JPH114055A

JPH114055A - フレキシブル回路基板

Info

Publication number: JPH114055A
Application number: JP1906098A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Inoue; 浩井上; Akinori Otani; 明範大谷; Hiroshi Yasuno; 弘安野
Original assignee: Ube Industries Ltd
Current assignee: Ube Corp
Priority date: 1997-04-18
Filing date: 1998-01-30
Publication date: 1999-01-06

Abstract

(57)【要約】【課題】打ち抜き性が良好で、剥離強度の大きいフレ
キシブル回路基いた提供する。【解決手段】厚みが１０〜１２５μｍ、１１〜２２ｋ
ｇ／２０ｍｍ／１０μｍの比端裂抵抗値を持ち、揮発物
含有量が０．４重量％以下の芳香族ポリイミドフィルム
に導電体を積層した後、回路を形成したフレキシブル回
路基板。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、厚みが１０〜１
２５μｍで、１１〜２２ｋｇ／２０ｍｍ／１０μｍの比
端裂抵抗値を持ち、かつ揮発物含有量が０．４重量％以
下である打ち抜き性の良好な芳香族ポリイミドフィルム
の少なくとも片面に、直接あるいは接着剤を介して導電
体を積層したのち、回路を形成してなるフレキシブル回
路基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、フレキシブル回路基板としては芳
香族ポリイミドフィルムの片面あるいは両面に直接ある
いは接着剤を介して銅箔等の導電体層を積層したのち、
回路を形成したものが一般的である。この芳香族ポリイ
ミドは、テトラカルボン酸成分と芳香族ジアミン成分と
から製造されるポリアミック酸を高温に加熱して脱水環
化することにより得られる耐熱性や機械的特性の優れた
ポリマ−である。しかしながら、フレキシブル回路基板
に用いられる芳香族ポリイミドフィルムには、更なる高
精度化および高生産性の要求からより高い打ち抜き性が
要求される。

【０００３】特開平６−３３４１１０号公報には、端裂
抵抗が５０〜７０ｋｇｆ／２０ｍｍのポリイミドフィル
ムは打ち抜き性が優れていることを明らかにしている。
そして更に、そのポリイミドフィルムは何％程度の吸湿
性溶媒が残存していなければならない旨述べられてい
る。

【０００４】フレキシブル回路基板のような電子部品と
しての耐熱性、電気絶縁性とともに機械的強度、特に引
張弾性率や低線膨張係数への高い要求を考慮し、芳香族
ポリイミドフィルムは、テトラカルボン酸成分としてビ
フェニルテトラカルボン酸成分を含むものを利用し、ま
た芳香族ジアミン成分としてフェニレンジアミン成分を
含むものを利用して製造することが好ましい。また、銅
箔などのような金属導電性シ−トと接着剤とを用いて貼
り合わせた積層体から回路を形成するためには、芳香族
ポリイミドフィルムは、その公知のポリアミド系接着
剤、エポキシ樹脂系接着剤、アクリル樹脂系接着剤など
の接着剤に対して高い接着性を示す必要がある。

【０００５】しかしながら本発明者の研究によると、上
記の特開平６−３３４１１０号公報に記載の技術は、テ
トラカルボン酸成分としてビフェニルテトラカルボン酸
成分を含むものを利用し、また芳香族ジアミン成分とし
てフェニレンジアミン成分を含むものを利用して製造す
る芳香族ポリイミドフィルムに対しては充分満足できる
特性を付与することができないことが判明した。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】この発明の目的は、基
板フィルムとして、打ち抜き性が良好でしかも接着性お
よび寸法安定性を保持した芳香族ポリイミドフィルムを
使用したフレキシブル回路基板を提供することである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】この発明は、厚みが１０
〜１２５μｍの芳香族ポリイミドフィルムであって、該
芳香族ポリイミドフィルムが１１〜２２ｋｇ／２０ｍｍ
／１０μｍの比端裂抵抗値を持ち、かつ揮発物含有量が
０．４重量％以下である芳香族ポリイミドフィルムの少
なくとも片面に、直接あるいは接着剤を介して導電体を
積層したのち、回路を形成してなるフレキシブル回路基
板に関する。

