JPH11307521A - Plasma cvd equipment and its use - Google Patents
Plasma cvd equipment and its useInfo
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- JPH11307521A JPH11307521A JP10888598A JP10888598A JPH11307521A JP H11307521 A JPH11307521 A JP H11307521A JP 10888598 A JP10888598 A JP 10888598A JP 10888598 A JP10888598 A JP 10888598A JP H11307521 A JPH11307521 A JP H11307521A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、生産性が高く、且
つ、形成する膜に生じる欠陥を抑制できるプラズマＣＶ
Ｄ成膜装置、及び、その使用方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma CV having high productivity and capable of suppressing defects generated in a film to be formed.
The present invention relates to a D film forming apparatus and a method of using the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、ＬＳＩ，ＴＦＴ液晶，太陽電池な
どに代表される薄膜応用デバイスの進展は著しいものが
あり、それにつれて、その製造に用いられる薄膜製造装
置に対する要求も厳しいものになってきている。例え
ば、高集積化を実現するために必要なパーティクルの低
減、低価格化を実現するための生産性向上が強く要求さ
れている。2. Description of the Related Art In recent years, there has been a remarkable progress in thin-film applied devices represented by LSIs, TFT liquid crystals, solar cells and the like, and accordingly, demands for thin-film manufacturing equipment used for the manufacture have become severe. I have. For example, there is a strong demand for reduction of particles necessary for realizing high integration and improvement of productivity for realizing low cost.
【０００３】これらの要求に応えるには、成膜時にチ
ャンバ内壁に付着する不要膜の剥がれに起因するパーテ
ィクルが、ウエハ上に落下してデバイスに欠陥を生じさ
せることや、不要膜を除去するためのドライクリーニ
ング工程を運転途中で頻繁に入れることによる生産性の
低下などを解決する必要がある。[0003] In order to meet these demands, it is necessary to remove particles caused by peeling of an unnecessary film adhered to the inner wall of the chamber during film formation to drop on a wafer to cause a defect in a device or to remove an unnecessary film. It is necessary to solve a problem such as a decrease in productivity caused by frequently performing the dry cleaning process during the operation.
【０００４】プラズマＣＶＤ装置は、高速成膜，低温成
膜，段差被覆性，密着性などに優れ、有望な薄膜デバイ
ス製造装置であるが、上記要求に応えるには、やはり、
上記の課題を解決する必要がある。[0004] The plasma CVD apparatus is a promising thin film device manufacturing apparatus excellent in high-speed film formation, low-temperature film formation, step coverage, adhesion, and the like.
The above issues need to be solved.
【０００５】の課題を解決する手法、つまり、チャン
バ内壁の不要膜の付着抑制、または、付着力強化による
剥がれ防止のための手法としては、加熱を行う方法が提
案されている。それらはチャンバ全体を丸ごと高温にす
る大がかりなものから、チャンバ上部全体や上部電極を
局所的に加熱するものまで様々であるが、加熱はウエハ
より上方の上部電極やチャンバ上面だけで十分効果があ
る。As a method for solving the problem, that is, a method for suppressing adhesion of an unnecessary film on the inner wall of the chamber or preventing peeling by strengthening the adhesion, a method of performing heating has been proposed. These range from large-scale heating of the entire chamber to a high temperature, to heating of the entire upper chamber and the upper electrode locally, but heating is effective only with the upper electrode above the wafer and the upper surface of the chamber. .
【０００６】また、の課題を解決する手法、つまり、
ドライクリーニングの高効率化の方法としては、補助電
極を設けることでプラズマの形を変え除去しにくい場所
の不要膜を除去する方法が提案されている。[0006] Further, a technique for solving the problem of
As a method for increasing the efficiency of dry cleaning, a method has been proposed in which an auxiliary electrode is provided to change the shape of plasma to remove an unnecessary film in a place where removal is difficult.
【０００７】以下、それらの具体例について説明する。
図５は、上部電極近傍にヒータ加熱される防着板を設け
る特開平２−３９４２２号公報に記載のプラズマＣＶＤ
装置である。図５において、成膜チャンバ２４の上に
は、チャンバ蓋２５がかぶせられており、これにより真
空容器が形成される。チャンバ２４内には、内部にヒー
タを内蔵した下部電極２２が設けられている。ウエハ２
３は、下部電極２２上に載置され上記ヒータにより加熱
される。Hereinafter, specific examples thereof will be described.
FIG. 5 shows a plasma CVD method described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-39422 in which a deposition plate heated by a heater is provided near the upper electrode.
Device. In FIG. 5, a chamber lid 25 is covered on the film forming chamber 24, thereby forming a vacuum container. A lower electrode 22 having a built-in heater is provided in the chamber 24. Wafer 2
3 is placed on the lower electrode 22 and heated by the heater.
【０００８】下部電極２２の上方には上部電極２１がチ
ャンバ蓋２５に絶縁物３３を介して取り付けられてい
る。絶縁物３３によって上部電極２１はチャンバ蓋２５
や防着板３７と電気的に絶縁されている。上部電極２１
の周りにはチャンバ上面への不要膜の防着板３７があ
り、防着板３７はヒータ３４で加熱できるようになって
いる。ヒータ３４はヒータスイッチ（ヒータＳＷ）３６
を介してヒータ用電源３５に接続されている。上部電極
２１はガス導入口２８よりガスを導入し、ウエハ２３に
向かってシャワー状にガスを供給できる。ガス導入口２
８の先には図示されていないが成膜用の材料ガスやドラ
イクリーニング用のエッチングガスの供給装置がつなが
っている。チャンバ２４に供給されたガスは排気口２９
より排気される。排気口２９の先には図示されていない
が真空ポンプなどの排気手段と、チャンバ内の圧力を一
定に保つための圧力制御手段を有する。チャンバ２４，
チャンバ蓋２５，防着板３７，下部電極２２はアースさ
れ、上部電極２１にはＲＦ電極３０がＲＦ−スイッチ
（ＲＦ−ＳＷ）３１を介して接続されている。Above the lower electrode 22, the upper electrode 21 is attached to the chamber lid 25 via an insulator 33. The upper electrode 21 is separated from the chamber lid 25 by the insulator 33.
