JPH1153523A - 読取装置 - Google Patents
読取装置Info
- Publication number
- JPH1153523A JPH1153523A JP9222018A JP22201897A JPH1153523A JP H1153523 A JPH1153523 A JP H1153523A JP 9222018 A JP9222018 A JP 9222018A JP 22201897 A JP22201897 A JP 22201897A JP H1153523 A JPH1153523 A JP H1153523A
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- JP
- Japan
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- light
- optical element
- photosensor
- sensor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 指紋等の読み取りのための光のロスを少なく
し、また各部品相互の位置合わせ精度を緩和する。 【解決手段】 面光源11の上面から光がランダムに出
射されると、凹凸検出光学素子13の凸条部15の表面
に密接された指31の指紋の凹部31aに対応する部分
で全反射が生じ、指31の指紋の凸部31bに対応する
部分で光が吸収される。そして、全反射されてその近傍
のセンサ部20Aの半導体層24に入射される光の量が
予め設定された光量(しきい値)以上である場合には、
当該センサ部による光検出状態を明状態とし、それ未満
である場合には、当該センサ部による光検出状態を暗状
態とする。これにより、指31の指紋の凹凸に応じた光
学的に明暗の強調された画像が得られる。
し、また各部品相互の位置合わせ精度を緩和する。 【解決手段】 面光源11の上面から光がランダムに出
射されると、凹凸検出光学素子13の凸条部15の表面
に密接された指31の指紋の凹部31aに対応する部分
で全反射が生じ、指31の指紋の凸部31bに対応する
部分で光が吸収される。そして、全反射されてその近傍
のセンサ部20Aの半導体層24に入射される光の量が
予め設定された光量(しきい値)以上である場合には、
当該センサ部による光検出状態を明状態とし、それ未満
である場合には、当該センサ部による光検出状態を暗状
態とする。これにより、指31の指紋の凹凸に応じた光
学的に明暗の強調された画像が得られる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、指紋等の微細な
凹部及び凸部を有する被読取体の凹部または凸部の形状
または位置を読み取るための読取装置に関する。
凹部及び凸部を有する被読取体の凹部または凸部の形状
または位置を読み取るための読取装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、指紋等の微細な凹凸の形状または
位置を読み取るための読取装置として、図10に示すよ
うに、面光源1上に2次元フォトセンサ2が設けられ、
2次元フォトセンサ2上に複数の光ファイバ3aを集合
してなる光ファイバ集合板3が設けられ、光ファイバ集
合板3上に光反射板4が設けられた構造のものがある。
このうち2次元フォトセンサ2は、透明基板2a上に開
口部2bを有する遮光板2cが設けられ、遮光板2c上
にセンサ部2dが設けられた構造となっている。光反射
板4は、透明な材料によってシート状に形成され、その
上面側に、表面にアルミニウム等からなる反射層4aが
蒸着された複数のV字溝4bが並列して設けられ、相隣
接するV字溝4b間が平坦な上面4cを有する断面ほぼ
台形状の突起部4dとされた構造となっている。
位置を読み取るための読取装置として、図10に示すよ
うに、面光源1上に2次元フォトセンサ2が設けられ、
2次元フォトセンサ2上に複数の光ファイバ3aを集合
してなる光ファイバ集合板3が設けられ、光ファイバ集
合板3上に光反射板4が設けられた構造のものがある。
このうち2次元フォトセンサ2は、透明基板2a上に開
口部2bを有する遮光板2cが設けられ、遮光板2c上
にセンサ部2dが設けられた構造となっている。光反射
板4は、透明な材料によってシート状に形成され、その
上面側に、表面にアルミニウム等からなる反射層4aが
蒸着された複数のV字溝4bが並列して設けられ、相隣
接するV字溝4b間が平坦な上面4cを有する断面ほぼ
台形状の突起部4dとされた構造となっている。
【0003】この読取装置では、部品のすべてがほぼ板
状であるので、薄型化することができる。そして、図1
0において矢印で示すように、面光源1の上面から該上
面に対して垂直に出射された平行光が2次元フォトセン
サ2の開口部2b及び光ファイバ集合板3の光ファイバ
3aを透過し、この透過光が光反射板4のV字溝4bの
反射層4aで反射され、この反射光が光反射板4上に密
接された例えば指(図示せず)を斜め下方から照射し、
光反射板4の突起部4dの上面4cで反射された光が光
反射板4のV字溝4bの反射層4aで反射され、この反
射光が光ファイバ集合板3の先の透過部(光ファイバ3
a)と隣接する別の光ファイバ3aに入射され、この入
射光が2次元フォトセンサ2のセンサ部2dに入射され
る。この場合、光反射板4の突起部4dの上面4cに密
接された指の指紋の凹部(降線)に対応する部分で反射
が生じ、指の指紋の凸部(隆線)に対応する部分で光が
吸収され、これにより指の指紋の凹凸に応じて光学的に
明暗の強調された画像が得られ、指の指紋が読み取られ
ることになる。
状であるので、薄型化することができる。そして、図1
0において矢印で示すように、面光源1の上面から該上
面に対して垂直に出射された平行光が2次元フォトセン
サ2の開口部2b及び光ファイバ集合板3の光ファイバ
3aを透過し、この透過光が光反射板4のV字溝4bの
反射層4aで反射され、この反射光が光反射板4上に密
接された例えば指(図示せず)を斜め下方から照射し、
光反射板4の突起部4dの上面4cで反射された光が光
反射板4のV字溝4bの反射層4aで反射され、この反
射光が光ファイバ集合板3の先の透過部(光ファイバ3
a)と隣接する別の光ファイバ3aに入射され、この入
射光が2次元フォトセンサ2のセンサ部2dに入射され
る。この場合、光反射板4の突起部4dの上面4cに密
接された指の指紋の凹部(降線)に対応する部分で反射
が生じ、指の指紋の凸部(隆線)に対応する部分で光が
吸収され、これにより指の指紋の凹凸に応じて光学的に
明暗の強調された画像が得られ、指の指紋が読み取られ
ることになる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
このような読取装置では、面光源1の上面から該上面に
垂直な平行光を出射させ、この平行光を2次元フォトセ
ンサ2の開口部2bを介して光ファイバ集合板3の光フ
ァイバ3aに入射させたとしても、光反射板4の突起部
4dの上面4cで反射された光を光反射板4のV字溝4
bの反射層4aで反射させて光ファイバ集合板3の光フ
