JPH1140478A - Electron beam projection aligner - Google Patents
Electron beam projection alignerInfo
- Publication number
- JPH1140478A JPH1140478A JP9193992A JP19399297A JPH1140478A JP H1140478 A JPH1140478 A JP H1140478A JP 9193992 A JP9193992 A JP 9193992A JP 19399297 A JP19399297 A JP 19399297A JP H1140478 A JPH1140478 A JP H1140478A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reticle
- mask
- electron beam
- foreign matter
- exposure apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、電子線投影露光装
置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electron beam projection exposure apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】現在の半導体プロセスにおいて、シリコ
ンウエハ上に微細な回路を形成する際には、レジストを
塗布したウエハ上に、マスクまたはレチクル（以下、マ
スク等略称することがある）の表面に形成したパターン
を縮小投影して露光する方法が一般的である。2. Description of the Related Art In a current semiconductor process, when a fine circuit is formed on a silicon wafer, a mask or reticle (hereinafter, may be abbreviated as a mask) may be formed on a resist-coated wafer. A method of exposing the formed pattern by reducing projection is generally used.
【０００３】このプロセスにより形成するパターンは非
常に微細であるため、マスク等またはウエハの表面に微
細なゴミ（微粒子）などの異物が付着していると、致命
的な影響を受ける。特にマスク等が異物により汚れてい
る場合には、そのマスク等から投影・転写されたパター
ンのすべてに影響が及ぶため、マスク等の清浄度は非常
に重要である。Since a pattern formed by this process is very fine, if foreign matter such as fine dust (fine particles) adheres to a mask or the like or the surface of a wafer, it is fatally affected. In particular, when the mask or the like is contaminated with foreign matter, the cleanliness of the mask or the like is very important because all the patterns projected and transferred from the mask and the like are affected.
【０００４】現在、この縮小投影に用いられている光は
主に紫外光であるため、マスク等の両面からある程度離
れた位置に、露光に使用する光に対して透明なペリクル
と呼ばれる薄膜を配置することにより、マスク等への異
物の付着を防いでいる。これは、ペリクル表面であれ
ば、異物が付着したとしても結像面では像がボケるた
め、パターンの形成には影響を与えないからである。At present, since the light used for the reduction projection is mainly ultraviolet light, a thin film called a pellicle which is transparent to the light used for exposure is arranged at a certain distance from both surfaces of a mask or the like. This prevents foreign matter from adhering to a mask or the like. This is because the image is blurred on the image forming surface even if foreign matter adheres to the pellicle surface, so that the pattern formation is not affected.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】半導体プロセスにおい
て求められる加工のサイズは、集積度の上昇に伴い年々
微細化している。現在の投影に使用している光では、回
折限界により加工できる最小のサイズが制限されると考
えられており、それ以下のサイズパターンの加工には、
Ｘ線や電子線を用いることが考えられている。The size of the processing required in the semiconductor process has been miniaturized year by year as the degree of integration increases. In the light used for the current projection, it is considered that the minimum size that can be processed is limited by the diffraction limit.
It has been considered to use X-rays and electron beams.
【０００６】電子線で投影露光をおこなう場合、電子線
はすべての物質に強く散乱、吸収されてしまうため、マ
スク等の表面をゴミ（異物）から守るべくペリクルを使
用することはできない。そのため、電子線で投影露光を
おこなう場合、マスク等の表面には常に異物が付着する
おそれがあり問題点となっている。[0006] When projection exposure is performed using an electron beam, the electron beam is strongly scattered and absorbed by all substances, so that a pellicle cannot be used to protect the surface of a mask or the like from dust (foreign matter). For this reason, when projection exposure is performed with an electron beam, there is a possibility that foreign matter may always adhere to the surface of a mask or the like, which is a problem.
