JPH11266057A - Semiconductor laser and optical pickup device - Google Patents
Semiconductor laser and optical pickup deviceInfo
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- JPH11266057A JPH11266057A JP10065875A JP6587598A JPH11266057A JP H11266057 A JPH11266057 A JP H11266057A JP 10065875 A JP10065875 A JP 10065875A JP 6587598 A JP6587598 A JP 6587598A JP H11266057 A JPH11266057 A JP H11266057A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基体上に半
導体レーザや光検出器、分光手段を配置して成る半導体
レーザ装置に係わり、また例えばコンパクトディスクや
記録再生光ディスク等の記録媒体の情報の読み出し又は
書き込みを行う光ディスク用光ピックアップ装置に係わ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor laser device having a semiconductor substrate, a semiconductor laser, a photodetector, and a spectroscopic means arranged on a semiconductor substrate. The present invention relates to an optical pickup device for an optical disk that performs reading or writing.
【0002】[0002]
【従来の技術】先に提案した光学ピックアップ装置の構
成図を図6に示す(特開昭62−196880号参
照)。この光学ピックアップ装置50は、光検出部とし
てフォトダイオードPDから成る光検出器53を有する
シリコン等から成る半導体基板52上に半導体レーザ5
1を配し、更に半導体基板52上に半導体レーザ51か
ら出射されるレーザ光Lを記録媒体55上に導くプリズ
ム54を設けている。2. Description of the Related Art FIG. 6 shows the configuration of an optical pickup device proposed earlier (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-196880). The optical pickup device 50 includes a semiconductor laser 5 on a semiconductor substrate 52 made of silicon or the like having a photodetector 53 composed of a photodiode PD as a photodetector.
1, and a prism 54 for guiding the laser light L emitted from the semiconductor laser 51 onto the recording medium 55 is provided on the semiconductor substrate 52.
【0003】プリズム54は、その半導体レーザ51に
対向する面54aが半透過反射面とされ、半導体レーザ
51から出射されたレーザ光Lを反射し、記録媒体55
からの戻り光を透過する。また半導体基板52に対接し
ている面54bのうちで光検出器53の近傍以外の部分
と面54bに対向している面54cとが共に反射面とな
っている。The prism 54 has a surface 54a facing the semiconductor laser 51 as a semi-transmissive reflection surface, reflects the laser beam L emitted from the semiconductor laser 51, and
Transmits the return light from Further, of the surface 54b in contact with the semiconductor substrate 52, a portion other than the vicinity of the photodetector 53 and the surface 54c facing the surface 54b are both reflection surfaces.
【0004】そして、記録媒体55からの反射光は、プ
リズム54の面54aを透過して面54b及び面面54
cで反射されて、半導体基板52上に設けられたフォト
ダイオードPDから成る光検出器53に導かれ検出され
る。Then, the reflected light from the recording medium 55 passes through the surface 54a of the prism 54 and passes through the surface 54b and the surface 54b.
The light reflected by c is guided to a photodetector 53 composed of a photodiode PD provided on a semiconductor substrate 52 and detected.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
光学ピックアップ装置50では記録媒体55上に複数の
記録再生スポットを生成する方法が示されておらず、特
に記録媒体55の再生時において、高速アクセスが難し
い、もしくはトラッキング制御に必要な信号が得にくい
といった問題があった。However, the above-described optical pickup device 50 does not show a method of generating a plurality of recording / reproducing spots on the recording medium 55. Or it is difficult to obtain signals required for tracking control.
【0006】一方、回折格子を通過させることにより複
数の記録再生スポットを形成した場合には、往路で回折
格子を通過する際に複数のスポットが形成された後、復
路で回折格子を通過する際に、各スポットがさらに複数
の光に分かれるため、光学ピックアップ装置の動作にと
って不要なもしくは有害な光を生じてしまう。On the other hand, when a plurality of recording / reproducing spots are formed by passing through a diffraction grating, a plurality of spots are formed when passing through the diffraction grating on the outward path, and thereafter, when a plurality of spots are formed on the return path. In addition, since each spot is further divided into a plurality of lights, unnecessary or harmful lights are generated for the operation of the optical pickup device.
【0007】上述した問題の解決のために、本発明にお
いては、複数のレーザ光のスポットの検出を行うことが
できる半導体レーザ装置、及び検出器上に不要な又は有
害なレーザ光を発生することなくトラッキング制御に必
要な信号を得ることができる光学ピックアップ装置を提
供するものである。In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a semiconductor laser device capable of detecting a plurality of laser light spots, and generating unnecessary or harmful laser light on a detector. It is an object of the present invention to provide an optical pickup device capable of obtaining a signal necessary for tracking control without using the signal.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ装
置は、光検出器が形成された半導体基体を有し、この半
導体基体上に半導体レーザが配置され、かつ光検出器を
覆って分光手段が配置され、光検出器は複数のレーザ光
スポットの各スポットの検出を行う複数の部分に分割さ
れて成るものである。SUMMARY OF THE INVENTION A semiconductor laser device according to the present invention has a semiconductor substrate on which a photodetector is formed, on which a semiconductor laser is disposed, and which covers the photodetector. And the photodetector is divided into a plurality of portions for detecting each of the plurality of laser light spots.
【0009】本発明の光学ピックアップ装置は、半導体
基体上に半導体レーザが配置され、複数のレーザ光スポ
ットの各スポットの検出を行う複数の部分に分割された
光検出器を覆って分光手段が配置されて成る半導体レー
ザ装置と、偏光ホログラム素子と、半導体レーザ装置か
らのレーザ光を収束する収束手段とを有し、偏光ホログ
ラム素子は、半導体レーザ装置と収束手段との間に配置
され、半導体レーザからのレーザ光を複数の回折光に分
割して、複数の光スポットを記録媒体に照射するもので
ある。In the optical pickup device according to the present invention, a semiconductor laser is disposed on a semiconductor substrate, and a spectral unit is disposed so as to cover a photodetector divided into a plurality of portions for detecting each of a plurality of laser light spots. A semiconductor laser device, a polarization hologram element, and a converging means for converging laser light from the semiconductor laser apparatus, wherein the polarization hologram element is disposed between the semiconductor laser apparatus and the converging means. Is divided into a plurality of diffracted light beams, and a plurality of light spots are irradiated on a recording medium.
