JPH11340488A - 光起電モジュールの特性測定方法および装置ならびに製造方法 - Google Patents

光起電モジュールの特性測定方法および装置ならびに製造方法

Info

Publication number
JPH11340488A
JPH11340488A JP10155414A JP15541498A JPH11340488A JP H11340488 A JPH11340488 A JP H11340488A JP 10155414 A JP10155414 A JP 10155414A JP 15541498 A JP15541498 A JP 15541498A JP H11340488 A JPH11340488 A JP H11340488A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
module
photovoltaic
voltage
measuring
characteristic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10155414A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshihito Yoshino
豪人 吉野
Tsutomu Murakami
勉 村上
Koichi Shimizu
孝一 清水
Yoshifumi Takeyama
祥史 竹山
Koji Tsuzuki
幸司 都築
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP10155414A priority Critical patent/JPH11340488A/ja
Publication of JPH11340488A publication Critical patent/JPH11340488A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 大面積光起電モジュールの特性を安価に測定
できるようにする。 【解決手段】 バイパスダイオード404、405を有
する光起電素子401、402を複数直列接続して構成
した光起電モジュールMのモジュール特性を測定する際
に、基準光照射手段410、411により光起電モジュ
ールの一部領域の光起電素子401または402のみに
基準光を照射した状態における光起電モジュールの電圧
対電流特性をサブ・モジュール特性として測定するとと
もに、このサブ・モジュール特性の測定を、基準光の照
射領域を移動させながら繰り返すことにより、全領域の
光起電素子401および402について行い、得られた
各領域の光起電素子のサブ・モジュール特性とバイパス
ダイオードの電圧対電流特性とに基づいて、モジュール
特性を得る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光起電モジュール
の電圧対電流特性測定方法および装置ならびに製造方法
に関する。より詳しくは、バイパスダイオードを有する
光起電素子を複数直列接続して構成される光起電モジュ
ールの特性測定に際し、被測定モジュールの面積より小
さな照射面積の特性測定用基準光源を用いて、モジュー
ルを細分化した領域毎に測定した特性からモジュール全
体の特性を再現するようにしたものに関する。
【0002】
【従来の技術】近年、太陽光を利用する太陽電池による
発電方式は、放射能汚染や地球温暖化等の問題を惹起す
ることはなく、また、太陽光は地球上至る所に降り注い
でいるためにエネルギー源の偏在が少なく、さらには、
複雑で大型の設備を必要とせずに比較的高い発電効力が
得られる等の理由から、今後の電力需要の増大に対して
も、環境破壊を引き起こすことなく対応できるクリーン
な発電方式として注目を集め、実用化に向けて様々な研
究開発がなされている。
【0003】このような太陽電池の研究開発において、
太陽電池(光起電モジュール)の作製技術は大変に重要
な技術であるが、同時に、作製された太陽電池の出力を
評価する技術も同様に重要な技術である。ここで、太陽
電池の出力を評価する手段として最も一般的な電圧対電
流特性(以下、単に「特性」と略す場合もある)を調べ
る方法について簡単に触れておく。
【0004】図2は、太陽電池の特性を調べる電圧対電
流測定機の典型例を示す模式図である。同図において、
201は被測定太陽電池である。202は直流電源であ
り、電流ケーブル203および電流計204を介して太
陽電池201と接続している。直流電源202として
は、一般的には、両極性直流電源あるいは電子負荷等が
用いられる。また、205は電圧計であり、電圧ケーブ
ル206を介して太陽電池201に接続されている。電
流計204および電圧計205はコンピュータ207に
より制御される。208は特性測定用基準光源であり、
通常、JIS規格等に準拠した1sun、スペクトルA
M1.5の光を照射可能である。209は光照射および
遮蔽を行うためのシャッタであり、コンピュータ207
の制御によって開閉する。
【0005】次に、この装置を用いて実際に太陽電池の
特性を調べる方法を説明する。光源208のウォームア
ップおよび基準光量への調整はすでに済んでおり、光源
208が点灯して、かつ、シャッタ209が閉じている
状態とする。この状態においてまず、被測定太陽電池2
01を設置する。次に、シャッタ209を開き、被測定
太陽電池201全面に測定用基準光を照射する。この状
態において、コンピュータ207の指令により、電源2
02は電圧を発生する。発生電圧値は被測定太陽電池2
01の種類によって異なり、適宜最適発生電圧を定め
る。実際の測定手順としては、電源202の発生電圧を
