JPH1154675A - 電子装置パッケージ用ヒートシンク - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 放熱用の改良されたピン形フィンを持つ、半
導体パッケージで有用なヒートシンクを提供する。 【解決手段】 半導体パッケージ内で使用するためのヒ
ートシンク（１）は、上面（５）及び半導体パッケージ
の表面に取り付けることができる下面（３）を持つベー
ス部材（２）を有する。複数の放熱用ピン形フィン
（４）がベース部材（２）に取り付けられている。更に
詳細には、各ピン形フィン（４）は、結合点（２０）を
持つ中央ピン（１２）を有する。各ピン形フィンは、結
合点でベース部材の上面（５）に取り付けられている、
各ピン形フィン（４）は、少なくとも一つのフィン（１
３又は１４）を有する。各ピン形フィンと関連したフィ
ンは、様々な形状及びパターンで形成できる。
導体パッケージで有用なヒートシンクを提供する。 【解決手段】 半導体パッケージ内で使用するためのヒ
ートシンク（１）は、上面（５）及び半導体パッケージ
の表面に取り付けることができる下面（３）を持つベー
ス部材（２）を有する。複数の放熱用ピン形フィン
（４）がベース部材（２）に取り付けられている。更に
詳細には、各ピン形フィン（４）は、結合点（２０）を
持つ中央ピン（１２）を有する。各ピン形フィンは、結
合点でベース部材の上面（５）に取り付けられている、
各ピン形フィン（４）は、少なくとも一つのフィン（１
３又は１４）を有する。各ピン形フィンと関連したフィ
ンは、様々な形状及びパターンで形成できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般に、半導体パ
ッケージング技術に関し、詳細には、半導体パッケージ
で有用なヒートシンクの提供に関する。本発明は、放熱
用の改良されたピン形フィンを持つ、半導体パッケージ
で有用なヒートシンクの提供に関する。
ッケージング技術に関し、詳細には、半導体パッケージ
で有用なヒートシンクの提供に関する。本発明は、放熱
用の改良されたピン形フィンを持つ、半導体パッケージ
で有用なヒートシンクの提供に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置、即ちチップが発生する熱の
量は、装置に設けられたトランジスターの数及びそのク
ロック速度と関連している。一つの半導体装置に更に多
数のトランジスターを組み込むと、装置が発生する熱の
量が全体として増大する。同様に、チップ上のトランジ
スターの作動速度を高めると、装置は更に多くの熱を発
生する。半導体製造技術の進歩によりトランジスターの
密度及びクロック速度の両方を高めることができるよう
になってきたため、特に製造技術の限界を押し上げる高
性能の装置で熱の発生の問題が益々深刻なものとなって
きた。
量は、装置に設けられたトランジスターの数及びそのク
ロック速度と関連している。一つの半導体装置に更に多
数のトランジスターを組み込むと、装置が発生する熱の
量が全体として増大する。同様に、チップ上のトランジ
スターの作動速度を高めると、装置は更に多くの熱を発
生する。半導体製造技術の進歩によりトランジスターの
密度及びクロック速度の両方を高めることができるよう
になってきたため、特に製造技術の限界を押し上げる高
性能の装置で熱の発生の問題が益々深刻なものとなって
きた。
【０００３】装置が発生する熱の量が増大するに従っ
て、装置のトランジスターの接合温度（junction tempe
rature）がこれに比例して上昇する。半導体装置の故障
率は、その作動時の接合温度と直接関係する。接合温度
が高ければ高い程、故障率が高くなる。
て、装置のトランジスターの接合温度（junction tempe
rature）がこれに比例して上昇する。半導体装置の故障
率は、その作動時の接合温度と直接関係する。接合温度
が高ければ高い程、故障率が高くなる。
【０００４】発生した熱を装置自体から周囲の空気に伝
達し、かくして接合温度を低下するため、半導体装置用
熱拡散装置即ちヒートシンクを設けることが一般に知ら
れている。ヒートシンクは、伝達される熱の量を最大に
するため、一般的には、半導体装置に物理的に可能な限
り近づけて配置される。ヒートシンクは、代表的に、
銅、アルミニウム、又は熱伝導性プラスチック等の熱伝
導率が高い材料で形成されており、半導体装置が発生し
た熱を自然対流又は強制対流のいずれかによって除去で
きるようにするため、周囲空気に対して最大の表面積を
提供するように設計されている。
達し、かくして接合温度を低下するため、半導体装置用
熱拡散装置即ちヒートシンクを設けることが一般に知ら
れている。ヒートシンクは、伝達される熱の量を最大に
するため、一般的には、半導体装置に物理的に可能な限
り近づけて配置される。ヒートシンクは、代表的に、
銅、アルミニウム、又は熱伝導性プラスチック等の熱伝
導率が高い材料で形成されており、半導体装置が発生し
た熱を自然対流又は強制対流のいずれかによって除去で
きるようにするため、周囲空気に対して最大の表面積を
提供するように設計されている。
【０００５】放熱に利用できるヒートシンクの表面積を
増大する一つの方法は、水平な表面即ちベース部材から
垂直方向に立ち上がった複数のピン形冷却フィンを設け
ることである。一つの従来のヒートシンクを図１、図
２、及び図３に示す。この例では、ヒートシンク１は、
半導体パッケージの対応する表面に取り付けることがで
きるベース面３を持つベース部材２を有する。更に、ヒ
ートシンク１は、放熱面５を備えている。この場合に
は、表面５にピン形フィン４ａ、４ｂ、・・・４ｎが設
けられており、対流冷却用の大きな表面積を提供する。
パッケージされた半導体が取り付けられる回路基板上に
空気を通すファンによって強制対流を行うことができ
る。又、場合によっては、ヒートシンクのピン形フィン
自体の頂部にファンを直接取り付けるのがよい。
増大する一つの方法は、水平な表面即ちベース部材から
垂直方向に立ち上がった複数のピン形冷却フィンを設け
ることである。一つの従来のヒートシンクを図１、図
２、及び図３に示す。この例では、ヒートシンク１は、
半導体パッケージの対応する表面に取り付けることがで
きるベース面３を持つベース部材２を有する。更に、ヒ
ートシンク１は、放熱面５を備えている。この場合に
は、表面５にピン形フィン４ａ、４ｂ、・・・４ｎが設
けられており、対流冷却用の大きな表面積を提供する。
パッケージされた半導体が取り付けられる回路基板上に
空気を通すファンによって強制対流を行うことができ
る。又、場合によっては、ヒートシンクのピン形フィン
自体の頂部にファンを直接取り付けるのがよい。
【０００６】使用されたヒートシンクが正確にどのよう
な種類であるのかには拘わらず、モデム半導体パッケー
