JPH11330146A - 半導体装置およびその製造方法ならびにその製造方法で使用するテープキャリヤ - Google Patents
半導体装置およびその製造方法ならびにその製造方法で使用するテープキャリヤInfo
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- JPH11330146A JPH11330146A JP10127020A JP12702098A JPH11330146A JP H11330146 A JPH11330146 A JP H11330146A JP 10127020 A JP10127020 A JP 10127020A JP 12702098 A JP12702098 A JP 12702098A JP H11330146 A JPH11330146 A JP H11330146A
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- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 端子ピッチ(ボール電極ピッチ)のバラツキ
が小さくできる半導体装置の製造技術の提供。 【解決手段】 導体からなるリードのパッドの一面にボ
ール電極が形成されてなる半導体装置であって、前記パ
ッドの表面には窪んだ座が設けられているとともに前記
窪んだ座上に前記ボール電極が設けられている。前記リ
ードは絶縁性フィルムの一面に接着されているとともに
前記パッドは前記絶縁性フィルムに設けられた穴部分に
位置している。前記絶縁性フィルムは半導体チップの一
面に絶縁板を介して接着固定され、前記各リードは半導
体チップの電極に接続されている。全体の大きさが前記
半導体チップと同一あるいは近似した大きさになってい
る。
が小さくできる半導体装置の製造技術の提供。 【解決手段】 導体からなるリードのパッドの一面にボ
ール電極が形成されてなる半導体装置であって、前記パ
ッドの表面には窪んだ座が設けられているとともに前記
窪んだ座上に前記ボール電極が設けられている。前記リ
ードは絶縁性フィルムの一面に接着されているとともに
前記パッドは前記絶縁性フィルムに設けられた穴部分に
位置している。前記絶縁性フィルムは半導体チップの一
面に絶縁板を介して接着固定され、前記各リードは半導
体チップの電極に接続されている。全体の大きさが前記
半導体チップと同一あるいは近似した大きさになってい
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置および半
導体装置の製造方法ならびにその製造方法で使用するテ
ープキャリヤに関し、特にCSP(Chip Size Package)
型半導体装置の製造技術に適用して有効な技術に関す
る。
導体装置の製造方法ならびにその製造方法で使用するテ
ープキャリヤに関し、特にCSP(Chip Size Package)
型半導体装置の製造技術に適用して有効な技術に関す
る。
【0002】
【従来の技術】半導体装置の一つとして、製品全体の大
きさが半導体チップの大きさと同一またはチップよりも
わずかに大きくなる所謂チップサイズパッケージ(CS
P)型半導体装置が知られている。
きさが半導体チップの大きさと同一またはチップよりも
わずかに大きくなる所謂チップサイズパッケージ(CS
P)型半導体装置が知られている。
【0003】CSP型半導体装置には、テープキャリヤ
をパターン変換基板(インタポーザ)として半導体チッ
プよりも小さい領域にバンプ(ボール電極)を配列した
もの(テープ構造)、インタポーザを用いずに半導体チ
ップ上に直接バンプを形成したもの、リードを使用して
半導体チップの導体パッド位置を変換するもの等が知ら
れている。
をパターン変換基板(インタポーザ)として半導体チッ
プよりも小さい領域にバンプ(ボール電極)を配列した
もの(テープ構造)、インタポーザを用いずに半導体チ
ップ上に直接バンプを形成したもの、リードを使用して
半導体チップの導体パッド位置を変換するもの等が知ら
れている。
【0004】CSP型半導体装置については、工業調査
会発行「電子材料」1995年4月号、P22〜P28に記載さ
れている。同文献には、CSPとしてμBGA(ボール
グリッドアレイ)について記載されている。
会発行「電子材料」1995年4月号、P22〜P28に記載さ
れている。同文献には、CSPとしてμBGA(ボール
グリッドアレイ)について記載されている。
【0005】μBGAは、ICチップの一面のエリアア
レイ上にエラストマを介して銅・ポリイミドフレキシブ
ル配線板(テープキャリヤ)が固定された構造になって
いる。前記フレキシブル配線板の周縁からはリードが突
出し、このリードの一端がチップの電極(Al電極パッ
ド)に固定されている。また、前記フレキシブル配線板
の露出面にはバンプ(Ni/Auバンプ)が整列配置さ
れている。
レイ上にエラストマを介して銅・ポリイミドフレキシブ
ル配線板(テープキャリヤ)が固定された構造になって
いる。前記フレキシブル配線板の周縁からはリードが突
出し、このリードの一端がチップの電極(Al電極パッ
ド)に固定されている。また、前記フレキシブル配線板
の露出面にはバンプ(Ni/Auバンプ)が整列配置さ
れている。
【0006】一方、日経BP社発行「日経マイクロデバ
イス」1997年10月号、P136およびP137には、CSPの端
子ピッチは0.8mm,0.5mm等が採用され、ボー
ル径は0.5mmや0.3mmが採用されている旨記載
されている。
イス」1997年10月号、P136およびP137には、CSPの端
子ピッチは0.8mm,0.5mm等が採用され、ボー
ル径は0.5mmや0.3mmが採用されている旨記載
されている。
【0007】他方、工業調査会発行「電子材料」1997年
9月号、P52〜P56には、BGAパッケージ用銅ボール
について記載されている。
9月号、P52〜P56には、BGAパッケージ用銅ボール
について記載されている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】従来、テープキャリヤ
を使用した半導体装置の製造技術として、TCP(Tape
Carrier Package)技術〔別名TAB(Tape Automated
Bonding)技術〕が知られている。TCP技術では、テ
ープキャリヤはポリイミドフレキシブルテープ等の絶縁
性テープの表面に貼り付けた金属箔をエッチングしてリ
ードを形成した構造になっていて、半導体装置の製造に
おいては、テープキャリヤに設けた複数のリードの内端
を半導体チップの電極に接続した後、前記半導体チップ
および接続されたリード部分を絶縁性の樹脂で封止する
ことによって製造される。
を使用した半導体装置の製造技術として、TCP(Tape
Carrier Package)技術〔別名TAB(Tape Automated
Bonding)技術〕が知られている。TCP技術では、テ
ープキャリヤはポリイミドフレキシブルテープ等の絶縁
性テープの表面に貼り付けた金属箔をエッチングしてリ
ードを形成した構造になっていて、半導体装置の製造に
おいては、テープキャリヤに設けた複数のリードの内端
を半導体チップの電極に接続した後、前記半導体チップ
および接続されたリード部分を絶縁性の樹脂で封止する
ことによって製造される。
【0009】CSP型半導体装置で使用するテープキャ
リヤも前記TCP技術で使用されるテープキャリヤと略
同様のものが使用される。
リヤも前記TCP技術で使用されるテープキャリヤと略
同様のものが使用される。
【0010】CSP型半導体装置では、その製造におい
てテープキャリヤのテープに設けられたリードのパッド
部分に半田ボールが固定されてバンプ電極(ボール電
極)が形成される。
てテープキャリヤのテープに設けられたリードのパッド
部分に半田ボールが固定されてバンプ電極(ボール電
極)が形成される。
【0011】一方、端子ピッチの狭小化によって端子ピ
ッチは順次狭くなる傾向にあり、時として隣接するバン
プ電極同士が半田で接続される不良(ハンダブリッジ)
が発生してしまうことがある。
ッチは順次狭くなる傾向にあり、時として隣接するバン
プ電極同士が半田で接続される不良(ハンダブリッジ)
が発生してしまうことがある。
【0012】このハンダブリッジ不良について分析検討
した結果、本発明者は以下のことを知見した。
