JPH1154401A - Electron-beam plotting method and device - Google Patents
Electron-beam plotting method and deviceInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、可変成形ビームを
用いた電子ビーム描画技術に係わり、特に近接効果補正
を行うための電子ビーム描画方法及び描画装置に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electron beam lithography technique using a variable shaped beam, and more particularly to an electron beam lithography method and apparatus for performing proximity effect correction.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、マスクやウェハ等の試料上にＬＳ
Ｉの微細パターンを形成するものとして、各種の電子ビ
ーム描画装置が用いられている。これらのうちで、可変
成形ビーム方式の電子ビーム描画装置は、描画スループ
ットを向上する上で極めて有効であり、今後の主流を成
すものとして期待されている。2. Description of the Related Art In recent years, LS has been placed on a sample such as a mask or a wafer.
Various electron beam writing apparatuses are used to form a fine pattern of I. Among them, the variable shaped beam type electron beam writing apparatus is extremely effective in improving the writing throughput, and is expected to become the mainstream in the future.
【０００３】最近では、図１５に示すように、矩形状開
口を有する第１のアパーチャマスク５６と、２つの矩形
を４５度傾けて結合した多角形状の開口を有する第２の
アパーチャマスク５７を用いた可変成形ビーム方式の電
子ビーム描画装置が提案されてる（特公平６−９７６４
８号公報）。この装置では、第１及び第２のアパーチャ
マスク５６，５７の重なり部分αにより、矩形ビーム及
び直角三角形ビームを生成し、様々な図形に対し露光回
数を少なくしてスループットを向上させることができ
る。Recently, as shown in FIG. 15, a first aperture mask 56 having a rectangular opening and a second aperture mask 57 having a polygonal opening formed by connecting two rectangles at 45 degrees are used. A variable shaped beam type electron beam writing apparatus has been proposed (Japanese Patent Publication No. Hei 6-9764).
No. 8). In this apparatus, a rectangular beam and a right-angled triangular beam are generated by the overlapping portion α of the first and second aperture masks 56 and 57, and the throughput can be improved by reducing the number of exposures for various figures.
【０００４】ところで、今後パターンの微細化が進むに
つれて、図１６に示すような、近接効果補正用のパター
ンの描画を頻繁に行うようになることが考えられる。現
行のアパーチャマスクでは、矩形及び直角三角形のみし
か１回の露光で描画できないので、図１６のような図形
の場合には、図１７（ａ）又は（ｂ）のように、図形を
分割して描画せざるを得ない。この場合、図１７におい
て、中心の矩形(1) に対して、８つの図形 (2)〜(9) が
回りに付随するため、大幅に処理時間がかかり、スルー
プットを低下させるという問題があった。また、図形デ
ータそのものもかなり増大することになる。[0004] By the way, as patterns become finer in the future, it is conceivable that a pattern for proximity effect correction as shown in FIG. 16 will be frequently drawn. With the current aperture mask, only a rectangle and a right-angled triangle can be drawn by one exposure, so in the case of a figure as shown in FIG. 16, the figure is divided as shown in FIG. 17 (a) or (b). I have to draw. In this case, in FIG. 17, since eight figures (2) to (9) are attached around the center rectangle (1), there is a problem that processing time is greatly increased and throughput is reduced. . In addition, the figure data itself increases considerably.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】パターンの微細化に伴
い描画精度を維持するために、近接効果補正用のパター
ンを描画することが考えられるが、近接効果補正用のパ
ターンは一般に複雑であり、矩形や直角三角形のビーム
の１ショットで描画することはできない。このため、近
接効果補正用のパターンを描画するには多数回のショッ
ト露光が必要であり、これが描画スループットを低下さ
せる要因となる。In order to maintain the drawing accuracy along with the miniaturization of the pattern, it is conceivable to draw a pattern for proximity effect correction. However, the pattern for proximity effect correction is generally complicated. It is not possible to draw with one shot of a rectangular or right triangle beam. For this reason, drawing a pattern for proximity effect correction requires a large number of shot exposures, which causes a reduction in drawing throughput.
