JPH114032A - レーザパワーコントロール回路 - Google Patents
レーザパワーコントロール回路Info
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- JPH114032A JPH114032A JP9153165A JP15316597A JPH114032A JP H114032 A JPH114032 A JP H114032A JP 9153165 A JP9153165 A JP 9153165A JP 15316597 A JP15316597 A JP 15316597A JP H114032 A JPH114032 A JP H114032A
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- laser power
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基準レベルＶｒｅｆが固定だと、使用電源電
圧が低くなった場合に、最適と考えられるＲＦ信号レベ
ルよりも大きめのＲＦ信号レベルに抑え込まれ、最適レ
ベルがずれることになる。 【解決手段】 レーザダイオード１１を含む光学系１２
によって読み取られた信号レベルに基づいてレーザパワ
ーを制御するレーザパワーコントロール回路１４におい
て、外部から与えられる制御情報を取り込む制御入力端
子２０を設け、この制御入力端子２０を介して外部調整
回路２２から入力される制御情報に基づいて基準レベル
Ｖｒｅｆを調整可能とする。
圧が低くなった場合に、最適と考えられるＲＦ信号レベ
ルよりも大きめのＲＦ信号レベルに抑え込まれ、最適レ
ベルがずれることになる。 【解決手段】 レーザダイオード１１を含む光学系１２
によって読み取られた信号レベルに基づいてレーザパワ
ーを制御するレーザパワーコントロール回路１４におい
て、外部から与えられる制御情報を取り込む制御入力端
子２０を設け、この制御入力端子２０を介して外部調整
回路２２から入力される制御情報に基づいて基準レベル
Ｖｒｅｆを調整可能とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザダイオード
の出力を制御するレーザパワーコントロール（ＬＰＣ；
Laser Power Control)回路に関し、特に光ディスク装置
になどにおいて、その光源として用いられるレーザダイ
オードの出力を、そのレーザダイオードを含む光学系に
よって読み取られた信号レベルに基づいて制御するレー
ザパワーコントロール回路に関する。
の出力を制御するレーザパワーコントロール（ＬＰＣ；
Laser Power Control)回路に関し、特に光ディスク装置
になどにおいて、その光源として用いられるレーザダイ
オードの出力を、そのレーザダイオードを含む光学系に
よって読み取られた信号レベルに基づいて制御するレー
ザパワーコントロール回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種のレーザパワーコントロール回路
を用いたシステムの従来例を図３に示す。同図におい
て、レーザダイオード１０１を含む光学系１０２は、光
ディスク（図示せず）の記録情報を読み取るためのもの
である。この光学系１０２によって読み取られたＲＦ信
号は、ＲＦ回路１０３を経てレーザパワーコントロール
回路１０４に供給されるとともに、復調などの信号処理
を行う信号処理系（図示せず）に供給される。
を用いたシステムの従来例を図３に示す。同図におい
て、レーザダイオード１０１を含む光学系１０２は、光
ディスク（図示せず）の記録情報を読み取るためのもの
である。この光学系１０２によって読み取られたＲＦ信
号は、ＲＦ回路１０３を経てレーザパワーコントロール
回路１０４に供給されるとともに、復調などの信号処理
を行う信号処理系（図示せず）に供給される。
【０００３】レーザパワーコントロール回路１０４は、
ＲＦ信号のピーク値をホールドするピークホールド回路
１０５と、所定の基準レベルＶｒｅｆを設定する基準レ
ベル設定回路１０６と、ピークホールド回路１０５の出
力信号と基準レベル設定回路１０６で設定された基準レ
ベルＶｒｅｆとを比較し、その差分をとる比較器１０７
とから構成され、ＩＣ化されている。
