JPH1145924A - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置

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JPH1145924A
JPH1145924A JP9198399A JP19839997A JPH1145924A JP H1145924 A JPH1145924 A JP H1145924A JP 9198399 A JP9198399 A JP 9198399A JP 19839997 A JP19839997 A JP 19839997A JP H1145924 A JPH1145924 A JP H1145924A
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Japan
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substrate
processing apparatus
unit
humidified air
substrate processing
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JP9198399A
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English (en)
Inventor
Yasuo Imanishi
保夫 今西
Masami Otani
正美 大谷
Masao Tsuji
雅夫 辻
Masaki Iwami
優樹 岩見
Joichi Nishimura
讓一 西村
Akihiko Morita
彰彦 森田
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 簡易な構造によって基板の表面の十分な帯電
防止を達成することができる基板処理装置を提供するこ
と。 【解決手段】 加湿装置50は、適当な温度に調整され
ているクリーンエアに水蒸気成分を供給して加湿する。
この加湿装置50からファン60によって送り出された
クリーンエアは、ダクト62を通ってチャンバ30に供
給される。チャンバ30の下部には多数の開口が形成さ
れており、この開口を通過したクリーンエアは、フィル
タ40を通過して基板処理装置10の本体部分中に一様
なダウンフローDFを形成する。このダウンフローDF
は、インデクサ部ID中の基板WやスピンスクラバSS
中の基板Wに当たって基板Wの表面が帯電することを防
止することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体基板や液
晶ガラス基板などの基板(以下、単に「基板」と称す
る)に対して加熱処理、冷却処理及び薬液処理等を含む
一連の処理を行う基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、上記のような基板処理装置に
おいては、基板搬入搬出部に設けた基板移載ロボットに
より、カセット中から基板を取り出し、ユニット配置部
に設けた基板搬送ロボットにより、基板に加熱処理を行
う加熱処理ユニット、冷却処理を行う冷却処理ユニッ
ト、薬液処理を行う薬液処理ユニット等の各種処理ユニ
ット間で基板の循環搬送を行い、一連の基板処理を達成
している。
【0003】上記のような基板処理装置では、基板処理
工程で微少粒子(以下、パーティクル)が基板に付着し
て製品に欠陥が発生することを防止する必要がある。
【0004】このようにパーティクルが基板に付着する
要因一つとして、静電気による引力が考えられている。
このため、基板を除電してパーティクルの付着を防止す
る必要があるが、第1の方法として、基板処理装置のう
ち基板に接する部分、例えば基板を搬送する搬送ロボッ
ト、基板の回転に際して基板を支持するスピンチャック
等の材料を導電性のある材料で形成ことが考えられてい
る。また、第2の方法として、イオナイザを用いてイオ
ン化した気体を基板上に供給し、基板上の静電気を除去
することが考えられている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前者の
方法では、基板のうち導電性材料が接する基板の裏面側
の一部のみにおいて除電可能であるが、基板の表面側で
