JPH11293088A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置Info
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- JPH11293088A JPH11293088A JP9500998A JP9500998A JPH11293088A JP H11293088 A JPH11293088 A JP H11293088A JP 9500998 A JP9500998 A JP 9500998A JP 9500998 A JP9500998 A JP 9500998A JP H11293088 A JPH11293088 A JP H11293088A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐半田性、硬化性、低反り性、及び成形性に
優れる表面実装用半導体装置、特にＢＧＡに適した半導
体封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用いた半導体
装置を提供すること。 【解決手段】 一般式（１）で示されるスチルベン型エ
ポキシ樹脂、及び／又は一般式（２）で示されるトリフ
ェノールメタン型エポキシ樹脂、一般式（３）で示され
るフェノール・ベンズアルデヒド樹脂、硬化促進剤、及
び全エポキシ樹脂組成物中に７３重量％以上含有される
無機充填材を必須成分とすることを特徴とする半導体封
止用エポキシ樹脂組成物。 【化１】 （式中、Ｒ1〜Ｒ8は、水素原子、メチル基、又はターシ
ャリブチル基を示し、互いに同一であっても異なってい
てもよい。） 【化２】 （式中、ｋは０、もしくは１又は２を示し、互いに同一
であっても異なっていてもよい。ｍ≧１。Ｒ9〜Ｒ
11は、炭素数１〜６の鎖状又は環状のアルキル基を示
し、互いに同一であっても異なっていてもよい。） 【化３】
優れる表面実装用半導体装置、特にＢＧＡに適した半導
体封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用いた半導体
装置を提供すること。 【解決手段】 一般式（１）で示されるスチルベン型エ
ポキシ樹脂、及び／又は一般式（２）で示されるトリフ
ェノールメタン型エポキシ樹脂、一般式（３）で示され
るフェノール・ベンズアルデヒド樹脂、硬化促進剤、及
び全エポキシ樹脂組成物中に７３重量％以上含有される
無機充填材を必須成分とすることを特徴とする半導体封
止用エポキシ樹脂組成物。 【化１】 （式中、Ｒ1〜Ｒ8は、水素原子、メチル基、又はターシ
ャリブチル基を示し、互いに同一であっても異なってい
てもよい。） 【化２】 （式中、ｋは０、もしくは１又は２を示し、互いに同一
であっても異なっていてもよい。ｍ≧１。Ｒ9〜Ｒ
11は、炭素数１〜６の鎖状又は環状のアルキル基を示
し、互いに同一であっても異なっていてもよい。） 【化３】
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、耐半田性、硬化
性、低反り性、及び成形性に優れる半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物、及びこれを用いた半導体装置に関するも
のである。
性、低反り性、及び成形性に優れる半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物、及びこれを用いた半導体装置に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】半導体を機械的、化学的作用から保護す
るために、従来からエポキシ樹脂組成物（以下、樹脂組
成物という）が開発、生産されてきた。この樹脂組成物
に要求される項目は、半導体の種類、封止される半導体
装置の種類、使用される環境等によって変化しつつあ
る。まず、小型、薄型の半導体装置が、各半導体メーカ
ーから各種提案されている。例えば、ＴＳＯＰ、ＴＱＦ
Ｐ等に代表される薄型半導体装置や、ボールグリッドア
レイ（以下、ＢＧＡという）、スモールアウトラインノ
ンリード（ＳＯＮ）等に代表されるチップスケールパッ
ケージ（ＣＳＰ）である。これらの半導体装置は、ほと
んどすべてが表面実装用半導体装置の形態である。即
ち、半導体装置が半田処理の温度に加熱される工程があ
り、吸湿した状態の半導体装置は容易にポップコーンク
ラックを生じることが分かっている。この問題の解決の
ためには、低吸水率の樹脂組成物が要求されていた。更
に、ＢＧＡの様に、半導体チップを基板表面に接着して
樹脂組成物で封止する様な特殊構造の半導体装置では、
