JPH1130399A - High pressure gas container valve for semiconductor manufacturing gas - Google Patents
High pressure gas container valve for semiconductor manufacturing gasInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体製造に用
いられる各種の特殊材料ガス（半導体製造ガス）を高圧
で充填したガスボンベに取付けられて、圧搾空気等の流
体圧力による遠隔操作によって弁の開閉が可能な高圧ガ
ス容器弁に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a gas cylinder filled with various kinds of special material gases (semiconductor production gas) used for semiconductor production at a high pressure, and the valve is opened and closed by remote control using fluid pressure such as compressed air. The present invention relates to a high-pressure gas container valve capable of performing the following.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体製造においては、引火爆発性、分
解爆発性、腐食性、毒性などの危険な性質を有する各種
の特殊ガス、例えばフォスフィンやアルシン、シラン等
を使用するのが通常である。一般にこのような半導体製
造用特殊材料ガス（以下これを半導体製造ガスと記す）
は、数１０気圧から１００気圧以上の高圧力でガスボン
ベに充填しておき、密閉されたクリーンルーム内にその
ガスボンベを設置して使用しており、このように密閉さ
れたクリーンルーム内で使用する関係上、ガスボンベか
らのガスの漏洩防止が重要な課題となっている。2. Description of the Related Art In the manufacture of semiconductors, it is usual to use various special gases having dangerous properties such as flammable explosiveness, decomposition explosiveness, corrosiveness, and toxicity, such as phosphine, arsine, and silane. Generally, such a special material gas for semiconductor manufacturing (hereinafter referred to as semiconductor manufacturing gas)
Is used by filling a gas cylinder at a high pressure of several tens to 100 atmospheres or more and installing the gas cylinder in a closed clean room. However, prevention of gas leakage from gas cylinders has become an important issue.
【０００３】ところで高圧ガス取締法においては、これ
らの危険な半導体製造ガスを高圧充填したガスボンベに
ついて、充分な漏洩対策が施されたボンベボックスに収
納して使用すること、また火災や地震の発生等の緊急時
にガス供給を自動遮断できるバルブを設けておくことが
義務付けられている。しかるに、一般のガスボンベでは
手動式の容器弁が取付けられているから、漏洩対策を施
したボンベボックスにガスボンベを収納している場合で
も、空になった使用済みのガスボンベの交換等の作業に
おいては作業者がボンベボックスの扉を開けて容器弁を
手動で操作する必要があり、その際にボンベボックス内
に漏洩ガスが存在しており、またガスボンベボックス内
にガスが残っていたりすれば、作業者が危険に曝される
おそれがある。According to the High Pressure Gas Control Law, gas cylinders filled with these dangerous semiconductor production gases under high pressure must be stored in a cylinder box that has been adequately protected against leakage, and fire, earthquakes, etc. It is mandatory to provide a valve that can automatically shut off gas supply in case of emergency. However, since a general gas cylinder is equipped with a manual container valve, even if the gas cylinder is stored in a leakage-prevented cylinder box, replacement of an empty gas cylinder that has been emptied, etc. It is necessary for the operator to open the cylinder box door and manually operate the container valve.At this time, if there is a leak gas in the cylinder box and gas remains in the gas cylinder box, May be at risk.
【０００４】一方、前述のような緊急時におけるガス供
給自動遮断の方策としては、ガスボンベの手動開閉式の
容器弁に対して、その容器弁を手動で閉じる方向と同じ
方向の回転操作を圧搾空気やスプリング等の駆動力を遠
隔操作で与えて容器弁を遮断するようにした容器弁自動
遠隔遮断装置を取付けることが、最近では広く採用され
ている。しかしながらこの場合も、ボンベ交換のたびご
とに、容器弁自動遠隔遮断装置の取付けや取外し、調整
等の作業が必要であり、その作業のためにボンベボック
スの扉を開ける必要があるから、前記同様に作業者が危
険に曝されるおそれがある。さらに、このような容器弁
自動遠隔遮断装置は、外付けによりガスボンベの容器弁
に取付けているため、取付けの緩み等の問題があれば、
緊急時に容器弁自動遠隔遮断装置が作動しても容器弁が
完全に閉じない事態が生じるおそれがある。On the other hand, as a measure for automatically shutting off the gas supply in an emergency as described above, a rotating operation in the same direction as the direction in which the container valve is manually closed is performed on a manually opened / closed container valve of a gas cylinder by compressed air. In recent years, mounting a container valve automatic remote shut-off device that shuts off the container valve by giving a driving force such as a spring or a spring by remote control has been widely adopted. However, also in this case, every time the cylinder is replaced, it is necessary to perform operations such as mounting, dismounting and adjusting the container valve automatic remote shutoff device, and it is necessary to open the cylinder box door for this operation. Workers may be at risk. Furthermore, since such a container valve automatic remote shut-off device is externally attached to the container valve of the gas cylinder, if there is a problem such as loose mounting,
In an emergency, there is a possibility that the container valve may not be completely closed even if the automatic remote control for the container valve is activated.
【０００５】そこで、前述のような危険を回避するとと
もに、容器弁自動遠隔遮断装置をガスボンベの容器弁に
取付ける作業そのものをなくすため、容器弁自体とし
て、圧搾空気などの駆動源によってその開閉を遠隔操作
できるようにした高圧ガス容器弁の開発が強く要望され
ていた。[0005] Therefore, in order to avoid the above-mentioned danger and to eliminate the work of attaching the container valve automatic remote shut-off device to the container valve of the gas cylinder, the container valve itself is remotely opened and closed by a driving source such as compressed air. There has been a strong demand for the development of a high pressure gas container valve that can be operated.
【０００６】そこでこのような要望に応じて、最近では
遠隔操作可能な空気圧作動式高圧ガス容器弁が開発さ
れ、実用に供されることになっている。In response to such demands, recently, a remotely operated pneumatically actuated high-pressure gas container valve has been developed and put into practical use.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】前述のような実用化さ
れている遠隔操作可能な空気圧作動式高圧ガス容器弁に
おいては、高圧ガスボンベの取扱い上において最も重要
とされている容器弁を“ゆっくり開ける”機能が満たさ
れていないという問題があった。In the above-mentioned practically operated pneumatically operated high pressure gas container valve which has been put into practical use as described above, the container valve which is most important for handling the high pressure gas cylinder is opened slowly. "There was a problem that the function was not satisfied.
【０００８】すなわち、ガスを高圧で充填したガスボン
ベの容器弁を瞬間的に開けば、ボンベ内の高圧ガスが瞬
間的に放出されて断熱圧縮を起こし、その放出ガスが高
温となるため、フィルタや弁シート等の樹脂製配管部品
を熱で溶かしたり、ガスが熱分解して微粉末を発生した
り、分解爆発を引起したりするなどの危険性がある。こ
のことは「断熱圧縮による高圧酸素ガスの災害と防止対
策」（安全工学 Ｖｏｌ．５ Ｎｏ．４ ｐ２７８（１
９６７：文献１）あるいは「半導体製造における安全対
策・管理ハンドブック」（ｐ１１９、リアライズ社発
行：文献２）にも詳細に述べられているように、その危
険性が従来から指摘されている。That is, if the container valve of a gas cylinder filled with gas at a high pressure is instantaneously opened, the high-pressure gas in the cylinder is instantaneously released, causing adiabatic compression, and the released gas becomes high in temperature. There is a danger that resin piping parts such as valve seats are melted by heat, gas is thermally decomposed to generate fine powder, and decomposition explosion is caused. This is described in "Disasters and Prevention Measures of High-Pressure Oxygen Gas by Adiabatic Compression" (Safety Engineering Vol.5 No.4 p278 (1
967: Reference 1) or “Handbook for Safety Measures and Management in Semiconductor Manufacturing” (p119, published by Realize: Reference 2), the danger has been pointed out in the past.
【０００９】例えばシランガス（ＳｉＨ4 ）やジボラン
（Ｂ2 Ｈ3 ）の場合は、熱分解によりシリコンやホウ素
の微粉末が発生し、フィルタの目詰りや減圧弁の動作不
良、ガス遮断弁の内部リーク等の不具合が発生する原因
となる。またゲルマンガス（ＧｅＨ4 ）の場合は、熱分
解によりゲルマニウムの微粉末が発生して、シランガス
の場合と同様な微粉末による不具合が発生する問題に加
えて、ゲルマンガスの自己分解により爆発する分解爆発
の危険性もある。この分解爆発は、ガスの分解反応が発
熱反応の場合に、その発熱により連鎖反応的にガスの分
解を引起こして瞬間的に高熱、高圧力になり、ガスボン
ベが爆発する現象であり、ゲルマンガスの場合は、実際
に分解爆発による事故も発生している。またホスフィン
（ＰＨ3）やアルシン（ＡｓＨ3 ）等の場合も、微粉末
発生や分解爆発の危険性がある。[0009] For example silane gas (SiH 4) and diborane (B 2 H 3), the fine powder of silicon or boron is generated by thermal decomposition, internal malfunction, the gas shut-off valve of clogging and pressure reducing valve of the filter This may cause problems such as leaks. Further, in the case of germane gas (GeH 4 ), in addition to the problem that fine powder of germanium is generated due to thermal decomposition and the same problem as that in the case of silane gas occurs, decomposition that explodes due to self-decomposition of germane gas is performed. There is also a risk of explosion. This decomposition explosion is a phenomenon in which, when the gas decomposition reaction is an exothermic reaction, the heat generation causes the gas to decompose in a chain reaction, resulting in instantaneous high heat and high pressure, causing the gas cylinder to explode. In the case of, accidents due to decomposition explosions have actually occurred. Also, in the case of phosphine (PH 3 ) or arsine (AsH 3 ), there is a risk of generation of fine powder and decomposition explosion.
【００１０】さらに、塩素ガス（Ｃｌ2 ）、塩酸ガス
（ＨＣｌ）、三フッ化窒素ガス（ＮＦ3 ）、ジクロール
シラン（ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ）などのハロゲン及びハロゲン
化ガスの場合は、断熱圧縮で発生した高熱によって、ス
テンレス製の配管や配管部品の腐食が加速されることが
ある。半導体製造においては、重金属汚染が致命的欠陥
をもたらし、また微細な回路パターンを形成するために
は、微細な塵が問題となることが知られいてるが、断熱
圧縮により発生する高温によってシラン等のガスが分解
して発生する微細な塵やハロゲンガスなどによるステン
レス配管の腐食は、半導体製造に対して致命的問題をも
たらしてしまう。Further, in the case of halogen and halogenated gas such as chlorine gas (Cl 2 ), hydrochloric acid gas (HCl), nitrogen trifluoride gas (NF 3 ) and dichlorosilane (SiH 2 Cl 2 ), adiabatic compression is used. In some cases, corrosion of stainless steel piping and piping components may be accelerated by the high heat generated in the process. In semiconductor manufacturing, it is known that heavy metal contamination causes fatal defects and fine dust is a problem in forming fine circuit patterns. Corrosion of stainless steel pipes caused by minute dust or halogen gas generated by decomposition of the gas causes a fatal problem for semiconductor production.
【００１１】前述の文献１には、ガスボンベの容器弁
を、０．３秒以上の時間をかけてゆっくりと開放させれ
ば、断熱圧縮による温度上昇があってもその程度は小さ
く、フッ素樹脂が熱で溶融することが防止される旨記載
されており、このことからも理解できるように、容器弁
を０．３秒以上の時間をかけてゆっくりと開放させれ
ば、断熱圧縮による高熱の弊害を除くことが可能とな
る。したがって高圧ガスを充填したガスボンベの容器
弁、特に半導体製造ガスを高圧で充填したガスボンベの
容器弁としては、０．３秒程度以上の時間を掛けてゆっ
くりと開放できることが強く望まれているが、この点に
ついては、従来実用化されている遠隔操作可能な空気圧
作動式高圧ガス容器弁では充分な配慮がなされていない
のが実情であった。そこで、弁開放時における断熱圧縮
によるガス温度の上昇が悪影響を及ぼさない程度にゆっ
くりと遠隔操作によって開放できる空気圧作動式高圧ガ
ス容器弁の開発が強く要望されている。[0011] According to the above-mentioned Document 1, if the container valve of the gas cylinder is slowly opened over a period of 0.3 seconds or more, even if the temperature rise due to adiabatic compression is small, the degree of the fluorine resin is small. It is described that melting by heat is prevented, and as can be understood from this, if the container valve is slowly opened over a period of 0.3 seconds or more, the adverse effect of high heat due to adiabatic compression. Can be excluded. Therefore, as a container valve of a gas cylinder filled with a high-pressure gas, particularly a container valve of a gas cylinder filled with a semiconductor manufacturing gas at a high pressure, it is strongly desired that it can be slowly opened over about 0.3 seconds or more. Regarding this point, it has been the fact that sufficient consideration has not been given to the remotely operated pneumatically operated high-pressure gas container valve which has been conventionally put into practical use. Therefore, there is a strong demand for the development of a pneumatically actuated high-pressure gas container valve that can be opened slowly and remotely by remote control so that the rise in gas temperature due to adiabatic compression when the valve is opened has no adverse effect.
【００１２】さらに、従来から市販されている高圧ガス
ボンベ用の容器弁では、その開閉を確認する機能がな
く、そのため容器弁の開閉を遠隔操作によって行なう場
合の安全性についても問題があった。そこで遠隔操作に
よる弁の開閉を電気信号等として遠隔地から確認できる
高圧ガス容器弁の開発が望まれている。[0012] Furthermore, the container valve for a high-pressure gas cylinder which has been conventionally marketed does not have a function of confirming the opening and closing of the container valve. Therefore, there is a problem in safety when the container valve is opened and closed by remote control. Therefore, development of a high-pressure gas container valve capable of remotely confirming the opening and closing of the valve by an electric signal or the like is desired.
【００１３】この発明は以上の事情を背景としてなされ
たもので、空気圧などの流体圧を用いて遠隔操作により
開閉可能とした高圧ガス容器弁として、基本的には、断
熱圧縮によるガス温度上昇が問題とならない程度にゆっ
くりと時間を掛けて開放させることができるようにした
半導体製造ガス用高圧ガス容器弁を提供することを目的
とするものである。The present invention has been made in view of the above circumstances. As a high-pressure gas container valve which can be opened and closed by remote control using a fluid pressure such as air pressure, basically, the gas temperature rise due to adiabatic compression. It is an object of the present invention to provide a high-pressure gas container valve for a semiconductor production gas, which can be opened slowly and slowly without causing a problem.
【００１４】さらにこの発明は、遠隔操作による弁の開
閉を確実に確認し得る信号を発生する半導体製造ガス用
高圧ガス容器弁を提供することをも目的とする。It is a further object of the present invention to provide a high-pressure gas container valve for a semiconductor manufacturing gas which generates a signal capable of reliably confirming the opening and closing of the valve by remote control.
【００１５】またこの発明では、前述のように弁開放時
には時間を掛けてゆっくりと開放することができる一
方、弁閉止時においては、緊急事態に対応できるように
速やかに緊急遮断し得る半導体製造ガス用ガス容器弁を
提供することをも目的としている。Further, according to the present invention, as described above, when the valve is opened, the valve can be slowly opened with time, while when the valve is closed, the semiconductor manufacturing gas can be quickly shut off so as to respond to an emergency. It is also an object to provide a gas container valve for use.
【００１６】[0016]
【課題を解決するための手段】前述のような課題を解決
するため、請求項１の発明では、容器弁開閉のために駆
動圧を与える駆動用流体の流路にオリフィスを介在させ
る構成とした。In order to solve the above-mentioned problems, the first aspect of the present invention is configured such that an orifice is interposed in a flow path of a driving fluid for applying a driving pressure for opening and closing a container valve. .
