JPH11345777A - 成膜装置 - Google Patents
成膜装置Info
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- JPH11345777A JPH11345777A JP10166098A JP16609898A JPH11345777A JP H11345777 A JPH11345777 A JP H11345777A JP 10166098 A JP10166098 A JP 10166098A JP 16609898 A JP16609898 A JP 16609898A JP H11345777 A JPH11345777 A JP H11345777A
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- Japan
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- gas
- film forming
- film
- gas introduction
- forming apparatus
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ガス噴出孔を適正な位置に数個設けるだけ
で、膜厚の面間均一性を大幅に向上させることができる
成膜装置を提供する。 【解決手段】 所定のピッチで配列された複数の被処理
体を収容した処理容器内にガス導入ノズル機構から成膜
ガスを供給しつつ、前記被処理体全体の温度を同一温度
に維持して前記被処理体に成膜を施すようにした成膜装
置において、前記ガス導入ノズル機構は、前記処理容器
内に、先端が開口されてガス吐出口60Z,62Z,6
4Zが形成された高さの異なる複数のガス導入ノズル6
0,62,64を起立させて設けると共にこのガス導入
ノズルの少なくとも1本にガス噴出孔を設けることによ
り形成されており、このガス噴出孔は、このガス噴出孔
を設けないで成膜処理を行なった時に膜厚が他の部分と
比較して薄くなった部分に対応させて位置づけられよう
に構成する。これにより、ガス噴出孔を適正な位置に数
個設けるだけで、膜厚の面間均一性を大幅に向上させ
る。
で、膜厚の面間均一性を大幅に向上させることができる
成膜装置を提供する。 【解決手段】 所定のピッチで配列された複数の被処理
体を収容した処理容器内にガス導入ノズル機構から成膜
ガスを供給しつつ、前記被処理体全体の温度を同一温度
に維持して前記被処理体に成膜を施すようにした成膜装
置において、前記ガス導入ノズル機構は、前記処理容器
内に、先端が開口されてガス吐出口60Z,62Z,6
4Zが形成された高さの異なる複数のガス導入ノズル6
0,62,64を起立させて設けると共にこのガス導入
ノズルの少なくとも1本にガス噴出孔を設けることによ
り形成されており、このガス噴出孔は、このガス噴出孔
を設けないで成膜処理を行なった時に膜厚が他の部分と
比較して薄くなった部分に対応させて位置づけられよう
に構成する。これにより、ガス噴出孔を適正な位置に数
個設けるだけで、膜厚の面間均一性を大幅に向上させ
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等の
被処理体に成膜を施す成膜装置に関する。
被処理体に成膜を施す成膜装置に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、半導体集積回路を製造するため
には半導体ウエハに対して成膜、エッチング処理等の各
種の処理が施される。例えば一度に多数枚のウエハ表面
に成膜するCVD装置においては、ウエハボート上に半
導体ウエハを例えば等ピッチで載置し、これを所定の温
度に加熱しながらウエハ表面に成膜用のガスを供給し、
このガスの分解生成物或いは反応生成物をウエハ上に堆
積させて膜形成を行なうようになっている。
には半導体ウエハに対して成膜、エッチング処理等の各
種の処理が施される。例えば一度に多数枚のウエハ表面
に成膜するCVD装置においては、ウエハボート上に半
導体ウエハを例えば等ピッチで載置し、これを所定の温
度に加熱しながらウエハ表面に成膜用のガスを供給し、
このガスの分解生成物或いは反応生成物をウエハ上に堆
積させて膜形成を行なうようになっている。
【0003】製造される半導体集積回路の電気的特性な
どを良好に維持するための条件の1つとして、ウエハ表
面に形成される膜厚のウエハ面内の均一性のみならず、
多数枚のウエハ間における膜厚の面間均一性が要求され
る。そのため、スループットを向上させる上から、成膜
装置自体も大型化して一度に100〜180枚程度もの
多数のウエハを成膜出来る成膜装置にあっては、成膜ガ
スをどのように処理容器内へ供給してウエハ面間の膜厚
均一性を向上させるかが重要なポイントであり、成膜ガ
スの供給ノズル機構が種々提案されている。
どを良好に維持するための条件の1つとして、ウエハ表
面に形成される膜厚のウエハ面内の均一性のみならず、
多数枚のウエハ間における膜厚の面間均一性が要求され
る。そのため、スループットを向上させる上から、成膜
装置自体も大型化して一度に100〜180枚程度もの
多数のウエハを成膜出来る成膜装置にあっては、成膜ガ
スをどのように処理容器内へ供給してウエハ面間の膜厚
均一性を向上させるかが重要なポイントであり、成膜ガ
スの供給ノズル機構が種々提案されている。
【0004】ここで従来の縦型の成膜装置の一例を示す
と、図6に示すように成膜装置は、内筒2と外筒4とよ
りなる処理容器6を有しており、この処理容器6内にそ
の下方よりウエハボート8をロード及びアンロード可能
に収容している。ウエハボート8は、処理容器6の下端
開口部を密閉する蓋部10と共に、ボートエレベータの
ごとき昇降機構12により一体的に昇降される。そし
て、このウエハボート8に、多段に略等ピッチで多数
枚、例えば100〜180枚程度の半導体ウエハWが収
容される。この処理容器6内へ成膜ガスを供給するため
に、ここではウエハボート8の高さが高いことから長さ
の異なる3本のノズル14A、14B、14Cを内筒2
内の下方より起立させて設けており、各ノズル14A、
14B、14Cの先端から流量制御された成膜ガス、例
えばシランを導入し、所定のプロセス圧力及びプロセス
温度の下で例えばシリコン膜の成膜を行なうようになっ
ている。そして、上述のように高さの、或いは長さの異
なる複数本のノズル14A、14B、14Cを用意して