半導体装置の反りを改善する必要が出てくる。そして、
上記の要求を満たすために樹脂系の改善が検討されてい
るが、上記の要求を両立できる樹脂系の大半（例えば、
フェノールアラルキル樹脂）は、成形性、特に硬化性に
劣るものが多い。量産して価格を低減することの必要な
半導体装置において、この問題は切実であり、解決でき
る樹脂系が要求されていた。
るために、従来からエポキシ樹脂組成物（以下、樹脂組
成物という）が開発、生産されてきた。この樹脂組成物
に要求される項目は、半導体の種類、封止される半導体
装置の種類、使用される環境等によって変化しつつあ
る。まず、小型、薄型の半導体装置が、各半導体メーカ
ーから各種提案されている。例えば、ＴＳＯＰ、ＴＱＦ
Ｐ等に代表される薄型半導体装置や、ボールグリッドア
レイ（以下、ＢＧＡという）、スモールアウトラインノ
ンリード（ＳＯＮ）等に代表されるチップスケールパッ
ケージ（ＣＳＰ）である。これらの半導体装置は、ほと
んどすべてが表面実装用半導体装置の形態である。即
ち、半導体装置が半田処理の温度に加熱される工程があ
り、吸湿した状態の半導体装置は容易にポップコーンク
ラックを生じることが分かっている。この問題の解決の
ためには、低吸水率の樹脂組成物が要求されていた。更
に、ＢＧＡの様に、半導体チップを基板表面に接着して
樹脂組成物で封止する様な特殊構造の半導体装置では、
半導体装置の反りを改善する必要が出てくる。そして、
上記の要求を満たすために樹脂系の改善が検討されてい
るが、上記の要求を両立できる樹脂系の大半（例えば、
フェノールアラルキル樹脂）は、成形性、特に硬化性に
劣るものが多い。量産して価格を低減することの必要な
半導体装置において、この問題は切実であり、解決でき
る樹脂系が要求されていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、耐半田性が
良好で、硬化性、低反り性、及び成形性に優れる半導体
封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用いた半導体装
置を提供するものである。
良好で、硬化性、低反り性、及び成形性に優れる半導体
封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用いた半導体装
置を提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、（Ａ）一般式
（１）で示されるスチルベン型エポキシ樹脂、及び／又
は一般式（２）で示されるトリフェノールメタン型エポ
キシ樹脂、（Ｂ）一般式（３）で示されるフェノール・
ベンズアルデヒド樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、及び（Ｄ）
全エポキシ樹脂組成物中に７３重量％以上含有される無
機充填材を必須成分とすることを特徴とする半導体封止
用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用いて封止してなる
半導体装置である。
（１）で示されるスチルベン型エポキシ樹脂、及び／又
は一般式（２）で示されるトリフェノールメタン型エポ
キシ樹脂、（Ｂ）一般式（３）で示されるフェノール・
ベンズアルデヒド樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、及び（Ｄ）
全エポキシ樹脂組成物中に７３重量％以上含有される無
機充填材を必須成分とすることを特徴とする半導体封止
用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用いて封止してなる
半導体装置である。
【化４】 （式中、Ｒ1〜Ｒ8は、水素原子、メチル基、又はターシ
ャリブチル基を示し、互いに同一であっても異なってい
てもよい。）
ャリブチル基を示し、互いに同一であっても異なってい
てもよい。）
【０００５】
【化５】 （式中、ｋは０、もしくは１又は２を示し、互いに同一
であっても異なっていてもよい。ｍ≧１。Ｒ9〜Ｒ
11は、炭素数１〜６の鎖状又は環状のアルキル基を示
し、互いに同一であっても異なっていてもよい。）
であっても異なっていてもよい。ｍ≧１。Ｒ9〜Ｒ
11は、炭素数１〜６の鎖状又は環状のアルキル基を示
し、互いに同一であっても異なっていてもよい。）
【０００６】
【化６】 （式中、ｎ≧１）
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明に用いられる一般式（１）
で示されるスチルベン型エポキシ樹脂のＲ1〜Ｒ8は、水