徐々に変えながら、太陽電池201の電力取出し端子に
かかる電圧を電圧計205によって、またそのときの電
流を電流計204によって読み、測定値をコンピュータ
207のメモリに格納して行く。必要な範囲の電圧発生
を終えたならば、シャッタ209を閉じ、被測定太陽電
池201を取りはずす。コンピュータ207のメモリに
格納された電圧対電流のデータに対しては、適当なソフ
トウェアによって計算、グラフ化等の処理を行う。
【0006】このようにして得られた電圧対電流特性の
典型例を図3に示す。同図において横軸Vは電圧軸であ
り、縦軸Iは電流軸である。また、Dは測定された電圧
対電流特性をプロットした点同志を結んで得られる曲線
である。曲線D上の点Kは、電圧と電流の積が最大とな
る点、すなわち最大の電力を取り出すことが可能な点で
あり、通常、最適動作点と呼ばれている。そして、この
取り出せる最大電力が被測定太陽電池201の出力とさ
れる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、太陽
電池は一般家屋の屋根への設置、僻地の実用電源として
の架台への設置等が急速に普及しつつある。このような
設置工事の際の作業工数を減らすという観点から、太陽
電池1枚あたりの面積が増大しつつある。太陽電池1枚
あたりの面積が増大するに従って、問題となってくる事
項の1つに、大面積の特性測定用基準光の確保が困難に
なるということが挙げられる。
【0008】通常、光源として最も多く使用されている
のはキセノンランプを用いたいわゆるソーラシミュレー
タである。ソーラシミュレータは大面積になってくる
と、加速度的に高価になってくる。これは、ソーラシミ
ュレータを構成するエアマスフィルタ、コリメータレン
ズ等が大型化することに伴って製作が困難になってくる
こと、およびランプ用電源がはなはだしく大容量化する
等の理由による。実用的には、定常光型のソーラシミュ
レータで約50cm角程度のものが現在市場にある最大
規模の光源である。ランプの点灯をパルス点灯として、
ランプ用電源の小容量化を図り、1m角程度の照射面積
を持つシミュレータも存在するが、電源以外の部品は基
本的に定常光型と変わることがないので、やはり高価で
ある。さらには、パルス光源の場合には、当然、光照射
が瞬時であるので、光の点滅に対するレスポンスの遅い
太陽電池たとえば非晶質系の半導体太陽電池の特性測定
に対しては点灯時間等の制御に配慮が必要とされている
という問題もある。
【0009】上述したように太陽電池特性測定用光源が
高価になってくると、太陽電池のコストそのものを引き
上げる要因になる。以上のような観点から、安価に大面
積太陽電池の特性測定を可能とする技術が切望されてい
る。
【0010】さらには、1辺が数mとなるような太陽電
池に対しては、そのような照射面積をもつ光源が実質上
存在しないため、特性測定には実際の屋外太陽光を用い
るしかない。しかし、太陽光は、季節、雲の状態、周囲
の状況等によって光量とスペクトルがはなはだしく変化
し、JISで規定されている1sun、AM1.5の条
件が得られる機会は極めて少ない。こうした意味におい
ても、大面積太陽電池の特性測定を可能とする技術が切
望されている。
【0011】本発明の目的は、このような従来技術の問
題点に鑑み、大面積光起電モジュールの特性を安価に測
定できる技術を提供し、もって、安価な太陽電池を提供
することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明の光起電モジュールの特性測定方法は、少な
くとも1つのバイパスダイオードを有する光起電素子を
複数直列接続して構成した光起電モジュールの全光起電
素子に所定の基準光を照射した状態における電圧対電流
特性であるモジュール特性を測定する光起電モジュール
の特性測定方法であって、前記光起電モジュールの一部
領域の光起電素子のみに前記基準光を照射した状態にお
ける前記光起電モジュールの電圧対電流特性をサブ・モ
ジュール特性として測定するとともに、このサブ・モジ
ュール特性の測定を、前記基準光の照射領域を移動させ
ながら繰り返すことにより、全領域の光起電素子につい
て行い、得られた各領域の光起電素子のサブ・モジュー
ル特性と前記バイパスダイオードの電圧対電流特性とに
基づいて、前記モジュール特性を得ることを特徴とす
る。また、本発明の光起電モジュールの製造方法は、こ
のような特性測定方法により、前記モジュール特性を測
定する工程を具備することを特徴とする。
【0013】また、本発明の光起電モジュールの特性測
定装置は、前記モジュール特性を測定する装置であっ
て、前記光起電モジュールの電圧対電流特性を測定する
特性測定手段と、前記光起電モジュールの一部領域の光
起電素子のみに前記基準光を照射する基準光照射手段
と、前記基準光の前記光起電モジュールに対する照射領
域を移動させる移動手段とを具備することを特徴とす
る。
【0014】各発明によれば、光起電モジュールの面積
より小さな照射面積の基準光を照射する光源を用いて、
光起電モジュールの全光起電素子に基準光を照射した状
態における電圧対電流特性であるモジュール特性が測定
される。したがって、光源を小型化することが可能であ
り、それにより、光起電モジュールの特性測定に要する
費用の削減が図られる。
【0015】
【発明の実施の形態】本発明の特性測定方法における好
ましい実施形態においては、前記バイパスダイオードの
電圧対電流特性を、前記光起電モジュール全体を暗状態
として前記光起電モジュールの電圧対電流特性を測定す
ることにより、前記光起電モジュールの全バイパスダイ
オードによる電圧対電流特性として得る。
【0016】また、測定した各サブ・モジュール特性を
