JPH1140523A - 基板切断装置および基板切断方法 - Google Patents
基板切断装置および基板切断方法Info
- Publication number
- JPH1140523A JPH1140523A JP19597597A JP19597597A JPH1140523A JP H1140523 A JPH1140523 A JP H1140523A JP 19597597 A JP19597597 A JP 19597597A JP 19597597 A JP19597597 A JP 19597597A JP H1140523 A JPH1140523 A JP H1140523A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- cutting
- laser beam
- jig
- package
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体パッケージにおいてモールド樹脂と基
板間のデラミネーションや切断による樹脂クズの発生お
よび熱的ダメージを防止できると共に、生産性を低下さ
せずにCPS等の小型パッケージを基板から個片化処理
できる基板切断装置および基板切断方法を提供する。 【解決手段】 前工程での熱処理の影響等により収縮
し、ピッチが一定でない複数個のパッケージ8を有する
基板7を、分割・整列機構部10において、パッケージ
8間の任意の位置に切れ目14を形成してパッケージ8
の位置を補正し、複数個のパッケージ8を同時に位置決
めした後に、レーザビーム2を用いてパッケージ8の周
辺極近傍を切断加工し、複数個のパッケージ8を連続し
て個片化処理する。
板間のデラミネーションや切断による樹脂クズの発生お
よび熱的ダメージを防止できると共に、生産性を低下さ
せずにCPS等の小型パッケージを基板から個片化処理
できる基板切断装置および基板切断方法を提供する。 【解決手段】 前工程での熱処理の影響等により収縮
し、ピッチが一定でない複数個のパッケージ8を有する
基板7を、分割・整列機構部10において、パッケージ
8間の任意の位置に切れ目14を形成してパッケージ8
の位置を補正し、複数個のパッケージ8を同時に位置決
めした後に、レーザビーム2を用いてパッケージ8の周
辺極近傍を切断加工し、複数個のパッケージ8を連続し
て個片化処理する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば一枚の基
板上に形成された複数個のIC、特にCSP(Chip Sca
ie Package)等の小型パッケージを切り離す際に使用さ
れる基板切断装置および切断方法に関するものである。
板上に形成された複数個のIC、特にCSP(Chip Sca
ie Package)等の小型パッケージを切り離す際に使用さ
れる基板切断装置および切断方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、カメラ一体型VTRや携帯電話等
の携帯機器の普及が進んでおり、これらの機器の小型化
の要求に対応するためは、LSIパッケージの小型、薄
型化が必要であり、そのため、LSIのベアチップとほ
ぼ同じ大きさまでパッケージを小型化したCSP(Chip
Scaie Package)が、LSIメーカー各社で開発が進め
られている。特に、ポリイミドやガラスエポキシ等のテ
ープ基板に、チップをワイヤボンドで接続、モールド、
半田ボール付けした後に、テープ基板を切り離して個片
化する製造方法は、従来のアセンブリ技術を活用すると
共に小型パッケージを実現できることを特徴として、最
も量産化が進められている。従来、基板から個々のパッ
ケージを切り離し個片化する方法としては、ローラカッ
ター法、金型による打ち抜き法、シェアリング法、上下
平刃による押し切り法等がある。
の携帯機器の普及が進んでおり、これらの機器の小型化
の要求に対応するためは、LSIパッケージの小型、薄
型化が必要であり、そのため、LSIのベアチップとほ
ぼ同じ大きさまでパッケージを小型化したCSP(Chip
Scaie Package)が、LSIメーカー各社で開発が進め
られている。特に、ポリイミドやガラスエポキシ等のテ
ープ基板に、チップをワイヤボンドで接続、モールド、
半田ボール付けした後に、テープ基板を切り離して個片
化する製造方法は、従来のアセンブリ技術を活用すると
共に小型パッケージを実現できることを特徴として、最
も量産化が進められている。従来、基板から個々のパッ
ケージを切り離し個片化する方法としては、ローラカッ
ター法、金型による打ち抜き法、シェアリング法、上下
平刃による押し切り法等がある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、一枚の
基板から個々のパッケージを切り離す方法としては、従
来いくつかの方法が提案されているが、いずれも基板に
接触して切断する方法であり、切り離した個片において
モールド樹脂と基板が剥離するデラミネーションを防止
するには、パッケージ端から離れた位置で切断する必要
があり、パッケージの外形を十分に小型化することがで
きない。さらに、切断により樹脂クズが発生するなどの
問題があった。また、短時間に多数個の小型パッケージ
を形成するためには、複数個のパッケージが形成された
基板を高精度で個片化処理することが必要であるが、前
工程での熱処理の影響等による基板の収縮が生じること
により、パッケージ間のピッチが一定にならないため、
高精度に個片化処理するためには、パッケージ毎に位置
を認識した後に個片化処理することが必要となり、生産
性を低下させる問題があった。また、レーザービームを
用いた個片化処理では、熱エネルギーによる加工となる
ため、パッケージに熱的ダメージを与えたり、加工に伴
い発生するカーボン等の発塵物が付着することによりパ
ッケージを汚染するなどの問題があった。
基板から個々のパッケージを切り離す方法としては、従
来いくつかの方法が提案されているが、いずれも基板に
接触して切断する方法であり、切り離した個片において
モールド樹脂と基板が剥離するデラミネーションを防止
するには、パッケージ端から離れた位置で切断する必要
があり、パッケージの外形を十分に小型化することがで
きない。さらに、切断により樹脂クズが発生するなどの
問題があった。また、短時間に多数個の小型パッケージ
を形成するためには、複数個のパッケージが形成された
基板を高精度で個片化処理することが必要であるが、前
工程での熱処理の影響等による基板の収縮が生じること
により、パッケージ間のピッチが一定にならないため、
高精度に個片化処理するためには、パッケージ毎に位置
を認識した後に個片化処理することが必要となり、生産
性を低下させる問題があった。また、レーザービームを
用いた個片化処理では、熱エネルギーによる加工となる
ため、パッケージに熱的ダメージを与えたり、加工に伴
い発生するカーボン等の発塵物が付着することによりパ
ッケージを汚染するなどの問題があった。
【0004】この発明は、上記のような問題を解決する
ためになされたもので、モールド樹脂と基板間のデラミ
ネーションや切断による樹脂クズの発生および熱的ダメ
ージを防止できると共に、生産性を低下させずにCPS
等の小型パッケージを基板から個片化処理できる基板切
断装置を提供することを目的とする。さらにこの装置に
適した基板切断方法を提供することを目的とする。
ためになされたもので、モールド樹脂と基板間のデラミ
ネーションや切断による樹脂クズの発生および熱的ダメ
ージを防止できると共に、生産性を低下させずにCPS
等の小型パッケージを基板から個片化処理できる基板切
断装置を提供することを目的とする。さらにこの装置に
適した基板切断方法を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】この発明に係わる基板切
断装置は、複数個の部品が形成された基板の各部品間に
切れ目を形成後あるいは各部品毎に分割後、部品の位置
を補正し整列させる整列機構部と、整列された複数個の
部品を有する基板の搬送手段と、整列された複数個の部
品を有する基板にレーザビームを照射するレーザ加工部
とを備えたものである。また、基板には、各部品に対応
して基板の短手方向両側に穴部が形成されているもので
ある。また、整列機構部は、基板切断用治具と、基板に
