JPH11295905A - レジスト膜の剥離方法および剥離装置 - Google Patents
レジスト膜の剥離方法および剥離装置Info
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- JPH11295905A JPH11295905A JP10149998A JP10149998A JPH11295905A JP H11295905 A JPH11295905 A JP H11295905A JP 10149998 A JP10149998 A JP 10149998A JP 10149998 A JP10149998 A JP 10149998A JP H11295905 A JPH11295905 A JP H11295905A
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Abstract
は、オゾン水用ノズル13からのオゾン水が供給され
る。次に、この基板Sの主面は、剥離槽2において、剥
離液用スプレー23から、剥離液のスプレーを受ける。
その後、水洗槽3においては、基板Sの主面の剥離液が
洗い落とされる。 【効果】オゾン水により、レジスト膜の表層の硬化部分
が分解されて軟化されるので、剥離液による剥離を効率
的に行える。
Description
基板等のフラットパネルディスプレイ(FPD)用基
板、フォトマスク用ガラス基板、半導体基板等の各種の
基板の主面に形成された所定パターンのレジスト膜を基
板の主面から剥離するための方法および装置に関する。
いては、ガラス基板の表面への薄膜の形成およびそのパ
ターニングを繰り返すことにより、微細な素子が形成さ
れていく。薄膜のパターニングは、フォトリソグラフィ
工程によってレジスト膜をエッチング対象の薄膜上にパ
ターン形成し、その状態でその薄膜をエッチングするこ
とによって達成される。このエッチング工程には、必要
に応じてドライエッチングが適用される。
チングによって、レジスト膜の表層部分が変質して硬化
し、このために、次工程におけるレジスト膜の剥離が困
難になるという問題がある。具体的には、剥離液を基板
上に供給してレジスト膜の剥離を行う場合に、変質部分
のレジスト膜が残渣として残ったり、剥離液による剥離
処理に長時間を要したりして、生産性の向上が妨げられ
ていた。
課題を解決し、レジスト膜の剥離を良好に行うことがで
きるレジスト膜の剥離方法および剥離装置を提供するこ
とである。
目的を達成するための請求項1記載の発明は、基板の主
面に形成されたレジスト膜を剥離するための方法であっ
て、基板の主面にオゾン水を供給するオゾン水供給工程
と、オゾン水が供給された後の基板の主面に所定の剥離
液を供給する剥離液供給工程とを含むことを特徴とする
レジスト膜の剥離方法である。
二重結合や芳香環をすみやかに開裂させる働きがある。
そこで、この発明では、レジスト膜の剥離に際し、基板
の主面にオゾン水が供給される。これにより、たとえ
ば、ドライエッチングのために変質したレジスト膜の表
層部分や、ドライエッチングに伴って生成した残渣を分
解して軟化させることができる。そして、その後に、剥
離液が基板の主面に供給されることにより、基板の主面
からレジスト膜の剥離を効果的に行うことができる。
にそれぞれ形成されたレジスト膜を順次剥離するための
方法であって、基板の主面に所定の剥離液を供給する剥
離液供給工程と、先に処理される基板に対する上記剥離
液供給工程において供給された剥離液を含む再利用液
を、その後に処理される基板に対する上記剥離液供給工
程に先立って、当該基板の主面に供給する再利用液供給
工程とを含むことを特徴とするレジスト膜の剥離方法で
ある。
剥離処理に先立って、先に処理された基板に対して供給
された剥離液を含む再利用液が基板の主面に供給され
る。そのため、2回にわたって剥離液による処理を行う
ことができるので、基板の主面から剥離液を良好に剥離
できる。しかも、一度使用された剥離液は、従来は廃棄
されていたのであるが、これを再利用することができる
ようになるうえ、大幅なコスト増を伴うことなく剥離効
率を向上できる。
されたレジスト膜を剥離するレジスト膜の剥離装置であ
って、基板の主面にオゾン水を供給するオゾン水供給手
段と、このオゾン水供給手段によってオゾン水が供給さ
れた基板の主面に所定の剥離液を供給する剥離液供給手
段とを含むことを特徴とするレジスト膜の剥離装置であ
る。
同様な効果を達成できる。請求項4記載の発明は、複数
の基板の主面にそれぞれ形成されたレジスト膜を順次剥
離するための装置であって、基板の主面に所定の剥離液
を供給する剥離液供給手段と、先に処理される基板に対
して上記剥離液供給手段によって供給された剥離液を含
む再利用液を、その後に処理される基板に対する上記剥
離液の供給に先立って、当該基板の主面に供給する再利
用液供給手段とを含むことを特徴とするレジスト膜の剥
離装置である。
同様な効果を達成できる。請求項5記載の発明は、上記
再利用液供給手段によって再利用液が供給される前の基
板の主面にオゾン水を供給するオゾン水供給手段をさら
に含むことを特徴とする請求項4記載のレジスト膜の剥
