JPH11273855A - 有機el表示器 - Google Patents
有機el表示器Info
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- JPH11273855A JPH11273855A JP10096603A JP9660398A JPH11273855A JP H11273855 A JPH11273855 A JP H11273855A JP 10096603 A JP10096603 A JP 10096603A JP 9660398 A JP9660398 A JP 9660398A JP H11273855 A JPH11273855 A JP H11273855A
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型、薄型化が可能で、均一な面発光が得ら
れ、しかもある程度の輝度を有する有機EL表示器を提
供する。 【解決手段】 基板と、この基板上に単一素子として形
成されたシート状の有機EL構造体と、この有機EL構
造体を封止する封止層とを有し、前記基板には有機EL
構造体を駆動するための電源を供給する端子電極を有
し、かつ所定の大きさの均一な面発光が可能な有機EL
表示器とした。
れ、しかもある程度の輝度を有する有機EL表示器を提
供する。 【解決手段】 基板と、この基板上に単一素子として形
成されたシート状の有機EL構造体と、この有機EL構
造体を封止する封止層とを有し、前記基板には有機EL
構造体を駆動するための電源を供給する端子電極を有
し、かつ所定の大きさの均一な面発光が可能な有機EL
表示器とした。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は有機EL素子に関
し、詳しくは、有機EL素子を表示器とした有機EL表
示器に関する。
し、詳しくは、有機EL素子を表示器とした有機EL表
示器に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、有機EL素子が盛んに研究されて
いる。これは、ホール注入電極上にトリフェニルジアミ
ン(TPD)などのホール輸送材料を蒸着により薄膜と
し、さらにアルミキノリノール錯体(Alq3)などの
蛍光物質を発光層として積層し、さらにMgなどの仕事
関数の小さな金属電極(電子注入電極)を形成した基本
構成を有する素子で、10V前後の電圧で数100から
数10000cd/m2 ときわめて高い輝度が得られること
で注目されている。
いる。これは、ホール注入電極上にトリフェニルジアミ
ン(TPD)などのホール輸送材料を蒸着により薄膜と
し、さらにアルミキノリノール錯体(Alq3)などの
蛍光物質を発光層として積層し、さらにMgなどの仕事
関数の小さな金属電極(電子注入電極)を形成した基本
構成を有する素子で、10V前後の電圧で数100から
数10000cd/m2 ときわめて高い輝度が得られること
で注目されている。
【0003】ところで、従来より家電機器、民生用機器
の電気系統等には、スイッチや各種状態表示等の用途
で、小型の照明器具が用いられている。これらの照明器
具は、その発光の有無や、発光色、発光面にある文字、
記号等により特定の状態を表すものである。このような
従来の小型照明器具には、白熱球、冷陰極管やLEDと
いった発光デバイスが用いられていた。
の電気系統等には、スイッチや各種状態表示等の用途
で、小型の照明器具が用いられている。これらの照明器
具は、その発光の有無や、発光色、発光面にある文字、
記号等により特定の状態を表すものである。このような
従来の小型照明器具には、白熱球、冷陰極管やLEDと
いった発光デバイスが用いられていた。
【0004】しかし、白熱球は光量が多くとれる反面、
消費電力も多く、発熱し、しかも大型であるため、特に
近年の小型、薄型化、小電力化が顕著な電子機器に用い
ることは現実的でない。また、冷陰極管等も比較的大型
のLCDディスプレイのバックライト等としては有用で
あるが、小型で単一発光が目的であるスイッチ類等には
不向きである。LEDは消費電力が少なく、小型で場所
を取らないことから近年盛んに電子機器等に応用されて
いる。しかしながら、LEDは通常点発光源であるた
め、平面発光や所定のパターンで発光する均一な発光面
を得ることが困難である。また、面発光とするためには
散乱光を用いる必要があるが、これを用いてパターン発
光を行うとすると輪郭がぼやけてしまい高品位なパター
ン象を獲ることが困難である。また、その構造上、薄型
にし難いという問題を有している。
消費電力も多く、発熱し、しかも大型であるため、特に
近年の小型、薄型化、小電力化が顕著な電子機器に用い
ることは現実的でない。また、冷陰極管等も比較的大型
のLCDディスプレイのバックライト等としては有用で
あるが、小型で単一発光が目的であるスイッチ類等には
不向きである。LEDは消費電力が少なく、小型で場所
を取らないことから近年盛んに電子機器等に応用されて
いる。しかしながら、LEDは通常点発光源であるた
め、平面発光や所定のパターンで発光する均一な発光面
を得ることが困難である。また、面発光とするためには
散乱光を用いる必要があるが、これを用いてパターン発
光を行うとすると輪郭がぼやけてしまい高品位なパター
ン象を獲ることが困難である。また、その構造上、薄型
にし難いという問題を有している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】この発明の目的は、小
型、薄型化が可能で、均一な面発光が得られ、しかもあ
る程度の輝度を有する有機EL表示器を提供することで
ある。
型、薄型化が可能で、均一な面発光が得られ、しかもあ
る程度の輝度を有する有機EL表示器を提供することで
ある。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、以下の
(1)〜(7)の構成により実現される。 (1) 基板と、この基板上に単一素子として形成され
たシート状の有機EL構造体と、この有機EL構造体を
封止する封止層とを有し、前記基板には有機EL構造体
を駆動するための電源を供給する端子電極を有し、かつ
所定の大きさの面発光が可能な有機EL表示器。 (2) 前記面発光は、その発光面積が1〜10000
mm2 である上記(1)の有機EL表示器。 (3) 前記端子電極を除いた全体の厚みが0.05〜
5mmである上記(1)または(2)の有機EL表示器。 (4) 前記端子電極は、弾性を有する金属であって断
面コ字状の嵌合部とこの嵌合部と一体化しているリード
線とを有し、前記嵌合部は、基板または基板と封止層と
を挟み込むようにして固定されている上記(1)〜
(3)のいずれかの有機EL表示器。 (5) 前記封止層はハーメチックシールまたは樹脂モ
ールドである上記(1)または(2)の有機EL表示
器。 (6) 前記基板は、有機EL構造体が成膜されている
面と同一の面にパッド状の端子電極を有する上記(1)
〜(3)のいずれかの有機EL表示器。 (7) 発光面には少なくとも文字、数字、記号、キャ
ラクタのいずれかを有する上記(1)〜(6)のいずれ
かの有機EL表示器。
(1)〜(7)の構成により実現される。 (1) 基板と、この基板上に単一素子として形成され
たシート状の有機EL構造体と、この有機EL構造体を
封止する封止層とを有し、前記基板には有機EL構造体
を駆動するための電源を供給する端子電極を有し、かつ