【０００７】また、電子線をマスク等に照射した場合、
マスク（またはレチクル）上の照射領域には炭素が付着
する。この炭素はごく微量であれば問題にはならない
が、電子線の散乱に影響を与えるほどに付着すると、熱
の発生によりマスク等が歪むなどの問題点が生じる。本
発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、汚
れが発生したマスク等を迅速に清浄化して、マスク等の
汚れに起因する露光のスループット低下や歩留り低下を
防止することができる電子線投影露光装置を提供するこ
とを目的とする。When an electron beam is irradiated on a mask or the like,
Carbon adheres to the irradiated area on the mask (or reticle). This carbon is not a problem if it is a very small amount, but if it adheres enough to affect the scattering of the electron beam, problems such as distortion of the mask and the like due to generation of heat occur. The present invention has been made in view of such a problem, and an electronic device capable of quickly cleaning a stained mask or the like and preventing a decrease in exposure throughput and a decrease in yield due to the stains on the mask or the like. An object of the present invention is to provide a line projection exposure apparatus.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】そのため、本発明は第一
に「マスクまたはレチクルに電子線を照射し、電子光学
系によって投影することによりパターン露光を行う電子
線投影露光装置において、前記マスクまたはレチクルに
付着した異物を検出する異物検出器と、異物が検出され
たマスクまたはレチクルを清浄化するクリーニング系と
を設けたことを特徴とする電子線投影露光装置（請求項
１）」を提供する。Therefore, the present invention firstly provides an electron beam projection exposure apparatus for irradiating a mask or a reticle with an electron beam and projecting the pattern by an electron optical system. An electron beam projection exposure apparatus (Claim 1) characterized by comprising a foreign matter detector for detecting foreign matter attached to a reticle, and a cleaning system for cleaning a mask or a reticle on which foreign matter has been detected. .
【０００９】また、本発明は第二に「前記クリーニング
系にも、マスクまたはレチクル上の異物を検出する異物
検出器を設けたことを特徴とする請求項１記載の電子線
投影露光装置（請求項２）」を提供する。また、本発明
は第三に「前記異物検出器は、Ｘ線蛍光分析法、オージ
ェ電子分光法、または光電子分光法を用いて異物を検出
することを特徴とする請求項１または２記載の電子線投
影露光装置（請求項３）」を提供する。According to a second aspect of the present invention, there is provided an electron beam projection exposure apparatus according to claim 1, wherein the cleaning system further includes a foreign matter detector for detecting foreign matter on a mask or a reticle. Item 2) "is provided. Further, the present invention provides a third aspect, wherein the foreign substance detector detects a foreign substance using X-ray fluorescence analysis, Auger electron spectroscopy, or photoelectron spectroscopy. A line projection exposure apparatus (Claim 3) is provided.
【００１０】また、本発明は第四に「前記クリーニング
系は、パルス励起光を照射する照射機構を備え、前記マ
スクまたはレチクルの表面に向けて、パルス励起光を照
射して異物除去を行うことにより、前記マスクまたはレ
チクルを清浄化することを特徴とする請求項１〜３記載
の電子線投影露光装置（請求項４）」を提供する。ま
た、本発明は第五に「前記クリーニング系は、前記電子
光学系が収納された真空容器とは別の容器内に設けら
れ、該容器内に前記真空容器から搬送された前記マスク
またはレチクルの表面に結露による液体の膜を形成する
液膜形成機構と、前記マスクまたはレチクルの表面に向
けてパルス励起光を照射する照射機構を備え、前記液膜
形成機構により液膜を形成した状態にて、前記表面にパ
ルス励起光を照射することにより、前記異物除去を行う
ことを特徴とする請求項４記載の電子線投影露光装置
（請求項５）」を提供する。[0010] The present invention is also directed to a fourth aspect, wherein the cleaning system includes an irradiation mechanism for irradiating pulse excitation light, and irradiates pulse excitation light toward the surface of the mask or reticle to remove foreign matter. The electron beam projection exposure apparatus according to claims 1 to 3, wherein the mask or the reticle is cleaned. In addition, the present invention is a fifth aspect, wherein the cleaning system is provided in a separate container from the vacuum container in which the electron optical system is stored, and the mask or the reticle transferred from the vacuum container into the container. A liquid film forming mechanism for forming a liquid film by condensation on the surface, and an irradiation mechanism for irradiating pulse excitation light toward the surface of the mask or reticle, wherein a liquid film is formed by the liquid film forming mechanism. The electron beam projection exposure apparatus according to claim 4, wherein the foreign matter is removed by irradiating the surface with pulse excitation light.
