JPH1157460A - 表面波プラズマによりガスを励起するためのデバイス、およびそのデバイスを組み込んだガス処理装置 - Google Patents
表面波プラズマによりガスを励起するためのデバイス、およびそのデバイスを組み込んだガス処理装置Info
- Publication number
- JPH1157460A JPH1157460A JP10115369A JP11536998A JPH1157460A JP H1157460 A JPH1157460 A JP H1157460A JP 10115369 A JP10115369 A JP 10115369A JP 11536998 A JP11536998 A JP 11536998A JP H1157460 A JPH1157460 A JP H1157460A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- sleeve
- hollow
- plasma
- open end
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】サーファトロンガイドよりも安価であり、大気
圧で動作し得るサーファガイドタイプのガス励起デバイ
スを提供する。 【解決手段】サーファガイドタイプのガス励起デバイス
は、導電性材料で作られ、導波管を構成する中空構造2
4を備える。この中空構造24は、マイクロ波発生器に
接続されることが意図され、励起すべきガスが流れる中
空誘電性管40を通すための通路38と、マイクロ波発
生器により発生されたマイクロ波放射を中空誘電性管4
0に集中させるための領域30とを備える。このデバイ
スは、導電性材料で作られ、中空構造24に固定され、
中空誘電性管を囲むように前記通路38の範囲に沿って
延びる少なくとも1つの電磁スクリーニングスリーブを
さらに備える。
圧で動作し得るサーファガイドタイプのガス励起デバイ
スを提供する。 【解決手段】サーファガイドタイプのガス励起デバイス
は、導電性材料で作られ、導波管を構成する中空構造2
4を備える。この中空構造24は、マイクロ波発生器に
接続されることが意図され、励起すべきガスが流れる中
空誘電性管40を通すための通路38と、マイクロ波発
生器により発生されたマイクロ波放射を中空誘電性管4
0に集中させるための領域30とを備える。このデバイ
スは、導電性材料で作られ、中空構造24に固定され、
中空誘電性管を囲むように前記通路38の範囲に沿って
延びる少なくとも1つの電磁スクリーニングスリーブを
さらに備える。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、表面波プラズマ、
特に大気圧表面波プラズマによりガスが励起されるとこ
ろの、サーファガイド(surfaguide)タイプのガス励起
デバイスに関する。
特に大気圧表面波プラズマによりガスが励起されるとこ
ろの、サーファガイド(surfaguide)タイプのガス励起
デバイスに関する。
【0002】本発明は、また、そのような励起デバイス
を組み込んだガス処理装置にも関する。
を組み込んだガス処理装置にも関する。
【0003】
【従来の技術】上記タイプのデバイスのほかに、この用
途のためのもう1つの効果的な励起デバイスは、「サー
ファトロンガイド(surfatron-guide)の名称により知
られている。
途のためのもう1つの効果的な励起デバイスは、「サー
ファトロンガイド(surfatron-guide)の名称により知
られている。
【0004】これらタイプのデバイスの1つの特に有利
な適用例は、ペルフッ素化温室効果ガス状化合物または
揮発性有機化合物からなる不純物を含有する化学的に非
反応性のガスのプラズマ処理である。
な適用例は、ペルフッ素化温室効果ガス状化合物または
揮発性有機化合物からなる不純物を含有する化学的に非
反応性のガスのプラズマ処理である。
【0005】これを行うために、処理すべきガスとそれ
が含有する不純物とを、ガス分子を電離させることによ
って電気放電を生じさせるに十分に強い電場中に置く。
この放電は、初期には中性のガス分子から電子を引き抜
くことにより生じる。
が含有する不純物とを、ガス分子を電離させることによ
って電気放電を生じさせるに十分に強い電場中に置く。
この放電は、初期には中性のガス分子から電子を引き抜
くことにより生じる。
【0006】放電の作用下で、ガスの分子は、初期分子
よりも小さいサイズのラジカル、および従って、適切で
あれば、個々の原子を生成すべく解離される。このよう
に励起されたこれら原子または分子断片は、いずれの化
学反応をも知覚し得る程度には生じさせない。
よりも小さいサイズのラジカル、および従って、適切で
あれば、個々の原子を生成すべく解離される。このよう
に励起されたこれら原子または分子断片は、いずれの化
学反応をも知覚し得る程度には生じさせない。
【0007】かくして、放電を通過した後、ガス原子も
しくは分子は、放電を出るときに再び完全となる前に、
励起を解かれるようになり、それぞれ再結合する。
しくは分子は、放電を出るときに再び完全となる前に、
励起を解かれるようになり、それぞれ再結合する。
【0008】これに対し、不純物は、励起により、初期
分子の化学的性質とは異なる性質を有し、従って適切な
後処理によりガスから抽出される新たな分子断片をつく
ることにより不可逆的解離と不可逆的変換を受ける。
分子の化学的性質とは異なる性質を有し、従って適切な
後処理によりガスから抽出される新たな分子断片をつく
ることにより不可逆的解離と不可逆的変換を受ける。
【0009】サーファトロンガイドは、導電性材料で作
られ、短絡を形成する移動可能な導波管プランジャーに
より閉じられた第1の端と、第1の部分に対して直角に
延び、その中に誘電性材料で形成された管が同軸的に設
けられた第2の部分を有する中空構造を備える。上記管
中を処理すべきガスが流れる。
られ、短絡を形成する移動可能な導波管プランジャーに
より閉じられた第1の端と、第1の部分に対して直角に
延び、その中に誘電性材料で形成された管が同軸的に設
けられた第2の部分を有する中空構造を備える。上記管
中を処理すべきガスが流れる。
【0010】上記第2の部分は、当該デバイスのインピ
ーダンスを整合させるために軸方向に移動し得る同調プ
ランジャーを備えている。
ーダンスを整合させるために軸方向に移動し得る同調プ
ランジャーを備えている。
【0011】このタイプの電磁場アプリケータは、大気
圧で表面波プラズマを作るためには満足できるものであ
る。
圧で表面波プラズマを作るためには満足できるものであ
る。
【0012】しかしながら、このタイプのアプリケータ
は、いくつかの欠点、特にコストに起因する欠点があ
る。その構成が一層複雑であるからである。
は、いくつかの欠点、特にコストに起因する欠点があ
る。その構成が一層複雑であるからである。
【0013】これに対し、他のタイプのガス励起デバイ
スが、知られており、それは、「サーファガイド」と呼
ばれている。
スが、知られており、それは、「サーファガイド」と呼
ばれている。
【0014】このタイプの励起デバイスは、導電性材料
で作られた、導波管を構成する中空構造であって、マイ
クロ波発生器に接続されることが意図され、励起すべき
ガスが流れるところの誘電性材料で形成された中空放電
管を通すことが意図された通路と、マイクロ波発生器に
より発生されたマイクロ波放射を中空放電管に集中させ
るように設計された波集中領域とを備えた中空構造を有
し、操作中に、該ガス中に表面波プラズマを生じさせる
ことを目的とする。
で作られた、導波管を構成する中空構造であって、マイ
クロ波発生器に接続されることが意図され、励起すべき
ガスが流れるところの誘電性材料で形成された中空放電
管を通すことが意図された通路と、マイクロ波発生器に
より発生されたマイクロ波放射を中空放電管に集中させ
るように設計された波集中領域とを備えた中空構造を有
し、操作中に、該ガス中に表面波プラズマを生じさせる
ことを目的とする。
【0015】このサーファガイドは、同調プランジャー
を持たず、それ故サーファトロンガイドより安価であ
る。さらに、サーファガイドにより発生されたプラズマ
の長さは、同じパワーで比較すると、サーファトロンガ
イドにより発生されたプラズマの長さよりもやや長い。
を持たず、それ故サーファトロンガイドより安価であ
る。さらに、サーファガイドにより発生されたプラズマ
の長さは、同じパワーで比較すると、サーファトロンガ
イドにより発生されたプラズマの長さよりもやや長い。