電圧値において加算して全光起電素子およびバイパスダ
イオードについての重畳した電圧対電流特性とし、さら
にその特性から、前記バイパスダイオードが寄与する分
を除去することにより、前記モジュール特性を得る。
【0017】本発明の特性測定装置における好ましい実
施形態においては、前記基準光照射手段によって前記一
部領域の光起電素子のみに基準光を照射した状態におけ
る前記光起電モジュールの電圧対電流特性であるサブ・
モジュール特性の前記特性測定手段による測定を、前記
移動手段によって前記基準光の照射領域を移動させなが
ら繰り返すことにより、全領域の光起電素子について行
うことによって得た測定結果と、前記バイパスダイオー
ドの電圧対電流特性とに基づいて、前記モジュール特性
を得る制御手段を有する。
【0018】より具体的な実施形態を通じて本発明の原
理を説明する。そのために、太陽電池モジュール(光起
電モジュール)を構成する少なくとも1枚以上の太陽電
池セル(光起電素子)からなる領域のみに光照射した場
合の太陽電池モジュールの実際の動作状態について考え
る。図4(a)は太陽電池モジュールの内部構造の典型
例を示す。図中、401および402は太陽電池セルで
ある。セル401と402は図上、上面がプラス側、下
面がマイナス側となっており、ケーブル403によって
直列化されている。404および405は、それぞれセ
ル401および402のバイパスダイオードであり、セ
ルのマイナス側からプラス側へ順方向となっている。バ
イパスダイオードは、太陽電池の実使用時に、影等によ
って部分的に発電しない個所がある場合でも、光照射領
域で発生する電流を流すことができるように設けられた
ものであり、本発明は、このバイパスダイオードを介し
て発電個所のセル特性をサブ・モジュール特性として測
定できることを利用したものである。
【0019】406は太陽電池モジュールのフレームで
ある。フレーム406を貫通してプラス電極407とマ
イナス電極408が外部と接続が可能なように引き出さ
れている。409は封止材であり、セル401および4
02、ダイオード404および405等の部品を内部に
封止している。勿論、封止材409のセル401および
402上面に相当する個所は、光透過部材である。封止
材409としては、たとえば、図上、上部をガラスと
し、それ以外の個所を内部充填点材とする等の様々な形
態が考えられる。
【0020】410は光源、411はスリットである。
スリット411はセル401、402それぞれに相当す
る面積の光照射が可能なようにスリット面積が決められ
ている。セル401、402、バイパスダイオード40
4、405、フレーム406、封止材409等からなる
モジュールM、あるいは光源410およびスリット41
1を左右に移動することにより、セル401、402そ
れぞれを単独に光照射することができる。
【0021】図4(b)は図4(a)のモジュールMの
等価回路であり、図4(a)と同一の符号は図4(a)
の場合と同一の要素を示す。次に、モジュールMのセル
401および402をそれぞれ単独で光照射した場合の
等価回路を考える。まず、セル401のみに光照射した
場合について考える。この場合、セル401側では、セ
ルが適正動作をしているので、電流はバイパスダイオー
ド404を通らずにセル401を流れる。これに対し、
セル402側では、セルに光照射電流が流れないため、
電流はバイパスダイオード405を流れる。したがっ
て、この場合の等価回路は図5(a)のようになる。
【0022】逆に、セル402にのみ光照射した場合の
等価回路は、上述と同様の理由により、図5(b)のよ
うになる。さらに、セル401および402のどちらに
も光照射しない場合の等価回路は図5(c)のようにな
る。なお、図5における図4と同一の符号は図4の場合
と同一の要素を示す。
【0023】以上のことから、セル401および402
からなるモジュールMの特性を次のようにして得ること
ができる。すなわち、光を一方のセルにのみ照射した図
5(a)および図5(b)の場合の端子407および4
08間の電位差を計算上で足し合わせた結果は、セル4
01および402両者の発生電圧に対し、さらにバイパ
スダイオード404および405両者による電位降下を
加味したものである。一方、バイパスダイオード404
および405両者による電位降下は、モジュールMに光
照射しない図5(c)の場合の端子407および408
間の電圧であるから、この電圧を前記加算結果からさら
に差し引けば、セル401および402両者による発生
電圧のみを知ることができる。このようにして、太陽電
池全体に光照射した場合と等価の特性を求めることがで
きる。
【0024】
【実施例】図1は本発明の一実施例に係る特性測定装置
を示す模式図である。同図において、101は被測定太
陽電池モジュールであり、モジュール架台102に設け
られたコロ103上に載せられていて、図上、左右に自
在に移動可能である。104は太陽電池モジュール10
1からの電力取出し用の接続ボックス、105は電圧対
電流特性測定のための電源、106は接続ボックス10
4および電源105間を接続するケーブル、107は測
定用の基準光を照射する光源、108は光源107を支
持する支柱、109は光照射面積を厳密に規定するため
のスリット、110は光源107内に設けられたシャッ
タである。
【0025】スリット109は、被測定太陽電池モジュ
ール101を構成する太陽電池セルの1〜複数枚の面積
を単位として照射面積を規定できるように作られる。ま
た、スリット109は、交換あるいは調整可能であり、
モジュール101の種類変更等に対応して光照射面積を
調整することが可能である。また、光源107からの照
射光は略平行光ではあるが、厳密に照射面積を規定する