【０００８】この明細書において、端裂抵抗値（あるい
は比端裂抵抗値）はＪＩＳＣ２３１８に従って測定し
た試料（５個）の端裂抵抗（あるいは比端裂抵抗）の平
均値を意味する。具体的には、定速緊張形引張試験機の
上部厚さ１．００±０．０５ｍｍのＶ字形切り込み板試
験金具の中心線を上部つかみの中心線に一致させ、切り
込み頂点と下部つかみとの間隔を約３０ｍｍになるよう
に柄を取りつける。幅約２０ｍｍ、長さ約２００ｍｍの
試験片を金具の穴部に通して二つに折り合わせて試験機
の下部のつかみにはさみ、１分間につき約２００ｍｍの
速さで引張り、引き裂けたときの力を端裂抵抗という。
試験片を縦方向及び横方向からそれぞれ全幅にわたって
５枚とり、端裂抵抗の平均値を求め、端裂抵抗値として
示す。比端裂抵抗値はフィルム厚み当たり（１０ｍｍ換
算）の端裂抵抗値を示す。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下に本発明の主たる好ましい態
様を列記する。１）芳香族ポリイミドフィルムが少なくとも１５モル％
のビフェニルテトラカルボン酸もしくはその二無水物ま
たはエステルを含む芳香族テトラカルボン酸成分と、少
なくとも５モル％のフェニレンジアミンを含む芳香族ジ
アミン成分との反応によって製造されたポリイミドから
なる上記のフレキシブル回路基板。２）芳香族ポリイミドフィルムの比端裂抵抗値が１１〜
１５ｋｇ／２０ｍｍ／１０μｍの範囲にある上記のフレ
キシブル回路基板。３）芳香族ポリイミドフィルムの揮発物含有量が０．１
−０．３５重量％、特に０．１−０．３重量％、そのな
かでも特に０．１−０．２重量％である上記のフレキシ
ブル回路基板。４）芳香族ポリイミドフィルムの少なくとも片面を含む
層が更に０．１〜３重量％の無機フィラ−を含有する上
記のフレキシブル回路基板。５）芳香族ポリイミドフィルムの表面が表面処理剤処
理、コロナ放電処理、火炎処理、紫外線照射、グロ−放
電処理、プラズマ処理のいずれか１つ以上の表面処理が
されている上記のフレキシブル回路基板。６）芳香族ポリイミドフィルムの吸水率が０．５−１．
８％、引張弾性率が４５０−１０００Ｋｇ／ｍｍ²そし
て線膨張係数（５０〜２００℃）が０．６×１０^-5−
２．５×１０^-5ｃｍ／ｃｍ／℃以下である上記のフレキ
シブル回路基板。７）芳香族ポリイミドフィルムの絶縁破壊電圧が３ＫＶ
以上であって、体積抵抗率（２５℃）が１×１０¹⁵Ω・
ｃｍ以上である上記のフレキシブル回路基板。８）接着剤が、熱可塑性接着剤もしくは熱硬化性接着剤
である上記のフレキシブル回路基板。９）接着剤が、ポリイミドシロキサン−エポキシ樹脂−
エポキシ硬化剤の高耐熱性で低誘電性の熱硬化性接着剤
である上記のフレキシブル回路基板。１０）接着剤が、芳香族ポリイミドフィルムに接着剤溶
液を塗布した後に乾燥して設けられたもの、あるいは保
護フィルムに設けた接着剤を芳香族ポリイミドフィルム
に貼り合わせて設けられたものである上記のフレキシブ
ル回路基板。

【００１０】前記のビフェニルテトラカルボン酸成分と
しては、例えば３，３’，４，４’−ビフェニルテトラ
カルボン酸、それらの二無水物、またはそれらのエステ
ルが使用できるが、なかでも３，３’，４，４’−ビフ
ェニルテトラカルボン酸二無水物が好適に用いられる。

【００１１】前記の芳香族テトラカルボン酸成分とし
て、他にピロメリット酸二無水物、３，３’，４，４’
−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，
２’，３，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無
水物、２、２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）
プロパン二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキ
シフェニル）プロパン二無水物、ビス（３，４−ジカル
ボキシフェニル）エ−テル二無水物、ビス（２，３−ジ
カルボキシフェニル）エ−テル二無水物、２，３，６，
７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，４，
５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，
２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、
２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，
１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン二無水
物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）
１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン二無
水物なども挙げられる。

【００１２】前記のフェニレンジアミンは、ｏ−フェニ
レンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、そしてｐ−フ
ェニレンジアミンのいずれであってもよい。フェニレン
ジアミンと併用可能な芳香族ジアミン成分としては、ジ
アミノジフェニルエ−テル、４，４’−ジアミノジフェ
ニルプロパン、４，４’−ジアミノジフェニルエタン、
４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジア
ミノジフェニルスルフィド、ビス〔４−（４−アミノフ
ェノキシ）フェニル〕メタン、２，２−ビス〔４−（４
−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、２，２’−
ビス〔４−（アミノフェノキシ）フェニル〕−１，１，
１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、ビス〔４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル〕エ−テルなどが挙
げられる。

【００１３】この発明において、芳香族ポリイミドフィ
ルム（あるいは表面処理されたフィルム）は、厚みが１
０〜１２５μｍ、特に好ましくは２５〜７５μｍ、その
中でも特に４５〜５５μｍであることが好ましい。芳香
族ポリイミドフィルムの厚みがこの下限より小さいと自
己支持性が低く、また上限より大きいと製造に多大なコ
ストがかかる。また、前記の揮発物含有量が０．４重量
％より多いと接着性および寸法安定性に問題が発生す
る。芳香族ポリイミドフィルムの比端裂抵抗値が前記範
囲外であると、この発明の目的を達成することができな
い。

【００１４】また、（１）吸水率および（２）線膨張係
数（５０〜２００℃）が前記範囲内であると、種々の環
境下（高温、エッチング等）においた場合の寸法安定性
が良好である。さらに、（３）引張弾性率が前記範囲内
であると、基板フィルムとしてハンドリングが良好であ
る。

【００１５】この発明における芳香族ポリイミドフィル
ムは、例えば以下のようにして製造することができる。
好適には先ず前記テトラカルボン酸二無水物、好適には
ビフェニルテトラカルボン酸類とフェニレンジアミン、
好適にはパラフェニレンジアミンとをＮ，Ｎ−ジメチル
アセトアミドやＮ−メチル−２−ピロリドンなどのポリ
イミドの製造に通常使用される有機極性溶媒中で、好ま
しくは１０〜８０℃で１〜３０時間重合して、ポリマ−
の対数粘度（測定温度：３０℃、濃度：０．５ｇ／１０
０ｍｌ溶媒、溶媒：Ｎ−メチル−２−ピロリドン）が
０．１〜５、ポリマ−濃度が１５〜２５重量％であ
り、回転粘度（３０℃）が５００〜４５００ポイズであ
るポリアミック酸（イミド化率：５％以下）溶液を得
る。

