JPH11302834A - Sputtering method - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a sputtering method capable of forming a high quality film consisting of chromium. SOLUTION: In this sputtering method by which, in an evacuated vessel 11a, electric power is applied to a chromium target 1 to form films 8 and 9 consisting of chromium, among X-ray diffraction rays in the sputtering face of the chromium target 1, the intensity of the diffraction ray from the (200) face is regulated to 20 to <35% to the total intensity of the diffraction rays from all faces, and the mean value of the grain size of chromium crystal composing the chromium target 1 is regulated to <=50 μm and the maximum value thereof is regulated to <=100 μm.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、クロムを成分とす
る膜をスパッタリングにより形成する際に用いるスパッ
タリング方法に関する。The present invention relates to a sputtering method used for forming a film containing chromium by sputtering.

【０００２】[0002]

【従来の技術】従来、スパッタリング方法によりクロム
を成分とする膜を形成する場合、減圧容器内でクロムタ
ーゲットに電力を印加してアルゴンイオン等でクロムタ
ーゲットの表面を叩いて高いエネルギー状態の金属クロ
ムを取り出し、ガラス製等の基板上に、金属クロムをそ
のまま堆積させるか、或いは金属クロムと反応性ガスと
を反応させてクロム化合物を堆積させることによりクロ
ムを成分とする膜を形成している。2. Description of the Related Art Conventionally, when a film containing chromium is formed by a sputtering method, power is applied to a chromium target in a decompression vessel, and the surface of the chromium target is hit with argon ions or the like to form a high energy metal chromium. And a chromium-containing film is formed by depositing chromium metal on a glass substrate or the like, or by reacting chromium metal with a reactive gas to deposit a chromium compound.

【０００３】このスパッタリング方法では、安定した品
質の膜特性を有するクロム膜またはクロムを成分とする
膜を得るために、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ等の不純物を極力排
除して高純度化されたクロム粉末を材料としたクロムタ
ーゲットが用いられる。このクロムターゲットは、高純
度クロム粉末をＨＩＰ（熱間静水圧プレス）法等により
高密度化し、熱間圧延処理を経て製造される。In this sputtering method, in order to obtain a chromium film having a film characteristic of stable quality or a film containing chromium as a component, a highly purified chromium powder by removing impurities such as Fe, Ni and Cu as much as possible. Is used as the chromium target. The chromium target is manufactured by densifying high-purity chromium powder by a hot isostatic pressing (HIP) method or the like, and performing a hot rolling process.

【０００４】また、スパッタリングの速度を高めてクロ
ムを成分とする膜を効率よく形成するために、クロムタ
ーゲットに高い電力を投入することが要求される。この
場合、クロムターゲットの表面はアルゴンイオン等で叩
かれて温度が上昇し、冷媒等により冷却されているバッ
キングプレートとの膨張差が生じ、クロムターゲットに
大きな熱応力が負荷される。Further, in order to increase the sputtering speed and efficiently form a film containing chromium as a component, it is required to supply a high power to a chromium target. In this case, the surface of the chromium target is hit with argon ions or the like and the temperature rises, causing a difference in expansion from the backing plate cooled by the refrigerant or the like, and a large thermal stress is applied to the chromium target.

【０００５】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、熱間圧
延処理を経て製造されたクロムターゲットは、熱間圧延
処理により塑性加工されて歪みが形成されており、大き
な熱応力が負荷された際、熱間圧延処理により生じた歪
みが急激に開放され、表面にマイクロクラックが生じ、
この表面に生じたマイクロクラックが温度の上昇に伴っ
て進展し、クロムの結晶粒が脱落して飛散し、パーティ
クルと呼ばれる異常粒子が発生する。このパーティクル
が基板表面上等に形成された膜に異物として付着した
り、付着したパーティクルが膜から脱落してピンホール
が生じて膜の品位が低下するといった問題がある。However, the chromium target manufactured through the hot rolling process is plastically deformed by the hot rolling process to form a strain, and when a large thermal stress is applied, the chromium target is heated. The strain caused by the cold rolling process is rapidly released, micro cracks are generated on the surface,
The microcracks generated on the surface develop with an increase in temperature, and the chromium crystal grains fall off and scatter, generating abnormal particles called particles. There is a problem that the particles adhere as foreign matter to a film formed on the substrate surface or the like, or the adhered particles drop off from the film to generate pinholes, thereby deteriorating the quality of the film.

