JPH11345704A - Ceramic electronic parts element and ceramic electronic parts using the element - Google Patents
Ceramic electronic parts element and ceramic electronic parts using the elementInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、セラミック素体上に
おいてリード線が半田付け接続されるセラミック電子部
品素子およびそれを用いたセラミック電子部品に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a ceramic electronic component element in which leads are connected by soldering on a ceramic body and a ceramic electronic component using the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】セラミック電子部品、例えば、回路保護
用の正特性サーミスタの電極構造として、特開平４−１
８８８０１号公報には、最下層をＴｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｚ
ｎ若しくはＡｌ又はこれらのうちの２種以上を主体とす
る材料によって構成し、中間層をＮｉ又はＣｕのいずれ
かを主体とする材料、但し、最下層をＮｉによって構成
した場合にはＮｉ、Ｃｕ又はＣｕを主体とする材料によ
って構成し、最上層をＡｇによって構成した構造が開示
されている。2. Description of the Related Art As an electrode structure of a ceramic electronic component, for example, a positive temperature coefficient thermistor for circuit protection, Japanese Patent Application Laid-Open No.
No. 88801 discloses that the lowermost layer is made of Ti, Cr, Ni, Z
n or Al or a material mainly composed of two or more of them, and the intermediate layer is mainly composed of Ni or Cu. However, when the lowermost layer is composed of Ni, Ni, Cu Alternatively, a structure in which the uppermost layer is formed of a material mainly composed of Cu and Ag is disclosed is disclosed.
【０００３】また、特開平５−１７５０１３号公報に
は、最下層をＴｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｚｎ若しくはＡｌ又は
これらのうちの１種を含む合金によって構成し、中間層
をＮｉ、Ｃｕ又はこれらのいずれかを含む合金によって
構成し、最上層をＳｎ又はＳｎ合金によって構成した構
造が開示されている。Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-175013 discloses that the lowermost layer is made of Ti, Cr, Ni, Zn or Al or an alloy containing one of them, and the intermediate layer is made of Ni, Cu or any of these. A structure in which the uppermost layer is made of Sn or a Sn alloy is disclosed.
【０００４】上記いずれの電極構造においても、サーミ
スタ素体に対して電極をオーミック接触させることがで
き、半田耐熱性の向上により所謂半田喰われを抑制して
半田付けの信頼性を向上させることができ、セラミック
電子部品を実装基板に容易かつ確実に実装することがで
きるとされている。In any of the above electrode structures, the electrodes can be brought into ohmic contact with the thermistor body, and so-called solder erosion can be suppressed by improving the solder heat resistance to improve the reliability of soldering. It is described that ceramic electronic components can be easily and reliably mounted on a mounting substrate.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
４−１８８８０１号公報に開示されているように電極の
最上層をＡｇによって構成すると、最上層を構成するＡ
ｇがマイグレーションを発生し、セラミック電子部品の
使用中に電極間の短絡や放電を生じる問題があり、これ
を防止するためにＡｇ層の表面にさらに半田コーティン
グ層を形成する等の処理が必要になる。However, if the uppermost layer of the electrode is made of Ag as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-188801, the A
There is a problem that g may cause migration and cause a short circuit or discharge between electrodes during use of the ceramic electronic component. To prevent this, it is necessary to perform a treatment such as forming a solder coating layer on the surface of the Ag layer. Become.
【０００６】また、特開平５−１７５０１３号公報に開
示されているように電極の最上層をＳｎによって構成す
ると、最上層を構成するＳｎは電気伝導度が低いため、
電極として良好に機能させるためには最上層を厚く形成
する必要がある。Further, when the uppermost layer of the electrode is made of Sn as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-175013, since Sn constituting the uppermost layer has low electric conductivity,
In order to function well as an electrode, the uppermost layer needs to be formed thick.
