおよびジーエムスラビアンに発行され
た米国特許第5,546,482号に開示されるような
カーボンブラツク充填シリコーンを用いて製造された8
個の光フアイバ回転センサコイルの交流バイアス振動デ
ータをグラフで示す。米国特許第5,546,482号
の開示は本発明の開示の参考として示される。これらコ
イルは無視できる横断振動感度を有していることが判明
している。本発明の一実施態様ではこれらコイルの軸振
動に対する応答に関する。
【0076】時間当たりのバイアス(度)を光フアイバ
回転センサコイルの振動応答は振動数と加速度との積に
より乗算することにより表される。加速度gが加速重力
である場合、gで加速度を表現することが有用である。
テストされたコイルの軸方向振動感度は無視しうるレベ
ルから約0.6×10−度/sec/gHzに及ぶこ
とになる。
【0077】更に測定された軸方向振動感度とコイルの
ポテイング処理された部分の長さとの間には強い相関関
係があることが判明している。コイルのポテイング処理
された部分の長さには光フアイバリード長が含まれてい
ないことは理解されよう。これはコイル軸方向のバイア
ス振動感度がその長さを好適に選択し制御することによ
り大幅に減少できる。これは重要な結果である。コイル
長を制御する一方法には、巻き作業中コイルに塗布され
るポテイング処理材料の容量を選択し制御することが含
まれる。上述したような温度勾配によるシユペバイアス
エラーの数学的特性のため、ポテイング処理長との相関
関係はバイアス温度勾配感度の場合に存在することが予
想される。
【0078】下表は上述した8個のコアコイルに対する
ポテイング処理されたコイル長および軸方向のバイアス
振動データを要約している。長さデータはジヤイロスコ
ープの好適な周波数の測定および光フアイバの屈折率、
更に(多機能一体光学チツプのリード長を含む)コイル
光フアイバリード長を減算して得た。軸方向のバイアス
振動感度は、図6〜図13に示す測定振動データに対し
線形適合処理を行うことにより得た。
【0079】
【0080】図14はこれら8個のコイルに対し軸方向
バイアス振動応答とコイルポテイング処理長との関係を
示すグラフである。このグラフから長さが増加するにつ
れ振動応答が増加する傾向のあることが理解されよう。
全ての点が直線上にあるとは 能である。
【0081】上表のデータはコイルの軸方向バイアス振
動感度を低減するため、(1)公称ポテイング処理長が
約197.00mで、(2)コイル長の公差が約50c
m(あるいはコイル長の0.25%)にする必要がある
ことを示している。また上表からコイルの現在の平均ポ
テイング処理長が198.15であり、コイル間の長さ
振動が約1.2%であることが理解されよう。同様の考
察は公称長が198m以外のジヤイロスコープのコイル
に対し行うことができる。
【0082】本発明のこの実施態様は平均長を約1mだ
けにし、また変動性を5だけ減少させる方法に関する。
この特定の実施態様においては、コイル間長の変動性に
影響を与える主コイルパラメータは巻き工程中に塗布さ
れるポテイング処理材料の容積である。
【0083】本発明によれば、コイルのポテイング処理
長、接着層の厚さ、層当たりの巻き数、層の数および巻
きの終端方法を含むコイルの幾何学的フアクタを制御し
調節することにより、光フアイバ回転センサのバイアス
振動感度および温度勾配感度が低減される。巻きの終端
部は完全クアドラポール、ダイアポール、不完全クアド
ラポールあるいは不完全ダイアポールとしてコイルを巻
回可能である。
【0084】シユペ効果の計算により、環境熱あるいは
振動乱れが(アジマス角θに無関係に)軸対称であると
き、シユペバイアス積分に対する時計方向の巻きの寄与
および反時計方向巻きの影響は符号が逆であることが予
期される。従つてクアドラポール巻きのような特殊な巻
きを採用することにより、これら寄与が互いに打ち消さ
れ得る。軸対称乱れはアジマスのフーリエ級数として展
開可能である。延いてはこのフーリエ級数のアジマスに
依存しない項にも適用可能になる。
【0085】クアドラポール巻きは軸対称乱れによるシ
ユペバイアスを低減させるために有効である。このとき
クアドラポール内に異種の乱れが不完全に打ち消される
ことに伴い常に小さな残留バイアスが存在することにな
り、異種クアドラポールによる残留バイアスは総合バイ
アスエラーを増加させる傾向を生じる。これに対しコイ
ル設計において一部幾何学的フアクタを調節することに
より、実質残留シユペバイアスを無視できる程度にした
