JPH11342485A - Laser processing machine, and method for forming processing hole for through hole and blind via hole - Google Patents
Laser processing machine, and method for forming processing hole for through hole and blind via holeInfo
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- JPH11342485A JPH11342485A JP10150413A JP15041398A JPH11342485A JP H11342485 A JPH11342485 A JP H11342485A JP 10150413 A JP10150413 A JP 10150413A JP 15041398 A JP15041398 A JP 15041398A JP H11342485 A JPH11342485 A JP H11342485A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、通信装置等の電子
機器における回路基板を製造する場合に使用して好適な
レーザ加工機およびスルーホール・ブラインドビアホー
ル用加工孔の形成方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser beam machine and a method of forming a processed hole for a through-hole and a blind via hole, which are suitable for use in manufacturing a circuit board in an electronic device such as a communication device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、電子機器の小型化に伴い、電子回
路の高密度実装技術が発展してきている。このような実
装技術には、スルーホールおよびブラインドビアホール
を有する多層基板を用いたものが知られている。この場
合、多層基板に対するスルーホールおよびブラインドビ
アホールの形成は、多層基板用の本体にスルーホール用
加工孔およびブラインドビアホール用加工孔を形成し、
これら加工孔の内周面および層面に導電層を形成するこ
とにより行われる。2. Description of the Related Art In recent years, with the miniaturization of electronic devices, high-density mounting technology for electronic circuits has been developed. As such a mounting technique, one using a multilayer substrate having a through hole and a blind via hole is known. In this case, the formation of a through hole and a blind via hole in the multilayer substrate is performed by forming a through hole and a blind via hole in the body for the multilayer substrate.
It is performed by forming a conductive layer on the inner peripheral surface and the layer surface of these processing holes.
【０００３】従来、この種の多層基板におけるスルーホ
ール用加工孔の形成方法には、多層基板用の本体にドリ
ル加工を施すことによるものが採用されている。一方、
ブラインドビアホール用加工孔の形成方法には、例えば
特開平３−２７２１９５号公報に「多層印刷配線板の製
造方法」として開示されたものが採用されている。これ
は、銅層上であってブラインドビアホール用加工孔を形
成するための部分を除く部位に接着層を塗布し、次いで
この接着層上にポリイミド層を印刷形成し、しかる後こ
のポリイミド層上にブラインドビアホール用加工孔を形
成するための部分を除く部位に接着層を塗布してから、
この接着層上に銅層を印刷形成するものである。Heretofore, as a method of forming through holes for through holes in a multilayer substrate of this type, a method of performing drilling on a body for a multilayer substrate has been adopted. on the other hand,
As a method of forming a processed hole for a blind via hole, for example, a method disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-272195 as "a method of manufacturing a multilayer printed wiring board" is employed. This means that an adhesive layer is applied to a portion of the copper layer other than a portion for forming a processing hole for a blind via hole, and then a polyimide layer is printed and formed on the adhesive layer, and then the polyimide layer is formed on the adhesive layer. After applying an adhesive layer to the part except the part for forming the processing hole for blind via hole,
A copper layer is formed by printing on the adhesive layer.
【０００４】また、従来のブラインドビアホール用加工
孔の形成方法には、特開平８―２７２１９５号公報に
「ＰＧＡ型パッケージおよびそのプリント配線板の製造
方法」として開示されたものも採用されている。これ
は、予め絶縁層および導電層が接着層を介して積層して
なる積層板にブラインドビアホール用加工孔の内面を形
成する貫通孔を設け、次にこの貫通孔の絶縁層側開口部
を閉塞するように絶縁層上に銅層を印刷形成するもので
ある。As a conventional method for forming a processed hole for a blind via hole, a method disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-272195 as "a method for manufacturing a PGA type package and its printed wiring board" is also employed. This is because a through-hole for forming an inner surface of a processed hole for a blind via hole is provided in a laminated plate in which an insulating layer and a conductive layer are laminated via an adhesive layer in advance, and then the opening of the through-hole on the insulating layer side is closed. A copper layer is formed on the insulating layer by printing.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかるに、前者（スル
ーホール用加工孔の形成方法）にあっては、ドリル加工
技術を用いるものであるため、一方後者（ブラインドビ
アホール用加工孔の形成方法）にあっては、印刷技術を
用いるものであるため、微細加工（μｍ加工）を施すこ
とが困難なものとなり、近年における高密度実装化に応
じることができないという問題があった。However, since the former (method for forming a processed hole for a through-hole) uses a drilling technique, the former (a method for forming a processed hole for a blind via hole) is used. In this case, since a printing technique is used, it is difficult to perform fine processing (μm processing), and there has been a problem that recent high-density mounting cannot be performed.
【０００６】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
もので、多層基板用の本体に対する微細加工を簡単に行
うことができ、もって近年における高密度実装化に応じ
ることができるレーザ加工機およびスルーホール・ブラ
インドビアホール用加工孔の形成方法を提供するもので
ある。The present invention has been made in view of such circumstances, and a laser beam machine capable of easily performing fine processing on a main body for a multi-layer substrate, and thus capable of responding to recent high-density mounting. An object of the present invention is to provide a method of forming a processed hole for a through hole / a blind via hole.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の請求項１記載のレーザ加工機は、導電層お
よび絶縁層を交互に積層してなる多層基板用の本体にス
ルーホール用加工孔およびブラインドビアホール用加工
孔を形成するための加工機であって、本体に対するレー
ザ光の焦点位置をレーザ光照射面と垂直な方向に可変す
るビームエキスパンダおよび照射位置をレーザ光照射面
方向に可変するガルバノミラーを有するレーザ加工光学
系と、このレーザ加工光学系のビームエキスパンダおよ
びガルバノミラーをそれぞれ焦点位置と照射位置に応じ
て駆動制御する制御系とを備えた構成としてある。した
がって、本体へのスルーホール用加工孔の形成が、制御
系によるガルバノミラーの駆動制御によってレーザ加工
光学系からのレーザ光の照射位置をレーザ光照射面方向
に変化させて行われる。また、本体へのブラインドビア
ホール用加工孔の形成が、制御系によるビームエキスパ
ンダの駆動制御によってレーザ加工光学系からのレーザ
光の焦点位置をレーザ光照射面と垂直な方向に変化させ
るとともに、制御系によるガルバノミラーの駆動制御に
よってレーザ加工光学系からのレーザ光の照射位置をレ
ーザ光照射面方向に変化させて行われる。According to a first aspect of the present invention, there is provided a laser beam machine having a through hole formed in a body for a multi-layer substrate having conductive layers and insulating layers alternately laminated. Processing machine for forming a processing hole for blind holes and a processing hole for blind via holes, a beam expander for changing the focal position of the laser beam with respect to the main body in a direction perpendicular to the laser beam irradiation surface and a laser beam irradiation surface for the irradiation position The laser processing optical system has a galvanomirror that can be changed in direction, and a control system that drives and controls the beam expander and the galvanomirror of the laser processing optical system according to the focal position and the irradiation position, respectively. Therefore, the processing hole for the through hole in the main body is formed by changing the irradiation position of the laser light from the laser processing optical system in the direction of the laser light irradiation surface by the drive control of the galvanomirror by the control system. In addition, the formation of processing holes for blind via holes in the main body changes the focal position of laser light from the laser processing optical system in the direction perpendicular to the laser light irradiation surface by controlling the drive of the beam expander by the control system. The irradiation position of the laser light from the laser processing optical system is changed in the direction of the laser light irradiation surface by driving control of the galvanometer mirror by the system.