した結果、本発明者は以下のことを知見した。
【0013】図24は、位置ずれしてボール電極が形成
される状況を説明する模式図である。CSP型半導体装
置の製造においては、図24に示すように、テープキャ
リヤ15の絶縁性のフィルムからなるテープ1に設けた
リード3のパッド16部分に、半田ボール17を固定し
てボール電極(バンプ電極)20を形成する。この際、
ボール電極2が形成されるテープ部分には穴21が設け
られ、穴21の底に臨むパッド16部分に半田ボール1
7が固定される。前記テープ1とリード3は太線で示す
ように接着剤22によって接着されている。
される状況を説明する模式図である。CSP型半導体装
置の製造においては、図24に示すように、テープキャ
リヤ15の絶縁性のフィルムからなるテープ1に設けた
リード3のパッド16部分に、半田ボール17を固定し
てボール電極(バンプ電極)20を形成する。この際、
ボール電極2が形成されるテープ部分には穴21が設け
られ、穴21の底に臨むパッド16部分に半田ボール1
7が固定される。前記テープ1とリード3は太線で示す
ように接着剤22によって接着されている。
【0014】テープキャリヤ15におけるリード3は、
穴21等が設けられたパンチングが終了したテープ1の
一面に銅箔を接着剤22を介して張り付けた後、前記銅
箔を所望のパターンにエッチングしてリード3を形成す
る。この際、一般に前記銅箔の張り付け後、銅箔を加圧
してテープと銅箔の接着性を高める方法が採用されてい
る。
穴21等が設けられたパンチングが終了したテープ1の
一面に銅箔を接着剤22を介して張り付けた後、前記銅
箔を所望のパターンにエッチングしてリード3を形成す
る。この際、一般に前記銅箔の張り付け後、銅箔を加圧
してテープと銅箔の接着性を高める方法が採用されてい
る。
【0015】この加圧によって、図24に示すように、
穴21内に位置する銅箔部分、すなわちパッド16部分
は、テープ1で支持されていないことから盛り上がる。
この盛り上がり部23は中央が最も高い状態になる。こ
のような現象は、穴21が小さな穴となることから顕著
に現れることも判明した。
穴21内に位置する銅箔部分、すなわちパッド16部分
は、テープ1で支持されていないことから盛り上がる。
この盛り上がり部23は中央が最も高い状態になる。こ
のような現象は、穴21が小さな穴となることから顕著
に現れることも判明した。
【0016】この結果、穴21に半田ボール17を供給
した場合、半田ボール17は穴21の中心Oに位置する
(二点鎖線で示す状態)ことなく転がり、前記盛り上が
り部23の中央部分と、穴21の一部の周縁部分で支え
られるようになり(実線で示す状態)、穴21の中心O
からずれる。このズレeは、1例を挙げるならば、テー
プ1の厚さが50μm、銅箔(リード3)の厚さが20
μm穴21の直径が0.3mm、半田ボール17の直径
が0.5mmの場合、盛り上がり部23の厚さは30〜
50μmとなる場合、最大で50μm程度になる。すな
わち、半田ボール17の供給位置のズレは穴21の中心
Oに対して±50μmとなる。
した場合、半田ボール17は穴21の中心Oに位置する
(二点鎖線で示す状態)ことなく転がり、前記盛り上が
り部23の中央部分と、穴21の一部の周縁部分で支え
られるようになり(実線で示す状態)、穴21の中心O
からずれる。このズレeは、1例を挙げるならば、テー
プ1の厚さが50μm、銅箔(リード3)の厚さが20
μm穴21の直径が0.3mm、半田ボール17の直径
が0.5mmの場合、盛り上がり部23の厚さは30〜
50μmとなる場合、最大で50μm程度になる。すな
わち、半田ボール17の供給位置のズレは穴21の中心
Oに対して±50μmとなる。
【0017】このように半田ボール17の供給位置のズ
レは、そのままボール電極2のバラツキになり、端子ピ
ッチが0.5mmと狭い場合には、ハンダブリッジ発生
の大きな要因になる。半田ボール17が金属球等のハー
ドコアボールの表面に半田膜を形成した構造の場合で
は、半田ボール17の供給位置のズレがそのままボール
電極2の位置ズレになる確率が高い。
レは、そのままボール電極2のバラツキになり、端子ピ
ッチが0.5mmと狭い場合には、ハンダブリッジ発生
の大きな要因になる。半田ボール17が金属球等のハー
ドコアボールの表面に半田膜を形成した構造の場合で
は、半田ボール17の供給位置のズレがそのままボール
電極2の位置ズレになる確率が高い。
【0018】他方、従来の場合では、丸い半田ボール1
7がパッド16の平坦な面にが載る状態で半田リフロー
がなされることから、パッド16によるボール電極2の
保持力(ホールド力)が小さく接合強度が低くなる場合
もあることが判明した。
7がパッド16の平坦な面にが載る状態で半田リフロー
がなされることから、パッド16によるボール電極2の
保持力(ホールド力)が小さく接合強度が低くなる場合
もあることが判明した。
【0019】本発明の目的は端子ピッチ(ボール電極ピ
ッチ)のバラツキが小さくできる半導体装置の製造技術
を提供することにある。
ッチ)のバラツキが小さくできる半導体装置の製造技術
を提供することにある。
【0020】本発明の他の目的は、ボール電極の接合強
度の高い半導体装置の製造技術を提供することにある。
度の高い半導体装置の製造技術を提供することにある。
【0021】本発明の前記ならびにそのほかの目的と新
規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきら
かになるであろう。
規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきら
かになるであろう。
【0022】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【0023】(1)導体からなるリードのパッドの一面
にボール電極が形成されてなる半導体装置であって、前
記パッドの表面には窪んだ座が設けられているとともに
前記窪んだ座上に前記ボール電極が設けられている。前
記リードは絶縁性フィルムの一面に接着されているとと
もに前記パッドは前記絶縁性フィルムに設けられた穴部
分に位置している。前記絶縁性フィルムは半導体チップ
の一面に絶縁板を介して接着固定され、前記各リードは
半導体チップの電極に接続されている。全体の大きさが
前記半導体チップと同一あるいは近似した大きさになっ
ている。
にボール電極が形成されてなる半導体装置であって、前
記パッドの表面には窪んだ座が設けられているとともに
前記窪んだ座上に前記ボール電極が設けられている。前
記リードは絶縁性フィルムの一面に接着されているとと
もに前記パッドは前記絶縁性フィルムに設けられた穴部
分に位置している。前記絶縁性フィルムは半導体チップ
の一面に絶縁板を介して接着固定され、前記各リードは
半導体チップの電極に接続されている。全体の大きさが
前記半導体チップと同一あるいは近似した大きさになっ
ている。
【0024】このような半導体装置は以下の方法で製造
される。
される。
【0025】導体からなるリードのパッドの表面に導電
性の半田ボールを供給した後、前記半田ボールをリフロ
ーしてボール電極を形成する半導体装置の製造方法であ
って、前記パッドの表面に窪んだ座を形成し、その後前
記窪んだ座上に半田ボールを供給しかつリフローしてボ
ール電極を形成する。あらかじめ前記ボール電極を形成
する部分に穴を設けた絶縁性のテープを用意した後、前
記テープの一面に金属箔を接着し、その後前記金属箔を
選択的にエッチングして前記穴部分に前記パッドが位置
するリードを形成してテープキャリヤを形成する工程
と、前記穴底のパッド面に前記窪んだ座を形成する工程
と、前記テープキャリヤに絶縁板を介して半導体チップ
を固定する工程と、前記テープキャリヤの各リードを前
記半導体チップの各電極に接続する工程と、所望部分を
絶縁性の樹脂で被う工程と、前記テープキャリヤの穴部
分に半田ボールを供給してリフローを行い前記穴底のパ
ッド上に前記ボール電極を形成する工程と、不要なテー
プキャリヤ部分を切断除去して半導体装置を製造する。
前記テープキャリヤの切断除去においては全体の大きさ
が前記半導体チップと同一あるいは近似した大きさにす
る。
性の半田ボールを供給した後、前記半田ボールをリフロ
ーしてボール電極を形成する半導体装置の製造方法であ
って、前記パッドの表面に窪んだ座を形成し、その後前
