JPH11316173A - Device and method for laser analysis - Google Patents
Device and method for laser analysisInfo
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- JPH11316173A JPH11316173A JP12118098A JP12118098A JPH11316173A JP H11316173 A JPH11316173 A JP H11316173A JP 12118098 A JP12118098 A JP 12118098A JP 12118098 A JP12118098 A JP 12118098A JP H11316173 A JPH11316173 A JP H11316173A
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ゲインスイッチ駆
動される半導体レーザが出射するレーザパルスの各種特
性を評価するレーザ分析装置および方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser analyzer and method for evaluating various characteristics of a laser pulse emitted from a semiconductor laser driven by a gain switch.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、半導体レーザが出射するレーザパ
ルスの各種特性を評価する場合、評価対象の半導体レー
ザをコムジェネレータが発生する電気パルス(ＦＷＨＭ
(Full Width Half Maximum)：５０ps〜)によりゲインス
イッチ駆動してレーザパルスを出射させる。2. Description of the Related Art Conventionally, when various characteristics of a laser pulse emitted from a semiconductor laser are evaluated, an electric pulse (FWHM) generated by a comb generator is used to evaluate the semiconductor laser to be evaluated.
(Full Width Half Maximum): 50 ps to drive the gain switch to emit a laser pulse.
【０００３】このレーザパルスを高速光電変換素子を組
み合わせたサンプリングオシロスコープやストリークカ
メラなどの測定光学系で測定することにより、例えば、
半導体レーザの限界パルス幅、利得変動、発振遅延、等
の各種特性を評価することができる。[0003] By measuring this laser pulse with a measuring optical system such as a sampling oscilloscope or a streak camera combined with a high-speed photoelectric conversion element, for example,
Various characteristics of a semiconductor laser, such as a limit pulse width, a gain variation, and an oscillation delay, can be evaluated.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】上述のような手法によ
り、半導体レーザの限界パルス幅などの各種特性を評価
することができる。According to the above-described method, various characteristics such as a limit pulse width of a semiconductor laser can be evaluated.
【０００５】しかし、上述の手法の場合、応答性が高速
な半導体レーザの限界パルス幅を評価するためには、そ
の駆動電力として極度に幅狭の電気パルスを発生させる
必要があるが、コムジェネレータは発生する電気パルス
のパルス幅の短縮に限界がある。However, in the case of the above-described method, it is necessary to generate an extremely narrow electric pulse as driving power in order to evaluate the limit pulse width of a semiconductor laser having a high response speed. There is a limit in reducing the pulse width of the generated electric pulse.
【０００６】また、半導体レーザに対してコムジェネレ
ータや測定光学系などにタイミングジッタが存在する
と、これでレーザパルスのパルス幅の測定限界が制限さ
れるので、半導体レーザの利得変動や発振遅延を良好な
精度で測定することが困難である。Also, if timing jitter is present in a comb generator, a measuring optical system, or the like with respect to a semiconductor laser, the measurement limit of the pulse width of the laser pulse is limited, so that gain fluctuation and oscillation delay of the semiconductor laser can be reduced. It is difficult to measure with high accuracy.
【０００７】本発明は上述のような課題に鑑みてなされ
たものであり、応答性が高速な半導体レーザの利得変動
や発振遅延を簡単に測定できるレーザ分析装置および方
法を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and has as its object to provide a laser analyzer and a method which can easily measure gain fluctuation and oscillation delay of a semiconductor laser having a high response speed. I do.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明の一のレーザ分析
装置は、モード同期がロックされた状態でサンプリング
用のレーザパルスを出射するモードロックレーザと、評
価対象の半導体レーザの駆動電力を発生する電力発生手
段と、該電力発生手段が発生する駆動電力を前記レーザ
分岐手段が出射するサンプリング用のレーザパルスに同
期して電気パルスに変換する第一受光素子と、該第一受
光素子により変換された電気パルスの供給により前記半
導体レーザが出射する評価対象のレーザパルスを光電変
換する第二受光素子と、該第二受光素子の出力信号を前
記モードロックレーザが出射するサンプリング用のレー
ザパルスに同期してサンプリングする第三受光素子と、
を具備している。According to one aspect of the present invention, there is provided a laser analyzer for generating a mode-locked laser which emits a sampling laser pulse in a state where mode locking is locked, and a drive power for a semiconductor laser to be evaluated. Power generating means, a first light receiving element for converting drive power generated by the power generating means into an electric pulse in synchronization with a sampling laser pulse emitted from the laser branching means, and conversion by the first light receiving element. A second light receiving element that photoelectrically converts a laser pulse to be evaluated emitted by the semiconductor laser by supplying the applied electric pulse, and an output signal of the second light receiving element to a sampling laser pulse emitted by the mode-locked laser. A third light-receiving element that samples synchronously,
Is provided.
【０００９】従って、本発明のレーザ分析装置は、モー
ド同期がロックされた状態のモードロックレーザにより
サンプリング用のレーザパルスが出射され、このサンプ
リング用のレーザパルスに同期して電力発生手段が発生
する半導体レーザの駆動電力が第一受光素子により電気
パルスに変換される。この電気パルスの供給により半導
体レーザが出射する評価対象のレーザパルスが第二受光
素子により光電変換され、その出力信号がサンプリング
用のレーザパルスに同期して第三受光素子によりサンプ
リングされる。Therefore, in the laser analyzer according to the present invention, a laser pulse for sampling is emitted by the mode-locked laser in a state where the mode locking is locked, and the power generating means is generated in synchronization with the laser pulse for sampling. The driving power of the semiconductor laser is converted into an electric pulse by the first light receiving element. The laser pulse to be evaluated emitted from the semiconductor laser by the supply of the electric pulse is photoelectrically converted by the second light receiving element, and the output signal is sampled by the third light receiving element in synchronization with the laser pulse for sampling.
【００１０】本発明の他のレーザ分析装置は、モード同
期がロックされた状態でサンプリング用のレーザパルス
を出射するモードロックレーザと、該モードロックレー
ザから出射されたサンプリング用のレーザパルスを第一
光路と第二光路とに分岐させるレーザ分岐手段と、該レ
ーザ分岐手段により分岐された第二光路のサンプリング
用のレーザパルスを所定時間だけ遅延させるレーザ遅延
手段と、評価対象の半導体レーザを保持する対象保持手
段と、前記半導体レーザに供給される駆動電力を発生す
る電力発生手段と、該電力発生手段から前記半導体レー
ザに供給される駆動電力を前記レーザ分岐手段により分
岐された第一光路から入力されるサンプリング用のレー
ザパルスに同期して電気パルスに変換する第一受光素子
と、該第一受光素子により変換された電気パルスの供給
により前記半導体レーザが出射する評価対象のレーザパ
ルスを光電変換する第二受光素子と、該第二受光素子の
出力信号を前記レーザ遅延手段により遅延された第二光
路のサンプリング用のレーザパルスに同期してサンプリ
ングする第三受光素子と、該第三受光素子の出力信号を
積分する結果積分手段と、を具備している。According to another aspect of the present invention, there is provided a mode-locked laser that emits a sampling laser pulse in a state where mode locking is locked, and a sampling laser pulse emitted from the mode-locked laser. A laser branching unit for branching into an optical path and a second optical path, a laser delaying unit for delaying a laser pulse for sampling of the second optical path branched by the laser branching unit by a predetermined time, and holding a semiconductor laser to be evaluated Object holding means, power generation means for generating drive power supplied to the semiconductor laser, and drive power supplied to the semiconductor laser from the power generation means input from a first optical path branched by the laser branch means A first light receiving element for converting an electric pulse in synchronization with a sampling laser pulse to be sampled, and the first light receiving element A second light receiving element that photoelectrically converts a laser pulse to be evaluated emitted from the semiconductor laser by supplying the electric pulse converted by the second light receiving element, and a second optical path in which an output signal of the second light receiving element is delayed by the laser delay unit A third light receiving element for sampling in synchronization with the sampling laser pulse, and a result integrating means for integrating an output signal of the third light receiving element.
