JPH11354973A - 電磁波吸収体 - Google Patents
電磁波吸収体Info
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- JPH11354973A JPH11354973A JP15509798A JP15509798A JPH11354973A JP H11354973 A JPH11354973 A JP H11354973A JP 15509798 A JP15509798 A JP 15509798A JP 15509798 A JP15509798 A JP 15509798A JP H11354973 A JPH11354973 A JP H11354973A
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- mhz
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 製造することの容易なＦｅ基のナノ結晶軟磁
性体材料を用いて作った低い周波数から高い周波数まで
電波吸収効率の高い大きい電磁波吸収体を提供する。 【解決手段】 扁平状ナノ結晶軟磁性体粉末をそれを結
合させている樹脂中に５０〜１０００ｐｈｒ含まれてお
り、複素透磁率の虚数部μ″が１０ＭＨｚの周波数で
１．５以上であり、３０ＭＨｚから１ＧＨｚの周波数で
４以上の扁平状ナノ結晶軟磁性体粉末を含む電磁波吸収
体である。
性体材料を用いて作った低い周波数から高い周波数まで
電波吸収効率の高い大きい電磁波吸収体を提供する。 【解決手段】 扁平状ナノ結晶軟磁性体粉末をそれを結
合させている樹脂中に５０〜１０００ｐｈｒ含まれてお
り、複素透磁率の虚数部μ″が１０ＭＨｚの周波数で
１．５以上であり、３０ＭＨｚから１ＧＨｚの周波数で
４以上の扁平状ナノ結晶軟磁性体粉末を含む電磁波吸収
体である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、不要電磁波ノイズ
の干渉によって起こる電磁波障害を抑制するために、Ｍ
Ｈｚ帯からＧＨｚ帯までの広い周波数帯域において電波
吸収効果の大きい電磁波吸収体に関するものである。
の干渉によって起こる電磁波障害を抑制するために、Ｍ
Ｈｚ帯からＧＨｚ帯までの広い周波数帯域において電波
吸収効果の大きい電磁波吸収体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年パソコンや移動体通信を始めとする
各種デジタル・アナログ電子機器の小型化・高性能化に
伴う駆動周波数の高周波化が急速に進展しており、この
ような高周波を利用した機器の普及はますます拡大する
傾向にある。なかでもマイクロ波帯域の電波を利用する
衛星通信、移動体通信機器、カーナビゲーション機器な
どの普及にはめざましいものがある。これに伴い、これ
らの機器が発する電磁波ノイズによる電磁環境問題が深
刻化している。
各種デジタル・アナログ電子機器の小型化・高性能化に
伴う駆動周波数の高周波化が急速に進展しており、この
ような高周波を利用した機器の普及はますます拡大する
傾向にある。なかでもマイクロ波帯域の電波を利用する
衛星通信、移動体通信機器、カーナビゲーション機器な
どの普及にはめざましいものがある。これに伴い、これ
らの機器が発する電磁波ノイズによる電磁環境問題が深
刻化している。
【０００３】電磁波障害を抑制するやり方を大きく分け
ると、電磁波を反射させる方法と、電磁波を吸収させる
方法に分けられる。電磁波を反射させる方法は、保護し
ようとする機器に進入する電磁波を遮蔽材料で反射して
遮断するものである。このような遮蔽材料としては高導
電率を持った導電性材料、例えば、アルミニウム板、銅
板、導電性プラスチックなどが適している。しかし、電
磁波を反射させる方法では、反射した電磁波による二次
障害が少なからず発生している。
ると、電磁波を反射させる方法と、電磁波を吸収させる
方法に分けられる。電磁波を反射させる方法は、保護し
ようとする機器に進入する電磁波を遮蔽材料で反射して
遮断するものである。このような遮蔽材料としては高導
電率を持った導電性材料、例えば、アルミニウム板、銅
板、導電性プラスチックなどが適している。しかし、電
磁波を反射させる方法では、反射した電磁波による二次
障害が少なからず発生している。
【０００４】一方、電磁波を吸収させる方法は主として
電磁波を吸収材料で吸収し、熱エネルギーに変換するも
のがある。この方法は抜本的なノイズ対策法として有効
である。このような吸収材料としては磁気損失の大きい
