JPH11340307A - 半導体製造装置におけるウエハの離脱方法及びその電源 - Google Patents
半導体製造装置におけるウエハの離脱方法及びその電源Info
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- JPH11340307A JPH11340307A JP14256398A JP14256398A JPH11340307A JP H11340307 A JPH11340307 A JP H11340307A JP 14256398 A JP14256398 A JP 14256398A JP 14256398 A JP14256398 A JP 14256398A JP H11340307 A JPH11340307 A JP H11340307A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】静電チャックにおいて、チャックの特性ばらつ
きや経時変化に関わらず、チャックとウエハに蓄積され
た電荷を確実に、かつ、速やかに除去し、ウエハを容易
に離脱できる方法を提供することである。 【解決手段】吸着保持用の直流電圧を切断した後、一定
の規則に従って周期の減少する交流方形波電圧1を印加
する。交流電圧の大きさは一定にしたまま、周期Tnを次
式に従うように変化させる。
きや経時変化に関わらず、チャックとウエハに蓄積され
た電荷を確実に、かつ、速やかに除去し、ウエハを容易
に離脱できる方法を提供することである。 【解決手段】吸着保持用の直流電圧を切断した後、一定
の規則に従って周期の減少する交流方形波電圧1を印加
する。交流電圧の大きさは一定にしたまま、周期Tnを次
式に従うように変化させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置に
おいて静電チャックにより支持されたウエハの離脱方法
に関し、特に、チャックに蓄積された電荷を確実に、か
つ、速やかに除去する方法とその電源に関する。
おいて静電チャックにより支持されたウエハの離脱方法
に関し、特に、チャックに蓄積された電荷を確実に、か
つ、速やかに除去する方法とその電源に関する。
【０００２】
【従来の技術】静電チャック、特に直流バイアスによる
静電チャックでは、チャックに印加されるバイアス電圧
をＯＦＦしても、チャックに蓄積された電荷がすぐには
減少せず、ウエハとチャックの間に残留吸着力が発生す
る。ウエハとチャックの間に残留吸着力が存在する状態
で、プッシャーピン等により無理にウエハを引き剥がそ
うとしてもウエハ破損の問題を引き起こす。ウエハ離脱
時にチャックに蓄積された電荷を除去するために、以下
の４つの公知例に代表される従来技術が存在する。
静電チャックでは、チャックに印加されるバイアス電圧
をＯＦＦしても、チャックに蓄積された電荷がすぐには
減少せず、ウエハとチャックの間に残留吸着力が発生す
る。ウエハとチャックの間に残留吸着力が存在する状態
で、プッシャーピン等により無理にウエハを引き剥がそ
うとしてもウエハ破損の問題を引き起こす。ウエハ離脱
時にチャックに蓄積された電荷を除去するために、以下
の４つの公知例に代表される従来技術が存在する。
【０００３】第１の従来技術は、特開平７−２７３１７
７号公報に記載のように、ウエハ離脱の際、吸着保持用
の直流バイアスと逆極性の直流バイアスを印加し、チャ
ックに蓄積された電荷を除去する方法が提案されてい
る。
７号公報に記載のように、ウエハ離脱の際、吸着保持用
の直流バイアスと逆極性の直流バイアスを印加し、チャ
ックに蓄積された電荷を除去する方法が提案されてい
る。
【０００４】また、第２の従来技術は、特開平８−７８
５１２号公報に記載のように、ウエハ離脱の際、ウエハ
裏面のガス圧力をモニタしながら、吸着保持用の直流バ
イアスと逆極性の直流バイアスを印加し、ウエハ裏面の
ガス圧力が設定値に等しくなった時点で、逆極性の直流
バイアスをＯＦＦする方法が提案されている。 また、
第３の従来技術は特開平１−１１２７４５号に記載のよ
うに、ウエハ離脱の際、印加電圧の極性を交番させつ
つ、そのピーク高さを逐次低くするか、若しくは、その
パルス幅を逐次小さくするか、若しくはその両方を実施
