JPH1138594A - Production of halftone type phase shift mask - Google Patents
Production of halftone type phase shift maskInfo
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- JPH1138594A JPH1138594A JP20992997A JP20992997A JPH1138594A JP H1138594 A JPH1138594 A JP H1138594A JP 20992997 A JP20992997 A JP 20992997A JP 20992997 A JP20992997 A JP 20992997A JP H1138594 A JPH1138594 A JP H1138594A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、位相シフトリソグ
ラフィーに用いられる位相シフトマスクの製造方法に関
し、特に、ハーフトーン型の位相シフトマスクの製造方
法に関する。The present invention relates to a method for manufacturing a phase shift mask used for phase shift lithography, and more particularly to a method for manufacturing a halftone type phase shift mask.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体ＬＳＩなどの製造において微細パ
ターンを投影露光装置にて転写する際に用いられるフォ
トマスクの一つとして位相シフトマスクが用いられる。
この位相シフトマスクは、マスクを透過する露光光間に
位相差を与えることにより、転写パターンの解像度を向
上できるようにしたものである。この位相シフトマスク
の一つに、特に、孤立したホールやライン＆スペースパ
ターンを転写するのに適したマスクに関して特開平４−
１３６８５４号公報に記載の位相シフトマスクが知られ
ている。2. Description of the Related Art In manufacturing a semiconductor LSI or the like, a phase shift mask is used as one of photomasks used when a fine pattern is transferred by a projection exposure apparatus.
This phase shift mask is designed to improve the resolution of a transfer pattern by giving a phase difference between exposure lights transmitted through the mask. As one of the phase shift masks, in particular, a mask suitable for transferring an isolated hole or a line & space pattern is disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. Hei.
A phase shift mask described in 136854 is known.
【０００３】この位相シフトマスクは、透明基板上に実
質的に露光に寄与しない強度の光を透過させると同時に
通過する光の位相をシフトさせる半透光膜（ハーフトー
ン位相シフト膜）を形成し、この半透光膜の一部を選択
的に除去して半透光膜パターンを形成することにより、
実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる透光部
（透明基板露出部）と、実質的に露光に寄与しない強度
の光を透過させる半透光部とで構成されるマスクパター
ンを形成したものである。この位相シフトマスクは、半
透光部を通過する光の位相をシフトさせて、この半透光
部を通過した光の位相が上記透光部を通過した光の位相
に対して実質的に反転する関係になるようにすることに
よって、前記半透光部と透光部との境界近傍を通過して
回折により回り込んだ光が互いに打ち消しあうようにし
て境界部のコントラストを良好に保持できるようにした
ものであり、通称、ハーフトーン型位相シフトマスクと
称されている。この位相シフトマスクにおいては露光光
の波長をλ、半透光膜の露光光に対する屈折率をｎとし
たとき、半透光膜の膜厚ｔの値が ｔ＝λ／｛２（ｎ−１）｝ を満たす値に一般的に設定され、また、露光光の波長に
おける半透光膜の透過率が１〜５０％程度になるように
設定されるのが普通である。This phase shift mask is formed by forming a semi-transparent film (halftone phase shift film) on a transparent substrate, which transmits light having an intensity substantially not contributing to exposure and simultaneously shifts the phase of light passing therethrough. By selectively removing a part of the semi-transparent film to form a semi-transparent film pattern,
Forming a mask pattern composed of a light transmitting portion (transparent substrate exposed portion) that transmits light having an intensity substantially contributing to exposure and a semi-light transmitting portion transmitting light having an intensity that does not substantially contribute to exposure. It was done. This phase shift mask shifts the phase of light passing through the semi-transparent portion, and the phase of light passing through the semi-transparent portion is substantially inverted with respect to the phase of light passing through the translucent portion. With such a relationship, the light that has passed through the vicinity of the boundary between the semi-transmissive portion and the translucent portion and scattered around by diffraction cancels each other, so that the contrast of the boundary portion can be maintained well. This is commonly referred to as a halftone phase shift mask. In this phase shift mask, when the wavelength of the exposure light is λ and the refractive index of the semi-transmissive film with respect to the exposure light is n, the value of the thickness t of the semi-transparent film is t = λ / ｛2 (n−1) )｝ Is generally set to a value that satisfies｝, and is generally set so that the transmittance of the semi-transparent film at the wavelength of the exposure light is about 1 to 50%.
【０００４】上述のようにハーフトーン型位相シフトマ
スクは、半透光部によって露光光の位相をシフトさせる
位相シフト機能と露光光を実質的に遮断する遮光機能と
の二つの機能を兼ねさせたものである。すなわち、この
半透光部を、パターンの境界部においては位相シフト層
として機能させ、それ以外の部分では遮光層として機能
させている。したがって、本来は完全に露光光を遮断す
るのが理想的である部分にもわずかな漏れ光が生じてい
る。通常はこの漏れ光があっても実質的な露光とまで至
らないように、全体の露光量を調整する。このように、
ハーフトーン型位相シフトマスクは、半透光部によって
遮光機能を兼ねているものであるので、原理的には従来
の一般的な位相シフトマスクのような遮光膜を設ける必
要はない。しかしながら、このハーフトーン型位相シフ
トマスクの欠点をカバーするために、半透光部を形成す
る半透光膜の上又は下に遮光膜を設ける技術が提案され
ている。以下、この提案にかかるハーフトーン型位相シ
フトマスクについて、その提案の背景から説明する。As described above, the halftone type phase shift mask has two functions, that is, a phase shift function of shifting the phase of exposure light by the semi-transmissive portion and a light shielding function of substantially blocking exposure light. Things. That is, the semi-transparent portion functions as a phase shift layer at the boundary of the pattern, and functions as a light-shielding layer at other portions. Therefore, a small amount of leaked light also occurs in a portion where it is ideal to completely block the exposure light. Normally, the entire exposure is adjusted so that even if this leaked light does not result in substantial exposure. in this way,
Since the halftone type phase shift mask also has a light shielding function by a semi-transmissive portion, it is not necessary in principle to provide a light shielding film as in a conventional general phase shift mask. However, in order to cover the drawbacks of the halftone type phase shift mask, a technique has been proposed in which a light shielding film is provided above or below a semi-transparent film that forms a semi-transparent portion. Hereinafter, the halftone phase shift mask according to this proposal will be described from the background of the proposal.
