JPH11325831A - 物理化学アナライザのクレ―タの底の深さを測定するための方法及び装置 - Google Patents
物理化学アナライザのクレ―タの底の深さを測定するための方法及び装置Info
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- JPH11325831A JPH11325831A JP11066234A JP6623499A JPH11325831A JP H11325831 A JPH11325831 A JP H11325831A JP 11066234 A JP11066234 A JP 11066234A JP 6623499 A JP6623499 A JP 6623499A JP H11325831 A JPH11325831 A JP H11325831A
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- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/22—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring depth
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- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光干渉測定方法によって、物理化学アナライ
ザの分析チャンバ内に配置されたサンプル上の層の下で
クレータの底の深さを、偏光分割干渉測定器を用いてヘ
テロダイン干渉測定器の原理で測定する方法及び装置を
提供する。 【解決手段】 入射する複周波数レーザビームを、測定
光路及びリファレンス光路の2つの平行光路に分割する
段階と、サンプルの表面に対して傾けられた入射方向に
沿って、一方をクレータに及び他方を周辺にそれぞれ、
前記サンプルの表面上に2つの光路の各々をフォーカシ
ングする段階と、一方のビームのみを形成するために前
記サンプルの表面で反射された前記2つのビームを再合
成する段階と、2つの反射されたビームの間の光路差を
測定するために、干渉検出器に前記再合成されたビーム
を印加する段階とを含む。
ザの分析チャンバ内に配置されたサンプル上の層の下で
クレータの底の深さを、偏光分割干渉測定器を用いてヘ
テロダイン干渉測定器の原理で測定する方法及び装置を
提供する。 【解決手段】 入射する複周波数レーザビームを、測定
光路及びリファレンス光路の2つの平行光路に分割する
段階と、サンプルの表面に対して傾けられた入射方向に
沿って、一方をクレータに及び他方を周辺にそれぞれ、
前記サンプルの表面上に2つの光路の各々をフォーカシ
ングする段階と、一方のビームのみを形成するために前
記サンプルの表面で反射された前記2つのビームを再合
成する段階と、2つの反射されたビームの間の光路差を
測定するために、干渉検出器に前記再合成されたビーム
を印加する段階とを含む。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、その物理化学分析
中に、プライマリイオンのビームによるサンプルへの衝
撃によって得られたクレータ底を測定するための方法及
び装置に関する。
中に、プライマリイオンのビームによるサンプルへの衝
撃によって得られたクレータ底を測定するための方法及
び装置に関する。
【0002】
【従来の技術】これらの分析を行うに特に適する分析方
法の1つは、SIMS又はセカンダリイオン質量の分光
計を用いる方法である。この方法は、分光計によってセ
カンダリイオンの質量を分析する。
法の1つは、SIMS又はセカンダリイオン質量の分光
計を用いる方法である。この方法は、分光計によってセ
カンダリイオンの質量を分析する。
【0003】これら装置では、分析されるサンプルの表
面上のイオンビームの衝突によって形成されたクレータ
の深さの測定を分析中に行う必要がしばしばある。これ
は、特に、重畳された半導体材料のいくつかの層によっ
て形成されたサンプルの場合のように、サンプルが重畳
された材料のいくつか層を有するときにある。得られた
クレータは、一般に非常に小さい大きさである。それら
は約100μmの長さであり、それらの深さは0.1か
ら10nm/sの浸食速度に対して1nmから数nmの
間で浸食中に変化する。その種々の層におけるサンプル
の物理化学構成の記録は、分析中の、サンプルがイオン
衝撃にさらされる間の分析時間と、結果として生じるク
レータの深さとの間の対応関係を集めることによって一
般に行われ、このパラメータは表面探層器(a surface p
rofiler)を用いて測定される。詳細な測定をしなければ
ならないときはいつでも、アナライザからサンプルを除
去する必要があるために、この測定方法は制約を要す
る。それはまた精度も欠落する。
面上のイオンビームの衝突によって形成されたクレータ
の深さの測定を分析中に行う必要がしばしばある。これ
は、特に、重畳された半導体材料のいくつかの層によっ
て形成されたサンプルの場合のように、サンプルが重畳
された材料のいくつか層を有するときにある。得られた
クレータは、一般に非常に小さい大きさである。それら
は約100μmの長さであり、それらの深さは0.1か
ら10nm/sの浸食速度に対して1nmから数nmの
間で浸食中に変化する。その種々の層におけるサンプル
の物理化学構成の記録は、分析中の、サンプルがイオン
衝撃にさらされる間の分析時間と、結果として生じるク
レータの深さとの間の対応関係を集めることによって一
般に行われ、このパラメータは表面探層器(a surface p
rofiler)を用いて測定される。詳細な測定をしなければ
ならないときはいつでも、アナライザからサンプルを除
去する必要があるために、この測定方法は制約を要す
る。それはまた精度も欠落する。
【0004】これらの欠点を克服するために、光干渉測
定の原理を適用する測定装置を用いることが提案され
る。この原理の実現のために、単色ビーム及び可干渉光
は、決められた場所で2つのビームに分割される。各ビ
ームは空間内で伝播され、2つのビームが適切な光シス
テムによって1つに再合成される所と別の所まで、それ
に適切な軌道に沿って伝播される。従って、この再合成
の結果生じるビームは、種々の長さの空間を伝わる2つ
のビームの和によって形成される。長さの違いは、しば
しば光路差と称される。ビームは、互いに対して位相シ
フトされる。従って、作られた位相シフトは、弱く及び
強い光強度の交番によって形成された干渉縞のシステム
を起こす。含まれた構造に依存して、縞のシステムを局
部的にできれば広くでき、又は局部的にできなければ広
くできない。光路差の相対的な変化は、所与の空間を通
り過ぎて流れる縞をカウントすることによって決定され
る。このシステムにおいて、測定品質は、明るい縞と暗
い縞との間のコントラスト並びにそれによる信号対ノイ
ズ比と作られる補間とに依存する。前述の原理に従って