【００１７】具体的には、請求項１の発明は、半導体製
造のために使用される半導体製造ガスを収容した高圧ガ
ス容器のガス出口に取付けられる高圧ガス容器弁であっ
て、高圧ガス容器のガス出口に連通する主流入口と、外
部へ半導体製造ガスを導き出す主流出口と、前記主流入
口および主流出口との間に形成された主流路と、その主
流路を開閉するための弁体および弁座からなる容器弁本
体部と、その容器弁本体部の弁体に結合されてその弁体
を容器弁本体部の開閉方向へ移動させるためのアクチュ
エータと、外部から駆動用流体を導入するための駆動用
流体導入口と、その駆動用流体導入口から導入された駆
動用流体を前記アクチュエータへ向けて導くための駆動
用流体流路と、駆動用流体流路によって導かれた駆動用
流体を受入れてその駆動用流体の圧力によりアクチュエ
ータを弁開放方向へ移動させるための圧力室と、前記ア
クチュエータを弁閉止方向へ付勢するための主付勢手段
とを有してなる半導体製造ガス用高圧容器弁において、
前記駆動用流体流路に、駆動用流体の流れに対して流路
抵抗を与えるためのオリフィス孔を有するオリフィス部
が介在されており、そのオリフィス孔を通過して駆動用
流体が圧力室に導入されるようにしたことを特徴とする
ものである。More specifically, the invention of claim 1 is a high-pressure gas container valve attached to a gas outlet of a high-pressure gas container containing a semiconductor production gas used for semiconductor production, wherein A main flow inlet communicating with the gas outlet, a main flow outlet for guiding semiconductor manufacturing gas to the outside, a main flow passage formed between the main flow inlet and the main flow outlet, and a valve element and a valve seat for opening and closing the main flow passage A container valve main body comprising: an actuator coupled to the valve element of the container valve main body for moving the valve element in the opening and closing direction of the container valve main body; and a drive for introducing a driving fluid from outside. Receiving the driving fluid guided by the driving fluid flow path, the driving fluid flow path for guiding the driving fluid introduced from the driving fluid introduction port toward the actuator, and the driving fluid flow path. So In a high-pressure container valve for a semiconductor manufacturing gas, comprising: a pressure chamber for moving an actuator in a valve opening direction by a pressure of a driving fluid; and a main urging means for urging the actuator in a valve closing direction. ,
An orifice portion having an orifice hole for providing flow resistance to the flow of the driving fluid is interposed in the driving fluid flow passage, and the driving fluid is introduced into the pressure chamber through the orifice hole. It is characterized by having been done.
【００１８】このような請求項１の発明の半導体製造ガ
ス用高圧ガス容器弁においては、高圧ガス容器に高圧で
充填された半導体製造ガスは、主流入口から主流路を通
り、主流出口から半導体製造ガス使用箇所へ導かれる。
ここで、前述の主流路はアクチュエータの移動に伴なっ
て容器弁本体部によって開閉される。そしてそのアクチ
ュエータの弁開放方向への移動は外部から圧力室へ導入
された圧搾空気などの駆動用流体の圧力によって駆動さ
れ、またアクチュエータの弁閉止方向への移動は、バネ
等の主付勢手段によって駆動される。すなわち弁を開放
させる際には、外部から圧搾空気などの駆動用流体を駆
動用流体導入口から駆動用流体流路を経て圧力室に導入
する。これによって圧力室内の圧力が上昇してアクチュ
エータが前記主付勢手段の付勢力に抗して弁開放方向へ
移動し、容器弁本体部の弁体が開放方向へ移動する。一
方弁を閉止する際、すなわち半導体製造用ガスの供給を
遮断する際には、駆動用流体導入口への圧搾空気等の駆
動用流体の供給を停止してその駆動用流体導入口を大気
圧に解放する。これによって圧力室の圧力が低下し、前
記主付勢手段の付勢力によってアクチュエータが弁閉止
方向へ移動し、容器弁本体部の弁体が閉止方向へ移動す
る。In the high pressure gas container valve for a semiconductor production gas according to the first aspect of the invention, the semiconductor production gas filled in the high pressure gas container at a high pressure passes through the main flow path from the main flow inlet and the semiconductor production gas flows from the main flow outlet. It is led to the point where gas is used.
Here, the above-mentioned main flow path is opened and closed by the container valve main body with the movement of the actuator. The movement of the actuator in the valve opening direction is driven by the pressure of a driving fluid such as compressed air introduced from the outside into the pressure chamber, and the movement of the actuator in the valve closing direction is performed by a main biasing means such as a spring. Driven by That is, when the valve is opened, a driving fluid such as compressed air is externally introduced into the pressure chamber from the driving fluid inlet through the driving fluid flow path. As a result, the pressure in the pressure chamber rises, the actuator moves in the valve opening direction against the urging force of the main urging means, and the valve element of the container valve main body moves in the opening direction. On the other hand, when closing the valve, that is, when shutting off the supply of the semiconductor manufacturing gas, the supply of the drive fluid such as compressed air to the drive fluid inlet is stopped and the drive fluid inlet is set to the atmospheric pressure. To release. As a result, the pressure in the pressure chamber is reduced, the actuator is moved in the valve closing direction by the biasing force of the main biasing means, and the valve body of the container valve body is moved in the closing direction.
【００１９】ここで、駆動用流体流路には、流体抵抗を
与えるためオリフィス孔を有するオリフィス部が介在さ
れており、そのため弁開放のために駆動用流体流入口か
ら圧力室へ駆動用流体が導入される際には、その駆動用
流体がオリフィス孔の流路抵抗によりゆっくりと圧力室
に流れ込み、その圧力室の圧力もゆっくりと上昇するこ
とになる。そのためアクチュエータもゆっくりと弁開放
方向へ移動して、容器弁本体部がゆっくりと開放される
ことになる。このように容器弁本体部がゆっくりと開放
されるため、弁開放時の半導体製造用ガスの断熱圧縮に
よる温度上昇も少なくなる。Here, an orifice portion having an orifice hole for providing a fluid resistance is interposed in the drive fluid flow path, so that the drive fluid flows from the drive fluid inlet to the pressure chamber to open the valve. When being introduced, the driving fluid slowly flows into the pressure chamber due to the flow path resistance of the orifice hole, and the pressure in the pressure chamber also rises slowly. Therefore, the actuator also slowly moves in the valve opening direction, and the container valve body is slowly opened. As described above, since the container valve body is slowly opened, the temperature rise due to adiabatic compression of the semiconductor manufacturing gas when the valve is opened is also reduced.
【００２０】一方、請求項２の発明では、駆動用流体流
路にオリフィス孔を設ける代りに、別にシリコンオイル
などの粘性流体で代表されるダンパ用流体を用い、アク
チュエータの移動に伴なって流れるダンパ流体の流路に
オリフィス部を介在させた、所謂ダンパ機構を設けるこ
ととした。On the other hand, according to the second aspect of the present invention, instead of providing an orifice hole in the drive fluid flow path, a damper fluid represented by a viscous fluid such as silicon oil is used separately and flows with the movement of the actuator. A so-called damper mechanism having an orifice portion interposed in the flow path of the damper fluid is provided.
【００２１】具体的には、請求項２の発明は、半導体製
造のために使用される半導体製造ガスを収容した高圧ガ
ス容器のガス出口に取付けられる高圧ガス容器弁であっ
て、高圧ガス容器のガス出口に連通する主流入口と、外
部へ半導体製造ガスを導き出す主流出口と、前記主流入
口および主流出口との間に形成された主流路と、その主
流路を開閉するための弁体および弁座からなる容器弁本
体部と、その容器弁本体部の弁体に結合されてその弁体
を容器弁本体部の開閉方向へ移動させるためのアクチュ
エータと、外部から駆動用流体を導入するための駆動用
流体導入口と、その駆動用流体導入口から導入された駆
動用流体を前記アクチュエータへ向けて導くための駆動
用流体流路と、駆動用流体流路によって導かれた駆動用
流体を受入れてその駆動用流体の圧力によりアクチュエ
ータを弁開放方向へ移動させるための圧力室と、前記ア
クチュエータを弁閉止方向へ付勢するための主付勢手段
とを有してなる半導体製造ガス用高圧容器弁において、
前記アクチュエータの端部に対応する位置に、それぞれ
ダンパ用流体が満たされかつ相互に連通された第１ダン
パ室および第２ダンパ室が設けられており、これら第１
ダンパ室および第２ダンパ室は、前記アクチュエータの
移動に伴なって相対的に内容積が増減するように構成さ
れており、かつ第１ダンパ室と第２ダンパ室との連通部
分にはダンパ用流体の流れに対して流路抵抗を与えるた
めのオリフィス孔を有するオリフィス部が形成されてい
ることを特徴とするものである。More specifically, the invention of claim 2 is a high-pressure gas container valve attached to a gas outlet of a high-pressure gas container containing a semiconductor production gas used for semiconductor production, wherein A main flow inlet communicating with the gas outlet, a main flow outlet for guiding semiconductor manufacturing gas to the outside, a main flow passage formed between the main flow inlet and the main flow outlet, and a valve element and a valve seat for opening and closing the main flow passage A container valve main body comprising: an actuator coupled to the valve element of the container valve main body for moving the valve element in the opening and closing direction of the container valve main body; and a drive for introducing a driving fluid from outside. Receiving the driving fluid guided by the driving fluid flow path, the driving fluid flow path for guiding the driving fluid introduced from the driving fluid introduction port toward the actuator, and the driving fluid flow path. So In a high-pressure container valve for a semiconductor manufacturing gas, comprising: a pressure chamber for moving an actuator in a valve opening direction by a pressure of a driving fluid; and a main urging means for urging the actuator in a valve closing direction. ,
A first damper chamber and a second damper chamber filled with a damper fluid and communicated with each other are provided at positions corresponding to the ends of the actuator, respectively.
The damper chamber and the second damper chamber are configured so that the internal volumes thereof increase and decrease relatively with the movement of the actuator, and a communication portion between the first damper chamber and the second damper chamber has a damper chamber. An orifice portion having an orifice hole for giving a flow path resistance to a flow of a fluid is formed.
【００２２】このような請求項２の発明の半導体製造ガ
ス用高圧ガス容器弁においては、容器弁本体の開閉が駆
動用流体の圧力および付勢手段の付勢力によって行なわ
れる点は請求項１の半導体製造ガス用高圧容器弁の場合
と同様であるが、オリフィス孔を形成する箇所が請求項
１の場合と異なるため、弁開放時において開放速度を遅
くする機能が請求項１の場合と異なる。In the high pressure gas container valve for semiconductor manufacturing gas according to the second aspect of the present invention, the opening and closing of the container valve body is performed by the pressure of the driving fluid and the urging force of the urging means. This is the same as the case of the high-pressure container valve for semiconductor production gas, except that the location where the orifice hole is formed is different from that of the first aspect, and therefore the function of reducing the opening speed when the valve is opened is different from that of the first aspect.
【００２３】すなわち、弁開放時において前記駆動用流
体により圧力室の圧力が上昇してアクチュエータが弁開
放方向へ移動する際に、アクチュエータの移動に伴なっ
て第１ダンパ室、第２ダンパ室内のシリコンオイル等の
粘性流体が両ダンパ室間の連通部分を通り一方のダンパ
室から他方のダンパ室へ移動する。このとき、前記連通
部分にはオリフィス孔を有するオリフィス部が形成され
ているから、粘性流体の移動に対して抵抗が与えられ、
その結果アクチュエータの弁開放方向への移動がゆっく
りと行なわれることになり、容器弁本体部の開放もゆっ
くりと行なわれることになる。That is, when the pressure of the pressure chamber is increased by the driving fluid and the actuator moves in the valve opening direction when the valve is opened, the first damper chamber and the second damper chamber are moved with the movement of the actuator. A viscous fluid such as silicone oil moves from one damper chamber to the other through a communicating portion between the two damper chambers. At this time, since the orifice portion having the orifice hole is formed in the communication portion, resistance is given to the movement of the viscous fluid,
As a result, the movement of the actuator in the valve opening direction is performed slowly, and the opening of the container valve body is also performed slowly.
【００２４】さらに請求項３の発明では、請求項１もし
くは請求項２に記載の半導体製造ガス用高圧ガス容器弁
において、前記容器弁本体部の主流路における弁体とそ
の弁体を開閉方向へ移動可能に支持するための支持部材
との間を気密にシールするために、蛇腹状の可撓性材料
からなるベローシールが用いられており、そのベローシ
ールが前記弁体の一部を取囲むように設けられ、かつそ
のベローシールの先端部が弁体側に密着固定されるとと
もに基端部が前記支持部材に密着固定されて、ベローシ
ールが弁体の開閉移動方向に伸縮する構造としている。According to a third aspect of the present invention, in the high pressure gas container valve for a semiconductor production gas according to the first or second aspect, the valve element in the main flow path of the container valve body and the valve element are moved in the opening and closing directions. A bellows seal made of a bellows-like flexible material is used to hermetically seal between a support member for movably supporting the bellows seal, and the bellows seal surrounds a part of the valve body. The bellows seal is fixed to the valve body side at the distal end and the base end is tightly fixed to the support member so that the bellows seal expands and contracts in the opening and closing movement direction of the valve body.
【００２５】このような請求項３の発明の半導体製造ガ
ス用高圧容器弁においては、容器弁本体部の弁体と、そ
の弁体を開閉方向へ移動可能に支持する支持部材との間
をシールするために、蛇腹状に伸縮可能なベローシール
が用いられているため、開閉時における弁体の移動可能
なストロークを大きく取ることができる。これは、弁体
の移動量に対する弁体と弁座との間の隙間の変化量（開
度変化量）を小さくして、弁開放時にゆっくりと開放す
ることが可能となることを意味する。すなわち、弁体の
移動量に対する弁の開度変化量を小さくすれば、弁体移
動量に対し相対的にゆっくりと弁を開放することが可能
となるが、その場合弁の移動ストロークも大きくする必
要があり、このような要請に対して請求項３の発明では
充分に対処することができる。In the high pressure container valve for a semiconductor production gas according to the third aspect of the present invention, a seal is provided between the valve element of the container valve body and the supporting member for supporting the valve element so as to be movable in the opening and closing directions. For this purpose, a bellows seal that can be expanded and contracted in a bellows shape is used, so that a large movable stroke of the valve body at the time of opening and closing can be taken. This means that the amount of change in the gap between the valve body and the valve seat (the amount of change in the opening degree) with respect to the amount of movement of the valve body can be reduced, and the valve can be slowly opened when the valve is opened. That is, if the amount of change in the opening degree of the valve with respect to the amount of movement of the valve body is reduced, it is possible to open the valve relatively slowly with respect to the amount of movement of the valve body, but in that case, the movement stroke of the valve is also increased. It is necessary to meet such a demand, and the invention of claim 3 can sufficiently cope with such a request.
【００２６】次に請求項４の発明では、請求項１もしく
は請求項２に記載の半導体製造ガス用高圧ガス容器弁に
おいて、容器弁本体部における弁座とこれに当接し得る
弁体のシート部とに、互いに噛み合って接し得る凹凸部
が形成された構成としている。According to a fourth aspect of the present invention, in the high-pressure gas container valve for a semiconductor production gas according to the first or second aspect, the valve seat in the container valve main body and the seat portion of the valve element that can abut the valve seat. In addition, a configuration is provided in which uneven portions that can mesh with and come into contact with each other are formed.
【００２７】このような請求項４の発明の半導体製造ガ
ス用高圧容器弁においては、弁座と弁体シート部との間
の凹凸によって、弁座と弁体シート部との対抗面間の流
路が長くなり、その間の流路抵抗も大きくなるため、弁
開放時において容器弁本体部を通過する半導体製造ガス
の流量の増加がゆっくりと行なわれることになり、これ
は、ゆっくりと弁を開放させることを意味する。In the high pressure container valve for a semiconductor production gas according to the fourth aspect of the present invention, the flow between the opposing surfaces of the valve seat and the valve seat is formed by the unevenness between the valve seat and the valve seat. Since the path becomes longer and the flow path resistance increases during that time, the flow rate of the semiconductor manufacturing gas passing through the container valve main body increases slowly when the valve is opened, which causes the valve to open slowly. Means to let.
【００２８】さらに請求項５の発明では、請求項１もし
くは請求項２に記載の半導体製造ガス用高圧ガス容器弁
において、容器弁本体部の弁体における弁座に当接し得
るシート部の先端部外周面に、弁体の開閉移動方向に対
し傾斜した勾配を有するテーパー部が形成され、かつ弁
座には前記弁体テーパー部に対応する位置に、弁体テー
パー部のテーパーと平行なテーパーを有するテーパー受
部が形成されており、弁閉止時に前記テーパー部および
テーパー受部が相互に接して主流路を閉じるように構成
されている。According to a fifth aspect of the present invention, in the high pressure gas container valve for a semiconductor production gas according to the first or second aspect, a front end portion of a seat portion capable of contacting a valve seat of a valve body of the container valve body. On the outer peripheral surface, a taper portion having a slope inclined with respect to the opening and closing movement direction of the valve body is formed, and the valve seat has a taper parallel to the taper of the valve body taper portion at a position corresponding to the valve body taper portion. The tapered portion has a tapered receiving portion, and the tapered portion and the tapered receiving portion contact each other to close the main flow path when the valve is closed.
【００２９】このような請求項５の発明の半導体製造ガ
ス用高圧容器弁においては、弁体シート部と弁座に、弁
体の移動方向に対し傾斜したテーパー部、テーパー受部
が形成されているため、弁体の移動量に対して弁体シー
ト部と弁座との間の間隔の変化量は小さくなり、そのた
め弁開閉をゆっくりと行なうことができる。In the high pressure container valve for a semiconductor production gas according to the fifth aspect of the present invention, the tapered portion and the tapered receiving portion which are inclined with respect to the moving direction of the valve element are formed in the valve element seat and the valve seat. Therefore, the amount of change in the distance between the valve body seat and the valve seat is smaller than the amount of movement of the valve body, so that the valve can be opened and closed slowly.