【００１１】従って、本発明のレーザ分析装置では、モ
ード同期がロックされた状態のモードロックレーザによ
りサンプリング用のレーザパルスが出射され、このサン
プリング用のレーザパルスがレーザ分岐手段により第一
光路と第二光路とに分岐される。この分岐された第一光
路のサンプリング用のレーザパルスは第一受光素子に入
射され、第二光路のサンプリング用のレーザパルスはレ
ーザ遅延手段に入射される。対象保持手段により保持さ
れた評価対象の半導体レーザに電力発生手段から供給さ
れる駆動電力が、第一受光素子により第一光路から入力
されるサンプリング用のレーザパルスに同期して電気パ
ルスに変換され、この電気パルスの供給により半導体レ
ーザが出射する評価対象のレーザパルスが第二受光素子
により光電変換される。この第二受光素子の出力信号が
レーザ遅延手段により所定時間だけ遅延された第二光路
のサンプリング用のレーザパルスに同期して第三受光素
子によりサンプリングされ、このサンプリングされた第
三受光素子の出力信号が結果積分手段により積分され
る。Therefore, in the laser analyzer according to the present invention, a sampling laser pulse is emitted by the mode-locked laser in which the mode locking is locked, and the sampling laser pulse is transmitted to the first optical path by the laser branching means. It is branched into two light paths. The branched laser pulse for the first optical path enters the first light receiving element, and the sampling laser pulse for the second optical path enters the laser delay means. The driving power supplied from the power generation unit to the semiconductor laser to be evaluated held by the target holding unit is converted into an electric pulse by the first light receiving element in synchronization with the sampling laser pulse input from the first optical path. The laser pulse to be evaluated emitted from the semiconductor laser by the supply of the electric pulse is photoelectrically converted by the second light receiving element. The output signal of the second light receiving element is sampled by the third light receiving element in synchronization with the sampling laser pulse of the second optical path delayed by a predetermined time by the laser delay means, and the output of the sampled third light receiving element The signal is integrated by the result integration means.
【００１２】モード同期がロックされたモードロックレ
ーザは、例えば、“１００×１０-1 5(sec)”などの数ピ
コ秒のレベルで発振したレーザパルスを出射するので、
これに対応して駆動電力を電気パルスに変換すれば、半
導体レーザは数ピコ秒のレベルで発振駆動された状態で
レーザパルスを出射する。ただし、このレーザパルスに
は半導体レーザの動作特性だけでなくモードロックレー
ザの動作特性も反映されているので、このモードロック
レーザのレーザパルスの発振タイミングで半導体レーザ
のレーザパルスをサンプリングすれば、このサンプリン
グ結果は半導体レーザの動作特性のみ反映する状態とな
る。[0012] mode locking and locked mode locked laser, for example, because it emits laser pulses oscillated at the level of a few picoseconds, such as "100 × 10 -1 5 (sec )",
If the driving power is converted into an electric pulse in response to this, the semiconductor laser emits the laser pulse while being driven to oscillate at a level of several picoseconds. However, since this laser pulse reflects not only the operating characteristics of the semiconductor laser but also the operating characteristics of the mode-locked laser, if the laser pulse of the semiconductor laser is sampled at the oscillation timing of the laser pulse of the mode-locked laser, The sampling result reflects only the operating characteristics of the semiconductor laser.
【００１３】上述のようなレーザ分析装置において、前
記第一受光素子と前記第二受光素子と前記第三受光素子
とが、フォトコンダクタからなることも可能である。こ
の場合、フォトコンダクタは、数ピコ秒のレベルでも良
好な応答性で動作するので、高速に発振したレーザパル
スが適正に光電変換される。In the above-described laser analyzer, the first light receiving element, the second light receiving element, and the third light receiving element may be formed of a photoconductor. In this case, the photoconductor operates with good responsiveness even at a level of several picoseconds, so that the laser pulse oscillated at high speed is properly photoelectrically converted.
【００１４】上述のようなレーザ分析装置において、前
記第一受光素子のフォトコンダクタが、半絶縁性基板
と、該半絶縁性基板の表面に狭小のギャップを介してコ
プレーナラインで形成された一対の電極とを、さらに具
備していることも可能である。この場合、半絶縁性基板
の表面に狭小のギャップを介してコプレーナラインで形
成された一対の電極が、入射するレーザパルスに同期し
て半導体レーザの駆動電力を電気パルスに変換する第一
受光素子のフォトコンダクタとして機能する。[0014] In the above-described laser analyzer, the photoconductor of the first light receiving element may include a semi-insulating substrate and a pair of coplanar lines formed on the surface of the semi-insulating substrate with a small gap therebetween. And an electrode. In this case, a pair of electrodes formed by a coplanar line on the surface of the semi-insulating substrate with a narrow gap therebetween is used as a first light receiving element for converting the driving power of the semiconductor laser into an electric pulse in synchronization with an incident laser pulse. Functions as a photoconductor.
【００１５】上述のようなレーザ分析装置において、前
記第二受光素子と前記第三受光素子とのフォトコンダク
タが一個の半導体基板に一体に形成されていることも可
能である。この場合、第二受光素子から第三受光素子へ
の信号伝送の所用時間が最小となり、第二受光素子の出
力信号をサンプリングする第三受光素子の動作が遅滞す
ることがない。In the above-described laser analyzer, the photoconductor of the second light receiving element and the photoconductor of the third light receiving element may be formed integrally on one semiconductor substrate. In this case, the time required for signal transmission from the second light receiving element to the third light receiving element is minimized, and the operation of the third light receiving element that samples the output signal of the second light receiving element does not delay.
【００１６】上述のようなレーザ分析装置において、前
記第二受光素子のフォトコンダクタが、前記半絶縁性基
板の表面に狭小のギャップを介してコプレーナラインで
形成された第一電極および第二電極からなり、前記第三
受光素子のフォトコンダクタが、前記半絶縁性基板の表
面に狭小のギャップを介してコプレーナラインで形成さ
れた前記第二電極および第三電極からなることも可能で
ある。In the above-described laser analyzer, the photoconductor of the second light receiving element is formed by a coplanar line formed on the surface of the semi-insulating substrate through a narrow gap. It is also possible that the photoconductor of the third light receiving element comprises the second electrode and the third electrode formed by a coplanar line on the surface of the semi-insulating substrate via a narrow gap.
【００１７】この場合、第二受光素子のフォトコンダク
タが電気信号を出力する第二電極と、第三受光素子のフ
ォトコンダクタが電気信号を入力する第二電極とが一個
なので、簡単な構造で第二受光素子から第三受光素子へ
の信号伝送の所用時間が最小となる。In this case, the photoconductor of the second light receiving element has one second electrode for outputting an electric signal and the photoconductor of the third light receiving element has one second electrode for inputting an electric signal. The time required for signal transmission from the second light receiving element to the third light receiving element is minimized.