【０００６】特に、アルゴンガスに加えて、酸素、窒
素、炭素等を含むガスを導入する反応性スパッタリング
を行う場合、クロムターゲットの表面に、電気伝導度の
低い酸化クロム等の反応生成物が堆積し易く、この堆積
した反応生成物がチャージアップされ、静電荷が一定の
レベルを超えると静電破壊が起こって、静電荷が開放さ
れる際、堆積した反応生成物が飛散し、更に多くのパー
ティクルが発生するので、クロムを成分とする膜に付着
するパーティクルの数、及びパーティクルの膜からの脱
落により生じるピンホールの数が顕著になるという問題
がある。In particular, when performing reactive sputtering in which a gas containing oxygen, nitrogen, carbon, etc. is introduced in addition to argon gas, reaction products such as chromium oxide having low electric conductivity are deposited on the surface of the chromium target. The accumulated reaction product is charged up, and when the electrostatic charge exceeds a certain level, electrostatic breakdown occurs.When the electrostatic charge is released, the deposited reaction product scatters, and more Since particles are generated, there is a problem that the number of particles adhering to the film containing chromium as a component and the number of pinholes caused by the particles falling off the film become remarkable.

【０００７】本発明は、以上のような従来の問題点を解
決し、クロムを成分とする高品位な膜を形成することが
できるスパッタリング方法を提供することを目的とす
る。An object of the present invention is to solve the above-mentioned conventional problems and to provide a sputtering method capable of forming a high-quality film containing chromium as a component.

【０００８】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明に係るスパッタリ
ング方法は、減圧容器内でクロムターゲットに電力を印
加してクロムを成分とする膜を基板上に形成するスパッ
タリング方法において、前記クロムターゲットのスパッ
タ面のＸ線回折線のうち、（２００）面からの回折線の
強度が、全ての面からの回折線の強度の合計の２０％以
上３５％未満であり、該クロムターゲットを構成するク
ロム結晶の粒径は、平均値が５０μｍ以下であり、且つ
最大値が１００μｍ以下であるクロムターゲットを用い
ることを特徴とする。According to the present invention, there is provided a sputtering method for applying a power to a chromium target in a reduced-pressure vessel to form a film containing chromium on a substrate. Chromium crystal constituting the chromium target, wherein, among the X-ray diffraction lines of the plane, the intensity of the diffraction line from the (200) plane is 20% or more and less than 35% of the total intensity of the diffraction lines from all the planes. Is characterized by using a chromium target having an average value of 50 μm or less and a maximum value of 100 μm or less.

【０００９】発明者等は、スパッタリング用のクロムタ
ーゲットの製造方法と、そのターゲットを用いて形成さ
れたクロムを成分とする膜に発生するピンホール数とに
関係があることを見いだした。即ち、高純度化されたク
ロム粉末を高密度化し、その後、熱間圧延処理して製造
したクロムターゲットを用いてスパッタリングを行った
場合、形成されたクロムを成分とする膜にピンホールが
数多く発生するが、一方、熱間圧延処理を経ずに製造さ
れたクロムターゲットを用いた場合、ピンホールの発生
数が非常に少なくなるのである。The inventors have found that there is a relationship between the method of manufacturing a chromium target for sputtering and the number of pinholes generated in a film containing chromium formed using the target. In other words, when high-purity chromium powder is densified and then sputtered using a chromium target manufactured by hot rolling, many pinholes are generated in the formed chromium-containing film. However, on the other hand, when a chromium target manufactured without going through the hot rolling treatment is used, the number of pinholes generated is very small.

