JPH1154684A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH1154684A JPH1154684A JP22724397A JP22724397A JPH1154684A JP H1154684 A JPH1154684 A JP H1154684A JP 22724397 A JP22724397 A JP 22724397A JP 22724397 A JP22724397 A JP 22724397A JP H1154684 A JPH1154684 A JP H1154684A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- die pad
- heat sink
- bonding
- semiconductor device
- semiconductor element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、ダイパッドの半導体素子接合領域
に加圧跡を付けずに、ダイパッドと放熱板を超音波接合
する半導体装置の製造方法および、超音波接合される面
の隙間に空気が残ることを防止できる半導体装置の製造
方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、ダイ
パッドと放熱板を超音波接合で接合する半導体装置の製
造方法であって、ダイパッドと放熱板を超音波接合によ
り接合する時、ダイパッドの半導体素子搭載面の半導体
素子接合領域以外の領域であって、特に半導体素子接合
領域周辺部を加圧すること、および、超音波接合されな
い領域に開口部が設けられた放熱板であって、特に超音
波接合される部分の間に開口部が設けられた放熱板を使
用することを特徴とする。
に加圧跡を付けずに、ダイパッドと放熱板を超音波接合
する半導体装置の製造方法および、超音波接合される面
の隙間に空気が残ることを防止できる半導体装置の製造
方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、ダイ
パッドと放熱板を超音波接合で接合する半導体装置の製
造方法であって、ダイパッドと放熱板を超音波接合によ
り接合する時、ダイパッドの半導体素子搭載面の半導体
素子接合領域以外の領域であって、特に半導体素子接合
領域周辺部を加圧すること、および、超音波接合されな
い領域に開口部が設けられた放熱板であって、特に超音
波接合される部分の間に開口部が設けられた放熱板を使
用することを特徴とする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、超音波接合を用い
た半導体装置の製造方法に関するものである。
た半導体装置の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、ダイパッドと放熱板を接合する半
導体装置の製造方法において、接着用テープを用いてダ
イパッドと放熱板を接合する方法が用いられていた。
導体装置の製造方法において、接着用テープを用いてダ
イパッドと放熱板を接合する方法が用いられていた。
【0003】しかしながら、接着用テープによる方法
は、接着用テープが高価である問題や、テープ貼付工程
及びテープ硬化のためのキュア工程を要するため工程数
が多くなる問題がああった。
は、接着用テープが高価である問題や、テープ貼付工程
及びテープ硬化のためのキュア工程を要するため工程数
が多くなる問題がああった。
【0004】そこで、接着用テープを不要にするため
に、超音波接合によりダイパッドと放熱板を接合する方
法が提案されていた。
に、超音波接合によりダイパッドと放熱板を接合する方
法が提案されていた。
【0005】ダイパッドと放熱板の超音波接合は、図5
に示すように、放熱板1とダイパッド2を超音波ホーン
12により加圧し、放熱板1とダイパッド2との接合面
に倣った水平方向の超音波を供給することで行ってい
る。
に示すように、放熱板1とダイパッド2を超音波ホーン
12により加圧し、放熱板1とダイパッド2との接合面
に倣った水平方向の超音波を供給することで行ってい
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、超音波
ホーン12には、放熱板1とダイパッド2を超音波ホー
ン12で加圧し、超音波を供給する際に、放熱板1及び
ダイパッド2が滑ることを防止するため、角錐状の凸部
11が設けられている。
ホーン12には、放熱板1とダイパッド2を超音波ホー
ン12で加圧し、超音波を供給する際に、放熱板1及び
ダイパッド2が滑ることを防止するため、角錐状の凸部
11が設けられている。
【0007】このため、加圧した部分に、図6に示すよ
うな窪みやバリなどの加圧跡13が付き、図7に示すよ
うに、加圧跡13が半導体素子接合領域9に付くと、ダ
イボンディング時に、チップ接合用のペーストが均一に
塗布できない問題、加圧跡とペーストの間に隙間がで
き、ダイボンディング後に気泡が発生してしまう問題、
並びにチップが傾く問題が発生し、製品化が困難であっ
た。
うな窪みやバリなどの加圧跡13が付き、図7に示すよ
うに、加圧跡13が半導体素子接合領域9に付くと、ダ