ウエハボート8の高さ方向の異なる複数の箇所から成膜
ガスを供給することにより、ウエハ間における成膜の膜
厚均一性を向上する試みが行なわれている。
と、図6に示すように成膜装置は、内筒2と外筒4とよ
りなる処理容器6を有しており、この処理容器6内にそ
の下方よりウエハボート8をロード及びアンロード可能
に収容している。ウエハボート8は、処理容器6の下端
開口部を密閉する蓋部10と共に、ボートエレベータの
ごとき昇降機構12により一体的に昇降される。そし
て、このウエハボート8に、多段に略等ピッチで多数
枚、例えば100〜180枚程度の半導体ウエハWが収
容される。この処理容器6内へ成膜ガスを供給するため
に、ここではウエハボート8の高さが高いことから長さ
の異なる3本のノズル14A、14B、14Cを内筒2
内の下方より起立させて設けており、各ノズル14A、
14B、14Cの先端から流量制御された成膜ガス、例
えばシランを導入し、所定のプロセス圧力及びプロセス
温度の下で例えばシリコン膜の成膜を行なうようになっ
ている。そして、上述のように高さの、或いは長さの異
なる複数本のノズル14A、14B、14Cを用意して
ウエハボート8の高さ方向の異なる複数の箇所から成膜
ガスを供給することにより、ウエハ間における成膜の膜
厚均一性を向上する試みが行なわれている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
に、高さの異なる複数本のノズルを設けて異なる高さレ
ベルから成膜ガスを供給することにより、ウエハ間にお
ける膜厚の均一性は、ある程度向上できた。この時の面
間膜厚均一性について説明すると、図7は図6に示す成
膜装置を用いて成膜を行なった時のウエハ間における膜
厚の状況を示すグラフであり、ここでは180枚のウエ
ハを処理した時の各ウエハ位置における膜厚を示してい
る。尚、ウエハ位置は、ウエハボートの一番下を0と
し、一番上を180としており、また、ウエハボートの
上下にはそれぞれ数枚のダミーウエハを載置しているの
で、その部分はグラフから除いて製品ウエハ位置のみの
データを示している。このグラフにおいて膜厚の変動は
かなり少なく、膜厚の面間均一性は4.11%である。
この4.11%という値は、デザインルールが比較的緩
い従来にあっては、十分良好な値であったが、最近のよ
うに高密度化、高集積化及び多層化の更なる要請により
膜厚がより薄くなる薄膜化が要求される状況下において
は不十分な値であり、より一層の面間の膜厚均一性が求
められている。
に、高さの異なる複数本のノズルを設けて異なる高さレ
ベルから成膜ガスを供給することにより、ウエハ間にお
ける膜厚の均一性は、ある程度向上できた。この時の面
間膜厚均一性について説明すると、図7は図6に示す成
膜装置を用いて成膜を行なった時のウエハ間における膜
厚の状況を示すグラフであり、ここでは180枚のウエ
ハを処理した時の各ウエハ位置における膜厚を示してい
る。尚、ウエハ位置は、ウエハボートの一番下を0と
し、一番上を180としており、また、ウエハボートの
上下にはそれぞれ数枚のダミーウエハを載置しているの
で、その部分はグラフから除いて製品ウエハ位置のみの
データを示している。このグラフにおいて膜厚の変動は
かなり少なく、膜厚の面間均一性は4.11%である。
この4.11%という値は、デザインルールが比較的緩
い従来にあっては、十分良好な値であったが、最近のよ
うに高密度化、高集積化及び多層化の更なる要請により
膜厚がより薄くなる薄膜化が要求される状況下において
は不十分な値であり、より一層の面間の膜厚均一性が求
められている。
【0006】また、膜厚の面間均一性を改善する構成と
して、特開平1−134911号公報に開示されている
ように、ガス導入管に、その先端に行くほど孔径が大き
くなる複数のガス噴出孔を設けたり、或いは特開平1−
220434号公報に開示されているようにウエハボー
トの高さ方向を複数のガス供給領域に区分し、各領域毎
にそれに対応したガス噴出口を有するガス導入管を設け
ることも行なわれている。しかしながら、処理容器内の
ガスの挙動及びそれに伴う成膜反応は非常に複雑であっ
て、把握することが非常に困難であり、一見、ウエハ間
の膜厚の均一性を改善できるように思える構造であって
も、十分な成果を上げることができないのが現状であ
る。
して、特開平1−134911号公報に開示されている
ように、ガス導入管に、その先端に行くほど孔径が大き
くなる複数のガス噴出孔を設けたり、或いは特開平1−
220434号公報に開示されているようにウエハボー
トの高さ方向を複数のガス供給領域に区分し、各領域毎
にそれに対応したガス噴出口を有するガス導入管を設け
ることも行なわれている。しかしながら、処理容器内の
ガスの挙動及びそれに伴う成膜反応は非常に複雑であっ
て、把握することが非常に困難であり、一見、ウエハ間
の膜厚の均一性を改善できるように思える構造であって
も、十分な成果を上げることができないのが現状であ
る。
【0007】本発明は、以上のような問題点に着目し、
これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明
の目的は、ガス噴出孔を適正な位置に数個設けるだけ
で、膜厚の面間均一性を大幅に向上させることができる
成膜装置を提供することにある。
これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明
の目的は、ガス噴出孔を適正な位置に数個設けるだけ
で、膜厚の面間均一性を大幅に向上させることができる
成膜装置を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点を
解決するために、所定のピッチで配列された複数の被処
理体を収容した処理容器内にガス導入ノズル機構から成
膜ガスを供給しつつ、前記被処理体全体の温度を略同一
温度に維持して前記被処理体に成膜を施すようにした成
膜装置において、前記ガス導入ノズル機構は、前記処理
容器内に、先端が開口されてガス吐出口が形成された高
さの異なる複数のガス導入ノズルを起立させて設けると
共にこのガス導入ノズルの少なくとも1本の側壁にガス
噴出孔を設けることにより形成されており、このガス噴
出孔は、このガス噴出孔を設けないで成膜処理を行なっ
た時に膜厚が他の部分と比較して薄くなった部分に対応
させて位置づけられている。これにより、ガス噴射孔を
設けていない時に実際に膜厚が不足する部分に、成膜ガ