【００３０】さらに請求項６の発明は、前述のような請
求項１の発明の半導体製造ガス用高圧容器弁を具体化
し、かつ弁開放時においてゆっくりと弁を開放させるば
かりでなく、弁遮断時において急速に弁を遮断し得るよ
うにしている。Further, the invention of claim 6 embodies the high pressure container valve for semiconductor production gas of the invention of claim 1 described above, and not only opens the valve slowly when the valve is opened but also opens the valve when the valve is shut off. The valve can be shut off rapidly.
【００３１】具体的には、請求項６の発明は、請求項１
に記載の半導体製造ガス用高圧ガス容器弁において、前
記オリフィス部が、駆動用流体流路を遮るように駆動用
流体流路に設けられかつ一部に流体流通孔が貫通形成さ
れた隔壁と、駆動用流体流路における流体流通方向に沿
って移動可能となるように前記隔壁に対し駆動用流体導
入口側の位置に配置されて前記隔壁に当接し得るオリフ
ィス体と、オリフィス体を駆動用流体流路における流体
流通方向に沿って前記隔壁に押し付ける方向へ付勢する
ための第２の付勢手段とからなり、前記オリフィス体に
は前記流体流通孔内の位置に向けて開口するオリフィス
孔が貫通形成されており、前記駆動用流体導入口から駆
動用流体の圧力が加えられた際には、オリフィス体が前
記隔壁に押し付けられて流体流通孔の周縁部とオリフィ
ス体との間が閉じられ、これにより駆動用流体がオリフ
ィス孔の部分のみを流通する一方、前記駆動用流体導入
口からの駆動用流体圧力が除去された際には、オリフィ
ス体が隔壁から離隔して、流体流通孔周縁部とオリフィ
ス体との間を駆動用流体が流通し得るように構成したこ
とを特徴とするものである。Specifically, the invention of claim 6 is based on claim 1
In the high pressure gas container valve for semiconductor production gas according to the above, the orifice portion is provided in the drive fluid flow path so as to block the drive fluid flow path, and a partition wall in which a fluid flow hole is partially formed, An orifice body that is arranged at a position closer to the drive fluid introduction port with respect to the partition wall so as to be movable along the fluid flow direction in the drive fluid flow path and can contact the partition wall; An orifice hole that opens toward a position in the fluid flow hole in the orifice body, the second biasing means for biasing the partition wall along the fluid flow direction in the flow direction. When the pressure of the driving fluid is applied from the driving fluid inlet, the orifice body is pressed against the partition wall and the space between the peripheral portion of the fluid communication hole and the orifice body is closed. Thus, while the driving fluid flows only through the orifice hole, when the driving fluid pressure from the driving fluid inlet is removed, the orifice body separates from the partition wall and the fluid The driving fluid can flow between the peripheral portion and the orifice body.
【００３２】このような請求項６の発明の半導体製造ガ
ス用高圧容器弁においては、駆動用流体流路に流路抵抗
を与えるためのオリフィス孔を有するオリフィス体が移
動することによって、弁開放時にはオリフィス孔のみを
駆動用流体が流通してゆっくりと弁を開放させる一方、
逆に弁閉止時にはオリフィス孔以外の部分をも駆動用流
体が流通するようにしてオリフィス孔の流路抵抗が実質
的に作用しなくなるようにし、これにより急速に弁閉止
を行なうことを可能としている。すなわち、弁開放のた
めに駆動用流体導入口から駆動用流体の圧力が加えられ
た際には、その流体圧力と第２の付勢手段の付勢力とに
よってオリフィス体は隔壁に押し付けられて、その流体
流通孔の周縁部とオリフィス体との間が閉じられる。こ
のとき、オリフィス体のオリフィス孔は隔壁の流体流通
孔の内側に向けて開口しているから、駆動用流体はオリ
フィス孔の部分は流通可能である。したがって駆動用流
体はオリフィス孔通過時に流路抵抗が与えられ、既に述
べたように圧力室へゆっくりと導入されて、ゆっくりと
弁開放がなされる。一方弁閉止のために駆動用流体導入
口からの駆動用流体圧力が除去されたとき、すなわち駆
動用流体導入口側が大気圧に開放されたときには、相対
的に圧力室側が高圧となるから、圧力室側からの差圧に
よって第２の付勢手段の付勢力に抗してオリフィス体が
隔壁から離隔され、隔壁の流体流通孔周縁部とオリフィ
ス体の間が離れてその間に流路が形成される。そのため
圧力室からの駆動用流体は主として流体流通孔周縁部と
オリフィス体との間を通って駆動用流体導入口側へ戻
り、オリフィス孔の流路抵抗はほとんど作用しなくな
る。したがって圧力室の駆動用流体は前記差圧により急
速に駆動用流体導入口側へ流れ、圧力室内の圧力が急激
に減じられて、アクチュエータが主付勢手段の付勢力に
より弁閉止方向へ急速に移動し、弁体も急速に閉止方向
へ移動して、容器弁本体部が急速に閉じられることにな
る。In the high pressure container valve for a semiconductor production gas according to the sixth aspect of the present invention, the orifice body having the orifice hole for providing the flow path resistance to the driving fluid flow path moves so that the valve is opened when the valve is opened. While the driving fluid flows only through the orifice hole to slowly open the valve,
Conversely, when the valve is closed, the drive fluid also flows through portions other than the orifice hole so that the flow path resistance of the orifice hole substantially does not act, thereby making it possible to quickly close the valve. . That is, when the pressure of the driving fluid is applied from the driving fluid introduction port to open the valve, the orifice body is pressed against the partition wall by the fluid pressure and the urging force of the second urging means, The space between the periphery of the fluid flow hole and the orifice body is closed. At this time, since the orifice hole of the orifice body is open toward the inside of the fluid communication hole of the partition, the driving fluid can flow through the orifice hole. Therefore, the driving fluid is provided with a flow path resistance when passing through the orifice hole, and is introduced into the pressure chamber slowly as described above, so that the valve is slowly opened. On the other hand, when the driving fluid pressure from the driving fluid introduction port is removed for closing the valve, that is, when the driving fluid introduction port side is opened to the atmospheric pressure, the pressure chamber side becomes relatively high pressure. The orifice body is separated from the partition wall against the biasing force of the second biasing means due to the differential pressure from the chamber side, and the periphery of the fluid flow hole of the partition wall and the orifice body are separated to form a flow path therebetween. You. Therefore, the driving fluid from the pressure chamber mainly returns between the peripheral portion of the fluid communication hole and the orifice body and returns to the driving fluid introduction port side, and the flow path resistance of the orifice hole hardly acts. Therefore, the driving fluid in the pressure chamber rapidly flows to the driving fluid inlet side due to the differential pressure, the pressure in the pressure chamber is rapidly reduced, and the actuator is rapidly moved in the valve closing direction by the urging force of the main urging means. Then, the valve body rapidly moves in the closing direction, and the container valve body is rapidly closed.
【００３３】さらに請求項７の発明は、前述のような請
求項２の発明の半導体製造ガス用高圧容器弁の構成をよ
り具体化し、かつ弁開放時においてゆっくりと弁を開放
させるだけではなく、弁遮断時において急速に弁を遮断
し得るようにしている。Further, the invention of claim 7 embodies the configuration of the high-pressure container valve for semiconductor production gas of the invention of claim 2 as described above, and not only opens the valve slowly when the valve is opened, When the valve is shut off, the valve can be shut off quickly.
【００３４】具体的には、請求項７の発明は、請求項２
に記載の半導体製造ガス用高圧ガス容器弁において、前
記第１ダンパ室が、アクチュエータの弁開放方向への移
動によって内容積を減じるように構成され、また前記第
２ダンパ室には、その内容積を減じる方向へ付勢する第
３の付勢手段が付設されており、さらに前記第１ダンパ
室と第２ダンパ室との間の連通部分のオリフィス部が、
その連通部分を遮るように設けられかつ一部にダンパ用
流体流通孔が貫通形成された隔壁と、前記連通部分にお
けるダンパ用流体流通方向に沿って移動可能となるよう
に前記隔壁に対し第１ダンパ室側の位置に配置されて前
記隔壁に当接し得るオリフィス体と、オリフィス体を前
記連通部分のダンパ用流体流通方向に沿って前記隔壁に
押し付ける方向へ付勢するための第４の付勢手段とから
なり、前記オリフィス体には前記ダンパ用流体流通孔内
の位置に向けて開口するオリフィス孔が貫通形成されて
おり、前記アクチュエータが弁開放方向へ移動する際に
は、オリフィス体が前記隔壁に押し付けられて流体流通
孔の周縁部とオリフィス体との間が閉じられ、これによ
り第１ダンパ室内のダンパ用流体がオリフィス孔の部分
のみを流通して第２ダンパ室へ流入する一方、前記アク
チュエータが弁閉止方向へ移動する際には、オリフィス
体が隔壁から離隔して、ダンパ用流体流通孔周縁部とオ
リフィス体との間をダンパ用流体が流通し得るように構
成したことを特徴とするものである。Specifically, the invention of claim 7 is based on claim 2
3. The high-pressure gas container valve for semiconductor production gas according to 1., wherein the first damper chamber is configured to reduce an internal volume by moving an actuator in a valve opening direction, and the second damper chamber has an internal volume. A third urging means for urging in a direction to reduce the pressure, and an orifice portion of a communicating portion between the first damper chamber and the second damper chamber is provided.
A partition wall provided so as to block the communication part and partially formed with a damper fluid communication hole therethrough; and a first partition wall provided so as to be movable along a damper fluid communication direction in the communication part. An orifice member disposed at a position on the damper chamber side and capable of contacting the partition; and a fourth bias for biasing the orifice member in a direction in which the orifice member is pressed against the partition along the damper fluid flow direction of the communication portion. The orifice body is formed with an orifice hole that opens toward a position in the damper fluid flow hole, and the orifice body is moved when the actuator moves in the valve opening direction. The space between the peripheral edge of the fluid flow hole and the orifice body is closed by being pressed against the partition wall, whereby the damper fluid in the first damper chamber flows only through the orifice hole portion and is closed. When the actuator moves in the valve closing direction while flowing into the damper chamber, the orifice body is separated from the partition wall, and the damper fluid can flow between the periphery of the damper fluid communication hole and the orifice body. It is characterized by having such a configuration.
【００３５】このような請求項７の発明の半導体製造ガ
ス用高圧容器弁においては、ダンパ用流体に流路抵抗を
与えるためのオリフィス孔を有するオリフィス体が移動
することによって、弁開放時にはオリフィス孔のみをダ
ンパ用流体が流れることによりゆっくりと弁を開放させ
る一方、逆に弁閉止時にはオリフィス孔以外の部分をも
ダンパ用流体が流れるようにしてオリフィス孔の流路抵
抗が実質的に作用しなくなるようにし、これにより急速
に弁閉止を行なうことを可能としている。すなわち、弁
開放のために駆動用流体導入口に駆動用流体の圧力を加
えた際には、既に述べたようにアクチュエータが弁開放
方向へ移動し、これによって第１ダンパ室の内容積が減
少せしめられて、第１ダンパ室内のダンパ用流体は、第
１ダンパ室から第２ダンパ室へ流れ込もうとする。この
とき、オリフィス体は第４の付勢手段の付勢力とオリフ
ィス孔を流れるダンパ用流体に対する抵抗によって隔壁
に押し付けられ、流体流通孔の周縁部とオリフィス体と
の間が閉じられ、その結果ダンパ用流体はオリフィス孔
のみを通過する状態となるから、オリフィス孔の流路抵
抗が有効に機能して、ダンパ用流体は第１ダンパ室から
第２ダンパ室へゆっくりと流れ込むことになる。すなわ
ち、アクチュエータに対するダンパ機能が有効に作用し
て、弁開放方向へのアクチュエータの移動がゆっくりと
行なわれ、弁開放もゆっくりと行なわれることになる。
一方、弁閉止のために駆動用流体導入口からの駆動用流
体圧力が除去されたとき、すなわち駆動用流体導入口側
が大気圧に開放されたときには、既に述べたように圧力
室内の圧力が下がり、主付勢手段の付勢力によってアク
チュエータが弁閉止方向へ移動し、これに伴なって第１
ダンパ室の内容積が増加し、第２ダンパ室から第１ダン
パ室へ向けてダンパ用流体が流れ込もうとする。このと
き、第３の付勢手段の付勢力によって第２ダンパ室のダ
ンパ用流体に圧力が加えられてそのダンパ用流体が強制
的に第１ダンパ室へ向けて送り込まれようとし、それに
よりオリフィス体は隔壁から離隔する方向へ移動して、
隔壁の流体流通孔の周縁部とオリフィス体との間が開い
てその間に流路が形成され、その流路部分を通ってダン
パ用流体が第１ダンパ室へ流れ込むようになる。すなわ
ち、第２ダンパ室から第１ダンパ室へ流れ込むダンパ用
流体は、主として流体流通孔の周縁部とオリフィス体と
の間に形成された流路を通ることになり、そのためオリ
フィス孔の流路抵抗は実質的に作用しなくなる。したが
って第２ダンパ室内のダンパ用流体は急速に第１ダンパ
室へ流れ込むことになり、その結果アクチュエータに対
するダンパ機能が小さくなって、アクチュエータが急速
に弁閉止方向へ移動し、弁の遮断が急速に行なわれるこ
とになる。In the high pressure container valve for a semiconductor production gas according to the present invention, the orifice body having the orifice hole for giving the flow path resistance to the damper fluid moves. Only when the valve is closed, the valve slowly opens by flowing the damper fluid.On the other hand, when the valve is closed, the damper fluid also flows through portions other than the orifice hole, and the flow path resistance of the orifice hole substantially does not act. As a result, the valve can be quickly closed. That is, when the pressure of the driving fluid is applied to the driving fluid inlet for opening the valve, the actuator moves in the valve opening direction as described above, thereby reducing the internal volume of the first damper chamber. The damper fluid in the first damper chamber attempts to flow from the first damper chamber into the second damper chamber. At this time, the orifice body is pressed against the partition wall by the urging force of the fourth urging means and the resistance to the damper fluid flowing through the orifice hole, and the space between the periphery of the fluid communication hole and the orifice body is closed. Since the fluid for use passes only through the orifice hole, the flow path resistance of the orifice hole functions effectively, and the fluid for damper flows slowly from the first damper chamber to the second damper chamber. That is, the damper function for the actuator effectively acts, the actuator is slowly moved in the valve opening direction, and the valve is opened slowly.
On the other hand, when the driving fluid pressure from the driving fluid introduction port is removed to close the valve, that is, when the driving fluid introduction port side is opened to the atmospheric pressure, the pressure in the pressure chamber decreases as described above. The actuator is moved in the valve closing direction by the urging force of the main urging means.
The internal volume of the damper chamber increases, and the damper fluid attempts to flow from the second damper chamber toward the first damper chamber. At this time, pressure is applied to the damper fluid in the second damper chamber by the urging force of the third urging means, and the damper fluid is forcibly sent to the first damper chamber, thereby causing the orifice The body moves away from the septum,
A space is formed between the peripheral portion of the fluid flow hole of the partition and the orifice body, a flow path is formed therebetween, and the damper fluid flows into the first damper chamber through the flow path portion. That is, the damper fluid flowing from the second damper chamber to the first damper chamber mainly passes through the flow path formed between the peripheral portion of the fluid flow hole and the orifice body, and therefore, the flow resistance of the orifice hole is reduced. Does not substantially work. Therefore, the damper fluid in the second damper chamber quickly flows into the first damper chamber, and as a result, the damper function for the actuator is reduced, and the actuator moves quickly in the valve closing direction, and the valve shuts off rapidly. Will be done.
【００３６】また請求項８の発明は、請求項１もしくは
請求項２に記載の半導体製造ガス用高圧ガス容器弁にお
いて、前記オリフィス孔の寸法および形状と圧力室の内
容積が、その圧力室が大気圧に開放されている状態から
駆動用流体が圧力室を満たして圧力室内の圧力が駆動用
流体の導入圧力と等圧となるまでの時間が０．３秒以上
となるように定められているものである。According to an eighth aspect of the present invention, in the high pressure gas container valve for a semiconductor production gas according to the first or second aspect, the size and shape of the orifice hole and the inner volume of the pressure chamber are different from each other. The time required for the driving fluid to fill the pressure chamber from the state where the pressure is released to the atmospheric pressure until the pressure in the pressure chamber becomes equal to the introduction pressure of the driving fluid is equal to or more than 0.3 seconds. Is what it is.