形成された穴部に対応するピンが所定位置に設けられた
整列治具を備えているものである。また、基板切断用治
具は、接触式の切断治具である。また、整列治具に設け
られたピンは、端部が尖端状に形成されたテーパ形状で
ある。また、レーザ加工部は、水平移動が可能なステー
ジと、ステージ上に設置され、整列された複数個の部品
を有する基板を保持する保持治具と、保持治具に保持さ
れた基板上にレーザビームを出射するレーザ発振器と、
レーザビームの照射部に吹き付けるガスを噴出させるノ
ズルを備えているものである。また、保持治具には、整
列治具に設けられたピンと対応する位置に突起部が設け
られているものである。また、基板には、一方の面に金
属配線が形成され、他方の面に半田ボールが設けられて
おり、金属配線が形成された面側からレーザビームは照
射され、半田ボールが設けられた面側から基板は保持治
具に吸引保持されるよう構成されているものである。ま
た、保持治具の半田ボールとの接触面には、半田ボール
に対応した凹部が設けられているものである。さらに、
保持治具の半田ボールとの接触面は、基板の構成材料と
同じ材料により構成されているものである。また、保持
治具は、基板を通過したレーザビームと干渉しないよう
レーザビームの進行方向に従いテーパ形状に切り欠かれ
ているものである。また、保持治具の周辺部に、吸引排
気孔を有し、レーザビーム照射により生じた発塵物を強
制的に排出する機構を備えたものである。また、レーザ
ビームの照射部に吹き付けるガスを噴出させるノズル
は、レーザビームと同軸でガスを噴出させるものであ
る。また、レーザ加工部は、レーザビームの照射により
切断される部品の周辺部に吹き付けるガスを噴出させる
ノズルを複数個備えたものである。また、レーザ加工部
は、レーザ発振器から出射するレーザビームを複数本に
分割し基板に照射する光学系を備えたものである。
断装置は、複数個の部品が形成された基板の各部品間に
切れ目を形成後あるいは各部品毎に分割後、部品の位置
を補正し整列させる整列機構部と、整列された複数個の
部品を有する基板の搬送手段と、整列された複数個の部
品を有する基板にレーザビームを照射するレーザ加工部
とを備えたものである。また、基板には、各部品に対応
して基板の短手方向両側に穴部が形成されているもので
ある。また、整列機構部は、基板切断用治具と、基板に
形成された穴部に対応するピンが所定位置に設けられた
整列治具を備えているものである。また、基板切断用治
具は、接触式の切断治具である。また、整列治具に設け
られたピンは、端部が尖端状に形成されたテーパ形状で
ある。また、レーザ加工部は、水平移動が可能なステー
ジと、ステージ上に設置され、整列された複数個の部品
を有する基板を保持する保持治具と、保持治具に保持さ
れた基板上にレーザビームを出射するレーザ発振器と、
レーザビームの照射部に吹き付けるガスを噴出させるノ
ズルを備えているものである。また、保持治具には、整
列治具に設けられたピンと対応する位置に突起部が設け
られているものである。また、基板には、一方の面に金
属配線が形成され、他方の面に半田ボールが設けられて
おり、金属配線が形成された面側からレーザビームは照
射され、半田ボールが設けられた面側から基板は保持治
具に吸引保持されるよう構成されているものである。ま
た、保持治具の半田ボールとの接触面には、半田ボール
に対応した凹部が設けられているものである。さらに、
保持治具の半田ボールとの接触面は、基板の構成材料と
同じ材料により構成されているものである。また、保持
治具は、基板を通過したレーザビームと干渉しないよう
レーザビームの進行方向に従いテーパ形状に切り欠かれ
ているものである。また、保持治具の周辺部に、吸引排
気孔を有し、レーザビーム照射により生じた発塵物を強
制的に排出する機構を備えたものである。また、レーザ
ビームの照射部に吹き付けるガスを噴出させるノズル
は、レーザビームと同軸でガスを噴出させるものであ
る。また、レーザ加工部は、レーザビームの照射により
切断される部品の周辺部に吹き付けるガスを噴出させる
ノズルを複数個備えたものである。また、レーザ加工部
は、レーザ発振器から出射するレーザビームを複数本に
分割し基板に照射する光学系を備えたものである。
【0006】さらにこの発明の基板切断方法は、複数個
の部品が形成された基板の部品間に切れ目を形成する工
程あるいは各部品毎に分割する工程と、部品の位置を補
正し整列させる工程と、整列された複数個の部品を有す
る基板を同時に水平移動が可能なステージ上の保持治具
に移動させる工程と、保持治具に保持された基板にガス
を吹き付けると共にレーザビームを照射し部品を個片化
処理する工程を含むものである。また、部品の位置補正
は、部品間に切れ目を形成後、整列治具の所定位置に設
けられたピンに、部品の両側に設けられた穴部を嵌合さ
せることにより行うものである。または、部品の位置補
正は、部品間を分割後、所定位置にピンを有する整列治
具を上昇させ、部品の両側に設けられた穴部にピンを挿
入することにより行うものである。または、部品の位置
補正は、整列治具の所定位置に設けられた端部が尖端状
に形成されたテーパ形状のピンの先端を、部品の両側に
設けられた穴部に挿入した状態で部品間を分割し、テー
パ形状のピンに沿って分割された基板を滑り落とすこと
により行うものである。また、レーザ発振器から出射す
るレーザビームを複数本に分割し基板に照射する光学系
により、基板へのレーザビームの照射を複数回行うこと
により部品を個片化処理するものである。
の部品が形成された基板の部品間に切れ目を形成する工
程あるいは各部品毎に分割する工程と、部品の位置を補
正し整列させる工程と、整列された複数個の部品を有す
る基板を同時に水平移動が可能なステージ上の保持治具
に移動させる工程と、保持治具に保持された基板にガス
を吹き付けると共にレーザビームを照射し部品を個片化
処理する工程を含むものである。また、部品の位置補正
は、部品間に切れ目を形成後、整列治具の所定位置に設
けられたピンに、部品の両側に設けられた穴部を嵌合さ
せることにより行うものである。または、部品の位置補
正は、部品間を分割後、所定位置にピンを有する整列治
具を上昇させ、部品の両側に設けられた穴部にピンを挿
入することにより行うものである。または、部品の位置
補正は、整列治具の所定位置に設けられた端部が尖端状
に形成されたテーパ形状のピンの先端を、部品の両側に
設けられた穴部に挿入した状態で部品間を分割し、テー
パ形状のピンに沿って分割された基板を滑り落とすこと
により行うものである。また、レーザ発振器から出射す
るレーザビームを複数本に分割し基板に照射する光学系
により、基板へのレーザビームの照射を複数回行うこと
により部品を個片化処理するものである。
【0007】
実施の形態1.以下、この発明の一実施の形態である基
板切断装置を図について説明する。図1は本発明の実施
の形態1による基板切断装置の構成を示す概略図であ
る。図において、1はレーザ発振器、2はレーザ発振器
1から出射されたレーザビーム、3はレーザ発振器1か
ら出射されたレーザビーム2を反射させて進行方向を変
える反射ミラー、4は集光レンズ、5は可動ステージ、
6は可動ステージ5上の保持機構部、7は複数個の部品
であるパッケージ8が形成された基板、9は基板7をパ
ッケージ8単位に分割した分割基板、10は基板7をパ
ッケージ8単位に分割すると共に、この分割基板9上の
パッケージ8の位置を補正してパッケージ8が所定の位
置に配置されるよう分割基板9を整列させる分割・整列
機構部、11はガスを噴出させるノズルである。図2は
分割・整列機構部10を示す平面図である。図におい
て、12は分割・整列機構部10の基板7を保持する保
持部、13は例えばローラカッター等の接触式の切断治
具、14は切断治具13により基板7に形成された切れ
目、15は各パッケージ8に対応させて基板7に設けら
れた穴部、16aは所定の位置に複数のピン17aを有
する整列治具で、ピン17aは基板7に設けられた穴部
15の径より小さい径を有する。
板切断装置を図について説明する。図1は本発明の実施
の形態1による基板切断装置の構成を示す概略図であ
る。図において、1はレーザ発振器、2はレーザ発振器
1から出射されたレーザビーム、3はレーザ発振器1か
ら出射されたレーザビーム2を反射させて進行方向を変
える反射ミラー、4は集光レンズ、5は可動ステージ、
