JPH11281447A - Flow rate detecting element and flow rate sensor - Google Patents
Flow rate detecting element and flow rate sensorInfo
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- JPH11281447A JPH11281447A JP8732998A JP8732998A JPH11281447A JP H11281447 A JPH11281447 A JP H11281447A JP 8732998 A JP8732998 A JP 8732998A JP 8732998 A JP8732998 A JP 8732998A JP H11281447 A JPH11281447 A JP H11281447A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、発熱体あるいは発
熱体によって加熱された部分から流体への熱伝達現象に
基づいて該流体の流速ないしは流量を計測する流量検出
素子及び該流量検出素子を用いた流量センサに関するも
のであって、例えば内燃機関の吸入空気量の計測等に用
いられるものに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a flow rate detecting element for measuring a flow rate or a flow rate of a fluid based on a heat transfer phenomenon from a heating element or a portion heated by the heating element to the fluid, and to use the flow rate detecting element. The present invention relates to a flow sensor which is used for measuring an intake air amount of an internal combustion engine, for example.
【０００２】[0002]
【従来の技術】流体の流速ないしは流量と、該流体中に
配置された発熱体から流体への熱伝達量との間に成立す
るほぼ一義的な関数関係を利用して、該熱伝達量に基づ
いて流体の流速ないしは流量を検出するようにした感熱
式流量検出素子、あるいは該流量検出素子を用いた流量
センサは、従来より内燃機関の吸入空気量の検出等に広
く用いられている。2. Description of the Related Art The heat transfer amount is determined by utilizing a substantially unique functional relationship established between the flow rate or flow rate of a fluid and the heat transfer amount from a heating element disposed in the fluid to the fluid. 2. Description of the Related Art A heat-sensitive flow rate detecting element that detects a flow rate or a flow rate of a fluid based on the flow rate, or a flow rate sensor using the flow rate detecting element has been widely used for detecting an intake air amount of an internal combustion engine.
【０００３】図１３と図１４とは、それぞれ、例えば特
開平４−２９６７号公報に開示されている従来の感熱式
流量検出素子の立面断面図と、保護膜を取り除いた状態
における平面図とである。図１３及び図１４において、
１はシリコン半導体よりなる平板状基材であり、２は平
板状基材１の裏側に形成された開口部（空洞部）であ
り、３は平板状基材１の表面に設けられたＳi3Ｎ4又は
ＳiＯ2よりなる絶縁性の支持膜であり、５は平板状基材
１の裏面に取り付けられた裏面保護膜である。そして、
６及び７はそれぞれ支持膜３の上に配置された白金より
なる薄膜状の感熱抵抗体であり、これらの感熱抵抗体
６、７ないし支持膜３はＳi3Ｎ4又はＳiＯ2よりなる絶縁
性の保護膜４で覆われている。なお、感熱抵抗体６、７
の着膜部の下方において平板状基材１に形成されている
開口部２は、Ｓi3Ｎ4又はＳiＯ2に損傷を与えないエッ
チング液を用いてシリコン半導体からなる平板状基材１
の一部を除去して形成されたものである。FIGS. 13 and 14 are an elevational sectional view and a plan view of a conventional thermosensitive flow detecting element disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-2967, with a protective film removed. It is. 13 and 14,
1 is a flat substrate made of a silicon semiconductor, 2 is an opening (hollow portion) formed on the back side of the flat substrate 1, and 3 is Si 3 provided on the surface of the flat substrate 1. An insulating support film made of N 4 or SiO 2 , and a back surface protective film 5 attached to the back surface of the flat substrate 1. And
Reference numerals 6 and 7 denote thin-film heat-sensitive resistors made of platinum, respectively, disposed on the support film 3. These heat-sensitive resistors 6, 7 and the support film 3 are made of an insulating material made of Si 3 N 4 or SiO 2 . Of the protective film 4. The heat-sensitive resistors 6, 7
The opening 2 formed in the flat substrate 1 below the film-deposited portion is made of a silicon semiconductor flat substrate 1 using an etchant that does not damage Si 3 N 4 or SiO 2.
Is formed by removing a part of.
【０００４】かかる従来の流量検出素子では、感熱抵抗
体６、７に通電する加熱電流が、感熱抵抗体７と温度補
償抵抗体８の温度差が一定になるように、図示していな
い制御回路によって一定に維持されている。なお、矢印
１０は空気の流れの方向を示す。例えば、気流が増加し
感熱抵抗体７の温度が減少すると、その分だけ感熱抵抗
体６に流れる電流が増えて、感熱抵抗体７と温度補償抵
抗体８の温度差が一定になるように感熱抵抗体６の電流
源が制御される。In such a conventional flow rate detecting element, a control circuit (not shown) is provided so that the heating current applied to the heat-sensitive resistors 6 and 7 keeps the temperature difference between the heat-sensitive resistor 7 and the temperature compensation resistor 8 constant. Is kept constant by The arrow 10 indicates the direction of the flow of air. For example, when the airflow increases and the temperature of the thermal resistor 7 decreases, the current flowing through the thermal resistor 6 increases by that amount, and the thermal sensitivity is adjusted so that the temperature difference between the thermal resistor 7 and the temperature compensating resistor 8 becomes constant. The current source of the resistor 6 is controlled.
【０００５】したがって、感熱抵抗体６にある電流を流
すために該感熱抵抗体６に印加される電圧は、感熱抵抗
体７から空気に伝達される熱が多ければ多いほど、すな
わち空気の流速が大きいほど増す。このように感熱抵抗
体６に印加される電圧は、計測される空気の流速の関数
となるため、空気の流速、あるいは定められた通路内を
通過する空気の流量を計測することができる。Therefore, the voltage applied to the thermal resistor 6 to allow a certain current to flow through the thermal resistor 6 increases as the heat transmitted from the thermal resistor 7 to the air increases, that is, the flow velocity of the air increases. Increases as the size increases. As described above, since the voltage applied to the thermal resistor 6 is a function of the measured flow velocity of the air, the flow velocity of the air or the flow rate of the air passing through the determined passage can be measured.