【００３７】このような請求項８の発明の半導体製造ガ
ス用高圧容器弁においては、容器弁本体部の開放を開始
してから完全に開放されるまでに０．３秒以上の時間が
掛かり、そのため弁開放時の断熱圧縮による温度上昇
は、配管部品等の樹脂が溶融しない程度に小さくなる。In the high pressure container valve for a semiconductor production gas according to the eighth aspect of the present invention, it takes 0.3 seconds or more from the start of opening of the container valve body to the complete opening thereof. Therefore, the temperature rise due to the adiabatic compression when the valve is opened is small enough that the resin such as piping parts does not melt.
【００３８】さらに請求項９、請求項１０の発明におい
ては、容器弁本体の開閉を検出して電気信号として遠隔
地点へ送り遠隔地点での弁開閉の確認を可能とした。Further, according to the ninth and tenth aspects of the present invention, the opening and closing of the container valve body is detected and sent as an electric signal to a remote location to enable the confirmation of the valve opening and closing at the remote location.
【００３９】具体的には、請求項９の発明は、請求項１
もしくは請求項２に記載の半導体製造ガス用高圧ガス容
器弁において、さらに前記容器弁本体部における主流路
の開閉を検出して電気信号を発生するためのセンサを備
えていることを特徴とするものである。Specifically, the invention of claim 9 is based on claim 1
Alternatively, the high-pressure gas container valve for a semiconductor production gas according to claim 2, further comprising a sensor for detecting opening and closing of a main flow path in the container valve body and generating an electric signal. It is.
【００４０】また請求項１０の発明は、請求項９に記載
の半導体製造ガス用高圧ガス容器弁において、前記セン
サを、アクチュエータの端部に対設して、アクチュエー
タの弁開閉方向への移動を検出するようにした構成こと
を特徴とするものである。According to a tenth aspect of the present invention, in the high-pressure gas container valve for a semiconductor production gas according to the ninth aspect, the sensor is provided opposite to an end of the actuator to move the actuator in the valve opening / closing direction. It is characterized in that it is configured to detect.
【００４１】[0041]
【００４２】[0042]
【実施例】図１には、この発明の一実施例の半導体製造
ガス用高圧容器弁の全体構成を示す。FIG. 1 shows the overall configuration of a high-pressure container valve for semiconductor production gas according to one embodiment of the present invention.
【００４３】図１において、１は高圧で半導体製造ガス
を充填した図示しない高圧ガス容器（ガスボンベ）に取
付けられる基体であって、この基体１の下端には高圧ガ
ス容器のガス出口に連通する主流入口３が形成され、ま
た基体１の側方には半導体製造ガスを使用箇所へ導くた
めの図示しない配管が接続される主流出口５が形成され
ている。基体１の内部には、前記主流入口３と主流出口
５との間を連通させる主流路７が形成されており、この
主流路７の中央部に垂直円筒状の弁室７Ａが形成されて
いる。この弁室７Ａの上面側は、基体１の上端内側に嵌
め込まれた内蓋状の支持部材９によって閉じられてお
り、その支持部材９の中央には後述する弁体１３の軸部
１３Ｃが上下に摺動可能に貫通する摺動孔９Ａが形成さ
れており、さらにその支持部材９の下面側には後述する
ベローシール１９を支持するための環状のベロー押え部
材１１が配設されている。In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a base attached to a high-pressure gas container (gas cylinder) (not shown) filled with a semiconductor manufacturing gas at a high pressure, and a lower end of the base 1 communicates with a gas outlet of the high-pressure gas container. An inlet 3 is formed, and a main outlet 5 for connecting a pipe (not shown) for guiding the semiconductor manufacturing gas to a use location is formed on a side of the base 1. A main flow path 7 for communicating between the main flow inlet 3 and the main flow outlet 5 is formed inside the base 1, and a vertical cylindrical valve chamber 7A is formed at the center of the main flow path 7. . The upper surface side of the valve chamber 7A is closed by an inner lid-shaped support member 9 fitted inside the upper end of the base 1, and a shaft portion 13C of a valve body 13 described later is vertically positioned at the center of the support member 9. A sliding hole 9A is formed through the supporting member 9 so as to be slidable, and an annular bellows holding member 11 for supporting a bellows seal 19 described later is provided on the lower surface side of the supporting member 9.
【００４４】前記主流路７の中央部の弁室７Ａ内には、
垂直方向へ移動可能となる弁体１３が配置されており、
また弁室７Ａの下底部、すなわち主流入口３に通じる位
置には弁座１５が形成されており、これらの弁体１３お
よび弁座１５によって、主流路７を弁室７Ａ内において
開閉するための容器弁本体部１７が形成されている。In the valve chamber 7A at the center of the main flow path 7,
A valve body 13 that can move in the vertical direction is arranged,
Further, a valve seat 15 is formed at a lower bottom portion of the valve chamber 7A, that is, at a position communicating with the main flow inlet 3, and the valve body 13 and the valve seat 15 are used to open and close the main flow path 7 in the valve chamber 7A. A container valve body 17 is formed.
【００４５】上述の容器弁本体部１７についてさらに詳
細に説明すれば、弁体１３は、全体として垂直方向に沿
った棒状に作られたものであって、その下端寄りの部分
にフランジ部１３Ａを形成するとともに、そのフランジ
部１３Ａよりも下方の部分を弁体基部１３Ｂとし、また
フランジ部１３Ａよりも上方に軸部１３Ｃを形成した構
成とされ、さらに弁体基部１３Ｂの下端にシート部１３
Ｄを配設して、このシート部１３Ｄをシートホルダ１３
Ｅによって保持したものである。そして弁体１３の軸部
１３Ｃは前述のように支持部材９の摺動孔９Ａを上下に
貫通して、その上端部分は支持部材９よりも上方へ突出
している。また軸部１３Ｃにおける弁室７Ａ側の部分に
は、軸部１３Ｃを取囲むようにゴム等の弾性を有する膜
材からなる伸縮可能な蛇腹状のベローシール１９が設け
られている。このベローシール１９は、その下端部がフ
ランジ部１３Ａに近い位置において軸部１３Ｃの外周上
に固着され、また上端部が前記ベロー押え部材１１によ
って固定されている。The container valve body 17 will be described in more detail. The valve body 13 is formed as a bar in the vertical direction as a whole, and a flange 13A is provided at a portion near the lower end thereof. The lower portion of the valve body 13B is formed as a valve body base 13B, and a shaft portion 13C is formed above the flange portion 13A.
D, and the sheet portion 13D is attached to the sheet holder 13.
E. The shaft portion 13C of the valve body 13 penetrates vertically through the sliding hole 9A of the support member 9 as described above, and its upper end portion protrudes above the support member 9. A stretchable bellows-like bellows seal 19 made of an elastic film material such as rubber is provided on a portion of the shaft portion 13C on the valve chamber 7A side so as to surround the shaft portion 13C. The bellows seal 19 has its lower end fixed on the outer periphery of the shaft portion 13C at a position close to the flange portion 13A, and has its upper end fixed by the bellow pressing member 11.
【００４６】さらに弁体１３のシート部１３Ｄおよび弁
座１５について、図２を参照して詳細に説明すると、シ
ート部１３Ｄには、その下底部中央に下方へ突出する突
出部１３１が形成されるとともに、その突出部１３１の
周囲に環状の溝をなす凹部１３２が形成され、さらに突
出部１３１と凹部１３２の中間部分の面が、下方へ向っ
て径が縮小するテーパー部１３３とされている。The seat portion 13D and the valve seat 15 of the valve body 13 will be described in detail with reference to FIG. 2. The seat portion 13D is formed with a projecting portion 131 projecting downward at the center of its lower bottom. At the same time, a concave portion 132 forming an annular groove is formed around the projecting portion 131, and a surface of an intermediate portion between the projecting portion 131 and the concave portion 132 is a tapered portion 133 whose diameter decreases downward.
【００４７】一方弁座１５の中央には、前述の主流入口
３に連通する主流路開口部１５１が形成され、その主流
路開口部１５１の周囲にはシート部側の凹部１３２に対
応する環状の凸部１５２が形成され、その凸部１５２の
内周面から前記主流路開口部１５１に連続する面には、
シート部側のテーパー部１３３と同じテーパーで下方へ
向って内径が縮小するテーパー受部１５３が形成されて
いる。On the other hand, at the center of the valve seat 15, a main flow path opening 151 communicating with the main flow inlet 3 is formed, and around the main flow path opening 151, an annular shape corresponding to the recess 132 on the seat portion side is formed. A convex portion 152 is formed, and a surface continuous from the inner peripheral surface of the convex portion 152 to the main flow path opening portion 151 includes:
A taper receiving portion 153 having the same taper as the taper portion 133 on the seat portion side and having an inner diameter reduced downward is formed.
【００４８】以上が半導体製造ガスが流通する主流路７
を開閉する容器弁本体部１７を中心とした部分の構成で
あり、さらに図１を参照して、容器弁本体部１７、特に
その弁体１３を開閉駆動させるための部分の構成を説明
する。The above is the main flow path 7 through which the semiconductor manufacturing gas flows.
With reference to FIG. 1, the configuration of a portion for opening and closing the container valve body 17, particularly the valve 13 thereof, will be described.
【００４９】前記基体１の上端部分には、これを取囲む
ように厚みを有する全体として略環状のシリンダベース
２１が螺合により取付けられており、このシリタベース
２１の上部内周面は前述の支持部材９の上部外周面に接
している。さらにシリンダベース２１の外周側には、円
筒状をなすシリンダ室外周部材２３が螺合により取付け
られており、そのシリンダ室外周部材２３の上部には、
シリンダキャップ２５が螺合により取付けられている。
このシリンダキャップ２５の下部は前記シリンダ室外周
部材２３の上部外周面を取囲み、またシリンダキャップ
２５の上部は内側へ張出すように作られている。A substantially annular cylinder base 21 having a thickness so as to surround the upper end portion of the base body 1 is attached by screwing. It is in contact with the upper outer peripheral surface of the member 9. Further, on the outer peripheral side of the cylinder base 21, a cylindrical cylinder chamber outer peripheral member 23 is attached by screwing, and on the upper part of the cylinder chamber outer peripheral member 23,
A cylinder cap 25 is attached by screwing.
The lower portion of the cylinder cap 25 surrounds the upper outer peripheral surface of the cylinder chamber outer member 23, and the upper portion of the cylinder cap 25 is formed so as to project inward.
【００５０】上述のようなシリンダベース２１、シリン
ダ室外周部材２３、およびシリンダキャップ２５によっ
て、基体１の上方の空間、より詳細には前記支持部材９
の上方の空間を取囲むシリンダ室２７が形成されてい
る。そしてこのシリンダ室２７内には、弁体１３の軸部
１３Ｃの上部が下方から垂直に突出していることにな
る。The space above the base 1, more specifically, the support member 9 is formed by the above-described cylinder base 21, cylinder chamber outer peripheral member 23, and cylinder cap 25.
A cylinder chamber 27 surrounding the space above is formed. The upper part of the shaft portion 13C of the valve body 13 projects vertically from below into the cylinder chamber 27.
【００５１】弁体軸部１３Ｃにおけるシリンダ室２７内
に突出する部分には、全体として垂直な棒状をなすスピ
ンドル２９が固定されており、さらにこのスピンドル２
９の下部外周上には、全体として円盤状をなすピストン
部材３１がロックナット３２Ａ，３２Ｂおよびワッシャ
３２Ｃによって固定されている。これらのスピンドル２
９およびピストン部材３１は、後述するように弁体１３
を弁開閉方向へ移動させるための駆動部材、すなわちア
クチュエータ３３を構成している。このようなスピンド
ル２９およびピストン部材３１からなるアクチュエータ
３３は、シリンダ室２７において垂直方向に移動可能で
あって、ピトスン部材３１の外周面がシリンダ室外周部
材２３の内周面に摺動可能に接し、かつその接触面間の
一部にはＯリング３４が介挿されている。したがってこ
のようなピストン部材３１によってシリンダ室２７は上
下の２室に区画されることになり、下側の室が後述する
圧力室３９に相当する。A vertically rod-shaped spindle 29 is fixed to a portion of the valve shaft 13C protruding into the cylinder chamber 27.
On the outer periphery of the lower part of 9, a disk-shaped piston member 31 as a whole is fixed by lock nuts 32A, 32B and washer 32C. These spindles 2
9 and the piston member 31 are connected to the valve body 13 as described later.
, In the valve opening / closing direction, that is, an actuator 33. The actuator 33 including the spindle 29 and the piston member 31 is vertically movable in the cylinder chamber 27, and the outer peripheral surface of the pitson member 31 is slidably in contact with the inner peripheral surface of the cylinder chamber outer member 23. An O-ring 34 is interposed at a part between the contact surfaces. Therefore, the cylinder chamber 27 is divided into upper and lower chambers by such a piston member 31, and the lower chamber corresponds to a pressure chamber 39 described later.
【００５２】前記ピトスン部材３１の下面には円周方向
に沿って連続する凹部３５が形成され、一方前記支持部
材９の上面にも、前記凹部３５に対応する凹部３７が円
周方向に沿って連続して形成されており、これらの凹部
３５，３７の間の空間が駆動用流体の圧力を受ける圧力
室３９とされている。この圧力室３９には、次のように
して駆動用流体流路４５を経て圧縮空気等の駆動用流体
が導入されるようになっている。On the lower surface of the Pitson member 31, a concave portion 35 is formed continuously along the circumferential direction. On the upper surface of the support member 9, a concave portion 37 corresponding to the concave portion 35 is formed along the circumferential direction. The space between these recesses 35 and 37 is a pressure chamber 39 that receives the pressure of the driving fluid. A driving fluid such as compressed air is introduced into the pressure chamber 39 via the driving fluid flow path 45 as follows.
【００５３】すなわち、前記シリンダベース２１の下面
側の所定の位置に、全体としてＬ字中空管状をなす駆動
用流体導入部材４１が取付けられており、その駆動用流
体導入部材４１の外側端部は駆動用流体導入口４３とさ
れている。そしてこの駆動用流体導入口４３から駆動用
流体導入部材４１の内部を通りさらに前記シリンダベー
ス２１を貫通する駆動用流体流路４５が形成されてお
り、その駆動用流体流路４５の圧力室側端部が凹部３７
において圧力室３９内に開口している。そしてその駆動
用流体流路４５の中間位置、すなわち前記駆動用流体導
入部材４１の上部にはオリフィス部４７が介在されてい
る。That is, an L-shaped hollow tubular driving fluid introducing member 41 is attached to a predetermined position on the lower surface side of the cylinder base 21, and the outer end of the driving fluid introducing member 41 has an outer end. The drive fluid inlet 43 is provided. A driving fluid flow path 45 is formed from the driving fluid introduction port 43 to the inside of the driving fluid introduction member 41 and further penetrating the cylinder base 21. End 37
At the pressure chamber 39. An orifice portion 47 is interposed at an intermediate position of the drive fluid flow path 45, that is, above the drive fluid introduction member 41.
【００５４】このオリフィス部４７の詳細を図３に示
す。図３において、前記駆動用流体導入部材４１の上部
開口端は内側へ張出されて、その部分が、中央に流体流
通孔４９を有する隔壁５１とされている。なおこの隔壁
５１における流体流通孔４９の縁部５１Ａの下面は、下
方へ向って内径が拡大するテーパー面５１Ｂとされてい
る。一方この隔壁５１の下側にはオリフィス体５３が配
設されている。このオリフィス体５３は全体として円筒
状に作られたものであって、中央部に上下に貫通するオ
リフィス孔５３Ａが形成されるとともに、上面に前記隔
壁５１のテーパー面５１Ｂに対応するテーパー面５３Ｂ
が形成されている。そしてこのオリフィス体５３におけ
る前記オリフイス孔５３Ａの部分に支持棒５５が挿通さ
れていて、オリフィス体５３はその支持棒５５に沿って
上下に移動可能となっている。すなわちオリフィス体５
３は、そのテーパー面５３Ａが隔壁５１のテーパー面５
１Ｂに接する位置と、隔壁のテーパー面５１Ｂから離隔
した位置との間で移動し得るように支持棒５５によって
支持されている。またオリフィス体５３の下面側には第
２の付勢手段としてのスプリング５７が配設されてお
り、このスプリング５７は、オリフィス体５３を隔壁５
１へ向って押付ける方向へ付勢力を与える構成としてい
る。なお支持棒５５の下端部は、格子状あるいはアーム
状の支持部５６によって固定されており、この支持部５
６はスプリング５７の下端を受けている。FIG. 3 shows the details of the orifice portion 47. In FIG. 3, the upper opening end of the driving fluid introduction member 41 is protruded inward, and that portion is a partition wall 51 having a fluid flow hole 49 at the center. The lower surface of the edge 51A of the fluid flow hole 49 in the partition wall 51 is a tapered surface 51B whose inner diameter increases downward. On the other hand, an orifice body 53 is provided below the partition wall 51. The orifice body 53 is formed in a cylindrical shape as a whole. An orifice hole 53A penetrating vertically is formed in the center portion, and a tapered surface 53B corresponding to the tapered surface 51B of the partition wall 51 is formed on the upper surface.