ために、スリット109はできるだけモジュール101
に近接させて設置するのが望ましい。必要に応じて、遮
光用のブラシ等をスリット109下端に設けてもよい。
一方、測定装置105で測定された特性データはコンピ
ュータ111に転送され、コンピュータ上で各種演算処
理を行う。
【0026】次に、この装置を用いて図4(a)に示す
太陽電池モジュールMの特性を求める手順を説明する。
まず、モジュールMを移動してセル401を光照射領域
に位置させ、シャッタ110を開く。この状態で、測定
装置105により電圧対電流特性を求める。
【0027】図6(a)はその結果を示すグラフであ
る。同図において、横軸は電圧軸で、右方向が正、縦軸
は電流軸で、上方向が正である。同図の曲線の意味あい
を説明する。この場合、電気的には図5(a)の等価回
路に相当し、特定の電流が回路を流れている時、セル4
01で発生した電圧に対してバイパスダイオード405
による電位降下を加えた電圧が測定装置105で測定さ
れる電圧である。これを一般化して考えれば、図6
(a)の特性曲線は、セル401の特性曲線に対してバ
イパスダイオード405の特性曲線を電圧に関して足し
合わせた形になっている。
【0028】この状況を図8を用いてさらに詳しく説明
する。図8はセル1枚の特性(曲線A)およびバイパス
ダイオードの特性(曲線B)を示す。同図において、横
軸は電圧軸で、右方向が正、縦軸は電流軸で、上方向が
正である。曲線Aと曲線Bの電圧値の和を各電流値につ
いて求めた値をさらにグラフ上にプロットすると、曲線
Cになる。この曲線Cが上述の測定で得られた図6
(a)の曲線である。
【0029】セル401に光照射した場合の特性測定を
終えたらシャッタ110を閉じ、次に、モジュールMを
移動し、前回と同様にシャッタ110を開いてセル40
2に光照射し、特性測定を行う。図6(b)はこの結果
を示すグラフである。セル401とセル402、および
バイパスダイオード404と405の特性がそれぞれ揃
っているとすれば、図6(a)および(b)の特性曲線
はほぼ同じカーブになる。
【0030】次に、シャッタ110を閉じてモジュール
M全体を暗状態とする。この場合の等価回路が図5
(c)であるから、この状態で測定して得られる図6
(c)の電圧対電流特性曲線は、バイパスダイオード4
04および405の2個を直列した分の特性である。
【0031】以上の測定を終了すると、得られた特性デ
ータをコンピュータ111に転送し、コンピュータ11
1で次の演算を行うことにより、モジュールMの特性を
求める。まず、図6(a)および(b)の特性曲線の電
圧同士を加え合わせる。その結果得られる特性曲線を図
6(d)に示す。この曲線は、セル401および402
の両者に光を照射したときの特性に、バイパスダイオー
ド404および405の直列分の特性を足し合わせたも
のである。したがって、求めるモジュール特性はセル4
01および402の両者に光を照射した場合の特性であ
るから、次に図6(d)の特性曲線に対し、バイパスダ
イオード404および405の直列分の電位降下を補正
するために、図6(c)の特性曲線を電圧に関して減ず
る処理を行えばよい。
【0032】このようにして得られたモジュールMの特
性を図7に示す。この特性が、モジュールM全体に同時
に基準光を照射したときに得られる特性、すなわちモジ
ュールM本来の電圧対電流特性である。このようにして
図7の特性曲線が得られたならば、従来知られている計
算法により、最大出力、開放電圧、短絡電流等の値を求
めればよい。
【0033】なお、ここまでの説明では、モジュール内
部においてセル2枚が直列接続されている場合に、セル
1枚ずつに光照射してモジュール特性を求める例につい
て述べたが、本発明はこの例に限定されるものではな
い。用意できる光源の最大照射面積とセル1枚の面積に
基づき、1度に光照射するセルの枚数等を適宜定めれば
よい。具体的には、たとえば、セル8枚を直列接続して
構成したモジュールに対して、セル2枚ごと、または4
枚ごとに光照射してモジュール特性を求めることも可能
である。あるいは、セル4枚を直列接続したものを2列
並列接続して構成したモジュールに、並列化されている
2枚のセルを光照射の単位として直列数分の4回光照射
を繰り返してモジュール特性を求めてもよい。
【0034】また、ここまでの説明では、バイパスダイ
オードの電圧対電流特性は、モジュールの特性を測定す
る際に併せて測定するとしてきたが、バイパスダイオー
ドの電圧対電流特性にロットムラ、製品ムラ等がなく、
特性が安定しているならば、モジュール特性の測定以前
に事前にバイパスダイオード特性のみを調べておき、後
でそれを利用することも可能である。具体的には、事前
に測定しておいたバイパスダイオードの特性をコンピュ
ータのメモリ上に保存しておき、後のモジュール特性の
測定の際に、モジュールの各領域ごとに光照射して測定
した特性にメモリ上のバイパスダイオードの特性を足し
合わせればよい。この場合、保存しておくバイパスダイ
オードの特性は、必ずしも、測定するモジュールにおい
て直列接続されたセルの数と一致した数を直列接続した
バイパスダイオードの特性である必要はない。たとえ
ば、バイパスダイオード1個分の特性を測定して保存し
ておき、モジュール特性の測定時に、直列接続されてい
るセルの数をそのバイパスダイオードの特性に乗じて得
られる特性を、そのモジュールにおけるバイパスダイオ
ードの特性として計算してもよい。
【0035】また、図1の装置では、モジュール101
はコロ103上を移動させるようにしているが、これは
手動で行ってもよく、また自動で送って位置出しを行う
ようにしてもよい。一方、モジュール101に対する光