【００１６】次いで、好適にはこのポリアミック酸１０
０重量部に対して０．０１〜１重量％のリン化合物、例
えば（ポリ）リン酸エステルおよび／またはリン酸エス
テルのアミン塩などの有機リン含有化合物あるいは無機
リン化合物および、好適にはさらにポリアミック酸１０
０重量部に対して０．１〜３重量部のコロイダルシリ
カ、窒化珪素、タルク、、酸化チタン、燐酸カリウムな
どの無機フィラ−（好適には平均粒径０．００５〜５μ
ｍ、特に０．００５〜２μｍ）を添加してポリアミック
酸溶液組成物を調製する。これらのリン化合物及び／又
は無機フィラ−はフィルム層全体に均一に存在させても
よく、あるいは２〜３層構造のフィルムを形成する場合
には少なくとも片方の表面を含む層に前記の割合で含有
させる。

【００１７】このポリアミック酸溶液組成物を平滑な表
面を有するガラスあるいは金属製の支持体表面に流延し
て前記溶液の薄膜を形成し、その薄膜を乾燥する際に、
乾燥条件を調整して（好適な条件は温度：１００〜１６
０℃、時間：１〜６０分間）乾燥することにより、固化
フィルム中、前記溶媒及び生成水分からなる揮発分含有
量が２５〜５０重量％、イミド化率が５〜６０％である
長尺状固化フィルムを形成し、上記固化フィルムを支持
体表面から剥離する。

【００１８】次いで、固化フィルムの片面または両面に
アミノシラン系、エポキシシラン系あるいはチタネ−ト
系の表面処理剤を含有する表面処理液を塗布した後、さ
らに乾燥することもできる。表面処理剤としては、γ−
アミノプロピル−トリエトキシシラン、Ｎ−β−（アミ
ノエチル）−γ−アミノプロピル−トリエトキシシラ
ン、Ｎ−（アミノカルボニル）−γ−アミノプロピル−
トリエトキシシラン、Ｎ−〔β−（フェニルアミノ）−
エチル〕−γ−アミノプロピル−トリエトキシシラン、
Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピル−トリエトキシシラ
ン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシ
ラン、γ−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン
などのアミノシラン系や、β−（３，４−エポキシシク
ロヘキシル）−エチル−トリメトキシシラン、γ−グリ
シリドキシプロピル−トリメトキシシランなどのエポキ
シシラン系や、イソプロピル−トリクミルフェニル−チ
タネ−ト、ジクミルフェニル−オキシアセテ−ト−チタ
ネ−トなどのチタネ−ト系などの耐熱性表面処理剤が使
用できる。表面処理液は前記の表面処理剤を０．５〜５
０重量％含む低級アルコ−ル、アミド系溶媒などの有機
極性溶媒溶液として使用できる。表面処理液はグラビア
コ−ト法、シルクスクリ−ン、浸漬法などを使用して均
一に塗布して薄層を形成することが好ましい。

【００１９】この発明における芳香族ポリイミドフィル
ムの製造法の一例の、キュア炉内におけるキュア前の好
適な加熱条件を示す図１を使用して以下に示す。すなわ
ち、前記のようにして得られた固化フィルムを必要であ
ればさらに乾燥して、好ましくは乾燥フィルムの揮発分
含有量が１０〜４５重量％となるように調整した後、該
乾燥フィルムの幅方向の両端縁を把持した状態で、図１
に示すキュア炉内におけるキュア炉入口における温度
（℃）（好適には１００〜２５０℃）×滞留時間（分）
が斜線の範囲内になるように乾燥後、最高加熱温度：４
００〜５００℃の温度が０．２〜３０分間となる条件で
該乾燥フィルムを加熱して乾燥およびイミド化して、残
揮発物量０．４重量％以下で、イミド化を完了すること
によって芳香族ポリイミドフィルムとして好適に製造す
ることができる。また、前記キュアリング工程の後、芳
香族ポリイミドフィルムの片面あるいは両面をアルカリ
処理した（例えば、水酸化ナトリウム水溶液、あるいは
水酸化カリウム／抱水ヒドラジン等のアルカリ水溶液に
浸漬）後、水洗・乾燥後、前記の表面処理液を塗布し乾
燥することによっても、同様にフィルム表面を表面処理
することができる。

【００２０】上記のようにして得られた芳香族ポリイミ
ドフィルムを、好適には低張力下あるいは無張力下に２
００〜４００℃程度の温度で加熱して応力緩和処理し、
巻き取る。

【００２１】前記の芳香族ポリイミドフィルムは、前述
の製造時のキュア炉内のキュア前の加熱条件を前記の図
１に示す範囲内にコントロ−ルすること及びキュア条件
を前記の温度および時間の範囲内にすることによって厚
みが１０〜１２５μｍのものであって、揮発物含有量が
０．４重量％以下で、かつ比端裂抵抗値がこの発明で規
定した値をとるようにすることができる。