作用する周知の干渉測定方法は、Michelson干渉測定法
であり、その記載は、G.Bruhat and A.Kastler, Cours
de Physique Generale, <<Optique>>, Masson and Co.,
120bd. Saint Germain, Paris VI, page 135に見られ
る。この干渉測定器において、縞のパターンの周期はλ
の光路差に対応しており、λは光ビームの波長である。
反射する対象物における2つのビームの2つの前後に動
く先端から結果として生じる光路差は、2つの対象物の
相対的距離のλ/2の変化を測定することができる。例
えば、光源がヘリウムネオンレーザであるならば、真空
でλ/2=316.5nmである。この分解能を、補間
によって、即ち例外的な状態の約40nmによって、λ
/8又はλ/16に改善できる。実際に、これら干渉測
定器は、2つの対象物の一方の反射率で起こりうる変化
によって促されるコントラストの変化に対して高感応を
維持する。そして、相対するビーム反射ミラーの方位9
0°であるために、SIMSイオンアナライザの分析チ
ャンバ内にそれらを位置付けることは難しい。ミラーの
一方は、それ自身のサンプルの表面上に形成される。
定の原理を適用する測定装置を用いることが提案され
る。この原理の実現のために、単色ビーム及び可干渉光
は、決められた場所で2つのビームに分割される。各ビ
ームは空間内で伝播され、2つのビームが適切な光シス
テムによって1つに再合成される所と別の所まで、それ
に適切な軌道に沿って伝播される。従って、この再合成
の結果生じるビームは、種々の長さの空間を伝わる2つ
のビームの和によって形成される。長さの違いは、しば
しば光路差と称される。ビームは、互いに対して位相シ
フトされる。従って、作られた位相シフトは、弱く及び
強い光強度の交番によって形成された干渉縞のシステム
を起こす。含まれた構造に依存して、縞のシステムを局
部的にできれば広くでき、又は局部的にできなければ広
くできない。光路差の相対的な変化は、所与の空間を通
り過ぎて流れる縞をカウントすることによって決定され
る。このシステムにおいて、測定品質は、明るい縞と暗
い縞との間のコントラスト並びにそれによる信号対ノイ
ズ比と作られる補間とに依存する。前述の原理に従って
作用する周知の干渉測定方法は、Michelson干渉測定法
であり、その記載は、G.Bruhat and A.Kastler, Cours
de Physique Generale, <<Optique>>, Masson and Co.,
120bd. Saint Germain, Paris VI, page 135に見られ
る。この干渉測定器において、縞のパターンの周期はλ
の光路差に対応しており、λは光ビームの波長である。
反射する対象物における2つのビームの2つの前後に動
く先端から結果として生じる光路差は、2つの対象物の
相対的距離のλ/2の変化を測定することができる。例
えば、光源がヘリウムネオンレーザであるならば、真空
でλ/2=316.5nmである。この分解能を、補間
によって、即ち例外的な状態の約40nmによって、λ
/8又はλ/16に改善できる。実際に、これら干渉測
定器は、2つの対象物の一方の反射率で起こりうる変化
によって促されるコントラストの変化に対して高感応を
維持する。そして、相対するビーム反射ミラーの方位9
0°であるために、SIMSイオンアナライザの分析チ
ャンバ内にそれらを位置付けることは難しい。ミラーの
一方は、それ自身のサンプルの表面上に形成される。
【0005】SIMSアナライザで用いられる1つの測
定方法は、Springer-Verlag Publications, Berlin-Hei
delberg-New York, 1979のA.BenninghovenらによるM.J.
Kempfの"On-line Sputter Rate Measurements During S
IMS, AES Depth Profiling"により技術的に記載されて
いる。この方法の他の実施形態は、米国特許第4,298,28
3号「干渉測定方法」に記載されている。この他の実施
形態は、レーザ干渉測定器を用い、その発射ビームは、
SIMSアナライザの分析チャンバ内で、分析されるサ
ンプルに対してサンプルに垂直の方向に、向けられる前
に方解石水晶によって2つの光路に分割される。2つの
反射ビームは、方解石水晶に再び向けられ、単一ビーム
に再合成され、2つのビーム間の「光路差」に依存する
干渉システムを形成する。
定方法は、Springer-Verlag Publications, Berlin-Hei
delberg-New York, 1979のA.BenninghovenらによるM.J.
Kempfの"On-line Sputter Rate Measurements During S
IMS, AES Depth Profiling"により技術的に記載されて
いる。この方法の他の実施形態は、米国特許第4,298,28
3号「干渉測定方法」に記載されている。この他の実施
形態は、レーザ干渉測定器を用い、その発射ビームは、
SIMSアナライザの分析チャンバ内で、分析されるサ
ンプルに対してサンプルに垂直の方向に、向けられる前
に方解石水晶によって2つの光路に分割される。2つの
反射ビームは、方解石水晶に再び向けられ、単一ビーム
に再合成され、2つのビーム間の「光路差」に依存する
干渉システムを形成する。
【0006】この方法は、分析時間中、約1ナノメータ
の深さの非常に正確な測定を行うことを可能にする。他
方では、測定結果が2つのビームの方向に対してサンプ
ルの方位にかなり依存するために、干渉測定器の非常に
細い調整を必要とする。
の深さの非常に正確な測定を行うことを可能にする。他
方では、測定結果が2つのビームの方向に対してサンプ
ルの方位にかなり依存するために、干渉測定器の非常に
細い調整を必要とする。
【0007】前述の特許と同様に「レーザヘテロダイン
表面の側面」のタイトルの米国特許第4,353,650号にも
記載されている他の方法は、ヘテロダイン干渉測定器の
公知の原理を実現する。流れ通る縞を数えるために縞シ
ステムの光度の違いを検出する段階を含まないが、ビー
ムの分割の前に、光源に含まれた同一情報に対してシス
テム内に含まれた情報要素の位相シフトを測定する段階
を含む。この方法は、信号対ノイズ比が適切に維持され
る限り、コントラストの変化に対する依存を取り除くこ
とが可能となる。この位相シフトの洗練された測定は、
時間的周期の1/256で達成できる。干渉測定が、あ
る時間周期の位相シフトがλ/2の光路差に対して空間
的に対応するようであるならば、λ/512又は1.2
5nmの分解能が得られる。ヘテロダイン干渉測定器の
実現は、もはやモノクロではなく複周波数源である光源
の使用を必要とする。この源は、完全な円筒である2つ
のビームを送る。それらの周波数の差は、約3MHz又
は20MHzである。2つの周波数成分は、単一平面で