Are formed. A support rod 55 is inserted through the orifice hole 53A in the orifice body 53, and the orifice body 53 can move up and down along the support rod 55. That is, the orifice body 5
3 is the tapered surface 53A of the partition wall 51
It is supported by a support rod 55 so that it can move between a position in contact with 1B and a position separated from the tapered surface 51B of the partition wall. A spring 57 as a second urging means is disposed on the lower surface side of the orifice body 53. The spring 57 separates the orifice body 53 from the partition wall 5.
The biasing force is applied in the direction of pressing toward 1. The lower end of the support bar 55 is fixed by a grid-like or arm-like support portion 56.
6 receives the lower end of the spring 57.
【００５５】再び図１に戻り、前記アクチュエータ３３
のピストン部材３１の上面側には、ピストン部材３１の
上部およびスピンドル２９の周囲を取囲む位置に主付勢
手段としての主スプリング５９が配設されている。この
主スプリング５９は、その上端が前記シリンダキャップ
２５の上部開口端内側に螺合されたブッシング６２に接
し、また下端がピストン部材３１に接するように配置さ
れている。したがってこの主スプリング５９は、ピスト
ン部材３１およびスピンドル２９からなるアクチュエー
タ３３に対して下方への弾性付勢力、すなわち容器弁本
体部１７に対する弁閉止方向の付勢力を与えることにな
る。Returning again to FIG. 1, the actuator 33
On the upper surface side of the piston member 31, a main spring 59 as a main urging means is disposed at a position surrounding the upper part of the piston member 31 and the periphery of the spindle 29. The main spring 59 is arranged such that an upper end thereof is in contact with a bushing 62 screwed inside the upper opening end of the cylinder cap 25 and a lower end thereof is in contact with the piston member 31. Accordingly, the main spring 59 applies a downward elastic biasing force to the actuator 33 including the piston member 31 and the spindle 29, that is, a biasing force in the valve closing direction to the container valve body 17.
【００５６】前記スピンドル２９の上端には受け台６３
が配設されており、この受け台６３とシリンダキャップ
２５の上端開口部内周縁との間は弾性を有する膜材から
なるダイヤフラム６５によって閉じられている。すなわ
ち、シリンダ室２７の上部開口側が、そのダイヤフラム
６５によって気密にシールされていることになる。At the upper end of the spindle 29, a receiving table 63 is provided.
Is disposed between the receiving base 63 and the inner peripheral edge of the upper end opening of the cylinder cap 25 by a diaphragm 65 made of an elastic film material. That is, the upper opening side of the cylinder chamber 27 is hermetically sealed by the diaphragm 65.
【００５７】さらに前記シリンダキャップ２５の上方に
は、容器弁本体部１７の弁開閉を検出するための検知部
６７が設けられている。すなわちシリンダキャップ２５
の上部には中空なケース６９がネジ６１によって取付け
られており、このケース６９内に前記受け台６３が露出
している。そしてケース６９内の所定の位置に、弁開閉
センサとして一対のマイクロスイッチ７１Ａ，７１Ｂが
対向配置されている。Above the cylinder cap 25, there is provided a detecting section 67 for detecting whether the container valve body 17 is open or closed. That is, the cylinder cap 25
A hollow case 69 is attached to the upper part by screws 61, and the receiving base 63 is exposed in the case 69. At a predetermined position in the case 69, a pair of microswitches 71A and 71B are arranged to face each other as a valve open / close sensor.
【００５８】一方前記受け台６３には、支軸７３を中心
として摺動可能な第１ロッド７５の先端が接し、さらに
この第１ロッド７５の先端部には第２ロッド７７の基端
部が結合され、その第２ロッド７７の先端部分が前記マ
イクロスイッチ７１Ａ，７１Ｂの間に位置している。そ
して前記第１ロッド７５および第２ロッド７７の結合部
分付近、すなわち受け台６３に接する部分付近にはスプ
リング７９によって受け台６３へ向けての弾性付勢力が
与えられるようになっている。なおケース６９の所定の
位置には、そのケース６９がシリンダキャップ２５に対
して正しい位置に取付けられているか否かを検出するた
めのセンサとしての第３のマイクロスイッチ８１が設け
られている。なお図１において符号８３は各マイクロス
イッチ７１Ａ，７１Ｂ，８１の信号を外部へ導き出すた
めのコネクタを示す。On the other hand, the distal end of a first rod 75 slidable about a support shaft 73 is in contact with the receiving base 63, and the proximal end of a second rod 77 is attached to the distal end of the first rod 75. The tip of the second rod 77 is connected between the microswitches 71A and 71B. A spring 79 applies an elastic biasing force toward the pedestal 63 near the joint between the first rod 75 and the second rod 77, that is, near the part in contact with the pedestal 63. At a predetermined position of the case 69, a third micro switch 81 is provided as a sensor for detecting whether or not the case 69 is mounted at a correct position with respect to the cylinder cap 25. In FIG. 1, reference numeral 83 denotes a connector for guiding the signals of the micro switches 71A, 71B, 81 to the outside.
【００５９】次に図１〜図３に示される実施例の半導体
装置ガス用高圧容器弁の動作、機能および使用方法につ
いて説明する。Next, the operation, function, and method of use of the high pressure vessel valve for semiconductor device gas of the embodiment shown in FIGS. 1 to 3 will be described.
【００６０】基体１は図示しない高圧ガス容器（ガスボ
ンベ）に取付けられ、高圧ガス容器のガス出口が主流入
口３に連通される。ここで、初期の状態では主付勢手段
としての主スプリング５９の弾性付勢力によってピスト
ン部材３１およびスピンドル２９からなるアクチュエー
タ３３が下方へ押し付けられ、これにより弁体１３も下
方へ押し付けられて、そのシート部１３Ｄが弁座１５に
押し付けられている。すなわち容器弁本体部１７が閉止
状態となっており、したがって主流路７が閉じられてい
る。なおこの状態では、弁体シート部１３Ｄのテーパー
部１３３が弁座１５のテーパー受部１５３に面接触し、
また弁体シート部１３Ｄの凹部１３２と弁座１５の凸部
１５２とが噛み合った状態で接している。またこの初期
状態では圧力室３９内の圧力は大気圧と等圧となってお
り、駆動用流体流路４５に介在しているオリフィス体５
３はスプリング５７の弾性付勢力によって隔壁５１に軽
く押し付けられている。The base 1 is attached to a high-pressure gas container (gas cylinder) (not shown), and the gas outlet of the high-pressure gas container is connected to the main inlet 3. Here, in the initial state, the actuator 33 composed of the piston member 31 and the spindle 29 is pressed downward by the elastic biasing force of the main spring 59 as the main biasing means, whereby the valve body 13 is also pressed downward. The seat portion 13D is pressed against the valve seat 15. That is, the container valve main body 17 is in the closed state, and thus the main flow path 7 is closed. In this state, the tapered portion 133 of the valve body seat portion 13D comes into surface contact with the tapered receiving portion 153 of the valve seat 15, and
In addition, the concave portion 132 of the valve body seat portion 13D and the convex portion 152 of the valve seat 15 are in contact with each other in an engaged state. In this initial state, the pressure in the pressure chamber 39 is equal to the atmospheric pressure, and the orifice body 5
3 is lightly pressed against the partition wall 51 by the elastic urging force of the spring 57.
【００６１】弁開放時には駆動用流体導入口４３に圧搾
空気等の所定の圧力の駆動用流体を導入する。これによ
りオリフィス体５３には、前述のスプリング５７の弾性
付勢力に加えて、駆動用流体の圧力が加わって隔壁５１
に強く押し付けられた状態となる。すなわち、オリフィ
ス体５３のテーパー面５３Ｂが隔壁５１の縁部５１Ａの
下面側のテーパー面５１Ｂに圧接され、これによって隔
壁５１の中央の流体流通孔４９の周縁部とオリフィス体
５３との間が密に閉じられた状態となる。そして駆動用
流体は、オリフィス体５３のオリフィス孔５３Ａの内周
面とそれを挿通する支持棒５５との間の隙間を通って隔
壁５１の流体流通孔４９を介し圧力室３９へ導かれ、圧
力室３９内の圧力が上昇する。ここで、オリフィス孔５
３Ａの内周面と支持棒５５との間の隙間は極めて小さい
から、駆動用流体の流れに対して大きな流路抵抗が作用
し、極めて遅い流速で圧力室３９へ駆動用流体が導入さ
れることになり、圧力室３９内の圧力上昇もゆっくりと
行なわれることになる。このような圧力室３９内のゆっ
くりとした圧力上昇に伴ない、圧力室３９の内容積が拡
大するようにピストン部材３１が主スプリング５９の弾
性付勢力に抗してゆっくりと上昇せしめられる。すなわ
ち、ピストン部材３１およびスビンドル２９からなるア
クチュエータ３３が弁開放方向へゆっくりと上昇するこ
とになり、このスピンドル２９に固着された弁体１３も
弁開放方向へゆっくりと上昇して、弁体シート部１３Ｄ
と弁座部１５との間がゆっくりと離れ、容器弁本体部１
７がゆっくりと開放される。このような弁開放によっ
て、主流入口３から導入された半導体製造ガスが主流路
７を経て主流出口５から外部の使用箇所へ供給される状
態となるが、前述のように弁開放はゆっくりと行なわれ
るため、弁開放時の断熱圧縮による温度上昇は少なくな
る。When the valve is opened, a drive fluid having a predetermined pressure such as compressed air is introduced into the drive fluid inlet 43. As a result, the pressure of the driving fluid is applied to the orifice body 53 in addition to the elastic biasing force of the spring 57, and the
It is in a state where it is strongly pressed against. That is, the tapered surface 53B of the orifice body 53 is pressed against the tapered surface 51B on the lower surface side of the edge portion 51A of the partition wall 51, whereby the peripheral portion of the fluid flow hole 49 at the center of the partition wall 51 and the orifice body 53 are tightly closed. Is closed. Then, the driving fluid is guided to the pressure chamber 39 through the gap between the inner peripheral surface of the orifice hole 53A of the orifice body 53 and the support rod 55 inserted therethrough, through the fluid flow hole 49 of the partition wall 51, and The pressure in the chamber 39 increases. Here, the orifice hole 5
Since the gap between the inner peripheral surface of 3A and the support rod 55 is extremely small, a large flow path resistance acts on the flow of the driving fluid, and the driving fluid is introduced into the pressure chamber 39 at an extremely slow flow velocity. As a result, the pressure in the pressure chamber 39 also rises slowly. With such a slow rise in the pressure in the pressure chamber 39, the piston member 31 is slowly raised against the elastic biasing force of the main spring 59 so that the internal volume of the pressure chamber 39 increases. That is, the actuator 33 composed of the piston member 31 and the spindle 29 slowly rises in the valve opening direction, and the valve body 13 fixed to the spindle 29 also slowly rises in the valve opening direction. 13D
And the valve seat portion 15 are slowly separated, and the container valve body 1
7 is slowly released. By opening such a valve, the semiconductor manufacturing gas introduced from the main inlet 3 is supplied through the main flow path 7 to the external use point from the main outlet 5, but as described above, the valve is opened slowly. Therefore, temperature rise due to adiabatic compression when the valve is opened is reduced.
【００６２】前述のように駆動用流体が圧力室３９へゆ
っくりと流入することによって容器弁本体部１７はゆっ
くりと開放されることになるが、図１〜図３の実施例で
はさらに容器弁本体部１７の構造自体が、弁開放をゆっ
くりと行なわせるに適した構造となっている。As described above, when the driving fluid slowly flows into the pressure chamber 39, the container valve body 17 is slowly opened. In the embodiment shown in FIGS. The structure itself of the part 17 is a structure suitable for slowly opening the valve.
【００６３】すなわち、図２に示すように弁体シート部
１３Ｄと弁座１５とはテーパー部１３３、テーパー受部
１５３で接していて、その接触面が弁体１３の開閉移動
方向に対してテーパー状に勾配を持った状態となってい
るから、弁体１３の垂直方向のストロークに対して弁体
シート部１３Ｄと弁座１５とのテーパー部分の隙間の変
化量が相対的に小さくなる。このことは、弁体１３をあ
る速度で開放方向へ移動させても、その移動速度よりも
ゆっくりと弁開放がなされることを意味する。That is, as shown in FIG. 2, the valve body seat portion 13D and the valve seat 15 are in contact with each other at the tapered portion 133 and the tapered receiving portion 153, and the contact surface thereof is tapered with respect to the opening and closing movement direction of the valve body 13. Since the valve body 13 is inclined, the amount of change in the gap in the tapered portion between the valve body seat portion 13D and the valve seat 15 is relatively small with respect to the vertical stroke of the valve body 13. This means that even if the valve 13 is moved in the opening direction at a certain speed, the valve is opened more slowly than the moving speed.
【００６４】さらに、弁体シート部１３Ｄの凹部１３２
と弁座１５の凸部１５２とが凹凸状に噛み合っており、
これによって弁体シート部１３Ｄと弁座１５との隙間の
距離（半導体製造ガスが流れる方向への距離）が長くな
っているため、弁を開放させつつある状態では、弁体シ
ート部１３Ｄと弁座１５との間の隙間における流路抵抗
が大きくなっている。したがって弁を開放させつつある
状態での半導体製造ガスの流れが遅くなり、弁開放時の
断熱圧縮による半導体製造ガスの温度上昇も少なくな
る。Further, the concave portion 132 of the valve body seat portion 13D
And the convex portion 152 of the valve seat 15 are meshed in an uneven shape,
As a result, the distance of the gap between the valve seat 13D and the valve seat 15 (the distance in the direction in which the semiconductor manufacturing gas flows) is increased. Therefore, when the valve is being opened, the valve seat 13D and the valve are not opened. The flow path resistance in the gap between the seat 15 and the seat 15 is large. Therefore, the flow of the semiconductor manufacturing gas while the valve is being opened is slowed, and the temperature rise of the semiconductor manufacturing gas due to adiabatic compression when the valve is opened is reduced.
【００６５】なお、弁室７Ａにおいて弁体１３は、蛇腹
状のベローシール１９によって開閉方向への移動が許容
されつつ気密にシールされている。このようにベローシ
ール１９を用いているところから、従来一般の高圧容器
弁に用いられている平面状のダイヤフラムと比べて、弁
体１３の開閉移動ストロークを大きくすることができ
る。したがって前述のように弁体シート部１３Ｄと弁座
１５との接触面をテーパー状として弁体１３のストロー
クを大きくしても特に支障が生じることはない。In the valve chamber 7A, the valve body 13 is hermetically sealed by a bellows-like bellows seal 19 while allowing movement in the opening and closing directions. Since the bellows seal 19 is used as described above, the opening and closing movement stroke of the valve element 13 can be made larger than that of a flat diaphragm used in a conventional general high-pressure container valve. Therefore, even if the contact surface between the valve element seat portion 13D and the valve seat 15 is tapered to increase the stroke of the valve element 13 as described above, no particular problem occurs.
【００６６】一方、弁閉止時においては、駆動用流体導
入口４３を大気圧に解放する。これによって圧力室３９
内の圧力と駆動用流体導入口４３側との間に差圧が生
じ、その差圧によってオリフィス体５３がスプリング５
７の弾性付勢力に抗して下降し、隔壁５１から離れる。
すなわち、圧力室３９内に溜っていた高圧の駆動流体
は、オリフィス体５３におけるオリフィス孔５３Ａの内
面と支持棒５５との間の隙間を流れようとするが、その
隙間の流路抵抗は大きいから、駆動用流体導入口４３を
大気圧に解放した際に急激に生じる大きな差圧がオリフ
ィス体５３を下方へ押し下げる力として作用し、オリフ
ィス体５３を隔壁５１から離隔させる。これにより隔壁
５１の流体流通孔４９の縁部下面のテーパー面５１Ｂと
オリフィス体５３のテーパー面５３Ｂとの間に大きな隙
間が生じ、その隙間を通って圧力室３９内から駆動用流
体が駆動用流体導入口４３へ向って急速に放出される。
それに伴なって圧力室３９内の圧力が急速に低下し、主
スプリング５９の弾性付勢力によりピストン部材３１お
よびスピンドル２９とからなるアクチュエータ３３が急
速に押し下げられ、弁体１３も急速に押し下げられる。
すなわち弁体１３が弁閉止方向へ急速に移動し、弁体シ
ート部１３Ｄと弁座１５との間が急速に閉じられて、弁
閉止がなされる。したがって主流出口５から半導体製造
ガス使用箇所への半導体製造ガスの供給が瞬間的に遮断
されることになる。On the other hand, when the valve is closed, the driving fluid inlet 43 is released to the atmospheric pressure. Thereby, the pressure chamber 39
A pressure difference is generated between the internal pressure and the driving fluid introduction port 43 side.