【００１０】熱間圧延処理を経て製造されたクロムター
ゲットと、熱間圧延処理を経ずに製造されたクロムター
ゲットとを比較分析したところ、クロムターゲットのス
パッタ面からのＸ線回折線の（２００）面、（１１０）
面、（２１１）面等全ての回折線の強度の合計を１００
％とした場合、熱間圧延処理を経たクロムターゲット
は、（２００）面からの回折線の強度が３５％以上であ
るのに対し、熱間圧延処理を経ないクロムターゲット
は、（２００）面からの回折線の強度が３５％未満であ
る。A comparative analysis of a chromium target manufactured through the hot rolling process and a chromium target manufactured without the hot rolling process revealed that the X-ray diffraction line from the sputtered surface of the chromium target was (200). ) Face, (110)
The sum of the intensities of all diffraction lines such as
%, The chromium target after hot rolling has a diffraction line intensity of 35% or more from the (200) plane, whereas the chromium target without hot rolling has a (200) plane. Is less than 35%.

【００１１】クロムターゲットを熱間圧延処理等の塑性
加工を経て製造した場合、少なからず加工歪みが残留す
る。高純度化されたクロム粉末を高密度化した際のクロ
ムターゲットのランダムな結晶構造が、塑性加工された
加工面では（２００）面からの回折線の強度が３５％以
上となる。このようにクロムターゲットの加工面が（２
００）面に強く配向した組織になるので、クロムターゲ
ットのスパッタ面からのＸ線回折線のうち、（２００）
面からの回折線の強度の割合を測定することにより、ス
パッタリングの際のパーティクルの発生頻度を予測する
ことができる。When a chromium target is manufactured through plastic working such as hot rolling, a considerable amount of working distortion remains. The random crystal structure of the chromium target when the highly purified chromium powder is densified has a diffraction line intensity from the (200) plane of 35% or more on the plastically processed surface. Thus, the processed surface of the chromium target is (2
Since the structure becomes strongly oriented on the (00) plane, (200) of the X-ray diffraction lines from the sputtered surface of the chromium target
By measuring the ratio of the intensity of the diffraction line from the surface, it is possible to predict the frequency of occurrence of particles during sputtering.

【００１２】また、（２００）面からの回折線の強度が
２０％未満となる場合、他の特定の結晶面、例えば、ク
ロム原子が最も安定する体心立方格子の最密格子面であ
る（１１０）面に強く配向している可能性が高くなり好
ましくない。When the intensity of the diffraction line from the (200) plane is less than 20%, another specific crystal plane, for example, a chromium atom is the densest lattice plane of the most stable body-centered cubic lattice ( The possibility of strong orientation on the (110) plane increases, which is not preferable.

【００１３】更に、結晶粒径の平均値が５０μｍ以下
で、且つ最大値が１００μｍ以下であるクロムターゲッ
トは、結晶粒径の平均値が５０μｍを超え、最大値が１
００μｍを超えるクロムターゲットに比べて、スパッタ
リングで形成されたクロムを成分とする膜に発生するピ
ンホールの数が少なくなる。これは、結晶粒径の平均値
が５０μｍ以下であると、結晶粒界の構造が緻密にな
り、マイクロクラックの進展が緻密な結晶粒界で妨げら
れるためであると考えられる。また、結晶粒径の最大値
が１００μｍを超えると、ＨＩＰ（熱間静水圧プレス）
法等により高密度化された際に塑性変形量が大きくなる
ので、この結晶粒及び結晶粒界の近傍に大きな歪みが残
留し、スパッタリング時に、より脱落しやすくなり、結
晶粒径の平均値が５０μｍを超える場合と同等のピンホ
ールを生じると考えられる。Furthermore, a chromium target having an average crystal grain size of 50 μm or less and a maximum value of 100 μm or less has an average crystal grain size of more than 50 μm and a maximum value of 1 μm.
The number of pinholes generated in a film containing chromium as a component formed by sputtering is smaller than that of a chromium target having a size exceeding 00 μm. This is considered to be because if the average value of the crystal grain size is 50 μm or less, the structure of the crystal grain boundaries becomes dense, and the development of microcracks is hindered by the dense crystal grain boundaries. When the maximum value of the crystal grain size exceeds 100 μm, HIP (Hot Isostatic Press)
Since the amount of plastic deformation increases when the density is increased by a method or the like, a large strain remains in the vicinity of the crystal grains and the crystal grain boundaries, and the crystal grains easily fall off during sputtering, and the average value of the crystal grain size is reduced. It is considered that a pinhole equivalent to a case exceeding 50 μm is generated.