偏光化され且つ相互に直角となる。出力ビームのフラク
ションはアナライザに送られ、2つの偏光平面に対して
45°で固定的に調整され、同じ出力平面の2つの成分
のフラクションを通させる。アナライザの後ろに置かれ
た光検出器は、半和周波数及び半差周波数で変調され
る。半和周波数は、検出器のバンドパスを越えている。
半差周波数は、位相リファレンスとして用いられる。光
検出器の出力信号は、矩形波信号として形成される。2
つの直交に偏光化された成分は、リファレンス光路と称
される光路と、測定光路と称される光路との2つの別の
光路に送られた2つのビームを形成するために干渉測定
器によって分割される。対象物で反射した後、2つのビ
ームは、偏光の相互直交平面方向と同じ軸で再合成さ
れ、全体の結果として生じたビームは、2つのビームの
光路差を測定する検出器に印加される。検出器は、受信
された偏光の2方向に対して45°で固定的に調整され
たアナライザを含む。後ろに配置された光検出器は、2
つの周波数の和信号を受信し、同様に源に配置された検
出器は低周波数矩形波信号を与える。2つの対象物が相
対動作でないならば、この信号は、固定された値の検出
器によって与えられたものと同じ周波数である。しか
し、2つのビームの光路の長さに依存する固定された値
によってシフトされた単位相である。
表面の側面」のタイトルの米国特許第4,353,650号にも
記載されている他の方法は、ヘテロダイン干渉測定器の
公知の原理を実現する。流れ通る縞を数えるために縞シ
ステムの光度の違いを検出する段階を含まないが、ビー
ムの分割の前に、光源に含まれた同一情報に対してシス
テム内に含まれた情報要素の位相シフトを測定する段階
を含む。この方法は、信号対ノイズ比が適切に維持され
る限り、コントラストの変化に対する依存を取り除くこ
とが可能となる。この位相シフトの洗練された測定は、
時間的周期の1/256で達成できる。干渉測定が、あ
る時間周期の位相シフトがλ/2の光路差に対して空間
的に対応するようであるならば、λ/512又は1.2
5nmの分解能が得られる。ヘテロダイン干渉測定器の
実現は、もはやモノクロではなく複周波数源である光源
の使用を必要とする。この源は、完全な円筒である2つ
のビームを送る。それらの周波数の差は、約3MHz又
は20MHzである。2つの周波数成分は、単一平面で
偏光化され且つ相互に直角となる。出力ビームのフラク
ションはアナライザに送られ、2つの偏光平面に対して
45°で固定的に調整され、同じ出力平面の2つの成分
のフラクションを通させる。アナライザの後ろに置かれ
た光検出器は、半和周波数及び半差周波数で変調され
る。半和周波数は、検出器のバンドパスを越えている。
半差周波数は、位相リファレンスとして用いられる。光
検出器の出力信号は、矩形波信号として形成される。2
つの直交に偏光化された成分は、リファレンス光路と称
される光路と、測定光路と称される光路との2つの別の
光路に送られた2つのビームを形成するために干渉測定
器によって分割される。対象物で反射した後、2つのビ
ームは、偏光の相互直交平面方向と同じ軸で再合成さ
れ、全体の結果として生じたビームは、2つのビームの
光路差を測定する検出器に印加される。検出器は、受信
された偏光の2方向に対して45°で固定的に調整され
たアナライザを含む。後ろに配置された光検出器は、2
つの周波数の和信号を受信し、同様に源に配置された検
出器は低周波数矩形波信号を与える。2つの対象物が相
対動作でないならば、この信号は、固定された値の検出
器によって与えられたものと同じ周波数である。しか
し、2つのビームの光路の長さに依存する固定された値
によってシフトされた単位相である。
【0008】f1が第1のビームの周波数であり、f2
が第2のビームの周波数であり、Lがレーザ源と干渉測
定器との間の距離、及び干渉測定器から検出器までの距
離の和であり、L1が干渉測定器の外側の測定ビームの
長さであり、L2がリファレンスビームの長さであるな
らば、従来の干渉測定器について、光路差ΔL=L1−
L2は、2kπの位相シフトの値を与え、ヘテロダイン
技術において、位相シフトは、光路差ΔLに大きく依存
し、共通モードの光路L+(L1+L2)の変化を無視
する方法である。
が第2のビームの周波数であり、Lがレーザ源と干渉測
定器との間の距離、及び干渉測定器から検出器までの距
離の和であり、L1が干渉測定器の外側の測定ビームの
長さであり、L2がリファレンスビームの長さであるな
らば、従来の干渉測定器について、光路差ΔL=L1−
L2は、2kπの位相シフトの値を与え、ヘテロダイン
技術において、位相シフトは、光路差ΔLに大きく依存
し、共通モードの光路L+(L1+L2)の変化を無視
する方法である。
【0009】従って、Michelson型干渉測定器につい
て、λ/2での対象物の相対シフトは、空間信号の2π
位相シフトに対応し、共通モード変化は無変化を生じ
る。ヘテロダイン技術において、λ/2での対象物の相
対シフトは、2πでの時間信号の位相シフトに対応す
る。
て、λ/2での対象物の相対シフトは、空間信号の2π
位相シフトに対応し、共通モード変化は無変化を生じ
る。ヘテロダイン技術において、λ/2での対象物の相
対シフトは、2πでの時間信号の位相シフトに対応す
る。
【0010】偏光分割干渉測定器は、1重、2重、4重
又は混合型のいずれに従っても、互いに区別できる。こ
れら多数の干渉測定器は、米国のヒューレットパッカー
ド社によって製造され且つ商用的に拡販されている。
又は混合型のいずれに従っても、互いに区別できる。こ
れら多数の干渉測定器は、米国のヒューレットパッカー
ド社によって製造され且つ商用的に拡販されている。
【0011】イオンアナライザの小さい大きさのクレー
タの測定に対する質量スペクトロメータに適応するため
に、幾つかの制約に出くわす。まず最初に、3mmの円
筒ビームで100μmの径を有するクレータを測定する
ために探すという問題がある。更に、クレータの位置で
のビームの径は、エッジ縞効果を妨げるために100μ
mよりも小さくなければならない。あいにく、この種の
ビームは、過度の発散を有する。しかしながら、60μ
mのくびれは、223mmのフォーカル長を有する収差
自由な薄い収束レンズを有する3mmビームをフォーカ
シングすることによって得られることができる。しか
し、サンプルへビームを送ることができることを仮定し
て、適切な径で、適切な軸上に干渉測定器へそれを反射
させることを可能にすることが必要となる。衝突点にお
いてサンプルに垂直であることは、物理化学アナライザ
の副イオンコラム(±1mmの差)の光軸と同様に必要
ではない。しかしながら、それが同じである際に、この
軸は、いくつかの開口と、小さいサイズ又は零サイズの
スリットとを通る。これは、波先、視準及び調整の歪み
の問題のために、この軸によってビームの通過を遮断す
る。ビームは鏡面の垂直に対して対称に反射されるよう
に、斜角の発生でくるべきであることが好ましい。例え
ば、ポリッシュされたシリコンサンプル(クリスタルラ