コイルが得られる。例えばコイルのポテイング処理長は
主にバイアス振動感度に影響を与える。
【0086】本発明によるシユペバイアス(振動感度あ
るいは熱勾配感度による)を所望に低減する方法は上述
から明らかなように、 1.許容される最大容積および所望サニヤツク倍率のよ
うなシステム/ジヤイロスコープの制約に合うようにコ
イルの幾何学的フアクタ(ポテイング処理長、層当たり
の巻き数、層の数、接着層の厚さ)を定義する工程と、 2.変数パラメータとして幾何学的フアクタ(例えば接
着層の厚さ)を選択する工程と、 3.複数のコイルを巻きコイルの選択された幾何学的フ
アクタを変化させる工程と、 4.シユペバイアス(振動応答あるいは熱勾配応答)を
測定する工程と、 5.選択された幾何学的フアクタに対し最適の値および
公差を選択する工程(図示の実施態様では、これはポテ
イング処理長に対し197m±0.5mの値)と、 6.コイル製造過程で特定公差内に幾何学的フアクタを
制御する工程とを包有している。
【0087】
【発明の効果】上述のように構成された本発明によれ
ば、従来品に比べ振動および熱による非相反性の影響を
最小限に低減でき、延いては高品質の感知コイルを具備
する光フアイバジヤイロスコープの提供に有効に寄与で
きる。ここに開示した構造および方法は本発明の原理を
示している。本発明はその精神や本質的な特徴から離れ
る事なく他の特定形態に実施可能である。上述して実施
例はすべての点で限定するものではなく一例として図示
しているものと考えるべきである。したがつて、上述し
た説明ではなく添付の特許請求の範囲により本発明の範
囲が定義される。添付の特許請求の範囲の等価物の意味
および範囲内にあるここで説明した実施例に対するすべ
ての変更も本発明の範囲内に含まれる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1はシユペ効果を理解するために使用される
光フアイバコイルおよびパラメータを示す図である。
【図2】図2は光フアイバコイルのシユペ効果を分析す
る際に使用される円筒座標系を示す図である。
【図3】図3は光フアイバコイルの時計方向巻きおよび
反時計方向巻きを示す図である。
【図4】図4は光フアイバコイルのi一番目の反時計方
向巻きのパラメータを示す図である。
【図5】図5は光フアイバコイルのj−番目の反時計方
向巻きのパラメータを示す図である。
【図6】図6はコイル軸に沿う振動の振動数の関数とし
て光フアイバ回転センサの測定された回転速度出力を示
すグラフである。
【図7】図7はコイル軸に沿う振動の振動数の関数とし
て第2の光フアイバ回転センサの測定された回転速度出
力を示すグラフである。
【図8】図8はコイル軸に沿う振動の振動数の関数とし
て第3の光フアイバ回転センサの測定された回転速度出
力を示すグラフである。
【図9】図9はコイル軸に沿う振動の振動数の関数とし
て第4の光フアイバ回転センサの測定された回転速度出
力を示すグラフである。
【図10】図10は第5の光フアイバ回転センサのコイ
ルの軸に沿う振動の振動数の関数として、センサコイル
の測定された回転速度出力を示す図である。
【図11】図11は第6の光フアイバ回転センサのコイ
ルの軸に沿う振動の振動数の関数として、センサコイル
の測定された回転速度出力を示す図である。
【図12】図12は第7の光フアイバ回転センサのコイ
ルの軸に沿つての振動の振動数の関数として、センサコ
イルの測定された回転速度出力を示す図である。
【図13】図13は第8の光フアイバ回転センサのコイ
ルの軸に沿つての振動の振動数の関数として、センサコ
イルの測定された回転速度出力を示す図である。
【図14】図14はポツトに入れられたコイルの長さの
関数としてバイアス軸振動感度を示すグラフである。

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 長手の光フアイバから光フアイバコイル
    を形成する工程と、コイルをポテイング処理材料でポテ
    イング処理する工程と、光フアイバコイルの長さを制御
    してその公称ポテイング処理長を所定の長さにし振動に
    よるシユペ効果を抑制する工程とを包有するシユペ効果
    により引き起こされる非相反性バイアスエラーを低減す
    る方法。
  2. 【請求項2】 完全クアドラポールとして光フアイバコ
    イルを形成する工程を包有してなる請求項1の方法。
  3. 【請求項3】 ダイアポールとして光フアイバコイルを
