JPH1139657A - 光ディスク及びその再生装置 - Google Patents
光ディスク及びその再生装置Info
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- JPH1139657A JPH1139657A JP9195733A JP19573397A JPH1139657A JP H1139657 A JPH1139657 A JP H1139657A JP 9195733 A JP9195733 A JP 9195733A JP 19573397 A JP19573397 A JP 19573397A JP H1139657 A JPH1139657 A JP H1139657A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】この発明は、各層を構成する基板から略同一の
再生信号特性を得ることができるようにした光ディスク
及びその再生装置を提供している。 【解決手段】それぞれに情報が記録された複数の基板１
１，１２を積層してなるもので、その一方の面側から複
数の基板１１，１２の各情報記録面に対してそれぞれ選
択的に光を集光させると、光の集光された基板１１，１
２からの反射光が一方の面側から得られる多層構造の光
ディスク１４において、光の集光されたいずれの基板１
１，１２からの反射光も、光ディスク１４の一方の面側
から得られた状態で、そのレベルが互いに略等しくなる
ように構成されている。
再生信号特性を得ることができるようにした光ディスク
及びその再生装置を提供している。 【解決手段】それぞれに情報が記録された複数の基板１
１，１２を積層してなるもので、その一方の面側から複
数の基板１１，１２の各情報記録面に対してそれぞれ選
択的に光を集光させると、光の集光された基板１１，１
２からの反射光が一方の面側から得られる多層構造の光
ディスク１４において、光の集光されたいずれの基板１
１，１２からの反射光も、光ディスク１４の一方の面側
から得られた状態で、そのレベルが互いに略等しくなる
ように構成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、それぞれに情報
が記録された複数の基板を積層してなる多層構造の光デ
ィスク及びその再生装置の改良に関する。
が記録された複数の基板を積層してなる多層構造の光デ
ィスク及びその再生装置の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】周知のように、首記の如き多層構造の光
ディスクとしては、図１６（ａ）に示すように、ピット
形成面にＡｕ（金）の半透明膜１１ａが付された０層基
板１１と、ピット形成面にＡｌ（アルミニウム）の全反
射膜１２ａが付された１層基板１２とを、再生面距離が
約５５μｍとなるように透明接着剤１３で張り合わせて
なる、２層構造の光ディスク１４が主流になっている。
ディスクとしては、図１６（ａ）に示すように、ピット
形成面にＡｕ（金）の半透明膜１１ａが付された０層基
板１１と、ピット形成面にＡｌ（アルミニウム）の全反
射膜１２ａが付された１層基板１２とを、再生面距離が
約５５μｍとなるように透明接着剤１３で張り合わせて
なる、２層構造の光ディスク１４が主流になっている。
【０００３】このような２層構造の光ディスク１４は、
その０層基板１１側に設置された光学式ピックアップに
よって、０層基板１１及び１層基板１２にそれぞれ記録
されている情報が、選択的に読み取られるようになって
いる。すなわち、光学式ピックアップは、０層基板１１
に記録された情報を読み取る場合、レーザ光が０層基板
１１のピット形成面に集光するように対物レンズ１５を
フォーカス方向に制御し、その半透明膜１１ａによる反
射光を光電変換して再生信号を得るようにしている。
その０層基板１１側に設置された光学式ピックアップに
よって、０層基板１１及び１層基板１２にそれぞれ記録
されている情報が、選択的に読み取られるようになって
いる。すなわち、光学式ピックアップは、０層基板１１
に記録された情報を読み取る場合、レーザ光が０層基板
１１のピット形成面に集光するように対物レンズ１５を
フォーカス方向に制御し、その半透明膜１１ａによる反
射光を光電変換して再生信号を得るようにしている。
【０００４】また、光学式ピックアップは、１層基板１
２に記録された情報を読み取る場合には、レーザ光が０
層基板１１を通過して１層基板１２のピット形成面に集
光するように対物レンズ１５をフォーカス方向に制御
し、その全反射膜１２ａによる反射光が０層基板１１を
通過した光を光電変換して再生信号を得るようにしてい
る。
２に記録された情報を読み取る場合には、レーザ光が０
層基板１１を通過して１層基板１２のピット形成面に集
光するように対物レンズ１５をフォーカス方向に制御
し、その全反射膜１２ａによる反射光が０層基板１１を
通過した光を光電変換して再生信号を得るようにしてい
る。
【０００５】この場合、０層基板１１の半透明膜１１ａ
によって反射されたレーザ光の光量と、１層基板１２の
全反射膜１２ａによって反射され、０層基板１１を通過
したレーザ光の光量とは、略等しくなるように設定され
ている。また、情報を読み取っている側の基板１１，１
２からの反射光に対して、情報を読み取っていない側の
基板１２，１１からの反射光が悪影響を与えないように
設定されている。
によって反射されたレーザ光の光量と、１層基板１２の
全反射膜１２ａによって反射され、０層基板１１を通過
したレーザ光の光量とは、略等しくなるように設定され
ている。また、情報を読み取っている側の基板１１，１
２からの反射光に対して、情報を読み取っていない側の
基板１２，１１からの反射光が悪影響を与えないように
設定されている。
【０００６】ここで、近年市場に普及しているＤＶＤと
称される光ディスク１４では、記録情報の１ビットに対
応する長さをＴとすると、最短ピット部の長さが３Ｔ
で、最長ピット部の長さが１４Ｔに設定されている。こ
の場合、光ディスクからの反射光レベルは、図１６
（ｂ）に示すように変化する。
称される光ディスク１４では、記録情報の１ビットに対
応する長さをＴとすると、最短ピット部の長さが３Ｔ
で、最長ピット部の長さが１４Ｔに設定されている。こ
の場合、光ディスクからの反射光レベルは、図１６
（ｂ）に示すように変化する。
【０００７】すなわち、図１６（ｂ）において、縦軸は
反射光レベルを示し、横軸は時間を示している。そし
て、光ディスク１４のピット形成面における最長ランド
部の反射光レベルがＩ１４Ｈとなり、最長ピット部の反
射光レベルがＩ１４Ｌとなり、最短ランド部の反射光レ
ベルがＩ３Ｈとなり、最短ピット部の反射光レベルがＩ
３Ｌとなっている。
反射光レベルを示し、横軸は時間を示している。そし
て、光ディスク１４のピット形成面における最長ランド
部の反射光レベルがＩ１４Ｈとなり、最長ピット部の反
射光レベルがＩ１４Ｌとなり、最短ランド部の反射光レ
ベルがＩ３Ｈとなり、最短ピット部の反射光レベルがＩ
３Ｌとなっている。
【０００８】このため、最長ランド部と最短ランド部と
の間の長さを有するランド部の反射光レベルは、Ｉ１４
ＨとＩ３Ｈとの間に存在し、最長ピット部と最短ピット
部との間の長さを有するピット部の反射光レベルは、Ｉ
１４ＬとＩ３Ｌとの間に存在することになる。
の間の長さを有するランド部の反射光レベルは、Ｉ１４
ＨとＩ３Ｈとの間に存在し、最長ピット部と最短ピット
部との間の長さを有するピット部の反射光レベルは、Ｉ
１４ＬとＩ３Ｌとの間に存在することになる。
【０００９】そして、この反射光レベルの振幅特性を表
現するためのパラメータとしては、変調度Ｍ，アシンメ
トリＡ及び分解能Ｄの３種類が規定されている。これら
のパラメータは、それぞれ、 Ｍ＝(I14H-I14L)/I14H Ａ＝[(I14H+I14L)-(I3H+I3L)]/[2(I14H-I14L)] Ｄ＝(I3H-I3L)/(I14H-I14L) のようにして算出される。
現するためのパラメータとしては、変調度Ｍ，アシンメ
トリＡ及び分解能Ｄの３種類が規定されている。これら