スを少し多めに供給するようにし、被処理体の表面に形
成される膜厚の面間均一性を大幅に向上させることが可
能となる。
解決するために、所定のピッチで配列された複数の被処
理体を収容した処理容器内にガス導入ノズル機構から成
膜ガスを供給しつつ、前記被処理体全体の温度を略同一
温度に維持して前記被処理体に成膜を施すようにした成
膜装置において、前記ガス導入ノズル機構は、前記処理
容器内に、先端が開口されてガス吐出口が形成された高
さの異なる複数のガス導入ノズルを起立させて設けると
共にこのガス導入ノズルの少なくとも1本の側壁にガス
噴出孔を設けることにより形成されており、このガス噴
出孔は、このガス噴出孔を設けないで成膜処理を行なっ
た時に膜厚が他の部分と比較して薄くなった部分に対応
させて位置づけられている。これにより、ガス噴射孔を
設けていない時に実際に膜厚が不足する部分に、成膜ガ
スを少し多めに供給するようにし、被処理体の表面に形
成される膜厚の面間均一性を大幅に向上させることが可
能となる。
【0009】具体的には、前記ガス噴出孔は、前記ガス
導入ノズルの内、最も短いガス導入ノズルには設けられ
ておらず、他のガス導入ノズルには設けられている。ま
た、前記ガス導入ノズルの数は3本であり、前記成膜は
シリコン膜である。
導入ノズルの内、最も短いガス導入ノズルには設けられ
ておらず、他のガス導入ノズルには設けられている。ま
た、前記ガス導入ノズルの数は3本であり、前記成膜は
シリコン膜である。
【0010】ガス導入ノズルの数が3本の場合には、前
記被処理体の総枚数をN(整数)とすると、前記処理容
器の下方より数えて、前記最小の長さのガス導入ノズル
の先端は0.16N枚目〜0.20N枚目の範囲内に位
置され、2番目に短い長さのガス導入ノズルの先端は
0.56N枚目の近傍に位置され、最も長いガス導入ノ
ズル先端は0.80N枚目から0.84N枚目の範囲内
に位置されるように構成するのがよい。そして、前記2
番目に短い長さのガス導入ノズルには、0.28N枚目
の近傍と0.39N枚目の近傍に前記ガス噴出孔がそれ
ぞれ設けられるか、或いは前記2番目に短い長さのガス
導入ノズルには、0.28N枚目の近傍と0.33N枚
目の近傍と0.44N枚目の近傍に前記ガス噴出孔がそ
れぞれ設けられるように構成するのがよい。
記被処理体の総枚数をN(整数)とすると、前記処理容
器の下方より数えて、前記最小の長さのガス導入ノズル
の先端は0.16N枚目〜0.20N枚目の範囲内に位
置され、2番目に短い長さのガス導入ノズルの先端は
0.56N枚目の近傍に位置され、最も長いガス導入ノ
ズル先端は0.80N枚目から0.84N枚目の範囲内
に位置されるように構成するのがよい。そして、前記2
番目に短い長さのガス導入ノズルには、0.28N枚目
の近傍と0.39N枚目の近傍に前記ガス噴出孔がそれ
ぞれ設けられるか、或いは前記2番目に短い長さのガス
導入ノズルには、0.28N枚目の近傍と0.33N枚
目の近傍と0.44N枚目の近傍に前記ガス噴出孔がそ
れぞれ設けられるように構成するのがよい。
【0011】更に、前記最も長いガス導入ノズルには、
0.64N枚目の近傍と0.75N枚目の近傍に前記ガ
ス噴出孔がそれぞれ設けられるように構成するのがよ
い。
0.64N枚目の近傍と0.75N枚目の近傍に前記ガ
ス噴出孔がそれぞれ設けられるように構成するのがよ
い。
【0012】また、前記ガス噴出孔の直径は、0.5〜
1.5mmの範囲内に設定する。この直径が0.5mm
よりも小さいと、ガス噴射孔にシランが析出して、ガス
噴射孔を閉塞してしまい、また、直径が1.5mmより
も大きいと、これより噴出する成膜ガスが過剰になって
急激に膜厚の面間均一性が低下するからである。
1.5mmの範囲内に設定する。この直径が0.5mm
よりも小さいと、ガス噴射孔にシランが析出して、ガス
噴射孔を閉塞してしまい、また、直径が1.5mmより
も大きいと、これより噴出する成膜ガスが過剰になって
急激に膜厚の面間均一性が低下するからである。
【0013】
【発明の実施の形態】以下に、本発明に係る成膜装置の
一実施例を添付図面に基づいて詳述する。図1は本発明
に係る成膜装置を示す構成図、図2は半導体ウエハの位
置に対する第1実施例の各ガス導入ノズルの高さ及びガ
ス噴射孔の位置を示す図である。ここでは成膜装置とし
てCVDによる縦型の成膜装置を例にとって説明する。
図示するようにこの成膜装置は、筒体状の石英製の内筒
22とその外側に所定の間隙24を介して同心円状に配
置した石英製の外筒26とよりなる2重管構造の処理容
器28を有しており、その外側は、加熱ヒータ等の加熱
手段30と断熱材32を備えた加熱炉34により覆われ
ている。上記加熱手段30は断熱材32の内面に全面に
亘って設けられている。
一実施例を添付図面に基づいて詳述する。図1は本発明
に係る成膜装置を示す構成図、図2は半導体ウエハの位
置に対する第1実施例の各ガス導入ノズルの高さ及びガ
ス噴射孔の位置を示す図である。ここでは成膜装置とし
てCVDによる縦型の成膜装置を例にとって説明する。
図示するようにこの成膜装置は、筒体状の石英製の内筒
22とその外側に所定の間隙24を介して同心円状に配
置した石英製の外筒26とよりなる2重管構造の処理容
器28を有しており、その外側は、加熱ヒータ等の加熱
手段30と断熱材32を備えた加熱炉34により覆われ
ている。上記加熱手段30は断熱材32の内面に全面に
亘って設けられている。
【0014】処理容器28の下端は、例えばステンレス
スチール製の筒体状のマニホールド36によって支持さ
れており、内筒22の下端は、マニホールド36の内壁
より内側へ突出させたリング状の支持板36Aにより支
持され、このマニホールド36の下方より多数枚の被処
理体としての半導体ウエハWを載置した石英製のウエハ
ボート38が昇降可能に挿脱自在になされている。本実
施例の場合において、このウエハボート38には、本実
施例の場合には、例えば180枚のウエハを略等ピッチ
で多段に支持できるようになっている。
スチール製の筒体状のマニホールド36によって支持さ
れており、内筒22の下端は、マニホールド36の内壁
より内側へ突出させたリング状の支持板36Aにより支
持され、このマニホールド36の下方より多数枚の被処
理体としての半導体ウエハWを載置した石英製のウエハ
ボート38が昇降可能に挿脱自在になされている。本実
施例の場合において、このウエハボート38には、本実
施例の場合には、例えば180枚のウエハを略等ピッチ