7 descends against the elastic urging force of 7 and separates from the partition wall 51.
That is, the high-pressure driving fluid stored in the pressure chamber 39 tends to flow through the gap between the inner surface of the orifice hole 53A in the orifice body 53 and the support rod 55, but the gap has a large flow path resistance. When the driving fluid inlet 43 is released to the atmospheric pressure, a large pressure difference that occurs suddenly acts as a force for pushing the orifice body 53 downward, thereby separating the orifice body 53 from the partition wall 51. As a result, a large gap is formed between the tapered surface 51B on the lower surface of the edge of the fluid flow hole 49 of the partition wall 51 and the tapered surface 53B of the orifice body 53, and the driving fluid is supplied from the inside of the pressure chamber 39 through the gap. It is rapidly discharged toward the fluid inlet 43.
Along with this, the pressure in the pressure chamber 39 decreases rapidly, the actuator 33 composed of the piston member 31 and the spindle 29 is rapidly pushed down by the elastic biasing force of the main spring 59, and the valve body 13 is also quickly pushed down.
That is, the valve body 13 moves rapidly in the valve closing direction, the space between the valve body seat portion 13D and the valve seat 15 is rapidly closed, and the valve is closed. Therefore, the supply of the semiconductor production gas from the main flow outlet 5 to the location where the semiconductor production gas is used is instantaneously shut off.
【００６７】以上のように、図１〜図３に示される実施
例の半導体製造ガス用高圧ガス容器弁においては、半導
体製造ガス使用箇所への半導体製造ガス供給開始のため
の弁開放はゆっくりと行なうことができる一方、半導体
製造ガス供給遮断のための弁閉止は瞬時に行なうことが
できる。As described above, in the high pressure gas container valve for semiconductor production gas of the embodiment shown in FIGS. 1 to 3, the valve for starting the supply of the semiconductor production gas to the location where the semiconductor production gas is used is slowly opened. On the other hand, the valve closing for shutting off the semiconductor manufacturing gas supply can be performed instantaneously.
【００６８】なお、オリフィス孔５３Ａの寸法・形状や
圧力室３９の内容積は、圧力室３９内が大気圧に解放さ
れている状態から駆動用流体の導入を開始して圧力室３
９内の圧力が駆動用流体の導入圧力と等圧となるまでに
０．３秒以上を要するように定めることが望ましい。こ
のようにすることによって、弁開放開始から完全開放状
態となるまでに０．３秒以上の時間が掛かることにな
る。The size and shape of the orifice hole 53A and the internal volume of the pressure chamber 39 are determined by starting the introduction of the driving fluid from the state where the pressure chamber 39 is released to the atmospheric pressure.
It is desirable that the time required for the internal pressure of the drive fluid 9 to be equal to or equal to the pressure of the driving fluid is 0.3 seconds or more. By doing so, it takes 0.3 seconds or more from the start of valve opening to the completely open state.
【００６９】さらに図１〜図３の実施例では、検知部６
７によって弁の開閉を検出して、外部へ電気信号として
弁開閉信号を送ることができる。Further, in the embodiment shown in FIGS.
7, the opening and closing of the valve can be detected and a valve opening and closing signal can be sent to the outside as an electric signal.
【００７０】すなわち、弁開放時においてアクチュエー
タ３３が上昇した際には、スピンドル２９の上端の受け
台６３に接している第１ロッド７５、第２ロッド７７が
スプリング７９の弾性押圧力に抗して支軸７３を中心と
して上方へ回動し、これによってマイクロスイッチ７１
Ａが作動して弁開放信号を発生し、この弁開放信号がコ
ネクタ８３を介して外部へ送られる。一方弁閉止時にお
いてアクチュエータ３３が下降した際には、第１ロッド
７５、第２ロッド７７がスプリング７９の弾性押圧力に
より支軸７３を中心として下方へ回動し、これによって
マイクロスイッチ７１Ｂが作動して弁閉止信号を発生
し、この弁閉止信号がコネクタ８３を介して外部へ送ら
れる。That is, when the actuator 33 rises when the valve is opened, the first rod 75 and the second rod 77 that are in contact with the receiving base 63 at the upper end of the spindle 29 resist the elastic pressing force of the spring 79. The micro switch 71 is rotated upward around the support shaft 73,
A operates to generate a valve opening signal, and this valve opening signal is sent to the outside through the connector 83. On the other hand, when the actuator 33 is lowered at the time of closing the valve, the first rod 75 and the second rod 77 rotate downward around the support shaft 73 by the elastic pressing force of the spring 79, whereby the microswitch 71B operates. As a result, a valve closing signal is generated, and the valve closing signal is sent to the outside through the connector 83.
【００７１】なお検知部６７のケース６９はシリンダキ
ャップ２５にネジ６１によって取付けられるが、この取
付状態は第３のマイクロスイッチ８１によって検出され
るから、ケース６９が正しい位置で取付けられているか
否かを判別することができる。The case 69 of the detection section 67 is attached to the cylinder cap 25 with the screw 61. Since this attachment state is detected by the third microswitch 81, it is determined whether the case 69 is attached at a correct position. Can be determined.
【００７２】前述のような図１〜図３の実施例において
は、弁閉止時に圧力室３９と駆動用流体導入口４３との
差圧によりオリフィス体５３を隔壁から離隔させること
によってオリフィス孔５３Ａの流路抵抗機能を実質的に
無効とし、圧力室３９の圧力を急速に解放させて弁閉止
を瞬時に行ない得るようにしているが、場合によっては
弁開放をゆっくりと行なわせるために駆動用流体流路４
５にオリフィス孔を介在させながらも、別の構成で弁閉
止を瞬時に行なわせるようにすることも可能であり、そ
の場合の駆動用流体流路４５の部分の構成例を図４に示
す。なお図４に示される以外の部分の構成は図１〜図３
と同様であれば良い。In the embodiment of FIGS. 1 to 3 as described above, the orifice body 53 is separated from the partition wall by the pressure difference between the pressure chamber 39 and the driving fluid inlet 43 when the valve is closed, so that the orifice hole 53A is closed. The flow path resistance function is substantially disabled, and the pressure in the pressure chamber 39 is rapidly released so that the valve can be closed instantaneously. However, in some cases, the driving fluid is used to slowly open the valve. Channel 4
It is also possible to instantaneously close the valve with a different configuration while interposing an orifice hole in 5, and an example of the configuration of the driving fluid flow path 45 in that case is shown in FIG. The configuration of the parts other than those shown in FIG.
It is good if it is the same as.
【００７３】図４において、圧力室３９に連通する駆動
用流体流路４５には駆動用流体導入部材４１が取付けら
れており、この駆動用流体導入部材４１の下端部側方に
は、図１の場合と同様に駆動用流体導入口４３が形成さ
れている。そして駆動用流体導入部材４１内の流路（駆
動用流体流路４５の一部）の中間位置には、その流路を
塞ぐように内側へ張出すオリフィス部４７が固定して形
成されており、そのオリフィス部４７には、上下に貫通
する細いオリフィス孔５３Ａが形成されている。また駆
動用流体導入部材４１におけるオリフィス部４７よりも
上方側の部分（圧力室３９に近い側の部分）の側方に
は、駆動用流体導入部材４１内の流路を側方へバイパス
的に開放するためのパイパス口８５が形成されている。
なお駆動用流体導入口４３には図示しない駆動用流体源
からの駆動用流体の供給を制御するための第１開閉弁８
７が接続され、またバイパス口８５には、そのバイパス
口８５を大気圧へ解放するための制御を行なう第２開閉
弁８９が接続されている。In FIG. 4, a drive fluid introduction member 41 is attached to a drive fluid flow passage 45 communicating with the pressure chamber 39, and a lower end portion of the drive fluid introduction member 41 The driving fluid inlet 43 is formed as in the case of (1). An orifice portion 47 is formed fixedly at an intermediate position of the flow path (a part of the driving fluid flow path 45) in the driving fluid introduction member 41 so as to protrude inward so as to close the flow path. The orifice portion 47 is formed with a fine orifice hole 53A penetrating vertically. Further, on the side of the portion of the driving fluid introduction member 41 above the orifice portion 47 (the portion near the pressure chamber 39), the flow path in the driving fluid introduction member 41 is laterally bypassed. A bypass 85 for opening is formed.
A first opening / closing valve 8 for controlling the supply of a driving fluid from a driving fluid source (not shown) is provided in the driving fluid inlet 43.
7 is connected to the bypass port 85, and a second on-off valve 89 for controlling the release of the bypass port 85 to atmospheric pressure is connected to the bypass port 85.
【００７４】図４に示される構成において、容器弁開放
時には第２開閉弁８９を閉じた状態で第１開閉弁８７を
開き、駆動用流体を駆動用流体導入口４３から駆動用流
体流路４５へ導入する。この駆動用流体流路４５中にお
いて駆動用流体はオリフィス孔５３Ａを通過し、その際
に大きな流路抵抗を受けて、ゆっくりと圧力室３９へ導
入される。したがって既に述べた図１〜図３の例と同様
にして弁開放がゆっくりとなされる。In the configuration shown in FIG. 4, when the container valve is opened, the first opening / closing valve 87 is opened with the second opening / closing valve 89 closed, and the driving fluid is supplied from the driving fluid introduction port 43 to the driving fluid passage 45. Introduce to. The driving fluid passes through the orifice hole 53A in the driving fluid flow channel 45, and receives a large flow resistance at that time, and is slowly introduced into the pressure chamber 39. Therefore, the valve is slowly opened in the same manner as in the above-described examples of FIGS.
【００７５】一方容器弁閉止時においては、第１開閉弁
８７を閉じるとともに、第２開閉弁８９を開放すること
によりバイパス口８５を大気圧に解放させる。これによ
って駆動用流体流路４５は、オリフィス孔５３Ａよりも
圧力室３９に近い側において大気圧に解放されるから、
圧力室３９内の高圧の駆動用流体は急速に前記バイパス
口８５および第２開閉弁８９を介して大気中に放出さ
れ、圧力室３９内の圧力が急速に低下し、主スプリング
５９の弾性付勢力によりピストン部材３１およびスピン
ドル２９からなるアクチュエータ３３が下降し、弁閉止
が急速になされる。On the other hand, when the container valve is closed, the first opening / closing valve 87 is closed and the second opening / closing valve 89 is opened to release the bypass port 85 to the atmospheric pressure. As a result, the driving fluid passage 45 is released to the atmospheric pressure on the side closer to the pressure chamber 39 than the orifice hole 53A.
The high-pressure driving fluid in the pressure chamber 39 is rapidly released into the atmosphere through the bypass port 85 and the second on-off valve 89, and the pressure in the pressure chamber 39 decreases rapidly, and the elasticity of the main spring 59 is increased. The actuator 33 including the piston member 31 and the spindle 29 is lowered by the force, and the valve is quickly closed.
【００７６】図５、図６には、駆動用流体流路にオリフ
ィス孔を設けずに、別に装置内にダンパ機構を組込んで
弁開放をゆっくりと行なわせるようにしたこの発明の別
の実施例を示す。FIGS. 5 and 6 show another embodiment of the present invention in which the orifice hole is not provided in the driving fluid flow path, and a damper mechanism is separately incorporated in the apparatus to open the valve slowly. Here is an example.
【００７７】図５、図６において、圧力室３９に連通す
る駆動用流体流路４５には、駆動用流体導入部材４１が
取付けられており、この駆動用流体導入部材４１の下端
側方には駆動用流体導入口４３が形成されている。但し
この駆動用流体導入部材４９にはオリフィス部４７（オ
リフィス体５３、オリフィス孔５３Ａ）が設けられてい
ない点が図１〜図３の実施例と異なる。したがって駆動
用流体導入口４３は圧力室３９にストレートに連通して
いることになる。In FIGS. 5 and 6, a driving fluid introduction member 41 is attached to a driving fluid passage 45 communicating with the pressure chamber 39. A driving fluid inlet 43 is formed. However, the driving fluid introduction member 49 is different from the embodiment of FIGS. 1 to 3 in that the orifice portion 47 (the orifice body 53 and the orifice hole 53A) is not provided. Therefore, the drive fluid inlet 43 is in straight communication with the pressure chamber 39.
【００７８】さらに図５、図６において、シリンダキャ
ップ２５の上方、より正確にはそのシリンダキャップ２
５の上端開口部を覆うダイヤフラム６５の上面側には、
シリコンオイルで代表される粘性流体などからなるダン
パ流体を利用したダンパ機構１００が配設されている。
すなわち、ダイヤフラム６５の上面側に、ダンパ流体１
０６を満たした第１ダンパ室１０２がダンパケース１０
４によって区画形成されており、一方弁開閉駆動のため
のアクチュエータ３３の一部を構成しているスピンドル
２９の上端には、図１の実施例と同様に受け台６３が固
定されており、この受け台６３の上面が前記第１ダンパ
室１０２の底面の一部を構成している。また第１ダンパ
室１０２の中央部上面側には、第１ダンパ室１０２と連
通する第２ダンパ室１１０が設けられている。この第２
ダンパ室１１０は垂直な軸線を中心とするシリンダ部１
２０によって区画形成されたものであって、その第１ダ
ンパ室１０２と第２ダンパ室１１０との間には隔壁１１
２が設けられている。この隔壁１１２の中央部には、上
下に貫通して第１ダンパ室１０２および第２ダンパ室１
１０を連通させる流体流通孔１１４が形成されており、
また隔壁１１２における流体流通孔１１４の周縁部下面
には、下方へ向って径が拡大するテーパーを有するテー
パー面１１２Ａが形成されている。5 and 6, above the cylinder cap 25, more precisely, the cylinder cap 2
5 is provided on the upper surface side of the diaphragm 65 covering the upper end opening.
A damper mechanism 100 using a damper fluid such as a viscous fluid represented by silicon oil is provided.
That is, the damper fluid 1 is provided on the upper surface side of the diaphragm 65.
The first damper chamber 102 that fills 06 is the damper case 10
4, a receiving base 63 is fixed to the upper end of the spindle 29 which constitutes a part of the actuator 33 for opening and closing the valve, similarly to the embodiment of FIG. The upper surface of the receiving base 63 constitutes a part of the bottom surface of the first damper chamber 102. Further, a second damper chamber 110 communicating with the first damper chamber 102 is provided on the upper surface side of the center of the first damper chamber 102. This second
The damper chamber 110 has a cylinder portion 1 centered on a vertical axis.
And a partition 11 between the first damper chamber 102 and the second damper chamber 110.
2 are provided. The first damper chamber 102 and the second damper chamber 1 penetrate vertically in the center of the partition 112.
A fluid communication hole 114 for communicating with the fluid passage 10;
Further, a tapered surface 112A having a taper whose diameter increases downward is formed on the lower surface of the peripheral portion of the fluid flow hole 114 in the partition 112.
【００７９】一方前記隔壁１１２に対し第１タンパ室１
０２が位置する側にはオリフィス体１１６が配設されて
いる。このオリフィス体１１６は、中央に上下に貫通す
るオリフィス孔１１６Ａを形成するとともに、上面周縁
部に前記隔壁１１２のテーパー面１１２Ａに対応するテ
ーパーを有するテーパー面１１６Ｂが形成されている。
そしてこのオリフィス体１１６のオリフィス孔１１６Ａ
は、後述するピストン部材１２２から下方へ延長された
軸部１２２Ａが上方から貫通しており、さらにオリフィ
ス体１１６と前記受け台６３との間には、オリフィス体
１１６に対して上方へ弾性付勢力を与えるための第４の
付勢手段としてスプリング１２４が配設されている。一
方、第２ダンパ室１１０の上部には、シリンダ部１２０
に対して上下に摺動可能なピストン部材１２２が配設さ
れており、このピストン部材１２２の下端からは前述の
軸部１２２Ａが下方へ突出している。このピストン部材
１２２の外周面とシリンダ部１２０の内周面（第２ダン
パ室１１０の外壁面）との間はＯリング１２６によって
シールされており、またピストン部材１２２の上端には
平板状の拡大基部１２２Ｂが形成され、このピストン部
材拡大基部１２２Ｂの上面とケース６９の上底面の間に
は、ピストン部材１２２を下方へ付勢するための第３の
付勢手段としてスプリング１２８が設けられている。ま
たピストン部材拡大基部１２２Ｂの端部の上下面に対向
する位置には、マイクロスイッチ７１Ａ，７１Ｂが配設
されている。On the other hand, the first tamper chamber 1
An orifice body 116 is provided on the side where 02 is located. The orifice body 116 has an orifice hole 116A vertically penetrating in the center and a tapered surface 116B having a taper corresponding to the tapered surface 112A of the partition wall 112 at the peripheral edge of the upper surface.