のパラメータは、それぞれ、 Ｍ＝(I14H-I14L)/I14H Ａ＝[(I14H+I14L)-(I3H+I3L)]/[2(I14H-I14L)] Ｄ＝(I3H-I3L)/(I14H-I14L) のようにして算出される。
【００１０】ここで、図１７は、上記のような光ディス
ク１４を再生する光ディスク再生装置において、光学式
ピックアップから出力される再生信号の特性の良さを総
合的に表わす要素である、ジッタを測定するための測定
系を示している。すなわち、２層構造の光ディスク１４
は、ディスクモータ１６によって回転駆動され、光学式
ピックアップ１７によって記録情報が読み取られる。
ク１４を再生する光ディスク再生装置において、光学式
ピックアップから出力される再生信号の特性の良さを総
合的に表わす要素である、ジッタを測定するための測定
系を示している。すなわち、２層構造の光ディスク１４
は、ディスクモータ１６によって回転駆動され、光学式
ピックアップ１７によって記録情報が読み取られる。
【００１１】この光学式ピックアップ１７から出力され
た再生信号は、前置増幅回路１８で増幅され、イコライ
ザ回路１９により周波数特性の補償処理が施された後、
データスライス回路２０に供給されて２値化され、出力
端子２１から取り出される。また、このデータスライス
回路２０から出力される２値化データは、ＰＬＬ（Phas
e Locked Loop ）回路２２に供給されて２値化データに
同期したクロックの生成に供され、このクロックが出力
端子２３から取り出される。
た再生信号は、前置増幅回路１８で増幅され、イコライ
ザ回路１９により周波数特性の補償処理が施された後、
データスライス回路２０に供給されて２値化され、出力
端子２１から取り出される。また、このデータスライス
回路２０から出力される２値化データは、ＰＬＬ（Phas
e Locked Loop ）回路２２に供給されて２値化データに
同期したクロックの生成に供され、このクロックが出力
端子２３から取り出される。
【００１２】そして、光ディスク再生装置では、出力端
子２１から出力された２値化データのエッジと、出力端
子２３から出力されるクロックのエッジとの位相差をサ
ンプリングすることにより、ジッタの測定を行なってい
る。この場合、ジッタが小さいほど再生信号特性が良い
と言え、上記変調度Ｍ及び分解能Ｄが大きいほど、また
アシンメトリＡが０．１０付近で、ジッタは小さくな
る。
子２１から出力された２値化データのエッジと、出力端
子２３から出力されるクロックのエッジとの位相差をサ
ンプリングすることにより、ジッタの測定を行なってい
る。この場合、ジッタが小さいほど再生信号特性が良い
と言え、上記変調度Ｍ及び分解能Ｄが大きいほど、また
アシンメトリＡが０．１０付近で、ジッタは小さくな
る。
【００１３】ここで、図１８乃至図２０は、上記した２
層構造の光ディスク１４の製造工程を示している。ま
ず、図１８（ａ）乃至（ｄ）は、前記０層基板１１の製
造工程を示している。すなわち、図１８（ａ）は、露光
原盤１１ｂを示している。この露光原盤１１ｂは、ガラ
ス基板１１ｃの表面にレジスト１１ｄを塗布し、光を照
射して必要な箇所のレジスト１１ｄのみを残すようにし
たもので、レジスト１１ｄの厚みによって、製造された
０層基板１１のピットの深さが決定される。
層構造の光ディスク１４の製造工程を示している。ま
ず、図１８（ａ）乃至（ｄ）は、前記０層基板１１の製
造工程を示している。すなわち、図１８（ａ）は、露光
原盤１１ｂを示している。この露光原盤１１ｂは、ガラ
ス基板１１ｃの表面にレジスト１１ｄを塗布し、光を照
射して必要な箇所のレジスト１１ｄのみを残すようにし
たもので、レジスト１１ｄの厚みによって、製造された
０層基板１１のピットの深さが決定される。
【００１４】この露光原盤１１ｂから、図１８（ｂ）に
示すように、鍍金によってマスターとなるスタンパ１１
ｅを製作し、このスタンパ１１ｅから、同図（ｃ）に示
すように、基板１１ｆを成型している。そして、この基
板１１ｆのピット形成面を、図１８（ｄ）に示すよう
に、Ａｕの半透明膜１１ａで覆うことにより、０層基板
１１が製造される。
示すように、鍍金によってマスターとなるスタンパ１１
ｅを製作し、このスタンパ１１ｅから、同図（ｃ）に示
すように、基板１１ｆを成型している。そして、この基
板１１ｆのピット形成面を、図１８（ｄ）に示すよう
に、Ａｕの半透明膜１１ａで覆うことにより、０層基板
１１が製造される。
【００１５】図１９（ａ）乃至（ｄ）は、前記１層基板
１２の製造工程を示している。すなわち、図１９（ａ）
は、露光原盤１２ｂを示している。この露光原盤１２ｂ
は、ガラス基板１２ｃの表面にレジスト１２ｄを塗布
し、０層基板１１のときと同一の露光条件により光を照
射して必要な箇所のレジスト１２ｄのみを残すようにし
たもので、レジスト１２ｄの厚みによって、製造された
１層基板１２のピットの深さが決定される。
１２の製造工程を示している。すなわち、図１９（ａ）
は、露光原盤１２ｂを示している。この露光原盤１２ｂ
は、ガラス基板１２ｃの表面にレジスト１２ｄを塗布
し、０層基板１１のときと同一の露光条件により光を照
射して必要な箇所のレジスト１２ｄのみを残すようにし
たもので、レジスト１２ｄの厚みによって、製造された
１層基板１２のピットの深さが決定される。
【００１６】この露光原盤１２ｂから、図１９（ｂ）に
示すように、鍍金によってマスターとなるスタンパ１２
ｅを製作し、このスタンパ１２ｅから、同図（ｃ）に示
すように、基板１２ｆを成型している。そして、この基
板１２ｆのピット形成面を、図１９（ｄ）に示すよう
に、Ａｌの全反射膜１２ａで覆うことにより、１層基板
１２が製造される。
示すように、鍍金によってマスターとなるスタンパ１２
ｅを製作し、このスタンパ１２ｅから、同図（ｃ）に示
すように、基板１２ｆを成型している。そして、この基
板１２ｆのピット形成面を、図１９（ｄ）に示すよう
に、Ａｌの全反射膜１２ａで覆うことにより、１層基板
１２が製造される。
【００１７】その後、図２０に示すように、０層基板１
１と１層基板１２とを、再生面距離が約５５μｍとなる
ように、透明接着剤１３で貼り合わせることにより、２
層構造の光ディスク１４が製造される。そして、この光
ディスク１４は、前述したように、０層基板１１側から
対物レンズ１５を介してレーザ光を集光させることによ
り、０層基板１１及び１層基板１２に記録されている情
報が選択的に読み取られるようになっている。
１と１層基板１２とを、再生面距離が約５５μｍとなる
ように、透明接着剤１３で貼り合わせることにより、２
層構造の光ディスク１４が製造される。そして、この光
ディスク１４は、前述したように、０層基板１１側から
対物レンズ１５を介してレーザ光を集光させることによ
り、０層基板１１及び１層基板１２に記録されている情
報が選択的に読み取られるようになっている。
【００１８】ところで、上記した０層基板１１及び１層
基板１２は、いずれも同一の露光条件で作成された露光
原盤１１ｂ，１２ｂに基づいて製造されている。このた
め、図２１（ａ）に示すように、透明接着剤１３で貼り
合わせる前の０層基板１１を単板で再生した場合と、同
図（ｂ）に示すように、透明接着剤１３で貼り合わせる
前の１層基板１２を単板で再生した場合とでは、同一の
再生信号振幅特性を得ることができる。
基板１２は、いずれも同一の露光条件で作成された露光
原盤１１ｂ，１２ｂに基づいて製造されている。このた
め、図２１（ａ）に示すように、透明接着剤１３で貼り
合わせる前の０層基板１１を単板で再生した場合と、同
図（ｂ）に示すように、透明接着剤１３で貼り合わせる
前の１層基板１２を単板で再生した場合とでは、同一の
再生信号振幅特性を得ることができる。
【００１９】すなわち、図２１（ａ）に示すように、０
層基板１１のピット形成面（この場合は、半透明膜１１
ａに代えてＡｌの全反射膜１１ｇで覆っている）に、対
物レンズ１５でレーザ光を集光させた場合の、最長ラン
ド部，最長ピット部，最短ランド部及び最短ピット部の
各反射光レベルＩ１４Ｈ，Ｉ１４Ｌ，Ｉ３Ｈ及びＩ３Ｌ
と、同図（ｂ）に示すように、１層基板１２の全反射膜
１２ａで覆われたピット形成面に、対物レンズ１５でレ
ーザ光を集光させた場合の、最長ランド部，最長ピット
部，最短ランド部及び最短ピット部の各反射光レベルＩ
１４Ｈ，Ｉ１４Ｌ，Ｉ３Ｈ及びＩ３Ｌとは、それぞれが