所定の大きさの面発光が可能な有機EL表示器。 (2) 前記面発光は、その発光面積が1〜10000
mm2 である上記(1)の有機EL表示器。 (3) 前記端子電極を除いた全体の厚みが0.05〜
5mmである上記(1)または(2)の有機EL表示器。 (4) 前記端子電極は、弾性を有する金属であって断
面コ字状の嵌合部とこの嵌合部と一体化しているリード
線とを有し、前記嵌合部は、基板または基板と封止層と
を挟み込むようにして固定されている上記(1)〜
(3)のいずれかの有機EL表示器。 (5) 前記封止層はハーメチックシールまたは樹脂モ
ールドである上記(1)または(2)の有機EL表示
器。 (6) 前記基板は、有機EL構造体が成膜されている
面と同一の面にパッド状の端子電極を有する上記(1)
〜(3)のいずれかの有機EL表示器。 (7) 発光面には少なくとも文字、数字、記号、キャ
ラクタのいずれかを有する上記(1)〜(6)のいずれ
かの有機EL表示器。
【0007】
【発明の実施の形態】本発明の有機EL表示器は、例え
ば図1に示すように、基板1と、この基板上に単一素子
として形成されたシート状の有機EL構造体3と、この
有機EL構造体中の有機層等を挟み込むようにして形成
されている電極(ホール注入電極、電子注入電極)3
a,3bと、この有機EL構造体を封止する封止層2と
を有し、前記基板1には有機EL構造体3を駆動するた
めの電源を供給する端子電極4を有し、かつ所定の大き
さの均一な面発光が可能である。
ば図1に示すように、基板1と、この基板上に単一素子
として形成されたシート状の有機EL構造体3と、この
有機EL構造体中の有機層等を挟み込むようにして形成
されている電極(ホール注入電極、電子注入電極)3
a,3bと、この有機EL構造体を封止する封止層2と
を有し、前記基板1には有機EL構造体3を駆動するた
めの電源を供給する端子電極4を有し、かつ所定の大き
さの均一な面発光が可能である。
【0008】基板としては特に限定されるものではな
く、有機EL素子が積層可能なものであればよいが、発
光した光を取り出す側の場合、ガラスや石英、樹脂等の
透明ないし半透明材料を用いる。また、基板に色フィル
ター膜や蛍光性物質を含む色変換膜、あるいは誘電体反
射膜を用いて発光色をコントロールしてもよい。また、
発光した光を取り出す側ではない場合には、基板は透明
でも不透明であってもよく、不透明である場合にはセラ
ミックス等を使用してもよい。
く、有機EL素子が積層可能なものであればよいが、発
光した光を取り出す側の場合、ガラスや石英、樹脂等の
透明ないし半透明材料を用いる。また、基板に色フィル
ター膜や蛍光性物質を含む色変換膜、あるいは誘電体反
射膜を用いて発光色をコントロールしてもよい。また、
発光した光を取り出す側ではない場合には、基板は透明
でも不透明であってもよく、不透明である場合にはセラ
ミックス等を使用してもよい。
【0009】基板の大きさも特に限定されるものではな
いが、好ましくは最大長、特に対角長が1〜50mm、特
に2〜30mmの範囲が好ましい。最大長は1mm未満、5
0mmを超えるものであっても問題ないが、収納スペース
が制限されたり、製造が困難になってくる。
いが、好ましくは最大長、特に対角長が1〜50mm、特
に2〜30mmの範囲が好ましい。最大長は1mm未満、5
0mmを超えるものであっても問題ないが、収納スペース
が制限されたり、製造が困難になってくる。
【0010】シート状の有機EL構造体は、基板上に単
一素子として形成されている。ここで、有機EL構造体
とは、ホール注入電極と、電子注入電極と、一種以上の
有機層とを有し、所定の大きさの均一な面発光が可能な
構造体をいう。発光面の大きさとしては、発光面積で1
mm2 以上が好ましく、特に5mm2 以上が好ましい。発光
面の大きさは1mm2 以下であっても問題ないが、本発明
により特に1mm2 以上の発光面で、均一な発光を得るこ
とにより、小型薄型の面発光表示器として使用でき好ま
しい。また、その上限としては特に限定されるものでは
ないが、10000mm2 程度、好ましくは1000mm2
程度である。発光面の大きさが10000mm2 を超える
と、単一の面発光表示器としては用途が制限され、また
均一な面発光が得難くなってくる。
一素子として形成されている。ここで、有機EL構造体
とは、ホール注入電極と、電子注入電極と、一種以上の
有機層とを有し、所定の大きさの均一な面発光が可能な
構造体をいう。発光面の大きさとしては、発光面積で1
mm2 以上が好ましく、特に5mm2 以上が好ましい。発光
面の大きさは1mm2 以下であっても問題ないが、本発明
により特に1mm2 以上の発光面で、均一な発光を得るこ
とにより、小型薄型の面発光表示器として使用でき好ま
しい。また、その上限としては特に限定されるものでは
ないが、10000mm2 程度、好ましくは1000mm2
程度である。発光面の大きさが10000mm2 を超える
と、単一の面発光表示器としては用途が制限され、また
均一な面発光が得難くなってくる。
【0011】封止層の材料としては、好ましくは平板
状、または断面コ字状で内部に有機EL構造体を収容し
うる空間を有するガラスや石英等の硬質部材や、樹脂等
の透明ないし半透明材料が挙げられる。ガラス材とし
て、例えば、ソーダ石灰ガラス、鉛アルカリガラス、ホ
ウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス、シリカガラス
等のガラス組成のものが好ましい。また、樹脂材として
はエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ビニル樹脂、ポリエチ
レン樹脂等が好ましい。また、図1に示すように断面コ
字状のガラスや平板状のガラス等を用いる場合には、封
止用接着剤と、必要によりスペーサとを使用するとよい
(図示せず)。
状、または断面コ字状で内部に有機EL構造体を収容し
うる空間を有するガラスや石英等の硬質部材や、樹脂等
の透明ないし半透明材料が挙げられる。ガラス材とし
て、例えば、ソーダ石灰ガラス、鉛アルカリガラス、ホ
ウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス、シリカガラス
等のガラス組成のものが好ましい。また、樹脂材として
はエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ビニル樹脂、ポリエチ
レン樹脂等が好ましい。また、図1に示すように断面コ
字状のガラスや平板状のガラス等を用いる場合には、封
止用接着剤と、必要によりスペーサとを使用するとよい
(図示せず)。
【0012】端子電極としては、好ましくは、例えば図
2に示すように断面コ字状の嵌合部41と、この嵌合部
41と一体として設けられているリード線42とを有
し、少なくとも嵌合部41は弾性を有する金属よりな
る。リード線42は弾性を有していても有していなくて
もよく、これらの金属は導電性を有し、電気抵抗の低い
ものが好ましい。また、図示例のように一枚の板材から
リ−ド線42の部分を打ち抜き、嵌合部41を曲げ加工
したものでもよい。そして、この嵌合部41を、例えば
図1に示すように有機EL構造体を有する基板1あるい
は封止板2および基板1を挟み込むようにして勘合さ
せ、固定し、これにより基板上に形成された有機EL構
造体3からの導通を図ることができるようになってい
る。
2に示すように断面コ字状の嵌合部41と、この嵌合部
41と一体として設けられているリード線42とを有
