JPH1151795A - Semiconductor pressure sensor and its manufacture - Google Patents

Semiconductor pressure sensor and its manufacture

Info

Publication number
JPH1151795A
JPH1151795A JP22561497A JP22561497A JPH1151795A JP H1151795 A JPH1151795 A JP H1151795A JP 22561497 A JP22561497 A JP 22561497A JP 22561497 A JP22561497 A JP 22561497A JP H1151795 A JPH1151795 A JP H1151795A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pressure sensor
semiconductor pressure
housing
ceramic pedestal
pin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP22561497A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masaru Oi
優 大井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Saginomiya Seisakusho Inc
Original Assignee
Saginomiya Seisakusho Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Saginomiya Seisakusho Inc filed Critical Saginomiya Seisakusho Inc
Priority to JP22561497A priority Critical patent/JPH1151795A/en
Publication of JPH1151795A publication Critical patent/JPH1151795A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor pressure sensor which is small, whose structure is simple, which can be manufactured easily, which is low-cost whose pressure-resistant strength is excellent and which is operated stably for a long period and to provide its manufacturing method. SOLUTION: A semiconductor pressure sensor is constituted of a cylindrical housing 1, a ceramic pedestal 4 which is placed on the housing and which is provided with pin insertion and passage holes 3, a semiconductor pressure sensor element 7 which is fixed to the ceramic pedestal, lead pins 5 which are passed through the pin insertion and passage holes and which are connected to the semiconductor pressure sensor element by lead wires 8 and an epoxy resin which fills a gap between the ceramic pedestal and the inner circumference of the housing and gaps between the pin insertion and passage holes and the lead pins. In this case, the epoxy resin is filled into the gaps between the pin insertion and passage holes and the lead pins and the gap between the ceramic pedestal and the inner circumference of the housing. The semiconductor pressure sensor element is fixed onto the ceramic pedestal. Tips of the lead pins are connected by the lead wires. Thereby, the semiconductor pressure sensor is manufactured.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、高圧状態での使用
に適する半導体圧力センサ及びその製作方法に関し、特
に圧力センサの圧力検知部の取り付け部分の改良に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor pressure sensor suitable for use in a high pressure state and a method for manufacturing the same, and more particularly to an improvement in a mounting portion of a pressure sensor of a pressure sensor.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体圧力センサは、シリコン等の半導
体チップで形成されたダイヤフラムの表面にピエゾ抵抗
層を設け、ダイヤフラムに加わる圧力をピエゾ抵抗層の
比抵抗の変化を利用して電気信号に変換するもので、コ
ンプレッサを利用するエアコン、あるいは冷蔵庫等の家
電用、車両用エアコンの冷媒圧力検出用として、また、
油圧機械の油圧検知用、土木機械、トラック等のパワス
テアリングやブレーキオイル圧力検知用として、さらに
は、医療用、工業計測用等、広い分野で使用されてい
る。
2. Description of the Related Art In a semiconductor pressure sensor, a piezoresistive layer is provided on the surface of a diaphragm formed of a semiconductor chip such as silicon, and the pressure applied to the diaphragm is converted into an electric signal using a change in the specific resistance of the piezoresistive layer. Air conditioners using compressors, or for home appliances such as refrigerators, for detecting the refrigerant pressure of vehicle air conditioners,
It is used in a wide range of fields, such as for hydraulic pressure detection of hydraulic machines, power steering of civil engineering machines, trucks and the like, and brake oil pressure detection, as well as for medical use and industrial measurement.