【0010】上述の本発明の半導体レーザ装置によれ
ば、光検出器が複数のレーザ光スポットの各スポットの
検出を行う複数の部分に分割されて成ることにより、例
えば分割された各回折光をそれぞれ検出して、トラッキ
ングエラー信号の検出等に利用することができる。According to the above-described semiconductor laser device of the present invention, the photodetector is divided into a plurality of portions for detecting each of the plurality of laser light spots. Each of them can be detected and used for detecting a tracking error signal.
【0011】上述の本発明の光学ピックアップ装置によ
れば、偏光ホログラム素子によって半導体レーザからの
レーザ光を複数の回折光に分割して、複数の光スポット
を記録媒体に照射するため、この複数の光スポットを用
いて、トラッキングエラー信号の検出等に利用すること
ができる。According to the above-described optical pickup apparatus of the present invention, the laser beam from the semiconductor laser is divided into a plurality of diffracted lights by the polarization hologram element and a plurality of light spots are irradiated on the recording medium. The light spot can be used for detecting a tracking error signal.
【0012】[0012]
【発明の実施の形態】本発明は、光検出器が形成された
半導体基体を有し、この半導体基体上に半導体レーザが
配置され、かつ光検出器を覆って分光手段が配置され、
光検出器は、複数のレーザ光スポットの各スポットの検
出を行う複数の部分に分割されて成る半導体レーザ装置
である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention has a semiconductor substrate on which a photodetector is formed, a semiconductor laser is disposed on the semiconductor substrate, and a spectral means is disposed over the photodetector.
The photodetector is a semiconductor laser device divided into a plurality of portions for detecting each of a plurality of laser light spots.
【0013】また本発明は、上記半導体レーザ装置にお
いて、光検出器が、3つの光スポットの各光スポットの
検出を行う3つの部分に分割されている構成とする。Further, according to the present invention, in the semiconductor laser device described above, the photodetector is divided into three portions for detecting each of the three light spots.
【0014】また本発明は、上記半導体レーザ装置にお
いて、3つの部分がそれぞれ2分割され、さらに3つの
部分の内1つの部分がさらに2分割されて4分割され、
合計8分割の光検出器が形成されて成る構成とする。According to the present invention, in the above-described semiconductor laser device, three portions are each divided into two, and one of the three portions is further divided into two to be divided into four,
It is assumed that a total of eight photodetectors are formed.
【0015】また本発明は、上記半導体レーザ装置にお
いて、分光手段が半導体レーザに対向する半透過反射面
を有して成る構成とする。Further, according to the present invention, in the above-mentioned semiconductor laser device, the spectroscopic means has a semi-transmissive reflection surface facing the semiconductor laser.
【0016】本発明は、半導体基体上に半導体レーザが
配置され、複数のレーザ光スポットの各スポットの検出
を行う複数の部分に分割された光検出器を覆って分光手
段が配置されて成る半導体レーザ装置と、偏光ホログラ
ム素子と、半導体レーザ装置からのレーザ光を収束する
収束手段とを有し、偏光ホログラム素子は、半導体レー
ザ装置と収束手段との間に配置され、半導体レーザから
のレーザ光を複数の回折光に分割して、複数の光スポッ
トを記録媒体に照射する光学ピックアップ装置である。According to the present invention, there is provided a semiconductor device in which a semiconductor laser is arranged on a semiconductor substrate, and a spectral means is arranged so as to cover a photodetector divided into a plurality of portions for detecting each of a plurality of laser light spots. A laser device, a polarization hologram element, and convergence means for converging laser light from the semiconductor laser device, wherein the polarization hologram element is disposed between the semiconductor laser device and the convergence means; Is an optical pickup device that divides a light beam into a plurality of diffracted light beams and irradiates a recording medium with a plurality of light spots.
【0017】また本発明は、上記光学ピックアップ装置
において、偏光ホログラム素子の記録媒体の側に1/4
波長板が配置された構成とする。Further, according to the present invention, in the above optical pickup device, a quarter of the polarization hologram element is provided on the side of the recording medium.
The configuration is such that a wave plate is arranged.
【0018】また本発明は、上記光学ピックアップ装置
において、複数の回折光の反射光を用いて光検出器にお
いてトラッキングエラー信号を得る構成とする。Further, the present invention is configured such that in the optical pickup device, a tracking error signal is obtained in a photodetector using reflected light of a plurality of diffracted lights.
【0019】また本発明は、上記光学ピックアップ装置
において、複数の回折光の反射光を用いて光検出器にお
いてクロストラッキング信号を得る構成とする。Further, according to the present invention, in the above-described optical pickup device, a cross-tracking signal is obtained in a photodetector using reflected light of a plurality of diffracted lights.
【0020】図1は本発明に係る光学ピックアップ装置
の一実施の形態の装置全体のブロック図を示す。FIG. 1 is a block diagram of the entire optical pickup device according to an embodiment of the present invention.
【0021】まず、記録時において、記録用データDR
は、記録媒体例えば光ディスク43に効率よく記録する
ため、変調器34により変調を受けて、この変調を受け
た記録信号SR がレーザドライバ33を経て光学ブロッ
ク41内のレーザダイオードLDに供給され、この記録
信号SR によってレーザビームの強度が変調される。First, at the time of recording, the recording data D R
Is modulated by a modulator 34 to efficiently record on a recording medium, for example, an optical disk 43, and the modulated recording signal S R is supplied to a laser diode LD in an optical block 41 via a laser driver 33, The intensity of the laser beam is modulated by the recording signal S R.