ァイバ3aに再度入射させているので、光取り込み角の
小さい光ファイバ3aに対する再度の入射角が大きくな
り、このため光のロスが大きくなり、十分なコントラス
トを得にくいという問題があった。また、光反射板4の
突起部4dの上面4cで反射された光を光ファイバ集合
板3の所定の一の光ファイバ3aを透過させて2次元フ
ォトセンサ2の所定の一のセンサ部2dに所期の通り入
射させるには、光反射板4の突起部4dと光ファイバ集
合板3の光ファイバ3aと2次元フォトセンサ2のセン
サ部2dとをそれぞれ1対1の関係で正確に位置合わせ
する必要があり、高価になるという問題があった。この
発明の課題は、指紋等の読み取りのための光のロスを少
なくすることができ、また各部品相互の位置合わせ精度
を緩和することができるようにすることである。
このような読取装置では、面光源1の上面から該上面に
垂直な平行光を出射させ、この平行光を2次元フォトセ
ンサ2の開口部2bを介して光ファイバ集合板3の光フ
ァイバ3aに入射させたとしても、光反射板4の突起部
4dの上面4cで反射された光を光反射板4のV字溝4
bの反射層4aで反射させて光ファイバ集合板3の光フ
ァイバ3aに再度入射させているので、光取り込み角の
小さい光ファイバ3aに対する再度の入射角が大きくな
り、このため光のロスが大きくなり、十分なコントラス
トを得にくいという問題があった。また、光反射板4の
突起部4dの上面4cで反射された光を光ファイバ集合
板3の所定の一の光ファイバ3aを透過させて2次元フ
ォトセンサ2の所定の一のセンサ部2dに所期の通り入
射させるには、光反射板4の突起部4dと光ファイバ集
合板3の光ファイバ3aと2次元フォトセンサ2のセン
サ部2dとをそれぞれ1対1の関係で正確に位置合わせ
する必要があり、高価になるという問題があった。この
発明の課題は、指紋等の読み取りのための光のロスを少
なくすることができ、また各部品相互の位置合わせ精度
を緩和することができるようにすることである。
【0005】
【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は、
凹部及び凸部を有する被読取体の前記凹部または凸部の
形状または位置を読み取る読取装置であって、面光源
と、この面光源上に設けられ、透光ベース層、この透光
ベース層上に形成された複数のセンサ部、及び少なくと
も前記センサ部間の前記透光ベース層を覆う透光絶縁膜
を有するフォトセンサと、このフォトセンサ上に設けら
れ、少なくとも上面に、前記センサ部のピッチよりも小
さいピッチで配列された複数の***部を有する凹凸検出
光学素子とを具備し、前記面光源から出射され、前記凹
凸検出光学素子の各***部に斜め下方から入射される光
を、前記各***部で主として多重反射させて前記各セン
サ部に入射させるようにしたものである。請求項13記
載の発明は、凹部及び凸部を有する被読取体の前記凹部
または凸部の形状または位置を読み取る読取装置であっ
て、面光源と、この面光源上に設けられ、透光ベース
層、この透光ベース層上に形成された複数のセンサ部、
及び少なくとも前記センサ部間の前記透光ベース層を覆
う透光絶縁膜を有するフォトセンサと、このフォトセン
サ上に設けられ、上面側に高反射層を有する凹凸検出光
学素子とを具備したものである。
凹部及び凸部を有する被読取体の前記凹部または凸部の
形状または位置を読み取る読取装置であって、面光源
と、この面光源上に設けられ、透光ベース層、この透光
ベース層上に形成された複数のセンサ部、及び少なくと
も前記センサ部間の前記透光ベース層を覆う透光絶縁膜
を有するフォトセンサと、このフォトセンサ上に設けら
れ、少なくとも上面に、前記センサ部のピッチよりも小
さいピッチで配列された複数の***部を有する凹凸検出
光学素子とを具備し、前記面光源から出射され、前記凹
凸検出光学素子の各***部に斜め下方から入射される光
を、前記各***部で主として多重反射させて前記各セン
サ部に入射させるようにしたものである。請求項13記
載の発明は、凹部及び凸部を有する被読取体の前記凹部
または凸部の形状または位置を読み取る読取装置であっ
て、面光源と、この面光源上に設けられ、透光ベース
層、この透光ベース層上に形成された複数のセンサ部、
及び少なくとも前記センサ部間の前記透光ベース層を覆
う透光絶縁膜を有するフォトセンサと、このフォトセン
サ上に設けられ、上面側に高反射層を有する凹凸検出光
学素子とを具備したものである。
【0006】この発明によれば、フォトセンサ上に、少
なくとも上面に所定の条件の複数の***部を有する凹凸
検出光学素子または上面側に高反射層を有する凹凸検出
光学素子を設け、従来のような光ファイバ集合板を用い
ていないので、指紋等の読み取りのための光のロスを少
なくすることができ、また各部品相互の位置合わせ精度
を緩和することができる。
なくとも上面に所定の条件の複数の***部を有する凹凸
検出光学素子または上面側に高反射層を有する凹凸検出
光学素子を設け、従来のような光ファイバ集合板を用い
ていないので、指紋等の読み取りのための光のロスを少
なくすることができ、また各部品相互の位置合わせ精度
を緩和することができる。
【0007】
【発明の実施の形態】図1はこの発明の一実施形態にお
ける読取装置の要部の断面図を示したものである。な
お、この読取装置は、微細な凹凸部を有する被読取体の
凹部または凸部の形状または位置を読み取ることができ
るものであるが、以下の実施形態では指紋を読み取るた
めの指紋読取装置として説明する。この指紋読取装置
は、面光源11上に2次元フォトセンサ12が設けら
れ、2次元フォトセンサ12上に凹凸検出光学素子13
が設けられた構造となっている。このうち面光源11
は、エレクトロルミネセンスパネルや液晶表示装置で用
いられているエッジライト方式のバックライト等からな
っている。エッジライト方式のバックライトの場合に
は、図示していないが、典型的には、導光板の下面に反
射板を設け、導光板の横に発光ダイオード等からなる点
光源を1個設け、この点光源を反射シートで被った構造
とする。凹凸検出光学素子13は、アクリル樹脂やガラ
ス等からなる透明層14の上面側に複数の断面半円形状
の凸条部(***部)15が並列して設けられたものから
なっている。
ける読取装置の要部の断面図を示したものである。な
お、この読取装置は、微細な凹凸部を有する被読取体の
凹部または凸部の形状または位置を読み取ることができ
るものであるが、以下の実施形態では指紋を読み取るた
めの指紋読取装置として説明する。この指紋読取装置
は、面光源11上に2次元フォトセンサ12が設けら
れ、2次元フォトセンサ12上に凹凸検出光学素子13
が設けられた構造となっている。このうち面光源11
は、エレクトロルミネセンスパネルや液晶表示装置で用
いられているエッジライト方式のバックライト等からな
っている。エッジライト方式のバックライトの場合に
は、図示していないが、典型的には、導光板の下面に反
射板を設け、導光板の横に発光ダイオード等からなる点
光源を1個設け、この点光源を反射シートで被った構造
とする。凹凸検出光学素子13は、アクリル樹脂やガラ
ス等からなる透明層14の上面側に複数の断面半円形状