【００１４】[0014]

【作用】本発明のスパッタリング方法によれば、クロム
ターゲットのスパッタ面のＸ線回折線のうち、（２０
０）面からの回折線の強度が、全ての面からの回折線の
強度の合計の２０％以上３５％未満であり、クロムター
ゲットを構成するクロム結晶の粒径は、平均値が５０μ
ｍ以下であり、且つ最大値が１００μｍ以下であるクロ
ムターゲットを用いるので、クロムターゲットに過大な
歪みが残留しておらず、スパッタリングの際に、緻密な
結晶粒界によりマイクロクラックの進展が妨げられてパ
ーティクルの発生が抑制され、クロムを成分とする膜に
発生するピンホールの数を少なくすることができる。According to the sputtering method of the present invention, of the X-ray diffraction lines on the sputtering surface of the chromium target, (20)
0) The intensity of the diffraction line from the plane is 20% or more and less than 35% of the sum of the intensity of the diffraction lines from all the planes, and the average value of the particle diameter of the chromium crystal constituting the chromium target is 50 μm.
m or less, and the maximum value is 100 μm or less, so that no excessive distortion remains in the chromium target, and during sputtering, the growth of microcracks is hindered by dense crystal grain boundaries. As a result, generation of particles is suppressed, and the number of pinholes generated in the film containing chromium can be reduced.

【００１５】[0015]

【発明の実施の形態】図１は、本実施例において使用し
た回分処理により成膜を行うスパッタリング装置を示す
説明図である。この図で、１は金属クロムからなるター
ゲットを、２は金属クロムを、３は反応性ガスとして酸
素ガス４及びアルゴンガス５、またはアルゴンガス５の
みからなるスパッタリングガスを、６はホウ珪酸ガラス
からなるガラス基板を、７はスパッタされた酸化クロム
を、８は酸化クロム膜を、９はスパッタされた金属クロ
ムを、１０は金属クロム膜を、１１は減圧容器１１ａか
らなる成膜室を、２０は直流電源をそれぞれ示してい
る。FIG. 1 is an explanatory view showing a sputtering apparatus for forming a film by batch processing used in the present embodiment. In this figure, 1 is a target made of metallic chromium, 2 is metallic chromium, 3 is a sputtering gas composed of only oxygen gas 4 and argon gas 5 or argon gas 5 as a reactive gas, and 6 is borosilicate glass. 7 is a sputtered chromium oxide film, 8 is a chromium oxide film, 9 is a sputtered metal chromium, 10 is a metal chromium film, 11 is a film forming chamber made of a decompression vessel 11a, 20 Indicates a DC power supply.

【００１６】図１に示すように、このスパッタリング装
置の成膜室１１は、スパッタリングガス３を導入するた
めのガス導入口１２、金属クロムからなるターゲット１
が取り付けられ直流電力が印加されるターゲット電極１
３、成膜室１１を構成する減圧容器１１ａからターゲッ
ト電極１３を絶縁する絶縁体１４、成膜室１１に搬入さ
れたガラス基板６を保持し対向電極を兼ねる基板保持台
１５、基板保持台１５を支持して成膜室１１を構成する
減圧容器１１ａに導通する支持台１６、真空ポンプに連
結され真空排気を行うための排気口１７からなる。As shown in FIG. 1, a film forming chamber 11 of the sputtering apparatus has a gas inlet 12 for introducing a sputtering gas 3 and a target 1 made of metallic chromium.
Target electrode 1 to which DC power is applied
3. an insulator 14 for insulating the target electrode 13 from the decompression vessel 11a constituting the film forming chamber 11, a substrate holding table 15 for holding the glass substrate 6 carried into the film forming chamber 11 and also serving as a counter electrode, and a substrate holding table 15. And a support 16 which is connected to a vacuum pump and which is connected to a vacuum pump for exhausting vacuum.

