JPH1142636A - Method for detaching wafer - Google Patents
Method for detaching waferInfo
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- JPH1142636A JPH1142636A JP9203654A JP20365497A JPH1142636A JP H1142636 A JPH1142636 A JP H1142636A JP 9203654 A JP9203654 A JP 9203654A JP 20365497 A JP20365497 A JP 20365497A JP H1142636 A JPH1142636 A JP H1142636A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ブロック状の半導
体インゴットブロックをウエハー状に切断した後のウエ
ハーの解除方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for releasing a wafer after cutting a block-like semiconductor ingot block into a wafer.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体インゴットをウエハー状にカット
するにあたっては、主に、両刃カッターによるカット方
法又は、ワイヤーソーによるワイヤーカット方法によっ
て行われている。特開平７−２０５１４０号公報に記載
されている方法は、半導体インゴットを低温溶融接着剤
によりワークピースプレートに接着し、ワイヤ列によっ
てウエハー状に切断した後、加熱して低温溶融接着剤を
溶解し、ウエハーをワークピースプレートから剥がして
いる。2. Description of the Related Art A semiconductor ingot is cut into a wafer by a cutting method using a double-edged cutter or a wire cutting method using a wire saw. In the method described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-205140, a semiconductor ingot is bonded to a work piece plate with a low-temperature melting adhesive, cut into a wafer by a wire array, and then heated to melt the low-temperature melting adhesive. The wafer has been peeled from the workpiece plate.
【０００３】図５は、特公平８−１８３３２号公報に記
載された方法であり、半導体インゴット１を接着剤２に
よってワークピースプレート３に接着すると共に、ワー
クピースプレート３を接着剤４によって固定台５に固定
している。接着剤２、４としては、接着力の大きなエポ
キシ樹脂系のものが使用されるものである。この状態
で、ワイヤソー等の切断機によって半導体インゴット１
を切断してウエハー６を形成する。切断は、ワークピー
スプレート３を通過し、固定台５に部分的に切り込まれ
る程度の深さとなるまで行う。そして、切断の後、全体
を剥離容器７内の剥離液８に浸漬して接着剤２、４を溶
解し、ウエハー６をワークピースプレート３から剥が
す。この方法では、剥離液８として、エポキシ樹脂系接
着剤２、４に対して高い溶解力を有しているメチレンク
ロライド等の塩素系有機溶剤が使用される。FIG. 5 shows a method described in Japanese Patent Publication No. 8-18332, in which a semiconductor ingot 1 is bonded to a work piece plate 3 by an adhesive 2 and the work piece plate 3 is fixed to the worktable by an adhesive 4. It is fixed to 5. As the adhesives 2, 4, an epoxy resin-based adhesive having a large adhesive strength is used. In this state, the semiconductor ingot 1 is cut by a cutting machine such as a wire saw.
Is cut to form a wafer 6. The cutting is performed until the workpiece passes through the workpiece plate 3 and is partially cut into the fixed base 5. After the cutting, the whole is immersed in a stripping solution 8 in a stripping container 7 to dissolve the adhesives 2 and 4, and the wafer 6 is stripped from the workpiece plate 3. In this method, a chlorine-based organic solvent such as methylene chloride having a high dissolving power for the epoxy resin-based adhesives 2 and 4 is used as the stripping liquid 8.
【０００４】図６は、特開平８−２５８０３７号公報に
記載された方法であり、図５と同様に、エポキシ樹脂系
の強力な接着剤１０によって半導体インゴット１をワー
クピースプレート９に接着し、このワークピースプレー
ト９を切断装置のベース板に取り付け、この取り付け状
態で半導体インゴット１を切断する。切断は、マルチワ
イヤソー１１を半導体インゴット１に切り込むことによ
って行う。切り込みは、半導体インゴット１における接
着剤１０近辺まで行い、その後、レーザ１２を切り込み
と直交する方向に走査してウエハー６を切り離し、カセ
ットに収納するものである。FIG. 6 shows a method described in JP-A-8-258037, in which a semiconductor ingot 1 is bonded to a work piece plate 9 by a strong epoxy resin-based adhesive 10 as in FIG. The workpiece plate 9 is mounted on a base plate of a cutting device, and the semiconductor ingot 1 is cut in this mounted state. The cutting is performed by cutting the multi-wire saw 11 into the semiconductor ingot 1. The cutting is performed up to the vicinity of the adhesive 10 in the semiconductor ingot 1, and thereafter, the wafer 12 is cut off by scanning the laser 12 in a direction perpendicular to the cutting and stored in a cassette.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
７−２０５１４０号公報の方法では、低温溶融接着剤に
よって半導体インゴットをワークピースプレートに固定
しているが、カット時にはカッターやワイヤーの摩擦で
半導体インゴットが高熱を発生するため、接着固定付近
までカッターやワイヤーが接近したときに、低温溶融接
着剤が熱により軟化して強固な固定ができなくなり、半
導体インゴットが位置ずれを生じる。このため均一な厚
みのウエハーを作製することが難しい問題を有してい
る。However, in the method disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 7-205140, the semiconductor ingot is fixed to the work piece plate by using a low-temperature melting adhesive. However, when a cutter or a wire approaches to the vicinity of the adhesive fixing, the low-temperature melting adhesive is softened by the heat and cannot be firmly fixed, and the semiconductor ingot is displaced. Therefore, there is a problem that it is difficult to produce a wafer having a uniform thickness.