イボンディング時に、チップ接合用のペーストが均一に
塗布できない問題、加圧跡とペーストの間に隙間がで
き、ダイボンディング後に気泡が発生してしまう問題、
並びにチップが傾く問題が発生し、製品化が困難であっ
た。
【0008】また、超音波接合は部分的に接合されるこ
とが多く、超音波接合部分間の接合されない領域に放熱
板やダイパッドのソリにより隙間ができることがあり、
隙間の中に空気が残ったまま樹脂モールドされ、後の熱
履歴によりパッケージが破損することがあった。
とが多く、超音波接合部分間の接合されない領域に放熱
板やダイパッドのソリにより隙間ができることがあり、
隙間の中に空気が残ったまま樹脂モールドされ、後の熱
履歴によりパッケージが破損することがあった。
【0009】本発明は、以上の問題を鑑みてなされたも
ので、ダイパッドの半導体素子接合領域に加圧跡を付け
ずに、ダイパッドと放熱板を超音波接合する半導体装置
の製造方法および、超音波接合される面の隙間に空気が
残ることを防止できる半導体装置の製造方法を提供する
ことを目的とする。
ので、ダイパッドの半導体素子接合領域に加圧跡を付け
ずに、ダイパッドと放熱板を超音波接合する半導体装置
の製造方法および、超音波接合される面の隙間に空気が
残ることを防止できる半導体装置の製造方法を提供する
ことを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、ダイパッドと放熱板を超音波接合で接合する
半導体装置の製造方法であって、ダイパッドと放熱板を
超音波接合により接合する時、ダイパッドの半導体素子
搭載面の半導体素子接合領域以外の領域を加圧すること
を特徴とする。
造方法は、ダイパッドと放熱板を超音波接合で接合する
半導体装置の製造方法であって、ダイパッドと放熱板を
超音波接合により接合する時、ダイパッドの半導体素子
搭載面の半導体素子接合領域以外の領域を加圧すること
を特徴とする。
【0011】また、他の発明は、ダイパッドと放熱板を
超音波接合で接合する半導体装置の製造方法であって、
ダイパッドと放熱板を超音波接合により接合する時、ダ
イパッドの半導体素子搭載面の半導体素子接合領域周辺
部を加圧し、ダイパッドの放熱板と接合する面の半導体
素子接合領域の下方の領域の周辺部を超音波接合するこ
とを特徴とする。
超音波接合で接合する半導体装置の製造方法であって、
ダイパッドと放熱板を超音波接合により接合する時、ダ
イパッドの半導体素子搭載面の半導体素子接合領域周辺
部を加圧し、ダイパッドの放熱板と接合する面の半導体
素子接合領域の下方の領域の周辺部を超音波接合するこ
とを特徴とする。
【0012】また、他の発明は、ダイパッドと放熱板を
超音波接合で接合する半導体装置の製造方法であって、
超音波接合されない領域に開口部が設けられた放熱板を
使用することを特徴とする。
超音波接合で接合する半導体装置の製造方法であって、
超音波接合されない領域に開口部が設けられた放熱板を
使用することを特徴とする。
【0013】 ダイパッドと放熱板を超音波接合で接合
する半導体装置の製造方法であって、超音波接合される
部分の間に開口部が設けられた放熱板を使用することを
特徴とする半導体装置の製造方法。
する半導体装置の製造方法であって、超音波接合される
部分の間に開口部が設けられた放熱板を使用することを
特徴とする半導体装置の製造方法。
【0014】
【発明の実施形態】以下、本発明の実施形態について、
図面を参照しつつ詳細に説明する。
図面を参照しつつ詳細に説明する。
【0015】本実施形態の半導体装置は、図1に示すよ
うに放熱板1とダイパッド2が超音波接合により接合さ
れており、ダイパッド2の上に半導体素子3が接着ペー
スト4を介して接合されており、半導体素子3とリード
5がワイヤー6により通電され、封止樹脂7により樹脂
封止する構造となっており、放熱板1とダイパッド2が
超音波接合領域8で超音波接合されている。
うに放熱板1とダイパッド2が超音波接合により接合さ
れており、ダイパッド2の上に半導体素子3が接着ペー
スト4を介して接合されており、半導体素子3とリード
5がワイヤー6により通電され、封止樹脂7により樹脂
封止する構造となっており、放熱板1とダイパッド2が
超音波接合領域8で超音波接合されている。
【0016】実施形態の半導体装置の製造方法は、はじ
めに、ダイパッド2、ダイパッド2を保持するサポート
バー(図示せず)及びリード5が形成されているリード
フレームを準備する。
めに、ダイパッド2、ダイパッド2を保持するサポート
バー(図示せず)及びリード5が形成されているリード
フレームを準備する。
【0017】次に、ダイパッド2の下面(半導体素子搭
載面の逆の面)の所定位置に放熱板1を位置決めして接
触させ、図2に示すダイパッド2の上面(半導体素子搭
載面)の半導体素子接合領域9以外の領域と、図3に示
す放熱板1の下面(ダイパッド2と接触する面の逆の
面)の半導体素子接合領域9の下方に当たる領域10以
外の領域を、図3に示す放熱板1のAA断面を通る断面
図である図4に示す通り、角錐状の凸部11が形成され
た超音波ホーン12により加圧し、放熱板1とダイパッ
ド2との接合面に倣った水平方向の超音波を供給するこ
とにより放熱板1とダイパッド2を超音波接合する。