【００１７】本発明の実施例として、上記スパッタリン
グ装置に、結晶粒径の平均値が４０μｍ、且つ最大値が
９０μｍである純度９９．９５％の金属クロム２からな
り、ターゲットのスパッタ面の（２００）面からのＸ線
の回折線強度が、全ての面からの回折線強度の合計の２
５％であるクロムターゲット１を装着し、ホウ珪酸ガラ
スからなり、短辺３７０ｍｍ、長辺４７０ｍｍ、厚さ
０．７ｍｍの寸法を有する洗浄されたガラス基板６の表
面に、酸化クロム膜８を形成し、次いで、酸化クロム膜
８上に、厚さ０．１μｍの金属クロム膜１０を形成し
た。As an embodiment of the present invention, the sputtering apparatus is composed of 99.95% pure chromium 2 having an average crystal grain size of 40 μm and a maximum value of 90 μm. ) The diffraction line intensity of X-rays from the plane is 2
A chromium oxide film 8 is formed on the surface of a cleaned glass substrate 6 which is made of borosilicate glass and has a short side of 370 mm, a long side of 470 mm, and a thickness of 0.7 mm. Then, a metal chromium film 10 having a thickness of 0.1 μm was formed on the chromium oxide film 8.

【００１８】まず、前処理で約２００℃まで加熱してク
リーニングしたガラス基板６を成膜室１１に搬入して基
板保持台１５上に保持し、減圧容器１１ａを密閉し排気
口１７から排気して成膜室１１を真空封止した。First, the glass substrate 6 cleaned by heating to about 200 ° C. in the pretreatment is carried into the film forming chamber 11 and held on the substrate holding table 15, and the decompression vessel 11 a is sealed and exhausted from the exhaust port 17. The film forming chamber 11 was vacuum-sealed.

【００１９】次に、酸素ガス４とアルゴンガス５からな
るスパッタリングガス３をガス導入口１２から導入して
成膜室１１内のガス圧を１．１パスカルに調整し、電源
２０から１平方センチメートル当たり最大で３．７Ｗの
直流電圧をクロムターゲット１に印加してスパッタリン
グを行い、スパッタされた酸化クロム７をガラス基板６
上に堆積させ、酸化クロム膜８の膜厚が０．０７μｍに
達した時点で酸素ガス４の導入を遮断した。Next, a sputtering gas 3 composed of an oxygen gas 4 and an argon gas 5 is introduced from a gas inlet 12 to adjust the gas pressure in the film forming chamber 11 to 1.1 Pascal. A DC voltage of 3.7 W at the maximum is applied to the chromium target 1 to perform sputtering, and the sputtered chromium oxide 7 is
The introduction of the oxygen gas 4 was stopped when the thickness of the chromium oxide film 8 reached 0.07 μm.

【００２０】次いで、スパッタリングガス３をアルゴン
ガス５のみとし、スパッタされた金属クロム９を酸化ク
ロム膜８上に堆積させ、厚さ０．１μｍの金属クロム膜
１０を形成した。Next, the sputtering gas 3 was changed to only the argon gas 5 and the sputtered chromium metal 9 was deposited on the chromium oxide film 8 to form a 0.1 μm-thick metal chromium film 10.

【００２１】得られた膜上には、５μｍ以上の大きさの
パーティクルは３個、３μｍ以上５μｍ未満のパーティ
クルは８個、１μｍ以上３μｍ未満のパーティクルは１
０個と僅かに存在しているのみであった。On the obtained film, three particles having a size of 5 μm or more are eight, particles having a size of 3 μm to less than 5 μm are eight, and particles having a size of 1 μm to less than 3 μm are one.
There was only a slight presence of zero.