6は可動ステージ5上の保持機構部、7は複数個の部品
であるパッケージ8が形成された基板、9は基板7をパ
ッケージ8単位に分割した分割基板、10は基板7をパ
ッケージ8単位に分割すると共に、この分割基板9上の
パッケージ8の位置を補正してパッケージ8が所定の位
置に配置されるよう分割基板9を整列させる分割・整列
機構部、11はガスを噴出させるノズルである。図2は
分割・整列機構部10を示す平面図である。図におい
て、12は分割・整列機構部10の基板7を保持する保
持部、13は例えばローラカッター等の接触式の切断治
具、14は切断治具13により基板7に形成された切れ
目、15は各パッケージ8に対応させて基板7に設けら
れた穴部、16aは所定の位置に複数のピン17aを有
する整列治具で、ピン17aは基板7に設けられた穴部
15の径より小さい径を有する。
【0008】複数個のパッケージ8を有する基板7に
は、前工程での熱処理の影響等により収縮が生じ、パッ
ケージ8間のピッチが一定にはならない。そのため、パ
ッケージ8を高精度に個片化処理するためには、まず、
パッケージ8の位置を補正し、整列させることが必要で
ある。なお、前工程での熱処理の影響等による基板7の
収縮は、通常基板の長手方向に大きく、短手方向には無
視できるほど小さい。そのため、各パッケージ8に対応
させて設ける穴部15を、基板7の短手方向かつパッケ
ージ8の両側の所定位置に一個ずつ形成することによ
り、対をなすパッケージ8と穴部15の位置関係が、基
板7の収縮に係わらず常に一定となる。
は、前工程での熱処理の影響等により収縮が生じ、パッ
ケージ8間のピッチが一定にはならない。そのため、パ
ッケージ8を高精度に個片化処理するためには、まず、
パッケージ8の位置を補正し、整列させることが必要で
ある。なお、前工程での熱処理の影響等による基板7の
収縮は、通常基板の長手方向に大きく、短手方向には無
視できるほど小さい。そのため、各パッケージ8に対応
させて設ける穴部15を、基板7の短手方向かつパッケ
ージ8の両側の所定位置に一個ずつ形成することによ
り、対をなすパッケージ8と穴部15の位置関係が、基
板7の収縮に係わらず常に一定となる。
【0009】次に、本実施の形態の基板切断装置による
基板切断について説明する。まず図2に示すように、前
工程での熱処理の影響等により収縮し、ピッチが一定で
ない複数個のパッケージ8を有する基板7を、分割・整
列機構部10の保持部12に配置し、切断治具13によ
りパッケージ8間の任意の位置を、短手方向の両側から
交互に対向する辺側へその辺の端部から所定の長さを残
した部分まで切断し、保持部12に保持された基板7上
の各パッケージ8の間に切れ目14を形成する。次に切
れ目14が形成された基板7を、ロボット等(図示せ
ず)により真空吸着して、ピン17aを有する整列治具
16aに搬送し、ピン17aに基板7に設けられた穴部
15を嵌合させることにより、分割基板9を整列させ
る。このとき、基板7には切れ目14が形成されてお
り、長手方向にのびることができるため、所定位置に設
けられたピン17aにパッケージ8の両側に設けられた
穴部15を嵌合させることができ、熱処理の影響等によ
る基板7の長手方向の収縮を補正して、各パッケージ8
を所定の位置に精度よく配置することができる。次に分
割・整列機構部10の整列治具16aのピン17aによ
り位置決めされた分割基板9を、そのままの状態で全数
を同時にロボット等(図示せず)により真空吸着して、
可動ステージ5上の保持機構部6に配置する。なお、分
割基板9は、保持機構部6では、分割・整列機構部10
の整列治具16aに設けられていたピン17aと対応す
る位置に突起部を有する保持治具(図示せず)に保持さ
れ、位置ずれを防止される。また、保持治具に設けられ
た突起部の径はパッケージ8の両側に設けられた穴部1
5の径より小さい。
基板切断について説明する。まず図2に示すように、前
工程での熱処理の影響等により収縮し、ピッチが一定で
ない複数個のパッケージ8を有する基板7を、分割・整
列機構部10の保持部12に配置し、切断治具13によ
りパッケージ8間の任意の位置を、短手方向の両側から
交互に対向する辺側へその辺の端部から所定の長さを残
した部分まで切断し、保持部12に保持された基板7上
の各パッケージ8の間に切れ目14を形成する。次に切
れ目14が形成された基板7を、ロボット等(図示せ
ず)により真空吸着して、ピン17aを有する整列治具
16aに搬送し、ピン17aに基板7に設けられた穴部
15を嵌合させることにより、分割基板9を整列させ
る。このとき、基板7には切れ目14が形成されてお
り、長手方向にのびることができるため、所定位置に設
けられたピン17aにパッケージ8の両側に設けられた
穴部15を嵌合させることができ、熱処理の影響等によ
る基板7の長手方向の収縮を補正して、各パッケージ8
を所定の位置に精度よく配置することができる。次に分
割・整列機構部10の整列治具16aのピン17aによ
り位置決めされた分割基板9を、そのままの状態で全数
を同時にロボット等(図示せず)により真空吸着して、
可動ステージ5上の保持機構部6に配置する。なお、分
割基板9は、保持機構部6では、分割・整列機構部10
の整列治具16aに設けられていたピン17aと対応す
る位置に突起部を有する保持治具(図示せず)に保持さ
れ、位置ずれを防止される。また、保持治具に設けられ
た突起部の径はパッケージ8の両側に設けられた穴部1
5の径より小さい。
【0010】次に、レーザ発振器1から出射され、集光
レンズ4により集光されたレーザビーム2を、移動ステ
ージ5上の保持機構部6に高精度に位置決めされ保持さ
れた分割基板9に照射した状態で、可動ステージ5を予
めプログラミングされた情報に従い移動させることによ
り、分割基板9をパッケージ8の周辺極近傍で切断し、
複数個のパッケージ8を連続して個片化処理する。ま
た、レーザビーム2照射による分割基板9切断時には、
ノズル11から切断加工部にガス(アシストガス)を吹
き付けて、切断加工部で生じる燃焼溶融物を除去するこ
とにより、切断の高速化を図っている。なお、レーザビ
ーム2の照射、ノズル11からのガスの吹き付けおよび
可動ステージ5の移動は、予め入力された情報に従い一
つの制御系により制御される(制御系は図示せず)。ま
た、パッケージ8を個片化するための熱源となるレーザ
発振器1としては、近年小型パッケージとして多用され
ているCPS(Chip Scaie Package)では、その基板材
料としてポリイミド樹脂やガラス基材エポキシ樹脂等の
樹脂テープが用いられ、その表面にはCu等による金属
配線が形成されており、この金属配線が形成された樹脂
テープを切断加工する必要があるため、樹脂および金属
に対する吸収率が高いYAGの高調波(波長:λ=0.
532、0. 266μm等)や、大出力パワーが取り出
せ、樹脂に対する吸収率が高い炭酸ガス(CO2 )レー
ザ(波長:λ=10. 6μm)が適している。なお、図
2では、図を簡略化するために基板7に設けられたパッ
ケージ8の数を三個としたが、これに限定されるもので
はない。また、分割・位置整列機構部10の切断治具1
3は、刃物や金型でもよい。
レンズ4により集光されたレーザビーム2を、移動ステ
ージ5上の保持機構部6に高精度に位置決めされ保持さ
れた分割基板9に照射した状態で、可動ステージ5を予
めプログラミングされた情報に従い移動させることによ
り、分割基板9をパッケージ8の周辺極近傍で切断し、
複数個のパッケージ8を連続して個片化処理する。ま
た、レーザビーム2照射による分割基板9切断時には、
ノズル11から切断加工部にガス(アシストガス)を吹
き付けて、切断加工部で生じる燃焼溶融物を除去するこ
とにより、切断の高速化を図っている。なお、レーザビ
ーム2の照射、ノズル11からのガスの吹き付けおよび
可動ステージ5の移動は、予め入力された情報に従い一
つの制御系により制御される(制御系は図示せず)。ま
た、パッケージ8を個片化するための熱源となるレーザ
発振器1としては、近年小型パッケージとして多用され
ているCPS(Chip Scaie Package)では、その基板材
料としてポリイミド樹脂やガラス基材エポキシ樹脂等の
樹脂テープが用いられ、その表面にはCu等による金属
配線が形成されており、この金属配線が形成された樹脂
テープを切断加工する必要があるため、樹脂および金属
に対する吸収率が高いYAGの高調波(波長:λ=0.
