JPH11320874A - インクジェットヘッド - Google Patents
インクジェットヘッドInfo
- Publication number
- JPH11320874A JPH11320874A JP12852598A JP12852598A JPH11320874A JP H11320874 A JPH11320874 A JP H11320874A JP 12852598 A JP12852598 A JP 12852598A JP 12852598 A JP12852598 A JP 12852598A JP H11320874 A JPH11320874 A JP H11320874A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diaphragm
- jet head
- liquid chamber
- ink jet
- silicon substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
- B41J2/14314—Structure of ink jet print heads with electrostatically actuated membrane
Landscapes
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 インクジェットヘッドにおいて、加工精度を
必要とする部分の精度を確保しつつ、加工時間を短縮
し、加工コストを低減させる。 【解決手段】 ｐ−型またはｎ−型の低濃度単結晶シリ
コン基板において、前記シリコン基板がｐ−型の場合は
ｎ−型不純物を、ｎ−型の場合はｐ−型不純物を高濃度
に拡散させることにより、ｐｎ接合を形成し、前記単結
晶シリコン基板の不純物拡散側にガラス基板を陽極接合
した後、低濃度側を電気化学エッチングすることにより
ダイアフラムを形成し、前記ダイアフラムに振動板の部
分と、前記ｐｎ接合の深さを一部深くすることにより形
成した前記振動板よりも厚みを持つ部分を形成し、か
つ、前記厚みを持つ部分にノズルを形成した。前記厚み
を持つ部分を液室を分割する位置に対応して設け、前記
ノズル直下の液室部分にオリフィスを設けることによ
り、前記厚みをオリフィスの流路抵抗分だけ減少させ
た。
必要とする部分の精度を確保しつつ、加工時間を短縮
し、加工コストを低減させる。 【解決手段】 ｐ−型またはｎ−型の低濃度単結晶シリ
コン基板において、前記シリコン基板がｐ−型の場合は
ｎ−型不純物を、ｎ−型の場合はｐ−型不純物を高濃度
に拡散させることにより、ｐｎ接合を形成し、前記単結
晶シリコン基板の不純物拡散側にガラス基板を陽極接合
した後、低濃度側を電気化学エッチングすることにより
ダイアフラムを形成し、前記ダイアフラムに振動板の部
分と、前記ｐｎ接合の深さを一部深くすることにより形
成した前記振動板よりも厚みを持つ部分を形成し、か
つ、前記厚みを持つ部分にノズルを形成した。前記厚み
を持つ部分を液室を分割する位置に対応して設け、前記
ノズル直下の液室部分にオリフィスを設けることによ
り、前記厚みをオリフィスの流路抵抗分だけ減少させ
た。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、マイクロ
マシーニング技術、オンデマンド型インクジェットプリ
ンタ用ヘッドに用いるインクジェットヘッドに関するも
のである。
マシーニング技術、オンデマンド型インクジェットプリ
ンタ用ヘッドに用いるインクジェットヘッドに関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】インクジェットプリンタは、低価格かつ
小型のフルカラープリンタとして近年普及が著しい。こ
の理由として、専用紙の低価格化や写真画質を実現する
ための光沢紙の開発と共に、低価格機にも搭載可能な低
コストの高密度高性能インクジェットヘッドの開発があ
げられる。しかし、フルカラー印字の速度ではレーザプ
リンタのＡ４版での数ｐｐｍの印字速度に比較すると劣
っており、ヘッドのさらなる高密度化の需要が期待され