【0022】記録信号SR により強度変調されたレーザ
ビームは、光学ブロック41内の対物レンズ(図示せ
ず)により絞り込まれ、スピンドルモーター42で回転
駆動されている光ディスク43に焦点を結ぶ。The laser beam intensity-modulated by the recording signal S R is narrowed down by an objective lens (not shown) in the optical block 41, and focuses on an optical disk 43 driven by a spindle motor 42.
【0023】光ディスク43には予めスピンコート或い
はスパッタリング等により成膜された記録膜が設けられ
ており、レーザスポットの光エネルギー或いは熱エネル
ギーにより形成される記録マークの並んだ信号トラック
が記録される。The optical disc 43 is provided with a recording film previously formed by spin coating, sputtering, or the like, and records a signal track in which recording marks formed by light energy or heat energy of a laser spot are arranged.
【0024】一方、再生時には、弱い光強度のレーザビ
ームにより、光ディスク43の信号トラックが読み出さ
れ、これにより得られた再生信号Sp は、再生イコライ
ザ/PLL回路31を経てクロック再生された後、復調
器32により復調され再生用データDp となる。On the other hand, at the time of reproduction, a laser beam of low light intensity, the signal track of the optical disc 43 is read out, the reproduction signal S p thereby obtained, after being clock recovery through a playback equalizer / PLL circuit 31 , demodulated by the demodulator 32 the data for reproduction D p.
【0025】また、このとき、再生信号Sp は、アドレ
スデコーダ35にも送られることより、光ディスク43
内に予め印された記録トラックやセクタを示すコードを
検出し、レーザビームが当たっている光ディスク43内
の位置が識別される。At this time, the reproduction signal Sp is also sent to the address decoder 35, so that the optical disk 43
A code indicating a recording track or a sector marked in advance is detected, and a position in the optical disk 43 to which the laser beam is irradiated is identified.
【0026】また、記録時及び再生時には、光ディスク
43の面ぶれや、記録トラックの偏芯等に対して、記録
スポットを元通りトラックに追従させるための焦点(フ
ォーカス)制御、トラッキング制御がなされる。これら
フォーカス制御やトラッキング制御は、次のように行わ
れる。At the time of recording and reproduction, focus control and tracking control are performed for causing the recording spot to follow the track as it is with respect to the deviation of the surface of the optical disk 43 and the eccentricity of the recording track. . These focus control and tracking control are performed as follows.
【0027】光学ブロック41内に設けられた、焦点誤
差信号(いわゆるフォーカスエラー信号FE)や、トラ
ック外れ誤差信号(いわゆるトラッキングエラー信号T
E)の検出器、即ちフォトダイオードからなる光検出器
PDA ,PDB (図4参照)からの出力、即ちフォーカ
スエラー信号FE及びトラッキングエラー信号TEによ
り、フォーカス制御回路36、トラッキング制御回路3
7が働く。そして、これらの制御信号FE,TEは、光
学ブロック41内の対物レンズを駆動する二軸デバイス
(図示せず)のそれぞれフォーカスコイルFC、トラッ
キングコイルTCに供給され、これにより光ディスク4
3に対する対物レンズの位置調整が行われる。A focus error signal (so-called focus error signal FE) and an off-track error signal (so-called tracking error signal T) provided in the optical block 41 are provided.
E), that is, the outputs from the photodetectors PD A and PD B (see FIG. 4) composed of photodiodes, that is, the focus error signal FE and the tracking error signal TE, and the focus control circuit 36 and the tracking control circuit 3
7 works. Then, these control signals FE and TE are supplied to a focus coil FC and a tracking coil TC of a biaxial device (not shown) for driving an objective lens in the optical block 41.
The position of the objective lens with respect to 3 is adjusted.
【0028】また、光ディスク43の記録部の内周から
外周まで追従させるための光学ブロック41の移動は、
スライド制御回路38から供給される制御信号により制
御される。光ディスク43の回転スピンドルモーター4
2の駆動は、スピンドル制御回路39から供給される制
御信号により制御される。The movement of the optical block 41 for following from the inner circumference to the outer circumference of the recording portion of the optical disk 43 is as follows.
It is controlled by a control signal supplied from the slide control circuit 38. Rotary spindle motor 4 for optical disk 43
2 is controlled by a control signal supplied from the spindle control circuit 39.
【0029】そして、アドレスデコーダ35及び各制御
回路36,37,38,39の制御は、これらの回路と
バスラインBLを介して接続されたシステムコントロー
ル部40によって行われる。The address decoder 35 and the control circuits 36, 37, 38, 39 are controlled by a system control unit 40 connected to these circuits via a bus line BL.
【0030】次に、光学ブロックの構成の一形態を図2
に示す。この光学ブロック10は、半導体レーザ装置と
してのレーザフォトダイオードユニット1、コリメート
レンズ2、偏光ホログラム素子3、1/4波長板4、及
び対物レンズ5から構成されている。レーザフォトダイ
オードユニット1は、後述するように光源としての半導
体レーザ、光検出器としてのフォトダイオードが作り込
まれた半導体基板、及びプリズム等のその他の光学部品
から構成される。Next, one embodiment of the configuration of the optical block is shown in FIG.
Shown in The optical block 10 includes a laser photodiode unit 1 as a semiconductor laser device, a collimator lens 2, a polarization hologram element 3, a quarter-wave plate 4, and an objective lens 5. The laser photodiode unit 1 includes a semiconductor laser as a light source, a semiconductor substrate in which a photodiode as a photodetector is built, and other optical components such as a prism, as described later.
【0031】レーザフォトダイオードユニット1に設け
られた半導体レーザから出射したレーザビームは、例え
ばレーザフォトダイオードユニット1の基板に垂直な方
向に進み、コリメートレンズ2により平行ビームに変換
された後に、偏光ホログラム素子3に導かれる。The laser beam emitted from the semiconductor laser provided in the laser photodiode unit 1 travels, for example, in a direction perpendicular to the substrate of the laser photodiode unit 1 and is converted into a parallel beam by the collimating lens 2 before being converted into a polarization hologram. It is led to the element 3.