の凸条部(***部)15が並列して設けられたものから
なっている。
【0008】2次元フォトセンサ12は、複数のセンサ
部20A、20Bがマトリックス状に配列されたものか
らなり、アクリル樹脂やガラス等からなる透明基板(透
光ベース層)21を備えている。透明基板21の上面に
は、各センサ部20A、20Bごとに、クロムやアルミ
ニウム等の遮光性電極からなるボトムゲート電極22が
設けられ、その上面全体には窒化シリコンからなるボト
ムゲート絶縁膜(透光絶縁膜)23が設けられている。
ボトムゲート絶縁膜23の上面においてボトムゲート電
極22に対応する部分にはアモルファスシリコンからな
る半導体層24が設けられている。半導体層24の上面
両側にはn+シリコン層25、25が設けられている。
n+シリコン層25、25の上面及びその近傍のボトム
ゲート絶縁膜23の上面にはクロムやアルミニウム等の
遮光性電極からなるソース電極26及びドレイン電極2
7が設けられ、その上面全体には窒化シリコンからなる
トップゲート絶縁膜(透光絶縁膜)28が設けられてい
る。トップゲート絶縁膜28の上面において半導体層2
4に対応する部分にはITO等の透明電極からなるトッ
プゲート電極29が設けられ、その上面全体には窒化シ
リコンからなるオーバーコート膜(透光絶縁膜)30が
設けられている。そして、この2次元フォトセンサ12
では、その下面側から光がランダムに入射されると、こ
の光は、遮光性電極からなるボトムゲート電極22、ソ
ース電極26及びドレイン電極27の部分以外からなる
透過部を透過するとともに、ボトムゲート電極22によ
って遮光されて半導体層24に直接入射しないようにな
っている。
部20A、20Bがマトリックス状に配列されたものか
らなり、アクリル樹脂やガラス等からなる透明基板(透
光ベース層)21を備えている。透明基板21の上面に
は、各センサ部20A、20Bごとに、クロムやアルミ
ニウム等の遮光性電極からなるボトムゲート電極22が
設けられ、その上面全体には窒化シリコンからなるボト
ムゲート絶縁膜(透光絶縁膜)23が設けられている。
ボトムゲート絶縁膜23の上面においてボトムゲート電
極22に対応する部分にはアモルファスシリコンからな
る半導体層24が設けられている。半導体層24の上面
両側にはn+シリコン層25、25が設けられている。
n+シリコン層25、25の上面及びその近傍のボトム
ゲート絶縁膜23の上面にはクロムやアルミニウム等の
遮光性電極からなるソース電極26及びドレイン電極2
7が設けられ、その上面全体には窒化シリコンからなる
トップゲート絶縁膜(透光絶縁膜)28が設けられてい
る。トップゲート絶縁膜28の上面において半導体層2
4に対応する部分にはITO等の透明電極からなるトッ
プゲート電極29が設けられ、その上面全体には窒化シ
リコンからなるオーバーコート膜(透光絶縁膜)30が
設けられている。そして、この2次元フォトセンサ12
では、その下面側から光がランダムに入射されると、こ
の光は、遮光性電極からなるボトムゲート電極22、ソ
ース電極26及びドレイン電極27の部分以外からなる
透過部を透過するとともに、ボトムゲート電極22によ
って遮光されて半導体層24に直接入射しないようにな
っている。
【0009】この指紋読取装置では、図2において矢印
で示すように、面光源11の上面からランダムに出射さ
れた光が2次元フォトセンサ12の透過部を透過し、こ
の透過光が凹凸検出光学素子13の下面に入射され、こ
の入射光が凹凸検出光学素子13の凸条部15上に密接
された指31を下方からランダムに照射し、凸条部15
の表面で反射された光がその近傍の透明電極からなるト
ップゲート電極29を透過してその下の半導体層24の
ソース電極26及びドレイン電極27間の入射面より入
射される。この場合、凹凸検出光学素子13の下面に入
射された入射光は凸条部15の表面で1〜数回反射(主
として多重反射)され、そして凸条部15の表面に密接
された指31の指紋の凹部(降線)31aに対応する部
分で全反射が生じ、指31の指紋の凸部(隆線)31b
に対応する部分で光が吸収される。
で示すように、面光源11の上面からランダムに出射さ
れた光が2次元フォトセンサ12の透過部を透過し、こ
の透過光が凹凸検出光学素子13の下面に入射され、こ
の入射光が凹凸検出光学素子13の凸条部15上に密接
された指31を下方からランダムに照射し、凸条部15
の表面で反射された光がその近傍の透明電極からなるト
ップゲート電極29を透過してその下の半導体層24の
ソース電極26及びドレイン電極27間の入射面より入
射される。この場合、凹凸検出光学素子13の下面に入
射された入射光は凸条部15の表面で1〜数回反射(主
として多重反射)され、そして凸条部15の表面に密接
された指31の指紋の凹部(降線)31aに対応する部
分で全反射が生じ、指31の指紋の凸部(隆線)31b
に対応する部分で光が吸収される。
【0010】すなわち、面光源11の上面から光がラン
ダムに出射されているので、主として、図2において例
えば符合W1、W2及びW3の矢印で示すように、指31
の指紋の凹部31aに対応する部分における凸条部15
の表面で数回反射されて、その近傍のセンサ部20Aの
半導体層24に入射される。また、図2において例えば
符合W4の矢印で示すように、指31の指紋の凹部31
aに対応する部分における凸条部15の表面で1回反射
されて、その近傍のセンサ部20Aの半導体層24に入
射される光もあるが、このような入射光は少ない。いず
れにしても、指31の指紋の凹部31aに対応する部分
の近傍におけるセンサ部20Aの半導体層24には多く
の光が入射される。一方、図2において例えば符合
B1、B2及びB3の矢印で示すように、指31の指紋の
凸部31bに対応する凸条部15の根元側に入射される
光は、凸条部15の表面で何回か全反射された上、指紋
の凸部31bが接触している部分に達し、その界面で吸
収される。また、図2において例えば符合B4の矢印で
示すように、指31の指紋の凸部31bに対応する凸条
部15の指が接触している部分に直接入射される光はそ
の界面で吸収される。この結果、指31の指紋の凸部3
1bに対応する部分の近傍におけるセンサ部20Bの半
導体層24には光はほとんど入射されない。そして、後
でも説明するが、半導体層24に入射される光量が予め
設定された光量(しきい値)以上である場合には、当該
センサ部20A、20Bによる光検出状態を明状態と
し、それ未満である場合には、当該センサ部20A、2
0Bによる光検出状態を暗状態とする。これにより、指
31の指紋の凹凸に応じた光学的に明暗の強調された画
像が得られ、指31の指紋が読み取られることになる。
ダムに出射されているので、主として、図2において例
えば符合W1、W2及びW3の矢印で示すように、指31
の指紋の凹部31aに対応する部分における凸条部15
の表面で数回反射されて、その近傍のセンサ部20Aの
半導体層24に入射される。また、図2において例えば
符合W4の矢印で示すように、指31の指紋の凹部31
aに対応する部分における凸条部15の表面で1回反射
されて、その近傍のセンサ部20Aの半導体層24に入
射される光もあるが、このような入射光は少ない。いず