記窪んだ座上に半田ボールを供給しかつリフローしてボ
ール電極を形成する。あらかじめ前記ボール電極を形成
する部分に穴を設けた絶縁性のテープを用意した後、前
記テープの一面に金属箔を接着し、その後前記金属箔を
選択的にエッチングして前記穴部分に前記パッドが位置
するリードを形成してテープキャリヤを形成する工程
と、前記穴底のパッド面に前記窪んだ座を形成する工程
と、前記テープキャリヤに絶縁板を介して半導体チップ
を固定する工程と、前記テープキャリヤの各リードを前
記半導体チップの各電極に接続する工程と、所望部分を
絶縁性の樹脂で被う工程と、前記テープキャリヤの穴部
分に半田ボールを供給してリフローを行い前記穴底のパ
ッド上に前記ボール電極を形成する工程と、不要なテー
プキャリヤ部分を切断除去して半導体装置を製造する。
前記テープキャリヤの切断除去においては全体の大きさ
が前記半導体チップと同一あるいは近似した大きさにす
る。
【0026】(2)前記手段(1)の構成の半導体装置
を以下の方法で製造する。
を以下の方法で製造する。
【0027】あらかじめ前記ボール電極を形成する部分
に穴を設けた絶縁性のテープを用意した後、前記テープ
の一面に金属箔を接着し、その後前記金属箔を選択的に
エッチングして前記穴部分に前記パッドが位置するリー
ドを形成してテープキャリヤを形成する工程と、前記テ
ープキャリヤに絶縁板を介して半導体チップを固定する
工程と、前記テープキャリヤの各リードを前記半導体チ
ップの各電極に接続する工程と、所望部分を絶縁性の樹
脂で被う工程と、前記テープキャリヤに半導体チップを
固定した工程乃至前記絶縁性の樹脂で被う工程のうちの
いずれかの工程の後に前記穴底のパッドに前記窪んだ座
を形成し、ついで前記テープキャリヤの穴部分に半田ボ
ールを供給してリフローを行い前記穴底のパッド上に前
記ボール電極を形成し、その後不要なテープキャリヤ部
分を切断除去して半導体装置を製造する。前記テープキ
ャリヤの切断除去においては全体の大きさが前記半導体
チップと同一あるいは近似した大きさにする。
に穴を設けた絶縁性のテープを用意した後、前記テープ
の一面に金属箔を接着し、その後前記金属箔を選択的に
エッチングして前記穴部分に前記パッドが位置するリー
ドを形成してテープキャリヤを形成する工程と、前記テ
ープキャリヤに絶縁板を介して半導体チップを固定する
工程と、前記テープキャリヤの各リードを前記半導体チ
ップの各電極に接続する工程と、所望部分を絶縁性の樹
脂で被う工程と、前記テープキャリヤに半導体チップを
固定した工程乃至前記絶縁性の樹脂で被う工程のうちの
いずれかの工程の後に前記穴底のパッドに前記窪んだ座
を形成し、ついで前記テープキャリヤの穴部分に半田ボ
ールを供給してリフローを行い前記穴底のパッド上に前
記ボール電極を形成し、その後不要なテープキャリヤ部
分を切断除去して半導体装置を製造する。前記テープキ
ャリヤの切断除去においては全体の大きさが前記半導体
チップと同一あるいは近似した大きさにする。
【0028】(3)前記手段(1)の構成の半導体装置
は下記のテープキャリヤを使用して製造することができ
る。絶縁性のテープと、前記テープの一面に接着剤を介
して接着された導体からなるリードとを有し、前記リー
ドのボール電極を形成するパッドは前記テープに設けた
穴部分に形成されてなるテープキャリヤであって、前記
穴底の前記パッドの表面には窪んだ座が設けられてい
る。
は下記のテープキャリヤを使用して製造することができ
る。絶縁性のテープと、前記テープの一面に接着剤を介
して接着された導体からなるリードとを有し、前記リー
ドのボール電極を形成するパッドは前記テープに設けた
穴部分に形成されてなるテープキャリヤであって、前記
穴底の前記パッドの表面には窪んだ座が設けられてい
る。
【0029】(4)前記手段(1)の構成の半導体装置
は下記のテープキャリヤを使用して製造することができ
る。絶縁性のテープと、前記テープの一面に接着剤を介
して接着された導体からなるリードとを有し、前記リー
ドのボール電極を形成するパッドは前記テープに設けた
穴部分に形成されてなるテープキャリヤであって、前記
テープキャリヤには半導体チップが固定される領域に絶
縁板が接着されているとともに、前記穴底の前記パッド
の表面には窪んだ座が設けられている。
は下記のテープキャリヤを使用して製造することができ
る。絶縁性のテープと、前記テープの一面に接着剤を介
して接着された導体からなるリードとを有し、前記リー
ドのボール電極を形成するパッドは前記テープに設けた
穴部分に形成されてなるテープキャリヤであって、前記
テープキャリヤには半導体チップが固定される領域に絶
縁板が接着されているとともに、前記穴底の前記パッド
の表面には窪んだ座が設けられている。
【0030】前記(1)の手段によれば、(a)ボール
電極の形成時、テープの穴部分に供給される半田ボール
は穴底に位置するパッド上に載るが、前記パッド面には
窪んだ座(ディンプル)が設けられていて、半田ボール
はこの窪んだ座に支えられて高精度に位置決めされるこ
とから、リフローによって形成されるボール電極の位置
ズレが少なくなり、端子ピッチのバラツキが極めて小さ
くなる。この結果、半導体装置の実装時、端子ピッチの
バラツキに起因する隣接するボール電極(バンプ電極)
同士の半田による接触不良(ハンダブリッジ)を防止で
きる。
電極の形成時、テープの穴部分に供給される半田ボール
は穴底に位置するパッド上に載るが、前記パッド面には
窪んだ座(ディンプル)が設けられていて、半田ボール
はこの窪んだ座に支えられて高精度に位置決めされるこ
とから、リフローによって形成されるボール電極の位置
ズレが少なくなり、端子ピッチのバラツキが極めて小さ
くなる。この結果、半導体装置の実装時、端子ピッチの
バラツキに起因する隣接するボール電極(バンプ電極)
同士の半田による接触不良(ハンダブリッジ)を防止で
きる。
【0031】(b)半田ボールはリードのパッド部分に
形成された窪んだ座によって支持されることから、接触
面積が広くなり、半田ボールとパッドとの接合強度が高
くなり、信頼性が高くなる。
形成された窪んだ座によって支持されることから、接触
面積が広くなり、半田ボールとパッドとの接合強度が高
くなり、信頼性が高くなる。
【0032】前記(2)の手段においても前記手段
(1)の場合と同様に端子ピッチのバラツキを小さくで
きるとともに、半田ボールとパッドとの接合強度の向上
を図ることができる。
(1)の場合と同様に端子ピッチのバラツキを小さくで
きるとともに、半田ボールとパッドとの接合強度の向上
を図ることができる。
【0033】前記(3)および(4)の手段によるテー
プキャリヤの使用によっても、前記手段(1)の場合と
同様に端子ピッチのバラツキを小さくできるとともに、
半田ボールとパッドとの接合強度の向上を図ることがで
きる。
プキャリヤの使用によっても、前記手段(1)の場合と
同様に端子ピッチのバラツキを小さくできるとともに、
半田ボールとパッドとの接合強度の向上を図ることがで
きる。
【0034】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を
説明するための全図において、同一機能を有するものは
同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を
説明するための全図において、同一機能を有するものは
同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【0035】(実施形態1)図1乃至図16は本発明の
一実施形態(実施形態1)であるCSP型半導体装置お
よびその製造に係わる図である。
一実施形態(実施形態1)であるCSP型半導体装置お
よびその製造に係わる図である。
【0036】図1は本実施形態1のCSP型半導体装置
の一部を示す模式的拡大断面図、図2はCSP型半導体
装置の平面図、図3は底面図、図4は図2のA−A線に
沿う拡大断面図である。
の一部を示す模式的拡大断面図、図2はCSP型半導体
装置の平面図、図3は底面図、図4は図2のA−A線に
沿う拡大断面図である。
【0037】本実施形態1のCSP型半導体装置14
は、図1乃至図4に示すように、長方形の半導体チップ
(半導体素子)4の主面(図1および図4で下面)側に
エラストマからなる絶縁板5を介してテープキャリヤか
ら分離されたテープ構成体25を張り付けた構造になっ
ている。