照射位置を変更する手段として、モジュール101を移
動する代わりに、モジュール101を固定しておき、光
源107を移動する手段を用いることもできる。この場
合、光源107は、水平移動可能なアーム(不図示)等
を介して支柱108に支持されることになる。さらに
は、モジュール101面を鉛直方向に平行とし、光源1
07の代わりに光を横方向に照射するタイプの光源を用
いる等の種々の変形が可能である。
【0036】また、本発明は、原理的にセルの材料、組
成等を問わずに適用し得る。すなわち、バイパスダイオ
ードを有し、複数枚のセルが直列接続されたモジュール
であれば、結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファ
スシリコンあるいはその複合系、II−IV族化合物太陽電
池、Cd、CdTe系太陽電池等の種類を問わず、適用
可能である。
【0037】以下、本発明を実施した例について説明す
るが、本発明はそれらの実施例に何ら限定されるもので
はない。 (実施例1)10cm×10cm(100cm2)の面
積を有するスタックセルアモルファス・シリコン太陽電
池セルを2枚直列接続して封印した太陽電池モジュール
について、図1の装置を用い、図4のモジュールの場合
と同様の方法で特性を測定した。なお、2枚のセル間に
は1cmのギャップがあった。
【0038】すなわちまず、光源107として25cm
角(625cm2)の光照射が可能な光源を用意し、光
スペクトルをAM1.5とし、光強度を、リファレンス
・セルを用いて1sunとした。その後、シャッタ11
0を閉じた。
【0039】スリット109としては、10.5cm×
10.5cm角の開口を有するものを用意した。開口を
10.5cm角としたのは、第1に、セルそのものの外
径が10cm角であるため、10cm角より大きな外径
としても、結局、セルの外径で光照射面積を厳密に定め
られること、第2に、2枚のセル間のギャップが1cm
であるため、10.5cm角の開口であれば、光照射し
て測定中であるセル以外、すなわち直列接続されている
隣接セルには光が照射されることがないように容易に設
定可能であることによる。
【0040】次に、被測定モジュールをコロ103の上
に載せ、1枚のセルが光照射領域と重なる位置とした。
そして、接続ボックス104を介して電圧対電流特性測
定用電源とモジュールとを結線した。
【0041】以上の準備の後、シャッタ110を開けて
電圧対電流特性を測定し、得られた特性を第1の電圧対
電流特性とした。この特性は、図6(a)に示した特性
に相当する。
【0042】次に、シャッタ110を閉じてモジュール
を移動し、先程の測定では光照射されなかったセルを光
照射領域に位置させた。そしてこのセルについて、シャ
ッタ110を開いて特性を測定し、得られた特性を第2
の電圧対電流特性とした。この特性は、図6(b)に示
した特性に相当する。
【0043】次に、シャッタ110を閉じ、この状態で
電圧対電流特性の測定を行った。この特性がバイパスダ
イオードの電圧対電流特性であり、図6(c)に示した
特性に相当する。
【0044】次に、得られた第1および第2の特性なら
びにバイパスダイオードの特性をコンピュータ111に
転送し、図6を用いて上述した演算を行って図7に示し
た特性に相当する特性を得た。
【0045】最後に、この図7に相当する特性曲線を用
いて最大出力電力(Pmax)、最適動作電圧(Vp
m)、最適動作電流(Ipm)、開放電圧(Voc)、
短絡電流(Isc)、およびフィルファクタ(FF)を
求めた。この結果として、Pmax=0.92W、Vp
m=2.88V、Ipm=0.32A、Voc=4.1
3V、Isc=0.36A、FF=0.62が得られ
た。
【0046】(比較例)実施例1で特性を測定した太陽
電池モジュールについて、従来の方法、すなわちモジュ
ール全面に光照射を行って測定する方法により、電圧対
電流特性を測定した。測定に使用した装置は、実施例1
の場合と同様に図1に示した装置であるが、ただしスリ
ット109を取り外し、一度に25cm角の光照射が行
えるようにした点が異なる。
【0047】すなわちまず、この装置のコロ103上に
モジュールを置き、接続ボックス104を介してモジュ
ールと電圧対電流特性測定用電源とを結線した。次に、
シャッタ110を開いて電圧対電流特性を測定し、測定
が終了したらシャッタ110を閉じた。そして、得られ
た電圧対電流特性をコンピュータ111に送り、最大出
力電力(Pmax)、最適動作電圧(Vpm)、最適動
作電流(Ipm)、開放電圧(Voc)、短絡電流(I
sc)、およびフィルファクタ(FF)を求めた。
【0048】この結果として、Pmax=0.93W、
Vpm=2.90V、Ipm=0.32A、Voc=
4.10V、Isc=0.36A、FF=0.63が得
られた。得られた値は、実施例1で求めた値とよく一致
していた。これにより、本発明に従った特性測定方法で
求めた値と、従来の太陽電池特性測定方法で求めた値と
が一致することが確認された。
【0049】なお、実施例1およびこの比較例では、本
発明の特性測定方法により求めた値と従来法により求め
た値を比較するために、従来法でも測定可能な太陽電池
に対して敢えて本発明の特性測定方法を適用している。
本来、本発明の特性測定方法の効果は、従来の測定方法
あるいは光源の有効照射面積ではカバーしきれない大き
さの太陽電池モジュールを測定する場合に発揮される。
より具体的には、10cm角の照射面積を有する基準光
光源の価格は200〜300万円程度であるのに対し、
25cm角の照射面積を有する基準光光源の価格は10
00万円前後であり、特性測定機器への投資金額を大幅
に削減することが可能である。したがって本発明に従っ