で多段に支持できるようになっている。
【0015】このウエハボート38は、石英製の保温筒
40を介して回転テーブル42上に載置されており、こ
の回転テーブル42は、マニホールド36の下端開口部
を開閉する蓋部44を貫通する回転軸46上に支持され
る。そして、この回転軸46の貫通部には、例えば磁性
流体シール48が介設され、この回転軸46を気密にシ
ールしつつ回転可能に支持している。また、蓋部44の
周辺部とマニホールド36の下端部には、例えばOリン
グ等よりなるシール部材50が介設されており、容器内
のシール性を保持している。
40を介して回転テーブル42上に載置されており、こ
の回転テーブル42は、マニホールド36の下端開口部
を開閉する蓋部44を貫通する回転軸46上に支持され
る。そして、この回転軸46の貫通部には、例えば磁性
流体シール48が介設され、この回転軸46を気密にシ
ールしつつ回転可能に支持している。また、蓋部44の
周辺部とマニホールド36の下端部には、例えばOリン
グ等よりなるシール部材50が介設されており、容器内
のシール性を保持している。
【0016】上記した回転軸46は、例えばボートエレ
ベータ等の昇降機構52に支持されたアーム54の先端
に取り付けられており、ウエハボート38及び蓋部44
等を一体的に昇降できるようになされている。マニホー
ルド36の側部には、内筒22内に成膜ガスや不活性ガ
ス、例えばN2 ガスを導入する本発明の特徴とするガス
導入ノズル機構56が設けられている。具体的には、こ
のガス導入ノズル機構56は、希釈用の不活性ガス、例
えばN 2 ガスを導入する不活性ガス導入ノズル58と、
L字状に屈曲された複数、ここでは3本の高さ(長さ)
の異なる成膜ガス用のガス導入ノズル60、62、64
が設けられる。上記不活性ガス導入ノズル58は、直線
状のストレート管として構成され、マニホールド36を
貫通して水平に設けられる。そして、不活性ガス導入ノ
ズル58には、N2 ガス源66に連結されたガス通路6
8が接続されており、このガス通路68に開閉弁70及
びマスフローコントローラのような流量制御器72が介
設されている。
ベータ等の昇降機構52に支持されたアーム54の先端
に取り付けられており、ウエハボート38及び蓋部44
等を一体的に昇降できるようになされている。マニホー
ルド36の側部には、内筒22内に成膜ガスや不活性ガ
ス、例えばN2 ガスを導入する本発明の特徴とするガス
導入ノズル機構56が設けられている。具体的には、こ
のガス導入ノズル機構56は、希釈用の不活性ガス、例
えばN 2 ガスを導入する不活性ガス導入ノズル58と、
L字状に屈曲された複数、ここでは3本の高さ(長さ)
の異なる成膜ガス用のガス導入ノズル60、62、64
が設けられる。上記不活性ガス導入ノズル58は、直線
状のストレート管として構成され、マニホールド36を
貫通して水平に設けられる。そして、不活性ガス導入ノ
ズル58には、N2 ガス源66に連結されたガス通路6
8が接続されており、このガス通路68に開閉弁70及
びマスフローコントローラのような流量制御器72が介
設されている。
【0017】また、上記成膜ガス用のガス導入ノズル6
0、62、64は、L字状に屈曲成形されており、内筒
22の内側に、ウエハボート38と干渉しないように起
立させて設けている。各ガス導入ノズル60、62、6
4に連結される各ガス通路74、76、78には、成膜
ガス、例えばここではシランの流量を制御するマスフロ
ーコントローラのような流量制御器80、82、84が
介設されており、それぞれ個別に成膜ガスの流量を制御
できるようになっている。上記各ガス導入ノズル60、
62、64は、例えば内径が5〜7mm程度に設定さ
れ、各ノズルの上端は、開口されてガス吐出口60Z、
62Z、64Zとして形成される。また、最も短い長さ
のガス導入ノズル60の側壁には、何らガス噴出孔を設
けていないが、このガス導入ノズル60の上端より上方
において、2番目に短い長さのガス導入ノズル62の側
壁には、2つのガス噴出孔62A、62Bが適宜間隔で
設けられ、更に、ガス導入ノズル62の上端より上方に
おいて、最も長い長さのガス導入ノズル64の側壁に
は、2つのガス噴出孔64A、64Bが適宜間隔で設け
られている。上記各ガス噴出孔は、その直径が例えば
0.5〜1.5mm程度の範囲内に設定され、処理容器
28の中心軸側に向けて開口されてウエハ側に対して適
当量の成膜ガスを放出するようになっている。
0、62、64は、L字状に屈曲成形されており、内筒
22の内側に、ウエハボート38と干渉しないように起
立させて設けている。各ガス導入ノズル60、62、6
4に連結される各ガス通路74、76、78には、成膜
ガス、例えばここではシランの流量を制御するマスフロ
ーコントローラのような流量制御器80、82、84が
介設されており、それぞれ個別に成膜ガスの流量を制御
できるようになっている。上記各ガス導入ノズル60、
62、64は、例えば内径が5〜7mm程度に設定さ
れ、各ノズルの上端は、開口されてガス吐出口60Z、
62Z、64Zとして形成される。また、最も短い長さ
のガス導入ノズル60の側壁には、何らガス噴出孔を設
けていないが、このガス導入ノズル60の上端より上方
において、2番目に短い長さのガス導入ノズル62の側
壁には、2つのガス噴出孔62A、62Bが適宜間隔で
設けられ、更に、ガス導入ノズル62の上端より上方に
おいて、最も長い長さのガス導入ノズル64の側壁に
は、2つのガス噴出孔64A、64Bが適宜間隔で設け
られている。上記各ガス噴出孔は、その直径が例えば
0.5〜1.5mm程度の範囲内に設定され、処理容器
28の中心軸側に向けて開口されてウエハ側に対して適
当量の成膜ガスを放出するようになっている。
【0018】ここで各ガス導入ノズル60、62、64
の長さ及びガス噴出孔とウエハ位置との関係を図2を参
照して説明する。ここでは、ウエハボートに載置できる
ウエハWの総枚数をN(整数)とすると、縦軸には、ウ
エハボートの下から数えたウエハの枚数をウエハ位置と
して表しており、ここではNが180枚の場合を例にと
って示している。尚、図2には図7に示す従来のノズル
14A、14B、14Cとその膜厚も参考のために併記
している。最も短いガス導入ノズル60の先端であるガ
ス吐出口60Zは、下から数えて35枚目(0.20N
に相当)の近傍に位置されており、2番目に短いガス導
入ノズル62の先端であるガス吐出口62Zは100枚