【０００５】周知のように、ハーフトーン型位相シフト
マスクは、通常、半導体製造に用いられる露光装置であ
る縮小投影露光装置（ステッパー）のマスク（レチク
ル）として用いられる。このステッパーは、レチクルを
露光光で投影して得られる投影像を投影レンズで縮小
し、被転写体である半導体ウエハ上に結像させて縮小投
影露光を行うものである。この縮小投影露光は、通常、
１枚の半導体ウエハ上の異なる位置に同一のレチクルパ
ターンを繰り返し転写して露光し、１枚の半導体ウエハ
から多数の半導体チップを得るものである。このため、
このステッパーを用いてパターン転写を行うときは、ス
テッパーに備え付けられた被覆部材（アパーチャー）に
よって位相シフトマスク（レチクル）の転写領域のみを
露出させるようにマスクの周縁領域を被覆して露光を行
う。As is well known, a halftone phase shift mask is generally used as a mask (reticle) of a reduction projection exposure apparatus (stepper) which is an exposure apparatus used in semiconductor manufacturing. The stepper reduces a projection image obtained by projecting a reticle with exposure light using a projection lens, forms an image on a semiconductor wafer as a transfer target, and performs reduced projection exposure. This reduced projection exposure is usually
The same reticle pattern is repeatedly transferred and exposed to different positions on one semiconductor wafer to obtain a large number of semiconductor chips from one semiconductor wafer. For this reason,
When pattern transfer is performed using this stepper, exposure is performed by covering the peripheral region of the mask so that only the transfer region of the phase shift mask (reticle) is exposed by a covering member (aperture) provided on the stepper.
【０００６】しかしながら、このアパーチャーは精度良
く（例えば１μｍ内外の精度で）転写領域のみを露出さ
せるように設置することは機械精度的に難しく、多くの
場合、転写領域の外周周辺の非転写領域にまではみ出て
露出してしまう。また、アパーチャーが仮に高精度であ
ってはみ出し部分がない場合であっても、アパーチャー
と被転写体との間に距離があることから露光光が回折し
て被転写領域に達してしまう。However, it is difficult to mechanically install the aperture so as to expose only the transfer area with high accuracy (for example, with an accuracy of about 1 μm or less). In many cases, the aperture is provided in a non-transfer area around the outer periphery of the transfer area. It protrudes and is exposed. Further, even if the aperture has high accuracy and there is no protruding portion, the exposure light is diffracted and reaches the transfer target region because of the distance between the aperture and the transfer target.
【０００７】このようにアパーチャーが本来の転写領域
よりも広い範囲に露光光を通過させた場合、次の問題が
あることがわかった。すなわち、ハーフトーン型位相シ
フトマスクにおいては通常、非転写領域に実質的に露光
に寄与しない強度の光を通過させる半透光膜が形成され
ている。このため、上述したようにアパーチャーが本来
の転写領域よりも広い範囲に露光光を通過させると、非
転写領域上のはみ出した部分で実質的に露光に寄与しな
い強度の光による露光がなされる。勿論、このはみ出し
部分があっても１回の露光では何ら問題は生じない。し
かし、このはみ出し部分で露光された部分（はみ出し露
光部）が転写領域に重なったり、あるいは、次の露光の
際に同様にはみ出して露光された部分と重なる場合が生
じ、この重複露光によって、１回の露光では実質的に露
光に寄与しない露光量であっても、それらが積算されて
露光に寄与する量に達する場合がある。したがって、こ
れにより本来は露光されるべきでない領域に結果的に露
光が施されたのと同様のことが起こり、欠陥が発生す
る。また、ハーフトーン型位相シフトマスクの本来の利
点が発揮されるパターンサイズ（例えば、波長３６５ｎ
ｍのｉ線ではおよそ０．３〜０．５μｍ）よりも大きな
パターン（およそ数〜数十倍以上の大きさ）ではパター
ン近傍においてサイドローブ効果が顕著になり不要なレ
ジスト膜減りが生じて欠陥になってしまうこともある。As described above, it has been found that when the aperture allows the exposure light to pass through a wider area than the original transfer area, the following problem occurs. That is, in a halftone type phase shift mask, a semi-transmissive film that transmits light having an intensity that does not substantially contribute to exposure is usually formed in a non-transfer region. For this reason, as described above, when the aperture allows the exposure light to pass through a wider range than the original transfer area, the exposed portion of the non-transfer area is exposed to light having an intensity that does not substantially contribute to the exposure. Of course, even if there is such a protruding portion, no problem occurs in one exposure. However, a portion exposed at the protruding portion (protruding exposed portion) may overlap with the transfer area, or may overlap with a portion which is also protruded and exposed at the next exposure. Even if the exposure amounts do not substantially contribute to the exposure in the first exposure, they may be integrated to reach an amount that contributes to the exposure. Thus, this results in the same effect as exposure to areas that should not be exposed, resulting in defects. In addition, a pattern size (for example, a wavelength of 365 n) at which an original advantage of the halftone phase shift mask is exhibited.
If the pattern is larger than about 0.3 to 0.5 μm for the i-line of m) (about several to several tens times or more in size), the side lobe effect becomes remarkable in the vicinity of the pattern, causing unnecessary reduction of the resist film and causing defects. Sometimes it becomes.
【０００８】以上のような欠点を除去できるものとし
て、非転写領域に形成された半透光膜の上であって転写
領域と非転写領域との境界に隣接する非転写領域に所定
以上の幅を有する遮光部を形成するようにしたハーフト
ーン型位相シフトマスクが提案されている（特開平６−
２８２０６３号公報）（従来例１）。In order to eliminate the above-mentioned disadvantages, a non-transfer area on a semi-transparent film formed in the non-transfer area and adjacent to a boundary between the transfer area and the non-transfer area has a predetermined width or more. There has been proposed a halftone type phase shift mask in which a light-shielding portion having a pattern is formed (see Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 6-1994).
No. 282063) (Conventional Example 1).
【０００９】図５は上記提案にかかるハーフトーン型位
相シフトマスクの製造工程を説明するための図である。
同図において、透明基板１上にスパッタリング法により
クロムからなる半透過遮光膜２ａを形成し、その上にス
ピンコート法によってＳＯＧ（スピン・オン・グラス）
からなる位相シフト膜２ｂを形成する。これらの半透過
遮光膜２ａとＳＯＧからなる位相シフト膜２ｂとによっ
て半透光膜２を構成する。続いて、上記半透光膜２の上
にクロムからなる遮光膜３をスパッタリング法によって
形成し、この遮光膜３の上にポジ型電子線レジスト４を
スピンコート法によって形成する（図５（ａ））。次
に、電子線描画によりレジストパターン４１を形成し、
これをマスクにして遮光膜３をウエットエッチングし、
引き続き位相シフト膜２ｂをドライエッチングして、遮
光膜パターン３１及び位相シフト膜パターン２１ｂを形
成する（図５（ｂ））。次いで、レジストパターン４１
を剥離した後、スピンコート法によりネガ型電子線レジ
スト５を形成する（図５（ｃ））。次に、電子線描画に
よりレジストパターン５１を形成し、これをマスクにし
て遮光膜パターン３１及び半透過遮光膜２ａをウエット
エッチングして、遮光膜パターン３２及び半透過遮光膜
パターン２１ａを形成する（図５（ｄ））。最後に、レ
ジストパターン５１を剥離して、所望のハーフトーン型
位相シフトマスクを得る（図５（ｅ））。FIG. 5 is a view for explaining a manufacturing process of the halftone type phase shift mask according to the above proposal.
In FIG. 1, a semi-transmissive light-shielding film 2a made of chromium is formed on a transparent substrate 1 by a sputtering method, and SOG (spin-on-glass) is formed thereon by a spin coating method.