【０００６】図５に示す特公平８−１８３３２号公報の
方法では、接着力が大きなエポキシ樹脂系接着剤２によ
って半導体インゴット１をワークピースプレート３に固
定し、切断後に接着剤２、４の溶解性が高い塩素系有機
溶剤８中に浸漬させて接着剤を溶解しているが、塩素系
有機溶剤が接着剤の全体に作用するには、長い時間がか
かり、ウエハー６の剥離に長時間を要している。又、塩
素系有機溶剤はダイオキシン等を発生して大気汚染の原
因となるため、使用量の制限が加わるばかりでなく、溶
剤の回収設備を併設する必要がある。In the method disclosed in Japanese Patent Publication No. 18-18332, a semiconductor ingot 1 is fixed to a work piece plate 3 by an epoxy resin adhesive 2 having a large adhesive strength, and after the cutting, the adhesives 2 and 4 are melted. Although the adhesive is dissolved by immersion in the chlorine-based organic solvent 8 having a high property, it takes a long time for the chlorine-based organic solvent to act on the entire adhesive, and it takes a long time to peel the wafer 6. I need it. In addition, chlorine-based organic solvents generate dioxins and the like and cause air pollution, so that not only the use amount is restricted, but also a solvent recovery facility must be provided.
【０００７】図６に示す特開平８−２５８０３７号公報
の方法では、マルチワイヤソー１１を用いるため、短時
間で多数のウエハー６を作製できるが、ワークピースプ
レート９からのウエハー６の解除は、レーザ１２を走査
することにより、１枚ずつ切り離しているため、１つの
インゴットとした場合には、全てのウエハーを切り離す
ためにはかなりの時間を要している。In the method disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. H8-258037 shown in FIG. 6, a large number of wafers 6 can be manufactured in a short time because the multi-wire saw 11 is used. Since the wafers 12 are separated one by one by scanning 12, it takes a considerable time to separate all the wafers in the case of one ingot.
【０００８】本発明は、このような問題点を鑑みてなさ
れたもので、半導体インゴットの切断に十分耐えられる
保持力を維持できると共に、切断後のウエハーを短時間
で剥離することができ、しかも大気汚染が少ない洗浄剤
を使用することができるウエハー解除方法を提供するこ
とを目的とする。The present invention has been made in view of such a problem, and can maintain a holding force enough to cut a semiconductor ingot, and can peel a cut wafer in a short time. An object of the present invention is to provide a wafer release method that can use a cleaning agent with low air pollution.
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１の発明は、ワークピースプレートに接着剤
で固定した半導体インゴットをウエハー状にカットし、
このカットしたウエハーをワークピースプレートから取
り外すウエハー解除方法において、前記半導体インゴッ
トのカット面と交差する方向の溝をワークピースプレー
トの接着面に設ける工程と、前記溝以外のワークピース
プレートの接着面と半導体インゴットの外周面とを接着
剤で固定する工程と、前記半導体インゴットをウエハー
状にカットする工程と、前記溝内に洗浄液を流し込んで
前記接着剤を取り除き、ワークピースプレートからウエ
ハーを取り外す工程と、を有することを特徴とする。To achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, a semiconductor ingot fixed to a work piece plate with an adhesive is cut into a wafer.
In the wafer release method of removing the cut wafer from the workpiece plate, a step of providing a groove in a direction intersecting the cut surface of the semiconductor ingot on the bonding surface of the workpiece plate, and the bonding surface of the workpiece plate other than the groove. Fixing the outer peripheral surface of the semiconductor ingot with an adhesive, cutting the semiconductor ingot into a wafer, removing the adhesive by pouring a cleaning liquid into the groove, and removing the wafer from the workpiece plate; , Is characterized by having.
【０００９】この発明では、半導体インゴットは溝を除
いたワークピースプレートの接着面に固定され、この固
定状態で切断に供される。そして、半導体インゴットを
切断した後、溝内に洗浄液を流し込む。洗浄液は、流し
込みの力によって接着剤内に円滑、且つ短時間で浸透す
る。このため、接着剤が短時間で溶解されて洗い流さ
れ、ウエハーをワークピースプレートから簡単に切り離
すことができる。According to the present invention, the semiconductor ingot is fixed to the adhesive surface of the work piece plate except for the groove, and is cut in this fixed state. Then, after cutting the semiconductor ingot, a cleaning liquid is poured into the groove. The cleaning liquid penetrates smoothly and quickly into the adhesive by the force of the pouring. Thus, the adhesive is dissolved and washed away in a short time, and the wafer can be easily separated from the workpiece plate.