互いに等しくなっている。
層基板１１のピット形成面（この場合は、半透明膜１１
ａに代えてＡｌの全反射膜１１ｇで覆っている）に、対
物レンズ１５でレーザ光を集光させた場合の、最長ラン
ド部，最長ピット部，最短ランド部及び最短ピット部の
各反射光レベルＩ１４Ｈ，Ｉ１４Ｌ，Ｉ３Ｈ及びＩ３Ｌ
と、同図（ｂ）に示すように、１層基板１２の全反射膜
１２ａで覆われたピット形成面に、対物レンズ１５でレ
ーザ光を集光させた場合の、最長ランド部，最長ピット
部，最短ランド部及び最短ピット部の各反射光レベルＩ
１４Ｈ，Ｉ１４Ｌ，Ｉ３Ｈ及びＩ３Ｌとは、それぞれが
互いに等しくなっている。
【００２０】しかしながら、図２２に示すように、ピッ
ト形成面に半透明膜１１ａが付された０層基板１１と、
ピット形成面に全反射膜１２ａが付された１層基板１２
とを透明接着剤１３で貼り合わせた２層構造の光ディス
ク１４を、０層基板１１側から対物レンズ１５を介して
レーザ光を集光させて、０層基板１１及び１層基板１２
に記録されている情報を選択的に読み取るようにした場
合、図２３（ａ）に示すように、０層基板１１の最短ラ
ンド部及び最短ピット部の各反射光レベルＩ３Ｈ及びＩ
３Ｌと、同図（ｂ）に示すように、１層基板１２の最短
ランド部及び最短ピット部の各反射光レベルＩ３Ｈ及び
Ｉ３Ｌとに、差Δが生じてしまうという問題が発生して
いる。
ト形成面に半透明膜１１ａが付された０層基板１１と、
ピット形成面に全反射膜１２ａが付された１層基板１２
とを透明接着剤１３で貼り合わせた２層構造の光ディス
ク１４を、０層基板１１側から対物レンズ１５を介して
レーザ光を集光させて、０層基板１１及び１層基板１２
に記録されている情報を選択的に読み取るようにした場
合、図２３（ａ）に示すように、０層基板１１の最短ラ
ンド部及び最短ピット部の各反射光レベルＩ３Ｈ及びＩ
３Ｌと、同図（ｂ）に示すように、１層基板１２の最短
ランド部及び最短ピット部の各反射光レベルＩ３Ｈ及び
Ｉ３Ｌとに、差Δが生じてしまうという問題が発生して
いる。
【００２１】そして、この０層基板１１の反射光レベル
Ｉ３Ｈ及びＩ３Ｌと、１層基板１２の反射光レベルＩ３
Ｈ及びＩ３Ｌとに差Δが生じることにより、０層基板１
１の反射光レベルの振幅特性は、１層基板１２の反射光
レベルの振幅特性に比して、変調度Ｍ及び分解能Ｄが小
さくなるとともに、アシンメトリＡが負側にシフトして
しまうという問題が生じている。
Ｉ３Ｈ及びＩ３Ｌと、１層基板１２の反射光レベルＩ３
Ｈ及びＩ３Ｌとに差Δが生じることにより、０層基板１
１の反射光レベルの振幅特性は、１層基板１２の反射光
レベルの振幅特性に比して、変調度Ｍ及び分解能Ｄが小
さくなるとともに、アシンメトリＡが負側にシフトして
しまうという問題が生じている。
【００２２】また、０層基板１１の反射光レベルＩ３Ｈ
及びＩ３Ｌと、１層基板１２の反射光レベルＩ３Ｈ及び
Ｉ３Ｌとに差Δが生じることにより、光ディスク再生装
置側では、前記イコライザ回路１９の周波数特性を、図
２４に符号ａ，ｂで示される特性に切り替える必要が生
じる。この場合、図２４に符号ａで示す特性が、０層基
板１１の再生に対応する等化特性であり、同図に符号ｂ
で示す特性が、１層基板１２の再生に対応する等化特性
である。
及びＩ３Ｌと、１層基板１２の反射光レベルＩ３Ｈ及び
Ｉ３Ｌとに差Δが生じることにより、光ディスク再生装
置側では、前記イコライザ回路１９の周波数特性を、図
２４に符号ａ，ｂで示される特性に切り替える必要が生
じる。この場合、図２４に符号ａで示す特性が、０層基
板１１の再生に対応する等化特性であり、同図に符号ｂ
で示す特性が、１層基板１２の再生に対応する等化特性
である。
【００２３】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
多層構造の光ディスクでは、各層を構成する基板からの
反射光レベルに差が生じるため、各基板から得られる再
生信号の特性が等しくならないという問題を有してい
る。また、このために、光ディスクの再生装置側では、
再生信号の周波数特性を補償するためのイコライザ回路
の特性を、選択的に切り替える必要が生じるという不都
合も有している。
多層構造の光ディスクでは、各層を構成する基板からの
反射光レベルに差が生じるため、各基板から得られる再
生信号の特性が等しくならないという問題を有してい
る。また、このために、光ディスクの再生装置側では、
再生信号の周波数特性を補償するためのイコライザ回路
の特性を、選択的に切り替える必要が生じるという不都
合も有している。
【００２４】そこで、この発明は上記事情を考慮してな
されたもので、各層を構成する基板から略同一の再生信
号特性を得ることができるようにした極めて良好な光デ
ィスク及びその再生装置を提供することを目的とする。
されたもので、各層を構成する基板から略同一の再生信
号特性を得ることができるようにした極めて良好な光デ
ィスク及びその再生装置を提供することを目的とする。
【００２５】
【課題を解決するための手段】この発明に係る光ディス
クは、それぞれに情報が記録された複数の基板を積層し
てなるもので、その一方の面側から複数の基板の各情報
記録面に対してそれぞれ選択的に光を集光させると、光
の集光された基板からの反射光が一方の面側から得られ
る多層構造のものを対象としている。そして、光の集光
されたいずれの基板からの反射光も、光ディスクの一方
の面側から得られた状態で、そのレベルが互いに略等し
くなるように構成している。
クは、それぞれに情報が記録された複数の基板を積層し
てなるもので、その一方の面側から複数の基板の各情報
記録面に対してそれぞれ選択的に光を集光させると、光
の集光された基板からの反射光が一方の面側から得られ
る多層構造のものを対象としている。そして、光の集光
されたいずれの基板からの反射光も、光ディスクの一方
の面側から得られた状態で、そのレベルが互いに略等し
くなるように構成している。
【００２６】また、この発明に係る光ディスク再生装置
は、上記した光ディスクを回転させる駆動手段と、光デ
ィスクの一方の面側から複数の基板の各情報記録面に対
してそれぞれ選択的に光を集光させるとともに、光の集
光された基板によって反射され光ディスクの一方の面側
から得られる反射光を受光して再生信号に変換する光学
式ピックアップとを備えている。
は、上記した光ディスクを回転させる駆動手段と、光デ
ィスクの一方の面側から複数の基板の各情報記録面に対
してそれぞれ選択的に光を集光させるとともに、光の集
光された基板によって反射され光ディスクの一方の面側
から得られる反射光を受光して再生信号に変換する光学
式ピックアップとを備えている。
【００２７】上記のような構成によれば、光の集光され
たいずれの基板からの反射光も、光ディスクの一方の面
側から得られた状態で、そのレベルが互いに略等しくな
るようにしているので、各層を構成する基板から略同一
の再生信号特性を得ることができるようになる。
たいずれの基板からの反射光も、光ディスクの一方の面
側から得られた状態で、そのレベルが互いに略等しくな
るようにしているので、各層を構成する基板から略同一
の再生信号特性を得ることができるようになる。
【００２８】
【発明の実施の形態】以下、この発明の第１の実施の形
態について図面を参照して詳細に説明する。図１
（ａ），（ｂ）において、図２１（ａ），（ｂ）と同一
部分には同一符号を付して示している。すなわち、図１
（ａ）に示す０層基板１１のピットの深さＰ０を、同図
（ｂ）に示す１層基板１２のピットの深さＰ１よりも、
深くするようにしている。この０層基板１１のピットの
深さＰ０を通常よりも深く形成することは、図１８に示
した製造工程において、レジスト１１ｃの厚みを厚くす
ることによって実現される。
態について図面を参照して詳細に説明する。図１
（ａ），（ｂ）において、図２１（ａ），（ｂ）と同一
部分には同一符号を付して示している。すなわち、図１
（ａ）に示す０層基板１１のピットの深さＰ０を、同図
（ｂ）に示す１層基板１２のピットの深さＰ１よりも、
深くするようにしている。この０層基板１１のピットの
深さＰ０を通常よりも深く形成することは、図１８に示
した製造工程において、レジスト１１ｃの厚みを厚くす
ることによって実現される。