Is formed. The semi-transmissive light-shielding film 2a and the phase shift film 2b made of SOG form the semi-transparent light-transmissive film 2. Subsequently, a light-shielding film 3 made of chromium is formed on the semi-translucent film 2 by a sputtering method, and a positive electron beam resist 4 is formed on the light-shielding film 3 by a spin coating method (FIG. 5A )). Next, a resist pattern 41 is formed by electron beam drawing,
Using this as a mask, the light-shielding film 3 is wet-etched,
Subsequently, the phase shift film 2b is dry-etched to form the light shielding film pattern 31 and the phase shift film pattern 21b (FIG. 5B). Next, the resist pattern 41
Then, a negative electron beam resist 5 is formed by spin coating (FIG. 5C). Next, a resist pattern 51 is formed by electron beam drawing, and the light-shielding film pattern 31 and the semi-transmissive light-shielding film 2a are wet-etched using the resist pattern 51 as a mask to form a light-shielding film pattern 32 and a semi-transmissive light-shielding film pattern 21a ( FIG. 5D). Finally, the resist pattern 51 is stripped to obtain a desired halftone type phase shift mask (FIG. 5E).
【００１０】しかしながら、上記の発明では透明基板上
に形成される膜構成が、クロム／ＳＯＧ／クロムという
構成であるため、このような構成の膜を形成するために
は、真空装置内でクロム膜を形成し、次に真空装置から
取り出してスピンコートによりＳＯＧを塗布してこれを
炉で焼成することによってＳＯＧ膜を形成し、しかる後
に再度真空装置内に入れクロム膜を形成する必要があ
る。すなわち、工程が煩雑で製造に時間がかかり、かつ
工程が複雑であるために欠陥が発生する確率が高いとい
う問題がある。また、ＳＯＧを加工した後クロムを加工
するため、ここでも欠陥が発生する確率が高い。さらに
付け加えるとＳＯＧとクロムは密着性に問題があり、Ｓ
ＯＧからクロムが又はクロム上からＳＯＧが剥離してし
まう可能性がある。[0010] However, in the above invention, since the film configuration formed on the transparent substrate is chromium / SOG / chromium, it is necessary to form a chromium film in a vacuum apparatus in order to form such a film. Then, it is necessary to take out the SOG film from the vacuum apparatus, apply SOG by spin coating, and sinter this in a furnace to form an SOG film, and then put it in the vacuum apparatus again to form a chromium film. In other words, there is a problem that the process is complicated, it takes a long time to manufacture, and the probability of occurrence of defects is high because the process is complicated. Further, since chromium is processed after processing the SOG, the probability of occurrence of defects is high also here. In addition, SOG and chromium have a problem of adhesion,
There is a possibility that chromium is peeled off from OG or from chromium.
【００１１】そこで、このような課題を解決するため
に、例えば、半透光膜としてＭｏＳｉＯＮ単層膜を用
い、その上にクロムからなる遮光膜を形成する技術が提
案されている（Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ，Vol 2621, 266-27
2 (1995)）（従来例２）。In order to solve such a problem, for example, a technique has been proposed in which a MoSiON single-layer film is used as a semi-transparent film and a light-shielding film made of chromium is formed thereon (Proc. SPIE). , Vol 2621, 266-27
2 (1995)) (conventional example 2).
【００１２】図６は上記提案にかかるハーフトーン型位
相シフトマスクの製造工程を説明するための図である。
同図において、透明基板１上にスパッタリング法により
ＭｏＳｉＯＮからなる半透光膜２を形成し、この半透光
膜２の上にクロムからなる遮光膜３をスパッタリング法
によって形成し、この遮光膜３の上にポジ型電子線レジ
スト４をスピンコート法によって形成する（図６
（ａ））。次に、電子線描画によりレジストパターン４
１を形成し、これをマスクにして遮光膜３をウエットエ
ッチングし、引き続き半透光膜２をドライエッチングし
て、遮光膜パターン３１及び半透光膜パターン２１を形
成する（図６（ｂ））。次いで、レジストパターン４１
を剥離した後、スピンコート法によりネガ型電子線レジ
スト５を形成する（図６（ｃ））。次に、電子線描画に
よりレジストパターン５１を形成し、これをマスクにし
て遮光膜パターン３１をウエットエッチングして、遮光
膜パターン３２を形成する（図６（ｄ））。最後に、レ
ジストパターン５１を剥離して、所望のハーフトーン型
位相シフトマスクを得る（図６（ｅ））。FIG. 6 is a view for explaining a manufacturing process of the halftone type phase shift mask according to the above proposal.
In FIG. 1, a semi-transparent film 2 made of MoSiON is formed on a transparent substrate 1 by a sputtering method, and a light-shielding film 3 made of chromium is formed on the semi-light-transmitting film 2 by a sputtering method. A positive electron beam resist 4 is formed on the substrate by spin coating (FIG. 6).
(A)). Next, the resist pattern 4 is drawn by electron beam lithography.
The light-shielding film 3 is wet-etched using this as a mask, and the semi-light-transmitting film 2 is subsequently dry-etched to form a light-shielding film pattern 31 and a semi-light-transmitting film pattern 21 (FIG. 6B). ). Next, the resist pattern 41
After stripping, a negative electron beam resist 5 is formed by spin coating (FIG. 6C). Next, a resist pattern 51 is formed by electron beam lithography, and the light-shielding film pattern 31 is wet-etched using the resist pattern 51 as a mask to form a light-shielding film pattern 32 (FIG. 6D). Finally, the resist pattern 51 is stripped to obtain a desired halftone phase shift mask (FIG. 6E).
【００１３】[0013]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例２のハーフトーン型位相シフトマスクでは、半透光
膜が単層になったことで従来例１に比べマスクブランク
の製造工程及びマスクの製造工程が共に減るものの、未
だ以下のような問題があることがわかった。すなわち、
マスク製造工程において、遮光膜及び半透光膜をエッチ
ングしてレジストを剥離後、再びレジストを塗布して電
子線描画により遮光膜パターンを再度パターニングして
最終的な形状の遮光膜パターンを形成するが、半透光膜
又は遮光膜に、それらの膜をスパッタリング法等により
成膜する際や、レジストの現像やエッチング等のプロセ
ス中に、発生した修正不可能な欠落欠陥あるいは余剰欠
陥があった場合には、２回目のレジスト塗布、描画、現
像、エッチング、レジスト剥離等の一連の工程が無駄に
なってしまう。つまり、すべての製造工程が終了しなけ
れば、合格又は不合格の判定が出来ないことになり、不
良品となったときのリカバリー（再度製造を手配し製造
に着手することなど）が遅れてしまう。また、遮光膜よ
りも半透光膜の方が自動欠陥検査装置で欠陥を検出しに
くいという難点もあった。However, in the halftone type phase shift mask of the prior art 2 described above, the process of manufacturing the mask blank and the manufacturing of the mask are different from those of the conventional example 1 because the semi-transmissive film is a single layer. Although both processes were reduced, it was found that there were still the following problems. That is,
In the mask manufacturing process, after the light-shielding film and the semi-transparent film are etched to remove the resist, the resist is applied again, and the light-shielding film pattern is again patterned by electron beam drawing to form a light-shielding film pattern having a final shape. However, when forming such a film on a semi-transparent film or a light-shielding film by a sputtering method or during a process such as development or etching of a resist, there was an uncorrectable missing defect or excess defect that occurred. In this case, a series of steps such as the second resist application, drawing, development, etching, and resist peeling are wasted. In other words, if all the manufacturing processes are not completed, it is impossible to determine whether the product has passed or rejected, and the recovery when the product becomes defective (such as arranging the manufacturing again and starting the manufacturing) is delayed. . Further, there is also a problem that the semi-transparent film is more difficult to detect a defect by the automatic defect inspection device than the light-shielding film.
