JPH115185A - レーザ加工装置 - Google Patents

レーザ加工装置

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JPH115185A
JPH115185A JP9167868A JP16786897A JPH115185A JP H115185 A JPH115185 A JP H115185A JP 9167868 A JP9167868 A JP 9167868A JP 16786897 A JP16786897 A JP 16786897A JP H115185 A JPH115185 A JP H115185A
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JP
Japan
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laser
light
stage
processing
light source
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JP9167868A
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English (en)
Inventor
Norio Yoshida
典夫 吉田
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Nikon Corp
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Nikon Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高調波のレーザ光を用いた場合にも、加工レ
ーザのビーム位置を安定的にかつ高精度で検出すること
ができるレーザ加工装置を提供する。 【解決手段】 本レーザ加工装置は、パルスレーザの加
工光源1と、該光源から出射されたパルスレーザ光を被
加工部位に集光する照射光学系を有する。また、被加工
物8を走査するステージ11と、該ステージ上に設置さ
れた計測用パターン9を有する。さらに、該計測用パタ
ーン9からの反射光を検出するセンサ6と、ステージ位
置検出器10及び該センサ6からの信号を入力されて、
レーザ光のビーム位置を算出するビーム位置算出部17
を備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光を被加工
物に集光させて加工するレーザ加工装置に関する。特に
は、半導体デバイスの製造プロセス等において用いるの
に好適な、加工レーザのビーム位置を安定的かつ高精度
に検出することができ、加工精度の優れたレーザ加工装
置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体デバイスにおけるヒューズ加工を
例にとって説明する。半導体デバイスにおいては、ヒュ
ーズと呼ばれるレーザ光切断を予定した配線部分が設け
られることがある。例えばDRAMにおいては、設計・
製造時に各メモリセル列にヒューズを付設しておくとと
もに予備のメモリセル列を配置しておき、検査時に不良
が判明したメモリセル列のヒューズを切断することによ
り該セル列をデバイス中で隔離するとともに、予備のメ
モリセル列を不良列のアドレスに指定するためのヒュー
ズを切断することにより予備列に代替させ、DRAMの
歩留り向上を図っている(特開平1−224189号参
照)。また、ゲートアレイにおいては、プログラムリン
クと呼ばれる回路中のヒューズの一部を切断し一部を選
択的に残すことにより、特定のプログラムをデバイス中
に造り込むことが行われている。前者をレーザリペア、
後者をレーザトリミングと呼ぶ。
【0003】このような半導体デバイス中のヒューズ
は、一般的に、ポリシリコンやアルミニウムからなる細
い線(幅0.8〜1.5μm 、厚0.3〜1.0μm 、
切断部長さ3〜10μm )である。このヒューズにYA
Gレーザ等の加工レーザ光源からのレーザ光を集光させ
て照射し、ヒューズを構成する物質を光エネルギによっ
て昇温蒸発させて除去することによりヒューズを切断す
る。なお、ヒューズは、通常、透明なSiO2 膜(0.
2〜0.5μm )の下に形成されている。切断すべきヒ
ューズの位置データについては、不良部分を検査する別
装置であるテスターからのデータが、オンライン通信や
FDなどのメディアを介してレーザリペア装置に入力さ
れる。レーザリペア装置では、ウェハをX−Yテーブル
上に載置して位置決めし、切断すべきヒューズの位置を
レーザ光の集光点に自動的に位置合わせしながらヒュー
ズを順次切断する。
【0004】このようなレーザ加工装置におけるビーム
の位置は、基本的には照射光学系の光軸と同じ位置であ
る。しかし、アライメントレーザ光との位置関係が、温
度等各種条件により変化し、その結果ビーム位置と被加
工部位が数μm 程度変動することがある。上述の半導体
デバイスにおけるヒューズ加工のような高精度を要する
加工では、ビーム位置を計測してそのズレを補正した上
で、被加工部位がぴったりとビーム位置に来るようにウ
ェハステージを位置決めする必要がある。
【0005】従来、このビーム位置計測は、金属の蒸着
膜からなる計測用パターンをステージ上に配置してお
き、この計測用パターンを連続光の加工レーザ光に対し
てスキャンさせ、パターンから反射する光を検出し、こ
の反射光信号とステージの位置信号を処理してビーム位
置を求めていた。信号処理のロジックは、ステージ位置