And the insulating plate 37 is electrically insulated. Upper electrode 21
There is a plate 37 for preventing unnecessary film on the upper surface of the chamber, and the plate 37 can be heated by the heater 34. The heater 34 is a heater switch (heater SW) 36
Is connected to the heater power supply 35 via the. The upper electrode 21 can introduce a gas from the gas introduction port 28 and supply the gas toward the wafer 23 in a shower shape. Gas inlet 2
Although not shown, a supply device for supplying a material gas for film formation and an etching gas for dry cleaning is connected to the end of 8. The gas supplied to the chamber 24 is
More exhausted. Although not shown, an exhaust unit such as a vacuum pump and a pressure control unit for keeping the pressure in the chamber constant are provided at the end of the exhaust port 29. Chamber 24,
The chamber lid 25, the deposition-preventing plate 37, and the lower electrode 22 are grounded, and the upper electrode 21 is connected to an RF electrode 30 via an RF-switch (RF-SW) 31.
【０００９】このような図５のプラズマＣＶＤ装置にお
いては以下のような成膜プロセスにより成膜が行われ
る。In the plasma CVD apparatus shown in FIG. 5, a film is formed by the following film forming process.
【００１０】まず、ヒータＳＷ３６がオンにされて、ヒ
ータ３４により防着板３７が加熱される。次いで、下部
電極２２上にウエハ２３が搭載されて、下部電極２２の
内蔵ヒーターにより、その加熱が実行される。First, the heater SW 36 is turned on, and the deposition prevention plate 37 is heated by the heater 34. Next, the wafer 23 is mounted on the lower electrode 22, and is heated by the built-in heater of the lower electrode 22.
【００１１】また、上部電極２１より材料ガスが導入さ
れ、チャンバ内圧力が調整され、ＲＦ−ＳＷ３１がオン
にされ、ＲＦ電力が上下電極間に印加され，プラズマが
発生する。そして、プラズマによりエネルギーを得た材
料ガス原子がウエハ２３上で反応することにより薄膜が
形成される。A material gas is introduced from the upper electrode 21, the pressure in the chamber is adjusted, the RF-SW 31 is turned on, RF power is applied between the upper and lower electrodes, and plasma is generated. Then, a thin film is formed by the reaction of the material gas atoms obtained by the plasma on the wafer 23.
【００１２】このような成膜プロセスにおいて、材料ガ
ス原子の反応はウエハ２３上のみではなくチャンバ２４
の側面，底面，防着板３７表面でも起こる。このため、
それらの部位に不要膜が形成される。これらの不要膜の
うち防着板３７の表面に付着したものは、防着板３７が
高温に加熱されているため付着力が増し容易には剥がれ
にくいものとなるが、その他のチャンバ側面、底面につ
いた不要膜は温度が低いため未反応の膜となり剥がれや
すいものとなる。不要膜は、成膜を繰り返すことにより
成長するため、剥がれてパーティクルとなり、ウエハ２
３上に落下して欠陥の原因となる。In such a film forming process, the reaction of the material gas atoms occurs not only on the wafer 23 but also on the chamber 24.
Also occurs on the side surface, bottom surface, and the surface of the attachment-preventing plate 37. For this reason,
Unnecessary films are formed at those sites. Among these unnecessary films, those that adhere to the surface of the deposition-preventing plate 37 become difficult to be easily peeled off because the deposition-preventing plate 37 is heated to a high temperature and the adhesive force is increased, but it is difficult to peel off. The unnecessary film attached to the substrate has a low temperature and becomes an unreacted film and is easily peeled off. The unnecessary film grows by repeating the film formation, and thus peels off and becomes particles, and the wafer 2
3 and may cause a defect.
【００１３】図５のプラズマＣＶＤ装置では、ウエハ２
３上への落下を起こし易いチャンバ上面における不要膜
を、防着板により落下しにくくしている。しかしなが
ら、成膜を何回も繰り返すと防着板における不要膜の厚
みが増し、ついには剥がれを生じる。これを防ぐため
に、通常、不要膜が適当に付着した時点で、ドライクリ
ーニングを行われる。In the plasma CVD apparatus shown in FIG.
The unnecessary film on the upper surface of the chamber, which is likely to fall on the upper surface 3, is made harder to fall by the anti-adhesion plate. However, if the film formation is repeated many times, the thickness of the unnecessary film on the deposition-preventing plate increases, and eventually the film is peeled off. To prevent this, dry cleaning is usually performed when the unnecessary film is properly attached.
【００１４】以下、ドライクリーニングプロセスについ
て説明する。ドライクリーニングのプロセスでは、下部
電極２２上にウエハ２３は載せない状態で、上部電極２
１よりエッチングガスが導入される。そして、チャンバ
内圧力の調整がなされた状態で、ＲＦ−ＳＷ３１がオン
にされてＲＦ電力が印加され、上下電極間にプラズマが
発生する。プラズマによりエネルギーを得たエッチング
ガス原子が、上部電極２１，下部電極２２およびその周
辺にぶつかることにより、そこに付着している不要膜が
分解、気化され除去される。Hereinafter, the dry cleaning process will be described. In the dry cleaning process, the upper electrode 2 is placed in a state where the wafer 23 is not placed on the lower electrode 22.
An etching gas is introduced from Step 1. Then, in a state where the pressure in the chamber is adjusted, the RF-SW 31 is turned on, RF power is applied, and plasma is generated between the upper and lower electrodes. When the etching gas atoms obtained by the plasma collide with the upper electrode 21, the lower electrode 22, and the periphery thereof, the unnecessary film attached thereto is decomposed, vaporized and removed.
【００１５】図６は従来のプラズマＣＶＤ装置の他の例
（特開平４−９９２８１号公報参照）を説明する図であ
る。図６のプラズマＣＶＤ装置が図５のプラズマＣＶＤ
装置と相違している点は、チャンバ内に補助電極２６が
設置されている点である。FIG. 6 is a view for explaining another example of a conventional plasma CVD apparatus (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-99281). The plasma CVD apparatus of FIG.
The difference from the apparatus is that an auxiliary electrode 26 is provided in the chamber.
【００１６】補助電極２６は、ワッカの形状をして上下
電極間を取り巻くように、取付用のロッド３８に支持さ
れている。ロッド３８は、その先端が直進導入器３９に
支持されており、補助電極２６を上下に移動可能とす
る。直進導入器３９は、チャンバ２４の底面の一部に設
けられた絶縁物３４に固定されている。これにより、直
進導入器３９とロッド３８と補助電極２６がチャンバ２
４と絶縁される。直進導入器３９には、ＲＦ−ＳＷ３２
を介してＲＦ電源３０が接続されている。The auxiliary electrode 26 is supported by a mounting rod 38 so as to surround the space between the upper and lower electrodes in the shape of a washer. The tip of the rod 38 is supported by a straight introducer 39 to enable the auxiliary electrode 26 to move up and down. The rectilinear introduction device 39 is fixed to an insulator 34 provided on a part of the bottom surface of the chamber 24. Thereby, the straight introduction device 39, the rod 38, and the auxiliary electrode 26 are connected to the chamber 2
4 and insulated. The straight-introducing device 39 includes an RF-SW 32
The RF power supply 30 is connected via the.