532、0. 266μm等)や、大出力パワーが取り出
せ、樹脂に対する吸収率が高い炭酸ガス(CO2 )レー
ザ(波長:λ=10. 6μm)が適している。なお、図
2では、図を簡略化するために基板7に設けられたパッ
ケージ8の数を三個としたが、これに限定されるもので
はない。また、分割・位置整列機構部10の切断治具1
3は、刃物や金型でもよい。
【0011】この発明によれば、前工程での熱処理の影
響等により収縮し、ピッチが一定でない複数個のパッケ
ージ8を有する基板7を、分割・位置整列機構部10に
おいて、パッケージ8間の任意の位置に切れ目14を形
成してパッケージ8の位置を補正し、複数個のパッケー
ジ8を同時に位置決めした後に、レーザビーム2を用い
てパッケージ8の周辺極近傍を切断加工し、複数個のパ
ッケージ8を連続して個片化処理する。このため、分割
・整列機構部10における基板7の切断では、隣接する
パッケージ8の間隔は十分にあるため、基板7を接触方
式で切断することによっても、パッケージ8のモールド
樹脂と基板が剥離するデラミネーションや樹脂くずの発
生によるパッケージ8への悪影響等の問題は生じない。
さらに、複数個のパッケージ8が同時かつ高精度に位置
決めされているため、複数個のパッケージ8を連続して
個片化処理でき、高精度かつ短時間でパッケージ8の個
片化処理を行うことができる。
響等により収縮し、ピッチが一定でない複数個のパッケ
ージ8を有する基板7を、分割・位置整列機構部10に
おいて、パッケージ8間の任意の位置に切れ目14を形
成してパッケージ8の位置を補正し、複数個のパッケー
ジ8を同時に位置決めした後に、レーザビーム2を用い
てパッケージ8の周辺極近傍を切断加工し、複数個のパ
ッケージ8を連続して個片化処理する。このため、分割
・整列機構部10における基板7の切断では、隣接する
パッケージ8の間隔は十分にあるため、基板7を接触方
式で切断することによっても、パッケージ8のモールド
樹脂と基板が剥離するデラミネーションや樹脂くずの発
生によるパッケージ8への悪影響等の問題は生じない。
さらに、複数個のパッケージ8が同時かつ高精度に位置
決めされているため、複数個のパッケージ8を連続して
個片化処理でき、高精度かつ短時間でパッケージ8の個
片化処理を行うことができる。
【0012】実施の形態2.図3はこの発明の実施の形
態2を示す基板切断装置の分割・整列機構部の斜視図で
ある。図において、18は切断治具13の受け部、16
bは保持部12に保持された基板7の下方に各パッケー
ジ8に対応して各別に移動可能なように設けられた位置
整列治具で、分割・整列機構部10のすべての整列治具
16bの位置は高精度に位置決めされている。17bは
整列治具16bの所定の位置に設けられたピンで、パッ
ケージ8の両側に設けられた穴部15の径より小さい径
を有する。なお、その他の構成は実施の形態1と同様で
あるので説明を省略する。
態2を示す基板切断装置の分割・整列機構部の斜視図で
ある。図において、18は切断治具13の受け部、16
bは保持部12に保持された基板7の下方に各パッケー
ジ8に対応して各別に移動可能なように設けられた位置
整列治具で、分割・整列機構部10のすべての整列治具
16bの位置は高精度に位置決めされている。17bは
整列治具16bの所定の位置に設けられたピンで、パッ
ケージ8の両側に設けられた穴部15の径より小さい径
を有する。なお、その他の構成は実施の形態1と同様で
あるので説明を省略する。
【0013】次に、本実施の形態の基板切断装置の分割
・整列機構部10による基板7の分割および分割基板9
の位置補正について説明する。まず図3−(イ)に示す
ように、前工程での熱処理の影響等により収縮し、ピッ
チが一定でない複数個のパッケージ8を有する基板7
を、分割・整列機構部10の保持部12に配置し、切断
治具13によりパッケージ8間の任意の位置を切断す
る。次に図3−(ロ)に示すように、切断治具13によ
り分割された分割基板9は、上昇してきた整列治具16
bの所定の位置に設けられたピン17bが、分割基板9
のパッケージ8の両側に設けられた穴部15に挿入され
ることにより、分割基板9の位置が補正され、パッケー
ジ8は整列治具16b上で高精度に位置決めされる。そ
の後、分割・整列機構部10の保持部12に保持された
基板7上の全てのパッケージ8を順次分割し、整列治具
16bのピン17bにより位置決めする。次に分割・整
列機構部10の整列治具16bのピン17bにより位置
決めされた分割基板9を、そのままの状態で全数を同時
にロボット等(図示せず)により真空吸着して、可動ス
テージ5上の保持機構部6に配置する。その後、実施の
形態1と同様の方法によりパッケージ8を個片化処理す
る。
・整列機構部10による基板7の分割および分割基板9
の位置補正について説明する。まず図3−(イ)に示す
ように、前工程での熱処理の影響等により収縮し、ピッ
チが一定でない複数個のパッケージ8を有する基板7
を、分割・整列機構部10の保持部12に配置し、切断
治具13によりパッケージ8間の任意の位置を切断す
る。次に図3−(ロ)に示すように、切断治具13によ
り分割された分割基板9は、上昇してきた整列治具16
bの所定の位置に設けられたピン17bが、分割基板9
のパッケージ8の両側に設けられた穴部15に挿入され
ることにより、分割基板9の位置が補正され、パッケー
ジ8は整列治具16b上で高精度に位置決めされる。そ
の後、分割・整列機構部10の保持部12に保持された
基板7上の全てのパッケージ8を順次分割し、整列治具
16bのピン17bにより位置決めする。次に分割・整
列機構部10の整列治具16bのピン17bにより位置
決めされた分割基板9を、そのままの状態で全数を同時
にロボット等(図示せず)により真空吸着して、可動ス
テージ5上の保持機構部6に配置する。その後、実施の
形態1と同様の方法によりパッケージ8を個片化処理す
る。
【0014】本実施の形態によれば、前工程での熱処理
の影響等により収縮し、ピッチが一定でない複数個のパ
ッケージ8を有する基板7を、分割・整列機構部10に
おいて、パッケージ8間の任意の位置で切断後、整列治
具16bに設けられたピン17bをパッケージ8の両端
に設けられた穴部15に挿入することによりパッケージ
8の位置を補正し、位置決めされた複数個のパッケージ
8を、レーザビーム2によりパッケージ8を個片化処理
する可動ステージ5上の保持機構部6に、同時かつ高精
度に位置決めして配置することができるため、実施の形
態1と同様の効果を得ることができる。
の影響等により収縮し、ピッチが一定でない複数個のパ
ッケージ8を有する基板7を、分割・整列機構部10に
おいて、パッケージ8間の任意の位置で切断後、整列治
具16bに設けられたピン17bをパッケージ8の両端
に設けられた穴部15に挿入することによりパッケージ
8の位置を補正し、位置決めされた複数個のパッケージ
8を、レーザビーム2によりパッケージ8を個片化処理
する可動ステージ5上の保持機構部6に、同時かつ高精
度に位置決めして配置することができるため、実施の形
態1と同様の効果を得ることができる。
【0015】実施の形態3.図4はこの発明の実施の形
態3を示す基板切断装置の分割・整列機構部の斜視図で
ある。また、図5は分割・整列機構部の整列治具を示す
斜視図である。図において、16cは所定の位置にテー
パ形状のピン17cを有する整列治具で、ピン17cの
先端が保持部12に保持された基板7に設けられた穴部
15に入る位置精度で基板7の下方に高精度に位置決め
され配置されている。なお、その他の構成は実施の形態
1と同様であるので説明を省略する。
態3を示す基板切断装置の分割・整列機構部の斜視図で
ある。また、図5は分割・整列機構部の整列治具を示す
斜視図である。図において、16cは所定の位置にテー
パ形状のピン17cを有する整列治具で、ピン17cの
先端が保持部12に保持された基板7に設けられた穴部
15に入る位置精度で基板7の下方に高精度に位置決め
され配置されている。なお、その他の構成は実施の形態
1と同様であるので説明を省略する。
【0016】次に、本実施の形態の基板切断装置の分割
・整列機構部10による基板7の分割および分割基板9
の位置補正について説明する。まず前工程での熱処理の
影響等により収縮し、ピッチが一定でない複数個のパッ
ケージ8を有する基板7を、分割・整列機構部10の整
列治具16cに設けられたピン17cの先端がパッケー
ジの両側に設けられた穴部15に入るよう保持部12に
配置し、切断治具13によりパッケージ8間の任意の位
置を切断する。切断治具13により分割された分割基板
9は、テーパ形状を有するピン17cに沿って滑り落
ち、分割基板9上のパッケージ8は位置整列治具16c
上で高精度に位置決めされる。その後、分割・整列機構
部10の保持部12に保持された基板7上の全てのパッ
ケージ8を順次分割し、整列治具16cのピン17cに
より位置決めする。次に分割・整列機構部10の整列治
具16cのピン17cにより位置決めされた分割基板9
を、そのままの状態で全数を同時にロボット等(図示せ
ず)により真空吸着して、可動ステージ5上の保持機構
部6に配置する。その後、実施の形態1と同様の方法に
よりパッケージ8を個片化処理する。
・整列機構部10による基板7の分割および分割基板9
の位置補正について説明する。まず前工程での熱処理の
影響等により収縮し、ピッチが一定でない複数個のパッ
ケージ8を有する基板7を、分割・整列機構部10の整
列治具16cに設けられたピン17cの先端がパッケー
ジの両側に設けられた穴部15に入るよう保持部12に
配置し、切断治具13によりパッケージ8間の任意の位
置を切断する。切断治具13により分割された分割基板
9は、テーパ形状を有するピン17cに沿って滑り落
ち、分割基板9上のパッケージ8は位置整列治具16c
上で高精度に位置決めされる。その後、分割・整列機構
部10の保持部12に保持された基板7上の全てのパッ
ケージ8を順次分割し、整列治具16cのピン17cに
より位置決めする。次に分割・整列機構部10の整列治