素原子、メチル基、又はターシャリブチル基を示し、互
いに同一であっても異なっていてもよい。これらのスチ
ルベン型エポキシ樹脂には、置換基の種類等により種々
の構造のものがあり、一種類の構造のものでも、二種類
以上の構造のものの混合物でもかまわない。これらのス
チルベン型エポキシ樹脂は、低粘度のため無機充填材の
配合量を多くでき、更に、剛直な構造のため、これを用
いた樹脂組成物の硬化収縮率を小さくできるので、ＢＧ
Ａにおける反りの低減に効果的である。本発明に用いら
れる一般式（２）で示されるトリフェノールメタン型エ
ポキシ樹脂において、ｋは０、もしくは１又は２を示
し、互いに同一であっても異なっていてもよい。置換基
Ｒ9〜Ｒ11は、炭素数１〜６の鎖状又は環状のアルキル
基を示し、互いに同一であっても異なっていてもよい。
炭素数１〜６の鎖状又は環状のアルキル基としては、例
えば、メチル基、ターシャリブチル基等が挙げられる。
これらのトリフェノールメタン型エポキシ樹脂には、置
換基の種類等により種々の構造のものがあり、一種類の
構造のものでも、二種類以上の構造のものの混合物でも
かまわない。これらのトリフェノールメタン型エポキシ
樹脂を用いると、樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度
（Ｔｇ）を高くでき、しかも硬化収縮率を小さくできる
ので、ＢＧＡにおける反りの低減に効果的である。上記
のエポキシ樹脂の融点、軟化点、溶融粘度、イオン性不
純物の含有率等に関しては特に限定しないが、イオン性
不純物の含有率の低いものほど信頼性が良好であり、好
ましい。
で示されるスチルベン型エポキシ樹脂のＲ1〜Ｒ8は、水
素原子、メチル基、又はターシャリブチル基を示し、互
いに同一であっても異なっていてもよい。これらのスチ
ルベン型エポキシ樹脂には、置換基の種類等により種々
の構造のものがあり、一種類の構造のものでも、二種類
以上の構造のものの混合物でもかまわない。これらのス
チルベン型エポキシ樹脂は、低粘度のため無機充填材の
配合量を多くでき、更に、剛直な構造のため、これを用
いた樹脂組成物の硬化収縮率を小さくできるので、ＢＧ
Ａにおける反りの低減に効果的である。本発明に用いら
れる一般式（２）で示されるトリフェノールメタン型エ
ポキシ樹脂において、ｋは０、もしくは１又は２を示
し、互いに同一であっても異なっていてもよい。置換基
Ｒ9〜Ｒ11は、炭素数１〜６の鎖状又は環状のアルキル
基を示し、互いに同一であっても異なっていてもよい。
炭素数１〜６の鎖状又は環状のアルキル基としては、例
えば、メチル基、ターシャリブチル基等が挙げられる。
これらのトリフェノールメタン型エポキシ樹脂には、置
換基の種類等により種々の構造のものがあり、一種類の
構造のものでも、二種類以上の構造のものの混合物でも
かまわない。これらのトリフェノールメタン型エポキシ
樹脂を用いると、樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度
（Ｔｇ）を高くでき、しかも硬化収縮率を小さくできる
ので、ＢＧＡにおける反りの低減に効果的である。上記
のエポキシ樹脂の融点、軟化点、溶融粘度、イオン性不
純物の含有率等に関しては特に限定しないが、イオン性
不純物の含有率の低いものほど信頼性が良好であり、好
ましい。
【０００８】上記の２種のエポキシ樹脂は、互いに組み
合わせて用いてもよく、更に他のエポキシ樹脂と併用し
ても問題はない。併用するエポキシ樹脂としては、例え
ば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、含臭素エポキシ
樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ヒドロキノン
型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹
脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、及びジシク
ロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等が挙げ
られ、これらは単独でも混合して用いても良い。
合わせて用いてもよく、更に他のエポキシ樹脂と併用し
ても問題はない。併用するエポキシ樹脂としては、例え
ば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、含臭素エポキシ
樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ヒドロキノン