【０００６】以上に述べた計測原理は、感熱抵抗体７の
抵抗値を流速にかかわらず所定値に保つ定温度差制御の
場合であるが、感熱抵抗体への加熱電流を一定にしてお
いて流速に応じた感熱抵抗体の抵抗値変化からでも流速
を検出することができる。The above-described measurement principle is the case of constant temperature difference control in which the resistance value of the thermal resistor 7 is maintained at a predetermined value regardless of the flow velocity, but the heating current to the thermal resistor is kept constant. The flow velocity can be detected from a change in the resistance value of the thermal resistor according to the flow velocity.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】ところで、この種の流
量検出素子を用いた流量センサにおいては、連続通電時
に、感熱抵抗体６、７と支持膜３との間、あるいは感熱
抵抗体６、７と保護膜４との間に剥離が生じるといった
問題がある。なお、この現象は、感熱抵抗体６、７と支
持膜３との間、あるいは感熱抵抗体６、７と保護膜５と
の間の密着力が高温時に弱くなるために起こっている。By the way, in a flow sensor using this type of flow detecting element, the continuous flow of electricity between the heat-sensitive resistors 6, 7 and the support film 3, or the heat-sensitive resistors 6, 7 There is a problem that separation occurs between the protective film 4 and the protective film 4. This phenomenon occurs because the adhesion between the heat-sensitive resistors 6 and 7 and the support film 3 or between the heat-sensitive resistors 6 and 7 and the protective film 5 becomes weak at high temperatures.
【０００８】例えば、自動車用の内燃機関の燃料制御に
用いられる吸入空気流量センサにこのような流量検出素
子を用いたとする。ここで、例えば定温度差制御回路の
場合は、図示していないホイーストンブリッジ回路によ
り、感熱抵抗体６、７は、周囲温度よりも高い一定温度
に保たれる。なお、この一定値は、例えば約２００°Ｃ
に設定される。また、自動車が使用される環境条件を勘
案した場合、流量検出素子は、少なくとも３５０°Ｃ以
下の温度条件で、感熱抵抗体６、７と支持膜３とが、あ
るいは感熱抵抗体６、７と保護膜５とが剥離するような
ことがあってはならない。For example, it is assumed that such a flow rate detecting element is used in an intake air flow rate sensor used for fuel control of an internal combustion engine for an automobile. Here, in the case of a constant temperature difference control circuit, for example, the Wheatstone bridge circuit (not shown) keeps the thermal resistors 6 and 7 at a constant temperature higher than the ambient temperature. This constant value is, for example, about 200 ° C.
Is set to In addition, in consideration of the environmental conditions in which the automobile is used, the flow rate detecting element may be configured such that the heat-sensitive resistors 6, 7 and the supporting film 3 or the heat-sensitive resistors 6, 7 are connected at least at a temperature of 350 ° C. or less. The protective film 5 must not peel off.
【０００９】この発明は上記従来の問題を解決するため
になされたものであって、感熱抵抗体と支持膜との間、
あるいは感熱抵抗体と保護膜との間の密着性が良く、信
頼性の高い流量検出素子ないしは流量センサを提供する
こと、さらには簡素な製造工程によって得ることができ
る流量検出素子ないしは流量センサを提供することを目
的ないしは解決すべき課題とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems.
Alternatively, it is possible to provide a highly reliable flow rate detecting element or a flow rate sensor having good adhesion between a heat-sensitive resistor and a protective film, and to provide a flow rate detecting element or a flow rate sensor which can be obtained by a simple manufacturing process. The purpose is to do or to be solved.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
になされたこの発明の第１の態様に係る流量検出素子
は、（ａ）平板状の基材と、（ｂ）基材の表面に配置さ
れた絶縁性の支持膜と、（ｃ）支持膜の上に配置され該
支持膜によって支持された、感熱抵抗体よりなる複数の
発熱部と、（ｄ）発熱部の上に配置され該発熱部を保護
する絶縁性の保護膜とを備えていて、（ｅ）計測流体の
流れの方向にみて上流側と下流側の発熱部の加熱電流の
差に相当する量に基づいて、計測流体の流量を計測する
感熱式の流量検出素子において、（ｆ）支持膜と発熱部
との間に、該支持膜及び発熱部のうちの少なくとも一方
に対する密着性を有する第１中間膜が設けられているこ
とを特徴とするものである。この流量検出素子において
は、第１中間膜によって支持膜と発熱部（感熱抵抗体）
との間の密着性が良好となる（例えば、０〜３５０°Ｃ
の温度範囲）。Means for Solving the Problems A flow detecting element according to a first aspect of the present invention, which has been made to solve the above-mentioned problems, comprises: (a) a flat base material; and (b) a surface of the base material. An insulating support film disposed; (c) a plurality of heat generating portions made of a thermosensitive resistor disposed on the support film and supported by the support film; and (d) a heat generating portion disposed on the heat generating portion. And (e) a measuring fluid based on an amount corresponding to a difference in heating current between the upstream and downstream heating portions when viewed in the flow direction of the measuring fluid. (F) a first intermediate film having adhesiveness to at least one of the support film and the heat generating portion is provided between the support film and the heat generating portion; It is characterized by having. In this flow detecting element, the supporting film and the heat generating portion (thermal resistor) are formed by the first intermediate film.
(For example, 0 to 350 ° C.)
Temperature range).
【００１１】この発明の第２の態様に係る流量検出素子
は、第１の態様に係る流量検出素子において、第１中間
膜が、Ｓi、Ｎi、Ｃr、Ｃo、Ａl及びパーマロイのうち
の少なくとも１つを用いて形成されていることを特徴と
するものである。これらの材料は、例えば酸化シリコン
等からなる支持膜と、白金等からなる発熱部（感熱抵抗
体）との間の密着性を有効に高める。また、かかる材料
からなる第１中間膜は、スパッタ法、ＣＶＤ法、蒸着法
などによる連続成膜で形成することができるので、該流
量検出素子は、簡素な製造工程によって得ることができ
る。なお、各膜の成膜作業を連続的に行うことが可能な
ため、余分な装置を追加する必要はなく、容易に所望の
膜を形成することができる。[0011] A flow rate detecting element according to a second aspect of the present invention is the flow rate detecting element according to the first aspect, wherein the first intermediate film is formed of at least one of Si, Ni, Cr, Co, Al, and Permalloy. It is characterized by being formed using one. These materials effectively increase the adhesion between a support film made of, for example, silicon oxide or the like and a heat-generating portion (heat-sensitive resistor) made of platinum or the like. Further, since the first intermediate film made of such a material can be formed by continuous film formation by a sputtering method, a CVD method, an evaporation method, or the like, the flow rate detecting element can be obtained by a simple manufacturing process. In addition, since the film formation operation of each film can be performed continuously, it is not necessary to add an extra device, and a desired film can be easily formed.