具16cのピン17cにより位置決めされた分割基板9
を、そのままの状態で全数を同時にロボット等(図示せ
ず)により真空吸着して、可動ステージ5上の保持機構
部6に配置する。その後、実施の形態1と同様の方法に
よりパッケージ8を個片化処理する。
【0017】本実施の形態によれば、前工程での熱処理
の影響等により収縮し、ピッチが一定でない複数個のパ
ッケージ8を有する基板7を、分割・整列機構部10に
おいて、パッケージ8間の任意の位置で切断後、分割基
板9を先端がパッケージ8の両側に設けられた穴部15
に挿入されている整列治具16cのテーパ形状のピン1
7cに沿って滑り落とすことによりパッケージ8の位置
を補正し、位置決めされた複数個のパッケージ8を、レ
ーザビーム2によりパッケージ8を個片化処理する可動
ステージ5上の保持機構部6に、同時かつ高精度に位置
決めして配置することができるため、実施の形態1と同
様の効果を得ることができる。
の影響等により収縮し、ピッチが一定でない複数個のパ
ッケージ8を有する基板7を、分割・整列機構部10に
おいて、パッケージ8間の任意の位置で切断後、分割基
板9を先端がパッケージ8の両側に設けられた穴部15
に挿入されている整列治具16cのテーパ形状のピン1
7cに沿って滑り落とすことによりパッケージ8の位置
を補正し、位置決めされた複数個のパッケージ8を、レ
ーザビーム2によりパッケージ8を個片化処理する可動
ステージ5上の保持機構部6に、同時かつ高精度に位置
決めして配置することができるため、実施の形態1と同
様の効果を得ることができる。
【0018】実施の形態4.図6はこの発明の実施の形
態4を示す基板切断装置のレーザ加工部における分割基
板の保持機構部の断面図である。図において、6bは保
持機構部6の分割基板9を保持する保持治具、20は分
割基板9に形成されている金属配線、21は分割基板9
の基板材料である樹脂基板、22は分割基板9の裏面側
(パッケージ8および金属配線20形成面の反対側)に
設けられている半田ボール、23は分割基板9を真空吸
着するために保持治具6bに設けられた配管である。な
お、その他の構成は実施の形態1、2および3のいずれ
かと同様であるので説明を省略する。
態4を示す基板切断装置のレーザ加工部における分割基
板の保持機構部の断面図である。図において、6bは保
持機構部6の分割基板9を保持する保持治具、20は分
割基板9に形成されている金属配線、21は分割基板9
の基板材料である樹脂基板、22は分割基板9の裏面側
(パッケージ8および金属配線20形成面の反対側)に
設けられている半田ボール、23は分割基板9を真空吸
着するために保持治具6bに設けられた配管である。な
お、その他の構成は実施の形態1、2および3のいずれ
かと同様であるので説明を省略する。
【0019】分割・整列機構部10において高精度に位
置決めされたパッケージ8を有する分割基板9は、レー
ザビーム2の照射により個片化処理される可動ステージ
5上の保持治具6bに、金属配線20が形成されている
面を上向きに配置、真空吸着され、また半田ボール22
を損傷しないよう分割基板9の裏面側中央部のみで保持
されている。この状態で上方からレーザビーム2を照射
し、分割基板9をパッケージ8の周辺極近傍で切断して
パッケージ8を個片化処理する。分割基板9切断時の切
断の深さ方向の現象をミクロ的に観察すると、レーザビ
ーム2による切断エネルギーを樹脂基板21より多く必
要とする金属配線20を切断した後に樹脂基板21が切
断され、樹脂基板21を切断した後に金属配線20を切
断する場合より少ない照射エネルギーで分割基板9から
パッケージ8を個片化処理できる。
置決めされたパッケージ8を有する分割基板9は、レー
ザビーム2の照射により個片化処理される可動ステージ
5上の保持治具6bに、金属配線20が形成されている
面を上向きに配置、真空吸着され、また半田ボール22
を損傷しないよう分割基板9の裏面側中央部のみで保持
されている。この状態で上方からレーザビーム2を照射
し、分割基板9をパッケージ8の周辺極近傍で切断して
パッケージ8を個片化処理する。分割基板9切断時の切
断の深さ方向の現象をミクロ的に観察すると、レーザビ
ーム2による切断エネルギーを樹脂基板21より多く必
要とする金属配線20を切断した後に樹脂基板21が切
断され、樹脂基板21を切断した後に金属配線20を切
断する場合より少ない照射エネルギーで分割基板9から
パッケージ8を個片化処理できる。
【0020】本実施の形態によれば、分割基板9を半田
ボール22が設けられている面側を吸引保持すると共
に、金属配線20が形成されている側からレーザビーム
2を照射し切断することにより、より少ない照射エレル
ギーでパッケージ8を個片化できるため、パッケージ8
への熱的ダメージを低減させることができる。
ボール22が設けられている面側を吸引保持すると共
に、金属配線20が形成されている側からレーザビーム
2を照射し切断することにより、より少ない照射エレル
ギーでパッケージ8を個片化できるため、パッケージ8
への熱的ダメージを低減させることができる。
【0021】実施の形態5.実施の形態4では、分割基
板9は、半田ボール22を損傷しないよう分割基板9の
裏面側中央部のみで保持治具6bに保持されていたが、
図7に示すように、保持治具6cの分割基板9に設けら
れた半田ボール22との接触面に、半田ボール22に対
応した凹部24を設けておくことにより、分割基板9と
保持治具6cとの接触面を半田ボール22の形成位置に
制限されないので、パッケージ8に設けられる半田ボー
ル22の数や形成領域に依存することなく、かつ半田ボ
ール22を損傷せずに、分割基板9と保持治具6cとの
接触面を確保でき、半田ボール22側から分割基板9を
保持治具6cに保持することができるので、実施の形態
4と同様の効果が得られる。なお、図7に示した凹部2
4の個数および形成領域は、これに限定されるものでは
ない。
板9は、半田ボール22を損傷しないよう分割基板9の
裏面側中央部のみで保持治具6bに保持されていたが、
図7に示すように、保持治具6cの分割基板9に設けら
れた半田ボール22との接触面に、半田ボール22に対
応した凹部24を設けておくことにより、分割基板9と
保持治具6cとの接触面を半田ボール22の形成位置に
制限されないので、パッケージ8に設けられる半田ボー
ル22の数や形成領域に依存することなく、かつ半田ボ
ール22を損傷せずに、分割基板9と保持治具6cとの
接触面を確保でき、半田ボール22側から分割基板9を
保持治具6cに保持することができるので、実施の形態
4と同様の効果が得られる。なお、図7に示した凹部2
4の個数および形成領域は、これに限定されるものでは
ない。
【0022】実施の形態6.実施の形態4では、分割基
板9は、半田ボール22を損傷しないよう分割基板9の
裏面側中央部のみで保持治具6bに保持されていたが、
図8に示すように、保持治具6dの分割基板9に設けら
れた半田ボール22との接触面に、分割基板9の基板材
料である樹脂基板21と同材質の部材25を設けること
により、分割基板9と保持治具6dとの接触面を半田ボ
ール22の形成位置に制限されないので、半田ボール2
2が全面に形成されている場合でも、半田ボール22を
損傷せずに、半田ボール22側から分割基板9を保持治
具6dに保持することができ、実施の形態4と同様の効
果が得られる。なお、部材25に半田ボール22に対応
した凹部24を設けてもよい。
板9は、半田ボール22を損傷しないよう分割基板9の
裏面側中央部のみで保持治具6bに保持されていたが、
図8に示すように、保持治具6dの分割基板9に設けら
れた半田ボール22との接触面に、分割基板9の基板材
料である樹脂基板21と同材質の部材25を設けること
により、分割基板9と保持治具6dとの接触面を半田ボ
ール22の形成位置に制限されないので、半田ボール2
2が全面に形成されている場合でも、半田ボール22を
損傷せずに、半田ボール22側から分割基板9を保持治
具6dに保持することができ、実施の形態4と同様の効
果が得られる。なお、部材25に半田ボール22に対応
した凹部24を設けてもよい。
【0023】実施の形態7.図9はこの発明の実施の形
態7を示す基板切断装置のレーザ加工部の保持機構部の
断面図である。図において、6eはレーザビーム2照射
時に、分割基板9を切断し貫通したレーザビーム26と
干渉しないよう下部方向に切り欠いている保持治具であ
る。なお、その他の構成は実施の形態1、2および3の
いずれかと同様であるので説明を省略する。
態7を示す基板切断装置のレーザ加工部の保持機構部の
断面図である。図において、6eはレーザビーム2照射
時に、分割基板9を切断し貫通したレーザビーム26と
干渉しないよう下部方向に切り欠いている保持治具であ
る。なお、その他の構成は実施の形態1、2および3の
いずれかと同様であるので説明を省略する。
【0024】レーザビーム2による分割基板9の切断工
程において、集光レンズ4により集光されたレーザビー
ム2は、分割基板9を切断し貫通すると、光が進行する
に従いそのビーム径を拡げていく。拡がったレーザビー
ム26にあたらないよう下部方向に切り欠いた保持治具
6eを用いることにより、レーザビーム26があたるこ
とによる保持治具6eの温度上昇を防止できる。なお、
分割基板9に設けられた半田ボール22と保持治具6e
との接触部分の構造は、実施の形態4、5および6に示
した保持治具6b、6cおよび6dのいずれの構造でも
よい。
程において、集光レンズ4により集光されたレーザビー
ム2は、分割基板9を切断し貫通すると、光が進行する
に従いそのビーム径を拡げていく。拡がったレーザビー
ム26にあたらないよう下部方向に切り欠いた保持治具
6eを用いることにより、レーザビーム26があたるこ
とによる保持治具6eの温度上昇を防止できる。なお、
分割基板9に設けられた半田ボール22と保持治具6e
との接触部分の構造は、実施の形態4、5および6に示
した保持治具6b、6cおよび6dのいずれの構造でも
よい。
【0025】本実施の形態によれば、分割基板9を切断