ＲＦ信号のピーク値をホールドするピークホールド回路
１０５と、所定の基準レベルＶｒｅｆを設定する基準レ
ベル設定回路１０６と、ピークホールド回路１０５の出
力信号と基準レベル設定回路１０６で設定された基準レ
ベルＶｒｅｆとを比較し、その差分をとる比較器１０７
とから構成され、ＩＣ化されている。
【０００４】このレーザパワーコントロール回路１０４
において、基準レベル設定回路１０６は、電源Ｖｃｃと
電源Ｖｅｅ（Ｖｅｅ＝Ｖｃｃ／２）の間に直列に接続さ
れた電流源１０８および抵抗１０９によって構成され、
電流源１０８および抵抗１０９の接続点Ａの電位を基準
レベルＶｒｅｆとする。この基準レベルＶｒｅｆは、Ｒ
Ｆ信号レベルを設定する基準となるものであり、使用電
源電圧に最適と考えられるＲＦ信号レベルに合わせて固
定的に設定される。
において、基準レベル設定回路１０６は、電源Ｖｃｃと
電源Ｖｅｅ（Ｖｅｅ＝Ｖｃｃ／２）の間に直列に接続さ
れた電流源１０８および抵抗１０９によって構成され、
電流源１０８および抵抗１０９の接続点Ａの電位を基準
レベルＶｒｅｆとする。この基準レベルＶｒｅｆは、Ｒ
Ｆ信号レベルを設定する基準となるものであり、使用電
源電圧に最適と考えられるＲＦ信号レベルに合わせて固
定的に設定される。
【０００５】比較器１０７で得られたピークホールド回
路１０５の出力信号と基準レベルＶｒｅｆとの差分は、
ＡＰＣ(Automatic Power Control；自動出力制御）回路
１１０に供給される。このＡＰＣ回路１１０は、比較器
１０７から与えられる差分情報に基づいて光学系１０２
のレーザダイオード１０１の出力、即ちレーザパワーを
制御する。これにより、基準レベルＶｒｅｆによって設
定されたＲＦ信号レベルに抑え込まれる。
路１０５の出力信号と基準レベルＶｒｅｆとの差分は、
ＡＰＣ(Automatic Power Control；自動出力制御）回路
１１０に供給される。このＡＰＣ回路１１０は、比較器
１０７から与えられる差分情報に基づいて光学系１０２
のレーザダイオード１０１の出力、即ちレーザパワーを
制御する。これにより、基準レベルＶｒｅｆによって設
定されたＲＦ信号レベルに抑え込まれる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
成の従来のレーザパワーコントロール回路１０４では、
基準レベルＶｒｅｆが使用電源電圧に最適と考えられる
ＲＦ信号レベルに合わせて固定となっていたため、使用
電源電圧が低く設定された場合に、最適と考えられるＲ
Ｆ信号レベルよりも大きめのＲＦ信号レベルに抑え込ま
れ、最適レベルがずれることになる。
成の従来のレーザパワーコントロール回路１０４では、
基準レベルＶｒｅｆが使用電源電圧に最適と考えられる
ＲＦ信号レベルに合わせて固定となっていたため、使用
電源電圧が低く設定された場合に、最適と考えられるＲ
Ｆ信号レベルよりも大きめのＲＦ信号レベルに抑え込ま
れ、最適レベルがずれることになる。
【０００７】その結果、ＲＦ回路１０３の出力ダイナミ
ックレンジが狭くなり、ＲＦ信号レベルがディスクの反
射率や変調度に対しての安定領域が狭くなる。これによ
り、ディスクの傷検出やミラー（鏡面）検出に悪影響を
及ぼし、光ディスク装置の再生能力を低下させる要因と
なる。
ックレンジが狭くなり、ＲＦ信号レベルがディスクの反
射率や変調度に対しての安定領域が狭くなる。これによ
り、ディスクの傷検出やミラー（鏡面）検出に悪影響を
及ぼし、光ディスク装置の再生能力を低下させる要因と
なる。
【０００８】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、その目的とするところは、基準レベルを外部か
ら容易に設定可能なレーザパワーコントロール回路を提
供することにある。
であり、その目的とするところは、基準レベルを外部か
ら容易に設定可能なレーザパワーコントロール回路を提
供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明によるレーザパワ
ーコントロール回路は、レーザダイオードを含む光学系
によって読み取られた信号レベルに基づいてレーザダイ
オードの出力を制御するレーザパワーコントロール回路
であって、外部から与えられる制御情報を取り込む制御
入力端子と、所定の基準レベルを設定するとともに、そ