し、印加電圧をＯＦＦする方法が提案されている。
５１２号公報に記載のように、ウエハ離脱の際、ウエハ
裏面のガス圧力をモニタしながら、吸着保持用の直流バ
イアスと逆極性の直流バイアスを印加し、ウエハ裏面の
ガス圧力が設定値に等しくなった時点で、逆極性の直流
バイアスをＯＦＦする方法が提案されている。 また、
第３の従来技術は特開平１−１１２７４５号に記載のよ
うに、ウエハ離脱の際、印加電圧の極性を交番させつ
つ、そのピーク高さを逐次低くするか、若しくは、その
パルス幅を逐次小さくするか、若しくはその両方を実施
し、印加電圧をＯＦＦする方法が提案されている。
【０００５】また、第４の従来技術は、特許第２６０３
４１７号公報に記載のように、一対又は複数対の電極を
有するダイポール型静電チャックにおいて、交流方形波
電圧を印加し吸着力の励起を行い、交流方形波電圧の周
波数を上昇させると同時に印加電圧の大きさを減らすこ
とにより、吸着力の解除を行う方法が提案されている。
４１７号公報に記載のように、一対又は複数対の電極を
有するダイポール型静電チャックにおいて、交流方形波
電圧を印加し吸着力の励起を行い、交流方形波電圧の周
波数を上昇させると同時に印加電圧の大きさを減らすこ
とにより、吸着力の解除を行う方法が提案されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前記第1の従来技術の
場合、逆極性の直流バイアスの大きさや印加時間が適当
でないと、チャックに蓄積された電荷を十分に除去でき
なかったり、逆極性の電荷が過剰に蓄積されるといった
ことが生じる。さらに、チャックの特性ばらつきや経時
変化によりチャックの充放電の特性が変化するため、逆
極性の直流バイアスの大きさや印加時間を、チャックそ
れぞれに応じて調整したり、運用中に再調整したりする
必要が生じ、手間がかかる。
場合、逆極性の直流バイアスの大きさや印加時間が適当
でないと、チャックに蓄積された電荷を十分に除去でき
なかったり、逆極性の電荷が過剰に蓄積されるといった
ことが生じる。さらに、チャックの特性ばらつきや経時
変化によりチャックの充放電の特性が変化するため、逆
極性の直流バイアスの大きさや印加時間を、チャックそ
れぞれに応じて調整したり、運用中に再調整したりする
必要が生じ、手間がかかる。
【０００７】前記第２の従来技術の場合、第１の従来技
術において問題となる逆極性の直流バイアスの印加時間
を、ウエハ裏面の圧力の変化を検出することにより自動
的に調整するものであるが、ウエハ裏面に圧力を加えた
まま吸着力の解除を行うので、吸着力の解除の途中にお
いてウエハの位置ズレの問題を引き起こす。
術において問題となる逆極性の直流バイアスの印加時間
を、ウエハ裏面の圧力の変化を検出することにより自動
的に調整するものであるが、ウエハ裏面に圧力を加えた
まま吸着力の解除を行うので、吸着力の解除の途中にお
いてウエハの位置ズレの問題を引き起こす。
【０００８】前記第３の従来技術の場合、ピーク高さや
パルス幅の変化の仕方が適切でないと、電荷の除去に時
間がかかりスループットの低下につながるという問題を
引き起こす。
パルス幅の変化の仕方が適切でないと、電荷の除去に時
間がかかりスループットの低下につながるという問題を
引き起こす。
【０００９】前記第４の従来技術の場合、単一の電極を
有し構造上簡潔でコスト的に有利なモノポール型の静電
チャックに応用できない。等といった課題があった。本
発明の目的は、ダイポール型、モノポール型、いずれの
場合においても実現可能で、電圧や時間等のパラメータ
の調整の必要も無く、確実に、かつ、速やかに、チャッ
クに蓄積された電荷を除去する方法と、その方法を容易
に実現する静電吸着電源と、を提供することにある。
有し構造上簡潔でコスト的に有利なモノポール型の静電
チャックに応用できない。等といった課題があった。本
発明の目的は、ダイポール型、モノポール型、いずれの
場合においても実現可能で、電圧や時間等のパラメータ
の調整の必要も無く、確実に、かつ、速やかに、チャッ
クに蓄積された電荷を除去する方法と、その方法を容易
に実現する静電吸着電源と、を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】ウエハを離脱させる際、