【0016】しかしながら、サーファトロンガイドによ
り発生されたプラズマカラムの密度は、サーファガイド
についてよりも局部的に高い。
り発生されたプラズマカラムの密度は、サーファガイド
についてよりも局部的に高い。
【0017】加えて、ある操作条件の下では、20mm
を超える直径を有する放電管を2.45GHzの周は数
で使用したとき、サーファガイドは、サーファトロンガ
イドよりも効率的でない。
を超える直径を有する放電管を2.45GHzの周は数
で使用したとき、サーファガイドは、サーファトロンガ
イドよりも効率的でない。
【0018】さらに、高い操作パワーについては、サー
ファガイドの環境中に放射損失が生じ、これは、当該デ
バイスのエネルギーバランスに対して非常に不利であ
り、また信頼性および安全性の問題を生じさせる。
ファガイドの環境中に放射損失が生じ、これは、当該デ
バイスのエネルギーバランスに対して非常に不利であ
り、また信頼性および安全性の問題を生じさせる。
【0019】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の課題
は、上記デバイスの欠点を克服して、サーファトロンガ
イドよりも安価であり、大気圧で動作し得るガス励起デ
バイスを提供することにある。
は、上記デバイスの欠点を克服して、サーファトロンガ
イドよりも安価であり、大気圧で動作し得るガス励起デ
バイスを提供することにある。
【0020】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明によれば、導電性材料で作られ、導波管を構
成し、マイクロ波発生器に接続されることが意図された
中空構造であって、励起すべきガスが流れる中空誘電性
管を通すことが意図された通路と、前記マイクロ波発生
器により発生されたマイクロ波放射を前記中空誘電性管
に集中させるように設計された波集中領域とを備えた前
記中空構造を有し、操作中に、前記ガス中に表面波プラ
ズマを生じさせることを目的とするサーファガイドタイ
プのガス励起デバイスにおいて、導電性材料で作られ、
前記中空構造に固定され、前記中空誘電性管を囲むよう
に前記通路の範囲に沿って延びる少なくとも1つの電磁
スクリーニングスリーブをさらに備えたことを特徴とす
るガス励起デバイスが提供される。
に、本発明によれば、導電性材料で作られ、導波管を構
成し、マイクロ波発生器に接続されることが意図された
中空構造であって、励起すべきガスが流れる中空誘電性
管を通すことが意図された通路と、前記マイクロ波発生
器により発生されたマイクロ波放射を前記中空誘電性管
に集中させるように設計された波集中領域とを備えた前
記中空構造を有し、操作中に、前記ガス中に表面波プラ
ズマを生じさせることを目的とするサーファガイドタイ
プのガス励起デバイスにおいて、導電性材料で作られ、
前記中空構造に固定され、前記中空誘電性管を囲むよう
に前記通路の範囲に沿って延びる少なくとも1つの電磁
スクリーニングスリーブをさらに備えたことを特徴とす
るガス励起デバイスが提供される。
【0021】本発明の励起デバイスは、以下の特徴の1
またはそれ以上をさらに含むことができる。すなわち、 −前記導波管を構成する中空構造が、軸方向に延びる一
般的形状を有し、かつ前記マイクロ波発生器に接続され
ることが意図された第1の開放端、短絡(short-circui
t)を形成する手段を備えることが意図された第2の開
放端、および前記第1の開放端と前記第2の開放端との
間に延び、前記波集中領域を規定する狭い断面の領域を
含むこと; −前記狭い断面の領域が、前記第1の開放端と前記第2
の開放端とに向かって直線的に増大する断面を有する2
つの部分の間に延び、前記通路を備えた一定の断面を有
する中央部を含むこと; −前記少なくとも1つのスリーブが、前記ガス中に生じ
るプラズマの長さと少なくとも等しい長さを有するこ
と; −各スリーブの自由端が、前記誘電性管を通すための穴
を設けたフランジを有すること; −前記少なくとも1つのスリーブが、前記プラズマの長
さと真空中での前記マイクロ波放射の波長との合計に等
しい長さを有すること; −前記少なくとも1つのスリーブの壁が、前記プラズマ
を見るための少なくとも1つのオリフィスを備え、前記
オリフィスは、前記放射の貫通を防止するように設計さ
れた寸法を有すること; −前記少なくとも1つのスリーブが、前記中空管の断面
に少なくとも等しい断面を有する円筒状の一般的形状を
有すること; −デバイスが、前記中央部の両側に、それぞれ互いの長
さに延びる2つのスリーブを有すること; −各スリーブが、端部設置プレートを含み、各設置プレ
ートは、前記設置プレートをボルト締めすることにより
前記スリーブを前記中空構造に固定するために前記中央
部を過ぎって横方向に延びること; −前記通路の直径が、前記中空管の外径よりも大きいこ
とである。
またはそれ以上をさらに含むことができる。すなわち、 −前記導波管を構成する中空構造が、軸方向に延びる一
般的形状を有し、かつ前記マイクロ波発生器に接続され
ることが意図された第1の開放端、短絡(short-circui
t)を形成する手段を備えることが意図された第2の開
放端、および前記第1の開放端と前記第2の開放端との
間に延び、前記波集中領域を規定する狭い断面の領域を
含むこと; −前記狭い断面の領域が、前記第1の開放端と前記第2
の開放端とに向かって直線的に増大する断面を有する2
つの部分の間に延び、前記通路を備えた一定の断面を有
する中央部を含むこと; −前記少なくとも1つのスリーブが、前記ガス中に生じ
るプラズマの長さと少なくとも等しい長さを有するこ
と; −各スリーブの自由端が、前記誘電性管を通すための穴
を設けたフランジを有すること; −前記少なくとも1つのスリーブが、前記プラズマの長
さと真空中での前記マイクロ波放射の波長との合計に等
しい長さを有すること; −前記少なくとも1つのスリーブの壁が、前記プラズマ
を見るための少なくとも1つのオリフィスを備え、前記
オリフィスは、前記放射の貫通を防止するように設計さ
れた寸法を有すること; −前記少なくとも1つのスリーブが、前記中空管の断面
に少なくとも等しい断面を有する円筒状の一般的形状を
有すること; −デバイスが、前記中央部の両側に、それぞれ互いの長
さに延びる2つのスリーブを有すること; −各スリーブが、端部設置プレートを含み、各設置プレ
ートは、前記設置プレートをボルト締めすることにより
前記スリーブを前記中空構造に固定するために前記中央
部を過ぎって横方向に延びること; −前記通路の直径が、前記中空管の外径よりも大きいこ
とである。
【0022】また、本発明によれば、マイクロ波発生器
に接続され、その中を中空誘電性管が通り、前記管の中
を励起すべきガスが流れるところのガス励起デバイスを
備えたガス処理装置であって、前記ガス励起デバイス
は、反応性ガス状化合物を形成する目的で処理すべきガ
スの分子を電離させ、励起するための大気プラズマを前
記ガス中に生じさせるべく前記発生器により発生された
マイクロ波放射を前記誘電性管に集中させるための手段
を備え、前記装置は、前記反応性化合物を処理するため
の少なくとも1つのユニットを前記中空誘電性区だの下
流側に有し、前記ガス励起デバイスは、本発明のガス励
起デバイスからなることを特徴とするガス処理装置が提
供される。
に接続され、その中を中空誘電性管が通り、前記管の中
を励起すべきガスが流れるところのガス励起デバイスを
備えたガス処理装置であって、前記ガス励起デバイス
は、反応性ガス状化合物を形成する目的で処理すべきガ
スの分子を電離させ、励起するための大気プラズマを前
記ガス中に生じさせるべく前記発生器により発生された
マイクロ波放射を前記誘電性管に集中させるための手段
を備え、前記装置は、前記反応性化合物を処理するため
の少なくとも1つのユニットを前記中空誘電性区だの下
流側に有し、前記ガス励起デバイスは、本発明のガス励
起デバイスからなることを特徴とするガス処理装置が提
供される。
【0023】本発明の他の特徴および利点は、図面を参
照してもなされる以下の記述から明らかとなるであろ
う。
照してもなされる以下の記述から明らかとなるであろ
う。
【0024】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。
する。
【0025】図1は、総括的符号10で示される従来タ
イプのサーファガイドを概略的に示す斜視図である。
イプのサーファガイドを概略的に示す斜視図である。
【0026】このサーファガイド10は、導電性材料で
作られた中空構造12から主としてなり、この構造は、