【０００６】本発明は、上記の事情を考慮して成された
もので、その目的とするところは、近接効果補正パター
ンを効率良く描画することができ、描画スループットの
向上をはかり得る電子ビーム描画方法及び描画装置を提
供することにあるThe present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide an electron beam lithography capable of efficiently writing a proximity effect correction pattern and improving a writing throughput. To provide a method and a drawing apparatus
【０００７】[0007]
（構成）上記課題を解決するために本発明は、次のよう
な構成を採用している。即ち本発明は、試料面上に所望
のパターンを描画する電子ビーム描画方法において、描
画に用いるパターンデータからコーナ部を自動的に検出
し、検出した各々のコーナに対して近接効果補正用のパ
ターンを露光することを特徴とする。(Structure) In order to solve the above problem, the present invention employs the following structure. That is, according to the present invention, in an electron beam writing method for writing a desired pattern on a sample surface, a corner portion is automatically detected from pattern data used for writing, and a pattern for proximity effect correction is applied to each detected corner. Is exposed.
【０００８】また本発明は、少なくとも２枚のビーム成
形用アパーチャマスクを備え、これらのビーム成形用ア
パーチャマスクの電子光学的重なりにより成形された電
子ビームを試料上に照射して、試料に所望パターンを描
画する電子ビーム描画装置において、描画に用いるパタ
ーンデータからコーナ部を自動的に検出する手段と、検
出された各々のコーナに対する近接効果補正用の特殊な
図形形状の図形コードを入力する手段と、入力された図
形コードに応じた成形ビームを生成し、各々のコーナに
対して近接効果補正用のパターンを露光する手段とを具
備してなることを特徴とする。The present invention further comprises at least two beam-shaping aperture masks, and irradiates the sample with an electron beam formed by the electron-optical overlap of these beam-shaping aperture masks, thereby forming a desired pattern on the sample. A means for automatically detecting a corner portion from pattern data used for drawing, a means for inputting a figure code of a special figure shape for correcting a proximity effect for each detected corner, Means for generating a shaped beam in accordance with the input graphic code and exposing each corner to a pattern for proximity effect correction.
【０００９】また本発明は、少なくとも２枚のビーム成
形用アパーチャマスクを備え、これらのビーム成形用ア
パーチャマスクの電子光学的重なりにより成形された電
子ビームを試料上に照射して、試料に所望パターンを描
画する電子ビーム描画装置において、描画すべきパター
ンのコーナに対する近接効果補正用の特殊な図形形状の
図形コードを入力する手段と、入力された図形コードに
応じた成形ビームを生成し、各々のコーナに対して近接
効果補正用のパターンを露光する手段とを具備してなる
ことを特徴とする。The present invention further comprises at least two beam-shaping aperture masks, and irradiates an electron beam formed by the electron-optical overlap of the beam-shaping aperture masks onto the sample, thereby forming a desired pattern on the sample. Means for inputting a graphic code of a special graphic shape for correcting a proximity effect with respect to a corner of a pattern to be drawn, and a shaped beam corresponding to the input graphic code, Means for exposing a pattern for proximity effect correction to the corner.
【００１０】ここで、本発明の望ましい実施態様として
は次のものがあげられる。 (1) 近接効果補正用のパターンを１回のショットで露光
すること。 (2) 一方のビーム成形用アパーチャマスクの開口形状を
矩形に形成し、他方のビーム成形用アパーチャマスク
は、通常のパターンと近接効果補正用のパターンに対応
した形状の両方を発生できる開口形状に加工する。Here, preferred embodiments of the present invention include the following. (1) Exposure of a pattern for proximity effect correction in one shot. (2) The aperture shape of one of the beam shaping aperture masks is formed in a rectangular shape, and the other beam shaping aperture mask has an aperture shape that can generate both a normal pattern and a shape corresponding to the proximity effect correction pattern. Process.