ジング技術では、商業的に実施される用途でヒートシン
ク及びヒートシンクを取り付けるための方法を提供する
様々な試みがなされてきた。例えば、一つの一般的な種
類のパッケージは、図４に断面で示す封入形パッケージ
である。図示の特定の封入形パッケージは、ボールグリ
ッドアレイ（ＢＧＡ（ball grid array ））と呼ばれ
る。この場合、半導体ダイ６は適当な接着剤又はダイ取
り付け材料８で基材７に取り付けられる。基材７は、代
表的には、積層複合構造を持ち、様々な導電路が個々の
層上に形成されている。個々の層間の電気的接続は、基
材のヴァイによって提供される。ダイ６のＩ／Ｏ結合パ
ッドと基材７上に設けられた導電路との間の電気的接続
は、結合ワイヤ９が行う。基材７上に設けられた導電路
は、導電部材、即ちプリント回路基板（ＰＣＢ）に対す
る電気的接続部を構成するはんだボール１０に連結され
ている。壊れ易い結合ワイヤを保護するため、チップを
例えばエポキシ１１で封入し、「グロッブトップ（glob
-top）」と呼ばれることがある形態にする。同様の封入
形パッケージには、ピングリッドアレイパッケージ
（「ＰＧＡ（pin grid array package）」）が含まれ
る。このパッケージには、添付図面に示すはんだボール
１０の代わりに円筒形のピンが設けられる。
な種類であるのかには拘わらず、モデム半導体パッケー
ジング技術では、商業的に実施される用途でヒートシン
ク及びヒートシンクを取り付けるための方法を提供する
様々な試みがなされてきた。例えば、一つの一般的な種
類のパッケージは、図４に断面で示す封入形パッケージ
である。図示の特定の封入形パッケージは、ボールグリ
ッドアレイ（ＢＧＡ（ball grid array ））と呼ばれ
る。この場合、半導体ダイ６は適当な接着剤又はダイ取
り付け材料８で基材７に取り付けられる。基材７は、代
表的には、積層複合構造を持ち、様々な導電路が個々の
層上に形成されている。個々の層間の電気的接続は、基
材のヴァイによって提供される。ダイ６のＩ／Ｏ結合パ
ッドと基材７上に設けられた導電路との間の電気的接続
は、結合ワイヤ９が行う。基材７上に設けられた導電路
は、導電部材、即ちプリント回路基板（ＰＣＢ）に対す
る電気的接続部を構成するはんだボール１０に連結され
ている。壊れ易い結合ワイヤを保護するため、チップを
例えばエポキシ１１で封入し、「グロッブトップ（glob
-top）」と呼ばれることがある形態にする。同様の封入
形パッケージには、ピングリッドアレイパッケージ
（「ＰＧＡ（pin grid array package）」）が含まれ
る。このパッケージには、添付図面に示すはんだボール
１０の代わりに円筒形のピンが設けられる。
【０００７】代表的には、基材７は、セラミック材料で
形成されている（この場合、パッケージは、セラミック
ボールグリッドアレイ（「ＣＢＧＡ（ceramic ball gri
d array ）」）と呼ばれる）か或いは、プラスチック材
料で形成されている（この場合、パッケージは、プラス
チックボールグリッドアレイ（「ＰＢＧＡ（plasticbal
l grid array ）」）と呼ばれる）。セラミック基材
は、熱伝導率、機械的強度、及び耐湿性に関してプラス
チック基材よりも優れているが、プラスチック基材が使
用されることが多くなってきている。これは、製造コス
トが低く、パッケージを全体として薄くできるためであ
る。更に、製造技術の発展により、プラスチック基材
は、セラミック基材に対して改良されてきた。例えば、
プラスチック基材の積層複合層のシールにおける改良に
より、これらの層をセラミック基材と同様にほぼ耐湿性
にした。
形成されている（この場合、パッケージは、セラミック
ボールグリッドアレイ（「ＣＢＧＡ（ceramic ball gri
d array ）」）と呼ばれる）か或いは、プラスチック材
料で形成されている（この場合、パッケージは、プラス
チックボールグリッドアレイ（「ＰＢＧＡ（plasticbal
l grid array ）」）と呼ばれる）。セラミック基材
は、熱伝導率、機械的強度、及び耐湿性に関してプラス
チック基材よりも優れているが、プラスチック基材が使
用されることが多くなってきている。これは、製造コス
トが低く、パッケージを全体として薄くできるためであ
る。更に、製造技術の発展により、プラスチック基材
は、セラミック基材に対して改良されてきた。例えば、
プラスチック基材の積層複合層のシールにおける改良に
より、これらの層をセラミック基材と同様にほぼ耐湿性
にした。
【０００８】放熱を行うための追加の表面積を使用する
図１、図２、及び図３に示すヒートシンクの場合には、
ヒートシンクの表面積と比例して熱散逸性能、パワー散
逸性能が向上する。対流伝熱機構による放熱は、一般的
には、電子装置のパッケージの主な伝熱モードである。
図１、図２、及び図３に示すような、ヒートシンクを持
つ電子装置パッケージでの放熱量を決定するための幾分
簡略化した等式は次の通りである。
図１、図２、及び図３に示すヒートシンクの場合には、
ヒートシンクの表面積と比例して熱散逸性能、パワー散
逸性能が向上する。対流伝熱機構による放熱は、一般的
には、電子装置のパッケージの主な伝熱モードである。
図１、図２、及び図３に示すような、ヒートシンクを持
つ電子装置パッケージでの放熱量を決定するための幾分
簡略化した等式は次の通りである。
【０００９】Ｑ＝（ｈＡ）（Ｔs −Ｔa ） Ｑは、ヒートシンクからの全放熱量であり、ワット
（ｗ）を単位とし、ｈは、対流熱伝達係数（W/m2℃）で
あり、Ａはヒートシンクの全表面積であり、Ｔs 及びＴ
a は、夫々、ヒートシンクの表面温度及び周囲温度であ
る。熱伝達係数及び温度が一定であると仮定すると、放
熱量はヒートシンクの表面積の増大によって増大する。
従って、高性能の電子装置パッケージについては、半導
体装置が発生する熱を放散するため大きな表面積を持つ
ヒートシンクが必要とされる。しかしながら、表面積を
大きくすると、ヒートシンクが大型になり、ヒートシン
クの重量が大きくなる。
（ｗ）を単位とし、ｈは、対流熱伝達係数（W/m2℃）で
あり、Ａはヒートシンクの全表面積であり、Ｔs 及びＴ
a は、夫々、ヒートシンクの表面温度及び周囲温度であ
る。熱伝達係数及び温度が一定であると仮定すると、放
熱量はヒートシンクの表面積の増大によって増大する。
従って、高性能の電子装置パッケージについては、半導
体装置が発生する熱を放散するため大きな表面積を持つ
ヒートシンクが必要とされる。しかしながら、表面積を
大きくすると、ヒートシンクが大型になり、ヒートシン
クの重量が大きくなる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、放熱性能が改善された、上述の問題点を解決するヒ