マイクロ波発生器(図示せず)に接続されるべき第1の
端部14と、この構造12の長手軸に対して横断的に配
置され、短絡を構成するプレートにより閉じられるべき
開放対向端16を有する。図1には、短絡プレートは示
されていない。
作られた中空構造12から主としてなり、この構造は、
マイクロ波発生器(図示せず)に接続されるべき第1の
端部14と、この構造12の長手軸に対して横断的に配
置され、短絡を構成するプレートにより閉じられるべき
開放対向端16を有する。図1には、短絡プレートは示
されていない。
【0027】構造12の中央部には、誘電材料で作られ
た放電管20を横断的に通すためのオリフィス18が設
けられている。放電管を通ってガスカラムが流れる。
た放電管20を横断的に通すためのオリフィス18が設
けられている。放電管を通ってガスカラムが流れる。
【0028】操作に当たり、マイクロ波により作られた
マイクロ波放射は、構造12により案内され、この構造
は、入射放射を放電管20上に集中させて、放電管中お
よびそれが含有する電離ガス混合物中において、移動す
る電磁表面波を伝播させる。その関連する電場は、ガス
カラム中に放電を発生させ、維持する。
マイクロ波放射は、構造12により案内され、この構造
は、入射放射を放電管20上に集中させて、放電管中お
よびそれが含有する電離ガス混合物中において、移動す
る電磁表面波を伝播させる。その関連する電場は、ガス
カラム中に放電を発生させ、維持する。
【0029】先に述べたように、このタイプの励起器
は、ガス混合物の励起および励起された化学種をプラズ
マの作用の下で対応する反応性化合物と反応させてそれ
らを入ってくるガスもしくはガス混合物から除去するこ
とによって、種々のタイプのガス状流出物を、その精製
を目的として、またはガス混合物中に含まれるペルフル
オロカーボン化合物もしくは揮発性有機化合物を破壊す
ることを目的として、プラズマ処理する分野に使用する
ことができる。
は、ガス混合物の励起および励起された化学種をプラズ
マの作用の下で対応する反応性化合物と反応させてそれ
らを入ってくるガスもしくはガス混合物から除去するこ
とによって、種々のタイプのガス状流出物を、その精製
を目的として、またはガス混合物中に含まれるペルフル
オロカーボン化合物もしくは揮発性有機化合物を破壊す
ることを目的として、プラズマ処理する分野に使用する
ことができる。
【0030】しかしながら、先に指摘したように、この
タイプの励起器は、いくつかの不利点を有する。
タイプの励起器は、いくつかの不利点を有する。
【0031】まず第1に、図2からわかるように、例え
ばSF6 、O2 およびArからなるガス混合物中のSF
6 の100%除去を達成するために必要な最小入射パワ
ーは、同じ流量についてサーファトロンガイドによる1
00%破壊に必要なパワーよりも大きくなければならな
い。
ばSF6 、O2 およびArからなるガス混合物中のSF
6 の100%除去を達成するために必要な最小入射パワ
ーは、同じ流量についてサーファトロンガイドによる1
00%破壊に必要なパワーよりも大きくなければならな
い。
【0032】さらに、C2 F6 を含有するガス混合物の
場合に得られる破壊程度を従来のサーファガイドとサー
ファトロンガイドとの間で、両者で非常に近似している
入射マイクロ波パワーについて比較すると、図3からわ
かるように、C2 F6 の濃度4.5%については、両方
のアプリケータにとって安定な放電を維持するために必
要なパワーはわずか790Wである。これらの条件の下
で、サーファガイドで達成される破壊程度は、サーファ
トロンガイドの場合に観察されるものよりわずかに少な
い。
場合に得られる破壊程度を従来のサーファガイドとサー
ファトロンガイドとの間で、両者で非常に近似している
入射マイクロ波パワーについて比較すると、図3からわ
かるように、C2 F6 の濃度4.5%については、両方
のアプリケータにとって安定な放電を維持するために必
要なパワーはわずか790Wである。これらの条件の下
で、サーファガイドで達成される破壊程度は、サーファ
トロンガイドの場合に観察されるものよりわずかに少な
い。
【0033】しかしながら、より高い濃度である8%の
C2 F6 濃度では、安定な放電を維持するための最小パ
ワーは顕著に高い。このパワーは、両デバイス間でほと
んど変わりがないが、特にサーファトロンガイドの場合
に観察される完全に近い優れた値と比較すると、サーフ
ァガイドの場合には破壊効率は劣ったものとなる。これ
に対応して、上に述べたように、これらの高いパワーに
ついて、当該デバイスの環境中で有意の放射損失が生じ
る。これらの損失は、それゆえ、装置のエネルギーバラ
ンスに対して非常に不利となり、信頼性と安全性の問題
を生じさせる。
C2 F6 濃度では、安定な放電を維持するための最小パ
ワーは顕著に高い。このパワーは、両デバイス間でほと
んど変わりがないが、特にサーファトロンガイドの場合
に観察される完全に近い優れた値と比較すると、サーフ
ァガイドの場合には破壊効率は劣ったものとなる。これ
に対応して、上に述べたように、これらの高いパワーに
ついて、当該デバイスの環境中で有意の放射損失が生じ
る。これらの損失は、それゆえ、装置のエネルギーバラ
ンスに対して非常に不利となり、信頼性と安全性の問題
を生じさせる。
【0034】図4および図5に、これら不利点を軽減し
得る本発明のガス励起デバイスが示されている。
得る本発明のガス励起デバイスが示されている。
【0035】図4に示されるように、この励起器22
は、軸方向に延びる形状(longitudinal shape)を有
し、意図された用途に適切な導電性材料、特に金属で作
られた中空構造24を有する。
は、軸方向に延びる形状(longitudinal shape)を有
し、意図された用途に適切な導電性材料、特に金属で作
られた中空構造24を有する。
【0036】この中空構造24は、好ましくは、平行六
面体の断面を有し、2つの開放端26および28を有す
る。一方の開放端は、マイクロ波発生器に接続されるこ
とが意図されており、他方の開放端は、短絡を形成する
ための好適な手段、好ましくは横断的に配置されかつ軸
方向に調節可能に配置される導電性プレートに接続され
ることが意図されている。
面体の断面を有し、2つの開放端26および28を有す
る。一方の開放端は、マイクロ波発生器に接続されるこ
とが意図されており、他方の開放端は、短絡を形成する
ための好適な手段、好ましくは横断的に配置されかつ軸
方向に調節可能に配置される導電性プレートに接続され
ることが意図されている。
【0037】2つの端部領域26および28の間に、構
造24は、端部領域26および28に向かって直線的に
増大する断面を有する2つの部分34および36の間に
延びる一定の断面の中央部32を含む狭い断面の領域3
0を有する。
造24は、端部領域26および28に向かって直線的に
増大する断面を有する2つの部分34および36の間に
延びる一定の断面の中央部32を含む狭い断面の領域3
0を有する。
【0038】図5をも参照すると、中央部32を構成す
る壁は、それぞれ、オリフィス38のようなオリフィス
を備え、これらオリフィスは、シリカのような誘電材料
で作られた管40のための通路(図4では、仮想的に切
り取られている)を形成する。励起されるべきガスカラ
ムは、管40中を流れる。
る壁は、それぞれ、オリフィス38のようなオリフィス
を備え、これらオリフィスは、シリカのような誘電材料
で作られた管40のための通路(図4では、仮想的に切
り取られている)を形成する。励起されるべきガスカラ
ムは、管40中を流れる。
【0039】本発明によれば、中央部32の大きな面の
それぞれにスリーブ42、44が設置されており、この
スリーブは、好ましくは構造24を形成する材料と同じ
材料である導電性材料で作られている。これらスリーブ
は、好ましくは、円筒状であり、オリフィス38によっ
て形成される通路に対して同軸的に置かれる。
それぞれにスリーブ42、44が設置されており、この
スリーブは、好ましくは構造24を形成する材料と同じ
材料である導電性材料で作られている。これらスリーブ
は、好ましくは、円筒状であり、オリフィス38によっ
て形成される通路に対して同軸的に置かれる。
【0040】これらスリーブ42および44は、電気的
良導体で作られなければならないことが認識される。さ
らに、これらスリーブの構造24との接触は、電気的に
優れていなければならない。それは、2.45GHzの
周波数を有する電磁波について、導電におけるどのよう
な不連続性も、非常に密な機械的接合をもってさえ、発