【００１１】(3) 一方のビーム成形用アパーチャマスク
の開口形状を矩形に形成し、他方のビーム成形用アパ一
チャマスクは、２つの矩形を４５度の角度で接合しか
つ、その接合部及び、一方の矩形については、その接合
部と反対側の頂点を近接効果補正用の特殊なパターンに
対応した開口形状に加工したこと。(3) The opening shape of one of the beam-shaping aperture masks is formed in a rectangular shape, and the other beam-shaping aperture mask joins the two rectangles at an angle of 45 degrees. Regarding one of the rectangles, the vertex on the opposite side of the joint is processed into an opening shape corresponding to a special pattern for proximity effect correction.
【００１２】(4) 一方のビーム成形用アパーチャマスク
の開口形状を矩形に形成し、他方のビーム成形用アパー
チャマスクは、２つの矩形の間に４５度回転した矩形が
あり、それと直交する方向のコーナには特殊な開口形状
を付与したこと。(4) The opening shape of one of the beam-shaping aperture masks is rectangular, and the other beam-shaping aperture mask has a rectangle rotated by 45 degrees between the two rectangles. The corner has a special opening shape.
【００１３】(5) ビーム成形用アパーチャマスクの開口
の大きさを可変にできるような構造にしたこと。 (6) コーナ部の検出に、パターンマッチング法を利用す
ること。(5) A structure capable of changing the size of the aperture of the beam shaping aperture mask. (6) Use the pattern matching method to detect corners.
【００１４】（作用）本発明によれば、描画すべきパタ
ーンのコーナに対する近接効果補正用のパターンに相当
する成形ビームを形成できるようにしておき、コーナ部
をパターンマッチング等の手法により自動的に検出し、
検出した各々のコーナに対して近接効果補正用のパター
ンを少ないショット（例えば１回のショット）で露光す
る。これにより、例えば４つのコーナを有するパターン
では４回のショットで済み、近接効果補正用のパターン
を少ない露光回数で描画できるようになるため、描画ス
ループットが向上する。また、必要以上に小さい図形を
露光しなくて済むので、描画精度が向上する。さらに、
図形データそのものの増大もかなり抑えることが可能と
なる。According to the present invention, it is possible to form a shaped beam corresponding to a proximity effect correction pattern for a corner of a pattern to be drawn, and to automatically form a corner portion by a method such as pattern matching. Detect
A pattern for proximity effect correction is exposed to each of the detected corners with a small number of shots (for example, one shot). Thus, for example, a pattern having four corners requires four shots, and a pattern for proximity effect correction can be drawn with a small number of exposures, thereby improving the drawing throughput. Further, since it is not necessary to expose a figure which is smaller than necessary, the drawing accuracy is improved. further,
It is possible to considerably suppress the increase in the graphic data itself.
【００１５】[0015]
【発明の実施の形態】以下、本発明の詳細を図示の実施
形態によって説明する。 （第１の実施形態）図１は、本発明の第１の実施形態に
係わる電子ビーム描画方法の処理手順を示す図である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The details of the present invention will be described below with reference to the illustrated embodiments. (First Embodiment) FIG. 1 is a diagram showing a processing procedure of an electron beam writing method according to a first embodiment of the present invention.
【００１６】設計データ１を基に描画２を行う通常の処
理に加え、展開回路３，コーナ検出回路４，特殊パター
ン発生回路５を用いて近接効果補正用のパターンを追加
露光するようになっている。ここでは、高速制御回路を
用いることでデュアルタイム処理を可能にしている。In addition to the normal processing of drawing 2 based on the design data 1, additional patterns for proximity effect correction are additionally exposed by using a developing circuit 3, a corner detecting circuit 4, and a special pattern generating circuit 5. I have. Here, dual time processing is enabled by using a high-speed control circuit.