【０００７】この発明の目的は、電極間の短絡や放電の
原因となるマイグレーションを発生することがなく、電
極の薄層化を実現することができるセラミック電子部品
素子およびそれを用いたセラミック電子部品を提供する
ことにある。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a ceramic electronic component element capable of realizing a thinner electrode without causing migration which causes a short circuit between electrodes and a discharge, and a ceramic electronic component using the same. Is to provide.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】請求項１に記載した発明
は、セラミック素体の表面に電極が形成されており、該
電極は、最下層がＡｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ若しくはＺｎ
のいずれか又はこれらのうちの２以上を主体とする材料
により構成され、中間層がＮｉ又はＮｉ合金により構成
され、最上層がＣｕ又はＡｕのいずれかを主体とする材
料により構成されたことを特徴とする。According to the first aspect of the present invention, an electrode is formed on a surface of a ceramic body, and the electrode has a lowermost layer of Al, Ti, Cr, Ni or Zn.
Or a material mainly composed of two or more of them, the intermediate layer is composed of Ni or a Ni alloy, and the uppermost layer is composed of a material mainly composed of Cu or Au. Features.
【０００９】請求項１に記載した発明においては、セラ
ミック電子部品素子の電極の最上層が、耐マイグレーシ
ョン性に優れ、かつ、電気導電性に優れたＣｕ又はＡｕ
のいずれかを主体とする材料により構成される。したが
って、動作不良や破損を生じることがなく、層厚の薄い
電極が形成される。According to the first aspect of the present invention, the uppermost layer of the electrodes of the ceramic electronic component element is formed of Cu or Au having excellent migration resistance and excellent electrical conductivity.
And a material mainly composed of Therefore, an electrode having a small thickness is formed without causing operation failure or breakage.
【００１０】請求項２に記載した発明は、前記電極は、
前記最下層がＡｌ、Ｎｉ又はＺｎのいずれかを主体とす
る材料により構成され、前記中間層がＮｉ又はＮｉ合金
により構成され、前記最上層がＣｕ又はＡｕを主体とす
る材料により構成されたことを特徴とする。[0010] In the invention described in claim 2, the electrode includes:
The lowermost layer is made of a material mainly containing any of Al, Ni or Zn, the intermediate layer is made of Ni or a Ni alloy, and the uppermost layer is made of a material mainly containing Cu or Au. It is characterized by.
【００１１】請求項２に記載した発明においては、セラ
ミック素体とオーミック接触すべきセラミック電子部品
の電極の最下層が、より薄層化できるＡｌ、Ｎｉ又はＺ
ｎのいずれかを主体とする材料によって構成される。し
たがって、動作不良や破損を生じることがなく、層厚の
より薄い電極が形成される。According to the second aspect of the present invention, the lowermost layer of the electrode of the ceramic electronic component which is to be in ohmic contact with the ceramic body is made of Al, Ni or Z which can be made thinner.
n. Therefore, an electrode having a smaller layer thickness is formed without causing operation failure or breakage.
【００１２】請求項３に記載した発明は、前記電極は、
前記最下層がＡｌにより構成され、前記中間層がＮｉ又
はＮｉ合金により構成され、前記最上層がＣｕ又はＡｕ
を主体とする材料により構成されたことを特徴とする。According to a third aspect of the present invention, the electrode includes:
The lowermost layer is made of Al, the intermediate layer is made of Ni or a Ni alloy, and the uppermost layer is made of Cu or Au.
It is characterized by being composed of a material mainly composed of
【００１３】請求項３に記載した発明においては、前記
電極は、前記最下層が最も薄層化できるＡｌによって構
成される。したがって、層厚の最も薄い電極が形成され
る。[0013] In the third aspect of the present invention, the electrode is made of Al in which the lowermost layer can be made the thinnest. Therefore, an electrode having the thinnest layer thickness is formed.
【００１４】請求項４に記載した発明は、前記電極は、
前記最下層がＡｌにより構成され、前記中間層がＮｉＣ
ｕにより構成され、前記最上層がＣｕにより構成された
ことを特徴とする。According to a fourth aspect of the present invention, the electrode includes:
The lowermost layer is made of Al, and the intermediate layer is made of NiC
u, and the uppermost layer is made of Cu.