離装置である。この発明によれば、オゾン水および再利
用液による処理の後に、剥離液による処理が行われるの
で、さらに効果的にレジスト膜の除去を図ることができ
る。
を、添付図面を参照して詳細に説明する。図1は、この
発明の一実施形態に係るレジスト膜剥離装置の構成を説
明するための簡略化した断面図である。このレジスト膜
剥離装置は、たとえば、液晶表示装置用ガラス基板など
の基板Sをほぼ水平な搬送方向TDに向けて次々と搬送
しながら、この基板Sの主面(図1における上面)に処
理液を供給することによって、複数枚の基板Sの主面に
それぞれ形成されているレジスト膜を順次剥離するため
の装置である。
ジスト膜剥離装置は、搬送方向TDに関して上流側から
順に、入口コンベア1、剥離槽2、水洗槽3および出口
コンベア4を、搬送方向TDに沿って結合して構成され
ている。入口コンベア1、剥離槽2、水洗槽3および出
口コンベア4は、いずれも、互いに平行な位置関係で水
平面に沿って配列された複数本の搬送ローラ11,2
1,31,41を備えている。そして、図示しない基板
搬入ロボットによって、入口コンベア1の搬送ローラ1
1上に未処理の基板Sが次々と置かれ、図示しない基板
搬出ロボットによって、出口コンベア4の搬送ローラ4
1上に払い出されてきた処理済みの基板Sが次々と取り
除かれるようになっている。搬送ローラ11,21,3
1,41は、それぞれ、搬送ローラ駆動部12,22,
32,42からの回転力を得て、各軸線まわりに回転す
るようになっている。
の各動作は、制御装置5によって制御されるようになっ
ている。これにより、たとえば、入口コンベア1、剥離
槽2および水洗槽3の搬送ローラ11,21,31は、
基板Sを搬送方向TDに搬送するために正転されたり、
基板Sを搬送方向TDとは逆方向に戻すために逆転され
たりする。これにより、基板Sは、入口コンベア1内、
剥離槽2内および水洗槽3内で揺動され、これらの各処
理部における処理が基板Sの全域において均一に施され
るようになっており、かつ、各処理部の搬送路長を長く
することなく各工程に必要な十分な処理時間を確保でき
るようになっている。出口コンベア4では、単に、基板
Sを払い出す処理が行われるのみであるので、この出口
コンベア4の搬送ローラ41は、駆動/停止が、制御装
置5によって制御されることになる。
に、オゾン水用ノズル13(オゾン水供給手段)を備え
ている。このオゾン水用ノズル13は、基板Sの主面に
対してオゾン水を供給するためのものである。このオゾ
ン水用ノズル13には、オゾン水タンク14に貯留され
たオゾン水が、ポンプ15によって汲み出され、エア弁
16を介して、オゾン水供給管17から供給されてい
る。エア弁16は、制御装置5によって開閉制御される
ようになっている。基板Sの処理のために用いられた後
のオゾン水は、回収配管18を介してオゾン水タンク1
4に回収される。
た基板Sの主面にオゾン水を供給し、その表面のレジス
ト膜中の有機物を分解して、レジスト膜の表層の硬化部
分を軟化させることができる。上述のとおり、この入口
コンベア1では、基板Sが搬送方向TDとその逆方向と
に揺動されるので、オゾン水による処理は基板Sの主面
の全域において均一に行われ、かつ、予め定めた所望の
時間に渡って行うことができる。
形成するようにオゾン水用ノズル13からオゾン水を緩
やかに、かつ帯状に供給することが好ましい。これに反
して、オゾン水を激しくスプレー状に吐出すると、吐出
されたオゾン水は粒状であるので、周囲の雰囲気(空
気)との接触面積が大きいため、オゾン水中のオゾンが
雰囲気中に逃げていき、好ましくない。
板Sの主面に剥離液をスプレーするための剥離液用スプ
レーノズル23(剥離液供給手段)を備えている。この
剥離液用スプレーノズル23には、剥離液タンク24に
貯留された剥離液が、ポンプ25によって汲み出され、
エア弁26を介して、剥離液供給管27から供給されて
いる。エア弁26は、制御装置5によって開閉制御され
るようになっている。基板Sに供給された後の剥離液
は、剥離槽2の底面に接続された回収配管28を介し
て、剥離液タンク24に回収されるようになっている。
れた基板Sの主面に向けて剥離液を供給することがで
き、その表面のレジスト膜を剥離することができる。こ
のとき、上述のように、制御装置5による搬送ローラ2
1の動作制御により、基板Sが揺動させられる。これに
より、基板Sの主面の全域に対する処理を、均一に、か
つ必要な時間だけ行うことができる。
板Sの主面に洗浄液としての純水を供給するための洗浄
液用スプレーノズル33を備えている。この洗浄液用ス
プレーノズル33には、洗浄液タンク34に貯留された
洗浄液が、ポンプ35によって汲み出され、エア弁36
を介して、洗浄液供給管37から供給されている。エア
弁36は、制御装置5によって開閉制御されるようにな
っている。基板に供給された後の洗浄液は、電磁弁61
および回収配管38を介して洗浄液タンク34に回収さ
れるか、電磁弁62および廃液配管39を介して廃液さ
れる。電磁弁61,62の開閉は、制御装置5によって
制御されるようになっている。
た基板Sの主面に向けて洗浄液を供給することができ、