し貫通したレーザビーム26にあたらないよう保持治具
6eを下部方向に切り欠くことにより、保持治具6eの
温度上昇を防止でき、保持治具6eと接するパッケージ
8の熱的ダメージを低減させることができる。また、保
持治具6eの温度上昇によるパッケージ8の熱的ダメー
ジ低減を目的に設けられる冷却機構を省略することがで
きる。
し貫通したレーザビーム26にあたらないよう保持治具
6eを下部方向に切り欠くことにより、保持治具6eの
温度上昇を防止でき、保持治具6eと接するパッケージ
8の熱的ダメージを低減させることができる。また、保
持治具6eの温度上昇によるパッケージ8の熱的ダメー
ジ低減を目的に設けられる冷却機構を省略することがで
きる。
【0026】実施の形態8.図10はこの発明の実施の
形態8を示す基板切断装置のレーザ加工部の保持機構部
の断面図である。図において、27は保持治具6eの周
囲を囲むように設置された枠で、真空引きのための貫通
孔28を有している。なお、その他の構成は実施の形態
1、2および3のいずれかと同様であるので説明を省略
する。また、保持治具6eは、実施の形態4、5および
6に示した保持治具6b、6cおよび6dのいずれかの
構造でもよい。
形態8を示す基板切断装置のレーザ加工部の保持機構部
の断面図である。図において、27は保持治具6eの周
囲を囲むように設置された枠で、真空引きのための貫通
孔28を有している。なお、その他の構成は実施の形態
1、2および3のいずれかと同様であるので説明を省略
する。また、保持治具6eは、実施の形態4、5および
6に示した保持治具6b、6cおよび6dのいずれかの
構造でもよい。
【0027】レーザビーム2による分割基板9の切断工
程において、レーザビーム2により金属配線20や樹脂
基板21を切断する際には、カーボン等の発塵物が生じ
る。保持治具6eの周囲を囲むように枠27を設置する
と共に、枠27に形成された貫通孔28を介して真空引
きを行い、これらの発塵物を切断加工している領域から
排出する。
程において、レーザビーム2により金属配線20や樹脂
基板21を切断する際には、カーボン等の発塵物が生じ
る。保持治具6eの周囲を囲むように枠27を設置する
と共に、枠27に形成された貫通孔28を介して真空引
きを行い、これらの発塵物を切断加工している領域から
排出する。
【0028】本実施の形態によれば、レーザ加工時に分
割基板9を保持する保持治具6eの周囲を囲むように枠
27を設置すると共に、枠27に形成された貫通孔28
を介して分割基板9切断時に生じる発塵物を排出するこ
とにより、発塵物がパッケージ8に付着し、パッケージ
8を汚染するのを防止することができる。
割基板9を保持する保持治具6eの周囲を囲むように枠
27を設置すると共に、枠27に形成された貫通孔28
を介して分割基板9切断時に生じる発塵物を排出するこ
とにより、発塵物がパッケージ8に付着し、パッケージ
8を汚染するのを防止することができる。
【0029】実施の形態9.図11はこの発明の実施の
形態9を示す基板切断装置のレーザ加工部の断面図であ
る。図において、29はレーザビーム2と同軸でレーザ
ビーム2による分割基板9の切断加工部にアシストガス
30を吹き付けるノズル、31はレーザビーム2による
分割基板9の切断加工部近傍でパッケージ8の端部方向
にガス32を吹き付けるノズルである。なお、その他の
構成は実施の形態8と同様であるので説明を省略する。
形態9を示す基板切断装置のレーザ加工部の断面図であ
る。図において、29はレーザビーム2と同軸でレーザ
ビーム2による分割基板9の切断加工部にアシストガス
30を吹き付けるノズル、31はレーザビーム2による
分割基板9の切断加工部近傍でパッケージ8の端部方向
にガス32を吹き付けるノズルである。なお、その他の
構成は実施の形態8と同様であるので説明を省略する。
【0030】レーザビーム2による分割基板9の切断工
程において、分割基板9の切断加工部に、ノズル29か
ら切断加工の高速化に寄与するアシストガス30を吹き
付ける。アシストガス30は、異方性がないよう切断面
に対して垂直に吹き付ける必要があり、また、レーザビ
ーム2による切断加工部に吹き付ける必要があるため、
レーザビーム2と同軸にアシストガス30を噴出できる
ようノズル29は構成されている。また、ノズル31
は、パッケージ8の周囲に対応して複数個設置され、切
断加工が行われる部分に対応するノズル31からのみ、
切断加工部近傍でパッケージ8の端部方向へガス32を
噴出させ、切断加工による発塵物のパッケージ8への付
着を防止する。さらに、ノズル31から噴出するガス3
2により吹き飛ばされた発塵物を、保持治具6eの周囲
を囲むように設置された枠27に形成された真空引きさ
れる貫通孔28を介して排出する。
程において、分割基板9の切断加工部に、ノズル29か
ら切断加工の高速化に寄与するアシストガス30を吹き
付ける。アシストガス30は、異方性がないよう切断面
に対して垂直に吹き付ける必要があり、また、レーザビ
ーム2による切断加工部に吹き付ける必要があるため、
レーザビーム2と同軸にアシストガス30を噴出できる
ようノズル29は構成されている。また、ノズル31
は、パッケージ8の周囲に対応して複数個設置され、切
断加工が行われる部分に対応するノズル31からのみ、
切断加工部近傍でパッケージ8の端部方向へガス32を
噴出させ、切断加工による発塵物のパッケージ8への付
着を防止する。さらに、ノズル31から噴出するガス3
2により吹き飛ばされた発塵物を、保持治具6eの周囲
を囲むように設置された枠27に形成された真空引きさ
れる貫通孔28を介して排出する。
【0031】本実施の形態によれば、レーザ加工時に、
ノズル29からアシストガス30をレーザビーム2と同
軸に噴出することにより、切断加工部で生じる燃焼溶融
物を除去して切断の高速化を図ることができる。また、
切断加工部近傍でパッケージ8の端部方向へガス32を
噴出させるノズル31を、パッケージ8の周囲に対応し
て複数個設置することにより、切断加工による発塵物の
パッケージ8への付着を防止する。さらに、ノズル31
から噴出するガス32により吹き飛ばされた発塵物を、
保持治具6eの周囲を囲むように設置された枠27に形
成された貫通孔28を介して排出することにより、発塵
物のパッケージ8への付着防止に一層効果がある。
ノズル29からアシストガス30をレーザビーム2と同
軸に噴出することにより、切断加工部で生じる燃焼溶融
物を除去して切断の高速化を図ることができる。また、
切断加工部近傍でパッケージ8の端部方向へガス32を
噴出させるノズル31を、パッケージ8の周囲に対応し
て複数個設置することにより、切断加工による発塵物の
パッケージ8への付着を防止する。さらに、ノズル31
から噴出するガス32により吹き飛ばされた発塵物を、
保持治具6eの周囲を囲むように設置された枠27に形
成された貫通孔28を介して排出することにより、発塵
物のパッケージ8への付着防止に一層効果がある。
【0032】実施の形態10.図12はこの発明の実施
の形態10を示す基板切断装置のレーザ加工部の断面図
である。図において、3aはレーザ発振器1から出射さ
れたレーザビーム2を50%反射させ、かつ残りの50
%を透過させる部分反射ミラー、3bは部分反射ミラー
3aからの透過光を反射させる全反射ミラー、4aは部
分反射ミラー3aにより反射されたレーザビーム2aを
切断加工部に集光させる集光レンズ、4bは全反射ミラ
ー3bにより反射されたレーザビーム2bを切断加工部
に集光させる集光レンズで、反射ミラー3a、3bおよ
び集光レンズ4a、4bは固定されており、所定の位置
に集光されたレーザビーム2a、2bを照射する。、9
a、9bはパッケージ8a、8bが形成された分割基
板、33はダミー基板である。なお、その他の構成は上
記実施の形態のいずれかと同様であるので説明を省略す
る。
の形態10を示す基板切断装置のレーザ加工部の断面図
である。図において、3aはレーザ発振器1から出射さ
れたレーザビーム2を50%反射させ、かつ残りの50
%を透過させる部分反射ミラー、3bは部分反射ミラー
3aからの透過光を反射させる全反射ミラー、4aは部
分反射ミラー3aにより反射されたレーザビーム2aを
切断加工部に集光させる集光レンズ、4bは全反射ミラ
ー3bにより反射されたレーザビーム2bを切断加工部
に集光させる集光レンズで、反射ミラー3a、3bおよ
び集光レンズ4a、4bは固定されており、所定の位置
に集光されたレーザビーム2a、2bを照射する。、9
a、9bはパッケージ8a、8bが形成された分割基
板、33はダミー基板である。なお、その他の構成は上
記実施の形態のいずれかと同様であるので説明を省略す
る。
【0033】レーザビーム2a、2bによる分割基板9
a、9bの切断工程において、まず部分反射ミラー3a
により反射され、集光レンズ4aにより集光されたレー
ザビーム2aがダミー基板33に照射されているとき、
全反射ミラー3bにより反射され、集光レンズ4bによ
り集光されたレーザビーム2bはダミー基板33の隣に
配置された分割基板9aに照射され、分割基板9a、9
bを搭載した可動ステージ5を移動させることにより、
パッケージ8aの周囲にレーザビーム2bを照射する。
次に分割基板9を搭載した可動ステージ5を移動させ、
部分反射ミラー3aにより反射され、集光レンズ4aに
より集光されたレーザビーム2aを分割基板9aに照射
すると共に、全反射ミラー3bにより反射され、集光レ
ンズ4bにより集光されたレーザビーム2bは分割基板
9aの隣に配置された分割基板9bに照射され、分割基
板9a、9bを搭載した可動ステージ5を移動させるこ
とにより、パッケージ8aおよびパッケージ8bの周囲
にレーザビーム2aおよび2bを照射する。分割基板9
aはレーザビーム2aおよび2bの二回の照射により切
断され、パッケージ8aは個片化される。可動ステージ
5を移動させ、切断加工処理を繰り返し、レーザビーム
2aおよび2bの二回の照射により、順次パッケージ8
は個片化処理される。
a、9bの切断工程において、まず部分反射ミラー3a
により反射され、集光レンズ4aにより集光されたレー
