JPH11284037A - Semiconductor wafer temperature test equipment - Google Patents
Semiconductor wafer temperature test equipmentInfo
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- JPH11284037A JPH11284037A JP10372798A JP10372798A JPH11284037A JP H11284037 A JPH11284037 A JP H11284037A JP 10372798 A JP10372798 A JP 10372798A JP 10372798 A JP10372798 A JP 10372798A JP H11284037 A JPH11284037 A JP H11284037A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハに
形成された集積回路に、ウェーハの状態で高温下で通電
して潜在欠陥を見いだすためのスクリーニングテスト装
置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a screening test apparatus for finding potential defects by applying a current to an integrated circuit formed on a semiconductor wafer at a high temperature in a wafer state.
【０００２】[0002]
【従来技術】一般にバーンイン装置と呼ばれているスク
リーニングテスト装置は、半導体ウェーハを分断して得
られたＩＣチップをパッケージングした後、所定温度の
熱雰囲気中において通電試験をして、潜在欠陥を顕在化
させ、スクリーニングを行っている。2. Description of the Related Art A screening test apparatus, which is generally called a burn-in apparatus, packages an IC chip obtained by dividing a semiconductor wafer and then conducts an electric current test in a hot atmosphere at a predetermined temperature to remove potential defects. It is revealed and screened.
【０００３】このような従来装置は、大きな恒温装置が
必要で、発熱量が多いため、他の製造ラインとは分離し
て、別室において行う必要があり、ウェーハの搬送、装
置への装着、脱着等の手間を要すること、又、パッケー
ジングの後に不良品が発見されることから、無駄が生じ
ること等により、チップ化される前のウェーハの段階
で、バーンインテストを行うことが望まれている。[0003] Such a conventional apparatus requires a large constant temperature apparatus and generates a large amount of heat. Therefore, it needs to be performed separately from other manufacturing lines and in a separate room. It is necessary to perform a burn-in test at the stage of a wafer before being formed into chips, because it takes time and effort, and a defective product is found after packaging, causing waste. .
【０００４】このような要請に応えるためのバーンイン
装置は、半導体ウェーハに熱負荷を加えるに際して、ウ
ェーハを均一な温度に維持する必要がある。例えば、ウ
ェーハを１２０〜１５０℃の範囲から選ばれる任意の温
度に維持するに際して、目標温度に対して±１℃以下の
温度差を維持することが要求される。この目的に使用さ
れるウェーハの温度調節プレートとして、銅やアルミニ
ウム、或いはこれらの合金などの熱良導性素材からなる
板状体に、一連の冷媒流路とヒータとを内蔵せしめ、冷
媒流路には目標温度より低い温度にウェーハを冷却する
ための冷媒を流すと共に、ヒータを発熱させて板状体の
温度を調整して、該板状体に接触せしめた半導体ウェー
ハを所定の目標温度に維持するようにした温度調節プレ
ートが開示されている。（特開平８−３４００３０公報
参照）。[0004] A burn-in apparatus for meeting such a demand needs to maintain a uniform temperature of the semiconductor wafer when applying a thermal load to the semiconductor wafer. For example, when maintaining a wafer at an arbitrary temperature selected from the range of 120 to 150 ° C., it is required to maintain a temperature difference of ± 1 ° C. or less from a target temperature. As a temperature control plate for a wafer used for this purpose, a plate-like body made of a heat conductive material such as copper, aluminum, or an alloy thereof is provided with a series of refrigerant channels and heaters, and the refrigerant channels are formed. In addition to flowing a coolant for cooling the wafer to a temperature lower than the target temperature, the heater is heated to adjust the temperature of the plate, and the semiconductor wafer contacted with the plate is brought to a predetermined target temperature. A temperature control plate adapted to be maintained is disclosed. (See JP-A-8-340030).
【０００５】半導体ウェーハに通電することによって生
じる発熱量は、その大部分が、温度調節プレートとの接
触によって、除去されるが、一部分は、輻射熱として放
出されたり、周囲の雰囲気や電気接点などを通して、放
出される。したがって、周囲温度の低いウェーハ周辺部
と、発熱部に囲まれているウェーハ中央部とは、熱の発
散量に相違が生じる。例えば、直径が約２０ｃｍの円板
状ウェーハ全体の発熱量が１.２ｋｗのとき、中心部と
周辺部とは、約１０℃の温度差が生じてしまうので、そ
のままでは、バーンインテストの精度が著しく低下して
しまう虞れがある。Most of the heat generated by energizing the semiconductor wafer is removed by contact with the temperature control plate, but a part of the heat is released as radiant heat or through the surrounding atmosphere or electric contacts. Is released. Therefore, there is a difference in the amount of heat dissipation between the peripheral portion of the wafer having a low ambient temperature and the central portion of the wafer surrounded by the heat generating portion. For example, when the calorific value of the entire disc-shaped wafer having a diameter of about 20 cm is 1.2 kW, a temperature difference of about 10 ° C. occurs between the central part and the peripheral part. There is a possibility that it will be significantly reduced.
【０００６】このようなウェーハの温度分布の不均一を
解消する手段として、温度調節プレートの中央部の温度
が低く、周辺部の温度が高くなるような、ウェーハの温
度分布と対称的な温度分布を出現させて、ウェーハを温
度調節する方法が考えられるが、温度調節プレート中に
冷媒流路を形成して、これに冷却液を流す方法は、万
一、冷却液が温度調節プレートや配管から周辺機器に漏
液すると、重大な損害を招く虞れがある。更に、試験能
率を上げるために、多数の温度調節プレートを同時に作
動させる必要があるが、それらの多数の温度調節プレー
トに、比熱、粘度、沸点、電気絶縁性、腐食性等の諸条
件を満足する高価な冷却液を、所定の温度で供給するに
は、設備が複雑化すると共に大型化し、又、配管によっ
て温度調節プレートの位置が制約されるなどの欠点があ
る。更に、温度調節プレートの中心部を含めて、一旦、
温度調節プレートを、一定の温度レベル以下に冷却し、
電熱ヒータによって温度差を作り出す方法は、熱収支の
面から、損失が大きい欠点がある。As a means for eliminating such non-uniformity of the temperature distribution of the wafer, a temperature distribution symmetrical to the temperature distribution of the wafer such that the temperature at the center of the temperature control plate is low and the temperature at the periphery is high. A method of adjusting the temperature of the wafer by making the temperature appear is considered.However, a method of forming a coolant passage in the temperature adjustment plate and flowing the coolant through the coolant passage is, in the unlikely event that the coolant is supplied from the temperature adjustment plate or piping. Leakage into peripheral equipment can cause serious damage. Furthermore, in order to increase the test efficiency, it is necessary to operate a large number of temperature control plates at the same time, but these many temperature control plates satisfy various conditions such as specific heat, viscosity, boiling point, electrical insulation, and corrosiveness. In order to supply an expensive coolant at a predetermined temperature, there are disadvantages in that the equipment becomes complicated and large, and the position of the temperature control plate is restricted by piping. Furthermore, once including the center of the temperature control plate,
Cooling the temperature control plate below a certain temperature level,
The method of creating a temperature difference by using an electric heater has a disadvantage that loss is large from the viewpoint of heat balance.
【０００７】更に、バーンイン試験装置においては、所
定の試験温度に保持されるウェーハ上に形成されている
多数のＩＣ回路へ確実に試験電流を流すことが要求され
る。この通電手段としては、ウェーハ面上の数千から数
万の通電接点に確実に接触して通電可能なプローブ手段
と、これを保持する通電基板とが必要とされる。これら
のプローブ手段を持つ通電基板も、当然、ウェーハの発
熱の影響を受けて熱膨張する。従って、ウェーハの熱膨
張係数とプローブ手段の熱膨張係数とを一致させたとし
ても、ウェーハに形成されているＩＣの歩留まりは、ウ
ェーハ毎に異なるため、発熱量は当然異なってくる上
に、ウェーハと同様に、プローブ手段を保持する通電基
板も、周囲環境からの熱の影響を受けて変形するので、
通電基板の温度も所定の温度域で均一に保たない限り、
プローブ手段とウェーハ面上の通電接点との位置ずれが
生じて、両者の接続が断たれてしまう事態を避ける事が
できない。Further, in a burn-in test apparatus, it is required that a test current be reliably supplied to a large number of IC circuits formed on a wafer maintained at a predetermined test temperature. As the energizing means, a probe means capable of securely contacting thousands to tens of thousands of energizing contacts on the wafer surface and energizing, and an energizing substrate holding the probe means are required. The current-carrying substrate having these probe means naturally expands under the influence of the heat generated by the wafer. Therefore, even if the coefficient of thermal expansion of the wafer and the coefficient of thermal expansion of the probe unit are made to match, the yield of ICs formed on the wafer is different for each wafer, so that the calorific value naturally differs, and Similarly to the above, the current-carrying board holding the probe means also deforms under the influence of heat from the surrounding environment,
Unless the temperature of the current-carrying board is also kept uniform in the specified temperature range,
It is unavoidable that the displacement between the probe means and the current-carrying contact on the wafer surface causes the connection between them to be disconnected.
【０００８】又、プローブ手段を保持する通電基板をウ
ェーハに正確に位置決めするには、大型の精密位置決め
装置を必要とする。これらの装置を、個々のウェーハバ
ーンイン装置に付設することは、コスト的に不可能であ
るため、まず、通電基板とウェーハとを位置決めしたも
のを前述の温度調節プレートに装着してから、通電基板
と通電試験制御装置とを接続して、ウェーハバーンイン
試験を行うことが提案されている。その場合、プローブ
手段に位置決めされたウェーハと、温度調節プレート側
との間の密着性も、温度調節プレートとウェーハとの間
の熱授受を均一に保持するために欠かせない。Further, in order to accurately position the current-carrying substrate holding the probe means on the wafer, a large precision positioning device is required. Since it is impossible to attach these devices to individual wafer burn-in devices in terms of cost, first, the one in which the current-carrying substrate and the wafer are positioned is mounted on the aforementioned temperature adjustment plate, and then the current-carrying substrate is mounted. And conducting a wafer burn-in test by connecting the power supply to a power-on test control device. In this case, the close contact between the wafer positioned on the probe means and the temperature control plate side is also indispensable for maintaining uniform heat transfer between the temperature control plate and the wafer.