【0003】このような半導体圧力センサとしては、図
5に示すように、ハウジング30内の台座31上に半導
体圧力センサ素子32を収納し、ハウジング30に設け
た複数本の通孔33から挿通したリードピン34に半導
体圧力センサ32とリード線35で接続する一方、リー
ドピン34と通孔33との間にガラス粉を入れ、加熱し
て溶融し、ハーメッチックシール36を形成して絶縁部
を構成し、ハウジング30の上部をダイヤフラム37で
覆い、内部にオイルを充填している。このような半導体
圧力センサ38においては、ダイヤフラムの表面側の流
体の圧力によってダイヤフラム内のシリコンオイルを介
して半導体圧力センサ素子にその圧力が伝達され、流体
の絶対圧力として測定される。
As such a semiconductor pressure sensor, as shown in FIG. 5, a semiconductor pressure sensor element 32 is housed on a pedestal 31 in a housing 30 and inserted through a plurality of through holes 33 provided in the housing 30. While connecting the semiconductor pressure sensor 32 and the lead wire 35 to the lead pin 34, glass powder is put between the lead pin 34 and the through hole 33, heated and melted, and a hermetic seal 36 is formed to form an insulating portion. Then, the upper part of the housing 30 is covered with a diaphragm 37, and the inside is filled with oil. In such a semiconductor pressure sensor 38, the pressure of the fluid on the surface side of the diaphragm is transmitted to the semiconductor pressure sensor element via the silicon oil in the diaphragm, and is measured as the absolute pressure of the fluid.

【0004】また、例えば図6に示すように、図5に示
すものとは異なり、ダイヤフラム及びその中に充填する
シリコンオイルを用いることなく、ハウジング30と台
座31を下方から貫通する導通孔40を設け、半導体圧
力センサ素子32の下面に導通させ、半導体圧力センサ
素子の上面と下面の流体の圧力差を検出し、流体の相対
圧力を測定するようにしたものも存在する。
Further, as shown in FIG. 6, for example, unlike the one shown in FIG. 5, a conduction hole 40 penetrating from below through the housing 30 and the pedestal 31 without using a diaphragm and silicone oil filled therein is used. There is also an apparatus which is provided so as to be electrically connected to the lower surface of the semiconductor pressure sensor element 32, detects the pressure difference between the fluid on the upper surface and the lower surface of the semiconductor pressure sensor element, and measures the relative pressure of the fluid.

【0005】一方、半導体圧力センサとして、上記のも
の以外に、図7に示すように、円筒状のハウジング41
内の底部に予めリードピン42を通した状態でガラス粉
を溶融して封止部43を形成し、この封止部に直接台座
44を固定し、半導体圧力センサ素子45を載せ、以下
図5に示す従来のものと同様の構成によって絶対圧力測
定型半導体圧力センサとしたものも存在する。更に図8
に示すように、図5と図6の圧力センサの相違と同様の
相違によって相対圧力測定型圧力センサとしたものも存
在する。
On the other hand, in addition to the semiconductor pressure sensor described above, a cylindrical housing 41 as shown in FIG.
The glass powder is melted in advance with the lead pin 42 passed through the bottom of the inside to form a sealing portion 43, and the pedestal 44 is directly fixed to the sealing portion, and the semiconductor pressure sensor element 45 is placed thereon. There is also an absolute pressure measurement type semiconductor pressure sensor having a configuration similar to the conventional one shown. Further FIG.
As shown in FIG. 5, there is a pressure sensor of the relative pressure measurement type with the same difference as the difference between the pressure sensors of FIGS.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】上記従来のものにおい
て、図5及び図6に示すような半導体圧力センサにおい
ては、いずれも、ハウジングにリードピンを通して半導
体圧力センサ素子とリード線で接続するに際して、ハウ
ジングに設けた通孔からリードピンを通し、リードピン
と通孔との間にガラス粉末を入れ、加熱して溶融し、ハ
ーメッチックシールを形成して絶縁部を構成している。
したがって、この半導体圧力センサは高圧に耐えること
ができる反面、ハーメチックシールの形成時に高温の熱
処理を行わなければならず、その際に生じるリードピン
の酸化膜の除去作業、あるいはリードピンに対しては予
めメッキを施しておくことができないので、熱処理をし
た後でメッキを施さなければならず、作業に手間がかか
り全体として高価なものとならざるを得なかった。
In the conventional semiconductor pressure sensors as shown in FIGS. 5 and 6, when connecting the semiconductor pressure sensor element to the semiconductor pressure sensor element by a lead wire through a lead pin in the housing, both of the semiconductor pressure sensors have the same structure. A lead pin is passed through the through hole provided in the above, glass powder is put between the lead pin and the through hole, heated and melted, and a hermetic seal is formed to form an insulating portion.
Therefore, while this semiconductor pressure sensor can withstand high pressure, it must be subjected to high-temperature heat treatment when forming a hermetic seal. Therefore, plating must be performed after the heat treatment, and the work is troublesome and has to be expensive as a whole.