磁性材料が要求され、例えば、フェライトなどが用いら
れている。
電磁波を吸収材料で吸収し、熱エネルギーに変換するも
のがある。この方法は抜本的なノイズ対策法として有効
である。このような吸収材料としては磁気損失の大きい
磁性材料が要求され、例えば、フェライトなどが用いら
れている。
【０００５】最近、電磁波吸収効果の大きな材料とし
て、扁平状Fe-Si-Al合金の粉末とポリマーとの複合体
を、吉田栄吉他が「偏平状Fe-Si-Al合金粉末・ポリマー
複合体の透磁率と電磁干渉抑制効果」(Tokin Technical
Review 平成８年１１月 第２３号 p.93) に報告して
いる。
て、扁平状Fe-Si-Al合金の粉末とポリマーとの複合体
を、吉田栄吉他が「偏平状Fe-Si-Al合金粉末・ポリマー
複合体の透磁率と電磁干渉抑制効果」(Tokin Technical
Review 平成８年１１月 第２３号 p.93) に報告して
いる。
【０００６】それによると、センダストの中心組成から
Ｆｅ濃度を下げた9.8wt.%Si-6wt.%Al-bal.Feの組成のも
のの水アトマイズによる合金粉末を用いて、アトライタ
（メディア攪拌型粉砕器）で摩砕処理を行い扁平状の粉
末を得た。その粉末を分級処理により４００メッシュ以
下（３２μｍ以下）の微細な粉末を除いた後、６５０℃
で２時間焼鈍処理をした。この扁平状粉末とポリマーを
混合し、有機溶剤とともに混練し、スラリー化した後、
ドクターブレード法により塗工と乾燥を繰り返して試料
を得ている。この試料の電磁波吸収能を示す複素透磁率
の虚数部μ″と周波数の関係によれば、数ＭＨｚから１
ＧＨｚの帯域でのμ″が１０を超えているというもので
ある。
Ｆｅ濃度を下げた9.8wt.%Si-6wt.%Al-bal.Feの組成のも
のの水アトマイズによる合金粉末を用いて、アトライタ
（メディア攪拌型粉砕器）で摩砕処理を行い扁平状の粉
末を得た。その粉末を分級処理により４００メッシュ以
下（３２μｍ以下）の微細な粉末を除いた後、６５０℃
で２時間焼鈍処理をした。この扁平状粉末とポリマーを
混合し、有機溶剤とともに混練し、スラリー化した後、
ドクターブレード法により塗工と乾燥を繰り返して試料
を得ている。この試料の電磁波吸収能を示す複素透磁率
の虚数部μ″と周波数の関係によれば、数ＭＨｚから１
ＧＨｚの帯域でのμ″が１０を超えているというもので
ある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した方法
では、電磁波吸収効果を得るためには、センダスト粉末
をアトライタで摩砕処理して得られた扁平状の粉末のう
ち、細粒の粉末を除去する分級処理を行なう必要があ
り、生産性が低くなってしまうという問題があった。
では、電磁波吸収効果を得るためには、センダスト粉末
をアトライタで摩砕処理して得られた扁平状の粉末のう
ち、細粒の粉末を除去する分級処理を行なう必要があ
り、生産性が低くなってしまうという問題があった。
【０００８】本発明の目的は、特別の分級処理を行った
粉末を用いなくても、特に３０ＭＨｚ〜１ＧＨｚにおい
て優れた電波吸収能を発揮できる電磁波吸収体を提供す
ることである。
粉末を用いなくても、特に３０ＭＨｚ〜１ＧＨｚにおい
て優れた電波吸収能を発揮できる電磁波吸収体を提供す
ることである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、ナノ結晶軟磁
性体を粉末として得たものを樹脂と複合することによっ
て、広帯域における電波吸収特性に優れているという知
見を得たことに基づいて完成したものである。
性体を粉末として得たものを樹脂と複合することによっ
て、広帯域における電波吸収特性に優れているという知
見を得たことに基づいて完成したものである。
【００１０】すなわち、本発明の電磁波吸収体は、Ｆｅ
基扁平状ナノ結晶軟磁性体粉末をそれを結合させている
樹脂中に５０〜１０００ｐｈｒ含まれており、複素透磁
率の虚数部μ″が１０ＭＨｚの周波数で１．５以上であ
り、３０ＭＨｚから１ＧＨｚの周波数で４以上であるこ
とを特徴としている。
基扁平状ナノ結晶軟磁性体粉末をそれを結合させている
樹脂中に５０〜１０００ｐｈｒ含まれており、複素透磁
率の虚数部μ″が１０ＭＨｚの周波数で１．５以上であ
り、３０ＭＨｚから１ＧＨｚの周波数で４以上であるこ
とを特徴としている。
【００１１】電波波吸収能は透磁率を複素透磁率μ＝
μ' −ｊμ" で表した時の磁気損失項である虚数部μ"
によって評価することができる。すなわち、μ" が大き
い方が、電磁波（ノイズ）を熱エネルギーに変換して吸