【００１８】上述のようなレーザ分析装置において、前
記モードロックレーザの出射するレーザパルスに同期し
て前記半導体レーザが出射するレーザパルスが前記第二
受光素子に光電変換されるまでの所用時間と、前記モー
ドロックレーザの出射するレーザパルスに同期して前記
第三受光素子が前記第二受光素子の出力信号をサンプリ
ングするまでの所用時間と、が略一致していることも可
能である。In the above-described laser analyzer, a time required for a laser pulse emitted from the semiconductor laser to be photoelectrically converted by the second light receiving element in synchronization with a laser pulse emitted from the mode-locked laser; The required time until the third light receiving element samples the output signal of the second light receiving element in synchronization with the laser pulse emitted from the mode-locked laser may be substantially the same.
【００１９】この場合、モードロックレーザの出射する
レーザパルスに同期して半導体レーザが出射するレーザ
パルスが第二受光素子に光電変換されるとき、その出力
信号はモードロックレーザの出射する同一のレーザパル
スに同期して第三受光素子によりサンプリングされるの
で、このサンプリング結果はモードロックレーザの動作
特性が排除されている。In this case, when a laser pulse emitted from the semiconductor laser is photoelectrically converted by the second light receiving element in synchronization with the laser pulse emitted from the mode-locked laser, the output signal is the same laser emitted from the mode-locked laser. Since the sampling is performed by the third light receiving element in synchronization with the pulse, the operation characteristics of the mode-locked laser are excluded from the sampling result.
【００２０】上述のようなレーザ分析装置において、前
記レーザ遅延手段が、直角に対向する一対の反射ミラー
でサンプリング用のレーザパルスを入射方向と反対方向
に反転させる反転光学系と、該反転光学系を光路方向に
移動自在に支持する遅延可変手段を具備していることも
可能である。In the above-described laser analyzer, the laser delay means includes an inversion optical system for inverting a sampling laser pulse in a direction opposite to an incident direction by a pair of reflection mirrors facing at right angles, and the inversion optical system. It is also possible to provide a variable delay means for movably supporting in the optical path direction.
【００２１】この場合、反転光学系の直角に対向する一
対の反射ミラーによりサンプリング用のレーザパルスが
入射方向と反対方向に反転されるので、この反転光学系
が遅延可変手段により光路方向に移動されると第二光路
の光路長が可変される。そこで、この第二光路の光路長
の可変により、モードロックレーザの出射するレーザパ
ルスに同期して半導体レーザが出射するレーザパルスが
第二受光素子に光電変換されるまでの所用時間と、モー
ドロックレーザの出射するレーザパルスに同期して第三
受光素子が第二受光素子の出力信号をサンプリングする
までの所用時間と、が略一致され、サンプリング結果の
パルス幅も変化する。In this case, the sampling laser pulse is reversed in the direction opposite to the incident direction by a pair of reflecting mirrors facing the right angle of the reversing optical system, so that the reversing optical system is moved in the optical path direction by the variable delay means. Then, the optical path length of the second optical path is changed. Therefore, by changing the optical path length of the second optical path, the time required until the laser pulse emitted from the semiconductor laser is photoelectrically converted to the second light receiving element in synchronization with the laser pulse emitted from the mode-locked laser, The time required for the third light receiving element to sample the output signal of the second light receiving element in synchronization with the laser pulse emitted from the laser is substantially matched, and the pulse width of the sampling result also changes.
【００２２】なお、本発明で云う各種手段は、その機能
を実現するように形成されていれば良く、例えば、専用
のハードウェア、適正な機能がプログラムにより付与さ
れたコンピュータ、適正なプログラムによりコンピュー
タの内部に実現された機能、これらの組み合わせ、等を
許容する。The various means referred to in the present invention only need to be formed so as to realize their functions. For example, dedicated hardware, a computer provided with appropriate functions by a program, a computer provided by an appropriate program , The functions realized inside, and the combination thereof are allowed.
【００２３】[0023]
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図１ないし
図３を参照して以下に説明する。なお、図１は本実施の
形態のレーザ分析装置を示す模式図、図２は第一受光素
子である第一フォトコンダクタを示す平面図、図３は第
一フォトコンダクタの要部を示す平面図である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. FIG. 1 is a schematic view showing a laser analyzer of the present embodiment, FIG. 2 is a plan view showing a first photoconductor as a first light receiving element, and FIG. 3 is a plan view showing a main part of the first photoconductor. It is.
【００２４】本実施の形態のレーザ分析装置１は、モー
ドロックレーザ２を具備しており、このモードロックレ
ーザ２の出射光路にレーザ分岐手段としてビームスプリ
ッタ３が配置されている。The laser analyzer 1 according to the present embodiment includes a mode-locked laser 2, and a beam splitter 3 is disposed on an emission optical path of the mode-locked laser 2 as a laser branching unit.
【００２５】モードロックレーザ２は、モード同期がロ
ックされた状態でサンプリング用のレーザパルスを出射
し、ビームスプリッタ３は、モードロックレーザ２から
出射されたサンプリング用のレーザパルスを第一光路４
と第二光路５とに分岐させる。The mode-locked laser 2 emits a sampling laser pulse in a state where the mode synchronization is locked, and the beam splitter 3 outputs the sampling laser pulse emitted from the mode-locked laser 2 to the first optical path 4.
And a second optical path 5.
【００２６】第一光路４には、第一受光素子である第一
フォトコンダクタ６が配置されており、この第一フォト
コンダクタ６は、電力発生手段である直流電源７と評価
対象の半導体レーザ８とを接続する配線に挿入されてい
る。この半導体レーザ８は、バイアス電源９も接続され
て対象保持手段であるレーザ保持ホルダ（図示せず）に
より所定位置に保持されており、直流電源７は、半導体
レーザ８に供給される駆動電力を発生する。In the first optical path 4, a first photoconductor 6 as a first light receiving element is disposed. The first photoconductor 6 includes a DC power supply 7 as a power generating means and a semiconductor laser 8 to be evaluated. Is inserted into the wiring connecting the The semiconductor laser 8 is also connected to a bias power supply 9 and is held at a predetermined position by a laser holding holder (not shown) serving as an object holding unit. The DC power supply 7 controls the driving power supplied to the semiconductor laser 8. Occur.
【００２７】第一フォトコンダクタ６は、図２および図
３に示すように、ＬＴ(Low Temperture)ＧａＡｓ製の半
絶縁性基板１１を具備しており、この半絶縁性基板１１
の表面に狭小のギャップ１２を介してコプレーナライン
で一対の電極１３，１４が形成されている。As shown in FIGS. 2 and 3, the first photoconductor 6 has a semi-insulating substrate 11 made of LT (Low Temperture) GaAs.
A pair of electrodes 13 and 14 are formed in a coplanar line via a narrow gap 12 on the surface of the substrate.
【００２８】第一フォトコンダクタ６は、直流電源７か
ら電極１３，１４を順番に介して半導体レーザ８まで供
給される駆動電力を、第一光路４から電極１３，１４の
ギャップ１２に入力されるサンプリング用のレーザパル
スに同期して電気パルスに変換する。The first photoconductor 6 inputs the driving power supplied from the DC power supply 7 to the semiconductor laser 8 via the electrodes 13 and 14 in this order from the first optical path 4 to the gap 12 between the electrodes 13 and 14. It is converted into an electric pulse in synchronization with the laser pulse for sampling.
【００２９】第二光路５には、レーザ遅延手段であるレ
ーザ遅延装置２１が設けられており、このレーザ遅延装
置２１は、一個のミラー２２と一個の反転光学系２３か
らなる。この反転光学系２３は、直角に対向する一対の
反射ミラー２４，２５からなり、遅延可変手段である遅
延可変機構（図示せず）により支持されている。The second optical path 5 is provided with a laser delay unit 21 serving as a laser delay unit. The laser delay unit 21 includes one mirror 22 and one inversion optical system 23. The reversing optical system 23 includes a pair of reflection mirrors 24 and 25 facing at right angles, and is supported by a variable delay mechanism (not shown) as variable delay means.