【００２２】この発明における芳香族ポリイミドフィル
ムは、好適にはテトラカルボン酸二無水物として３，
３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
と芳香族ジアミンとしてパラフェニレンジアミンとを重
合する方法によって容易に得ることができるが、ポリア
ミック酸としては、前記フィルムの物性値を満足する範
囲内であれば、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラ
カルボン酸二無水物とパラフェニレンジアミンとともに
他の成分を重合してもよく、また、結合の種類はランダ
ム重合、ブロック重合のいずれであってもよい。また、
最終的に得られるポリイミドフィルム中の各成分の合計
量が前記の範囲内であれば、３，３’，４，４’−ビフ
ェニルテトラカルボン酸二無水物を含むポリアミック酸
とパラフェニレンジアミンを含むポリアミック酸に他の
成分からなるポリアミック酸成分を混合して使用しても
よい。いずれの場合も高温加熱時に高分子の切断および
再結合が生じ、前記と同様に目的とする芳香族ポリイミ
ドフィルムを得ることができる。また、この発明におけ
る芳香族ポリイミドフィルムは、上述の熱イミド化に限
定されず、前記条件の範囲内であれば化学イミド化によ
っても同様に行うことができる。

【００２３】この発明における芳香族ポリイミドフィル
ムは、そのままあるいは表面処理剤で処理していない場
合は、好適にはコロナ放電処理、プラズマ処理、紫外線
照射、グロ−放電処理、火炎処理で表面処理を施した
後、接着剤を塗布あるいはこれら接着剤のフィルムを積
層して接着剤層を設けることができる。

【００２４】上記芳香族ポリイミドフィルム、好適には
フィルムの表面処理面に導電体層を積層する方法として
は、蒸着法、スパッタ法、メッキ法で導電体層を直接積
層してもよく、あるいは接着剤を介して導電体層を積層
しても良い。

【００２５】この接着剤を介して導電体層を積層する場
合の接着剤は、耐熱性であれば熱硬化性でも熱可塑性で
も良い。例えば、エポキシ樹脂、ＮＢＲ−フェノ−ル系
樹脂、フェノ−ル−ブチラ−ル系樹脂、エポキシ−ＮＢ
Ｒ系樹脂、エポキシ−フェノ−ル系樹脂、エポキシ−ナ
イロン系樹脂、エポキシ−ポリエステル系樹脂、エポキ
シ−アクリル系樹脂、アクリル系樹脂、ポリアミド−エ
ポキシ−フェノ−ル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリイ
ミドシロキサン−エポキシ樹脂などの熱硬化性接着剤、
またはポリアミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリイ
ミド系樹脂、ポリイミドシロキサン系樹脂などの熱可塑
性接着剤が挙げられる。この接着剤の厚みは５−３５μ
ｍ程度であることが好ましい。特に、ポリイミド接着剤
〔好適には熱融着性の非結晶性ポリイミド、ここに非結
晶性とはＸ線回折スペクトルについてル−ランド法によ
る解析で実質的に結晶性が認められないもの、好適には
結晶化度が１０％未満、特に３％以下、その中でも１％
以下のものが好適である。また、ガラス転移温度：Ｔｇ
が１８０−２６０℃程度であるものが好適である。〕、
ポリイミドシロキサン−エポキシ樹脂接着剤〔ポリイミ
ドシロキサンはエポキシ樹脂との反応性基を有するポリ
イミドシロキサンであるものが好ましい。通常エポキシ
硬化剤を配合する。好適にはポリイミドシロキサン１０
０重量部に対して５−２００重量部のエポキシ樹脂およ
び０−１５０重量部のエポキシ硬化剤及び場合によりさ
らに０−２０重量部の硬化触媒を加えたもの。高耐熱性
で低誘電性であることが知られている。）、エポキシ樹
脂接着剤が好適に使用される。また、接着剤は、無機フ
ィラ−を含有してもよい。この接着剤は、芳香族ポリイ
ミドフィルムに接着剤溶液を塗布した後に乾燥して設け
るか、あるいは保護フィルムに設けた接着剤を芳香族ポ
リイミドフィルムに貼り合わせて設けてもよい。

【００２６】この発明における導電体は、金属例えばア
ルミニウム、銅、銅合金等が挙げられ、銅箔が好適に使
用される。銅箔としては、電解銅箔、圧延銅箔があり、
その引張強度が１７Ｋｇ／ｍｍ²以上であるものが好ま
しい。また、その厚みは８〜５０μｍであることが好ま
しい。

【００２７】この発明における芳香族ポリイミドフィル
ムには直接、あるいは好適には接着剤を介して導電体を
積層したのち、回路を形成する。導電体に回路を形成す
る場合は、芳香族ポリイミドフィルム上に直接あるいは
接着剤を介して導電体を積層して導電基板を製造した
後、その導電体表面に例えばエッチィングレジストを回
路パタ−ン状（配線パタ−ン状）に印刷して、配線パタ
−ンが形成される部分の導電体の表面を保護するエッチ
ィングレジストの配線パタ−ンを形成した後、それ自体
公知の方法でエッチィング液を使用して配線が形成され
ない部分の導電体をエッチィングにより除去し、エッチ
ィングレジストを除去することによって行うことができ
る。回路パタ−ン上面に直接あるいはシランカップリン
グ剤のような表面処理剤で処理した後、コ−ト材（液状
物）を塗布した後加熱乾燥してコ−ト層を形成してもよ
い。

【００２８】

【実施例】以下にこの発明の実施例を示す。以下の各例
において、ポリイミドフィルムの物性測定は以下の方法
によって行った。吸水率：ＡＳＴＭＤ５７０−６３に従って測定（２３
℃×２４時間）引張弾性率：ＡＳＴＭＤ８８２−６４Ｔに従って測定
（ＭＤ）線膨張係数（５０〜２００℃）：３００℃で３０分加熱
して応力緩和したサンプルをＴＭＡ装置（引張りモ−
ド、２ｇ荷重、試料長１０ｍｍ、２０℃／分）で測定