【００１５】請求項４に記載した発明においては、セラ
ミック素体とのオーミック接触すべきセラミック電子部
品の電極の最下層が最も薄層化できるＡｌによって構成
され、中間層が半田耐熱性に最も優れたＮｉＣｕによっ
て構成される。したがって、動作不良や破損が確実に防
止できるとともに層厚の最も薄い電極が形成される。請
求項５に記載した発明は、前記最下層の上に第２の最下
層を加えて構成されたことを特徴とする。In the invention described in claim 4, the lowermost layer of the electrode of the ceramic electronic component to be in ohmic contact with the ceramic body is made of Al which can be made the thinnest, and the intermediate layer has the best solder heat resistance. It is made of NiCu. Therefore, operation failure and breakage can be reliably prevented, and an electrode having the thinnest layer is formed. The invention described in claim 5 is characterized in that a second lowermost layer is added on the lowermost layer.
【００１６】請求項５に記載した発明においては、電極
が４層構造に構成される。したがって、最下層である第
１層の素材としてＺｎ、Ｎｉ又はＡｌ以外の例えばＣｒ
を用いた場合にも、リード線加工後の抵抗値が上昇する
ことがなく、電極が薄層化される。According to the fifth aspect of the present invention, the electrodes have a four-layer structure. Therefore, as the material of the first layer as the lowermost layer, for example, Cr other than Zn, Ni or Al is used.
Also, the electrode is thinned without increasing the resistance value after the lead wire processing.
【００１７】請求項６に記載した発明は、請求項１〜５
のいずれかに記載のセラミック電子部品素子の電極にリ
ード端子が電気的に接続され、該セラミック電子部品素
子とその近傍にある前記リード端子が絶縁被覆されてい
ることを特徴とする。The invention described in claim 6 is the invention according to claims 1 to 5
A lead terminal is electrically connected to the electrode of the ceramic electronic component element according to any one of the above, and the ceramic electronic component element and the lead terminal in the vicinity thereof are coated with insulation.
【００１８】請求項６に記載した発明においては、セラ
ミック電子部品の電極の最上層が、耐マイグレーション
性に優れ、かつ、電気導電性に優れたＣｕ又はＡｕのい
ずれかを主体とする材料により構成される。したがっ
て、動作不良や破損を生じることがなく、層厚の薄い電
極のセラミック電子部品が形成される。In the invention described in claim 6, the uppermost layer of the electrodes of the ceramic electronic component is made of a material mainly composed of Cu or Au, which has excellent migration resistance and excellent electrical conductivity. Is done. Therefore, a ceramic electronic component having a thin electrode is formed without causing malfunction or breakage.
【００１９】[0019]
【発明の実施の形態】以下に、この発明の電極構造をセ
ラミック電子部品として正特性サーミスタに適用した場
合について、実施例と比較例との比較に基づいて説明す
る。以下に示す実施例及び比較例は、いずれも、ＢａＴ
ｉＯ3 を主体として正特性サーミスタを構成するサーミ
スタ素体の原料を乾式成形した後に１３００〜１４００
°Ｃで焼成し、直径１０．０ｍｍ、厚み０．５ｍｍの正
特性サーミスタのサーミスタ素体１の焼結体を得た。こ
のサーミスタ素体１の両表面にサーミスタ素体１の周縁
が露出するような同心円状の電極２を形成し、さらに、
電極２にリード線３を半田４を介して接続することによ
り実施例及び比較例としての正特性サーミスタを図１に
示す形状に作成した。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A case where the electrode structure of the present invention is applied to a positive temperature coefficient thermistor as a ceramic electronic component will be described below based on a comparison between an embodiment and a comparative example. The following examples and comparative examples are all BaT
The iO 3 raw materials thermistor element constituting the positive characteristics thermistor mainly after dry molding 1300-1400
The resultant was fired at ° C to obtain a sintered body of a thermistor body 1 having a positive temperature coefficient of 10.0 mm and a thickness of 0.5 mm. Concentric electrodes 2 are formed on both surfaces of the thermistor body 1 so that the periphery of the thermistor body 1 is exposed.