【００１０】このため、接着剤として強力な接着力を有
したものを使用することができ、半導体インゴットをワ
ークピースプレートに強力に固定できるため、切断に耐
える保持力を確保できる。又、塩素系有機溶剤のような
強力な溶解力の洗浄剤を使用する必要がなく、大気汚染
を考慮した使用が不要となる。[0010] For this reason, an adhesive having a strong adhesive force can be used as the adhesive, and the semiconductor ingot can be strongly fixed to the work piece plate, so that a holding force enough to withstand cutting can be secured. In addition, there is no need to use a cleaning agent having a strong dissolving power such as a chlorine-based organic solvent, and the use in consideration of air pollution becomes unnecessary.
【００１１】請求項２の発明は、ワークピースプレート
に接着剤で固定した半導体インゴットをウエハー状にカ
ットし、このカットしたウエハーをワークピースプレー
トから取り外すウエハー解除方法において、前記ワーク
ピースプレートの接着面またはこの接着面に接する半導
体インゴットの外周面に離型剤を設ける工程と、前記ワ
ークピースプレートの接着面と半導体インゴットの外周
面とを離型剤を介して接着剤で固定する工程と、前記半
導体インゴットをウエハー状にカットする工程と、前記
接着剤を洗浄液によって取り除き、ワークピースプレー
トからウエハーを取り外す工程と、を有することを特徴
とする。According to a second aspect of the present invention, there is provided a wafer release method for cutting a semiconductor ingot fixed to a work piece plate with an adhesive into a wafer and removing the cut wafer from the work piece plate. Or a step of providing a release agent on the outer peripheral surface of the semiconductor ingot in contact with the adhesive surface, and fixing the adhesive surface of the workpiece plate and the outer peripheral surface of the semiconductor ingot with an adhesive via a release agent, The method includes a step of cutting the semiconductor ingot into a wafer, and a step of removing the adhesive with a cleaning liquid and removing the wafer from the workpiece plate.
【００１２】この発明では、ワークピースプレートの接
着面又は半導体インゴットの外周面に離型剤が設けら
れ、この離型剤を介して半導体インゴットが接着剤によ
ってワークピースプレートに固定される。離型剤は接着
剤の密着力を抑制するため、洗浄液によるウエハーの切
り離しを簡単に行うことができる。According to the present invention, a release agent is provided on the bonding surface of the work piece plate or the outer peripheral surface of the semiconductor ingot, and the semiconductor ingot is fixed to the work piece plate by the adhesive via the release agent. Since the release agent suppresses the adhesive force of the adhesive, the wafer can be easily separated by the cleaning liquid.
【００１３】[0013]
（実施の形態１）図１及び図２は、本発明の実施の形態
１であり、図１は半導体インゴット２２をウエハー状に
加工する加工部２０を、図２はワークピースプレート２
１からウエハー２８を取り外す解除部３０を示す。(Embodiment 1) FIGS. 1 and 2 show Embodiment 1 of the present invention. FIG. 1 shows a processing section 20 for processing a semiconductor ingot 22 into a wafer, and FIG.
1 shows a release unit 30 for detaching the wafer 28 from 1.
【００１４】ワークピースプレート２１は接着剤２６に
よって半導体インゴット２２を固定する。半導体インゴ
ット２２は円柱状の外形に形成されたシリコン結晶から
なり、ワークピースプレート２１の接着面２１ａは、円
柱状の半導体インゴット２２の一部である外周接着面２
２ａの湾曲形状に対応する形状に形成されている。ま
た、ワークピースプレート２１の接着面２１ａには、半
導体インゴット２２のカット面２９（図２参照）に対し
て直交した交差方向（カット方向と垂直に交差する方
向）のＵ字状の溝２５が４本設けられている。The work piece plate 21 fixes the semiconductor ingot 22 with an adhesive 26. The semiconductor ingot 22 is made of a silicon crystal formed in a cylindrical outer shape, and the bonding surface 21 a of the work piece plate 21 is formed on the outer circumferential bonding surface 2 which is a part of the cylindrical semiconductor ingot 22.
It is formed in a shape corresponding to the curved shape of 2a. In addition, a U-shaped groove 25 is formed in the bonding surface 21a of the work piece plate 21 in an intersecting direction (direction orthogonal to the cutting direction) orthogonal to the cut surface 29 (see FIG. 2) of the semiconductor ingot 22. Four are provided.
【００１５】ワークピースプレート２１の接着面２１ａ
と半導体インゴット２２の外周接着面２２ａとを接着す
る接着剤２６としては、引っ張り接着強さが１５０ｋｇ
／ｃｍ2 以上で且つ割裂接着強さが１５ｋｇ／ｃｍ2 以
上の大きな接着強さを有した硬度がショアＤ５０以上の
エポキシ系接着剤が使用される。The bonding surface 21a of the work piece plate 21
The adhesive 26 for adhering to the outer peripheral adhesive surface 22a of the semiconductor ingot 22 has a tensile adhesive strength of 150 kg.