生器により発生された放射に対し外部への漏れ経路を提
供する傾向にあるからである。
良導体で作られなければならないことが認識される。さ
らに、これらスリーブの構造24との接触は、電気的に
優れていなければならない。それは、2.45GHzの
周波数を有する電磁波について、導電におけるどのよう
な不連続性も、非常に密な機械的接合をもってさえ、発
生器により発生された放射に対し外部への漏れ経路を提
供する傾向にあるからである。
【0041】かくして、構造24並びにスリーブ42お
よび44は、これら部品を固定するための領域において
絶縁性の酸化物層が生成することを防止すべく、黄銅で
作製することが好ましい。
よび44は、これら部品を固定するための領域において
絶縁性の酸化物層が生成することを防止すべく、黄銅で
作製することが好ましい。
【0042】図4および図5は、導波管24に対面して
設置されるスリーブ42および44の端部がそれぞれ設
置プレート46のような設置プレートを備えていること
を示している。これら設置プレート46は、ボルト48
のようなボルトにより中央部32に対してクランプされ
ている。こうして、金属表面同士の非常に密な接触が得
られる。
設置されるスリーブ42および44の端部がそれぞれ設
置プレート46のような設置プレートを備えていること
を示している。これら設置プレート46は、ボルト48
のようなボルトにより中央部32に対してクランプされ
ている。こうして、金属表面同士の非常に密な接触が得
られる。
【0043】さらに、スリーブ42および44の自由端
は、それぞれ、それら自由端にボルト締めすることによ
り固定されたフランジ50のようなフランジを備えてい
る。後者は、誘電性管40を通すためのオリフィス52
のようなオリフィスを備えている。
は、それぞれ、それら自由端にボルト締めすることによ
り固定されたフランジ50のようなフランジを備えてい
る。後者は、誘電性管40を通すためのオリフィス52
のようなオリフィスを備えている。
【0044】以下述べるように、フランジ50は、導電
性材料または絶縁性材料で形成することができ、あるい
は場合により、それらは、スリーブの長さに応じて省略
することもできる。
性材料または絶縁性材料で形成することができ、あるい
は場合により、それらは、スリーブの長さに応じて省略
することもできる。
【0045】最後に、図4に示すように、各スリーブの
壁は、当該デバイスの操作中にガスカラム中のプラズマ
を見ることを可能とするオリフィス54を備えている。
壁は、当該デバイスの操作中にガスカラム中のプラズマ
を見ることを可能とするオリフィス54を備えている。
【0046】操作に当たり、導波管24は、発生器から
の入射マイクロ波放射をマイクロ波を特に誘電管40上
に集中させる領域を構成する狭い断面の領域30に向け
て案内する。
の入射マイクロ波放射をマイクロ波を特に誘電管40上
に集中させる領域を構成する狭い断面の領域30に向け
て案内する。
【0047】これは、狭い断面の領域30は、管40中
およびそれが含有するガスカラム中において、移動する
電磁表面波を伝播させる目的で入射放射を中央領域32
へ集中させるためであり、関連するその電場は、通常の
ように、ガス粒子を励起し電離させるためにガスカラム
中にプラズマを発生させ、維持する。
およびそれが含有するガスカラム中において、移動する
電磁表面波を伝播させる目的で入射放射を中央領域32
へ集中させるためであり、関連するその電場は、通常の
ように、ガス粒子を励起し電離させるためにガスカラム
中にプラズマを発生させ、維持する。
【0048】一定断面の導波管の波とは異なる波の相の
空間的変動を生じ易い、2つの遷移部分34および36
中に多重反射が現れることを防止するために、2つの端
部領域と中央部32との間の遷移部分は、伝播波長の半
分λg/2の倍数にほぼ等しい遷移領域長さを用いるこ
とにより、実質的に漸次的なものである。
空間的変動を生じ易い、2つの遷移部分34および36
中に多重反射が現れることを防止するために、2つの端
部領域と中央部32との間の遷移部分は、伝播波長の半
分λg/2の倍数にほぼ等しい遷移領域長さを用いるこ
とにより、実質的に漸次的なものである。
【0049】さらに、各スリーブの直径は、放電を生じ
させる表面波の伝播を妨害しないために十分は大きさに
選ばれるべきである。
させる表面波の伝播を妨害しないために十分は大きさに
選ばれるべきである。
【0050】この選択は、2つの考慮事項により指示さ
れる。
れる。
【0051】一方では、この直径が小さすぎると、スリ
ーブの壁におけるマイクロ波場が非常に高くなり得、関
連する電場の値は管40の壁からほぼ対数的に減少す
る。従って、金属の導電性は無限大でないので、スリー
ブの構成壁において加熱損失が生じ得る。加えて、この
加熱がスリーブを損傷させ得る。
ーブの壁におけるマイクロ波場が非常に高くなり得、関
連する電場の値は管40の壁からほぼ対数的に減少す
る。従って、金属の導電性は無限大でないので、スリー
ブの構成壁において加熱損失が生じ得る。加えて、この
加熱がスリーブを損傷させ得る。
【0052】かくして、最小直径は、プラズマ中に注入
することが望まれるマイクロ波パワーに、すなわち、デ
バイスの操作条件に依存する。好ましくは、損失を制限
するために、スリーブの直径は、管40のそれの2倍に
等しくなるように選ばれる。
することが望まれるマイクロ波パワーに、すなわち、デ
バイスの操作条件に依存する。好ましくは、損失を制限
するために、スリーブの直径は、管40のそれの2倍に
等しくなるように選ばれる。
【0053】他方、上記直径が大きすぎると、電磁場の
構造がその移動性表面波特性を失い、共振空洞タイプの
結合が生じ、これは、空洞モードと表面波のそれとの間
のエネルギー交換により放電の操作条件が不安定にす
る。
構造がその移動性表面波特性を失い、共振空洞タイプの
結合が生じ、これは、空洞モードと表面波のそれとの間
のエネルギー交換により放電の操作条件が不安定にす
る。
【0054】これら2つの考慮事項の間の妥協は、管4
0の直径の3倍ないし4倍の直径を選ぶことにある。例
えば、2.45GHzの入射波長については、60ない
し80mmの直径を選ぶ。
0の直径の3倍ないし4倍の直径を選ぶことにある。例
えば、2.45GHzの入射波長については、60ない
し80mmの直径を選ぶ。
【0055】また、スリーブの長さは、プラズマがスリ
ーブ内に全体が存在するように、プラズマの長さと少な
くとも等しく選ばれる。
ーブ内に全体が存在するように、プラズマの長さと少な
くとも等しく選ばれる。
【0056】スリーブの長さがプラズマの長さよりもご
くわずかに大きいだけである場合、放射が外部に逃げる
ことを防止するために、フランジ50は、好ましくは、
導電性材料で作られる。
くわずかに大きいだけである場合、放射が外部に逃げる
ことを防止するために、フランジ50は、好ましくは、
導電性材料で作られる。
【0057】しかしながら、先に述べたように、これら
フランジ50は、導電性材料により形成される必要はな
い。プラズマの限界を超えるこの領域において、マイク
ロ波の強度は小さいからである。
フランジ50は、導電性材料により形成される必要はな
い。プラズマの限界を超えるこの領域において、マイク
ロ波の強度は小さいからである。
【0058】特に、プラズマの長さと放射の波長との合
計に等しいスリーブ長さについては、スリーブ42およ
び44の端縁において放射の強度は実質的にゼロであ
る。この場合には、フランジ50は省略することができ
る。
計に等しいスリーブ長さについては、スリーブ42およ
び44の端縁において放射の強度は実質的にゼロであ
る。この場合には、フランジ50は省略することができ
る。
【0059】今述べたサーファガイドデバイスは、非常
に簡単な構造を有することがわかるであろう。これは、
発生器からのマイクロ波のための入口とは反対側で、導
波管構造24の一方の端部に接続された単一のインピー
ダンス整合手段を有するだけである。他方、サーファト
ロンガイドは、追加の固有整合手段(intrinsic matchi
ng means)を有する。しかしながら、導波管に対し、マ
イクロ波パワー入口側に、導波管の大きな側中に既知の
3つのスクリュータイプのプランジャーからなるインピ
ーダンス整合器を付け加えることが有利である。
に簡単な構造を有することがわかるであろう。これは、
発生器からのマイクロ波のための入口とは反対側で、導
波管構造24の一方の端部に接続された単一のインピー
ダンス整合手段を有するだけである。他方、サーファト