ートシンクを提供することである。本発明のこの他の目
的及び利点は、以下の開示から明らかになるであろう。
は、放熱性能が改善された、上述の問題点を解決するヒ
ートシンクを提供することである。本発明のこの他の目
的及び利点は、以下の開示から明らかになるであろう。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の一つの目的は、
ヒートシンクが取り付けられた半導体パッケージに関す
る。本発明の一実施例によれば、半導体パッケージは、
パッケージ基材の上面に取り付けられた半導体ダイを有
する。この半導体ダイは、パッケージ基材上に形成され
た導電性トレースに電気的に接続された複数の結合パッ
ドと、パッケージ基材の下面に取り付けられており且つ
パッケージ基材上に形成された導電性トレースに接続さ
れた複数の導電性部材とを有し、導電性部材は、半導体
ダイ上の結合パッドとプリント回路基板上に形成された
導電性トレースとの間を電気的に接続するため、プリン
ト回路基板上に形成された導電性トレースに接続でき
る。本発明の半導体パッケージは、さらに上面及び半導
体パッケージの表面に取り付けることができる下面を持
つベース部材と、複数の放熱用ピン形フィンとを含むヒ
ートシンクを有する。複数のピン形フィンの各々は、結
合点及び先端を有し、複数のピン形フィンの各々は、結
合点でベース部材の上面に取り付けられており、複数の
放熱用ピン形フィンの各々は、少なくとも一つのフィン
を有する。
ヒートシンクが取り付けられた半導体パッケージに関す
る。本発明の一実施例によれば、半導体パッケージは、
パッケージ基材の上面に取り付けられた半導体ダイを有
する。この半導体ダイは、パッケージ基材上に形成され
た導電性トレースに電気的に接続された複数の結合パッ
ドと、パッケージ基材の下面に取り付けられており且つ
パッケージ基材上に形成された導電性トレースに接続さ
れた複数の導電性部材とを有し、導電性部材は、半導体
ダイ上の結合パッドとプリント回路基板上に形成された
導電性トレースとの間を電気的に接続するため、プリン
ト回路基板上に形成された導電性トレースに接続でき
る。本発明の半導体パッケージは、さらに上面及び半導
体パッケージの表面に取り付けることができる下面を持
つベース部材と、複数の放熱用ピン形フィンとを含むヒ
ートシンクを有する。複数のピン形フィンの各々は、結
合点及び先端を有し、複数のピン形フィンの各々は、結
合点でベース部材の上面に取り付けられており、複数の
放熱用ピン形フィンの各々は、少なくとも一つのフィン
を有する。
【００１２】本発明の別の特徴は、半導体パッケージで
有用なヒートシンクに関する。本発明の一実施例によれ
ば、ヒートシンクは、上面及び半導体パッケージの表面
に取り付けることができる下面を持つベース部材と、複
数の放熱用ピン形フィンとを含み、複数のピン形フィン
の各々は、結合点及び先端を有し、複数のピン形フィン
の各々は、結合点でベース部材の上面に取り付けられて
おり、複数の放熱用ピン形フィンの各々は、少なくとも
一つのフィンを有する。
有用なヒートシンクに関する。本発明の一実施例によれ
ば、ヒートシンクは、上面及び半導体パッケージの表面
に取り付けることができる下面を持つベース部材と、複
数の放熱用ピン形フィンとを含み、複数のピン形フィン
の各々は、結合点及び先端を有し、複数のピン形フィン
の各々は、結合点でベース部材の上面に取り付けられて
おり、複数の放熱用ピン形フィンの各々は、少なくとも
一つのフィンを有する。
【００１３】
【発明の実施の形態】図５及び図６を参照すると、これ
らの図には、本発明の一本のピン形フィンの一実施例の
側面図及び平面図が示してある。ピン形フィン４は、螺
旋状フィン１３を支持する中央ピン１２を有する。中央
ピン１２は、この中央ピンをヒートシンクのベース部材
に取り付けるための結合点２０を有する。螺旋状フィン
１３は中央ピン１２に取り付けられており、中央ピン１
２の底部から始端し、中央ピン１２の周囲を中央ピン１
２の頂部に至るまで上方に螺旋状に取り巻いている。螺
旋状フィン１３の大きさは、螺旋状フィン１３の螺旋の
半径及びピッチ１５で決まる。ピッチ１５は、中央ピン
１２と平行な方向での螺旋状フィン１３の二つの連続し
た巻回部間の距離の計測値である。ピッチが小さければ
小さい程、螺旋状フィン１３の巻回部が増え、従って、
放熱用の表面積が大きくなる。この代わりに、ピッチが
大きければ大きい程、螺旋状フィン１３の傾斜が大きく
なり、空気流に乱流を発生する。かくして、特定の用途
に応じて、最適のピッチは、表面積と空気流の乱流との
間のバランスを完全にすることによって最大の放熱を提
供するピッチである。
らの図には、本発明の一本のピン形フィンの一実施例の
側面図及び平面図が示してある。ピン形フィン４は、螺
旋状フィン１３を支持する中央ピン１２を有する。中央
ピン１２は、この中央ピンをヒートシンクのベース部材
に取り付けるための結合点２０を有する。螺旋状フィン
１３は中央ピン１２に取り付けられており、中央ピン１
２の底部から始端し、中央ピン１２の周囲を中央ピン１
２の頂部に至るまで上方に螺旋状に取り巻いている。螺
旋状フィン１３の大きさは、螺旋状フィン１３の螺旋の
半径及びピッチ１５で決まる。ピッチ１５は、中央ピン
１２と平行な方向での螺旋状フィン１３の二つの連続し
た巻回部間の距離の計測値である。ピッチが小さければ
小さい程、螺旋状フィン１３の巻回部が増え、従って、
放熱用の表面積が大きくなる。この代わりに、ピッチが
大きければ大きい程、螺旋状フィン１３の傾斜が大きく
なり、空気流に乱流を発生する。かくして、特定の用途
に応じて、最適のピッチは、表面積と空気流の乱流との
間のバランスを完全にすることによって最大の放熱を提
供するピッチである。
【００１４】図７を参照すると、この図には、ピン形フ
ィンの別の態様の側面図が示してある。この態様では、
中央ピン１２は、中央ピン１２をヒートシンクのベース
部材に取り付けるための結合点２０を有し、中央ピンに
取り付けられた幾つかのディスクフィン１４を有する。
この特定の実施例では、ディスクフィン１４は平らであ
り、中央ピン１２に対して垂直である。ピッチ１５は、
二つの隣接したディスクフィン１４間の距離の計測値で
ある。勿論、中央ピン１２に取り付けられたディスクフ
ィン１４の数が増えれば増える程、特定のピン形フィン
４の表面積が大きくなり、ピッチ１５が小さくなる。
ィンの別の態様の側面図が示してある。この態様では、
中央ピン１２は、中央ピン１２をヒートシンクのベース
部材に取り付けるための結合点２０を有し、中央ピンに
取り付けられた幾つかのディスクフィン１４を有する。
この特定の実施例では、ディスクフィン１４は平らであ
り、中央ピン１２に対して垂直である。ピッチ１５は、
二つの隣接したディスクフィン１４間の距離の計測値で