【００１７】展開回路３では、設計データ１を適当な画
素を単位とするマップ上にパターン展開する。コーナ検
出回路４では、展開したパターンに５×５画素程度のウ
ィンドウを走査することにより、そのパターンがコーナ
部分であることを検知する。その検出は、以下のような
手法で可能となる。つまり、図２に示すような図形があ
った場合に、図３（ａ）〜（ｄ）に示すようなテンプレ
ートを全面に走査させていく。そうすると、図３（ａ）
のテンプレートでは図２の（ａ）のコーナを、図３
（ｂ）（ｃ）（ｄ）のテンプレートについては、それぞ
れ図２の（ｂ）（ｃ）（ｄ）のコーナを検出することが
できる。The developing circuit 3 develops the pattern of the design data 1 on a map in units of appropriate pixels. The corner detection circuit 4 scans a window of about 5 × 5 pixels on the developed pattern to detect that the pattern is a corner portion. The detection can be performed by the following method. That is, when there is a figure as shown in FIG. 2, the template as shown in FIGS. 3A to 3D is scanned over the entire surface. Then, FIG. 3 (a)
In the template of FIG. 3, the corner of FIG.
For the templates of (b), (c), and (d), the corners of (b), (c), and (d) in FIG. 2 can be detected, respectively.
【００１８】特殊パターン発生回路５では、図３の各テ
ンプレートがヒットした場合に、そのテンプレートに対
応する近接効果補正用の特殊な図形形状の図形コードが
入力され、図４（ａ）〜（ｄ）に示すような近接効果補
正用の特殊パターンを発生する。そして、図５に示すよ
うな近接効果補正用パターンを追加露光したパターンが
得られる。In the special pattern generating circuit 5, when each template shown in FIG. 3 is hit, a graphic code of a special graphic shape for correcting the proximity effect corresponding to the template is inputted, and the special pattern generating circuit 5 shown in FIGS. A special pattern for proximity effect correction as shown in FIG. Then, a pattern obtained by additionally exposing the proximity effect correction pattern as shown in FIG. 5 is obtained.
【００１９】このように従来の本線系統と、新たに導入
した特殊パターンを発生させる回路からの出力の両方を
露光していくようにするわけである。なお、データ量が
膨大になることを党悟すれば、期待される展開結果につ
いては、ソフトウェア上で予め処理しておくことも可能
である。As described above, both the conventional main line system and the output from the circuit for generating a newly introduced special pattern are exposed. Note that if the party realizes that the data volume will be enormous, the expected development result can be processed in advance on software.
【００２０】一方、後述する図９の(2)(3)(4)(5)や図１
２の(1)(3)のような近接効果補正用の図形を描画するた
めに必要な特殊な図形コードを直接入力可能にしておけ
ば、図１に示すような新たな制御回路を付加する必要は
なくなる。但し、この場合には設計データに予め近接効
果を加味しておかなければならず、設計データそのもの
のデータ量はコーナ検出回路を付加する場合に比べると
大幅に増大することになる。On the other hand, FIG. 9 (2), (3), (4), (5) and FIG.
If a special graphic code required for drawing a graphic for proximity effect correction such as (1) and (3) can be directly input, a new control circuit as shown in FIG. 1 is added. There is no need. However, in this case, the proximity effect must be added to the design data in advance, and the data amount of the design data itself is greatly increased as compared with the case where a corner detection circuit is added.
【００２１】図６は、本発明の第１の実施形態に係わる
可変成形ビーム方式の電子ビーム描画装置の概略構成図
である。図中の１１は電子銃、１２は第１のビーム成形
用アパーチャマスク、１３は第２のビーム成形用アパー
チャマスク、１４，１５はコンデンサレンズ、１６はマ
スク１２のアパーチャ像をマスク１３上に結像するため
の投影レンズ、１７，１８は合成された成形アパーチャ
像を縮小するための縮小レンズ、１９は縮小された成形
アパーチャ像を試料面２０上に結像するための対物レン
ズである。FIG. 6 is a schematic configuration diagram of a variable shaped beam type electron beam writing apparatus according to the first embodiment of the present invention. In the figure, 11 is an electron gun, 12 is a first beam shaping aperture mask, 13 is a second beam shaping aperture mask, 14 and 15 are condenser lenses, and 16 is an aperture image of the mask 12 formed on the mask 13. Projection lenses for imaging, 17 and 18 are reduction lenses for reducing the combined shaped aperture image, and 19 is an objective lens for forming the reduced shaped aperture image on the sample surface 20.