ロンガイドは、追加の固有整合手段(intrinsic matchi
ng means)を有する。しかしながら、導波管に対し、マ
イクロ波パワー入口側に、導波管の大きな側中に既知の
3つのスクリュータイプのプランジャーからなるインピ
ーダンス整合器を付け加えることが有利である。
【0060】しかしながら、事実それはサーファトロン
ガイドの効率に匹敵する効率を達成させ得る。
ガイドの効率に匹敵する効率を達成させ得る。
【0061】上記励起デバイスを用いたガス処理装置を
図6を参照して以下に説明する。
図6を参照して以下に説明する。
【0062】図6に示す装置は、例えばC2 F6 、O2
およびArからなり、矢印Fにより示されているように
放電管40中のその一端から導入されたガス混合物中の
C2F6 を破壊することを意図されている。
およびArからなり、矢印Fにより示されているように
放電管40中のその一端から導入されたガス混合物中の
C2F6 を破壊することを意図されている。
【0063】図6は、図4および図5に示した励起器と
同じサーファガイド22が、その一端26を介してマイ
クロ波発生器56に接続され、その他端28は短絡を形
成する導電性プレート58を備えていることを示してい
る。このプレート58は、横断的に配設され、軸方向に
調節可能である。
同じサーファガイド22が、その一端26を介してマイ
クロ波発生器56に接続され、その他端28は短絡を形
成する導電性プレート58を備えていることを示してい
る。このプレート58は、横断的に配設され、軸方向に
調節可能である。
【0064】処理すべきガスの流れの方向に対し下流側
で、放電管40が、内部を水が循環する室内に収容され
た、例えばコイルを備えた熱交換器からなる、処理すべ
きガスが流れる冷却カートリッジ62を介してパイプ6
0に入り込んでいる。
で、放電管40が、内部を水が循環する室内に収容され
た、例えばコイルを備えた熱交換器からなる、処理すべ
きガスが流れる冷却カートリッジ62を介してパイプ6
0に入り込んでいる。
【0065】パイプ60は、プラズマ64の作用により
励起されたガスを、破壊すべき励起された化学種との反
応に好適な要素、例えばソーダ石灰やアルカリ性水溶液
のようなアルカリ性要素を含有するカートリッジからな
る処理ユニット66へ、ついで脱水ユニット68へと送
る。
励起されたガスを、破壊すべき励起された化学種との反
応に好適な要素、例えばソーダ石灰やアルカリ性水溶液
のようなアルカリ性要素を含有するカートリッジからな
る処理ユニット66へ、ついで脱水ユニット68へと送
る。
【0066】さらに、図6は、パイプ60が、弁74お
よび76のような対応する弁により制御される2つの分
岐アッセンブリー70および72を備え、これら分岐ア
ッセンブリーには、漏れ止め的な様態で、フーリエ変換
赤外分光器によりガスを分析し得るサンプリングセル7
8および80が設けられている。
よび76のような対応する弁により制御される2つの分
岐アッセンブリー70および72を備え、これら分岐ア
ッセンブリーには、漏れ止め的な様態で、フーリエ変換
赤外分光器によりガスを分析し得るサンプリングセル7
8および80が設けられている。
【0067】本装置は、脱水ユニット68の下流側で、
サーファトロンガイドを用いて選られる破壊程度に匹敵
する破壊程度を達成し得る。
サーファトロンガイドを用いて選られる破壊程度に匹敵
する破壊程度を達成し得る。
【0068】これは、図7の表に示すように、電磁スク
リーンを構成するスリーブを備えたサーファガイドを使
用する図6の装置がスリーブを備えておらずそれ故幾分
かの放射を漏洩させる従来のサーファガイドの破壊効率
よりもはるかに高い破壊効率を有するからである。
リーンを構成するスリーブを備えたサーファガイドを使
用する図6の装置がスリーブを備えておらずそれ故幾分
かの放射を漏洩させる従来のサーファガイドの破壊効率
よりもはるかに高い破壊効率を有するからである。
【0069】図示の態様において、中央部を構成する部
分に設けられ、管40の通路を規定するオリフィス38
のようなオリフィスの直径は、この管の外径の値に近い
値を有する。
分に設けられ、管40の通路を規定するオリフィス38
のようなオリフィスの直径は、この管の外径の値に近い
値を有する。
【0070】有利な変形例によれば、通路38の直径
は、管40の外径よりも大きい。例えば、15mmにほ
ぼ等しい外径を有する放電管については、中央部32を
構成する壁と管40との間にギャップを残すべく、通路
の直径は、好ましくは、20ないし22mmである。
は、管40の外径よりも大きい。例えば、15mmにほ
ぼ等しい外径を有する放電管については、中央部32を
構成する壁と管40との間にギャップを残すべく、通路
の直径は、好ましくは、20ないし22mmである。
【0071】この態様によれば、マイクロ波エネルギー
は、管40の壁の直近における当該デバイスの発射ギャ
ップ(launching gap)中にはもはや集中しない。従っ
て、失敗の危険無しにデバイスのより高い効率を達成す
べくより高いパワーで動作させることが可能である。
は、管40の壁の直近における当該デバイスの発射ギャ
ップ(launching gap)中にはもはや集中しない。従っ
て、失敗の危険無しにデバイスのより高い効率を達成す
べくより高いパワーで動作させることが可能である。
【0072】今述べた態様において、スリーブは、円筒
形状を有する。
形状を有する。
【0073】しかしながら、変形例として、例えば、矩
形、楕円形等異なる形状の断面を有するスリーブをデバ
イスに取り付けること、あるいは実質的に切頭円錐台形
状のスリーブを用いることができる。
形、楕円形等異なる形状の断面を有するスリーブをデバ
イスに取り付けること、あるいは実質的に切頭円錐台形
状のスリーブを用いることができる。
【0074】さらにまた、発生したプラズマを見るため
の穴を、少なくとも1つの大きさが放射が外部に至るこ
とによる損失を防止するに十分に小さいところの、グリ
ッドやスロットのような他のタイプの適切な手段により
置き換えることもできる。
の穴を、少なくとも1つの大きさが放射が外部に至るこ
とによる損失を防止するに十分に小さいところの、グリ
ッドやスロットのような他のタイプの適切な手段により
置き換えることもできる。
【図1】従来タイプのサーファガイドを概略的に示す斜
視図。
視図。
【図2】図1に示すサーファガイドの効率を示す表図。
【図3】サーファトロンガイドの効率を示す表図。
【図4】本発明による励起デバイスを概略的に示す側面
図。
図。
【図5】図4のデバイスの頂面図。
【図6】図4および図5に示す励起デバイスを用いたガ
ス処理装置の概略図。
ス処理装置の概略図。
【図7】本発明による励起デバイスと図1のサーファガ
イドとの効率を示す表図。
イドとの効率を示す表図。
10…サーファガイド 12…中空構造 14…第1の端 16…第2の端 18…オリフィス 20…放電管 22…励起器(デバイス) 24…中空構造(導波管) 26,28…開放端 30…断面の狭い領域 32…中央部 38…オリフィス 40…放電管 42,44…スリーブ 46…設置プレート 48…ボルト 50…フランジ 52…オリフィス 56…マイクロ波発生器 58…導電性プレート 60…パイプ 62…冷却カートリッジ 64…プラズマ 66…処理ユニット 68…脱水ユニット 70,72…分岐アッセンブリー 78,80…サンプリングセル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ロクサンヌ・エテマディ カナダ国、エイチ3ティー・1ダブリュ 5、ケベック、モントリオール、アブニ ュ・ドゥスレ 26;5600 (72)発明者 ジャン − クリストフ・ロスタン フランス国、78530 ビュク、プラース・ デュ・マルシェ 24
Claims (12)
- 【請求項1】 導電性材料で作られ、導波管を構成し、
マイクロ波発生器に接続されることが意図された中空構
造であって、励起すべきガスが流れる中空誘電性管を通
すことが意図された通路と、該マイクロ波発生器により
発生されたマイクロ波放射を該中空誘電性管に集中させ
るように設計された波集中領域とを備えた該中空構造を
有し、操作中に、該ガス中に表面波プラズマを生じさせ
ることを目的とするサーファガイドタイプのガス励起デ
バイスにおいて、導電性材料で作られ、該中空構造に固
定され、該中空誘電性管を囲むように該通路の範囲に沿
って延びる少なくとも1つの電磁スクリーニングスリー
ブをさらに備えたことを特徴とするガス励起デバイス。 - 【請求項2】 該導波管を構成する中空構造が、軸方向
