JPH11307914A - Pattern forming method of thick film wiring board - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To surely perform correction of a disconnection or the like of a thick film wiring in a thick film wiring board, with high efficiency while restraining energy consumption. SOLUTION: Metal paste 4 is spread on a disconnection part 3 of a thick film wiring 2 formed on a board 1. By irradiating a part (correction part) on which the metal paste 4 is spread with an IR lamp 5, the metal paste is dried. By using a laser converged light irradiation unit 6, the correction part is irradiated convergently with 3 laser light 7. As a result, the dried metal paste 4 is fused, hardened, and turned into an electrically conductive state.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、厚膜配線基板に形
成された厚膜配線の欠けや断線を修正するためのパター
ン形成方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pattern forming method for correcting chipping or disconnection of a thick film wiring formed on a thick film wiring board.

【０００２】[0002]

【従来の技術】金や銀、銅などを用いた厚膜配線基板は
製造が容易でコストも安くできることから各種の用途に
用いられている。特に最近プラズマディスプレイパネル
が生産されるようになっており、その基板として印刷に
より形成される銀電極、すなわち厚膜配線が形成された
ガラス基板が多く生産されるようになっている。この基
板に形成された厚膜配線の中に断線や短絡等の欠陥が１
箇所でもあってはならず、このような欠陥が発生した場
合に修正する技術が重要になっている。2. Description of the Related Art Thick film wiring boards using gold, silver, copper or the like are used for various purposes because they are easy to manufacture and can be manufactured at low cost. In particular, plasma display panels have recently been produced, and many silver electrodes formed by printing, that is, glass substrates on which thick-film wiring has been formed, have been produced as substrates. In the thick film wiring formed on this substrate, there is one defect such as disconnection or short circuit.
It must not be a part, and a technique for correcting such a defect when it occurs has become important.

【０００３】液晶表示装置などの配線基板では、断線や
配線パターンの欠け等の欠陥を修正する方法としていく
つかの提案がなされてきた。その例としては、金属化合
物のペーストや有機金属溶液を塗布後に焼成して導体化
する方法、有機金属溶液や金属錯体化合物を塗布後にレ
ーザー照射して導体化する方法等があり、また、金属膜
を形成した基材を厚膜配線基板に近接させ、レーザー照
射により欠陥部分に金属膜を蒸着転写させて修正する方
法なども提案されている。これらの方法はいずれも薄い
金属膜を形成するものである。Several proposals have been made as a method for correcting defects such as disconnection and a lack of a wiring pattern in a wiring substrate such as a liquid crystal display device. Examples thereof include a method of applying a metal compound paste or an organic metal solution and then baking it to make it conductive, a method of applying an organic metal solution or a metal complex compound and then irradiating it with a laser to make it conductive, and a metal film. A method has also been proposed in which a substrate on which is formed is brought close to a thick-film wiring substrate, and a metal film is vapor-deposited and transferred to a defective portion by laser irradiation to correct the defect. All of these methods form a thin metal film.

【０００４】また、厚膜配線パターンの欠陥を修正する
方法としては、その欠陥の部分に修正用の金属ペースト
をスポット塗布し、乾燥させた後、５００℃以上の高温
で基板全体を焼成炉中で焼成する方法がある。As a method for correcting a defect in a thick film wiring pattern, a metal paste for correction is spot-coated on the defective portion, dried, and then the whole substrate is heated in a firing furnace at a high temperature of 500 ° C. or more. Firing method.

【０００５】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、薄い金
属膜を形成する方法では、厚膜配線基板のような膜厚の
大きい配線に対しては、断線部分や配線パターンの欠け
部分を確実に接続することが困難であった。However, in the method of forming a thin metal film, a disconnection or a lack of a wiring pattern is reliably connected to a wiring having a large thickness such as a thick wiring board. It was difficult.

【０００６】また、基板全体を焼成炉中で焼成して厚膜
配線パターンの欠陥を修正する方法では、焼成炉全体を
高温にする必要があるため焼成に時間とエネルギーを要
するものであり、生産タクトを速くするためには焼成炉
の炉長の長い連続炉を導入する必要があるので、高価な
設備となってしまうという問題があった。In the method of correcting the defect of the thick film wiring pattern by firing the entire substrate in a firing furnace, the firing furnace needs to be heated to a high temperature, which requires time and energy for firing. In order to increase the tact time, it is necessary to introduce a continuous furnace having a long furnace length of the firing furnace, so that there is a problem that the equipment becomes expensive.