【０００８】請求項２記載の発明は、請求項１記載のレ
ーザ加工機において、制御系にレーザ光の出力を可変す
るアッテネータを接続した構成としてある。したがっ
て、スルーホール用加工孔およびブラインドビアホール
用加工孔の形成が、制御系によるアッテネータの制御に
よってレーザ加工光学系からのレーザ光の出力を変化さ
せて行われる。According to a second aspect of the present invention, in the laser processing machine of the first aspect, an attenuator for varying the output of the laser light is connected to the control system. Therefore, the processing hole for the through hole and the processing hole for the blind via hole are formed by changing the output of the laser beam from the laser processing optical system under the control of the attenuator by the control system.
【０００９】請求項３記載の発明は、請求項１または２
記載のレーザ加工機において、レーザ加工光学系が紫外
線レーザ加工光学系からなる構成としてある。したがっ
て、本体へのスルーホール用加工孔の形成が、制御系に
よるガルバノミラーの駆動制御によって紫外線レーザ加
工光学系からのレーザ光の照射位置をレーザ光照射面方
向に変化させて行われる。また、本体へのブラインドビ
アホール用加工孔の形成が、制御系によるビームエキス
パンダの駆動制御によって紫外線レーザ加工光学系から
のレーザ光の焦点位置をレーザ光照射面から垂直な方向
に変化させるとともに、制御系によるガルバノミラーの
駆動制御によって紫外線レーザ加工光学系からのレーザ
光の照射位置をレーザ光照射面方向に変化させて行われ
る。The invention described in claim 3 is the first or second invention.
In the laser processing machine described above, the laser processing optical system is configured to include an ultraviolet laser processing optical system. Therefore, the processing hole for the through hole in the main body is formed by changing the irradiation position of the laser light from the ultraviolet laser processing optical system toward the laser light irradiation surface direction by the drive control of the galvanomirror by the control system. In addition, the formation of the processing hole for the blind via hole in the main body changes the focal position of the laser light from the ultraviolet laser processing optical system in a direction perpendicular to the laser light irradiation surface by the drive control of the beam expander by the control system, This is performed by changing the irradiation position of the laser light from the ultraviolet laser processing optical system in the direction of the laser light irradiation surface by the drive control of the galvanomirror by the control system.
【００１０】請求項４記載の発明（ブラインドビアホー
ル用加工孔の形成方法）は、予め導電層および絶縁層を
交互に積層してなる多層基板用の本体に、レーザ加工光
学系から第一レーザ光および第二レーザ光を順次照射し
てそれぞれ第一凹孔と第二凹孔を形成することにより、
ブラインドビアホール用加工孔を形成する方法であっ
て、本体における一方側最外層のレーザ光照射面からブ
ラインドビアホール用加工孔の底面となる導電層上にお
ける絶縁層のレーザ光照射側層面に至るまでの層の一部
を除去することにより第一凹孔を形成する第一工程と、
この第一凹孔の底面となる絶縁層の一部を除去すること
により第二凹孔を形成する第二工程とを備えた方法とし
てある。したがって、本体に対するブラインドビアホー
ル用加工孔の形成が、一方側最外層のレーザ光照射面か
らブラインドビアホール用加工孔の底面となる導電層上
における絶縁層のレーザ光照射側層面に至るまでの層の
一部を第一レーザ光によって除去した後、この層の一部
を除去することにより露呈する絶縁層の一部を第二レー
ザ光によって除去して行われる。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a method for forming a processed hole for a blind via hole, wherein a first laser beam is applied from a laser processing optical system to a body for a multilayer substrate in which conductive layers and insulating layers are alternately laminated in advance. And by sequentially irradiating a second laser beam and forming a first recess and a second recess, respectively,
A method of forming a processing hole for a blind via hole, the method including a step of extending from a laser light irradiation surface of the outermost layer on one side of the main body to a laser light irradiation side layer surface of an insulating layer on a conductive layer serving as a bottom surface of the processing hole for a blind via hole. A first step of forming a first recess by removing a portion of the layer,
A second step of forming a second recess by removing a part of the insulating layer that forms the bottom surface of the first recess. Therefore, the formation of the processing hole for the blind via hole in the main body is performed on the layer from the laser light irradiation surface of the outermost layer on one side to the laser light irradiation side surface of the insulating layer on the conductive layer serving as the bottom surface of the processing hole for the blind via hole. After removing a part of the insulating layer by the first laser light, a part of the insulating layer exposed by removing a part of the layer is removed by the second laser light.
【００１１】請求項５記載の発明（ブラインドビアホー
ル用加工孔の形成方法）は、予め導電層および絶縁層を
交互に積層してなる多層基板用の本体に、レーザ加工光
学系から第一レーザ光および第二レーザ光を順次照射し
てそれぞれ環状溝と凹孔を形成することにより、ブライ
ンドビアホール用加工孔を形成する方法であって、本体
における一方側最外層のレーザ光照射面からブラインド
ビアホール用加工孔の底面となる導電層のレーザ光照射
側層面に至るまでの各層の一部を除去することにより環
状溝を形成する第一工程と、この環状溝の内側に位置す
るブラインドビアホール用加工孔の底面上における各層
の一部を除去することにより凹孔を形成する第二工程と
を備えた方法としてある。したがって、本体に対するブ
ラインドビアホール用加工孔の形成が、一方側最外層の
レーザ光照射面からブラインドビアホール用加工孔の底
面となる導電層のレーザ光照射側層面に至るまでの各層
の一部を第一レーザ光および第二レーザ光によって除去
して行われる。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a method of forming a processed hole for a blind via hole, wherein a first laser beam is provided from a laser processing optical system to a body for a multilayer substrate in which conductive layers and insulating layers are alternately laminated in advance. Forming a processing hole for a blind via hole by sequentially irradiating a second laser beam and forming a circular groove and a concave hole, respectively, from the laser light irradiation surface of the outermost layer on one side of the main body. A first step of forming an annular groove by removing a part of each layer up to the laser light irradiation side layer surface of the conductive layer serving as a bottom surface of the processing hole, and a processing hole for a blind via hole located inside the annular groove And a second step of forming a concave hole by removing a part of each layer on the bottom surface. Therefore, the formation of the processing hole for blind via hole in the main body is performed by forming a part of each layer from the laser light irradiation surface of the outermost layer on one side to the laser light irradiation side layer surface of the conductive layer serving as the bottom surface of the processing hole for blind via hole. The removal is performed by the first laser light and the second laser light.
【００１２】請求項６記載の発明は、請求項４または５
記載のブラインドビアホール用加工孔の形成方法におい
て、レーザ加工光学系による焦点位置を、第一レーザ光
を照射するに際してレーザ光照射面上に合致させ、第二
レーザ光を照射するに際してレーザ光照射面から垂直な
方向にずらす方法としてある。したがって、第一レーザ
光の照射が、レーザ加工光学系による焦点位置を一方側
最外層のレーザ光照射面上に合致させて行われる。ま
た、第二レーザ光の照射が、レーザ加工光学系による焦
点位置を一方側最外層のレーザ光照射面から垂直な方向
にずらして行われる。The invention according to claim 6 is the invention according to claim 4 or 5.