【００１７】このようなプラズマＣＶＤ装置では、成膜
プロセスは、上記した成膜プロセスと同様のプロセスに
よりなされる。このとき、補助電極２６は、成膜プロセ
スにおいては、異常放電などでプラズマを乱すことがな
いように、下部電極よりも低い位置に配置される。すな
わち、補助電極２６は成膜には何ら関与しない。In such a plasma CVD apparatus, a film forming process is performed by a process similar to the above-described film forming process. At this time, in the film forming process, the auxiliary electrode 26 is disposed at a position lower than the lower electrode so as not to disturb the plasma due to abnormal discharge or the like. That is, the auxiliary electrode 26 has no relation to the film formation.
【００１８】ドライクリーニングプロセスでは、先に示
した図５のドライクリーニングプロセスと同様のプロセ
スが前段として行われる。すなわち、まず、上下電極間
にＲＦが印加される。その後、ＲＦ−ＳＷ３１がオフと
され、補助電極２６が適当な位置まで移動される。そし
て、ＲＦ−ＳＷ３２がオンとされ、補助電極２６と下部
電極２２側面、補助電極２６とチャンバ２４側壁、補助
電極２６とチャンバ蓋２５等との間での放電が行われ、
前段のドライクリーニングでは取れにくかったチャンバ
側壁や絶縁物３３の周り等の不要膜の除去が容易になさ
れる。In the dry cleaning process, a process similar to the above-described dry cleaning process shown in FIG. That is, first, RF is applied between the upper and lower electrodes. Thereafter, the RF-SW 31 is turned off, and the auxiliary electrode 26 is moved to an appropriate position. Then, the RF-SW 32 is turned on, and discharge is performed between the auxiliary electrode 26 and the side surface of the lower electrode 22, the auxiliary electrode 26 and the side wall of the chamber 24, the auxiliary electrode 26 and the chamber cover 25, and the like.
Unnecessary films on the side walls of the chamber and around the insulator 33, which are difficult to remove by the dry cleaning in the former stage, can be easily removed.
【００１９】[0019]
【発明が解決しようとする課題】図５に示したプラズマ
ＣＶＤ装置によれば、不要膜の付着力は強化されるの
で、成膜時に発生するパーティクルの量は少なくなり、
ドライクリーニング工程の必要な周期（連続成膜処理で
きる枚数）は増加する。According to the plasma CVD apparatus shown in FIG. 5, since the adhesion of the unnecessary film is strengthened, the amount of particles generated at the time of film formation is reduced.
The required period of the dry cleaning step (the number of sheets that can be subjected to the continuous film forming process) increases.
【００２０】しかしながら、防着板は成膜時に放電を乱
さないように上下電極間距離よりも離して設置する必要
があるため、ドライクリーニングを行っても、防着板に
はプラズマが届きにくく、上下電極周辺に比べてエッチ
ング量が少ない。その上成膜時に加熱して膜の付着力を
強化してあるため、これを綺麗に取り除くにはクリーニ
ング時間が非常に長くなってしまう。クリーニング時間
を長くすると先に短時間で膜の取れた上下電極の表面を
プラズマでたたき続けることになり、電極表面を痛めて
しまい、部品交換のサイクルを早め、交換部品コストや
メンテナンスコストの増大といった弊害がでてくる。こ
れを避けるため防着板が完全に除去できない状態でドラ
イクリーニングを打ち切ると、却って防着板の不要膜が
剥がれ易くなってしまう（パーティクルが発生しやすく
なる）。要するに、図５のプラズマＣＶＤ装置では、パ
ーティクルの発生を抑制することと、部品の交換サイク
ルの長期化の両方を実現することが困難であった。However, since the deposition-preventing plate needs to be set at a distance larger than the distance between the upper and lower electrodes so as not to disturb the discharge during film formation, even if dry cleaning is performed, the plasma hardly reaches the deposition-preventing plate. The etching amount is smaller than that around the upper and lower electrodes. In addition, since the film is heated at the time of film formation to enhance the adhesion of the film, it takes a very long cleaning time to cleanly remove the film. If the cleaning time is lengthened, the surface of the upper and lower electrodes from which the film has been removed in a short time will continue to be hit with plasma, damaging the electrode surface, accelerating the cycle of component replacement, increasing replacement component cost and maintenance cost. The evil comes out. If dry cleaning is terminated in a state where the deposition-preventing plate cannot be completely removed in order to avoid this, an unnecessary film of the deposition-preventing plate is more likely to be peeled off (particles are more likely to be generated). In short, in the plasma CVD apparatus of FIG. 5, it was difficult to realize both the suppression of the generation of particles and the prolongation of the replacement cycle of parts.
【００２１】また、ドライクリーニング時間の短時間化
または省略するために、防着板を取り外して酸処理する
ウエットクリーニングを行うことも提案されているが、
そのためには、チャンバ内のヒータを一旦切って温度を
下げ、チャンバを真空から大気に戻した後、防着板の洗
浄を行い、再びチャンバを真空引きし、ヒータを昇温す
ることが必要であり、その間装置が止まってしまうた
め、生産性向上には適さない。In order to shorten or omit the dry cleaning time, it has been proposed to perform wet cleaning in which the anti-adhesion plate is removed and acid treatment is performed.
For this purpose, it is necessary to turn off the heater in the chamber, lower the temperature, return the chamber from vacuum to the atmosphere, wash the deposition prevention plate, evacuate the chamber again, and raise the temperature of the heater. However, since the apparatus stops during that time, it is not suitable for improving productivity.