は、図1乃至図4に示すように、長方形の半導体チップ
(半導体素子)4の主面(図1および図4で下面)側に
エラストマからなる絶縁板5を介してテープキャリヤか
ら分離されたテープ構成体25を張り付けた構造になっ
ている。
【0038】テープ構成体25は、絶縁性フィルム1
と、この絶縁性フィルム1の一面に形成されたリード3
からなっていて、後述するテープキャリヤから切断分離
されることによって形成される。前記リード3は接着剤
22を介して絶縁性フィルム1に接着されている。リー
ド3は複数設けられ、所望のパターンになっている。
と、この絶縁性フィルム1の一面に形成されたリード3
からなっていて、後述するテープキャリヤから切断分離
されることによって形成される。前記リード3は接着剤
22を介して絶縁性フィルム1に接着されている。リー
ド3は複数設けられ、所望のパターンになっている。
【0039】テープキャリヤは絶縁性フィルムからなる
パターニングされたテープと、このテープの一面に形成
されたリードからなる。前記テープは絶縁性の樹脂フィ
ルム、たとえば50μmの厚さのポリイミド樹脂フィル
ムからなる。
パターニングされたテープと、このテープの一面に形成
されたリードからなる。前記テープは絶縁性の樹脂フィ
ルム、たとえば50μmの厚さのポリイミド樹脂フィル
ムからなる。
【0040】リード3は、パターニングされた前記テー
プの一面に銅箔を接着剤を介して張り付けた後、前記銅
箔を所望のパターンにエッチングすることによって形成
される。また、前記銅箔の張り付け後、銅箔を加圧して
テープと銅箔の接着性を高める方法が採用されている。
プの一面に銅箔を接着剤を介して張り付けた後、前記銅
箔を所望のパターンにエッチングすることによって形成
される。また、前記銅箔の張り付け後、銅箔を加圧して
テープと銅箔の接着性を高める方法が採用されている。
【0041】半導体チップ4の主面の両側には、それぞ
れ一列に電極11が並んでいる。この電極11列に沿う
ように前記絶縁性フィルム1には長穴からなるリードホ
ール26が設けられている。前記リード3は一端を前記
リードホール26内に張り出させ、他端を絶縁性フィル
ム1に設けられた穴21部分に延在させるようになって
いる。前記穴21の底に位置するリード部分はパッド1
6を構成している。
れ一列に電極11が並んでいる。この電極11列に沿う
ように前記絶縁性フィルム1には長穴からなるリードホ
ール26が設けられている。前記リード3は一端を前記
リードホール26内に張り出させ、他端を絶縁性フィル
ム1に設けられた穴21部分に延在させるようになって
いる。前記穴21の底に位置するリード部分はパッド1
6を構成している。
【0042】前記穴21は、本実施形態1では中央に沿
って4列配置されている。これらの穴底のパッド16に
は半田ボールが取り付けられて絶縁性フィルム1の平坦
面から突出するボール電極(バンプ電極)2が形成され
ている。前記ボール電極2は、たとえば、金属球等のハ
ードコアボールの表面に半田膜を形成した半田ボールに
よって形成されている。
って4列配置されている。これらの穴底のパッド16に
は半田ボールが取り付けられて絶縁性フィルム1の平坦
面から突出するボール電極(バンプ電極)2が形成され
ている。前記ボール電極2は、たとえば、金属球等のハ
ードコアボールの表面に半田膜を形成した半田ボールに
よって形成されている。
【0043】前記リードホール26から半導体チップ4
の周縁部分に亘る部分には絶縁性の樹脂によって封止体
9が形成されている。この封止体9によってリード3お
よび電極11等が被われる。
の周縁部分に亘る部分には絶縁性の樹脂によって封止体
9が形成されている。この封止体9によってリード3お
よび電極11等が被われる。
【0044】絶縁性フィルム1の外周は半導体チップ4
の縁よりも、たとえば、0.5mm程度とわずかに張り
出す程度でCSP型を構成している。
の縁よりも、たとえば、0.5mm程度とわずかに張り
出す程度でCSP型を構成している。
【0045】一方、これが本発明の特徴の一つである
が、図1に示すように、前記穴21の底に位置するリー
ド部分、すなわちパッド16はボール電極2を受ける窪
んだ座(ディンプル)27が設けられている。このディ
ンプル27は、ボール電極2を形成するための球状の半
田ボールを受けるように円弧面になっている。前記円弧
面の中心は穴21の中心に一致している。また、前記円
弧面の曲率は、前記半田ボールの直径と同一あるいは僅
かに大きくなっている。
が、図1に示すように、前記穴21の底に位置するリー
ド部分、すなわちパッド16はボール電極2を受ける窪
んだ座(ディンプル)27が設けられている。このディ
ンプル27は、ボール電極2を形成するための球状の半
田ボールを受けるように円弧面になっている。前記円弧
面の中心は穴21の中心に一致している。また、前記円
弧面の曲率は、前記半田ボールの直径と同一あるいは僅
かに大きくなっている。
【0046】したがって、ボール電極2を形成する際、
穴21内に半田ボールを供給した場合、半田ボールは前
記ディンプル27によって支持されるため、常に穴21
の中心に位置する。この結果、半田ボールのリフローに
よってボール電極2を形成した場合、ボール電極2は穴
21の中心に位置することになり、ボール電極(端子)
位置のバラツキは極めて小さくなる。
穴21内に半田ボールを供給した場合、半田ボールは前
記ディンプル27によって支持されるため、常に穴21
の中心に位置する。この結果、半田ボールのリフローに
よってボール電極2を形成した場合、ボール電極2は穴
21の中心に位置することになり、ボール電極(端子)
位置のバラツキは極めて小さくなる。
【0047】図16は電子機器の実装基板30に本実施
形態1の半導体装置14を実装した状態を示すものであ
る。半導体装置14の各ボール電極2が実装基板30の
ランド31に接続されたものであるが、各ボール電極2
が絶縁性フィルム1の穴21およびパッド16の中心に
ディンプル27の作用によって位置していることから、
ボール電極2の位置バラツキが極めて小さく、端子ピッ
チが小さい場合、たとえば、0.5mmであっても、ボ
ール電極2の位置バラツキの大きいことによる隣接する
ボール電極2との接触、すなわち、ハンダブリッジ不良
の発生を防止することができる。
形態1の半導体装置14を実装した状態を示すものであ
る。半導体装置14の各ボール電極2が実装基板30の
ランド31に接続されたものであるが、各ボール電極2
が絶縁性フィルム1の穴21およびパッド16の中心に
ディンプル27の作用によって位置していることから、
ボール電極2の位置バラツキが極めて小さく、端子ピッ
チが小さい場合、たとえば、0.5mmであっても、ボ
ール電極2の位置バラツキの大きいことによる隣接する
ボール電極2との接触、すなわち、ハンダブリッジ不良
の発生を防止することができる。
【0048】つぎに、図5乃至図16を参照しながら本
実施形態1のCSP型半導体装置の製造方法について説
明する。
実施形態1のCSP型半導体装置の製造方法について説
明する。
【0049】本実施形態1の半導体装置14は、図5の
フローチャートに示すように、テープ用意(ステップ1
00),テープパンチング(ステップ101)、リード
形成(ステップ102),ボール電極取付用座形成(ス
テップ103),絶縁板固定(ステップ104),半導
体チップ固定(ステップ105),リード接続(ステッ
プ106),樹脂封止(ステップ107),ボール電極
形成(ステップ108),テープ切断(ステップ10
9)の各工程を経ることによって製造される。
フローチャートに示すように、テープ用意(ステップ1
00),テープパンチング(ステップ101)、リード
形成(ステップ102),ボール電極取付用座形成(ス
テップ103),絶縁板固定(ステップ104),半導
体チップ固定(ステップ105),リード接続(ステッ
プ106),樹脂封止(ステップ107),ボール電極
形成(ステップ108),テープ切断(ステップ10
9)の各工程を経ることによって製造される。
【0050】本実施形態1の半導体装置1の製造におい
ては、最初に図6に示すようなテープキャリヤ15を形
成する。このテープキャリヤ15は、テープ用意(ステ
ップ100),テープパンチング(ステップ101)、
リード形成(ステップ102)によって形成される。
ては、最初に図6に示すようなテープキャリヤ15を形