【００１２】この発明の第３の態様に係る流量検出素子
は、第１の態様に係る流量検出素子において、第１中間
膜に代えて又は第１中間膜とともに、発熱部と保護膜と
の間に、該発熱部及び保護膜のうちの少なくとも一方に
対する密着性を有する第２中間膜が設けられていること
を特徴とするものである。この流量検出素子において
は、第２中間膜によって発熱部（感熱抵抗体）と保護膜
との間の密着性が良好となる。A flow rate detecting element according to a third aspect of the present invention is the flow rate detecting element according to the first aspect, wherein the flow rate detecting element is provided between the heat generating portion and the protective film instead of or together with the first intermediate film. A second intermediate film having adhesion to at least one of the heat generating portion and the protective film. In this flow rate detection element, the adhesion between the heat-generating portion (thermosensitive resistor) and the protective film is improved by the second intermediate film.
【００１３】この発明の第４の態様に係る流量検出素子
は、第３の態様に係る流量検出素子において、第２中間
膜が、Ｓi、Ｎi、Ｃr、Ｃo、Ａl及びパーマロイのうち
の少なくとも１つを用いて形成されていることを特徴と
するものである。これらの材料は、例えば白金等からな
る発熱部（感熱抵抗体）と窒化シリコン等からなる保護
膜との間の密着性を有効に高める。また、かかる材料か
らなる第２中間膜は、スパッタ法、ＣＶＤ法、蒸着法な
どによる連続成膜で形成することができるので、該流量
検出素子は、簡素な製造工程によって得ることができ
る。[0013] A flow rate detecting element according to a fourth aspect of the present invention is the flow rate detecting element according to the third aspect, wherein the second intermediate film is formed of at least one of Si, Ni, Cr, Co, Al and Permalloy. It is characterized by being formed using one. These materials effectively increase the adhesion between a heat-generating portion (thermal resistor) made of, for example, platinum and a protective film made of silicon nitride or the like. Further, since the second intermediate film made of such a material can be formed by continuous film formation by a sputtering method, a CVD method, a vapor deposition method, or the like, the flow rate detecting element can be obtained by a simple manufacturing process.
【００１４】この発明の第５の態様に係る流量検出素子
は、第１〜第４の態様のいずれか１つに係る流量検出素
子において、発熱部の厚さをtÅとしたときに、支持膜
の表面粗さが、Ｒa ０.０２５tÅ〜０.２５tÅに設定さ
れていることを特徴とするものである。つまり、発熱部
（感熱抵抗体）の厚さをtÅとしたときに、絶縁性の支
持膜の上に逆スパッタ等により表面粗さがＲa ０.０２
５tÅ〜０.２５tÅの凹凸が形成されたものである。こ
の流量検出素子においては、支持膜上の表面粗さがＲa
０.０２５tÅ〜０.２５tÅの凹凸により、支持膜と発熱
部との間の接触面積が大きくなるので、両者の密着性が
一層良好となる。A flow rate detecting element according to a fifth aspect of the present invention is the flow rate detecting element according to any one of the first to fourth aspects, wherein the thickness of the heat generating portion is tÅ, and Is characterized in that the surface roughness is set to Ra 0.025 tÅ to 0.25 tÅ. That is, when the thickness of the heat generating portion (thermosensitive resistor) is tÅ, the surface roughness is Ra 0.02 on the insulating support film by reverse sputtering or the like.
The unevenness of 5t to 0.25t is formed. In this flow rate detection element, the surface roughness on the support film is Ra.
Since the contact area between the supporting film and the heat generating portion is increased by the unevenness of 0.025 t５ to 0.25 tÅ, the adhesion between the both is further improved.
【００１５】この発明の第６の態様に係る流量検出素子
は、第１〜第５の態様のいずれか１つに係る流量検出素
子において、発熱部に対応する領域で基材が部分的に除
去されてダイヤフラム構造をなすことを特徴とするもの
である。この流量検出素子においては、基材を介しての
熱放散が低減される。The flow rate detecting element according to a sixth aspect of the present invention is the flow rate detecting element according to any one of the first to fifth aspects, wherein the base material is partially removed in a region corresponding to the heat generating portion. And has a diaphragm structure. In this flow detection element, heat dissipation through the base material is reduced.
【００１６】この発明の第７の態様に係る流量センサ
は、第１〜第６の態様のいずれか１つに係る流量検出素
子を用いて計測流体の流量を検出するようになっている
ことを特徴とするものである。この流量センサにおいて
は、第１〜第６の態様のいずれか１つに係る流量検出素
子と同様の作用が得られる。According to a seventh aspect of the present invention, a flow rate sensor detects a flow rate of a measurement fluid by using the flow rate detecting element according to any one of the first to sixth aspects. It is a feature. In this flow sensor, the same operation as the flow detection element according to any one of the first to sixth aspects can be obtained.
【００１７】[0017]
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１と図２とは、
それぞれ、この発明の実施の形態１に係る流量検出素子
の立面断面図と、保護膜を取り除いた状態における平面
図とである。図１及び図２において、１は例えば厚さ約
０.４ｍｍのシリコンよりなる平板状基材であり、この
平板状基材１の裏面には、該平板状基材１にダイヤフラ
ム部を形成するために、開口部２（空洞部）が形成され
ている。そして、この平板状基材１の表面に例えば厚さ
０.５μｍの酸化シリコン等よりなる絶縁性の支持膜３
がスパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法等を用いて形成されて
いる。さらに、この支持膜３の上に、該支持膜３及び白
金等からなる感熱抵抗体の両者に対する密着性の高い、
例えば厚さ０.０５μｍの第１中間膜１１がスパッタ
法、蒸着法、ＣＶＤ法等を用いて形成されている。さら
に、第１中間膜１１の上に、白金等よりなる感熱抵抗体
６、７（発熱部）が蒸着法やスパッタ法等を用いて着膜
されている。これらの感熱抵抗体６、７は、写真製版
法、ウエットエッチング法あるいはドライエッチング法
等を用いてパターニングされ、これにより電流路が形成
されている。パターニングによって形成された感熱抵抗
体６、７の発熱部の大きさは、例えば１ｍｍ×０.０５ｍ
ｍである。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiment 1 FIG. 1 and FIG.