型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹
脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、及びジシク
ロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等が挙げ
られ、これらは単独でも混合して用いても良い。
【０００９】本発明に用いられる一般式（３）で示され
るフェノール・ベンズアルデヒド樹脂は、フェノールと
ベンズアルデヒドの共縮合物であり、これを用いた樹脂
組成物の硬化物のＴｇを高くでき、しかも硬化収縮率を
小さくできるので、ＢＧＡにおける反りの低減に効果的
である上に、吸水率の低減にも有効であり、耐半田性が
向上する。軟化点、溶融粘度、イオン性不純物の含有率
等に関しては特に限定しないが、イオン性不純物の含有
率の低いものほど信頼性が良好であり、好ましい。又、
本発明のフェノール・ベンズアルデヒド樹脂の特性を損
なわない範囲で、他のフェノール樹脂硬化剤と併用して
もよい。併用するフェノール樹脂硬化剤としては、例え
ば、フェノールノボラック樹脂、オルソクレゾールノボ
ラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ジシクロペン
タジエン変性フェノール樹脂、リモネン変性フェノール
ノボラック樹脂、トリフェノールメタン型フェノール樹
脂等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いてもよ
い。本発明に用いられる全エポキシ樹脂のエポキシ基と
全フェノール樹脂のフェノール性水酸基の当量比は、好
ましくは０．５〜２であり、特に０．７〜１．５がより
好ましい。０．５〜２の範囲を外れると、耐湿性、硬化
性等が低下するので好ましくない。
るフェノール・ベンズアルデヒド樹脂は、フェノールと
ベンズアルデヒドの共縮合物であり、これを用いた樹脂
組成物の硬化物のＴｇを高くでき、しかも硬化収縮率を
小さくできるので、ＢＧＡにおける反りの低減に効果的
である上に、吸水率の低減にも有効であり、耐半田性が
向上する。軟化点、溶融粘度、イオン性不純物の含有率
等に関しては特に限定しないが、イオン性不純物の含有
率の低いものほど信頼性が良好であり、好ましい。又、
本発明のフェノール・ベンズアルデヒド樹脂の特性を損
なわない範囲で、他のフェノール樹脂硬化剤と併用して
もよい。併用するフェノール樹脂硬化剤としては、例え
ば、フェノールノボラック樹脂、オルソクレゾールノボ
ラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ジシクロペン
タジエン変性フェノール樹脂、リモネン変性フェノール
ノボラック樹脂、トリフェノールメタン型フェノール樹
脂等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いてもよ
い。本発明に用いられる全エポキシ樹脂のエポキシ基と
全フェノール樹脂のフェノール性水酸基の当量比は、好
ましくは０．５〜２であり、特に０．７〜１．５がより
好ましい。０．５〜２の範囲を外れると、耐湿性、硬化
性等が低下するので好ましくない。
【００１０】本発明に用いられる硬化促進剤は、エポキ
シ基とフェノール性水酸基の反応を促進するものであれ
ば特に限定はしないが、例えば、１，８−ジアザビシク
ロ（５，４，０）ウンデセン−７、トリフェニルホスフ
ィン、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボ
レート、テトラフェニルホスホニウム・テトラ安息香酸
ボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラナフト
イックアシッドボレート等が挙げられ、これらは単独で
も混合して用いてもよい。
シ基とフェノール性水酸基の反応を促進するものであれ
ば特に限定はしないが、例えば、１，８−ジアザビシク
ロ（５，４，０）ウンデセン−７、トリフェニルホスフ
ィン、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボ
レート、テトラフェニルホスホニウム・テトラ安息香酸
ボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラナフト
イックアシッドボレート等が挙げられ、これらは単独で
も混合して用いてもよい。
【００１１】本発明に用いられる無機充填材の種類につ
いては特に制限はなく、一般に封止材料に用いられてい
るものを使用することができる。例えば、溶融破砕シリ