た特性測定方法により、安価に特性が測定された太陽電
池はコスト的な優位性を有する。
【0050】(実施例2)太陽電池セル4枚が直列接続
され、1枚のセルの大きさが25cm×30cm(75
0cm2)、セル間ギャップが0.5cmである太陽電
池モジュールについて、図1の装置を用い、電圧対電流
特性を測定した。その際、光源107の有効照射面積は
スリット109により25.3cm×30.3cmと
し、1枚のセルに光照射しているとき、他のセルに光照
射がされないよう配慮した。また、実施例1の場合と同
様にセル1枚ごとに光照射を行い、4回に分けて電圧対
電流特性の測定を行った。一方、バイパスダイオードの
電圧対電流特性については、バイパスダイオード1個分
の特性を事前に求めておき、この特性を、4個を直列接
続した場合の特性に変換して用いた。
【0051】これら4回の測定結果および変換したバイ
パスダイオードの特性に基づき、モジュールに全面光照
射した場合の特性を演算により求めた。また、得られた
特性に基づき、Pmax=27.9W、Vpm=5.8
0V、Ipm=4.81A、Voc=8.24V、Is
c=5.29A、FF=0.64が得られた。
【0052】(実施例3)太陽電池セル10枚が直列接
続され、1枚のセルの大きさが25cm×35cm(8
75cm2)、セル間ギャップが0.3cmであり、セ
ルの短辺がモジュールの長さ方向に一致するように各セ
ルが配列された太陽電池モジュールについて、図1の装
置を用い、電圧対電流特性の測定を行った。光源107
としては、有効照射面積が130cm×80cmの米国
Spire (登録商標)製のパルス点灯光源を用いた。
【0053】電圧対電流特性の測定は、セル5枚の直列
接続(長さ125cm強)ごとに光照射し、2回に分け
て行った。そして、この測定結果のデータおよび事前に
測定しておいたバイパスダイオードの電圧対電流特性に
基づいて、モジュール全体に光照射した場合の特性を演
算により求めた。また、得られた特性に基づき、Pma
x=80.5W、Vpm=14.8V、Ipm=5.4
4A、Voc=20.6V、Isc=6.20A、FF
=0.63を得た。
【0054】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、対
応する有効照射面積を有する光源の確保が困難な大面積
の光起電モジュールの特性を、光起電モジュールの面積
より小さな照射面積の光源を用いて測定することが可能
となる。したがって、光源を小型化することが可能であ
り、それにより、光起電モジュールの特性測定に要する
費用の削減が可能となる。その結果、光起電モジュール
自体の生産コストを引き下げることができるため、安価
な光起電モジュールの供給が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施例に係る太陽電池特性測定装
置を示す模式図である。
【図2】 太陽電池を従来の太陽電池特性測定装置に設
置した状態を示す模式図である。
【図3】 太陽電池特性曲線の典型例を示す図である。
【図4】 太陽電池の内部構造例およびその電気的な等
価回路を示す図である。
【図5】 図4の太陽電池の光照射状況に応じた電気的
な等価回路を示す図である。
【図6】 図1の装置により図4の太陽電池の特性を測
定した際の測定あるいは計算の各段階における電圧対電
流特性を示す模式図である。
【図7】 図1の装置により図4の太陽電池の特性を測
定した結果得られる特性曲線のグラフである。
【図8】 図1の装置により図4の太陽電池の特性を測
定する際のバイパスダイオードによる電位降下を説明す
るための図である。
【符号の説明】
101:被測定太陽電池モジュール、102:モジュー
ル架台、103:コロ、104:接続ボックス、10
5:電源、106:ケーブル、107:光源、108:
支柱、109:スリット、110:シャッタ、111:
コンピュータ、201:被測定太陽電池、202:電
源、203:電流ケーブル、204:電流計、205:
電圧計、206:電圧ケーブル、207:コンピュー
タ、208:光源、209:シャッタ、401,40
2:太陽電池セル、403:ケーブル、404,40
5:バイパスダイオード、406:フレーム、407:
プラス電極、408:マイナス電極、409:封止材、
410:光源、411:スリット、M:モジュール、
A:セルの電圧対電流特性、B:バイパスダイオードの
特性、C:曲線Aと曲線Bとを同電流時の電圧同士を足
し合わせて得られる特性曲線、D:特性曲線、K:最適
動作点。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 竹山 祥史 東京都大田区下丸子3丁目30番2号キヤノ ン株式会社内 (72)発明者 都築 幸司 東京都大田区下丸子3丁目30番2号キヤノ ン株式会社内

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくとも1つのバイパスダイオードを
    有する光起電素子を複数直列接続して構成した光起電モ
    ジュールの全光起電素子に所定の基準光を照射した状態
    における電圧対電流特性であるモジュール特性を測定す
    る光起電モジュールの特性測定方法であって、前記光起
    電モジュールの一部領域の光起電素子のみに前記基準光
    を照射した状態における前記光起電モジュールの電圧対
    電流特性をサブ・モジュール特性として測定するととも
    に、このサブ・モジュール特性の測定を、前記基準光の
    照射領域を移動させながら繰り返すことにより、全領域
    の光起電素子について行い、得られた各領域の光起電素
    子のサブ・モジュール特性と前記バイパスダイオードの