その表面の剥離液等を洗い流すことができる。このと
き、制御装置5による搬送ローラ31の制御により、基
板Sが揺動させられ、これにより、基板Sの主面全域を
隈無く洗浄でき、かつ、必要な時間に渡って洗浄処理を
行うことができる。
洗浄処理を開始した当初の期間には、電磁弁61を閉成
し、電磁弁62を開成する。これにより、剥離液等を多
く含んだ洗浄液が廃棄される。その後、一定時間経過後
に、制御装置5は、電磁弁61を開成するとともに、電
磁弁62を閉成する。これにより、基板Sの洗浄に用い
られた後の洗浄液のうち、比較的清浄なものについて
は、洗浄液タンク34に回収することができる。
4の入口には、基板Sの上面および下面に乾燥エアを吹
き付けて基板Sの上下両面の水分を除去する一対のエア
ナイフ装置43A,43Bが配置されている。これらの
一対のエアナイフ装置43A,43Bには、エア供給配
管44からの圧縮空気が供給されており、このエア供給
配管44にはエア弁45が介装されていて、このエア弁
45の開閉は制御装置5によって制御されるようになっ
ている。
コンベア1においては、基板Sの主面にオゾン水が供給
され、次いで、剥離槽2においては、基板Sの主面に剥
離液がスプレーされ、さらに水洗槽3においては、基板
Sの主面に洗浄液がスプレーされて剥離液が洗い流され
る。これにより、まずオゾン水によってレジスト膜の表
面の変質部分や基板Sの主面の残渣が分解されるので、
剥離液によるその後の処理によって、レジスト膜の除去
を効率的にかつ良好に行える。
レジスト膜剥離装置の構成を示す図解的な断面図であ
る。この図2において、上述の図1に示された各部と同
等の部分には図1の場合と同一の参照符号を付すことと
し、第1の実施形態との相違点を中心に説明する。この
第2の実施形態においては、電磁弁62は、再利用液配
管71に接続されている。この再利用液配管71は、入
口コンベア1の再利用液用ノズル72(再利用液供給手
段)に接続されており、途中部にポンプ73が介装され
ている。この再利用液用ノズル72は、搬送ローラ11
の上方に配置され、この搬送ローラ11によって搬送さ
れる基板Sの主面に向けて、再利用液を供給する。この
場合、再利用液とは、水洗槽3における水洗の初期段階
において基板Sの主面から洗い流される剥離液を高濃度
に含む濃厚液であり、この濃厚液は、第1の実施形態に
おいては廃液されていたものである。
は、水洗槽3において或る基板Sに対する処理が開始さ
れると、電磁弁61を閉成するとともに、電磁弁62を
開成する。これにより、再利用液配管71を介して、再
利用液用ノズル72から、入口コンベア1内の未処理の
基板Sの主面に再利用液が供給される。その後、水洗処
理の開始から一定時間が経過すると、制御装置5は、電
磁弁61を開成するとともに、電磁弁62を閉成する。
これにより、剥離液をほとんど含まない洗浄液が、洗浄
液タンク34に回収されることになる。
給された後の再利用液を廃棄するための廃液ライン75
が接続されている。このように、この実施形態によれ
ば、入口コンベア1において基板Sの主面に濃厚液が供
給され、さらに、その後、剥離槽2において剥離液が基
板Sの主面に供給されることになる。これにより、基板
Sの主面に形成されているレジスト膜の表層部分の変質
層や基板Sの主面上の残渣を良好に除去することができ
る。しかも、先に処理される基板Sに供給された剥離液
を含む再利用液をその後に供給される基板Sの主面に対
して供給する構成であるので、剥離液を無駄なく使用す
ることができ、大幅なコスト増を招くことなくレジスト
剥離効率を向上できる。
液を貯留する再利用液タンクを設け、この再利用液タン
クから再利用液用ノズル72に濃厚液を供給するように
してもよい。この発明の2つの実施形態について説明し
たが、この発明は、他の形態でも実施することができ
る。たとえば、上述の2つの実施形態を組み合わせ、入
口コンベア1にオゾン水用ノズル13と、再利用液用ノ
ズル72との両方を配置し、入口コンベア1において、
オゾン水と再利用液との両方を基板Sの主面に供給する
ようにしてもよい。この場合に、オゾン水を先に供給
し、その後に再利用液を供給するようにすれば、オゾン
水による有機物分解効果を効果的に利用することがで
き、レジスト膜の剥離効率を一層高めることができる。
にオゾン水や再利用液を供給するようにしているが、オ
ゾン水や再利用液は、基板Sをオゾン水または再利用液
中に浸漬させたりすることにより、基板Sの主面に供給
されてもよい。要は、基板Sの主面にオゾン水や再利用
液を接液させればよい。剥離液の基板Sに対する供給に
ついても同様である。
置用ガラス基板を被処理基板の例として挙げたが、この
発明は、半導体ウエハ、プラズマディプレイパネル用ガ
ラス基板、フォトマスク用ガラス基板などの他の被処理
基板に対するレジスト剥離処理にも適用することができ
る。その他、特許請求の範囲に記載された技術的事項の
範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
装置の構成を示す図解的な断面図である。
装置の構成を示す図解的な断面ずである。
Claims (5)