収する能力が高いことを意味する。本発明に係わる複素
透磁率の虚数部μ" は１０ＭＨｚの低周波であっても
１．５以上、３０ＭＨｚから１ＧＨｚの高周波では、４
以上という優れた電波吸収能を実現できたものである。
μ' −ｊμ" で表した時の磁気損失項である虚数部μ"
によって評価することができる。すなわち、μ" が大き
い方が、電磁波（ノイズ）を熱エネルギーに変換して吸
収する能力が高いことを意味する。本発明に係わる複素
透磁率の虚数部μ" は１０ＭＨｚの低周波であっても
１．５以上、３０ＭＨｚから１ＧＨｚの高周波では、４
以上という優れた電波吸収能を実現できたものである。
【００１２】ここで、扁平状ナノ結晶軟磁性体粉末が樹
脂中に１００〜７００ｐｈｒ含まれていることが好まし
い。また、扁平状ナノ結晶軟磁性体粉末の形状として
は、厚みが３μｍ以下であり、その粒径の平均値は２０
〜５０μｍであることが好ましい。
脂中に１００〜７００ｐｈｒ含まれていることが好まし
い。また、扁平状ナノ結晶軟磁性体粉末の形状として
は、厚みが３μｍ以下であり、その粒径の平均値は２０
〜５０μｍであることが好ましい。
【００１３】本発明に用いているＦｅ基扁平状ナノ結晶
軟磁性体粉末について以下説明する。
軟磁性体粉末について以下説明する。
【００１４】Ｆｅ基ナノ結晶軟磁性材料とは、特公平4-
4393号公報などに記載されている、組織の少なくとも５
０％が、ナノオーダー、即ち１０００ｎｍ未満のbcc-Fe
構造の結晶粒で構成された材料である。
4393号公報などに記載されている、組織の少なくとも５
０％が、ナノオーダー、即ち１０００ｎｍ未満のbcc-Fe
構造の結晶粒で構成された材料である。
【００１５】本発明に用いている磁性体粉末は扁平状で
あることが必須である。扁平粉の厚みに対する長径の比
をアスペクト比（長径／厚み）というが、ここで扁平状
の粉末のアスペクト比は２０以上であることが望まし
い。扁平状にすることによって、粉末の異方性磁界が大
きくなり高周波数領域まで、その電磁波吸収能力を高め
ることができる。
あることが必須である。扁平粉の厚みに対する長径の比
をアスペクト比（長径／厚み）というが、ここで扁平状
の粉末のアスペクト比は２０以上であることが望まし
い。扁平状にすることによって、粉末の異方性磁界が大
きくなり高周波数領域まで、その電磁波吸収能力を高め
ることができる。
【００１６】扁平粉の平均粒度を２０〜５０μｍとして
いるのは、２０μｍ未満では粉末の反磁界が大きくなり
透磁率μが小さくなって、ひいては虚数部μ″も小さく
なるためであり、５０μｍを超えると誘電率εが大とな
って、吸収特性が劣化するためである。
いるのは、２０μｍ未満では粉末の反磁界が大きくなり
透磁率μが小さくなって、ひいては虚数部μ″も小さく
なるためであり、５０μｍを超えると誘電率εが大とな
って、吸収特性が劣化するためである。
【００１７】本発明においては、扁平状ナノ結晶軟磁性
体粉末を樹脂中に５０〜１０００ｐｈｒ、好ましくは１
００〜７００ｐｈｒ、混合させている。ここで用いる樹
脂としては、本発明の電磁波吸収体の用途に適した性質
を持ったものを選択することができる。電磁波吸収体を
板状にする場合や射出成形する場合には、ドクターブレ
ード法、カレンダーロール法、射出成形法に適した樹
脂、例えばポリエチレン、ポリプロピレンなどのポリオ
レフィン、ビニル系の樹脂、酢酸基を持った樹脂や、こ
れらの共重合体、ポリエチレンテレフタレートなどのポ
リエステルなどを用いることができる。また、カレンダ
ーロール法や加圧成形法に適用する場合には、ナイロ
ン、合成ゴムなどを用いることができる。
体粉末を樹脂中に５０〜１０００ｐｈｒ、好ましくは１
００〜７００ｐｈｒ、混合させている。ここで用いる樹
脂としては、本発明の電磁波吸収体の用途に適した性質
を持ったものを選択することができる。電磁波吸収体を
板状にする場合や射出成形する場合には、ドクターブレ
ード法、カレンダーロール法、射出成形法に適した樹
脂、例えばポリエチレン、ポリプロピレンなどのポリオ
レフィン、ビニル系の樹脂、酢酸基を持った樹脂や、こ
れらの共重合体、ポリエチレンテレフタレートなどのポ
リエステルなどを用いることができる。また、カレンダ
ーロール法や加圧成形法に適用する場合には、ナイロ
ン、合成ゴムなどを用いることができる。
【００１８】ポリマーの種類によっては架橋剤を添加す
ることができる。しかし、樹脂としての重要な性質は、
扁平状ナノ結晶軟磁性体粉末を保持し、その酸化を防止
することと、粉末粒子間を電気的に絶縁することであ
る。
ることができる。しかし、樹脂としての重要な性質は、