る。例えば、特開平３−２８８６４９号公報には、エッ
ジシューティングの構成をとることにより、ノズル部分
をシリコンプロセスを用いて流路抵抗部も含めて作り込
んだ液体噴射ヘッドが開示されている。また、振動板と
は異なる液室を構成する他のＳｉ薄板にノズルをドライ
エッチングに彫り込む実施例は多いが、振動板と同一の
ダイヤフラムにノズルを設けた構成例は存在していな
い。
小型のフルカラープリンタとして近年普及が著しい。こ
の理由として、専用紙の低価格化や写真画質を実現する
ための光沢紙の開発と共に、低価格機にも搭載可能な低
コストの高密度高性能インクジェットヘッドの開発があ
げられる。しかし、フルカラー印字の速度ではレーザプ
リンタのＡ４版での数ｐｐｍの印字速度に比較すると劣
っており、ヘッドのさらなる高密度化の需要が期待され
る。例えば、特開平３−２８８６４９号公報には、エッ
ジシューティングの構成をとることにより、ノズル部分
をシリコンプロセスを用いて流路抵抗部も含めて作り込
んだ液体噴射ヘッドが開示されている。また、振動板と
は異なる液室を構成する他のＳｉ薄板にノズルをドライ
エッチングに彫り込む実施例は多いが、振動板と同一の
ダイヤフラムにノズルを設けた構成例は存在していな
い。
【０００３】本出願人の出願に係る特願平９−１９６０
７０号において、ガラス基板にキャップを形成し、市販
のウェハーの厚み状態で陽極接合を行うことにより、接
合時の高電界によるＳｉウェハーの変形のおそれがな
く、接合後の電気化学エッチングにより拡散深さに対応
した振動板が得られることが開示されている。しかしな
がら、この従来技術においては振動板の液室側の表面荒
さの制御が難しく、液室の接合に陽極接合を使うことが
難しいことが欠点としてあげられる。
７０号において、ガラス基板にキャップを形成し、市販
のウェハーの厚み状態で陽極接合を行うことにより、接
合時の高電界によるＳｉウェハーの変形のおそれがな
く、接合後の電気化学エッチングにより拡散深さに対応
した振動板が得られることが開示されている。しかしな
がら、この従来技術においては振動板の液室側の表面荒
さの制御が難しく、液室の接合に陽極接合を使うことが
難しいことが欠点としてあげられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来技術では、信頼性
の高い陽極接合により静電型アクチュエータと液室を構
成しようとする工程は、Ｓｉに比較してドライエッチン
グによるエッチングレートの遅いガラス基板に貫通穴を
あける必要があるなどの理由により、複雑になってい
た。一般的には、Ｓｉの振動板，ガラス基板を貫通した
液室，シリコンまたは金属板によるノズルプレートの三
層を積層した構成が用いられている。この構成では、三
層の相互の位置関係の制御性、およびそれぞれの層の熱
膨張率等の違いによる接着方法の制御など様々な問題点
がある。一方、先行技術中には、液室を構成する振動板
そのものにドライエッチングプロセスを用いて、ノズル
用貫通穴を形成する例があるが、振動板の振動の際、ノ
ズル穴を常に用紙に対し直角方向を保持している必要が
あることから、振動板短辺（たわみ方向）の中央に位置
している必要があり、ノズル位置を高精度に制御する必
要がある。本発明は従来技術における前記問題点に鑑み
てなされたものであって、その目的は、前記問題点を解
決し得るインクジェットヘッドを提供することである。
の高い陽極接合により静電型アクチュエータと液室を構
成しようとする工程は、Ｓｉに比較してドライエッチン
グによるエッチングレートの遅いガラス基板に貫通穴を
あける必要があるなどの理由により、複雑になってい
た。一般的には、Ｓｉの振動板，ガラス基板を貫通した
液室，シリコンまたは金属板によるノズルプレートの三
層を積層した構成が用いられている。この構成では、三
層の相互の位置関係の制御性、およびそれぞれの層の熱
膨張率等の違いによる接着方法の制御など様々な問題点
がある。一方、先行技術中には、液室を構成する振動板
そのものにドライエッチングプロセスを用いて、ノズル
用貫通穴を形成する例があるが、振動板の振動の際、ノ