    電圧対電流特性とに基づいて、前記モジュール特性を得
    ることを特徴とする光起電モジュールの特性測定方法。
  2. 【請求項2】 前記バイパスダイオードの電圧対電流特
    性を、前記光起電モジュール全体を暗状態として前記光
    起電モジュールの電圧対電流特性を測定することによ
    り、前記光起電モジュールの全バイパスダイオードによ
    る電圧対電流特性として得ることを特徴とする請求項1
    に記載の光起電モジュールの特性測定方法。
  3. 【請求項3】 測定した各サブ・モジュール特性を電圧
    値において加算して全光起電素子およびバイパスダイオ
    ードについての重畳した電圧対電流特性とし、さらにそ
    の特性から、前記バイパスダイオードが寄与する分を除
    去することにより、前記モジュール特性を得ることを特
    徴とする請求項1または2に記載の光起電モジュールの
    特性測定方法。
  4. 【請求項4】 少なくとも1つのバイパスダイオードを
    有する光起電素子を複数直列接続して構成した光起電モ
    ジュールの全光起電素子に所定の基準光を照射した状態
    における電圧対電流特性であるモジュール特性を、請求
    項1〜3のいずれかの特性測定方法により測定する工程
    を具備することを特徴とする光起電モジュールの製造方
    法。
  5. 【請求項5】 少なくとも1つのバイパスダイオードを
    有する光起電素子を複数直列接続して構成した光起電モ
    ジュールの全光起電素子に所定の基準光を照射した状態
    における電圧対電流特性であるモジュール特性を測定す
    る装置であって、前記光起電モジュールの電圧対電流特
    性を測定する特性測定手段と、前記光起電モジュールの
    一部領域の光起電素子のみに前記基準光を照射する基準
    光照射手段と、前記基準光の前記光起電モジュールに対
    する照射領域を移動させる移動手段とを具備することを
    特徴とする光起電モジュールの特性測定装置。
  6. 【請求項6】 前記基準光照射手段によって前記一部領
    域の光起電素子のみに基準光を照射した状態における前
    記光起電モジュールの電圧対電流特性であるサブ・モジ
    ュール特性の前記特性測定手段による測定を、前記移動
    手段によって前記基準光の照射領域を移動させながら繰
    り返すことにより、全領域の光起電素子について行うこ
    とによって得た測定結果と、前記バイパスダイオードの
    電圧対電流特性とに基づいて、前記モジュール特性を得
    る制御手段を有することを特徴とする請求項5に記載の
    光起電モジュールの特性測定装置。
JP10155414A 1998-05-21 1998-05-21 光起電モジュールの特性測定方法および装置ならびに製造方法 Pending JPH11340488A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10155414A JPH11340488A (ja) 1998-05-21 1998-05-21 光起電モジュールの特性測定方法および装置ならびに製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10155414A JPH11340488A (ja) 1998-05-21 1998-05-21 光起電モジュールの特性測定方法および装置ならびに製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11340488A true JPH11340488A (ja) 1999-12-10

Family

ID=15605484

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10155414A Pending JPH11340488A (ja) 1998-05-21 1998-05-21 光起電モジュールの特性測定方法および装置ならびに製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH11340488A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004281487A (ja) * 2003-03-13 2004-10-07 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 太陽電池の特性評価方法
US6914182B2 (en) * 2000-07-10 2005-07-05 Sanyo Electric Co., Ltd Method of installing solar cell modules, and solar cell module
JP2013070045A (ja) * 2011-09-08 2013-04-18 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 太陽電池の検査方法及び装置
KR101438668B1 (ko) * 2013-04-08 2014-11-04 한국에너지기술연구원 태양전지모듈 가속시험 방법
JP2018092802A (ja) * 2016-12-05 2018-06-14 三菱電機株式会社 疑似太陽光照射装置及び発電特性評価装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6914182B2 (en) * 2000-07-10 2005-07-05 Sanyo Electric Co., Ltd Method of installing solar cell modules, and solar cell module