In the method for forming a processing hole for a blind via hole according to the above, the focal position by the laser processing optical system is made to coincide with the laser light irradiation surface when irradiating the first laser light, and the laser light irradiation surface when irradiating the second laser light As a method of shifting the image in the vertical direction. Therefore, the irradiation of the first laser light is performed by adjusting the focal position of the laser processing optical system to the laser light irradiation surface of the outermost layer on one side. The irradiation of the second laser light is performed by shifting the focal position of the laser processing optical system in a direction perpendicular to the laser light irradiation surface of the outermost layer on one side.
【００１３】請求項７記載の発明は、請求項４または６
記載のブラインドビアホール用加工孔の形成方法におい
て、各レーザ光を同心円状に走査して照射する方法とし
てある。したがって、各レーザ光の照射が、各層に対し
て各レーザ光を同心円状に走査することにより行われ
る。The invention according to claim 7 is the invention according to claim 4 or 6.
In the method for forming a processed hole for a blind via hole described above, each laser beam is concentrically scanned and irradiated. Therefore, irradiation of each laser beam is performed by scanning each layer concentrically with each laser beam.
【００１４】請求項８記載の発明は、請求項４または６
記載のブラインドビアホール用加工孔の形成方法におい
て、各レーザ光を渦巻状に走査して照射する方法として
ある。したがって、各レーザ光の照射が、各層に対して
各レーザ光を渦巻状に走査することにより行われる。The invention according to claim 8 is the invention according to claim 4 or 6.
In the method for forming a processed hole for a blind via hole described above, each laser beam is spirally scanned and irradiated. Therefore, irradiation of each laser beam is performed by spirally scanning each layer with each laser beam.
【００１５】請求項９記載の発明は、請求項５または６
記載のブラインドビアホール用加工孔の形成方法におい
て、第一レーザ光をブラインドビアホール用加工孔の最
外周方向に走査して照射し、第二レーザ光をブラインド
ビアホール用加工孔の最外周より小さい径とする周方向
に走査して照射する方法としてある。したがって、各レ
ーザ光の照射が、本体における最外層のレーザ光照射面
に対して各径が互いに異なる周方向に第一レーザ光と第
二レーザ光を走査することにより行われる。The invention according to claim 9 is the invention according to claim 5 or 6.
In the method for forming a processing hole for a blind via hole according to the description, the first laser light is irradiated by scanning in the outermost peripheral direction of the processing hole for a blind via hole, and the second laser light has a diameter smaller than the outermost circumference of the processing hole for the blind via hole. The irradiation is performed by scanning in the circumferential direction. Therefore, irradiation of each laser beam is performed by scanning the first laser beam and the second laser beam in circumferential directions having different diameters with respect to the laser beam irradiation surface of the outermost layer in the main body.
【００１６】請求項１０記載の発明（スルーホール用加
工孔の形成方法）は、予め導電層および絶縁層を交互に
積層してなる多層基板用の本体に、レーザ光を照射して
各層の一部を除去することにより、スルーホール用加工
孔を形成する方法であって、レーザ光をスルーホール用
加工孔の最外周方向に走査して照射する方法としてあ
る。したがって、本体に対するスルーホール用加工孔の
形成が、本体にレーザ光を照射して導電層および絶縁層
の一部を除去することにより行われる。According to a tenth aspect of the present invention (a method of forming a processed hole for a through-hole), a laser beam is applied to a main body for a multi-layer substrate in which conductive layers and insulating layers are alternately laminated in advance. This is a method of forming a processed hole for a through-hole by removing a portion, and is a method of irradiating a laser beam by scanning in the outermost circumferential direction of the processed hole for a through-hole. Therefore, the formation of the through hole for the main body is performed by irradiating the main body with a laser beam to remove a part of the conductive layer and the insulating layer.
【００１７】[0017]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につき、
図面を参照して説明する。図１〜図６は本発明の第一実
施形態に係るレーザ加工機を説明するために示す概略
図、図７は本発明の第一実施形態に係るレーザ加工機に
よって形成されたスルーホール用加工孔およびブライン
ドビアホール用加工孔を有する多層基板用の本体を示す
断面図である。先ず、スルーホール用加工孔およびブラ
インドビアホール用加工孔を有する多層基板用の本体に
つき、図７を用いて説明する。 [多層基板用の本体]同図において、符号５１で示す多層
（三層）基板用の本体は、導電層５２および絶縁層５３
を備えている。本体５１には、表裏層面に開口するスル
ーホール用加工孔５４および表層面に開口するブライン
ドビアホール用加工孔５５が設けられている。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described.
This will be described with reference to the drawings. 1 to 6 are schematic views illustrating a laser processing machine according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a through hole processing formed by the laser processing machine according to the first embodiment of the present invention. It is sectional drawing which shows the main body for multilayer substrates which has a hole and the processing hole for blind via holes. First, a main body for a multilayer substrate having a processed hole for a through hole and a processed hole for a blind via hole will be described with reference to FIG. [Main Body for Multi-Layer Substrate] In FIG.
It has. The main body 51 is provided with a processed hole 54 for a through hole opened on the front and back layer surfaces and a processed hole 55 for a blind via hole opened on the surface layer surface.
【００１８】導電層５２は、それぞれが互いに絶縁層５
３を介して対向する二つの導電層（表裏層）５２ａ，５
２ｂからなり、全体が銅層によって形成されている。絶
縁層５３は、両導電層５２ａ，５２ｂ間に介在する単一
の絶縁層からなり、全体がポリイミド層によって形成さ
れている。なお、絶縁層５３と導電層５２ａおよび導電
層５２ｂと絶縁層５３は、それぞれ接着層５６によって
接着されている。The conductive layers 52 are formed of insulating layers 5 each other.
3, two conductive layers (front and back layers) 52a, 5
2b, which is entirely formed by a copper layer. The insulating layer 53 is formed of a single insulating layer interposed between the conductive layers 52a and 52b, and is entirely formed of a polyimide layer. Note that the insulating layer 53 and the conductive layer 52a, and the conductive layer 52b and the insulating layer 53 are bonded to each other by an adhesive layer 56.
【００１９】次に、レーザ加工機につき、図１〜図６を
用いて説明する。 [レーザ加工機]同図において、符号１で示すレーザ加工
機は、レーザ加工光学系２および制御系３を備えてい
る。これにより、本体５１におけるスルーホール用加工
孔５４およびブラインドビアホール用加工孔５５が、加
工台４上のワーク５１ａにレーザ光（紫外線）Ｒを照射
して形成される。Next, the laser beam machine will be described with reference to FIGS. [Laser Processing Machine] In the figure, the laser processing machine indicated by reference numeral 1 includes a laser processing optical system 2 and a control system 3. Thereby, the processing hole 54 for the through hole and the processing hole 55 for the blind via hole in the main body 51 are formed by irradiating the work 51 a on the processing table 4 with the laser light (ultraviolet light) R.