【００２９】イミド化率：ＦＩ−ＩＲ（ＡＴＲ法）によ
り１７８０ｃｍ^-1と１５１０ｃｍ^-1の吸光度の比から求
めた。測定はフィルムのＡ面について行った。揮発物含有量（固化フィルム）：下記式により求めた。揮発物含有量（固化フィルム）＝〔（Ａ−Ｂ）／Ａ〕×
１００Ａ：加熱前のフィルム重量Ｂ：４２０℃、２０分加熱後のフィルム重量揮発物含有量（ポリイミドフィルム）：下記式により求
めた。揮発物含有量（ポリイミドフィルム）＝〔（Ａ−Ｂ）／
Ａ〕×１００Ａ：１５０℃×１０分乾燥後の重量Ｂ：４５０℃×２０分乾燥後の重量（通常は空気中で試験するが、空気中での高温加熱によ
って劣化する場合には窒素ガス中で試験する）

【００３０】絶縁破壊電圧：ＡＳＴＭＤ１４９−６４
に従って測定（２５℃）体積抵抗率：ＡＳＴＭＤ２５７−６１に従って測定
（２５℃）誘電率：ＡＳＴＭＤ１５０−６４Ｔに従って測定（２
５℃、１ＫＨｚ）剥離強度：１８０°剥離強度、５０ｍｍ／分

【００３１】実施例１内容積１００リットルの重合槽に、Ｎ，Ｎ−ジメチルア
セトアミド５４．６ｋｇを加え、次いで，３，３’，
４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物８．８
２６ｋｇとパラフェニレンジアミン３．２４３ｋｇとを
加え、３０℃で１０時間重合反応させてポリマ−の対数
粘度（測定温度：３０℃、濃度：０．５ｇ／１００ミリ
リットル溶媒、溶媒：Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド）
が１．６０、ポリマ−濃度が１８重量％であるポリアミ
ック酸（イミド化率：５％以下）溶液を得た。このポリ
アミック酸溶液に、ポリアミック酸１００重量部に対し
て０．１重量部の割合でモノステアリルリン酸エステル
トリエタノ−ルアミン塩および０．５重量部の割合（固
形分基準）で平均粒径０．０８μｍのコロイダルシリカ
を添加して均一に混合してポリアミック酸溶液組成物を
得た。このポリアミック酸溶液組成物の回転粘度は３０
００ポイズであった。このポリアミック酸溶液組成物を
Ｔダイ金型のスリットから連続的に、キャスティング・
乾燥炉の平滑な支持体に押出して前記溶液の薄膜を形成
し、平均温度：１４１℃で乾燥して長尺状固化フィルム
を形成した。この支持体表面から剥離して長尺状固化フ
ィルムを得た。次いで、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド
のアミノシラン表面処理液を長尺状固化フィルムの両面
に均一に塗布した後乾燥して、表面処理した乾燥フィル
ムを得た。この乾燥フィルムは溶媒および生成水分から
なる揮発分含有量は２７重量％であった。次いで、該表
面処理した乾燥フィルムの幅方向を把持した状態で、キ
ュア炉内でキュアして（入口における温度×滞留時間＝
２４０℃×２分、最高温度×最高温度滞留時間＝４８０
℃×１分）、両面を表面処理剤で処理した厚み２５μｍ
の長尺状の芳香族ポリイミドフィルムを連続的に製造し
た。この芳香族ポリイミドフィルムについて測定、評価
した結果を表１に示す。上記の芳香族ポリイミドフィル
ムの上（片面）に熱硬化性接着剤（クレゾ−ルノボラッ
ク樹脂、エポキシ樹脂、ポリビニルブチラ−ルおよぼイ
ミダゾ−ルからなる）を、乾燥後の塗布厚みが２０μｍ
になるように塗布・乾燥する。次に接着剤の面に電解銅
箔（３５μｍ）を１３０℃、２ｋｇ／ｃｍ²でロ−ルラ
ミネ−ト（約１秒）して、張り合わせた。次いで、張り
合わせ物を１００℃で２時間、１２０℃で１時間、１８
０℃で６時間加熱して接着剤を硬化させて積層体を得
た。続いて、この積層体である銅張板に常法に従いパタ
−ニングを行い、次にエッチング、水洗・乾燥工程を経
た後、コ−ト材を塗布・乾燥してフレキシブル回路基板
を製造した。

【００３２】実施例２Ｔダイ金型のスリット巾を変えた他は実施例１と同様に
して長尺状固化フィルムを得た。長尺状固化フィルムの
両表面に表面処理液を塗布せず、実施例１と同様に加熱
・乾燥して乾燥フィルムを得た。このフィルムは揮発物
含有量が２７重量％であった。次いで、該乾燥フィルム
の幅方向を把持した状態で、キュア炉内でキュアして
（入口における温度×滞留時間＝２００℃×４分、最高
温度×最高温度滞留時間＝４８０℃×３分）、厚み５０
μｍの長尺状の芳香族ポリイミドフィルムを連続的に製
造した。この芳香族ポリイミドフィルムについて測定・
評価した結果を表１に示す。この芳香族ポリイミドフィ
ルムを常法によって低温プラズマ処理したフィルム（物
性は処理前のフィルムと同じ）を使用し、実施例１と同
様にしてフレキシブル回路基板を製造した。