【0007】一方、図7及び図8に示すような半導体圧
力センサにおいては、ガラス部分と周囲のステンレス鋼
等から成るハウジングとの熱膨張率の相違によって次第
に隙間を生じやすく、この隙間から圧力漏れを生じたり
内部のオイルが漏れる等の問題を生じることがあり、更
に、全体が大型化すると共に高価なものとならざるを得
なかった。
On the other hand, in a semiconductor pressure sensor as shown in FIGS. 7 and 8, a gap is easily formed due to a difference in thermal expansion coefficient between a glass portion and a surrounding housing made of stainless steel or the like. This may cause problems such as the occurrence of leakage and leakage of oil inside, and furthermore, the whole must be increased in size and expensive.

【0008】したがって、本発明は、小型、且つ簡単な
構造で容易に製造でき、安価な半導体圧力センサとする
ことができると共に、耐圧強度に優れ長期間安定した作
動をなす半導体圧力センサ及びその製作方法を提供する
ことを目的とする。
Therefore, the present invention provides a semiconductor pressure sensor which can be easily manufactured with a small size and a simple structure, can be an inexpensive semiconductor pressure sensor, has excellent pressure resistance, and operates stably for a long period of time. The aim is to provide a method.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するため、円筒状のハウジング、該ハウジングに載置
され、ピン挿通孔を備えるセラミック製台座、セラミッ
ク製台座に固定される半導体圧力センサ素子、ピン挿通
孔を貫通し、リード線により半導体圧力センサ素子と連
結するリードピン、セラミック製台座とハウジング内周
間、及びピン挿通孔とリードピン間の空隙を充填するエ
ポキシ樹脂とから半導体圧力センサを構成したものであ
り、また、リードピン嵌合孔を形成した台形の治具にリ
ードピンを嵌合し、円筒状のハウジングをその内部にリ
ードピンが収納されるように治具上に載置し、治具上面
にエポキシ樹脂を所定量収容し、その上方からピン挿通
孔を備えるセラミック製台座を、ピン挿通孔にリードピ
ンを挿通させつつ降下して治具上に押圧することにより
エポキシ樹脂をピン挿通孔とリードピン間及びセラミッ
ク製台座とハウジング内周間に充填し、セラミック製台
座上に半導体圧力センサ素子を固定し、リード線でリー
ドピン先端と接続することにより半導体圧力センサを製
作したものである。
According to the present invention, there is provided a cylindrical housing, a ceramic pedestal mounted on the housing and provided with a pin insertion hole, and a semiconductor pressure fixed to the ceramic pedestal. A semiconductor pressure sensor formed from a sensor element, a lead pin that penetrates the pin insertion hole and is connected to the semiconductor pressure sensor element by a lead wire, an epoxy resin that fills a gap between the ceramic base and the inner circumference of the housing, and a gap between the pin insertion hole and the lead pin. The lead pin is fitted into a trapezoidal jig having a lead pin fitting hole, and a cylindrical housing is placed on the jig so that the lead pin is housed therein. A predetermined amount of epoxy resin is stored on the upper surface of the jig, and a ceramic pedestal with pin insertion holes is inserted from above, while the lead pins are inserted through the pin insertion holes. By pressing down and pressing on the jig, the epoxy resin is filled between the pin insertion hole and the lead pin and between the ceramic pedestal and the housing inner circumference, the semiconductor pressure sensor element is fixed on the ceramic pedestal, and the lead pin is connected with the lead wire. A semiconductor pressure sensor is manufactured by connecting to a tip.