成する。このテープキャリヤ15は、テープ用意(ステ
ップ100),テープパンチング(ステップ101)、
リード形成(ステップ102)によって形成される。
【0051】すなわち、テープキャリヤ15は、図6お
よび図7に示すように、絶縁性フィルムからなるパター
ニングされたテープ35と、テープ35の一面に形成さ
れたリード3とからなっている。また、一部の穴部分に
は銅箔によるパターニングされた補強体39が設けられ
ている。テープ35は両側に沿ってスプロケットホール
36が設けられている。また、前記テープ35の幅方向
に所定間隔離れて平行に長穴からなるリードホール26
が設けられている。
よび図7に示すように、絶縁性フィルムからなるパター
ニングされたテープ35と、テープ35の一面に形成さ
れたリード3とからなっている。また、一部の穴部分に
は銅箔によるパターニングされた補強体39が設けられ
ている。テープ35は両側に沿ってスプロケットホール
36が設けられている。また、前記テープ35の幅方向
に所定間隔離れて平行に長穴からなるリードホール26
が設けられている。
【0052】また、一対のリードホール26間のテープ
部分には穴21が設けられている。本実施形態1では、
前記穴21は4列4行の配置になっている。リード3は
前記穴21部分からいずれかのリードホール26間に延
在している。リード3の一端は前記リードホール26内
に張り出すとともに、他端は前記穴21部分に位置し、
穴21の底にパッド16を形成している。
部分には穴21が設けられている。本実施形態1では、
前記穴21は4列4行の配置になっている。リード3は
前記穴21部分からいずれかのリードホール26間に延
在している。リード3の一端は前記リードホール26内
に張り出すとともに、他端は前記穴21部分に位置し、
穴21の底にパッド16を形成している。
【0053】一方、これが本発明の特徴の一つである
が、図10に示すように、穴21の底に位置するテープ
部分、すなわちパッド16の表面には、半田ボールを受
ける窪んだ座(ディンプル)27が設けられている。こ
のディンプル27はボール電極を形成するための半田ボ
ール17を受ける。ディンプル27の中心は穴21の中
心に位置している。
が、図10に示すように、穴21の底に位置するテープ
部分、すなわちパッド16の表面には、半田ボールを受
ける窪んだ座(ディンプル)27が設けられている。こ
のディンプル27はボール電極を形成するための半田ボ
ール17を受ける。ディンプル27の中心は穴21の中
心に位置している。
【0054】このようなテープキャリヤ15は、パター
ニングされた前記テープ35の一面に、金属箔、たとえ
ば、銅箔を接着剤22を介して張り付けた後、前記銅箔
を所望のパターンにエッチングすることによって形成さ
れる。また、前記銅箔の張り付け後、銅箔を加圧してテ
ープと銅箔の接着性を高める方法が採用される。穴21
部分のリード3、すなわち、パッド16部分は、前記加
圧のため図8に示すように、盛り上がり部23が発生す
る。
ニングされた前記テープ35の一面に、金属箔、たとえ
ば、銅箔を接着剤22を介して張り付けた後、前記銅箔
を所望のパターンにエッチングすることによって形成さ
れる。また、前記銅箔の張り付け後、銅箔を加圧してテ
ープと銅箔の接着性を高める方法が採用される。穴21
部分のリード3、すなわち、パッド16部分は、前記加
圧のため図8に示すように、盛り上がり部23が発生す
る。
【0055】そこで、図9に示すように、前記テープキ
ャリヤ15を下型8と上型7との間にクランプした後、
上型7のガイド穴37に挿入される押しピン6でパッド
16の表面を押圧してディンプル27を形成する(ステ
ップ103)。
ャリヤ15を下型8と上型7との間にクランプした後、
上型7のガイド穴37に挿入される押しピン6でパッド
16の表面を押圧してディンプル27を形成する(ステ
ップ103)。
【0056】なお、前記テープキャリヤ15の各部の寸
法の一例を挙げるならば、テープ35はポリイミド樹脂
フィルムからなり厚さ50μm、リード3は厚さ20μ
m、穴21の直径は0.3mm、半田ボールの直径は
0.5mmである。
法の一例を挙げるならば、テープ35はポリイミド樹脂
フィルムからなり厚さ50μm、リード3は厚さ20μ
m、穴21の直径は0.3mm、半田ボールの直径は
0.5mmである。
【0057】つぎに、図11および図12に示すよう
に、テープキャリヤ15のリード3が形成された面に図
示しない接着剤によって絶縁板5を固定する(ステップ
104)。前記絶縁板5は一対のリードホール26間の
領域に張り付けられる。前記絶縁板5は、たとえば弾力
性のあるエラストマで形成されている。
に、テープキャリヤ15のリード3が形成された面に図
示しない接着剤によって絶縁板5を固定する(ステップ
104)。前記絶縁板5は一対のリードホール26間の
領域に張り付けられる。前記絶縁板5は、たとえば弾力
性のあるエラストマで形成されている。
【0058】つぎに、図13に示すように、テープキャ
リヤ15のリード3が設けられた面側に半導体チップ4
が重ねられ、かつリード3の一端が前記半導体チップ4
の電極11にシングルポイントボンディングによって固
定される(ステップ105・106)。なお、前記半導
体チップ4と絶縁板5は図示しない接着剤で接続され
る。
リヤ15のリード3が設けられた面側に半導体チップ4
が重ねられ、かつリード3の一端が前記半導体チップ4
の電極11にシングルポイントボンディングによって固
定される(ステップ105・106)。なお、前記半導
体チップ4と絶縁板5は図示しない接着剤で接続され
る。
【0059】つぎに、図13に示すように、リードホー
ル26部分に絶縁性の樹脂、たとえば、エポキシ樹脂が
充填され、かつキュアされて封止体9が形成される(ス
テップ107)。封止体9はリードホール26部分のリ
ード3や半導体チップ4の周囲を被うようになる。
ル26部分に絶縁性の樹脂、たとえば、エポキシ樹脂が
充填され、かつキュアされて封止体9が形成される(ス
テップ107)。封止体9はリードホール26部分のリ
ード3や半導体チップ4の周囲を被うようになる。
【0060】つぎに、図14および図15に示すよう
に、半田ボール17を各穴21に供給し、かつリフロー
してパッド16部分にボール電極2を形成する(ステッ
プ108)。この半田ボール17の供給の際、半田ボー
ル17はパッド16のディンプル27によって支持され
るため、常に穴21の中心に位置する。この結果、半田
ボールのリフローによってボール電極2を形成した場
合、ボール電極2は穴21の中心に位置することにな
り、位置精度の高いボール電極(端子)が形成されるこ
とになる。
に、半田ボール17を各穴21に供給し、かつリフロー
してパッド16部分にボール電極2を形成する(ステッ
プ108)。この半田ボール17の供給の際、半田ボー
ル17はパッド16のディンプル27によって支持され
るため、常に穴21の中心に位置する。この結果、半田
ボールのリフローによってボール電極2を形成した場
合、ボール電極2は穴21の中心に位置することにな
り、位置精度の高いボール電極(端子)が形成されるこ
とになる。
【0061】なお、前記半田ボール17は、たとえば、
金属球等のハードコアボールの表面に半田膜を形成した
半田ボールになっている。
金属球等のハードコアボールの表面に半田膜を形成した
半田ボールになっている。
【0062】つぎに、不要なテープキャリヤ部分を切断
除去する(ステップ109)。すなわち、この除去は、
テープ35の切断によって行われる。これにより、図1
乃至図4に示すような半導体装置14が製造される。
除去する(ステップ109)。すなわち、この除去は、
テープ35の切断によって行われる。これにより、図1
乃至図4に示すような半導体装置14が製造される。
【0063】本実施形態1の半導体装置およびその製造
方法によれば、以下の効果を奏する。
方法によれば、以下の効果を奏する。
【0064】(1)ボール電極2の形成時、テープ35
の穴21部分に供給される半田ボール17は穴底に位置
するパッド16上に載るが、前記パッド面には窪んだ座
(ディンプル)27が設けられていて、半田ボール17
はこのディンプル27に支えられて高精度に位置決めさ
れることから、リフローによって形成されるボール電極
2の位置ズレが少なくなり、端子ピッチのバラツキが極
めて小さくなる。この結果、半導体装置の実装時、端子