扁平状ナノ結晶軟磁性体粉末を保持し、その酸化を防止
することと、粉末粒子間を電気的に絶縁することであ
る。
【００１９】粉末粒子間を電気的に絶縁することは電波
吸収特性を十分に発揮させる上で重要なことである。粉
末粒子間の絶縁が悪くなると、導電性のシートの如き性
質を呈し、電磁波を反射するようになる。こうなると、
電波吸収特性が劣ってくることになる。
吸収特性を十分に発揮させる上で重要なことである。粉
末粒子間の絶縁が悪くなると、導電性のシートの如き性
質を呈し、電磁波を反射するようになる。こうなると、
電波吸収特性が劣ってくることになる。
【００２０】扁平状ナノ結晶軟磁性体粉末を樹脂中に５
０〜１０００ｐｈｒ、好ましくは１００〜７００ｐｈ
ｒ、混合させているが、ここでｐｈｒはparts per hund
red rubberの略で、ポリマー１００重量部に対しての粉
末添加量を重量比で表したものである。磁性体粉末の添
加量が５０ｐｈｒよりも少ないと、１０ＭＨｚにおける
複素透磁率の虚数部μ″がきわめて小さくなるので、低
周波における電波吸収特性が悪くなる。磁性体粉末の添
加量が増えるに従ってμ″が大きくなっていくが、１０
００ｐｈｒを超えると磁性体粉末間の絶縁が悪くなり、
誘電率εがあまりにも大きくなって、透磁率と誘電率の
バランスが崩れて電波吸収特性が悪くなる。好ましい添
加量である１００〜７００ｐｈｒでは、μ″が１０ＭＨ
ｚにおいても十分に高く、製造時の混練なども容易とな
る。
０〜１０００ｐｈｒ、好ましくは１００〜７００ｐｈ
ｒ、混合させているが、ここでｐｈｒはparts per hund
red rubberの略で、ポリマー１００重量部に対しての粉
末添加量を重量比で表したものである。磁性体粉末の添
加量が５０ｐｈｒよりも少ないと、１０ＭＨｚにおける
複素透磁率の虚数部μ″がきわめて小さくなるので、低
周波における電波吸収特性が悪くなる。磁性体粉末の添
加量が増えるに従ってμ″が大きくなっていくが、１０
００ｐｈｒを超えると磁性体粉末間の絶縁が悪くなり、
誘電率εがあまりにも大きくなって、透磁率と誘電率の
バランスが崩れて電波吸収特性が悪くなる。好ましい添
加量である１００〜７００ｐｈｒでは、μ″が１０ＭＨ
ｚにおいても十分に高く、製造時の混練なども容易とな
る。
【００２１】
【発明の実施の形態】本発明に用いているナノ結晶軟磁
性体粉末は、基本的には一般式： (Fe1-aM a )100-x-y-z-u-v-wCux Siy B z M ′u M ″v
X w （原子％） ただし、M は、Coおよび/ またはNi、M ′は、Nb, W, T
a, Zr, Hf, Ti および Mo からなる群から選ばれた少な
くとも１種の元素、M ″は、V, Cr, Mn, Al,白金属元
素、Sc, Y,希土類元素, Au, Zn, Reからなる群から選ば
れた少なくとも１種の元素、X は、C, Ge, P, Ga, Sb,
In, Be, Asからなる群から選ばれた少なくとも１種の元
素、a, x, y, z, u, vおよび wはそれぞれ 0 ≦ a≦ 0.5 0 ≦ x≦ 3 0 ≦ y≦ 30 0 ≦ z≦ 25 0.1 ≦ u≦ 30 0 ≦ v≦ 10 0 ≦ w≦ 10 および0 ≦ y + z≦ 35 を満たす、により表される組成
を有し、その組織の少なくとも５０％が微細な結晶粒か
らなり、その結晶粒の平均結晶粒度が５０ｎｍ以下であ
る。
性体粉末は、基本的には一般式： (Fe1-aM a )100-x-y-z-u-v-wCux Siy B z M ′u M ″v
X w （原子％） ただし、M は、Coおよび/ またはNi、M ′は、Nb, W, T
a, Zr, Hf, Ti および Mo からなる群から選ばれた少な
くとも１種の元素、M ″は、V, Cr, Mn, Al,白金属元
素、Sc, Y,希土類元素, Au, Zn, Reからなる群から選ば
れた少なくとも１種の元素、X は、C, Ge, P, Ga, Sb,
In, Be, Asからなる群から選ばれた少なくとも１種の元
素、a, x, y, z, u, vおよび wはそれぞれ 0 ≦ a≦ 0.5 0 ≦ x≦ 3 0 ≦ y≦ 30 0 ≦ z≦ 25 0.1 ≦ u≦ 30 0 ≦ v≦ 10 0 ≦ w≦ 10 および0 ≦ y + z≦ 35 を満たす、により表される組成
を有し、その組織の少なくとも５０％が微細な結晶粒か
らなり、その結晶粒の平均結晶粒度が５０ｎｍ以下であ
る。
【００２２】ナノ結晶軟磁性体粉末の組成の限定理由に
ついて述べる。
ついて述べる。