【００１１】また、本発明は第六に「前記クリーニング
系は、前記電子光学系が収納された真空容器とは別の容
器内に設けられ、該容器内に前記真空容器から搬送され
た前記マスクまたはレチクルに付着した異物と反応する
酸素ラジカルまたはオゾンを形成する機構を備え、前記
反応により前記異物をガス化して除去することを特徴と
する請求項４記載の電子線投影露光装置（請求項６）」
を提供する。The present invention is also directed to a sixth aspect, wherein the cleaning system is provided in a container different from the vacuum container in which the electron optical system is stored, and the mask conveyed from the vacuum container into the container. 5. An electron beam projection exposure apparatus according to claim 4, further comprising a mechanism for forming oxygen radicals or ozone that reacts with foreign matter attached to the reticle, wherein said foreign matter is gasified and removed by said reaction. ) "
I will provide a.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】本発明（請求項１〜６）の電子線
投影露光装置には、マスクまたはレチクルに付着した異
物を検出する異物検出器と、異物が検出されたマスクま
たはレチクルを清浄化するクリーニング系とが設けられ
ているので、汚れが発生したマスク等を迅速に清浄化し
て、マスク等の汚れに起因する露光のスループット低下
や歩留り低下を防止することができる。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An electron beam projection exposure apparatus according to the present invention (claims 1 to 6) has a foreign matter detector for detecting foreign matter adhering to a mask or a reticle, and a mask or reticle for which foreign matter has been detected is cleaned. Since the cleaning system is provided, a mask or the like on which dirt is generated can be quickly cleaned, and a decrease in exposure throughput and a decrease in yield due to dirt on the mask or the like can be prevented.
【００１３】即ち、本発明（請求項１〜６）の電子線投
影露光装置によれば、装置内でマスク等の汚れを検出
し、直ちにその洗浄（清浄化）を行うことにより、欠陥
パターンの発生を防ぎ、露光のスループットと、形成し
た回路パターンの歩留まりを向上させることができる。
ここで、図１を一例として引用し、本発明にかかる異物
の検出について説明する。That is, according to the electron beam projection exposure apparatus of the present invention (claims 1 to 6), a stain on a mask or the like is detected in the apparatus, and the cleaning (cleaning) is immediately performed, so that the defect pattern can be removed. It is possible to prevent the occurrence and improve the exposure throughput and the yield of the formed circuit pattern.
Here, the detection of foreign matter according to the present invention will be described with reference to FIG. 1 as an example.
【００１４】電子線が散乱を起こさないように、真空に
排気した容器（不図示）の内部に照明電子光学系１１
０、投影電子光学系１１１、レチクルステージ１１２が
配置されている。レチクル１０１は、電子光学系からは
み出した部分において、汚れ検出器（異物検出器）１２
０により、汚れているかどうかが検査される。ここで汚
れ（異物の存在）が検出されると、レチクルはレチクル
洗浄機（クリーニング系）へと搬送され、洗浄（清浄
化）が行われる。The illumination electron optical system 11 is placed inside a vacuum-evacuated container (not shown) to prevent scattering of the electron beam.
0, a projection electron optical system 111 and a reticle stage 112 are arranged. The reticle 101 has a dirt detector (foreign matter detector) 12 at a portion protruding from the electron optical system.
A 0 checks whether it is dirty. Here, when dirt (presence of foreign matter) is detected, the reticle is transported to a reticle cleaning machine (cleaning system), where cleaning (cleaning) is performed.