イン又はポリクリスタルライン)は、約30%の鏡面反
射係数を有するが、1mWビームで裸眼で見ると十分に
激しいスキャッタリングによって反射する。従って、光
子観測光システムを保持することによって、将来的なク
レータの位置にそれを位置付けるようにシステムを調整
するために、サンプル上で衝突点を常に観測することが
できる。鏡面反射の有益度は、金属タイプのものであ
り、偏光に影響しないことである。
タの測定に対する質量スペクトロメータに適応するため
に、幾つかの制約に出くわす。まず最初に、3mmの円
筒ビームで100μmの径を有するクレータを測定する
ために探すという問題がある。更に、クレータの位置で
のビームの径は、エッジ縞効果を妨げるために100μ
mよりも小さくなければならない。あいにく、この種の
ビームは、過度の発散を有する。しかしながら、60μ
mのくびれは、223mmのフォーカル長を有する収差
自由な薄い収束レンズを有する3mmビームをフォーカ
シングすることによって得られることができる。しか
し、サンプルへビームを送ることができることを仮定し
て、適切な径で、適切な軸上に干渉測定器へそれを反射
させることを可能にすることが必要となる。衝突点にお
いてサンプルに垂直であることは、物理化学アナライザ
の副イオンコラム(±1mmの差)の光軸と同様に必要
ではない。しかしながら、それが同じである際に、この
軸は、いくつかの開口と、小さいサイズ又は零サイズの
スリットとを通る。これは、波先、視準及び調整の歪み
の問題のために、この軸によってビームの通過を遮断す
る。ビームは鏡面の垂直に対して対称に反射されるよう
に、斜角の発生でくるべきであることが好ましい。例え
ば、ポリッシュされたシリコンサンプル(クリスタルラ
イン又はポリクリスタルライン)は、約30%の鏡面反
射係数を有するが、1mWビームで裸眼で見ると十分に
激しいスキャッタリングによって反射する。従って、光
子観測光システムを保持することによって、将来的なク
レータの位置にそれを位置付けるようにシステムを調整
するために、サンプル上で衝突点を常に観測することが
できる。鏡面反射の有益度は、金属タイプのものであ
り、偏光に影響しないことである。
【0012】解決のための第1のアプローチは、新しい
223mm光路の後で、3mmの径を有する発散反射ビ
ームを用いることからなる。干渉測定器によって容認で
きる第2の223mmレンズによってそれを再フォーカ
スするに十分である。従って、ミラーの複雑なセットに
よって返送することができ、偏光平面の方位を保持する
ことに注意する。例えば、我々は、ヒューレットパッカ
ードのHP10702A干渉測定器を用いており、ビー
ムは、その開始点の横側で位置12.7mmに返送する
ことができる。
223mm光路の後で、3mmの径を有する発散反射ビ
ームを用いることからなる。干渉測定器によって容認で
きる第2の223mmレンズによってそれを再フォーカ
スするに十分である。従って、ミラーの複雑なセットに
よって返送することができ、偏光平面の方位を保持する
ことに注意する。例えば、我々は、ヒューレットパッカ
ードのHP10702A干渉測定器を用いており、ビー
ムは、その開始点の横側で位置12.7mmに返送する
ことができる。
【0013】1つの起こりうる組立体は、分析チャンバ
をまたぐフォークの種類を含み、フォークの一方の光路
が、干渉測定器、レーザヘッド及び検出器を含み、他方
の光路が反射システムである。目的は、本体に対してフ
ォークを機械的にシフトすることによって調整される。
しかしながら、このアプローチにおいて、サンプルの傾
斜の分当たりの各変化、即ちアナライザの固定されたリ
ファレンス軸に対するその位置は、組立体の調整を必要
とする。測定光路は、コラムの一部及びフォークの一部
を通る。その長さは、サンプルの振動と要素の熱膨張に
高く感応して残る。処理の後でλ/512=1.2nm
ならば、基本分解能はλ/2である。
をまたぐフォークの種類を含み、フォークの一方の光路
が、干渉測定器、レーザヘッド及び検出器を含み、他方
の光路が反射システムである。目的は、本体に対してフ
ォークを機械的にシフトすることによって調整される。
しかしながら、このアプローチにおいて、サンプルの傾
斜の分当たりの各変化、即ちアナライザの固定されたリ
ファレンス軸に対するその位置は、組立体の調整を必要
とする。測定光路は、コラムの一部及びフォークの一部
を通る。その長さは、サンプルの振動と要素の熱膨張に
高く感応して残る。処理の後でλ/512=1.2nm
ならば、基本分解能はλ/2である。
【0014】第2のアプローチは、それ自身の上で及び
それによりサンプルの上で、平面ミラーによって反射さ
れたビームを反射することからなる。欠点は、発散する
ことを可能にし、このビームは干渉測定器の禁止径(pro
hibitive diameter)を有し、サンプルで数mmのセクシ
ョンを有する。等しくない表面上で不十分な反射とな
り、その大きい径によってその通過が妨害される。1つ
の解決策は、同じ開口角度で、それを再フォーカシング
するサンプルにそれを返送することである。それは、球
形ミラーを用いることで十分であり、歪みのその中心
が、サンプル上で衝突点とほとんど同じになる。この配
置は、いくつかの主な利点を有する。ビームがミラーの
表面に当たる限り、サンプルの必要とされるどのような
傾斜でもそれ自身上に返送される。機械的な環境にコン
パチブルなミラーの表面において、ロール及びピッチの
±0.1゜の許容誤差が許される。このミラーの位置合
わせは非常に簡単になる。ミラーによって与えられた初
期衝突点のイメージは、サンプル上の同じサイズの第2
の点であり、ミラーが位置合わせされた際にそれとマー
ジされる。ミラーの簡単な2つの軸傾斜動作は、十分で
ある。サンプル上の2つのスポットをマージすることで
十分である。測定ビームが2つの前後に動く先端をなす
ために、従って、二重干渉測定器は、処理の後で、基本
分解能λ/4及びλ/1024=0.6nmを得ること
が可能である。反射ビームは、同じフォーカシングレン
ズを通して戻る。それは、干渉測定器内で、3mmの径
を有するそれ自身に返送される。従って、ヒューレット
パッカード型干渉測定器HP10705Aの使用は、リ
ファレンス光路が干渉測定器内に配置されるという欠点
に対して最適にすべきであり、そのシステムは、微分で
なく、測定光路の絶対値に感応する。分析チャンバが合
金L316であり、サンプルが干渉測定器から少なくと
も160mmの距離にあるならば、材料の温度1℃の非
常に小さい変化は、約2500nmのこの距離の変化を
含む。1nm/sよりも小さい変化は、1/2500℃
/sよりも大きい安定した温度を必要とする。
それによりサンプルの上で、平面ミラーによって反射さ
れたビームを反射することからなる。欠点は、発散する
ことを可能にし、このビームは干渉測定器の禁止径(pro
hibitive diameter)を有し、サンプルで数mmのセクシ
ョンを有する。等しくない表面上で不十分な反射とな