【0010】本発明においては、その製作に際しては、
例えばリードピン嵌合孔を形成した台形の治具にリード
ピンを嵌合し、次いで、下部内周面に突出した段部を有
する円筒状のハウジングをその内部にリードピンが収納
されるように治具上に載置し、次いで、治具上面にエポ
キシ樹脂を所定量収容し、その上方からピン挿通孔を備
えるとともにハウジング内周より小さな外周を有するセ
ラミック製台座を、ピン挿通孔にリードピンを挿通させ
つつ降下して治具上に押圧すると、エポキシ樹脂がその
圧力によりピン挿通孔とリードピン間、及びセラミック
製台座とハウジング内周間に充填される。その後、セラ
ミック製台座上に半導体圧力センサ素子を固定し、リー
ド線でリードピン先端と接続することにより半導体圧力
センサが製作される。この半導体圧力センサの使用に際
しては、半導体圧力センサ素子によって検出される信号
はリード線からリードピンを通って外部に送られる。使
用中においてセンサに対して温度変化等があっても、ハ
ウジングとセラミック台座との間、及びセラミック台座
のピン挿通穴とリードピントの間にはエポキシ樹脂が存
在するので、ハウジングとセラミック台座あるいはリー
ドピンとのなじみが良く、且つ弾性があるので熱膨張に
追従することができ、長期間にわたって確実なシール作
用を行うことができる。
[0010] In the present invention, at the time of its manufacture,
For example, a lead pin is fitted into a trapezoidal jig having a lead pin fitting hole, and then a cylindrical housing having a step portion protruding from a lower inner peripheral surface is placed on the jig so that the lead pin is housed therein. Then, a predetermined amount of epoxy resin is stored on the upper surface of the jig, and a ceramic pedestal having a pin insertion hole from above and having an outer periphery smaller than the inner periphery of the housing is inserted from above, while the lead pin is inserted through the pin insertion hole. When the epoxy resin is lowered and pressed onto the jig, the epoxy resin is filled by the pressure between the pin insertion hole and the lead pin and between the ceramic pedestal and the inner periphery of the housing. Thereafter, the semiconductor pressure sensor element is fixed on the ceramic pedestal and connected to the tip of a lead pin with a lead wire, whereby a semiconductor pressure sensor is manufactured. In using the semiconductor pressure sensor, a signal detected by the semiconductor pressure sensor element is sent from the lead wire to the outside through the lead pin. Even if there is a temperature change in the sensor during use, epoxy resin exists between the housing and the ceramic pedestal, and between the pin insertion hole of the ceramic pedestal and the lead pin, so that the housing and the ceramic pedestal or the lead Because of good fit with the pin and elasticity, it can follow the thermal expansion and perform a reliable sealing action for a long period of time.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】本発明の実施例を図面に添って説
明する。図1は本発明による半導体圧力センサを絶対圧
力センサとして使用した例を示し、下部内周面に段部1
を形成した円筒状のハウジング2内には、この段部1に
載置されるように、複数本のピン挿通孔3を備えるとと
もにハウジング2の内周より小さな外周を有することに
よりハウジングの内周面と間に間隙を有するセラミック
製台座4を収納している。セラミック製台座4のピン挿
通孔3には各々リードピン5が貫通しており、また、セ
ラミック製台座4の中央上部には基台6を介して半導体
圧力センサ素子7が固定されており、半導体圧力センサ
素子7とリードピン5とはリード線8により接続されて
いる。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 shows an example in which a semiconductor pressure sensor according to the present invention is used as an absolute pressure sensor.
A plurality of pin insertion holes 3 and a smaller outer circumference than the inner circumference of the housing 2 are provided in the cylindrical housing 2 having A ceramic pedestal 4 having a gap between the surface is accommodated. Lead pins 5 penetrate through the pin insertion holes 3 of the ceramic pedestal 4, respectively, and a semiconductor pressure sensor element 7 is fixed to a center upper portion of the ceramic pedestal 4 via a base 6. The sensor element 7 and the lead pin 5 are connected by a lead wire 8.