【００１５】本発明においては、クリーニング系による
マスク等の清浄化（異物除去）の程度を確認して、清浄
化を十分に行うことができるように、クリーニング系に
も、マスクまたはレチクル上の異物を検出する異物検出
器を設けることが好ましい（請求項２）。本発明にかか
る異物検出器は、例えば、Ｘ線蛍光分析法、オージェ電
子分光法、または光電子分光法を用いて異物を検出する
ことができる（請求項３）。In the present invention, the degree of cleaning (removal of foreign substances) of the mask or the like by the cleaning system is confirmed, and the cleaning system is also provided with foreign substances on the mask or reticle so that the cleaning can be sufficiently performed. It is preferable to provide a foreign matter detector for detecting the pressure. The foreign substance detector according to the present invention can detect a foreign substance using, for example, X-ray fluorescence analysis, Auger electron spectroscopy, or photoelectron spectroscopy (claim 3).
【００１６】本発明にかかるクリーニング系としては、
例えば、パルス励起光を照射する照射機構を備え、前記
マスクまたはレチクルの表面に向けて、パルス励起光を
照射して異物除去を行うことにより、前記マスクまたは
レチクルを清浄化するものが使用できる（請求項４）。
また、本発明にかかるクリーニング系としては、例え
ば、電子光学系が収納された真空容器とは別の容器内に
設けられ、該容器内に前記真空容器から搬送されたマス
クまたはレチクルの表面に、結露による液体の膜を形成
する液膜形成機構と、マスクまたはレチクルの表面に向
けてパルス励起光を照射する照射機構を備え、前記液膜
形成機構により液膜を形成した状態にて、前記表面にパ
ルス励起光を照射することにより、前記異物除去を行う
ものが使用できる（請求項５）。The cleaning system according to the present invention includes:
For example, a device that includes an irradiation mechanism for irradiating pulse excitation light and cleans the mask or reticle by irradiating pulse excitation light toward the surface of the mask or reticle to remove foreign substances can be used ( Claim 4).
Further, as the cleaning system according to the present invention, for example, provided in a separate container from the vacuum container containing the electron optical system, on the surface of the mask or reticle transported from the vacuum container in the container, A liquid film forming mechanism for forming a liquid film by condensation, and an irradiation mechanism for irradiating pulse excitation light toward a surface of a mask or a reticle, wherein the liquid film forming mechanism forms a liquid film; Irradiating the substrate with pulsed excitation light to remove the foreign matter can be used (claim 5).
【００１７】さらに、本発明にかかるクリーニング系と
しては、例えば、電子光学系が収納された真空容器とは
別の容器内に設けられ、該容器内に前記真空容器から搬
送されたマスクまたはレチクルに付着した異物と反応す
る酸素ラジカルまたはオゾンを形成する機構を備え、前
記反応により前記異物をガス化して除去するものが使用
できる（請求項６）。Further, as the cleaning system according to the present invention, for example, the cleaning system is provided in a container different from the vacuum container in which the electron optical system is stored, and a mask or a reticle conveyed from the vacuum container into the container. A device which has a mechanism for forming oxygen radicals or ozone which reacts with the adhered foreign matter and which gasifies and removes the foreign matter by the reaction can be used.
【００１８】以下、本発明を実施例により更に詳細に説
明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples, but the present invention is not limited to these Examples.
【００１９】[0019]
【実施例】図２に、本実施例にかかる電子線投影露光装
置の概略構成を示す。真空容器２４０の内部は、電子が
散乱しないように、１０-4Ｐａ以下の圧力まで、排気系
（不図示）により排気されている。真空容器内には、電
子源２１４、照明電子光学系２１０、レチクルステージ
２１２、投影電子光学系２１１、ウエハステージ２１３
が配置され、電子線によりレチクル２０１上のパターン
がウエハ２０２上に投影・転写される。FIG. 2 shows a schematic configuration of an electron beam projection exposure apparatus according to this embodiment. The inside of the vacuum vessel 240 is evacuated to a pressure of 10 −4 Pa or less by an exhaust system (not shown) so that electrons are not scattered. Inside the vacuum vessel, an electron source 214, an illumination electron optical system 210, a reticle stage 212, a projection electron optical system 211, a wafer stage 213
Are arranged, and the pattern on the reticle 201 is projected and transferred onto the wafer 202 by the electron beam.