【０００７】本発明はこのような課題を解決するために
なされたものであり、厚膜配線基板全体を焼成炉で焼成
することなく、厚膜配線基板に生じた厚膜配線パターン
の断線部分や欠け部分を確実に接続することができる厚
膜配線基板のパターン形成方法を提供することを目的と
している。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve such a problem, and does not require firing of the entire thick film wiring substrate in a firing furnace. It is an object of the present invention to provide a method for forming a pattern on a thick-film wiring board that can surely connect a chipped portion.

【０００８】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明の厚膜配線基板の
パターン形成方法は、基板上に形成された厚膜配線の欠
陥部分に金属粉体分散液を塗布した後、所定波長のレー
ザー光を前記欠陥部分に照射することにより前記欠陥部
分を導電化するものである。この方法により、高温の焼
成炉で基板全体を焼成することなく金属を溶け固まらせ
ることができ、十分に導通を確保することができる。According to the method of forming a pattern of a thick film wiring substrate of the present invention, a metal powder dispersion is applied to a defective portion of a thick film wiring formed on a substrate, and then a laser beam having a predetermined wavelength is applied. Is irradiated to the defective portion to make the defective portion conductive. According to this method, the metal can be melted and solidified without firing the entire substrate in a high-temperature firing furnace, and sufficient conduction can be ensured.

【０００９】また、本発明の他の厚膜配線基板のパター
ン形成方法は、レーザー光の照射を少なくとも２回行
い、１回目に照射するレーザー光の強度にくらべて、２
回目に照射するレーザー光の強度を強くするものであ
る。この方法により、金属ペーストの飛び散りが生じる
ことなく、レーザーを１回照射するよりもレーザーパワ
ーに対するマージンが広くなり条件設定が容易になる。In another method for forming a pattern on a thick film wiring substrate according to the present invention, laser light irradiation is performed at least twice, and compared with the intensity of the first laser light irradiation, the laser light irradiation is performed twice.
This is to increase the intensity of the laser light to be irradiated the second time. According to this method, the metal paste is not scattered, the margin with respect to the laser power is wider than when the laser is irradiated once, and the setting of the conditions is facilitated.

【００１０】[0010]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を用いて説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【００１１】図５は、本実施の形態で使用するパターン
修正装置の一実施例を示す平面図である。この図５で
は、特に大型プラズマディスプレイパネル用の基板に対
応できるよう省スペースの基板固定／門型ステージ移動
型の例を示している。FIG. 5 is a plan view showing an example of the pattern correcting apparatus used in the present embodiment. FIG. 5 shows an example of a space-saving substrate fixed / portable stage movable type that can be particularly adapted to a substrate for a large plasma display panel.

【００１２】図５に示すように、門型ステージ１１が門
型ステージＹ方向駆動軸１２によってＹ方向に移動し、
門型ステージ１１に組み込まれた駆動軸（図示せず）に
よって修正用ユニット群装着ベース１３がＸ方向に移動
する。修正用ユニット群装着ベース１３には、レーザー
集光照射ユニットが付いた顕微鏡１４、スポット修正塗
布ユニット１５、および乾燥用ＩＲランプユニット１６
が一定の位置関係で固定されている。修正される欠陥を
有する基板は基板載置台１７上に設置される。欠陥を有
する基板の一例として、電極パターンが形成されたプラ
ズマディスプレイパネル用基板を図２に示す。基板１の
上に印刷等によって銀の厚膜配線２が形成されており、
厚膜配線２の一部に断線部３が発生している。As shown in FIG. 5, the portal stage 11 is moved in the Y direction by the portal stage Y-direction drive shaft 12, and
The correction unit group mounting base 13 moves in the X direction by a drive shaft (not shown) incorporated in the portal stage 11. The correction unit group mounting base 13 includes a microscope 14 having a laser condensing irradiation unit, a spot correction application unit 15, and an IR lamp unit 16 for drying.
Are fixed in a fixed positional relationship. The substrate having the defect to be corrected is placed on the substrate mounting table 17. As an example of a substrate having a defect, a substrate for a plasma display panel on which an electrode pattern is formed is shown in FIG. A silver thick film wiring 2 is formed on a substrate 1 by printing or the like.
A disconnection 3 occurs in a part of the thick film wiring 2.