【0012】セラミック製台座4の外周面とハウジング
2の内周面間の間隙、及びセラミック製台座4のピン挿
通孔3とリードピン5との間隙には、いずれにもエポキ
シ樹脂を充填しており、それによりシールがなされてい
る。また、ハウジング2の上端部の開口にはダイヤフラ
ム10が溶接等により固定されている。ハウジングの側
壁の一部には貫通孔9を形成しており、この貫通孔10
からシリコン油等のオイルを充填し、その後この貫通孔
の外側開口からボール11を圧入して封鎖している。
The gap between the outer peripheral surface of the ceramic pedestal 4 and the inner peripheral surface of the housing 2 and the gap between the pin insertion hole 3 and the lead pin 5 of the ceramic pedestal 4 are all filled with epoxy resin. , Thereby providing a seal. A diaphragm 10 is fixed to an opening at the upper end of the housing 2 by welding or the like. A through hole 9 is formed in a part of the side wall of the housing.
Then, the ball 11 is filled with oil such as silicon oil, and then the ball 11 is press-fitted from the outside opening of the through hole to seal it.

【0013】上記構成からなる半導体圧力センサの製作
に際しては、図2に示すように、(a)リードピン嵌合
孔12を形成した台形の治具13にリードピン5を嵌合
し、(b)次いで、下部内周面に突出した段部1を有す
る円筒状のハウジング2をその内部にリードピン5が収
納されるように治具13上に載置し、(c)次いで、治
具13上面にエポキシ樹脂14を所定量収容する。
(d)その上方からピン挿通孔3を備えるとともにハウ
ジング2の内周より小さな外周を有するセラミック製台
座4を、ピン挿通孔3にリードピン5を挿通させつつ降
下して治具13上に押圧する。それにより、エポキシ樹
脂14がその圧力によりピン挿通孔3とリードピン5
間、及びセラミック製台座4とハウジング2内周間に充
填される。(e)その後、セラミック製台座4上に半導
体圧力センサ素子7を固定し、リード線8でリードピン
5先端と接続するとともに、治具13を外し、(f)最
後にダイヤフラムを溶接により固定すると半導体圧力セ
ンサユニット15が製作される。
In manufacturing the semiconductor pressure sensor having the above structure, as shown in FIG. 2, (a) the lead pin 5 is fitted into a trapezoidal jig 13 having a lead pin fitting hole 12, and (b) Then, the cylindrical housing 2 having the step 1 protruding from the lower inner peripheral surface is placed on the jig 13 so that the lead pin 5 is housed therein. A predetermined amount of the resin 14 is stored.
(D) The ceramic pedestal 4 having the pin insertion hole 3 and having an outer circumference smaller than the inner circumference of the housing 2 is lowered from above and pressed onto the jig 13 while the lead pin 5 is inserted through the pin insertion hole 3. . As a result, the epoxy resin 14 is moved by the pressure so that the pin insertion hole 3 and the lead pin 5
Between the ceramic base 4 and the inner periphery of the housing 2. (E) After that, the semiconductor pressure sensor element 7 is fixed on the ceramic pedestal 4, connected to the tip of the lead pin 5 with the lead wire 8, the jig 13 is removed, and (f) finally the diaphragm is fixed by welding. The pressure sensor unit 15 is manufactured.

【0014】このような半導体圧力センサの使用に際し
ては、図3に示すようなセンサ単体として使用される。
なお、図3に示す半導体圧力センサにおいては、一部上
記半導体圧力センサとは異なるもののその基本構成は同
様である。即ち、図2に示すように、継ぎ手12を固定
したキャップ13の上部に上記のようにして製作された
半導体圧力センサユニット15を、図1及び図2とは反
対向きに載置し、その上にOリングを介して圧力センサ
本体16を被覆し、周囲をかしめ板によりかしめること
によって圧力センサ本体16とキャップ13とをその外
周からかしめて固定している。圧力センサ本体16内に
おいては、フレキシブル基板17をボンド18により固
定して内装しており、また、基板20、オーバーコート
部21、コネクタピン22等も内装している。
When such a semiconductor pressure sensor is used, it is used as a single sensor as shown in FIG.
Although the semiconductor pressure sensor shown in FIG. 3 is partially different from the above-described semiconductor pressure sensor, its basic configuration is the same. That is, as shown in FIG. 2, the semiconductor pressure sensor unit 15 manufactured as described above is placed on the upper part of the cap 13 to which the joint 12 is fixed in the opposite direction to FIGS. The pressure sensor main body 16 and the cap 13 are caulked from the outer periphery of the pressure sensor main body 16 and the cap 13 and fixed by caulking the periphery with a caulking plate. In the pressure sensor main body 16, a flexible substrate 17 is fixed and mounted with a bond 18, and a substrate 20, an overcoat portion 21, a connector pin 22, and the like are also mounted.