【００２０】レチクルステージ２１２の上に載置された
レチクル２０１は、露光中にレチクルステージ２１２に
より走査されるが、レチクル２０１の大きさは径２００
ｍｍ以上もある。そのため、実際に電子線が照射されて
いるレチクル部分から離れたレチクル部分は、照明電子
光学系２１０と投影電子光学系２１１の鏡筒から外れた
位置にある。The reticle 201 placed on the reticle stage 212 is scanned by the reticle stage 212 during exposure, and the size of the reticle 201 is 200 mm in diameter.
mm or more. Therefore, the reticle portion that is far from the reticle portion actually irradiated with the electron beam is located at a position outside the lens barrel of the illumination electron optical system 210 and the projection electron optical system 211.
【００２１】よって、鏡筒から外れた位置にあるこのレ
チクル部分について、レチクル汚れ検査器（異物検出
器）２２０がレチクル２０１の汚れを検査する（異物を
検出する）。本実施例のレチクル汚れ検査器では、レチ
クルにＸ線を照射して発生する蛍光Ｘ線を検出すること
により、炭素を検出している。真空容器内における電子
線照射により、炭素がレチクルに付着するおそれがある
ためである。Therefore, the reticle dirt inspection device (foreign matter detector) 220 inspects the reticle 201 for dirt (detects foreign matter) for the reticle portion located at a position deviated from the lens barrel. In the reticle contamination inspector of this embodiment, carbon is detected by detecting fluorescent X-rays generated by irradiating the reticle with X-rays. This is because carbon may adhere to the reticle due to electron beam irradiation in the vacuum vessel.
【００２２】このレチクル汚れ検査器により、露光に影
響を及ぼす程度の炭素付着が検出されたときには、レチ
クル２０１は搬送系２３０によりレチクル洗浄機（クリ
ーニング系）２４２に搬送されて、洗浄（清浄化）が行
われる。本実施例の洗浄機２４２では、酸素を含む雰囲
気中で紫外線を照射することにより発生した酸素ラジカ
ルまたはオゾンと、レチクル２０１に付着した炭素（異
物）とを反応させ、ガス化して除去する。ここで、発生
した二酸化炭素は充分に排気する。When the reticle dirt inspection device detects carbon adhesion to such an extent as to affect the exposure, the reticle 201 is transported by the transport system 230 to the reticle cleaning machine (cleaning system) 242 for cleaning (cleaning). Is performed. In the cleaning machine 242 of this embodiment, oxygen radicals or ozone generated by irradiating ultraviolet rays in an atmosphere containing oxygen reacts with carbon (foreign matter) attached to the reticle 201, and is gasified and removed. Here, the generated carbon dioxide is sufficiently exhausted.
【００２３】異物が除去されたレチクルは、再びレチク
ルステージ２１２へと搬送され、露光が続けられる。こ
のように、本実施例の電子線投影露光装置によれば、汚
れが発生したレチクルを迅速に清浄化して、レチクルの
汚れに起因する露光のスループット低下や歩留り低下を
防止することができる。The reticle from which the foreign matter has been removed is transported to the reticle stage 212 again, and exposure is continued. As described above, according to the electron beam projection exposure apparatus of this embodiment, the reticle on which dirt has occurred can be quickly cleaned to prevent a decrease in exposure throughput and a decrease in yield due to dirt on the reticle.