り、その大きい径によってその通過が妨害される。1つ
の解決策は、同じ開口角度で、それを再フォーカシング
するサンプルにそれを返送することである。それは、球
形ミラーを用いることで十分であり、歪みのその中心
が、サンプル上で衝突点とほとんど同じになる。この配
置は、いくつかの主な利点を有する。ビームがミラーの
表面に当たる限り、サンプルの必要とされるどのような
傾斜でもそれ自身上に返送される。機械的な環境にコン
パチブルなミラーの表面において、ロール及びピッチの
±0.1゜の許容誤差が許される。このミラーの位置合
わせは非常に簡単になる。ミラーによって与えられた初
期衝突点のイメージは、サンプル上の同じサイズの第2
の点であり、ミラーが位置合わせされた際にそれとマー
ジされる。ミラーの簡単な2つの軸傾斜動作は、十分で
ある。サンプル上の2つのスポットをマージすることで
十分である。測定ビームが2つの前後に動く先端をなす
ために、従って、二重干渉測定器は、処理の後で、基本
分解能λ/4及びλ/1024=0.6nmを得ること
が可能である。反射ビームは、同じフォーカシングレン
ズを通して戻る。それは、干渉測定器内で、3mmの径
を有するそれ自身に返送される。従って、ヒューレット
パッカード型干渉測定器HP10705Aの使用は、リ
ファレンス光路が干渉測定器内に配置されるという欠点
に対して最適にすべきであり、そのシステムは、微分で
なく、測定光路の絶対値に感応する。分析チャンバが合
金L316であり、サンプルが干渉測定器から少なくと
も160mmの距離にあるならば、材料の温度1℃の非
常に小さい変化は、約2500nmのこの距離の変化を
含む。1nm/sよりも小さい変化は、1/2500℃
/sよりも大きい安定した温度を必要とする。
【0015】これら欠点を克服するために、他のアプロ
ーチは、微分干渉測定器を用いることからなり、2つの
光路は、クレータの一方と、そのクレータの周辺の表面
上の他方とであるサンプルに送られる。光路差は、クレ
ータの深さと発生の角度とのみの原理に依存する。互い
に閉じた2つのビームによって与えられた干渉値は、そ
れらの軸の間の少なくとも100μmの距離にあるなる
ならば、分散されない。200μmの値も選択できる。
2つの平行測定二重光路を有するHP10715A又は
HP10719A型のヒューレットパッカードの干渉測
定器で設計できる。従って、4つのビームがサンプルに
送られるために、それゆえ基本分解能は、第2のアプロ
ーチとしてλ/8でなくλ/4になる。各光路の一方の
ビームのみが用いられるならば、他方の2つのビーム
は、干渉測定器に固定されたミラーを用いて反射され
る。得られた分解能は、クレータの一方のビームと、周
辺の表面状の他方のビームとを有するλ/4である。
ーチは、微分干渉測定器を用いることからなり、2つの
光路は、クレータの一方と、そのクレータの周辺の表面
上の他方とであるサンプルに送られる。光路差は、クレ
ータの深さと発生の角度とのみの原理に依存する。互い
に閉じた2つのビームによって与えられた干渉値は、そ
れらの軸の間の少なくとも100μmの距離にあるなる
ならば、分散されない。200μmの値も選択できる。
2つの平行測定二重光路を有するHP10715A又は
HP10719A型のヒューレットパッカードの干渉測
定器で設計できる。従って、4つのビームがサンプルに
送られるために、それゆえ基本分解能は、第2のアプロ
ーチとしてλ/8でなくλ/4になる。各光路の一方の
ビームのみが用いられるならば、他方の2つのビーム
は、干渉測定器に固定されたミラーを用いて反射され
る。得られた分解能は、クレータの一方のビームと、周
辺の表面状の他方のビームとを有するλ/4である。
【0016】次に、問題は、およそ200μmで互いに
閉じられ、それらの上に返送される2つの60μmのス
ポットを得ることによって2つのビームをフォーカスす
ることである。サンプルに対するこれらの状態に合う2
つのスポットを送ることが可能であることを仮定して、
それらの軸は、1つの球形ミラーを用いて、互いに平行
か又は平行ではない。その中心は、1つのスポットのみ
又は2つのスポットの間に位置合わせされる。中心が1
つのスポットに配置されたときに、第2の光線は、中心
に対して対称となるサンプルの点で反射される。次に、
それは、干渉測定器に返送するために非常に複雑にな
り、この場合、光路差は、クレータの深さのみに依存し
ない。中心はスポットの間にあり、各スポットは他方で
反射され、全体の光路差は零になる。それゆえ、反射ビ
ームは入射ビームの軸上でもはや完全でない。最後に、
2つのミラーが、2mmを越える径でビームを返送する
ために、互いに200μmでそれら中心に位置付けられ
るならば、問題は解決しない。
閉じられ、それらの上に返送される2つの60μmのス
ポットを得ることによって2つのビームをフォーカスす
ることである。サンプルに対するこれらの状態に合う2
つのスポットを送ることが可能であることを仮定して、
それらの軸は、1つの球形ミラーを用いて、互いに平行
か又は平行ではない。その中心は、1つのスポットのみ
又は2つのスポットの間に位置合わせされる。中心が1
つのスポットに配置されたときに、第2の光線は、中心
に対して対称となるサンプルの点で反射される。次に、
それは、干渉測定器に返送するために非常に複雑にな
り、この場合、光路差は、クレータの深さのみに依存し
ない。中心はスポットの間にあり、各スポットは他方で
反射され、全体の光路差は零になる。それゆえ、反射ビ
ームは入射ビームの軸上でもはや完全でない。最後に、
2つのミラーが、2mmを越える径でビームを返送する
ために、互いに200μmでそれら中心に位置付けられ
るならば、問題は解決しない。
【0017】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前述
の干渉測定器の欠点を有しない偏光分割干渉測定器を用
い、ヘテロダイン干渉測定器の原理で信頼する測定装置
を得ることである。
の干渉測定器の欠点を有しない偏光分割干渉測定器を用
い、ヘテロダイン干渉測定器の原理で信頼する測定装置
を得ることである。
【0018】
【課題を解決するための手段】このために、本発明は、
光干渉測定方法によって、物理化学アナライザの分析チ
ャンバ内に配置されたサンプル上の層の下でクレータの
底の深さを測定する方法において、該方法は、 ・入射する複周波数レーザビームを、測定光路及びリフ
ァレンス光路の2つの平行光路に分割する段階と、 ・サンプルの表面に対して傾けられた入射方向に沿っ
て、一方をクレータに及び他方を周辺にそれぞれ、サン
プルの表面上に2つの光路の各々をフォーカシングする
段階と、 ・一方のビームのみを形成するために前記サンプルの表
面で反射された前記2つのビームを再合成する段階と、 ・2つの反射されたビームの間の光路差を測定するため
に、干渉検出器に前記再合成されたビームを印加する段
階とを含んでいる。
光干渉測定方法によって、物理化学アナライザの分析チ
ャンバ内に配置されたサンプル上の層の下でクレータの