【０００９】ウェーハを温度調節プレート上に設置する
場合、直接、温度調節プレート上に載置して接触させて
もよいし、ウェーハとプローブ手段とが正確に位置決め
され接続されているものを伝熱板を介して、温度調節プ
レート上に載置する場合とが考えられる。何れにして
も、温度調節プレートとウェーハとの密着性は、両者間
に供給される真空圧によって行う。伝熱板を用いる場合
は、真空圧供給路と真空源との接続口を、伝熱板の側方
に設ける必要がある。しかしながら、このような真空圧
供給口を温度調節プレート側面に突設する構成は、温度
調節プレートを囲む周囲の雰囲気との熱の授受におい
て、温度調節プレートの温度を不均一にし、ウェーハ温
度の乱れの原因となっている。When the wafer is placed on the temperature control plate, the wafer may be directly placed on the temperature control plate and brought into contact with the temperature control plate. It is conceivable that it is placed on a temperature control plate via a plate. In any case, the adhesion between the temperature adjustment plate and the wafer is performed by the vacuum pressure supplied between them. When using a heat transfer plate, it is necessary to provide a connection port between the vacuum pressure supply path and the vacuum source on the side of the heat transfer plate. However, such a configuration in which the vacuum pressure supply port protrudes from the side surface of the temperature control plate makes the temperature of the temperature control plate non-uniform when heat is exchanged with the surrounding atmosphere surrounding the temperature control plate, and the wafer temperature is disturbed. Is the cause.
【００１０】[0010]
【解決すべき課題】本発明の第１の目的は、半導体ウェ
ーハ及び該ウェーハへの通電手段を目標の温度に均一に
維持することによって、精度の高いスクリーニングテス
トができるウェーハバーンイン装置を開示することにあ
る。本発明の第２の目的は、高精度のウェーハバーンイ
ン試験を、低コストで、効率の良く行うことができる装
置を開示することにある。本発明の第３の目的は、ウェ
ーハに形成されている多数の回路素子へプローブ手段が
確実に接触して試験電流を供給できるウェーハバーンイ
ン装置を開示することにある。本発明の第４の目的は、
プローブ手段とこれをを保持する通電基板の夫々を均一
な温度に維持することにより、熱膨張によるウェーハ通
電部とプローブ手段との接触不良を招くことのないウェ
ーハバーンイン装置を開示することにある。A first object of the present invention is to disclose a wafer burn-in apparatus capable of performing a high-precision screening test by maintaining a semiconductor wafer and a means for supplying electricity to the wafer uniformly at a target temperature. It is in. A second object of the present invention is to disclose an apparatus capable of performing a high-accuracy wafer burn-in test efficiently at low cost. A third object of the present invention is to disclose a wafer burn-in apparatus capable of supplying a test current by reliably contacting probe means with a large number of circuit elements formed on a wafer. A fourth object of the present invention is to
An object of the present invention is to disclose a wafer burn-in apparatus that maintains a uniform temperature of each of a probe unit and a current-carrying substrate that holds the probe unit, thereby preventing contact failure between the wafer current-carrying unit and the probe unit due to thermal expansion.
【００１１】[0011]
【課題の解決手段】本発明の第一の要旨は、熱良導性板
状体の表面に平滑面を有し、該板状体の裏面には放熱フ
ィンが突設されていると共に該板状体の裏面若しくは内
部には加熱器が設けられている半導体ウェーハの温度調
節プレートと、半導体ウェーハのバーンイン試験時に前
記温度調節プレートと被試験体である半導体ウェーハと
及び該ウェーハへの通電手段とを含む試験装置を内包す
るように形成される試験室中に、空気加熱器と送風機と
を備えて前記放熱フィンを通過する送風路が前記試験室
中に形成されると共に、該試験室内に、前記温度調節プ
レートと前記ウェーハと及び前記ウェーハ通電手段とを
側方から囲む断熱壁が形成されていることを特徴とする
半導体ウェーハのバーンイン試験装置にある。A first gist of the present invention is to provide a heat conductive plate having a smooth surface on a surface thereof, a heat radiation fin protruding from the back of the plate, and A temperature control plate of a semiconductor wafer provided with a heater on the back surface or inside of the body, a temperature control plate and a semiconductor wafer to be tested during a burn-in test of the semiconductor wafer, and a means for energizing the wafer. In a test chamber formed to include a test apparatus including, an air heater and a blower are provided, and an air passage that passes through the radiation fins is formed in the test chamber, and in the test chamber, A burn-in test apparatus for a semiconductor wafer, wherein a heat insulating wall surrounding the temperature control plate, the wafer, and the wafer energizing means from a side is formed.
【００１２】上記において、温度調節プレートを構成す
る熱良導性板状体としては、アルミニウム、銅、及びこ
れらの合金などが、代表的である。放熱フィンは、これ
らの素材から成る板状体から一体的に延設されているの
が望ましい。放熱フィンは、板状体中心を含む一定域に
均等に設けてもよいが、放熱フィンの形状は、送風方向
によっても異なるが、例えば、送風方向が、温度調節プ
レートと略平行であるとした場合、放熱フィン群の中心
部が、板状体裏面から最も突出し、中心部から放熱フィ
ン群の周辺部に向かうにつれて板状体裏面からの突出度
（離隔距離）が小さくなるように、放熱フィンの形状を
定めれば、温度調節プレートの中心付近が最も冷却効率
が高くなり、周辺に向かうにつれて、次第に、小さくす
ることができる。あるいは、放熱フィンの設置密度を、
板状体裏面中心部を密に、周辺部が疎になるように、放
熱フィンを形成しても、同様に、放熱フィンによって、
温度調節プレートの中心とこれを囲む中央部域との間に
温度差を設けることができる。In the above description, typical examples of the thermally conductive plate constituting the temperature control plate include aluminum, copper, and alloys thereof. It is desirable that the radiation fins be integrally extended from a plate made of these materials. The radiating fins may be evenly provided in a certain area including the center of the plate-like body, but the shape of the radiating fins differs depending on the blowing direction. For example, the blowing direction is assumed to be substantially parallel to the temperature control plate. In this case, the radiating fins are arranged such that the center of the radiating fins protrudes most from the rear surface of the plate-like body, and the degree of protrusion (separation distance) from the back of the plate-like body decreases from the center toward the peripheral portion of the radiating fin group. Is determined, the cooling efficiency is highest near the center of the temperature control plate, and can be gradually reduced toward the periphery. Alternatively, the installation density of the radiation fins
Even if radiating fins are formed so that the central part of the plate-shaped body back surface is dense and the peripheral part is sparse,
A temperature difference can be provided between the center of the temperature control plate and a central region surrounding the center.
【００１３】試験室は、被試験体であるウェーハ１枚毎
に必要となるので、装置全体を小型化するためには、で
きるだけ偏平で容積が小さいものが望ましい。試験室
は、ウェーハへの通電手段と該通電手段に位置決め固定
されたウェーハとを、装着及び脱着に際して開閉するこ
とを要するので、その動作を妨げない開閉構造を持つ必
要がある。例えば、温度調節プレートの平滑面上に側方
から、ウェーハと該ウェーハを位置決め保持するプロー
ブ手段を備えた通電基板が装着され、上方から該通電基
板へ、通電用コネクターが下降して脱着動作を行うとす
れば、試験室は、温度調節プレートの下方において該プ
ローブを囲む下半部形成部材と、コネクターと共に上下
動する上半部形成部材とによって構成し、前記コネクタ
ーが通電基板と電気的に連結したとき、前記上半部形成
部材と下半部形成部材とが、当接して試験室を構成する
ようにすればよい。ウェーハ等が温度調節プレートの上
方から装着される場合は、左右方向に移動して開閉する
試験室を構成すればよい。Since a test chamber is required for each wafer to be tested, it is desirable that the test chamber be as flat and small as possible in order to reduce the size of the entire apparatus. Since the test chamber needs to open and close the means for supplying current to the wafer and the wafer positioned and fixed to the means for supplying and removing the wafer, it is necessary to have an opening and closing structure which does not hinder the operation. For example, a wafer and a current-carrying substrate provided with probe means for positioning and holding the wafer are mounted on the smooth surface of the temperature control plate from the side, and the current-carrying connector is lowered from above to the current-carrying substrate to perform a demounting operation. If so, the test chamber is constituted by a lower half forming member surrounding the probe below the temperature control plate, and an upper half forming member moving up and down together with the connector, and the connector is electrically connected to the current-carrying board. When connected, the upper half forming member and the lower half forming member may be in contact with each other to form a test chamber. When a wafer or the like is mounted from above the temperature control plate, a test chamber that moves in the left-right direction and opens and closes may be configured.
【００１４】このような試験室内には、少なくとも、温
度調節プレート、ウェーハ、該ウェーハへの通電手段と
して、通電探子を接触するプローブ手段、該プローブ手
段への通電基板等が内包され、且つ、送風機と空気加熱
器とが設けられている。従って、送風機は、それから送
出される空気が、必ず放熱フィンを通過する循環送風路
を形成できる位置に設けられれば、どのような位置でも
よい。空気加熱器は、フィン付のシーズヒータなどの電
熱ヒータが正確な温度制御を容易にする。一方、熱良導
性板状体に設けられる加熱器（プレート加熱器）は、板
状体の周辺部裏面に熱授受自在に付設してもよいし、板
状体内に一体的に埋設してもよい。このプレート加熱器
も、ウェーハの温度分布に対応して、電熱ヒータによっ
て、発熱線の配設密度を中央部寄りは、疎に、周辺部に
向かうにつれて密に成るように形成するのが好ましい。In such a test chamber, at least a temperature control plate, a wafer, probe means for contacting a current probe, a current substrate to the probe means, etc. are included as means for supplying current to the wafer, and a blower is provided. And an air heater. Therefore, the blower may be located at any position as long as the blown air is provided at a position where a circulating air passage that always passes through the radiation fins can be formed. In the air heater, an electric heater such as a finned sheathed heater facilitates accurate temperature control. On the other hand, the heater (plate heater) provided on the plate having good thermal conductivity may be provided on the rear surface of the peripheral portion of the plate so as to be able to exchange heat, or may be integrally embedded in the plate. Is also good. This plate heater is also preferably formed by an electric heater so that the arrangement density of the heating wires is made sparse near the center and denser toward the periphery in accordance with the temperature distribution of the wafer.