【００２０】レーザ加工光学系２は、紫外線レーザ加工
光学系からなり、レーザ５とＴＨＧユニット６とアッテ
ネータ７とビームエキスパンダ８とガルバノミラー９と
テレセントリックｆθレンズ１０とを有している。レー
ザ５は、レーザダイオード（ＬＤ）励起固体レーザから
なり、波長１．０６μｍ（基本波）のレーザ光ｒを発振
させる。The laser processing optical system 2 is composed of an ultraviolet laser processing optical system, and has a laser 5, a THG unit 6, an attenuator 7, a beam expander 8, a galvanomirror 9, and a telecentric fθ lens 10. The laser 5 is composed of a laser diode (LD) pumped solid-state laser and oscillates a laser beam r having a wavelength of 1.06 μm (fundamental wave).
【００２１】ＴＨＧユニット６は、図２に示すように、
それぞれが互いに光路方向に所定の間隔をもって並列す
る二つの非線形結晶（ＬＢＯ結晶）６ａ，６ｂを有し、
レーザ５とアッテネータ７との間に配設されている。こ
れにより、レーザ５からのレーザ光（波長１．０６μ
ｍ）ｒが波長０．５３２μｍのＳＨＧ光を経て波長０．
３５５μｍのＴＨＧ光（紫外線）Ｒに変換される。The THG unit 6, as shown in FIG.
Each having two non-linear crystals (LBO crystals) 6a and 6b arranged in parallel in the optical path direction at a predetermined interval,
It is arranged between the laser 5 and the attenuator 7. Thereby, the laser light from the laser 5 (wavelength 1.06 μm)
m) r passes through SHG light having a wavelength of 0.532 μm and a wavelength of 0.
It is converted to THG light (ultraviolet light) R of 355 μm.
【００２２】アッテネータ７は、図３（ａ）および
（ｂ）に示すように、駆動源（図示せず）によって傾動
可能な二つのガラス板７ａ，７ｂを有し、ＴＨＧユニッ
ト６とビームエキスパンダ８との間に配設されている。
各ガラス板７ａ，７ｂは、互いに光路方向に所定の間隔
をもって並列する位置に配置されている。これにより、
光路方向に対するガラス板７ａ，７ｂの傾斜角度を可変
してＴＨＧ光Ｒの出力調整が行われる。この場合、同図
（ａ）に示すように、各ガラス板７ａ，７ｂの入出射面
が光路方向に対して垂直であると、ＴＨＧ光Ｒの最大出
力が得られる。また、同図（ｂ）に示すように、入射側
のガラス板７ａおよび出射側のガラス板７ｂをそれぞれ
入射側と出射側に最大傾斜させると、ＴＨＧ光Ｒの最小
出力が得られる。As shown in FIGS. 3A and 3B, the attenuator 7 has two glass plates 7a and 7b that can be tilted by a driving source (not shown), and includes a THG unit 6 and a beam expander. 8 is provided.
Each of the glass plates 7a and 7b is arranged at a position where they are juxtaposed at a predetermined interval in the optical path direction. This allows
The output of the THG light R is adjusted by varying the inclination angle of the glass plates 7a and 7b with respect to the optical path direction. In this case, the maximum output of the THG light R is obtained when the entrance and exit surfaces of the glass plates 7a and 7b are perpendicular to the optical path direction, as shown in FIG. Further, as shown in FIG. 4B, when the glass plate 7a on the incident side and the glass plate 7b on the emission side are respectively inclined up to the incidence side and the emission side, the minimum output of the THG light R is obtained.
【００２３】ビームエキスパンダ８は、図４（ａ）およ
び（ｂ）に示すように、ボイスコイル１１によって光路
方向に往復可能なレンズ８ａを有し、アッテネータ７と
ガルバノミラー９との間に配設されている。これによ
り、アッテネータ７からの入射ビーム光のビーム径を平
行させかつ拡大させてガルバノミラー９に対して出射す
る。そして、レンズ８ａの往復動作によって加工台４上
のワーク５１ａに対するＴＨＧ光Ｒの焦点位置が、レー
ザ光照射面５１Ａと垂直な方向に変化する。As shown in FIGS. 4A and 4B, the beam expander 8 has a lens 8a which can reciprocate in the optical path direction by a voice coil 11, and is disposed between the attenuator 7 and the galvanomirror 9. Has been established. As a result, the beam diameter of the incident light beam from the attenuator 7 is made parallel and enlarged, and then emitted to the galvanometer mirror 9. Then, by the reciprocating operation of the lens 8a, the focal position of the THG light R with respect to the work 51a on the processing table 4 changes in a direction perpendicular to the laser light irradiation surface 51A.
【００２４】ガルバノミラー９は、図５に示すように、
それぞれがガルバノメータ１２，１３によって傾動可能
な二つのガルバノミラー９ａ，９ｂからなり、ビームエ
キスパンダ８とテレセントリックｆθレンズ１０との間
に配設されている。これにより、一方のガルバノミラー
９ａが傾動すると、ワーク５１ａのレーザ光照射面５１
Ａにおけるレーザ光Ｒの照射位置がレーザ光照射面方向
（Ｘ軸方向）に変化する。また、他方のガルバノミラー
９ｂが傾動すると、レーザ光Ｒの照射位置がレーザ光照
射面方向（Ｘ軸方向と直角なＹ軸方向）に変化する。そ
して、ワーク５１ａ上における広さ３０×３０ｍｍの領
域内で、各ガルバノミラー９ａ，９ｂの傾動動作に応じ
て直線あるいは円等の加工が行われる。The galvanomirror 9 is, as shown in FIG.
Each is composed of two galvanometer mirrors 9a and 9b that can be tilted by galvanometers 12 and 13, and is disposed between the beam expander 8 and the telecentric fθ lens 10. Accordingly, when one of the galvanomirrors 9a is tilted, the laser beam irradiation surface 51 of the work 51a is moved.
The irradiation position of the laser light R in A changes in the direction of the laser light irradiation surface (X-axis direction). When the other galvanometer mirror 9b is tilted, the irradiation position of the laser light R changes in the direction of the laser light irradiation surface (the Y-axis direction perpendicular to the X-axis direction). Then, within the area of 30 × 30 mm on the work 51a, processing such as a straight line or a circle is performed according to the tilting operation of each of the galvanomirrors 9a and 9b.
【００２５】テレセントリックｆθレンズ１０は、ワー
ク５１ａのレーザ光照射面５１Ａに対して垂直に出射可
能なレンズからなり、ガルバノミラー９と加工台４との
間に配設されている。これにより、図６（ａ）〜（ｃ）
に示すように、テレセントリックｆθレンズ１０に対し
て各レーザ光Ｒの入射位置が互いに異なる場合でも、テ
レセントリックｆθレンズ１０からの各レーザ光Ｒがワ
ーク５１ａのレーザ光照射面５１Ａに対して垂直に出射
される。The telecentric fθ lens 10 is a lens capable of emitting light perpendicular to the laser beam irradiation surface 51A of the work 51a, and is disposed between the galvanometer mirror 9 and the processing table 4. Thereby, FIGS. 6 (a) to 6 (c)
As shown in the figure, even when the incident position of each laser beam R with respect to the telecentric fθ lens 10 is different from each other, each laser beam R from the telecentric fθ lens 10 is emitted perpendicular to the laser beam irradiation surface 51A of the work 51a. Is done.