に延びる一般的形状を有し、かつ該マイクロ波発生器に
接続されることが意図された第1の開放端、短絡を形成
する手段を備えることが意図された第2の開放端、およ
び該第1の開放端と該第2の開放端との間に延び、該波
集中領域を規定する狭い断面の領域を含むことを特徴と
する請求項1記載のデバイス。 - 【請求項3】 該狭い断面の領域が、該第1の開放端と
該第2の開放端とに向かって直線的に増大する断面を有
する2つの部分の間に延び、該通路を備えた一定の断面
を有する中央部を含むことを特徴とする請求項2記載の
デバイス。 - 【請求項4】 該少なくとも1つのスリーブが、該ガス
中に生じるプラズマの長さと少なくとも等しい長さを有
することを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項
記載のデバイス。 - 【請求項5】 各スリーブの自由端が、該誘電性管を通
すための穴を設けたフランジを有することを特徴とする
請求項4記載のデバイス。 - 【請求項6】 該少なくとも1つのスリーブが、該プラ
ズマの長さと真空中での該マイクロ波放射の波長との合
計に等しい長さを有する請求項4または5記載のデバイ
ス。 - 【請求項7】 該少なくとも1つのスリーブの壁が、該
プラズマを見るための少なくとも1つのオリフィスを備
え、該オリフィスは、該放射の貫通を防止するように設
計された寸法を有することを特徴とする請求項1ないし
6のいずれか1項記載のデバイス。 - 【請求項8】 該少なくとも1つのスリーブが、該中空
管の断面に少なくとも等しい断面を有する円筒状の一般
的形状を有する請求項1ないし7のいずれか1項記載の
デバイス。 - 【請求項9】 該中央部の両側に、それぞれ互いの長さ
に延びる2つのスリーブを有することを特徴とする請求
項3ないし8のいずれか1項記載のデバイス。 - 【請求項10】 各スリーブが、端部設置プレートを含
み、各設置プレートは、該設置プレートをボルト締めす
ることにより該スリーブを該中空構造に固定するために
該中央部を過ぎって横方向に延びることを特徴とする請
求項9記載のデバイス。 - 【請求項11】 該通路の直径が、該中空管の外径より
も大きいことを特徴とする請求項1ないし10のいずれ
か1項記載のデバイス。 - 【請求項12】 マイクロ波発生器に接続され、その中
を中空誘電性管が通り、該管の中を励起すべきガスが流
れるところのガス励起デバイスを備えたガス処理装置で
あって、該ガス励起デバイスは、反応性ガス状化合物を
形成する目的で処理すべきガスの分子を電離させ、励起
するための大気プラズマを該ガス中に生じさせるべく該
発生器により発生されたマイクロ波放射を該誘電性管に
集中させるための手段を備え、該装置は、該反応性化合
物を処理するための少なくとも1つのユニットを該中空
誘電性区だの下流側に有し、該ガス励起デバイスは、請
求項1ないし11のいずれか1項記載のガス励起デバイ
スからなることを特徴とするガス処理装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR9705147 | 1997-04-25 | ||
FR9705147A FR2762748B1 (fr) | 1997-04-25 | 1997-04-25 | Dispositif d'excitation d'un gaz par plasma d'onde de surface |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1157460A true JPH1157460A (ja) | 1999-03-02 |
Family
ID=9506321
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10115369A Withdrawn JPH1157460A (ja) | 1997-04-25 | 1998-04-24 | 表面波プラズマによりガスを励起するためのデバイス、およびそのデバイスを組み込んだガス処理装置 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6224836B1 (ja) |
EP (1) | EP0874537B1 (ja) |
JP (1) | JPH1157460A (ja) |
CA (1) | CA2235648A1 (ja) |
DE (1) | DE69820518T2 (ja) |
FR (1) | FR2762748B1 (ja) |
TW (1) | TW413731B (ja) |
ZA (1) | ZA983172B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009291784A (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-17 | L'air Liquide-Sa Pour L'etude & L'exploitation Des Procedes Georges Claude | マイクロ波プラズマの誘起(initiating)方法及びこの方法を使用して化学分子を選択的に分解するためのシステム |
JP2011522691A (ja) * | 2008-05-28 | 2011-08-04 | レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | マイクロ波プラズマの冷却方法およびそれを用いる化学分子の選択的破壊のためのプラズマ処理システム |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2787677B1 (fr) * | 1998-12-22 | 2001-01-19 | Air Liquide | Element de canalisation pour dispositif de traitement de gaz et dispositif incorporant un tel element de canalisation |
DE19943953A1 (de) * | 1999-09-14 | 2001-04-12 | Bosch Gmbh Robert | Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung eines lokalen Plasmas durch Mikrostrukturelektrodenentladungen mit Mikrowellen |
AUPQ861500A0 (en) * | 2000-07-06 | 2000-08-03 | Varian Australia Pty Ltd | Plasma source for spectrometry |
FR2815888B1 (fr) * | 2000-10-27 | 2003-05-30 | Air Liquide | Dispositif de traitement de gaz par plasma |
FR2825295B1 (fr) * | 2001-05-31 | 2004-05-28 | Air Liquide | Application des plasmas denses crees a pression atmospherique au traitement d'effluents gazeux |
DE10143375C1 (de) * | 2001-09-05 | 2002-11-07 | Deutsch Zentr Luft & Raumfahrt | Pyrolysevorrichtung und Pyrolyseverfahren |
US7497922B2 (en) * | 2002-05-08 | 2009-03-03 | Btu International, Inc. | Plasma-assisted gas production |
US7638727B2 (en) * | 2002-05-08 | 2009-12-29 | Btu International Inc. | Plasma-assisted heat treatment |
US20060057016A1 (en) * | 2002-05-08 | 2006-03-16 | Devendra Kumar | Plasma-assisted sintering |
US20050233091A1 (en) * | 2002-05-08 | 2005-10-20 | Devendra Kumar | Plasma-assisted coating |