(座標)をパラメータとして反射光の強度を信号波形と
して描き、この波形をある閾値(スライスレベル)で切
り、波形と閾値と交点を2カ所(立上り、立下り)求
め、その交点の中間点をビーム(中心位置)としてい
た。
【0006】ところで、レーザ加工装置において、加工
レーザ光を高調波とするために光学系に非線形結晶素子
を組み込むことがあった。例えばYAGレーザの本来の
波長である1,064nm(赤外光)を2倍高調波として
波長532nm(可視光)としたり、3倍又は4倍高調波
として波長355nm又は266nm(紫外光)とすること
があった。このように高調波とするのは、波長を短くす
ることによりビーム径を小さくすることができ、加工ヒ
ューズの微細化に対応することが可能になるためであ
る。なお、短波長レーザとしては、KrFレーザ等のエ
キシマレーザを用いることも考えられるが、エキシマレ
ーザではガスを用いているため、装置のメンテナンスが
大変である。それに対して、YAGレーザ等を高周波変
調して用いれば装置のメンテナンスが楽という利点があ
る。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところが、高調波の連
続光レーザ光は、非線系結晶素子による高調波への変換
効率が極端に悪いので、レーザ出力が極端に小さくな
る。そのため、反射光が弱くなってパターン位置検出信
号のS/N比が下がり、ビーム位置の高精度測定が困難
になるという問題点があった。
【0008】本発明は、高調波のレーザ光を用いた場合
にも、加工レーザのビーム位置を安定的にかつ高精度で
検出することができ、加工精度の優れたレーザ加工装置
を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明のレーザ加工装置は、 パルスレーザの加工
光源と、 該光源から出射されたパルスレーザ光を被加
工部位に集光する照射光学系と、 被加工物をパルスレ
ーザ光に対して走査するステージと、 該ステージの位
置検出器と、 該ステージ上であって、上記被加工部位
と実質的に同一の走査平面上に設置された、レーザ光を
反射する計測用パターンと、 該計測用パターンからの
反射光を検出するセンサと、 上記ステージ位置検出器
及び該センサからの信号を入力されて、レーザ光の集光
点(ビーム位置)を算出するビーム位置算出部と、 を
備えることを特徴とする。
【0010】連続光ではなくパルスレーザを使用するこ
とでS/N比の高い反射光信号が得られる。そしてこの
信号から信号波形の近似曲線を導出する等の処理を行
い、その後は従来同様に処理することによりビーム位置
を精度良く計測することができる。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ説明す
る。図1は、本発明の1実施例に係るレーザ加工装置の
全体構成を示すブロック図である。図1のレーザ加工装
置は、加工レーザ光源1、可変アパーチャ3、対物レン
ズ7等からなる加工レーザ照射光学系と、観察光源1
4、対物レンズ7、CCDカメラ15等からなる観察光
学系とを有する。加工レーザ光源1は、YAGレーザ等
のレーザ光源であり、出口部に非線形結晶素子1aを組
み込んで高調波としてある。
【0012】加工レーザ光源1から出射されたレーザ光
L1は、光量可変部2に入射する。光量可変部2には、
透過率の異なる複数のNDフィルタが装備されており、
これらのフィルタを選択的に光路に介在させることによ
りレーザ光量が調整される。光量可変部2を出たレーザ
光は、可変アパーチャ3に入射し、同アパーチャ3で断
面形状が整形される。光量可変部2及び可変アパーチャ
3は、いずれも制御部12にコントロールされる。
【0013】可変アパーチャ3を出たレーザ光は、加工
光学系と観察光学系の光軸の交点に配置されているダイ
クロイックミラー4に当って下方に反射される。ダイク
ロイックミラー4から反射したレーザ光は、ダイクロイ
ックミラー4の下に配置されているハーフミラー5を通
過し、次に対物レンズ7に入射し、同レンズ7によって
被加工物(ウェハ)8上の加工点に集光される。
【0014】被加工物であるウェハ8は、ステージ11
上に載置されている。ステージ11は、制御部12の指
令によって、光軸方向(Z方向)及び光軸直角面内
(X、Y、θ方向)において走査される。なお、加工レ
ーザ光のフォーカス調整はステージ11のZ方向移動に
より行う。ステージ11の位置は、干渉測長計であるス
テージ位置検出器10によって±0.05μm の高精度
で測定される。
【0015】ステージ11の左端部にはエネルギメータ
18が置かれている。エネルギメータ18にレーザビー
ムを当ててレーザエネルギがモニタされ、制御部12
は、予めわかっている被加工物8に適切な所定のエネル
ギになるように光量可変部2を調整し照射エネルギの設
定を行う。
【0016】次に、図1のレーザ加工装置における観察
光学系について説明する。このレーザ加工装置は、ハロ
ゲンランプ等の観察光源14を備える。同光源14から
出射された観察光L2は、ハーフミラー13に当って下
方に反射され、前述のダイクロイックミラー4、ハーフ
ミラー5及び対物レンズ7を通って被加工物8を照明す
る。被加工物8から反射した観察光は、対物レンズ7、
ハーフミラー5、ダイクロイックミラー4、ハーフミラ
ー13を通過してCCDカメラ15の光電変換面に達
し、同面に被加工物表面の像を結像する。被加工物表面
の像はTVモニタ16に表示されるとともに、図示せぬ
画像処理装置で処理されてアライメント等の用に供され
る。
【0017】次にレーザ照射位置(ビーム位置)の測定