FIG. 2 is an elevational sectional view of the flow rate detecting element according to Embodiment 1 of the present invention, and a plan view in a state where a protective film is removed. 1 and 2, reference numeral 1 denotes a flat substrate made of, for example, silicon having a thickness of about 0.4 mm, and a diaphragm portion is formed on the rear surface of the flat substrate 1 on the flat substrate 1. For this purpose, an opening 2 (hollow portion) is formed. An insulating support film 3 made of, for example, 0.5 μm thick silicon oxide or the like is formed on the surface of the flat substrate 1.
Are formed using a sputtering method, an evaporation method, a CVD method, or the like. Further, on the support film 3, a high adhesion to both the support film 3 and a heat-sensitive resistor made of platinum or the like is provided.
For example, the first intermediate film 11 having a thickness of 0.05 μm is formed by using a sputtering method, an evaporation method, a CVD method, or the like. Further, on the first intermediate film 11, heat-sensitive resistors 6 and 7 (heating portions) made of platinum or the like are deposited by using a vapor deposition method, a sputtering method, or the like. These heat-sensitive resistors 6 and 7 are patterned by using a photoengraving method, a wet etching method, a dry etching method or the like, thereby forming a current path. The size of the heat generating portions of the thermal resistors 6 and 7 formed by patterning is, for example, 1 mm × 0.05 m.
m.
【００１８】また、感熱抵抗体６、７の場合と同様に、
支持膜３の上には、第１中間膜１１を介して、例えば厚
さ０.２μｍの白金等の感熱抵抗体よりなる計測流体温
度補償抵抗体８、９が蒸着法やスパッタ法等を用いて着
膜されている。これらの計測流体温度補償抵抗体８、９
は写真製版法、ウエットエッチング法あるいはドライエ
ッチング法等を用いてパターニングされ、これにより電
流路が形成されている。さらに、感熱抵抗体６、７及び
計測流体温度補償抵抗体８、９ないし支持膜３の上に
は、例えば厚さ１μｍの窒化シリコン等よりなる絶縁性
の保護膜４がスパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法等を用いて
形成されている。なお、平板状基材１の裏面には、裏面
保護膜５が取り付けられている。また、図１において矢
印１０は、計測流体（例えば、空気）の通常の流れ方向
を示している。Further, similarly to the case of the thermal resistors 6 and 7,
On the support film 3, measuring fluid temperature compensating resistors 8 and 9 made of a heat-sensitive resistor such as platinum having a thickness of, for example, 0.2 μm are formed via a first intermediate film 11 by a vapor deposition method, a sputtering method, or the like. Has been deposited. These measurement fluid temperature compensation resistors 8 and 9
Are patterned using a photoengraving method, a wet etching method, a dry etching method, or the like, thereby forming a current path. Further, an insulating protective film 4 made of, for example, silicon nitride having a thickness of 1 μm is formed on the heat-sensitive resistors 6 and 7 and the measurement fluid temperature compensating resistors 8 and 9 and the support film 3 by sputtering, vapor deposition, or the like. It is formed using a CVD method or the like. Note that a back surface protective film 5 is attached to the back surface of the flat substrate 1. In FIG. 1, an arrow 10 indicates a normal flow direction of a measurement fluid (for example, air).
【００１９】感熱抵抗体６、７は、それぞれ、図示して
いない制御回路によって所定の平均温度（一定温度）と
なるように制御されている。なお、図示していないが、
この制御回路は、計測流体温度補償抵抗体８と感熱抵抗
体６とを含む第１のブリッジ回路と、計測流体温度補償
抵抗体９と感熱抵抗体７とを含む第２のブリッジ回路
と、感熱抵抗体６、７を各々流れる加熱電流に相当する
電圧の差を求める回路とで構成されている。感熱抵抗体
６、７の発熱温度をそれぞれ計測流体温度補償抵抗体８、
９で検出された計測流体温度に基づいて適切に変えて行
けば、計測流体の流速と密度の積に相当する量すなわち
流量が、加熱電流より得られる。The heat-sensitive resistors 6 and 7 are controlled by a control circuit (not shown) so as to have a predetermined average temperature (constant temperature). Although not shown,
The control circuit includes a first bridge circuit including a measurement fluid temperature compensation resistor 8 and a thermal resistor 6, a second bridge circuit including a measurement fluid temperature compensation resistor 9 and a thermal resistor 7, And a circuit for determining a voltage difference corresponding to the heating current flowing through each of the resistors 6 and 7. The heating temperatures of the heat-sensitive resistors 6 and 7 are respectively measured by the fluid temperature compensation resistors 8 and
If the temperature is appropriately changed based on the measurement fluid temperature detected in step 9, an amount corresponding to the product of the flow velocity and the density of the measurement fluid, that is, the flow rate, is obtained from the heating current.
【００２０】ここで、計測流体の流速が速くなると、感
熱抵抗体６から計測流体への熱伝達量が多くなるので加
熱電流が増加する。他方、計測流体の流れ方向にみて下
流側に位置する感熱抵抗体７の近傍には、上流側の感熱
抵抗体６によって暖められた流体が流れるので、上流側
の感熱抵抗体６に比べれば加熱電流の増加は少ない。し
たがって、感熱抵抗体６、７の加熱電流の差を求めるこ
とによって、計測流体の流量と流れの方向とを検出する
ことができる。Here, when the flow rate of the measurement fluid increases, the amount of heat transferred from the thermal resistor 6 to the measurement fluid increases, so that the heating current increases. On the other hand, the fluid heated by the upstream thermal resistor 6 flows in the vicinity of the thermal resistor 7 located on the downstream side in the flow direction of the measurement fluid, so that the fluid is heated more than the thermal resistor 6 on the upstream side. The increase in current is small. Therefore, the flow rate and the flow direction of the measurement fluid can be detected by calculating the difference between the heating currents of the thermal resistors 6 and 7.
【００２１】この実施の形態１にかかる流量検出素子
は、前記のとおり、支持膜３と感熱抵抗体６、７との
間、さらには支持膜３と計測流体温度補償抵抗体８、９
との間に、第１中間膜１１が介設された構造を有してい
るが、これらの第１中間膜１１の材料としては、Ｓi、
Ｎi、Ｃr、Ｃo、Ａl及びパーマロイのうちの１つが用い
られる。かかる材料からなる第１中間膜１１と感熱抵抗
体６、７との合成抵抗においては、０°Ｃ〜３５０°Ｃ
の温度範囲ではＴＣＲが単調増加性を示す。したがっ
て、該流量検出素子の流量検出精度が高められる。か
つ、かかる第１中間膜１１は、０℃〜３５０°Ｃの温度
範囲において、感熱抵抗体６、７との密着性が良好であ
るので、信頼性の高い流量検出素子が得られる。As described above, the flow rate detecting element according to the first embodiment is provided between the support film 3 and the heat-sensitive resistors 6 and 7 and further between the support film 3 and the measurement fluid temperature compensation resistors 8 and 9.