【００２４】本実施例では、レチクル２０１に付着した
炭素（異物）の検出を蛍光Ｘ線を検出することにより行
ったが、検出法はこれに限るものではなく、オージェ電
子分光法、光電子分光法によっても高い感度で炭素を検
出できる。また、洗浄（清浄化）により、炭素が充分に
除去されたかどうかを確認するために、洗浄機内にも炭
素の検出器が配置されていることが望ましい。In the present embodiment, the detection of carbon (foreign matter) attached to the reticle 201 is performed by detecting X-ray fluorescence, but the detection method is not limited to this, and Auger electron spectroscopy, photoelectron spectroscopy Can also detect carbon with high sensitivity. Further, in order to confirm whether or not carbon has been sufficiently removed by washing (cleaning), it is preferable that a carbon detector is also arranged in the washing machine.
【００２５】また、検出対象の異物は炭素に限るもので
はなく、真空容器内で発生する金属微粒子がレチクルに
付着する可能性もあるので、異物検出器は金属の検出も
行えることが望ましい。本実施例に挙げたレチクル洗浄
機では、酸素雰囲気中で紫外線を照射することにより洗
浄（清浄化）を行っているが、レチクルの洗浄（清浄
化）法はこれに限定されるものではない。Further, the foreign matter to be detected is not limited to carbon, and there is a possibility that metal fine particles generated in the vacuum vessel may adhere to the reticle. Therefore, it is desirable that the foreign matter detector can also detect metal. In the reticle cleaning machine described in this embodiment, cleaning (cleaning) is performed by irradiating ultraviolet rays in an oxygen atmosphere, but the reticle cleaning (cleaning) method is not limited to this.
【００２６】例えば一度、レチクルを真空容器外に取り
出して湿式洗浄を行う方法や、パルス励起光の照射によ
り洗浄（清浄化）を行ってもよい。特に、無機物の微粒
子がレチクルに付着している場合には、これらの方法が
望ましい。For example, the reticle may be taken out of the vacuum vessel once to perform wet cleaning, or cleaning (cleaning) may be performed by irradiation with pulsed excitation light. In particular, when inorganic fine particles adhere to the reticle, these methods are desirable.
【００２７】[0027]
【発明の効果】以上、説明したように、本発明の電子線
投影露光装置によれば、汚れが発生したマスク等を迅速
に清浄化して、マスク等の汚れに起因する露光のスルー
プット低下や歩留り低下を防止することができる。As described above, according to the electron beam projection exposure apparatus of the present invention, a mask or the like on which dirt has occurred is quickly cleaned to reduce exposure throughput and yield due to dirt on the mask or the like. The drop can be prevented.
【図１】は、本発明にかかる異物の検出について説明す
る図である。FIG. 1 is a diagram illustrating detection of a foreign substance according to the present invention.
【図２】は、実施例の電子線投影露光装置の概略構成図
である。FIG. 2 is a schematic configuration diagram of an electron beam projection exposure apparatus of an embodiment.
１０１，２０１ レチクル ２０２ シリコンウエハ １１０，２１０ 照明電子光学系 １１１，２１１ 投影電子光学系 １１２，２１２ レチクルステージ ２１３ ウエハステージ ２１４ 電子源 １２０，２２０ 汚れ検出器 ２３０ レチクル搬送系 ２４０ 真空容器 ２４１ バルブ ２４２ レチクル洗浄機 ２４３ レチクルステージ 以上 101, 201 reticle 202 silicon wafer 110, 210 illumination electron optical system 111, 211 projection electron optical system 112, 212 reticle stage 213 wafer stage 214 electron source 120, 220 dirt detector 230 reticle transport system 240 vacuum vessel 241 valve 242 reticle cleaning Machine 243 reticle stage or more
Claims (6)
し、電子光学系によって投影することによりパターン露
光を行う電子線投影露光装置において、 前記マスクまたはレチクルに付着した異物を検出する異
物検出器と、異物が検出されたマスクまたはレチクルを
清浄化するクリーニング系とを設けたことを特徴とする
電子線投影露光装置。1. An electron beam projection exposure apparatus for irradiating a mask or a reticle with an electron beam and projecting the pattern by an electron optical system, wherein a foreign matter detector for detecting a foreign matter attached to the mask or the reticle; An electron beam projection exposure apparatus, comprising: a cleaning system for cleaning a mask or a reticle in which foreign matter has been detected.