【００３０】ミラー２２は、第二光路５の方向を直角に
偏向し、反転光学系２３は、偏向された第二光路５を入
射方向と反対方向に反転させる。遅延可変機構は、例え
ば、ガイドレールや差動ネジ機構などで形成されてお
り、反転光学系２３を光路方向に移動自在に支持してい
る。The mirror 22 deflects the direction of the second optical path 5 at right angles, and the reversing optical system 23 reverses the deflected second optical path 5 in the direction opposite to the incident direction. The variable delay mechanism is formed of, for example, a guide rail or a differential screw mechanism, and supports the reversing optical system 23 movably in the optical path direction.
【００３１】このため、レーザ遅延装置２１は、ビーム
スプリッタ３により分岐された第二光路５のサンプリン
グ用のレーザパルスを所定時間だけ遅延させるが、反転
光学系２３と遅延可変機構により第二光路５の光路長が
可変自在とされているので、レーザパルスの遅延時間も
可変自在とされている。For this reason, the laser delay unit 21 delays the sampling laser pulse of the second optical path 5 branched by the beam splitter 3 by a predetermined time, but the second optical path 5 is inverted by the inverting optical system 23 and the variable delay mechanism. Is variable, so that the delay time of the laser pulse is also variable.
【００３２】レーザ保持ホルダにより保持された半導体
レーザ８の出射光路にもミラー２６が配置されており、
このミラー２６は半導体レーザ８が出射するパルスレー
ザをレーザ遅延装置２１の光路と平行に偏向する。ミラ
ー２６により偏向された半導体レーザ８の出射光路２７
には、第二受光素子である第二フォトコンダクタ２８が
配置されており、レーザ遅延装置２１により遅延された
第二光路５には、第三受光素子である第三フォトコンダ
クタ２９が配置されている。A mirror 26 is also arranged on the emission optical path of the semiconductor laser 8 held by the laser holding holder.
The mirror 26 deflects the pulse laser emitted from the semiconductor laser 8 in parallel with the optical path of the laser delay device 21. Emission optical path 27 of semiconductor laser 8 deflected by mirror 26
, A second photoconductor 28 as a second light receiving element is disposed, and a third photoconductor 29 as a third light receiving element is disposed on the second optical path 5 delayed by the laser delay device 21. I have.
【００３３】第二フォトコンダクタ２８は、半絶縁性基
板３１の表面に狭小のギャップ３２を介してコプレーナ
ラインで形成された第一電極３３および第二電極３４か
らなり、第三フォトコンダクタ２９は、半絶縁性基板３
１の表面に狭小のギャップ３５を介してコプレーナライ
ンで形成された第二電極３４および第三電極３６からな
るので、第二フォトコンダクタ２８と第三フォトコンダ
クタ２９とは、一個の半導体基板３１に一体に形成され
ている。The second photoconductor 28 comprises a first electrode 33 and a second electrode 34 formed on the surface of a semi-insulating substrate 31 through a narrow gap 32 by a coplanar line. Semi-insulating substrate 3
The second photoconductor 28 and the third photoconductor 29 are formed on the surface of the semiconductor substrate 31 by a second electrode 34 and a third electrode 36 formed in a coplanar line with a small gap 35 on the surface of the semiconductor substrate 31. It is formed integrally.
【００３４】第二フォトコンダクタ２８は、半導体レー
ザ８が出射する評価対象のレーザパルスを光電変換し、
第三フォトコンダクタ２９は、第二フォトコンダクタ２
８の出力信号をレーザ遅延装置２１により遅延された第
二光路５のサンプリング用のレーザパルスに同期してサ
ンプリングする。The second photoconductor 28 photoelectrically converts a laser pulse to be evaluated emitted from the semiconductor laser 8,
The third photoconductor 29 is the second photoconductor 2
8 is sampled in synchronization with the sampling laser pulse of the second optical path 5 delayed by the laser delay device 21.
【００３５】なお、本実施の形態のレーザ分析装置１で
は、レーザ遅延装置２１の遅延時間が遅延可変機構で調
節されることにより、モードロックレーザ２の出射する
レーザパルスに同期して半導体レーザ８が出射するレー
ザパルスが第二フォトコンダクタ２８に光電変換される
までの所用時間と、モードロックレーザ２の出射するレ
ーザパルスに同期して第三フォトコンダクタ２９が第二
フォトコンダクタ２８の出力信号をサンプリングするま
での所用時間と、が一致している。In the laser analyzer 1 of this embodiment, the semiconductor laser 8 is synchronized with the laser pulse emitted from the mode-locked laser 2 by adjusting the delay time of the laser delay unit 21 by the variable delay mechanism. The third photoconductor 29 outputs the output signal of the second photoconductor 28 in synchronization with the time required for the laser pulse emitted from the second photoconductor 28 to be photoelectrically converted by the second photoconductor 28 and the laser pulse emitted by the mode-locked laser 2. The required time until sampling is the same.
【００３６】第二フォトコンダクタ２８の第一第二電極
３３，３４には、直流電源４１と終端抵抗４２とが個々
に接続されており、第三フォトコンダクタ２９の第三電
極３６には、結果積分手段であるローパスフィルタ４３
が接続されている。このローパスフィルタ４３には、信
号増幅手段であるアンプユニット４４が接続されてお
り、このアンプユニット４４には、結果表示手段である
ディスプレイユニット４５が接続されている。A DC power supply 41 and a terminating resistor 42 are individually connected to the first and second electrodes 33 and 34 of the second photoconductor 28, respectively. Low-pass filter 43 as integration means
Is connected. The low-pass filter 43 is connected to an amplifier unit 44 serving as a signal amplifying unit, and the amplifier unit 44 is connected to a display unit 45 serving as a result display unit.
【００３７】直流電源４１と終端抵抗４２とは、第二第
三フォトコンダクタ２８，２９にバイアス電圧を印加
し、ローパスフィルタ４３は、第三フォトコンダクタ２
９のサンプリング結果である出力信号を積分する。アン
プユニット４４は、ローパスフィルタ４３の積分結果で
ある出力信号を所定電圧まで増幅し、ディスプレイユニ
ット４５は、アンプユニット４４で増幅された出力信号
を表示出力する。The DC power supply 41 and the terminating resistor 42 apply a bias voltage to the second and third photoconductors 28 and 29, and the low-pass filter 43 applies a bias voltage to the third photoconductor 2.
The output signal which is the sampling result of No. 9 is integrated. The amplifier unit 44 amplifies the output signal that is the integration result of the low-pass filter 43 to a predetermined voltage, and the display unit 45 displays and outputs the output signal amplified by the amplifier unit 44.
【００３８】上述のような構成において、本実施の形態
のレーザ分析装置１では、レーザパルスの限界パルス
幅、利得変動、発振遅延、等のレーザ装置２の各種特性
を評価することができる。その場合、評価対象の半導体
レーザ８をレーザ保持ホルダにより所定位置に保持し、
このように保持した半導体レーザ８に第一フォトコンダ
クタ６を介して直流電源７を接続するとともにバイアス
電源９を接続する。With the above-described configuration, the laser analyzer 1 of the present embodiment can evaluate various characteristics of the laser device 2, such as a limit pulse width of a laser pulse, a gain variation, and an oscillation delay. In that case, the semiconductor laser 8 to be evaluated is held at a predetermined position by a laser holding holder,
A DC power source 7 is connected to the semiconductor laser 8 thus held via the first photoconductor 6 and a bias power source 9 is connected.