カ粉末、溶融球状シリカ粉末、結晶シリカ粉末、２次凝
集シリカ粉末、アルミナ、チタンホワイト、水酸化アル
ミニウム、タルク、クレー、ガラス繊維等が挙げられ、
特に、溶融球状シリカ粉末が好ましい。形状は、限りな
く真球状であることが好ましく、又、粒子の大きさの異
なるものを混合することにより充填量を多くすることが
できる。無機充填材の含有量は、全樹脂組成物中に７３
重量％以上が好ましい。７３重量％未満だと、熱膨張係
数の大きい樹脂組成物となり、ＢＧＡの反りが大きくな
るので好ましくない。
いては特に制限はなく、一般に封止材料に用いられてい
るものを使用することができる。例えば、溶融破砕シリ
カ粉末、溶融球状シリカ粉末、結晶シリカ粉末、２次凝
集シリカ粉末、アルミナ、チタンホワイト、水酸化アル
ミニウム、タルク、クレー、ガラス繊維等が挙げられ、
特に、溶融球状シリカ粉末が好ましい。形状は、限りな
く真球状であることが好ましく、又、粒子の大きさの異
なるものを混合することにより充填量を多くすることが
できる。無機充填材の含有量は、全樹脂組成物中に７３
重量％以上が好ましい。７３重量％未満だと、熱膨張係
数の大きい樹脂組成物となり、ＢＧＡの反りが大きくな
るので好ましくない。
【００１２】本発明の樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｄ）成
分の他、必要に応じてγ−グリシドキシプロピルトリメ
トキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン
等のシランカップリング剤、カーボンブラック等の着色
剤、臭素化エポキシ樹脂、酸化アンチモン、リン化合物
等の難燃剤、シリコーンオイル、シリコーンゴム等の低
応力成分、天然ワックス、合成ワックス、ポリエチレン
ワックス、酸化ポリエチレンワックス、高級脂肪酸及び
その金属塩類もしくはパラフィン等の離型剤、酸化防止
剤等の各種添加剤を配合することができる。特に低応力
成分のシリコーンオイル、シリコーンゴムは、反りの低
減に効果的である。本発明の樹脂組成物は、（Ａ）〜
（Ｄ）成分、及びその他の添加剤等をミキサーを用いて
常温混合し、ロール、押出機等の混練機で混練し、冷却
後粉砕して得られる。本発明の樹脂組成物を用いて、半
導体等の各種パッケージを封止し、半導体装置を製造す
るには、トランスファーモールド、コンプレッションモ
ールド、インジェクションモールド等の従来からの成形
方法で硬化成形すればよい。
分の他、必要に応じてγ−グリシドキシプロピルトリメ
トキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン
等のシランカップリング剤、カーボンブラック等の着色
剤、臭素化エポキシ樹脂、酸化アンチモン、リン化合物
等の難燃剤、シリコーンオイル、シリコーンゴム等の低
応力成分、天然ワックス、合成ワックス、ポリエチレン
ワックス、酸化ポリエチレンワックス、高級脂肪酸及び
その金属塩類もしくはパラフィン等の離型剤、酸化防止
剤等の各種添加剤を配合することができる。特に低応力
成分のシリコーンオイル、シリコーンゴムは、反りの低
減に効果的である。本発明の樹脂組成物は、（Ａ）〜
（Ｄ）成分、及びその他の添加剤等をミキサーを用いて
常温混合し、ロール、押出機等の混練機で混練し、冷却
後粉砕して得られる。本発明の樹脂組成物を用いて、半
導体等の各種パッケージを封止し、半導体装置を製造す
るには、トランスファーモールド、コンプレッションモ
ールド、インジェクションモールド等の従来からの成形
方法で硬化成形すればよい。
【００１３】
【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れらに限定されるものではない。配合単位は重量部とす
る。 実施例１ 式（Ｅ−１）のエポキシ樹脂 ３．６重量部 式（Ｅ−２）のエポキシ樹脂 ５．５重量部
れらに限定されるものではない。配合単位は重量部とす
る。 実施例１ 式（Ｅ−１）のエポキシ樹脂 ３．６重量部 式（Ｅ−２）のエポキシ樹脂 ５．５重量部
【化７】
【００１４】 式（Ｈ−１）のフェノール樹脂 ６．２重量部
【化８】 １，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７（以下、ＤＢＵという ） ０．２重量部 溶融球状シリカ（平均粒径１５μｍ） ８２．２重量部 エポキシシランカップリング剤 ０．５重量部 カーボンブラック ０．５重量部 臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂 ０．５重量部 三酸化アンチモン ０．５重量部 カルナバワックス ０．３重量部 を常温でミキサーを用いて混合した後、１００℃で二軸