US20060237398A1 (en) * | 2002-05-08 | 2006-10-26 | Dougherty Mike L Sr | Plasma-assisted processing in a manufacturing line |
JP4163681B2 (ja) * | 2002-05-08 | 2008-10-08 | レオナード クルツ シュティフトゥング ウント コンパニー カーゲー | 大型のプラスチック製三次元物体の装飾方法 |
US7445817B2 (en) * | 2002-05-08 | 2008-11-04 | Btu International Inc. | Plasma-assisted formation of carbon structures |
US20060233682A1 (en) * | 2002-05-08 | 2006-10-19 | Cherian Kuruvilla A | Plasma-assisted engine exhaust treatment |
US20060228497A1 (en) * | 2002-05-08 | 2006-10-12 | Satyendra Kumar | Plasma-assisted coating |
US7227097B2 (en) * | 2002-05-08 | 2007-06-05 | Btu International, Inc. | Plasma generation and processing with multiple radiation sources |
CA2505996A1 (en) * | 2002-11-15 | 2004-06-03 | Mcgill University | Method and apparatus for producing single-wall carbon nanotubes |
US7189940B2 (en) * | 2002-12-04 | 2007-03-13 | Btu International Inc. | Plasma-assisted melting |
WO2006127037A2 (en) * | 2004-11-05 | 2006-11-30 | Dana Corporation | Atmospheric pressure processing using microwave-generated plasmas |
FR2880236B1 (fr) * | 2004-12-23 | 2007-03-30 | Air Liquide | Excitateurs de plasmas micro-ondes |
CN100352793C (zh) * | 2006-01-20 | 2007-12-05 | 杨鸿生 | 用于以天然气制乙烯的槽波导微波化学反应设备及制备方法 |
DE102007013219A1 (de) * | 2007-03-15 | 2008-09-18 | Rev Renewable Energy Ventures, Inc. | Plasmagestützte Synthese |
US8419854B2 (en) * | 2007-04-17 | 2013-04-16 | Ulvac, Inc. | Film-forming apparatus |
JP5073545B2 (ja) * | 2008-03-26 | 2012-11-14 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法 |
DE102010043940B4 (de) * | 2010-11-15 | 2012-08-30 | Forschungsverbund Berlin E.V. | Mikrowellen-ICP-Resonator |
RU2468544C1 (ru) * | 2011-03-21 | 2012-11-27 | Общество с ограниченной ответственностью "Фиберус" | Устройство для возбуждения и поддержания свч-разрядов в плазмохимических реакторах |
US8633648B2 (en) | 2011-06-28 | 2014-01-21 | Recarbon, Inc. | Gas conversion system |
TWI484871B (zh) * | 2011-07-22 | 2015-05-11 | Triple Cores Korea | 大氣電漿裝置及其波導 |
DE102013215252A1 (de) * | 2013-08-02 | 2015-02-05 | Eeplasma Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Behandlung von Prozessgasen in einem Plasma angeregt durch elektromagnetische Wellen hoher Frequenz |
US9095835B2 (en) | 2013-08-20 | 2015-08-04 | H Quest Partners, LP | Method for processing hydrocarbon fuels using microwave energy |
US20150057479A1 (en) | 2013-08-20 | 2015-02-26 | H Quest Partners, LP | Multi-stage system for processing hydrocarbon fuels |
US9623397B2 (en) | 2013-08-20 | 2017-04-18 | H Quest Partners, LP | System for processing hydrocarbon fuels using surfaguide |
US9044730B2 (en) | 2013-08-20 | 2015-06-02 | H Quest Partners, LP | System for processing hydrocarbon fuels using surfaguide |
US9767992B1 (en) * | 2017-02-09 | 2017-09-19 | Lyten, Inc. | Microwave chemical processing reactor |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2579855A1 (fr) * | 1985-03-28 | 1986-10-03 | Centre Nat Rech Scient | Dispositif pour l'excitation par ondes hyperfrequences d'un plasma dans une colonne de gaz, permettant notamment la realisation d'un laser ionique |
FR2583250B1 (fr) * | 1985-06-07 | 1989-06-30 | France Etat | Procede et dispositif d'excitation d'un plasma par micro-ondes a la resonance cyclotronique electronique |
FR2628730B1 (fr) * | 1988-03-16 | 1990-06-29 | France Etat | Dispositif de fabrication de preformes pour fibres optiques |
GB8821672D0 (en) * | 1988-09-02 | 1988-10-19 | Emi Plc Thorn | Discharge tube arrangement |
JPH03193880A (ja) | 1989-08-03 | 1991-08-23 | Mikakutou Seimitsu Kogaku Kenkyusho:Kk | 高圧力下でのマイクロ波プラズマcvdによる高速成膜方法及びその装置 |
FR2678956B1 (fr) * | 1991-07-12 | 1993-09-24 | Pechiney Recherche | Dispositif et procede de depot de diamant par dcpv assiste par plasma microonde. |