は十分な除電を達成できない。
【0006】また、後者の方法では、イオナイザを配置
する空間を確保する必要があり、基板処理装置の設計上
の制約となっていた。例えば、各処理ユニット内にイオ
ナイザを設置することは、各処理ユニットの構造を複雑
にするとともにこれを必要以上に大型化し、基板処理装
置全体を大型化させることとなる。
【0007】そこで、この発明は、簡易かつ小型の構造
によって、基板の表面の帯電防止を達成することができ
る基板処理装置を提供することができる。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項1の基板処理装置は、基板に所定の処理を施
す複数の処理ユニットの間で基板を搬送して基板に所定
手順の処理を施す基板処理装置であって、帯電による基
板へのパーティクルの付着を防止する加湿空気を発生す
る加湿空気発生手段と、加湿空気発生手段が発生した加
湿空気を基板の周囲に供給する供給手段とを備えること
を特徴とする。
【0009】また、請求項2の基板処理装置は、基板処
理装置が、複数の処理ユニットとこれら複数の処理ユニ
ット間で基板を搬送する基板搬送装置とを有するユニッ
ト配置部と、このユニット配置部との間で基板を受け渡
す基板搬入搬出部とを備え、供給手段が、ユニット配置
部と基板搬入搬出部とに設けた基板搬送経路に加湿空気
を供給することを特徴とする。
【0010】また、請求項3の基板処理装置は、ユニッ
ト配置部が、処理ユニットとして、基板に現像処理を施
す現像処理ユニット及び基板に洗浄処理を施す洗浄処理
ユニットのいずれかを含み、供給手段が、現像処理ユニ
ット及び洗浄処理ユニットのいずれかを含む領域に加湿
空気を供給することを特徴とする。
【0011】また、請求項4の基板処理装置は、供給手
段が、基板搬送経路で基板が搬送される際にこの基板が
支持される基板支持位置を含む空間を覆うカバーであ
り、このカバー中に加湿空気を供給することを特徴とす
る。
【0012】また、請求項5の基板処理装置は、供給手
段が、現像処理部及び洗浄処理部のいずれかにおいて基
板が取り扱われる際にこの基板が支持される基板支持位
置を含む空間を覆うカバーであり、このカバー中に加湿
空気を供給することを特徴とする。
【0013】
【発明の実施の形態】
〔第1実施形態〕図1は、この発明の第1実施形態に係
る基板処理装置10の斜視図であり、図2は、この装置
10の正面配置図である。
【0014】図示のように、この基板処理装置10は、
複数の処理ユニットを適宜配列したユニット配置部PP
と、基板搬入搬出部であるインデクサ部IDとを備える
構造となっている。
【0015】ユニット配置部PPは、基板Wに対して一
連の処理を施すため、洗浄処理ユニットからなる第1処
理部群G1と熱処理ユニットからなる第2処理部群G2と
を備える。これら第1及び第2処理部群G1、G2は、2
列並行に配置されており、これらを構成する各処理ユニ
ット間で基板Wを搬送するための基板搬送部TPは、両
処理部群G1、G2を構成する各処理ユニットにアクセス
して基板Wを受け渡す基板搬送ロボットTR1を有して
いる。
【0016】なお、第1処理部群G1には、基板Wを回
転させつつ洗浄液や純水を用いて基板Wを洗浄するため
の洗浄処理ユニットとして、一対のスピンスクラバSS
が並置されている。一方、第2処理部群G2には、基板
Wに所望の熱処理を施すための熱処理ユニットとして、
加熱ユニットHP及び冷却ユニットCPが2次元的に積
層配置されている。
【0017】インデクサ部IDは、基板Wを収容したカ
セットCAを載置する載置台21と、載置台21上のカ
セットCAから基板Wを順次取り出してユニット配置部
PP側の基板搬送ロボットTR1に渡すとともにこの基
板搬送ロボットTR1から受け取った基板Wをカセット
CAに収納する基板移載ロボットTR2とを備える。
【0018】この基板処理装置10の上部には、加湿空
気の供給手段として、ユニット配置部PP及びインデク
サ部IDを上方から覆う長方形状のチャンバ30が配置
されている。このチャンバ30には、図示を省略する加
湿装置から加湿されたクリーンエアが供給されており、
フィルタ40を介して下方に吐出されたクリーンエア
は、下方に向かって一様に流れるダウンフローを形成す
る。このように加湿されたクリーンエアのダウンフロー
を形成することにより、基板Wの周囲に加湿されたクリ