By connecting a lead wire 3 to the electrode 2 via a solder 4, positive temperature coefficient thermistors as examples and comparative examples were formed in the shape shown in FIG.
【００２０】これらの実施例及び比較例のそれぞれにお
ける電極の構成、電極形成後の抵抗値及びリード線加工
後の抵抗値の測定結果、並びに、リード線加工後の高温
環境下におけるマイグレーションの発生状況を図２に示
す。なお、マイグレーションの発生状況は、８５°Ｃの
環境下で各正特性サーミスタのリード線間に１６Ｖの直
流電圧を１０００時間印加した際の観察結果である。In each of these Examples and Comparative Examples, the configuration of the electrode, the resistance value after forming the electrode and the resistance value after processing the lead wire, and the state of occurrence of migration in a high temperature environment after processing the lead wire Is shown in FIG. The state of occurrence of migration is an observation result when a DC voltage of 16 V is applied between lead wires of each positive temperature coefficient thermistor for 1000 hours under an environment of 85 ° C.
【００２１】電極２としてＡｌを素材とする層厚０．５
μｍの最下層である第１層、ＮｉＣｕを素材とする層厚
０．９μｍの中間層である第２層、及び、Ａｇを素材と
する層厚０．５μｍの最上層である第３層をこの順に形
成した比較例１の正特性サーミスタでは、サーミスタ素
体１の表面にＡｇのマイグレーションが発生した。ま
た、電極２としてＡｌを素材とする層厚０．５μｍの最
下層である第１層、ＮｉＣｕを素材とする層厚０．９μ
ｍの中間層である第２層、及び、Ｓｎを素材とする層厚
０．５μｍの最上層である第３層をこの順に形成した比
較例２の正特性サーミスタでは、電極形成後に抵抗値の
上昇を生じた。最上層としてＳｎを用いた場合に電極形
成後の抵抗値の上昇を抑えるためには、比較例３に示す
ように５．０μｍ以上の層厚が必要となり、電極２の薄
層化が困難になる。The electrode 2 has a thickness of 0.5 made of Al.
a first layer which is the lowermost layer of μm, a second layer which is an intermediate layer having a thickness of 0.9 μm made of NiCu, and a third layer which is an uppermost layer having a thickness of 0.5 μm made of Ag. In the positive temperature coefficient thermistor of Comparative Example 1 formed in this order, migration of Ag occurred on the surface of the thermistor body 1. Further, the first layer as the lowermost layer having a thickness of 0.5 μm made of Al as the electrode 2 and a layer having a thickness of 0.9 μm made of NiCu
In the positive temperature coefficient thermistor of Comparative Example 2, in which a second layer, which is an intermediate layer of m, and a third layer, which is a top layer having a thickness of 0.5 μm and made of Sn, are formed in this order, the resistance value of the electrode after forming the electrode is A rise has occurred. When Sn is used as the uppermost layer, a layer thickness of 5.0 μm or more is required as shown in Comparative Example 3 in order to suppress a rise in resistance value after electrode formation, and it is difficult to make the electrode 2 thinner. Become.
【００２２】これに対して、最上層である第３層として
Ｃｕを素材とした実施例１〜９では、電極形成後及びリ
ード線加工後における抵抗値の上昇を生じることがな
く、また、マイグレーションも発生しなかった。但し、
それぞれＣｒ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｎｉ又はＮｉＣｒを素材と
して層厚０．５μｍの最下層である第１層を形成した実
施例１２〜１６ではリード線加工後における抵抗値の上
昇を生じた。このため、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｎｉ又はＮ
ｉＣｒを素材として最下層を形成した場合に、リード線
加工後における抵抗値の上昇を防止するためには、実施
例２〜６に示すように最下層の層厚を大きくする必要が
ある。最下層の素材としてはＺｎ、Ｎｉ又はＡｌが適当
であり、特に、実施例１及び７〜１０に示すＡｌが最適
である。On the other hand, in Examples 1 to 9 in which Cu was used as the third layer as the uppermost layer, the resistance value did not increase after the electrodes were formed and after the lead wires were processed. Also did not occur. However,
In each of Examples 12 to 16 in which the first layer as the lowermost layer having a layer thickness of 0.5 μm was formed using Cr, Ti, Zn, Ni, or NiCr as a material, the resistance value after the lead wire processing increased. Therefore, Cr, Ti, Zn, Ni or N
In the case where the lowermost layer is formed using iCr as a material, in order to prevent the resistance value from increasing after the lead wire processing, it is necessary to increase the thickness of the lowermost layer as shown in Examples 2 to 6. As the material of the lowermost layer, Zn, Ni or Al is suitable, and in particular, Al shown in Examples 1 and 7 to 10 is optimal.