/ Cm 2 or more and an epoxy adhesive having a large bond strength of 15 kg / cm 2 or more and a hardness of Shore D50 or more.
【００１６】加工部２０には、エポキシ型接着剤２６に
よってワークピースプレート２１に接着された半導体イ
ンゴット２２を、外周接着面２２ａとは反対側の面から
カットするカッターあるいはワイヤー７（以下、まとめ
てワイヤー７と称する）が設置されている。The processing portion 20 includes a cutter or wire 7 (hereinafter collectively referred to as a cutter) for cutting the semiconductor ingot 22 bonded to the work piece plate 21 with the epoxy type adhesive 26 from a surface opposite to the outer peripheral bonding surface 22a. (Referred to as wire 7).
【００１７】一方、図２に示すように、洗浄槽３１内に
は、エポキシ系接着剤２６を取り除くための洗浄液３２
が充填されている。洗浄液３２としては、水に界面活性
剤が３０重量％前後含有された洗剤を３〜７重量％濃度
になるように混合した水温５０℃のものを用いた。洗浄
槽３１内には、ワークピースプレート２１の溝２５内に
洗浄液３２を噴射する噴射ノズル３３が配置されてい
る。なお、ワークピースプレート２１の接着面２１ａに
設けた溝２５は、Ｖ溝やＵ溝、その他の形状で形成する
ことができ、しかも溝２５の深さおよび幅は噴射ノズル
３３の径および水圧によって異なる。On the other hand, as shown in FIG. 2, a cleaning liquid 32 for removing the epoxy-based adhesive 26 is provided in the cleaning tank 31.
Is filled. As the cleaning liquid 32, a liquid having a water temperature of 50 ° C. in which a detergent containing about 30% by weight of a surfactant in water was mixed to a concentration of 3 to 7% by weight was used. In the cleaning tank 31, an injection nozzle 33 that injects the cleaning liquid 32 into the groove 25 of the work piece plate 21 is arranged. The groove 25 provided on the bonding surface 21a of the work piece plate 21 can be formed in a V-shaped groove, a U-shaped groove, or another shape. different.
【００１８】この実施の形態では、まず、エポキシ系接
着剤２６を半導体インゴット２２の外周接着面２２ａに
塗布する。そして、半導体インゴット２２の外周接着面
２２ａを４本の溝２５が形成されたワークピースプレー
ト２１の接着面２１ａに当接させ、接着面２１ａと外周
接着面２２ａとの間に介在している接着剤２６を室温で
２４時間以上または８０℃以下で１時間以上加熱して硬
化する。これによって、溝２５が空洞の状態のままで、
ワークピースプレート２１と半導体インゴット２２とが
接着される。In this embodiment, first, an epoxy adhesive 26 is applied to the outer peripheral adhesive surface 22a of the semiconductor ingot 22. Then, the outer peripheral bonding surface 22a of the semiconductor ingot 22 is brought into contact with the bonding surface 21a of the work piece plate 21 in which the four grooves 25 are formed, and the bonding interposed between the bonding surface 21a and the outer peripheral bonding surface 22a. The agent 26 is cured by heating at room temperature for 24 hours or more or at 80 ° C. or less for 1 hour or more. Thereby, the groove 25 remains in a hollow state,
The work piece plate 21 and the semiconductor ingot 22 are bonded.
【００１９】次に、ワークピースプレート２１に固定し
た半導体インゴット２２あるいはワイヤー２７を図示し
ない駆動手段によって、相対的に移動させることによっ
て接触させ、半導体インゴット２２をワイヤー２７でウ
エハー状にカットする。このカットにおいて、エポキシ
系接着剤２６は、引っ張り接着強さ１５０ｋｇ／ｃｍ 2
以上で且つ割裂接着強さ１５ｋｇ／ｃｍ2 以上の接着強
さを有し、硬度がショアＤ５０以上であるため、ワーク
ピースプレート２１の搬送および半導体インゴット２２
の切断時の負荷に耐えられ、半導体インゴット２２の位
置ずれが生じない。Next, it is fixed to the workpiece plate 21.
Semiconductor ingot 22 or wire 27
By relatively moving by no driving means
The semiconductor ingot 22 with a wire 27.
Cut into an eher shape. In this cut, epoxy
The system adhesive 26 has a tensile adhesive strength of 150 kg / cm. Two
Above and splitting adhesive strength 15kg / cmTwo More adhesive strength
And has a hardness of Shore D50 or more.
Conveyance of piece plate 21 and semiconductor ingot 22
Of the semiconductor ingot 22
No misalignment occurs.