し、少なくとも嵌合部41は弾性を有する金属よりな
る。リード線42は弾性を有していても有していなくて
もよく、これらの金属は導電性を有し、電気抵抗の低い
ものが好ましい。また、図示例のように一枚の板材から
リ−ド線42の部分を打ち抜き、嵌合部41を曲げ加工
したものでもよい。そして、この嵌合部41を、例えば
図1に示すように有機EL構造体を有する基板1あるい
は封止板2および基板1を挟み込むようにして勘合さ
せ、固定し、これにより基板上に形成された有機EL構
造体3からの導通を図ることができるようになってい
る。
【0013】端子電極は、図1,2に示すように、リ−
ド線42に対して嵌合部41の開口部分41aが垂直方
向になるようにしてもよいし、図3に示すように水平方
向になるようにしてもよい。
ド線42に対して嵌合部41の開口部分41aが垂直方
向になるようにしてもよいし、図3に示すように水平方
向になるようにしてもよい。
【0014】また、端子電極は、図4に示すようにパッ
ド状に形成してもよい。すなわち、基板1の有機EL構
造体形成面側に、パッド状の導電層を設け、これを端子
電極4bとする。このパッド状の導電層としては、A
l,Au,Ag,Ni,Cu,Ti,TiN等の1種ま
たは2種以上を組み合わせたもの等が好ましい。また、
導電層は基板全体(封止層部分を除く)を覆うようにし
てもよいし、必要な部分にのみ設けるようにしてもよ
い。導電層の厚みとしては、0.0001〜0.05mm
程度が好ましい。
ド状に形成してもよい。すなわち、基板1の有機EL構
造体形成面側に、パッド状の導電層を設け、これを端子
電極4bとする。このパッド状の導電層としては、A
l,Au,Ag,Ni,Cu,Ti,TiN等の1種ま
たは2種以上を組み合わせたもの等が好ましい。また、
導電層は基板全体(封止層部分を除く)を覆うようにし
てもよいし、必要な部分にのみ設けるようにしてもよ
い。導電層の厚みとしては、0.0001〜0.05mm
程度が好ましい。
【0015】本発明の有機EL表示器に用いられる封止
層として、ハーメチックシールを用いてもよい。すなわ
ち、例えば、図5に示すように、上記基板、有機EL構
造体をハーメチックシール内に封入することにより、封
止層とすることができる。このハーメチックシールは金
属製であり、上部カバー2aと、基部2cおよびフラン
ジ2bを有し、さらに上部カバー2aには窓部2dが有
り、これに密着して取り付けられている基板1側から発
光光を外部に取り出せるようになっている。また、有機
EL構造体の各電極は、基板上の引き出し電極を介して
基部2cの端子4aの一端にワイヤーボンディング5に
より接続されている。
層として、ハーメチックシールを用いてもよい。すなわ
ち、例えば、図5に示すように、上記基板、有機EL構
造体をハーメチックシール内に封入することにより、封
止層とすることができる。このハーメチックシールは金
属製であり、上部カバー2aと、基部2cおよびフラン
ジ2bを有し、さらに上部カバー2aには窓部2dが有
り、これに密着して取り付けられている基板1側から発
光光を外部に取り出せるようになっている。また、有機
EL構造体の各電極は、基板上の引き出し電極を介して
基部2cの端子4aの一端にワイヤーボンディング5に
より接続されている。
【0016】さらに、封止層としては、樹脂モールドと
してもよい。この場合、樹脂モールド2dは基板上の有
機EL構造体側にのみ設けてもよいし、図6に示すよう
に基板を含めた全体を覆うようにしてもよい。樹脂モー
ルドに好ましく用いられる樹脂材としては、上記封止用
材料と同様なものが好ましい。樹脂モールド層の厚みと
しては、特に制限されるものではないが、通常、基板か
ら0.5〜3mm程度である。
してもよい。この場合、樹脂モールド2dは基板上の有
機EL構造体側にのみ設けてもよいし、図6に示すよう
に基板を含めた全体を覆うようにしてもよい。樹脂モー
ルドに好ましく用いられる樹脂材としては、上記封止用
材料と同様なものが好ましい。樹脂モールド層の厚みと
しては、特に制限されるものではないが、通常、基板か
ら0.5〜3mm程度である。
【0017】次に、本発明の有機EL表示器の具体的な
実装方法について説明する。
実装方法について説明する。
【0018】図7は、図1に示したようなピンタイプの
端子電極の実装例を示す組立図である。この例では、取
り付け台11上にあるソケット12に有機EL表示器の
端子4を挿入して、有機EL表示器を着脱自在に実装す
るようになっている。なお、ソケット12は端子4と嵌
合しうるものであればその形状や大きさは特に限定され
るのもではなく、弾性を有する金属部材を用いたもの
や、導電性ゴムを用いたもの等いずれのものでもよい。
このようにして組み立てられた有機EL表示器は、例え
ば図8に示すように各表示器毎に種々の文字等を表示さ
せ、全体として(またはその一部を表示させることによ
り)ある種の情報を表示するようにしてもよい。
端子電極の実装例を示す組立図である。この例では、取
り付け台11上にあるソケット12に有機EL表示器の
端子4を挿入して、有機EL表示器を着脱自在に実装す
るようになっている。なお、ソケット12は端子4と嵌
合しうるものであればその形状や大きさは特に限定され
るのもではなく、弾性を有する金属部材を用いたもの
や、導電性ゴムを用いたもの等いずれのものでもよい。
このようにして組み立てられた有機EL表示器は、例え
ば図8に示すように各表示器毎に種々の文字等を表示さ
せ、全体として(またはその一部を表示させることによ
り)ある種の情報を表示するようにしてもよい。
【0019】図9は、図4に示したパッドタイプの端子
電極を有する有機EL表示器の実装例を示した組立図で
ある。図示例では、取り付け台11上に電源Eと接続さ
れる配線導体12bと、弾性金属等からなる接点部材1
2aとを配置し、この上に有機EL表示器を配置して、
さらに押さえ具13によりこれらの部品を取り付け台上
に固定するようになっている。その際、図示例では接点
部材12aの平板状の基部が配線胴体と接触し、これか
ら延び出ている2本のリード線状の弾性金属が、パッド
部分に押圧接触して導電性を確保するようになってい
る。
電極を有する有機EL表示器の実装例を示した組立図で
ある。図示例では、取り付け台11上に電源Eと接続さ
れる配線導体12bと、弾性金属等からなる接点部材1
2aとを配置し、この上に有機EL表示器を配置して、
さらに押さえ具13によりこれらの部品を取り付け台上
に固定するようになっている。その際、図示例では接点
部材12aの平板状の基部が配線胴体と接触し、これか
ら延び出ている2本のリード線状の弾性金属が、パッド
部分に押圧接触して導電性を確保するようになってい
る。
【0020】このようにして組み立てられた有機EL表
示器は、上記例と同様、例えば図10に示すように種々
の文字、記号等を組み合わせて表示することができるよ
うになっている。
示器は、上記例と同様、例えば図10に示すように種々
の文字、記号等を組み合わせて表示することができるよ
うになっている。
【0021】なお、上記例において、取り付け台はプリ
ント基板やフレキシブル基板等でもよく、その場合、ス
ルーホールや端子配線部分に前記有機EL表示器の端子
部を直接取り付けるようにしてもよい。また、図11に
示すように、各有機EL表示器を渡り配線で接続しても
よい。
ント基板やフレキシブル基板等でもよく、その場合、ス
ルーホールや端子配線部分に前記有機EL表示器の端子