れにしても、指31の指紋の凹部31aに対応する部分
の近傍におけるセンサ部20Aの半導体層24には多く
の光が入射される。一方、図2において例えば符合
B1、B2及びB3の矢印で示すように、指31の指紋の
凸部31bに対応する凸条部15の根元側に入射される
光は、凸条部15の表面で何回か全反射された上、指紋
の凸部31bが接触している部分に達し、その界面で吸
収される。また、図2において例えば符合B4の矢印で
示すように、指31の指紋の凸部31bに対応する凸条
部15の指が接触している部分に直接入射される光はそ
の界面で吸収される。この結果、指31の指紋の凸部3
1bに対応する部分の近傍におけるセンサ部20Bの半
導体層24には光はほとんど入射されない。そして、後
でも説明するが、半導体層24に入射される光量が予め
設定された光量(しきい値)以上である場合には、当該
センサ部20A、20Bによる光検出状態を明状態と
し、それ未満である場合には、当該センサ部20A、2
0Bによる光検出状態を暗状態とする。これにより、指
31の指紋の凹凸に応じた光学的に明暗の強調された画
像が得られ、指31の指紋が読み取られることになる。
【0011】このように、この指紋読取装置では、2次
元フォトセンサ12上に、上面に複数の凸条部15を有
する凹凸検出光学素子13を設け、面光源11の上面か
ら光をランダムに出射させても、指31の指紋の凹凸に
応じた光学的に明暗の強調された画像を得ることができ
る。この場合、従来のような光ファイバ集合板を用いて
いないので、指紋読み取りのための光のロスを少なくす
ることができ、また各部品相互の位置合わせ精度を緩和
することができる。
元フォトセンサ12上に、上面に複数の凸条部15を有
する凹凸検出光学素子13を設け、面光源11の上面か
ら光をランダムに出射させても、指31の指紋の凹凸に
応じた光学的に明暗の強調された画像を得ることができ
る。この場合、従来のような光ファイバ集合板を用いて
いないので、指紋読み取りのための光のロスを少なくす
ることができ、また各部品相互の位置合わせ精度を緩和
することができる。
【0012】指紋読み取りのための光のロスの減少につ
いて説明すると、面光源11の上面からランダムに出射
された光のうち、ボトムゲート電極22によって遮光さ
れる光のみが指紋読み取りに寄与せず、それ以外の光は
寄与するので、この寄与する光にロスがほとんど生じな
いようにすることができる。また、面光源11の上面か
ら光をランダムに出射させているので、光利用率を良く
することができる。すなわち、2次元フォトセンサ12
の透明基板21にある程度の厚みがあるので、ボトムゲ
ート電極22下の面光源11の上面からランダムに出射
された光をも指紋読み取り用として利用することができ
る。これに対して、例えば図10に示すように、遮光板
2c下の面光源1の上面から該上面に垂直に出射された
平行光は指紋読み取り用として全く利用することはでき
ない。
いて説明すると、面光源11の上面からランダムに出射
された光のうち、ボトムゲート電極22によって遮光さ
れる光のみが指紋読み取りに寄与せず、それ以外の光は
寄与するので、この寄与する光にロスがほとんど生じな
いようにすることができる。また、面光源11の上面か
ら光をランダムに出射させているので、光利用率を良く
することができる。すなわち、2次元フォトセンサ12
の透明基板21にある程度の厚みがあるので、ボトムゲ
ート電極22下の面光源11の上面からランダムに出射
された光をも指紋読み取り用として利用することができ
る。これに対して、例えば図10に示すように、遮光板
2c下の面光源1の上面から該上面に垂直に出射された
平行光は指紋読み取り用として全く利用することはでき
ない。
【0013】次に、各部品相互の位置合わせ精度の緩和
について説明する。指31の指紋の凹部31aの幅は1
00μm程度であり、凸部31bの幅は200μm程度
である。そこで、一例として、2次元フォトセンサ12
の半導体層24の部分のセンサ部20A、20Bの幅を
10〜30μm程度とし、ピッチを30〜100μm程
度望ましくは50〜80μm程度とすると、指31の指
紋の凹凸のうち幅の小さい方(100μm程度)の凹部
31aに対して、センサ部20A、20Bを1〜3個程
度好ましくは少なくとも1個以上であって2個程度配置
することができる。また、凹凸検出光学素子13の凸条
部15のピッチを2次元フォトセンサ12のセンサ部2
0A、20Bのピッチの1/2以下、例えば1/2〜1
/5程度望ましくは1/2〜1/3程度とする。このよ
うにすると、2次元フォトセンサ12と凹凸検出光学素
子13との位置合わせをほとんど不要とすることができ
る。なお、凹凸検出光学素子13の厚さは30〜200
μm程度とすることができる。
について説明する。指31の指紋の凹部31aの幅は1
00μm程度であり、凸部31bの幅は200μm程度
である。そこで、一例として、2次元フォトセンサ12
の半導体層24の部分のセンサ部20A、20Bの幅を
10〜30μm程度とし、ピッチを30〜100μm程
度望ましくは50〜80μm程度とすると、指31の指
紋の凹凸のうち幅の小さい方(100μm程度)の凹部
31aに対して、センサ部20A、20Bを1〜3個程
度好ましくは少なくとも1個以上であって2個程度配置
することができる。また、凹凸検出光学素子13の凸条
部15のピッチを2次元フォトセンサ12のセンサ部2
0A、20Bのピッチの1/2以下、例えば1/2〜1
/5程度望ましくは1/2〜1/3程度とする。このよ
うにすると、2次元フォトセンサ12と凹凸検出光学素
子13との位置合わせをほとんど不要とすることができ
る。なお、凹凸検出光学素子13の厚さは30〜200
μm程度とすることができる。
【0014】ここで、2次元フォトセンサ12の動作に
ついて説明する。2次元フォトセンサ12の1つのセン
サ部20A、20Bでは、ボトムゲート電極(BG)2
2、半導体層24、ソース電極(S)26及びドレイン
電極(D)27等によってボトムゲート型トランジスタ
が構成され、トップゲート電極(TG)29、半導体層
24、ソース電極(S)26及びドレイン電極(D)2
7等によってトップゲート型トランジスタが構成されて
いる。すなわち、センサ部20A、20Bは、半導体層
24の下側及び上側にそれぞれボトムゲート電極(B
G)22及びトップゲート電極(TG)29が配置され
た光電変換トランジスタによって構成され、その等価回
路は図3のように示すことができる。
ついて説明する。2次元フォトセンサ12の1つのセン
サ部20A、20Bでは、ボトムゲート電極(BG)2
2、半導体層24、ソース電極(S)26及びドレイン
電極(D)27等によってボトムゲート型トランジスタ
が構成され、トップゲート電極(TG)29、半導体層
24、ソース電極(S)26及びドレイン電極(D)2
7等によってトップゲート型トランジスタが構成されて
いる。すなわち、センサ部20A、20Bは、半導体層
24の下側及び上側にそれぞれボトムゲート電極(B
G)22及びトップゲート電極(TG)29が配置され
た光電変換トランジスタによって構成され、その等価回
路は図3のように示すことができる。