ピッチのバラツキに起因する隣接するボール電極(バン
プ電極)同士の半田による接触不良(ハンダブリッジ)
を防止することができる。
の穴21部分に供給される半田ボール17は穴底に位置
するパッド16上に載るが、前記パッド面には窪んだ座
(ディンプル)27が設けられていて、半田ボール17
はこのディンプル27に支えられて高精度に位置決めさ
れることから、リフローによって形成されるボール電極
2の位置ズレが少なくなり、端子ピッチのバラツキが極
めて小さくなる。この結果、半導体装置の実装時、端子
ピッチのバラツキに起因する隣接するボール電極(バン
プ電極)同士の半田による接触不良(ハンダブリッジ)
を防止することができる。
【0065】(2)半田ボール17はリード3のパッド
部分に形成されたディンプル27によって支持されるこ
とから、接触面積が広くなり、半田ボール17とパッド
16との接合強度(ホールド効果)が高くなり、信頼性
が高くなる。
部分に形成されたディンプル27によって支持されるこ
とから、接触面積が広くなり、半田ボール17とパッド
16との接合強度(ホールド効果)が高くなり、信頼性
が高くなる。
【0066】(3)本実施形態1によるディンプル27
が形成されたテープキャリヤ15(図7)、またはディ
ンプル27が形成されかつ絶縁板5(エラストマ)が取
り付けられたテープキャリヤ15(図12)は、そのま
ま市販品として提供でき、ユーザでの使用によってボー
ル電極2の位置バラツキの小さい半導体装置の製造が可
能になる。また、半田ボール17の接合強度の向上も可
能になる。
が形成されたテープキャリヤ15(図7)、またはディ
ンプル27が形成されかつ絶縁板5(エラストマ)が取
り付けられたテープキャリヤ15(図12)は、そのま
ま市販品として提供でき、ユーザでの使用によってボー
ル電極2の位置バラツキの小さい半導体装置の製造が可
能になる。また、半田ボール17の接合強度の向上も可
能になる。
【0067】(実施形態2)図17乃至図21は本発明
の他の実施形態(実施形態2)であるCSP型半導体装
置の製造に係わる図である。
の他の実施形態(実施形態2)であるCSP型半導体装
置の製造に係わる図である。
【0068】本実施形態2では、図17のフローチャー
トで示すように、テープキャリヤ形成(ステップ20
0),半導体チップ固定(ステップ201),リード接
続(ステップ202),ディンプル形成(ステップ20
3),樹脂封止(ステップ204),ボール電極形成
(ステップ205)の各工程を有する。
トで示すように、テープキャリヤ形成(ステップ20
0),半導体チップ固定(ステップ201),リード接
続(ステップ202),ディンプル形成(ステップ20
3),樹脂封止(ステップ204),ボール電極形成
(ステップ205)の各工程を有する。
【0069】本実施形態2では、テープキャリヤに半導
体チップを固定した後、ディンプルを形成する。
体チップを固定した後、ディンプルを形成する。
【0070】すなわち、図18に示すように、接着剤1
0を用いて半導体チップ4をテープキャリヤ15に固定
する(ステップ200)。この際、半導体チップ4とテ
ープキャリヤ15との間にエラストマからなる絶縁板5
を介在させる。
0を用いて半導体チップ4をテープキャリヤ15に固定
する(ステップ200)。この際、半導体チップ4とテ
ープキャリヤ15との間にエラストマからなる絶縁板5
を介在させる。
【0071】また、図示はしないがリード3の一端が前
記半導体チップ4の電極11にシングルポイントボンデ
ィングによって固定される(ステップ202)。
記半導体チップ4の電極11にシングルポイントボンデ
ィングによって固定される(ステップ202)。
【0072】テープキャリヤ15のテープ35の穴21
に臨むパッド16は、図18に示すように、盛り上がり
部23を有している。そこで、図19に示すように、テ
ープキャリヤ15を下型8と上型7との間にクランプし
た後、上型7のガイド穴37に挿入される押しピン6で
パッド16の表面を押圧してディンプル27(図20参
照)を形成する(ステップ203)。
に臨むパッド16は、図18に示すように、盛り上がり
部23を有している。そこで、図19に示すように、テ
ープキャリヤ15を下型8と上型7との間にクランプし
た後、上型7のガイド穴37に挿入される押しピン6で
パッド16の表面を押圧してディンプル27(図20参
照)を形成する(ステップ203)。
【0073】つぎに、図示はしないが、リードホール部
分に絶縁性の樹脂、たとえば、エポキシ樹脂を充填し、
かつキュアして封止体が形成される(ステップ20
4)。封止体はリードホール部分のリードや半導体チッ
プの周囲を被うようになる。
分に絶縁性の樹脂、たとえば、エポキシ樹脂を充填し、
かつキュアして封止体が形成される(ステップ20
4)。封止体はリードホール部分のリードや半導体チッ
プの周囲を被うようになる。
【0074】つぎに、図21に示すように、半田ボール
17を各穴21に供給し、かつリフローしてパッド16
部分にボール電極2を形成する(ステップ205)。こ
の半田ボール17の供給の際、半田ボール17はパッド
16のディンプル27によって支持されるため、常に穴
21の中心に位置する。この結果、半田ボールのリフロ
ーによってボール電極2を形成した場合、ボール電極2
は穴21の中心に位置することになり、位置精度の高い
ボール電極(端子)が形成される。
17を各穴21に供給し、かつリフローしてパッド16
部分にボール電極2を形成する(ステップ205)。こ
の半田ボール17の供給の際、半田ボール17はパッド
16のディンプル27によって支持されるため、常に穴
21の中心に位置する。この結果、半田ボールのリフロ
ーによってボール電極2を形成した場合、ボール電極2
は穴21の中心に位置することになり、位置精度の高い
ボール電極(端子)が形成される。
【0075】つぎに、テープ35を切断して、図1乃至
図4に示すような半導体装置14を製造する。
図4に示すような半導体装置14を製造する。
【0076】本実施形態2によれば、前記実施形態1の
場合と同様に端子ピッチのバラツキを小さくできる。
場合と同様に端子ピッチのバラツキを小さくできる。
【0077】また、前記実施形態1の場合と同様に、半
田ボール17はリード3のパッド16部分に形成された
ディンプル27によって支持されることから、接触面積
が広くなり、半田ボール17とパッド16との接合強度
が高くなり、信頼性が高くなる。
田ボール17はリード3のパッド16部分に形成された
ディンプル27によって支持されることから、接触面積
が広くなり、半田ボール17とパッド16との接合強度
が高くなり、信頼性が高くなる。
【0078】また、パッド16の表面を押しピン6で押
圧しても、う4とリード3との間にエラストマが介在し
ていることから、半導体チップ4にクラック等が発生せ
ず、支障が起きない。また、エラストマが介在しても、
押しピン6の押圧によって確実にディンプル27を形成
することができる。
圧しても、う4とリード3との間にエラストマが介在し
ていることから、半導体チップ4にクラック等が発生せ
ず、支障が起きない。また、エラストマが介在しても、
押しピン6の押圧によって確実にディンプル27を形成
することができる。
【0079】なお、図18以降の図では、リード3とテ
ープ35とを接着する接着剤については省略する。
ープ35とを接着する接着剤については省略する。
【0080】(実施形態3)図22は本発明の他の実施
形態(実施形態3)であるCSP型半導体装置を示す模
式的断面図である。
形態(実施形態3)であるCSP型半導体装置を示す模
式的断面図である。
【0081】本実施形態3では、表面の中央に沿って1
列に電極11が設けられた半導体チップ4を組み込んだ
半導体装置14を示すものである。この構造でも前記実
施形態1の場合と同様にボール電極2の位置バラツキが
小さくかつ半田ボール17のホールド効果が高い半導体
装置を製造することができる。
列に電極11が設けられた半導体チップ4を組み込んだ
半導体装置14を示すものである。この構造でも前記実
施形態1の場合と同様にボール電極2の位置バラツキが
小さくかつ半田ボール17のホールド効果が高い半導体
装置を製造することができる。
【0082】(実施形態4)図23は本発明の他の実施
形態(実施形態4)であるCSP型半導体装置を示す模
式的断面図である。
形態(実施形態4)であるCSP型半導体装置を示す模