【００２０】その後、カットしたウエハー２８をワーク
ピースプレート２１とともに図示しない搬送手段によっ
て搬送し、洗浄槽３１内の洗浄液３２に浸漬させる。そ
して、ウエハー２８とワークピースプレート２１とを図
示しない駆動手段によって洗浄液３２内で揺動させる。
さらに、ワークピースプレート２１の接着面２１ａに設
けた４本の溝２５の一端または両端に洗浄液３２の噴射
ノズル３３の先端を当接させ、噴射ノズル３３から水圧
８〜１０ｋｇ／ｃｍ2 以上、水量１〜２リットルの洗浄
液３３を溝２５内に流し込む。Thereafter, the cut wafer 28 is transported together with the workpiece plate 21 by transport means (not shown), and is immersed in a cleaning liquid 32 in a cleaning tank 31. Then, the wafer 28 and the workpiece plate 21 are swung in the cleaning liquid 32 by a driving unit (not shown).
Further, one end or both ends of the four grooves 25 provided on the bonding surface 21a of the work piece plate 21 are brought into contact with the tips of the spray nozzles 33 of the cleaning liquid 32, and the water pressure from the spray nozzles 33 is 8 to 10 kg / cm 2 or more. The washing liquid 33 of 1 to 2 liters is poured into the groove 25.
【００２１】この洗浄液の強力な流し込みによって、空
洞状の溝２５内に高水圧で洗浄液３２が入り込み、広い
面積で接着剤２６に接触する。この洗浄液３２の流れに
よる洗い流しおよび洗浄液３２が接着剤２６に浸透する
作用により、接着剤２６が取り除かれる。このため、短
時間でワークピースプレート２１からウエハー２８を取
り外すことができる。Due to the strong pouring of the cleaning liquid, the cleaning liquid 32 enters the hollow groove 25 at a high water pressure and comes into contact with the adhesive 26 over a wide area. The adhesive 26 is removed by the rinsing by the flow of the cleaning liquid 32 and the action of the cleaning liquid 32 permeating the adhesive 26. Therefore, the wafer 28 can be removed from the workpiece plate 21 in a short time.
【００２２】このような実施の形態では、接着剤２６が
強力な接着力を有しているため、ワークピースプレート
２１の搬送中における振動による落下や半導体インゴッ
ト２２の切断時の摩擦熱や割裂力による位置ズレや剥離
を防止する。また、ワークピースプレート２１の溝２５
によって数カ所の接着面に区切られることで、洗浄槽３
１内の洗浄液３２への浸漬時に洗浄液３２が接着剤２６
に浸透し易くなる。加えて、高水圧の洗浄液３２が接着
剤２６の洗い流しを加速するため、短時間で多数枚のウ
エハー２８を剥がすことが可能となる。また、洗浄液３
２として揮発量の少ない界面活性剤含有の洗剤を混合し
た温水であるため、回収及び排液時の処理が容易とな
る。In such an embodiment, since the adhesive 26 has a strong adhesive force, it falls due to vibration during the transfer of the work piece plate 21 and frictional heat and splitting force when the semiconductor ingot 22 is cut. To prevent misalignment and peeling. In addition, the groove 25 of the workpiece plate 21
Is separated into several adhesive surfaces by the cleaning tank 3
When the cleaning liquid 32 is immersed in the cleaning liquid 32 in the
Easy to penetrate In addition, since the high water pressure cleaning liquid 32 accelerates the washing of the adhesive 26, a large number of wafers 28 can be peeled off in a short time. Cleaning solution 3
As 2, hot water mixed with a surfactant-containing detergent having a small volatilization amount facilitates recovery and drainage processing.
【００２３】かかる実施の形態の作用は、ワークピース
プレート２１接着面２１ａにカット方向と交差する１本
以上の溝２５を設け、溝２５が空洞となる接着を行うこ
とにより、洗浄槽３１内での浸漬時に洗浄液３２が広い
面積で接着剤２６に接触する。また、浸漬中の揺動と溝
２５への洗浄液３２注入による洗浄液３２の流れが接着
剤２６の剥離速度を早めるものである。このような作用
を行うため、溝２５としては少なくとも１本設けるもの
である。The operation of this embodiment is such that one or more grooves 25 intersecting the cutting direction are provided on the adhesion surface 21a of the work piece plate 21 and the grooves 25 are bonded so that the grooves 25 become hollow. The cleaning liquid 32 comes into contact with the adhesive 26 over a large area during the immersion of the adhesive. Further, the flow of the cleaning liquid 32 caused by the rocking during the immersion and the injection of the cleaning liquid 32 into the groove 25 increases the peeling speed of the adhesive 26. In order to perform such an operation, at least one groove 25 is provided.