JP2004281487A (ja) * 2003-03-13 2004-10-07 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 太陽電池の特性評価方法
JP2013070045A (ja) * 2011-09-08 2013-04-18 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 太陽電池の検査方法及び装置
KR101438668B1 (ko) * 2013-04-08 2014-11-04 한국에너지기술연구원 태양전지모듈 가속시험 방법
JP2018092802A (ja) * 2016-12-05 2018-06-14 三菱電機株式会社 疑似太陽光照射装置及び発電特性評価装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH1126785A (ja) 太陽電池特性の測定方法
Ishii et al. Annual degradation rates of recent crystalline silicon photovoltaic modules
JP3270303B2 (ja) 電池電源装置特性測定装置および測定方法
US20100276571A1 (en) Calibration method for solar simulators usied in single junction and tandem junction solar cell testing apparatus
JP2004134748A (ja) 光電変換素子の測定方法および装置、光電変換素子の製造方法及び製造装置
JP3618865B2 (ja) 光起電力素子の特性検査装置及び製造方法
Ciani et al. Evaluation of the aging process of dye-sensitized solar cells under different stress conditions
Veirman et al. Towards an industrial in-line solution for efficient post-treatment of silicon heterojunction solar cells
WO2021017234A1 (zh) 一种光伏组件性能的衰减监测方法及***
Pravettoni et al. Characterization of a pulsed solar simulator for concentrator photovoltaic cell calibration
JPH11340488A (ja) 光起電モジュールの特性測定方法および装置ならびに製造方法
Eikelboom et al. Characterisation of PV modules of new generations
Yang et al. Output performance analysis and power optimization of different configurations half-cell modules under partial shading
CN116647183A (zh) 光伏阵列发电性能确定方法、装置和光伏***
Ghitas et al. A study of the effect of shadowing location and area on the Si solar cell electrical parameters
Antón et al. Performance prediction of concentrator solar cells and modules from dark I–V characteristics
CN105187011A (zh) 查找太阳能电池限流单元及输出均匀电流方法、遮光装置
Bardizza et al. Power matrix of OPV mini-module under steady conditions of temperature and irradiance at large-area solar simulator
Rummel et al. PV cell and module performance measurement capabilities at NREL
Aristizabal et al. Method of fabricating a convenient light source and its evaluation in PV cell laboratory testing
Pravettoni et al. From an existing large area pulsed solar simulator to a high intensity pulsed solar simulator: characterization, standard classification and first results at ESTI
CN214900797U (zh) 一种太阳电池的测试装置
JP4308387B2 (ja) 薄膜光電変換モジュールの欠陥修復方法及び薄膜光電変換モジュールの製造方法
Saly et al. Examination of solar cells and encapsulations of small experimental photovoltaic modules
Osigwe Thévenin Equivalent of Solar Cell Model