図１に示すような一定の規則に従って周期の減少する交
流方形波電圧1を印加する。第１ステップ11は吸着時の
印加電圧2と逆極性の電圧を印加し、以降、各ステップ
ごとに極性を反転させる。また、上記交流方形波電圧1
において電圧の大きさは一定とする。
図１に示すような一定の規則に従って周期の減少する交
流方形波電圧1を印加する。第１ステップ11は吸着時の
印加電圧2と逆極性の電圧を印加し、以降、各ステップ
ごとに極性を反転させる。また、上記交流方形波電圧1
において電圧の大きさは一定とする。
【００１１】極性を切り換える周期Tnは
【数1】に従う。
【００１２】T1は、第１ステップ11において、吸着時に
蓄積された電荷を０にし、さらに、吸着時と逆極性の電
荷を蓄積するような長さに設定する。T1は上記の条件を
満たしていれば幾ら長くしてもよい。しかし、あまり長
くしすぎるとスループットを低下させることになる。
蓄積された電荷を０にし、さらに、吸着時と逆極性の電
荷を蓄積するような長さに設定する。T1は上記の条件を
満たしていれば幾ら長くしてもよい。しかし、あまり長
くしすぎるとスループットを低下させることになる。
【００１３】図１の交流方形波電圧1を印加することに
よる吸着力の変化は、図２に示すようにチャックの特性
によらず０に収束していく。線21のように、チャックの
充放電の時定数が長い場合は、第１ステップ11でチャッ
クに蓄積される電荷がほぼ０になり、吸着力はほぼ０に
なる。第２ステップ12、第３ステップ13では、ステップ
の周期がチャックの充放電の時定数に対して短くなるの
で、チャックに蓄積される電荷はわずかしか変化せず、
吸着力は低い値のままである。 一方、線22のようにチ
ャックの充放電の時定数の短い場合は、第１ステップ11
でチャックに蓄積される電荷が一度０になった後、吸着
時と逆極性の電荷が蓄積されるので、吸着力は一度０に
なった後、再び上昇する。しかし、第２ステップ12にお
いて、第１ステップ11と逆極性の電圧が印加され、チャ
ックに蓄積される電荷が減少するので、吸着力は低下す
る。第３ステップ以降は、ステップの周期がチャックの
充放電の時定数に対して短くなるので、チャックに蓄積
される電荷はわずかしか変
よる吸着力の変化は、図２に示すようにチャックの特性
によらず０に収束していく。線21のように、チャックの
充放電の時定数が長い場合は、第１ステップ11でチャッ
クに蓄積される電荷がほぼ０になり、吸着力はほぼ０に
なる。第２ステップ12、第３ステップ13では、ステップ
の周期がチャックの充放電の時定数に対して短くなるの
で、チャックに蓄積される電荷はわずかしか変化せず、
吸着力は低い値のままである。 一方、線22のようにチ
ャックの充放電の時定数の短い場合は、第１ステップ11
でチャックに蓄積される電荷が一度０になった後、吸着
時と逆極性の電荷が蓄積されるので、吸着力は一度０に
なった後、再び上昇する。しかし、第２ステップ12にお
いて、第１ステップ11と逆極性の電圧が印加され、チャ
ックに蓄積される電荷が減少するので、吸着力は低下す
る。第３ステップ以降は、ステップの周期がチャックの
充放電の時定数に対して短くなるので、チャックに蓄積
される電荷はわずかしか変
【００１４】化せず、吸着力は低い値のままである。こ
のように
のように
【数1】に従い周期の減少する交流方形波電圧1を印加す
ることで、チャックに蓄積される電荷はチャックの充放
電の特性によらず、確実に、かつ、速やかに減少させる
ことができる。
ることで、チャックに蓄積される電荷はチャックの充放
電の特性によらず、確実に、かつ、速やかに減少させる
ことができる。
【００１５】図１に示す交流方形波電圧は、吸着力がウ
エハが問題なく離脱できる程度に低下すれば、いつＯＦ
Ｆにしてもよい。通常は、第３ステップか第４ステップ
でＯＦＦすることができる。
エハが問題なく離脱できる程度に低下すれば、いつＯＦ
Ｆにしてもよい。通常は、第３ステップか第４ステップ
でＯＦＦすることができる。
【００１６】ダイポール型静電チャックにおいては、図
１に示した交流方形波電圧と、上記交流方形波の極性を
反対にしたものを双方の電極に印加すればよい。
１に示した交流方形波電圧と、上記交流方形波の極性を
反対にしたものを双方の電極に印加すればよい。
【００１７】