【００１３】次に、このパターン修正装置を用いて図２
に示した基板の欠陥である断線部３を修正する方法につ
いて図１および図５を用いて説明する。Next, using this pattern correcting apparatus, FIG.
A method for correcting the broken portion 3 which is a defect of the substrate shown in FIG. 1 will be described with reference to FIGS.

【００１４】まず、別途オープンショート検査機や画像
認識検査装置により欠陥位置を特定した基板のデータを
パターン修正装置のコントローラに読み込むと、その欠
陥位置が顕微鏡１４の視野に入るように設定される。そ
の修正すべき欠陥の位置をオペレータが正確に合わせて
指示を与えると、欠陥の修正すべき範囲にスポット修正
塗布ユニット１５が金属ペーストを必要分スポット塗布
して再度欠陥が顕微鏡１４の視野内に戻ってくる。ここ
で、金属ペーストは、金属微粉末を少量の樹脂と溶剤で
分散した金属粉体分散液である。図１（ａ）は図２のＡ
−Ａ’断面図であり、断線部３に金属ペースト４を塗布
した状態を図１（ｂ）に示す。次に、図１（ｃ）に示す
ように、金属ペースト４を塗布した箇所（修正箇所）に
乾燥用ＩＲランプユニット１６（図５参照）に備えられ
ているＩＲランプ５を照射して金属ペースト４を乾燥さ
せた後、図１（ｄ）に示すように、顕微鏡１４（図５参
照）に備えられたレーザー集光照射ユニット６を用いて
レーザー光７を修正箇所に集光照射することにより、乾
燥した金属ペースト４を溶かし固まらせて、金属ペース
ト４を導通のある状態にする。このように、修正箇所へ
の金属ペーストの塗布から金属ペーストの導体化まで一
つのパターン修正装置の上で一貫して行うことができる
ので、非常に効率よくかつエネルギー消費を少なくして
欠陥を修正することができる。First, when data of a substrate whose defect position is specified by an open short inspection device or an image recognition inspection device is read into a controller of a pattern correction device, the defect position is set so as to be within the field of view of the microscope 14. When the operator gives an instruction by correctly adjusting the position of the defect to be corrected, the spot correction applying unit 15 applies a required amount of metal paste to the area to be corrected and the defect is again brought into the field of view of the microscope 14. Come back. Here, the metal paste is a metal powder dispersion in which metal fine powder is dispersed with a small amount of resin and a solvent. FIG.
FIG. 1B is a cross-sectional view taken along the line A-A, in which the metal paste 4 is applied to the disconnection portion 3. Next, as shown in FIG. 1 (c), the IR lamp 5 provided in the drying IR lamp unit 16 (see FIG. 5) irradiates the portion (correction portion) where the metal paste 4 has been applied to the metal paste. After drying 4, as shown in FIG. 1 (d), the laser beam 7 is focused and irradiated on the corrected portion by using the laser focusing and irradiation unit 6 provided in the microscope 14 (see FIG. 5). Then, the dried metal paste 4 is melted and solidified to make the metal paste 4 conductive. In this way, from the application of the metal paste to the repaired part to the conversion of the metal paste into a conductor, it can be performed consistently on one pattern correction device, so that defects can be corrected very efficiently and with low energy consumption. can do.

【００１５】次に、この厚膜配線基板の欠陥を修正する
方法の有効性を具体的に検討した結果について説明す
る。Next, the results of a specific study of the effectiveness of the method for correcting a defect of the thick film wiring board will be described.

【００１６】図３に示すように、板厚約３ｍｍのガラス
製の基板１上に金属ペーストとして銀ペーストを印刷形
成し、線幅１３０μｍ、ピッチ５００μｍ、膜厚５μｍ
の厚膜配線２を設けた基板を作成した。この電極パター
ンの一部を削り取ることにより長さ１００μｍの断線欠
陥を有する基板を作成し、断線欠陥部分に修正用の金属
ペーストである銀ペースト４をスポット塗布した。ここ
で、修正用の銀ペーストは、銀の微粉末を例えばエチル
セルロースなどの樹脂とブチルカルビトールアセテート
などの溶剤で分散することによって得られる銀粉体分散
液である。次に、ＩＲランプで修正用の銀ペースト４を
乾燥させた後、主波長８１０ｎｍのＡｌＧａＡｓ半導体
レーザーを約４００μｍ径のスポットになるように集光
して、図３に示すようにレーザー照射範囲８にあたるよ
うに照射し、銀ペーストの状態変化を観察した。As shown in FIG. 3, a silver paste is printed and formed as a metal paste on a glass substrate 1 having a thickness of about 3 mm, and has a line width of 130 μm, a pitch of 500 μm, and a film thickness of 5 μm.
A substrate provided with the thick film wiring 2 was prepared. A part of the electrode pattern was scraped off to prepare a substrate having a disconnection defect of 100 μm in length, and a silver paste 4 as a metal paste for repair was spot-coated on the disconnection defect portion. Here, the silver paste for correction is a silver powder dispersion obtained by dispersing fine silver powder with a resin such as ethyl cellulose and a solvent such as butyl carbitol acetate. Next, after the silver paste 4 for correction is dried with an IR lamp, an AlGaAs semiconductor laser having a main wavelength of 810 nm is condensed into a spot having a diameter of about 400 μm, and the laser irradiation range 8 as shown in FIG. And the state change of the silver paste was observed.