【００１５】ウェーハとウェーハへの通電手段と温度調
節プレートとの側方を周回状態で囲む断熱壁は、これら
の部材の側面に当接若しくは部材の一部に固着した状態
で閉鎖空間を構成するように設けられていてもよいし、
或いは、若干の間隔をおいて設けられていてもよい。断
熱壁は、素材の断熱性もさることながら、温度分布の不
均一が試験精度に直接影響する上記部材を囲いこんで、
流動する気流や放射冷却等の影響を最小限にし、これら
の部材が部分的に不均一な温度になることを防止する。
断熱壁は、試験室内の気流や雰囲気温度が、通電手段や
温度調節プレート、ウェーハ等へ与える熱影響を緩和
し、温度調節プレート、プローブ手段、該プローブ手段
を保持する通電基板について、中央部よりの温度と周辺
部温度の温度差を大幅に解消して、ウェーハの精密な試
験温度制御を実現すると共に、プローブ手段や通電基板
の熱変形によるウェーハの通電接点とプローブ手段との
接触不良（通電ミス）を未然に防止することができる。The heat insulating wall surrounding the wafer, the means for supplying electricity to the wafer, and the side of the temperature control plate in a circling state constitutes a closed space in a state in which it abuts on the side surfaces of these members or is fixed to a part of the members. May be provided as
Alternatively, they may be provided at some intervals. Insulating walls enclose the above-mentioned members where the unevenness of the temperature distribution directly affects the test accuracy, in addition to the heat insulating properties of the material,
The effects of flowing airflow, radiative cooling, and the like are minimized, and the temperature of these members is prevented from being partially uneven.
The heat insulation wall reduces the influence of the air flow and the ambient temperature in the test chamber on the current supply means, the temperature control plate, the wafer, and the like, and the temperature control plate, the probe means, and the current supply substrate holding the probe means are arranged from the center. The temperature difference between the ambient temperature and the peripheral temperature is largely eliminated, and precise test temperature control of the wafer is realized, and poor contact between the current-carrying contact of the wafer and the probe means due to thermal deformation of the probe means and the current-carrying board ( Mistake) can be prevented beforehand.
【００１６】本発明の第二の要旨は、熱良導性板状体の
表面に平滑面を有し、該板状体の裏面には放熱フィンが
突設されていると共に該板状体の裏面若しくは内部には
加熱器が設けられている半導体ウェーハの温度調節プレ
ートと、半導体ウェーハのバーンイン試験時に前記温度
調節プレートと被試験体である半導体ウェーハと及び該
ウェーハへの通電手段とを含む試験装置を内包するよう
に形成される試験室中に、空気加熱器と送風機とを備え
て前記放熱フィンを通過する送風路が前記試験室中に形
成されており、前記ウェーハへの通電手段は、半導体ウ
ェーハに形成されている個々の集積回路へ接触するプロ
ーブ手段を備えた第一通電基板と該第一通電基板に通電
する第二通電基板とにより構成されており、該第一通電
基板と第二通電基板とを、断熱手段を介して配置したこ
とを特徴とする半導体ウェーハのバーンイン試験装置に
ある。A second gist of the present invention is that a heat-conductive plate has a smooth surface on its surface, and a heat-dissipating fin is provided on a rear surface of the plate to protrude therefrom. A test including a temperature control plate of a semiconductor wafer provided with a heater on the back surface or inside, a temperature control plate and a semiconductor wafer to be tested during a burn-in test of the semiconductor wafer, and a means for energizing the wafer In a test chamber formed to contain the device, an air passage that passes through the heat radiation fins with an air heater and a blower is formed in the test chamber, and a means for supplying current to the wafer is provided. The first current-carrying substrate is provided with a first current-carrying substrate having probe means for contacting each integrated circuit formed on the semiconductor wafer, and a second current-carrying substrate for energizing the first current-carrying substrate. Two current base Preparative, in burn-in test apparatus for a semiconductor wafer, comprising arranged through the insulating means.
【００１７】上記において、プローブ手段は、例えば、
ウェーハ上の通電接点に対応する多数の（例えば数千
の）通電突起を薄板状平面に備えたもの（例えば、プロ
ーブカード）などで構成されている。この通電突起の夫
々に、試験電流を供給する役割を第一通電基板が担う。
従って、第一通電基板は、通電突起に接続する配線パタ
ーンが形成された熱膨張係数が小さい剛性を備えた平板
（例えば、ガラス板やセラミック板等）によって構成さ
れ、更に、前記配線パターンが収束して結合する複数の
第一電気接続部（第一コネクター）を備えている。この
複数の第一コネクターに導電手段を介して結合して、多
数の導電路をまとめて整理するための通電回路と、該通
電回路をケーブルを介して通電試験制御装置に接続する
ための第二コネクターとを備えた同様の剛性基板が、第
二通電基板である。In the above, the probe means is, for example,
It is composed of a thin plate-shaped flat surface (for example, a probe card) provided with a large number (for example, thousands) of conductive protrusions corresponding to the conductive contacts on the wafer. The first current-carrying substrate plays a role of supplying a test current to each of the current-carrying protrusions.
Accordingly, the first current-carrying substrate is formed of a rigid flat plate (for example, a glass plate, a ceramic plate, or the like) having a small thermal expansion coefficient on which a wiring pattern to be connected to the current-carrying protrusion is formed. And a plurality of first electrical connection portions (first connectors) that are connected to each other. An energizing circuit is coupled to the plurality of first connectors via conductive means to collectively arrange a number of conductive paths, and a second energizing circuit connects the energizing circuit to an energization test controller via a cable. A similar rigid board with a connector is the second energizing board.
【００１８】特に、第一通電基板は、プローブ手段を保
持する必要上、プローブ手段の骨格を構成するフレーム
部材の素材と熱膨張率が等しい素材によって構成される
ことが望ましく、しかも、できるだけ熱膨張率の小さい
素材で構成されるのが望ましい。若し、プローブ手段の
骨格を構成するフレーム部材が温度の不均一に基づく熱
膨張により変形を生ずれば、直ちに、接触不良につなが
る。又、第一通電基板は、ウェーハへの通電試験中の発
熱の影響を受けて中央部の温度は高くなり、周辺環境へ
の放熱が容易な周辺部との温度差が大きくなって、第一
通電基板の中央部が膨出する（反り返る）状態の変形を
生じる。この変形は、プローブ手段とウェーハ通電接点
との乖離を生じて、接触不良（通電ミス）の原因とな
る。In particular, the first current-carrying substrate is desirably made of a material having the same coefficient of thermal expansion as the material of the frame member constituting the skeleton of the probe means in order to hold the probe means. It is desirable to use a material having a low rate. If the frame member constituting the skeleton of the probe means is deformed due to thermal expansion based on non-uniform temperature, it immediately leads to poor contact. In addition, the first current-carrying substrate is affected by heat generated during the current-carrying test on the wafer, so that the temperature in the central portion increases, and the temperature difference from the peripheral portion, which facilitates heat radiation to the surrounding environment, increases. The central portion of the current-carrying substrate is deformed so as to bulge (warp). This deformation causes a separation between the probe means and the current-carrying contact of the wafer, and causes poor contact (mis-flow).
【００１９】上述のようなプローブ手段やこれを保持す
る第一通電基板の温度分布の不均一を解消するための有
効な一手段が、第一通電基板と第二通電基板との間に設
けられた断熱手段である。この断熱手段としては、例え
ば、等間隔の断熱空間や試験温度に耐えられる素材から
成る断熱材などを挙げることができる。前記等間隔の断
熱空間の幅は、少なくとも２ｍｍ以上設けることが望ま
しい。断熱材としては、発泡シリコンゴム製のプレート
などのように、１００〜１５０℃といった高温にさらさ
れても劣化がなく、無数の微細な気泡が均一に分布して
断熱効果が高い厚さが２〜５ｍｍ程度の発泡シリコンゴ
ムプレートなどである。An effective means for eliminating the non-uniform temperature distribution of the probe means and the first current-carrying substrate holding the probe means is provided between the first current-carrying substrate and the second current-carrying substrate. Insulation means. As the heat insulating means, for example, a heat insulating material made of a material that can withstand a test temperature and a heat insulating space at equal intervals can be cited. It is desirable that the width of the equally-spaced heat insulating space is at least 2 mm or more. As a heat insulating material, such as a plate made of foamed silicone rubber, there is no deterioration even when exposed to a high temperature of 100 to 150 ° C. For example, a foamed silicone rubber plate of about 5 mm or so is used.
【００２０】この断熱手段の存在により、第一通電基板
から第二通電基板への熱伝導が遮断されて、その熱影響
を受けなくなることと、試験室内気流が第一通電基板に
沿って流動することが確保されこととにより、第一通電
基板の周辺部と中央部との温度偏差が大幅に解消され
る。同時に、高温（例えば１００℃以上）環境では、熱
膨張により、試験終了時の通電試験制御装置側のコネク
ターとの着脱が滑らかに行われ難くなる第二コネクター
の不具合も、第一通電基板の熱影響が、第二通電基板側
へ及ぼされるのが防止されるので、未然に回避できる効
果がある。Due to the presence of the heat insulating means, heat conduction from the first current-carrying substrate to the second current-carrying substrate is cut off, so that the heat is not affected by the heat conduction, and the airflow in the test chamber flows along the first current-carrying substrate. As a result, the temperature deviation between the peripheral portion and the central portion of the first current-carrying board is largely eliminated. At the same time, in a high temperature (for example, 100 ° C. or higher) environment, the thermal expansion causes the second connector to be difficult to smoothly attach and detach to and from the connector on the current test controller at the end of the test. Since the influence is prevented from being exerted on the second current-carrying substrate side, there is an effect that can be avoided beforehand.