ーンエアを供給することになるので、基板Wの表面が帯
電することを防止できる。
【0019】以上の装置10では、外部搬送装置によっ
て搬送されてきたカセットCAがインデクサ部IDの載
置台21上にセットされると、加湿されたクリーンエア
のダウンフロー下で、基板移載ロボットTR2がカセッ
トCA中から基板Wを順次取り出し、この基板Wを受け
取った基板搬送ロボットTR1が両処理部群G1、G2に
含まれる各処理ユニット間で基板Wを循環搬送し、それ
らの処理ユニットにおいて一連の処理を自動的に進行さ
せる。
【0020】図2は、図1に示す基板処理装置10の正
面構造を示す。加湿空気発生手段である加湿装置50
は、適当な温度に調整されているクリーンエアに水蒸気
成分を供給してこのクリーンエアを加湿する。この加湿
装置50からファン60によって送り出されたクリーン
エアは、ダクト62を通ってチャンバ30に供給され
る。チャンバ30の下部には多数の開口が形成されてお
り、この開口を通過したクリーンエアは、フィルタ40
を通過してさらに浄化され、基板処理装置10の本体部
分内部に一様なダウンフローDFを形成する。このダウ
ンフローDFは、インデクサ部ID中の基板Wやスピン
スクラバSS中の基板Wに当たって基板Wの表面が帯電
することを防止することができる。なお、加湿装置50
によってクリーンエア中に水蒸気成分を含ませる際に
は、基板処理装置10の本体部分内部に結露を生じない
程度の水蒸気圧とする必要がある。また、加湿装置50
は、空調ユニットを流用したものとすることも可能であ
る。
【0021】〔第2実施形態〕図3は、第2実施形態の
基板処理装置110の平面的な配置構造を説明する図で
ある。第2実施形態の基板処理装置110は、第1実施
形態の基板処理装置10の変形例であり、重複部分には
同一符号を付して重複説明を省略する。
【0022】この基板処理装置110では、ユニット配
置部PPの第1処理部群G11を構成する処理ユニットと
して、スピンスクラバSSの代わりに、レジスト液を基
板Wに塗布するためのスピンコータSCと、露光後のレ
ジストを現像するためのスピンデベロッパSDとを備え
る。
【0023】図示のように、この第2実施形態の装置1
10では、インデクサ部ID、基板搬送部TP、及びス
ピンデベロッパSDの上方に、加湿されたクリーンエア
のダウンフローを形成するチャンバ130を配置する。
このようなダウンフローにより、インデクサ部IDで移
載中の基板W、基板搬送部TPで搬送中の基板W、及び
スピンデベロッパSD中で現像処理中の基板W等の表面
が帯電することを防止することができる。
【0024】なお、スピンコータSCでは、レジスト塗
布を行うに際して、所望の均一なレジスト膜の形成を行
ううえでそれに適した独自の湿度の管理が不可欠であ
り、一般に帯電を防止できるような湿度状態の空気を供
給することは必ずしも望ましくない。このため、スピン
コータSC上方には、加湿されたダウンフローを発生す
るためのチャンバ130を配置していない。
【0025】〔第3実施形態〕図4は、第3実施形態の
基板処理装置210の平面的な配置構造を説明する図で
ある。第3実施形態の基板処理装置210は、第1実施
形態の基板処理装置10の変形例である。
【0026】図示のように、この第3実施形態の装置2
10では、インデクサ部ID、及び基板搬送部TPの上
方、すなわち基板Wが移動する基板搬送経路の上方に、
加湿されたダウンフローを形成するチャンバ230を配
置する。このようなダウンフローにより、インデクサ部
IDで移載中の基板W、及び基板搬送部TPで搬送中の
基板Wの表面が帯電することを防止し、このような基板
Wが帯電している場合はこれを迅速に放電させることが
できる。
【0027】〔第4実施形態〕図5は、第4実施形態の
基板処理装置の要部を説明する図である。第4実施形態
の基板処理装置は、第3実施形態の基板処理装置210
の変形例である。
【0028】第4実施形態の基板処理装置では、第3実
施形態の装置210の場合と同様に、インデクサ部I
D、及び基板搬送部TPの上方に、加湿されたダウンフ
ローDFを形成するチャンバ230を配置する。さら
に、図5に示すように、各スピンスクラバSSごとにカ
バー部材80を設けている。このカバー部材80は、図
示を省略する加湿装置に接続されているダクト81と、
このダクト81を通過したクリーンエアが供給されるチ