ある。勿論、中央ピン１２に取り付けられたディスクフ
ィン１４の数が増えれば増える程、特定のピン形フィン
４の表面積が大きくなり、ピッチ１５が小さくなる。
【００１５】変形例では、様々な形状のディスクフィン
１４が設けられている。例えば図８を参照すると、この
図には、図７に示すピン形フィンの変形例の平面図が示
してある。この実施例では、中央ピン１２及びディスク
フィン１４は円形である。円形のディスクフィンは、ヒ
ートシンクにピン形フィンを密に設けるのが望ましい場
合に、更に有利である。更に、図９を参照すると、図７
に示すピン形フィンの一実施例の平面図が示してある。
この実施例では、中央ピン１２及びディスクフィン１４
の両方が矩形形状である。中央ピン１２の正方形の隅部
は、ピン形フィンの周囲を流れる流体中に乱流を発生す
る。更に、正方形のディスクフィン１４は、隣接したピ
ン形フィンがどれ程接近して配置されているのかに応じ
て追加の表面積を提供する。別の中央ピン１２では、中
央ピン１２の表面で更に多くの乱流が発生するように、
表面に波形、ディンプル、又は凹凸が設けられている。
フィンの表面で発生する乱流を多くするため、ディスク
フィン１４及び螺旋状フィン１３もまた、ディンプルや
凹凸のある表面を有するのがよい。
１４が設けられている。例えば図８を参照すると、この
図には、図７に示すピン形フィンの変形例の平面図が示
してある。この実施例では、中央ピン１２及びディスク
フィン１４は円形である。円形のディスクフィンは、ヒ
ートシンクにピン形フィンを密に設けるのが望ましい場
合に、更に有利である。更に、図９を参照すると、図７
に示すピン形フィンの一実施例の平面図が示してある。
この実施例では、中央ピン１２及びディスクフィン１４
の両方が矩形形状である。中央ピン１２の正方形の隅部
は、ピン形フィンの周囲を流れる流体中に乱流を発生す
る。更に、正方形のディスクフィン１４は、隣接したピ
ン形フィンがどれ程接近して配置されているのかに応じ
て追加の表面積を提供する。別の中央ピン１２では、中
央ピン１２の表面で更に多くの乱流が発生するように、
表面に波形、ディンプル、又は凹凸が設けられている。
フィンの表面で発生する乱流を多くするため、ディスク
フィン１４及び螺旋状フィン１３もまた、ディンプルや
凹凸のある表面を有するのがよい。
【００１６】螺旋状フィンを持つピン形フィン及びディ
スクフィンを持つピン形フィンの両方の変形例は、平ら
でなく撓ませた又は角度を付けたフィンを有する。例え
ば、図１０は、正方形のディスクフィン１４が中央ピン
１２に取り付けられたピン形フィンの側面図である。正
方形のディスクフィン１４は、上方及び下方に曲げられ
た撓ませた隅部１９を有する。撓ませた隅部１９は、ピ
ン形フィン４の周囲に乱流を発生する。
スクフィンを持つピン形フィンの両方の変形例は、平ら
でなく撓ませた又は角度を付けたフィンを有する。例え
ば、図１０は、正方形のディスクフィン１４が中央ピン
１２に取り付けられたピン形フィンの側面図である。正
方形のディスクフィン１４は、上方及び下方に曲げられ
た撓ませた隅部１９を有する。撓ませた隅部１９は、ピ
ン形フィン４の周囲に乱流を発生する。
【００１７】更に、別の変形例は波形を付けた螺旋状フ
ィン及びディスクフィンを有する。波形ディスクフィン
１４を持つ一実施例の側面図を図１１に示す。図示の波
形は「Ｖ」字形状断面を有するが、「方形ブロック」断
面や正弦波形状といった他の断面も可能である。波形の
線がピン形フィン上での熱交換流体の流れ方向に対して
横方向であるようにディスクフィン１４を中央ピン１２
に取り付けるのが好ましい。これによって、波形ディス
クフィン１４が流体中に乱流を発生できる。更に、熱交
換流体がピン形フィン４上を様々な方向から通過する場
合には、波形の線が様々な方向に延びる別のディスクフ
ィン１４を中央ピン１２に取り付けるのが好ましい。こ
れによって、少なくとも一つのディスクフィンの波形の
線が流体の流れ方向に対して横方向であるようにする。
ィン及びディスクフィンを有する。波形ディスクフィン
１４を持つ一実施例の側面図を図１１に示す。図示の波
形は「Ｖ」字形状断面を有するが、「方形ブロック」断
面や正弦波形状といった他の断面も可能である。波形の
線がピン形フィン上での熱交換流体の流れ方向に対して
横方向であるようにディスクフィン１４を中央ピン１２
に取り付けるのが好ましい。これによって、波形ディス
クフィン１４が流体中に乱流を発生できる。更に、熱交
換流体がピン形フィン４上を様々な方向から通過する場
合には、波形の線が様々な方向に延びる別のディスクフ
ィン１４を中央ピン１２に取り付けるのが好ましい。こ
れによって、少なくとも一つのディスクフィンの波形の
線が流体の流れ方向に対して横方向であるようにする。
【００１８】発生する乱流を波形により増大することに
よって、ヒートシンク１のピン形フィン４の周囲を流れ
る流体を構成する粒子の衝突回数を多くし、混合度を高
める。衝突回数を多くし且つ混合度を高めることによっ
て、熱伝達係数を効果的に高める。上文中に説明した熱
伝達の等式から理解されるように、熱伝達係数が高くな
ると、特定のヒートシンクについての伝熱量Ｑが大きく
なる。
よって、ヒートシンク１のピン形フィン４の周囲を流れ
る流体を構成する粒子の衝突回数を多くし、混合度を高
める。衝突回数を多くし且つ混合度を高めることによっ
て、熱伝達係数を効果的に高める。上文中に説明した熱
伝達の等式から理解されるように、熱伝達係数が高くな
ると、特定のヒートシンクについての伝熱量Ｑが大きく
なる。
【００１９】流体流れ中で増大した乱流の量は、図１１
に示す波形の角度２１を調節することによって制御でき
る。波形の角度２１が大きくなればなる程、流体流れ中
の乱流の量が大きくなる。任意の適当な波形角度は、０
°、即ち平らなフィンから９０°までから選択できる。
一つの特定の実施例では、本発明は、波形角度ａが約５
°乃至約９０°の複数の波形ディスクフィンを有する。
に示す波形の角度２１を調節することによって制御でき
る。波形の角度２１が大きくなればなる程、流体流れ中
の乱流の量が大きくなる。任意の適当な波形角度は、０
°、即ち平らなフィンから９０°までから選択できる。
一つの特定の実施例では、本発明は、波形角度ａが約５
°乃至約９０°の複数の波形ディスクフィンを有する。
【００２０】同じピン形フィン４の隣接したディスクフ
ィン１４間の空間を通って流れる流体中の乱流の量は、
一方のディスクフィン１４の波状起伏を他方のディスク
フィンの波状起伏とずらすことによって制御できる。例
えば、図１１に参照線２２で示すように、隣接したディ
スクフィンの波状起伏は互いに対応している。換言する
と、一方のディスクフィンの波状起伏が一方の方向で大
きくなるとき、隣接したディスクフィンの対応する波状
起伏が同じ方向で大きくなるのである。かくして、ディ