【００２３】また、実施例１の第２層のＮｉＣｕに代え
てＮｉＣｒ、ＮｉＶ又はＮｉを用いた実施例７〜９にお
いても、実施例１と同様にリード線加工後の抵抗値の上
昇を防止することができる。しかしながら、実施例１
は、半田付け性において実施例７よりも優れ、低コスト
の点において実施例８及び９よりも優れている。Also, in Examples 7 to 9 in which NiCr, NiV or Ni is used in place of NiCu of the second layer in Example 1, similarly to Example 1, an increase in the resistance value after the lead wire processing is prevented. can do. However, Example 1
Is superior to Example 7 in solderability and superior to Examples 8 and 9 in terms of low cost.
【００２４】さらに、実施例１の第３層のＣｕに代えて
Ａｕを用いた実施例１０においても、実施例１と同様に
リード線加工後の抵抗値の上昇を防止することができ
る。しかしながら、実施例１は、電極の薄層化及び低コ
ストの点で実施例１０よりも優れている。Further, in the tenth embodiment using Au instead of Cu in the third layer of the first embodiment, it is possible to prevent an increase in the resistance value after the lead wire processing as in the first embodiment. However, the first embodiment is superior to the tenth embodiment in terms of electrode thickness and cost.
【００２５】なお、最下層である第１層の素材としてＺ
ｎ、Ｎｉ又はＡｌ以外の例えばＣｒを用いた場合、実施
例１１に示すように、電極２を４層構造とすることによ
り、リード線加工後の抵抗値の上昇を防止しつつ、電極
２の薄層化を実現することができる。The material of the lowermost first layer is Z
In the case where, for example, Cr other than n, Ni or Al is used, as shown in Embodiment 11, the electrode 2 has a four-layer structure, thereby preventing an increase in the resistance value after the lead wire processing, and A thin layer can be realized.
【００２６】また、上述した電極２の各層は、スパッ
タ、印刷、溶射又は蒸着等の公知の方法を用いることが
できる。For each layer of the electrode 2 described above, a known method such as sputtering, printing, thermal spraying or vapor deposition can be used.
【００２７】さらに、上述した電極２の形状は、サーミ
スタ素体１の表面の全面を覆うように形成してもよい。Further, the shape of the electrode 2 described above may be formed so as to cover the entire surface of the thermistor body 1.
【００２８】加えて、この発明の電極の構成は、正特性
サーミスタのみならず、セラミック素体の表面に電極を
形成して構成される他のセラミック電子部品についても
同様に実施することができる。In addition, the configuration of the electrode according to the present invention can be applied not only to the positive temperature coefficient thermistor but also to other ceramic electronic components formed by forming an electrode on the surface of a ceramic body.
【００２９】[0029]
【発明の効果】請求項１に記載した発明によれば、セラ
ミック電子部品の電極の最上層を、耐マイグレーション
性に優れ、かつ、電気導電性に優れたＣｕ又はＡｕのい
ずれかを主体とする材料により構成することにより、動
作不良や破損を防止しつつ、電極の薄層化を実現するこ
とができる。According to the first aspect of the present invention, the uppermost layer of the electrodes of the ceramic electronic component is mainly made of either Cu or Au having excellent migration resistance and excellent electrical conductivity. By using a material, it is possible to reduce the thickness of the electrode while preventing malfunction and damage.