載面の逆の面)の所定位置に放熱板1を位置決めして接
触させ、図2に示すダイパッド2の上面(半導体素子搭
載面)の半導体素子接合領域9以外の領域と、図3に示
す放熱板1の下面(ダイパッド2と接触する面の逆の
面)の半導体素子接合領域9の下方に当たる領域10以
外の領域を、図3に示す放熱板1のAA断面を通る断面
図である図4に示す通り、角錐状の凸部11が形成され
た超音波ホーン12により加圧し、放熱板1とダイパッ
ド2との接合面に倣った水平方向の超音波を供給するこ
とにより放熱板1とダイパッド2を超音波接合する。
【0018】このとき、放熱板1を加圧する超音波ホー
ン12の凸部11と、ダイパッド2を加圧する超音波ホ
ーン12の凸部11は、接合面に直交する方向に同じ位
置を加圧する構成となっており、加圧する部分と接合面
に直交する方向に同じ位置の超音波接合領域8が接合さ
れる。
ン12の凸部11と、ダイパッド2を加圧する超音波ホ
ーン12の凸部11は、接合面に直交する方向に同じ位
置を加圧する構成となっており、加圧する部分と接合面
に直交する方向に同じ位置の超音波接合領域8が接合さ
れる。
【0019】次に、ダイパッド2の半導体装置接合領域
9に接着ペースト4を介して半導体素子3をダイボンデ
ィングし、半導体素子3とリード5をワイヤー6により
ワイヤーボンドすることにより半導体素子3とリード5
を通電し、封止樹脂7により放熱板1、ダイパッド2、
半導体素子3、接着ペースト4、サポートバー、リード
5の一部、ワイヤー6を樹脂封止し、半導体装置が製造
される。
9に接着ペースト4を介して半導体素子3をダイボンデ
ィングし、半導体素子3とリード5をワイヤー6により
ワイヤーボンドすることにより半導体素子3とリード5
を通電し、封止樹脂7により放熱板1、ダイパッド2、
半導体素子3、接着ペースト4、サポートバー、リード
5の一部、ワイヤー6を樹脂封止し、半導体装置が製造
される。
【0020】本実施形態では、加圧跡12は半導体素子
接合領域9以外の領域に形成され、加圧跡13が付かな
い領域においてダイボンディングが行われるため、加圧
跡13がダイボンディングに悪影響を与えることがなく
なる。
接合領域9以外の領域に形成され、加圧跡13が付かな
い領域においてダイボンディングが行われるため、加圧
跡13がダイボンディングに悪影響を与えることがなく
なる。
【0021】また、本実施形態では、半導体素子3が中
央に接合され、半導体素子接合領域9周辺部が加圧さ
れ、ダイパッド2の放熱板接合面の半導体素子接合領域
9の下方領域の周辺部を超音波接合しており、半導体素
子接合領域9に加圧跡13が付くことなく、外圧に対す
る放熱板1とダイパット2の接合強度を強くすることが
できる。
央に接合され、半導体素子接合領域9周辺部が加圧さ
れ、ダイパッド2の放熱板接合面の半導体素子接合領域
9の下方領域の周辺部を超音波接合しており、半導体素
子接合領域9に加圧跡13が付くことなく、外圧に対す
る放熱板1とダイパット2の接合強度を強くすることが
できる。
【0022】また、放熱板1は、半導体素子接合領域9
の周辺部の下方の同一位置で超音波接合され、超音波接
合されない部分に開口部14が設けられており、放熱板
1またはダイパッド2にソリがあっても、放熱板1とダ
イパッド2の接合面の超音波接合されない部分に空気が
残ることを防止する構成となっているので、半導体装置
が破損することを防止することができる。
の周辺部の下方の同一位置で超音波接合され、超音波接
合されない部分に開口部14が設けられており、放熱板
1またはダイパッド2にソリがあっても、放熱板1とダ
イパッド2の接合面の超音波接合されない部分に空気が
残ることを防止する構成となっているので、半導体装置
が破損することを防止することができる。
【0023】また、開口部14は、超音波接合されない
領域であって、超音波接合領域の間となる中央部に設け
られており、超音波接合時の加圧により応力を受ける各
接合部分の間に開口部14が設けられているので、接合
部分間に密閉された隙間ができることを防止することが
できる。
領域であって、超音波接合領域の間となる中央部に設け
られており、超音波接合時の加圧により応力を受ける各
接合部分の間に開口部14が設けられているので、接合
部分間に密閉された隙間ができることを防止することが
できる。
【0024】また、本実施例のように、超音波接合する
時、半導体素子接合領域9は加圧せずに、半導体素子接
合領域9の下方を超音波接合しない場合、半導体素子接
合領域9の下方に超音波接合されない広い領域ができる
ため、放熱板1の超音波接合されない領域であって、超
音波接合された部分の間である半導体素子接合領域9の
下方領域の中央に開口部13を設けることは特に有効で
ある。
時、半導体素子接合領域9は加圧せずに、半導体素子接
合領域9の下方を超音波接合しない場合、半導体素子接
合領域9の下方に超音波接合されない広い領域ができる
ため、放熱板1の超音波接合されない領域であって、超
音波接合された部分の間である半導体素子接合領域9の
下方領域の中央に開口部13を設けることは特に有効で
ある。
【0025】また、本実施例においては、内蔵型放熱板
1を使用したが、本発明はこれに限定されることはな