【００２６】一方、制御系３は、レーザコントローラ，
アッテネータコントローラ，ビームエキスパンダコント
ローラおよびガルバノミラーコントローラ（全て図示せ
ず）を有し、パーソナルコンピュータ（図示せず）およ
びレーザ加工光学系２に接続されている。これにより、
パーソナルコンピュータ（図示せず）から加工プログラ
ムに応じてレーザ光周波数，加工設定位置，加工速度，
ビームエキスパンダ位置およびガルバノミラーコントロ
ーラ位置等の情報が各コントローラ（図示せず）に伝達
されると、レーザ５，アッテネータ７，ビームエキスパ
ンダ８およびガルバノミラー９を駆動制御して本体５１
（ワーク５１ａ）にスルーホール用加工孔５４およびブ
ラインドビアホール用加工孔５５が自動的に形成され
る。On the other hand, the control system 3 includes a laser controller,
It has an attenuator controller, a beam expander controller, and a galvanometer mirror controller (all not shown), and is connected to a personal computer (not shown) and the laser processing optical system 2. This allows
Laser light frequency, processing setting position, processing speed,
When information such as the position of the beam expander and the position of the galvanomirror controller is transmitted to each controller (not shown), the drive of the laser 5, the attenuator 7, the beam expander 8, and the galvanomirror 9 is controlled and the main body 51 is controlled.
A processed hole 54 for a through hole and a processed hole 55 for a blind via hole are automatically formed in the (work 51a).
【００２７】次に、本発明の第一実施形態に係るスルー
ホール用加工孔の形成方法およびブラインドビアホール
用加工孔の形成方法につき、図７，図８〜図１１を用い
て説明する。 [スルーホール用加工孔の形成方法]すなわち、本体５１
（ワーク５１ａ）に表裏層面に開口するスルーホール用
加工孔５４を形成するには、図８に示すように、予め導
電層５２および絶縁層５３を交互に積層してなるワーク
５１ａの導電層５２ａにレーザ加工光学系２からレーザ
光Ｒを照射して各層５２ａ，５３，５２ｂの一部を除去
することにより行われる。Next, a method for forming a processed hole for a through hole and a method for forming a processed hole for a blind via hole according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. [Method of Forming Processing Hole for Through Hole]
In order to form the processed holes 54 for through-holes opened on the front and back layer surfaces in the (work 51a), as shown in FIG. 8, the conductive layer 52a of the work 51a in which conductive layers 52 and insulating layers 53 are alternately laminated in advance. The laser beam R is irradiated from the laser processing optical system 2 to remove part of each of the layers 52a, 53, and 52b.
【００２８】この場合、ビームエキスパンダ８を駆動制
御してレーザ加工光学系２によるレーザ光Ｒの焦点位置
ａをレーザ光照射面５１Ａ上に合致させる（ジャストフ
ォーカス）。また、ガルバノミラー９を駆動制御してレ
ーザ加工光学系２によるワーク５１ａに対するレーザ光
Ｒの照射位置をレーザ光照射面方向に変化させる。すな
わち、図９に示すように、レーザ光Ｒをスルーホール用
加工孔５４の最外周方向に走査してレーザ光照射面５１
Ａに照射する。In this case, the beam expander 8 is driven and controlled so that the focal position a of the laser light R by the laser processing optical system 2 coincides with the laser light irradiation surface 51A (just focus). Further, the galvanomirror 9 is driven and controlled to change the irradiation position of the laser light R on the work 51a by the laser processing optical system 2 in the direction of the laser light irradiation surface. That is, as shown in FIG. 9, the laser beam R is scanned in the outermost circumferential direction of the through-hole processing hole 54 and the laser beam irradiation surface 51 is scanned.
A is irradiated.
【００２９】[ブラインドビアホール用加工孔の形成方
法]先ず、図１０（ａ）に示すように、レーザ光照射面
５１Ａにレーザ加工光学系２から第一レーザ光Ｒ１（Ｔ
ＨＧ光）を照射して導電層５２ａの一部を除去すること
により、ワーク５１ａに第一凹孔５１ｂを形成する（第
一工程）。[Method of Forming Processing Hole for Blind Via Hole] First, as shown in FIG. 10A, the first laser light R1 (T
HG light) is applied to remove a part of the conductive layer 52a, thereby forming a first concave hole 51b in the work 51a (first step).
【００３０】この場合、ビームエキスパンダ８を駆動制
御してレーザ加工光学系２による第一レーザ光Ｒ１の焦
点位置ａをレーザ光照射面５１Ａ上に合致させる（ジャ
ストフォーカス）。また、ガルバノミラー９を駆動制御
してレーザ加工光学系２によるワーク５１ａに対するレ
ーザ光Ｒ１の照射位置をレーザ光照射面方向に変化させ
る。すなわち、図１１に示すように、ブラインドビアホ
ール用加工孔５５（第一凹孔５１ｂ）の孔径Ａを最大径
とし、第一レーザ光Ｒ１をレーザ光照射面５１Ａ上の内
側から外側に向かって同心円状に走査して導電層５２ａ
に均一に照射する。In this case, the beam expander 8 is driven and controlled so that the focal position a of the first laser light R1 by the laser processing optical system 2 coincides with the laser light irradiation surface 51A (just focus). Further, the galvanomirror 9 is driven and controlled to change the irradiation position of the laser beam R1 on the workpiece 51a by the laser processing optical system 2 toward the laser beam irradiation surface. That is, as shown in FIG. 11, the hole diameter A of the blind via hole processing hole 55 (first concave hole 51b) is set to the maximum diameter, and the first laser light R1 is concentric from the inner side to the outer side on the laser light irradiation surface 51A. To form a conductive layer 52a
Irradiate uniformly.
【００３１】次に、図１０（ｂ）に示すように、絶縁層
５３にレーザ加工光学系２から第二レーザ光Ｒ２（ＴＨ
Ｇ光）を照射して絶縁層５３の一部を除去することによ
り、ワーク５１ａに第二凹孔５１ｃを形成する（第二工
程）。Next, as shown in FIG. 10B, the second laser beam R2 (TH
By irradiating (G light) a part of the insulating layer 53, a second concave hole 51c is formed in the work 51a (second step).
【００３２】この場合、ビームエキスパンダ８を駆動制
御してレーザ加工光学系２による第二レーザ光Ｒ２の焦
点位置ｂをレーザ光照射面５１Ａから垂直な方向（上
方）にずらす（デフォーカス）。また、ガルバノミラー
９を駆動制御してレーザ加工光学系２によるワーク５１
ａ（絶縁層５３）に対する第二レーザ光Ｒ２の照射位置
をレーザ光照射面方向に変化させる。すなわち、図１１
に示すように、第一工程と同様にブラインドビアホール
用加工孔５５の孔径Ａを最大径とし、第二レーザ光Ｒ２
を第一凹孔５１ｂにおける底面５１Ｂ上の内側から外側
に向かって同心円状に走査して導電層５２ａに均一に照
射する。このようにして、ワーク５１ａにブラインドビ
アホール用加工孔５５を形成することができる。ここ
で、図１１に示す第一レーザ光Ｒ１，Ｒ２の円周間ピッ
チＢおよびバイトサイズＣは、レーザ光Ｒのビーム径に
応じて決定される。In this case, the beam expander 8 is driven and controlled so that the focal position b of the second laser light R2 by the laser processing optical system 2 is shifted (defocused) in a direction (upward) perpendicular to the laser light irradiation surface 51A. Further, the galvanomirror 9 is driven and controlled to control the work 51 by the laser processing optical system 2.