ズル穴を常に用紙に対し直角方向を保持している必要が
あることから、振動板短辺（たわみ方向）の中央に位置
している必要があり、ノズル位置を高精度に制御する必
要がある。本発明は従来技術における前記問題点に鑑み
てなされたものであって、その目的は、前記問題点を解
決し得るインクジェットヘッドを提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、低濃
度単結晶シリコン基板を有し、該シリコン基板がｐ−型
のときにはｎ−型不純物を、ｎ−型のときにはｐ−型不
純物を高濃度に拡散させることにより、ｐｎ接合を形成
し、前記シリコン基板の不純物拡散側にガラス基板を陽
極接合した後、その低濃度側を電気化学エッチングする
ことによりダイヤフラムを形成したインクジェットヘッ
ドにおいて、前記ダイヤフラムを振動板と、前記ｐｎ接
合の深さを一部深くすることにより形成した前記振動板
よりも厚みを持つ部分に形成し、該厚みを持つ部分にノ
ズルを形成したことを特徴とするインクジェットヘッド
である。
度単結晶シリコン基板を有し、該シリコン基板がｐ−型
のときにはｎ−型不純物を、ｎ−型のときにはｐ−型不
純物を高濃度に拡散させることにより、ｐｎ接合を形成
し、前記シリコン基板の不純物拡散側にガラス基板を陽
極接合した後、その低濃度側を電気化学エッチングする
ことによりダイヤフラムを形成したインクジェットヘッ
ドにおいて、前記ダイヤフラムを振動板と、前記ｐｎ接
合の深さを一部深くすることにより形成した前記振動板
よりも厚みを持つ部分に形成し、該厚みを持つ部分にノ
ズルを形成したことを特徴とするインクジェットヘッド
である。
【０００６】請求項２の発明は、請求項１に記載された
インクジェットヘッドにおいて、ノズルを形成した前記
厚みを持つ部分を分割された液室の分割位置に対応して
形成し、かつノズル直下の液室部分にインク吐出の際の
流路抵抗部となるオリフィスを設けたことを特徴とする
インクジェットヘッドである。
インクジェットヘッドにおいて、ノズルを形成した前記
厚みを持つ部分を分割された液室の分割位置に対応して
形成し、かつノズル直下の液室部分にインク吐出の際の
流路抵抗部となるオリフィスを設けたことを特徴とする
インクジェットヘッドである。
【０００７】請求項３の発明は、請求項２に記載された
インクジェットヘッドにおいて、前記分割された液室の
容積に重み付けを行うことにより、多値表現を可能とし
たことを特徴とするインクジェットヘッドである。
インクジェットヘッドにおいて、前記分割された液室の
容積に重み付けを行うことにより、多値表現を可能とし
たことを特徴とするインクジェットヘッドである。
【０００８】請求項４の発明は、請求項１，２および３
のいずれかに記載されたインクジェットヘッドにおい
て、電気化学エッチング前の前記ガラス基板の陽極接合
面側に、液室が形成されていることを特徴とするインク
ジェットヘッドである。
のいずれかに記載されたインクジェットヘッドにおい
て、電気化学エッチング前の前記ガラス基板の陽極接合
面側に、液室が形成されていることを特徴とするインク
ジェットヘッドである。
【０００９】
【発明の実施の形態】実施例を用い、本発明の構成及び
製造方法を説明する。図１は本発明の請求項１の静電型
インクジェットヘッドの構成例の断面図である。図中、
１は液室及び流路を形成するための液室ガラス基板、２
はダイヤフラム２ａを形成するためのＳｉ基板、３はガ
ラス電極基板、１１は液室、１２は液室と流路の間に形
成されたオリフィス部、１３はインク流路、２２はノズ
ル、３１はガラス電極基板１に設けた対向電極および取
り出し電極である。次に、本発明によるインクジェット
ヘッドの製造方法について説明する。まず、パイレック
スガラス１上にＣｒ膜をスパッタ成膜し、ネガレジスト
により液室，インク流路をパターニングし、Ｃｒ膜でマ
スクを形成した。バッファードフッ酸により等方エッチ
ングを行い、図２に示すような液室１１およびインク流
路１３を形成する。インク流路１３の抵抗の調整は、パ
ターンの幅を変えることにより、エッチング深さ，流路
の幅の２つのパラメータにより制御することができる。