【００２１】本発明の第三の要旨は、前記第一要旨によ
って規定される温度調節プレートにおいて、ウェーハへ
の通電手段が、半導体ウェーハに形成されている個々の
集積回路へ接触するプローブ手段を備えた第一通電基板
と該第一通電基板に通電する第二通電基板とにより構成
されており、該第一通電基板と第二通電基板とを、断熱
手段を介して配置したことを特徴とする半導体ウェーハ
のバーンイン試験装置にある。According to a third aspect of the present invention, in the temperature control plate defined by the first aspect, the means for supplying electricity to the wafer includes probe means for contacting individual integrated circuits formed on the semiconductor wafer. And a second current-carrying substrate for energizing the first current-carrying substrate, wherein the first current-carrying substrate and the second current-carrying substrate are arranged via a heat insulating means. It is in semiconductor wafer burn-in test equipment.
【００２２】上記第三要旨に係る試験装置は、第一要旨
に記載の断熱壁と第二要旨に記載の断熱手段との組み合
わせ構造による相互作用により、夫々の単独構成の場合
に比して、通電基板やプローブ手段、ウェーハ等の温度
分布の均一化が向上し、より一層精度の高いウェーハバ
ーンイン試験を行うことができる。The test apparatus according to the third aspect is characterized by the interaction of the combined structure of the heat-insulating wall described in the first aspect and the heat-insulating means described in the second aspect. The uniformity of the temperature distribution of the current-carrying substrate, the probe means, the wafer, and the like is improved, and a more accurate wafer burn-in test can be performed.
【００２３】本発明の第四の要旨は、熱良導性板状体の
表面に平滑面を有し、該板状体の裏面には放熱フィンが
突設されていると共に該板状体の裏面若しくは内部には
加熱器が設けられている半導体ウェーハの温度調節プレ
ートと、半導体ウェーハのバーンイン試験時に前記温度
調節プレートと被試験体である半導体ウェーハと及び該
ウェーハへの通電手段とを含む試験装置を内包するよう
に形成される試験室中に、空気加熱器と送風機とを備え
て前記放熱フィンを通過する送風路が前記試験室中に形
成されており、前記ウェーハへの通電手段は、半導体ウ
ェーハに形成されている個々の集積回路へ接触するプロ
ーブ手段を一側に備えた第一通電基板と該第一通電基板
に通電する第二通電基板とにより構成されており、前記
第一通電基板の他側には、熱良導性板体から成る均熱プ
レートが第一通電基板と熱授受自在に設けられているこ
とを特徴とする半導体ウェーハのバーンイン試験装置に
ある。A fourth gist of the present invention is that a heat conductive plate has a smooth surface on its surface, and a radiation fin is projected from a back surface of the plate and the heat conductive fin is formed on the back of the plate. A test including a temperature control plate of a semiconductor wafer provided with a heater on the back surface or inside, a temperature control plate and a semiconductor wafer to be tested during a burn-in test of the semiconductor wafer, and a means for energizing the wafer In a test chamber formed to contain the device, an air passage that passes through the heat radiation fins with an air heater and a blower is formed in the test chamber, and a means for supplying current to the wafer is provided. A first current-carrying substrate provided on one side with probe means for contacting an individual integrated circuit formed on a semiconductor wafer, and a second current-carrying substrate for energizing the first current-carrying substrate; Other than the board The, in burn-in test apparatus for a semiconductor wafer, comprising soaking plate made of a good thermal resistance plate body is provided so as to be freely first energization substrate and heat exchange.
【００２４】前述のように、プローブ手段を保持する第
一通電基板は、バーンイン試験時においては、ウェーハ
の発熱の影響を受けると共に、試験室内の流動気流の影
響と、第一通電基板に隣設された第二通電基板の影響を
受けるので、放熱の容易な周辺部の温度が中央部付近の
温度に比して大きく低下する傾向を持ち、これが、プロ
ーブ手段の接触不良を誘発する。第一通電基板の中央部
にこもりがちな熱を周辺部に速やかに導くのが、均熱プ
レートである。したがって、均熱プレートは、第一通電
基板の素材に比して、熱伝導性に勝れた素材であること
が必要で、例えば、１〜２ｍｍ厚程度のアルミニウム板
や銅板などが用いられる。特に、中央部の熱を周辺部に
速やかに移動させるものとしては、熱伝導に関して指向
性を持つ（換言すれば、平面方向の熱伝導度が格段に勝
れている）グラファイトシートなどでもよい。As described above, during the burn-in test, the first current-carrying substrate holding the probe means is affected by the heat generation of the wafer, and is influenced by the flow of air in the test chamber and the first current-carrying substrate. Because of the influence of the second current-carrying substrate, the temperature of the peripheral portion where heat is easily dissipated tends to be significantly lower than the temperature of the vicinity of the central portion, which causes poor contact of the probe means. The heat equalizing plate quickly guides the heat that tends to accumulate in the central portion of the first current-carrying board to the peripheral portion. Therefore, the heat equalizing plate needs to be a material having a higher thermal conductivity than the material of the first current-carrying substrate, and for example, an aluminum plate or a copper plate having a thickness of about 1 to 2 mm is used. In particular, as a material for quickly transferring the heat in the central portion to the peripheral portion, a graphite sheet having directivity with respect to heat conduction (in other words, a heat conductivity in a plane direction is remarkably superior) may be used.
【００２５】均熱プレートを第一通電基板に設けるに
は、該通電基板の性状にもよるが、伝熱グリース等を介
して密接する方法等で十分に、効果を発揮する。通電基
板の中央部の熱は、均熱プレートを通して、速やかに周
辺部に移動するので、通電基板の周辺部と中央部との温
度差が解消される。伝熱グリースとしては、例えばシリ
コンオイル中に熱良導性金属酸化物粉を練り込んだもの
を挙げる事ができる。In order to provide the heat equalizing plate on the first current-carrying substrate, an effect can be sufficiently exerted by a method in which the plate is closely contacted with heat transfer grease or the like, although it depends on the properties of the current-carrying substrate. The heat in the central portion of the current-carrying substrate quickly moves to the peripheral portion through the heat equalizing plate, so that the temperature difference between the peripheral portion and the central portion of the current-carrying substrate is eliminated. As the heat transfer grease, for example, a grease obtained by kneading a heat conductive metal oxide powder in silicon oil can be used.
【００２６】本発明の第五の要旨は、前記第一要旨にお
いて規定された半導体ウェーハのバーンイン試験装置に
おいて、ウェーハへの通電手段が、半導体ウェーハに形
成されている個々の集積回路へ接触するプローブ手段を
一側に備えた第一通電基板と該第一通電基板に通電する
第二通電基板とにより構成されており、前記第一通電基
板の他側には、熱良導性板体から成る均熱プレートが第
一通電基板と熱授受自在に設けられていることを特徴と
する、半導体ウェーハのバーンイン試験装置にある。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a semiconductor wafer burn-in test apparatus defined in the first aspect, wherein a means for supplying a current to the wafer is a probe for contacting each integrated circuit formed on the semiconductor wafer. It is constituted by a first energizing substrate provided on one side and a second energizing substrate for energizing the first energizing substrate, and the other side of the first energizing substrate is formed of a thermally conductive plate. A burn-in test apparatus for a semiconductor wafer, characterized in that a heat equalizing plate is provided so as to be able to exchange heat with a first current-carrying substrate.
【００２７】本発明の第六の要旨は、前記第二要旨又は
第三要旨によって規定される半導体ウェーハのバーンイ
ン装置において、第一通電基板の一側の面に、熱良導性
板体から成る均熱プレートが第一通電基板と熱授受自在
に設けられていることを特徴とする、半導体ウェーハの
バーンイン試験装置にある。According to a sixth aspect of the present invention, in the semiconductor wafer burn-in apparatus defined by the second aspect or the third aspect, one side of the first current-carrying substrate is formed of a thermally conductive plate. A burn-in test apparatus for a semiconductor wafer, characterized in that a heat equalizing plate is provided so as to be able to exchange heat with a first current-carrying substrate.
【００２８】上記第五及び第六要旨に係る試験装置は、
前述の断熱壁、断熱手段、均熱プレートを夫々組み合わ
せて、適用した構成を持ち、当然のことながら、これら
の個々の効果は、互いに、他の作用効果を阻害する要因
を持たないので、これらの構成を単独に採用した仕様よ
りも、試験精度への貢献度は高い。The test apparatus according to the fifth and sixth aspects is as follows:
The above-mentioned insulation wall, insulation means, and heat equalizing plate are combined and applied, respectively. Naturally, since these individual effects do not have a factor that hinders other effects, these The contribution to the test accuracy is higher than the specification that adopts the configuration alone.
【００２９】ウェーハのバーンイン試験において、ウェ
ーハ中央部と周辺部とに大きな温度差が生じるのは、ウ
ェーハ上の個々の集積回路の電気抵抗によって発生する
熱が、ウェーハ周辺部では、周囲への熱の発散が容易で
あり、反対に、中心部に行くほど、熱がこもり易いため
である。この事情は、第一通電基板の場合においても、
同じである。従って、ウェーハの周辺部付近を囲む雰囲
気温度が低いほど、ウェーハ中心部と周辺部との温度差
は大きくなり、温度調節プレートに要求される温度差も
大きくなる。In the burn-in test of a wafer, a large temperature difference occurs between the central portion and the peripheral portion of the wafer because the heat generated by the electric resistance of each integrated circuit on the wafer is generated at the peripheral portion of the wafer. Is easy to dissipate, and conversely, heat is more likely to accumulate toward the center. In this case, even in the case of the first energized board,
Is the same. Therefore, the lower the ambient temperature surrounding the periphery of the wafer, the greater the temperature difference between the center and the periphery of the wafer, and the greater the temperature difference required for the temperature control plate.