【００２２】また、得られた膜をガラス基板６の裏面か
ら光を照射して４０μｍ以上のピンホールの有無を調べ
た。その結果、成膜された２４０枚のガラス基板６中、
ピンホールが検出されたものは９枚であり、検出率は４
％と低い値であった。The obtained film was irradiated with light from the back surface of the glass substrate 6 to check for the presence of a pinhole of 40 μm or more. As a result, of the 240 glass substrates 6 on which films were formed,
Nine pinholes were detected, and the detection rate was 4
%.

【００２３】スパッタリング停止後のクロムターゲット
１を観察したところ、その表面には従来見られたような
大きさのマイクロクラックが生じた痕跡はなく、従来あ
った大きいクロムの結晶粒が脱落した痕跡も観察されな
かった。Observation of the chromium target 1 after the sputtering was stopped showed no trace of microcracks of the size seen in the prior art on its surface, and no trace of large chromium crystal grains falling in the prior art. Not observed.

【００２４】比較例として、熱間圧延処理して製造した
従来のターゲットを用いて直流スパッタリング法により
スパッタリングを行った。従来のターゲットは、結晶粒
径の平均値が６５μｍ、且つ最大値が１５０μｍである
純度９９．９６％の金属クロムからなり、ターゲットの
スパッタ面の（２００）面からのＸ線の回折線強度が、
全ての面からの回折線強度の合計の７５％であるクロム
ターゲット１を用いて、前記と同じガラス基板６の表面
に、厚さ０．０７μｍの酸化クロム膜８を、次いで、酸
化クロム膜８上に、厚さ０．１μｍの金属クロム膜１０
を形成した。As a comparative example, sputtering was performed by a DC sputtering method using a conventional target manufactured by hot rolling. The conventional target is made of metallic chromium of 99.96% purity having an average crystal grain size of 65 μm and a maximum value of 150 μm, and has a diffraction line intensity of X-rays from the (200) plane of the sputtering surface of the target. ,
Using a chromium target 1 that is 75% of the total diffraction line intensity from all surfaces, a chromium oxide film 8 having a thickness of 0.07 μm and then a chromium oxide film 8 On top, a 0.1 μm thick metal chromium film 10
Was formed.

【００２５】得られた膜上には、５μｍ以上の大きさの
パーティクルは１０個、３μｍ以上５μｍ未満のパーテ
ィクルは２５個、１μｍ以上３μｍ未満のパーティクル
は６０個存在した。On the obtained film, there were 10 particles having a size of 5 μm or more, 25 particles having a size of 3 μm or more and less than 5 μm, and 60 particles having a size of 1 μm or more and less than 3 μm.

【００２６】また、得られた膜をガラス基板の裏面から
光を照射して４０μｍ以上のピンホールの有無を調べ
た。その結果、成膜された２４０枚のガラス基板中、ピ
ンホールが検出されたものは２０４枚であり、検出率は
８５％であった。これらの数字を対照して表１に示す。The obtained film was irradiated with light from the back surface of the glass substrate, and the presence or absence of a pinhole of 40 μm or more was examined. As a result, out of the 240 glass substrates on which the film was formed, 204 had a pinhole detected, and the detection rate was 85%. Table 1 compares these figures.

【００２７】[0027]

【表１】 [Table 1]

【００２８】表１に示すように、実施例では、クロムタ
ーゲット１の（２００）面からのＸ線回折線の強度が、
全ての面からの回折による強度の合計の２５％、ターゲ
ットの結晶粒径を、平均値が４０μｍ、最大値が９０μ
ｍ以下にすることにより、４％と低いピンホール検出率
を実現した。As shown in Table 1, in the embodiment, the intensity of the X-ray diffraction line from the (200) plane of the chromium target 1 is:
25% of the total intensity by diffraction from all surfaces, the average crystal grain size of the target was 40 μm, and the maximum value was 90 μm.
m or less, a pinhole detection rate as low as 4% was realized.