製造方法を説明する。図１は本発明の請求項１の静電型
インクジェットヘッドの構成例の断面図である。図中、
１は液室及び流路を形成するための液室ガラス基板、２
はダイヤフラム２ａを形成するためのＳｉ基板、３はガ
ラス電極基板、１１は液室、１２は液室と流路の間に形
成されたオリフィス部、１３はインク流路、２２はノズ
ル、３１はガラス電極基板１に設けた対向電極および取
り出し電極である。次に、本発明によるインクジェット
ヘッドの製造方法について説明する。まず、パイレック
スガラス１上にＣｒ膜をスパッタ成膜し、ネガレジスト
により液室，インク流路をパターニングし、Ｃｒ膜でマ
スクを形成した。バッファードフッ酸により等方エッチ
ングを行い、図２に示すような液室１１およびインク流
路１３を形成する。インク流路１３の抵抗の調整は、パ
ターンの幅を変えることにより、エッチング深さ，流路
の幅の２つのパラメータにより制御することができる。
【００１０】次に、中程度の抵抗を有するＳｉ基板２に
ガラス基板１上に形成した流体抵抗部に一致する位置に
グリッド状のパターンを配置したマスクによりｐ−型基
板の場合にはｎ−型不純物を、ｎ−型基板の場合にはｐ
−型不純物をイオン注入し、ドライブ拡散を行う。この
後、同様にｐ−型基板の場合にはｎ−型不純物を、ｎ−
型基板の場合にはｐ−型不純物を同一面全面にイオン注
入し、ドライブ拡散を行うことにより、図３に示すよう
な不純物プロファイルを得た。エッチング後のガラス基
板１のエッチング面と不純物拡散後のＳｉ基板２の不純
物の拡散面を陽極接合後、ＫＯＨ水溶液中でｐ−ｎ界面
に対し逆バイアスを印加しエッチングを行うことによ
り、ｐ−ｎ接合面でエッチングがストップすること（電
気化学エッチストップ）を利用し、不純物の拡散プロフ
ァイルに応じた形状を持つダイヤフラム２ａを形成し
た。
ガラス基板１上に形成した流体抵抗部に一致する位置に
グリッド状のパターンを配置したマスクによりｐ−型基
板の場合にはｎ−型不純物を、ｎ−型基板の場合にはｐ
−型不純物をイオン注入し、ドライブ拡散を行う。この
後、同様にｐ−型基板の場合にはｎ−型不純物を、ｎ−
型基板の場合にはｐ−型不純物を同一面全面にイオン注
入し、ドライブ拡散を行うことにより、図３に示すよう
な不純物プロファイルを得た。エッチング後のガラス基
板１のエッチング面と不純物拡散後のＳｉ基板２の不純
物の拡散面を陽極接合後、ＫＯＨ水溶液中でｐ−ｎ界面
に対し逆バイアスを印加しエッチングを行うことによ
り、ｐ−ｎ接合面でエッチングがストップすること（電
気化学エッチストップ）を利用し、不純物の拡散プロフ
ァイルに応じた形状を持つダイヤフラム２ａを形成し
た。
【００１１】次に、ダイヤフラム２ａにフォトリソグラ
フィーによるパターニングを行い、ガラス基板１の液室
１１上部のダイヤフラム２ａを電極３１とのギャップに
相当する深さにドライエッチングすることによりギャッ
プを形成する。フォトリソグラフィーによるパターニン
グ，ドライエッチングにより、ダイヤフラム２ａに設け
たグリッド状の厚い部分２１にノズル用の貫通穴２２を
形成する。電極ガラス基板３の両面にＣｒ膜をスパッタ
成膜し、ネガレジストによりダイヤフラム２ａ上のノズ
ル部分２１に窓を形成するためパターニングし、Ｃｒマ
スクを形成し、バッファードフッ酸により両面からエッ
チングを行うことにより、貫通穴３２を形成する。この
基板に白金，ロジウム等の金属により対向電極および引
き出し電極３１を形成する。次に、ダイヤフラム２ａと
電極用ガラス基板３を陽極接合し、液室側ガラス基板１
より図１に示すようにダイヤフラム２ａまでをダイシン
グした後、各チップの切り離しのためのダイシングを行
い、請求項１に係る静電型インクジェットヘッドを作製
することができる。
フィーによるパターニングを行い、ガラス基板１の液室
１１上部のダイヤフラム２ａを電極３１とのギャップに
相当する深さにドライエッチングすることによりギャッ
プを形成する。フォトリソグラフィーによるパターニン
グ，ドライエッチングにより、ダイヤフラム２ａに設け
たグリッド状の厚い部分２１にノズル用の貫通穴２２を