The irradiation position of the second laser light R2 with respect to a (the insulating layer 53) is changed in the direction of the laser light irradiation surface. That is, FIG.
As shown in the first step, the hole diameter A of the blind via hole processing hole 55 is set to the maximum diameter, and the second laser light R2
Is concentrically scanned from the inside to the outside on the bottom surface 51B of the first concave hole 51b to uniformly irradiate the conductive layer 52a. In this manner, the processed holes 55 for blind via holes can be formed in the work 51a. Here, the inter-circumference pitch B and the byte size C of the first laser beams R1 and R2 shown in FIG. 11 are determined according to the beam diameter of the laser beam R.
【００３３】したがって、本実施形態においては、本体
５１に層の一部を除去することによりスルーホール用加
工孔５４およびブラインドビアホール用加工孔５５を形
成することができるから、本体５１に対する微細加工を
簡単に行うことができる。Therefore, in this embodiment, the processing hole 54 for the through hole and the processing hole 55 for the blind via hole can be formed by removing a part of the layer in the main body 51. Easy to do.
【００３４】なお、本実施形態（ブラインドビアホール
用加工の形成方法）においては、本体５１に対する各レ
ーザ光Ｒ（第一レーザ光と第二レーザ光）の照射がレー
ザ光Ｒを同心円状に走査することにより行われる場合に
ついて説明したが、本発明はこれに限定されず、第二実
施形態として図１２に示すように、レーザ光照射面５１
Ａ上の内側から外側に向かって渦巻状に走査することに
より行われるものでもよい。これにより、レーザ光Ｒの
走査距離が第一実施形態（レーザ光を同心円状に走査す
る場合）と比べて短縮されるから、加工速度を高めるこ
とができる。In this embodiment (method for forming a blind via hole), irradiation of the main body 51 with each laser beam R (first laser beam and second laser beam) scans the laser beam R concentrically. However, the present invention is not limited to this, and as shown in FIG.
The scanning may be performed by spiral scanning from the inside to the outside on A. Thereby, the scanning distance of the laser light R is reduced as compared with the first embodiment (when the laser light is concentrically scanned), so that the processing speed can be increased.
【００３５】次に、本発明の第三実施形態に係るブライ
ンドビアホール用加工孔の形成方法につき、図１３
（ａ）および（ｂ）を用いて説明する。先ず、同図
（ａ）に示すように、レーザ光照射面５１Ａにレーザ加
工光学系２から第一レーザ光Ｒ１（ＴＨＧ光）を照射し
て導電層５２ａおよび絶縁層５３の一部を除去すること
により、ワーク５１ａに環状溝５５Ａを形成する（第一
工程）。Next, a method of forming a processed hole for a blind via hole according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
This will be described with reference to (a) and (b). First, as shown in FIG. 1A, the laser beam irradiation surface 51A is irradiated with the first laser beam R1 (THG beam) from the laser processing optical system 2 to remove a part of the conductive layer 52a and the insulating layer 53. Thereby, the annular groove 55A is formed in the work 51a (first step).
【００３６】この場合、ビームエキスパンダ８を駆動制
御してレーザ加工光学系２による第一レーザ光Ｒ１の焦
点位置ａをレーザ光照射面５１Ａ上に合致させる（ジャ
ストフォーカス）。また、ガルバノミラー９を駆動制御
してレーザ加工光学系２によるワーク５１ａに対する第
一レーザ光Ｒ１の照射位置をレーザ光照射面方向に変化
させる。すなわち、第一レーザ光Ｒ１をブラインドビア
ホール用加工孔５５の最外周方向に走査して（二回）レ
ーザ光照射面５１Ａに照射する。なお、第一レーザ光Ｒ
１の走査回数は、導電層５２ｂに対して熱影響を与えな
いために、スルーホール用加工孔５４を形成する場合に
おけるレーザ光Ｒの走査回数（三回）より少なくしてい
る。In this case, the beam expander 8 is driven and controlled so that the focal position a of the first laser light R1 by the laser processing optical system 2 coincides with the laser light irradiation surface 51A (just focus). Further, the galvanomirror 9 is driven and controlled to change the irradiation position of the first laser light R1 on the work 51a by the laser processing optical system 2 in the direction of the laser light irradiation surface. In other words, the first laser light R1 is scanned in the outermost circumferential direction of the blind via hole processing hole 55 (twice) to irradiate the laser light irradiation surface 51A. Note that the first laser light R
The number of scans of 1 is smaller than the number of scans (three times) of the laser beam R in the case of forming the through hole processing hole 54 so as not to affect the conductive layer 52b with heat.
【００３７】次に、同図（ｂ）に示すように、レーザ光
照射面５１Ａにレーザ加工光学系２から第二レーザ光Ｒ
２（ＴＨＧ光）を照射して環状溝５５Ａの内側に位置す
る導電層５２ａおよび絶縁層５３の一部を除去すること
により、ワーク５１ａに凹孔５５Ｂを形成する（第二工
程）。Next, as shown in FIG. 3B, the second laser beam R from the laser processing optical system 2 is applied to the laser beam irradiation surface 51A.
2 (THG light) is applied to remove a part of the conductive layer 52a and the insulating layer 53 located inside the annular groove 55A, thereby forming a recess 55B in the work 51a (second step).
【００３８】この場合、ビームエキスパンダ８を駆動制
御してレーザ加工光学系２による第二レーザ光Ｒ２の焦
点位置ｂをレーザ光照射面５１Ａから垂直な方向（上
方）にずらす（デフォーカス）。また、ガルバノミラー
９を駆動制御してレーザ加工光学系２によるワーク５１
ａ（絶縁層５３）に対する第二レーザ光Ｒ２の照射位置
をレーザ光照射面方向に変化させる。すなわち、ブライ
ンドビアホール用加工孔５５の最外周より小さい径とす
る周方向に第二レーザ光Ｒ２を走査して照射する。この
ようにして、ワーク５１ａにブラインドビアホール用加
工孔５５を形成することができる。In this case, the beam expander 8 is driven and controlled so that the focal position b of the second laser light R2 by the laser processing optical system 2 is shifted (defocused) in a direction (upward) perpendicular to the laser light irradiation surface 51A. Further, the galvanomirror 9 is driven and controlled to control the work 51 by the laser processing optical system 2.
The irradiation position of the second laser light R2 with respect to a (the insulating layer 53) is changed in the direction of the laser light irradiation surface. That is, the second laser light R2 is scanned and irradiated in the circumferential direction having a diameter smaller than the outermost circumference of the blind via hole processing hole 55. In this manner, the processed holes 55 for blind via holes can be formed in the work 51a.