【0032】そして、この平行ビームは、偏光ホログラ
ム素子3により回折を受けて、3つ以上のビーム、この
図2の場合は、0次回折光と±1次回折光の3本のビー
ムに分かれ、分かれたビームが1/4波長板4を透過す
ることにより円偏光になって、対物レンズ5に導かれ、
ここで絞り込まれる。The parallel beam is diffracted by the polarization hologram element 3 and is divided into three or more beams, in this case, three beams of 0th-order diffracted light and ± 1st-order diffracted light, and is divided into three beams. The transmitted beam passes through the quarter wavelength plate 4 to become circularly polarized light, and is guided to the objective lens 5,
It is narrowed down here.
【0033】対物レンズ5により絞り込まれたレーザ光
の3つのスポットは、例えば図3に示すように案内溝
(グルーブ)部G及び溝間(ランド)部Lが設けられた
光ディスク等の記録媒体に配置される。図3の場合は、
中央のスポットS0 が溝間部Lに、外側のスポットS1
が溝間部Lから案内溝部Gに向かって、互いに逆の方向
に、溝の幅の1/4シフトした位置にそれぞれ配置され
ている。The three spots of the laser beam narrowed by the objective lens 5 are applied to a recording medium such as an optical disk provided with a guide groove (groove) portion G and an inter-groove (land) portion L as shown in FIG. Be placed. In the case of FIG.
The center spot S 0 is in the inter-groove portion L, and the outer spot S 1
Are arranged in positions opposite to each other from the inter-groove portion L toward the guide groove portion G at positions shifted by 4 of the width of the groove.
【0034】記録媒体6から反射されたビーム(戻り
光)は、対物レンズ5、1/4波長板4、偏光ホログラ
ム素子3を通過し、更にコリメートレンズ2を通過しレ
ーザ・フォトダイオードユニット1に戻り、このフォト
ダイオードユニット1に形成されたフォトダイオード上
に結像される。尚、復路では、1/4波長板4により偏
光方向が90°異なる偏光ビームとされ、この偏光ビー
ムが偏光ホログラム素子3を透過するため、ビームの回
折が起こらない。従って、ビームが往路で分かれた本数
以上に増えることがなく、半導体レーザ装置の動作に不
要な光や異常な光を生じることがない。The beam (return light) reflected from the recording medium 6 passes through the objective lens 5, the quarter-wave plate 4, the polarization hologram element 3, and further passes through the collimator lens 2 to the laser photodiode unit 1. Then, the image is formed on the photodiode formed in the photodiode unit 1. In the return path, the quarter-wave plate 4 forms a polarized beam whose polarization direction is different by 90 °, and since this polarized beam passes through the polarization hologram element 3, the beam does not undergo diffraction. Therefore, the beam does not increase more than the number of beams split on the outward path, and unnecessary light or abnormal light for the operation of the semiconductor laser device does not occur.
【0035】図4に本発明の半導体レーザ装置の一実施
の形態として、図2のレーザフォトダイオードユニット
1の概略構成図を示す。図4Aは、レーザ光が通過する
面による断面図、図4Bは平面図を示す。FIG. 4 is a schematic configuration diagram of the laser photodiode unit 1 of FIG. 2 as one embodiment of the semiconductor laser device of the present invention. FIG. 4A is a cross-sectional view of a surface through which laser light passes, and FIG. 4B is a plan view.
【0036】半導体レーザ12は、シリコン、窒化アル
ミニウム等から成るサブマウント材13を介して、シリ
コン基板11上に固定されている。このシリコン基板1
1には、光検出器として2つのフォトダイオードPDA
及びPDB が予め形成されている。The semiconductor laser 12 is fixed on the silicon substrate 11 via a submount 13 made of silicon, aluminum nitride or the like. This silicon substrate 1
1 has two photodiodes PD A as photodetectors.
And PD B are preformed.
【0037】そして、2つのフォトダイオードPDA ,
PDB を覆ってシリコン基板11上に、ガラスプリズム
14が配置されている。このガラスプリズム14は、半
導体レーザ12に対向して設けられた斜面14aと、底
面14b及び上面14cとを有している。斜面14aは
半透過反射面とされ、半導体レーザ12からのレーザ光
を反射し、記録媒体6からの戻り光を透過するように構
成される。また、底面14b及び上面14cにおいて、
レーザ光が反射するように構成される。Then, the two photodiodes PD A ,
On the silicon substrate 11 to cover the PD B, the glass prisms 14 are disposed. The glass prism 14 has a slope 14a provided to face the semiconductor laser 12, and a bottom surface 14b and a top surface 14c. The slope 14 a is a semi-transmissive reflection surface, and is configured to reflect the laser light from the semiconductor laser 12 and transmit the return light from the recording medium 6. Also, on the bottom surface 14b and the upper surface 14c,
The laser light is configured to be reflected.
【0038】また、一般に半導体レーザは、発散ビーム
広がり角に異方性があるため、この図4の場合は、この
レーザ光の異方性を補正するためのアナモルフィックレ
ンズ15をレーザ光の出射位置の前に配置している。そ
して、レーザ光をこのアナモルフィックレンズ15に通
過させることにより、レーザ光の有効利用を図るように
している。Since a semiconductor laser generally has an anisotropic diverging beam divergence angle, in the case of FIG. 4, an anamorphic lens 15 for correcting the anisotropy of the laser beam is used. It is arranged before the emission position. The laser light is passed through the anamorphic lens 15 so that the laser light can be effectively used.