【発明の実施の形態】モノポール型の静電チャックの場
合における本発明の一実施例として、マイクロ波プラズ
マエッチング装置における適用例を図３に示す。真空処
理室31に、プロセスガス32を導入し、マイクロ波33を導
入することによりプラズマ34を生成する。上面に絶縁体
36を有する電極37によりモノポール型静電チャックが形
成され、ウエハ35はその上に載置される。電極37には、
ハイパスフィルタ38を通して高周波電源39を接続し、ま
た、ローパスフィルタ40を通して静電吸着電源41を接続
する。真空処理室31、高周波電源39、静電吸着電源41は
接地する。
合における本発明の一実施例として、マイクロ波プラズ
マエッチング装置における適用例を図３に示す。真空処
理室31に、プロセスガス32を導入し、マイクロ波33を導
入することによりプラズマ34を生成する。上面に絶縁体
36を有する電極37によりモノポール型静電チャックが形
成され、ウエハ35はその上に載置される。電極37には、
ハイパスフィルタ38を通して高周波電源39を接続し、ま
た、ローパスフィルタ40を通して静電吸着電源41を接続
する。真空処理室31、高周波電源39、静電吸着電源41は
接地する。
【００１８】図４はモノポール型静電チャックの場合に
おける、図１に示す交流方形波電圧を出力することがで
きる静電吸着電源41の一実施例を示す回路ブロック図で
ある。ウエハ吸着時はスイッチ59をｂ側58に入れ、±１
ｋＶまで出力できる高電圧電源60に電圧設定信号として
電圧V262を入力し、吸着時の印荷電圧を出力する。ウエ
ハ離脱時は、スイッチ59をａ側57に入れ、スイッチ52を
入れる。スイッチ52を入れることにより、V151が一次積
分器53に入力されランプ波形54が得られる。ランプ波形
54を、線型な電圧−周波数変換特性を有する電圧−周波
数変換器55に入
おける、図１に示す交流方形波電圧を出力することがで
きる静電吸着電源41の一実施例を示す回路ブロック図で
ある。ウエハ吸着時はスイッチ59をｂ側58に入れ、±１
ｋＶまで出力できる高電圧電源60に電圧設定信号として
電圧V262を入力し、吸着時の印荷電圧を出力する。ウエ
ハ離脱時は、スイッチ59をａ側57に入れ、スイッチ52を
入れる。スイッチ52を入れることにより、V151が一次積
分器53に入力されランプ波形54が得られる。ランプ波形
54を、線型な電圧−周波数変換特性を有する電圧−周波
数変換器55に入
【００１９】力することにより、
【数1】に従い周期の切り替わる交流方形波56が得られ
る。V
る。V
【００２０】151を調整することにより、
【数1】におけるT1を任意に設定することができる。
【００２１】
【数1】
【００２２】上記交流方形波56は±１ｋＶまで出力でき
る高電圧電源60に電圧設定信号として入力され、図１に
示す交流方形波電圧を出力する。また、印加電圧をＯＦ
Ｆした後はリセット信号63により、一次積分器43を０
に、電圧−周波数変換器45の初期の極性を第１ステップ
の極性に、それぞれリセットする。
る高電圧電源60に電圧設定信号として入力され、図１に
示す交流方形波電圧を出力する。また、印加電圧をＯＦ
Ｆした後はリセット信号63により、一次積分器43を０
に、電圧−周波数変換器45の初期の極性を第１ステップ
の極性に、それぞれリセットする。
【００２３】ダイポール型の静電チャックの場合におけ
る本発明の一実施例として、マイクロ波プラズマエッチ
ング装置における適用例を図５に示す。真空処理室31、
及びプラズマ34の励起方法などは、図３に等しいため省
略する。上面に絶縁体45を有し、同心円状に配置された
一対の電極43、44により、ダイポール型の静電チャック
構成され、ウエハ35はその上に載置される。一対の電極
のうち、内側の電極43にハイパス遮断フィルタ38を通し
て高周波電源39を接続し、内側の電極43、外側の電極44
双方にローパス遮断フィルタ40を通して静電吸着電源46
を接続する。尚、真空処理室31、高周波電源39、静電吸
着電源46は接地する。
る本発明の一実施例として、マイクロ波プラズマエッチ
ング装置における適用例を図５に示す。真空処理室31、
及びプラズマ34の励起方法などは、図３に等しいため省
略する。上面に絶縁体45を有し、同心円状に配置された