部を直接取り付けるようにしてもよい。また、図11に
示すように、各有機EL表示器を渡り配線で接続しても
よい。
【0022】本発明の有機EL表示器は均一な面発光が
可能である。このため、種々の文字、記号等を高精細に
表示することができる。図12〜14はその表示例を示
したもので、図12は文字、記号を、図13は組文字
を、図14は図柄の表示例を示している。これらはポジ
状態でも、ネガ状態でもよく、発光パターンも四角の
他、丸や他の多角形であってもよい。
可能である。このため、種々の文字、記号等を高精細に
表示することができる。図12〜14はその表示例を示
したもので、図12は文字、記号を、図13は組文字
を、図14は図柄の表示例を示している。これらはポジ
状態でも、ネガ状態でもよく、発光パターンも四角の
他、丸や他の多角形であってもよい。
【0023】本発明に用いられる有機EL構造体の薄膜
としては、ホール注入電極、ホール注入輸送層、発光
層、電子注入輸送層、電子注入電極、保護層等が挙げら
れる。
としては、ホール注入電極、ホール注入輸送層、発光
層、電子注入輸送層、電子注入電極、保護層等が挙げら
れる。
【0024】本発明の有機層としては、次のようなもの
である。
である。
【0025】発光層には発光機能を有する化合物である
蛍光性物質が用いられる。このような蛍光性物質として
は、例えば、特開昭63−264692号公報に開示さ
れているような化合物、例えばキナクリドン、ルブレ
ン、スチリル系色素等の化合物から選択される少なくと
も1種が挙げられる。また、トリス(8−キノリノラ
ト)アルミニウム等の8−キノリノールないしその誘導
体を配位子とする金属錯体色素などのキノリン誘導体、
テトラフェニルブタジエン、アントラセン、ペリレン、
コロネン、12−フタロペリノン誘導体等が挙げられ
る。さらには、特願平6−110569号のフェニルア
ントラセン誘導体、特願平6−114456号のテトラ
アリールエテン誘導体等を用いることができる。
蛍光性物質が用いられる。このような蛍光性物質として
は、例えば、特開昭63−264692号公報に開示さ
れているような化合物、例えばキナクリドン、ルブレ
ン、スチリル系色素等の化合物から選択される少なくと
も1種が挙げられる。また、トリス(8−キノリノラ
ト)アルミニウム等の8−キノリノールないしその誘導
体を配位子とする金属錯体色素などのキノリン誘導体、
テトラフェニルブタジエン、アントラセン、ペリレン、
コロネン、12−フタロペリノン誘導体等が挙げられ
る。さらには、特願平6−110569号のフェニルア
ントラセン誘導体、特願平6−114456号のテトラ
アリールエテン誘導体等を用いることができる。
【0026】このような蛍光物質はそれ自体で発光が可
能なホスト物質と組み合わせ、ドーパントとして使用す
ることができる。その場合、発光層における蛍光性物質
の含有量は0.01〜10wt% 、さらには0.1〜5wt
% であることが好ましい。ホスト物質と組み合わせて使
用することによって、ホスト物質の発光波長特性を変化
させることができ、長波長に移行した発光が可能になる
とともに、素子の発光効率や安定性が向上する。
能なホスト物質と組み合わせ、ドーパントとして使用す
ることができる。その場合、発光層における蛍光性物質
の含有量は0.01〜10wt% 、さらには0.1〜5wt
% であることが好ましい。ホスト物質と組み合わせて使
用することによって、ホスト物質の発光波長特性を変化
させることができ、長波長に移行した発光が可能になる
とともに、素子の発光効率や安定性が向上する。
【0027】ホスト物質としては、キノリノラト錯体が
好ましく、さらには8−キノリノールないしその誘導体
を配位子とするアルミニウム錯体が好ましい。このよう
なアルミニウム錯体としては、特開昭63−26469
2号、特開平3−255190号、特開平5−7073
3号、特開平5−258859号、特開平6−2158
74号等に開示されているものを挙げることができる。
好ましく、さらには8−キノリノールないしその誘導体
を配位子とするアルミニウム錯体が好ましい。このよう
なアルミニウム錯体としては、特開昭63−26469
2号、特開平3−255190号、特開平5−7073
3号、特開平5−258859号、特開平6−2158
74号等に開示されているものを挙げることができる。
【0028】具体的には、まず、トリス(8−キノリノ
ラト)アルミニウム、ビス(8−キノリノラト)マグネ
シウム、ビス(ベンゾ{f}−8−キノリノラト)亜
鉛、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウ
ムオキシド、トリス(8−キノリノラト)インジウム、
トリス(5−メチル−8−キノリノラト)アルミニウ
ム、8−キノリノラトリチウム、トリス(5−クロロ−
8−キノリノラト)ガリウム、ビス(5−クロロ−8−
キノリノラト)カルシウム、5,7−ジクロル−8−キ
ノリノラトアルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−
8−ヒドロキシキノリノラト)アルミニウム、ポリ[亜
鉛(II)−ビス(8−ヒドロキシ−5−キノリニル)メ
タン]、等がある。
ラト)アルミニウム、ビス(8−キノリノラト)マグネ
シウム、ビス(ベンゾ{f}−8−キノリノラト)亜
鉛、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウ
ムオキシド、トリス(8−キノリノラト)インジウム、
トリス(5−メチル−8−キノリノラト)アルミニウ
ム、8−キノリノラトリチウム、トリス(5−クロロ−
8−キノリノラト)ガリウム、ビス(5−クロロ−8−
キノリノラト)カルシウム、5,7−ジクロル−8−キ
ノリノラトアルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−
8−ヒドロキシキノリノラト)アルミニウム、ポリ[亜
鉛(II)−ビス(8−ヒドロキシ−5−キノリニル)メ
タン]、等がある。
【0029】また、8−キノリノールないしその誘導体
のほかに他の配位子を有するアルミニウム錯体であって
もよく、このようなものとしては、ビス(2−メチル−
8−キノリノラト)(フェノラト)アルミニウム(III)
、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(オルト−
クレゾラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−
8−キノリノラト)(メタークレゾラト)アルミニウム
(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(パラ
−クレゾラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル
−8−キノリノラト)(オルト−フェニルフェノラト)
アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノ
ラト)(メタ−フェニルフェノラト)アルミニウム(II
I) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(パラ−
フェニルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−
メチル−8−キノリノラト)(2,3−ジメチルフェノ
ラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キ