式的断面図である。
【0083】本実施形態4では、中央のデバイスホール
40に半導体チップ4を位置させ、デバイスホール40
の周囲のテープ35から延在するリード3の一端を半導
体チップ4の電極11に接続させた構造になっている。
また、絶縁性フィルム1は枠状のエラストマからなる絶
縁板5に接着され、かつこの絶縁板5には枠状の補強プ
レート13が接着剤10によって固定されている。
40に半導体チップ4を位置させ、デバイスホール40
の周囲のテープ35から延在するリード3の一端を半導
体チップ4の電極11に接続させた構造になっている。
また、絶縁性フィルム1は枠状のエラストマからなる絶
縁板5に接着され、かつこの絶縁板5には枠状の補強プ
レート13が接着剤10によって固定されている。
【0084】本実施形態4では、ボール電極2はデバイ
スホール40の周囲のテープ35の部分に配置されるい
わゆるファンアウト(FanOut)構造になっている。すな
わち、前記実施形態1乃至実施形態3では半導体チップ
4に対応する領域にボール電極2が配置されるファンイ
ン(FanIn)構造である。
スホール40の周囲のテープ35の部分に配置されるい
わゆるファンアウト(FanOut)構造になっている。すな
わち、前記実施形態1乃至実施形態3では半導体チップ
4に対応する領域にボール電極2が配置されるファンイ
ン(FanIn)構造である。
【0085】本実施形態4でも、拡大して示してはない
が、パッド16の表面にディンプルを形成し、このディ
ンプルで半田ボール17を受ける構造になっている。
が、パッド16の表面にディンプルを形成し、このディ
ンプルで半田ボール17を受ける構造になっている。
【0086】本実施形態4でも、前記実施形態1の場合
と同様にボール電極2の位置バラツキが小さくかつ半田
ボール17のホールド効果が高い半導体装置を製造する
ことができる。
と同様にボール電極2の位置バラツキが小さくかつ半田
ボール17のホールド効果が高い半導体装置を製造する
ことができる。
【0087】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない、たとえ
ば、前記実施形態では、半田ボールとしては金属球等の
ハードコアボールの表面に半田膜を形成した半田ボール
を使用したが、全体が半田で構成される半田ボールでも
同様に適用できる。また、ディンプルの形状は円錐・角
錐窪み等他の形状でもよい。
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない、たとえ
ば、前記実施形態では、半田ボールとしては金属球等の
ハードコアボールの表面に半田膜を形成した半田ボール
を使用したが、全体が半田で構成される半田ボールでも
同様に適用できる。また、ディンプルの形状は円錐・角
錐窪み等他の形状でもよい。
【0088】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【0089】(1)ボール電極を形成するための半田ボ
ールは、パッドの表面に形成されたディンプルに支持さ
れる構成になっていることから、半田ボールの供給位置
は高精度になり、リフローによって形成されるボール電
極の位置ズレが少なくなり、端子ピッチのバラツキが極
めて小さくなる。この結果、半導体装置の実装時、端子
ピッチのバラツキに起因する隣接するボール電極同士の
半田による接触不良(ハンダブリッジ)を防止できる。
ールは、パッドの表面に形成されたディンプルに支持さ
れる構成になっていることから、半田ボールの供給位置
は高精度になり、リフローによって形成されるボール電
極の位置ズレが少なくなり、端子ピッチのバラツキが極
めて小さくなる。この結果、半導体装置の実装時、端子
ピッチのバラツキに起因する隣接するボール電極同士の
半田による接触不良(ハンダブリッジ)を防止できる。
【0090】(2)半田ボールはリードのパッド部分に
形成されたディンプルによって支持されることから、接
触面積が広くなり、半田ボールとパッドとの接合強度が
高くなり、信頼性が高くなる。
形成されたディンプルによって支持されることから、接
触面積が広くなり、半田ボールとパッドとの接合強度が
高くなり、信頼性が高くなる。
【図1】本発明の一実施形態(実施形態1)であるCS
P型半導体装置の一部を示す模式的拡大断面図である。
P型半導体装置の一部を示す模式的拡大断面図である。
【図2】本実施形態1のCSP型半導体装置の平面図で
ある。
ある。
【図3】本実施形態1のCSP型半導体装置の底面図で
ある。
ある。
【図4】図2のA−A線に沿う拡大断面図である。
【図5】本実施形態1のCSP型半導体装置の製造工程
を示すフローチャートである。
を示すフローチャートである。
【図6】本実施形態1のCSP型半導体装置の製造にお
いて用いるテープキャリヤの一部を示す平面図である。
いて用いるテープキャリヤの一部を示す平面図である。
【図7】本実施形態1のCSP型半導体装置の製造にお
いて用いるテープキャリヤの一部を示す模式的断面図で
ある。
いて用いるテープキャリヤの一部を示す模式的断面図で
ある。
【図8】前記テープキャリヤのリードのパッド部分の模
式的拡大断面図である。
式的拡大断面図である。
【図9】前記リードのパッド部分にボール電極取付用の
ディンプルを形成する状態を示す模式的拡大断面図であ
る。
ディンプルを形成する状態を示す模式的拡大断面図であ
る。
【図10】前記リードのパッドに形成されたディンプル
を示す一部の模式的拡大断面図である。
を示す一部の模式的拡大断面図である。
【図11】前記テープキャリヤにエラストマからなる絶
縁板を接着した状態を示す平面図である。
縁板を接着した状態を示す平面図である。
【図12】前記テープキャリヤにエラストマからなる絶
縁板を接着した状態を示す模式的断面図である。
縁板を接着した状態を示す模式的断面図である。
【図13】本実施形態1のCSP型半導体装置の製造に
おいて、リード先端と半導体チップの電極を接続したテ
ープキャリヤの一部の模式的断面図である。
おいて、リード先端と半導体チップの電極を接続したテ
ープキャリヤの一部の模式的断面図である。
【図14】本実施形態1のCSP型半導体装置の製造に
おいて、リードのパッドにボール電極を形成した状態を
示す模式図である。
おいて、リードのパッドにボール電極を形成した状態を
示す模式図である。
【図15】前記リードのパッドにボール電極が形成され
た状態を示す一部の模式的拡大断面図である。
た状態を示す一部の模式的拡大断面図である。
【図16】本実施形態1のCSP型半導体装置の実装状
態を示す一部の模式的拡大断面図である。
態を示す一部の模式的拡大断面図である。
【図17】本発明の他の実施形態(実施形態2)である
CSP型半導体装置の製造の一部の工程を示すフローチ
ャートである。
CSP型半導体装置の製造の一部の工程を示すフローチ
ャートである。
【図18】本実施形態2のCSP型半導体装置の製造に
おいてテープキャリヤに半導体チップが固定された状態
を示す一部の模式的断面図である。
おいてテープキャリヤに半導体チップが固定された状態
を示す一部の模式的断面図である。
【図19】本実施形態2のCSP型半導体装置の製造に
おいて、ダイアタッチされたテープキャリヤのリードの
パッドにディンプルを形成する状態を示す模式的拡大断
面図である。
おいて、ダイアタッチされたテープキャリヤのリードの
パッドにディンプルを形成する状態を示す模式的拡大断
面図である。
【図20】前記リードのパッドにディンプルが形成され
た状態を示す模式的拡大断面図である。
た状態を示す模式的拡大断面図である。
【図21】前記リードのパッドにボール電極が形成され
た状態を示す模式的拡大断面図である。
た状態を示す模式的拡大断面図である。
【図22】本発明の他の実施形態(実施形態3)である
CSP型半導体装置を示す模式的断面図である。
CSP型半導体装置を示す模式的断面図である。
【図23】本発明の他の実施形態(実施形態4)である
CSP型半導体装置を示す模式的断面図である。
CSP型半導体装置を示す模式的断面図である。
【図24】従来のCSP型半導体装置の製造においてボ
ール電極の位置ずれ不良が発生するメカニズムを説明す
る模式図である。
ール電極の位置ずれ不良が発生するメカニズムを説明す
る模式図である。
1…絶縁性フィルム、2…ボール電極、3…リード、4
…半導体チップ、5…絶縁板、6…押しピン、7…上