【００３０】本願装置の温度調節プレートは、試験時に
形成される試験室内の温度を、ウェーハ試験温度より数
度〜数十度程度低い温度になるように、空気加熱器の温
度を設定する。この状態で試験を行うことにより、ウェ
ーハは発熱により、中央部から周辺部にかけて、温度差
を生じるが、温度調節プレートの中央部は、送風と放熱
フィンとによって周辺部より低い温度に保たれ、周辺部
は、プレート加熱器により、加温されて中央部より温度
が高く維持されるので、全体として、試験時のウェーハ
の温度分布の差は、±１℃以内の範囲に調節することが
できる。The temperature adjusting plate of the apparatus of the present application sets the temperature of the air heater so that the temperature in the test chamber formed at the time of the test is lower by several degrees to several tens degrees than the wafer test temperature. By performing the test in this state, the wafer generates a temperature difference from the central part to the peripheral part due to heat generation, but the central part of the temperature control plate is kept at a lower temperature than the peripheral part by the blower and the radiation fins, Since the peripheral portion is heated by the plate heater and maintained at a higher temperature than the central portion, the difference in the temperature distribution of the wafer during the test can be adjusted within a range of ± 1 ° C. as a whole. .
【００３１】本願ウェーハバーンイン試験装置は、又、
バーンイン試験時において、ウェーハに直接、間接に接
触してウェーハ温度を左右する部材の殆どを、予め、小
容積の試験室内に囲い込むことができるので、試験時の
ウェーハの中央部と周辺部の温度差を小さく押えること
ができ、温度調節プレートの負荷が少なく、それだけ正
確な温度調節が可能である。また、設備もコンパクト
で、消費エネルギーも少なくて済む。The wafer burn-in test apparatus of the present application also
During the burn-in test, most of the members that directly or indirectly contact the wafer and influence the wafer temperature can be enclosed in a small-volume test chamber in advance. The temperature difference can be kept small, the load on the temperature adjustment plate is small, and accurate temperature adjustment is possible. The equipment is compact and energy consumption is low.
【００３２】[0032]
【発明の実施形態】図１は、本願試験装置における温度
調節プレートの一実施態様の要部を平面から見た図であ
る。温度調節プレート１は、熱良導性板状体としての、
アルミニウム製円板２を有し、該円板２の周縁部には、
周縁部から中心側に一定幅だけ上方に立ち上げることに
より設けた立上壁２ｃが形成されている。該立上壁２ｃ
に囲まれた円板表面２ａは、鏡面状をなす平滑面となっ
ており、円板の中心を取り囲んで、同心状にリング状の
真空吸引溝３ａ〜ｄが、ほぼ等間隔で穿設されている。
３ｆは、これらの真空吸引溝３ａ〜ｄを相互に連結する
真空供給溝で、該溝３ｆ中には、円板２を軸方向に貫通
する真空供給路３の一端が開口している。真空供給路３
の他端は、真空供給チューブ３ｇに連結している。FIG. 1 is a plan view of a main part of an embodiment of a temperature control plate in a test apparatus according to the present invention. The temperature control plate 1 is a heat-conductive plate-like body,
It has an aluminum disk 2, and the periphery of the disk 2 has
A rising wall 2c is formed by standing up from the peripheral edge toward the center by a predetermined width. The rising wall 2c
The disk surface 2a surrounded by a circle is a mirror-like smooth surface and surrounds the center of the disk, and concentric ring-shaped vacuum suction grooves 3a to 3d are formed at substantially equal intervals. ing.
Reference numeral 3f denotes a vacuum supply groove interconnecting the vacuum suction grooves 3a to 3d. One end of a vacuum supply path 3 penetrating the disk 2 in the axial direction is opened in the groove 3f. Vacuum supply path 3
Is connected to the vacuum supply tube 3g.
【００３３】円板２の中心付近と周辺付近には、夫々、
真空供給路３と同様に軸方向に平行に、円板２の裏面２
ｂから表面２ａに貫通して、温度センサー収納孔４ａ，
４ｂが、穿設されている。この中に、中央温度センサー
５ａと、周辺温度センサー５ｂが上下動自在に収納され
ている。この温度センサー５ａ，５ｂは、収納孔４ａ，
ｂ中において、コイルバネ５ｓ、５ｓによって上方に軽
く付勢されており、その上端に設けられた測温部５ｈ、
５ｈは、表面２ａから上方に突出している。８、８は、
収納孔４ａ，ｂの上端開口に装着されたＯリングで、真
空漏れを防止する。円板２の裏面２ｂには、図２及び図
３に示すように、その中央部の円形域に、裏面２ｂから
下方に、一体的に延設された多数の放熱フィン６、６、
…が、互いに平行状態で垂設されている。Near the center and the periphery of the disk 2, respectively,
The back surface 2 of the disk 2 is parallel to the axial
b through the surface 2a, the temperature sensor storage holes 4a,
4b is drilled. A central temperature sensor 5a and a peripheral temperature sensor 5b are housed therein so as to be vertically movable. The temperature sensors 5a, 5b are provided with the storage holes 4a,
b, lightly urged upward by the coil springs 5s and 5s, and a temperature measuring unit 5h provided at the upper end thereof.
5h protrudes upward from the surface 2a. 8, 8
O-rings mounted at the upper end openings of the storage holes 4a and 4b prevent vacuum leakage. As shown in FIG. 2 and FIG. 3, a large number of radiation fins 6, 6, 6.
Are suspended in parallel with each other.
【００３４】更に、円板２中には、電気絶縁された電気
発熱線ヒータから成るプレート加熱器７が、その配線密
度を周辺部は密に中央部は疎に、周回状態で埋設されて
いる。プレート加熱器は、発熱線埋設方式に代えて、熱
良導性金属から成るリング状偏平板中に、電気絶縁され
たニクロム線のような電気発熱線を内蔵する板状加熱器
を裏面２ｂに密着させた状態で付設してもよい。勿論、
該板状加熱器の配線密度も、円板２の周辺部が密に、中
央部に近づくにつれて疎になるように、配設する。又、
面全体で発熱する面状発熱体を円板裏面周辺部に接着等
により一体的に付設したものでもよい。Further, a plate heater 7 composed of an electrically insulated electric heating wire heater is embedded in the disk 2 in a peripheral state with a high wiring density and a sparse central part. . In place of the heating wire burying method, the plate heater is provided with a plate-shaped heater having a built-in electric heating wire such as an electrically insulated nichrome wire on the back surface 2b in a ring-shaped flat plate made of a thermally conductive metal. It may be attached in a state of being in close contact. Of course,
The wiring density of the plate heater is also arranged so that the peripheral portion of the disk 2 is dense and becomes sparse as it approaches the central portion. or,
A planar heating element that generates heat over the entire surface may be integrally attached to the periphery of the back surface of the disk by bonding or the like.
【００３５】本願試験装置において、ウェーハを温度調
節プレート１上に設置する場合、直接、温度調節プレー
トの上面２ａ上に載置して接触させ、両者間に供給され
る真空圧によって密着させる構成とすることもできる
が、図２に図示したように、プローブ手段に正確に位置
決めされ接続されたウェーハ５０をアルミニウム板等の
熱良導性平滑板から成る伝熱板６０を介して、温度調節
プレート上に載置することもできる。後者の場合、図示
を省略したが、ウェーハ５０と伝熱板６０の上面６１と
の密着性を確保するために、図１に示したものとほぼ同
様の真空供給路が、伝熱板６０の表面及び内部に形成さ
れている。When the wafer is placed on the temperature control plate 1 in the test apparatus of the present application, the wafer is directly placed on the upper surface 2a of the temperature control plate and brought into contact with the wafer, and the wafer is brought into close contact by the vacuum pressure supplied between the two. However, as shown in FIG. 2, the wafer 50 accurately positioned and connected to the probe means is connected to the temperature control plate 60 via a heat transfer plate 60 made of a heat conductive smooth plate such as an aluminum plate. It can also be placed on top. In the latter case, although not shown, in order to ensure the close contact between the wafer 50 and the upper surface 61 of the heat transfer plate 60, a vacuum supply path substantially similar to that shown in FIG. It is formed on the surface and inside.
【００３６】図３において、６２は、伝熱板６０の側面
に設けた突起部に突設された逆止弁機構を持つ真空源側
との接続部で、破線６３で示した真空供給路へ連通して
おり、円板２の立上壁２ｃの一部に設けた切欠部２ｄか
ら立上壁の外側に突出して設けられている。バーンイン
試験にあたっては、プローブ手段に位置決めされたウェ
ーハを伝熱板６０上にセットし、該ウェーハ５０を真空
圧によって、伝熱板６０に密着させた時点で、真空源側
のカップリング部材を接続部６２から外す。ウェーハと
伝熱板とは、逆止弁によって真空圧が保持され、そのま
ま固定状態を保持する。In FIG. 3, reference numeral 62 denotes a connection portion with a vacuum source side having a check valve mechanism protruding from a projection provided on the side surface of the heat transfer plate 60, and connects to a vacuum supply path indicated by a broken line 63. They are communicated with each other and are provided so as to protrude outside the rising wall from a notch 2d provided in a part of the rising wall 2c of the disk 2. In the burn-in test, the wafer positioned by the probe means is set on the heat transfer plate 60, and when the wafer 50 is brought into close contact with the heat transfer plate 60 by vacuum pressure, the coupling member on the vacuum source side is connected. Remove from part 62. The vacuum pressure is maintained between the wafer and the heat transfer plate by the check valve, and the fixed state is maintained as it is.
【００３７】このような温度調節プレート１の上面を除
いて、側面及び下面を囲むように、上面が開放されてい
る偏平箱形の試験室下半部１０ａが、設けられている。
この試験室下半部の側壁内面には、送風機としてファン
９ａと、フィン付シーズヒータから成る空気加熱器９と
が、夫々設けられている。シーズヒータ９ａは、中央温
度センサー５ａの検出信号が、温度制御器Ｃ1に入力
し、その制御信号によって、ヒータ９ａへの供給電力が
調節され、送風温度がコントロールされる。同様に、プ
レート加熱器７は、周辺温度センサー５ｂと温度制御器
Ｃ2とによって、動作が制御され、温度調節プレートの
温度を所定の温度に調節する。A flat box-shaped test chamber lower half 10a having an open upper surface is provided so as to surround the side surface and lower surface except for the upper surface of the temperature control plate 1.