目(0.56Nに相当)の近傍に位置されており、そし
て、最も長いガス導入ノズル64の先端であるガス吐出
口64Zは145枚目(0.80Nに相当)の近傍に位
置されている。また、2番目に短いガス導入ノズル62
の2つのガス噴出孔62A、62Bは、それぞれ50枚
目(0.28Nに相当)及び70枚目(0.39Nに相
当)の近傍に配置されている。また、1番長いガス導入
ノズル64の2つのガス噴出孔64A、64Bは、それ
ぞれ115枚目(0.64Nに相当)及び135枚目
(0.75Nに相当)の近傍に配置されている。
の長さ及びガス噴出孔とウエハ位置との関係を図2を参
照して説明する。ここでは、ウエハボートに載置できる
ウエハWの総枚数をN(整数)とすると、縦軸には、ウ
エハボートの下から数えたウエハの枚数をウエハ位置と
して表しており、ここではNが180枚の場合を例にと
って示している。尚、図2には図7に示す従来のノズル
14A、14B、14Cとその膜厚も参考のために併記
している。最も短いガス導入ノズル60の先端であるガ
ス吐出口60Zは、下から数えて35枚目(0.20N
に相当)の近傍に位置されており、2番目に短いガス導
入ノズル62の先端であるガス吐出口62Zは100枚
目(0.56Nに相当)の近傍に位置されており、そし
て、最も長いガス導入ノズル64の先端であるガス吐出
口64Zは145枚目(0.80Nに相当)の近傍に位
置されている。また、2番目に短いガス導入ノズル62
の2つのガス噴出孔62A、62Bは、それぞれ50枚
目(0.28Nに相当)及び70枚目(0.39Nに相
当)の近傍に配置されている。また、1番長いガス導入
ノズル64の2つのガス噴出孔64A、64Bは、それ
ぞれ115枚目(0.64Nに相当)及び135枚目
(0.75Nに相当)の近傍に配置されている。
【0019】上記各ガス噴出孔の形成位置は、これらの
ガス噴出孔を設けないで成膜処理を行なった時に膜厚が
薄くて他の部分と比較して薄くなった部分に対応させて
設けている。尚、この場合、図6に示す従来の装置と図
1に示す本装置は、ノズル機構以外の他の部分の構成は
全く同様に形成されている。図2から明らかなように、
従来において膜厚が薄くなる領域A1に対しては、ノズ
ル62に設けた2つのガス噴出孔62A、62Bが対応
し、また従来において膜厚が薄くなる領域A2に対して
はノズル64に設けた2つのガス噴射孔64A、64B
が対応している。そして、従来におけるウエハ位置の上
部での領域A3の膜厚の落ち込みは、最も長いノズル6
4の長さを僅かな長さL1、例えば50mm程度延ばし
て上部まで成膜ガスを届かさせることで対応している。
ガス噴出孔を設けないで成膜処理を行なった時に膜厚が
薄くて他の部分と比較して薄くなった部分に対応させて
設けている。尚、この場合、図6に示す従来の装置と図
1に示す本装置は、ノズル機構以外の他の部分の構成は
全く同様に形成されている。図2から明らかなように、
従来において膜厚が薄くなる領域A1に対しては、ノズ
ル62に設けた2つのガス噴出孔62A、62Bが対応
し、また従来において膜厚が薄くなる領域A2に対して
はノズル64に設けた2つのガス噴射孔64A、64B
が対応している。そして、従来におけるウエハ位置の上
部での領域A3の膜厚の落ち込みは、最も長いノズル6
4の長さを僅かな長さL1、例えば50mm程度延ばし
て上部まで成膜ガスを届かさせることで対応している。
【0020】ここでウエハボート38の高さは、900
〜950mm程度、円筒22の内径及び高さはそれぞれ
250〜300mm及び1250〜1300mm程度で
あり、外筒26の内径及び高さはそれぞれ300〜35
0mm及び1260〜1310mm程度である。尚、マ
ニホールド36の側部には、内筒22と外筒26の間隙
24の底部から容器内の雰囲気を排出する排気口86が
設けられており、この排気口86には、図示しない真空
ポンプ等を介設した真空排気系が接続されている。
〜950mm程度、円筒22の内径及び高さはそれぞれ
250〜300mm及び1250〜1300mm程度で
あり、外筒26の内径及び高さはそれぞれ300〜35
0mm及び1260〜1310mm程度である。尚、マ
ニホールド36の側部には、内筒22と外筒26の間隙
24の底部から容器内の雰囲気を排出する排気口86が
設けられており、この排気口86には、図示しない真空
ポンプ等を介設した真空排気系が接続されている。
【0021】次に、以上のように構成された装置を用い
て行なわれる成膜プロセスについて説明する。まず、ウ
エハがアンロード状態で成膜装置が待機状態の時には、
処理容器28はプロセス温度、例えば620℃、或いは
それよりも低い温度に維持されており、常温の多数枚、
例えば180枚のウエハWが載置された状態のウエハボ
ート18を処理容器28内にその下方より上昇させてロ
ードし、蓋部44でマニホールド36の下端開口部を閉
じることにより容器内を密閉する。そして、処理容器2
8内を所定のプロセス圧に維持すると共に、ウエハ温度
が上昇して所定のプロセス温度に安定するまで待機し、
その後、所定の成膜ガス、例えばシラン等を各ガス導入
ノズル60、62、64から流量制御しつつ処理容器2
8内に導入し、また、希釈N2 ガスも所定量ずつ不活性
ガス導入ノズル58から導入する。成膜ガスは、各ガス
導入ノズル60、62、64の各ガス吐出口60Z、6
2Z、64Z及びガス噴出孔62A、62B、64A、
64Bから内筒22内に導入され、その後にこの中を回
転されているウエハWと接触しつつ成膜反応して上昇し
て、天井部から内筒22と外筒26との間の間隙24を
流下して、排気口86から容器外へ排出される。尚、こ
こで内筒22の内側の処理空間のプロセス温度は、高さ
方向に略均一な温度、例えば620℃に一定になるよう
に精度良く制御されており、いわゆるフラットポリシリ
コン成膜処理を行なう。
て行なわれる成膜プロセスについて説明する。まず、ウ
エハがアンロード状態で成膜装置が待機状態の時には、
処理容器28はプロセス温度、例えば620℃、或いは
それよりも低い温度に維持されており、常温の多数枚、
例えば180枚のウエハWが載置された状態のウエハボ
ート18を処理容器28内にその下方より上昇させてロ
ードし、蓋部44でマニホールド36の下端開口部を閉
じることにより容器内を密閉する。そして、処理容器2
8内を所定のプロセス圧に維持すると共に、ウエハ温度
が上昇して所定のプロセス温度に安定するまで待機し、
その後、所定の成膜ガス、例えばシラン等を各ガス導入