【００３０】請求項２に記載した発明によれば、セラミ
ック素体とオーミック接触すべきセラミック電子部品の
電極の最下層を、より薄層化できるＡｌ、Ｎｉ若しくは
Ｚｎのいずれか又はこれらのうちの２以上を主体とする
材料によって構成することにより、動作不良や破損を防
止しつつ、電極の層厚をより薄層化することができる。According to the second aspect of the present invention, the lowermost layer of the electrode of the ceramic electronic component which is to be in ohmic contact with the ceramic body is made of any one of Al, Ni and Zn or a thinner one thereof. By using a material mainly composed of two or more, it is possible to further reduce the thickness of the electrode while preventing malfunction and breakage.
【００３１】請求項３に記載した発明によれば、最下層
を最も薄層化できるＡｌによって構成することにより、
層厚の最も薄い電極を形成することができる。According to the third aspect of the present invention, the lowermost layer is made of Al which can be made thinnest,
An electrode having the thinnest layer thickness can be formed.
【００３２】請求項４に記載した発明によれば、セラミ
ック素体とのオーミック接触すべきセラミック電子部品
の電極の最下層を最も薄層化できるＡｌによって構成
し、中間層を半田耐熱性に最も優れたＮｉＣｕによって
構成することにより、動作不良や破損が確実に防止でき
るとともに層厚の最も薄い電極を形成することができ
る。According to the fourth aspect of the present invention, the lowermost layer of the electrode of the ceramic electronic component which is to be in ohmic contact with the ceramic body is made of Al which can be made the thinnest, and the intermediate layer has the lowest solder heat resistance. By using excellent NiCu, operation failure and breakage can be reliably prevented, and an electrode having the thinnest layer can be formed.
【００３３】請求項５に記載した発明によれば、電極を
４層構造に構成することにより、最下層の素材としてＺ
ｎ、Ｎｉ又はＡｌ以外の例えばＣｒを用いた場合にも、
リード線加工後の抵抗値の上昇を防止しつつ、電極２の
薄層化を実現することができる。According to the fifth aspect of the present invention, by forming the electrodes in a four-layer structure, the lowermost material is made of Z
Also when, for example, Cr other than n, Ni or Al is used,
The electrode 2 can be made thinner while preventing an increase in the resistance value after the lead wire processing.
【００３４】請求項６に記載した発明によれば、セラミ
ック電子部品の電極の最上層を、耐マイグレーション性
に優れ、かつ、電気導電性に優れたＣｕ又はＡｕのいず
れかを主体とする材料により構成することにより、動作
不良や破損を生じることがなく、層厚の薄い電極のセラ
ミック電子部品を形成することができる。According to the sixth aspect of the present invention, the uppermost layer of the electrodes of the ceramic electronic component is made of a material mainly composed of Cu or Au having excellent migration resistance and excellent electrical conductivity. With this configuration, a ceramic electronic component having a thin electrode can be formed without causing malfunction or damage.
【図１】この発明の実施形態に係る正特性サーミスタの
構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a positive temperature coefficient thermistor according to an embodiment of the present invention.
【図２】同正特性サーミスタの実施例の構成と電極形成
後の抵抗値、リード線加工後の抵抗値、及び、マイグレ
ーションの発生状況との関係を比較例とともに示す図で
ある。FIG. 2 is a diagram showing the relationship between the configuration of an example of the same PTC thermistor, the resistance value after electrode formation, the resistance value after lead wire processing, and the state of occurrence of migration, together with a comparative example.
１−サーミスタ素体 ２−電極 ３−リード線 ４−半田 1-Thermistor body 2-Electrode 3-Lead wire 4-Solder
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 並河 康訓 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 阿部 吉晶 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 岡本 哲和 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (72) Inventor Yasunori Namikawa 2-26-10 Tenjin, Nagaokakyo-shi, Kyoto Stock Company Murata Manufacturing Co., Ltd. (72) Yoshiaki Abe 2-26-10 Tenjin, Nagaokakyo-shi, Kyoto Stock (72) Inventor Tetsukazu Okamoto 2-26-10 Tenjin, Nagaokakyo-shi, Kyoto Stock Company Murata Manufacturing Co., Ltd.