形成する。電極ガラス基板３の両面にＣｒ膜をスパッタ
成膜し、ネガレジストによりダイヤフラム２ａ上のノズ
ル部分２１に窓を形成するためパターニングし、Ｃｒマ
スクを形成し、バッファードフッ酸により両面からエッ
チングを行うことにより、貫通穴３２を形成する。この
基板に白金，ロジウム等の金属により対向電極および引
き出し電極３１を形成する。次に、ダイヤフラム２ａと
電極用ガラス基板３を陽極接合し、液室側ガラス基板１
より図１に示すようにダイヤフラム２ａまでをダイシン
グした後、各チップの切り離しのためのダイシングを行
い、請求項１に係る静電型インクジェットヘッドを作製
することができる。
【００１２】以上の実施例によるときは、精密加工を行
う必要がある部分については、陽極接合したＳｉ基板上
に不純物拡散による拡散プロファイルの制御、ドライエ
ッチングによる異方性加工等技術的に確立されたプロセ
スを用いて作り込み、精度よく加工することができ、他
方、深い溝あるいは貫通穴の加工が必要なガラス基板の
加工には、例えばＣｒマスクを用いたウエットエッチン
グを用いることができるから、コスト低減と制御性を両
立して素子を形成することができる。また、対抗電極と
Ｓｉ振動板とのギャップをチップ内の２点で決めること
によりチップ内及びウエハー内での素子のばらつきを低
減し高画質なインクジェットヘッドの形成が可能であ
る。
う必要がある部分については、陽極接合したＳｉ基板上
に不純物拡散による拡散プロファイルの制御、ドライエ
ッチングによる異方性加工等技術的に確立されたプロセ
スを用いて作り込み、精度よく加工することができ、他
方、深い溝あるいは貫通穴の加工が必要なガラス基板の
加工には、例えばＣｒマスクを用いたウエットエッチン
グを用いることができるから、コスト低減と制御性を両
立して素子を形成することができる。また、対抗電極と
Ｓｉ振動板とのギャップをチップ内の２点で決めること
によりチップ内及びウエハー内での素子のばらつきを低
減し高画質なインクジェットヘッドの形成が可能であ
る。
【００１３】図４に本発明の請求項２の静電型インクジ
ェットヘッドの構成を示した。液室ガラス基板１，ダイ
ヤフラムＳｉ基板２，電極ガラス基板３の三層の構成
は、請求項１に係る静電型インクジェットヘッドと同様
であるが、ダイヤフラム２ａに開けたノズル（貫通穴）
２２直下にオリフィス１２を設けた。この構成を採るこ
とにより、ノズル部分２１のダイヤフラム２２の必要厚
を、オリフィス１２の流体抵抗を加味して減少すること
ができる。そのため、ドライエッチングによる加工時間
を低減すると共に、ノズル形状の安定が可能となる。
ェットヘッドの構成を示した。液室ガラス基板１，ダイ
ヤフラムＳｉ基板２，電極ガラス基板３の三層の構成
は、請求項１に係る静電型インクジェットヘッドと同様
であるが、ダイヤフラム２ａに開けたノズル（貫通穴）
２２直下にオリフィス１２を設けた。この構成を採るこ
とにより、ノズル部分２１のダイヤフラム２２の必要厚
を、オリフィス１２の流体抵抗を加味して減少すること
ができる。そのため、ドライエッチングによる加工時間
を低減すると共に、ノズル形状の安定が可能となる。
【００１４】図５に本発明の請求項３の静電型インクジ
ェットヘッドの構成を示した。液室ガラス基板１，ダイ
ヤフラムＳｉ基板２，電極ガラス基板３の三層の構造
は、請求項２に係る静電型インクジェットヘッドと同様
であるが、ノズル２２及びオリフィス１２により液室１
１を分割し、かつ分割した液室の容積比に重みを付ける
ことにより、ノズル２２を共有する多値表現を可能とす
るインクジェットヘッドを完成した。
ェットヘッドの構成を示した。液室ガラス基板１，ダイ
ヤフラムＳｉ基板２，電極ガラス基板３の三層の構造
は、請求項２に係る静電型インクジェットヘッドと同様
であるが、ノズル２２及びオリフィス１２により液室１
１を分割し、かつ分割した液室の容積比に重みを付ける
ことにより、ノズル２２を共有する多値表現を可能とす
るインクジェットヘッドを完成した。
【００１５】本発明の請求項４に係る静電型インクジェ
ットヘッドの構成は、図１，図３及び図４に示すよう
に、液室側基板１にＳｉ基板２を陽極接合した後、電気