【００２２】また、図中の２１，２２は試料面２０上で
のビーム位置を制御するための偏向コイル、２３，２４
は偏向板、２５，２６は焦点補正及ぴ非点補正のための
補正コイル、２７はビームをＯＮ・ＯＦＦするためのブ
ランキング偏向板、２８，２９，３０はマスク１２のア
パーチャ像をマスク１３に対して位置合わせし、合成ア
パーチャの寸法形状を制御するための偏向器である。In the figure, reference numerals 21 and 22 denote deflection coils for controlling the beam position on the sample surface 20, 23 and 24.
Is a deflecting plate, 25 and 26 are correction coils for focus correction and astigmatism correction, 27 is a blanking deflecting plate for turning ON / OFF the beam, and 28, 29 and 30 are mask images of the aperture image of the mask 12. And a deflector for controlling the size and shape of the synthetic aperture.
【００２３】上述の基本構成は従来装置と同様であり、
本実施形態装置が従来装置と異なる点は、ビーム成形用
アパーチャマスクの開口形状にある。即ち、第１のアパ
ーチャマスク１２は図７（ａ）に示すように矩形である
が、第２のアパーチャマスク１３は、図７（ｂ）に示す
ように従来（図１５）のものに対して、右側の矩形をＴ
字型に変形した構造に形成されている。The above-described basic configuration is the same as that of the conventional device.
The difference between the present embodiment and the conventional apparatus lies in the opening shape of the beam shaping aperture mask. That is, the first aperture mask 12 is rectangular as shown in FIG. 7A, while the second aperture mask 13 is different from the conventional one (FIG. 15) as shown in FIG. 7B. , Right rectangle T
It is formed in a structure deformed into a letter shape.
【００２４】このような構成であれば、第１及び第２の
アパーチャマスク１２，１３の各アパーチャを図８に示
すように光学的に重ねることにより、図９の(2)(3)(4)
(5)のような図形がそれぞれ１回で露光できるようにな
る。つまり、これまでの構成では、９回露光しなければ
ならなかったものが、約半分の５回で済み、描画スルー
プットの低下を抑えることができる。また、１回の露光
面積が大きくなるため、微小図形故の描画精度の劣化を
防ぐ効果もある。With such a configuration, the apertures of the first and second aperture masks 12 and 13 are optically overlapped as shown in FIG. 8 so that (2), (3) and (4) in FIG. )
Each of the figures as shown in (5) can be exposed once. That is, in the conventional configuration, the exposure has to be performed nine times, but only about half, that is, five times, so that the decrease in the drawing throughput can be suppressed. In addition, since the exposure area for one time becomes large, there is also an effect of preventing deterioration of drawing accuracy due to a minute figure.
【００２５】（第２の実施形態）次に、本発明の第２の
実施形態を説明する。第１のアパーチャマスク１２の開
口の大きさが一定の場合、図９の(2)(3)(4)(5)の図形の
大きさに制約ができる。第１のアパーチャマスク１２の
開口の大きさをこれに合わせてしまうと、これまで扱っ
てきた矩形や直角三角形の大きさにも制約ができる。(Second Embodiment) Next, a second embodiment of the present invention will be described. When the size of the opening of the first aperture mask 12 is constant, the size of the figure shown in (2), (3), (4), and (5) of FIG. 9 can be restricted. If the size of the opening of the first aperture mask 12 is adjusted to this, the size of a rectangle or a right triangle that has been handled so far can be restricted.
【００２６】そこで本実施形態では、光近接効果補正用
のパターン専用の第３の矩形のアパーチャマスクを用意
する。つまり、光近接効果補正用のパターンを露光する
際には、第３のアパーチャマスクと第２のアパーチャマ
スク１３を組み合わせて露光するのである。このように
すれば、他の矩形や直角三角形の露光に影響を与えず
に、かつ近接効果補正用のパターンを効率良く露光でき
る。Therefore, in this embodiment, a third rectangular aperture mask dedicated to the optical proximity effect correction pattern is prepared. That is, when exposing the pattern for optical proximity effect correction, the exposure is performed by combining the third aperture mask and the second aperture mask 13. In this way, the pattern for proximity effect correction can be efficiently exposed without affecting the exposure of other rectangles or right-angled triangles.