ノリノラト)(2,6−ジメチルフェノラト)アルミニ
ウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)
(3,4−ジメチルフェノラト)アルミニウム(III) 、
ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(3,5−ジメ
チルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチ
ル−8−キノリノラト)(3,5−ジ−tert−ブチルフ
ェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8
−キノリノラト)(2,6−ジフェニルフェノラト)ア
ルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラ
ト)(2,4,6−トリフェニルフェノラト)アルミニ
ウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)
(2,3,6−トリメチルフェノラト)アルミニウム(I
II) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(2,
3,5,6−テトラメチルフェノラト)アルミニウム(I
II) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(1−ナ
フトラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8
−キノリノラト)(2−ナフトラト)アルミニウム(II
I) 、ビス(2,4−ジメチル−8−キノリノラト)
(オルト−フェニルフェノラト)アルミニウム(III) 、
ビス(2,4−ジメチル−8−キノリノラト)(パラ−
フェニルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2,
4−ジメチル−8−キノリノラト)(メタ−フェニルフ
ェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2,4−ジメチ
ル−8−キノリノラト)(3,5−ジメチルフェノラ
ト)アルミニウム(III) 、ビス(2,4−ジメチル−8
−キノリノラト)(3,5−ジ−tert−ブチルフェノラ
ト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−4−エチ
ル−8−キノリノラト)(パラ−クレゾラト)アルミニ
ウム(III) 、ビス(2−メチル−4−メトキシ−8−キ
ノリノラト)(パラ−フェニルフェノラト)アルミニウ
ム(III) 、ビス(2−メチル−5−シアノ−8−キノリ
ノラト)(オルト−クレゾラト)アルミニウム(III) 、
ビス(2−メチル−6−トリフルオロメチル−8−キノ
リノラト)(2−ナフトラト)アルミニウム(III) 等が
ある。
のほかに他の配位子を有するアルミニウム錯体であって
もよく、このようなものとしては、ビス(2−メチル−
8−キノリノラト)(フェノラト)アルミニウム(III)
、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(オルト−
クレゾラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−
8−キノリノラト)(メタークレゾラト)アルミニウム
(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(パラ
−クレゾラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル
−8−キノリノラト)(オルト−フェニルフェノラト)
アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノ
ラト)(メタ−フェニルフェノラト)アルミニウム(II
I) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(パラ−
フェニルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−
メチル−8−キノリノラト)(2,3−ジメチルフェノ
ラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キ
ノリノラト)(2,6−ジメチルフェノラト)アルミニ
ウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)
(3,4−ジメチルフェノラト)アルミニウム(III) 、
ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(3,5−ジメ
チルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチ
ル−8−キノリノラト)(3,5−ジ−tert−ブチルフ
ェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8
−キノリノラト)(2,6−ジフェニルフェノラト)ア
ルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラ
ト)(2,4,6−トリフェニルフェノラト)アルミニ
ウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)
(2,3,6−トリメチルフェノラト)アルミニウム(I
II) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(2,
3,5,6−テトラメチルフェノラト)アルミニウム(I
II) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(1−ナ
フトラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8
−キノリノラト)(2−ナフトラト)アルミニウム(II
I) 、ビス(2,4−ジメチル−8−キノリノラト)
(オルト−フェニルフェノラト)アルミニウム(III) 、
ビス(2,4−ジメチル−8−キノリノラト)(パラ−
フェニルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2,
4−ジメチル−8−キノリノラト)(メタ−フェニルフ
ェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2,4−ジメチ
ル−8−キノリノラト)(3,5−ジメチルフェノラ
ト)アルミニウム(III) 、ビス(2,4−ジメチル−8
−キノリノラト)(3,5−ジ−tert−ブチルフェノラ
ト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−4−エチ
ル−8−キノリノラト)(パラ−クレゾラト)アルミニ
ウム(III) 、ビス(2−メチル−4−メトキシ−8−キ
ノリノラト)(パラ−フェニルフェノラト)アルミニウ
ム(III) 、ビス(2−メチル−5−シアノ−8−キノリ
ノラト)(オルト−クレゾラト)アルミニウム(III) 、
ビス(2−メチル−6−トリフルオロメチル−8−キノ
リノラト)(2−ナフトラト)アルミニウム(III) 等が
ある。
【0030】このほか、ビス(2−メチル−8−キノリ