の基準レベルを制御入力端子を介して入力される制御情
報に基づいて調整する基準レベル設定手段と、光学系に
よって読み取られた信号レベルと基準レベル設定手段に
よって設定された基準レベルとを比較し、その差分をレ
ーザダイオードの出力の制御情報として与える比較手段
とを備えた構成となっている。
ーコントロール回路は、レーザダイオードを含む光学系
によって読み取られた信号レベルに基づいてレーザダイ
オードの出力を制御するレーザパワーコントロール回路
であって、外部から与えられる制御情報を取り込む制御
入力端子と、所定の基準レベルを設定するとともに、そ
の基準レベルを制御入力端子を介して入力される制御情
報に基づいて調整する基準レベル設定手段と、光学系に
よって読み取られた信号レベルと基準レベル設定手段に
よって設定された基準レベルとを比較し、その差分をレ
ーザダイオードの出力の制御情報として与える比較手段
とを備えた構成となっている。
【００１０】上記構成のレーザパワーコントロール回路
において、基準レベル設定手段は、外部から制御端子を
介して制御情報が与えられないときは、使用電源電圧に
最適と考えられるＲＦ信号レベルに合わせて予め設定さ
れている回路定数に応じた基準レベルを設定する。一
方、使用電源電圧の変更に伴って外部から制御端子を介
して制御情報が与えられたときは、その制御情報に基づ
いて基準レベルを調整する。そして、この基準レベルに
対する信号レベルの差分を比較器でとり、その差分に基
づいてレーザパワーを制御する。
において、基準レベル設定手段は、外部から制御端子を
介して制御情報が与えられないときは、使用電源電圧に
最適と考えられるＲＦ信号レベルに合わせて予め設定さ
れている回路定数に応じた基準レベルを設定する。一
方、使用電源電圧の変更に伴って外部から制御端子を介
して制御情報が与えられたときは、その制御情報に基づ
いて基準レベルを調整する。そして、この基準レベルに
対する信号レベルの差分を比較器でとり、その差分に基
づいてレーザパワーを制御する。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しつつ詳細に説明する。
て図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００１２】図１は、本発明の一実施形態を示すブロッ
ク図である。図１において、レーザダイオード１１を含
む光学系１２は、光ディスク（図示せず）の記録情報を
読み取るためのものである。この光学系１２によって読
み取られたＲＦ信号は、ＲＦ回路１３を経てレーザパワ
ーコントロール回路１４に供給されるとともに、復調な
どの信号処理を行う信号処理系（図示せず）に供給され
る。
ク図である。図１において、レーザダイオード１１を含
む光学系１２は、光ディスク（図示せず）の記録情報を
読み取るためのものである。この光学系１２によって読
み取られたＲＦ信号は、ＲＦ回路１３を経てレーザパワ
ーコントロール回路１４に供給されるとともに、復調な
どの信号処理を行う信号処理系（図示せず）に供給され
る。
【００１３】レーザパワーコントロール回路１４は、Ｒ
Ｆ信号のピーク値をホールドするピークホールド回路１
５と、所定の基準レベルＶｒｅｆを設定する基準レベル
設定回路１６と、ピークホールド回路１５の出力信号と
基準レベル設定回路１６で設定された基準レベルＶｒｅ
ｆとを比較し、その差分をとる比較器１７とから構成さ
れ、ＩＣ化されている。
Ｆ信号のピーク値をホールドするピークホールド回路１
５と、所定の基準レベルＶｒｅｆを設定する基準レベル
設定回路１６と、ピークホールド回路１５の出力信号と
基準レベル設定回路１６で設定された基準レベルＶｒｅ
ｆとを比較し、その差分をとる比較器１７とから構成さ
れ、ＩＣ化されている。
【００１４】このレーザパワーコントロール回路１４に
おいて、基準レベル設定回路１６は、電源Ｖｃｃと電源
Ｖｅｅ（Ｖｅｅ＝Ｖｃｃ／２）の間に直列に接続された
電流源１８および抵抗１９によって構成され、電流源１
８および抵抗１９の接続点Ａの電位を基準レベルＶｒｅ
ｆとする。この基準レベルＶｒｅｆは、ＲＦ信号レベル
を設定する基準となるものである。
おいて、基準レベル設定回路１６は、電源Ｖｃｃと電源
Ｖｅｅ（Ｖｅｅ＝Ｖｃｃ／２）の間に直列に接続された