【００２７】（第３の実施形態）次に、本発明の第３の
実施形態として、近接効果補正用のパターンの大きさを
可変にする場合について説明する。本実施形態では、矩
形状の開口を有するアパーチャマスクを、開口の大きさ
を可変にできるような形状にする。すると、図１０に示
すように様々な大きさに、近接効果補正用のパターンが
露光できることになる。(Third Embodiment) Next, as a third embodiment of the present invention, a case where the size of the proximity effect correction pattern is made variable will be described. In the present embodiment, the aperture mask having a rectangular opening is shaped so that the size of the opening can be changed. Then, the proximity effect correction pattern can be exposed to various sizes as shown in FIG.
【００２８】なお、開口寸法が可変のアパーチャマスク
は、第１のアパーチャマスク１２であってもよいし、第
２の実施形態で説明したような第３のアパーチャマスク
であってもよい。また、アパーチャマスクの開口寸法を
機械的に変えるのではなく、２枚のアパーチャマスクの
電子光学的重なりで可変するようにしてもよい。The aperture mask whose opening size is variable may be the first aperture mask 12 or the third aperture mask as described in the second embodiment. Also, instead of mechanically changing the aperture size of the aperture mask, the aperture size may be changed by the electro-optical overlap of two aperture masks.
【００２９】また、本実施形態の場合、第２のアパーチ
ャマスク１３における開口長さＬを所望の長さに予め設
定しておけば、矩形開口のアパーチャマスクを図１１に
示すようにすることによって、前記図１６のパターンを
露光する際に、これを図１２に示すように分割して露光
できることが分る。こうなると、図１６のパターンを僅
か３回のショット露光で描画できることになる。なお、
この場合、矩形開口のアパーチャマスクを大きさ可変に
しなくとも、最初から図１１に示すような形状にしてお
けば、比較的簡単に実現できる。In the case of this embodiment, if the opening length L of the second aperture mask 13 is set to a desired length in advance, the aperture mask having a rectangular opening can be formed as shown in FIG. It can be seen that when exposing the pattern of FIG. 16, the pattern can be divided and exposed as shown in FIG. In this case, the pattern of FIG. 16 can be drawn by only three shot exposures. In addition,
In this case, even if the aperture mask having a rectangular opening is not made variable in size, it can be realized relatively easily if the aperture mask is formed as shown in FIG. 11 from the beginning.
【００３０】なお、本発明は上述した各実施形態に限定
されるものではない。前記図１２のようにパターンを分
割して露光する際に、光近接効果補正用のパターンの大
きさを可変にしたい場合には、図１１に示すように、第
２のアパーチャマスク１３を７０を境界にして、開口長
さＬを可変にできるような構造にすればよい。The present invention is not limited to the above embodiments. In the case where the pattern is divided and exposed as shown in FIG. 12, when it is desired to change the size of the pattern for the optical proximity effect correction, as shown in FIG. The boundary may have a structure in which the opening length L can be changed.
【００３１】また、第２アパーチャマスクの開口形状は
前記図７に何等限定されるものではなく、仕様に応じて
適宜変更可能である。近接効果補正用のパターンは、マ
スクの製造プロセスを考慮した形状にする必要がある。
その多彩な要求に対しては、第２のアパーチャマスクの
開口を図１３や図１４のような形状にすることによっ
て、比較的簡単に対応できる。ここで、図１３と図１４
は共に開口部の９０度コーナ部に微小な矩形パターンを
一部重なるように付加したものであるが、各々において
９０度コーナに対する矩形パターンの回転角度が４５度
ずれている。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で、種々変形して実施することができる。The opening shape of the second aperture mask is not limited to the one shown in FIG. 7, but can be changed as appropriate according to the specifications. The pattern for the proximity effect correction needs to be formed in consideration of the mask manufacturing process.
The various requirements can be relatively easily handled by forming the openings of the second aperture mask as shown in FIGS. Here, FIG. 13 and FIG.