化学エッチングによりダイヤフラム２ａを形成してい
る。このことにより、研磨面に液室基板１を陽極接合で
き、液室密閉の信頼性の高いインクジェットヘッドを完
成した。
ットヘッドの構成は、図１，図３及び図４に示すよう
に、液室側基板１にＳｉ基板２を陽極接合した後、電気
化学エッチングによりダイヤフラム２ａを形成してい
る。このことにより、研磨面に液室基板１を陽極接合で
き、液室密閉の信頼性の高いインクジェットヘッドを完
成した。
【００１６】
【発明の効果】請求項１に対応する効果：精密加工を行
う必要がある部分を、陽極接合したＳｉ基板上に不純物
拡散による拡散プロファイルの制御、ドライエッチング
による異方性加工等技術的に確立されたプロセスを用い
て作り込み、精度よく加工することができる。
う必要がある部分を、陽極接合したＳｉ基板上に不純物
拡散による拡散プロファイルの制御、ドライエッチング
による異方性加工等技術的に確立されたプロセスを用い
て作り込み、精度よく加工することができる。
【００１７】請求項２の静電型インクジェットヘッド
は、ダイヤフラムに開けたノズル直下にオリフィスを設
けることにより、ノズル部分の必要厚みをオリフィスの
流路抵抗分だけ減少させることができ、ドライエッチン
グによる貫通穴形成工程の作業時間を短縮，加工コスト
低減を可能にする。
は、ダイヤフラムに開けたノズル直下にオリフィスを設
けることにより、ノズル部分の必要厚みをオリフィスの
流路抵抗分だけ減少させることができ、ドライエッチン
グによる貫通穴形成工程の作業時間を短縮，加工コスト
低減を可能にする。
【００１８】請求項３の静電型インクジェットヘッド
は、ノズル及びオリフィスにより液室を分割し、かつ分
割した液室の容積比に重みを付けることにより、ノズル
を共用する多値表現を可能とする。
は、ノズル及びオリフィスにより液室を分割し、かつ分
割した液室の容積比に重みを付けることにより、ノズル
を共用する多値表現を可能とする。
【００１９】請求項４の静電型インクジェットヘッド
は、液室側基板にＳｉ基板を陽極接合した後、電気化学
エッチングによりダイヤフラムを形成している。このこ
とにより、研磨面に液室基板を陽極接合でき、液室の接
合不良により発生するビット不良による歩留まり低下を
防ぐことができる。
は、液室側基板にＳｉ基板を陽極接合した後、電気化学
エッチングによりダイヤフラムを形成している。このこ
とにより、研磨面に液室基板を陽極接合でき、液室の接
合不良により発生するビット不良による歩留まり低下を
防ぐことができる。
【図１】 本発明の静電型インクジェットヘッドの実施
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図２】 図１に示す静電型インクジェットヘッドの実
施例における液室及びインク流路を示す図であって、図
２（Ａ）は平面斜視図、図２（Ｂ）は図２（Ａ）におけ
るＡ−Ａ断面図である。
施例における液室及びインク流路を示す図であって、図
２（Ａ）は平面斜視図、図２（Ｂ）は図２（Ａ）におけ
るＡ−Ａ断面図である。
【図３】 図１に示す静電型インクジェットヘッドのＳ
ｉ基板の平面斜視図である。
ｉ基板の平面斜視図である。
【図４】 本発明の静電型インクジェットヘッドの他の
実施例を示す断面図である。
実施例を示す断面図である。
【図５】 本発明の静電型インクジェットヘッドの他の
実施例を示す断面図である。
実施例を示す断面図である。
１…ガラス基板、２…Ｓｉ基板、２ａ…ダイヤフラム、
３…ガラス電極基板、１１…液室、１２…オリフィス
部、１３…インク流路、２１…ダイヤフラムノズル部、
２２…ノズル（貫通穴）、２３…ダイヤフラム振動板部
分、３１…対向電極及び引き出し電極、３２…貫通穴。
３…ガラス電極基板、１１…液室、１２…オリフィス
部、１３…インク流路、２１…ダイヤフラムノズル部、
２２…ノズル（貫通穴）、２３…ダイヤフラム振動板部
分、３１…対向電極及び引き出し電極、３２…貫通穴。
Claims (4)
- 【請求項１】 低濃度単結晶シリコン基板を有し、該シ
リコン基板がｐ−型のときにはｎ−型不純物を、ｎ−型