ノラト)アルミニウム(III) −μ−オキソ−ビス(2−
メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III) 、ビス
(2,4−ジメチル−8−キノリノラト)アルミニウム
(III) −μ−オキソ−ビス(2,4−ジメチル−8−キ
ノリノラト)アルミニウム(III) 、ビス(4−エチル−
2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III) −
μ−オキソ−ビス(4−エチル−2−メチル−8−キノ
リノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−4
−メトキシキノリノラト)アルミニウム(III) −μ−オ
キソ−ビス(2−メチル−4−メトキシキノリノラト)
アルミニウム(III) 、ビス(5−シアノ−2−メチル−
8−キノリノラト)アルミニウム(III) −μ−オキソ−
ビス(5−シアノ−2−メチル−8−キノリノラト)ア
ルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−5−トリフルオ
ロメチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III) −μ
−オキソ−ビス(2−メチル−5−トリフルオロメチル
−8−キノリノラト)アルミニウム(III) 等であっても
よい。
ノラト)アルミニウム(III) −μ−オキソ−ビス(2−
メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III) 、ビス
(2,4−ジメチル−8−キノリノラト)アルミニウム
(III) −μ−オキソ−ビス(2,4−ジメチル−8−キ
ノリノラト)アルミニウム(III) 、ビス(4−エチル−
2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III) −
μ−オキソ−ビス(4−エチル−2−メチル−8−キノ
リノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−4
−メトキシキノリノラト)アルミニウム(III) −μ−オ
キソ−ビス(2−メチル−4−メトキシキノリノラト)
アルミニウム(III) 、ビス(5−シアノ−2−メチル−
8−キノリノラト)アルミニウム(III) −μ−オキソ−
ビス(5−シアノ−2−メチル−8−キノリノラト)ア
ルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−5−トリフルオ
ロメチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III) −μ
−オキソ−ビス(2−メチル−5−トリフルオロメチル
−8−キノリノラト)アルミニウム(III) 等であっても
よい。
【0031】このほかのホスト物質としては、特願平6
−110569号に記載のフェニルアントラセン誘導体
や特願平6−114456号に記載のテトラアリールエ
テン誘導体なども好ましい。
−110569号に記載のフェニルアントラセン誘導体
や特願平6−114456号に記載のテトラアリールエ
テン誘導体なども好ましい。
【0032】発光層は電子注入輸送層を兼ねたものであ
ってもよく、このような場合はトリス(8−キノリノラ
ト)アルミニウム等を使用することが好ましい。
ってもよく、このような場合はトリス(8−キノリノラ
ト)アルミニウム等を使用することが好ましい。
【0033】電子注入輸送性の化合物としては、キノリ
ン誘導体、さらには8−キノリノールないしその誘導体
を配位子とする金属錯体、特にトリス(8−キノリノラ
ト)アルミニウム(Alq3)を用いることが好まし
い。また、上記のフェニルアントラセン誘導体、テトラ
アリールエテン誘導体を用いるのも好ましい。
ン誘導体、さらには8−キノリノールないしその誘導体
を配位子とする金属錯体、特にトリス(8−キノリノラ
ト)アルミニウム(Alq3)を用いることが好まし
い。また、上記のフェニルアントラセン誘導体、テトラ
アリールエテン誘導体を用いるのも好ましい。
【0034】ホール注入輸送層用の化合物としては、強
い蛍光を持ったアミン誘導体、例えばトリフェニルジア
ミン誘導体、スチリルアミン誘導体、芳香族縮合環を持
つアミン誘導体を用いるのが好ましい。
い蛍光を持ったアミン誘導体、例えばトリフェニルジア
ミン誘導体、スチリルアミン誘導体、芳香族縮合環を持
つアミン誘導体を用いるのが好ましい。
【0035】電子注入電極としては、低仕事関数の物質
が好ましく、例えば、K、Li、Na、Mg、La、C
e、Ca、Sr、Ba、Al、Ag、In、Sn、Z
n、Zr等の金属元素単体、または安定性を向上させる
ためにそれらを含む2成分、3成分の合金系を用いるこ
とが好ましい。合金系としては、例えばAg・Mg(A
g:0.1〜50at%)、Al・Li(Li:0.01
〜12at%)、In・Mg(Mg:50〜80at%)、
Al・Ca(Ca:0.01〜20at%)等が好まし
い。なお、電子注入電極は蒸着法やスパッタ法でも形成
することが可能である。
が好ましく、例えば、K、Li、Na、Mg、La、C
e、Ca、Sr、Ba、Al、Ag、In、Sn、Z
n、Zr等の金属元素単体、または安定性を向上させる
ためにそれらを含む2成分、3成分の合金系を用いるこ
とが好ましい。合金系としては、例えばAg・Mg(A
g:0.1〜50at%)、Al・Li(Li:0.01
〜12at%)、In・Mg(Mg:50〜80at%)、
Al・Ca(Ca:0.01〜20at%)等が好まし
い。なお、電子注入電極は蒸着法やスパッタ法でも形成
することが可能である。
【0036】電子注入電極薄膜の厚さは、電子注入を十
分行える一定以上の厚さとすれば良く、0.1nm以上、
好ましくは1nm以上とすればよい。また、その上限値に
は特に制限はないが、通常膜厚は1〜500nm程度とす
ればよい。電子注入電極の上には、さらに保護電極を設
けてもよい。
分行える一定以上の厚さとすれば良く、0.1nm以上、
好ましくは1nm以上とすればよい。また、その上限値に
は特に制限はないが、通常膜厚は1〜500nm程度とす
ればよい。電子注入電極の上には、さらに保護電極を設
けてもよい。
【0037】保護層としては、金属材料、SiOX 等の
無機材料、テフロン等の有機材料等が挙げられる。
無機材料、テフロン等の有機材料等が挙げられる。
【0038】蒸着時の圧力は好ましくは1×10-8〜1
×10-5Torrで、蒸発源の加熱温度は、金属材料であれ
ば100〜1400℃、有機材料であれば100〜50
0℃程度が好ましい。
×10-5Torrで、蒸発源の加熱温度は、金属材料であれ
ば100〜1400℃、有機材料であれば100〜50
0℃程度が好ましい。
【0039】ホール注入電極は、通常基板側から発光し
た光を取り出す構成であるため、透明ないし半透明な電
極が好ましい。透明電極としては、ITO(錫ドープ酸
化インジウム)、IZO(亜鉛ドープ酸化インジウ
ム)、ZnO、SnO2 、In2O3 等が挙げられる
が、好ましくはITO(錫ドープ酸化インジウム)、I
ZO(亜鉛ドープ酸化インジウム)が好ましい。ITO
は、通常In2 O3 とSnOとを化学量論組成で含有す
るが、O量は多少これから偏倚していてもよい。
た光を取り出す構成であるため、透明ないし半透明な電