Both have a small rectangular pattern added to the 90-degree corner of the opening so as to partially overlap, and in each case, the rotation angle of the rectangular pattern with respect to the 90-degree corner is shifted by 45 degrees. In addition, various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.
【００３２】[0032]
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、描
画すべきパターンのコーナに対する近接効果補正用のパ
ターンに相当する成形ビームを形成できるようにしてお
き、コーナ部をパターンマッチング等の手法により自動
的に検出し、検出した各々のコーナに対して近接効果補
正用のパターンをそれぞれショット露光することによっ
て、近接効果補正用のパターンを効率良く描画すること
ができ、描画スループットの向上をはかることが可能と
なる。As described above in detail, according to the present invention, it is possible to form a shaping beam corresponding to a pattern for correcting a proximity effect with respect to a corner of a pattern to be drawn, and to set a corner portion for pattern matching or the like. The pattern for proximity effect correction can be efficiently drawn by automatically detecting the proximity effect correction pattern at each of the detected corners by shot exposure, and the drawing throughput can be improved. It becomes possible to measure.
【図１】第１実施形態に係わる電子ビーム描画方法の処
理手順を示す図。FIG. 1 is a view showing a processing procedure of an electron beam writing method according to a first embodiment.
【図２】パターンの一例を示す図。FIG. 2 is a diagram showing an example of a pattern.
【図３】コーナを検出するためのテンプレートの例を示
す図。FIG. 3 is a diagram showing an example of a template for detecting a corner.
【図４】近接効果補正のための追加パターンの例を示す
図。FIG. 4 is a view showing an example of an additional pattern for proximity effect correction.
【図５】図２に近接効果補正用のパターンを付加した例
を示す図。FIG. 5 is a diagram showing an example in which a proximity effect correction pattern is added to FIG. 2;
【図６】第１の実施形態に係わる電子ビーム露光装置の
概略構成を示す図。FIG. 6 is a view showing a schematic configuration of an electron beam exposure apparatus according to the first embodiment.
【図７】第１の実施形態におけるアパーチャマスクの構
成を示す図。FIG. 7 is a diagram illustrating a configuration of an aperture mask according to the first embodiment.
【図８】第１の実施形態におけるアパーチャの重なりを
示す図。FIG. 8 is a diagram showing overlap of apertures according to the first embodiment.
【図９】第１の実施形態おけるパターン分割露光の例を
示す図。FIG. 9 is a view showing an example of pattern division exposure in the first embodiment.
【図１０】第３の実施形態におけるアパーチャの重なり
を示す図。FIG. 10 is a view showing overlap of apertures according to the third embodiment.
【図１１】第３の実施形態におけるアパーチャの重なり
の別の例を示す図。FIG. 11 is a diagram showing another example of aperture overlap in the third embodiment.
【図１２】第３の実施形態における分割露光の例を示す
図。FIG. 12 is a diagram illustrating an example of divided exposure according to a third embodiment.
【図１３】本発明の変形例を説明するためのアパーチャ
マスクの構成を示す図。FIG. 13 is a diagram showing a configuration of an aperture mask for describing a modification of the present invention.
【図１４】本発明の変形例を説明するためのアパーチャ
マスクの構成を示す図。FIG. 14 is a diagram showing a configuration of an aperture mask for describing a modification of the present invention.
【図１５】従来のアパーチャマスクの形状を示す図。FIG. 15 is a diagram showing the shape of a conventional aperture mask.
【図１６】光近接効果補正用のパターンの一例を示す
図。FIG. 16 is a diagram showing an example of a pattern for optical proximity effect correction.