【0015】さて、まず、ソース電極(S)−ドレイン
電極(D)間に正電圧(例えば+5V)が印加された状
態において、ボトムゲート電極(BG)に正電圧(例え
ば+10V)が印加されると、半導体層24にチャネル
が形成され、ドレイン電流IDSが流れる。この状態で、
トップゲート電極(TG)にボトムゲート電極(BG)
の電界によるチャネルを消滅させるレベルの負電圧(例
えば−20V)が印加されると、トップゲート電極(T
G)からの電界がボトムゲート電極(BG)の電界によ
るチャネル形成に対してそれを妨げる方向に働き、チャ
ネルがピンチオフされる。このとき、トップゲート電極
(TG)側から半導体層24に光が照射されると、半導
体層24のトップゲート電極(TG)側に電子−正孔対
が誘起される。この電子−正孔対は半導体層24のチャ
ネル領域に蓄積され、トップゲート電極(TG)の電界
を打ち消す。このため、半導体層24にチャネルが形成
され、ドレイン電流IDSが流れる。このドレイン電流I
DSは半導体層24への入射光量に応じて変化する。
電極(D)間に正電圧(例えば+5V)が印加された状
態において、ボトムゲート電極(BG)に正電圧(例え
ば+10V)が印加されると、半導体層24にチャネル
が形成され、ドレイン電流IDSが流れる。この状態で、
トップゲート電極(TG)にボトムゲート電極(BG)
の電界によるチャネルを消滅させるレベルの負電圧(例
えば−20V)が印加されると、トップゲート電極(T
G)からの電界がボトムゲート電極(BG)の電界によ
るチャネル形成に対してそれを妨げる方向に働き、チャ
ネルがピンチオフされる。このとき、トップゲート電極
(TG)側から半導体層24に光が照射されると、半導
体層24のトップゲート電極(TG)側に電子−正孔対
が誘起される。この電子−正孔対は半導体層24のチャ
ネル領域に蓄積され、トップゲート電極(TG)の電界
を打ち消す。このため、半導体層24にチャネルが形成
され、ドレイン電流IDSが流れる。このドレイン電流I
DSは半導体層24への入射光量に応じて変化する。
【0016】このように、この2次元フォトセンサ12
では、トップゲート電極(TG)からの電界がボトムゲ
ート電極(BG)の電界によるチャネル形成に対してそ
れを妨げる方向に働き、チャネルをピンチオフするもの
であるので、光無入射時に流れるドレイン電流IDSを極
めて小さくすることができ、例えば10-14A程度にす
ることができる。このため、光入射時と光無入射時とで
流れるドレイン電流IDSの差を十分大きくすることがで
きる。この結果、上述したように、半導体層24に入射
される光量が予め設定された光量(しきい値)以上であ
る場合には、大きなドレイン電流IDSが流れ、当該セン
サ部20A、20Bによる光検出状態を明状態とし、そ
れ未満である場合には、小さなドレイン電流IDSが流
れ、当該センサ部20A、20Bによる光検出状態を暗
状態とすることができる。これにより、指31の指紋の
凹凸に応じた光学的に明暗の強調された画像が得られ、
指31の指紋が読み取られることになる。
では、トップゲート電極(TG)からの電界がボトムゲ
ート電極(BG)の電界によるチャネル形成に対してそ
れを妨げる方向に働き、チャネルをピンチオフするもの
であるので、光無入射時に流れるドレイン電流IDSを極
めて小さくすることができ、例えば10-14A程度にす
ることができる。このため、光入射時と光無入射時とで
流れるドレイン電流IDSの差を十分大きくすることがで
きる。この結果、上述したように、半導体層24に入射
される光量が予め設定された光量(しきい値)以上であ
る場合には、大きなドレイン電流IDSが流れ、当該セン
サ部20A、20Bによる光検出状態を明状態とし、そ
れ未満である場合には、小さなドレイン電流IDSが流
れ、当該センサ部20A、20Bによる光検出状態を暗
状態とすることができる。これにより、指31の指紋の
凹凸に応じた光学的に明暗の強調された画像が得られ、
指31の指紋が読み取られることになる。
【0017】ところで、この2次元フォトセンサ12で
は、1つのセンサ部20A、20Bにセンサ機能と選択
トランジスタ機能とを兼用させることができる。次に、
これらの機能について簡単に説明する(詳細は特開平6
−132560号公報参照)。ボトムゲート電極(B
G)に正電圧(+10V)が印加された状態において、
トップゲート電極(TG)を例えば0Vにすると、半導
体層24とトップゲート絶縁膜19との間のトラップ準
位から正孔を吐き出させてリフレッシュ、つまりリセッ
トすることができる。すなわち、連続して使用される
と、半導体層24とトップゲート絶縁膜19との間のト
ラップ準位が光照射により発生する正孔とドレイン電極
(D)から注入される正孔とによって埋められていき、
光無入射状態でのチャネル抵抗が小さくなり、光無入射
時にドレイン電流IDSが増加する。そこで、トップゲー
ト電極(TG)を0Vとし、この正孔を吐き出させてリ
セットする。
は、1つのセンサ部20A、20Bにセンサ機能と選択
トランジスタ機能とを兼用させることができる。次に、
これらの機能について簡単に説明する(詳細は特開平6
−132560号公報参照)。ボトムゲート電極(B
G)に正電圧(+10V)が印加された状態において、
トップゲート電極(TG)を例えば0Vにすると、半導
体層24とトップゲート絶縁膜19との間のトラップ準
位から正孔を吐き出させてリフレッシュ、つまりリセッ
トすることができる。すなわち、連続して使用される
と、半導体層24とトップゲート絶縁膜19との間のト
ラップ準位が光照射により発生する正孔とドレイン電極
(D)から注入される正孔とによって埋められていき、
光無入射状態でのチャネル抵抗が小さくなり、光無入射
時にドレイン電流IDSが増加する。そこで、トップゲー
ト電極(TG)を0Vとし、この正孔を吐き出させてリ
セットする。
【0018】また、ボトムゲート電極(BG)に正電圧
が印加されていない場合には、ボトムトランジスタにチ
ャネルが形成されず、光入射が行われても、ドレイン電
流IDSが流れず、非選択状態とすることができる。すな
わち、ボトムゲート電極(BG)に印加する電圧を制御
することにより、選択状態と非選択状態とを制御するこ
とができる。また、非選択状態において、トップゲート
電極(TG)に0Vを印加すると、上記同様に、半導体
層24とトップゲート絶縁膜19との間のトラップ準位
から正孔を吐き出させてリセットすることができる。
が印加されていない場合には、ボトムトランジスタにチ
ャネルが形成されず、光入射が行われても、ドレイン電
流IDSが流れず、非選択状態とすることができる。すな
わち、ボトムゲート電極(BG)に印加する電圧を制御
することにより、選択状態と非選択状態とを制御するこ
とができる。また、非選択状態において、トップゲート
電極(TG)に0Vを印加すると、上記同様に、半導体
層24とトップゲート絶縁膜19との間のトラップ準位
から正孔を吐き出させてリセットすることができる。
【0019】以上の結果、例えば図4に示すように、ト
ップゲート電圧VTGを0Vと−20Vとに制御すること
により、センス状態とリセット状態とを制御することが