ノズル60、62、64から流量制御しつつ処理容器2
8内に導入し、また、希釈N2 ガスも所定量ずつ不活性
ガス導入ノズル58から導入する。成膜ガスは、各ガス
導入ノズル60、62、64の各ガス吐出口60Z、6
2Z、64Z及びガス噴出孔62A、62B、64A、
64Bから内筒22内に導入され、その後にこの中を回
転されているウエハWと接触しつつ成膜反応して上昇し
て、天井部から内筒22と外筒26との間の間隙24を
流下して、排気口86から容器外へ排出される。尚、こ
こで内筒22の内側の処理空間のプロセス温度は、高さ
方向に略均一な温度、例えば620℃に一定になるよう
に精度良く制御されており、いわゆるフラットポリシリ
コン成膜処理を行なう。
【0022】ここで図3を参照して第1実施例のノズル
によるウエハ面間の膜厚均一性の評価について説明す
る。図3は第1〜第3実施例の各ノズルに体するウエハ
面間の膜厚均一性の評価を示すグラフであり、縦軸に膜
厚をとっている。尚、ここでも参考として従来のノズル
の長さを併記してある。ここでの成膜条件は、プロセス
温度が620℃程度、プロセス圧力が0.2Torr程
度、プロセスガスは、100%濃度のシランを各ノズル
60、62、64からそれぞれ120sccm、150
sccm、150sccmの流量で流した。成膜時間は
37分程度である。図3中において、曲線Aは第1実施
例のノズルの評価結果を示しており、この曲線Aから明
らかなように図2中の領域A及び領域Bにおける膜厚の
減少傾向は抑制されて、他の部分との膜厚の差は非常に
少なくなっており、膜厚の面間均一性を大幅に改善する
ことができた。
によるウエハ面間の膜厚均一性の評価について説明す
る。図3は第1〜第3実施例の各ノズルに体するウエハ
面間の膜厚均一性の評価を示すグラフであり、縦軸に膜
厚をとっている。尚、ここでも参考として従来のノズル
の長さを併記してある。ここでの成膜条件は、プロセス
温度が620℃程度、プロセス圧力が0.2Torr程
度、プロセスガスは、100%濃度のシランを各ノズル
60、62、64からそれぞれ120sccm、150
sccm、150sccmの流量で流した。成膜時間は
37分程度である。図3中において、曲線Aは第1実施
例のノズルの評価結果を示しており、この曲線Aから明
らかなように図2中の領域A及び領域Bにおける膜厚の
減少傾向は抑制されて、他の部分との膜厚の差は非常に
少なくなっており、膜厚の面間均一性を大幅に改善する
ことができた。
【0023】また、図2中の領域A3における部分は、
最も長いノズル64の長さをL1、例えば50mm程度
だけ延ばすことにより、この領域A3における膜厚の減
少傾向が抑制されている。このように、第1実施例にお
いては、最小の長さのガス導入ノズル60の先端60Z
を0.20N枚目の近傍に位置し、2番目に短い長さの
ガス導入ノズル62の先端62Zを0.56N枚目の近
傍に位置し、最も長いガス導入ノズル64の先端64Z
を0.80N枚目の近傍に位置させ、且つ2番目に短い
長さのガス導入ノズル62には、0.28N枚目の近傍
と0.39N枚目の近傍にガス噴出孔62A,62Bを
それぞれ設け、更に、最も長いガス導入ノズル64に
は、0.64N枚目の近傍と0.75N枚目の近傍にガ
ス噴出孔64A,64Bをそれぞれ設けるようにしたの
で、膜厚の面間均一性をかなり改善することができた。
実際に、1枚のウエハについて5点の膜厚を測定してそ
れらの平均をとり、これを57枚のウエハについて求め
たところ、膜厚の面間均一性は1.55%となり、従来
装置の場合の4.11%に対して大幅に改善することが
できた。
最も長いノズル64の長さをL1、例えば50mm程度
だけ延ばすことにより、この領域A3における膜厚の減
少傾向が抑制されている。このように、第1実施例にお
いては、最小の長さのガス導入ノズル60の先端60Z
を0.20N枚目の近傍に位置し、2番目に短い長さの
ガス導入ノズル62の先端62Zを0.56N枚目の近
傍に位置し、最も長いガス導入ノズル64の先端64Z
を0.80N枚目の近傍に位置させ、且つ2番目に短い
長さのガス導入ノズル62には、0.28N枚目の近傍
と0.39N枚目の近傍にガス噴出孔62A,62Bを
それぞれ設け、更に、最も長いガス導入ノズル64に
は、0.64N枚目の近傍と0.75N枚目の近傍にガ
ス噴出孔64A,64Bをそれぞれ設けるようにしたの
で、膜厚の面間均一性をかなり改善することができた。
実際に、1枚のウエハについて5点の膜厚を測定してそ
れらの平均をとり、これを57枚のウエハについて求め
たところ、膜厚の面間均一性は1.55%となり、従来
装置の場合の4.11%に対して大幅に改善することが
できた。
【0024】次に、上記第1実施例に対して一部のノズ
ルの長さ及びガス噴出孔の数を変えた第2実施例につい
て説明する。図3に示すように、この第2実施例は、第
1実施例に対して、最小及びその次に短い長さのノズル
60、62の長さは同じとし、最大の長さのノズル64
の長さを25mm程度延ばしてその先端を150枚目
(0.84Nに相当)に位置づけている。また、2番目
の長さのノズル62に対しては3つのガス噴射孔62
A、62B、62Cを設けている。ガス噴射孔62Aの
位置は、第1実施例の場合と同じ位置であるが、他のガ
ス噴射孔62B及び62Cは、それぞれ60枚目(0.
33Nに相当)及び80枚目(0.44Nに相当)に位
置づけられている。この時の評価結果は曲線Bに示され
ており、ウエハ位置が20枚目程度の位置で若干の膜厚
の変動が見られるが、この場合にも従来装置の場合と比
較して全体的な膜厚の差が非常に少なくなっており、膜
厚の面間均一性を大幅に改善できるこてが判明した。こ
の時の各ウエハの膜厚を実測して面間均一性を求めたと
ころ、2.04%になっており、膜厚の面間均一性を従
来装置の場合の4.11%よりも2倍程度向上できるこ
とが判明した。
ルの長さ及びガス噴出孔の数を変えた第2実施例につい
て説明する。図3に示すように、この第2実施例は、第
1実施例に対して、最小及びその次に短い長さのノズル
60、62の長さは同じとし、最大の長さのノズル64
の長さを25mm程度延ばしてその先端を150枚目
(0.84Nに相当)に位置づけている。また、2番目
の長さのノズル62に対しては3つのガス噴射孔62
A、62B、62Cを設けている。ガス噴射孔62Aの
位置は、第1実施例の場合と同じ位置であるが、他のガ
ス噴射孔62B及び62Cは、それぞれ60枚目(0.