【００２９】このようにすれば、図１（ａ）に示すよう
に、貼り合わせる前の単板の０層基板１１のピット形成
面（この場合は、半透明膜１１ａに代えてＡｌの全反射
膜１１ｇで覆っている）に、対物レンズ１５でレーザ光
を集光させた場合の、最長ランド部及び最短ランド部の
各反射光レベルＩ１４Ｈ及びＩ３Ｈは、同図（ｂ）に示
すように、単板の１層基板１２の全反射膜１２ａで覆わ
れたピット形成面に、対物レンズ１５でレーザ光を集光
させた場合の、最長ランド部及び最短ランド部の各反射
光レベルＩ１４Ｈ及びＩ３Ｈと同じで、０層基板１１の
最長ピット部及び最短ピット部の各反射光レベルＩ１４
Ｌ及びＩ３Ｌが、１層基板１２の最長ピット部及び最短
ピット部の各反射光レベルＩ１４Ｌ及びＩ３Ｌよりも、
差Δだけ低くなっている。つまり、０層基板１１の反射
光レベルの振幅特性は、１層基板１２の反射光レベルの
振幅特性に比して、変調度Ｍが大きくなっている。
に、貼り合わせる前の単板の０層基板１１のピット形成
面（この場合は、半透明膜１１ａに代えてＡｌの全反射
膜１１ｇで覆っている）に、対物レンズ１５でレーザ光
を集光させた場合の、最長ランド部及び最短ランド部の
各反射光レベルＩ１４Ｈ及びＩ３Ｈは、同図（ｂ）に示
すように、単板の１層基板１２の全反射膜１２ａで覆わ
れたピット形成面に、対物レンズ１５でレーザ光を集光
させた場合の、最長ランド部及び最短ランド部の各反射
光レベルＩ１４Ｈ及びＩ３Ｈと同じで、０層基板１１の
最長ピット部及び最短ピット部の各反射光レベルＩ１４
Ｌ及びＩ３Ｌが、１層基板１２の最長ピット部及び最短
ピット部の各反射光レベルＩ１４Ｌ及びＩ３Ｌよりも、
差Δだけ低くなっている。つまり、０層基板１１の反射
光レベルの振幅特性は、１層基板１２の反射光レベルの
振幅特性に比して、変調度Ｍが大きくなっている。
【００３０】このため、図２に示すように、ピット形成
面に半透明膜１１ａが付された０層基板１１と、ピット
形成面に全反射膜１２ａが付された１層基板１２とを透
明接着剤１３で貼り合わせた２層構造の光ディスク１４
を、０層基板１１側から対物レンズ１５を介してレーザ
光を集光させて、０層基板１１及び１層基板１２に記録
されている情報を選択的に読み取るようにした場合に
は、図３（ａ）に示すように、０層基板１１の最長ラン
ド部，最長ピット部，最短ランド部及び最短ピット部の
各反射光レベルＩ１４Ｈ，Ｉ１４Ｌ，Ｉ３Ｈ及びＩ３Ｌ
と、同図（ｂ）に示すように、１層基板１２の最長ラン
ド部，最長ピット部，最短ランド部及び最短ピット部の
各反射光レベルＩ１４Ｈ，Ｉ１４Ｌ，Ｉ３Ｈ及びＩ３Ｌ
とが、それぞれ互いに等しくなり、０層基板１１と１層
基板１２との再生信号特性を等しくすることができる。
面に半透明膜１１ａが付された０層基板１１と、ピット
形成面に全反射膜１２ａが付された１層基板１２とを透
明接着剤１３で貼り合わせた２層構造の光ディスク１４
を、０層基板１１側から対物レンズ１５を介してレーザ
光を集光させて、０層基板１１及び１層基板１２に記録
されている情報を選択的に読み取るようにした場合に
は、図３（ａ）に示すように、０層基板１１の最長ラン
ド部，最長ピット部，最短ランド部及び最短ピット部の
各反射光レベルＩ１４Ｈ，Ｉ１４Ｌ，Ｉ３Ｈ及びＩ３Ｌ
と、同図（ｂ）に示すように、１層基板１２の最長ラン
ド部，最長ピット部，最短ランド部及び最短ピット部の
各反射光レベルＩ１４Ｈ，Ｉ１４Ｌ，Ｉ３Ｈ及びＩ３Ｌ
とが、それぞれ互いに等しくなり、０層基板１１と１層
基板１２との再生信号特性を等しくすることができる。
【００３１】次に、この発明の第２の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。図４（ａ）は１層基
板１２に形成されたピット列を示し、同図（ｂ）は０層
基板１１に形成されたピット列を示している。このピッ
ト列では、長さが３Ｔの最短ピット部と、長さが１４Ｔ
の最長ピット部とを示している。そして、図４（ａ）に
示す１層基板１２に形成されたピットの幅Ｗ１に比し
て、同図（ｂ）に示す０層基板１１に形成されたピット
の幅Ｗ０を大きく設定している。この０層基板１１のピ
ットの幅Ｗ０を通常よりも広く形成することは、図１８
に示した製造工程において、レジスト１１ｃに対する露
光パワーを大きくすることによって実現される。
て図面を参照して詳細に説明する。図４（ａ）は１層基
板１２に形成されたピット列を示し、同図（ｂ）は０層
基板１１に形成されたピット列を示している。このピッ
ト列では、長さが３Ｔの最短ピット部と、長さが１４Ｔ
の最長ピット部とを示している。そして、図４（ａ）に
示す１層基板１２に形成されたピットの幅Ｗ１に比し
て、同図（ｂ）に示す０層基板１１に形成されたピット
の幅Ｗ０を大きく設定している。この０層基板１１のピ
ットの幅Ｗ０を通常よりも広く形成することは、図１８
に示した製造工程において、レジスト１１ｃに対する露
光パワーを大きくすることによって実現される。
【００３２】このような構成によれば、図５（ａ）に示
すように、貼り合わせる前の単板の０層基板１１のピッ
ト形成面（この場合は、半透明膜１１ａに代えてＡｌの
全反射膜１１ｇで覆っている）に、対物レンズ１５でレ
ーザ光を集光させた場合の、最長ランド部及び最長ピッ
ト部の各反射光レベルＩ１４Ｈ及びＩ１４Ｌは、同図
（ｂ）に示すように、単板の１層基板１２の全反射膜１
２ａで覆われたピット形成面に、対物レンズ１５でレー
ザ光を集光させた場合の、最長ランド部及び最長ピット
部の各反射光レベルＩ１４Ｈ及びＩ１４Ｌと同じで、０
層基板１１の最短ランド部及び最短ピット部の各反射光
レベルＩ３Ｈ及びＩ３Ｌが、１層基板１２の最短ランド
部及び最短ピット部の各反射光レベルＩ３Ｈ及びＩ３Ｌ
よりも、差Δだけ低くなっている。この場合、０層基板
１１の反射光レベルの振幅特性は、１層基板１２の反射
光レベルの振幅特性に比して、アシンメトリＡが正側に
シフトするように、つまり深くなる。
すように、貼り合わせる前の単板の０層基板１１のピッ
ト形成面（この場合は、半透明膜１１ａに代えてＡｌの
全反射膜１１ｇで覆っている）に、対物レンズ１５でレ
ーザ光を集光させた場合の、最長ランド部及び最長ピッ
ト部の各反射光レベルＩ１４Ｈ及びＩ１４Ｌは、同図
（ｂ）に示すように、単板の１層基板１２の全反射膜１
２ａで覆われたピット形成面に、対物レンズ１５でレー
ザ光を集光させた場合の、最長ランド部及び最長ピット
部の各反射光レベルＩ１４Ｈ及びＩ１４Ｌと同じで、０
層基板１１の最短ランド部及び最短ピット部の各反射光
レベルＩ３Ｈ及びＩ３Ｌが、１層基板１２の最短ランド
部及び最短ピット部の各反射光レベルＩ３Ｈ及びＩ３Ｌ
よりも、差Δだけ低くなっている。この場合、０層基板
１１の反射光レベルの振幅特性は、１層基板１２の反射
光レベルの振幅特性に比して、アシンメトリＡが正側に
シフトするように、つまり深くなる。
【００３３】このため、図６に示すように、ピット形成
面に半透明膜１１ａが付された０層基板１１と、ピット
形成面に全反射膜１２ａが付された１層基板１２とを透
明接着剤１３で貼り合わせた２層構造の光ディスク１４
を、０層基板１１側から対物レンズ１５を介してレーザ
光を集光させて、０層基板１１及び１層基板１２に記録
されている情報を選択的に読み取るようにした場合に
は、図７（ａ）に示すように、０層基板１１の最長ラン
ド部，最長ピット部，最短ランド部及び最短ピット部の
各反射光レベルＩ１４Ｈ，Ｉ１４Ｌ，Ｉ３Ｈ及びＩ３Ｌ
と、同図（ｂ）に示すように、１層基板１２の最長ラン
ド部，最長ピット部，最短ランド部及び最短ピット部の
各反射光レベルＩ１４Ｈ，Ｉ１４Ｌ，Ｉ３Ｈ及びＩ３Ｌ
とが、それぞれ互いに等しくなり、０層基板１１と１層
基板１２との再生信号特性を等しくすることができる。
面に半透明膜１１ａが付された０層基板１１と、ピット
形成面に全反射膜１２ａが付された１層基板１２とを透
明接着剤１３で貼り合わせた２層構造の光ディスク１４
を、０層基板１１側から対物レンズ１５を介してレーザ
光を集光させて、０層基板１１及び１層基板１２に記録
されている情報を選択的に読み取るようにした場合に
は、図７（ａ）に示すように、０層基板１１の最長ラン
ド部，最長ピット部，最短ランド部及び最短ピット部の
各反射光レベルＩ１４Ｈ，Ｉ１４Ｌ，Ｉ３Ｈ及びＩ３Ｌ