型、8…下型、9…封止体、10…接着剤、11…電
極、12…Auバンプ、13…補強プレート、14…半
導体装置、15…テープキャリヤ、16…パッド、17
…半田ボール、20…バンプ電極(ボール電極)、21
…穴、22…接着剤、23…盛り上がり部、25…テー
プ構成体、26…リードホール、27…窪んだ座(ディ
ンプル)、30…実装基板、31…ランド、35…テー
プ、36…スプロケットホール、37…ガイド穴、39
…補強体、40…デバイスホール。
…半導体チップ、5…絶縁板、6…押しピン、7…上
型、8…下型、9…封止体、10…接着剤、11…電
極、12…Auバンプ、13…補強プレート、14…半
導体装置、15…テープキャリヤ、16…パッド、17
…半田ボール、20…バンプ電極(ボール電極)、21
…穴、22…接着剤、23…盛り上がり部、25…テー
プ構成体、26…リードホール、27…窪んだ座(ディ
ンプル)、30…実装基板、31…ランド、35…テー
プ、36…スプロケットホール、37…ガイド穴、39
…補強体、40…デバイスホール。
Claims (10)
- 【請求項1】 導体からなるリードのパッドの一面にボ
ール電極が形成されてなる半導体装置であって、前記パ
ッドの表面には窪んだ座が設けられているとともに前記
窪んだ座上に前記ボール電極が設けられていることを特
徴とする半導体装置。 - 【請求項2】 前記リードは絶縁性フィルムの一面に接
着されているとともに前記パッドは前記絶縁性フィルム
に設けられた穴部分に位置していることを特徴とする請
求項1に記載の半導体装置。 - 【請求項3】 前記絶縁性フィルムは半導体チップの一
面に絶縁板を介して接着固定され、前記各リードは半導
体チップの電極に接続されていることを特徴とする請求
項1または請求項2に記載の半導体装置。 - 【請求項4】 全体の大きさが前記半導体チップと同一
あるいは近似した大きさになっていることを特徴とする
請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の半導体装
置。 - 【請求項5】 導体からなるリードのパッドの表面に導
電性の半田ボールを供給した後、前記半田ボールをリフ
ローしてボール電極を形成する半導体装置の製造方法で
あって、前記パッドの表面に窪んだ座を形成し、その後
前記窪んだ座上に半田ボールを供給しかつリフローして
ボール電極を形成することを特徴とする半導体装置の製
造方法。 - 【請求項6】 あらかじめ前記ボール電極を形成する部
分に穴を設けた絶縁性のテープを用意した後、前記テー
プの一面に金属箔を接着し、その後前記金属箔を選択的
にエッチングして前記穴部分に前記パッドが位置するリ
ードを形成してテープキャリヤを形成する工程と、前記
穴底のパッド面に前記窪んだ座を形成する工程と、前記
テープキャリヤに絶縁板を介して半導体チップを固定す
る工程と、前記テープキャリヤの各リードを前記半導体
チップの各電極に接続する工程と、所望部分を絶縁性の
樹脂で被う工程と、前記テープキャリヤの穴部分に半田
ボールを供給してリフローを行い前記穴底のパッド上に
前記ボール電極を形成する工程と、不要なテープキャリ
ヤ部分を切断除去して半導体装置を製造することを特徴
とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項7】 あらかじめ前記ボール電極を形成する部
分に穴を設けた絶縁性のテープを用意した後、前記テー
プの一面に金属箔を接着し、その後前記金属箔を選択的
にエッチングして前記穴部分に前記パッドが位置するリ
ードを形成してテープキャリヤを形成する工程と、前記
テープキャリヤに絶縁板を介して半導体チップを固定す
る工程と、前記テープキャリヤの各リードを前記半導体
チップの各電極に接続する工程と、所望部分を絶縁性の
樹脂で被う工程と、前記テープキャリヤに半導体チップ
を固定した工程乃至前記絶縁性の樹脂で被う工程のうち
のいずれかの工程の後に前記穴底のパッドに前記窪んだ
座を形成し、ついで前記テープキャリヤの穴部分に半田
ボールを供給してリフローを行い前記穴底のパッド上に
前記ボール電極を形成し、その後不要なテープキャリヤ
部分を切断除去して半導体装置を製造することを特徴と
する請求項5に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項8】 前記テープキャリヤの切断除去において
は全体の大きさが前記半導体チップと同一あるいは近似
した大きさにすることを特徴とする請求項5乃至請求項
7のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項9】 絶縁性のテープと、前記テープの一面に
接着剤を介して接着された導体からなるリードとを有
し、前記リードのボール電極を形成するパッドは前記テ
ープに設けた穴部分に形成されてなるテープキャリヤで
あって、前記穴底の前記パッドの表面には窪んだ座が設
けられていることを特徴とするテープキャリヤ。 - 【請求項10】 絶縁性のテープと、前記テープの一面
に接着剤を介して接着された導体からなるリードとを有
し、前記リードのボール電極を形成するパッドは前記テ
ープに設けた穴部分に形成されてなるテープキャリヤで
あって、前記テープキャリヤには半導体チップが固定さ
れる領域に絶縁板が接着されているとともに、前記穴底
の前記パッドの表面には窪んだ座が設けられていること
を特徴とするテープキャリヤ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10127020A JPH11330146A (ja) | 1998-05-11 | 1998-05-11 | 半導体装置およびその製造方法ならびにその製造方法で使用するテープキャリヤ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10127020A JPH11330146A (ja) | 1998-05-11 | 1998-05-11 | 半導体装置およびその製造方法ならびにその製造方法で使用するテープキャリヤ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11330146A true JPH11330146A (ja) | 1999-11-30 |
Family
ID=14949707
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10127020A Pending JPH11330146A (ja) | 1998-05-11 | 1998-05-11 | 半導体装置およびその製造方法ならびにその製造方法で使用するテープキャリヤ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11330146A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009182236A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Elpida Memory Inc | 半導体装置の配線基板、半導体装置、電子装置及びマザーボード |
JPWO2021234892A1 (ja) * | 2020-05-21 | 2021-11-25 |
-
1998
- 1998-05-11 JP JP10127020A patent/JPH11330146A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009182236A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Elpida Memory Inc | 半導体装置の配線基板、半導体装置、電子装置及びマザーボード |
JPWO2021234892A1 (ja) * | 2020-05-21 | 2021-11-25 | ||
WO2021234892A1 (ja) * | 2020-05-21 | 2021-11-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、電力変換装置、移動体、及び、半導体装置の製造方法 |
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