【００１４】本発明は上述した背景の下になされたもの
であり、製造上の無駄が少なく、欠陥検査が容易かつ高
精度に行え、欠陥修正が容易かつ高精度に行える位相シ
フトマスクの製造方法の提供を目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above background, and has a small manufacturing waste, a method of manufacturing a phase shift mask capable of performing defect inspection easily and with high precision, and a defect correction with ease and high precision. The purpose is to provide.
【００１５】[0015]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明のハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法
は、以下の構成としてある。To achieve the above object, a method of manufacturing a halftone type phase shift mask according to the present invention has the following arrangement.
【００１６】（構成１）透明基板上に半透光膜及び遮光
膜のパターンを有するハーフトーン型位相シフトマスク
の製造方法において、透明基板上に半透光膜、遮光膜を
順次形成し、さらに遮光膜上にレジストパターンを形成
する工程と、前記レジストパターンをマスクにして前記
遮光膜をエッチングし、遮光膜パターンを形成する工程
と、前記レジストパターン及び遮光膜パターンをマスク
にして前記半透光膜をエッチングし、半透光膜パターン
を形成する工程と、少なくとも前記遮光膜パターンをも
とに、欠陥検査を行う工程と、前記遮光膜パターン上に
レジストパターンを形成し、そのレジストパターンをマ
スクにして前記遮光膜パターンをエッチングすることに
より、最終形状の遮光膜パターンを形成する工程と、を
有することを特徴とするハーフトーン型位相シフトマス
クの製造方法。(Structure 1) In a method of manufacturing a halftone type phase shift mask having a pattern of a semi-transparent film and a light-shielding film on a transparent substrate, a semi-transparent film and a light-shielding film are sequentially formed on the transparent substrate. Forming a resist pattern on the light-shielding film; etching the light-shielding film using the resist pattern as a mask to form a light-shielding film pattern; and forming the semi-transmissive light using the resist pattern and the light-shielding film pattern as a mask. Etching the film to form a semi-transparent film pattern, performing a defect inspection based on at least the light-shielding film pattern, forming a resist pattern on the light-shielding film pattern, and masking the resist pattern Forming a light-shielding film pattern having a final shape by etching the light-shielding film pattern as described above. Method for producing a halftone phase shift mask.
【００１７】（構成２）前記欠陥検査を行う工程は、レ
ジストパターンを剥離し、洗浄工程の後に行うことを特
徴とする構成１記載のハーフトーン型位相シフトマスク
の製造方法。(Structure 2) The method for manufacturing a halftone phase shift mask according to Structure 1, wherein the step of performing the defect inspection is performed after the resist pattern is stripped and the cleaning step is performed.
【００１８】（構成３）前記欠陥検査を行う工程におい
て、修正可能な欠落欠陥又は余剰欠陥があった場合、余
剰欠陥についてはその場で修正し、孤立した欠落欠陥に
ついてもその場で修正し、パターンエッジにかかる欠落
欠陥については最終工程において修正することを特徴と
する構成１又は２記載のハーフトーン型位相シフトマス
クの製造方法。(Structure 3) In the step of performing the defect inspection, if there is a repairable missing defect or a surplus defect, the surplus defect is corrected on the spot, and the isolated missing defect is corrected on the spot. 3. The method for manufacturing a halftone type phase shift mask according to Configuration 1 or 2, wherein the missing defect relating to the pattern edge is corrected in a final step.
【００１９】（構成４）マスク完成後の欠陥検査におい
て検出された半透光膜上に残った余剰な遮光膜欠陥を、
遮光膜パターンのエッジにかかるものはエッチングによ
り修正し、その他の欠陥はそのままとすることを特徴と
する構成３記載のハーフトーン型位相シフトマスクの製
造方法。(Structure 4) Excessive light-shielding film defects remaining on the semi-transparent film detected in the defect inspection after completion of the mask are
3. The method for manufacturing a halftone type phase shift mask according to Configuration 3, wherein an edge of the light-shielding film pattern is corrected by etching, and other defects are left as they are.
【００２０】[0020]
【作用】本発明では、マスクの製造工程の途中で欠陥検
査を行い修正不可能と判断された場合には製造を中止す
ることで、製造上の無駄を省くことができる。すなわ
ち、マスクが完成した後に、欠陥検査を行う通常の製造
工程では、修正不可能と判断される欠落欠陥あるいは余
剰欠陥があった場合には、最初から作り直しとなってし
まうために大幅な時間等のロスが出てしまうが、本発明
によれば、２回目のレジスト塗布、描画、現像、エッチ
ング、レジスト剥離等の一連の工程を省くことができ
る。また、製造工程の途中で欠陥修正を行なっておくこ
とで、最終マスクの状態での検査工程が簡単になる。According to the present invention, when a defect inspection is performed in the course of the mask manufacturing process and it is determined that the mask cannot be corrected, the manufacture is stopped, thereby eliminating manufacturing waste. In other words, in a normal manufacturing process in which a defect inspection is performed after a mask is completed, if there is a missing defect or a surplus defect that is determined to be uncorrectable, a large amount of time is required because the defect must be recreated from the beginning. According to the present invention, a series of steps such as the second resist application, drawing, development, etching, and resist stripping can be omitted. By performing defect correction in the middle of the manufacturing process, the inspection process in the state of the final mask is simplified.
【００２１】また、本発明では、半透光膜パターン上に
同一パターンの遮光膜パターンがある状態で半透光膜の
欠陥検査を行うことができる（遮光膜パターンをもとに
欠陥検査を行うことができる）ので、欠陥検査が容易か
つ高精度に行える。すなわち、自動欠陥検査装置では半
透光膜よりも遮光膜の方が欠陥を検出し易いために、よ
り高精度な検査ができる。また、光学顕微鏡を用いて検
査する場合にも、半透光膜よりも遮光膜の方がパターン
や欠陥を認識し易い。Further, according to the present invention, the defect inspection of the semi-transparent film can be performed in the state where the same light-shielding film pattern is present on the semi-translucent film pattern (the defect inspection is performed based on the light-shielding film pattern). Can be performed easily and with high accuracy. That is, in the automatic defect inspection apparatus, a defect can be detected more easily with the light-shielding film than with the semi-transparent film, so that a more accurate inspection can be performed. Also, when inspecting using an optical microscope, a pattern or a defect is easier to recognize with a light-shielding film than with a semi-translucent film.