And the orifice hole 116A of this orifice body 116
A shaft portion 122A extending downward from a piston member 122, which will be described later, penetrates from above, and further, between the orifice body 116 and the pedestal 63, an elastic biasing force is applied upward to the orifice body 116 A spring 124 is provided as a fourth urging means for providing the pressure. On the other hand, an upper portion of the second damper chamber 110 has a cylinder portion 120.
The piston member 122 is slidable up and down with respect to the shaft member 122. The shaft portion 122A protrudes downward from the lower end of the piston member 122. The space between the outer peripheral surface of the piston member 122 and the inner peripheral surface of the cylinder portion 120 (the outer wall surface of the second damper chamber 110) is sealed by an O-ring 126. A base 122B is formed, and a spring 128 is provided between the upper surface of the piston member enlarged base 122B and the upper bottom surface of the case 69 as third urging means for urging the piston member 122 downward. . Micro switches 71A and 71B are provided at positions facing the upper and lower surfaces of the end of the enlarged piston member base 122B.
【００８０】なお図５、図６の実施例において、以上で
説明した部分以外の構成については、図１に示した実施
例と実質的に同様であるので、その説明は省略する。In the embodiment shown in FIGS. 5 and 6, the structure other than the parts described above is substantially the same as that of the embodiment shown in FIG. 1, and a description thereof will be omitted.
【００８１】図５、図６に示される実施例において、弁
開放時には駆動用流体導入口４３から圧力室３９へ圧搾
空気等の駆動用流体が導入され、圧力室３９の圧力上昇
によりピストン部材３１およびスピンドル２９からなる
アクチュエータ３３が上昇して弁開放がなされる点は図
１〜図３の実施例と同様である。但し、駆動用流体流路
４５にはオリフィス部（オリフィス孔）が介在されてい
ないから、駆動用流体流路４５は、圧力室３９への駆動
用流体の導入速度を積極的に遅くさせる作用は果たさな
い。一方、この弁開放時においては、スピンドル２９の
上昇に伴なってその上端の受け台６３も上昇し、これに
よって第１ダンパ室１０２の内容積が減少して、第１ダ
ンパ室１０２内のダンパ流体１０６を第２ダンパ室１１
０へ押出そうとする。このとき、オリフィス体１１６は
スプリング１２４によって隔壁１１２に押し付けられて
いるから、オリフィス体１１６のテーパー面１１６Ｂと
隔壁１１２のテーパー面１１２Ａとの間の隙間は閉じら
れており、そのためダンパ流体１０６は、第１ダンパ室
１０２からオリフィス体１１６のオリフィス孔１１６Ａ
の内面とピストン部材１２２の軸部１２２Ａの外周面と
の間の隙間を通って第２ダンパ室１１０へ流れ込むこと
になる。このとき、オリフィス孔１１６Ａの内面と軸部
１２２Ａの外周面との間の隙間は極めて狭いから、その
部分で大きな流路抵抗がダンパ流体１０６に作用し、そ
のためダンパ流体１０６は第１ダンパ室１０２からゆっ
くりと第２ダンパ室１１０へ流れ込むことになる。この
ことは、スピンドル２９の上昇による第１ダンパ室１０
２の内容積減少に対して抵抗を与えることを意味し、そ
のためスピンドル２９の上昇はゆっくりと行なわれるこ
とになる。すなわち、スピンドル２９およびピストン部
材３１からなるアクチュエータ３３の上昇がゆっくりと
行なわれ、その結果弁体１３の上昇速度も遅くなり、弁
開放がゆっくりと行なわれることになる。In the embodiment shown in FIGS. 5 and 6, when the valve is opened, a driving fluid such as compressed air is introduced from the driving fluid introduction port 43 into the pressure chamber 39, and the piston member 31 is increased by the pressure in the pressure chamber 39. The point that the valve is opened by raising the actuator 33 including the spindle 29 is the same as the embodiment of FIGS. However, since the orifice portion (orifice hole) is not interposed in the driving fluid flow channel 45, the driving fluid flow channel 45 does not actively reduce the introduction speed of the driving fluid into the pressure chamber 39. Does not work. On the other hand, when the valve is opened, the pedestal 63 at the upper end thereof rises with the rise of the spindle 29, whereby the internal volume of the first damper chamber 102 decreases, and the damper in the first damper chamber 102 The fluid 106 is supplied to the second damper chamber 11
Try to push to zero. At this time, since the orifice body 116 is pressed against the partition wall 112 by the spring 124, the gap between the tapered surface 116B of the orifice body 116 and the tapered surface 112A of the partition wall 112 is closed, so that the damper fluid 106 Orifice hole 116A of orifice body 116 from first damper chamber 102
Flows into the second damper chamber 110 through a gap between the inner surface of the piston member 122 and the outer peripheral surface of the shaft portion 122A of the piston member 122. At this time, since the gap between the inner surface of the orifice hole 116A and the outer peripheral surface of the shaft portion 122A is extremely small, a large flow resistance acts on the damper fluid 106 at that portion, so that the damper fluid 106 From the second damper chamber 110 slowly. This means that the first damper chamber 10 due to the raising of the spindle 29
2 means to provide resistance to the decrease in internal volume, so that the spindle 29 is slowly lifted. That is, the raising of the actuator 33 composed of the spindle 29 and the piston member 31 is performed slowly, and as a result, the rising speed of the valve body 13 is also reduced, and the valve is slowly opened.
【００８２】なお上述のような弁開放時においては、第
２ダンパ室１１０へのダンパ流体１０６の流入に伴なっ
てピストン部材１２２がスプリング１２８の弾性付勢力
に抗して上昇する。そしてこのとき、マイクロスイッチ
７１Ａが作動して弁開放信号を発生する。When the valve is opened as described above, the piston member 122 rises against the elastic biasing force of the spring 128 as the damper fluid 106 flows into the second damper chamber 110. At this time, the microswitch 71A operates to generate a valve open signal.
【００８３】一方、弁閉止時においては、図１〜図３に
示される実施例の場合と同様に、駆動用流体導入口４３
が大気圧に解放されることにより圧力室３９内の圧力が
低下し、主スプリング５９の弾性付勢力によってピスト
ン部材３１およびスピンドル２９からなるアクチュエー
タ３３が下降し、弁体１３が下降して弁閉止がなされ
る。そしてこのような弁閉止時には、スピンドル２９、
受け台６３の下降に伴なって、第１ダンパ室１０２の内
容積が増大し、これに伴なって第２ダンパ室１１０から
第１ダンパ室１０２へダンパ流体１０６が流れ込もうと
する。このとき、第２ダンパ室１１０から第１ダンパ室
１０２へ流れ込もうとするダンパ流体１０６の圧力によ
ってオリフィス体１１６は下降し、オリフィス体１１６
のテーパー面１１６Ｂと隔壁１１２のテーパー面１１２
Ａとの間の隙間が開き、第２ダンパ室１１０内の粘性流
体はそのテーパー面間の隙間を通って第１ダンパ室１０
２へ急速に流れ込むことになる。そのためオリフィス孔
１１６Ａの流路抵抗は実質的に作用しなくなり、第１第
ダンパ室１０２の内容積の急速な増大を許容することに
なる。したがってダンパ流体１０６は実質的にスピンド
ル２９の下降の抵抗とはならず、スピンドル２９の急速
な下降を許容し、ひいては弁体１３の急速な下降すなわ
ち急速な弁閉止を可能にする。すなわち、主スプリング
５９の弾性付勢力によって瞬時に弁閉止を行なうことが
できる。On the other hand, when the valve is closed, as in the embodiment shown in FIGS.
Is released to the atmospheric pressure, the pressure in the pressure chamber 39 is reduced, the actuator 33 including the piston member 31 and the spindle 29 is lowered by the elastic biasing force of the main spring 59, and the valve body 13 is lowered to close the valve. Is made. When the valve is closed, the spindle 29,
As the pedestal 63 descends, the internal volume of the first damper chamber 102 increases, and the damper fluid 106 tries to flow into the first damper chamber 102 from the second damper chamber 110. At this time, the orifice body 116 descends due to the pressure of the damper fluid 106 that is about to flow from the second damper chamber 110 to the first damper chamber 102, and the orifice body 116
Tapered surface 116B and the tapered surface 112 of the partition 112
A, and the viscous fluid in the second damper chamber 110 passes through the gap between the tapered surfaces of the first damper chamber 10.
2 will flow quickly. Therefore, the flow path resistance of the orifice hole 116A substantially does not act, and a rapid increase in the internal volume of the first damper chamber 102 is allowed. Thus, the damper fluid 106 does not substantially resist the lowering of the spindle 29, but allows the spindle 29 to descend rapidly, and thus allows the valve body 13 to descend rapidly, that is, to rapidly close the valve. That is, the valve can be instantly closed by the elastic biasing force of the main spring 59.
【００８４】なおこのような弁閉止時においては、第２
ダンパ室１１０から第１ダンパ室１０２へのダンパ流体
１０６の流入に伴なってピストン部材１２２がスプリン
グ１２８の弾性付勢力によって下降し、これによりマイ
クロスイッチ７１Ｂが作動して弁閉止信号が発生する。When the valve is closed, the second
With the inflow of the damper fluid 106 from the damper chamber 110 to the first damper chamber 102, the piston member 122 is lowered by the elastic biasing force of the spring 128, whereby the microswitch 71B is operated to generate a valve closing signal.
【００８５】以上のように、図５、図６に示す実施例の
場合も、弁開放をゆっくりと行ない、一方弁閉止を急速
かつ瞬時に行なうことができる。As described above, also in the embodiment shown in FIGS. 5 and 6, the valve can be opened slowly and the valve can be closed quickly and instantaneously.
【００８６】[0086]
【発明の効果】前述の説明から明らかなように、請求項
１の発明および請求項２の発明によれば、流体圧を用い
て遠隔操作により開閉可能とした高圧ガス容器弁とし
て、半導体製造ガス使用箇所への半導体製造ガスの供給
を開始するために弁開放を行なうにあたって、その弁開
放を、時間を掛けてゆっくりと行なうことができ、その
ため弁開放時の断熱圧縮によるガス温度上昇を小さくす
ることができるから、弁開放時の断熱圧縮による温度上
昇に起因する弊害、例えば配管部品が熱で溶けたりある
いはガスの分解による微粉末の発生や分解爆発を引起こ
したりするような事態の発生を有効に防止することがで
きる。As is apparent from the above description, according to the first and second aspects of the present invention, a semiconductor manufacturing gas is provided as a high-pressure gas container valve which can be opened and closed by remote control using fluid pressure. When opening a valve to start supply of a semiconductor manufacturing gas to a point of use, the valve can be opened slowly over a long period of time, so that a rise in gas temperature due to adiabatic compression when the valve is opened is reduced. Therefore, adverse effects caused by the temperature rise due to adiabatic compression when the valve is opened, such as the occurrence of a situation in which piping parts are melted by heat or the generation of fine powder or decomposition explosion due to decomposition of gas, may occur. It can be effectively prevented.
【００８７】また請求項３〜請求項５の発明の高圧ガス
容器弁においては、構造的に弁開放をゆっくり行なうに
適した構造とされており、そのため請求項１、請求項２
の発明の効果をより一層確実に発揮させることができ
る。The high-pressure gas container valve according to the third to fifth aspects of the present invention is structurally suitable for slowly opening the valve.
The effect of the invention of the invention can be more reliably exerted.
【００８８】さらに請求項６、請求項７の発明の高圧ガ
ス容器弁においては、弁開放をゆっくりと行なえるのみ
ならず、弁閉止を急速かつ瞬時に行なうことができ、そ
のため地震や火災発生などの緊急事態発生時において直
ちに半導体製造ガスの使用箇所へ供給を遮断して、安全
を確保することができる。Further, in the high pressure gas container valve according to the sixth and seventh aspects of the present invention, not only can the valve be opened slowly, but also the valve can be closed quickly and instantly, so that an earthquake or fire may occur. In the event of an emergency, the supply of the semiconductor manufacturing gas to the point of use can be immediately interrupted to ensure safety.
【００８９】そしてまた請求項９、請求項１０の発明の
高圧ガス容器弁においては、弁開閉を遠隔地において電
気信号により確認することができ、そのため安全を充分
に確認してからボンベボックスの開閉やボンベ交換作業
などを行なうことができる。Further, in the high pressure gas container valve according to the ninth and tenth aspects of the present invention, the opening and closing of the cylinder box can be confirmed by an electric signal at a remote place. And cylinder replacement work.
【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]
【図１】この発明の一実施例の半導体製造ガス用高圧容
器弁の全体構成を示す縦断面図である。FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing an overall configuration of a high-pressure container valve for semiconductor production gas according to one embodiment of the present invention.
【図２】図１に示される高圧ガス容器弁の弁体シート部
および弁座を拡大して示す縦断面図である。FIG. 2 is an enlarged longitudinal sectional view showing a valve seat portion and a valve seat of the high-pressure gas container valve shown in FIG.
【図３】図１に示される高圧ガス容器弁の駆動用流体流
路の部分付近を拡大して示す縦断面図である。FIG. 3 is an enlarged longitudinal sectional view showing the vicinity of a driving fluid flow path of the high-pressure gas container valve shown in FIG. 1;
【図４】この発明の他の実施例の半導体製造ガス用高圧
容器弁の一部を示す縦断面図である。FIG. 4 is a longitudinal sectional view showing a part of a high-pressure container valve for a semiconductor production gas according to another embodiment of the present invention.
【図５】この発明のさらに他の実施例の半導体製造ガス
用高圧容器弁の全体構成を示す縦断面図である。FIG. 5 is a longitudinal sectional view showing the entire configuration of a high-pressure container valve for semiconductor production gas according to still another embodiment of the present invention.
【図６】図５に示される高圧ガス容器弁のタンパ機構部
分を拡大して示す縦断面図である。6 is an enlarged longitudinal sectional view showing a tamper mechanism of the high-pressure gas container valve shown in FIG. 5;
３ 主流入口 ５ 主流出口 ７ 主流路 ９ 支持部材 １３ 弁体 １３Ｄ シート部 １５ 弁座 １７ 容器弁本体部 １９ ベローシール ３３ アクチュエータ ３９ 圧力室 ４３ 駆動用流体導入口 ４５ 駆動用流体流路 ４７ オリフィス部 ４９ 流体流通孔 ５１ 隔壁 ５３ オリフィス体 ５３Ａ オリフィス孔 ５５ 支持棒 ５７ スプリング ５９ 主スプリング ６７ 検知部 ７１Ａ，７１Ｂ マイクロスイッチ １００ ダンパ機構 １０２ 第１ダンパ室 １０６ ダンパ流体 １１０ 第２ダンパ室 １１２ 隔壁 １１６ オリフィス体 １１６Ａ オリフィス孔 １２４ スプリング １２８ スプリング １３２ 凹部 １３３ テーパー部 １５２ 凸部 １５３ テーパー受部 3 Main Inlet 5 Main Outlet 7 Main Flow Path 9 Supporting Member 13 Valve 13D Seat 15 Valve Seat 17 Container Valve Body 19 Bellow Seal 33 Actuator 39 Pressure Chamber 43 Driving Fluid Inlet 45 Driving Fluid Flow 47 Orifice 49 Fluid flow hole 51 Partition wall 53 Orifice body 53A Orifice hole 55 Support rod 57 Spring 59 Main spring 67 Detector 71A, 71B Micro switch 100 Damper mechanism 102 First damper chamber 106 Damper fluid 110 Second damper chamber 112 Partition wall 116 Orifice body 116A Orifice Hole 124 Spring 128 Spring 132 Concave portion 133 Tapered portion 152 Convex portion 153 Tapered receiving portion
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 遠藤 芳朗 東京都板橋区船渡１−12−11 株式会社鈴 木商館内 (72)発明者 大久保 政和 埼玉県上尾市大字原市1318番地 株式会社 大東バルブ製作所内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Yoshiro Endo 1-12-11 Funato, Itabashi-ku, Tokyo Suzuki Shosha Co., Ltd. (72) Inventor Masakazu Okubo 1318 Ojihara-shi, Ageo-shi, Saitama Inside
Claims (10)
造ガスを収容した高圧ガス容器のガス出口に取付けられ
る高圧ガス容器弁であって、高圧ガス容器のガス出口に
連通する主流入口と、外部へ半導体製造ガスを導き出す
主流出口と、前記主流入口および主流出口との間に形成
された主流路と、その主流路を開閉するための弁体およ
び弁座からなる容器弁本体部と、その容器弁本体部の弁
体に結合されてその弁体を容器弁本体部の開閉方向へ移
動させるためのアクチュエータと、外部から駆動用流体
を導入するための駆動用流体導入口と、その駆動用流体
導入口から導入された駆動用流体を前記アクチュエータ
へ向けて導くための駆動用流体流路と、駆動用流体流路
によって導かれた駆動用流体を受入れてその駆動用流体
の圧力によりアクチュエータを弁開放方向へ移動させる
ための圧力室と、前記アクチュエータを弁閉止方向へ付
勢するための主付勢手段とを有してなる半導体製造ガス
用高圧容器弁において、 前記駆動用流体流路に、駆動用流体の流れに対して流路
抵抗を与えるためのオリフィス孔を有するオリフィス部
が介在されており、そのオリフィス孔を通過して駆動用
流体が圧力室に導入されるようにしたことを特徴とする
半導体製造ガス用高圧ガス容器弁。1. A high-pressure gas container valve attached to a gas outlet of a high-pressure gas container containing a semiconductor production gas used for semiconductor production, comprising: a main flow inlet communicating with the gas outlet of the high-pressure gas container; A main flow outlet for guiding semiconductor production gas to the main flow passage, a main flow passage formed between the main flow inlet and the main flow outlet, a valve body and a valve seat for opening and closing the main flow passage, and a container for the container. An actuator coupled to the valve body of the valve body for moving the valve body in the opening and closing direction of the container valve body, a drive fluid inlet for introducing a drive fluid from outside, and the drive fluid A driving fluid flow path for guiding the driving fluid introduced from the introduction port toward the actuator, and a driving fluid guided by the driving fluid flow path; A pressure chamber for moving the actuator in the valve opening direction, and a main urging means for urging the actuator in the valve closing direction. An orifice portion having an orifice hole for providing a flow path resistance to the flow of the driving fluid is interposed in the path, and the driving fluid is introduced into the pressure chamber through the orifice hole. A high-pressure gas container valve for a semiconductor manufacturing gas.