スクフィンの壁間の距離は常に一定である。これとは対
照的に、図１２に参照線２２で示すように、一方のディ
スクフィンの波状起伏が一方の方向で大きくなるとき、
隣接したディスクフィンの対応する波状起伏が同じ方向
で小さくなるように、隣接したディスクフィンを配置す
る。かくして、ディスクフィンの壁間の距離がその長さ
に沿って変化する。更に別の実施例では、同じ中央ピン
に取り付けられた様々なディスクフィンに様々な波形角
度を付けることによって流体流れの乱流を大きくするこ
とができる。
ィン１４間の空間を通って流れる流体中の乱流の量は、
一方のディスクフィン１４の波状起伏を他方のディスク
フィンの波状起伏とずらすことによって制御できる。例
えば、図１１に参照線２２で示すように、隣接したディ
スクフィンの波状起伏は互いに対応している。換言する
と、一方のディスクフィンの波状起伏が一方の方向で大
きくなるとき、隣接したディスクフィンの対応する波状
起伏が同じ方向で大きくなるのである。かくして、ディ
スクフィンの壁間の距離は常に一定である。これとは対
照的に、図１２に参照線２２で示すように、一方のディ
スクフィンの波状起伏が一方の方向で大きくなるとき、
隣接したディスクフィンの対応する波状起伏が同じ方向
で小さくなるように、隣接したディスクフィンを配置す
る。かくして、ディスクフィンの壁間の距離がその長さ
に沿って変化する。更に別の実施例では、同じ中央ピン
に取り付けられた様々なディスクフィンに様々な波形角
度を付けることによって流体流れの乱流を大きくするこ
とができる。
【００２１】これらの実施例の全てにおいて、ピン形フ
ィンの表面積を決定する上で、ピッチ１５が重要な要因
である。熱がヒートシンク１のベース部材２から中央ピ
ン１２の結合点２０でピン形フィンに伝達されるため、
ピン形フィンの表面積をヒートシンクのベース部材の近
くで大きくするのが望ましい。従って、ピン形フィン４
の一実施例では、ピン形フィン４のピッチ１５は、結合
点２０からピン形フィンの先端に向かって大きくなる。
別の態様では、ピッチが結合点２０からピン形フィンの
先端に向かって小さくなるピン形フィン４を提供する。
ィンの表面積を決定する上で、ピッチ１５が重要な要因
である。熱がヒートシンク１のベース部材２から中央ピ
ン１２の結合点２０でピン形フィンに伝達されるため、
ピン形フィンの表面積をヒートシンクのベース部材の近
くで大きくするのが望ましい。従って、ピン形フィン４
の一実施例では、ピン形フィン４のピッチ１５は、結合
点２０からピン形フィンの先端に向かって大きくなる。
別の態様では、ピッチが結合点２０からピン形フィンの
先端に向かって小さくなるピン形フィン４を提供する。
【００２２】図１３及び図１４を参照すると、これらの
図には、本発明のヒートシンクの平面図及び側面図が示
してある。ヒートシンク１は、複数のピン形フィン４が
設けられた矩形のベース部材２を有する。これらのピン
形フィンは、ベース部材２から垂直方向に延びており、
線をなして配置されている。ピン形フィン４は、ピンか
らなる列の間にチャンネル１６が横方向に形成されるパ
ターンをなすようにベース部材２に取り付けられてい
る。螺旋状ピン形フィンを持つ本発明の同様の実施例の
斜視図を図１５に示す。これらの実施例は、大量の熱交
換流体をヒートシンクに亘ってほとんど抵抗なく移動す
るのが望ましい場合に好ましい。例えば、図１３及び図
１４に示すように、流体流れ線１７に沿って流れる熱交
換流体は、チャンネル１６を通ってピン形フィン間を容
易に通過する。これらの実施例は、ヒートシンクの全表
面に亘って放熱が均等に行われることが重要な大型のヒ
ートシンクに特に適している。
図には、本発明のヒートシンクの平面図及び側面図が示
してある。ヒートシンク１は、複数のピン形フィン４が
設けられた矩形のベース部材２を有する。これらのピン
形フィンは、ベース部材２から垂直方向に延びており、
線をなして配置されている。ピン形フィン４は、ピンか
らなる列の間にチャンネル１６が横方向に形成されるパ
ターンをなすようにベース部材２に取り付けられてい
る。螺旋状ピン形フィンを持つ本発明の同様の実施例の
斜視図を図１５に示す。これらの実施例は、大量の熱交
換流体をヒートシンクに亘ってほとんど抵抗なく移動す
るのが望ましい場合に好ましい。例えば、図１３及び図
１４に示すように、流体流れ線１７に沿って流れる熱交
換流体は、チャンネル１６を通ってピン形フィン間を容
易に通過する。これらの実施例は、ヒートシンクの全表
面に亘って放熱が均等に行われることが重要な大型のヒ
ートシンクに特に適している。
【００２３】ピン形フィン４を機械加工又は型成形によ
って形成した後、ピン形フィン４をベース部材２にはん
だ付けすることによってヒートシンクのベース部材２に
結合する。ピン形フィン４は、銅、アルミニウム、熱伝
導性プラスチック等の熱伝導率が高い材料、又は当業者
に周知の任意の他の材料からつくられる。
って形成した後、ピン形フィン４をベース部材２にはん
だ付けすることによってヒートシンクのベース部材２に
結合する。ピン形フィン４は、銅、アルミニウム、熱伝
導性プラスチック等の熱伝導率が高い材料、又は当業者
に周知の任意の他の材料からつくられる。
【００２４】図１６及び図１７を参照すると、これらの
図には、本発明のヒートシンクの平面図及び側面図が示
してある。ピン形フィン４は、特定のパターンに従って
ベース部材２に垂直に取り付けられており、互い違いに
配置されている。これらのピン形フィン４は、更に密に
配置されており、流体流れ線１７に対して垂直でも平行
でもないチャンネル１６を形成する。熱交換流体は、熱
交換器の一方の側部に進入すると、ヒートシンク１の反
対側に到達するまで、ピン形フィン４の周囲を側方に通
過する。このパターンは、熱交換流体の乱流を大幅に増
大する。この実施例、及び平らなディスクフィンを持つ
ピン形フィン４が密に配置された同様の実施例では、ヒ
ートシンクは、効果的には、準ダクトヒートシンク（qu
asiducted heat sink ）である。ピン形フィン４が密に
配置されている場合には、一つのピン形フィンの平らな
ディスクフィンが次のピン形フィンの平らなディスクフ
ィンと接近している。ヒートシンク１のベース部材２か
ら等距離にある平らなディスクフィンの各々の高さが、
熱交換流体がヒートシンク上を通過するとき、熱交換流
体を強制的にベース部材２と近づいた状態に維持するダ
クト面を集合的に形成する。
図には、本発明のヒートシンクの平面図及び側面図が示
してある。ピン形フィン４は、特定のパターンに従って
ベース部材２に垂直に取り付けられており、互い違いに
配置されている。これらのピン形フィン４は、更に密に
配置されており、流体流れ線１７に対して垂直でも平行
でもないチャンネル１６を形成する。熱交換流体は、熱