【００２２】また、図６のプラズマＣＶＤ装置における
補助電極によるクリーニング方式は、クリーニングの効
率を上げてクリーニングに要する時間を短縮するので、
上下電極へのダメージは低減するが、成膜時の不要膜か
らのパーティクルを抑制する効果はなく、クリーニング
工程の時間は短くなるが回数は減らない。また、補助電
極にＲＦを印加するためチャンバの一部に絶縁部を設け
てＲＦ導入部を作ったり、補助電極が成膜時に上下電極
の近くにあるとプラズマを乱し、膜特性の分布が悪くな
るので、補助電極は成膜の邪魔にならないように移動可
能にするなど複雑な構造が必要である。また、移動機構
を省略する場合は成膜時に放電の邪魔にならず、かつ、
クリーニング時に十分効果が発揮できる位置でなくては
ならず、これまでに適当な取り付け位置が決まっていな
かった。そのため、補助電極を取り付けたためチャンバ
が大きくなったり、補助電極で異常放電が生じたり、期
待した場所でクリーニング効果が得られないなど、補助
電極を有効に活用する設計は非常に困難であった。The cleaning method using the auxiliary electrode in the plasma CVD apparatus shown in FIG. 6 increases the cleaning efficiency and shortens the time required for cleaning.
Although damage to the upper and lower electrodes is reduced, there is no effect of suppressing particles from unnecessary films during film formation, and the time of the cleaning step is shortened but the number of times is not reduced. In addition, an insulating part is provided in a part of the chamber to apply RF to the auxiliary electrode to form an RF introducing part, or if the auxiliary electrode is near the upper and lower electrodes during film formation, the plasma is disturbed, and the distribution of film characteristics is reduced. Since it becomes worse, the auxiliary electrode needs to have a complicated structure such as being movable so as not to hinder film formation. If the moving mechanism is omitted, it does not hinder the discharge during film formation, and
It must be a position where a sufficient effect can be exhibited during cleaning, and an appropriate mounting position has not been determined so far. For this reason, it has been very difficult to design the effective use of the auxiliary electrode, for example, the chamber becomes large due to the attachment of the auxiliary electrode, abnormal discharge occurs in the auxiliary electrode, and the cleaning effect cannot be obtained at the expected place.
【００２３】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であって、パーティクルに起因して形成膜に生じる欠陥
を抑制でき、且つ、クリーニングによるダメイージが少
なく、また、生産性も高いプラズマＣＶＤ装置を提供す
ることを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and a plasma CVD apparatus which can suppress defects generated in a formed film due to particles, has less damage due to cleaning, and has high productivity. The purpose is to provide.
【００２４】[0024]
【課題を解決するための手段】請求項１に記載のプラズ
マＣＶＤ装置は、被成膜ウエハをその上面に載せて加熱
する下部電極と、その下部電極の上方にあり、下部電極
との間に高周波電力を印加するとともに反応ガスを噴出
する吹出口を兼ねる上部電極と、を有するプラズマＣＶ
Ｄ装置において、前記上部電極の周囲に、ヒータを兼ね
る高周波電力印加用の補助電極を有してなるものであ
る。According to a first aspect of the present invention, there is provided a plasma CVD apparatus comprising: a lower electrode for heating a wafer on which a film is to be formed by mounting the wafer on the upper surface thereof; and a lower electrode located above the lower electrode. A plasma CV having a high frequency power applied thereto and an upper electrode also serving as an outlet for ejecting a reaction gas.
In the device D, an auxiliary electrode for applying high frequency power, which also serves as a heater, is provided around the upper electrode.
【００２５】請求項２に記載のプラズマＣＶＤ装置は、
請求項１に記載のプラズマＣＶＤ装置において、前記補
助電極は、シースヒータを内蔵した金属板からなるもの
である。The plasma CVD apparatus according to claim 2 is
2. The plasma CVD apparatus according to claim 1, wherein the auxiliary electrode is made of a metal plate having a built-in sheath heater.
【００２６】請求項３に記載のプラズマＣＶＤ装置は、
請求項１または請求項２に記載のプラズマＣＶＤ装置に
おいて、前記補助電極は、前記上部電極の周囲に配され
た絶縁物に設けられた溝に埋め込まれてなるものであ
る。The plasma CVD apparatus according to claim 3 is
3. The plasma CVD apparatus according to claim 1, wherein the auxiliary electrode is embedded in a groove provided in an insulator provided around the upper electrode.
【００２７】請求項４に記載のプラズマＣＶＤ装置は、
被成膜ウエハをその上面に載せて加熱する下部電極と、
その下部電極の上方にあり、下部電極との間に高周波電
力を印加するとともに反応ガスを噴出する吹出口を兼ね
る上部電極と、を有するプラズマＣＶＤ装置を用いて、
成膜を行うプラズマＣＶＤ装置の使用方法において、成
膜時に、前記補助電極をヒータとして用い、クリーニン
グ時に、前記補助電極に高周波電力を印加するものであ
る。[0027] The plasma CVD apparatus according to claim 4 is
A lower electrode that heats the film-forming wafer on the upper surface thereof;
Using a plasma CVD apparatus having an upper electrode that is located above the lower electrode and that also serves as an outlet for applying a high-frequency power between the lower electrode and ejecting a reaction gas, and
In the method of using a plasma CVD apparatus for forming a film, the auxiliary electrode is used as a heater during film formation, and high-frequency power is applied to the auxiliary electrode during cleaning.
【００２８】[0028]
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態につ
いて説明する。図１は、本発明のプラズマＣＶＤ成膜装
置の構成を示す模式図である。上部電極１の周りには上
部電極１とチャンバ蓋５の間で異常放電を起こさないよ
うにするための絶縁リング７が付いており、絶縁リング
７には溝を切ってヒータ補助電極６が嵌め込まれてい
る。ヒータ補助電極６はヒータＳＷ１２を介してヒータ
用電源１０より通電して加熱可能であり、かつ、ＲＦ−
ＳＷ１４を介してＲＦ電源１１よりＲＦを印加すること
ができる。Embodiments of the present invention will be described below. FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of a plasma CVD film forming apparatus of the present invention. An insulating ring 7 for preventing abnormal discharge between the upper electrode 1 and the chamber lid 5 is provided around the upper electrode 1, and a heater auxiliary electrode 6 is fitted into the insulating ring 7 by cutting a groove. Have been. The heater auxiliary electrode 6 can be heated by being energized by a heater power supply 10 via a heater SW12, and can be heated by RF-
RF can be applied from the RF power supply 11 via the SW 14.
【００２９】ヒータ補助電極６は、成膜時はヒータとし
て絶縁リング７を加熱し、そこに付着する不要膜を強固
にしてウエハ３上に落下しにくくし、パーティクルの発
生を抑制する。さらに、クリーニング時には、ＲＦ−Ｓ
Ｗ１４を介したＲＦの印加によりのＲＦ用の補助電極と
して機能し、絶縁リング７に付いた強固な膜を除去す
る。The heater auxiliary electrode 6 heats the insulating ring 7 as a heater at the time of film formation, strengthens the unnecessary film adhered to the ring, makes it difficult to fall on the wafer 3, and suppresses generation of particles. Further, at the time of cleaning, RF-S
It functions as an auxiliary electrode for RF by applying RF through W14, and removes a strong film attached to the insulating ring 7.