造ガスを収容した高圧ガス容器のガス出口に取付けられ
る高圧ガス容器弁であって、高圧ガス容器のガス出口に
連通する主流入口と、外部へ半導体製造ガスを導き出す
主流出口と、前記主流入口および主流出口との間に形成
された主流路と、その主流路を開閉するための弁体およ
び弁座からなる容器弁本体部と、その容器弁本体部の弁
体に結合されてその弁体を容器弁本体部の開閉方向へ移
動させるためのアクチュエータと、外部から駆動用流体
を導入するための駆動用流体導入口と、その駆動用流体
導入口から導入された駆動用流体を前記アクチュエータ
へ向けて導くための駆動用流体流路と、駆動用流体流路
によって導かれた駆動用流体を受入れてその駆動用流体
の圧力によりアクチュエータを弁開放方向へ移動させる
ための圧力室と、前記アクチュエータを弁閉止方向へ付
勢するための主付勢手段とを有してなる半導体製造ガス
用高圧容器弁において、 前記アクチュエータの端部に対応する位置に、それぞれ
ダンパ用流体が満たされかつ相互に連通された第１ダン
パ室および第２ダンパ室が設けられており、これら第１
ダンパ室および第２ダンパ室は、前記アクチュエータの
移動に伴なって相対的に内容積が増減するように構成さ
れており、かつ第１ダンパ室と第２ダンパ室との連通部
分にはダンパ用流体の流れに対して流路抵抗を与えるた
めのオリフィス孔を有するオリフィス部が形成されてい
ることを特徴とする半導体製造ガス用高圧ガス容器弁。2. A high-pressure gas container valve attached to a gas outlet of a high-pressure gas container containing a semiconductor production gas used for semiconductor production, comprising: a main flow inlet communicating with the gas outlet of the high-pressure gas container; A main flow outlet for guiding semiconductor production gas to the main flow passage, a main flow passage formed between the main flow inlet and the main flow outlet, a valve body and a valve seat for opening and closing the main flow passage, and a container for the container. An actuator coupled to the valve body of the valve body for moving the valve body in the opening and closing direction of the container valve body, a drive fluid inlet for introducing a drive fluid from outside, and the drive fluid A driving fluid flow path for guiding the driving fluid introduced from the introduction port toward the actuator, and a driving fluid guided by the driving fluid flow path; A high-pressure container valve for a semiconductor manufacturing gas, comprising: a pressure chamber for moving a heater in a valve opening direction; and a main urging means for urging the actuator in a valve closing direction. Are provided with a first damper chamber and a second damper chamber which are filled with a damper fluid and communicate with each other.
The damper chamber and the second damper chamber are configured so that the internal volumes thereof increase and decrease relatively with the movement of the actuator, and a communication portion between the first damper chamber and the second damper chamber has a damper chamber. A high-pressure gas container valve for a semiconductor manufacturing gas, wherein an orifice portion having an orifice hole for providing a flow path resistance to a flow of a fluid is formed.
体製造ガス用高圧ガス容器弁において、 前記容器弁本体部の主流路における弁体とその弁体を開
閉方向へ移動可能に支持するための支持部材との間を気
密にシールするために、蛇腹状の可撓性材料からなるベ
ローシールが用いられており、そのベローシールが前記
弁体の一部を取囲むように設けられ、かつそのベローシ
ールの先端部が弁体側に密着固定されるとともに基端部
が前記支持部材に密着固定されて、ベローシールが弁体
の開閉移動方向に伸縮する構造とされていることを特徴
とする、半導体製造ガス用高圧ガス容器弁。3. The high-pressure gas container valve for a semiconductor production gas according to claim 1, wherein the valve body in the main flow path of the container valve body and the valve body are movably supported in the opening / closing direction. A bellows seal made of a bellows-like flexible material is used to hermetically seal between the support member and the bellows seal, and the bellows seal is provided so as to surround a part of the valve body, and The bellows seal has a structure in which a distal end portion is closely fixed to the valve body side and a base end portion is tightly fixed to the support member, so that the bellows seal expands and contracts in the opening and closing movement direction of the valve body. , High pressure gas container valve for semiconductor manufacturing gas.
体製造ガス用高圧ガス容器弁において、 容器弁本体部における弁座とこれに当接し得る弁体のシ
ート部とに、互いに噛み合って接し得る凹凸部が形成さ
れていることを特徴とする、半導体製造ガス用高圧ガス
容器弁。4. The high-pressure gas container valve for a semiconductor production gas according to claim 1, wherein the valve seat in the container valve main body and a seat portion of a valve element that can come into contact therewith are engaged with each other. A high-pressure gas container valve for a semiconductor production gas, characterized in that an obtained concavo-convex portion is formed.
体製造ガス用高圧ガス容器弁において、 容器弁本体部の弁体における弁座に当接し得るシート部
の先端部外周面に、弁体の開閉移動方向に対し傾斜した
勾配を有するテーパー部が形成され、かつ弁座には前記
弁体テーパー部に対応する位置に、弁体テーパー部のテ
ーパーと平行なテーパーを有するテーパー受部が形成さ
れており、弁閉止時に前記テーパー部およびテーパー受
部が相互に接して主流路を閉じるように構成したことを
特徴とする、半導体製造ガス用高圧ガス容器弁。5. The high pressure gas container valve for a semiconductor production gas according to claim 1, wherein a valve body is provided on an outer peripheral surface of a front end portion of a seat portion capable of contacting a valve seat of a valve body of the container valve body. A taper portion having a slope inclined with respect to the opening and closing movement direction is formed, and a taper receiving portion having a taper parallel to the taper of the valve body taper portion is formed at a position corresponding to the valve body taper portion on the valve seat. A high-pressure gas container valve for a semiconductor manufacturing gas, wherein the tapered portion and the tapered receiving portion are in contact with each other to close the main flow path when the valve is closed.
ガス容器弁において、 前記オリフィス部が、駆動用流体流路を遮るように駆動
用流体流路に設けられかつ一部に流体流通孔が貫通形成
された隔壁と、駆動用流体流路における流体流通方向に
沿って移動可能となるように前記隔壁に対し駆動用流体
導入口側の位置に配置されて前記隔壁に当接し得るオリ
フィス体と、オリフィス体を駆動用流体流路における流
体流通方向に沿って前記隔壁に押し付ける方向へ付勢す
るための第２の付勢手段とからなり、 前記オリフィス体には前記流体流通孔内の位置に向けて
開口するオリフィス孔が貫通形成されており、 前記駆動用流体導入口から駆動用流体の圧力が加えられ
た際には、オリフィス体が前記隔壁に押し付けられて流
体流通孔の周縁部とオリフィス体との間が閉じられ、こ
れにより駆動用流体がオリフィス孔の部分のみを流通す
る一方、前記駆動用流体導入口からの駆動用流体圧力が
除去された際には、オリフィス体が隔壁から離隔して、
流体流通孔周縁部とオリフィス体との間を駆動用流体が
流通し得るように構成したことを特徴とする半導体製造
ガス用高圧ガス容器弁。6. The high-pressure gas container valve for a semiconductor production gas according to claim 1, wherein the orifice portion is provided in the drive fluid flow path so as to block the drive fluid flow path, and a part of the fluid flow hole is provided. And an orifice body which is disposed at a position on the drive fluid introduction port side with respect to the partition so as to be movable along a fluid flow direction in the drive fluid flow path and which can contact the partition. And second biasing means for biasing the orifice body in the direction of pressing the partition wall along the fluid flow direction in the driving fluid flow path, wherein the orifice body has a position in the fluid flow hole. An orifice hole that opens toward the through hole is formed, and when the pressure of the driving fluid is applied from the driving fluid introduction port, the orifice body is pressed against the partition wall and the peripheral portion of the fluid communication hole is formed. Oh The gap between the orifice body and the orifice body is closed, so that the drive fluid flows only through the orifice hole, and when the drive fluid pressure from the drive fluid inlet is removed, the orifice body is separated from the partition wall. Separated,
A high-pressure gas container valve for a semiconductor manufacturing gas, wherein a driving fluid can flow between a peripheral portion of a fluid flow hole and an orifice body.
ガス容器弁において、 前記第１ダンパ室が、アクチュエータの弁開放方向への
移動によって内容積を減じるように構成され、また前記
第２ダンパ室には、その内容積を減じる方向へ付勢する
第３の付勢手段が付設されており、さらに前記第１ダン
パ室と第２ダンパ室との間の連通部分のオリフィス部
が、その連通部分を遮るように設けられかつ一部にダン
パ用流体流通孔が貫通形成された隔壁と、前記連通部分
におけるダンパ用流体流通方向に沿って移動可能となる
ように前記隔壁に対し第１ダンパ室側の位置に配置され
て前記隔壁に当接し得るオリフィス体と、オリフィス体
を前記連通部分のダンパ用流体流通方向に沿って前記隔
壁に押し付ける方向へ付勢するための第４の付勢手段と
からなり、 前記オリフィス体には前記ダンパ用流体流通孔内の位置
に向けて開口するオリフィス孔が貫通形成されており、 前記アクチュエータが弁開放方向へ移動する際には、オ
リフィス体が前記隔壁に押し付けられて流体流通孔の周
縁部とオリフィス体との間が閉じられ、これにより第１
ダンパ室内のダンパ用流体がオリフィス孔の部分のみを
流通して第２ダンパ室へ流入する一方、前記アクチュエ
ータが弁閉止方向へ移動する際には、オリフィス体が隔
壁から離隔して、ダンパ用流体流通孔周縁部とオリフィ
ス体との間をダンパ用流体が流通し得るように構成した
ことを特徴とする半導体製造ガス用高圧ガス容器弁。7. The high-pressure gas container valve for semiconductor manufacturing gas according to claim 2, wherein the first damper chamber is configured to reduce an internal volume by moving an actuator in a valve opening direction, and wherein the second damper chamber is configured to reduce the internal volume. The damper chamber is provided with a third urging means for urging the damper chamber in a direction to reduce its internal volume, and further, an orifice portion of a communication portion between the first damper chamber and the second damper chamber has its orifice portion. A partition provided so as to block the communication part and partially formed with a damper fluid communication hole therethrough, and a first damper provided to the partition so as to be movable along the damper fluid communication direction in the communication part. An orifice member disposed at the chamber side and capable of contacting the partition; and fourth biasing means for biasing the orifice member in a direction of pressing the orifice member against the partition along the flow direction of the damper fluid in the communication portion. The orifice body is formed with an orifice hole that opens toward a position in the damper fluid communication hole, and when the actuator moves in the valve opening direction, the orifice body is connected to the partition wall. The space between the peripheral portion of the fluid communication hole and the orifice body is closed by pressing, whereby the first
While the damper fluid in the damper chamber flows only through the orifice hole and flows into the second damper chamber, when the actuator moves in the valve closing direction, the orifice body separates from the partition wall, and the damper fluid flows. A high-pressure gas container valve for a semiconductor manufacturing gas, characterized in that a damper fluid can flow between a peripheral portion of the flow hole and the orifice body.
体製造ガス用高圧ガス容器弁において、 前記オリフィス孔の寸法および形状と圧力室の内容積
が、その圧力室が大気圧に開放されている状態から駆動
用流体が圧力室を満たして圧力室内の圧力が駆動用流体
の導入圧力と等圧となるまでの時間が０．３秒以上とな
るように定められていることを特徴とする半導体製造ガ
ス用高圧ガス容器弁。8. The high-pressure gas container valve for a semiconductor production gas according to claim 1, wherein the size and shape of the orifice hole and the internal volume of the pressure chamber are such that the pressure chamber is opened to the atmospheric pressure. The time from when the driving fluid fills the pressure chamber to when the pressure in the pressure chamber becomes equal to the introduction pressure of the driving fluid is set to be 0.3 seconds or more. High pressure gas container valve for semiconductor manufacturing gas.
体製造ガス用高圧ガス容器弁において、 さらに前記容器弁本体部における主流路の開閉を検出し
て電気信号を発生するためのセンサを備えていることを
特徴とする半導体製造ガス用高圧ガス容器弁。9. The high-pressure gas container valve for a semiconductor production gas according to claim 1, further comprising a sensor for detecting opening and closing of a main flow path in the container valve body and generating an electric signal. A high-pressure gas container valve for a semiconductor manufacturing gas.
圧ガス容器弁において、 前記センサを、アクチュエータの端部に対設して、アク
チュエータの弁開閉方向への移動を検出するように構成
したことを特徴とする半導体製造ガス用高圧ガス容器
弁。10. The high-pressure gas container valve for semiconductor production gas according to claim 9, wherein the sensor is provided opposite to an end of the actuator to detect movement of the actuator in the valve opening / closing direction. A high-pressure gas container valve for a semiconductor manufacturing gas.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20254197A JPH1130399A (en) | 1997-07-11 | 1997-07-11 | High pressure gas container valve for semiconductor manufacturing gas |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20254197A JPH1130399A (en) | 1997-07-11 | 1997-07-11 | High pressure gas container valve for semiconductor manufacturing gas |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1130399A true JPH1130399A (en) | 1999-02-02 |
Family
ID=16459219
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20254197A Pending JPH1130399A (en) | 1997-07-11 | 1997-07-11 | High pressure gas container valve for semiconductor manufacturing gas |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1130399A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007247697A (en) * | 2006-03-14 | 2007-09-27 | Neriki:Kk | Valve device |
| JP2012057720A (en) * | 2010-09-09 | 2012-03-22 | Neriki:Kk | Valve opening device and gas supply equipment |
| CN107110394A (en) * | 2014-12-16 | 2017-08-29 | 卢森堡专利公司 | With the valve actuating gear for opening deceleration |
| JP2021079195A (en) * | 2015-02-05 | 2021-05-27 | デロンギ アップリアンチェース エッセ．エッレ．エッレ．Ｄｅ’Ｌｏｎｇｈｉ Ａｐｐｌｉａｎｃｅｓ Ｓ．Ｒ．Ｌ． | Coffee machine and method for preparing cup of coffee |
-
1997
- 1997-07-11 JP JP20254197A patent/JPH1130399A/en active Pending
Cited By (6)
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| JP2018500518A (en) * | 2014-12-16 | 2018-01-11 | ルクセンブルグ・パテント・カンパニー・ソシエテ・アノニマＬｕｘｅｍｂｏｕｒｇ Ｐａｔｅｎｔ Ｃｏｍｐａｎｙ Ｓ．Ａ． | Valve drive device with reduced opening speed |
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