交換器の一方の側部に進入すると、ヒートシンク１の反
対側に到達するまで、ピン形フィン４の周囲を側方に通
過する。このパターンは、熱交換流体の乱流を大幅に増
大する。この実施例、及び平らなディスクフィンを持つ
ピン形フィン４が密に配置された同様の実施例では、ヒ
ートシンクは、効果的には、準ダクトヒートシンク（qu
asiducted heat sink ）である。ピン形フィン４が密に
配置されている場合には、一つのピン形フィンの平らな
ディスクフィンが次のピン形フィンの平らなディスクフ
ィンと接近している。ヒートシンク１のベース部材２か
ら等距離にある平らなディスクフィンの各々の高さが、
熱交換流体がヒートシンク上を通過するとき、熱交換流
体を強制的にベース部材２と近づいた状態に維持するダ
クト面を集合的に形成する。
【００２５】ヒートシンクの更に別の実施例は、螺旋状
フィン１３を持つピン形フィン４を有する。ピン形フィ
ン４がヒートシンクのベース部材に取り付けられたパタ
ーンに応じて、螺旋状フィン１３は、各ピン形フィンの
中央ピン１２の周囲に時計廻り方向又は反時計廻り方向
に巻き付いている。隣接したピン形フィン４の螺旋状フ
ィン１３の方向を交互にすることによって、乱流を増大
できる。
フィン１３を持つピン形フィン４を有する。ピン形フィ
ン４がヒートシンクのベース部材に取り付けられたパタ
ーンに応じて、螺旋状フィン１３は、各ピン形フィンの
中央ピン１２の周囲に時計廻り方向又は反時計廻り方向
に巻き付いている。隣接したピン形フィン４の螺旋状フ
ィン１３の方向を交互にすることによって、乱流を増大
できる。
【００２６】図１８及び図１９は本発明の更に別の実施
例によるヒートシンク１を示す。この実施例では、ヒー
トシンク１は図１３及び図１４に示すヒートシンクと同
様であり、下ベース面３及び上放熱面５を持つベース部
材２を有する。ピン形フィン４は、ヒートシンクベース
２の上放熱面５に対して垂直に取り付けられている。ピ
ン形フィン４の頂部には頂部プレート１８が配置されて
おり、ベース部材２と頂部プレート１８との間の空間を
通して空気を流すことができるダクテッドヒートシンク
を提供する。この態様では、ヒートシンク１を通って流
れる空気又は他の流体は、ベース部材２と頂部プレート
１８との間の空間を通過しなければならず、図１３及び
図１４に示すヒートシンクの場合のようにヒートシンク
ベース２から垂直方向に上昇することも下降することも
できない。本発明のこの態様は、流体流れがヒートシン
クの頂面から外れることが望ましくない場合に特に有用
である。勿論、本発明の全ての実施例で頂部プレート１
８を使用できる。
例によるヒートシンク１を示す。この実施例では、ヒー
トシンク１は図１３及び図１４に示すヒートシンクと同
様であり、下ベース面３及び上放熱面５を持つベース部
材２を有する。ピン形フィン４は、ヒートシンクベース
２の上放熱面５に対して垂直に取り付けられている。ピ
ン形フィン４の頂部には頂部プレート１８が配置されて
おり、ベース部材２と頂部プレート１８との間の空間を
通して空気を流すことができるダクテッドヒートシンク
を提供する。この態様では、ヒートシンク１を通って流
れる空気又は他の流体は、ベース部材２と頂部プレート
１８との間の空間を通過しなければならず、図１３及び
図１４に示すヒートシンクの場合のようにヒートシンク
ベース２から垂直方向に上昇することも下降することも
できない。本発明のこの態様は、流体流れがヒートシン
クの頂面から外れることが望ましくない場合に特に有用
である。勿論、本発明の全ての実施例で頂部プレート１
８を使用できる。
【００２７】図２０は、図１８及び図１９に示す実施例
と同様のダクテッドヒートシンクの斜視図である。しか
しながら、ピン形フィン４にはディスクフィンでなく螺
旋状フィン１３が設けられている。
と同様のダクテッドヒートシンクの斜視図である。しか
しながら、ピン形フィン４にはディスクフィンでなく螺
旋状フィン１３が設けられている。
【００２８】別の実施例によれば、本発明は、特に封入
型パッケージや図２に示すような「グロッブトップ」パ
ッケージに適合することができる。更に詳細には、図２
１はヒートシンク１をグロッブトップパッケージに取り
付ける上での一つの困難性を示す断面図である。この場
合には、ヒートシンク１のベース部材２は、パッケージ
の封入体１１に載っている。このため、ヒートシンク１
の下ベース面３とパッケージ基材７との間に隙間ができ
る。この隙間のため、ヒートシンク１を半導体パッケー
ジに正しく装着するのが困難になり、パッケージに加わ
る機械的応力が増大する。
型パッケージや図２に示すような「グロッブトップ」パ
ッケージに適合することができる。更に詳細には、図２
１はヒートシンク１をグロッブトップパッケージに取り
付ける上での一つの困難性を示す断面図である。この場
合には、ヒートシンク１のベース部材２は、パッケージ
の封入体１１に載っている。このため、ヒートシンク１
の下ベース面３とパッケージ基材７との間に隙間ができ
る。この隙間のため、ヒートシンク１を半導体パッケー
ジに正しく装着するのが困難になり、パッケージに加わ
る機械的応力が増大する。
【００２９】図２３は、上述の問題点を解決する本発明
の一実施例の斜視図である。この場合には、ヒートシン
ク１には、上述のように、複数のピン形フィンが設けら
れている。これらのピン形フィン４は、ヒートシンクの
ベース部材２の上面５に取り付けられている。ヒートシ
ンクのベース部材２の下ベース面３に凹所２４が形成さ
れている。凹所２４は、パッケージ基材の封入体１１を
受け入れるような寸法を有する。これを図２２に詳細に
示す。
の一実施例の斜視図である。この場合には、ヒートシン
ク１には、上述のように、複数のピン形フィンが設けら
れている。これらのピン形フィン４は、ヒートシンクの
ベース部材２の上面５に取り付けられている。ヒートシ
ンクのベース部材２の下ベース面３に凹所２４が形成さ
れている。凹所２４は、パッケージ基材の封入体１１を
受け入れるような寸法を有する。これを図２２に詳細に
示す。
【００３０】図２２は、グロッブトップパッケージに取
り付けた図２３に示す本発明の実施例の断面図である。
この場合には、凹所２４は、パッケージ基材７上に形成
された封入体１１を受け入れる。これによって、ヒート
シンクのベース部材２の下ベース面３が基材７に直接載
って支えられる。ヒートシンク１は、機械的クリップや
接着剤といった従来の方法でパッケージ基材に取り付け
ることができる。
り付けた図２３に示す本発明の実施例の断面図である。
この場合には、凹所２４は、パッケージ基材７上に形成
された封入体１１を受け入れる。これによって、ヒート
シンクのベース部材２の下ベース面３が基材７に直接載
って支えられる。ヒートシンク１は、機械的クリップや
接着剤といった従来の方法でパッケージ基材に取り付け