一対の電極43、44により、ダイポール型の静電チャック
構成され、ウエハ35はその上に載置される。一対の電極
のうち、内側の電極43にハイパス遮断フィルタ38を通し
て高周波電源39を接続し、内側の電極43、外側の電極44
双方にローパス遮断フィルタ40を通して静電吸着電源46
を接続する。尚、真空処理室31、高周波電源39、静電吸
着電源46は接地する。
【００２４】図６はダイポール型静電チャックの場合に
おける、図１に示す交流方形波電圧を出力することので
きる静電吸着電源46の一実施例を示す回路ブロック図で
ある。ウエハ吸着時はスイッチ59をb側58に入れ、V262
を±１ｋＶまで出力できる高電圧電源60に電圧設定信号
として入力し、吸着時の印荷電圧を内側の電極に印加す
る。また、V262を反転増幅器66を通して極性を逆にした
ものを、±１ｋＶまで出力できる高電圧電源60に電圧設
定信号として入力し、吸着時の印荷電圧を外側の電極に
印加する。
おける、図１に示す交流方形波電圧を出力することので
きる静電吸着電源46の一実施例を示す回路ブロック図で
ある。ウエハ吸着時はスイッチ59をb側58に入れ、V262
を±１ｋＶまで出力できる高電圧電源60に電圧設定信号
として入力し、吸着時の印荷電圧を内側の電極に印加す
る。また、V262を反転増幅器66を通して極性を逆にした
ものを、±１ｋＶまで出力できる高電圧電源60に電圧設
定信号として入力し、吸着時の印荷電圧を外側の電極に
印加する。
【００２５】ウエハ離脱時は、図４の場合と同様に、ス
イッチ59をａ側57に入れ、スイッチ42を入れる。スイッ
チ42を入れることにより、数１に従い極性の切り替わる
交流方形波56を生成する。上記交流方形波56を±１ｋＶ
まで出力できる高電圧電源60に電圧設定信号として入力
し、図１に示す交流方形波電圧を内側の電極に印加す
る。また、前記交流方形波56を反転増幅器66を通して極
性を反転し、±１ｋＶまで出力できる高電圧電源60に電
圧設定信号として入力し、図１に示す交流方形波電圧と
極性を逆にしたものを外側の電極に印加する。電圧印加
をＯＦＦした後は、一次積分器53を０に、電圧−周波数
変換器55の初期の極性を第１ステップの極性に、それぞ
れリセットする。
イッチ59をａ側57に入れ、スイッチ42を入れる。スイッ
チ42を入れることにより、数１に従い極性の切り替わる
交流方形波56を生成する。上記交流方形波56を±１ｋＶ
まで出力できる高電圧電源60に電圧設定信号として入力
し、図１に示す交流方形波電圧を内側の電極に印加す
る。また、前記交流方形波56を反転増幅器66を通して極
性を反転し、±１ｋＶまで出力できる高電圧電源60に電
圧設定信号として入力し、図１に示す交流方形波電圧と
極性を逆にしたものを外側の電極に印加する。電圧印加
をＯＦＦした後は、一次積分器53を０に、電圧−周波数
変換器55の初期の極性を第１ステップの極性に、それぞ
れリセットする。
【００２６】図７はモノポール型静電チャックの場合に
おける、図１に示す交流方形波電圧を出力することがで
きる静電吸着電源41の別の実施例を示す回路ブロック図
であ
おける、図１に示す交流方形波電圧を出力することがで
きる静電吸着電源41の別の実施例を示す回路ブロック図
であ
【００２７】る。
【数1】におけるT1を設定するためにV151を変化させる
かわりに、積分時定数の調整機能を有する一次積分器67
を用い、その時定数を変化させることによりT1を任意に
設定することができる。
かわりに、積分時定数の調整機能を有する一次積分器67
を用い、その時定数を変化させることによりT1を任意に
設定することができる。
【００２８】図８はモノポール型静電チャックの場合に
おける、図１に示す交流方形波電圧を出力することがで
きる静電吸着電源41の別の実施例を示す回路ブロック図
である。数１におけるT1を設定するためにV151を変化さ
せるかわりに、電圧−周波数変換係数の調整機能を有す
る電圧周波数変換器69を用い、その変換係数を変化させ
ることにより数１におけるT1を任意に設定することがで
きる。
おける、図１に示す交流方形波電圧を出力することがで
きる静電吸着電源41の別の実施例を示す回路ブロック図
である。数１におけるT1を設定するためにV151を変化さ