できる。また、ボトムゲート電圧VBGを0Vと+10V
とに制御することにより、選択状態と非選択状態とを制
御することができる。すなわち、トップゲート電圧VTG
及びボトムゲート電圧VBGを制御することにより、2次
元フォトセンサ12の1つのセンサ部20A、20Bに
フォトセンサとしての機能と選択トランジスタとしての
機能とを兼ね備えさせることができる。
ップゲート電圧VTGを0Vと−20Vとに制御すること
により、センス状態とリセット状態とを制御することが
できる。また、ボトムゲート電圧VBGを0Vと+10V
とに制御することにより、選択状態と非選択状態とを制
御することができる。すなわち、トップゲート電圧VTG
及びボトムゲート電圧VBGを制御することにより、2次
元フォトセンサ12の1つのセンサ部20A、20Bに
フォトセンサとしての機能と選択トランジスタとしての
機能とを兼ね備えさせることができる。
【0020】ところで、2次元フォトセンサ12のボト
ムゲート絶縁膜23、トップゲート絶縁膜28及びオー
バーコート膜30をCVD法で成膜すると、図5に示す
ように、これらの膜23、28、30の各上面が非平坦
状となる。すなわち、各センサ部20A、20Bの部分
が該センサ部20A、20B間の部分よりも厚くなり、
オーバーコート膜30の表面が非平坦状となる。このよ
うな構造の2次元フォトセンサ12であっても、上記と
同様の効果を得ることができる。また、図1及び図2で
は、凹凸検出光学素子13の凸条部15を、2次元フォ
トセンサ12のセンサ部20A、20Bのピッチの整数
の逆数倍(実施形態では1/3)で配列している。これ
に対して、図5では、凹凸検出光学素子13の凸条部1
5を、2次元フォトセンサ12のセンサ部20A、20
Bのピッチの整数でない数の逆数倍(実施形態では1/
3.5)で配列している。このような構造の凹凸検出光
学素子13であっても、上記と同様の効果を得ることが
できる。さらに、2次元フォトセンサ12の構造が図1
及び図5のいずれに示す場合であっても、オーバーコー
ト膜30の上面に例えばアクリル樹脂を塗布して上面が
平坦な透明層を形成し、この透明層の上面を加工して凸
条部を形成するようにしてもよい。すなわち、2次元フ
ォトセンサ12上に凹凸検出光学素子13を一体に形成
するようにしてもよい。加えて、面光源11の上面に例
えばアクリル樹脂を塗布して、2次元フォトセンサ12
の透明基板(透光ベース層)14を形成することによ
り、面光源11上に2次元フォトセンサ12を一体に形
成するようにしてもよい。
ムゲート絶縁膜23、トップゲート絶縁膜28及びオー
バーコート膜30をCVD法で成膜すると、図5に示す
ように、これらの膜23、28、30の各上面が非平坦
状となる。すなわち、各センサ部20A、20Bの部分
が該センサ部20A、20B間の部分よりも厚くなり、
オーバーコート膜30の表面が非平坦状となる。このよ
うな構造の2次元フォトセンサ12であっても、上記と
同様の効果を得ることができる。また、図1及び図2で
は、凹凸検出光学素子13の凸条部15を、2次元フォ
トセンサ12のセンサ部20A、20Bのピッチの整数
の逆数倍(実施形態では1/3)で配列している。これ
に対して、図5では、凹凸検出光学素子13の凸条部1
5を、2次元フォトセンサ12のセンサ部20A、20
Bのピッチの整数でない数の逆数倍(実施形態では1/
3.5)で配列している。このような構造の凹凸検出光
学素子13であっても、上記と同様の効果を得ることが
できる。さらに、2次元フォトセンサ12の構造が図1
及び図5のいずれに示す場合であっても、オーバーコー
ト膜30の上面に例えばアクリル樹脂を塗布して上面が
平坦な透明層を形成し、この透明層の上面を加工して凸
条部を形成するようにしてもよい。すなわち、2次元フ
ォトセンサ12上に凹凸検出光学素子13を一体に形成
するようにしてもよい。加えて、面光源11の上面に例
えばアクリル樹脂を塗布して、2次元フォトセンサ12
の透明基板(透光ベース層)14を形成することによ
り、面光源11上に2次元フォトセンサ12を一体に形
成するようにしてもよい。
【0021】なお、上記実施形態では、凹凸検出光学素
子13の凸条部15の形状を断面半円形状とした場合に
ついて説明したが、これに限定されるものではない。例
えば、図6(A)〜(D)にそれぞれ示すように、円の
一部からなる断面弓形形状、方物面の一部からなる断面
形状、楕円の一部からなる断面形状、断面直角二等辺三
角形状等としてもよい。また、図7(A)〜(C)にそ
れぞれ示すように、図6(A)〜(C)にそれぞれ示す
凸条部15の頂部を透明層14の下面に平行な平坦面1
5aとしてもよく、また図示していないが、図1に示す
凸条部15の頂部を透明層14の下面に平行な平坦面と
してもよい。また、図7(D)に示すように、図6
(D)に示す凸条部15の頂部を円の一部からなる断面
弓形形状面15bとしてもよい。
子13の凸条部15の形状を断面半円形状とした場合に
ついて説明したが、これに限定されるものではない。例
えば、図6(A)〜(D)にそれぞれ示すように、円の
一部からなる断面弓形形状、方物面の一部からなる断面
形状、楕円の一部からなる断面形状、断面直角二等辺三
角形状等としてもよい。また、図7(A)〜(C)にそ
れぞれ示すように、図6(A)〜(C)にそれぞれ示す
凸条部15の頂部を透明層14の下面に平行な平坦面1
5aとしてもよく、また図示していないが、図1に示す
凸条部15の頂部を透明層14の下面に平行な平坦面と
してもよい。また、図7(D)に示すように、図6
(D)に示す凸条部15の頂部を円の一部からなる断面
弓形形状面15bとしてもよい。
【0022】また、上記実施形態では、凹凸検出光学素
子13を透明層14の上面側に複数の凸条部15を並列
して設けた構造とした場合について説明したが、これに
限定されるものではない。例えば、図8(A)に示すよ
うに、透明層41の上面側に複数の半球形状の凸部(隆
起部)42を千鳥状(2次元状)に設けたものによって
凹凸検出光学素子43を構成するようにしてもよい。ま
た、図示していないが、半球形状に限らず、球の一部か
らなるドーム形状、方物面を所定の軸を中心に回転して
得られたものの一部からなる立体形状、楕円を所定の軸
を中心に回転して得られたものの一部からなる立体形
状、四角錐形状等としてもよい。また、これらの形状に
おいて、頂部を例えば図7(A)〜(D)にそれぞれ示
すようにしてもよい。また、図8(B)に示すように、
コア51をクラッド52で被覆してなる光ファイバ53
を複数並列して板状としたものによって凹凸検出光学素
子54を構成するようにしてもよい。
子13を透明層14の上面側に複数の凸条部15を並列
して設けた構造とした場合について説明したが、これに
限定されるものではない。例えば、図8(A)に示すよ
うに、透明層41の上面側に複数の半球形状の凸部(隆
起部)42を千鳥状(2次元状)に設けたものによって
凹凸検出光学素子43を構成するようにしてもよい。ま
た、図示していないが、半球形状に限らず、球の一部か
らなるドーム形状、方物面を所定の軸を中心に回転して
得られたものの一部からなる立体形状、楕円を所定の軸