【００１７】レーザーのパワーを変えたサンプルを作成
して、レーザー照射時における修正用の銀ペーストの飛
び散り具合とレーザー照射後の修正部の銀の溶け固まり
具合および修正した電極端間の電気的導通を観察した。
この結果を表１に示す。レーザー照射時間はいずれの場
合も５秒で一定としている。表１中で、「溶け方」は修
正部の銀の溶け固まり具合を表し、「○」は充分に溶け
て固まったものであり、「△」は溶けてはいるが容易に
はがれたものであり、「×」は溶け方が不充分なもので
ある。「導通」は修正した電極端間の電気的導通を表
し、「○」は導通がとれたものであり、「×」は導通が
とれなかったものである。「飛び散り」は銀ペーストの
飛び散り具合を表し、「○」は飛び散りがほとんどなか
ったもの、「×」は飛び散りが認められたものである。A sample in which the power of the laser was changed was prepared, the degree of scattering of the silver paste for correction during laser irradiation, the degree of melting and solidification of silver in the corrected part after laser irradiation, and the electrical conduction between the corrected electrode ends. Was observed.
Table 1 shows the results. The laser irradiation time was constant at 5 seconds in each case. In Table 1, "How to melt" indicates the degree of melting and agglomeration of the silver in the corrected portion, "O" indicates that the silver was sufficiently melted and hardened, and "△" indicates that it was melted but easily peeled. Yes, "x" means that the melting is insufficient. “Continuity” indicates the corrected electrical continuity between the electrode ends, “O” indicates that the continuity was achieved, and “X” indicates that the continuity was not achieved. "Splattering" indicates the degree of scattering of the silver paste, "O" indicates that there was almost no scattering, and "X" indicates that scattering was recognized.

【００１８】[0018]

【表１】 [Table 1]

【００１９】比較例１、２はそれぞれ、断線箇所に有機
金属溶液、金属錯体溶液を塗布乾燥後レーザー照射して
金属化したものであり、金属としては銀を使用してい
る。いずれの場合もレーザー照射後の表面状態を見る限
りでは金属化は十分になされていたが、電極の導通を調
べた結果導通がとれていなかった。これは、比較例１、
２の場合、断線部分において金属化した膜は厚みが１μ
ｍ以下の薄膜であるため、厚膜の銀に対して十分な接触
が確保できていないか、または、断線部分の抵抗が大き
くなっているために流れた電流の発熱で再度薄膜の部分
で断線してしまったものと考えられる。一般に、プラズ
マディスプレイパネルで厚膜配線に流れる電流はピーク
値で数百ｍＡであり、この電流が大きすぎて比較例１、
２の方法で得られる薄膜は使えないものと考えられる。
したがって、比較例１、２の方法では断線部分を確実に
修正することは不可能であることがわかる。In Comparative Examples 1 and 2, an organic metal solution and a metal complex solution were applied to the broken portions and dried and then irradiated with a laser to be metallized. Silver was used as the metal. In any case, as far as the surface state after the laser irradiation was observed, the metallization was sufficient, but as a result of examining the continuity of the electrodes, no continuity was obtained. This is comparative example 1,
In the case of 2, the thickness of the metalized film at the disconnection portion is 1 μm.
m or less, so that sufficient contact with the thick silver cannot be ensured, or the breakage of the thin film occurs again due to the heat generated by the current flowing due to the increased resistance of the broken part. It is considered to have been done. In general, the current flowing through the thick film wiring in the plasma display panel is several hundred mA at the peak value, and this current is too large to make the comparative example 1,
It is considered that the thin film obtained by the method 2 cannot be used.
Therefore, it can be seen that it is impossible to reliably correct the broken portion by the methods of Comparative Examples 1 and 2.