【００２２】さらに、本発明では、半透光膜パターン上
に同一パターンの遮光膜パターンがある状態で半透光膜
の欠陥修正を行うことができるので、欠陥修正が容易か
つ高精度に行える。すなわち、レーザーリペア装置によ
り余剰欠陥を修正する場合、半透光膜よりも遮光膜の方
がレーザー光を吸収し易いため、低パワーで修正でき、
下地のガラス基板へのダメージが少ない。同様に、レー
ザー光を照射して飛散した粒子は再び遮光膜上に付着す
るため、最終的には除去され、飛散粒子は半透光膜上に
は残らない（遮光膜を最終的にエッチングして半透光膜
を露出させるため）。また、ＦＩＢ装置により修正を行
う場合においても、画像が認識しやすく高精度の修正が
できる。Further, according to the present invention, the defect correction of the semi-transmissive film can be performed with the same light-shielding film pattern on the semi-transparent film pattern, so that the defect can be corrected easily and with high accuracy. In other words, when repairing a surplus defect with a laser repair device, a light-shielding film can absorb laser light more easily than a semi-transparent film, so that it can be repaired with low power,
Less damage to the underlying glass substrate. Similarly, the particles scattered by irradiating the laser beam adhere to the light-shielding film again, and are eventually removed, and the scattered particles do not remain on the semi-light-transmitting film. To expose the semi-transparent film). Further, even when the correction is performed by the FIB device, the image can be easily recognized and the correction can be performed with high accuracy.
【００２３】[0023]
【実施例】以下、実施例にもとづき本発明を詳細に説明
する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below in detail based on embodiments.
【００２４】実施例１ 図１は本発明の一実施例にかかるハーフトーン型位相シ
フトマスクの製造工程を説明するための図である。 Embodiment 1 FIG. 1 is a diagram for explaining a manufacturing process of a halftone type phase shift mask according to one embodiment of the present invention.
【００２５】同図に示すように、まず、表面を研磨した
石英ガラス（大きさ６インチ角、厚さ０．２５インチ）
からなる透明基板１に所定の洗浄を施した後、この透明
基板１上に、モリブデン、シリコン、酸素、及び窒素か
らなる半透光膜２をスパッタリング法により１６０ｎｍ
の膜厚で形成し、続けて、クロムからなる遮光膜３を１
００ｎｍの膜厚で形成した。この遮光膜３の上にポジ型
電子線レジスト（ＥＢＲ−９：東レ社製）４をスピンコ
ート法により膜厚５００ｎｍで塗布してベークした（図
１（ａ））。As shown in the figure, first, quartz glass (size: 6 inch square, thickness: 0.25 inch) whose surface is polished
After a predetermined cleaning is performed on the transparent substrate 1 made of, a semi-transparent film 2 made of molybdenum, silicon, oxygen, and nitrogen is formed on the transparent substrate 1 by a sputtering method to a thickness of 160 nm.
Then, the light-shielding film 3 made of chromium is
It was formed with a thickness of 00 nm. A positive electron beam resist (EBR-9: manufactured by Toray Industries, Inc.) 4 was applied on the light-shielding film 3 to a thickness of 500 nm by a spin coating method and baked (FIG. 1A).
【００２６】次いで、ポジ型電子線レジスト４に所望の
パターンを電子線描画し、これを現像してレジストパタ
ーン４１を形成した。続けて、レジストパターン４１を
マスクにして、硝酸第二セリウムアンモニウムと過塩素
酸からなるエッチング液を用いて、遮光膜３をウエット
エッチングして、１回目の遮光膜パターン３１を形成し
た（図１（ｂ））。Next, a desired pattern was drawn by electron beam on the positive electron beam resist 4 and developed to form a resist pattern 41. Subsequently, using the resist pattern 41 as a mask, the light-shielding film 3 was wet-etched using an etching solution containing ceric ammonium nitrate and perchloric acid to form a first light-shielding film pattern 31 (FIG. 1). (B)).
【００２７】次に、レジストパターン４１及び１回目の
遮光膜パターン３１をマスクにして、エッチングガス：
ＣＦ4／Ｏ2の混合ガス、圧力：０．４Ｔｏｒｒ、ＲＦパ
ワー：１００Ｗの条件で、半透光膜２をドライエッチン
グして半透光膜パターン２１を形成した（図１
（ｃ））。Next, using the resist pattern 41 and the first light shielding film pattern 31 as a mask, etching gas:
Under the conditions of a mixed gas of CF 4 / O 2 , pressure: 0.4 Torr, and RF power: 100 W, the semi-transparent film 2 was dry-etched to form a semi-transparent film pattern 21.
(C)).
【００２８】次に、レジストを剥離し、所定の洗浄を施
した後、欠陥検査を行った（図１（ｄ））。その結果、
修正不可能な余剰欠陥及び欠落欠陥が発見されたため、
その後の工程には進めず、再度マスク作製の準備に取り
かかった。Next, after the resist was stripped and subjected to a predetermined cleaning, a defect inspection was performed (FIG. 1D). as a result,
Unrepairable surplus and missing defects were discovered,
Without proceeding to the subsequent steps, preparation for mask production was started again.
【００２９】実施例２ 図２は本発明の他の実施例にかかるハーフトーン型位相
シフトマスクの製造工程を説明するための図である。な
お、途中の工程までは図１と同様であるので図１も参照
して説明する。 Embodiment 2 FIG. 2 is a view for explaining a manufacturing process of a halftone type phase shift mask according to another embodiment of the present invention. Note that the steps up to the middle are the same as those in FIG.
【００３０】まず、表面を研磨した石英ガラス（大きさ
６インチ角、厚さ０．２５インチ）からなる透明基板１
に所定の洗浄を施した後、この透明基板１上に、モリブ
デン、シリコン、酸素、窒素からなる半透光膜２をスパ
ッタリング法により１６０ｎｍの膜厚で形成し、続け
て、クロムからなる遮光膜３を１００ｎｍの膜厚で形成
した。この遮光膜３の上にポジ型電子線レジスト（ＥＢ
Ｒ−９：東レ社製）４をスピンコート法により膜厚５０
０ｎｍで塗布してベークした（図１（ａ））。First, a transparent substrate 1 made of quartz glass (size: 6 inch square, thickness: 0.25 inch) whose surface is polished
After a predetermined cleaning, a semi-transmissive film 2 made of molybdenum, silicon, oxygen, and nitrogen is formed on this transparent substrate 1 to a thickness of 160 nm by a sputtering method. 3 was formed with a thickness of 100 nm. A positive type electron beam resist (EB
R-9: manufactured by Toray Industries Co., Ltd.)
It was applied at 0 nm and baked (FIG. 1 (a)).