く、露出型放熱板を使用してもよい。
1を使用したが、本発明はこれに限定されることはな
く、露出型放熱板を使用してもよい。
【0026】
【発明の効果】本発明の半導体装置の製造方法によれ
ば、半導体素子接合面に押さえ跡が付かないので、ダイ
ボンディング時にチップ接合用のペーストが均一に塗布
できない問題、ダイボンディング後に気泡が発生してし
まう問題、並びにチップが傾く問題が生じることがな
い。
ば、半導体素子接合面に押さえ跡が付かないので、ダイ
ボンディング時にチップ接合用のペーストが均一に塗布
できない問題、ダイボンディング後に気泡が発生してし
まう問題、並びにチップが傾く問題が生じることがな
い。
【0027】また、ダイパッドと放熱板を超音波接合に
より接合する時、ダイパッドの半導体素子搭載面の半導
体素子接合領域周辺部を加圧し、ダイパッドの放熱板と
接合する面の半導体素子接合領域の下方の領域の周辺部
を超音波接合する構成により、半導体素子接合領域8に
加圧跡が付くことなく、外圧に対する放熱板とダイパッ
トの接合強度を強くすることができる。
より接合する時、ダイパッドの半導体素子搭載面の半導
体素子接合領域周辺部を加圧し、ダイパッドの放熱板と
接合する面の半導体素子接合領域の下方の領域の周辺部
を超音波接合する構成により、半導体素子接合領域8に
加圧跡が付くことなく、外圧に対する放熱板とダイパッ
トの接合強度を強くすることができる。
【0028】また、超音波接合されない領域に開口部が
設けられた放熱板を使用することにより、放熱板とダイ
パッドの接合面であって、超音波接合されない領域に空
気が残ることを防止することができる。
設けられた放熱板を使用することにより、放熱板とダイ
パッドの接合面であって、超音波接合されない領域に空
気が残ることを防止することができる。
【0029】また、超音波接合される部分の間に開口部
が設けられた放熱板を使用することにより、放熱板とダ
イパッドの接合面の接合部分の間に空気が残ることを防
止することができる。
が設けられた放熱板を使用することにより、放熱板とダ
イパッドの接合面の接合部分の間に空気が残ることを防
止することができる。
【図1】本発明の半導体装置の製造方法で製造した半導
体装置の断面図を示す図である。
体装置の断面図を示す図である。
【図2】本発明の半導体装置の製造方法で使用したダイ
パッドの半導体素子搭載面を示す図である。
パッドの半導体素子搭載面を示す図である。
【図3】本発明の半導体装置の製造方法で使用した放熱
板の超音波接合時に加圧する面を示す図である。
板の超音波接合時に加圧する面を示す図である。
【図4】本発明の半導体装置の製造方法における超音波
接合方法を示す放熱板のAA断面を通る断面図である。
接合方法を示す放熱板のAA断面を通る断面図である。
【図5】従来の半導体装置の製造方法における超音波接
合方法を示す図である。
合方法を示す図である。
【図6】加圧跡を示す図である。
【図7】従来の半導体装置の製造方法に使用したダイパ
ッドの半導体装置搭載面を示すである。
ッドの半導体装置搭載面を示すである。
【符号の説明】 1 放熱板 2 ダイパッド 3 半導体素子 4 接着ペースト 5 リード 6 ワイヤー 7 封止樹脂 8 超音波接合領域 9 半導体素子接合領域 10 領域 11 凸部 12 超音波ホーン 13 加圧跡 14 開口部
Claims (4)
- 【請求項1】 ダイパッドと放熱板を超音波接合で接合
する半導体装置の製造方法であって、ダイパッドと放熱
板を超音波接合により接合する時、ダイパッドの半導体
素子搭載面の半導体素子接合領域以外の領域を加圧する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項2】 ダイパッドと放熱板を超音波接合で接合
する半導体装置の製造方法であって、ダイパッドと放熱
板を超音波接合により接合する時、ダイパッドの半導体
素子搭載面の半導体素子接合領域周辺部を加圧し、ダイ
パッドの放熱板と接合する面の半導体素子接合領域の下
方の領域の周辺部を超音波接合することを特徴とする半
導体装置の製造方法。 - 【請求項3】 ダイパッドと放熱板を超音波接合で接合
する半導体装置の製造方法であって、超音波接合されな
い領域に開口部が設けられた放熱板を使用することを特
徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項4】 ダイパッドと放熱板を超音波接合で接合
する半導体装置の製造方法であって、超音波接合される
部分の間に開口部が設けられた放熱板を使用することを
特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22724397A JPH1154684A (ja) | 1997-08-07 | 1997-08-07 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22724397A JPH1154684A (ja) | 1997-08-07 | 1997-08-07 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1154684A true JPH1154684A (ja) | 1999-02-26 |