電流源１８および抵抗１９によって構成され、電流源１
８および抵抗１９の接続点Ａの電位を基準レベルＶｒｅ
ｆとする。この基準レベルＶｒｅｆは、ＲＦ信号レベル
を設定する基準となるものである。
【００１５】ここで、基準レベルＶｒｅｆを決める電流
源１８の基準電流Ｉおよび抵抗１９の抵抗値Ｒ０は、あ
る使用電源電圧の下に最適と考えられるＲＦ信号レベル
に合わせて固定的に設定されている。また、接続点Ａは
制御入力端子２０に接続されている。この制御入力端子
２０には、外部から基準レベルＶｒｅｆを調整するため
の制御情報が与えられる。外部から制御情報が与えられ
たときは、この制御情報に応じて基準レベルＶｒｅｆが
変化するようになっている。
源１８の基準電流Ｉおよび抵抗１９の抵抗値Ｒ０は、あ
る使用電源電圧の下に最適と考えられるＲＦ信号レベル
に合わせて固定的に設定されている。また、接続点Ａは
制御入力端子２０に接続されている。この制御入力端子
２０には、外部から基準レベルＶｒｅｆを調整するため
の制御情報が与えられる。外部から制御情報が与えられ
たときは、この制御情報に応じて基準レベルＶｒｅｆが
変化するようになっている。
【００１６】比較器１７で得られたピークホールド回路
１５の出力信号と基準レベルＶｒｅｆとの差分は、ＡＰ
Ｃ回路２１に供給される。このＡＰＣ回路２１は、比較
器１７から与えられる差分情報に基づいてレーザパワー
を制御する。これにより、基準レベルＶｒｅｆによって
設定されたＲＦ信号レベルに抑え込まれる。
１５の出力信号と基準レベルＶｒｅｆとの差分は、ＡＰ
Ｃ回路２１に供給される。このＡＰＣ回路２１は、比較
器１７から与えられる差分情報に基づいてレーザパワー
を制御する。これにより、基準レベルＶｒｅｆによって
設定されたＲＦ信号レベルに抑え込まれる。
【００１７】すなわち、ピークホールド回路１５の出力
信号と基準レベルＶｒｅｆとの差分の電流Δを、ＡＰＣ
回路２１内のＶＲＥＦ基準の反転アンプでＶＲＥＦ±Δ
の電圧に変換する。そして、このＶＲＥＦ±Δ電圧をＡ
ＰＣ回路２１の基準電圧の一つであるＶＲＥＦとするこ
とで、差分の±Δ電圧だけＡＰＣ回路２１の出力を変化
させ、レーザダイオード１１に流れる電流を制御するこ
とでレーザパワーを調整する。
信号と基準レベルＶｒｅｆとの差分の電流Δを、ＡＰＣ
回路２１内のＶＲＥＦ基準の反転アンプでＶＲＥＦ±Δ
の電圧に変換する。そして、このＶＲＥＦ±Δ電圧をＡ
ＰＣ回路２１の基準電圧の一つであるＶＲＥＦとするこ
とで、差分の±Δ電圧だけＡＰＣ回路２１の出力を変化
させ、レーザダイオード１１に流れる電流を制御するこ
とでレーザパワーを調整する。
【００１８】このレーザパワーが大きくなればＲＦレベ
ルは大きくなり、レーザパワーが小さくなればＲＦレベ
ルは小さくなる。これを利用してピークホールド回路１
５の出力信号の信号レベルを基準レベルＶｒｅｆと等し
くすることで、ＲＦレベルは基準レベルＶｒｅｆにて設
定したレベルに抑え込まれることになる。
ルは大きくなり、レーザパワーが小さくなればＲＦレベ
ルは小さくなる。これを利用してピークホールド回路１
５の出力信号の信号レベルを基準レベルＶｒｅｆと等し
くすることで、ＲＦレベルは基準レベルＶｒｅｆにて設
定したレベルに抑え込まれることになる。
【００１９】レーザパワーコントロール回路１４の外部
には、基準レベルＶｒｅｆを調整するための制御情報を
制御入力端子２０を介して基準レベル設定回路１６に与
える外部調整回路２２が設けられている。この外部調整
回路２２は、例えば、制御入力端子２０と電源Ｖｅｅの
間に接続された１本の抵抗２３によって構成されてい
る。なお、本例では、制御入力端子２０と電源Ｖｅｅの
間に抵抗２３を接続するとしたが、使用電源電圧によっ
ては、図１に破線で示すように、制御入力端子２０と電
源Ｖｃｃの間に抵抗２４を接続することになる。
には、基準レベルＶｒｅｆを調整するための制御情報を
制御入力端子２０を介して基準レベル設定回路１６に与
える外部調整回路２２が設けられている。この外部調整
回路２２は、例えば、制御入力端子２０と電源Ｖｅｅの
間に接続された１本の抵抗２３によって構成されてい
る。なお、本例では、制御入力端子２０と電源Ｖｅｅの
間に抵抗２３を接続するとしたが、使用電源電圧によっ
ては、図１に破線で示すように、制御入力端子２０と電