Claims (6)
おり、該電極は、最下層がＡｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ若し
くはＺｎのいずれか又はこれらのうちの２以上を主体と
する材料により構成され、中間層がＮｉ又はＮｉ合金に
より構成され、最上層がＣｕ又はＡｕのいずれかを主体
とする材料により構成されたことを特徴とするセラミッ
ク電子部品素子。An electrode is formed on a surface of a ceramic body, and the lowermost layer of the electrode is made of any one of Al, Ti, Cr, Ni or Zn or a material mainly composed of two or more of them. A ceramic electronic component element comprising: an intermediate layer made of Ni or a Ni alloy; and an uppermost layer made of a material mainly composed of Cu or Au.
くはＺｎのいずれかを主体とする材料により構成され、
前記中間層がＮｉ又はＮｉ合金により構成され、前記最
上層がＣｕ又はＡｕを主体とする材料により構成された
請求項１に記載のセラミック電子部品素子。2. The electrode according to claim 1, wherein the lowermost layer is made of a material mainly composed of Al, Ni or Zn;
2. The ceramic electronic component element according to claim 1, wherein the intermediate layer is made of Ni or a Ni alloy, and the uppermost layer is made of a material mainly composed of Cu or Au.
され、前記中間層がＮｉ又はＮｉ合金により構成され、
前記最上層がＣｕ又はＡｕを主体とする材料により構成
された請求項１に記載のセラミック電子部品素子。3. The electrode, wherein the lowermost layer is made of Al, and the intermediate layer is made of Ni or a Ni alloy;
2. The ceramic electronic component element according to claim 1, wherein the uppermost layer is made of a material mainly composed of Cu or Au.
され、前記中間層がＮｉＣｕにより構成され、前記最上
層がＣｕにより構成された請求項１に記載のセラミック
電子部品素子。4. The ceramic electronic component element according to claim 1, wherein the lowermost layer of the electrode is made of Al, the intermediate layer is made of NiCu, and the uppermost layer is made of Cu.
成された請求項１に記載のセラミック電子部品素子。5. The ceramic electronic component element according to claim 1, wherein a second lowermost layer is added on said lowermost layer.
ク電子部品素子の電極にリード端子が電気的に接続さ
れ、該セラミック電子部品素子とその近傍にある前記リ
ード端子が絶縁被覆されていることを特徴とするセラミ
ック電子部品。6. A lead terminal is electrically connected to an electrode of the ceramic electronic component element according to any one of claims 1 to 5, and said ceramic electronic component element and said lead terminal in the vicinity thereof are insulated. A ceramic electronic component.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15275898A JPH11345704A (en) | 1998-06-02 | 1998-06-02 | Ceramic electronic parts element and ceramic electronic parts using the element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15275898A JPH11345704A (en) | 1998-06-02 | 1998-06-02 | Ceramic electronic parts element and ceramic electronic parts using the element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11345704A true JPH11345704A (en) | 1999-12-14 |
Family
ID=15547521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15275898A Pending JPH11345704A (en) | 1998-06-02 | 1998-06-02 | Ceramic electronic parts element and ceramic electronic parts using the element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11345704A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7105691B2 (en) | 2003-06-26 | 2006-09-12 | Colgate-Palmolive Company | Aluminum / zirconium / glycine antiperspirant actives stabilized with Betaine |
| JP2010501988A (en) * | 2006-09-01 | 2010-01-21 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | Heating element |
-
1998
- 1998-06-02 JP JP15275898A patent/JPH11345704A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7105691B2 (en) | 2003-06-26 | 2006-09-12 | Colgate-Palmolive Company | Aluminum / zirconium / glycine antiperspirant actives stabilized with Betaine |
| JP2010501988A (en) * | 2006-09-01 | 2010-01-21 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | Heating element |
| US8373100B2 (en) | 2006-09-01 | 2013-02-12 | Epcos Ag | Heating element |
| KR101465809B1 (en) * | 2006-09-01 | 2014-11-26 | 에프코스 아게 | Heating element |
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