と、同図（ｂ）に示すように、１層基板１２の最長ラン
ド部，最長ピット部，最短ランド部及び最短ピット部の
各反射光レベルＩ１４Ｈ，Ｉ１４Ｌ，Ｉ３Ｈ及びＩ３Ｌ
とが、それぞれ互いに等しくなり、０層基板１１と１層
基板１２との再生信号特性を等しくすることができる。
【００３４】上記のように、０層基板１１のピットの大
きさを、１層基板１２のピットよりも大きくすることに
より、アシンメトリＡの劣化を補正することができる。
０層基板１１のピットの大きさを、１層基板１２のピッ
トよりも大きくする手段としては、ピットの幅を変える
他に、図８及び図９に示すような手法がある。まず、図
８（ａ）は１層基板１２に形成されたピット列を示し、
同図（ｂ）は０層基板１１に形成されたピット列を示し
いる。このピット列では、長さが３Ｔの最短ピット部
と、長さが１４Ｔの最長ピット部とを示している。
きさを、１層基板１２のピットよりも大きくすることに
より、アシンメトリＡの劣化を補正することができる。
０層基板１１のピットの大きさを、１層基板１２のピッ
トよりも大きくする手段としては、ピットの幅を変える
他に、図８及び図９に示すような手法がある。まず、図
８（ａ）は１層基板１２に形成されたピット列を示し、
同図（ｂ）は０層基板１１に形成されたピット列を示し
いる。このピット列では、長さが３Ｔの最短ピット部
と、長さが１４Ｔの最長ピット部とを示している。
【００３５】そして、図８（ａ）に示す１層基板１２に
形成されたピットの長さＬ１に比して、同図（ｂ）に示
す０層基板１１に形成されたピットの長さＬ０を長く設
定している。この場合、０層基板１１と１層基板１２と
の記録密度は同じである。この０層基板１１のピットの
長さＬ０を通常よりも長く形成することも、図１８に示
した製造工程において、レジスト１１ｃに対する露光パ
ワーを大きくすることによって実現される。
形成されたピットの長さＬ１に比して、同図（ｂ）に示
す０層基板１１に形成されたピットの長さＬ０を長く設
定している。この場合、０層基板１１と１層基板１２と
の記録密度は同じである。この０層基板１１のピットの
長さＬ０を通常よりも長く形成することも、図１８に示
した製造工程において、レジスト１１ｃに対する露光パ
ワーを大きくすることによって実現される。
【００３６】また、図９（ａ）は１層基板１２に形成さ
れたピット列を示し、同図（ｂ）は０層基板１１に形成
されたピット列を示しいる。このピット列では、長さが
３Ｔの最短ピット部と、長さが１４Ｔの最長ピット部と
を示している。そして、図９（ａ）に示す１層基板１２
に形成されたピットの幅Ｗ１及び長さＬ１に比して、同
図（ｂ）に示す０層基板１１に形成されたピットの幅Ｗ
０及び長さＬ０を大きく設定している。この場合も、０
層基板１１と１層基板１２との記録密度は同じである。
そして、この０層基板１１のピットの幅Ｗ０及び長さＬ
０を通常よりも大きく形成することも、図１８に示した
製造工程において、レジスト１１ｃに対する露光パワー
を大きくすることによって実現される。
れたピット列を示し、同図（ｂ）は０層基板１１に形成
されたピット列を示しいる。このピット列では、長さが
３Ｔの最短ピット部と、長さが１４Ｔの最長ピット部と
を示している。そして、図９（ａ）に示す１層基板１２
に形成されたピットの幅Ｗ１及び長さＬ１に比して、同
図（ｂ）に示す０層基板１１に形成されたピットの幅Ｗ
０及び長さＬ０を大きく設定している。この場合も、０
層基板１１と１層基板１２との記録密度は同じである。
そして、この０層基板１１のピットの幅Ｗ０及び長さＬ
０を通常よりも大きく形成することも、図１８に示した
製造工程において、レジスト１１ｃに対する露光パワー
を大きくすることによって実現される。
【００３７】次に、この発明の第３の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。図１０（ａ）は１層
基板１２に形成されたピット列を示し、同図（ｂ）は０
層基板１１に形成されたピット列を示している。このピ
ット列では、長さが３Ｔの最短ピット部と、長さが１４
Ｔの最長ピット部とを示している。この場合、図１０
（ａ）に示す１層基板１２に形成されたピットの線密度
に比して、同図（ｂ）に示す０層基板１１に形成された
ピットの線密度を低く設定している。この０層基板１１
のピットの線密度を通常よりも低く形成することは、図
１８に示した製造工程において、露光原盤１１ｂの露光
時において、記録情報の１ビットに対応する長さＴを通
常よりも長くとるようにしてピット部を形成することに
よって実現される。
て図面を参照して詳細に説明する。図１０（ａ）は１層
基板１２に形成されたピット列を示し、同図（ｂ）は０
層基板１１に形成されたピット列を示している。このピ
ット列では、長さが３Ｔの最短ピット部と、長さが１４
Ｔの最長ピット部とを示している。この場合、図１０
（ａ）に示す１層基板１２に形成されたピットの線密度
に比して、同図（ｂ）に示す０層基板１１に形成された
ピットの線密度を低く設定している。この０層基板１１
のピットの線密度を通常よりも低く形成することは、図
１８に示した製造工程において、露光原盤１１ｂの露光
時において、記録情報の１ビットに対応する長さＴを通
常よりも長くとるようにしてピット部を形成することに
よって実現される。
【００３８】このようにすれば、図１１（ａ）に示すよ
うに、貼り合わせる前の単板の０層基板１１のピット形
成面（この場合は、半透明膜１１ａに代えてＡｌの全反
射膜１１ｇで覆っている）に、対物レンズ１５でレーザ
光を集光させた場合の、最長ランド部，最長ピット部及
び最短ランド部の各反射光レベルＩ１４Ｈ，Ｉ１４Ｌ及
びＩ３Ｈは、同図（ｂ）に示すように、単板の１層基板
１２の全反射膜１２ａで覆われたピット形成面に、対物
レンズ１５でレーザ光を集光させた場合の、最長ランド
部，最長ピット部及び最短ランド部の各反射光レベルＩ
１４Ｈ，Ｉ１４Ｌ及びＩ３Ｈと同じで、０層基板１１の
最短ピット部の反射光レベルＩ３Ｌが、１層基板１２の
最短ピット部の反射光レベルＩ３Ｌよりも、差Δだけ低
くなっている。この場合、０層基板１１の反射光レベル
の振幅特性は、１層基板１２の反射光レベルの振幅特性
に比して、分解能Ｄが大きくなっている。
うに、貼り合わせる前の単板の０層基板１１のピット形
成面（この場合は、半透明膜１１ａに代えてＡｌの全反
射膜１１ｇで覆っている）に、対物レンズ１５でレーザ
光を集光させた場合の、最長ランド部，最長ピット部及
び最短ランド部の各反射光レベルＩ１４Ｈ，Ｉ１４Ｌ及
びＩ３Ｈは、同図（ｂ）に示すように、単板の１層基板
１２の全反射膜１２ａで覆われたピット形成面に、対物
レンズ１５でレーザ光を集光させた場合の、最長ランド
部，最長ピット部及び最短ランド部の各反射光レベルＩ
１４Ｈ，Ｉ１４Ｌ及びＩ３Ｈと同じで、０層基板１１の
最短ピット部の反射光レベルＩ３Ｌが、１層基板１２の
最短ピット部の反射光レベルＩ３Ｌよりも、差Δだけ低
くなっている。この場合、０層基板１１の反射光レベル
の振幅特性は、１層基板１２の反射光レベルの振幅特性
に比して、分解能Ｄが大きくなっている。
【００３９】このため、図１２に示すように、ピット形
成面に半透明膜１１ａが付された０層基板１１と、ピッ
ト形成面に全反射膜１２ａが付された１層基板１２と
を、透明接着剤１３で貼り合わせた２層構造の光ディス
ク１４を、０層基板１１側から対物レンズ１５を介して
レーザ光を集光させて、０層基板１１及び１層基板１２
に記録されている情報を選択的に読み取るようにした場
合、図１３（ａ）に示すように、０層基板１１の最長ラ
ンド部，最長ピット部，最短ランド部及び最短ピット部
の各反射光レベルＩ１４Ｈ，Ｉ１４Ｌ，Ｉ３Ｈ及びＩ３
Ｌと、同図（ｂ）に示すように、１層基板１２の最長ラ
ンド部，最長ピット部，最短ランド部及び最短ピット部
の各反射光レベルＩ１４Ｈ，Ｉ１４Ｌ，Ｉ３Ｈ及びＩ３
Ｌとが、それぞれ互いに等しくなり、０層基板１１と１
層基板１２との再生信号特性を等しくすることができ
る。
成面に半透明膜１１ａが付された０層基板１１と、ピッ
ト形成面に全反射膜１２ａが付された１層基板１２と
を、透明接着剤１３で貼り合わせた２層構造の光ディス
ク１４を、０層基板１１側から対物レンズ１５を介して