【0039】半導体レーザ12から出射したレーザビー
ムは、アナモルフィックレンズ15を通過して異方性が
補正された後、半導体レーザ12に対向して配置された
ガラスプリズム14の半透過反射面とされた斜面14a
で反射して記録媒体6に向かう。その後、記録媒体6で
反射された反射ビーム、この場合は図2に示した偏光ホ
ログラム素子3により3本に分割された反射ビームは、
半導体レーザ12に対向して配置されたガラスプリズム
14の半透過反射面とされた斜面14aを透過し、この
透過の際に屈折する。After the laser beam emitted from the semiconductor laser 12 passes through the anamorphic lens 15 and the anisotropy is corrected, the laser beam passes through the semi-transmissive reflection surface of the glass prism 14 disposed opposite to the semiconductor laser 12. Slope 14a
At the recording medium 6. Thereafter, the reflected beam reflected by the recording medium 6, in this case, the reflected beam divided into three by the polarization hologram element 3 shown in FIG.
The light passes through an inclined surface 14a, which is a semi-transmissive reflection surface, of a glass prism 14 arranged to face the semiconductor laser 12, and is refracted during this transmission.
【0040】そして、3本の反射ビームは、さらにガラ
スプリズム14の底面14b及び上面14cで反射を繰
り返して、それぞれシリコン基板11に形成された2つ
のフォトダイオードPDA ,PDB に導かれる。3本の
反射ビームは、前方のフォトダイオードPDA に入射か
つ反射する際には、横長即ち反射ビームが通過する面S
方向に長い楕円形状の光スポットとなり、ガラスプリズ
ム14の上面14cで反射し、後方のフォトダイオード
PDB に入射する際には、縦長即ち反射ビームが通過す
る面Sに垂直な方向に長い楕円形状の光スポットとな
る。The three reflected beams are repeatedly reflected on the bottom surface 14b and the top surface 14c of the glass prism 14, and are guided to two photodiodes PD A and PD B formed on the silicon substrate 11, respectively. 3 reflected beam of the present, when incident and reflected forward of the photodiode PD A passes the horizontal i.e. reflected beam plane S
Become light spot long elliptical shape in the direction, reflected by the top surface 14c of the glass prism 14, a long oval shape when it enters the rear of the photo diode PD B is a vertically elongated i.e. a direction perpendicular to the surface S of the reflected beam passes Light spot.
【0041】この図4の場合は、前方のフォトダイオー
ドPDA が、反射ビームの中央のビームを検出し、後方
のフォトダイオードPDB が、反射ビームの3つのビー
ムを検出するように形成されている。In the case of FIG. 4, the front photodiode PD A is formed to detect the central beam of the reflected beam, and the rear photodiode PD B is formed to detect the three reflected beams. I have.
【0042】これら2つのフォトダイオードPDA ,P
DB 付近の拡大図を図5に示す。2つのフォトダイオー
ドPDA ,PDB の内、先に反射ビームが入射するフォ
トダイオードPDA は、反射ビームの中央のビームの光
軸の照射位置を交点として、反射ビームの通過する面S
上の分割線P1と、この面Sと垂直な方向の分割線P2
とにより4分割され、さらに反射ビームの通過する面S
と平行な方向の分割線P3,P4により4分割された各
区画が2分割されて、8分割フォトダイオードA1,A
2,A3,A4,A5,A6,A7,A8を形成してい
る。These two photodiodes PD A , P
An enlarged view of the vicinity of D B shown in FIG. Two photodiodes PD A, among the PD B, the photodiode PD A the previously reflected beam is incident, as the intersection of the irradiation position of the optical axis of the central beam of the reflected beam, the surface S passing the reflected beam
The upper dividing line P1 and the dividing line P2 in the direction perpendicular to the surface S
And the surface S through which the reflected beam passes
Each section divided into four by the dividing lines P3 and P4 in the direction parallel to the above is divided into two, and divided into eight divided photodiodes A1 and A
2, A3, A4, A5, A6, A7, and A8.
【0043】そして、反射ビームの通過する面Sと平行
な方向の分割線P3,P4は、反射ビームがジャストフ
ォーカスの状態にある時に、反射ビームの通過する面S
側の区画A1,A2,A5,A8が受ける光量と反対側
の区画A3,A4,A6,A7が受ける光量とが等しく
なるようにする。The dividing lines P3 and P4 in the direction parallel to the surface S through which the reflected beam passes indicate the surface S through which the reflected beam passes when the reflected beam is in the just focus state.
The amount of light received by the sections A1, A2, A5, and A8 on the side is made equal to the amount of light received by the sections A3, A4, A6, and A7 on the opposite side.
【0044】一方、反射ビームがガラスプリズム14の
上面14cで反射した後に入射するフォトダイオードP
DB は、上述のフォトダイオードPDA とは異なる形態
で8分割されている。即ち、反射ビームの通過する面S
上の分割線P5により、2分割された各区画が、さらに
反射ビームの通過する面Sと垂直な方向の分割線P6,
P7により3つに分割され、3本の反射ビームの内の1
つのスポットを受光するように形成される。また3分割
された中央の部分は、さらに反射ビームの通過する面S
と平行な方向の分割線P8,P9により2分割される。
これにより、この中央の部分は4分割、両外側の部分は
各2分割されて、合計8分割フォトダイオードB1,B
2,B3,B4,B5,B6,B7,B8を形成してい
る。On the other hand, the photodiode P which enters after the reflected beam is reflected by the upper surface 14c of the glass prism 14
D B is divided into eight in different forms from the photodiode PD A above. That is, the surface S through which the reflected beam passes
Each of the sections divided into two by the upper dividing line P5 further becomes a dividing line P6 in a direction perpendicular to the surface S through which the reflected beam passes.
Divided into three by P7, one of the three reflected beams
It is formed to receive two spots. Further, the central portion divided into three is a surface S through which the reflected beam passes.
Are divided into two by the dividing lines P8 and P9 in the direction parallel to.
As a result, the central part is divided into four parts, and both outer parts are divided into two parts, respectively, so that a total of eight divided photodiodes B1, B
2, B3, B4, B5, B6, B7, and B8.