【００２４】（実施の形態２）図３及び図４は実施の形
態２を示す。図３においては、ワークピースプレート２
１における接着面２１ａに離型剤２３が塗布されてい
る。離型剤２３としては、フッ素系樹脂等の表面活性力
が小さな樹脂が使用される。半導体インゴット２２は、
外周面の外周接着面２２ａが接着剤２６によってワーク
ピースプレート２１の接着面２１ａに固定されるが、ワ
ークピースプレート２１に設けられた離型剤２３を介し
て固定される。(Embodiment 2) FIGS. 3 and 4 show Embodiment 2. FIG. In FIG. 3, the workpiece plate 2
The mold release agent 23 is applied to the adhesive surface 21a in the first embodiment. As the release agent 23, a resin having a small surface activity such as a fluororesin is used. The semiconductor ingot 22
The outer peripheral adhesive surface 22a of the outer peripheral surface is fixed to the adhesive surface 21a of the work piece plate 21 by the adhesive 26, but is fixed via the release agent 23 provided on the work piece plate 21.
【００２５】図４においては、半導体インゴット２２の
外周接着面２２ａに離型剤２３が塗布されており、この
離型剤２３を介して半導体インゴット２２が接着剤２６
によってワークピースプレート２１に固定されている。
このように離型剤２３をワークピースプレート２１側、
半導体インゴット２２側のいずれかに設けることができ
る。In FIG. 4, a release agent 23 is applied to an outer peripheral adhesive surface 22a of the semiconductor ingot 22, and the semiconductor ingot 22 is bonded to the adhesive 26 through the release agent 23.
To the workpiece plate 21.
Thus, the release agent 23 is placed on the workpiece plate 21 side,
It can be provided on any of the semiconductor ingots 22 side.
【００２６】この実施の形態では、ワークピースプレー
ト２１の接着面２１ａまたは半導体インゴット２２の外
周接着面２２ａに離型剤２３を塗布し、温風乾燥をす
る。その後、ワークピースプレート２１の接着面２１ま
たは半導体インゴット２２の外周接着面２２ａに接着剤
２６を塗布して双方を当て付け、接着剤２６を硬化させ
る。この実施の形態の接着剤２６としては、実施の形態
１と同様のものが使用される。In this embodiment, a mold release agent 23 is applied to the adhesive surface 21a of the work piece plate 21 or the outer peripheral adhesive surface 22a of the semiconductor ingot 22, and dried with hot air. Thereafter, an adhesive 26 is applied to the adhesive surface 21 of the work piece plate 21 or the outer peripheral adhesive surface 22a of the semiconductor ingot 22 and both are applied to cure the adhesive 26. As the adhesive 26 of this embodiment, the same adhesive as that of the first embodiment is used.
【００２７】その後、半導体インゴット２２をワイヤ２
７でウエハー状にカットする。このカットの後、実施の
形態１と同様の洗浄槽３１内の洗浄液３２に浸漬し、ワ
ークピースプレート２１揺動させる。これによりワーク
ピースプレート２１からウエハー２８を取り外す。Thereafter, the semiconductor ingot 22 is connected to the wire 2
The wafer is cut in a step 7. After this cutting, the workpiece is dipped in a cleaning liquid 32 in a cleaning tank 31 similar to that in the first embodiment, and the workpiece plate 21 is swung. Thereby, the wafer 28 is removed from the work piece plate 21.
【００２８】この実施の形態では、ワークピースプレー
ト２１接着面２１ａまたは半導体インゴット２２の外周
接着面２２ａに設けた離型剤２３が接着剤２６の密着力
を抑制する。このため洗浄槽３１内で浸漬及び揺動を行
うことにより、離型剤２３の層から剥離が開始される。
従って、離型剤２３の界面から接着剤２６の全体が剥が
れるため、ウエハー２８をワークピースプレート２１か
ら短時間で取り外すことができる。In this embodiment, the release agent 23 provided on the work surface of the work piece plate 21 or the outer surface 22a of the semiconductor ingot 22 suppresses the adhesive force of the adhesive 26. For this reason, by immersing and rocking in the cleaning tank 31, peeling from the layer of the release agent 23 is started.
Accordingly, since the entire adhesive 26 is peeled off from the interface of the release agent 23, the wafer 28 can be removed from the workpiece plate 21 in a short time.
【００２９】かかる実施の形態２の作用は、ワークピー
スプレート２１の接着面２１ａまたは半導体インゴット
２２の外周接着面２２ａに離型剤２３を設けることによ
り、離型剤２３が接着剤２６の密着力を制限し、洗浄槽
３１内での浸漬・揺動時に更に接着剤２６の剥離速度を
早めるものである。The effect of the second embodiment is that the release agent 23 is provided on the bonding surface 21a of the work piece plate 21 or the outer peripheral bonding surface 22a of the semiconductor ingot 22, so that the adhesive 23 And the peeling speed of the adhesive 26 is further increased during dipping and swinging in the cleaning tank 31.
【００３０】なお、半導体インゴット２１の形状として
は、円柱、四角柱、その他であっても良い。上記した具
体的実施の形態から次のような構成の技術的思想が導き
出される。The shape of the semiconductor ingot 21 may be a cylinder, a square pillar, or the like. The technical idea having the following configuration is derived from the specific embodiment described above.