【0015】上記実施例においては、半導体圧力センサ
を絶対圧力センサとして構成した例を示したが、図4に
示すように、ハウジング2の上部にダイヤフラムを設け
ることなく、また、セラミック製台座23の中央部に、
このセラミック基台上に固定される基台24と共に貫通
する連通孔25を備えている。この半導体圧力センサに
おいては、半導体圧力センサ素子の図中上方の流体の圧
力と、連通孔25を介して半導体圧力センサ素子の上方
に作用する流体圧力の差圧によって半導体圧力センサ素
子が出力する結果、相対圧力センサとして機能する。
In the above embodiment, an example is shown in which the semiconductor pressure sensor is configured as an absolute pressure sensor. However, as shown in FIG. 4, a diaphragm is not provided on the upper part of the housing 2 and the ceramic pedestal 23 In the center,
A communication hole 25 penetrates with the base 24 fixed on the ceramic base. In this semiconductor pressure sensor, the result of the semiconductor pressure sensor element outputting due to the differential pressure between the pressure of the fluid above the semiconductor pressure sensor element in the figure and the fluid pressure acting above the semiconductor pressure sensor element via the communication hole 25 , Function as a relative pressure sensor.

【0016】上記各実施例におけるセラミック製台座の
材質としては、種々のものが使用できるが、特に、ステ
アタイト材として供給されているMgO・SiO2が、
成形性とコストの面から好ましい。また、アルミナ材を
使用することもできる。このようにセラミック台座を使
用することは、電気絶縁性と機械的強度と、熱膨張係数
とのバランスの上で好ましい。
Various materials can be used as the material of the ceramic pedestal in each of the above embodiments. In particular, MgO.SiO2 supplied as a steatite material is used.
It is preferable in terms of moldability and cost. Also, an alumina material can be used. The use of the ceramic pedestal in this manner is preferable in terms of the balance between the electrical insulation, the mechanical strength, and the coefficient of thermal expansion.

【0017】また、上記のように間隙にエポキシ樹脂を
充填することは、セラミックとハウジングのステンレス
鋼との接着性が良く、且つ作業性が良く、更に、シリコ
ンオイルに侵されることが無く、硬化時に収縮、膨張、
ひずみの発生がなく、しかも耐熱性に優れていることに
より選択されたものである。このエポキシ樹脂として
は、ケミテック(株)製のNo.4×628B、また
は、5×559C、あるいは5×870が適切であっ
た。
Filling the gap with an epoxy resin as described above has good adhesion between the ceramic and the stainless steel of the housing, good workability, and is hardened without being affected by silicon oil. Sometimes contraction, expansion,
This was selected because of no generation of strain and excellent heat resistance. As the epoxy resin, No. 4x628B, or 5x559C, or 5x870 was appropriate.

【0018】[0018]

【発明の効果】本発明は、上記のように構成したので、
小型で、且つ簡単な構造で、しかも、安価な半導体圧力
センサとすることができると共に、耐圧強度に優れ長期
間安定した作動をなす半導体圧力センサとすることがで
きると共に、その半導体圧力センサを容易に製造するこ
とができる製法とすることができる。
The present invention is configured as described above.
A semiconductor pressure sensor having a small size, a simple structure, and an inexpensive semiconductor pressure sensor can be obtained. Production method.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の半導体圧力センサを絶対圧型圧力セン
サに適用した実施例の断面図である。
FIG. 1 is a sectional view of an embodiment in which a semiconductor pressure sensor of the present invention is applied to an absolute pressure type pressure sensor.

【図2】図1の半導体圧力センサの製法を示す断面図で
ある。
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a method for manufacturing the semiconductor pressure sensor of FIG.

【図3】本発明の半導体圧力センサを組み込んだセンサ
単体の断面図である。
FIG. 3 is a sectional view of a single sensor incorporating the semiconductor pressure sensor of the present invention.