ザビーム2aがダミー基板33に照射されているとき、
全反射ミラー3bにより反射され、集光レンズ4bによ
り集光されたレーザビーム2bはダミー基板33の隣に
配置された分割基板9aに照射され、分割基板9a、9
bを搭載した可動ステージ5を移動させることにより、
パッケージ8aの周囲にレーザビーム2bを照射する。
次に分割基板9を搭載した可動ステージ5を移動させ、
部分反射ミラー3aにより反射され、集光レンズ4aに
より集光されたレーザビーム2aを分割基板9aに照射
すると共に、全反射ミラー3bにより反射され、集光レ
ンズ4bにより集光されたレーザビーム2bは分割基板
9aの隣に配置された分割基板9bに照射され、分割基
板9a、9bを搭載した可動ステージ5を移動させるこ
とにより、パッケージ8aおよびパッケージ8bの周囲
にレーザビーム2aおよび2bを照射する。分割基板9
aはレーザビーム2aおよび2bの二回の照射により切
断され、パッケージ8aは個片化される。可動ステージ
5を移動させ、切断加工処理を繰り返し、レーザビーム
2aおよび2bの二回の照射により、順次パッケージ8
は個片化処理される。
【0034】本実施の形態では、二回のレーザビーム2
の照射により分割基板9が切断され、パッケージ8が個
片化される場合を示したが、二回に限定されるものでは
ない。レーザ加工部の保持機構部6に保持された分割基
板9をすべて個片化処理するのに必要なレーザビーム2
の走査回数nは、 n=k+(m−1) k:保持機構部6に保持されたパッケージ8の数 m:分割基板9を切断加工するのに必要な照射回数 となる。
の照射により分割基板9が切断され、パッケージ8が個
片化される場合を示したが、二回に限定されるものでは
ない。レーザ加工部の保持機構部6に保持された分割基
板9をすべて個片化処理するのに必要なレーザビーム2
の走査回数nは、 n=k+(m−1) k:保持機構部6に保持されたパッケージ8の数 m:分割基板9を切断加工するのに必要な照射回数 となる。
【0035】本実施の形態によれば、分割基板9切断
し、パッケージ8を個片化するために必要なエネルギー
を複数回に分けて照射するため、パッケージ8への熱的
ダメージを低減させることができる。
し、パッケージ8を個片化するために必要なエネルギー
を複数回に分けて照射するため、パッケージ8への熱的
ダメージを低減させることができる。
【0036】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、前工
程での熱処理の影響等により収縮し、ピッチが一定でな
い複数個のパッケージを有する基板のパッケージのピッ
チを補正し、複数個のパッケージを同時に位置決めした
後に、レーザビームを用いてパッケージの周辺極近傍を
切断加工してパッケージを個片化処理するため、パッケ
ージのモールド樹脂と基板が剥離するデラミネーション
や樹脂くずの発生を防止できると共に、CSP等の小型
パッケージを、高精度かつ短時間で個片化処理すること
ができる。また、請求項8、9、10、11、13およ
び15によれば、パッケージへの熱的ダメージを低減さ
せることができる。さらに、請求項12、14および2
0によれば、パッケージへの発塵物等の付着を防止する
ことができる。
程での熱処理の影響等により収縮し、ピッチが一定でな
い複数個のパッケージを有する基板のパッケージのピッ
チを補正し、複数個のパッケージを同時に位置決めした
後に、レーザビームを用いてパッケージの周辺極近傍を
切断加工してパッケージを個片化処理するため、パッケ
ージのモールド樹脂と基板が剥離するデラミネーション
や樹脂くずの発生を防止できると共に、CSP等の小型
パッケージを、高精度かつ短時間で個片化処理すること
ができる。また、請求項8、9、10、11、13およ
び15によれば、パッケージへの熱的ダメージを低減さ
せることができる。さらに、請求項12、14および2
0によれば、パッケージへの発塵物等の付着を防止する
ことができる。
【図1】 この発明の実施の形態1による基板切断装置
を示す概略図である。
を示す概略図である。
【図2】 この発明の実施の形態1による分割・整列機
構部を示す平面図である。
構部を示す平面図である。
【図3】 この発明の実施の形態2による分割・整列機
構部を示す斜視図である。
構部を示す斜視図である。
【図4】 この発明の実施の形態3による分割・整列機
構部を示す斜視図である。
構部を示す斜視図である。
【図5】 この発明の実施の形態3による分割・整列機
構部を示す斜視図である。
構部を示す斜視図である。
【図6】 この発明の実施の形態4による基板切断装置
の基板保持機構部を示す断面図である。
の基板保持機構部を示す断面図である。
【図7】 この発明の実施の形態5による基板切断装置
の基板保持機構部を示す断面図である。
の基板保持機構部を示す断面図である。
【図8】 この発明の実施の形態6による基板切断装置
の基板保持機構部を示す断面図である。
の基板保持機構部を示す断面図である。
【図9】 この発明の実施の形態7による基板切断装置
の基板保持機構部を示す断面図である。
の基板保持機構部を示す断面図である。
【図10】 この発明の実施の形態8による基板切断装
置の基板保持機構部を示す断面図である。
置の基板保持機構部を示す断面図である。
【図11】 この発明の実施の形態9による基板切断装
置のレーザ加工部を示す断面図である。
置のレーザ加工部を示す断面図である。
【図12】 この発明の実施の形態10による基板切断
装置のレーザ加工部を示す斜視図である。
装置のレーザ加工部を示す斜視図である。
1 レーザ発振器、2、2a、2b レーザビーム、3
反射ミラー、3a 部分反射ミラー、3b 全反射ミ
ラー、4、4a、4b 集光レンズ、5 可動ステー
ジ、6 保持機構部、7 基板、8 パッケージ、9
分割基板、10 分割・整列機構部、11 ノズル、1
2 保持部、13 切断治具、14 切れ目、15 穴
部、16a、16b、16c、16d、16e 整列治
具、17a、17b、17c ピン、18 受け部、2
0 金属配線、21 樹脂基板、22 半田ボール、2
3 配管、24 凹部、25 部材、26 レーザビー
ム、27 枠、28 貫通孔、29 ノズル、30 ア
シストガス、31 ノズル、32 ガス、33 ダミー
基板。
反射ミラー、3a 部分反射ミラー、3b 全反射ミ
ラー、4、4a、4b 集光レンズ、5 可動ステー
ジ、6 保持機構部、7 基板、8 パッケージ、9
分割基板、10 分割・整列機構部、11 ノズル、1
2 保持部、13 切断治具、14 切れ目、15 穴
部、16a、16b、16c、16d、16e 整列治
具、17a、17b、17c ピン、18 受け部、2
0 金属配線、21 樹脂基板、22 半田ボール、2
3 配管、24 凹部、25 部材、26 レーザビー
ム、27 枠、28 貫通孔、29 ノズル、30 ア
シストガス、31 ノズル、32 ガス、33 ダミー
基板。
Claims (20)
- 【請求項1】 複数個の部品が形成された基板の各部品
間に切れ目を形成後あるいは各部品毎に分割後、各部品
の位置を補正し整列させる整列機構部と、 上記整列された複数個の部品を有する基板の搬送手段
と、 上記整列された複数個の部品を有する基板にレーザビー
ムを照射するレーザ加工部とを備えたことを特徴とする
基板の切断装置。 - 【請求項2】 基板には、各部品に対応して上記基板の
短手方向両側に穴部が形成されていることを特徴とする
請求項1記載の基板の切断装置。 - 【請求項3】 整列機構部は、基板切断用治具と、基板
に形成された穴部に対応するピンが所定位置に設けられ
た整列治具を具備していることを特徴とする請求項2記
載の基板の切断装置。 - 【請求項4】 基板切断用治具は、接触式の切断治具で
あることを特徴とする請求項3記載の基板の切断装置。 - 【請求項5】 整列治具に設けられたピンは、端部が尖
端状に形成されたテーパ形状であることを特徴とする請
求項3または請求項4記載の基板の切断装置。 - 【請求項6】 レーザ加工部は、水平移動が可能なステ
ージと、上記ステージ上に設置され、上記整列された複
数個の部品を有する基板を保持する保持治具と、上記保
持治具に保持された上記基板上にレーザビームを出射す
るレーザ発振器と、上記レーザビームの照射部に吹き付
けるガスを噴出させるノズルを備えていることを特徴と
する請求項1〜5のいずれか一項記載の基板の切断装
置。 - 【請求項7】 保持治具には、整列治具に設けられたピ
ンと対応する位置に突起部が設けられていることを特徴
とする請求項6記載の基板の切断装置。 - 【請求項8】 基板には、一方の面に金属配線が形成さ
れ、他方の面に半田ボールが設けられており、上記金属
配線が形成された面側からレーザビームは照射され、上
記半田ボールが設けられた面側から上記基板は保持治具
に吸引保持されるよう構成されていることを特徴とする
請求項6または請求項7記載の基板の切断装置。 - 【請求項9】 保持治具の半田ボールとの接触面には、
上記半田ボールに対応した凹部が設けられていることを
特徴とする請求項8記載の基板の切断装置。 - 【請求項10】 保持治具の半田ボールとの接触面は、
上記基板の構成材料と同じ材料により構成されることを
特徴とする請求項8または請求項9記載の基板の切断装
置。 - 【請求項11】 保持治具は、上記基板を通過したレー
ザビームと干渉しないよう上記レーザビームの進行方向
に従いテーパ形状に切り欠かれていることを特徴とする
請求項6〜10のいずれか一項記載の基板の切断装置。 - 【請求項12】 レーザ加工部は、保持治具の周辺部に
吸引排気孔を有し、レーザビーム照射により生じた発塵
物を強制的に排出する機構を備えたことを特徴とする請
求項6〜11のいずれか一項記載の基板の切断装置。 - 【請求項13】 レーザビームの照射部に吹き付けるガ
スを噴出させるノズルは、上記レーザビームと同軸で上
記ガスを噴出させることを特徴とする請求項6〜12の
いずれか一項記載の基板の切断装置。 - 【請求項14】 レーザ加工部は、レーザビームの照射