底の深さを測定する方法において、該方法は、 ・入射する複周波数レーザビームを、測定光路及びリフ
ァレンス光路の2つの平行光路に分割する段階と、 ・サンプルの表面に対して傾けられた入射方向に沿っ
て、一方をクレータに及び他方を周辺にそれぞれ、サン
プルの表面上に2つの光路の各々をフォーカシングする
段階と、 ・一方のビームのみを形成するために前記サンプルの表
面で反射された前記2つのビームを再合成する段階と、 ・2つの反射されたビームの間の光路差を測定するため
に、干渉検出器に前記再合成されたビームを印加する段
階とを含んでいる。
【0019】本発明は、また、前述の方法を実現するた
めの装置である。
めの装置である。
【0020】本発明による方法は、イオンアナライザの
分析チャンバの内側に2つの測定光路を有するという主
な利点を有する。これは、例えば空気指標補償(air ind
ex compensation)の必要性がなくす。それは、クレータ
の深さの種々の測定方法を得ることが可能となる。最後
に、各光路を二重にすることによって、ヘリウムネオン
レーザの使用を介して処理の後で、0.6nmの分解能
を与えるλ/4の基本分解能を得ることが、本発明によ
り可能となる。また、非常にコンパクトで、且つサンプ
ルの各変化の後で特にサンプルの傾きに感応しないとう
利点も有する。
分析チャンバの内側に2つの測定光路を有するという主
な利点を有する。これは、例えば空気指標補償(air ind
ex compensation)の必要性がなくす。それは、クレータ
の深さの種々の測定方法を得ることが可能となる。最後
に、各光路を二重にすることによって、ヘリウムネオン
レーザの使用を介して処理の後で、0.6nmの分解能
を与えるλ/4の基本分解能を得ることが、本発明によ
り可能となる。また、非常にコンパクトで、且つサンプ
ルの各変化の後で特にサンプルの傾きに感応しないとう
利点も有する。
【0021】本発明の他の特徴及び効果は、添付図面で
参照される以下の発明の詳細な説明から明らかとなるで
あろう。
参照される以下の発明の詳細な説明から明らかとなるで
あろう。
【0022】
【発明の実施の形態】図1に表されたように、本発明に
よる方法は、イオンアナライザのチャンバ5内でテスト
されているサンプル4の表面3に対して傾けられた、測
定光路1とリファレンス光路2とを含むビーム分割差分
干渉測定器を実現する。測定光路を形成するビームは、
複周波数レーザ源7によって発生されたレーザビーム6
から得られる。光分割システム8は、レーザビーム6
を、測定光路1とリファレンス光路2とを形成するそれ
ぞれの2つの平行ビーム9及び10に分割し、そのビー
ムは、イオンアナライザによって発射された粒子ビーム
12によって浸食されるクレータの底の一方のビーム
と、クレータ11の横の他方のビームとなる。サンプル
4の表面3上での反射の後で、ビーム9及び10は、第
1の光分割システム8と同じ第2の光分割システム13
によって再合成され、レンズ17によって平行にされ
る。干渉検出器14は、第2の光分割システム13から
くる再合成され且つ平行なビームを受信する。ビーム8
及び13の光分割システムは、いずれかのタイプの偏光
分割装置によって又は再び複屈折水晶によって形成され
る。図1の実施形態によれば、得られることができる分
解能はλ/2である。
よる方法は、イオンアナライザのチャンバ5内でテスト
されているサンプル4の表面3に対して傾けられた、測
定光路1とリファレンス光路2とを含むビーム分割差分
干渉測定器を実現する。測定光路を形成するビームは、
複周波数レーザ源7によって発生されたレーザビーム6
から得られる。光分割システム8は、レーザビーム6
を、測定光路1とリファレンス光路2とを形成するそれ
ぞれの2つの平行ビーム9及び10に分割し、そのビー
ムは、イオンアナライザによって発射された粒子ビーム
12によって浸食されるクレータの底の一方のビーム
と、クレータ11の横の他方のビームとなる。サンプル
4の表面3上での反射の後で、ビーム9及び10は、第
1の光分割システム8と同じ第2の光分割システム13
によって再合成され、レンズ17によって平行にされ
る。干渉検出器14は、第2の光分割システム13から
くる再合成され且つ平行なビームを受信する。ビーム8
及び13の光分割システムは、いずれかのタイプの偏光
分割装置によって又は再び複屈折水晶によって形成され
る。図1の実施形態によれば、得られることができる分
解能はλ/2である。
【0023】λ/4の分解能は、図2の実施形態に従っ
て得られることができ、図1の実施形態と同じ要素は、
同一参照符号で表されている。この実施形態において、
サンプル4で反射されたビームは、第2のビーム分割光
装置13の出力に配置されたビーム反射システム15に
よってそれらに返送される。それらは、他方の方向と交
差される入力フォーカシング及び分割光装置8によって
再合成される。図1の別の干渉測定器と違って、図2に
表されているものは、例えば再合成された反射ビームを
検出器14に返送するために、光分割装置8によって再
合成された反射ビームの分割器となる半透過ミラーであ
る、光学装置14aを有している。図2に表されたシス
テムは、図1のシステムと比較してλ/4の分解能を有
し、分析チャンバのサンプル4の位置合わせ外れに感応
しないという利点を有する。図1のシステムの場合のよ
うに、ビーム分割器8及び13は同じであり、いずれか
のタイプの公知の偏光分割器によって、又は複屈折水晶
によって形成される。図3及び図4に表されたように、
ビーム反射システム15は、球形ミラーによって又は収
束レンズ17に係合した平面ミラーによって形成され
る。
て得られることができ、図1の実施形態と同じ要素は、
同一参照符号で表されている。この実施形態において、
サンプル4で反射されたビームは、第2のビーム分割光
装置13の出力に配置されたビーム反射システム15に
よってそれらに返送される。それらは、他方の方向と交
差される入力フォーカシング及び分割光装置8によって
再合成される。図1の別の干渉測定器と違って、図2に
表されているものは、例えば再合成された反射ビームを
検出器14に返送するために、光分割装置8によって再
合成された反射ビームの分割器となる半透過ミラーであ
る、光学装置14aを有している。図2に表されたシス
テムは、図1のシステムと比較してλ/4の分解能を有
し、分析チャンバのサンプル4の位置合わせ外れに感応
しないという利点を有する。図1のシステムの場合のよ
うに、ビーム分割器8及び13は同じであり、いずれか
のタイプの公知の偏光分割器によって、又は複屈折水晶
によって形成される。図3及び図4に表されたように、
ビーム反射システム15は、球形ミラーによって又は収
束レンズ17に係合した平面ミラーによって形成され
る。
【0024】図2の装置の詳細で典型的な実施形態は、
同一要素が同一符号で表された図5で遠近図として表さ
れている。この例において、ビーム分割器8及び13
は、氷州石又は方解石CaCO3の水晶によって形成され