【図１７】図１６を分割露光する際の分割例を示す図。FIG. 17 is a view showing an example of division at the time of performing division exposure in FIG. 16;
１１…電子銃 １２…第１のアパーチャマスク １３…第２のアパーチャマスク １４，１５…コンデンサレンズ １６…投影レンズ １７，１８…縮小レンズ １９…対物レンズ ２０…試料面 ２１，２２…偏向コイル ２３，２４…偏向板 ２５，２６…制御コイル ２７…ブランキング偏向板 ２８，２９，３０…偏向器 ５６，５７…アパーチャマスク ７０…アパーチャマスクの分割境界線 DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Electron gun 12 ... 1st aperture mask 13 ... 2nd aperture mask 14, 15 ... Condenser lens 16 ... Projection lens 17, 18 ... Reduction lens 19 ... Objective lens 20 ... Sample surface 21,22 ... Deflection coil 23, 24 Deflecting plate 25, 26 Control coil 27 Blanking deflecting plate 28, 29, 30 Deflector 56, 57 Aperture mask 70 Dividing boundary of aperture mask
Claims (5)
ビーム描画方法において、描画に用いるパターンデータ
からコーナ部を自動的に検出し、検出した各々のコーナ
に対して近接効果補正用のパターンを露光することを特
徴とする電子ビーム描画方法。In an electron beam writing method for writing a desired pattern on a sample surface, a corner portion is automatically detected from pattern data used for writing, and a pattern for proximity effect correction is applied to each detected corner. An electron beam writing method, comprising:
ョットで露光することを特徴とする請求項１記載の電子
ビーム描画方法。2. The electron beam lithography method according to claim 1, wherein the proximity effect correction pattern is exposed by one shot.
マスクを備え、これらのビーム成形用アパーチャマスク
の電子光学的重なりにより成形された電子ビームを試料
上に照射して、試料に所望パターンを描画する電子ビー
ム描画装置において、 描画に用いるパターンデータからコーナ部を自動的に検
出する手段と、検出された各々のコーナに対する近接効
果補正用の特殊な図形形状の図形コードを入力する手段
と、入力された図形コードに応じた成形ビームを生成
し、各々のコーナに対して近接効果補正用のパターンを
露光する手段とを具備してなることを特徴とする電子ビ
ーム描画装置。3. A sample is provided with at least two beam-shaping aperture masks, and a desired pattern is drawn on the sample by irradiating the sample with an electron beam formed by electro-optical overlapping of these beam-shaping aperture masks. In an electron beam lithography apparatus, a means for automatically detecting a corner portion from pattern data used for drawing, a means for inputting a graphic code of a special graphic shape for proximity effect correction for each detected corner, Means for generating a shaped beam according to the figure code and exposing each corner with a pattern for proximity effect correction.
マスクを備え、これらのビーム成形用アパーチャマスク
の電子光学的重なりにより成形された電子ビームを試料
上に照射して、試料に所望パターンを描画する電子ビー
ム描画装置において、 描画すべきパターンのコーナに対する近接効果補正用の
特殊な図形形状の図形コードを入力する手段と、入力さ
れた図形コードに応じた成形ビームを生成し、各々のコ
ーナに対して近接効果補正用のパターンを露光する手段
とを具備してなることを特徴とする電子ビーム描画装
置。4. A sample is provided with at least two beam-shaping aperture masks, and a desired pattern is drawn on the sample by irradiating the sample with an electron beam formed by electro-optical overlapping of these beam-shaping aperture masks. In an electron beam lithography apparatus, means for inputting a graphic code of a special graphic shape for correcting a proximity effect with respect to a corner of a pattern to be drawn, and a shaped beam corresponding to the input graphic code are generated. An exposure means for exposing a pattern for proximity effect correction.
ョットで露光することを特徴とする請求項３又は４記載
の電子ビーム描画装置。5. An electron beam lithography apparatus according to claim 3, wherein said proximity effect correction pattern is exposed by one shot.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9205836A JPH1154401A (en) | 1997-07-31 | 1997-07-31 | Electron-beam plotting method and device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9205836A JPH1154401A (en) | 1997-07-31 | 1997-07-31 | Electron-beam plotting method and device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1154401A true JPH1154401A (en) | 1999-02-26 |
Family
ID=16513525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9205836A Pending JPH1154401A (en) | 1997-07-31 | 1997-07-31 | Electron-beam plotting method and device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1154401A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016046385A (en) * | 2014-08-22 | 2016-04-04 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | Aperture member manufacturing method |
-
1997
- 1997-07-31 JP JP9205836A patent/JPH1154401A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016046385A (en) * | 2014-08-22 | 2016-04-04 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | Aperture member manufacturing method |
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