A fan 9a as a blower and an air heater 9 composed of a sheathed heater with fins are provided on the inner surface of the side wall in the lower half of the test chamber. Sheathed heater 9a the detection signals of the central temperature sensor 5a is input to the temperature controller C 1, by the control signal, the electric power supplied to the heater 9a is adjusted, blast temperature is controlled. Similarly, the plate heater 7 by the ambient temperature sensor 5b and the temperature controller C 2, operation is controlled to adjust the temperature of the temperature regulating plate to a predetermined temperature.
【００３８】ウェーハ５０の温度調節プレートへの装着
は、図２に示すように、被検体であるウェーハ５０と、
下面にプローブ手段を保持する第一通電基板７０と、及
び該第一通電基板７０へ試験電流を供給する第二通電基
板８０とを、正確に位置決め固定してから、アルミニウ
ム製板体から成る伝熱板６０上に載置し、前述のよう
に、真空圧により固定する。プローブ手段は、ウェーハ
上の通電接点に対応する多数の通電突起を薄板状平面に
形成したプローブカード（図示せず）で、セラミックな
どのような熱膨張係数の小さい素材から成るリング状フ
レーム７１により、同程度に熱膨張係数の小さい絶縁基
板（例えばガラス板）から成る第一通電基板７０の下面
に固定され保持されている。第一通電基板の下面には、
プローブ手段の通電突起に接続する配線パターンが形成
されており、該配線パターンは、第一コネクター７２、
７２、…に集合して、帯状ケーブル７３を介して第二通
電基板８０の下面に設けられた第二コネクター８２、８
２、…に接続している。As shown in FIG. 2, the mounting of the wafer 50 on the temperature control plate is performed by
After accurately positioning and fixing the first current-carrying substrate 70 holding the probe means on the lower surface and the second current-carrying substrate 80 for supplying a test current to the first current-carrying substrate 70, the transmission made of an aluminum plate is performed. It is placed on the hot plate 60 and fixed by vacuum pressure as described above. The probe means is a probe card (not shown) in which a large number of current-carrying projections corresponding to the current-carrying contacts on the wafer are formed in a thin plate-like plane, and is formed by a ring-shaped frame 71 made of a material having a small coefficient of thermal expansion such as ceramic. Are fixed and held on the lower surface of a first current-carrying substrate 70 made of an insulating substrate (for example, a glass plate) having a similar thermal expansion coefficient. On the lower surface of the first energizing board,
A wiring pattern connected to the energizing protrusion of the probe means is formed, and the wiring pattern is formed by the first connector 72,
, And the second connectors 82, 8 provided on the lower surface of the second current-carrying board 80 via the belt-shaped cable 73.
2, ... are connected.
【００３９】第二通電基板８０には、プローブ手段への
通電網を整理して、これを通電試験制御基板９０へ接続
するための第三コネクター８１、８１をその上面に備え
ている。通電試験制御基板９０は、試験室上半部１０ｂ
の下面に固設されている。該上半部１０ｂは、前記試験
室下半部１０ａに向かって下降して、その上縁に当接
し、試験室空間１０を閉じる。そのとき、第三コネクタ
ー８１と通電試験制御基板９０側に設けられた接続端子
とが接続し、上半部１０ｂが上昇して試験室を開放する
と、第三コネクター８１から、該制御基板９０の接続端
子が離脱する。勿論、通電制御基板９０は、必ずしも、
試験室内に設ける必要はなく、接続端子が、設けられて
おればよい。これらウェーハ５０、プローブ手段、第一
通電基板７０及び第二通電基板８０は、専用の位置決め
装置により、図示を省略した固定枠部材を介して、所定
の関係位置を保って保持されることにより、移送自在の
被検部材として、前述のように、温度調節プレート１に
セットされる。On the upper surface of the second energizing board 80, third connectors 81, 81 for arranging the energizing network to the probe means and connecting it to the energizing test control board 90 are provided. The energization test control board 90 is connected to the upper half 10b of the test chamber.
Is fixedly mounted on the lower surface. The upper half 10b descends toward the lower half 10a of the test chamber, contacts the upper edge thereof, and closes the test chamber space 10. At this time, when the third connector 81 is connected to the connection terminal provided on the side of the energization test control board 90 and the upper half 10b is lifted to open the test chamber, the third connector 81 disconnects the control board 90 from the third connector 81. The connection terminal comes off. Of course, the energization control board 90 is not necessarily
It is not necessary to provide it in the test room, and the connection terminal may be provided. The wafer 50, the probe means, the first current-carrying substrate 70, and the second current-carrying substrate 80 are held by a dedicated positioning device via a fixed frame member (not shown) while maintaining a predetermined relational position. As described above, it is set on the temperature adjustment plate 1 as a transportable test member.
【００４０】この被検部材が温度調節プレート１にセッ
トされたとき、これらの被検部材の側面と温度調節プレ
ート１の側面とを囲むように、断熱壁３０が設けられて
いる。断熱壁は、その下端縁が、温度調節プレートの下
面周縁部に当接し、上端縁は、第二通電基板の側面付近
に及んでいるプラスチック製胴体によって構成されてい
る。但し、該胴体の素材は、金属でも差し支えない。更
に、被検部材は、予め、第一通電基板７０の上面７３と
第二通電基板８０の下面８３との間に、断熱手段として
の断熱空間２０を介在させて配置固定されている。When the test members are set on the temperature control plate 1, a heat insulating wall 30 is provided so as to surround the side surfaces of these test members and the side surfaces of the temperature control plate 1. The heat insulating wall has a lower edge contacting a lower peripheral edge of the temperature control plate, and an upper edge formed of a plastic body extending near a side surface of the second current-carrying board. However, the material of the body may be metal. Further, the test member is arranged and fixed in advance between the upper surface 73 of the first current-carrying substrate 70 and the lower surface 83 of the second current-carrying substrate 80 with the heat insulating space 20 as heat insulating means interposed therebetween.
【００４１】通電試験時において、温度調節プレート、
ウェーハ、第一通電基板及び第二通電基板の夫々の周辺
部は、周囲雰囲気の影響により、中央部より温度が低く
なってしまい、試験精度が悪くなる原因をなし、更に、
第一通電基板における中央部と周辺部との温度差は、第
一通電基板の熱膨張による反り発生させて、プローブ手
段とウェーハとの接触不良の原因を作っていたが、上記
断熱壁３０は、これらの部材の側方を囲い込むことによ
り、ファン９ａによる循環気流の影響を遮断することに
より、保温効果を発揮して、上記周辺部の温度降下を大
幅に緩和する。断熱壁は、被検部材や温度調節プレート
の側面を閉ざすように設けるのが最も効果的であるが、
該側面との間に気流が出入りする透き間があっても、そ
れなりの効果が認められる。At the time of the energization test, a temperature control plate,
The peripheral portion of each of the wafer, the first current-carrying substrate and the second current-carrying substrate has a lower temperature than the central portion due to the influence of the surrounding atmosphere, and causes a deterioration in test accuracy.
The temperature difference between the central portion and the peripheral portion of the first current-carrying substrate caused warpage due to thermal expansion of the first current-carrying substrate, thereby causing poor contact between the probe means and the wafer. By enclosing the sides of these members, the effect of the circulating air flow by the fan 9a is cut off, thereby exhibiting a heat retaining effect and greatly reducing the temperature drop in the peripheral portion. It is most effective that the heat insulation wall is provided so as to close the side surface of the test member and the temperature control plate.
Even if there is a gap between the side surface and the air flow, a certain effect can be recognized.
【００４２】断熱空間２０は、等間隔の空間であること
が好ましく、この空間への気流の出入りを容易にするた
めに両通電基板は２ｍｍ以上の距離を隔てて配置される
ことが望ましい。断熱空間は、断熱性において最も優れ
ているが、前記固定枠部材によって両通電基板を位置決
めして形成する場合は、固定枠部材の構成を複雑化す
る。断熱空間に代えて、断熱プレート等の断熱材を介在
させる場合は、両通電基板の位置決め構造は簡素化され
る。断熱手段は、第一通電基板と第二通電基板との熱伝
導を遮断するとともに、気流による第一通電基板の中心
部の冷却効果により、第一通電基板の中心部と周辺部と
の温度差を解消し、ウェーハの熱影響によって基板中央
部が膨出変形するのを防ぐ。これにより、第一通電基板
に保持されるプローブ手段が、バーンイン試験中に、ウ
ェーハの通電接点と接触不良を生じるのを防止する効果
がある。上記断熱壁３０と断熱空間２０（或いは断熱
材）とは、夫々単独でも、有効であるが、両者を併有す
る装置は、夫々の作用が相乗的に働き、格段の効果を発
揮する。The heat insulating space 20 is preferably a space having an equal interval, and it is preferable that the two current-carrying substrates are arranged at a distance of 2 mm or more in order to facilitate an air flow into and out of this space. The heat-insulating space is the most excellent in heat insulating properties, but in the case where the two current-carrying substrates are positioned and formed by the fixed frame member, the configuration of the fixed frame member is complicated. In the case where a heat insulating material such as a heat insulating plate is interposed instead of the heat insulating space, the positioning structure of the two current-carrying boards is simplified. The heat insulating means cuts off heat conduction between the first current-carrying substrate and the second current-carrying substrate, and, due to the cooling effect of the central portion of the first current-carrying substrate due to the airflow, causes a temperature difference between the central portion and the peripheral portion of the first current-carrying substrate. To prevent the central portion of the substrate from bulging and deforming due to the thermal influence of the wafer. This has the effect of preventing the probe means held by the first current-carrying substrate from making contact failure with the current-carrying contacts of the wafer during the burn-in test. The heat insulating wall 30 and the heat insulating space 20 (or heat insulating material) are effective independently of each other, but a device having both of them works synergistically to exert a remarkable effect.