【００２３】（１） Fe及び M(Co および/ またはNi) Feは、この軟磁性体粉末の主成分であり、５０ｎｍ以下
の平均結晶粒度を有する微細な結晶粒はα-Fe を主体と
するもので、SiやB などが固溶していると考えられる。
Feを主成分とすることにより、優れた軟磁気特性を呈
し、複素透磁率の虚数部μ″が大となる。Feの一部はCo
および/ またはNiであるM により置換することが出来
る。M の含有量a は、0 ≦ a≦ 0.5であるが。、好まし
くは0 ≦ a≦0.3である。a が0.3 を超えると、軟磁気
特性が劣化する場合がある。 （２） Cu Cuは必須元素であり、その含有量x は0.1 〜3 原子 %の
範囲である。0.1 原子% よりも少ないと Cu の添加によ
る透磁率μの改善効果がほとんどなく、一方3原子 %よ
りも多いと透磁率μが未添加のものより悪くなることが
あり好ましくない。特に好ましいCuの含有量x は0.5 〜
2 原子 %であり、この範囲で特に透磁率μが良好であ
る。
の平均結晶粒度を有する微細な結晶粒はα-Fe を主体と
するもので、SiやB などが固溶していると考えられる。
Feを主成分とすることにより、優れた軟磁気特性を呈
し、複素透磁率の虚数部μ″が大となる。Feの一部はCo
および/ またはNiであるM により置換することが出来
る。M の含有量a は、0 ≦ a≦ 0.5であるが。、好まし
くは0 ≦ a≦0.3である。a が0.3 を超えると、軟磁気
特性が劣化する場合がある。 （２） Cu Cuは必須元素であり、その含有量x は0.1 〜3 原子 %の
範囲である。0.1 原子% よりも少ないと Cu の添加によ
る透磁率μの改善効果がほとんどなく、一方3原子 %よ
りも多いと透磁率μが未添加のものより悪くなることが
あり好ましくない。特に好ましいCuの含有量x は0.5 〜
2 原子 %であり、この範囲で特に透磁率μが良好であ
る。
【００２４】Cu添加により結晶核が多数できることと結
晶粒が成長しにくいために、結晶粒微細化が起こると考
えられるが、この作用はNb, W, Ta, Zr, Hf, Ti および
Moの存在により特に著しくなると考えられる。
晶粒が成長しにくいために、結晶粒微細化が起こると考
えられるが、この作用はNb, W, Ta, Zr, Hf, Ti および
Moの存在により特に著しくなると考えられる。
【００２５】Nb, W, Ta, Zr, Hf, Ti および Mo が存在
しない場合は、結晶粒はあまり微細化されずμも低い。
Nbおよび Mo は特に効果が大きいが、これらのなかでNb
は特に結晶粒を細かくし、高透磁率となる。
しない場合は、結晶粒はあまり微細化されずμも低い。
Nbおよび Mo は特に効果が大きいが、これらのなかでNb
は特に結晶粒を細かくし、高透磁率となる。
【００２６】（３） SiおよびB SiおよびB は合金を超急冷した際にアモルファス化する
のに有効なものである。ナノ結晶を成長するには、一度
アモルファス化した後で熱処理により微細結晶粒を形成
することにより得られる。SiおよびB の含有量y および
z は、y が30原子% 以下、z が25原子% 以下、y+z が35
原子% 以下でないと、透磁率μが著しく低くなる。
のに有効なものである。ナノ結晶を成長するには、一度
アモルファス化した後で熱処理により微細結晶粒を形成
することにより得られる。SiおよびB の含有量y および
z は、y が30原子% 以下、z が25原子% 以下、y+z が35
原子% 以下でないと、透磁率μが著しく低くなる。
【００２７】（４） M ′(Nb, W, Ta, Zr, Hf, Tiおよ
び Mo) Nb, W, Ta, Zr, Hf, Ti および Mo からなる群から選ば
れた少なくとも１種の元素M ′は、Cuとの複合添加によ
り析出する結晶粒を微細化する。M ′の含有量u は0.1
〜30原子 %であり、0.1 原子 %未満だと結晶粒微細化の
効果が不十分であり、30原子 %を超えると透磁率μの著
しい低下を招く。好ましいM ′の含有量u は2 〜8 原子
%である。なお、M ′としてNbが最も好ましい。 （５） M ″(V, Cr, Mn, Al, 白金属元素、Sc, Y,希土
類元素, Au, Zn, Re) これらの元素は耐食性を改善したり、磁気特性を改善す
る、また磁歪を調整する、等の効果を有する。その含有
量は多くとも10原子 %である。含有量が10原子%を超え
ると著しく磁気特性を低下させる。特に好ましい含有量
は8 原子 %以下である。これらの元素の内で、Ru, Rh,