ロールを用いて混練し、冷却後粉砕し、樹脂組成物を得
た。得られた樹脂組成物を以下の方法で評価した。結果
を表１に示す。
ロールを用いて混練し、冷却後粉砕し、樹脂組成物を得
た。得られた樹脂組成物を以下の方法で評価した。結果
を表１に示す。
【００１５】評価方法 硬化性：低圧トランスファー成形機を用い、成形温度１
７５℃、圧力７０ｋｇ／ｃｍ2、硬化時間２分で、２５
６ｐＢＧＡ（ビスマレイミド・トリアジン樹脂／ガラス
クロス基板、サイズ２７ｍｍ×２７ｍｍ、ＩＣチップサ
イズ９ｍｍ×９ｍｍ）を成形し、成形直後（金型が開い
て１０秒後）のバコール硬度を測定した。 離型性：ＢＧＡの成形において、離型の状態を○、×で
評価した。注入時間も含めた硬化時間は６０秒とした。 ＢＧＡの反り量：低圧トランスファー成形機を用い、成
形温度１７５℃、圧力７０ｋｇ／ｃｍ2、硬化時間２分
で、２５６ｐＢＧＡ（ビスマレイミド・トリアジン樹脂
／ガラスクロス基板、サイズ２７ｍｍ×２７ｍｍ、ＩＣ
チップサイズ９ｍｍ×９ｍｍ）を成形し、１７５℃、８
時間のポストキュアを行ったのち、表面粗さ計（東京精
密（株）・製、サーフコム）を用いて、ＢＧＡの反り量
を測定した。ＢＧＡの反り量とは、ＢＧＡの対角線方向
を表面粗さ計を用いて測定を行い、得られた最大反り量
の値を示す。単位はμｍ。 耐半田性：低圧トランスファー成形機を用い、成形温度
１７５℃、圧力７０ｋｇ／ｃｍ2、硬化時間２分で、２
５６ｐＢＧＡ（ビスマレイミド・トリアジン樹脂／ガラ
スクロス基板、サイズ２７ｍｍ×２７ｍｍ、ＩＣチップ
サイズ９ｍｍ×９ｍｍ）を成形し、１７５℃、８時間の
ポストキュアを行ったのち、８５℃、相対湿度６０％で
９６時間の処理を行い、ＩＲリフロー処理（２２０℃、
１０秒）を行った。処理済みのＢＧＡを超音波探傷機を
用いて観察し、内部の剥離・クラックを観測した。６個
のＢＧＡ中の不良ＢＧＡ数を示す。
７５℃、圧力７０ｋｇ／ｃｍ2、硬化時間２分で、２５
６ｐＢＧＡ（ビスマレイミド・トリアジン樹脂／ガラス
クロス基板、サイズ２７ｍｍ×２７ｍｍ、ＩＣチップサ
イズ９ｍｍ×９ｍｍ）を成形し、成形直後（金型が開い
て１０秒後）のバコール硬度を測定した。 離型性：ＢＧＡの成形において、離型の状態を○、×で
評価した。注入時間も含めた硬化時間は６０秒とした。 ＢＧＡの反り量：低圧トランスファー成形機を用い、成
形温度１７５℃、圧力７０ｋｇ／ｃｍ2、硬化時間２分
で、２５６ｐＢＧＡ（ビスマレイミド・トリアジン樹脂
／ガラスクロス基板、サイズ２７ｍｍ×２７ｍｍ、ＩＣ
チップサイズ９ｍｍ×９ｍｍ）を成形し、１７５℃、８
時間のポストキュアを行ったのち、表面粗さ計（東京精
密（株）・製、サーフコム）を用いて、ＢＧＡの反り量
を測定した。ＢＧＡの反り量とは、ＢＧＡの対角線方向
を表面粗さ計を用いて測定を行い、得られた最大反り量
の値を示す。単位はμｍ。 耐半田性：低圧トランスファー成形機を用い、成形温度
１７５℃、圧力７０ｋｇ／ｃｍ2、硬化時間２分で、２
５６ｐＢＧＡ（ビスマレイミド・トリアジン樹脂／ガラ
スクロス基板、サイズ２７ｍｍ×２７ｍｍ、ＩＣチップ
サイズ９ｍｍ×９ｍｍ）を成形し、１７５℃、８時間の
ポストキュアを行ったのち、８５℃、相対湿度６０％で
９６時間の処理を行い、ＩＲリフロー処理（２２０℃、
１０秒）を行った。処理済みのＢＧＡを超音波探傷機を
用いて観察し、内部の剥離・クラックを観測した。６個
のＢＧＡ中の不良ＢＧＡ数を示す。
【００１６】実施例２〜１２ 表１の処方に従って配合し、実施例１と同様にして樹脂
組成物を得、実施例１と同様にして評価した。結果を表
１に示す。 比較例１〜３ 表２の処方に従って配合し、実施例１と同様にして樹脂
組成物を得、実施例１と同様にして評価した。結果を表
２に示す。実施例２〜１２、比較例１〜３で用いたエポ
キシ樹脂を式（Ｅ−３）〜式（Ｅ−７）に、フェノール
樹脂硬化剤を式（Ｈ−２）〜式（Ｈ−５）に示す。実施
例４〜６、９〜１２で用いた硬化促進剤はトリフェニル
ホスフィン、実施例８、１０で用いた硬化促進剤はテト
ラフェニルホスホニウム・テトラナフトイックアシッド
ボレート（以下、ＴＰＰＫ−ＮＡという）である。
組成物を得、実施例１と同様にして評価した。結果を表
１に示す。 比較例１〜３ 表２の処方に従って配合し、実施例１と同様にして樹脂
組成物を得、実施例１と同様にして評価した。結果を表
２に示す。実施例２〜１２、比較例１〜３で用いたエポ
キシ樹脂を式（Ｅ−３）〜式（Ｅ−７）に、フェノール
樹脂硬化剤を式（Ｈ−２）〜式（Ｈ−５）に示す。実施
例４〜６、９〜１２で用いた硬化促進剤はトリフェニル