【００３３】実施例３実施例２と同様にして長尺固化フィルムを製造した。次
いで、実施例１と同様にして表面処理した乾燥フィルム
を得た。このフィルムは揮発分含有量が２８重量％であ
った。次いで、該乾燥フィルムの幅方向を把持した状態
で、キュア炉内でキュアして（入口における温度×滞留
時間＝２００℃×２．５分、最高温度×最高温度滞留時
間＝４８０℃×３分）、両面を表面処理剤で処理した厚
み５０μｍの長尺状の芳香族ポリイミドフィルムを連続
的に製造した。この芳香族ポリイミドフィルムについて
測定・評価した結果を表１に示す。この芳香族ポリイミ
ドフィルムを使用し、実施例１と同様にしてフレキシブ
ル回路基板を製造した。

【００３４】実施例４Ｔダイ金型のスリット巾を変えた他は実施例２と同様に
して長尺状固化フィルムを得た。次いで、実施例２と同
様にして表面処理しない乾燥フィルムを得た。このフィ
ルムは揮発分含有量が３０重量％であった。次いで、該
乾燥フィルムの幅方向を把持した状態で、キュア炉内で
キュアして（入口における温度×滞留時間＝１４０℃×
５分、最高温度×最高温度滞留時間＝４８０℃×３
分）、厚み７５μｍの長尺状の芳香族ポリイミドフィル
ムを連続的に製造した。この芳香族ポリイミドフィルム
の両面をアルカリ処理した（水酸化カリウム／抱水ヒド
ラジン／水からなる溶液に３分間浸漬後、酸洗浄・水洗
・乾燥）後、実施例１と同様にして表面処理して、両面
を表面処理剤で処理した厚み７５μｍの長尺状の芳香族
ポリイミドフィルムを連続的に製造した。この芳香族ポ
リイミドフィルムについて測定・評価した結果を表１に
示す。この芳香族ポリイミドフィルムを使用し、実施例
１と同様にしてフレキシブル回路基板を製造した。

【００３５】実施例５Ｔダイ金型のスリット巾を変えた他は実施例２と同様に
して長尺状固化フィルムを得た。長尺状固化フィルムの
両表面に表面処理液を塗布せず、実施例２と同様に加熱
・乾燥して乾燥フィルムを得た。このフィルムは揮発物
含有量が３０重量％であった。次いで、該乾燥フィルム
の幅方向を把持した状態で、キュア炉内でキュアして
（入口における温度×滞留時間＝１０５℃×９分、最高
温度×最高温度滞留時間＝４５０℃×１５分）、厚み７
５μｍの長尺状の芳香族ポリイミドフィルムを連続的に
製造した。この芳香族ポリイミドフィルムについて測定
・評価した結果を表１に示す。この芳香族ポリイミドフ
ィルムを使用し、常法により低温プラズマ処理したフィ
ルム（物性は処理前のフィルムと同じ）を使用し、実施
例２と同様にしてフレキシブル回路基板を製造した。ま
た、実施例１〜５における芳香族ポリイミドフィルムの
加熱収縮率（２５０℃、２時間、ＪＩＳＣ２３１８）
は、いずれも０．３％以下であった。

【００３６】実施例６実施例１〜５で得られたフレキシブル回路基板のフィル
ム部を金型で打ち抜きその切断面を観察した。直線性が
保たれ、ひげやくずの発生が認められなかった場合を
○、直線性が劣り、ひげやくずの発生が認められる場合
を×で示す。結果をまとめて表１に示す。

【００３７】

【表１】

【００３８】実施例７ポリイミドシロキサンの製造−１特開平５−２５４５３号公報に記載の方法に従い以下の
ようにして製造した。容量２リットルのガラス製のセパ
ラブルフラスコ中、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭ
Ｐ）１０００ｇを溶媒として、２，３，３’，４’−ビ
フェニルテトラカルボン酸二無水物（ａ−ＢＰＤＡ）７
３．５６ｇ（２５０ミリモル）と、ジアミノポリシロキ
サン〔2 ＨＮ- Ｃ3 Ｈ6 - （Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 Ｏ）n-Ｓ
ｉ（ＣＨ3 ）2-Ｃ3 Ｈ6-ＮＨ2 、ｎ＝９．５〕８８ｇ
（１００ミリモル）と２，２−ビス〔４−（４−アミノ
フェノキシ）フェニル〕プロパン６１．５８ｇ（１５０
ミリモル）とを、重合・イミド化させた後、多量の水中
に投入し、乾燥して、ポリイミドシロキサン（ポリイミ
ドシロキサン−１）粉末２１０ｇを得た。このポリイミ
ドシロキサンは、対数粘度（３０℃）が０．３２であっ
た。また、このポリイミドシロキサン粉末のテトラヒド
ロフラン溶液から作製したフィルムは、引張弾性率が５
７ｋｇ／ｍｍ²、Ｔｇ（ガラス転移温度）が１９０℃
で、結晶化度は０％であった。