る。水晶13は、球形ビーム反射ミラー15及びサンプ
ル4の間に配置される。ミラー15に入射され且つ反射
されたビームは、マージされ、ミラーの歪みの中心に通
される。それらは、水晶13とサンプル4との間に、約
0.2mmの間隔を有する2つの平行ビームに変換され
る。これらビームは、2つの60μmスポットでサンプ
ル4上で収束し、それらの一方は、ミラー15の歪みの
中心で常にマージされる。これら2つのビームについ
て、2つの平行な発散ビームと係合し、サンプルの表面
3に垂直な方向に対して前者の2つのビームに対称とな
る。これら2つの発散ビームは、フォーカシングレンズ
18によって、平行光線の1つのビームに再合成する第
2の方解石水晶8に印加される。このビームは、一方の
方向にレーザヘッド7によって発射されたレーザ光線6
を伝える。他方の方向では、検出器14を目指す、サン
プル4で反射された2つのビームの和の結果として生じ
る光線を伝える。図2のように、半透過ミラー14a
は、検出器14に印加された結果として生じる光線から
レーザビームを分割する。ビーム反射ミラー19及び2
0は、2つの測定ビーム1及び2の光路上に位置付けら
れる。それは、イオンアナライザのコラムX,Yの軸に
垂直な方向に球形ミラー15及びフォーカシングレンズ
18の光軸を位置合わせするようにする。一方で、サン
プル4上で収束され且つ発散されるビームに対して傾け
られた方向に維持される。この配置は、分析チャンバ内
での干渉測定器の構成を容易にし、特に、コラムの軸の
方向のサンプルから抽出された副イオンの循環に対して
必要とされる空間を自由にすることによってなされる。
分析チャンバの壁に固定されたウィンドウ21は、干渉
測定器を形成する部品の残りからレーザヘッド7及び検
出器14の分離を可能にする。半透過ミラー14aに印
加された共通ビームは、このウィンドウを通る。
同一要素が同一符号で表された図5で遠近図として表さ
れている。この例において、ビーム分割器8及び13
は、氷州石又は方解石CaCO3の水晶によって形成され
る。水晶13は、球形ビーム反射ミラー15及びサンプ
ル4の間に配置される。ミラー15に入射され且つ反射
されたビームは、マージされ、ミラーの歪みの中心に通
される。それらは、水晶13とサンプル4との間に、約
0.2mmの間隔を有する2つの平行ビームに変換され
る。これらビームは、2つの60μmスポットでサンプ
ル4上で収束し、それらの一方は、ミラー15の歪みの
中心で常にマージされる。これら2つのビームについ
て、2つの平行な発散ビームと係合し、サンプルの表面
3に垂直な方向に対して前者の2つのビームに対称とな
る。これら2つの発散ビームは、フォーカシングレンズ
18によって、平行光線の1つのビームに再合成する第
2の方解石水晶8に印加される。このビームは、一方の
方向にレーザヘッド7によって発射されたレーザ光線6
を伝える。他方の方向では、検出器14を目指す、サン
プル4で反射された2つのビームの和の結果として生じ
る光線を伝える。図2のように、半透過ミラー14a
は、検出器14に印加された結果として生じる光線から
レーザビームを分割する。ビーム反射ミラー19及び2
0は、2つの測定ビーム1及び2の光路上に位置付けら
れる。それは、イオンアナライザのコラムX,Yの軸に
垂直な方向に球形ミラー15及びフォーカシングレンズ
18の光軸を位置合わせするようにする。一方で、サン
プル4上で収束され且つ発散されるビームに対して傾け
られた方向に維持される。この配置は、分析チャンバ内
での干渉測定器の構成を容易にし、特に、コラムの軸の
方向のサンプルから抽出された副イオンの循環に対して
必要とされる空間を自由にすることによってなされる。
分析チャンバの壁に固定されたウィンドウ21は、干渉
測定器を形成する部品の残りからレーザヘッド7及び検
出器14の分離を可能にする。半透過ミラー14aに印
加された共通ビームは、このウィンドウを通る。
【図1】本発明の第1の実施形態における、小さい大き
さのクレータの測定のための干渉測定の説明図である。
さのクレータの測定のための干渉測定の説明図である。
【図2】本発明の第2の実施形態における、干渉測定の
説明図である。
説明図である。
【図3】図2の干渉測定を行うために用いられたビーム
反射システムの第1の実施形態の説明図である。
反射システムの第1の実施形態の説明図である。
【図4】図2の干渉測定を行うために用いられたビーム
反射システムの第2の実施形態の説明図である。
反射システムの第2の実施形態の説明図である。
【図5】図2の干渉測定器の実施形態の詳細な構成図で
ある。
ある。
1 測定光路 2 リファレンス光路 3 表面 4 サンプル 5 チャンバ 6 レーザビーム 7 複屈折レーザ源 8、13 光分割システム 9、10 平行ビーム 11 クレータ 12 粒子ビーム 14 干渉検出器 14a 半透過ミラー 15 球形ミラー 17、18 レンズ 19、20 ビーム反射ミラー 21 ウィンドウ
Claims (12)
- 【請求項1】 光干渉測定方法によって、物理化学アナ
ライザの分析チャンバ内に配置されたサンプル上の層の
下でクレータの底の深さを測定する方法において、 入射する複周波数レーザビームを、測定光路及びリファ
レンス光路の2つの平行光路に分割する段階と、 前記サンプルの表面に対して傾けられた入射方向に沿っ
て、一方をクレータに及び他方を周辺にそれぞれ、前記
サンプルの表面上に2つの光路の各々をフォーカシング
する段階と、 一方のビームのみを形成するために前記サンプルの表面
で反射された前記2つのビームを再合成する段階と、 2つの反射されたビームの間の光路差を測定するため
に、干渉検出器に前記再合成されたビームを印加する段
階とを含むことを特徴とする方法。 - 【請求項2】 前記レーザビームは、分割され、次に同
じビーム分割器によって再合成されることを特徴とする
請求項1に記載の方法。 - 【請求項3】 前記レーザビームは、分割され、次に同
じ偏光分割器によって再合成されることを特徴とする請
求項1又は2に記載の方法。 - 【請求項4】 前記偏光分割器は、複屈折水晶であるこ
とを特徴とする請求項3に記載の方法。 - 【請求項5】 前記サンプル上の前記2つの光路のフォ
ーカシングの光路の逆となる光路上でビーム進行をなす
衝突点の中心に置かれた球形ミラーによってサンプルの
表面上にフォーカスされた2つのビームの、自動コリメ
ーションによって、干渉検出器に返送される段階と、 前記サンプルの位置合わせ外れに感応するシステムを作
る段階とを含むことを特徴とする請求項4に記載の方
法。 - 【請求項6】 前記干渉検出器に対して前記入射ビーム
を印加する前に、前記入射ビームの前記レーザビームと
マージされる平行光線の1つのビームに、2つの返送ビ
ームを再合成する段階を含むことを特徴とする請求項5
に記載の方法。 - 【請求項7】 イオンアナライザの分析チャンバの内側
に配置されたサンプル上に形成された、クレータの底の
深さを測定するための装置において、 入射する複周波数レーザビームの発射のためのレーザ