ホスフィン、実施例８、１０で用いた硬化促進剤はテト
ラフェニルホスホニウム・テトラナフトイックアシッド
ボレート（以下、ＴＰＰＫ−ＮＡという）である。
【化９】
【００１７】
【化１０】
【００１８】
【化１１】
【００１９】
【表１】
【００２０】
【表２】
【００２１】
【発明の効果】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成
物は、耐半田性、硬化性、低反り性、及び成形性に優れ
ており、これを用いた表面実装用半導体装置、特にＢＧ
Ａの生産性及び信頼性が向上する。
物は、耐半田性、硬化性、低反り性、及び成形性に優れ
ており、これを用いた表面実装用半導体装置、特にＢＧ
Ａの生産性及び信頼性が向上する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 23/31
Claims (2)
- 【請求項１】 （Ａ）一般式（１）で示されるスチルベ
ン型エポキシ樹脂、及び／又は一般式（２）で示される
トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、（Ｂ）一般式
（３）で示されるフェノール・ベンズアルデヒド樹脂、
（Ｃ）硬化促進剤、及び（Ｄ）全エポキシ樹脂組成物中
に７３重量％以上含有される無機充填材を必須成分とす
ることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【化１】 （式中、Ｒ1〜Ｒ8は、水素原子、メチル基、又はターシ
ャリブチル基を示し、互いに同一であっても異なってい
てもよい。） 【化２】 （式中、ｋは０、もしくは１又は２を示し、互いに同一
であっても異なっていてもよい。ｍ≧１。Ｒ9〜Ｒ
11は、炭素数１〜６の鎖状又は環状のアルキル基を示
し、互いに同一であっても異なっていてもよい。） 【化３】 （式中、ｎ≧１） - 【請求項２】 請求項１記載の半導体封止用エポキシ樹
脂組成物を用いて封止してなることを特徴とする半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9500998A JPH11293088A (ja) | 1998-04-07 | 1998-04-07 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9500998A JPH11293088A (ja) | 1998-04-07 | 1998-04-07 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11293088A true JPH11293088A (ja) | 1999-10-26 |
Family
ID=14125951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9500998A Pending JPH11293088A (ja) | 1998-04-07 | 1998-04-07 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11293088A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001192435A (ja) * | 2000-01-06 | 2001-07-17 | Sumitomo Chem Co Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
| JP2002053643A (ja) * | 2000-08-10 | 2002-02-19 | Sumikin Chemical Co Ltd | エポキシ樹脂用硬化剤及びこれを用いた半導体封止用組成物 |
-
1998
- 1998-04-07 JP JP9500998A patent/JPH11293088A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001192435A (ja) * | 2000-01-06 | 2001-07-17 | Sumitomo Chem Co Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
| JP2002053643A (ja) * | 2000-08-10 | 2002-02-19 | Sumikin Chemical Co Ltd | エポキシ樹脂用硬化剤及びこれを用いた半導体封止用組成物 |
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