Pd, Os, Ir, Pt, Au, Cr, V は特に耐食性と耐摩耗性を
改善する。
び Mo) Nb, W, Ta, Zr, Hf, Ti および Mo からなる群から選ば
れた少なくとも１種の元素M ′は、Cuとの複合添加によ
り析出する結晶粒を微細化する。M ′の含有量u は0.1
〜30原子 %であり、0.1 原子 %未満だと結晶粒微細化の
効果が不十分であり、30原子 %を超えると透磁率μの著
しい低下を招く。好ましいM ′の含有量u は2 〜8 原子
%である。なお、M ′としてNbが最も好ましい。 （５） M ″(V, Cr, Mn, Al, 白金属元素、Sc, Y,希土
類元素, Au, Zn, Re) これらの元素は耐食性を改善したり、磁気特性を改善す
る、また磁歪を調整する、等の効果を有する。その含有
量は多くとも10原子 %である。含有量が10原子%を超え
ると著しく磁気特性を低下させる。特に好ましい含有量
は8 原子 %以下である。これらの元素の内で、Ru, Rh,
Pd, Os, Ir, Pt, Au, Cr, V は特に耐食性と耐摩耗性を
改善する。
【００２８】（６） X(C, Ge, P, Ga, Sb, In, Be, A
s) これらの元素はアモルファス化に有効な元素であり、S
i、B と共に添加することにより、アモルファス化を助
けると共に、磁歪やキュリー温度を上げる効果がある。
これらの元素のうち少なくとも１種を１０原子% 以下含
むことができる。このナノ結晶軟磁性体粉末は、以下の
ようにして製造することができる。すなわち、上で述べ
た組成の合金溶湯を超急冷してアモルファス合金粉末と
して、粉末を扁平状に微細化する。その上で、この粉末
を結晶化温度よりも高い温度に加熱し、組織の少なくと
も５０％を５０ｎｍ以下の平均結晶粒度とする熱処理を
施す。
s) これらの元素はアモルファス化に有効な元素であり、S
i、B と共に添加することにより、アモルファス化を助
けると共に、磁歪やキュリー温度を上げる効果がある。
これらの元素のうち少なくとも１種を１０原子% 以下含
むことができる。このナノ結晶軟磁性体粉末は、以下の
ようにして製造することができる。すなわち、上で述べ
た組成の合金溶湯を超急冷してアモルファス合金粉末と
して、粉末を扁平状に微細化する。その上で、この粉末
を結晶化温度よりも高い温度に加熱し、組織の少なくと
も５０％を５０ｎｍ以下の平均結晶粒度とする熱処理を
施す。
【００２９】この超急冷法としては水アトマイズ法が適
している。水アトマイズ法によりきわめて薄い薄片が得
られると共に、その表面が乱れた不規則形状となってい
て、十分に冷却され、形状的に粉砕しやすいものとな
る。
している。水アトマイズ法によりきわめて薄い薄片が得
られると共に、その表面が乱れた不規則形状となってい
て、十分に冷却され、形状的に粉砕しやすいものとな
る。
【００３０】このようにして、３μｍ以下の厚さをし、
その平均粒径が２０〜５０μｍになった扁平状ナノ結晶
軟磁性体粉末が得られる。この軟磁性体粉末を５０〜１
０００ｐｈｒ含むように樹脂と混合して、本発明の電磁
波吸収体を作製する。
その平均粒径が２０〜５０μｍになった扁平状ナノ結晶
軟磁性体粉末が得られる。この軟磁性体粉末を５０〜１
０００ｐｈｒ含むように樹脂と混合して、本発明の電磁
波吸収体を作製する。
【００３１】
【実施例】（実施例１）母合金を大気中で溶解した後、
1500℃の溶湯を高圧の水アトマイズ法によりFe 73.5Cu1N
b3Si13.5B9（原子％）の組成を有する平均粒径４０μ
ｍ、厚さ１μｍのアモルファス合金粉末を作製し、この
アモルファス合金粉末を窒素ガス雰囲気中５５０℃で１
時間熱処理して、結晶粒径１０ｎｍの微細な組織を有す
るナノ結晶軟磁性体粉末を得た。
1500℃の溶湯を高圧の水アトマイズ法によりFe 73.5Cu1N
b3Si13.5B9（原子％）の組成を有する平均粒径４０μ
ｍ、厚さ１μｍのアモルファス合金粉末を作製し、この
アモルファス合金粉末を窒素ガス雰囲気中５５０℃で１
時間熱処理して、結晶粒径１０ｎｍの微細な組織を有す
るナノ結晶軟磁性体粉末を得た。
【００３２】トルエンに飽和ポリエステル樹脂を溶解し
た後、このナノ結晶軟磁性体粉末を２００ｐｈｒとなる
ように添加し、また架橋剤（イソシアネート化合物）を
配合し、カレンダーロールで成膜し、１５０℃で３０分
間加熱してウレタン化して、電磁波吸収体（シート）を
得た。
た後、このナノ結晶軟磁性体粉末を２００ｐｈｒとなる
ように添加し、また架橋剤（イソシアネート化合物）を
配合し、カレンダーロールで成膜し、１５０℃で３０分