【００３１】次いで、ポジ型電子線レジスト４に所望の
パターンを電子線描画し、これを現像してレジストパタ
ーン４１を形成した。続けて、レジストパターン４１を
マスクにして、硝酸第二セリウムアンモニウムと過塩素
酸からなるエッチング液を用いて、遮光膜３をウエット
エッチングして、１回目の遮光膜パターン３１を形成し
た（図１（ｂ））。Next, a desired pattern was drawn on the positive electron beam resist 4 by an electron beam and developed to form a resist pattern 41. Subsequently, using the resist pattern 41 as a mask, the light-shielding film 3 was wet-etched using an etching solution containing ceric ammonium nitrate and perchloric acid to form a first light-shielding film pattern 31 (FIG. 1). (B)).
【００３２】次に、レジストパターン４１及び１回目の
遮光膜パターン３１をマスクにして、エッチングガス：
ＣＦ4／Ｏ2の混合ガス、圧力：０．４Ｔｏｒｒ、ＲＦパ
ワー：１００Ｗの条件で、半透光膜２をドライエッチン
グして半透光膜パターン２１を形成した（図１
（ｃ））。Next, using the resist pattern 41 and the first light shielding film pattern 31 as a mask, an etching gas:
Under the conditions of a mixed gas of CF 4 / O 2 , pressure: 0.4 Torr, and RF power: 100 W, the semi-transparent film 2 was dry-etched to form a semi-transparent film pattern 21.
(C)).
【００３３】次に、レジストパターン４１を剥離し、所
定の洗浄を施した後、欠陥検査を行った（図１
（ｄ））。Next, after the resist pattern 41 was peeled off and subjected to predetermined cleaning, a defect inspection was performed (FIG. 1).
(D)).
【００３４】上記欠陥検査の結果、修正可能な余剰欠陥
（孤立黒欠陥５及びエッジにかかる黒欠陥６）が発見さ
れた（図２（ａ））。そこで、ＹＡＧレーザーを用いた
リペアー装置により通常のＣｒフォトマスクを修正する
のと同じようにして修正した（図２（ｂ））。As a result of the defect inspection, repairable surplus defects (isolated black defect 5 and black defect 6 on the edge) were found (FIG. 2A). Therefore, the repair was performed in the same manner as a normal Cr photomask was repaired by a repair device using a YAG laser (FIG. 2B).
【００３５】上記修正後、ポジ型電子線レジスト（ＥＢ
Ｒ−９：東レ社製）７をスピンコート法により膜厚５０
０ｎｍで塗布してベークした（図２（ｃ））。After the above correction, a positive type electron beam resist (EB
R-9: manufactured by Toray Industries, Inc.)
It was applied at 0 nm and baked (FIG. 2 (c)).
【００３６】次いで、ポジ型電子線レジスト７に所望の
パターンを電子線描画し、これを現像してレジストパタ
ーン７１を形成した。続けて、レジストパターン７１を
マスクにして、硝酸第二セリウムアンモニウムと過塩素
酸からなるエッチング液を用いて、遮光膜パターン３１
を再度ウエットエッチングして、２回目（最終形状）の
遮光膜パターン３２を形成した（図２（ｄ））。Next, a desired pattern was drawn by electron beam on the positive electron beam resist 7 and developed to form a resist pattern 71. Subsequently, using the resist pattern 71 as a mask, a light-shielding film pattern 31 is formed using an etching solution containing ceric ammonium nitrate and perchloric acid.
Was again wet-etched to form a second (final shape) light-shielding film pattern 32 (FIG. 2D).
【００３７】最後に、レジストパターン７１を剥離し
て、所定の洗浄を施した後再度欠陥検査を行ったとこ
ろ、欠陥は検出されず、高品質のハーフトーン型位相シ
フトマスクを効率よく得ることができた（図２
（ｅ））。Finally, when the resist pattern 71 is peeled off and subjected to a predetermined cleaning and then a defect inspection is performed again, no defect is detected and a high-quality halftone type phase shift mask can be efficiently obtained. (Figure 2
(E)).
【００３８】実施例３ 図３は本発明の他の実施例にかかるハーフトーン型位相
シフトマスクの製造工程を説明するための図である。な
お、途中の工程までは図１と同様であるので図１も参照
して説明する。 Embodiment 3 FIG. 3 is a view for explaining a manufacturing process of a halftone type phase shift mask according to another embodiment of the present invention. Note that the steps up to the middle are the same as those in FIG.
【００３９】まず、表面を研磨した石英ガラス（大きさ
６インチ角、厚さ０．２５インチ）からなる透明基板１
に所定の洗浄を施した後、この透明基板１上に、モリブ
デン、シリコン、酸素、窒素からなる半透光膜２をスパ
ッタリング法により１６０ｎｍの膜厚で形成し、続け
て、クロムからなる遮光膜３を１００ｎｍの膜厚で形成
した。この遮光膜３の上にポジ型電子線レジスト（ＥＢ
Ｒ−９：東レ社製）４をスピンコート法により膜厚５０
０ｎｍで塗布してベークした（図１（ａ））。First, a transparent substrate 1 made of quartz glass (size: 6 inch square, thickness: 0.25 inch) whose surface is polished
After a predetermined cleaning, a semi-transmissive film 2 made of molybdenum, silicon, oxygen, and nitrogen is formed on this transparent substrate 1 to a thickness of 160 nm by a sputtering method. 3 was formed with a thickness of 100 nm. A positive type electron beam resist (EB
R-9: manufactured by Toray Industries Co., Ltd.)
It was applied at 0 nm and baked (FIG. 1 (a)).
【００４０】次いで、ポジ型電子線レジスト４に所望の
パターンを電子線描画し、これを現像してレジストパタ
ーン４１を形成した。続けて、レジストパターン４１を
マスクにして、硝酸第二セリウムアンモニウムと過塩素
酸からなるエッチング液を用いて、遮光膜３をウエット
エッチングして、１回目の遮光膜パターン３１を形成し
た（図１（ｂ））。Next, a desired pattern was drawn by electron beam on the positive electron beam resist 4 and developed to form a resist pattern 41. Subsequently, using the resist pattern 41 as a mask, the light-shielding film 3 was wet-etched using an etching solution containing ceric ammonium nitrate and perchloric acid to form a first light-shielding film pattern 31 (FIG. 1). (B)).
【００４１】次に、レジストパターン４１及び１回目の
遮光膜パターン３１をマスクにして、エッチングガス：
ＣＦ4／Ｏ2の混合ガス、圧力：０．４Ｔｏｒｒ、ＲＦパ
ワー：１００Ｗの条件で、半透光膜２をドライエッチン
グして半透光膜パターン２１を形成した（図１
（ｃ））。Next, using the resist pattern 41 and the first light shielding film pattern 31 as a mask, an etching gas:
Under the conditions of a mixed gas of CF 4 / O 2 , pressure: 0.4 Torr, and RF power: 100 W, the semi-transparent film 2 was dry-etched to form a semi-transparent film pattern 21.
(C)).
【００４２】次に、レジストを剥離し、所定の洗浄を施
した後、欠陥検査を行った（図１（ｄ））。Next, after the resist was stripped and subjected to a predetermined cleaning, a defect inspection was performed (FIG. 1D).