について説明する。前述のハーフミラー5の右方にはビ
ーム位置測定用の光量センサ6が配置されている。この
光量センサ6は、加工レーザ光の反射光を、対物レンズ
7及びハーフミラー5を介して受け、その光量を検出す
る。また、ステージ11の右端部上面には計測用パター
ン9が配置されている。計測用パターン9のステージ1
1上の高さは被加工物8の上面(被加工面)の高さと同
じである。すなわち、計測用パターン9は、被加工面と
Z方向高さの等しい同一走査平面上にある。
【0018】ビーム位置測定におけるビーム走査につい
て説明する。まず、ステージ11を駆動させ、計測用パ
ターン9に加工ビームが照射されるように、同パターン
9を対物レンズの下に移動する。次に加工レーザ光源1
からパルスレーザを発振させながら、ステージ11を動
かしてレーザ加工ビームに対して計測用パターン9を
X、Y方向にスキャンさせる。その反射光は、対物レン
ズ7、ハーフミラー5を介して光量センサ6に入射し、
反射光の光量がモニタされる。また、この時のステージ
11の位置もステージ位置検出器10によってモニタさ
れる。これらのセンサと検出器の反射光信号及びステー
ジ位置信号は、制御部12内のビーム位置算出部17に
送られる。
【0019】図2に、加工用レーザに対し計測用パター
ン9をスキャンしたときの出力信号波形及びビーム位置
の算出手法の例を説明するためのグラフを示す。各グラ
フにおいて、横軸はステージ位置、縦軸は反射光光量を
示す。図2(a)は、光量の棒グラフである。ビームと
パターンとが重なり始めた位置で光量が立ち上がり、両
者が完全に合致している範囲でフラットな最大光量が得
られ、重なりが少なくなると光量が下がっている。
【0020】次に、図2(a)の棒グラフのピーク値を
プロットしたのが図2(b)である。なお、このような
グラフが実際にビーム位置算出部17で描かれる訳では
なく、光量センサ6よりの信号はA/D変換され数値的
な処理が施され、ここで説明するロジックに基づいてビ
ーム位置を求める。
【0021】図2(c)は、図2(b)のピーク値の立
ち上がり部分を拡大して示す。ここでは立ち上がり部に
おける6点のピーク値がプロットされている。さらに、
それらの6点をつなぐ近似曲線51が実線で描かれてい
る。この近似曲線51の決定の仕方は次のとおりであ
る。近似曲線は次数nとすると以下の式で表わされる。 y=ann +an-1n-1 +………+ax+b (n≧2) したがって、an 、an-1 ………a、bの未知の値を求
めるには、以下のようにn+1個のサンプルが必要であ
る。 (例)
【0022】次に、この近似曲線51とスライスレベル
(閾値)53との交点を求める。スライスレベル53の
光量は、計測用パターンから反射される最大光量の50
%程度に設定する。そして、その交点の座標位置X1を
読み取る。
【0023】図2(d)は、立ち上がり部・立ち下がり
部の近似曲線を含む信号波形である。ここで、立ち下が
り部の近似曲線55の求め方は、前述の立ち上がり部の
近似曲線51の求め方と同じである。近似曲線55とス
ライスレベル53との交点の座標位置はX2である。次
に、X=(X1+X2)÷2で信号波形の中心の座標位
置Xを求め、これをビーム位置とする。なお、このよう
な操作をY座標についても行いビーム位置の算出を完了
する。次に、ビーム位置とウェハステージとの座標補正
を行った後、切断すべきヒューズの位置をレーザ光の集
光点に自動的に位置合わせしながらヒューズを順次切断
する。
【0024】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、高調波のレーザ光を用いた場合にも加工レー
ザのビーム位置を安定的にかつ高精度で検出することが
でき、加工精度の優れたレーザ加工装置を提供すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の1実施例に係るレーザ加工装置の全体
構成を示すブロック図である。
【図2】加工用レーザビームに対し計測用パターンをス
キャンしたときの出力信号波形の例、及び、ビーム位置
の算出手法の例を示すグラフである。
【符号の説明】
1 レーザ光源 1a 非線形結晶
素子 2 光量可変部 3 可変アパーチ
ャ 4 ダイクロイックミラー 5 ハーフミラー 6 光量センサ 7 対物レンズ 8 被加工物 9 計測用パター
ン 10 ステージ位置検出器 11 ステージ 12 制御部 13 ハーフミラ
ー 14 観察光源 15 CCDカメ
ラ 16 TVモニタ 17 ビーム位置
算出部 51、55 近似曲線 53 スライスレ
ベル(閾値)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 パルスレーザの加工光源と、 該光源から出射されたパルスレーザ光を被加工部位に集
    光する照射光学系と、 被加工物をパルスレーザ光に対して走査するステージ
    と、 該ステージの位置検出器と、 該ステージ上であって、上記被加工部位と実質的に同一
    の走査平面上に設置された、レーザ光を反射する計測用
    パターンと、 該計測用パターンからの反射光を検出するセンサと、 上記ステージ位置検出器及び上記センサからの信号を入
    力されて、レーザ光の集光点(ビーム位置)を算出する
    ビーム位置算出部と、 を備えることを特徴とするレーザ加工装置。
JP9167868A 1997-06-11 1997-06-11 レーザ加工装置 Pending JPH115185A (ja)

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