レーザ光を集光させて、０層基板１１及び１層基板１２
に記録されている情報を選択的に読み取るようにした場
合、図１３（ａ）に示すように、０層基板１１の最長ラ
ンド部，最長ピット部，最短ランド部及び最短ピット部
の各反射光レベルＩ１４Ｈ，Ｉ１４Ｌ，Ｉ３Ｈ及びＩ３
Ｌと、同図（ｂ）に示すように、１層基板１２の最長ラ
ンド部，最長ピット部，最短ランド部及び最短ピット部
の各反射光レベルＩ１４Ｈ，Ｉ１４Ｌ，Ｉ３Ｈ及びＩ３
Ｌとが、それぞれ互いに等しくなり、０層基板１１と１
層基板１２との再生信号特性を等しくすることができ
る。
【００４０】次に、この発明の第４の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。図１４（ａ）は１層
基板１２に形成されたピット列を示し、同図（ｂ）は０
層基板１１に形成されたピット列を示している。このピ
ット列では、長さが３Ｔの最短ピット部と、長さが１４
Ｔの最長ピット部とを示している。この場合、図１４
（ａ）に示す１層基板１２に形成されたピットの線密度
に比して、同図（ｂ）に示す０層基板１１に形成された
ピットの線密度を低く設定するとともに、図１４（ａ）
に示す１層基板１２に形成されたピットの幅Ｗ１に比し
て、同図（ｂ）に示す０層基板１１に形成されたピット
の幅Ｗ０を大きく設定している。
て図面を参照して詳細に説明する。図１４（ａ）は１層
基板１２に形成されたピット列を示し、同図（ｂ）は０
層基板１１に形成されたピット列を示している。このピ
ット列では、長さが３Ｔの最短ピット部と、長さが１４
Ｔの最長ピット部とを示している。この場合、図１４
（ａ）に示す１層基板１２に形成されたピットの線密度
に比して、同図（ｂ）に示す０層基板１１に形成された
ピットの線密度を低く設定するとともに、図１４（ａ）
に示す１層基板１２に形成されたピットの幅Ｗ１に比し
て、同図（ｂ）に示す０層基板１１に形成されたピット
の幅Ｗ０を大きく設定している。
【００４１】このように、０層基板１１に形成されたピ
ットの線密度を通常よりも低く設定するとともに、０層
基板１１に形成されたピットの幅Ｗ０を通常よりも大き
く設定することにより、分解能Ｄの劣化とアシンメトリ
Ａの劣化とを両方補正することができるようになる。
ットの線密度を通常よりも低く設定するとともに、０層
基板１１に形成されたピットの幅Ｗ０を通常よりも大き
く設定することにより、分解能Ｄの劣化とアシンメトリ
Ａの劣化とを両方補正することができるようになる。
【００４２】すなわち、上記した第１乃至第３の実施の
形態では、０層基板１１のピットの深さを深くすること
により、その反射光レベルの振幅特性の変調度Ｍの劣化
を補正する場合と、０層基板１１のピットの大きさを大
きくすることにより、その反射光レベルの振幅特性のア
シンメトリＡの劣化を補正する場合と、０層基板１１の
ピットの線密度を低くすることにより、その反射光レベ
ルの振幅特性の分解能Ｄの劣化を補正する場合とについ
てそれぞれ説明したが、ピットの深さと、ピットの大き
さと、ピットの線密度との３種類の要素を、任意選択的
に組み合わせて併用させることによって、０層基板１１
と１層基板１２との再生信号特性を等しくするようにし
ても良いことはもちろんである。
形態では、０層基板１１のピットの深さを深くすること
により、その反射光レベルの振幅特性の変調度Ｍの劣化
を補正する場合と、０層基板１１のピットの大きさを大
きくすることにより、その反射光レベルの振幅特性のア
シンメトリＡの劣化を補正する場合と、０層基板１１の
ピットの線密度を低くすることにより、その反射光レベ
ルの振幅特性の分解能Ｄの劣化を補正する場合とについ
てそれぞれ説明したが、ピットの深さと、ピットの大き
さと、ピットの線密度との３種類の要素を、任意選択的
に組み合わせて併用させることによって、０層基板１１
と１層基板１２との再生信号特性を等しくするようにし
ても良いことはもちろんである。
【００４３】図１５は、上記した光ディスク１４に対し
て画像データや音声データの記録再生を行なうための光
ディスクドライブ装置の一例を示している。すなわち、
光ディスク１４は、前記ディスクモータ１６によって回
転駆動されるようになっている。この光ディスク１４の
信号記録面に対向して、光ヘッド装置２４が配置されて
いる。
て画像データや音声データの記録再生を行なうための光
ディスクドライブ装置の一例を示している。すなわち、
光ディスク１４は、前記ディスクモータ１６によって回
転駆動されるようになっている。この光ディスク１４の
信号記録面に対向して、光ヘッド装置２４が配置されて
いる。
【００４４】この光ヘッド装置２４は、光ディスク１４
の信号記録面に対してレーザ光を照射することにより、
光ディスク１４へのデータの書き込み及び光ディスク１
４からのデータの読み取りを選択的に行なうもので、光
ディスク１４の径方向に移動可能となるように支持され
ている。
の信号記録面に対してレーザ光を照射することにより、
光ディスク１４へのデータの書き込み及び光ディスク１
４からのデータの読み取りを選択的に行なうもので、光
ディスク１４の径方向に移動可能となるように支持され
ている。
【００４５】ここで、まず、再生動作について説明す
る。上記光ヘッド装置２４によって光ディスク１４から
読み取られたデータは、変復調・エラー訂正処理部２５
に供給される。この変復調・エラー訂正処理部２５は、
トラックバッファメモリ２６を用いて、光ヘッド装置２
４から入力されたデータに復調処理及びエラー訂正処理
を施している。
る。上記光ヘッド装置２４によって光ディスク１４から
読み取られたデータは、変復調・エラー訂正処理部２５
に供給される。この変復調・エラー訂正処理部２５は、
トラックバッファメモリ２６を用いて、光ヘッド装置２
４から入力されたデータに復調処理及びエラー訂正処理
を施している。
【００４６】そして、この変復調・エラー訂正処理部２
５から出力されるデータのうち画像データは、ＭＰＥＧ
（Moving Picture Image Coding Experts Group ）エン
コーダデコーダ２７に供給される。このＭＰＥＧエンコ
ーダデコーダ２７は、フレームメモリ２８を用いて、変
復調・エラー訂正処理部２５から供給される画像データ
にＭＰＥＧデコード処理を施している。
５から出力されるデータのうち画像データは、ＭＰＥＧ
（Moving Picture Image Coding Experts Group ）エン
コーダデコーダ２７に供給される。このＭＰＥＧエンコ
ーダデコーダ２７は、フレームメモリ２８を用いて、変
復調・エラー訂正処理部２５から供給される画像データ
にＭＰＥＧデコード処理を施している。
【００４７】その後、このＭＰＥＧエンコーダデコーダ
２７から得られる画像データは、ビデオエンコーダデコ
ーダ２９に供給されてビデオデコード処理が施され、出
力端子３０から取り出される。また、上記変復調・エラ
ー訂正処理部２５から出力されるデータのうち音声デー
タは、オーディオエンコーダデコーダ３１に供給されて
オーディオデコード処理が施され、出力端子３２から取
り出される。
２７から得られる画像データは、ビデオエンコーダデコ
ーダ２９に供給されてビデオデコード処理が施され、出
力端子３０から取り出される。また、上記変復調・エラ
ー訂正処理部２５から出力されるデータのうち音声デー
タは、オーディオエンコーダデコーダ３１に供給されて
オーディオデコード処理が施され、出力端子３２から取
り出される。
【００４８】次に、記録動作について説明する。まず、
入力端子３３に供給された画像データは、ビデオエンコ
ーダデコーダ２９に供給されてビデオエンコード処理が
施された後、ＭＰＥＧエンコーダデコーダ２７に供給さ
れる。このＭＰＥＧエンコーダデコーダ２７は、フレー
ムメモリ２８を用いて、ビデオエンコーダデコーダ２９
から供給される画像データにＭＰＥＧエンコード処理を
施している。
入力端子３３に供給された画像データは、ビデオエンコ
ーダデコーダ２９に供給されてビデオエンコード処理が
施された後、ＭＰＥＧエンコーダデコーダ２７に供給さ
れる。このＭＰＥＧエンコーダデコーダ２７は、フレー
ムメモリ２８を用いて、ビデオエンコーダデコーダ２９
から供給される画像データにＭＰＥＧエンコード処理を
施している。