【図4】本発明の半導体センサを、相対圧型圧力センサ
に適用した実施例の断面図である。
FIG. 4 is a sectional view of an embodiment in which the semiconductor sensor of the present invention is applied to a relative pressure type pressure sensor.

【図5】従来の絶対圧型半導体センサの断面図である。FIG. 5 is a sectional view of a conventional absolute pressure type semiconductor sensor.

【図6】従来の相対圧型半導体センサの断面図である。FIG. 6 is a sectional view of a conventional relative pressure type semiconductor sensor.

【図7】従来の他の絶対圧型半導体センサの断面図であ
る。
FIG. 7 is a cross-sectional view of another conventional absolute pressure type semiconductor sensor.

【図8】従来の他の相対圧型半導体センサの断面図であ
る。
FIG. 8 is a sectional view of another conventional relative pressure semiconductor sensor.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 段部 2 ハウジング 3 ピン挿通孔 4 セラミック製台座 5 リードピン 6 基台 7 半導体圧力センサ素子 8 リード線 10 ダイヤフラム 11 ボール 12 リードピン嵌合孔 13 治具 15 半導体圧力センサユニット 16 圧力センサ本体 17 フレキシブル基板 18 ボンド 20 基板 21 オーバーコート部 22 コネクタピン 1 step portion 2 housing 3 pin insertion hole 4 ceramic pedestal 5 lead pin 6 base 7 semiconductor pressure sensor element 8 lead wire 10 diaphragm 11 ball 12 lead pin fitting hole 13 jig 15 semiconductor pressure sensor unit 16 pressure sensor body 17 flexible substrate 18 Bond 20 Substrate 21 Overcoat 22 Connector pin

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 下部内周面に突出した段部を有する円筒
状のハウジング、該ハウジングに載置され、ピン挿通孔
を備えるとともにハウジング内周より小さな外周を有す
るセラミック製台座、セラミック製台座に固定される半
導体圧力センサ素子、ピン挿通孔を貫通し、先端のリー
ド線により半導体圧力センサ素子と連結するリードピ
ン、セラミック製台座とハウジング内周間、及びピン挿
通孔とリードピン間の空隙を充填するエポキシ樹脂とか
らなることを特徴とする半導体圧力センサ。
1. A cylindrical housing having a step protruding from a lower inner peripheral surface, a ceramic pedestal mounted on the housing, having a pin insertion hole and having an outer periphery smaller than the inner periphery of the housing, and a ceramic pedestal. A semiconductor pressure sensor element to be fixed, a lead pin that penetrates the pin insertion hole and is connected to the semiconductor pressure sensor element by a lead wire at the tip, fills a gap between the ceramic pedestal and the inner circumference of the housing, and a gap between the pin insertion hole and the lead pin. A semiconductor pressure sensor comprising an epoxy resin.
【請求項2】 円筒状のハウジングは下部内周面に突出
した段部を有する請求項1記載の半導体圧力センサ。
2. The semiconductor pressure sensor according to claim 1, wherein the cylindrical housing has a step portion protruding from a lower inner peripheral surface.
【請求項3】 セラミック製台座はハウジング内周より
小さな外周を有する請求項1又は請求項2記載の半導体
圧力センサ。
3. The semiconductor pressure sensor according to claim 1, wherein the ceramic pedestal has an outer periphery smaller than an inner periphery of the housing.
【請求項4】 リードピン嵌合孔を形成した台形の治具
にリードピンを嵌合し、円筒状のハウジングをその内部
にリードピンが収納されるように治具上に載置し、治具
上面にエポキシ樹脂を所定量収容し、その上方からピン
挿通孔を備えるセラミック製台座を、ピン挿通孔にリー
ドピンを挿通させつつ降下して治具上に押圧することに
よりエポキシ樹脂をピン挿通孔とリードピン間及びセラ
ミック製台座とハウジング内周間に充填し、セラミック
製台座上に半導体圧力センサ素子を固定し、リード線で
リードピンと接続してなることを特徴とする半導体圧力
センサの製作方法。
4. A lead pin is fitted into a trapezoidal jig having a lead pin fitting hole, and a cylindrical housing is placed on the jig such that the lead pin is housed inside the jig. A predetermined amount of epoxy resin is accommodated, and a ceramic pedestal with a pin insertion hole is lowered from above and pressed down on the jig by inserting the lead pin into the pin insertion hole, and the epoxy resin is placed between the pin insertion hole and the lead pin. And filling the space between the ceramic pedestal and the inner periphery of the housing, fixing the semiconductor pressure sensor element on the ceramic pedestal, and connecting the semiconductor pressure sensor element to a lead pin with a lead wire.
JP22561497A 1997-08-08 1997-08-08 Semiconductor pressure sensor and its manufacture Withdrawn JPH1151795A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22561497A JPH1151795A (en) 1997-08-08 1997-08-08 Semiconductor pressure sensor and its manufacture