源Ｖｃｃの間に抵抗２４を接続することになる。
【００２０】ここで、上記構成のレーザパワーコントロ
ール回路１４において、基準レベル設定回路１６による
基準レベルＶｒｅｆの設定について説明する。
ール回路１４において、基準レベル設定回路１６による
基準レベルＶｒｅｆの設定について説明する。
【００２１】先ず、外部から調整しない場合、即ち外部
調整回路２２から制御情報を与えない場合は、基準レベ
ルＶｒｅｆは、電流源１８の基準電流Ｉと抵抗１９の抵
抗値Ｒ０によって、 Ｖｒｅｆ＝Ｉ×Ｒ０＋Ｖｃｃ／２ に固定されている。
調整回路２２から制御情報を与えない場合は、基準レベ
ルＶｒｅｆは、電流源１８の基準電流Ｉと抵抗１９の抵
抗値Ｒ０によって、 Ｖｒｅｆ＝Ｉ×Ｒ０＋Ｖｃｃ／２ に固定されている。
【００２２】ＲＦ信号レベルを低めに設定する場合は、
外部調整回路２２として、制御入力端子２０と電源Ｖｅ
ｅの間に１本の外付け抵抗２３を接続する。このとき、
基準レベルＶｒｅｆは、外付け抵抗２３の抵抗値をＲ１
とすると、 Ｖｒｅｆ＝Ｉ×（Ｒ０//Ｒ１）＋Ｖｃｃ／２ となる。ここに、Ｒ０//Ｒ１は、Ｒ０とＲ１の並列合成
抵抗値である。
外部調整回路２２として、制御入力端子２０と電源Ｖｅ
ｅの間に１本の外付け抵抗２３を接続する。このとき、
基準レベルＶｒｅｆは、外付け抵抗２３の抵抗値をＲ１
とすると、 Ｖｒｅｆ＝Ｉ×（Ｒ０//Ｒ１）＋Ｖｃｃ／２ となる。ここに、Ｒ０//Ｒ１は、Ｒ０とＲ１の並列合成
抵抗値である。
【００２３】ＲＦ信号レベルを高めに設定する場合は、
外部調整回路２２として、図１に破線で示すように、制
御入力端子２０と電源Ｖｃｃの間に１本の外付け抵抗２
４を接続する。このとき、基準レベルＶｒｅｆは、外付
け抵抗２４の抵抗値をＲ２とすると、 Ｖｒｅｆ＝Ｒ｛Ｉ＋（Ｖｃｃ−Ｉ・Ｒ０−Ｖｃｃ／２）
／（Ｒ０＋Ｒ２）｝＋Ｖｃｃ／２ となる。
外部調整回路２２として、図１に破線で示すように、制
御入力端子２０と電源Ｖｃｃの間に１本の外付け抵抗２
４を接続する。このとき、基準レベルＶｒｅｆは、外付
け抵抗２４の抵抗値をＲ２とすると、 Ｖｒｅｆ＝Ｒ｛Ｉ＋（Ｖｃｃ−Ｉ・Ｒ０−Ｖｃｃ／２）
／（Ｒ０＋Ｒ２）｝＋Ｖｃｃ／２ となる。
【００２４】このように、ＩＣ化されたレーザパワーコ
ントロール回路１４に制御入力端子２０を一つ追加し、
この制御入力端子２０を介して外部から与えられる制御
情報に基づいて基準レベルＶｒｅｆを調整可能な構成と
したことにより、外付け抵抗２３又は外付け抵抗２４を
制御入力端子２０に接続するだけで、ＲＦ信号レベルを
使用電源電圧に応じて任意に設定することができる。な
お、抵抗２３および抵抗２４の両方を接続した場合、前
式は成立しない。
ントロール回路１４に制御入力端子２０を一つ追加し、
この制御入力端子２０を介して外部から与えられる制御
情報に基づいて基準レベルＶｒｅｆを調整可能な構成と
したことにより、外付け抵抗２３又は外付け抵抗２４を
制御入力端子２０に接続するだけで、ＲＦ信号レベルを
使用電源電圧に応じて任意に設定することができる。な
お、抵抗２３および抵抗２４の両方を接続した場合、前
式は成立しない。
【００２５】図２は、本発明の他の実施形態を示すブロ
ック図であり、図中、図１と同等部分には同一符号を付
して示してある。本実施形態では、制御入力端子２０に
制御情報を与える外部調整回路２５の構成が先の実施形
態の外部調整回路２２のそれと異なるのみであり、それ
以外の構成については全く同じである。
ック図であり、図中、図１と同等部分には同一符号を付
して示してある。本実施形態では、制御入力端子２０に
制御情報を与える外部調整回路２５の構成が先の実施形
態の外部調整回路２２のそれと異なるのみであり、それ
以外の構成については全く同じである。
【００２６】本実施形態に係る外部調整回路２５は、マ
イクロコンピュータ（マイコン）２６からのデータによ
ってコントロールされるレジスタ２７と、このレジスタ
２７の格納データをアナログ化して制御情報として制御
入力端子２０に与えるＤＡコンバータ（ＤＡＣ）２８と
から構成されている。ここで、制御入力端子２０に与え
られる制御情報は、制御入力端子２０に流入する電流Ｉ
ｉｎまたは制御入力端子２０から流出する電流Ｉｏｕｔ
となる。
イクロコンピュータ（マイコン）２６からのデータによ
ってコントロールされるレジスタ２７と、このレジスタ