【００４３】同様に、第１通電基板７０の周囲に下向き
に付設されたリング状フレーム７１は、円板２の周縁部
に設けた立上壁２ｃの上面に、伝熱ゴムシートから成る
伝熱性シール材１５を介して接触している。従って、温
度調節プレートの熱は、該シール材１５を介して、リン
グ状フレーム７１に伝わるので、ウェーハ５０の側方か
らの熱の放出が著しく緩和される。更に、この立上壁２
ｃと伝熱性シール材１５からの熱は、第一通電基板７０
にも及ぶので、電極板周辺部の温度上昇にも貢献し、電
極板７０の熱分布の片寄りによる通電接点の変位を防止
する効果が期待できる。尚、伝熱ゴムシートは、例え
ば、シリコンゴム中にチタニアやボロン酸化物などの熱
伝導性に優れた金属酸化物の粉末を分散させた薄いシー
ト状物で構成されており、このようなものとしては、信
越化学株式会社製放熱用ゴムシート、ＴＣ−２０ＢＧ、
厚さ０.２ｍｍなどがある。Similarly, the ring-shaped frame 71 provided downward around the first current-carrying board 70 is provided on the upper surface of the rising wall 2c provided on the peripheral portion of the disk 2 on the upper surface of the rising wall 2c. They are in contact via the sealing material 15. Therefore, the heat of the temperature control plate is transmitted to the ring-shaped frame 71 via the sealing material 15, so that the heat release from the side of the wafer 50 is remarkably reduced. Furthermore, this rising wall 2
c and heat from the heat conductive sealing material 15
This also contributes to a rise in the temperature around the electrode plate, and can be expected to have the effect of preventing the displacement of the current-carrying contact due to the uneven distribution of heat of the electrode plate 70. The heat transfer rubber sheet is, for example, formed of a thin sheet-like material in which metal oxide powder having excellent thermal conductivity such as titania or boron oxide is dispersed in silicon rubber. As the heat radiation rubber sheet manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., TC-20BG,
For example, the thickness is 0.2 mm.
【００４４】第一通電基板の熱変形を防止する他の手段
として、図４に示すように、第一通電基板７０の上面
に、アルミニウムや銅、それらの合金などを用いた熱良
導性薄板から成る均熱プレート７５を第一通電基板７０
に密着させて設けることにより、ガラス製やセラミック
製の第一通電基板の中心部から周辺部へ熱移動が速やか
に行われ、均一な熱分布が促進される。金属板の板厚
は、１〜２ｍｍのもので、十分に効果を発揮する。勿
論、断熱空間２０や断熱壁３０と併用すれば、その効果
は格段に向上する。均熱プレート７５は、金属板の他
に、熱が平面方向に特異的に移動する性質をもつグラフ
ァイト製薄板などでもよい。均熱プレートと通電基板と
の密着は、例えば、伝熱グリース等を介して当接しても
よい。As another means for preventing thermal deformation of the first current-carrying substrate, as shown in FIG. 4, a thermally conductive thin plate made of aluminum, copper, an alloy thereof, etc. The heat equalizing plate 75 made of
The heat transfer from the central portion to the peripheral portion of the first current-carrying substrate made of glass or ceramic is quickly performed, and uniform heat distribution is promoted. The thickness of the metal plate is 1 to 2 mm, which is sufficiently effective. Of course, when used in combination with the heat insulating space 20 and the heat insulating wall 30, the effect is remarkably improved. The heat equalizing plate 75 may be a thin plate made of graphite or the like, which has a property that heat is specifically transferred in a planar direction, in addition to the metal plate. The close contact between the heat equalizing plate and the current-carrying substrate may be in contact with, for example, heat transfer grease.
【００４５】断熱手段（２０）の存在は、第一通電基板
の温度分布の改良効果に止まらず、第二通電基板の温度
上昇を抑える効果を発揮するので、通電試験制御装置側
との接続部との断続を行う多数ピン構造の第三コネクタ
ー８１、８１、…の脱着が熱膨張により阻害される事故
を未然に防ぐ効果がある。又、図３に示すように伝熱板
６０の側面に、真空源側への接続部６２を設けることに
より、円板２の立上壁２ｃに切欠部２ｄ（図１参照）を
設けざるを得ない場合は、切欠部２ｄに近い部分の伝熱
板６０の温度が乱され、必然的にウェーハの温度に影響
を与えるが、断熱壁３０を設けることにより、このよう
な欠点が回避される。The presence of the heat insulating means (20) is not limited to the effect of improving the temperature distribution of the first current-carrying substrate, but also has the effect of suppressing the temperature rise of the second current-carrying substrate. Has an effect of preventing an accident in which the detachment of the third connector 81, 81,... Further, as shown in FIG. 3, by providing a connecting portion 62 to the side of the vacuum source on the side surface of the heat transfer plate 60, a notch 2d (see FIG. 1) must be provided on the rising wall 2c of the disk 2. If not obtained, the temperature of the heat transfer plate 60 near the cutout 2d is disturbed and inevitably affects the temperature of the wafer. However, the provision of the heat insulating wall 30 avoids such disadvantages. .
【００４６】被検部材が、温度調節プレート１の伝熱板
６０上に装着され真空圧により、ウェーハと伝熱板６０
とが密着し、同時に、温度センサー５ａ，ｂの測温部５
ｈは、伝熱板上面付近もしくは、直接、ウェーハに、バ
ネ圧によって軽く圧接して測温する。一方、第一通電基
板７０、第二通電基板８０の上方には、前記試験室下半
部１０ａの上端縁に当接して試験室１０を形成可能な試
験室上半部１０ｂが、通電試験制御基板９０と共に上下
動するように設けられている。従って、通電試験制御基
板９０の通電接続部が第三コネクター８１に接続した時
点で、試験室も同時に密閉され、ファン９ａの回転が開
始する。１１ａ，ｂは、試験室の案内部材である。これ
によって、送風ファン９ａから送出される風は、空気加
熱器９を経て放熱フィン群６、…を通過した後、試験室
１０の周壁に沿って周回し、再び送風ファンに戻る空気
循環流路が、形成されるようになっている。A test member is mounted on the heat transfer plate 60 of the temperature control plate 1, and the wafer and the heat transfer plate 60 are
And at the same time, the temperature measuring unit 5 of the temperature sensors 5a and 5b
h is measured near the upper surface of the heat transfer plate or directly against the wafer by spring pressure. On the other hand, above the first current-carrying board 70 and the second current-carrying board 80, an upper half 10b of the test chamber capable of forming the test chamber 10 by contacting the upper end edge of the lower half 10a of the test chamber is provided with an energization test control. It is provided so as to move up and down together with the substrate 90. Therefore, when the energization connection part of the energization test control board 90 is connected to the third connector 81, the test chamber is simultaneously closed, and the rotation of the fan 9a starts. Reference numerals 11a and 11b are guide members for the test room. As a result, the air sent from the blower fan 9a passes through the radiating fin group 6,... Through the air heater 9, and then circulates along the peripheral wall of the test chamber 10, and returns to the blower fan again. Is formed.
【００４７】ウェーハ５０、温度調節プレート１、ファ
ン９ａ、空気加熱器９、プレート加熱器７への通電によ
って、ウェーハが発熱すると、伝熱板６０表面近くにあ
る温度センサー５ａ，ｂは、検出温度を制御器Ｃ1，Ｃ2
に送る。空気加熱器９は、バーンイン試験温度より２０
〜３０℃低い適宜な所定温度に試験室空間を保持するよ
うに、温度制御器Ｃ1に設定してある。若し、中央温度
センサー５ａの検出温度に応じて、ウェーハ中央部付近
の温度が設定値より上昇を始めると、空気加熱器９への
電流が制限されるか、或いは電流の供給が停止される。
それに伴って、放熱フィンへの送風温度が低下し、温度
調節プレートの中央部が冷却され、従って、ウェーハ中
央部の温度が下がる。反対に、ウェーハ中心部付近の温
度が設定値より低い場合は、空気加熱器７に、その温度
差に見合うより大きい電流が供給され、試験室内の空気
温度が上昇し、これがフィン６を通して、温度調節プレ
ートに供給され、ウェーハ温度を高める。When the wafer is heated by energizing the wafer 50, the temperature control plate 1, the fan 9a, the air heater 9, and the plate heater 7, the temperature sensors 5a and 5b near the surface of the heat transfer plate 60 detect the detected temperature. To the controllers C 1 , C 2
Send to The air heater 9 is set at a temperature lower than the burn-in test temperature by 20%.
To hold a test chamber space to 30 ° C. lower appropriate predetermined temperature, it is set to the temperature controller C 1. If the temperature near the center of the wafer starts to rise above the set value according to the temperature detected by the central temperature sensor 5a, the current to the air heater 9 is limited or the supply of the current is stopped. .
Along with this, the temperature of the air blown to the radiation fins decreases, and the central part of the temperature control plate is cooled, so that the temperature of the central part of the wafer decreases. Conversely, when the temperature near the center of the wafer is lower than the set value, a larger current corresponding to the temperature difference is supplied to the air heater 7, and the air temperature in the test chamber rises, and this temperature is increased through the fins 6. Supplied to a conditioning plate to increase the wafer temperature.