US5468356A (en) * | 1991-08-23 | 1995-11-21 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Large scale purification of contaminated air |
US5389153A (en) * | 1993-02-19 | 1995-02-14 | Texas Instruments Incorporated | Plasma processing system using surface wave plasma generating apparatus and method |
FR2733384B1 (fr) * | 1995-04-21 | 1997-07-04 | Univ Lille Sciences Tech | Dispositif pour creer deux ou plusieurs decharges plasma dans un meme tube guide d'onde |
US5597624A (en) * | 1995-04-24 | 1997-01-28 | Ceram Optic Industries, Inc. | Method and apparatus for coating dielectrics |
US5750823A (en) * | 1995-07-10 | 1998-05-12 | R.F. Environmental Systems, Inc. | Process and device for destruction of halohydrocarbons |
-
1997
- 1997-04-25 FR FR9705147A patent/FR2762748B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-04-14 TW TW087105602A patent/TW413731B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-04-15 ZA ZA983172A patent/ZA983172B/xx unknown
- 1998-04-21 DE DE69820518T patent/DE69820518T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1998-04-21 EP EP98400974A patent/EP0874537B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1998-04-23 CA CA002235648A patent/CA2235648A1/en not_active Abandoned
- 1998-04-24 JP JP10115369A patent/JPH1157460A/ja not_active Withdrawn
- 1998-04-27 US US09/066,653 patent/US6224836B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009291784A (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-17 | L'air Liquide-Sa Pour L'etude & L'exploitation Des Procedes Georges Claude | マイクロ波プラズマの誘起(initiating)方法及びこの方法を使用して化学分子を選択的に分解するためのシステム |
JP2011522691A (ja) * | 2008-05-28 | 2011-08-04 | レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | マイクロ波プラズマの冷却方法およびそれを用いる化学分子の選択的破壊のためのプラズマ処理システム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2762748A1 (fr) | 1998-10-30 |
CA2235648A1 (en) | 1998-10-25 |
EP0874537A1 (fr) | 1998-10-28 |
EP0874537B1 (fr) | 2003-12-17 |
ZA983172B (en) | 1998-10-21 |
FR2762748B1 (fr) | 1999-06-11 |
DE69820518D1 (de) | 2004-01-29 |
DE69820518T2 (de) | 2004-09-30 |
US6224836B1 (en) | 2001-05-01 |
TW413731B (en) | 2000-12-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH1157460A (ja) | 表面波プラズマによりガスを励起するためのデバイス、およびそのデバイスを組み込んだガス処理装置 | |
AU761955B2 (en) | Slotted waveguide structure for generating plasma discharges | |
KR100291152B1 (ko) | 플라즈마발생장치 | |
US4831963A (en) | Plasma processing apparatus | |
JPS5939178B2 (ja) | 活性化ガス発生装置 | |
US20100116790A1 (en) | Device and method for locally producing microwave plasma | |
JP2004512648A (ja) | プラズマを用いた処理用ガスのための装置 | |
US4851630A (en) | Microwave reactive gas generator | |
JP4619530B2 (ja) | 表面波プラズマでガスを励起する装置 | |
JP3158715B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2006324146A (ja) | 大気圧マイクロ波プラズマ反応装置および方法 | |
JPH10275696A (ja) | プラズマ処理装置 | |
Nisoa et al. | Compact high-density plasma source produced by using standing helicon waves | |
JPH06236799A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPH05205648A (ja) | 同軸電磁波投入および電子サイクトロン共鳴イオン源 | |
JPH07335162A (ja) | 高周波プラズマ源用アンテナ | |
JP2005259633A (ja) | マイクロ波プラズマ放電処理装置 | |
JP2857090B2 (ja) | マイクロ波励起プラズマ処理装置 | |
JP3878267B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
Baskaran et al. | ECR ion source using slow wave structures | |
JP2003229300A (ja) | マイクロ波放電発生装置及び環境汚染ガスの処理方法 | |
RU2166240C2 (ru) | Способ и устройство для получения неравновесной свч-плазмы в газах высокого давления | |
KR100460635B1 (ko) | 열린 공진기를 이용한 마이크로웨이브 플라즈마 방전 시스템 | |
KR0140089Y1 (ko) | 마이크로파 전달장치 | |
Yoshida et al. | The use of magnetic fields in a partial-coaxial microwave cavity holey-plate ion source |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050317 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20050830 |