【0045】この8分割フォトダイオードPDB の反射
ビームの通過する面Sと平行な方向の分割線P8,P9
も、反射ビームがジャストフォーカスの状態にある時
に、反射ビームの通過する面S側の区画B1,B3が受
ける光量と反対側の区画B2,B4が受ける光量とが等
しくなるようにする。[0045] The 8 divided photodiode PD B passing surfaces S in a direction parallel to the reflected beam of the dividing line P8, P9
Also, when the reflected beam is in the just focus state, the amount of light received by the sections B1 and B3 on the surface S through which the reflected beam passes and the amount of light received by the opposite sections B2 and B4 are made equal.
【0046】そして、2つの8分割フォトダイオードP
DA ,PDB を用いて、次のように信号の検出を行う。Then, the two 8-division photodiodes P
D A, using a PD B, to detect the signals as follows.
【0047】まず、RF信号は、前方の8分割フォトダ
イオードPDA において、8つの区画A1〜A8の和信
号を検出することによって得ることができる。Firstly, RF signals, in front of the 8 divided photodiode PD A, can be obtained by detecting the sum signal of eight compartments A1 to A8.
【0048】また、焦点誤差信号即ちフォーカスエラー
信号FEは、フォトダイオードPDA 上のスポット径と
フォトダイオードPDB 上の反射ビームの中央のスポッ
ト径の変化を検出する。即ち、例えば数1のように演算
を行うことにより、フォーカスエラー信号FEを得る。
尚、以下各区画A1〜A8及びB1〜B8が検出する信
号を、それぞれA1〜A8及びB1〜B8と表す。[0048] Further, the focus error signal or a focus error signal FE detects the center of a change in the spot diameter of the reflected beam on the photodiode PD A on the spot diameter and the photodiode PD B. That is, the focus error signal FE is obtained by, for example, performing an operation as shown in Expression 1.
Hereinafter, signals detected by the sections A1 to A8 and B1 to B8 are represented as A1 to A8 and B1 to B8, respectively.
【0049】[0049]
【数1】フォーカスエラー信号FE=(A1+A2+A
5+A8)−(A3+A4+A6+A7)−{(B1+
B3)−(B2+B4)}## EQU1 ## Focus error signal FE = (A1 + A2 + A)
5 + A8)-(A3 + A4 + A6 + A7)-{(B1 +
B3)-(B2 + B4)}
【0050】即ち記録媒体上の焦点ずれにより、フォト
ダイオードPDA ,PDB 上の反射ビームのスポット径
が変化するが、このとき一方の8分割フォトダイオード
PDA におけるスポット径の変化と他方の8分割フォト
ダイオードPDB におけるスポット径の変化がお互いに
逆になることを利用して、反射ビームが通過する面Sと
垂直な方向のスポット径の変化を検出する。[0050] That the defocusing on the recording medium, the photodiodes PD A, although the spot diameter of the reflected beam on the PD B is changed, the change and the other of the spot diameter of 8 split photodiode PD A on one this time 8 change the spot diameter in the divided photodiode PD B is based on the fact that reversed to each other, the reflected beam to detect changes in the vertical direction of the spot diameter and the surface S passing through.
【0051】次に、トラッキング誤差信号(トラッキン
グ外れ信号)即ちトラッキングエラー信号TEは、例え
ばプッシュプル法を利用し、後方の8分割フォトダイオ
ードPDB の反射ビームの中央のスポットに対応する部
分により、次の数2に示すように演算を行って検出する
ことができる。Next, the tracking error signal (tracking off signal) i.e. the tracking error signal TE, for example using a push-pull method, by a portion corresponding to the center of the spot of the reflected beam behind the 8 divided photodiode PD B, It can be detected by performing an operation as shown in the following Expression 2.
【0052】[0052]
【数2】トラッキングエラー信号TE=(B1+B2)
−(B3+B4)## EQU2 ## Tracking error signal TE = (B1 + B2)
− (B3 + B4)
【0053】尚、例えばDVD ROM(読み出し専用
Digital Versatile Disk)等の光学記録媒体では、トラ
ッキングエラー信号の検出方法として、いわゆるDPD
(diffrencial phase detection )法が規格として採用
されている。このような記録媒体を再生する場合には、
トラッキングエラー信号TEは、前方の8分割フォトダ
イオードPDA によりDPD法に従ってたすき掛けの演
算を行い、例えば次の数3に示す演算式により検出す
る。For example, a DVD ROM (read only)
Optical recording media such as Digital Versatile Disk) use a so-called DPD as a method of detecting a tracking error signal.
(Diffrencial phase detection) method has been adopted as a standard. When reproducing such a recording medium,
Tracking error signal TE performs calculation of crosswise according DPD method by the front of the 8 divided photodiode PD A, detected by the calculation expressions shown example in the following equation (3).
【0054】[0054]
【数3】トラッキングエラー信号TE=(A1+A4+
A7+A8)−(A2+A3+A5+A6)## EQU3 ## Tracking error signal TE = (A1 + A4 +)
A7 + A8)-(A2 + A3 + A5 + A6)
【0055】ここで、通常コンパクトディスク(CD)
等の記録媒体では、記録トラックとなるピットの幅が記
録トラック間の間隔よりも小さいので、光スポットがピ
ットにある場合は反射ビームが暗くなり、光スポットが
記録トラック間となるピット列の間にある場合は反射ビ
ームが明るくなる。従って、記録信号であるRF信号を
兼ねる反射ビームの和信号の大小によって、レーザ光の
スポットが記録トラック上にあるかどうか判別すること
ができる。Here, usually, a compact disc (CD)
In a recording medium such as that described above, the width of the pits serving as recording tracks is smaller than the interval between the recording tracks, so that when the light spot is in the pits, the reflected beam is darkened, and the light spot is located between the pit trains in the recording tracks , The reflected beam becomes brighter. Therefore, it is possible to determine whether or not the spot of the laser beam is on the recording track, based on the magnitude of the sum signal of the reflected beam that also serves as the RF signal that is the recording signal.