Have a structure in which a first intermediate film 11 is interposed between the first intermediate film 11 and the first intermediate film 11.
One of Ni, Cr, Co, Al and Permalloy is used. The combined resistance of the first intermediate film 11 made of such a material and the thermal resistors 6 and 7 is 0 ° C. to 350 ° C.
In the temperature range of, the TCR shows a monotonically increasing property. Therefore, the flow rate detection accuracy of the flow rate detection element is improved. In addition, since the first intermediate film 11 has good adhesion to the heat-sensitive resistors 6 and 7 in a temperature range of 0 ° C. to 350 ° C., a highly reliable flow detecting element can be obtained.
【００２２】実施の形態２．図３と図４とは、それぞ
れ、この発明の実施の形態２に係る流量検出素子の立面
断面図と、保護膜を取り除いた状態における平面図とで
ある。図３及び図４において、１〜１０で示す各部材
は、前記の実施の形態１にかかる流量検出素子と共通の
ものである。しかしながら、この実施の形態２に係る流
量検出素子では、実施の形態１に係る流量検出素子のよ
うな第１中間膜１１は設けられていない。その代わり
に、感熱抵抗体６、７と保護膜４との間、さらには計測
流体温度補償抵抗体８、９と保護膜４との間に、該感熱
抵抗体６、７ないし計測流体温度補償抵抗体８、９及び保
護膜４の両方に対する密着性の良い第２中間膜１２が介
設されている。これらの第２中間膜１２の材料として
は、Ｓi、Ｎi、Ｃr、Ｃo、Ａl及びパーマロイのうちの
１つが用いられる。かかる材料からなる第２中間膜１２
と感熱抵抗体６、７との合成抵抗において、０°Ｃ〜３
５０°Ｃの温度範囲でＴＣＲが単調増加性を示す。した
がって、該流量検出素子の流量検出精度が高められる。
かつ、かかる第２中間膜１２は、０°Ｃ〜３５０°Ｃの
温度範囲において、感熱抵抗体６、７との密着性が良好
であるので、信頼性の高い流量検出素子が得られる。Embodiment 2 FIG. FIGS. 3 and 4 are an elevational cross-sectional view and a plan view of the flow detection element according to Embodiment 2 of the present invention in a state where a protective film is removed, respectively. 3 and 4, the members denoted by 1 to 10 are common to those of the flow rate detecting element according to the first embodiment. However, the flow detecting element according to the second embodiment does not include the first intermediate film 11 as in the flow detecting element according to the first embodiment. Instead, between the thermosensitive resistors 6, 7 and the protective film 4, and further between the measuring fluid temperature compensating resistors 8, 9 and the protective film 4, the thermosensitive resistors 6, 7 or the measuring fluid temperature compensating member are disposed. A second intermediate film 12 having good adhesion to both the resistors 8 and 9 and the protective film 4 is provided. One of Si, Ni, Cr, Co, Al, and permalloy is used as a material of these second intermediate films 12. Second intermediate film 12 made of such a material
0 ° C. to 3 ° C. in the combined resistance of
The TCR shows a monotonic increase in the temperature range of 50 ° C. Therefore, the flow rate detection accuracy of the flow rate detection element is improved.
In addition, since the second intermediate film 12 has good adhesion to the heat-sensitive resistors 6 and 7 in a temperature range of 0 ° C. to 350 ° C., a highly reliable flow detecting element can be obtained.
【００２３】実施の形態３．図５と図６とは、それぞ
れ、この発明の実施の形態３に係る流量検出素子の断面
図と、保護膜を取り除いた状態における平面図とであ
る。図５及び図６において、１〜１０で示す各部材は、
前記の実施の形態１又は実施の形態２に係る流量検出素
子と共通のものである。そして、この実施の形態３に係
る流量検出素子では、実施の形態１に係る流量検出素子
と同様に支持膜３と感熱抵抗体６、７ないし計測流体温
度補償抵抗体８、９との間に第１中間膜１１が介設さ
れ、さらに実施の形態２に係る流量検出素子と同様に感
熱抵抗体６、７ないし計測流体温度補償抵抗体８、９と保
護膜４との間に第２中間膜１２が介設されている。な
お、第１中間膜１１及び第２中間膜１２の材料として
は、実施の形態１又は実施の形態２に係る流量検出素子
の場合と同様に、Ｓi、Ｎi、Ｃr、Ｃo、Ａl及びパーマ
ロイのうちの１つが用いられている。かくして、第１中
間膜１１と第２中間膜１２と感熱抵抗体６、７との合成
抵抗においては、０°Ｃ〜３５０°Ｃの温度範囲でＴＣ
Ｒが単調増加性を示す。したがって、該流量検出素子の
流量検出精度が高められる。かつ、これらの両中間膜１
１、１２は、０°Ｃ〜３５０°Ｃの温度範囲において、
感熱抵抗体６、７ないしは計測流体温度補償抵抗体８、９
との密着性が良好であり、このため信頼性の高い流量検
出素子が得られる。Embodiment 3 FIG. FIGS. 5 and 6 are a cross-sectional view of a flow rate detecting element according to Embodiment 3 of the present invention and a plan view with a protective film removed. 5 and 6, each member denoted by 1 to 10 is:
This is the same as the flow rate detecting element according to the first or second embodiment. In the flow rate detecting element according to the third embodiment, similarly to the flow rate detecting element according to the first embodiment, between the support film 3 and the heat-sensitive resistors 6 and 7 or the measurement fluid temperature compensation resistors 8 and 9. A first intermediate film 11 is provided, and a second intermediate film is provided between the heat-sensitive resistors 6 and 7 or the measurement fluid temperature compensation resistors 8 and 9 and the protective film 4 similarly to the flow rate detecting element according to the second embodiment. A membrane 12 is interposed. The materials of the first intermediate film 11 and the second intermediate film 12 are Si, Ni, Cr, Co, Al, and Permalloy, as in the case of the flow rate detecting element according to the first or second embodiment. One of them is used. Thus, in the combined resistance of the first intermediate film 11, the second intermediate film 12, and the heat-sensitive resistors 6, 7, the TC in the temperature range of 0 ° C. to 350 ° C.