【００３９】したがって、本実施形態において、本体５
１に層の一部を除去することによりブラインドビアホー
ル用加工孔５５を形成することができ、本体５１に対す
る微細加工が簡単に行えることは、第一実施形態と同様
である。また、本実施形態においては、各レーザ光Ｒの
照射がブラインドビアホール用加工孔５５の周方向に走
査して行うものであるから、レーザ光Ｒの走査距離が第
一実施形態および第二実施形態と比べて短縮されるか
ら、加工速度を一層効果的に高めることができる。な
お、各実施形態においては、本体５１が三層である場合
に適用する例について説明したが、本発明は特に限定適
用されるものでないことは勿論である。Therefore, in this embodiment, the main body 5
As in the first embodiment, it is possible to form a processed hole 55 for a blind via hole by removing a part of the layer 1 and easily perform fine processing on the main body 51. Further, in the present embodiment, since the irradiation of each laser beam R is performed by scanning in the circumferential direction of the blind via hole processing hole 55, the scanning distance of the laser beam R is reduced in the first embodiment and the second embodiment. Therefore, the processing speed can be more effectively increased. In each embodiment, an example in which the main body 51 has three layers has been described. However, it goes without saying that the present invention is not particularly limited.
【００４０】[0040]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、多
層基板用の本体に対するレーザ光の焦点位置をレーザ光
照射面と垂直な方向に可変するビームエキスパンダおよ
び照射位置をレーザ光照射面方向に可変するガルバノミ
ラーを有するレーザ加工光学系と、このレーザ加工光学
系のビームエキスパンダおよびガルバノミラーをそれぞ
れ焦点位置と照射位置に応じて駆動制御する制御系とを
備えたので、本体に対するスルーホール用加工孔の形成
が、制御系によるガルバノミラーの駆動制御によってレ
ーザ加工光学系からのレーザ光の照射位置をレーザ光照
射面方向に変化させて行われ、一方ブラインドビアホー
ル用加工孔の形成が、制御系によるビームエキスパンダ
の駆動制御によってレーザ加工光学系からのレーザ光の
焦点位置をレーザ光照射面と垂直な方向に変化させると
ともに、制御系によるガルバノミラーの駆動制御によっ
てレーザ加工光学系からのレーザ光の照射位置をレーザ
光照射面方向に変化させ行われる。As described above, according to the present invention, the beam expander for changing the focal position of the laser beam with respect to the body for the multilayer substrate in the direction perpendicular to the laser beam irradiation surface and the irradiation position are changed. A laser processing optical system having a galvanomirror that can be changed in the direction, and a control system that drives and controls the beam expander and the galvanomirror of the laser processing optical system according to the focal position and the irradiation position, respectively. Hole processing holes are formed by changing the irradiation position of laser light from the laser processing optical system in the direction of the laser light irradiation surface by controlling the drive of the galvanometer mirror by the control system, while forming the processing holes for blind via holes is performed. The focus position of the laser beam from the laser processing optical system is controlled by the drive control of the beam expander by the control system. With changing the irradiation surface perpendicular direction is performed by changing the laser beam-irradiated surface direction irradiation position of the laser beam from the laser processing optical system by the drive control of the galvanometer mirror by the control system.
【００４１】したがって、本体に層の一部を除去するこ
とによりスルーホール用加工孔およびブラインドビアホ
ール用加工孔を形成することができるから、本体に対す
る微細加工を簡単に行うことができ、近年における高密
度実装化に応じることができる。Accordingly, by removing a part of the layer in the main body, a processed hole for a through hole and a processed hole for a blind via hole can be formed. It can respond to density mounting.
【図１】本発明の第一実施形態に係るレーザ加工機の全
体を示すブロック図である。FIG. 1 is a block diagram showing an entire laser beam machine according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第一実施形態に係るレーザ加工機にお
ける第三高調波変換（ＴＨＧ）ユニットの概略を示す側
面図である。FIG. 2 is a side view schematically showing a third harmonic conversion (THG) unit in the laser beam machine according to the first embodiment of the present invention.
【図３】（ａ）および（ｂ）は本発明の第一実施形態に
係るレーザ加工機におけるアッテネータの概略を示す側
面図である。FIGS. 3A and 3B are side views schematically showing an attenuator in the laser beam machine according to the first embodiment of the present invention.
【図４】（ａ）および（ｂ）本発明の第一実施形態に係
るレーザ加工機におけるビームエキスパンダを示す側面
図と平面図である。FIGS. 4A and 4B are a side view and a plan view showing a beam expander in the laser beam machine according to the first embodiment of the present invention.
【図５】本発明の第一実施形態に係るレーザ加工機にお
けるガルバノミラーとテレセントリックｆθレンズを示
す斜視図である。FIG. 5 is a perspective view showing a galvanomirror and a telecentric fθ lens in the laser beam machine according to the first embodiment of the present invention.
【図６】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第一実施形態に係る
レーザ加工機のテレセントリックｆθレンズの機能を説
明するために示す側面図である。FIGS. 6A to 6C are side views for explaining the function of the telecentric fθ lens of the laser beam machine according to the first embodiment of the present invention.
【図７】本発明の第一実施形態に係るレーザ加工機によ
って形成されたスルーホール用加工孔およびブラインド
ビアホール用加工孔を有する多層基板用の本体を示す断
面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view showing a main body for a multi-layer substrate having a processing hole for a through hole and a processing hole for a blind via hole formed by the laser processing machine according to the first embodiment of the present invention.
【図８】本発明の第一実施形態に係るスルーホール用加
工孔の形成方法を説明するために示す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view for explaining a method for forming a processed hole for a through hole according to the first embodiment of the present invention.
【図９】本発明の第一実施形態に係るスルーホール用加
工孔の形成方法を説明するために示す平面図である。FIG. 9 is a plan view for explaining a method of forming a processed hole for a through hole according to the first embodiment of the present invention.
【図１０】（ａ）および（ｂ）は本発明の第一実施形態
に係るブラインドビアホール用加工孔の形成方法を説明
するために示す断面図である。FIGS. 10A and 10B are cross-sectional views illustrating a method for forming a processed hole for a blind via hole according to the first embodiment of the present invention.
【図１１】本発明の第一実施形態に係るブラインドビア
ホール用加工孔の形成方法を説明するために示す平面図
である。FIG. 11 is a plan view for explaining a method of forming a processed hole for a blind via hole according to the first embodiment of the present invention.
【図１２】本発明の第二実施形態に係るブラインドビア
ホール用加工孔の形成方法を説明するために示す平面図
である。FIG. 12 is a plan view for explaining a method for forming a processed hole for a blind via hole according to a second embodiment of the present invention.
【図１３】（ａ）および（ｂ）は本発明の第三実施形態
に係るブラインドビアホール用加工孔の形成方法を説明
するために示す断面図である。FIGS. 13A and 13B are cross-sectional views for explaining a method of forming a processed hole for a blind via hole according to a third embodiment of the present invention.