【００３９】このような状態で、モード同期がロックさ
れたモードロックレーザ２に、“１００×１０-15(se
c)”などの数ピコ秒のレベルで発振したサンプリング用
のレーザパルスを出射させ、このサンプリング用のレー
ザパルスをビームスプリッタ３により第一光路４と第二
光路５とに分岐させる。In such a state, the mode-locked laser 2 whose mode synchronization is locked is supplied with “100 × 10 −15 (sequence).
c) A laser pulse for sampling oscillated at a level of several picoseconds such as "" is emitted, and the laser pulse for sampling is split into a first optical path 4 and a second optical path 5 by a beam splitter 3.
【００４０】この分岐された第一光路４のサンプリング
用のレーザパルスは第一フォトコンダクタ６に入射され
るので、これで半導体レーザ８に直流電源７から供給さ
れる駆動電力が、サンプリング用のレーザパルスに同期
して数ピコ秒のレベルで発振した電気パルスに変換され
る。Since the branched laser pulse for the first optical path 4 is incident on the first photoconductor 6, the driving power supplied from the DC power supply 7 to the semiconductor laser 8 is changed to the sampling laser pulse. It is converted into an electric pulse oscillated at a level of several picoseconds in synchronization with the pulse.
【００４１】この電気パルスの供給により、半導体レー
ザ８が評価対象のレーザパルスを電気パルスに同期して
発振した状態で出射することになり、この評価対象のレ
ーザパルスが第二フォトコンダクタ２８により評価対象
の電気パルスに光電変換される。By the supply of the electric pulse, the semiconductor laser 8 emits the laser pulse to be evaluated in a state of oscillating in synchronization with the electric pulse, and the laser pulse to be evaluated is evaluated by the second photoconductor 28. It is photoelectrically converted into a target electric pulse.
【００４２】一方、上述の動作と同時に第二光路５のサ
ンプリング用のレーザパルスは、レーザ遅延装置２１に
より所定時間だけ遅延されてから第三フォトコンダクタ
２９に入射されるので、この第三フォトコンダクタ２９
により第二フォトコンダクタ２８の出力信号がサンプリ
ング用のレーザパルスに同期してサンプリングされる。On the other hand, at the same time as the above operation, the sampling laser pulse in the second optical path 5 is delayed by a predetermined time by the laser delay device 21 and then enters the third photoconductor 29. 29
Thus, the output signal of the second photoconductor 28 is sampled in synchronization with the sampling laser pulse.
【００４３】このとき、モードロックレーザ２の出射す
るレーザパルスに同期して半導体レーザ８が出射するレ
ーザパルスが第二フォトコンダクタ２８に光電変換され
るまでの所用時間と、モードロックレーザ２の出射する
レーザパルスに同期して第三フォトコンダクタ２９が第
二フォトコンダクタ２８の出力信号をサンプリングする
までの所用時間と、が一致している。At this time, the time required until the laser pulse emitted from the semiconductor laser 8 is photoelectrically converted by the second photoconductor 28 in synchronization with the laser pulse emitted from the mode-locked laser 2 and the emission time of the mode-locked laser 2 The time required for the third photoconductor 29 to sample the output signal of the second photoconductor 28 in synchronization with the laser pulse to be output coincides.
【００４４】このため、第一光路４のサンプリング用の
レーザパルスの特定パルスに対応した第二フォトコンダ
クタ２８の出力信号は、第二光路５のサンプリング用の
レーザパルスの同一パルスに同期して第三フォトコンダ
クタ２９によりサンプリングされる。For this reason, the output signal of the second photoconductor 28 corresponding to the specific pulse of the sampling laser pulse on the first optical path 4 is synchronized with the same pulse of the sampling laser pulse on the second optical path 5 for the second pulse. Sampled by the three photoconductor 29.
【００４５】このようにサンプリングされた第三フォト
コンダクタ２９の出力信号がローパスフィルタ４３によ
り積分され、アンプユニット４４で増幅されてからディ
スプレイユニット４５に表示出力されるので、これが半
導体レーザ８の各種特性の評価結果としてユーザに提供
される。The sampled output signal of the third photoconductor 29 is integrated by the low-pass filter 43, amplified by the amplifier unit 44, and output to the display unit 45 for display. Is provided to the user as the evaluation result.
【００４６】本実施の形態のレーザ分析装置１は、上述
のようにモードロックレーザ２に“１００×１０-15(se
c)”などの数ピコ秒のレベルで発振したレーザパルスを
出射させ、このレーザパルスに同期させて第一フォトコ
ンダクタ６により評価対象の半導体レーザ８の駆動電力
を高速にスイッチングする。As described above, the laser analyzer 1 of the present embodiment provides the mode-locked laser 2 with “100 × 10 −15 (se
c) A laser pulse oscillated at a level of several picoseconds such as "" is emitted, and the driving power of the semiconductor laser 8 to be evaluated is rapidly switched by the first photoconductor 6 in synchronization with the laser pulse.
【００４７】このため、評価対象の半導体レーザ８に数
ピコ秒のレベルで発振した電気パルスを供給することが
でき、半導体レーザ８の応答性が極度に高速な場合で
も、そのレーザパルスの限界パルス幅や利得変動や発振
遅延などの各種特性を評価することができる。Therefore, an electric pulse oscillated at a level of several picoseconds can be supplied to the semiconductor laser 8 to be evaluated. Even if the response of the semiconductor laser 8 is extremely high, the limit pulse of the laser pulse can be supplied. Various characteristics such as width, gain fluctuation and oscillation delay can be evaluated.
【００４８】ただし、上述のように生成して半導体レー
ザ８に供給する電気パルスには、モードロックレーザ２
の動作特性も反映されているので、この電気パルスの供
給により半導体レーザ８が出射するパルスレーザにもモ
ードロックレーザ２の動作特性が反映されていることに
なる。However, the electric pulse generated as described above and supplied to the semiconductor laser 8 includes the mode-locked laser 2
Since the operating characteristics of the mode-locked laser 2 are also reflected, the operating characteristics of the mode-locked laser 2 are also reflected in the pulse laser emitted from the semiconductor laser 8 by the supply of the electric pulse.
【００４９】しかし、本実施の形態のレーザ分析装置１
では、第一光路４のサンプリング用のレーザパルスの特
定パルスに対応した第二フォトコンダクタ２８の出力信
号を、第二光路５のサンプリング用のレーザパルスの同
一パルスに同期して第三フォトコンダクタ２９によりサ
ンプリングする。However, the laser analyzer 1 of the present embodiment
Then, the output signal of the second photoconductor 28 corresponding to the specific pulse of the sampling laser pulse on the first optical path 4 is synchronized with the same pulse of the sampling laser pulse on the second optical path 5 to obtain the third photoconductor 29. Is sampled by
【００５０】このため、このサンプリング結果にはモー
ドロックレーザ２の動作特性が排除されて半導体レーザ
８の動作特性のみ反映していることになるので、本実施
の形態のレーザ分析装置１は、半導体レーザ８の各種特
性を良好に評価することができる。For this reason, since the operating characteristics of the mode-locked laser 2 are excluded from the sampling result and only the operating characteristics of the semiconductor laser 8 are reflected, the laser analyzer 1 of the present embodiment Various characteristics of the laser 8 can be evaluated well.
【００５１】しかも、本実施の形態のレーザ分析装置１
では、レーザ遅延装置２１が反転光学系２３を移動自在
に支持して光路長を可変自在としているので、その遅延
時間の調節により上述のように第一第二フォトコンダク
タ２８，２９のタイミングを適正に同期させることがで
き、最終結果のパルス幅を可変するようなこともでき
る。Moreover, the laser analyzer 1 of the present embodiment
Since the laser delay device 21 movably supports the reversing optical system 23 and makes the optical path length variable, the timing of the first and second photoconductors 28 and 29 can be appropriately adjusted by adjusting the delay time as described above. And the pulse width of the final result can be varied.