【００４９】また、入力端子３４に供給された音声デー
タは、オーディオエンコーダデコーダ３１に供給されて
オーディオエンコード処理が施される。そして、上記Ｍ
ＰＥＧエンコーダデコーダ２７から出力された画像デー
タと、オーディオエンコーダデコーダ３１から出力され
た音声データとは、変復調・エラー訂正処理部２５に供
給される。
タは、オーディオエンコーダデコーダ３１に供給されて
オーディオエンコード処理が施される。そして、上記Ｍ
ＰＥＧエンコーダデコーダ２７から出力された画像デー
タと、オーディオエンコーダデコーダ３１から出力され
た音声データとは、変復調・エラー訂正処理部２５に供
給される。
【００５０】この変復調・エラー訂正処理部２５は、上
記トラックバッファメモリ２６を用いることにより、入
力された画像データと音声データとに、記録のための変
調処理及びエラー訂正符号付加処理を施している。そし
て、この変復調・エラー訂正処理部２５から出力された
データが、光ヘッド装置２４を介して光ディスク１４に
記録される。
記トラックバッファメモリ２６を用いることにより、入
力された画像データと音声データとに、記録のための変
調処理及びエラー訂正符号付加処理を施している。そし
て、この変復調・エラー訂正処理部２５から出力された
データが、光ヘッド装置２４を介して光ディスク１４に
記録される。
【００５１】また、上記ディスクモータ１６，変復調・
エラー訂正処理部２５，ＭＰＥＧエンコーダデコーダ２
７，ビデオエンコーダデコーダ２９及びオーディオエン
コーダデコーダ３１は、ＭＰＵ（Micro Processing Uni
t ）３５によって、その動作が制御されている。なお、
この発明は上記した各実施の形態に限定されるものでは
なく、この外その要旨を逸脱しない範囲で種々変形して
実施することができる。
エラー訂正処理部２５，ＭＰＥＧエンコーダデコーダ２
７，ビデオエンコーダデコーダ２９及びオーディオエン
コーダデコーダ３１は、ＭＰＵ（Micro Processing Uni
t ）３５によって、その動作が制御されている。なお、
この発明は上記した各実施の形態に限定されるものでは
なく、この外その要旨を逸脱しない範囲で種々変形して
実施することができる。
【００５２】
【発明の効果】以上詳述したようにこの発明によれば、
各層を構成する基板から略同一の再生信号特性を得るこ
とができるようにした極めて良好な光ディスク及びその
再生装置を提供することができる。
各層を構成する基板から略同一の再生信号特性を得るこ
とができるようにした極めて良好な光ディスク及びその
再生装置を提供することができる。
【図１】この発明の第１の実施の形態を説明するために
示す図。
示す図。
【図２】同第１の実施の形態における２層構造の光ディ
スクを示す図。
スクを示す図。
【図３】同光ディスクの各層における反射光レベルを説
明するために示す図。
明するために示す図。
【図４】この発明の第２の実施の形態を説明するために
示す図。
示す図。
【図５】同第２の実施の形態における要部を説明するた
めに示す図。
めに示す図。
【図６】同第２の実施の形態における２層構造の光ディ
スクを示す図。
スクを示す図。
【図７】同光ディスクの各層における反射光レベルを説
明するために示す図。
明するために示す図。
【図８】同第２の実施の形態における第１の変形例を説
明するために示す図。
明するために示す図。
【図９】同第２の実施の形態における第２の変形例を説
明するために示す図。
明するために示す図。
【図１０】この発明の第３の実施の形態を説明するため
に示す図。
に示す図。
【図１１】同第３の実施の形態における要部を説明する
ために示す図。
ために示す図。
【図１２】同第３の実施の形態における２層構造の光デ
ィスクを示す図。
ィスクを示す図。
【図１３】同光ディスクの各層における反射光レベルを
説明するために示す図。
説明するために示す図。
【図１４】この発明の第４の実施の形態を説明するため
に示す図。
に示す図。
【図１５】光ディスクに対してデータの記録再生を行な
うためのディスクドライブ装置の一例を示すブロック構
成図。
うためのディスクドライブ装置の一例を示すブロック構
成図。
【図１６】一般的な２層構造の光ディスクを説明するた
めに示す図。
めに示す図。
【図１７】同光ディスクの再生信号のジッタを測定する
測定系を示すブロック構成図。
測定系を示すブロック構成図。
【図１８】同光ディスクの０層基板の製造工程を説明す
るために示す図。
るために示す図。
【図１９】同光ディスクの１層基板の製造工程を説明す
るために示す図。
るために示す図。
【図２０】同０層基板と１層基板とを貼り合わせた２層
構造の光ディスクを示す図。
構造の光ディスクを示す図。
【図２１】同０層基板と１層基板とをそれぞれ単板で再
生した場合の反射光レベルを説明するために示す図。
生した場合の反射光レベルを説明するために示す図。
【図２２】同０層基板と１層基板とを貼り合わせた２層
構造の光ディスクの再生動作を説明するために示す図。
構造の光ディスクの再生動作を説明するために示す図。
【図２３】同光ディスクの各層における反射光レベルを
説明するために示す図。
説明するために示す図。
【図２４】同光ディスクの再生装置におけるイコライザ
回路の周波数特性の切り替えを説明するために示す図。
回路の周波数特性の切り替えを説明するために示す図。
１１…０層基板、 １２…１層基板、 １３…透明接着剤、 １４…光ディスク、 １５…対物レンズ、 １６…ディスクモータ、 １７…光学式ピックアップ、 １８…前置増幅回路、 １９…イコライザ回路、 ２０…データスライス回路、 ２１…出力端子、 ２２…ＰＬＬ回路、 ２３…出力端子、 ２４…光ヘッド装置、 ２５…変復調・エラー訂正処理部、 ２６…トラックバッファメモリ、 ２７…ＭＰＥＧエンコーダデコーダ、 ２８…フレームメモリ、 ２９…ビデオエンコーダデコーダ、 ３０…出力端子、 ３１…オーディオエンコーダデコーダ、 ３２…出力端子、 ３３，３４…入力端子、 ３５…ＭＰＵ。
Claims (15)
- 【請求項１】 それぞれに情報が記録された複数の基板
を積層してなるもので、その一方の面側から前記複数の
基板の各情報記録面に対してそれぞれ選択的に光を集光
させると、光の集光された前記基板からの反射光が前記
一方の面側から得られる多層構造の光ディスクにおい
て、光の集光されたいずれの前記基板からの反射光も、
前記光ディスクの一方の面側から得られた状態で、その
レベルが互いに略等しくなるように構成されたことを特
徴とする光ディスク。 - 【請求項２】 前記複数の基板は、それぞれ、その情報
記録面に形成されるピットの深さが、互いに異なるよう
に構成されることを特徴とする請求項１記載の光ディス
ク。 - 【請求項３】 前記基板の情報記録面に形成されるピッ
トの深さは、前記光ディスクの一方の面側に近い基板ほ
ど深くなるように構成されることを特徴とする請求項２
記載の光ディスク。 - 【請求項４】 前記複数の基板は、それぞれ、その情報
記録面に形成されるピットの大きさが、互いに異なるよ
うに構成されることを特徴とする請求項１記載の光ディ
スク。 - 【請求項５】 前記基板の情報記録面に形成されるピッ
トの大きさは、前記光ディスクの一方の面側に近い基板
ほど大きくなるように構成されることを特徴とする請求
項４記載の光ディスク。 - 【請求項６】 前記複数の基板の各情報記録面に形成さ
れるピットは、それぞれ、その幅が互いに異なるように
構成されることを特徴とする請求項４記載の光ディス
ク。 - 【請求項７】 前記複数の基板の各情報記録面に形成さ
れるピットは、それぞれ、その長さが互いに異なるよう
に構成されることを特徴とする請求項４記載の光ディス
ク。 - 【請求項８】 前記複数の基板の各情報記録面に形成さ
れるピットは、それぞれ、その幅と長さとが互いに異な
るように構成されることを特徴とする請求項４記載の光
ディスク。 - 【請求項９】 前記複数の基板は、それぞれ、その情報
記録面に形成されるピットの線密度が、互いに異なるよ
うに構成されることを特徴とする請求項１記載の光ディ
スク。 - 【請求項１０】 前記基板の情報記録面に形成されるピ
ットの線密度は、前記光ディスクの一方の面側に近い基