２７の格納データをアナログ化して制御情報として制御
入力端子２０に与えるＤＡコンバータ（ＤＡＣ）２８と
から構成されている。ここで、制御入力端子２０に与え
られる制御情報は、制御入力端子２０に流入する電流Ｉ
ｉｎまたは制御入力端子２０から流出する電流Ｉｏｕｔ
となる。
【００２７】例えば、制御入力端子２０に電流Ｉｉｎが
流入する場合には、基準レベルＶｒｅｆは、 Ｖｒｅｆ＝Ｒ０（Ｉ＋Ｉｉｎ）＋Ｖｃｃ／２ となる。また、制御入力端子２０から電流Ｉｏｕｔが流
出する場合には、基準レベルＶｒｅｆは、 Ｖｒｅｆ＝Ｒ０（Ｉ−Ｉｏｕｔ）＋Ｖｃｃ／２ となる。
流入する場合には、基準レベルＶｒｅｆは、 Ｖｒｅｆ＝Ｒ０（Ｉ＋Ｉｉｎ）＋Ｖｃｃ／２ となる。また、制御入力端子２０から電流Ｉｏｕｔが流
出する場合には、基準レベルＶｒｅｆは、 Ｖｒｅｆ＝Ｒ０（Ｉ−Ｉｏｕｔ）＋Ｖｃｃ／２ となる。
【００２８】このように、マイクロコンピュータ２６か
らのデータによって制御入力端子２０に与える制御情
報、即ち制御入力端子２０に流入する電流Ｉｉｎまたは
制御入力端子２０から流出する電流Ｉｏｕｔを制御する
ことによっても、ＲＦ信号レベルを使用電源電圧に応じ
て任意に設定することができる。
らのデータによって制御入力端子２０に与える制御情
報、即ち制御入力端子２０に流入する電流Ｉｉｎまたは
制御入力端子２０から流出する電流Ｉｏｕｔを制御する
ことによっても、ＲＦ信号レベルを使用電源電圧に応じ
て任意に設定することができる。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
レーザダイオードを含む光学系によって読み取られた信
号レベルに基づいてレーザパワーを制御するレーザパワ
ーコントロール回路において、外部から与えられる制御
情報を取り込む制御入力端子を設け、この制御入力端子
を介して入力される制御情報に基づいて基準レベルを調
整可能な構成としたことにより、ＲＦ信号レベルを使用
電源電圧に応じて任意に設定できるため、異なる使用電
源電圧時のＲＦ信号レベルが安定する。
レーザダイオードを含む光学系によって読み取られた信
号レベルに基づいてレーザパワーを制御するレーザパワ
ーコントロール回路において、外部から与えられる制御
情報を取り込む制御入力端子を設け、この制御入力端子
を介して入力される制御情報に基づいて基準レベルを調
整可能な構成としたことにより、ＲＦ信号レベルを使用
電源電圧に応じて任意に設定できるため、異なる使用電
源電圧時のＲＦ信号レベルが安定する。
【００３０】これにより、光ディスク装置においては、
例えば、使用電源電圧が低く設定された場合であって
も、ＲＦ回路の出力ダイナミックレンジが狭くなること
はないため、再生能力の低下を抑えることができる。ま
た、使用電源電圧に合わせて多種のＩＣを作る必要がな
くなるという利点もある。すなわち、ある使用電源電圧
に合わせて作製した１種類のＩＣを異なる使用電源電圧
下で用いる場合には、制御入力端子に例えば１本の抵抗
を接続するだけで対応できることになる。
例えば、使用電源電圧が低く設定された場合であって
も、ＲＦ回路の出力ダイナミックレンジが狭くなること
はないため、再生能力の低下を抑えることができる。ま
た、使用電源電圧に合わせて多種のＩＣを作る必要がな
くなるという利点もある。すなわち、ある使用電源電圧
に合わせて作製した１種類のＩＣを異なる使用電源電圧
下で用いる場合には、制御入力端子に例えば１本の抵抗
を接続するだけで対応できることになる。
【図１】本発明の一実施形態を示すブロック図である。
【図２】本発明の他の実施形態を示すブロック図であ
る。
る。
【図３】従来例を示すブロック図である。
１１…レーザダイオード、１２…光学系、１３…ＲＦ回
路、１４…レーザパワーコントロール回路、１５…ピー
クホールド回路、１６…基準レベル設定回路、１７…比
較器、２０…制御入力端子、２１…ＡＰＣ回路、２２，
２５…外部調整回路
路、１４…レーザパワーコントロール回路、１５…ピー
クホールド回路、１６…基準レベル設定回路、１７…比
較器、２０…制御入力端子、２１…ＡＰＣ回路、２２，
２５…外部調整回路
Claims (3)
- 【請求項１】 レーザダイオードを含む光学系によって
読み取られた信号レベルに基づいて前記レーザダイオー
ドの出力を制御するレーザパワーコントロール回路であ