極が好ましい。透明電極としては、ITO(錫ドープ酸
化インジウム)、IZO(亜鉛ドープ酸化インジウ
ム)、ZnO、SnO2 、In2O3 等が挙げられる
が、好ましくはITO(錫ドープ酸化インジウム)、I
ZO(亜鉛ドープ酸化インジウム)が好ましい。ITO
は、通常In2 O3 とSnOとを化学量論組成で含有す
るが、O量は多少これから偏倚していてもよい。
【0040】ホール注入電極の厚さは、ホール注入を十
分行える一定以上の厚さを有すれば良く、好ましくは5
0〜500nm、さらには50〜300nmの範囲が好まし
い。また、その上限は特に制限はないが、あまり厚いと
剥離などの心配が生じる。厚さが薄すぎると、製造時の
膜強度やホール輸送能力、抵抗値の点で問題がある。
分行える一定以上の厚さを有すれば良く、好ましくは5
0〜500nm、さらには50〜300nmの範囲が好まし
い。また、その上限は特に制限はないが、あまり厚いと
剥離などの心配が生じる。厚さが薄すぎると、製造時の
膜強度やホール輸送能力、抵抗値の点で問題がある。
【0041】このホール注入電極層は蒸着法等によって
も形成できるが、好ましくはスパッタ法により形成する
ことが好ましい。
も形成できるが、好ましくはスパッタ法により形成する
ことが好ましい。
【0042】電子注入電極の構成材料としては、電子注
入を効果的に行う低仕事関数の物質が好ましい。したが
って、スパッタターゲットとしては、通常このような電
子注入電極構成金属、合金を用いる。これらの仕事関数
は4.5eV以下であり、特に仕事関数が4.0eV以
下の金属、合金が好ましい。
入を効果的に行う低仕事関数の物質が好ましい。したが
って、スパッタターゲットとしては、通常このような電
子注入電極構成金属、合金を用いる。これらの仕事関数
は4.5eV以下であり、特に仕事関数が4.0eV以
下の金属、合金が好ましい。
【0043】スパッタ時のスパッタガスの圧力は、好ま
しくは0.1〜5Paの範囲が好ましい。スパッタガス
は、通常のスパッタ装置に使用される不活性ガスや、反
応性スパッタではこれに加えてN2、H2、O2、C
2H4、NH3等の反応性ガスが使用可能である。
しくは0.1〜5Paの範囲が好ましい。スパッタガス
は、通常のスパッタ装置に使用される不活性ガスや、反
応性スパッタではこれに加えてN2、H2、O2、C
2H4、NH3等の反応性ガスが使用可能である。
【0044】スパッタ法としてはRF電源を用いた高周
波スパッタ法等も可能であるが、成膜レートの制御が容
易であり、有機EL素子構造体へのダメージを少なくす
るためにはDCスパッタ法、特にパルススパッタ法を用
いることが好ましい。DCスパッタ装置の電力として
は、好ましくは0.1〜10W/cm2、特に0.5〜7
W/cm2の範囲である。また、成膜レートは5〜100n
m/min 、特に10〜50nm/min の範囲が好ましい。
波スパッタ法等も可能であるが、成膜レートの制御が容
易であり、有機EL素子構造体へのダメージを少なくす
るためにはDCスパッタ法、特にパルススパッタ法を用
いることが好ましい。DCスパッタ装置の電力として
は、好ましくは0.1〜10W/cm2、特に0.5〜7
W/cm2の範囲である。また、成膜レートは5〜100n
m/min 、特に10〜50nm/min の範囲が好ましい。
【0045】電子注入電極薄膜の厚さは、電子注入を十
分行える一定以上の厚さとすれば良く、1nm以上、好ま
しくは3nm以上とすればよい。また、その上限値には特
に制限はないが、通常膜厚は3〜500nm程度とすれば
よい。
分行える一定以上の厚さとすれば良く、1nm以上、好ま
しくは3nm以上とすればよい。また、その上限値には特
に制限はないが、通常膜厚は3〜500nm程度とすれば
よい。
【0046】本発明に用いられる有機EL表示器は、電
子注入電極の上、つまり有機層と反対側には保護電極を
設けてもよい。保護電極を設けることにより、電子注入
電極が外気や水分等から保護され、構成薄膜の劣化が防
止され、電子注入効率が安定し、素子寿命が飛躍的に向
上する。また、この保護電極は、非常に低抵抗であり、
電子注入電極の抵抗が高い場合には配線電極としての機
能も有する。この保護電極は、好ましくはAl、Alお
よび遷移金属(ただしTiを除く)、Tiまたは窒化チ
タン(TiN)のいずれか1種または2種以上を含有す
る。
子注入電極の上、つまり有機層と反対側には保護電極を
設けてもよい。保護電極を設けることにより、電子注入
電極が外気や水分等から保護され、構成薄膜の劣化が防
止され、電子注入効率が安定し、素子寿命が飛躍的に向
上する。また、この保護電極は、非常に低抵抗であり、
電子注入電極の抵抗が高い場合には配線電極としての機
能も有する。この保護電極は、好ましくはAl、Alお
よび遷移金属(ただしTiを除く)、Tiまたは窒化チ
タン(TiN)のいずれか1種または2種以上を含有す
る。
【0047】保護電極の厚さは、電子注入効率を確保
し、水分や酸素あるいは有機溶媒の進入を防止するた
め、一定以上の厚さとすればよく、好ましくは50nm以
上、さらに100nm以上、特に100〜1000nmの範
囲が好ましい。
し、水分や酸素あるいは有機溶媒の進入を防止するた
め、一定以上の厚さとすればよく、好ましくは50nm以
上、さらに100nm以上、特に100〜1000nmの範
囲が好ましい。
【0048】電極成膜後に、前記保護電極に加えて、S
iOX 等の無機材料、テフロン、塩素を含むフッ化炭素
重合体等の有機材料等を用いた保護膜を形成してもよ
い。保護膜は透明でも不透明であってもよく、保護膜の
厚さは50〜1200nm程度とする。保護膜は前記した
反応性スパッタ法の他に、一般的なスパッタ法、蒸着
法、PECVD法等により形成すればよい。
iOX 等の無機材料、テフロン、塩素を含むフッ化炭素
重合体等の有機材料等を用いた保護膜を形成してもよ
い。保護膜は透明でも不透明であってもよく、保護膜の
厚さは50〜1200nm程度とする。保護膜は前記した
反応性スパッタ法の他に、一般的なスパッタ法、蒸着
法、PECVD法等により形成すればよい。
【0049】本発明の有機EL表示器は、通常、直流駆
動型のEL表示器として用いられるが、交流駆動または
パルス駆動とすることもできる。印加電圧は、通常、2
〜20V 程度とされる。
動型のEL表示器として用いられるが、交流駆動または
パルス駆動とすることもできる。印加電圧は、通常、2
〜20V 程度とされる。
【0050】
【実施例】次に実施例を挙げ、本発明をより具体的に説
明する。 <実施例1>厚さ100nmのITO透明電極(ホール注
入電極)を10×10mmの大きさに成膜、パターニング
したガラス基板(127mm角)を、中性洗剤、アセト
ン、エタノールを用いて超音波洗浄し、次いで煮沸エタ
ノール中から引き上げて乾燥し、表面をUV/O3 洗浄
した後、真空蒸着装置の基板ホルダーに固定して、槽内
を1×10-4Pa以下まで減圧した。
明する。 <実施例1>厚さ100nmのITO透明電極(ホール注
入電極)を10×10mmの大きさに成膜、パターニング
したガラス基板(127mm角)を、中性洗剤、アセト
ン、エタノールを用いて超音波洗浄し、次いで煮沸エタ
ノール中から引き上げて乾燥し、表面をUV/O3 洗浄
した後、真空蒸着装置の基板ホルダーに固定して、槽内
を1×10-4Pa以下まで減圧した。
【0051】次いで、4,4’,4”−トリス(−N−
(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ)トリフ