せるかわりに、電圧−周波数変換係数の調整機能を有す
る電圧周波数変換器69を用い、その変換係数を変化させ
ることにより数１におけるT1を任意に設定することがで
きる。
【００２９】図９はモノポール型静電チャックの場合に
おける、図１に示す交流方形波電圧を出力することがで
きる静電吸着電源41の別の実施例を示す回路ブロック図
である。マイクロプロセッサ92とＤ／Ａ変換器94を用い
て、数１に従い極性の切り替わる交流方形波56を生成
し、上記交流方形波56を±１ｋＶまで出力できる高電圧
電源60に電圧設定信号として入力し、図１に示す交流方
形波電圧を出力する。
おける、図１に示す交流方形波電圧を出力することがで
きる静電吸着電源41の別の実施例を示す回路ブロック図
である。マイクロプロセッサ92とＤ／Ａ変換器94を用い
て、数１に従い極性の切り替わる交流方形波56を生成
し、上記交流方形波56を±１ｋＶまで出力できる高電圧
電源60に電圧設定信号として入力し、図１に示す交流方
形波電圧を出力する。
【００３０】
【発明の効果】本発明のウエハ離脱方法は、一定の規則
に従って周期の減少する交流方形波電圧を印加すること
により、電圧や時間等のパラメータの調整の必要無し
に、チャックに蓄積された電荷を確実に、かつ、速やか
に除去し、ウエハを容易に離脱することができる。
に従って周期の減少する交流方形波電圧を印加すること
により、電圧や時間等のパラメータの調整の必要無し
に、チャックに蓄積された電荷を確実に、かつ、速やか
に除去し、ウエハを容易に離脱することができる。
【００３１】また、本発明のウエハ離脱方法は、吸着力
解除の途中においてウエハに外部より力を加えることが
ないため、ウエハの位置ズレが生じない。
解除の途中においてウエハに外部より力を加えることが
ないため、ウエハの位置ズレが生じない。
【００３２】また、本発明のウエハ離脱方法は、ダイポ
ール型、モノポール型のいずれの場合においても、実現
可能である。
ール型、モノポール型のいずれの場合においても、実現
可能である。
【図１】本発明の一実施例である電極に印加される交流
方形波電圧の説明図である。
方形波電圧の説明図である。
【図２】本発明の一実施例である電極に印加される交流
方形波電圧と吸着力の変化の説明図である。
方形波電圧と吸着力の変化の説明図である。
【図３】本発明の一実施例であるモノポール型静電チャ
ックを示す全体構成図である。
ックを示す全体構成図である。
【図４】本発明の一実施例であるモノポール型静電チャ
ックの静電吸着電源の回路ブロック図である。
ックの静電吸着電源の回路ブロック図である。
【図５】本発明の、ダイポール型静電チャックの場合に
おける一実施例を示す全体構成図である。
おける一実施例を示す全体構成図である。
【図６】本発明の一実施例であるダイポール型静電チャ
ックの静電吸着電源の回路ブロック図である。
ックの静電吸着電源の回路ブロック図である。
【図７】本発明のモノポール型静電チャックの静電吸着
電源の別の実施例を示す回路ブロック図である。
電源の別の実施例を示す回路ブロック図である。
【図８】本発明のモノポール型静電チャックの静電吸着
電源の別の実施例を示す回路ブロック図である。
電源の別の実施例を示す回路ブロック図である。
【図９】本発明のモノポール型静電チャックの静電吸着
電源の別の実施例を示す回路ブロック図である。
電源の別の実施例を示す回路ブロック図である。
１：一定の規則に従って周期の減少する交流方形波電
圧、２１，２２：吸着力の変化、４１：静電吸着電源
（モノポール型静電チャックの場合）、４６：静電吸着
電源（ダイポール型静電チャックの場合）。
圧、２１，２２：吸着力の変化、４１：静電吸着電源
（モノポール型静電チャックの場合）、４６：静電吸着
電源（ダイポール型静電チャックの場合）。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 温司 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸工場内 (72)発明者 梅本 強志 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸工場内 (72)発明者 椿 武士 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸工場内