間加熱してウレタン化して、電磁波吸収体（シート）を
得た。
【００３３】この電磁波吸収シートの複素透磁率をヒュ
ーレットパッカード製ネットワークアナライザーで測定
したところ、図１に示すような複素透磁率の実数部μ'
、虚数部μ" の値であった。
ーレットパッカード製ネットワークアナライザーで測定
したところ、図１に示すような複素透磁率の実数部μ'
、虚数部μ" の値であった。
【００３４】図１から明らかなように、複素透磁率の実
数部μ' は、１ＭＨｚから１ＧＨｚまでほぼ１０を超え
ている。また、その虚数部μ" は立ち上がりが急峻で、
１０ＭＨｚでは２を超えていて、３０ＨＭＨｚから１０
０ＭＨｚにかけて、ほぼ５であり、そこから徐々に上が
っていって１ＧＨｚでは１０を超えている。すなわち、
１０ＭＨｚから数ＧＨｚまで電波吸収特性が優れている
ことがわかる。
数部μ' は、１ＭＨｚから１ＧＨｚまでほぼ１０を超え
ている。また、その虚数部μ" は立ち上がりが急峻で、
１０ＭＨｚでは２を超えていて、３０ＨＭＨｚから１０
０ＭＨｚにかけて、ほぼ５であり、そこから徐々に上が
っていって１ＧＨｚでは１０を超えている。すなわち、
１０ＭＨｚから数ＧＨｚまで電波吸収特性が優れている
ことがわかる。
【００３５】（実施例２）実施例１で得たナノ結晶軟磁
性体粉末を用いて、その軟磁性体粉末の添加量を５０〜
５００ｐｈｒと変えて、電磁波吸収体（シート）を作製
した。この電磁波吸収シートの複素透磁率の虚数部μ"
を周波数をパラメータとして図２に示すように、１０Ｍ
Ｈｚではいずれも１．５以上となっており、また３０Ｍ
Ｈｚから１ＧＨｚの周波数では４以上であった。
性体粉末を用いて、その軟磁性体粉末の添加量を５０〜
５００ｐｈｒと変えて、電磁波吸収体（シート）を作製
した。この電磁波吸収シートの複素透磁率の虚数部μ"
を周波数をパラメータとして図２に示すように、１０Ｍ
Ｈｚではいずれも１．５以上となっており、また３０Ｍ
Ｈｚから１ＧＨｚの周波数では４以上であった。
【００３６】この例に示すように、ナノ結晶軟磁性体粉
末の添加量が多くなると、虚数部μ" が大きくなって優
れた電波吸収特性を示す。
末の添加量が多くなると、虚数部μ" が大きくなって優
れた電波吸収特性を示す。
【００３７】
【発明の効果】本発明の電磁波吸収体は、低周波数から
高周波数までの広い周波数帯域、特に３０ＭＨｚ以下の
低周波で電波吸収特性に優れており、広い周波数帯域の
不要電磁波ノイズに対する電磁波障害の低減にとって極
めて有効である。
高周波数までの広い周波数帯域、特に３０ＭＨｚ以下の
低周波で電波吸収特性に優れており、広い周波数帯域の
不要電磁波ノイズに対する電磁波障害の低減にとって極
めて有効である。
【図１】本発明の電磁波吸収体の複素透磁率の値を、周
波数に対して示すグラフである。
波数に対して示すグラフである。
【図２】本発明の電磁波吸収体の中のナノ結晶軟磁性体
粉末の含有量を変えた場合の複素透磁率の虚数部の値を
周波数をパラメータとして示す図である。
粉末の含有量を変えた場合の複素透磁率の虚数部の値を
周波数をパラメータとして示す図である。
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｆｅ基扁平状ナノ結晶軟磁性体粉末をそ
れを結合させている樹脂中に５０〜１０００ｐｈｒ含
み、複素透磁率の虚数部μ″が１０ＭＨｚの周波数で
１．５以上であり、３０ＭＨｚから１ＧＨｚの周波数で
４以上であることを特徴とする電磁波吸収体。 - 【請求項２】 樹脂中にＦｅ基扁平状ナノ結晶軟磁性体
粉末を１００〜７００ｐｈｒ含んでいることを特徴とす
る請求項１記載の電磁波吸収体。 - 【請求項３】 Ｆｅ基扁平状ナノ結晶軟磁性体粉末の厚
みは３μｍ以下であり、その粒径の平均は２０〜５０μ
ｍであることを特徴とする請求項１あるいは２記載の電
磁波吸収体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15509798A JPH11354973A (ja) | 1998-06-04 | 1998-06-04 | 電磁波吸収体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15509798A JPH11354973A (ja) | 1998-06-04 | 1998-06-04 | 電磁波吸収体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11354973A true JPH11354973A (ja) | 1999-12-24 |
Family