【００３０】以下、このような本実施の形態のプラズマ
ＣＶＤ装置による成膜プロセス及びドライクリーニング
プロセスについて説明する。Hereinafter, a film forming process and a dry cleaning process by the plasma CVD apparatus according to the present embodiment will be described.
【００３１】（成膜プロセス）ここでは、Ｓｉウエハ３
（８インチウエハ）に窒化膜（ＳｉＮ膜）を成膜する場
合を例にとって説明する。まず、ヒータＳＷ１２をオン
してヒータ補助電極６にヒータ用電源１０を通電し、絶
縁リング７を１００〜４００℃に加熱する。このとき、
図示していないが熱電対を取り付けるなどしてヒータ補
助電極６の温度制御を必要に応じて行う。ウエハ３は加
熱手段を内蔵した下部電極２上で２５０〜４５０℃に加
熱される。上部電極１と下部電極２の間隔は５〜５０ｍ
ｍに設定する。(Film Forming Process) Here, the Si wafer 3
An example in which a nitride film (SiN film) is formed on an (8-inch wafer) will be described. First, the heater SW 12 is turned on, the heater power supply 10 is energized to the heater auxiliary electrode 6, and the insulating ring 7 is heated to 100 to 400 ° C. At this time,
Although not shown, the temperature of the heater auxiliary electrode 6 is controlled as necessary by attaching a thermocouple or the like. The wafer 3 is heated to 250 to 450 ° C. on the lower electrode 2 having a built-in heating means. The distance between the upper electrode 1 and the lower electrode 2 is 5 to 50 m
Set to m.
【００３２】続いて、上部電極１からは材料ガスとして
ＳｉＨ4（モノシラン）１０〜５００ｓｃｃｍ、ＮＨ
3（アンモニア）１０〜５００ｓｃｃｍ、Ｎ2（窒素）１
００〜７０００ｓｃｃｍをチャンバ４内へ導入する。そ
して、チャンバ４内は排気コンダクタンス等を調整して
０．１〜８Ｔｏｒｒの圧力に設定する。Subsequently, from the upper electrode 1, 10 to 500 sccm of SiH 4 (monosilane) and NH
3 (ammonia) 10-500 sccm, N 2 (nitrogen) 1
0.00-7000 sccm is introduced into the chamber 4. The pressure inside the chamber 4 is set to 0.1 to 8 Torr by adjusting the exhaust conductance and the like.
【００３３】この状態で、ＲＦ−ＳＷ１３をオンとし
て、１３．５６ＭＨｚのＲＦ電力１００〜１０００Ｗを
上部電極１と下部電極２の間に印加しプラズマを発生さ
せる。これにより、プラズマによりエネルギーを得たＳ
ｉ（硅素）、Ｈ（水素）、Ｎ（窒素）のラジカルがウエ
ハ３上で反応して窒化膜を付ける。In this state, the RF-SW 13 is turned on, and 13.56 MHz RF power of 100 to 1000 W is applied between the upper electrode 1 and the lower electrode 2 to generate plasma. As a result, S obtained energy by the plasma
Radicals of i (silicon), H (hydrogen), and N (nitrogen) react on the wafer 3 to form a nitride film.
【００３４】この際、チャンバ４内の他の部分でも、ラ
ジカルが移動して窒化硅素の反応したもの、即ち、不要
膜が付く。ここで絶縁リング７に付く膜は、ヒータ補助
電極６により絶縁リング７が加熱されているためラジカ
ルが良く反応して、ウエハ３上に付く膜と同様に強固で
剥がれにくい膜である。その他のチャンバ４の側壁など
に付く膜は、温度が低いために反応不十分の脆くて剥が
れやすい膜になる。但し、チャンバ４の側壁はウエハ３
より離れていてガス流の下流になり、パーティクルが発
生してもウエハ３上に落ちにくく問題にならない。At this time, also in other parts in the chamber 4, the radicals move and silicon nitride reacts, that is, an unnecessary film is formed. Here, the film attached to the insulating ring 7 is a film which is strong and hard to peel off like the film attached to the wafer 3 because radicals react well because the insulating ring 7 is heated by the heater auxiliary electrode 6. Other films attached to the side wall of the chamber 4 are brittle and insufficiently reacted because of the low temperature. However, the side wall of the chamber 4 is the wafer 3
Even if particles are further away and downstream of the gas flow, even if particles are generated, they do not easily fall on the wafer 3 and cause no problem.
【００３５】ウエハ３に所望の厚さの窒化膜が付いたら
ＲＦ−ＳＷ１３をオフして放電を止め、ウエハ３を取り
出す。When the nitride film having a desired thickness is attached to the wafer 3, the RF-SW 13 is turned off to stop the discharge, and the wafer 3 is taken out.
【００３６】本実施の形態のプラズマＣＶＤ装置では、
チャンバ４内の汚れが激しくなりパーティクル量が問題
になるまで、ウエハ３を入れ替えて上記の成膜を繰り返
す。この繰り返し回数は、ヒータ補助電極６がなく、全
くチャンバ壁の加熱を行わない（下部電極ヒータは加熱
する）場合だと、直ぐにパーティクルが発生してウエハ
１〜２枚しか成膜を繰り返せないが、本実施の形態では
５〜６枚、成膜条件によっては１０枚も繰り返すことが
でき、防着板使用の場合と同等の性能が得られた。In the plasma CVD apparatus of the present embodiment,
Until the inside of the chamber 4 becomes heavily contaminated and the amount of particles becomes a problem, the wafer 3 is replaced and the above film formation is repeated. The number of repetitions is such that if there is no heater auxiliary electrode 6 and the chamber wall is not heated at all (the lower electrode heater is heated), particles are immediately generated and only one or two wafers can be repeatedly formed. In this embodiment, 5 to 6 sheets can be repeated, and 10 sheets can be repeated depending on the film forming conditions, and the same performance as that of the case of using the anti-adhesion plate is obtained.