【００５２】また、レーザパルスに同期した電気パルス
の生成などを各種のフォトコンダクタ６，２８，２９で
実行しており、これらのフォトコンダクタ６，２８，２
９を、半絶縁性基板１１，３１の表面にコプレーナライ
ンの電極１３，…で形成しているので、高速に発振した
レーザパルスに同期した電気パルスの生成などを正確に
実行することができる。Further, various photoconductors 6, 28, and 29 generate an electric pulse synchronized with the laser pulse, and the like.
Since 9 is formed on the surfaces of the semi-insulating substrates 11 and 31 with the coplanar line electrodes 13,..., It is possible to accurately generate an electric pulse synchronized with the laser pulse oscillated at a high speed.
【００５３】特に、第二フォトコンダクタ２８と第三フ
ォトコンダクタ２９とが一個の半導体基板に一体に形成
されており、第二フォトコンダクタ２８が信号を出力す
る電極と第三フォトコンダクタ２９が信号を入力する電
極とが、一個の第二電極３４として共用されている。In particular, the second photoconductor 28 and the third photoconductor 29 are formed integrally on one semiconductor substrate, and the second photoconductor 28 outputs the signal and the third photoconductor 29 outputs the signal. The input electrode is shared as one second electrode 34.
【００５４】このため、第二フォトコンダクタ２８から
第三フォトコンダクタ２９への信号伝送の所用時間が最
小であり、第二フォトコンダクタ２８の出力信号をサン
プリングする第三フォトコンダクタ２９の動作が遅滞す
ることがない。しかも、第二第三フォトコンダクタ２
８，２９の動作特性の誤差も低減されており、別体の第
二第三フォトコンダクタ２８，２９を配線する必要もな
い。Therefore, the time required for signal transmission from the second photoconductor 28 to the third photoconductor 29 is minimized, and the operation of the third photoconductor 29 for sampling the output signal of the second photoconductor 28 is delayed. Nothing. Moreover, the second and third photoconductor 2
Errors in the operating characteristics of the second and third photoconductors 28 and 29 are also reduced, and there is no need to wire the second and third photoconductors 28 and 29 separately.
【００５５】なお、本発明は上記形態に限定されるもの
ではなく、その要旨を逸脱しない範囲で各種の変形を許
容する。例えば、上記形態では第二第三フォトコンダク
タ２８，２９を一体に形成し、その動作タイミングをレ
ーザ遅延装置２１により同期させることを例示した。The present invention is not limited to the above-described embodiment, but allows various modifications without departing from the gist of the invention. For example, in the above embodiment, the second and third photoconductors 28 and 29 are integrally formed, and the operation timing is synchronized by the laser delay device 21.
【００５６】しかし、レーザ遅延装置２１を省略して第
二第三フォトコンダクタ２８，２９を別体に形成し、第
二第三フォトコンダクタ２８，２９を所定長の配線で結
線することにより、この配線による信号伝達の遅延によ
り第二第三フォトコンダクタ２８，２９の動作を同期さ
せるようなことも不可能ではない。However, by omitting the laser delay device 21 and separately forming the second and third photoconductors 28 and 29 and connecting the second and third photoconductors 28 and 29 with a predetermined length of wiring, It is not impossible to synchronize the operations of the second and third photoconductors 28 and 29 due to the delay of signal transmission by wiring.
【００５７】また、上記形態では各種フォトコンダクタ
６…の電極１３，１４…が単純な矩形状でギャップ１２
…が矩形の間隙として形成されていることを想定した。
しかし、図４に示すように、電極５１，５２の対向部分
を櫛形に形成してギャップ５３を実質的に短縮したフォ
トコンダクタ５４なども利用可能である。In the above embodiment, the electrodes 13, 14 of the various photoconductors 6 have a simple rectangular
Are formed as rectangular gaps.
However, as shown in FIG. 4, it is also possible to use a photoconductor 54 in which the opposing portions of the electrodes 51 and 52 are formed in a comb shape and the gap 53 is substantially shortened.
【００５８】[0058]
【発明の効果】本発明は以上説明したように構成されて
いるので、以下に記載するような効果を奏する。Since the present invention is configured as described above, it has the following effects.
【００５９】本発明の第一のレーザ分析装置では、モー
ド同期がロックされた状態のモードロックレーザにより
サンプリング用のレーザパルスが出射され、このサンプ
リング用のレーザパルスに同期して電力発生手段が発生
する半導体レーザの駆動電力が第一受光素子により電気
パルスに変換される。この電気パルスの供給により半導
体レーザが出射する評価対象のレーザパルスが第二受光
素子により光電変換され、その出力信号がサンプリング
用のレーザパルスに同期して第三受光素子によりサンプ
リングされる。In the first laser analyzer of the present invention, a sampling laser pulse is emitted by a mode-locked laser in a state where mode locking is locked, and a power generating means is generated in synchronization with the sampling laser pulse. The driving power of the semiconductor laser is converted into an electric pulse by the first light receiving element. The laser pulse to be evaluated emitted from the semiconductor laser by the supply of the electric pulse is photoelectrically converted by the second light receiving element, and the output signal is sampled by the third light receiving element in synchronization with the sampling laser pulse.
【００６０】本発明の第二のレーザ分析装置では、モー
ドロックレーザが出射するサンプリング用のレーザパル
スがレーザ分岐手段により第一光路と第二光路とに分岐
され、この分岐された第一光路のサンプリング用のレー
ザパルスは第一受光素子に入射され、第二光路のサンプ
リング用のレーザパルスはレーザ遅延手段に入射され
る。第二受光素子の出力信号はレーザ遅延手段により所
定時間だけ遅延された第二光路のサンプリング用のレー
ザパルスに同期して第三受光素子によりサンプリングさ
れ、このサンプリングされた第三受光素子の出力信号が
結果積分手段により積分される。In the second laser analyzer according to the present invention, the sampling laser pulse emitted from the mode-locked laser is branched into the first optical path and the second optical path by the laser branching means. The sampling laser pulse is incident on the first light receiving element, and the sampling laser pulse on the second optical path is incident on the laser delay unit. The output signal of the second light receiving element is sampled by the third light receiving element in synchronization with the sampling laser pulse of the second optical path delayed by a predetermined time by the laser delay means, and the sampled output signal of the third light receiving element Is integrated by the result integration means.
【００６１】このため、本発明のレーザ分析装置は、モ
ードロックレーザの数ピコ秒のレベルで発振したレーザ
パルスに同期させて半導体レーザに電気パルスを供給で
きるので、評価対象の半導体レーザを数ピコ秒のレベル
で発振駆動させることができ、このように駆動した半導
体レーザのレーザパルスをモードロックレーザの発振タ
イミングでサンプリングするので、このサンプリング結
果をモードロックレーザの動作特性が排除されて半導体
レーザの動作特性のみ反映した状態とすることができ、
半導体レーザの各種特性を良好に評価することができ
る。Therefore, the laser analyzer of the present invention can supply an electric pulse to the semiconductor laser in synchronization with the laser pulse oscillated at the level of several picoseconds of the mode-locked laser. Oscillation driving can be performed at the level of seconds, and the laser pulse of the semiconductor laser driven in this way is sampled at the oscillation timing of the mode-locked laser. It can be made to reflect only the operation characteristics,
Various characteristics of the semiconductor laser can be evaluated well.