を中心に回転して得られたものの一部からなる立体形
状、四角錐形状等としてもよい。また、これらの形状に
おいて、頂部を例えば図7(A)〜(D)にそれぞれ示
すようにしてもよい。また、図8(B)に示すように、
コア51をクラッド52で被覆してなる光ファイバ53
を複数並列して板状としたものによって凹凸検出光学素
子54を構成するようにしてもよい。
【0023】さらに、上記実施形態では、凹凸検出光学
素子13の上面側を凹凸形状とした場合について説明し
たが、これに限定されるものではない。例えば、図9に
示すように、アクリル樹脂やガラス等からなる透明板6
1の上面に屈折率の異なる複数の層からなる高反射層6
2が設けられたものによって凹凸検出光学素子63を構
成するようにしてもよい。このうち高反射層62は、一
例として、酸化アルミニウム層、酸化亜鉛層またはフッ
化マグネシウム層等の屈折率の異なる2種類の透明薄膜
層62a、62bを透明板61の上面に蒸着や塗布等に
よって交互に設けた構造となっている。高反射層62の
各透明薄膜層62a、62b、62aの厚さは数十〜数
百Å程度とされ、一般に知られているように、各透明薄
膜層62a、62b、62aの境界面での反射光が透明
板61にて共振することにより反射光を増加するもので
ある。そして、図2において説明した場合と同様に、高
反射層62の上面に密接された指の指紋の凹部に対応す
る部分で反射された光が、透明板61の下面に密着して
配置された2次元フォトセンサ12のセンサ部20A、
20Bに照射され、指の指紋の凸部に対応する部分に入
射された光が吸収され、これにより指の指紋の凹凸に応
じて光学的に明暗の強調された画像が得られ、指の指紋
が読み取られることになる。なお、透明板61の下面に
低反射層を設けるようにしてもよい。
素子13の上面側を凹凸形状とした場合について説明し
たが、これに限定されるものではない。例えば、図9に
示すように、アクリル樹脂やガラス等からなる透明板6
1の上面に屈折率の異なる複数の層からなる高反射層6
2が設けられたものによって凹凸検出光学素子63を構
成するようにしてもよい。このうち高反射層62は、一
例として、酸化アルミニウム層、酸化亜鉛層またはフッ
化マグネシウム層等の屈折率の異なる2種類の透明薄膜
層62a、62bを透明板61の上面に蒸着や塗布等に
よって交互に設けた構造となっている。高反射層62の
各透明薄膜層62a、62b、62aの厚さは数十〜数
百Å程度とされ、一般に知られているように、各透明薄
膜層62a、62b、62aの境界面での反射光が透明
板61にて共振することにより反射光を増加するもので
ある。そして、図2において説明した場合と同様に、高
反射層62の上面に密接された指の指紋の凹部に対応す
る部分で反射された光が、透明板61の下面に密着して
配置された2次元フォトセンサ12のセンサ部20A、
20Bに照射され、指の指紋の凸部に対応する部分に入
射された光が吸収され、これにより指の指紋の凹凸に応
じて光学的に明暗の強調された画像が得られ、指の指紋
が読み取られることになる。なお、透明板61の下面に
低反射層を設けるようにしてもよい。
【0024】なお、上記実施形態では、この発明を2次
元フォトセンサを備えた読取装置に適用した場合につい
て説明したが、これに限らず、1次元フォトセンサを備
えた読取装置にも適用することができる。
元フォトセンサを備えた読取装置に適用した場合につい
て説明したが、これに限らず、1次元フォトセンサを備
えた読取装置にも適用することができる。
【0025】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、フォトセンサ上に、少なくとも上面に所定の条件の
複数の***部を有する凹凸検出光学素子または上面側に
高反射層を有する凹凸検出光学素子を設け、従来のよう
な光ファイバ集合板を用いていないので、指紋等の読み
取りのための光のロスを少なくすることができ、また各
部品相互の位置合わせ精度を緩和することができる。
ば、フォトセンサ上に、少なくとも上面に所定の条件の
複数の***部を有する凹凸検出光学素子または上面側に
高反射層を有する凹凸検出光学素子を設け、従来のよう
な光ファイバ集合板を用いていないので、指紋等の読み
取りのための光のロスを少なくすることができ、また各
部品相互の位置合わせ精度を緩和することができる。
【図1】この発明の一実施形態における読取装置の要部
の断面図。
の断面図。
【図2】図1に示す読取装置において指の指紋の読み取
りを説明するために示す断面図。
りを説明するために示す断面図。
【図3】図1に示すセンサ部の等価回路図。
【図4】(A)〜(D)はそれぞれ図3に示すセンサ部
の各電極に印加する電圧とその状態の変化を説明するた
めに示す図。
の各電極に印加する電圧とその状態の変化を説明するた
めに示す図。
【図5】この発明の他の実施形態における読取装置の要
部の断面図。
部の断面図。
【図6】(A)〜(D)はそれぞれ凹凸検出光学素子の
各変形例を説明するために示す図。
各変形例を説明するために示す図。
【図7】(A)〜(D)はそれぞれ凹凸検出光学素子の
他の各変形例を説明するために示す図。
他の各変形例を説明するために示す図。
【図8】(A)、(B)はそれぞれ凹凸検出光学素子の
さらに他の各変形例を説明するために示す図。
さらに他の各変形例を説明するために示す図。
【図9】凹凸検出光学素子のさらに他の変形例を説明す
るために示す図。
るために示す図。
【図10】従来の読取装置の一例の断面図。
【符号の説明】 11 面光源 12 2次元フォトセンサ 13 凹凸検出光学素子 15 凸条部 20A、20B センサ部
Claims (17)
- 【請求項1】 凹部及び凸部を有する被読取体の前記凹
部または凸部の形状または位置を読み取る読取装置であ
って、面光源と、この面光源上に設けられ、透光ベース
層、この透光ベース層上に形成された複数のセンサ部、
及び少なくとも前記センサ部間の前記透光ベース層を覆
う透光絶縁膜を有するフォトセンサと、このフォトセン
サ上に設けられ、少なくとも上面に、前記センサ部のピ
ッチよりも小さいピッチで配列された複数の***部を有
する凹凸検出光学素子とを具備し、前記面光源から出射
され、前記凹凸検出光学素子の各***部に斜め下方から
入射される光を、前記各***部で主として多重反射させ
て前記各センサ部に入射させることを特徴とする読取装
置。 - 【請求項2】 請求項1記載の発明において、前記フォ
トセンサは、センサ部が2次元状に配列された2次元フ
ォトセンサからなることを特徴とする読取装置。 - 【請求項3】 請求項1または2記載の発明において、
前記フォトセンサの各センサ部は、前記面光源側に遮光
性を有する材料からなる第1ゲート電極が配置され、前
記凹凸検出光学素子側に透光性を有する材料からなる第
2ゲート電極が配置された光電変換トランジスタによっ
て構成されていることを特徴とする読取装置。 - 【請求項4】 請求項1〜3のいずれかに記載の発明に
おいて、前記フォトセンサは、各センサ部の部分が該セ
ンサ部間の部分よりも厚くて、表面が非平坦状となって
いることを特徴とする読取装置。 - 【請求項5】 請求項1〜3のいずれかに記載の発明に