    形成する工程を包有してなる請求項1の方法。
  4. 【請求項4】 不完全クアドラポールとして光フアイバ
    コイルを形成する工程を包有してなる請求項1の方法。
  5. 【請求項5】 不完全ダイアポールとして光フアイバコ
    イルを形成する工程を包有してなる請求項1の方法。
  6. 【請求項6】 長手の光フアイバから光フアイバコイル
    を形成する工程と、コイルをポテイング処理材料でポテ
    イング処理する工程と、光フアイバコイルの長さを制御
    してその公称ポテイング処理長を所定の長さにし温度勾
    配によるシユペ効果を抑制する工程とを包有するシユペ
    効果により引き起こされる非相反性バイアスエラーを低
    減する方法。
  7. 【請求項7】 長手の光フアイバから光フアイバコイル
    を形成する工程と、コイルをポテイング処理材料でポテ
    イング処理する工程と、光フアイバコイルの接着層の厚
    さを制御してその公称ポテイング処理長を所定の長さに
    し温度勾配によるシユペ効果を抑制する工程とを包有す
    るシユペ効果により引き起こされる非相反性バイアスエ
    ラーを低減する方法。
  8. 【請求項8】 長手の光フアイバから光フアイバコイル
    を形成する工程と、コイルをポテイング処理材料でポテ
    イング処理する工程と、光フアイバコイルの接着層の厚
    さを制御してその公称ポテイング処理長を所定の長さに
    し振動によるシユペ効果を抑制する工程とを包有するシ
    ユペ効果により引き起こされる非相反性バイアスエラー
    を低減する方法。
  9. 【請求項9】 長手の光フアイバから光フアイバコイル
    を形成する工程と、コイルをポテイング処理材料でポテ
    イング処理する工程と、光フアイバコイルの層当たりの
    巻き数を定義してその公称ポテイング処理長を所定の長
    さにし温度勾配によるシユペ効果を抑制する工程とを包
    有するシユペ効果により引き起こされる非相反性バイア
    スエラーを低減する方法。
  10. 【請求項10】 長手の光フアイバから光フアイバコイ
    ルを形成する工程と、コイルをポテイング処理材料でポ
    テイング処理する工程と、光フアイバコイルの層当たり
    の巻き数を定義してその公称ポテイング処理長を所定の
    長さにし振動によるシユペ効果を抑制する工程とを包有
    するシユペ効果により引き起こされる非相反性バイアス
    エラーを低減する方法。
  11. 【請求項11】 長手の光フアイバから光フアイバコイ
    ルを形成する工程と、コイルをポテイング処理材料でポ
    テイング処理する工程と、光フアイバコイルの層当たり
    の巻き数を定義してその公称ポテイング処理長を所定の
    長さにし温度勾配によるシユペ効果を抑制する工程とを
    包有するシユペ効果により引き起こされる非相反性バイ
    アスエラーを低減する方法。
  12. 【請求項12】 長手の光フアイバから光フアイバコイ
    ルを形成する工程と、コイルをポテイング処理材料でポ
    テイング処理する工程と、光フアイバコイルの層当たり
    の巻き数を定義してその公称ポテイング処理長を所定の
    長さにし振動によるシユペ効果を抑制する工程との工程
    を包有するシユペ効果により引き起こされる非相反性バ
    イアスエラーを低減する方法。
  13. 【請求項13】 コイルの組をなす幾何学的フアクタを
    定義する工程と、組をなす幾何学的フアクタの項を選択
    する工程と、複数の光フアイバコイルを巻き選択された
    幾何学的フアクタを変化させる工程と、複数の光フアイ
    バコイルのそれぞれのシユペバイアスを測定する工程
    と、選択された幾何学的フアクタの最適な値および公差
    を選択しシユペバイアスを最小にする工程と、コイルの
    製造中選択された公差内に選択された幾何学的フアクタ
    を制御する工程とを包有するシユペ効果により引き起こ
    される非相反性バイアスエラーを低減する方法。
JP10151859A 1997-04-23 1998-04-23 コイル幾何学パラメータの制御による光フアイバジヤイロスコープの振動および温度勾配感度の低減方法 Pending JPH1164006A (ja)

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