【００６２】また、上述のようなレーザ分析装置におい
て、第一受光素子と第二受光素子と第三受光素子とが、
フォトコンダクタからなることにより、高速に発振した
レーザパルスを良好な応答性で光電変換することができ
るので、半導体レーザの各種特性を良好な精度で評価す
ることができる。In the above-described laser analyzer, the first light receiving element, the second light receiving element, and the third light receiving element are
With the use of the photoconductor, a laser pulse oscillated at high speed can be photoelectrically converted with good responsiveness, so that various characteristics of the semiconductor laser can be evaluated with good accuracy.
【００６３】また、半絶縁性基板の表面に狭小のギャッ
プを介してコプレーナラインで形成された一対の電極
が、入射するレーザパルスに同期して半導体レーザの駆
動電力を電気パルスに変換する第一受光素子のフォトコ
ンダクタとして機能することにより、高速に動作する第
一受光素子を簡単な構造で実現することができる。A pair of electrodes formed by a coplanar line on the surface of the semi-insulating substrate with a narrow gap therebetween converts a driving power of the semiconductor laser into an electric pulse in synchronization with an incident laser pulse. By functioning as a photoconductor of the light receiving element, the first light receiving element that operates at high speed can be realized with a simple structure.
【００６４】また、第二受光素子と第三受光素子とのフ
ォトコンダクタを一個の半導体基板に一体に形成するこ
とにより、第二受光素子から第三受光素子への信号伝送
の所用時間を最小とし、第二受光素子の出力信号をサン
プリングする第三受光素子の動作の遅滞を防止すること
ができる。Further, by forming the photoconductor of the second light receiving element and the third light receiving element integrally on one semiconductor substrate, the time required for signal transmission from the second light receiving element to the third light receiving element can be minimized. In addition, it is possible to prevent delay in the operation of the third light receiving element that samples the output signal of the second light receiving element.
【００６５】また、第二受光素子のフォトコンダクタが
電気信号を出力する第二電極と、第三受光素子のフォト
コンダクタが電気信号を入力する第二電極とを一個とす
ることにより、簡単な構造で第二受光素子から第三受光
素子への信号伝送の所用時間を最小とすることができ
る。In addition, since the photoconductor of the second light receiving element outputs one electric signal and the second photoconductor of the third light receiving element inputs the electric signal, the structure is simplified. Thus, the time required for signal transmission from the second light receiving element to the third light receiving element can be minimized.
【００６６】また、モードロックレーザの出射するレー
ザパルスに同期して半導体レーザが出射するレーザパル
スを第二受光素子で光電変換するとき、その出力信号を
モードロックレーザの出射する同一のレーザパルスに同
期して第三受光素子によりサンプリングすることによ
り、このサンプリング結果からモードロックレーザの動
作特性を排除することができる。When the laser pulse emitted from the semiconductor laser is photoelectrically converted by the second light receiving element in synchronization with the laser pulse emitted from the mode-locked laser, the output signal is converted to the same laser pulse emitted from the mode-locked laser. By synchronously sampling with the third light receiving element, the operation characteristics of the mode-locked laser can be excluded from the sampling result.
【００６７】また、反転光学系の直角に対向する一対の
反射ミラーによりサンプリング用のレーザパルスが入射
方向と反対方向に反転し、この反転光学系を遅延可変手
段により光路方向に移動させて第二光路の光路長を可変
することにより、モードロックレーザの出射するレーザ
パルスに同期して半導体レーザが出射するレーザパルス
が第二受光素子に光電変換されるまでの所用時間と、モ
ードロックレーザの出射するレーザパルスに同期して第
三受光素子が第二受光素子の出力信号をサンプリングす
るまでの所用時間とを略一致させることができ、サンプ
リング結果のパルス幅を変化させるようなこともでき
る。The sampling laser pulse is inverted in a direction opposite to the incident direction by a pair of reflecting mirrors opposed to each other at a right angle to the inverting optical system. By varying the optical path length of the optical path, the time required for the laser pulse emitted from the semiconductor laser to be photoelectrically converted to the second light receiving element in synchronization with the laser pulse emitted from the mode-locked laser, and the emission of the mode-locked laser The required time until the third light receiving element samples the output signal of the second light receiving element can be made substantially coincident with the laser pulse to be generated, and the pulse width of the sampling result can be changed.
【図１】本発明の実施の一形態のレーザ分析装置を示す
模式図である。FIG. 1 is a schematic diagram showing a laser analyzer according to one embodiment of the present invention.
【図２】第一受光素子である第一フォトコンダクタを示
す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing a first photoconductor as a first light receiving element.
【図３】第一フォトコンダクタの要部を示す平面図であ
る。FIG. 3 is a plan view showing a main part of the first photoconductor.
【図４】一変形例のフォトコンダクタの要部を示す平面
図である。FIG. 4 is a plan view showing a main part of a photoconductor of a modified example.
１ レーザ分析装置 ２ モードロックレーザ ３ レーザ分岐手段であるビームスプリッタ ４ 第一光路 ５ 第二光路 ６，５４ 第一受光素子である第一フォトコンダクタ ８ 半導体レーザ １１，３１ 半絶縁性基板 １２，３２，３５ ギャップ １３，１４ 電極 ２１ レーザ遅延手段であるレーザ遅延装置 ２３ 反転光学系 ２４，２５ 反射ミラー ２８ 第二受光素子である第二フォトコンダクタ ２９ 第三受光素子である第三フォトコンダクタ ３３ 第一電極 ３４ 第二電極 ３６ 第三電極 ４３ 結果積分手段であるローパスフィルタ REFERENCE SIGNS LIST 1 laser analyzer 2 mode-locked laser 3 beam splitter as laser branching means 4 first optical path 5 second optical path 6,54 first photoconductor as first light receiving element 8 semiconductor laser 11,31 semi-insulating substrate 12,32 , 35 Gap 13, 14 Electrode 21 Laser delay device as laser delay means 23 Inverting optical system 24, 25 Reflector mirror 28 Second photoconductor as second light receiving element 29 Third photoconductor as third light receiving element 33 First Electrode 34 Second electrode 36 Third electrode 43 Low pass filter as result integrating means
Claims (10)
リング用のレーザパルスを出射するモードロックレーザ
と、 評価対象の半導体レーザの駆動電力を発生する電力発生
手段と、 該電力発生手段が発生する駆動電力を前記レーザ分岐手
段が出射するサンプリング用のレーザパルスに同期して
電気パルスに変換する第一受光素子と、 該第一受光素子により変換された電気パルスの供給によ
り前記半導体レーザが出射する評価対象のレーザパルス
を光電変換する第二受光素子と、 該第二受光素子の出力信号を前記モードロックレーザが
出射するサンプリング用のレーザパルスに同期してサン
プリングする第三受光素子と、を具備しているレーザ分
析装置。1. A mode-locked laser that emits a sampling laser pulse in a state where mode synchronization is locked, a power generation unit that generates driving power of a semiconductor laser to be evaluated, and a drive generated by the power generation unit. A first light receiving element that converts electric power into an electric pulse in synchronization with a sampling laser pulse emitted by the laser branching unit; and an evaluation that the semiconductor laser emits by supplying the electric pulse converted by the first light receiving element. A second light receiving element that photoelectrically converts a target laser pulse; and a third light receiving element that samples an output signal of the second light receiving element in synchronization with a sampling laser pulse emitted from the mode-locked laser. Laser analyzer.