Family
ID=16857770
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22724397A Pending JPH1154684A (ja) | 1997-08-07 | 1997-08-07 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1154684A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006065346A1 (en) * | 2004-12-13 | 2006-06-22 | 3M Innovative Properties Company | Methods of using sonication to couple a heat sink to a heat-generating component |
-
1997
- 1997-08-07 JP JP22724397A patent/JPH1154684A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006065346A1 (en) * | 2004-12-13 | 2006-06-22 | 3M Innovative Properties Company | Methods of using sonication to couple a heat sink to a heat-generating component |
US7169245B2 (en) | 2004-12-13 | 2007-01-30 | 3M Innovative Properties Company | Methods of using sonication to couple a heat sink to a heat-generating component |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3205235B2 (ja) | リードフレーム、樹脂封止型半導体装置、その製造方法及び該製造方法で用いる半導体装置製造用金型 | |
JPH10329461A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP3575945B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH1154684A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH05121462A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3022910B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH10303355A (ja) | 半導体装置 | |
JP2954118B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP3442911B2 (ja) | 樹脂パッケージ型半導体装置およびその製造方法 | |
JPH08125092A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2001185671A (ja) | 半導体装置の製造方法及び該半導体装置の製造に用いられるリードフレームの製造方法 | |
JP3813680B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH10178128A (ja) | 半導体装置、およびその製造方法 | |
JPH10209194A (ja) | 半導体装置、その製造方法およびそれに用いる樹脂モールド工程装置 | |
JPH0945821A (ja) | 樹脂パッケージ型半導体装置およびその製造方法 | |
JPH05275570A (ja) | 半導体装置 | |
JP2008218703A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JPH07283265A (ja) | ボンディング用加熱装置 | |
KR200292793Y1 (ko) | 반도체패키지용마이크로필름의팬인탭리드구조 | |
JP2972681B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
KR200179998Y1 (ko) | 반도체칩의 테이프 오토메이티드 본딩용 툴 | |
JPH10112475A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2002057265A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP3404735B2 (ja) | 半導体装置製造用リードフレーム及び半導体装置製造用リードフレーム組立体の製造方法 | |
JPH10303354A (ja) | 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法 |