ャンバ82と、チャンバ82から吐出されたクリーンエ
アが通過するフィルタ83とを備える。この場合、スピ
ンスクラバSS等の必要な処理ユニットのみに関し、基
板Wの支持位置上方にクリーンエアのダウンフローDF
を形成することになる。これにより、洗浄前後の基板W
の周囲に加湿されたクリーンエアを供給することにな
り、洗浄前後で基板Wの表面が帯電することを防止でき
る。
【0029】なお、カバー部材80の正面側には、基板
Wを搬入したり搬出するためのスリット85が設けられ
ている。
【0030】以上の第4実施形態では、スピンスクラバ
SSの上方にカバー部材80を設けることとしている
が、第2実施形態のようにスピンデベロッパを備える基
板処理装では、スピンデベロッパの上方に上記と同様の
カバー部材80を設けることとしてもよい。
【0031】〔第5実施形態〕図6は、第5実施形態の
基板処理装置の要部を説明する図である。第5実施形態
の基板処理装置は、第1実施形態の基板処理装置10の
変形例である。
【0032】第5実施形態の基板処理装置では、第1実
施形態の基板処理装置10の場合と異なって、基板処理
装置の上部に加湿されたダウンフローDFを形成するた
めのチャンバを配置しない。ただし、第5実施形態の基
板処理装置では、基板搬送部TPに配置した基板搬送ロ
ボットTR1(図1参照)のヘッド部分とインデクサ部
IDに配置した基板移載ロボットTR2(図1参照)の
ヘッド部分との周囲にカバー部材180を設ける。
【0033】図6に示すように、カバー部材180は、
図示を省略する加湿装置に接続されている可撓性のダク
ト181と、このダクト181を通過したクリーンエア
が供給されるカバー本体184とを備える。
【0034】なお、基板搬送ロボットTR1は、図示を
省略する機構によって基板搬送部TPに沿って水平移動
可能でかつ鉛直方向に昇降可能なステージ90と、ステ
ージ90に設けた回転機構90aによって回転可能なヘ
ッド本体91と、基板Wを支持するとともに図示を省略
する機構によって水平方向に進退可能である搬送ハンド
92とを備える。基板搬送ロボットTR1は、カバー本
体184の側壁に設けた複数のスリット185を介し
て、スピンスクラバSSや加熱ユニットHP等との間で
基板Wを受け渡すことができる。
【0035】第5実施形態の場合、基板搬送ロボットT
R1等において基板が支持される基板支持位置に加湿さ
れたクリーンエアを供給することになり、搬送中及び搬
送前後の基板Wの表面が帯電することを防止できる。さ
らに、基板Wの周囲がカバー部材180に覆われている
ので、基板Wの移動に際して周囲の気流の抵抗を受け
ず、寸法が大きい基板Wでも高速に移動することができ
る。
【0036】〔第6実施形態〕図7は、第6実施形態の
基板処理装置の要部を説明する図である。第6実施形態
の基板処理装置は、第5実施形態の基板処理装置の変形
例である。
【0037】第6実施形態の基板処理装置では、図7に
示すように、基板搬送部TPに配置した基板搬送ロボッ
トTR1等のヘッド部分のうち、ヘッド本体91の周囲
に、このヘッド本体91とともに鉛直軸の回りで回転す
るカバー部材280を設けている。
【0038】図7に示すように、カバー部材280は、
図示を省略する加湿装置に接続されている可撓性のダク
ト281と、このダクト281を通過したクリーンエア
が供給されるカバー本体284とを備える。なお、基板
搬送ロボットTR1は、カバー本体284の側壁に設け
たスリット285を介して、スピンスクラバSSや加熱
ユニットHP等との間で基板Wを受け渡すことができ
る。
【0039】第6実施形態の場合、基板搬送ロボットT
R1等の基板支持位置に加湿されたクリーンエアを供給
することになり、搬送中及び搬送前後の基板Wの表面が
帯電することを防止できる。
【0040】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
1の装置によれば、供給手段が加湿空気発生手段が発生
した加湿空気を基板の周囲に供給するので、比較的簡単
な構造で基板の表面に帯電が生じることを予防でき、ま
た帯電した静電気を比較的迅速にリークさせることがで
きる。
【0041】また、請求項2の装置によれば、供給手段
がユニット配置部と基板搬入搬出部とに設けた基板搬送
経路に加湿空気を供給するので、基板が搬送される際
に、基板の表面に帯電が生じることを予防することがで
きる。