【００４３】上記欠陥検査の結果、修正可能な欠落欠陥
（孤立白欠陥（ピンホール）８及びエッジにかかる白欠
陥９）が発見された（図３（ａ））。そこで、ＦＩＢ装
置により孤立白欠陥（ピンホール）８については通常の
Ｃｒフォトマスクを修正するのと同じようにおよそ３０
００オンク゛ストロームのカーボン膜８１を堆積させて修正し、
エッジにかかる白欠陥９についてはそのままとした（図
３（ｂ））。As a result of the defect inspection, repairable missing defects (isolated white defect (pinhole) 8 and white defect 9 on the edge) were found (FIG. 3A). Therefore, the isolated white defect (pinhole) 8 is removed by the FIB apparatus by about 30 in the same manner as when a normal Cr photomask is corrected.
Deposit and correct a 00 Å carbon film 81,
The white defect 9 on the edge was left as it is (FIG. 3B).
【００４４】上記部分修正後、ポジ型電子線レジスト
（ＥＢＲ−９：東レ社製）７をスピンコート法により膜
厚５００ｎｍで塗布してベークした（図３（ｃ））。After the partial modification, a positive electron beam resist (EBR-9: manufactured by Toray Industries, Inc.) 7 was applied to a thickness of 500 nm by spin coating and baked (FIG. 3C).
【００４５】次いで、ポジ型電子線レジスト７に所望の
パターンを電子線描画し、これを現像してレジストパタ
ーン７１を形成した。続けて、レジストパターン７１を
マスクにして、硝酸第二セリウムアンモニウムと過塩素
酸からなるエッチング液を用いて、遮光膜パターン３１
を再度ウエットエッチングして、２回目（最終形状）の
遮光膜パターン３２を形成した（図３（ｄ））。Next, a desired pattern was drawn on the positive electron beam resist 7 by electron beam, and developed to form a resist pattern 71. Subsequently, using the resist pattern 71 as a mask, a light-shielding film pattern 31 is formed using an etching solution containing ceric ammonium nitrate and perchloric acid.
Was again wet-etched to form a second (final shape) light-shielding film pattern 32 (FIG. 3D).
【００４６】最後に、レジストパターン７１を剥離し
て、所定の洗浄を施した後再度欠陥検査を行ったとこ
ろ、上記で既に検出されていたエッジにかかる白欠陥
９、及び遮光膜に隠れていたために検出していなかった
半透光膜パターン２１上の孤立白欠陥（ピンホール）１
０を検出した。そこで、ＦＩＢ装置により孤立白欠陥
（ピンホール）１０については通常のＣｒフォトマスク
を修正するのと同じようにおよそ３０００オンク゛ストロームの
カーボン膜１０１を堆積させて修正し、エッジにかかる
白欠陥９についても同様にカーボン膜９１を堆積させて
修正した。その結果、ウエハーへの転写上何ら問題なの
ない高品質のハーフトーン型位相シフトマスクを効率よ
く得ることができた（図３（ｅ））。Finally, the resist pattern 71 was peeled off, and after a predetermined cleaning, a defect inspection was performed again. As a result, the white defect 9 on the edge already detected above and the light-shielding film were hidden. White defect (pinhole) 1 on the semi-translucent film pattern 21 that has not been detected
0 was detected. Therefore, an isolated white defect (pinhole) 10 is corrected by depositing a carbon film 101 of about 3000 angstroms in the same way as a normal Cr photomask is corrected by the FIB apparatus, and the white defect 9 on the edge is also corrected. Similarly, the carbon film 91 was deposited and corrected. As a result, a high-quality halftone phase shift mask having no problem in transfer to a wafer was efficiently obtained (FIG. 3E).
【００４７】実施例４ 実施例４では、実施例２及び３と同様にして最後にレジ
ストパターンを剥離して所定の洗浄を施した後の最終的
なマスクについて欠陥検査を行ったところ、図４（ａ）
に示すように、半透光膜パターン２１上に余剰遮光膜欠
陥（孤立黒欠陥１１及びエッジにかかる黒欠陥１２）が
あった場合である。この場合、半透光膜パターン２１の
エッジにかかる黒欠陥１２についてはエッチング液をか
けてエッチングし、孤立黒欠陥１１についてはそのまま
とした。その結果、ウエハーへの転写上何ら問題なのな
い高品質のハーフトーン型位相シフトマスクを効率よく
得ることができた（図４（ｂ））。以上のように、本発
明では、工程途中に比較的単純な検査工程を付加するだ
けで、欠陥が発生した場合でも結果としてウエハーへの
転写上何ら問題なのない高品質のハーフトーン型位相シ
フトマスクを効率よく短時間で得ることができる。 Example 4 In Example 4, a defect inspection was performed on the final mask after the resist pattern was finally stripped and subjected to a predetermined cleaning in the same manner as in Examples 2 and 3. (A)
As shown in the figure, there is a case where there are surplus light-shielding film defects (isolated black defect 11 and black defect 12 on the edge) on the semi-translucent film pattern 21. In this case, the black defect 12 on the edge of the semi-translucent film pattern 21 was etched with an etchant, and the isolated black defect 11 was left as it was. As a result, a high-quality halftone type phase shift mask having no problem in transfer to a wafer could be efficiently obtained (FIG. 4B). As described above, according to the present invention, a high-quality halftone phase shift mask which does not cause any problem in transfer to a wafer as a result even when a defect occurs by merely adding a relatively simple inspection process in the process. Can be obtained efficiently in a short time.
【００４８】以上好ましい実施例をあげて本発明を説明
したが、本発明は必ずしも上記実施例に限定されるもの
ではない。Although the present invention has been described with reference to the preferred embodiments, the present invention is not necessarily limited to the above embodiments.
【００４９】例えば、パターンエッジにかかる欠落欠陥
については、ＦＩＢ（フォーカスイオンビーム）方式に
よって修正する方法に限定されず、例えば、欠落欠陥部
分以外の部分をレジスト等でマスキングし、欠落欠陥部
分にのみカーボン等の修正膜を堆積させる方法も可能で
ある。For example, the missing defect on the pattern edge is not limited to the method of correcting by the FIB (focus ion beam) method. For example, a portion other than the missing defect portion is masked with a resist or the like, and only the missing defect portion is masked. A method of depositing a correction film such as carbon is also possible.
【００５０】また、半透光膜は、モリブデン、シリコ
ン、酸素及び窒素からなるものに限定されず、例えば、
モリブデンとシリコンと酸素又は窒素とからなる半透光
膜や、タングステン、チタン、タンタル、クロムから選
ばれる金属とシリコンと酸素及び／又は窒素とからなる
半透光膜であってもよい。Further, the semi-transparent film is not limited to a film made of molybdenum, silicon, oxygen and nitrogen.
A semi-light-transmitting film made of molybdenum, silicon, and oxygen or nitrogen, or a semi-light-transmitting film made of metal selected from tungsten, titanium, tantalum, and chromium, silicon, and oxygen and / or nitrogen may be used.