ID=15598570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15509798A Pending JPH11354973A (ja) | 1998-06-04 | 1998-06-04 | 電磁波吸収体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11354973A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001358493A (ja) * | 2000-04-10 | 2001-12-26 | Hitachi Ltd | 電磁波吸収材とその製造法及びそれを用いた各種用途 |
| US6818821B2 (en) | 2002-02-15 | 2004-11-16 | Hitachi, Ltd. | Electromagnetic wave absorption material and an associated device |
| US6850182B2 (en) | 2002-08-19 | 2005-02-01 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Electromagnetic wave absorber |
| US7218266B2 (en) | 2000-04-10 | 2007-05-15 | Hitachi, Ltd. | Electromagnetic wave absorber, method of manufacturing the same and appliance using the same |
| WO2008090891A1 (ja) | 2007-01-23 | 2008-07-31 | National University Corporation Tohoku University | 複合磁性体、その製造方法、それを用いた回路基板、及びそれを用いた電子機器 |
| CN102197718A (zh) * | 2008-09-04 | 2011-09-21 | 3M创新有限公司 | 抑制电磁干扰的混合片材 |
| CN102598164A (zh) * | 2009-10-16 | 2012-07-18 | 三美电机株式会社 | 高频磁性材料及高频装置 |
| DE102012206829A1 (de) | 2011-04-25 | 2012-10-25 | Mitsumi Electric Co., Ltd. | Magnetisches Partikel, magnetisches Hochfrequenzmaterial undHochfrequenzvorrichtung |
| WO2014081118A1 (ko) * | 2012-11-20 | 2014-05-30 | 주식회사 씨에이디 | 자기장 차폐재 |
| WO2019054085A1 (ja) * | 2017-09-12 | 2019-03-21 | 株式会社リケン | 近傍界用ノイズ抑制シート |
| CN117840421A (zh) * | 2024-03-07 | 2024-04-09 | 朗峰新材料启东有限公司 | 一种电磁波吸收性能优异的非晶粉末及其制备方法 |
-
1998
- 1998-06-04 JP JP15509798A patent/JPH11354973A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001358493A (ja) * | 2000-04-10 | 2001-12-26 | Hitachi Ltd | 電磁波吸収材とその製造法及びそれを用いた各種用途 |
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| US7239261B2 (en) | 2002-02-15 | 2007-07-03 | Hitachi Ltd. | Electromagnetic wave absorption material and an associated device |
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| CN117840421A (zh) * | 2024-03-07 | 2024-04-09 | 朗峰新材料启东有限公司 | 一种电磁波吸收性能优异的非晶粉末及其制备方法 |
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