おいて、前記凹凸検出光学素子は前記フォトセンサ上に
一体に形成されていることを特徴とする読取装置。 - 【請求項6】 請求項1〜5のいずれかに記載の発明に
おいて、前記凹凸検出光学素子の各***部は、断面が曲
面状の棒状であって並列されていることを特徴とする読
取装置。 - 【請求項7】 請求項1〜5のいずれかに記載の発明に
おいて、前記凹凸検出光学素子の各***部は、表面が曲
面状であって2次元状に配列されていることを特徴とす
る読取装置。 - 【請求項8】 請求項1〜7のいずれかに記載の発明に
おいて、前記フォトセンサのセンサ部は前記凹凸検出光
学素子の***部のピッチの整数倍で配列されていること
を特徴とする読取装置。 - 【請求項9】 請求項1〜7のいずれかに記載の発明に
おいて、前記フォトセンサのセンサ部は前記凹凸検出光
学素子の***部のピッチの非整数倍で配列されているこ
とを特徴とする読取装置。 - 【請求項10】 請求項1〜9のいずれかに記載の発明
において、前記凹凸検出光学素子の***部は透光性材料
のみで形成されていることを特徴とする読取装置。 - 【請求項11】 請求項1〜10のいずれかに記載の発
明において、前記凹凸検出光学素子の厚さは30〜20
0μm程度であることを特徴とする読取装置。 - 【請求項12】 請求項1〜4のいずれかに記載の発明
において、前記凹凸検出光学素子は複数の光ファイバを
並列して板状としたものからなることを特徴とする読取
装置。 - 【請求項13】 凹部及び凸部を有する被読取体の前記
凹部または凸部の形状または位置を読み取る読取装置で
あって、面光源と、この面光源上に設けられ、透光ベー
ス層、この透光ベース層上に形成された複数のセンサ
部、及び少なくとも前記センサ部間の前記透光ベース層
を覆う透光絶縁膜を有するフォトセンサと、このフォト
センサ上に設けられ、上面側に高反射層を有する凹凸検
出光学素子とを具備することを特徴とする読取装置。 - 【請求項14】 請求項13記載の発明において、前記
フォトセンサは、センサ部が2次元状に配列された2次
元フォトセンサからなることを特徴とする読取装置。 - 【請求項15】 請求項13または14記載の発明にお
いて、前記フォトセンサの各センサ部は、前記面光源側
に遮光性を有する材料からなる第1ゲート電極が配置さ
れ、前記凹凸検出光学素子側に透光性を有する材料から
なる第2ゲート電極が配置された光電変換トランジスタ
によって構成されていることを特徴とする読取装置。 - 【請求項16】 請求項13〜15のいずれかに記載の
発明において、前記フォトセンサは、各センサ部が該セ
ンサ部間よりも厚くて、表面が非平坦状となっているこ
とを特徴とする読取装置。 - 【請求項17】 請求項13〜16のいずれかに記載の
発明において、前記高反射層は屈折率の異なる複数の層
からなることを特徴とする読取装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9222018A JPH1153523A (ja) | 1997-08-05 | 1997-08-05 | 読取装置 |
US09/128,237 US6310683B1 (en) | 1997-08-05 | 1998-08-03 | Apparatus for reading fingerprint |
EP98114668A EP0901093A3 (en) | 1997-08-05 | 1998-08-04 | Image acquisition apparatus |
KR1019980031761A KR100306293B1 (ko) | 1997-08-05 | 1998-08-04 | 판독장치 |
CN98103487A CN1209612A (zh) | 1997-08-05 | 1998-08-05 | 用于读取指纹的装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9222018A JPH1153523A (ja) | 1997-08-05 | 1997-08-05 | 読取装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1153523A true JPH1153523A (ja) | 1999-02-26 |
Family
ID=16775823
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9222018A Pending JPH1153523A (ja) | 1997-08-05 | 1997-08-05 | 読取装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1153523A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100862916B1 (ko) | 2007-02-05 | 2008-10-13 | 주식회사 유니온커뮤니티 | 이중 지문인식 장치 및 그 방법 |
JP2009204499A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Casio Comput Co Ltd | 生体高分子分析チップ |
US7809255B2 (en) | 2006-04-11 | 2010-10-05 | Nec Electronics Corporation | Solid state imaging device |
US10817696B2 (en) | 2018-03-06 | 2020-10-27 | Samsung Display Co., Ltd. | Fingerprint sensor package and display device including the same |
-
1997
- 1997-08-05 JP JP9222018A patent/JPH1153523A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7809255B2 (en) | 2006-04-11 | 2010-10-05 | Nec Electronics Corporation | Solid state imaging device |
KR100862916B1 (ko) | 2007-02-05 | 2008-10-13 | 주식회사 유니온커뮤니티 | 이중 지문인식 장치 및 그 방법 |
JP2009204499A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Casio Comput Co Ltd | 生体高分子分析チップ |
US10817696B2 (en) | 2018-03-06 | 2020-10-27 | Samsung Display Co., Ltd. | Fingerprint sensor package and display device including the same |
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