ェニルアミン(以下、m−MTDATA)を蒸着速度
0.2nm/sec.で40nmの厚さに蒸着し、ホール注入層
とし、次いで減圧状態を保ったまま、N,N’−ジフェ
ニル−N,N’−m−トリル−4,4’−ジアミノ−
1,1’−ビフェニル(TPD)を蒸着速度0.2nm/
sec.で35nmの厚さに蒸着し、ホール輸送層とした。さ
らに、減圧を保ったまま、トリス(8−キノリノラト)
アルミニウム(Alq3 )を蒸着速度0.2nm/sec.で
50nmの厚さに蒸着して、電子注入輸送・発光層とし
た。次いで減圧を保ったまま、スパッタ装置に移し、ス
パッタ法にてMgAg(Ag:10at%)を200nmの
厚さに成膜し、電子注入電極とした。
(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ)トリフ
ェニルアミン(以下、m−MTDATA)を蒸着速度
0.2nm/sec.で40nmの厚さに蒸着し、ホール注入層
とし、次いで減圧状態を保ったまま、N,N’−ジフェ
ニル−N,N’−m−トリル−4,4’−ジアミノ−
1,1’−ビフェニル(TPD)を蒸着速度0.2nm/
sec.で35nmの厚さに蒸着し、ホール輸送層とした。さ
らに、減圧を保ったまま、トリス(8−キノリノラト)
アルミニウム(Alq3 )を蒸着速度0.2nm/sec.で
50nmの厚さに蒸着して、電子注入輸送・発光層とし
た。次いで減圧を保ったまま、スパッタ装置に移し、ス
パッタ法にてMgAg(Ag:10at%)を200nmの
厚さに成膜し、電子注入電極とした。
【0052】得られた有機EL構造体を用い、図1、図
3、図4、図5および図6に示すような有機EL表示器
を作製した。
3、図4、図5および図6に示すような有機EL表示器
を作製した。
【0053】このようにして得られた有機EL表示器を
10mAで定電流駆動したところ均一な面発光が得られ
た。またその際、表面にA〜Zおよび1〜10の文字お
よび数字を表示させた。この表示器を100人の被験者
に見せたところ100人ともLEDのディスプレイと比
較して、見やすいと答え、高い視認性が得られることが
確認された。
10mAで定電流駆動したところ均一な面発光が得られ
た。またその際、表面にA〜Zおよび1〜10の文字お
よび数字を表示させた。この表示器を100人の被験者
に見せたところ100人ともLEDのディスプレイと比
較して、見やすいと答え、高い視認性が得られることが
確認された。
【0054】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、小型、薄
型化が可能で、均一な面発光が得られ、しかもある程度
の輝度を有する有機EL表示器を提供できる。
型化が可能で、均一な面発光が得られ、しかもある程度
の輝度を有する有機EL表示器を提供できる。
【図1】本発明の有機EL表示器の一構成例を示す外観
斜視図である。
斜視図である。
【図2】本発明の有機EL表示器の端子電極の詳細な構
成例を示した外観斜視図である。
成例を示した外観斜視図である。
【図3】本発明の有機EL表示器の端子電極の他の構成
例を示した外観斜視図である。
例を示した外観斜視図である。
【図4】本発明の有機EL表示器の端子電極を、パッド
タイプとした構成例を示した外観斜視図である。
タイプとした構成例を示した外観斜視図である。
【図5】本発明の有機EL表示器の封止層をハーメチッ
クシールとした断面概略図である。
クシールとした断面概略図である。
【図6】本発明の有機EL表示器の封止層を樹脂モール
ドとした断面概略図である。
ドとした断面概略図である。
【図7】図1のタイプの有機EL表示器の実装例を示し
た組立図である。
た組立図である。
【図8】図7の組立後の状態を示す外観斜視図である。
【図9】図4のタイプの有機EL表示器の実装例を示し
た組立図である。
た組立図である。
【図10】図9の組立後の状態を示す外観斜視図であ
る。
る。
【図11】有機EL表示器を渡り配線接続した様子を示
した概略図である。
した概略図である。
【図12】有機EL表示器の表示例で文字・記号の例を
示した図である。
示した図である。
【図13】有機EL表示器の表示例で組文字の例を示し
た図である。
た図である。
【図14】有機EL表示器の表示例で図柄の例を示した
図である。
図である。
1 基板 2 封止層 2d 樹脂モールド 3 有機EL構造体 4 端子電極 4b パッド(端子電極) 5 ワイヤー 10 有機EL表示器 11 取り付け台 12 ソケット 12a 接点部材 12b 配線導体 13 押さえ具
Claims (7)
- 【請求項1】 基板と、この基板上に単一素子として形
成されたシート状の有機EL構造体と、この有機EL構
造体を封止する封止層とを有し、 前記基板には有機EL構造体を駆動するための電源を供
給する端子電極を有し、 かつ所定の大きさの面発光が可能な有機EL表示器。 - 【請求項2】 前記面発光は、その発光面積が1〜10
000mm2 である請求項1の有機EL表示器。 - 【請求項3】 前記端子電極を除いた全体の厚みが0.
05〜5mmである請求項1または2の有機EL表示器。 - 【請求項4】 前記端子電極は、弾性を有する金属であ
って断面コ字状の嵌合部とこの嵌合部と一体化している
リード線とを有し、 前記嵌合部は、基板または基板と封止層とを挟み込むよ
うにして固定されている請求項1〜3のいずれかの有機
EL表示器。 - 【請求項5】 前記封止層はハーメチックシールまたは
樹脂モールドである請求項1または2の有機EL表示
器。 - 【請求項6】 前記基板は、有機EL構造体が成膜され
ている面と同一の面にパッド状の端子電極を有する請求
項1〜3のいずれかの有機EL表示器。 - 【請求項7】 発光面には少なくとも文字、数字、記
号、キャラクタのいずれかを有する請求項1〜6のいず
れかの有機EL表示器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10096603A JPH11273855A (ja) | 1998-03-25 | 1998-03-25 | 有機el表示器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10096603A JPH11273855A (ja) | 1998-03-25 | 1998-03-25 | 有機el表示器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11273855A true JPH11273855A (ja) | 1999-10-08 |
Family
ID=14169457
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10096603A Withdrawn JPH11273855A (ja) | 1998-03-25 | 1998-03-25 | 有機el表示器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11273855A (ja) |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001176681A (ja) * | 1999-12-17 | 2001-06-29 | Nakaya:Kk | 照明装置 |
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