により切断される部品の周辺部に吹き付けるガスを噴出
させるノズルを複数個備えたことを特徴とする請求項6
〜13のいずれか一項記載の基板の切断装置。 - 【請求項15】 レーザ加工部は、レーザ発振器から出
射するレーザビームを複数本に分割し基板に照射する光
学系を備えたことを特徴とする請求項6〜14のいずれ
か一項記載の基板の切断装置。 - 【請求項16】 複数個の部品が形成された基板の各部
品間に切れ目を形成する工程あるいは各部品毎に分割す
る工程と、 上記部品の位置を補正し整列させる工程と、 上記整列された複数個の部品を有する基板を同時に水平
移動が可能なステージ上の保持治具に移動する工程と、 上記保持治具に保持された上記基板にガスを吹き付ける
と共にレーザビームを照射し上記部品を個片化処理する
工程を含むことを特徴とする基板の切断方法。 - 【請求項17】 部品の位置補正は、上記部品間に切れ
目を形成後、整列治具の所定位置に設けられたピンに、
上記部品の両側に設けられた穴部を嵌合させることによ
り行うことを特徴とする請求項16記載の基板の切断方
法。 - 【請求項18】 部品の位置補正は、上記部品間を分割
後、所定位置にピンを有する整列治具を上昇させ、上記
部品の両側に設けられた穴部に上記ピンを挿入すること
により行うことを特徴とする請求項16記載の基板の切
断方法。 - 【請求項19】 部品の位置補正は、整列治具の所定位
置に設けられた端部が尖端状に形成されたテーパ形状の
ピンの先端を、上記部品の両側に設けられた穴部に挿入
した状態で上記部品間を分割し、上記テーパ形状のピン
に沿って分割された上記基板を滑り落とすことにより行
うことを特徴とする請求項16記載の基板の切断方法。 - 【請求項20】 レーザ発振器から出射するレーザビー
ムを複数本に分割し基板に照射する光学系により、上記
基板へのレーザビームの照射を複数回行うことにより部
品を個片化処理することを特徴とする請求項16〜19
のいずれか一項記載の基板の切断方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19597597A JPH1140523A (ja) | 1997-07-22 | 1997-07-22 | 基板切断装置および基板切断方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19597597A JPH1140523A (ja) | 1997-07-22 | 1997-07-22 | 基板切断装置および基板切断方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1140523A true JPH1140523A (ja) | 1999-02-12 |
Family
ID=16350127
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19597597A Pending JPH1140523A (ja) | 1997-07-22 | 1997-07-22 | 基板切断装置および基板切断方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1140523A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11297881A (ja) * | 1998-04-10 | 1999-10-29 | Sayaka:Kk | パッケージの切断方法 |
WO2001057922A1 (en) * | 2000-02-04 | 2001-08-09 | Advanced Systems Automation Ltd. | Method and apparatus for singulation of electronic devices |
JP2005333122A (ja) * | 2004-04-20 | 2005-12-02 | Showa Denko Kk | 化合物半導体発光素子ウェハーの製造方法 |
JP2006517730A (ja) * | 2003-01-22 | 2006-07-27 | フィーコ ビー.ブイ. | キャリヤ、ホルダー、レーザー切断装置及びレーザー光を使用する半導体製品の分離方法 |
JP2009514185A (ja) * | 2003-07-03 | 2009-04-02 | エグシル テクノロジー リミテッド | ダイボンディング |
-
1997
- 1997-07-22 JP JP19597597A patent/JPH1140523A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11297881A (ja) * | 1998-04-10 | 1999-10-29 | Sayaka:Kk | パッケージの切断方法 |
WO2001057922A1 (en) * | 2000-02-04 | 2001-08-09 | Advanced Systems Automation Ltd. | Method and apparatus for singulation of electronic devices |
SG90093A1 (en) * | 2000-02-04 | 2002-07-23 | Advanced Systems Automation | Method and apparatus for singulation of electronic devices |
JP2006517730A (ja) * | 2003-01-22 | 2006-07-27 | フィーコ ビー.ブイ. | キャリヤ、ホルダー、レーザー切断装置及びレーザー光を使用する半導体製品の分離方法 |
JP2009514185A (ja) * | 2003-07-03 | 2009-04-02 | エグシル テクノロジー リミテッド | ダイボンディング |
US7989320B2 (en) | 2003-07-03 | 2011-08-02 | Electro Scientific Industries, Inc. | Die bonding |
JP2005333122A (ja) * | 2004-04-20 | 2005-12-02 | Showa Denko Kk | 化合物半導体発光素子ウェハーの製造方法 |
JP4683989B2 (ja) * | 2004-04-20 | 2011-05-18 | 昭和電工株式会社 | 化合物半導体発光素子ウェハーの製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1341638B1 (en) | Laser machining of semiconductor materials | |
KR102354665B1 (ko) | 웨이퍼의 생성 방법 | |
US7858902B2 (en) | Wafer dividing method and laser beam processing machine | |
US7446022B2 (en) | Wafer laser processing method | |
US7642174B2 (en) | Laser beam machining method for wafer | |
US7179723B2 (en) | Wafer processing method | |
US7265033B2 (en) | Laser beam processing method for a semiconductor wafer | |
US20060035411A1 (en) | Laser processing method | |
US7507639B2 (en) | Wafer dividing method | |
US7579260B2 (en) | Method of dividing an adhesive film bonded to a wafer | |
US7549560B2 (en) | Wafer dividing method | |
US20070141810A1 (en) | Wafer dividing method | |
US20060045511A1 (en) | Wafer dividing method | |
US7803696B2 (en) | Wafer dividing method | |
US8016973B2 (en) | Film bonding method, film bonding apparatus, and semiconductor device manufacturing method | |
US7888239B2 (en) | Semiconductor device manufacturing method | |
US20050155954A1 (en) | Semiconductor wafer processing method | |
US20050070075A1 (en) | Laser beam processing method and laser beam machine | |
US20060148211A1 (en) | Wafer dividing method | |
US20060009008A1 (en) | Method for the laser processing of a wafer | |
US20050101108A1 (en) | Semiconductor wafer dividing method | |
KR102399929B1 (ko) | 다이 본더 | |
US7396780B2 (en) | Method for laser processing of wafer | |
KR20160088808A (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
KR102400826B1 (ko) | 폴리머 레진 몰드 컴파운드 기반 기판을 위한 커팅 방법 및 그 시스템 |