【００３７】（ドライクリーニングプロセス）チャンバ
内が十分汚れて成膜が続けられなくなったらドライクリ
ーニングプロセスを実行する。その過程を次に説明す
る。ヒータ用ＳＷ１２をオフしてヒータ補助電源１０を
ヒータ補助電極６から切り離す。これは、ヒータ補助電
極６にＲＦ電力を印加した時、ＲＦがヒータ電源１０に
漏れたり、ヒータ制御用の熱電対にＲＦが乗って温度制
御が狂わないようにするためで、十分に漏れ対策が施し
てあれば特に切り離す必要はなく連続して加熱していて
もよい。また、ヒータをオフすると絶縁リングの温度が
下がるが、クリーニングの時は温度が低くてもエッチン
グ速度は十分あるので問題ない。同様に下部電極２の温
度も何度でもよい。上部電極１と下部電極２の間隔は５
〜５０ｍｍに設定する。上部電極１からはエッチングガ
スとしてＣ2Ｆ6（フロン１１６）１０〜５００ｓｃｃ
ｍ、Ｏ2（酸素）１０〜５００ｓｃｃｍをチャンバ４内
へ導入する。チャンバ４内は０．１〜５Ｔｏｒｒに圧力
調整する。(Dry Cleaning Process) When the inside of the chamber becomes sufficiently dirty and film formation cannot be continued, a dry cleaning process is executed. The process will be described below. The heater SW 12 is turned off to disconnect the heater auxiliary power supply 10 from the heater auxiliary electrode 6. This is to prevent RF leakage to the heater power supply 10 when RF power is applied to the heater auxiliary electrode 6 and to prevent temperature control from being disrupted by RF riding on the thermocouple for heater control. If it has been applied, there is no particular need to separate and heating may be performed continuously. When the heater is turned off, the temperature of the insulating ring decreases, but there is no problem during cleaning because the etching rate is sufficient even if the temperature is low. Similarly, the temperature of the lower electrode 2 may be any number of times. The distance between the upper electrode 1 and the lower electrode 2 is 5
Set to ５０50 mm. From the upper electrode 1, C 2 F 6 (CFC 116) 10 to 500 scc as an etching gas
m, O 2 (oxygen) 10-500 sccm is introduced into the chamber 4. The pressure in the chamber 4 is adjusted to 0.1 to 5 Torr.
【００３８】この状態で、先ずＲＦ−ＳＷ１３をオンし
て１３．５６ＭＨｚのＲＦ電力１００〜１０００Ｗを上
下電極間に印加しプラズマを発生させる。プラズマによ
りエネルギーを得たＦ（フッ素）ラジカルがチャンバ４
内の壁などに付着した不要膜に衝突し、これを分解、気
化する。この時、上下電極間の放電であるため、上下電
極周辺の不要膜が良く除去できる。In this state, first, the RF-SW 13 is turned on, and RF power of 13.56 MHz of 100 to 1000 W is applied between the upper and lower electrodes to generate plasma. F (fluorine) radicals obtained energy by plasma
It collides with unnecessary films adhering to inner walls, etc., and decomposes and evaporates. At this time, since the discharge is between the upper and lower electrodes, unnecessary films around the upper and lower electrodes can be removed well.
【００３９】不要膜を十分除去できた時点でＲＦ−ＳＷ
１３をオフして、ＲＦ−ＳＷ１４をオンし１３．５６Ｍ
ＨｚＲＦ電力１００〜１０００Ｗをヒータ補助電極６に
印加しプラズマを発生させる。この時プラズマはヒータ
補助電極６の周りに広がる。そのためチャンバ４の側壁
や絶縁リング７など前段のドライクリーニングでは不要
膜が十分に除去できなかった部分を容易にクリーニング
できる。チャンバ内の不要膜が除去されて綺麗になった
ら、ＲＦ−ＳＷ１４をオフして放電を止めクリーニング
を終了する。When the unnecessary film has been sufficiently removed, the RF-SW
13 is turned off, RF-SW 14 is turned on and 13.56M
A RF power of 100 to 1000 W is applied to the heater auxiliary electrode 6 to generate plasma. At this time, the plasma spreads around the heater auxiliary electrode 6. Therefore, it is possible to easily clean portions such as the side wall of the chamber 4 and the insulating ring 7 from which the unnecessary film cannot be sufficiently removed by the preceding dry cleaning. When the unnecessary film in the chamber is removed and becomes clean, the RF-SW 14 is turned off to stop the discharge and finish the cleaning.
【００４０】なお、上記プロセスではドライクリーニン
グを上部電極の放電と補助電極の放電の二段階で行った
が、ＲＦ−ＳＷ１３とＲＦ−ＳＷ１４を同時にオンし
て、上部電極と補助電極を同時に放電させ、上下電極間
と絶縁リング７の周辺を一度にクリーニングしてしまう
ことも可能である。In the above process, the dry cleaning is performed in two stages, that is, the discharge of the upper electrode and the discharge of the auxiliary electrode. However, the RF-SW 13 and the RF-SW 14 are simultaneously turned on to discharge the upper electrode and the auxiliary electrode simultaneously. It is also possible to clean the space between the upper and lower electrodes and the periphery of the insulating ring 7 at a time.
【００４１】図２は、上部電極放電、補助電極放電、上
部電極と補助電極同時放電の時のエッチング量のチャン
バ内分布を示す図である。この図に示すように、上部電
極放電ではチャンバ内の上下電極間（０〜１０５ｍｍの
範囲）ではエッチング量が大きいが、その外側では非常
に小さいエッチング分布である。そのため上下電極周辺
は非常によくクリーニングできるが、周辺部はクリーニ
ングが困難である。一方、補助電極放電では、逆に、上
下電極間でエッチング量が小さく、その外側でエッチン
グ量が大きくなる。そのため、上下電極表面を痛めるこ
となく、上部電極周辺部のクリーニングが行える。ま
た、上部電極と補助電極を同時に放電した場合は、上部
電極のみの放電に似たエッチング分布であるが、補助電
極が加わったことにより周辺部でのエッチング量の増加
が見られる。そのため、上部電極のみに比べてより効率
のよいクリーニングが行える。FIG. 2 is a diagram showing the distribution in the chamber of the etching amount at the time of the upper electrode discharge, the auxiliary electrode discharge, and the simultaneous discharge of the upper electrode and the auxiliary electrode. As shown in this figure, in the upper electrode discharge, the etching amount is large between the upper and lower electrodes in the chamber (range of 0 to 105 mm), but the etching distribution is very small outside. Therefore, the periphery of the upper and lower electrodes can be cleaned very well, but the periphery is difficult to clean. On the other hand, in the auxiliary electrode discharge, on the contrary, the etching amount is small between the upper and lower electrodes, and the etching amount is larger outside the upper and lower electrodes. Therefore, the peripheral portion of the upper electrode can be cleaned without damaging the upper and lower electrode surfaces. When the upper electrode and the auxiliary electrode are simultaneously discharged, the etching distribution is similar to the discharge of only the upper electrode, but the amount of etching in the peripheral portion is increased due to the addition of the auxiliary electrode. Therefore, more efficient cleaning can be performed as compared with only the upper electrode.