レチクル上の異物を検出する異物検出器を設けたことを
特徴とする請求項１記載の電子線投影露光装置。2. An electron beam projection exposure apparatus according to claim 1, wherein said cleaning system further includes a foreign matter detector for detecting foreign matter on a mask or a reticle.
ージェ電子分光法、または光電子分光法を用いて異物を
検出することを特徴とする請求項１または２記載の電子
線投影露光装置。3. The electron beam projection exposure apparatus according to claim 1, wherein the foreign object detector detects the foreign object using X-ray fluorescence analysis, Auger electron spectroscopy, or photoelectron spectroscopy. .
照射する照射機構を備え、前記マスクまたはレチクルの
表面に向けて、パルス励起光を照射して異物除去を行う
ことにより、前記マスクまたはレチクルを清浄化するこ
とを特徴とする請求項１〜３記載の電子線投影露光装
置。4. The cleaning system includes an irradiation mechanism for irradiating pulse excitation light, and irradiates pulse excitation light toward the surface of the mask or reticle to remove foreign substances, thereby removing the mask or reticle. The electron beam projection exposure apparatus according to claim 1, wherein the apparatus is cleaned.
が収納された真空容器とは別の容器内に設けられ、該容
器内に前記真空容器から搬送された前記マスクまたはレ
チクルの表面に結露による液体の膜を形成する液膜形成
機構と、前記マスクまたはレチクルの表面に向けてパル
ス励起光を照射する照射機構を備え、前記液膜形成機構
により液膜を形成した状態にて、前記表面にパルス励起
光を照射することにより、前記異物除去を行うことを特
徴とする請求項４記載の電子線投影露光装置。5. The cleaning system is provided in a container different from a vacuum container in which the electron optical system is stored, and the surface of the mask or reticle conveyed from the vacuum container into the container by condensation. A liquid film forming mechanism for forming a liquid film, and an irradiation mechanism for irradiating pulse excitation light toward the surface of the mask or the reticle, and a liquid film is formed by the liquid film forming mechanism. The electron beam projection exposure apparatus according to claim 4, wherein the foreign matter is removed by irradiating a pulse excitation light.
が収納された真空容器とは別の容器内に設けられ、該容
器内に前記真空容器から搬送された前記マスクまたはレ
チクルに付着した異物と反応する酸素ラジカルまたはオ
ゾンを形成する機構を備え、前記反応により前記異物を
ガス化して除去することを特徴とする請求項４記載の電
子線投影露光装置。6. The cleaning system is provided in a container different from the vacuum container in which the electron optical system is stored, and removes foreign substances attached to the mask or reticle conveyed from the vacuum container in the container. 5. The electron beam projection exposure apparatus according to claim 4, further comprising a mechanism for forming a reactive oxygen radical or ozone, wherein the foreign matter is gasified and removed by the reaction.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9193992A JPH1140478A (en) | 1997-07-18 | 1997-07-18 | Electron beam projection aligner |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9193992A JPH1140478A (en) | 1997-07-18 | 1997-07-18 | Electron beam projection aligner |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1140478A true JPH1140478A (en) | 1999-02-12 |
Family
ID=16317178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9193992A Pending JPH1140478A (en) | 1997-07-18 | 1997-07-18 | Electron beam projection aligner |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1140478A (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010051744A (en) * | 1999-11-19 | 2001-06-25 | 히로시 오우라 | Charged particle beam exposure apparatus and method |
| US6387602B1 (en) | 2000-02-15 | 2002-05-14 | Silicon Valley Group, Inc. | Apparatus and method of cleaning reticles for use in a lithography tool |
| KR100389133B1 (en) * | 2001-05-24 | 2003-06-25 | 삼성전자주식회사 | Exposure apparatus for manufacturing semiconductor device and method for operating its |
| JP2007149571A (en) * | 2005-11-30 | 2007-06-14 | Hitachi High-Technologies Corp | Sample measuring method and charged particle beam apparatus |
| JP2007194609A (en) * | 2005-12-27 | 2007-08-02 | Asml Netherlands Bv | Lithography device and method therefor |
| WO2021180140A1 (en) * | 2020-03-13 | 2021-09-16 | 长鑫存储技术有限公司 | Exposure machine and exposure method |