R indicates monotonic increase. Therefore, the flow rate detection accuracy of the flow rate detection element is improved. And both of these intermediate films 1
1, 12 are in a temperature range of 0 ° C. to 350 ° C.
Thermal resistor 6, 7 or measuring fluid temperature compensating resistor 8, 9
And a highly reliable flow detecting element can be obtained.
【００２４】実施の形態４．図７と図８とは、それぞ
れ、この発明の実施の形態４に係る流量検出素子の立面
断面図と、保護膜を取り除いた状態における平面図とで
ある。図７及び図８において、１〜１０で示す各部材
は、前記の実施の形態１に係る流量検出素子と共通のも
のである。ただし、この実施の形態４に係る流量検出素
子では、感熱抵抗体６、７の厚さをtÅとしたときに、支
持膜３の表面を逆スパッタすることにより、該支持膜３
の表面に表面粗さがＲa ０.０２５tÅ〜０.２５tÅの凹
凸面１３が形成されている。Embodiment 4 7 and 8 are an elevational cross-sectional view and a plan view of a flow detection element according to Embodiment 4 of the present invention in a state where a protective film is removed, respectively. 7 and 8, the members denoted by 1 to 10 are common to the flow rate detecting element according to the first embodiment. However, in the flow detecting element according to the fourth embodiment, when the thickness of the thermal resistors 6 and 7 is tÅ, the surface of the support
The surface 13 has an uneven surface 13 having a surface roughness Ra of 0.025 tÅ to 0.25 tÅ.
【００２５】図１１に、感熱抵抗体６、７の厚さをtÅと
し、支持膜３の上の凹凸面１３の表面粗さＲａ（Å）を
種々変化させた場合における、通電時間（ｈｒ）と抵抗
変化率（％）の関係を示す。図１１から明らかなとお
り、表面粗さがＲa ０.０２５tÅ以上では、通電１００
００（１.００Ｅ＋０４）時間においても抵抗値に変化
は認められない。これは、支持膜３の表面が清浄化され
るとともに、支持膜３に凹凸面１３が形成されたことに
より、支持膜３と感熱抵抗体６、７との接触表面積が増
大し、支持膜３と感熱抵抗体６、７との密着力が大きく
なるためである。FIG. 11 shows the energization time (hr) when the thickness of the thermal resistors 6 and 7 is tÅ and the surface roughness Ra (Å) of the uneven surface 13 on the support film 3 is variously changed. And the rate of change of resistance (%). As is clear from FIG. 11, when the surface roughness is Ra 0.025 tÅ or more, the current
No change was observed in the resistance value even at 00 (1.00E + 04) hours. This is because the surface of the support film 3 is cleaned, and the uneven surface 13 is formed on the support film 3, so that the contact surface area between the support film 3 and the heat-sensitive resistors 6 and 7 is increased. This is because the adhesion between the heat-sensitive resistors 6 and 7 is increased.
【００２６】図１２に、支持膜３上の凹凸面１３の表面
粗さＲａ（Å）とウエハ内抵抗値のばらつき（％）の関
係を示す。図１２から明らかなとおり、表面粗さがＲa
０.２５tÅ以上では、ウエハ内抵抗値のばらつきが大き
くなる。これは、表面粗さがＲa ０.２５tÅ以上になる
と、局部的な抵抗断線部が生じてくるため、ウエハ内抵
抗値のばらつきが大きくなるからである。したがって、
図１１及び図１２からは、支持膜３の凹凸面１３の表面
粗さをＲa ０.０２５tÅ〜０.２５tÅに設定すれば、密
着性が良く、かつウエハ内抵抗値のばらつきが小さい流
量検出素子が得られることがわかる。FIG. 12 shows the relationship between the surface roughness Ra (Å) of the uneven surface 13 on the support film 3 and the variation (%) of the resistance value in the wafer. As is clear from FIG. 12, the surface roughness is Ra.
Above 0.25 t}, the variation in the resistance value within the wafer becomes large. This is because, when the surface roughness exceeds Ra 0.25 tÅ, a local resistance disconnection occurs, and the variation in the resistance value within the wafer increases. Therefore,
11 and 12, it can be seen from FIG. 11 that when the surface roughness of the uneven surface 13 of the support film 3 is set to Ra 0.025 tÅ to 0.25 tÅ, the flow rate detecting element has good adhesion and small variation in the resistance value within the wafer. Is obtained.
【００２７】実施の形態５．図９及び図１０は、それぞ
れ、前記の実施の形態１〜４に係る流量検出素子を用い
た流量センサの実施の形態を示す正面図及び側面断面図
である。図９及び図１０において、１４は流量検出素子
であり、１５は検出管路であり、１６は流体の通路であ
る主通路であり、１７は格子状の整流器であり、１８は
制御回路が収められたケースであり、１９は該流量セン
サに電源を供給したり出力を取り出すためのコネクタで
ある。前記の実施の形態１〜４に係る流量検出素子を組
み込むことにより、これらの流量検出素子と同様の作用
・効果を奏する流量センサが得られる。Embodiment 5 FIG. FIGS. 9 and 10 are a front view and a side cross-sectional view, respectively, showing an embodiment of the flow sensor using the flow detecting element according to the first to fourth embodiments. 9 and 10, reference numeral 14 denotes a flow detecting element, 15 denotes a detecting pipe, 16 denotes a main passage which is a fluid passage, 17 denotes a grid-shaped rectifier, and 18 denotes a control circuit. Reference numeral 19 denotes a connector for supplying power to the flow sensor and extracting output. By incorporating the flow detecting elements according to the first to fourth embodiments, a flow sensor having the same operation and effect as those of the flow detecting elements can be obtained.
【００２８】なお、以上の実施の形態では、全ての図に
おいて、この発明の理解を容易にするために、パターン
幅、パターン間距離を実際よりも大きめに図示している
が、実際にはさらに細かなパターニングがなされる場合
もある。In the above embodiments, the pattern width and the distance between the patterns are shown larger than the actual figures in all the figures in order to facilitate understanding of the present invention. Fine patterning may be performed.
【００２９】[0029]
【発明の効果】この発明によれば、以下に示すような顕
著な効果を奏する。すなわち、この発明の第１の態様に
係る流量検出素子によれば、第１中間膜によって支持膜
と発熱部（感熱抵抗体）との間の密着性が良好となるの
で（例えば、０〜３５０°Ｃの温度範囲）、該流量検出
素子の信頼性が高められ、その商品価値が高められる。According to the present invention, the following remarkable effects can be obtained. That is, according to the flow rate detecting element according to the first aspect of the present invention, the first intermediate film improves the adhesion between the supporting film and the heat generating portion (thermosensitive resistor) (for example, 0 to 350). (Temperature range of ° C), the reliability of the flow rate detecting element is enhanced, and its commercial value is enhanced.