【００４２】本実施の形態では上部電極へ印加するＲＦ
電源と補助電極に印加するＲＦ電源が同一としたが、そ
れぞれの電極に加えるＲＦ電力を別個のＲＦ電源として
もよい。この場合、上部電極と補助電極に加わるＲＦ電
力の割合を変えることができ、よりクリーニング効率の
よいエッチング分布を得ることができる。In this embodiment, RF applied to the upper electrode
Although the power supply and the RF power applied to the auxiliary electrode are the same, the RF power applied to each electrode may be a separate RF power. In this case, the ratio of RF power applied to the upper electrode and the auxiliary electrode can be changed, and an etching distribution with higher cleaning efficiency can be obtained.
【００４３】次に、図３，４を用いてヒータ補助電極の
構造を詳しく説明する。図３は、ヒータ補助電極６の一
例を示す構成図である。補助電極部４１はワッカ形状を
しており、その内部にシースヒータが埋め込まれてい
る。シースヒータとは筒上の鞘（シース）の中に電熱線
をシースに接触しないように隙間に絶縁物を詰めて入れ
たものである。シースヒータを絶縁リングに埋め込む方
法としては、補助電極部４１に溝を切って嵌め込んでも
よいし、補助電極部４１の材質をＡｌ（アルミニウム）
などにして鋳込んで作ってもよい。シースヒータは補助
電極部４１全体を均一に加熱するために極力、補助電極
部４１のどこでも同じ長さ密度になるように埋め込ま
れ、補助電極部４１の２カ所のヒータシース取出部４４
より引き出される。図３では破線で電極内のシースヒー
タ経路４６を示しているがこれは一例であり、どの様な
経路でも自由である。ヒータシース取出部４４の途中に
は金具４７を介して、ＲＦ印加用銅帯４５が取り付けら
れＲＦが印加できる。ヒータシース取出部４４の先端に
はＲＦの絶縁とヒータ温度の断熱のための絶縁スリーブ
４３があり、ヒータ線４２がむき出される。図３ではヒ
ータシース取出部４３を２本設けて、ヒータ線４２を一
方のヒータシース取出部４４から入れてもう一方から出
すような形になっているが、一本のヒータシース取出部
４４に２本のヒータ線が通るように作ればヒータシース
取出部４４は一本だけでよい。Next, the structure of the heater auxiliary electrode will be described in detail with reference to FIGS. FIG. 3 is a configuration diagram illustrating an example of the heater auxiliary electrode 6. The auxiliary electrode portion 41 has a vodka shape, and a sheath heater is embedded therein. The sheath heater is one in which an insulating material is filled in a gap so as to prevent a heating wire from contacting the sheath in a sheath (sheath) on a cylinder. As a method of embedding the sheath heater in the insulating ring, a groove may be cut into the auxiliary electrode portion 41 and the auxiliary heater may be inserted into the auxiliary electrode portion 41.
It may be made by casting. The sheath heater is embedded as much as possible to have the same length density anywhere in the auxiliary electrode portion 41 in order to uniformly heat the entire auxiliary electrode portion 41, and the two heater sheath extraction portions 44 of the auxiliary electrode portion 41 are provided.
More drawn. In FIG. 3, the sheath heater path 46 in the electrode is shown by a broken line, but this is an example, and any path is free. A copper band 45 for RF application is attached to the middle of the heater sheath extraction section 44 via a metal fitting 47 so that RF can be applied. At the end of the heater sheath take-out part 44, there is an insulating sleeve 43 for RF insulation and heater temperature insulation, and the heater wire 42 is exposed. In FIG. 3, two heater sheath take-out portions 43 are provided, and the heater wire 42 is inserted from one heater sheath take-out portion 44 and taken out from the other. However, two heater sheath take-out portions 44 are provided in one heater sheath take-out portion 44. As long as the heater wire is made to pass through, only one heater sheath extraction portion 44 is required.
【００４４】図４は、ヒータ補助電極５３を絶縁リング
５２に取り付けた状態を示した断面図である。ヒータ補
助電極５３は絶縁リング５２に設けた溝に挿入されてお
り、これにより絶縁リング５２を効果的に加熱する。ま
た、チャンバ内面側は、上部電極５１と絶縁リング５２
とヒータ補助電極５３の表面が同一平面に並ぶように配
置されている。これは、チャンバ内に電界が集中する突
出部を作らず異常放電を抑え、プラズマの分布をよくす
るためである。ヒータシース取出部５７はここにＲＦを
印加するため、周りのチャンバ蓋（図示せず）と接触し
ないように絶縁物５８をその周りに取り付ける。FIG. 4 is a sectional view showing a state in which the heater auxiliary electrode 53 is attached to the insulating ring 52. The heater auxiliary electrode 53 is inserted into a groove provided in the insulating ring 52, thereby effectively heating the insulating ring 52. The inner surface of the chamber has an upper electrode 51 and an insulating ring 52.
And heater auxiliary electrodes 53 are arranged such that the surfaces thereof are aligned on the same plane. This is for suppressing abnormal discharge and improving plasma distribution without forming a projection in which an electric field is concentrated in the chamber. In order to apply RF to the heater sheath take-out portion 57, an insulator 58 is attached therearound so as not to come into contact with a surrounding chamber lid (not shown).