って、 外部から与えられる制御情報を取り込む制御入力端子
と、 所定の基準レベルを設定するとともに、その基準レベル
を前記制御入力端子を介して入力される制御情報に基づ
いて調整する基準レベル設定手段と、 前記光学系によって読み取られた信号レベルと前記基準
レベル設定手段によって設定された基準レベルとを比較
し、その差分を前記レーザダイオードの出力の制御情報
として与える比較手段とを備えたことを特徴とするレー
ザパワーコントロール回路。 - 【請求項２】 前記制御情報は、前記制御入力端子と所
定の電源の間に接続された抵抗によって与えられる電圧
であることを特徴とする請求項１記載のレーザパワーコ
ントロール回路。 - 【請求項３】 前記制御情報は、前記制御入力端子に流
入する電流または前記制御入力端子から流出する電流で
あることを特徴とする請求項１記載のレーザパワーコン
トロール回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9153165A JPH114032A (ja) | 1997-06-11 | 1997-06-11 | レーザパワーコントロール回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9153165A JPH114032A (ja) | 1997-06-11 | 1997-06-11 | レーザパワーコントロール回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH114032A true JPH114032A (ja) | 1999-01-06 |
Family
ID=15556478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9153165A Pending JPH114032A (ja) | 1997-06-11 | 1997-06-11 | レーザパワーコントロール回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH114032A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2377810A (en) * | 2001-07-20 | 2003-01-22 | Samsung Electronics Co Ltd | Detecting abnormal states of optical recording/reproducing device |
| KR100604820B1 (ko) * | 2003-06-24 | 2006-07-26 | 삼성전자주식회사 | 광디스크 드라이브의 자동 레이저 다이오드 출력 제어방법 및 이에 적합한 장치 |
-
1997
- 1997-06-11 JP JP9153165A patent/JPH114032A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2377810A (en) * | 2001-07-20 | 2003-01-22 | Samsung Electronics Co Ltd | Detecting abnormal states of optical recording/reproducing device |
| GB2377810B (en) * | 2001-07-20 | 2003-06-18 | Samsung Electronics Co Ltd | Apparatus for detecting abnormal states of optical disc recording/reproducing device |
| KR100604820B1 (ko) * | 2003-06-24 | 2006-07-26 | 삼성전자주식회사 | 광디스크 드라이브의 자동 레이저 다이오드 출력 제어방법 및 이에 적합한 장치 |
| CN100354956C (zh) * | 2003-06-24 | 2007-12-12 | 三星电子株式会社 | 用于控制光盘驱动器中的激光二极管的功率的方法和设备 |
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