【００３１】（付記項１） 半導体インゴットとワーク
ピースプレートとを接着剤を介して固定した接着構造体
を加工し、ワークピースプレートからウエハーを取り外
す方法において、前記ワークピースプレートの接着面に
カット方向と垂直方向に交差する１本以上の溝を設け、
溝以外のワークピースプレートの接着面と半導体インゴ
ットの外周接着面とを接着剤を介して固定し、前記加工
後、洗浄槽内で浸漬・揺動・噴水を行いワークピースプ
レートからウエハーを取り外すことを特徴とするウエハ
ー解除方法。(Additional Item 1) In a method of processing an adhesive structure in which a semiconductor ingot and a work piece plate are fixed with an adhesive and removing a wafer from the work piece plate, a cutting direction is formed on an adhesion surface of the work piece plate. Providing one or more grooves that intersect vertically with
Fixing the adhesive surface of the workpiece plate other than the groove and the outer peripheral adhesive surface of the semiconductor ingot with an adhesive, and after the above processing, immersing, rocking and fountain in the cleaning tank to remove the wafer from the workpiece plate. A wafer release method characterized by the above-mentioned.
【００３２】この付記項１によれば、ワークピースプレ
ート接着面に半導体インゴットのカット方向と垂直方向
に交差する１本以上の溝によって数カ所の接着面に区切
られ、更に半導体インゴットのカットにより新たに設け
られる溝により各接着部周辺を広範囲に洗浄液が取り囲
む状態となるこのため、洗浄液が接着剤に浸透しやすく
なり、更にウエハー浸漬中の揺動と高水圧の洗浄液が接
着剤の洗い流しを加速し、短時間で多数枚のウエハーを
剥がすことが可能になる。また、洗浄液による大気汚染
の影響が少ない。According to the additional item 1, the work piece plate bonding surface is divided into several bonding surfaces by one or more grooves that intersect perpendicularly with the cutting direction of the semiconductor ingot, and is further newly cut by cutting the semiconductor ingot. The grooves provided provide a state in which the cleaning liquid widely surrounds the periphery of each bonding portion.This makes it easier for the cleaning liquid to penetrate the adhesive, and furthermore, the oscillation during the immersion of the wafer and the high-pressure cleaning liquid accelerates the cleaning of the adhesive. Thus, a large number of wafers can be peeled off in a short time. Further, the influence of air pollution by the cleaning liquid is small.
【００３３】（付記項２） 半導体インゴットとワーク
ピースプレートとを接着剤を介して固定した接着構造体
を加工し、ワークピースプレートからウエハーを取り外
す方法において、ワークピースプレートの接着面または
半導体インゴットの外周接着面に離型剤を設け、ワーク
ピースプレートの接着面と半導体インゴットの外周接着
面とを接着剤を介して固定し、加工後、洗浄槽内で浸漬
・揺動を行いワークピースプレートからウエハーを取り
外すことを特徴とするウエハー解除方法。(Additional Item 2) In a method of processing an adhesive structure in which a semiconductor ingot and a work piece plate are fixed with an adhesive and removing a wafer from the work piece plate, the bonding surface of the work piece plate or the semiconductor ingot is removed. A release agent is provided on the outer peripheral adhesive surface, and the adhesive surface of the workpiece plate and the outer peripheral adhesive surface of the semiconductor ingot are fixed via the adhesive, and after processing, immersed and rocked in the cleaning tank to remove the workpiece plate. A wafer release method comprising removing a wafer.
【００３４】この付記項２によれば、ワークピースプレ
ートまたは半導体インゴットと接着剤の界面間に設けら
れた離型剤が接着剤の密着力を抑制するため、洗浄液中
の揺動時に洗浄液が離型剤と接着剤の界面に浸透し易く
なり、短時間で剥がすことが可能になる。また、洗浄液
による大気汚染の影響が少ない。According to the additional item 2, the release agent provided between the workpiece plate or the semiconductor ingot and the interface between the adhesive and the adhesive suppresses the adhesive force of the adhesive. It easily penetrates the interface between the mold agent and the adhesive, and can be peeled off in a short time. Further, the influence of air pollution by the cleaning liquid is small.
【００３５】[0035]
【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明に
よれば、ワークピースプレートの接着面に形成した溝内
に洗浄液を流し込むことにより、流し込みの力によって
洗浄液が接着剤内に円滑、且つ短時間で浸透する。この
ため、接着剤が短時間で溶解されて洗い流され、ウエハ
ーをワークピースプレートから簡単に切り離すことがで
きる。従って、接着剤として強力な接着力を有したもの
を使用することができ、半導体インゴットをワークピー
スプレートに強力に固定できるため、切断に耐える保持
力を確保できる。又、塩素系有機溶剤のような強力な溶
解力の洗浄剤を使用する必要がなく、大気汚染を考慮し
た使用が不要となる。As described above, according to the first aspect of the present invention, by pouring the cleaning liquid into the groove formed on the bonding surface of the work piece plate, the cleaning liquid is smoothly injected into the adhesive by the force of the pouring. And penetrates in a short time. Thus, the adhesive is dissolved and washed away in a short time, and the wafer can be easily separated from the workpiece plate. Therefore, an adhesive having a strong adhesive force can be used as the adhesive, and the semiconductor ingot can be strongly fixed to the work piece plate, so that a holding force enough to withstand cutting can be secured. In addition, there is no need to use a cleaning agent having a strong dissolving power such as a chlorine-based organic solvent, and the use in consideration of air pollution becomes unnecessary.