【００４５】以上説明したようにヒータ補助電極を作成
すれば、ヒータと補助電極を別々に作成する場合に比
べ、チャンバへのＲＦ導入部とヒータ電流導入部を共通
させることができ、導入部に必要な真空封止部や絶縁部
の部品が一つで済み、ヒータ補助電極の制作費を除いて
考えると、チャンバの制作費は従来と変わらない。ま
た、絶縁リングに嵌め込むことを考えると、絶縁リング
と別個に防着板を設けたり、補助電極を移動可能にした
りする場合に比べ、はるかに廉価となる。同様に組み立
て、取付作業も従来同等、もしくはそれ以上に簡単にな
る。また、絶縁リングに嵌め込むため、ヒータ補助電極
を取り付けても装置サイズが大きくならないし、従来の
小型の装置に対しても改造して取り付けることが比較的
容易である。As described above, when the heater auxiliary electrode is formed, the RF introduction part and the heater current introduction part to the chamber can be made common as compared with the case where the heater and the auxiliary electrode are separately formed. Only one component is required for the vacuum sealing portion and the insulating portion, and the production cost of the chamber is the same as the conventional one, except for the production cost of the heater auxiliary electrode. In addition, considering fitting into the insulating ring, the cost is much lower than the case where a deposition plate is provided separately from the insulating ring or the auxiliary electrode is made movable. Similarly, the assembling and mounting operations are conventionally equivalent or even easier. Also, since the heater auxiliary electrode is fitted to the insulating ring, the size of the device does not increase even when the heater auxiliary electrode is attached, and it is relatively easy to modify and attach to a conventional small device.
【００４６】[0046]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ヒータとＲＦ印加用の電極を兼ねる補助電極を上部電極
の周囲に有するため、成膜時におけるヒータ加熱により
不要膜の剥がれによるパーティクルの発生を抑制でき、
且つ、ドライクリーニング時におけるＲＦ電力の印加に
より不要付着物の除去，上部電極の長寿命化を実現でき
る。このように、本発明では成膜時，ドライクリーニン
グ時における問題点の両方を解決し、これにより生産性
を大きく向上することができる。As described above, according to the present invention,
Since an auxiliary electrode which also serves as a heater and an electrode for RF application is provided around the upper electrode, generation of particles due to peeling of an unnecessary film due to heating of the heater during film formation can be suppressed,
In addition, by applying RF power at the time of dry cleaning, it is possible to remove unnecessary deposits and extend the life of the upper electrode. As described above, the present invention solves both the problems at the time of film formation and at the time of dry cleaning, thereby greatly improving the productivity.
【００４７】また、補助電極を絶縁リングに埋め込ませ
てチャンバ内に無用な突出部分を作らないので、異常放
電を抑え、ウエハに成膜する膜の膜厚や屈折率の特性分
布を抑制できる。Further, since the auxiliary electrode is embedded in the insulating ring so as not to form an unnecessary protruding portion in the chamber, abnormal discharge can be suppressed, and the characteristic distribution of the film thickness and refractive index of the film formed on the wafer can be suppressed.
【図１】本発明のプラズマＣＶＤ成膜装置の一例を示す
構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram showing one example of a plasma CVD film forming apparatus of the present invention.
【図２】チャンバ内のエッチング量の分布を示す図であ
る。FIG. 2 is a diagram showing a distribution of an etching amount in a chamber.
【図３】本発明のヒータ補助電極の一例を示す構成図で
ある。FIG. 3 is a configuration diagram illustrating an example of a heater auxiliary electrode according to the present invention.
【図４】本発明のヒータ補助電極を絶縁リングに取り付
けた状態を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a state in which the heater auxiliary electrode of the present invention is attached to an insulating ring.
【図５】従来のプラズマＣＶＤ成膜装置の一例を示す構
成図である。FIG. 5 is a configuration diagram showing an example of a conventional plasma CVD film forming apparatus.
【図６】従来のプラズマＣＶＤ装置の他の例を示す構成
図である。FIG. 6 is a configuration diagram showing another example of a conventional plasma CVD apparatus.
１ 上部電極 ２ 下部電極 ３ ウエハ ４ チャンバ ６ ヒータ補助電極 ７ 絶縁リング ２６ 補助電極 Reference Signs List 1 upper electrode 2 lower electrode 3 wafer 4 chamber 6 heater auxiliary electrode 7 insulating ring 26 auxiliary electrode
Claims (4)
る下部電極と、その下部電極の上方にあり、下部電極と
の間に高周波電力を印加するとともに反応ガスを噴出す
る吹出口を兼ねる上部電極と、を有するプラズマＣＶＤ
装置において、 前記上部電極の周囲に、ヒータを兼ねる高周波電力印加
用の補助電極を有してなることを特徴とするプラズマＣ
ＶＤ装置。1. A lower electrode for heating a wafer on which a film to be formed is placed on an upper surface thereof, and also serving as an outlet for applying a high-frequency power between the lower electrode and the lower electrode and ejecting a reaction gas. Plasma CVD having upper electrode
The apparatus according to claim 1, further comprising an auxiliary electrode for applying high frequency power, which also functions as a heater, around the upper electrode.
VD device.
おいて、 前記補助電極は、シースヒータを内蔵した金属板からな
ることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。2. The plasma CVD apparatus according to claim 1, wherein the auxiliary electrode is formed of a metal plate having a sheath heater.
マＣＶＤ装置において、 前記補助電極は、前記上部電極の周囲に配された絶縁物
に設けられた溝に埋め込まれてなることを特徴とするプ
ラズマＣＶＤ装置。3. The plasma CVD apparatus according to claim 1, wherein the auxiliary electrode is buried in a groove provided in an insulator disposed around the upper electrode. Plasma CVD apparatus.
る下部電極と、その下部電極の上方にあり、下部電極と
の間に高周波電力を印加するとともに反応ガスを噴出す
る吹出口を兼ねる上部電極と、を有するプラズマＣＶＤ
装置を用いて、成膜を行うプラズマＣＶＤ装置の使用方
法において、 成膜時に、前記補助電極をヒータとして用い、 クリーニング時に、前記補助電極に高周波電力を印加す
ることを特徴とする使用方法。4. A lower electrode for heating a wafer on which a film to be formed is placed on its upper surface, and also serving as an outlet for applying a high-frequency power between the lower electrode and the lower electrode and ejecting a reaction gas. Plasma CVD having upper electrode
A method of using a plasma CVD apparatus for forming a film using an apparatus, wherein the auxiliary electrode is used as a heater during film formation, and high-frequency power is applied to the auxiliary electrode during cleaning.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10888598A JPH11307521A (en) | 1998-04-20 | 1998-04-20 | Plasma cvd equipment and its use |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10888598A JPH11307521A (en) | 1998-04-20 | 1998-04-20 | Plasma cvd equipment and its use |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11307521A true JPH11307521A (en) | 1999-11-05 |
Family
ID=14496072
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10888598A Pending JPH11307521A (en) | 1998-04-20 | 1998-04-20 | Plasma cvd equipment and its use |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11307521A (en) |
Cited By (5)
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1998
- 1998-04-20 JP JP10888598A patent/JPH11307521A/en active Pending
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