ることができる。
【００３１】図２４を参照すると、この図には、本発明
のヒートシンクの側面図が示してある。ヒートシンク１
には、ヒートシンク１のベース部材２に垂直に取り付け
られたピン形フィン４が設けられている。ピン形フィン
４の各々は、ピン形フィン４の各中央ピン１２に取り付
けられた幾つかのディスクフィン１４を有する。隣接し
たピン形フィン４のディスクフィンは、ピン形フィンを
ヒートシンク上に更に密に配置できるように、互いに食
い違っている。この食い違い量即ちオフセット量を参照
番号２５で示す。ピン形フィン４のディスクフィン１４
は、隣接したピン形フィン４のディスクフィン１４間に
突出しており即ちこれらのディスクフィンと重なってお
り、ピン形フィンの各々の中央ピン１２は、ディスクフ
ィンが食い違っておらず且つ重なっていない場合に可能
であるよりもはっきりと互いに離間されている。本発明
の同様の実施例は、螺旋状フィンを持つピン形フィンを
有する。この実施例では、隣接したピン形フィンの螺旋
状フィンは同じピッチで同じ方向に上方に回転してい
る。
のヒートシンクの側面図が示してある。ヒートシンク１
には、ヒートシンク１のベース部材２に垂直に取り付け
られたピン形フィン４が設けられている。ピン形フィン
４の各々は、ピン形フィン４の各中央ピン１２に取り付
けられた幾つかのディスクフィン１４を有する。隣接し
たピン形フィン４のディスクフィンは、ピン形フィンを
ヒートシンク上に更に密に配置できるように、互いに食
い違っている。この食い違い量即ちオフセット量を参照
番号２５で示す。ピン形フィン４のディスクフィン１４
は、隣接したピン形フィン４のディスクフィン１４間に
突出しており即ちこれらのディスクフィンと重なってお
り、ピン形フィンの各々の中央ピン１２は、ディスクフ
ィンが食い違っておらず且つ重なっていない場合に可能
であるよりもはっきりと互いに離間されている。本発明
の同様の実施例は、螺旋状フィンを持つピン形フィンを
有する。この実施例では、隣接したピン形フィンの螺旋
状フィンは同じピッチで同じ方向に上方に回転してい
る。
【００３２】本発明を上文中に論じた特定の実施例に関
して説明したが、本発明の範囲及び性質から逸脱するこ
となく、形態及び詳細について変更を行うことができる
ということは当業者には明らかであろう。
して説明したが、本発明の範囲及び性質から逸脱するこ
となく、形態及び詳細について変更を行うことができる
ということは当業者には明らかであろう。
【図１】ピン形フィンを備えた従来のヒートシンクの平
面図である。
面図である。
【図２】図１に示すピン形フィンを備えた従来のヒート
シンクの側面図である。
シンクの側面図である。
【図３】図１及び図２に示すピン形フィンを備えた従来
のヒートシンクの斜視図である。
のヒートシンクの斜視図である。
【図４】ボールグリッドアレイ（「ＢＧＡ」）半導体パ
ッケージの側断面図である。
ッケージの側断面図である。
【図５】螺旋状フィンを持つ本発明の一本のピン形フィ
ンの側面図である。
ンの側面図である。
【図６】図５に示すピン形フィンの平面図である。
【図７】複数のディスクフィンを持つ本発明の一本のピ
ン形フィンの側面図である。
ン形フィンの側面図である。
【図８】円形のディスクフィンを持つ、図７に示す一本
のピン形フィンの一実施例の平面図である。
のピン形フィンの一実施例の平面図である。
【図９】正方形のディスクフィンを持つ、図７に示す一
本のピン形フィンの一実施例の平面図である。
本のピン形フィンの一実施例の平面図である。
【図１０】撓ませてある複数のディスクフィンを持つピ
ン形フィンの側面図である。
ン形フィンの側面図である。
【図１１】複数の波形のディスクフィンを持つピン形フ
ィンの側面図である。
ィンの側面図である。
【図１２】複数の波形のディスクフィンを持ち、これら
のディスクフィンが逆に配置されている、ピン形フィン
の側面図である。
のディスクフィンが逆に配置されている、ピン形フィン
の側面図である。
【図１３】ピン形フィンが直線状に配置された、本発明
のヒートシンクの実施例の平面図である。
のヒートシンクの実施例の平面図である。
【図１４】ピン形フィンが設けられた図１３に示す本発
明のヒートシンクの実施例の側面図である。
明のヒートシンクの実施例の側面図である。
【図１５】螺旋状フィンを持つピン形フィンが取り付け
られた本発明のヒートシンクの斜視図である。
られた本発明のヒートシンクの斜視図である。
【図１６】ピン形フィンが互い違いに配置された本発明
のヒートシンクの実施例の平面図である。
のヒートシンクの実施例の平面図である。
【図１７】ピン形フィンが設けられた図１６に示す本発
明のヒートシンクの実施例の側面図である。
明のヒートシンクの実施例の側面図である。
【図１８】本発明のダクテッドヒートシンクの平面図で
ある。
ある。
【図１９】図１８に示す実施例のダクテッドヒートシン
クの側面図である。
クの側面図である。
【図２０】ピン形フィンに螺旋状フィンが設けられてい
ることを除くと図１８及び図１９に示す実施例と同様の
ダクテッドヒートシンクの実施例の斜視図である。
ることを除くと図１８及び図１９に示す実施例と同様の
ダクテッドヒートシンクの実施例の斜視図である。
【図２１】半導体パッケージに取り付けた本発明のヒー
トシンクの側断面図である。
トシンクの側断面図である。
【図２２】半導体パッケージに取り付けた、凹所を持つ
本発明のヒートシンクの側断面図である。
本発明のヒートシンクの側断面図である。
【図２３】凹所を持つ本発明のヒートシンクの斜視図で
ある。
ある。
【図２４】ピン形フィンを互いに接近して配置できるよ
うに、隣接したピン形フィンに設けられたディスクフィ
ンが食い違っている、本発明のヒートシンクの側面図で
ある。
うに、隣接したピン形フィンに設けられたディスクフィ
ンが食い違っている、本発明のヒートシンクの側面図で
ある。
１ ヒートシンク ２ ベース部材 ３ ベース面 ４ ピン形フィン ５ 放熱面 ６ 半導体ダイ ７ 基材 ８ ダイ取り付け
材料 ９ 結合ワイヤ １０ はんだボー
ル １１ エポキシ １２ 中央ピン １３ 螺旋状フィン １４ ディスクフ
ィン １５ ピッチ ２０ 結合点
材料 ９ 結合ワイヤ １０ はんだボー
ル １１ エポキシ １２ 中央ピン １３ 螺旋状フィン １４ ディスクフ
ィン １５ ピッチ ２０ 結合点
Claims (10)
- 【請求項１】 上面（５）及び半導体パッケージの表面
に取り付けることができる下面（３）を持つベース部材
（２）と、複数の放熱用ピン形フィン（４）とを有し、
前記複数のピン形フィンの各々は、結合点（２０）及び
先端を有し、前記複数のピン形フィンの各々は、前記結
合点で前記ベース部材の上面に取り付けられている、半
導体パッケージで有用なヒートシンク（１）において、 前記複数の放熱用ピン形フィン（４）の各々は、少なく