【００５１】さらに、遮光膜は、クロムに限定されず、
例えば、クロムと酸素、窒素、炭素のうちから選ばれる
少なくとも一種とを含む材料や、アルミニウム、チタ
ン、タングステン、モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）
等の膜や、あるいはこれらに酸素、窒素、炭素のうちか
ら選ばれる少なくとも一種を含ませた材料からなるもの
であってもよい。Further, the light shielding film is not limited to chromium,
For example, a material containing chromium and at least one selected from oxygen, nitrogen, and carbon, aluminum, titanium, tungsten, molybdenum silicide (MoSi)
Or a material containing at least one selected from oxygen, nitrogen and carbon.
【００５２】[0052]
【発明の効果】以上説明したように本発明のハーフトー
ン型位相シフトマスクの製造方法によれば、製造上の無
駄が少なく、欠陥検査が容易かつ高精度に行え、欠陥修
正が容易かつ高精度に行うことができる。したがって、
高歩留まりで容易かつ安価にハーフトーン型位相シフト
マスクを製造できる。As described above, according to the method of manufacturing a halftone type phase shift mask of the present invention, there is little waste in manufacturing, defect inspection can be performed easily and with high precision, and defect correction can be performed easily and with high precision. Can be done. Therefore,
A halftone phase shift mask can be manufactured easily and inexpensively with a high yield.
【図１】本発明の実施例１にかかるハーフトーン型位相
シフトマスクの製造工程を説明するための図である。FIG. 1 is a diagram for explaining a manufacturing process of a halftone type phase shift mask according to Example 1 of the present invention.
【図２】本発明の実施例２にかかるハーフトーン型位相
シフトマスクの製造工程を説明するための図である。FIG. 2 is a diagram for explaining a manufacturing process of a halftone type phase shift mask according to Example 2 of the present invention.
【図３】本発明の実施例３にかかるハーフトーン型位相
シフトマスクの製造工程を説明するための図である。FIG. 3 is a diagram for explaining a manufacturing process of a halftone type phase shift mask according to Example 3 of the present invention.
【図４】本発明の実施例４にかかるハーフトーン型位相
シフトマスクの製造工程を説明するための図である。FIG. 4 is a diagram for explaining a manufacturing process of a halftone type phase shift mask according to Example 4 of the present invention.
【図５】従来例１にかかるハーフトーン型位相シフトマ
スクの製造工程を説明するための図である。FIG. 5 is a diagram for explaining a manufacturing process of the halftone phase shift mask according to Conventional Example 1.
【図６】従来例２にかかるハーフトーン型位相シフトマ
スクの製造工程を説明するための図である。FIG. 6 is a diagram for explaining a manufacturing process of a halftone phase shift mask according to Conventional Example 2.
１ 透明基板 ２ 半透光膜 ３ 遮光膜 ４ レジスト ５ 孤立黒欠陥 ６ エッジにかかる黒欠陥 ７ レジスト ８ 孤立白欠陥（ピンホール） ９ エッジにかかる白欠陥 １０ 半透光膜の孤立白欠陥（ピンホール） １１ 遮光膜パターン上の孤立黒欠陥 １２ 遮光膜パターンのエッジにかかる黒欠陥 ２１ 半透光膜パターン ３１ 遮光膜パターン ３２ 最終形状の遮光膜パターン ４１ レジストパターン ７１ レジストパターン REFERENCE SIGNS LIST 1 transparent substrate 2 semi-transparent film 3 light-shielding film 4 resist 5 isolated black defect 6 black defect on edge 7 resist 8 isolated white defect (pinhole) 9 white defect on edge 10 isolated white defect (pin) Hole) 11 Isolated black defect on light-shielding film pattern 12 Black defect on edge of light-shielding film pattern 21 Semi-transparent film pattern 31 Light-shielding film pattern 32 Light-shielding film pattern in final shape 41 Resist pattern 71 Resist pattern
Claims (4)
ーンを有するハーフトーン型位相シフトマスクの製造方
法において、 透明基板上に半透光膜、遮光膜を順次形成し、さらに遮
光膜上にレジストパターンを形成する工程と、 前記レジストパターンをマスクにして前記遮光膜をエッ
チングし、遮光膜パターンを形成する工程と、 前記レジストパターン及び遮光膜パターンをマスクにし
て前記半透光膜をエッチングし、半透光膜パターンを形
成する工程と、 少なくとも前記遮光膜パターンをもとに、欠陥検査を行
う工程と、 前記遮光膜パターン上にレジストパターンを形成し、そ
のレジストパターンをマスクにして前記遮光膜パターン
をエッチングすることにより、最終形状の遮光膜パター
ンを形成する工程と、を有することを特徴とするハーフ
トーン型位相シフトマスクの製造方法。1. A method of manufacturing a halftone type phase shift mask having a pattern of a semi-transparent film and a light-shielding film on a transparent substrate, comprising: forming a semi-transparent film and a light-shielding film on a transparent substrate in order; Forming a resist pattern thereon; etching the light-shielding film using the resist pattern as a mask to form a light-shielding film pattern; forming the semi-transparent film using the resist pattern and the light-shielding film pattern as a mask. Etching, forming a semi-transparent film pattern, at least based on the light-shielding film pattern, performing a defect inspection, forming a resist pattern on the light-shielding film pattern, using the resist pattern as a mask Forming a light-shielding film pattern having a final shape by etching the light-shielding film pattern. Method for producing Futon phase shift mask.
ターンを剥離し、洗浄工程の後に行うことを特徴とする
請求項１記載のハーフトーン型位相シフトマスクの製造
方法。2. The method of manufacturing a halftone phase shift mask according to claim 1, wherein the step of performing the defect inspection is performed after a resist pattern is peeled off and after a cleaning step.
可能な欠落欠陥又は余剰欠陥があった場合、余剰欠陥に
ついてはその場で修正し、孤立した欠落欠陥についても
その場で修正し、パターンエッジにかかる欠落欠陥につ
いては最終工程において修正することを特徴とする請求
項１又は２記載のハーフトーン型位相シフトマスクの製
造方法。3. In the step of performing the defect inspection, if there is a correctable missing defect or a surplus defect, the surplus defect is corrected on the spot, and the isolated missing defect is corrected on the spot. 3. The method according to claim 1, wherein the missing defect is corrected in a final step.
れた半透光膜上に残った余剰な遮光膜欠陥を、遮光膜パ
ターンのエッジにかかるものはエッチングにより修正
し、その他の欠陥はそのままとすることを特徴とする請
求項１乃至３記載のハーフトーン型位相シフトマスクの
製造方法。4. Excessive light-shielding film defects remaining on the semi-light-transmitting film detected in the defect inspection after completion of the mask are corrected by etching the edge of the light-shielding film pattern, and other defects are left as they are. 4. The method of manufacturing a halftone phase shift mask according to claim 1, wherein:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20992997A JP3630929B2 (en) | 1997-07-18 | 1997-07-18 | Method for manufacturing halftone phase shift mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20992997A JP3630929B2 (en) | 1997-07-18 | 1997-07-18 | Method for manufacturing halftone phase shift mask |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1138594A true JPH1138594A (en) | 1999-02-12 |
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