33Nに相当)及び80枚目(0.44Nに相当)に位
置づけられている。この時の評価結果は曲線Bに示され
ており、ウエハ位置が20枚目程度の位置で若干の膜厚
の変動が見られるが、この場合にも従来装置の場合と比
較して全体的な膜厚の差が非常に少なくなっており、膜
厚の面間均一性を大幅に改善できるこてが判明した。こ
の時の各ウエハの膜厚を実測して面間均一性を求めたと
ころ、2.04%になっており、膜厚の面間均一性を従
来装置の場合の4.11%よりも2倍程度向上できるこ
とが判明した。
【0025】次に、上記第2実施例に対して一部のノズ
ルの長さを変えた第3実施例について説明する。図3に
示すようにこの第3実施例は、第2実施例に対して最小
の長さのノズル60の長さのみを25mm程度短くして
その先端を30枚目(0.16Nに相当)に位置づけて
従来装置のノズル14Aと同じ長さに設定している。他
の部分のノズル構成は第2実施例の場合と全く同じであ
る。この時の評価結果は曲線Cに示されており、第2実
施例の場合と同様にウエハ位置が20枚目程度の位置で
若干の膜厚の変動が見られるが、この場合にも従来装置
の場合と比較して全体的な膜厚の差が非常に少なくなっ
ており、膜厚の面間均一性を大幅に改善できるこてが判
明した。この時の各ウエハの膜厚を実測して面間均一性
を求めたところ、1.59%になっており、膜厚の面間
均一性を従来装置の場合の4.11%よりも2倍程度向
上できることが判明した。
ルの長さを変えた第3実施例について説明する。図3に
示すようにこの第3実施例は、第2実施例に対して最小
の長さのノズル60の長さのみを25mm程度短くして
その先端を30枚目(0.16Nに相当)に位置づけて
従来装置のノズル14Aと同じ長さに設定している。他
の部分のノズル構成は第2実施例の場合と全く同じであ
る。この時の評価結果は曲線Cに示されており、第2実
施例の場合と同様にウエハ位置が20枚目程度の位置で
若干の膜厚の変動が見られるが、この場合にも従来装置
の場合と比較して全体的な膜厚の差が非常に少なくなっ
ており、膜厚の面間均一性を大幅に改善できるこてが判
明した。この時の各ウエハの膜厚を実測して面間均一性
を求めたところ、1.59%になっており、膜厚の面間
均一性を従来装置の場合の4.11%よりも2倍程度向
上できることが判明した。
【0026】このように、第2及び第3実施例に示すよ
うに、最小の長さのガス導入ノズル60の先端60Zを
0.16N枚目〜0.20N枚目の範囲内に位置し、2
番目に短い長さのガス導入ノズル62の先端62Zを
0.56N枚目の近傍に位置し、最も長いガス導入ノズ
ル64の先端64Zを0.84N枚目の近傍に位置さ
せ、且つ2番目に短い長さのガス導入ノズル62には、
0.28N枚目の近傍と0.33N枚目の近傍と0.4
4N枚目の近傍にガス噴出孔62A,62B,62Cを
それぞれ設け、更に、最も長いガス導入ノズル64に
は、0.64N枚目の近傍と0.75N枚目の近傍にガ
ス噴出孔64A,64Bをそれぞれ設けるようにして
も、ウエハ面間における膜厚の均一性を大幅に向上させ
ることができる。また、各ノズルに形成するガス噴射孔
は数個でよく、多数のガス孔を設けた従来装置と比較し
て容易に製造が可能である。
うに、最小の長さのガス導入ノズル60の先端60Zを
0.16N枚目〜0.20N枚目の範囲内に位置し、2
番目に短い長さのガス導入ノズル62の先端62Zを
0.56N枚目の近傍に位置し、最も長いガス導入ノズ
ル64の先端64Zを0.84N枚目の近傍に位置さ
せ、且つ2番目に短い長さのガス導入ノズル62には、
0.28N枚目の近傍と0.33N枚目の近傍と0.4
4N枚目の近傍にガス噴出孔62A,62B,62Cを
それぞれ設け、更に、最も長いガス導入ノズル64に
は、0.64N枚目の近傍と0.75N枚目の近傍にガ
ス噴出孔64A,64Bをそれぞれ設けるようにして
も、ウエハ面間における膜厚の均一性を大幅に向上させ
ることができる。また、各ノズルに形成するガス噴射孔
は数個でよく、多数のガス孔を設けた従来装置と比較し
て容易に製造が可能である。
【0027】また、ウエハ位置が下方の20枚目当たり
の膜厚の落ち込みを防ぐために、図4に示すように最小
の長さのノズル60の途中に、ガス噴出孔60Aを設
け、他のノズルに関しては第1実施例の場合と同様にし
て成膜を行なってみたが、この部分における膜厚が大き
く変動してしまい、好ましくなかった。従って、第1〜
第3実施例に示したように、最小の長さのノズル60の
途中には何らガス噴出孔を設けない方がよいことが判明
した。更に、各ガス噴出孔の直径について種々検討した
が、ガス噴出孔の直径を1.5mmよりも大きくし、例
えば2mmに設定すると図5に示すようにウエハ位置が
下方になる程、膜厚が大きくなってしまい、面間の膜厚
均一性が大幅に低下してしまった。また、ガス噴出孔の
直径を0.5mmよりも小さく設定すると、析出したシ
ランによりガス噴出孔が閉塞してしまい、安定して成膜
ガスを供給することができなかった。従って、ガス噴出
孔の直径は0.5〜1.5mmの範囲内に設定するのが
よい。
の膜厚の落ち込みを防ぐために、図4に示すように最小
の長さのノズル60の途中に、ガス噴出孔60Aを設
け、他のノズルに関しては第1実施例の場合と同様にし
て成膜を行なってみたが、この部分における膜厚が大き
く変動してしまい、好ましくなかった。従って、第1〜
第3実施例に示したように、最小の長さのノズル60の
途中には何らガス噴出孔を設けない方がよいことが判明
した。更に、各ガス噴出孔の直径について種々検討した
が、ガス噴出孔の直径を1.5mmよりも大きくし、例
えば2mmに設定すると図5に示すようにウエハ位置が
下方になる程、膜厚が大きくなってしまい、面間の膜厚
均一性が大幅に低下してしまった。また、ガス噴出孔の
直径を0.5mmよりも小さく設定すると、析出したシ
ランによりガス噴出孔が閉塞してしまい、安定して成膜
ガスを供給することができなかった。従って、ガス噴出
孔の直径は0.5〜1.5mmの範囲内に設定するのが
よい。
【0028】尚、上記実施例における各数値は、単に一
例を示したに過ぎず、これらに限定されないのは勿論で
ある。また、成膜の種類としてはポリシリコン膜のみな
らず、アモルファスシリコン、単結晶シリコンを成膜す
る場合にも本発明を適用できるのは勿論である。更に
は、被処理体としては、半導体ウエハに限定されず、ガ
ラス基板、LCD基板等にも適用できるのは勿論であ
る。また、成膜ガスとしては、シランに限定されず、ジ
シラン、ジクロルシラン等を用いてもよいのは勿論であ
る。
例を示したに過ぎず、これらに限定されないのは勿論で
ある。また、成膜の種類としてはポリシリコン膜のみな
らず、アモルファスシリコン、単結晶シリコンを成膜す
る場合にも本発明を適用できるのは勿論である。更に
は、被処理体としては、半導体ウエハに限定されず、ガ
ラス基板、LCD基板等にも適用できるのは勿論であ
る。また、成膜ガスとしては、シランに限定されず、ジ
シラン、ジクロルシラン等を用いてもよいのは勿論であ
る。
【0029】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の成膜装置
によれば、次のように優れた作用効果を発揮することが
できる。高さの異なる複数のガス導入ノズルを設け、ガ
ス噴出孔を設けないで成膜処理を行なった時に他の部分
と比較して膜厚が薄くなった部分に対応させてガス噴出
孔を設けて不足気味の成膜ガスを補充させるようにした
ので、被処理体の成膜の面間の膜厚均一性を大幅に向上
させることができる。
によれば、次のように優れた作用効果を発揮することが