【００３６】請求項２の発明によれば、ワークピースプ
レートの接着面又は半導体インゴットの外周面に設けら
れた離型剤は、接着剤の密着力を抑制するため、洗浄液
によるウエハーの切り離しを簡単に行うことができる。According to the second aspect of the present invention, the release agent provided on the adhesive surface of the workpiece plate or the outer peripheral surface of the semiconductor ingot suppresses the adhesive force of the adhesive, so that the wafer can be easily separated by the cleaning liquid. Can be done.
【図１】本発明の実施の形態１の加工部の斜視図であ
る。FIG. 1 is a perspective view of a processing unit according to Embodiment 1 of the present invention.
【図２】実施の形態１の解除部の断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of a release unit according to the first embodiment.
【図３】実施の形態２の断面図である。FIG. 3 is a sectional view of a second embodiment.
【図４】実施の形態２の変形形態の断面図である。FIG. 4 is a sectional view of a modification of the second embodiment.
【図５】従来方法の断面図である。FIG. 5 is a sectional view of a conventional method.
【図６】別の従来方法の斜視図である。FIG. 6 is a perspective view of another conventional method.
２１ ワークピースプレート ２１ａ 接着面 ２２ 半導体インゴット ２２ａ 外周接着面 ２３ 離型剤 ２５ 溝 ２６ 接着剤 ３２ 洗浄液 DESCRIPTION OF SYMBOLS 21 Workpiece plate 21a Adhesive surface 22 Semiconductor ingot 22a Outer peripheral adhesive surface 23 Release agent 25 Groove 26 Adhesive 32 Cleaning liquid
Claims (2)
た半導体インゴットをウエハー状にカットし、このカッ
トしたウエハーをワークピースプレートから取り外すウ
エハー解除方法において、 前記半導体インゴットのカット面と交差する方向の溝を
ワークピースプレートの接着面に設ける工程と、 前記溝以外のワークピースプレートの接着面と半導体イ
ンゴットの外周面とを接着剤で固定する工程と、 前記半導体インゴットをウエハー状にカットする工程
と、 前記溝内に洗浄液を流し込んで前記接着剤を取り除き、
ワークピースプレートからウエハーを取り外す工程と、 を有することを特徴とするウエハー解除方法。1. A wafer release method for cutting a semiconductor ingot fixed to a work piece plate with an adhesive into a wafer and removing the cut wafer from the work piece plate, wherein a groove in a direction intersecting a cut surface of the semiconductor ingot is provided. Providing the adhesive surface of the work piece plate with the adhesive surface of the work piece plate other than the groove and fixing the outer peripheral surface of the semiconductor ingot with an adhesive; andcutting the semiconductor ingot into a wafer. Removing the adhesive by pouring a cleaning liquid into the groove,
Removing the wafer from the workpiece plate.
た半導体インゴットをウエハー状にカットし、このカッ
トしたウエハーをワークピースプレートから取り外すウ
エハー解除方法において、 前記ワークピースプレートの接着面またはこの接着面に
接する半導体インゴットの外周面に離型剤を設ける工程
と、 前記ワークピースプレートの接着面と半導体インゴット
の外周面とを離型剤を介して接着剤で固定する工程と、 前記半導体インゴットをウエハー状にカットする工程
と、 前記接着剤を洗浄液によって取り除き、ワークピースプ
レートからウエハーを取り外す工程と、 を有することを特徴とするウエハー解除方法。2. A wafer release method for cutting a semiconductor ingot fixed to a work piece plate with an adhesive into a wafer and removing the cut wafer from the work piece plate. Providing a release agent on the outer peripheral surface of the semiconductor ingot which is in contact with; fixing the adhesive surface of the work piece plate and the outer peripheral surface of the semiconductor ingot with an adhesive via a release agent; And a step of removing the adhesive with a cleaning liquid and removing the wafer from the workpiece plate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9203654A JPH1142636A (en) | 1997-07-29 | 1997-07-29 | Method for detaching wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9203654A JPH1142636A (en) | 1997-07-29 | 1997-07-29 | Method for detaching wafer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1142636A true JPH1142636A (en) | 1999-02-16 |
Family
ID=16477643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9203654A Withdrawn JPH1142636A (en) | 1997-07-29 | 1997-07-29 | Method for detaching wafer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1142636A (en) |
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-
1997
- 1997-07-29 JP JP9203654A patent/JPH1142636A/en not_active Withdrawn
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20041005 |