板ほど低くなるように構成されることを特徴とする請求
項９記載の光ディスク。 - 【請求項１１】 前記複数の基板は、それぞれ、その情
報記録面に形成されるピットの線密度と大きさとが、互
いに異なるように構成されることを特徴とする請求項１
記載の光ディスク。 - 【請求項１２】 前記複数の基板は、それぞれ、その情
報記録面に形成されるピットの深さと大きさとが、互い
に異なるように構成されることを特徴とする請求項１記
載の光ディスク。 - 【請求項１３】 前記複数の基板は、それぞれ、その情
報記録面に形成されるピットの深さと線密度とが、互い
に異なるように構成されることを特徴とする請求項１記
載の光ディスク。 - 【請求項１４】 前記複数の基板は、それぞれ、その情
報記録面に形成されるピットの深さと大きさと線密度と
が、互いに異なるように構成されることを特徴とする請
求項１記載の光ディスク。 - 【請求項１５】 請求項１記載の光ディスクを回転させ
る駆動手段と、前記光ディスクの一方の面側から前記複
数の基板の各情報記録面に対してそれぞれ選択的に光を
集光させるとともに、光の集光された前記基板によって
反射され前記光ディスクの一方の面側から得られる反射
光を受光して再生信号に変換する光学式ピックアップと
を具備してなることを特徴とする光ディスク再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9195733A JPH1139657A (ja) | 1997-07-22 | 1997-07-22 | 光ディスク及びその再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9195733A JPH1139657A (ja) | 1997-07-22 | 1997-07-22 | 光ディスク及びその再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1139657A true JPH1139657A (ja) | 1999-02-12 |
Family
ID=16346066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9195733A Pending JPH1139657A (ja) | 1997-07-22 | 1997-07-22 | 光ディスク及びその再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1139657A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000079525A1 (fr) * | 1999-06-22 | 2000-12-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Disque optique, dispositif de disque optique, et procede de reproduction pour disque optique |
| WO2002029789A1 (fr) * | 2000-10-03 | 2002-04-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Disque optique multicouche et procede de production d'un disque optique multicouche |
| WO2003056553A1 (fr) * | 2001-12-27 | 2003-07-10 | Tdk Corporation | Support d'enregistrement optique multicouche et procede de fabrication |
| WO2003056554A1 (fr) * | 2001-12-27 | 2003-07-10 | Tdk Corporation | Support d'enregistrement optique multicouche et procede de fabrication |
| US6735158B1 (en) | 1999-04-07 | 2004-05-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Multilayer optical disk, and method and device for recording optical information thereon |
| WO2004093070A1 (ja) * | 2003-04-14 | 2004-10-28 | Mitsubishi Chemical Corporation | 光記録媒体及びその記録再生方法 |
| WO2006046469A1 (ja) * | 2004-10-25 | 2006-05-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 光ディスク装置 |
| JP2013200915A (ja) * | 2012-03-23 | 2013-10-03 | Toshiba Corp | 三次元磁気記録媒体 |
-
1997
- 1997-07-22 JP JP9195733A patent/JPH1139657A/ja active Pending
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| USRE41415E1 (en) | 1999-06-22 | 2010-07-06 | Panasonic Corporation | Optical disc including a plurality of data layers |
| US7920459B2 (en) | 1999-06-22 | 2011-04-05 | Panasonic Corporation | Optical disc including a learning area having first and second regions, and methods for reproducing and recording data on the optical disc |
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| US8026046B2 (en) | 2000-10-03 | 2011-09-27 | Panasonic Corporation | Method for producing multi-layer optical disk |
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| US7672215B2 (en) | 2003-04-14 | 2010-03-02 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Optical recording medium and recording/reading method therefor |
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| EP1806742A4 (en) * | 2004-10-25 | 2008-12-24 | Panasonic Corp | OPTICAL DISK DEVICE |
| US7864638B2 (en) | 2004-10-25 | 2011-01-04 | Panasonic Corporation | Optical disk apparatus |
| EP1806742A1 (en) * | 2004-10-25 | 2007-07-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical disc device |
| JP2013200915A (ja) * | 2012-03-23 | 2013-10-03 | Toshiba Corp | 三次元磁気記録媒体 |
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