【0056】これに対して、DVD RAM(書き換え
可能Digital Versatile Disk)等の記録媒体では、案内
溝形式として、案内溝(グルーブ)部Gと溝間(ラン
ド)部Lの両方に記録する方式であるランド/グルーブ
方式が採用されている。この記録媒体の場合には、案内
溝部Gの幅と溝間部Lの幅が等しく形成され、これらが
等間隔で並んでいるため、上述の明暗の差がなく、上述
の和信号(RF信号)を検出する方法では、和信号(R
F信号)に変化が生じないので、案内溝部Gと溝間部L
とを識別するための信号、即ちいわゆるクロストラック
シグナルが得られにくい。On the other hand, in a recording medium such as a DVD RAM (rewritable digital versatile disk), a guide groove format is used in which recording is performed in both the guide groove (groove) portion G and the inter-groove (land) portion L. A certain land / groove method is adopted. In the case of this recording medium, the width of the guide groove portion G and the width of the inter-groove portion L are formed to be equal, and these are arranged at equal intervals. ), The sum signal (R
F signal), the guide groove G and the inter-groove L
, That is, a so-called cross-track signal is difficult to obtain.
【0057】そこで、本発明を適用して、先に図3に示
したように、記録媒体6上に3つのスポットを生成し、
記録再生用スポットの両外側のスポットS1 を、溝ピッ
チ幅の1/4ずつ傾けて配置する。Therefore, by applying the present invention, three spots are generated on the recording medium 6 as shown in FIG.
Spots S 1 on both outer recording reproducing spot, is arranged to be inclined by a 1/4 of the groove pitch.
【0058】そして、後方の8分割フォトダイオードP
DB の反射ビームの両外側のスポットに対応する部分B
5,B6及びB7,B8を用いて、次の数4に演算式を
示すクロストラッキングシグナルCTSを得ることによ
って、トラッキングエラー信号TEと90°位相が異な
る信号が得られる。Then, the rear eight-division photodiode P
Portion B corresponding to the both outer sides of the spot of the reflected beam D B
5, B6 and B7, B8 are used to obtain a cross-tracking signal CTS represented by the following equation (4), whereby a signal having a 90 ° phase difference from the tracking error signal TE is obtained.
【0059】[0059]
【数4】クロストラッキングシグナルCTS=(B5−
B8)−(B6−B7)## EQU4 ## Cross tracking signal CTS = (B5-
B8)-(B6-B7)
【0060】この信号CTSによって、レーザ光のスポ
ットが記録媒体の案内溝部Gにあるか、或いは溝間部L
にあるかを判別することができる。例えば、レーザ光の
スポットが案内溝部Gにある場合にクロストラッキング
シグナルCTSが正の値、レーザ光のスポットが溝間部
Lにある場合にクロストラッキングシグナルCTSが負
の値になるように、或いは正負が逆になるように構成す
ればよい。尚、クロストラッキングシグナルCTSの値
が0となるのは、レーザ光のスポットが案内溝部Gと溝
間部Lとの肩の部分に照射されているときである。According to the signal CTS, the spot of the laser beam is located in the guide groove G of the recording medium or the gap L between the grooves.
Can be determined. For example, the cross-tracking signal CTS has a positive value when the laser light spot is in the guide groove G, and the cross-tracking signal CTS has a negative value when the laser light spot is in the inter-groove L, or What is necessary is just to comprise so that positive and negative may be reversed. The value of the cross tracking signal CTS becomes 0 when the spot of the laser beam is applied to the shoulder between the guide groove G and the groove L.
【0061】上述の実施の形態によれば、レーザフォト
ダイオードユニット1の後方の8分割フォトダイオード
PDB が、反射ビームの3つのビームのスポットに対応
する3つの部分B1〜B4、B5及びB6、B7及びB
8から構成されているため、3つのビームを検出して、
トラッキングエラー信号TEの検出や、クロストラッキ
ングシグナルCTSの検出等の制御信号の検出を行うこ
とができる。[0061] According to the above-described embodiment, the laser photodiode unit 1 of the rear of the 8 divided photodiode PD B, three portions corresponding to three beam spot of the reflected beam B1 to B4, B5 and B6, B7 and B
8, it detects three beams,
Detection of a control signal such as detection of the tracking error signal TE and detection of the cross tracking signal CTS can be performed.
【0062】また、光学ピックアップ装置を構成する光
学ブロック10が、対物レンズ5とレーザフォトダイオ
ードユニット1との間に偏光ホログラム素子3が配置さ
れ、この偏光ホログラム素子3でレーザ光を3つに分割
して記録媒体6に照射することによって、トラッキング
エラー信号等の制御信号を検出可能な反射ビームを得る
ことができる。従って、記録媒体6へのレーザ光の照射
位置の制御を行うことができる。The optical block 10 constituting the optical pickup device has a polarization hologram element 3 disposed between the objective lens 5 and the laser photodiode unit 1, and the polarization hologram element 3 divides laser light into three. Then, by irradiating the recording medium 6, a reflected beam capable of detecting a control signal such as a tracking error signal can be obtained. Therefore, the irradiation position of the laser beam on the recording medium 6 can be controlled.
【0063】また、偏光ホログラム素子3を用いること
により、回折格子を用いた場合に生じるような光学ピッ
クアップ装置の動作に不要な信号や有害な信号を生じな
いので、より高性能な信号検出を行うことができる。In addition, by using the polarization hologram element 3, unnecessary or harmful signals are not generated for the operation of the optical pickup device as occurs when a diffraction grating is used, so that higher-performance signal detection is performed. be able to.