できる。高さの異なる複数のガス導入ノズルを設け、ガ
ス噴出孔を設けないで成膜処理を行なった時に他の部分
と比較して膜厚が薄くなった部分に対応させてガス噴出
孔を設けて不足気味の成膜ガスを補充させるようにした
ので、被処理体の成膜の面間の膜厚均一性を大幅に向上
させることができる。
【図1】本発明に係る成膜装置を示す構成図である。
【図2】半導体ウエハの位置に対する第1実施例の各ガ
ス導入ノズルの高さ及びガス噴射孔の位置を示す図であ
る。
ス導入ノズルの高さ及びガス噴射孔の位置を示す図であ
る。
【図3】第1〜第3実施例の各ノズルに体するウエハ面
間の膜厚均一性の評価を示すグラフである。
間の膜厚均一性の評価を示すグラフである。
【図4】最小のガス導入ノズルにガス噴射孔を設けた場
合の膜厚の変化を示すグラフである。
合の膜厚の変化を示すグラフである。
【図5】ガス噴射孔の直径を2mmに設定した時の膜厚
の変化を示すグラフである。
の変化を示すグラフである。
【図6】従来の成膜装置を示す概略構成図である。
【図7】図6に示す成膜装置を用いて成膜を行なった時
のウエハ間における膜厚の状況を示すグラフである。
のウエハ間における膜厚の状況を示すグラフである。
22 内筒 26 外筒 28 処理容器 38 ウエハボート 56 ガス導入ノズル機構 60,62,64 ガス導入ノズル 60Z,62Z,64Z ガス吐出口 62A,62B,62C,64A,64B ガス噴出孔 W 半導体ウエハ(被処理体)
フロントページの続き (72)発明者 飯高 あずさ 岩手県江刺市岩谷堂字松長根52番地 東京 エレクトロン東北株式会社東北事業所内
Claims (8)
- 【請求項1】 所定のピッチで配列された複数の被処理
体を収容した処理容器内にガス導入ノズル機構から成膜
ガスを供給しつつ、前記被処理体全体の温度を略同一温
度に維持して前記被処理体に成膜を施すようにした成膜
装置において、前記ガス導入ノズル機構は、前記処理容
器内に、先端が開口されてガス吐出口が形成された高さ
の異なる複数のガス導入ノズルを起立させて設けると共
にこのガス導入ノズルの少なくとも1本の側壁にガス噴
出孔を設けることにより形成されており、このガス噴出
孔は、このガス噴出孔を設けないで成膜処理を行なった
時に膜厚が他の部分と比較して薄くなった部分に対応さ
せて位置づけられていることを特徴とする成膜装置。 - 【請求項2】 前記ガス噴出孔は、前記ガス導入ノズル
の内、最も短いガス導入ノズルには設けられておらず、
他のガス導入ノズルには設けられていることを特徴とす
る請求項1記載の成膜装置。 - 【請求項3】 前記ガス導入ノズルの数は3本であり、
前記成膜はシリコン膜であることを特徴とする請求項1
または2記載の成膜装置。 - 【請求項4】 前記被処理体の総枚数をN(整数)とす
ると、前記処理容器の下方より数えて、前記最小の長さ
のガス導入ノズルの先端は0.16N枚目〜0.20N
枚目の範囲内に位置され、2番目に短い長さのガス導入
ノズルの先端は0.56N枚目の近傍に位置され、最も
長いガス導入ノズルの先端は0.80N枚目から0.8
4N枚目の範囲内に位置されていることを特徴とする請
求項3記載の成膜装置。 - 【請求項5】 前記2番目に短い長さのガス導入ノズル
には、0.28N枚目の近傍と0.39N枚目の近傍に
前記ガス噴出孔がそれぞれ設けられていることを特徴と
する請求項4記載の成膜装置。 - 【請求項6】 前記2番目に短い長さのガス導入ノズル
には、0.28N枚目の近傍と0.33N枚目の近傍と
0.44N枚目の近傍に前記ガス噴出孔がそれぞれ設け
られといることを特徴とする請求項4記載の成膜装置。 - 【請求項7】 前記最も長いガス導入ノズルには、0.
64N枚目の近傍と0.75N枚目の近傍に前記ガス噴
出孔がそれぞれ設けられていることを特徴とする請求項
4乃至6のいずれかに記載の成膜装置。 - 【請求項8】 前記ガス噴出孔の直径は、0.5〜1.
5mmの範囲内であることを特徴とする請求項1乃至7
のいずれかに記載の成膜装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10166098A JPH11345777A (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | 成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10166098A JPH11345777A (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | 成膜装置 |
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JPH11345777A true JPH11345777A (ja) | 1999-12-14 |
Family
ID=15824978
Family Applications (1)
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JP10166098A Pending JPH11345777A (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | 成膜装置 |
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JP (1) | JPH11345777A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005268755A (ja) * | 2004-02-17 | 2005-09-29 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の酸化方法、酸化装置及び記憶媒体 |
JP2005311301A (ja) * | 2004-03-24 | 2005-11-04 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の酸化方法、酸化装置及び記憶媒体 |
WO2015045137A1 (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-02 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法 |
-
1998
- 1998-05-29 JP JP10166098A patent/JPH11345777A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2005268755A (ja) * | 2004-02-17 | 2005-09-29 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の酸化方法、酸化装置及び記憶媒体 |
JP4586544B2 (ja) * | 2004-02-17 | 2010-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の酸化方法、酸化装置及び記憶媒体 |
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JP6084298B2 (ja) * | 2013-09-30 | 2017-02-22 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法 |
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