とも一つのフィンが取り付けられた中央ピン（１２）を
有する、ことを特徴とするヒートシンク。 - 【請求項２】 前記少なくとも一つのフィンは、螺旋状
フィン（１３）からなる、請求項１に記載のヒートシン
ク。 - 【請求項３】 前記少なくとも一つのフィンは、ディス
クフィン（１４）からなる、請求項１に記載のヒートシ
ンク。 - 【請求項４】 前記少なくとも一つのフィンは撓ませて
ある、請求項１、２、又は３に記載のヒートシンク。 - 【請求項５】 前記少なくとも一つのフィンは波形であ
る、請求項１、２、又は３に記載のヒートシンク。 - 【請求項６】 前記複数の放熱用ピン形フィンは、それ
らの間にチャンネルを構成する直線状の列をなして前記
ベース部材に取り付けられている、請求項１乃至５のう
ちのいずれか一項に記載のヒートシンク。 - 【請求項７】 前記少なくとも一つのフィンは平らなデ
ィスクフィンであり、前記複数の放熱用ピン形フィン
は、前記平らなディスクフィンが前記ヒートシンクの準
ダクトを集合的に構成するように、密に配置されたパタ
ーンで前記ベース部材に取り付けられている、請求項１
に記載のヒートシンク。 - 【請求項８】 前記複数の放熱用ピン形フィンの各ピン
形フィンの先端に取り付けられた頂部プレート（１８）
を更に有する、請求項１乃至７のうちのいずれか一項に
記載のヒートシンク。 - 【請求項９】 前記半導体パッケージの突出部を受け入
れることができる凹所（２４）が前記ベース部材の前記
下面に設けられている、請求項１乃至８のうちのいずれ
か一項に記載のヒートシンク。 - 【請求項１０】 前記複数の放熱用ピン形フィンの第１
ピン形フィンの少なくとも一つのフィンが、前記複数の
放熱用ピン形フィンの第２ピン形フィンの少なくとも一
つのフィンと重なっている、請求項１乃至９のうちのい
ずれか一項に記載のヒートシンク。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US86908097A | 1997-06-04 | 1997-06-04 | |
| US869080 | 1997-06-04 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1154675A true JPH1154675A (ja) | 1999-02-26 |
Family
ID=25352885
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10155641A Pending JPH1154675A (ja) | 1997-06-04 | 1998-06-04 | 電子装置パッケージ用ヒートシンク |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0883179A3 (ja) |
| JP (1) | JPH1154675A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007129183A (ja) * | 2005-10-03 | 2007-05-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 冷却部材 |
| JP2015164393A (ja) * | 2014-01-28 | 2015-09-10 | 学校法人日本大学 | ヒートシンク及び複合型太陽エネルギー変換装置 |
| US12027445B2 (en) | 2021-02-02 | 2024-07-02 | Jmj Korea Co., Ltd. | System for cooling semiconductor component, method of manufacturing the same, and semiconductor package having the system |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6886627B2 (en) * | 2003-06-27 | 2005-05-03 | Intel Corporation | Radial heat sink with helical shaped fins |
| US20110079376A1 (en) * | 2009-10-03 | 2011-04-07 | Wolverine Tube, Inc. | Cold plate with pins |
| US10082345B1 (en) | 2014-08-15 | 2018-09-25 | Dometic Sweden Ab | Fin pack cooling assembly |
| USD805458S1 (en) | 2015-05-15 | 2017-12-19 | Dometic Sweden Ab | Accessory base |
| USD805019S1 (en) | 2015-05-15 | 2017-12-12 | Dometic Sweden Ab | Accessory base |
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| US10907480B2 (en) * | 2018-09-28 | 2021-02-02 | Raytheon Technologies Corporation | Ribbed pin fins |
| CN110174006A (zh) * | 2019-06-20 | 2019-08-27 | 哈尔滨理工大学 | 一种三层螺旋换热管 |
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| JPH0669385A (ja) * | 1992-08-21 | 1994-03-11 | Daiyamondo Denki Kk | ヒートシンク |
| JPH06275752A (ja) * | 1993-03-18 | 1994-09-30 | Hitachi Ltd | 半導体装置の冷却装置 |
-
1998
- 1998-05-29 EP EP98109814A patent/EP0883179A3/en not_active Withdrawn
- 1998-06-04 JP JP10155641A patent/JPH1154675A/ja active Pending
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0883179A3 (en) | 2000-04-26 |
| EP0883179A2 (en) | 1998-12-09 |
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