【００３０】この発明の第２の態様に係る流量検出素子
によれば、第１中間膜が、Ｓi、Ｎi、Ｃr、Ｃo、Ａl及
びパーマロイのうちの少なくとも１つを用いて形成さ
れ、これらの材料は、例えば酸化シリコン等からなる支
持膜と、白金等からなる発熱部（感熱抵抗体）との間の
密着性を有効に高めるので、該流量検出素子の信頼性が
一層高められる。また、かかる材料からなる第１中間膜
は、スパッタ法、ＣＶＤ法、蒸着法などによる連続成膜
で形成することができるので、該流量検出素子は、簡素
な製造工程によって得ることができ、その製造コストが
低減される。According to the flow detecting element according to the second aspect of the present invention, the first intermediate film is formed by using at least one of Si, Ni, Cr, Co, Al, and Permalloy. The material effectively enhances the adhesion between the support film made of, for example, silicon oxide or the like and the heat-generating portion (heat-sensitive resistor) made of platinum or the like, so that the reliability of the flow rate detecting element is further enhanced. Further, since the first intermediate film made of such a material can be formed by continuous film formation by a sputtering method, a CVD method, a vapor deposition method, etc., the flow rate detecting element can be obtained by a simple manufacturing process. Manufacturing costs are reduced.
【００３１】この発明の第３の態様に係る流量検出素子
によれば、第２中間膜によって発熱部（感熱抵抗体）と
保護膜との間の密着性が良好となるので、該流量検出素
子の信頼性がさらに高められる。According to the flow rate detecting element according to the third aspect of the present invention, the adhesion between the heat-generating portion (thermosensitive resistor) and the protective film is improved by the second intermediate film. Reliability is further enhanced.
【００３２】この発明の第４の態様に係る流量検出素子
によれば、第２中間膜が、Ｓi、Ｎi、Ｃr、Ｃo、Ａl及
びパーマロイのうちの少なくとも１つを用いて形成さ
れ、これらの材料は、例えば白金等からなる発熱部（感
熱抵抗体）と窒化シリコン等からなる保護膜との間の密
着性を有効に高めるので、該流量検出素子の信頼性が一
層高められる。また、かかる材料からなる第２中間膜
は、スパッタ法、ＣＶＤ法、蒸着法などによる連続成膜
で形成することができるので、該流量検出素子は、簡素
な製造工程によって得ることができ、その製造コストが
低減される。According to the flow rate detecting element according to the fourth aspect of the present invention, the second intermediate film is formed by using at least one of Si, Ni, Cr, Co, Al and Permalloy. The material effectively enhances the adhesion between the heat-generating portion (thermal resistor) made of platinum or the like and the protective film made of silicon nitride or the like, so that the reliability of the flow rate detecting element is further enhanced. Further, since the second intermediate film made of such a material can be formed by continuous film formation by a sputtering method, a CVD method, an evaporation method, or the like, the flow rate detection element can be obtained by a simple manufacturing process. Manufacturing costs are reduced.
【００３３】この発明の第５の態様に係る流量検出素子
によれば、支持膜上の表面粗さがＲa ０.０２５tÅ〜
０.２５tÅの凹凸面により、支持膜と発熱部との間の接
触面積が大きくなるので、両者の密着性が一層良好とな
り、該流量検出素子の信頼性がさらに有効に高められ
る。According to the flow rate detecting element according to the fifth aspect of the present invention, the surface roughness of the support film is Ra 0.025 tÅ or more.
Since the contact area between the support film and the heat generating portion is increased by the uneven surface of 0.25 ton, the adhesion between the support film and the heat generating portion is further improved, and the reliability of the flow rate detecting element is more effectively improved.
【００３４】この発明の第６の態様に係る流量検出素子
によれば、基材を介しての熱放散が低減されるので、該
流量検出素子の流量検出精度が高められる。According to the flow rate detecting element according to the sixth aspect of the present invention, since heat dissipation through the base material is reduced, the flow rate detecting accuracy of the flow rate detecting element is improved.
【００３５】この発明の第７の態様に係る流量センサ
は、第１〜第６の態様のいずれか１つに係る流量検出素
子を用いて計測流体の流量を検出するようになっている
ので、これらの流量検出素子と同様の効果を奏する。The flow rate sensor according to the seventh aspect of the present invention detects the flow rate of the fluid to be measured by using the flow rate detecting element according to any one of the first to sixth aspects. The same effects as those of these flow rate detecting elements can be obtained.
【図１】 この発明の実施の形態１に係る感熱式流量検
出素子の立面断面図である。FIG. 1 is an elevational sectional view of a thermosensitive flow rate detecting element according to Embodiment 1 of the present invention.
【図２】 図１に示す流量検出素子の、保護膜を取り除
いた状態における平面図である。FIG. 2 is a plan view of the flow rate detecting element shown in FIG. 1 in a state where a protective film is removed.
【図３】 この発明の実施の形態２に係る感熱式流量検
出素子の立面断面図である。FIG. 3 is an elevational sectional view of a thermosensitive flow rate detecting element according to Embodiment 2 of the present invention.
【図４】 図３に示す流量検出素子の、保護膜を取り除
いた状態における平面図である。FIG. 4 is a plan view of the flow rate detecting element shown in FIG. 3 in a state where a protective film is removed.
【図５】 この発明の実施の形態３に係る感熱式流量検
出素子の立面断面図である。FIG. 5 is an elevational sectional view of a thermosensitive flow rate detecting element according to Embodiment 3 of the present invention.
【図６】 図５に示す流量検出素子の、保護膜を取り除
いた状態における平面図である。FIG. 6 is a plan view of the flow rate detection element shown in FIG. 5 in a state where a protective film has been removed.
【図７】 この発明の実施の形態４に係る感熱式流量検
出素子の立面断面図である。FIG. 7 is an elevational sectional view of a thermosensitive flow rate detecting element according to Embodiment 4 of the present invention.
【図８】 図７に示す流量検出素子の、保護膜を取り除
いた状態における平面図である。FIG. 8 is a plan view of the flow rate detecting element shown in FIG. 7 in a state where a protective film has been removed.