【００３９】フレキシブル回路基板の製造熱硬化製接着剤として、上記のポリイミドシロキサン
（ポリイミドシロキサン−１）５０部、エポキシ樹脂
（油化シェル社製、商品名：エピコ−ト８０７）１５
部、エポキシ樹脂（住友化学工業社、商品名：ＥＬＭ１
００）６部、硬化剤としてのフェノ−ルノボラック樹脂
（明和化成社、Ｈ−５）１７部および硬化触媒としての
２−フェニルイミダゾ−ル０．１部からなる樹脂混合物
（テトラヒドロフラン２５０部に溶解）を使用し、プラ
ズマ処理しないで得た厚み５０μｍの芳香族ポリイミド
フィルム（比端裂抵抗：１３．９ｋｇ／２０ｍｍ／１０
μｍ、揮発物含有量：０．１３％、吸水率：１．３％、
引張弾性率：８６５ｋｇ／ｍｍ²、線膨張係数：１．１
×１０^-5／℃、絶縁破壊電圧：１０．３ｋｖ、体積抵抗
率：４．７×１０¹⁶Ω・ｃｍ、誘電率：３．２）を使用
した他は、実施例２と同様に実施してフレキシブル回路
基板を得た。実施例２および実施例６と同様にして評価
し、積層体の剥離強度（ｋｇ／ｃｍ、１８０°）が２．
４ｋｇ／ｃｍ、打ち抜き性が良好という結果が得られ
た。

【００４０】実施例８ポリイミドシロキサンの製造−２容量２リットルのガラス製のセパラブルフラスコ中、Ｎ
−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）１０００ｇを溶媒
として、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボ
ン酸二無水物（ａ−ＢＰＤＡ）７３．５６ｇ（２５０ミ
リモル）と、ジアミノポリシロキサン〔2 ＨＮ- Ｃ3 Ｈ
6 - （Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 Ｏ）n-Ｓｉ（ＣＨ3 ）2-Ｃ3 Ｈ
6-ＮＨ2 、ｎ＝９．５〕１２１．４ｇ（１３８ミリモ
ル）と２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フ
ェニル〕プロパン４１．０５ｇ（１００ミリモル）と、
ビス（３−カルボキシ−４−アミノフェニル）メタン
３．５８ｇ（１２．５ミリモル）とを、重合・イミド化
させた後、多量の水中に投入し、乾燥して、ポリイミド
シロキサン（ポリイミドシロキサン−１）粉末２１０ｇ
を得た。このポリイミドシロキサンは、対数粘度（３０
℃）が０．３２であった。また、このポリイミドシロキ
サン粉末のテトラヒドロフラン溶液から作製したフィル
ムは、引張弾性率が２０ｋｇ／ｍｍ²、Ｔｇ（ガラス転
移温度）が１１０℃であった。

【００４１】フレキシブル回路基板の製造熱硬化製接着剤として、上記のポリイミドシロキサン
（ポリイミドシロキサン−２）５０部、エポキシ樹脂
（油化シェル社製、商品名：エピコ−ト８０７）１５
部、エポキシ樹脂（住友化学工業社、商品名：ＥＬＭ１
００）６部、フェノ−ルノボラック樹脂（明和化成社、
Ｈ−５）１７部および硬化剤としての２−フェニルイミ
ダゾ−ル０．１部をテトラヒドロフラン２５０部に溶解
したものを使用した他は、実施例７と同様に実施してフ
レキシブル回路基板を得た。実施例２および実施例６と
同様にして評価し、積層体の剥離強度（ｋｇ／ｃｍ、１
８０°）が２．３ｋｇ／ｃｍ、打ち抜き性が良好という
結果が得られた。

【００４２】実施例９熱硬化性接着剤の乾燥後の塗布厚みを、５μｍにし、電
解銅箔として厚み１２μｍのものを使用した他は、実施
例７と同様に実施してフレキシブル回路基板を得た。実
施例２および実施例６と同様にして評価し、積層体の剥
離強度（ｋｇ／ｃｍ、１８０°）が２．０ｋｇ／ｃｍ、
打ち抜き性が良好という結果が得られた。

【００４３】実施例１０実施例７の熱硬化性接着剤に、窒化アルミナ（トクヤマ
社製、比表面積２．７２ｍ²／ｇ）を５０部添加して得
られた接着剤を使用した他は、実施例７と同様に実施し
てフレキシブル回路基板を得た。実施例２および実施例
６と同様にして評価し、積層体の剥離強度（ｋｇ／ｃ
ｍ、１８０°）が１．５ｋｇ／ｃｍ、打ち抜き性が良好
という結果が得られた。

【００４４】実施例１１実施例７で製造した熱硬化性接着剤溶液をポリエチレン
テレフタレ−ト（ＰＥＴ）製のフィルム（厚み２５μ
ｍ）の上に乾燥後の塗布厚みが２０μｍになるように塗
布・乾燥し、接着剤の両面にＰＥＴ製のフィルムを張り
合わせた。次に、この接着剤シ−トの片方のＰＥＴフィ
ルムを剥がし、実施例２で製造した芳香族ポリイミドフ
ィルムの上に接着剤面を合わせ１３０℃で張り合わせ
た。この接着剤の上の他のＰＥＴフィルムを剥がし、接
着剤の上に実施例２と同様にして電解銅箔を張り合わ
せ、さらに実施例２と同様にしてフレキシブル回路基板
を得た。実施例２および実施例６と同様にして評価し、
積層体の剥離強度（ｋｇ／ｃｍ、１８０°）が２．３ｋ
ｇ／ｃｍ、打ち抜き性が良好という結果が得られた。