【００２９】本発明に用いるクロムターゲットを製造す
る場合、純度９９．９５％以上のクロム粉末を結晶粒径
の最大値を１００μｍ以下にするため、原料のクロム粉
末を篩い等の分級手段を用いて１００μｍを超える粒子
を予め除去し、分級したクロム粉末をＨＩＰ法で適当な
形状に高密度化し、研削・研磨して歪みの少ない状態で
仕上げる。また、結晶粒径の平均値を５０μｍ以下にす
るには、熱処理温度を制御することにより結晶粒度を調
製する。When the chromium target used in the present invention is produced, chromium powder having a purity of 99.95% or more has a maximum crystal grain size of not more than 100 μm by using a classification means such as a sieve. Particles exceeding 100 μm are removed in advance, and the classified chromium powder is densified into an appropriate shape by the HIP method, and is finished by grinding and polishing with less distortion. Further, in order to make the average value of the crystal grain size 50 μm or less, the crystal grain size is adjusted by controlling the heat treatment temperature.

【００３０】上記の実施の形態において、クロムを成分
とする膜として酸化クロム膜及び金属クロム膜を例示し
たが、本発明は、これらに限られるものではなく、クロ
ムの窒化物膜、炭化物膜等の反応性スパッタリングによ
り膜を形成することができるもの全てに適用が可能であ
る。In the above embodiment, a chromium oxide film and a metal chromium film are exemplified as the film containing chromium as a component. However, the present invention is not limited to these, and the chromium nitride film, the carbide film, etc. The present invention can be applied to any of those which can form a film by reactive sputtering.

【００３１】[0031]

【発明の効果】本発明に係るスパッタリング方法によれ
ば、ピンホールが少なく高品位なクロムを成分とする膜
を形成することが可能であり実用上優れた効果を奏する
ものである。According to the sputtering method of the present invention, it is possible to form a high-quality film containing chromium as a component with few pinholes, which is excellent in practical use.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明に用いるスパッタリング装置の説明図FIG. 1 is an explanatory view of a sputtering apparatus used in the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ ターゲット ２ 金属クロム ３ スパッタリングガス ４ 酸素ガス ５ アルゴンガス ６ ガラス基板 ７ スパッタされた酸化クロム ８ 酸化クロム膜 ９ スパッタされた金属クロム １０ 金属クロム膜 １１ 成膜室 １１ａ 減圧容器 １２ ガス導入口 １３ ターゲット電極 １４ 絶縁体 １５ 基板保持台 １６ 支持台 １７ 排気口 ２０ 直流電源 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Target 2 Metal chromium 3 Sputtering gas 4 Oxygen gas 5 Argon gas 6 Glass substrate 7 Sputtered chromium oxide 8 Chromium oxide film 9 Sputtered metal chromium 10 Metal chromium film 11 Film formation room 11a Decompression container 12 Gas inlet 13 Target Electrode 14 Insulator 15 Substrate support 16 Support 17 Exhaust port 20 DC power supply

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 減圧容器内でクロムターゲットに電力を
印加してクロムを成分とする膜を基板上に形成するスパ
ッタリング方法において、前記クロムターゲットのスパ
ッタ面のＸ線回折線のうち、（２００）面からの回折線
の強度が、全ての面からの回折線の強度の合計の２０％
以上３５％未満であり、該クロムターゲットを構成する
クロム結晶の粒径は、平均値が５０μｍ以下であり、且
つ最大値が１００μｍ以下であるクロムターゲットを用
いることを特徴とするスパッタリング方法。1. A sputtering method for applying a power to a chromium target in a reduced-pressure vessel to form a film containing chromium on a substrate, wherein the X-ray diffraction line on the sputtering surface of the chromium target comprises (200) 20% of the sum of the intensities of the diffraction lines from all surfaces
A chromium target having an average value of not more than 50 μm and a maximum value of not more than 100 μm in a particle diameter of chromium crystals constituting the chromium target.