【００２０】実施例１〜４はレーザーパワーを変えてレ
ーザー照射を１回行った場合のものである。表１からわ
かるように、レーザーパワーが低いと銀ペーストが飛び
散ることはないが充分に溶けず導通がとれていない。ま
た、レーザーパワーが高くなると、銀ペーストが溶けて
固まらせることができ導通も確保できるが、銀ペースト
が飛び散ってしまい配線間の短絡などの原因となり、ま
た塗布部の銀が不足して充分な接続が得られない場合も
ある。レーザーパワーが高くなった場合の銀ペーストの
飛散は、銀ペーストが急激に加熱されるためと考えられ
る。Examples 1 to 4 relate to the case where laser irradiation is performed once while changing the laser power. As can be seen from Table 1, when the laser power is low, the silver paste does not scatter, but does not melt sufficiently and does not conduct. In addition, when the laser power is high, the silver paste can be melted and solidified to ensure electrical continuity, but the silver paste splatters, causing short-circuiting between wirings, etc. In some cases, a connection cannot be obtained. The scattering of the silver paste when the laser power is increased is considered to be due to the rapid heating of the silver paste.

【００２１】また、実施例５〜１０は、レーザーパワー
を弱から強に２段階に強度変化させてレーザー照射した
場合である。実施例６〜９の場合には、銀ペーストの飛
散がなく導通が充分にとれていることがわかる。これ
は、１回目の弱パワーのレーザー照射で銀ペーストの有
機成分が焼き飛ばされ、その後の２回目の強パワーのレ
ーザー照射で銀の溶け固まりが進行するため銀ペースト
の飛散が生じないものと考えられる。しかしながら、こ
の弱パワー／強パワーの２段階でレーザー照射を行った
場合でも、実施例５のようにレーザーパワーの十分でな
い場合は溶け固まりが悪くなり導通がとれなくなってし
まう。また、実施例１０のように１回目のレーザーパワ
ーが強すぎると、銀ペーストが初期の段階で急激に加熱
されるために銀ペーストの飛散が生じてしまっている。
したがって、レーザーパワーを２段階で所定範囲内で変
えてレーザー照射する方法を用いると、レーザー照射を
１回行う場合よりもレーザーパワーに対するマージンが
広くなり条件設定が容易になる。また、ここではレーザ
ー照射を２回行っているが、３回以上行ってもよい。Examples 5 to 10 are the cases where laser irradiation is performed while changing the laser power from low to high in two steps. In the case of Examples 6 to 9, it can be seen that the silver paste was not scattered and the continuity was sufficiently obtained. The reason is that the organic component of the silver paste is burned off by the first low-power laser irradiation, and the silver paste melts and solidifies by the second high-power laser irradiation, so that the silver paste does not scatter. Conceivable. However, even when the laser irradiation is performed in two stages of the weak power and the strong power, if the laser power is not sufficient as in the fifth embodiment, the melting and solidification deteriorate and the conduction cannot be obtained. Further, when the first laser power is too strong as in Example 10, the silver paste is rapidly heated in the initial stage, so that the silver paste is scattered.
Therefore, when the laser irradiation is performed by changing the laser power within a predetermined range in two steps, the margin for the laser power is wider than when laser irradiation is performed once, and the condition setting becomes easier. Here, the laser irradiation is performed twice, but may be performed three or more times.

【００２２】本実施の形態で使用するレーザーとして
は、波長が１５００ｎｍを超えて長波長になるとガラス
基板に吸収され易くなり、ガラス基板がレーザーのエネ
ルギーを吸収すると、レーザーが照射された部分で温度
上昇が起こり熱歪みによってガラス基板のひび割れや割
れが発生してしまう。また、７５０ｎｍよりも短波長の
レーザーは顕微鏡観察しながら加工する場合に非常に強
い強度の可視光となるためＣＣＤを使用した場合でも加
工状態の観察が難しくなる。このような条件からみて本
実施の形態に用いるレーザーとしては、波長７５０ｎｍ
〜１５００ｎｍの範囲が適切である。この波長範囲にあ
るレーザーとしては、例えば、ＹＡＧレーザーやＡｌＧ
ａＡｓ半導体レーザーなどがある。As the laser used in the present embodiment, if the wavelength is longer than 1500 nm and becomes longer, it is easily absorbed by the glass substrate, and if the glass substrate absorbs the energy of the laser, the temperature at the portion irradiated with the laser becomes higher. When the glass substrate rises, the glass substrate is cracked or cracked due to thermal distortion. In addition, when a laser having a wavelength shorter than 750 nm is processed while observing with a microscope, visible light having a very high intensity is obtained. Therefore, even when a CCD is used, it is difficult to observe a processing state. Under these conditions, the laser used in this embodiment has a wavelength of 750 nm.
A range of １1500 nm is appropriate. As a laser in this wavelength range, for example, a YAG laser or AlG
aAs semiconductor lasers and the like.