-
1997
- 1997-07-18 JP JP9193992A patent/JPH1140478A/en active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010051744A (en) * | 1999-11-19 | 2001-06-25 | 히로시 오우라 | Charged particle beam exposure apparatus and method |
| US6387602B1 (en) | 2000-02-15 | 2002-05-14 | Silicon Valley Group, Inc. | Apparatus and method of cleaning reticles for use in a lithography tool |
| KR100389133B1 (en) * | 2001-05-24 | 2003-06-25 | 삼성전자주식회사 | Exposure apparatus for manufacturing semiconductor device and method for operating its |
| JP2007149571A (en) * | 2005-11-30 | 2007-06-14 | Hitachi High-Technologies Corp | Sample measuring method and charged particle beam apparatus |
| US8071961B2 (en) | 2005-11-30 | 2011-12-06 | Hitachi High-Technologies Corporation | Charged particle beam apparatus |
| JP2007194609A (en) * | 2005-12-27 | 2007-08-02 | Asml Netherlands Bv | Lithography device and method therefor |
| WO2021180140A1 (en) * | 2020-03-13 | 2021-09-16 | 长鑫存储技术有限公司 | Exposure machine and exposure method |
| US11852976B2 (en) | 2020-03-13 | 2023-12-26 | Changxin Memory Technologies, Inc. | Exposure machine and exposure method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6829035B2 (en) | Advanced mask cleaning and handling | |
| US6327021B1 (en) | Mask inspection system and method of manufacturing semiconductor device | |
| US7138640B1 (en) | Method and apparatus for protecting surfaces of optical components | |
| US6038015A (en) | Electron-beam-projection-exposure apparatus with integrated mask inspection and cleaning portions | |
| JP5071109B2 (en) | Reticle conveying apparatus, exposure apparatus, reticle conveying method, reticle processing method, and device manufacturing method | |
| US20080264441A1 (en) | Method for removing residuals from photomask | |
| TWI336100B (en) | Method and apparatus for solving mask precipitated defect issue | |
| JP4607705B2 (en) | Mask defect correcting method and semiconductor device manufacturing method | |
| JPH1140478A (en) | Electron beam projection aligner | |
| US20030155077A1 (en) | Substrate processing apparatus | |
| JP2006319163A (en) | Euv exposure device | |
| JP2006164893A (en) | Charged particle beam device and contamination removing method of the same | |
| US20060243300A1 (en) | Method for cleaning lithographic apparatus | |
| JP3741178B2 (en) | X-ray reduction exposure apparatus and X-ray projection exposure method | |
| US20120154771A1 (en) | Immersion multiple-exposure method and immersion exposure system for separately performing multiple exposure of micropatterns and non-micropatterns | |
| JP2006208210A (en) | Method and device of inspecting optical component of exposing optical system | |
| US6919146B2 (en) | Planar reticle design/fabrication method for rapid inspection and cleaning | |
| WO2002052345A1 (en) | Method and device for mask cleaning, and device manufacturing system | |
| JPH11329931A (en) | Reticle for electron beam projection exposure, electron beam exposure system, and cleaning method | |
| JP2000049081A (en) | Charged particle beam exposure system | |
| JPH1126409A (en) | Cleaning device | |
| JP2014071208A (en) | Exposure method and apparatus, and device manufacturing method | |
| JP2000049082A (en) | Charged particle beam projection aligner | |
| JPH1140477A (en) | Electron beam projection aligner and method of testing and treating exposure mask | |
| JP2005012142A (en) | Method of inspecting and cleaning mask, mask inspecting and cleaning apparatus, and charged-particle beam exposure apparatus |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040705 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060516 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060523 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060926 |