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22561497A JPH1151795A (en) 1997-08-08 1997-08-08 Semiconductor pressure sensor and its manufacture

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1151795A true JPH1151795A (en) 1999-02-26

Family

ID=16832087

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP22561497A Withdrawn JPH1151795A (en) 1997-08-08 1997-08-08 Semiconductor pressure sensor and its manufacture

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH1151795A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002357501A (en) * 2001-03-26 2002-12-13 Saginomiya Seisakusho Inc Pressure sensor and manufacturing method therefor
JP2006184075A (en) * 2004-12-27 2006-07-13 Denso Corp Pressure sensor
JP2009510483A (en) * 2005-09-29 2009-03-12 ローズマウント インコーポレイテッド Pressure transmitter with acoustic pressure sensor
US20150292973A1 (en) * 2014-04-09 2015-10-15 Continental Automotive Systems, Inc. Humidity resistant sensors and methods of making same

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002357501A (en) * 2001-03-26 2002-12-13 Saginomiya Seisakusho Inc Pressure sensor and manufacturing method therefor
JP2006184075A (en) * 2004-12-27 2006-07-13 Denso Corp Pressure sensor
JP2009510483A (en) * 2005-09-29 2009-03-12 ローズマウント インコーポレイテッド Pressure transmitter with acoustic pressure sensor
US20150292973A1 (en) * 2014-04-09 2015-10-15 Continental Automotive Systems, Inc. Humidity resistant sensors and methods of making same
US9574961B2 (en) * 2014-04-09 2017-02-21 Continental Automotive Systems, Inc. Humidity resistant sensors and methods of making same
US10352806B2 (en) 2014-04-09 2019-07-16 Continental Automotive Systems, Inc. Humidity resistant sensors and methods of making same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100372340B1 (en) Pressure Sensor and Method of Manufacturing the Same
EP1363116B1 (en) Absolute-pressure type of pressure sensor
CN109642844A (en) For reducing the obturator of the volume of pressure measurement room
JP4453729B2 (en) Pressure sensor
CN104748905A (en) Sensor device for synchronously detecting temperature and pressure of refrigerant of air conditioner
JPH07209115A (en) Semiconductor pressure detector and its producing method
JP2005531012A (en) Equipment for pressure measurement
CN108369149A (en) Device for pressure measurement
JP4882967B2 (en) Pressure temperature sensor
JP5050392B2 (en) Pressure sensor
JPH1151795A (en) Semiconductor pressure sensor and its manufacture
JP3704590B2 (en) Semiconductor pressure sensor
JP7492040B2 (en) Pressure Sensor Assembly
JPH11132885A (en) Pressure detector
TWI679712B (en) Sensor mounted wafer
JP2005188958A (en) Pressure sensor
JP2006208087A (en) Pressure sensor
JP6629127B2 (en) Pressure measuring device and method of manufacturing the device
JP2004347573A (en) Pressure sensor
JP2006208088A (en) Pressure sensor and manufacturing method therefor
JP3627036B2 (en) Semiconductor pressure sensor
JP2984420B2 (en) Differential pressure sensor
JP2003057138A (en) Semiconductor pressure sensor
CN118338587A (en) Surface acoustic wave sensor packaging structure and packaging method
JP2002357501A (en) Pressure sensor and manufacturing method therefor

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20041102