リング用のレーザパルスを出射するモードロックレーザ
と、 該モードロックレーザから出射されたサンプリング用の
レーザパルスを第一光路と第二光路とに分岐させるレー
ザ分岐手段と、 該レーザ分岐手段により分岐された第二光路のサンプリ
ング用のレーザパルスを所定時間だけ遅延させるレーザ
遅延手段と、 評価対象の半導体レーザを保持する対象保持手段と、 前記半導体レーザに供給される駆動電力を発生する電力
発生手段と、 該電力発生手段から前記半導体レーザに供給される駆動
電力を前記レーザ分岐手段により分岐された第一光路か
ら入力されるサンプリング用のレーザパルスに同期して
電気パルスに変換する第一受光素子と、 該第一受光素子により変換された電気パルスの供給によ
り前記半導体レーザが出射する評価対象のレーザパルス
を光電変換する第二受光素子と、 該第二受光素子の出力信号を前記レーザ遅延手段により
遅延された第二光路のサンプリング用のレーザパルスに
同期してサンプリングする第三受光素子と、 該第三受光素子の出力信号を積分する結果積分手段と、
を具備しているレーザ分析装置。2. A mode-locked laser that emits a sampling laser pulse in a state where mode synchronization is locked, and a sampling laser pulse emitted from the mode-locked laser is branched into a first optical path and a second optical path. Laser branching means for causing a laser beam for sampling a second optical path branched by the laser branching means to be delayed by a predetermined time; target holding means for holding a semiconductor laser to be evaluated; and the semiconductor laser Power generating means for generating driving power supplied to the semiconductor laser; and converting the driving power supplied from the power generating means to the semiconductor laser into a sampling laser pulse input from a first optical path branched by the laser branching means. A first light receiving element for converting into an electric pulse synchronously, and an electric pulse converted by the first light receiving element A second light receiving element for photoelectrically converting a laser pulse to be evaluated emitted from the semiconductor laser by the supply of laser light, and a laser for sampling a second optical path in which an output signal of the second light receiving element is delayed by the laser delay unit A third light receiving element for sampling in synchronization with the pulse, a result integrating means for integrating an output signal of the third light receiving element,
A laser analyzer comprising:
前記第三受光素子とが、フォトコンダクタからなる請求
項１または２記載のレーザ分析装置。3. The laser analyzer according to claim 1, wherein the first light receiving element, the second light receiving element, and the third light receiving element comprise a photoconductor.
が、 半絶縁性基板と、 該半絶縁性基板の表面に狭小のギャップを介してコプレ
ーナラインで形成された一対の電極とを、さらに具備し
ている請求項３記載のレーザ分析装置。4. The photoconductor of the first light receiving element further includes: a semi-insulating substrate; and a pair of electrodes formed by coplanar lines on a surface of the semi-insulating substrate with a small gap therebetween. 4. The laser analyzer according to claim 3, wherein:
のフォトコンダクタが一個の半導体基板に一体に形成さ
れている請求項３記載のレーザ分析装置。5. The laser analyzer according to claim 3, wherein the photoconductors of the second light receiving element and the third light receiving element are formed integrally on one semiconductor substrate.
が、 前記半絶縁性基板の表面に狭小のギャップを介してコプ
レーナラインで形成された第一電極および第二電極から
なり、 前記第三受光素子のフォトコンダクタが、 前記半絶縁性基板の表面に狭小のギャップを介してコプ
レーナラインで形成された前記第二電極および第三電極
からなる請求項５記載のレーザ分析装置。6. The photoconductor of the second light receiving element comprises a first electrode and a second electrode formed by a coplanar line on a surface of the semi-insulating substrate with a small gap therebetween, and the third light receiving element 6. The laser analyzer according to claim 5, wherein the photoconductor comprises the second electrode and the third electrode formed by a coplanar line on a surface of the semi-insulating substrate with a small gap therebetween.
ザパルスに同期して前記半導体レーザが出射するレーザ
パルスが前記第二受光素子に光電変換されるまでの所用
時間と、 前記モードロックレーザの出射するレーザパルスに同期
して前記第三受光素子が前記第二受光素子の出力信号を
サンプリングするまでの所用時間と、が略一致している
請求項１または２記載のレーザ分析装置。7. A time required until a laser pulse emitted from the semiconductor laser is photoelectrically converted by the second light receiving element in synchronization with a laser pulse emitted from the mode-locked laser, and emission of the mode-locked laser. 3. The laser analyzer according to claim 1, wherein a time required for the third light receiving element to sample an output signal of the second light receiving element in synchronization with the laser pulse substantially coincides.
ーザパルスを入射方向と反対方向に反転させる反転光学
系と、 該反転光学系を光路方向に移動自在に支持する遅延可変
手段を具備している請求項２記載のレーザ分析装置。8. An inverting optical system for inverting a sampling laser pulse in a direction opposite to an incident direction by a pair of reflecting mirrors facing at a right angle, said laser delay means; 3. The laser analyzer according to claim 2, further comprising a variable delay means for supporting.
リング用のレーザパルスを出射させ、 評価対象の半導体レーザの駆動電力を発生させ、 この該電力発生手段が発生する駆動電力をサンプリング
用のレーザパルスに同期して電気パルスに変換し、 この電気パルスの供給により前記半導体レーザが出射す
る評価対象のレーザパルスを光電変換し、 この光電変換された出力信号をサンプリング用のレーザ
パルスに同期してサンプリングするようにしたレーザ分
析方法。9. A laser pulse for sampling is emitted in a state where mode synchronization is locked to generate driving power for a semiconductor laser to be evaluated. The driving power generated by the power generating means is used as a laser pulse for sampling. In response to the supply of the electric pulse, the laser pulse to be evaluated emitted by the semiconductor laser is subjected to photoelectric conversion, and the photoelectrically converted output signal is sampled in synchronization with the sampling laser pulse. Laser analysis method.
グ用のレーザパルスを出射させ、 この出射されたサンプリング用のレーザパルスを第一光
路と第二光路とに分岐させ、 この分岐された第二光路のサンプリング用のレーザパル
スを所定時間だけ遅延させ、 評価対象の半導体レーザを保持し、 この半導体レーザに供給される駆動電力を発生させ、 この駆動電力を第一光路を伝送されるサンプリング用の
レーザパルスに同期して電気パルスに変換し、 この変換された電気パルスの供給により前記半導体レー
ザが出射する評価対象のレーザパルスを光電変換し、 この光電変換された出力信号を遅延された第二光路のサ
ンプリング用のレーザパルスに同期してサンプリング
し、 このサンプリングされた出力信号を積分するようにした
レーザ分析方法。10. A sampling laser pulse whose mode synchronization is locked is emitted, and the emitted sampling laser pulse is branched into a first optical path and a second optical path. A sampling laser pulse is delayed by a predetermined time, a semiconductor laser to be evaluated is held, a driving power to be supplied to the semiconductor laser is generated, and the driving power is transmitted to the sampling laser pulse transmitted through the first optical path. The semiconductor laser emits an evaluation target laser pulse emitted by the supply of the converted electric pulse in synchronization with the electric pulse, and the photoelectrically converted output signal is delayed by the second optical path. A laser component that performs sampling in synchronization with the sampling laser pulse and integrates the sampled output signal. Method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12118098A JPH11316173A (en) | 1998-04-30 | 1998-04-30 | Device and method for laser analysis |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12118098A JPH11316173A (en) | 1998-04-30 | 1998-04-30 | Device and method for laser analysis |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11316173A true JPH11316173A (en) | 1999-11-16 |
Family
ID=14804840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12118098A Withdrawn JPH11316173A (en) | 1998-04-30 | 1998-04-30 | Device and method for laser analysis |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11316173A (en) |
-
1998
- 1998-04-30 JP JP12118098A patent/JPH11316173A/en not_active Withdrawn
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