【００２３】以上の実施の形態では、銀ペーストを焼成
するためにレーザーを用いた例を示したが、図４に示す
ように、キセノンアーク放電ランプ９を用いても同様の
効果を得ることができる。このキセノンアーク放電ラン
プ９から発生した光を集光ユニット１０で集光して欠陥
部分に塗布した銀ペースト（金属ペースト）４に照射す
ることにより、銀ペーストを焼成して導体化するもので
ある。In the above embodiment, an example was described in which a laser was used to bake the silver paste. However, as shown in FIG. 4, a similar effect can be obtained by using a xenon arc discharge lamp 9. it can. The light generated from the xenon arc discharge lamp 9 is condensed by a light condensing unit 10 and irradiated on a silver paste (metal paste) 4 applied to a defective portion, so that the silver paste is baked to become a conductor. .

【００２４】キセノンアーク放電ランプ９は、非常に小
さな点で発光する点光源に近いランプ（高光密度ラン
プ）であり集光しやすく、その発光スペクトルは近紫外
から赤外までの幅広い連続スペクトルの中で特に８００
ｎｍ〜９００ｎｍの波長域に強い発光を持っている。こ
の８００ｎｍ〜９００ｎｍの波長域に前述の実施の形態
で用いているレーザーの波長が含まれており、この波長
域が銀ペーストのスポット焼成に適した波長であるため
よく焼成できるものである。The xenon arc discharge lamp 9 is a lamp (high light density lamp) that is close to a point light source that emits light at a very small point and is easy to collect light, and its emission spectrum is within a wide continuous spectrum from near ultraviolet to infrared. Especially 800
It has strong light emission in the wavelength range of nm to 900 nm. The wavelength range of 800 nm to 900 nm includes the wavelength of the laser used in the above-described embodiment, and since this wavelength range is suitable for spot firing of the silver paste, it can be fired well.

【００２５】但し、高光密度ランプでは光源の大きさを
１ｍｍ以下にしたものは実現が難しく、集光したスポッ
トの大きさも１ｍｍ以下とするのがなかなか難しい。こ
のことから、高光密度ランプによるスポット焼成につい
ては微細なパターンの修正には適用が難しいが、スポッ
トの大きさに応じたパターンに対してはこの高光密度ラ
ンプを使用することができ、光源のコスト等の点で有利
な場合もある。However, it is difficult to realize a high-light-density lamp in which the size of the light source is 1 mm or less, and it is very difficult to reduce the size of the focused spot to 1 mm or less. For this reason, spot baking using a high light density lamp is difficult to apply to correction of a fine pattern, but it is possible to use this high light density lamp for a pattern corresponding to the size of a spot, thereby reducing the cost of the light source. In some cases, it is advantageous in such points.

【００２６】また、光を小さな点に集光しやすいキセノ
ンアーク放電ランプ以外の高光密度ランプを用いること
もできる。Also, a high light density lamp other than a xenon arc discharge lamp which can easily focus light on a small point can be used.

【００２７】また、上記実施の形態では金属として銀を
用いた場合を示したが、金等の金属を用いても同様の効
果を得ることができる。In the above embodiment, the case where silver is used as the metal has been described, but the same effect can be obtained by using a metal such as gold.