と、 入射するレーザビームを、測定光路及びリファレンス光
路の2つの平行光路に分割するための第1のビーム分割
手段と、 前記サンプルの表面に対して傾けられた入射方向に、一
方をクレータに及び他方を周辺にそれぞれ、前記サンプ
ルの表面上に2つの光路の各々をフォーカシングするた
めのフォーカシング手段と、 一方のビームのみを形成するために前記サンプルの表面
で反射された前記2つのビームを再合成する手段と、 2つの反射されたビームの間の光路差を測定するための
干渉検出手段とを含んでおり、 前記レーザ及び前記検出手段は前記分析チャンバの外側
に配置されていることを特徴とする装置。 - 【請求項8】 前記2つの反射ビームを再合成するため
の手段は、前記第1のビーム分割手段と同じビーム分割
手段によって形成されることを特徴とする請求項7に記
載の装置。 - 【請求項9】 前記サンプル上の前記2つの光路のフォ
ーカシング光路の逆となる光路の前記干渉検出器に対し
て前記2つの反射ビームを返送する反射手段と、従って
装置の基本分解能を倍加する手段とを含むことを特徴と
する請求項7又は8に記載の装置。 - 【請求項10】 前記反射手段は、球形ミラーによって
形成されることを特徴とする請求項9に記載の装置。 - 【請求項11】 前記反射手段は、収束レンズに結合さ
れた平面ミラーによって形成されることを特徴とする請
求項9に記載の装置。 - 【請求項12】 前記ビーム分割手段は、複屈折方解石
水晶によって形成された偏光分割手段であることを特徴
とする請求項7から11のいずれか1項に記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR9803133 | 1998-03-13 | ||
FR9803133A FR2776061B1 (fr) | 1998-03-13 | 1998-03-13 | Procede et dispositif pour la mesure de fonds de crateres dans un analyseur physico-chimique |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11325831A true JPH11325831A (ja) | 1999-11-26 |
Family
ID=9524036
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11066234A Withdrawn JPH11325831A (ja) | 1998-03-13 | 1999-03-12 | 物理化学アナライザのクレ―タの底の深さを測定するための方法及び装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6259530B1 (ja) |
EP (1) | EP0942261B1 (ja) |
JP (1) | JPH11325831A (ja) |
DE (1) | DE69923489T2 (ja) |
FR (1) | FR2776061B1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103822592A (zh) * | 2014-03-18 | 2014-05-28 | 重庆交通大学 | 一种利用移动通讯设备进行道路坑洞深度测量的方法 |
KR20150112887A (ko) * | 2014-03-27 | 2015-10-07 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 곡률 측정 장치 및 곡률 측정 방법 |
KR101691493B1 (ko) * | 2015-09-03 | 2017-01-02 | 서강대학교산학협력단 | 평행빔 간섭계용 시료 카트리지 및 이를 이용한 바이오칩 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US6384087B1 (en) * | 2000-09-01 | 2002-05-07 | University Of Tennesseee Research Corporation, Inc. | Materials and methods for the treatment or prevention of obesity |
US6873419B2 (en) * | 2001-11-16 | 2005-03-29 | National Research Council Of Canada | Method and apparatus for three-dimensional compositional mapping of heterogeneous materials |
FR2837931B1 (fr) * | 2002-03-29 | 2004-12-10 | Cameca | Dispositif de mesure de l'emission de rayons x produite par un objet soumis a un faisceau d'electrons |
US20050254065A1 (en) * | 2004-05-12 | 2005-11-17 | Stokowski Stanley E | Method and apparatus for detecting surface characteristics on a mask blank |
US7347134B2 (en) * | 2004-09-29 | 2008-03-25 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | No touch dispenser for sheet material with automatic advance |
US7453577B2 (en) * | 2004-12-14 | 2008-11-18 | Asml Netherlands B.V. | Apparatus and method for inspecting a patterned part of a sample |
FR3060736B1 (fr) | 2016-12-16 | 2019-05-24 | Horiba Jobin Yvon Sas | Methode et instrument de mesure de profondeur de gravure par interferometrie polarimetrique differentielle et appareil de spectrometrie de decharge luminescente comprenant un tel instrument de mesure |
Family Cites Families (3)
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