Claims (2)
- 【請求項１】半導体製造装置において静電チャックによ
り支持されたウエハの離脱方法であって、 一定の規則に従って周期の減少する交流方形波電圧を印
加しウエハを離脱することを特徴とするウエハの離脱方
法。 - 【請求項２】半導体製造装置において静電チャックによ
り支持されたウエハの離脱方法を提供する装置であっ
て、 一定の規則に従って周期の減少する交流方形波電圧を出
力しウエハを離脱することを特徴とする静電吸着電源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14256398A JP3879254B2 (ja) | 1998-05-25 | 1998-05-25 | ウエハの離脱方法及び静電吸着電源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14256398A JP3879254B2 (ja) | 1998-05-25 | 1998-05-25 | ウエハの離脱方法及び静電吸着電源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11340307A true JPH11340307A (ja) | 1999-12-10 |
| JP3879254B2 JP3879254B2 (ja) | 2007-02-07 |
Family
ID=15318250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14256398A Expired - Fee Related JP3879254B2 (ja) | 1998-05-25 | 1998-05-25 | ウエハの離脱方法及び静電吸着電源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3879254B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007108192A1 (ja) | 2006-03-20 | 2007-09-27 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | ガラス基板の静電吸着装置及びその吸着離脱方法 |
| WO2013027584A1 (ja) * | 2011-08-19 | 2013-02-28 | 株式会社アルバック | 真空処理装置及び真空処理方法 |
-
1998
- 1998-05-25 JP JP14256398A patent/JP3879254B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007108192A1 (ja) | 2006-03-20 | 2007-09-27 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | ガラス基板の静電吸着装置及びその吸着離脱方法 |
| US7995324B2 (en) | 2006-03-20 | 2011-08-09 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Electrostatic attraction apparatus for glass substrate and method of attracting and releasing the same |
| WO2013027584A1 (ja) * | 2011-08-19 | 2013-02-28 | 株式会社アルバック | 真空処理装置及び真空処理方法 |
| JPWO2013027584A1 (ja) * | 2011-08-19 | 2015-03-19 | 株式会社アルバック | 真空処理装置及び真空処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3879254B2 (ja) | 2007-02-07 |
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