【0042】また、請求項3の装置によれば、供給手段
が現像処理ユニット及び洗浄処理ユニットのいずれかを
含む領域に加湿空気を供給するので、基板が現像・洗浄
される際に、基板の表面に帯電が生じることを予防する
ことができる。
【0043】また、請求項4、5の装置によれば、供給
手段が基板搬送経路で基板が搬送等される際にこの基板
が支持される基板支持位置を含む空間を覆うカバーであ
り、このカバー中に加湿空気を供給するので、必要な領
域のみに加湿空気を供給して効率的な帯電防止を達成で
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1実施形態の基板処理装置を説明する斜視図
である。
【図2】図1の基板処理装置を説明する正面図である。
【図3】第2実施形態の基板処理装置の構造を説明する
平面図である。
【図4】第3実施形態の基板処理装置の構造を説明する
平面図である。
【図5】第4実施形態の基板処理装置の要部を説明する
側面図である。
【図6】第5実施形態の基板処理装置の要部を説明する
側面図である。
【図7】第6実施形態の基板処理装置の要部を説明する
側面図である。
【符号の説明】
10、110、210 基板処理装置 30 チャンバ 40 フィルタ 50 加湿装置 PP ユニット配置部 ID インデクサ部 SS スピンスクラバ SC スピンコータ SD スピンデベロッパ HP 加熱ユニット CP 冷却ユニット TR1 基板搬送ロボット TR2 基板移載ロボット W 基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 辻 雅夫 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者 岩見 優樹 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者 西村 讓一 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者 森田 彰彦 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板に所定の処理を施す複数の処理ユニ
    ットの間で基板を搬送して基板に所定手順の処理を施す
    基板処理装置であって、 帯電による基板へのパーティクルの付着を防止する加湿
    空気を発生する加湿空気発生手段と、 前記加湿空気発生手段が発生した前記加湿空気を基板の
    周囲に供給する供給手段とを備えることを特徴とする基
    板処理装置。
  2. 【請求項2】 前記基板処理装置は、前記複数の処理ユ
    ニットと当該複数の処理ユニット間で基板を搬送する基
    板搬送装置とを有するユニット配置部と、当該ユニット
    配置部との間で基板を受け渡す基板搬入搬出部とを備
    え、前記供給手段は、前記ユニット配置部と前記基板搬
    入搬出部とに設けた基板搬送経路に前記加湿空気を供給
    することを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
  3. 【請求項3】 前記ユニット配置部は、前記処理ユニッ
    トとして、基板に現像処理を施す現像処理ユニット及び
    基板に洗浄処理を施す洗浄処理ユニットのいずれかを含
    み、前記供給手段は、前記現像処理ユニット及び洗浄処
    理ユニットのいずれかを含む領域に前記加湿空気を供給
    することを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
  4. 【請求項4】 前記供給手段は、前記基板搬送経路で基
    板が搬送される際に当該基板が支持される基板支持位置
    を含む空間を覆うカバーであり、当該カバー中に前記加
    湿空気を供給することを特徴とする請求項2記載の基板
    処理装置。
  5. 【請求項5】 前記供給手段は、前記現像処理部及び前
    記洗浄処理部のいずれかにおいて基板が取り扱われる際
    に当該基板が支持される基板支持位置を含む空間を覆う
    カバーであり、当該カバー中に前記加湿空気を供給する
    ことを特徴とする請求項3記載の基板処理装置。
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