【００４８】同様に、周辺温度センサー５ｂの検出温度
に応じて、プレート加熱器７が、温度制御器Ｃ2によっ
て、その作動を制御される。そして、ウェーハの温度分
布に応じて設置した配線密度に対応して、周辺部におい
ても、円板２の中心寄りは、発熱量が小さく、周縁部寄
りでは発熱量が若干大きくなるように、加熱される。試
験室は、密閉空間でもよいし、開閉自在な開口によっ
て、適宜外気を導入できるダンパーを壁面に設けるよう
に構成しておいてもよい。かくして、温度調節プレート
１は、半導体ウェーハの温度分布と反対の、対称的な温
度分布を、温度調節プレートの表面に作り出す。半導体
ウェーハは、伝熱板６０を介して、この温度調節プレー
トに接触して熱授受を行うことにより、温度分布の不均
一が解消され、所定の目標温度に対して、ウェーハ全面
に亙って±１℃以内の精度で、均一な温度を維持したま
ま通電試験を行うことができる。Similarly, the operation of the plate heater 7 is controlled by the temperature controller C 2 in accordance with the temperature detected by the peripheral temperature sensor 5b. In accordance with the wiring density set in accordance with the temperature distribution of the wafer, heating is performed so that the amount of heat generated near the center of the disk 2 is small at the periphery and slightly increased near the periphery. Is done. The test chamber may be a closed space, or may be configured such that a damper capable of appropriately introducing outside air is provided on a wall surface by an openable and closable opening. Thus, the temperature control plate 1 creates a symmetrical temperature distribution on the surface of the temperature control plate, which is opposite to the temperature distribution of the semiconductor wafer. The semiconductor wafer is brought into contact with the temperature control plate through the heat transfer plate 60 to exchange heat, thereby eliminating the non-uniformity of the temperature distribution and achieving a predetermined target temperature over the entire surface of the wafer. The current test can be performed with an accuracy within ± 1 ° C while maintaining a uniform temperature.
【図１】本発明に係るバーンイン試験装置の温度調節プ
レート部分の一実施態様を、平面方向から見た説明図で
ある。FIG. 1 is an explanatory view of one embodiment of a temperature control plate portion of a burn-in test apparatus according to the present invention, as viewed from a plane direction.
【図２】図１のＡ−Ａ断面方向から見たウェーハバーン
イン試験装置を使用状態において示す説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram showing a wafer burn-in test apparatus in use when viewed from a cross-sectional direction along the line AA in FIG. 1;
【図３】図２のＢ−Ｂ断面方向から見た形状の要部を示
す説明図である。FIG. 3 is an explanatory view showing a main part of the shape as viewed from the direction of the section BB in FIG. 2;
【図４】本発明の他の実施態様の要部を示す説明図であ
る。FIG. 4 is an explanatory diagram showing a main part of another embodiment of the present invention.
１ 温度調節プレート ２ 円板 ２ｃ 立上壁 ２ｄ 切欠部 ３ 真空供給路 ３ａ〜ｄ 真空吸引溝 ４ａ，ｂ 温度センサー収納孔 ５ａ，ｂ 温度センサー ５ｈ 測温部 ６ 放熱フィン ７ プレート加熱器 ８ Ｏリング ９ 空気加熱器 １０ 試験室 １０ａ 試験室下半部 １５ 伝熱ゴムシート ２０ 断熱空間 ３０ 断熱壁 ５０ 半導体ウェーハ ６０ 伝熱板 ６３ 真空供給路 ７０ 第一通電基板 ７１ リング状フレーム ７２ 第一コネクター ８０ 第二通電基板 ８１ 第三コネクター ８２ 第二コネクター ９０ 通電試験制御基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Temperature control plate 2 Disk 2c Rise wall 2d Notch 3 Vacuum supply path 3a-d Vacuum suction groove 4a, b Temperature sensor storage hole 5a, b Temperature sensor 5h Temperature measuring part 6 Radiation fin 7 Plate heater 8 O-ring Reference Signs List 9 air heater 10 test chamber 10a lower half of test chamber 15 heat transfer rubber sheet 20 heat insulation space 30 heat insulation wall 50 semiconductor wafer 60 heat transfer plate 63 vacuum supply path 70 first current supply board 71 ring-shaped frame 72 first connector 80 first Two-current board 81 Third connector 82 Second connector 90 Current test control board
Claims (6)
板状体の裏面には放熱フィンが突設されていると共に該
板状体の裏面若しくは内部には加熱器が設けられている
半導体ウェーハの温度調節プレートと、半導体ウェーハ
のバーンイン試験時に前記温度調節プレートと被試験体
である半導体ウェーハと及び該ウェーハへの通電手段と
を含む試験装置を内包するように形成される試験室中
に、空気加熱器と送風機とを備えて前記放熱フィンを通
過する送風路が前記試験室中に形成されると共に、該試
験室内に、前記温度調節プレートと前記ウェーハと及び
前記ウェーハへの通電手段とを側方から囲む断熱壁が形
成されていることを特徴とする半導体ウェーハのバーン
イン試験装置。1. A thermally conductive plate-like body having a smooth surface on its surface, a radiation fin protruding from the backside of the plate-like body, and a heater on the backside or inside of the plate-like body. Formed so as to include a temperature control plate of a semiconductor wafer provided with a temperature control plate, a semiconductor wafer which is a device under test, and a means for supplying electricity to the wafer during a burn-in test of the semiconductor wafer. In the test chamber to be provided, an air passage that passes through the radiating fins with an air heater and a blower is formed in the test chamber, and the temperature control plate, the wafer, and the A burn-in test apparatus for a semiconductor wafer, wherein a heat insulating wall surrounding a means for supplying electricity to the wafer from the side is formed.
板状体の裏面には放熱フィンが突設されていると共に該
板状体の裏面若しくは内部には加熱器が設けられている
半導体ウェーハの温度調節プレートと、半導体ウェーハ
のバーンイン試験時に前記温度調節プレートと被試験体
である半導体ウェーハと及び該ウェーハへの通電手段と
を含む試験装置を内包するように形成される試験室中
に、空気加熱器と送風機とを備えて前記放熱フィンを通
過する送風路が前記試験室中に形成されており、前記ウ
ェーハへの通電手段は、半導体ウェーハに形成されてい
る個々の集積回路へ接触するプローブ手段を備えた第一
通電基板と該第一通電基板に通電する第二通電基板とに
より構成されており、該第一通電基板と第二通電基板と
を、断熱手段を介して配置したことを特徴とする半導体
ウェーハのバーンイン試験装置。2. A heat conductive plate having a smooth surface on a surface thereof, a radiating fin protruding from a back surface of the plate, and a heater on the back or inside of the plate. Formed so as to include a temperature control plate of a semiconductor wafer provided with a temperature control plate, a semiconductor wafer which is a device under test, and a means for supplying electricity to the wafer during a burn-in test of the semiconductor wafer. In the test chamber to be provided, an air passage that passes through the radiating fins with an air heater and a blower is formed in the test chamber, and a means for supplying electricity to the wafer is formed in the semiconductor wafer. It is constituted by a first energizing board provided with a probe means for contacting an individual integrated circuit, and a second energizing board for energizing the first energizing board. Through means Burn-in test apparatus of a semiconductor wafer, comprising the arranged.
に形成されている個々の集積回路へ接触するプローブ手
段を備えた第一通電基板と該第一通電基板に通電する第
二通電基板とにより構成されており、該第一通電基板と
第二通電基板とを、断熱手段を介して配置したことを特
徴とする請求項１記載の半導体ウェーハのバーンイン試
験装置。3. A current supplying means for supplying current to a wafer includes a first current supplying substrate having probe means for contacting an individual integrated circuit formed on a semiconductor wafer, and a second current supplying substrate supplying current to the first current supplying substrate. 2. The burn-in test apparatus for a semiconductor wafer according to claim 1, wherein the first current-carrying substrate and the second current-carrying substrate are arranged via heat insulating means.
板状体の裏面には放熱フィンが突設されていると共に該
板状体の裏面若しくは内部には加熱器が設けられている
半導体ウェーハの温度調節プレートと、半導体ウェーハ
のバーンイン試験時に前記温度調節プレートと被試験体
である半導体ウェーハと及び該ウェーハへの通電手段と
を含む試験装置を内包するように形成される試験室中
に、空気加熱器と送風機とを備えて前記放熱フィンを通
過する送風路が前記試験室中に形成されており、前記ウ
ェーハへの通電手段は、半導体ウェーハに形成されてい
る個々の集積回路へ接触するプローブ手段を一側に備え
た第一通電基板と該第一通電基板に通電する第二通電基
板とにより構成されており、前記第一通電基板の他側に
は、熱良導性板体から成る均熱プレートが第一通電基板
と熱授受自在に設けられていることを特徴とする半導体
ウェーハのバーンイン試験装置。4. A heat conductive plate having a smooth surface on a surface thereof, a radiation fin protruding from the back of the plate, and a heater on the back or inside of the plate. Formed so as to include a temperature control plate of a semiconductor wafer provided with a temperature control plate, a semiconductor wafer which is a device under test, and a means for supplying electricity to the wafer during a burn-in test of the semiconductor wafer. In the test chamber, an air heater and a blower are provided, and an air passage that passes through the radiating fins is formed in the test chamber, and a means for supplying electricity to the wafer is formed in the semiconductor wafer. It is constituted by a first energizing board provided with a probe means on one side and a second energizing board for energizing the first energizing board on one side, and on the other side of the first energizing board, Thermal conductive plate Burn-in test apparatus of a semiconductor wafer, comprising soaking plate is provided so as to be freely first energization substrate and heat exchange made.
に形成されている個々の集積回路へ接触するプローブ手
段を一側に備えた第一通電基板と該第一通電基板に通電
する第二通電基板とにより構成されており、前記第一通
電基板の他側には、熱良導性板体から成る均熱プレート
が第一通電基板と熱授受自在に設けられていることを特
徴とする、請求項１記載の半導体ウェーハのバーンイン
試験装置。5. A first energizing substrate provided on one side with a probe means for contacting an individual integrated circuit formed on a semiconductor wafer, and a second energizing device energizing the first energizing substrate. And a substrate, and on the other side of the first current-carrying substrate, a heat equalizing plate formed of a thermally conductive plate is provided so as to be able to exchange heat with the first current-carrying substrate. The burn-in test apparatus for a semiconductor wafer according to claim 1.
から成る均熱プレートが第一通電基板と熱授受自在に設
けられていることを特徴とする、請求項２又は３に記載
の半導体ウェーハのバーンイン試験装置。6. A heat equalizing plate comprising a heat conductive plate is provided on one surface of the first current-carrying substrate so as to be able to exchange heat with the first current-carrying substrate. Or a burn-in test apparatus for a semiconductor wafer according to item 3.
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|---|---|---|---|
| JP10372798A JP3611174B2 (en) | 1998-03-30 | 1998-03-30 | Semiconductor wafer temperature test equipment |
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