【００２８】[0028]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の厚膜配線基板のパターン形成方法によれば、基板上に
形成された厚膜配線の欠陥部分に金属粉体分散液を塗布
した後、その欠陥部分にレーザー光や高光密度ランプの
光を照射することにより、高温の焼成炉で基板全体を焼
成することなく銀等の金属を溶け固まらせることがで
き、その欠陥部分の導通を十分に確保することができる
ものである。また、レーザーのパワーを弱から強へと２
段階以上の変化をつけて金属粉体分散液にレーザー光を
照射することで液の飛び散りも生じないため、修正箇所
の高い信頼性を確保できるものである。As is clear from the above description, according to the method for forming a pattern of a thick film wiring substrate of the present invention, a metal powder dispersion is applied to a defective portion of a thick film wiring formed on a substrate. Then, by irradiating the defect with laser light or light from a high-density lamp, the metal such as silver can be melted and solidified without firing the entire substrate in a high-temperature firing furnace. It can be sufficiently secured. In addition, the power of the laser is changed from weak to strong.
By irradiating the metal powder dispersion liquid with laser light with a change of more than a step, the liquid does not scatter, so that high reliability of the repaired portion can be secured.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の断線部の修正方法の工程図FIG. 1 is a process diagram of a method for correcting a broken portion according to the present invention.

【図２】断線部を有するプラズマディスプレイ用基板の
斜視図FIG. 2 is a perspective view of a plasma display substrate having a disconnection portion.

【図３】レーザー光の照射範囲を示す図FIG. 3 is a diagram showing an irradiation range of a laser beam.

【図４】本発明の高光密度ランプによる修正方法を説明
するための図FIG. 4 is a diagram for explaining a correction method using the high light density lamp of the present invention.

【図５】本発明のパターン形成方法を実施するためのパ
ターン修正装置の平面図FIG. 5 is a plan view of a pattern correcting apparatus for performing the pattern forming method of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ 基板 ２ 厚膜配線 ３ 断線部 ４ 金属ペースト ５ ＩＲランプ ６ レーザー集光照射ユニット ７ レーザー光 ８ レーザー照射範囲 ９ キセノンアーク放電ランプ １０ 集光ユニット DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Thick film wiring 3 Disconnection part 4 Metal paste 5 IR lamp 6 Laser condensing irradiation unit 7 Laser light 8 Laser irradiation range 9 Xenon arc discharge lamp 10 Condensing unit

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 基板上に形成された厚膜配線の欠陥部分
に金属粉体分散液を塗布した後、所定波長のレーザー光
を前記欠陥部分に照射することにより前記欠陥部分を導
電化することを特徴とする厚膜配線基板のパターン形成
方法。1. A method for applying a metal powder dispersion liquid to a defect portion of a thick film wiring formed on a substrate and irradiating the defect portion with a laser beam having a predetermined wavelength to make the defect portion conductive. A method for forming a pattern of a thick film wiring board, characterized by comprising: 【請求項２】 レーザー光の波長が７５０ｎｍ〜１５０
０ｎｍの範囲にあることを特徴とする請求項１記載の厚
膜配線基板のパターン形成方法。2. A laser beam having a wavelength of 750 nm to 150.
2. The method according to claim 1, wherein the thickness is in a range of 0 nm. 【請求項３】 レーザー光の光源としてＡｌＧａＡｓ半
導体レーザーを用いることを特徴とする請求項１記載の
厚膜配線基板のパターン形成方法。3. The method according to claim 1, wherein an AlGaAs semiconductor laser is used as a laser light source. 【請求項４】 金属粉体分散液として銀粉体分散液を用
いることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記
載の厚膜配線基板のパターン形成方法。4. The method for forming a pattern on a thick film wiring board according to claim 1, wherein a silver powder dispersion is used as the metal powder dispersion. 【請求項５】 レーザー光の照射を少なくとも２回行
い、１回目に照射するレーザー光の強度にくらべて、２
回目に照射するレーザー光の強度を強くすることを特徴
とする請求項１ないし４のいずれかに記載の厚膜配線基
板のパターン形成方法。5. Irradiation of a laser beam is performed at least twice, and compared with the intensity of the first laser beam irradiation,
5. The method for forming a pattern on a thick-film wiring board according to claim 1, wherein the intensity of the laser light irradiated for the second time is increased. 【請求項６】 レーザー光のかわりに高光密度ランプの
光を用いることを特徴とする請求項１ないし５のいずれ
かに記載の厚膜配線基板のパターン形成方法。6. The method according to claim 1, wherein light from a high-density lamp is used instead of laser light. 【請求項７】 高光密度ランプとしてキセノンアーク放
電ランプを用いることを特徴とする請求項６記載の厚膜
配線基板のパターン形成方法。7. The method according to claim 6, wherein a xenon arc discharge lamp is used as the high light density lamp.