のときにはｐ−型不純物を高濃度に拡散させることによ
り、ｐｎ接合を形成し、前記シリコン基板の不純物拡散
側にガラス基板を陽極接合した後、その低濃度側を電気
化学エッチングすることによりダイヤフラムを形成した
インクジェットヘッドにおいて、前記ダイヤフラムを振
動板と、前記ｐｎ接合の深さを一部深くすることにより
形成した前記振動板よりも厚みを持つ部分に形成し、該
厚みを持つ部分にノズルを形成したことを特徴とするイ
ンクジェットヘッド。 - 【請求項２】 請求項１に記載されたインクジェットヘ
ッドにおいて、ノズルを形成した前記厚みを持つ部分を
分割された液室の分割位置に対応して形成し、かつノズ
ル直下の液室部分にインク吐出の際の流路抵抗部となる
オリフィスを設けたことを特徴とするインクジェットヘ
ッド。 - 【請求項３】 請求項２に記載されたインクジェットヘ
ッドにおいて、前記分割された液室の容積に重み付けを
行うことにより、多値表現を可能としたことを特徴とす
るインクジェットヘッド。 - 【請求項４】 請求項１，２および３のいずれかに記載
されたインクジェットヘッドにおいて、電気化学エッチ
ング前の前記ガラス基板の陽極接合面側に、液室が形成
されていることを特徴とするインクジェットヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12852598A JPH11320874A (ja) | 1998-05-12 | 1998-05-12 | インクジェットヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12852598A JPH11320874A (ja) | 1998-05-12 | 1998-05-12 | インクジェットヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11320874A true JPH11320874A (ja) | 1999-11-24 |
Family
ID=14986910
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12852598A Pending JPH11320874A (ja) | 1998-05-12 | 1998-05-12 | インクジェットヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11320874A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1108928C (zh) * | 2000-01-07 | 2003-05-21 | 威硕科技股份有限公司 | 用于列印装置的喷墨头及其制造方法 |
| CN103660575A (zh) * | 2012-09-26 | 2014-03-26 | 兄弟工业株式会社 | 制造液体喷射装置、喷嘴板的方法和液滴喷射装置 |
-
1998
- 1998-05-12 JP JP12852598A patent/JPH11320874A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1108928C (zh) * | 2000-01-07 | 2003-05-21 | 威硕科技股份有限公司 | 用于列印装置的喷墨头及其制造方法 |
| CN103660575A (zh) * | 2012-09-26 | 2014-03-26 | 兄弟工业株式会社 | 制造液体喷射装置、喷嘴板的方法和液滴喷射装置 |
| US9050802B2 (en) | 2012-09-26 | 2015-06-09 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing liquid jetting apparatus, method for manufacturing nozzle plate, and liquid droplet jetting apparatus |
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