- 【請求項1】基板の主面に形成されたレジスト膜を剥離
するための方法であって、 基板の主面にオゾン水を供給するオゾン水供給工程と、 オゾン水が供給された後の基板の主面に所定の剥離液を
供給する剥離液供給工程とを含むことを特徴とするレジ
スト膜の剥離方法。 - 【請求項2】複数の基板の主面にそれぞれ形成されたレ
ジスト膜を順次剥離するための方法であって、 基板の主面に所定の剥離液を供給する剥離液供給工程
と、 先に処理される基板に対する上記剥離液供給工程におい
て供給された剥離液を含む再利用液を、その後に処理さ
れる基板に対する上記剥離液供給工程に先立って、当該
基板の主面に供給する再利用液供給工程とを含むことを
特徴とするレジスト膜の剥離方法。 - 【請求項3】基板の主面に形成されたレジスト膜を剥離
するレジスト膜の剥離装置であって、 基板の主面にオゾン水を供給するオゾン水供給手段と、 このオゾン水供給手段によってオゾン水が供給された基
板の主面に所定の剥離液を供給する剥離液供給手段とを
含むことを特徴とするレジスト膜の剥離装置。 - 【請求項4】複数の基板の主面にそれぞれ形成されたレ
ジスト膜を順次剥離するための装置であって、 基板の主面に所定の剥離液を供給する剥離液供給手段
と、 先に処理される基板に対して上記剥離液供給手段によっ
て供給された剥離液を含む再利用液を、その後に処理さ
れる基板に対する上記剥離液の供給に先立って、当該基
板の主面に供給する再利用液供給手段とを含むことを特
徴とするレジスト膜の剥離装置。 - 【請求項5】上記再利用液供給手段によって再利用液が
供給される前の基板の主面にオゾン水を供給するオゾン
水供給手段をさらに含むことを特徴とする請求項4記載
のレジスト膜の剥離装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10149998A JP3949815B2 (ja) | 1998-04-13 | 1998-04-13 | レジスト膜の剥離方法および剥離装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10149998A JP3949815B2 (ja) | 1998-04-13 | 1998-04-13 | レジスト膜の剥離方法および剥離装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11295905A true JPH11295905A (ja) | 1999-10-29 |
JP3949815B2 JP3949815B2 (ja) | 2007-07-25 |
Family
ID=14302336
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10149998A Expired - Fee Related JP3949815B2 (ja) | 1998-04-13 | 1998-04-13 | レジスト膜の剥離方法および剥離装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3949815B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008147072A (ja) * | 2006-12-12 | 2008-06-26 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
JP2009129976A (ja) * | 2007-11-20 | 2009-06-11 | Shibaura Mechatronics Corp | レジスト膜の剥離装置及び剥離方法 |
JP2016189001A (ja) * | 2015-03-27 | 2016-11-04 | ティーイーエル エフエスアイ,インコーポレイティド | シリコン含有有機層を湿式剥離するための方法 |
-
1998
- 1998-04-13 JP JP10149998A patent/JP3949815B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008147072A (ja) * | 2006-12-12 | 2008-06-26 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
JP2009129976A (ja) * | 2007-11-20 | 2009-06-11 | Shibaura Mechatronics Corp | レジスト膜の剥離装置及び剥離方法 |
JP2016189001A (ja) * | 2015-03-27 | 2016-11-04 | ティーイーエル エフエスアイ,インコーポレイティド | シリコン含有有機層を湿式剥離するための方法 |
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JP3949815B2 (ja) | 2007-07-25 |
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