【図９】 この発明の実施の形態５に係る流量センサの
正面図である。FIG. 9 is a front view of a flow sensor according to Embodiment 5 of the present invention.
【図１０】 図９に示す流量センサの側面断面図であ
る。10 is a side sectional view of the flow sensor shown in FIG. 9;
【図１１】 支持膜の表面粗さの差による通電時間と抵
抗変化率の関係を表すグラフである。FIG. 11 is a graph showing the relationship between the energization time and the rate of change in resistance depending on the difference in surface roughness of the support film.
【図１２】 平均表面粗さと抵抗ばらつきの関係を表す
グラフである。FIG. 12 is a graph showing the relationship between average surface roughness and resistance variation.
【図１３】 従来の流量検出素子の立面断面図である。FIG. 13 is an elevational sectional view of a conventional flow rate detecting element.
【図１４】 図１３に示す従来の流量検出素子の、保護
膜を取り除いた状態における平面図である。FIG. 14 is a plan view of the conventional flow rate detecting element shown in FIG. 13 in a state where a protective film has been removed.
１ 平板状基材、２ 開口部、３ 支持膜、４ 保護
膜、５ 裏面保護膜、６ 上流側の感熱抵抗体、７ 下
流側の感熱抵抗体、８ 計測流体温度補償抵抗体、９
計測流体温度補償抵抗体、１０ 流体の流れ方向を示す
矢印、１１ 第１中間膜、１２ 第２中間膜、１３ 凹
凸面、１４ 流量検出素子、１５ 検出管路、１６ 主
通路、１７ 整流器、１８ ケース、１９ コネクタ。REFERENCE SIGNS LIST 1 flat base material, 2 opening, 3 support film, 4 protective film, 5 back protective film, 6 upstream thermal resistor, 7 downstream thermal resistor, 8 measurement fluid temperature compensation resistor, 9
Measuring fluid temperature compensating resistor, 10 Arrow indicating flow direction of fluid, 11 First intermediate film, 12 Second intermediate film, 13 Uneven surface, 14 Flow rate detection element, 15 Detection conduit, 16 Main passage, 17 Rectifier, 18 Case, 19 connectors.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 堤 和彦 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on front page (72) Inventor Kazuhiko Tsutsumi 2-3-2 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo Mitsubishi Electric Corporation
Claims (7)
た、感熱抵抗体よりなる複数の発熱部と、 上記発熱部の上に配置され上記発熱部を保護する絶縁性
の保護膜とを備えていて、 計測流体の流れの方向にみて上流側と下流側の発熱部の
加熱電流の差に相当する量に基づいて、上記計測流体の
流量を計測する感熱式の流量検出素子において、 上記支持膜と上記発熱部との間に、該支持膜及び発熱部
のうちの少なくとも一方に対する密着性を有する第１中
間膜が設けられていることを特徴とする流量検出素子。1. A plurality of flat substrate members, an insulating support film disposed on a surface of the substrate, and a plurality of thermosensitive resistors disposed on the support film and supported by the support film. And a protective insulating film disposed on the heating section to protect the heating section, wherein the heating current of the upstream and downstream heating sections in the flow direction of the measurement fluid is measured. In a heat-sensitive flow rate detecting element that measures the flow rate of the measurement fluid based on the amount corresponding to the difference, a close contact between at least one of the support film and the heat generating portion between the support film and the heat generating portion. A flow rate detecting element comprising a first intermediate film having a property.
o、Ａl及びパーマロイのうちの少なくとも１つを用いて
形成されていることを特徴とする請求項１に記載の流量
検出素子。2. The method according to claim 1, wherein the first intermediate film is made of Si, Ni, Cr, C
The flow rate detecting element according to claim 1, wherein the flow rate detecting element is formed using at least one of o, Al, and permalloy.
間膜とともに、上記発熱部と上記保護膜との間に、該発
熱部及び保護膜のうちの少なくとも一方に対する密着性
を有する第２中間膜が設けられていることを特徴とする
請求項１に記載の流量検出素子。3. The method according to claim 1, wherein the first intermediate film is replaced with or together with the first intermediate film, and has a close contact with at least one of the heat generating unit and the protective film between the heat generating unit and the protective film. The flow rate detecting element according to claim 1, wherein two intermediate films are provided.
o、Ａl及びパーマロイのうちの少なくとも１つを用いて
形成されていることを特徴とする請求項３に記載の流量
検出素子。4. The method according to claim 1, wherein the second intermediate film is made of Si, Ni, Cr, C
The flow rate detection element according to claim 3, wherein the flow rate detection element is formed using at least one of o, Al, and permalloy.
上記支持膜の表面粗さが、Ｒa ０.０２５tÅ〜０.２５t
Åに設定されていることを特徴とする請求項１〜４のい
ずれか１つに記載の流量検出素子。5. When the thickness of the heat generating part is tÅ,
The surface roughness of the support film is Ra 0.025 tÅ to 0.25 t.
The flow rate detection element according to claim 1, wherein the flow rate detection element is set to Å.
部分的に除去されてダイヤフラム構造をなすことを特徴
とする、請求項１〜５のいずれか１つに記載の流量検出
素子。6. The flow rate detecting element according to claim 1, wherein the base material is partially removed in a region corresponding to the heat generating portion to form a diaphragm structure.
量検出素子を用いて計測流体の流量を検出するようにな
っていることを特徴とする流量センサ。7. A flow rate sensor, wherein the flow rate of a measurement fluid is detected using the flow rate detection element according to claim 1. Description:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8732998A JPH11281447A (en) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | Flow rate detecting element and flow rate sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8732998A JPH11281447A (en) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | Flow rate detecting element and flow rate sensor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11281447A true JPH11281447A (en) | 1999-10-15 |
Family
ID=13911840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8732998A Pending JPH11281447A (en) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | Flow rate detecting element and flow rate sensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11281447A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003035581A (en) * | 2001-07-23 | 2003-02-07 | Denso Corp | Method of manufacturing sensor having thin film part |
| KR100626763B1 (en) * | 2001-04-27 | 2006-09-22 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | Flow-rate detecting device for heat-sensitive type flow sensor |
-
1998
- 1998-03-31 JP JP8732998A patent/JPH11281447A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100626763B1 (en) * | 2001-04-27 | 2006-09-22 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | Flow-rate detecting device for heat-sensitive type flow sensor |
| JP2003035581A (en) * | 2001-07-23 | 2003-02-07 | Denso Corp | Method of manufacturing sensor having thin film part |
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