１ レーザ加工機 ２ レーザ加工光学系 ３ 制御系 ４ 加工台 ５ レーザ ６ ＴＨＧユニット ７ アッテネータ ８ ビームエキスパンダ ９，９ａ，９ｂ ガルバノミラー １０ テレセントリックｆθレンズ ５１ 本体 ５１ａ ワーク ５１ｂ 第一凹孔 ５１ｃ 第二凹孔 ５１Ａ レーザ光照射面 ５２，５２ａ，５２ｂ 導電層 ５３ 絶縁層 ５４ スルーホール用加工孔 ５５ ブラインドビアホール用加工孔 Ｒ，Ｒ１，Ｒ２ レーザ光 REFERENCE SIGNS LIST 1 laser processing machine 2 laser processing optical system 3 control system 4 processing table 5 laser 6 THG unit 7 attenuator 8 beam expander 9, 9a, 9b galvanometer mirror 10 telecentric fθ lens 51 main body 51a work 51b first concave hole 51c second concave Hole 51A Laser irradiation surface 52, 52a, 52b Conductive layer 53 Insulating layer 54 Processing hole for through hole 55 Processing hole for blind via hole R, R1, R2 Laser light
Claims (10)
る多層基板用の本体にレーザ光を照射することによりス
ルーホール用加工孔およびブラインドビアホール用加工
孔を形成するための加工機であって、 前記本体に対するレーザ光の焦点位置をレーザ光照射面
と垂直な方向に可変するビームエキスパンダおよび照射
位置をレーザ光照射面方向に可変するガルバノミラーを
有するレーザ加工光学系と、 このレーザ加工光学系のビームエキスパンダおよびガル
バノミラーをそれぞれ前記焦点位置と前記照射位置に応
じて駆動制御する制御系とを備えたことを特徴とするレ
ーザ加工機。1. A processing machine for forming a processing hole for a through hole and a processing hole for a blind via hole by irradiating a laser beam to a main body for a multilayer substrate in which conductive layers and insulating layers are alternately laminated. A laser processing optical system having a beam expander for changing the focal position of the laser light with respect to the main body in a direction perpendicular to the laser light irradiation surface, and a galvanomirror for changing the irradiation position in the direction of the laser light irradiation surface; A laser processing machine comprising: a control system that drives and controls a beam expander and a galvanomirror of an optical system according to the focal position and the irradiation position, respectively.
るアッテネータを接続したことを特徴とする請求項１記
載のレーザ加工機。2. The laser beam machine according to claim 1, wherein an attenuator for varying the output of the laser beam is connected to the control system.
加工光学系からなることを特徴とする請求項１または２
記載のレーザ加工機。3. The laser processing optical system according to claim 1, wherein the laser processing optical system comprises an ultraviolet laser processing optical system.
The laser processing machine as described.
てなる多層基板用の本体に、レーザ加工光学系から第一
レーザ光および第二レーザ光を順次照射してそれぞれ第
一凹孔と第二凹孔を形成することにより、ブラインドビ
アホール用加工孔を形成する方法であって、 前記本体における一方側最外層のレーザ光照射面から前
記ブラインドビアホール用加工孔の底面となる導電層上
における絶縁層のレーザ光照射側層面に至るまでの層の
一部を除去することにより前記第一凹孔を形成する第一
工程と、 この第一凹孔の底面となる絶縁層の一部を除去すること
により前記第二凹孔を形成する第二工程とを備えたこと
を特徴とするブラインドビアホール用加工孔の形成方
法。4. A laser processing optical system sequentially irradiates a first laser beam and a second laser beam onto a main body for a multi-layer substrate in which conductive layers and insulating layers are alternately laminated in advance to form first and second concave holes, respectively. A method of forming a processed hole for a blind via hole by forming a second concave hole, the method comprising: forming a processed hole for a blind via hole from a laser light irradiation surface on one side outermost layer in the main body on a conductive layer serving as a bottom surface of the processed hole for the blind via hole. A first step of forming the first recess by removing a part of a layer of the insulating layer up to the laser light irradiation side layer surface; and removing a part of the insulating layer serving as a bottom surface of the first recess. A second step of forming the second concave hole by performing the method.
てなる多層基板用の本体に、レーザ加工光学系から第一
レーザ光および第二レーザ光を順次照射してそれぞれ環
状溝と凹孔を形成することにより、ブラインドビアホー
ル用加工孔を形成する方法であって、 前記本体における一方側最外層のレーザ光照射面から前
記ブラインドビアホール用加工孔の底面となる導電層の
レーザ光照射側層面に至るまでの各層の一部を除去する
ことにより前記環状溝を形成する第一工程と、 この環状溝の内側に位置する前記ブラインドビアホール
用加工孔の底面上における各層の一部を除去することに
より前記凹孔を形成する第二工程とを備えたことを特徴
とするブラインドビアホール用加工孔の形成方法。5. A main body for a multi-layer substrate, in which conductive layers and insulating layers are alternately laminated in advance, are sequentially irradiated with a first laser beam and a second laser beam from a laser processing optical system to form annular grooves and concave holes, respectively. Forming a processing hole for a blind via hole by forming a laser light irradiation side layer surface of a conductive layer which is a bottom surface of the processing hole for the blind via hole from the laser light irradiation surface of the outermost layer on one side of the main body. A first step of forming the annular groove by removing a part of each layer up to, and removing a part of each layer on a bottom surface of the blind via hole processing hole located inside the annular groove. And a second step of forming the concave hole according to (1).
を、前記第一レーザ光を照射するに際して前記レーザ光
照射面上に合致させ、前記第二レーザ光を照射するに際
して前記レーザ光照射面から垂直な方向にずらすことを
特徴とする請求項４または５記載のブラインドビアホー
ル用加工孔の形成方法。6. The laser processing optical system is configured to match a focal position on the laser light irradiation surface when irradiating the first laser light, and perpendicularly extend from the laser light irradiation surface when irradiating the second laser light. The method for forming a processed hole for a blind via hole according to claim 4, wherein the hole is shifted in an arbitrary direction.
照射することを特徴とする請求項４または６記載のブラ
インドビアホール用加工孔の形成方法。7. The method for forming a processed hole for a blind via hole according to claim 4, wherein each of the laser beams is concentrically scanned and irradiated.
射することを特徴とする請求項４または６記載のブライ
ンドビアホール用加工孔の形成方法。8. The method for forming a processed hole for a blind via hole according to claim 4, wherein each of the laser beams is spirally scanned and irradiated.
ホール用加工孔の最外周方向に走査して照射し、前記第
二レーザ光を前記ブラインドビアホール用加工孔の最外
周より小さい径とする周方向に走査して照射する請求項
５または６記載のブラインドビアホール用加工孔の形成
方法。9. A circumferential direction in which the first laser beam is scanned and irradiated in the outermost peripheral direction of the blind via hole processing hole, and the second laser beam is smaller in diameter than the outermost peripheral direction of the blind via hole processing hole. 7. The method for forming a processed hole for a blind via hole according to claim 5, wherein the irradiation is performed by scanning.
してなる多層基板用の本体に、レーザ光を照射して各層
の一部を除去することにより、スルーホール用加工孔を
形成する方法であって、 前記レーザ光を前記スルーホール用加工孔の最外周方向
に走査して照射することを特徴とするスルーホール用加
工孔の形成方法。10. A method for forming a processed hole for a through hole by irradiating a laser beam to a main body for a multilayer substrate in which conductive layers and insulating layers are alternately laminated in advance and partially removing each layer. A method for forming a processed hole for a through-hole, wherein the laser light is scanned and irradiated in the outermost peripheral direction of the processed hole for a through-hole.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10150413A JPH11342485A (en) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | Laser processing machine, and method for forming processing hole for through hole and blind via hole |
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| JP10150413A JPH11342485A (en) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | Laser processing machine, and method for forming processing hole for through hole and blind via hole |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11342485A true JPH11342485A (en) | 1999-12-14 |
Family
ID=15496409
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|---|---|---|---|
| JP10150413A Pending JPH11342485A (en) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | Laser processing machine, and method for forming processing hole for through hole and blind via hole |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11342485A (en) |
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- 1998-05-29 JP JP10150413A patent/JPH11342485A/en active Pending
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