【００４５】実施例１２芳香族ポリイミドフィルムの上に、実施例７で得たポリ
イミドシロキサン（ポリイミドシロキサン−１）のテト
ラヒドロフランの溶液を乾燥後の塗布厚みが２０μｍに
なるように塗布・乾燥し、さらに、フィルムの反対面に
同様にしてポリイミドシロキサンのテトラホドロフラン
の溶液を塗布・乾燥して両面に熱可塑性接着剤を塗布し
たフィルムを得た。この両面に接着剤を塗布したフィル
ムがＬＯＣ（リ−ド・オン・チップ）用のテ−プとして
使用可能であることを確認した。つまり、この両面に接
着剤付きのフィルムの両側に電解銅箔を重ね合わせ、銅
箔との張り合わせ温度を２００℃にした他は実施例２と
同様にして電解銅箔を張り合わせ、同様にして両面のフ
レキシブル回路基板を得た。実施例２および実施例６と
同様にして評価し、積層体の剥離強度（ｋｇ／ｃｍ、１
８０°）が１．８ｋｇ／ｃｍ、打ち抜き性が良好という
結果が得られた。

【００４６】

【発明の効果】この発明は以上説明したように構成され
ているので、以下に記載のような効果を奏する。この発
明のフレキシブル回路基板は、打ち抜き性が良好であ
り、しかも接着性を保持しており、高精度の加工が可能
である。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明における芳香族ポリイミドフィルムの
製造法の一例の、キュア炉内におけるキュア前の好適な
加熱条件の範囲を示す。縦軸キュア炉入口における温度（℃）×滞留時間
（分）横軸フィルムの厚み（μｍ）斜線好ましい範囲

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩＣ０８Ｇ 73/10 Ｃ０８Ｇ 73/10 Ｈ０５Ｋ 3/38 Ｈ０５Ｋ 3/38 Ｅ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】厚みが１０〜１２５μｍであって、１１
〜２２ｋｇ／２０ｍｍ／１０μｍの比端裂抵抗値を持
ち、かつ揮発物含有量が０．４重量％以下である芳香族
ポリイミドフィルムの少なくとも片面に、直接あるいは
接着剤を介して導電体を積層したのち、回路を形成して
なるフレキシブル回路基板。
【請求項２】芳香族ポリイミドフィルムが、少なくと
も１５モル％のビフェニルテトラカルボン酸もしくはそ
の二無水物またはエステルを含む芳香族テトラカルボン
酸成分と、少なくとも５モル％のフェニレンジアミンを
含む芳香族ジアミン成分との反応によって製造されたポ
リイミドからなる請求項１記載のフレキシブル回路基
板。
【請求項３】芳香族ポリイミドフィルムの比端裂抵抗
値が１１〜１５ｋｇ／２０ｍｍ／１０μｍの範囲にある
請求項１記載のフレキシブル回路基板。
【請求項４】芳香族ポリイミドフィルムの揮発物含有
量が０．１−０．３５重量％である請求項１もしくは２
記載のフレキシブル回路基板。
【請求項５】芳香族ポリイミドフィルムの少なくとも
片面を含む層が０．１〜３重量％の無機フィラ−を含有
する請求項１乃至は４のうちのいずれかの項に記載のフ
レキシブル回路基板。
【請求項６】芳香族ポリイミドフィルムの表面が表面
処理剤処理、コロナ放電処理、火炎処理、紫外線照射、
グロ−放電処理、プラズマ処理のいずれか１つ以上の表
面処理がされている請求項１乃至５のうちのいずれかの
項に記載のフレキシブル回路基板。
【請求項７】芳香族ポリイミドフィルムの吸水率が
０．５−１．８％、引張弾性率が４５０−１０００Ｋｇ
／ｍｍ²、そして線膨張係数（５０〜２００℃）が０．
６×１０^-5−２．５×１０^-5ｃｍ／ｃｍ／℃である請求
項１乃至６のうちのいずれかの項に記載のフレキシブル
回路基板。
【請求項８】芳香族ポリイミドフィルムの絶縁破壊電
圧が３ＫＶ以上であって、体積抵抗率（２５℃）が１×
１０¹⁵Ω・ｃｍ以上である請求項１乃至７のうちのいず
れかの項に記載のフレキシブル回路基板。
【請求項９】接着剤が、厚みが５−３５μｍの熱可塑
性接着剤もしくは熱硬化性接着剤である請求項１に記載
のフレキシブル回路基板。
【請求項１０】接着剤が、接着剤樹脂１００重量部に
対して０−５０重量部の割合で無機フィラ−を含有する
熱可塑性接着剤もしくは熱硬化性接着剤である請求項９
に記載のフレキシブル回路基板。
【請求項１１】接着剤が、熱融着性の非結晶性ポリイ
ミドからなる熱可塑性接着剤である請求項９に記載のフ
レキシブル回路基板。
【請求項１２】接着剤が、ポリイミドシロキサン−エ
ポキシ樹脂−エポキシ硬化剤の高耐熱性で低誘電性の熱
硬化性接着剤である請求項１１に記載のフレキシブル回
路基板。
【請求項１３】接着剤が、エポキシ樹脂との反応性基
を有するポリイミドシロキサン−エポキシ樹脂−エポキ
シ硬化剤の熱硬化性接着剤である請求項１２に記載のフ
レキシブル回路基板。
【請求項１４】接着剤が、芳香族ポリイミドフィルム
に接着剤溶液を塗布した後に乾燥して設けられたもの、
あるいは保護フィルムに設けた接着剤を芳香族ポリイミ
ドフィルムに貼り合わせて設けられたものである請求項
９乃至１３のうちのいずれかに記載のフレキシブル回路
基板。
【請求項１５】導電体が厚み８−５０μｍの銅からな
る請求項１乃至１４のうちのいずれかに記載のフレキシ
ブル回路基板。