【0064】また、ガラスプリズム14を、フォトダイ
オードPDA ,PDB を覆ってシリコン基板11上に配
置し、半導体レーザ12に対向する半透過反射面である
斜面14aを設けているため、この斜面14aにおい
て、半導体レーザ12からのレーザ光を反射し、記録媒
体6からの反射ビームを透過させることができる。これ
によりビームスプリッタBS等の反射ビームを分離する
ための光学部品を別途設ける必要がなく、分光手段であ
るガラスプリズム14をシリコン基板11上に配置して
いるので、光学ピックアップの低価格化及び小型化を図
ることができる。Further, the glass prism 14 is disposed on the silicon substrate 11 so as to cover the photodiodes PD A and PD B , and the inclined surface 14 a which is a semi-transmissive reflection surface facing the semiconductor laser 12 is provided. At 14a, the laser beam from the semiconductor laser 12 is reflected, and the reflected beam from the recording medium 6 can be transmitted. Accordingly, there is no need to separately provide an optical component for separating the reflected beam such as the beam splitter BS, and since the glass prism 14 serving as the spectral unit is disposed on the silicon substrate 11, the optical pickup can be reduced in cost and reduced in size. Can be achieved.
【0065】尚、上述の実施の形態では、図4及び図5
に示した2つの8分割フォトダイオードPDA ,PDB
を形成した例であったが、フォトダイオードはその他の
形態を採ることもできる。例えばフォトダイオードをP
DA ,PDB の内一方のみ形成する形態や、両外側のビ
ームの検出を前方のフォトダイオードPDA で行う形態
等を採ることも可能である。In the above-described embodiment, FIGS.
The two 8-part photodiodes PD A and PD B shown in FIG.
However, the photodiode may take other forms. For example, if the photodiode is P
D A, and the form to form only one of PD B, it is also possible to adopt a form or the like for detecting the beam of both outer sides in front of the photodiode PD A.
【0066】いずれのフォトダイオードの形態であって
も、分割された反射ビームの各ビームを検出することが
でき、かつRF信号や、トラッキングエラー信号TE、
フォーカスエラー信号FE、クロストラッキング信号C
TS等の制御信号を検出することができるように構成す
ればよい。In any type of photodiode, each of the divided reflected beams can be detected, and the RF signal, the tracking error signal TE,
Focus error signal FE, cross tracking signal C
What is necessary is just to comprise so that control signals, such as TS, can be detected.
【0067】本発明の半導体レーザ装置及び光学ピック
アップ装置は、上述の実施の形態に限定されるものでは
なく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構
成が取り得る。The semiconductor laser device and the optical pickup device of the present invention are not limited to the above-described embodiment, but may have various other configurations without departing from the gist of the present invention.
【0068】[0068]
【発明の効果】上述の本発明によれば、小型低価格化が
可能なレーザフォトダイオードユニットの利点を損なわ
ず、より高性能なトラッキング制御を行うことができ
る。According to the present invention described above, a higher performance tracking control can be performed without deteriorating the advantages of the laser photodiode unit which can be reduced in size and cost.
【図1】本発明に係る光学ピックアップ装置のブロック
図である。FIG. 1 is a block diagram of an optical pickup device according to the present invention.
【図2】本発明に係る光学ピックアップ装置の概略構成
図である。FIG. 2 is a schematic configuration diagram of an optical pickup device according to the present invention.
【図3】記録媒体上に照射されるスポットを示す図であ
る。FIG. 3 is a diagram showing spots irradiated on a recording medium.
【図4】本発明に係る光学ピックアップ装置のレーザフ
ォトダイオードユニットの概略構成図である。 A レーザ光の通過する面における断面図である。 B 平面図である。FIG. 4 is a schematic configuration diagram of a laser photodiode unit of the optical pickup device according to the present invention. FIG. 2A is a cross-sectional view of a surface through which laser light passes. B is a plan view.
【図5】図4のレーザフォトダイオードユニットのフォ
トダイオード付近の拡大図である。FIG. 5 is an enlarged view of the vicinity of a photodiode of the laser photodiode unit of FIG.
【図6】光学ピックアップ装置の概略構成図である。FIG. 6 is a schematic configuration diagram of an optical pickup device.
1…レーザフォトダイオードユニット、2…コリメート
レンズ、3…偏光ホログラム素子、4…1/4波長板、
5…対物レンズ、6…記録媒体、10,41…光学ブロ
ック、11…シリコン基板、12…半導体レーザ、13
…サブマウント材、14…ガラスプリズム、15…アナ
モルフィックレンズ、31…再生イコライザ/PLL回
路、32…復調器、33…レーザドライバ、34…変調
器、35…アドレスデコーダ、36…フォーカス制御回
路、37…トラッキング制御回路、38…スライド制御
回路、39…スピンドル制御回路、40…システムコン
トロール部、42…スピンドルモーター、43…光ディ
スク、50…光学ピックアップ装置、51…半導体レー
ザ、52…半導体基板、53…光検出器、54…プリズ
ム、55…記録媒体、PDA ,PDB …8分割フォトダ
イオード、A1,A2,A3,A4,A5,A6,A
7,A8,B1,B2,B3,B4,B5,B6,B
7,B8…8分割フォトダイオードの区画、Sp …再生
信号、SR …記録信号、Dp …再生用データ、DR …記
録用データ、TE…トラッキングエラー信号、FE…フ
ォーカスエラー信号、FC…フォーカスコイル、TC…
トラッキングコイル、L…レーザ光、G…溝部、L…溝
間部、P1,P2,P3,P4,P5,P6,P7,P
8,P9…(フォトダイオードの)分割線、S…反射ビ
ームが通過する面DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Laser photodiode unit, 2 ... Collimating lens, 3 ... Polarization hologram element, 4 ... 1/4 wavelength plate,
5 Objective lens, 6 Recording medium, 10 41 Optical block, 11 Silicon substrate, 12 Semiconductor laser, 13
... Submount material, 14 ... Glass prism, 15 ... Anamorphic lens, 31 ... Playback equalizer / PLL circuit, 32 ... Demodulator, 33 ... Laser driver, 34 ... Modulator, 35 ... Address decoder, 36 ... Focus control circuit 37, a tracking control circuit, 38, a slide control circuit, 39, a spindle control circuit, 40, a system control unit, 42, a spindle motor, 43, an optical disk, 50, an optical pickup device, 51, a semiconductor laser, 52, a semiconductor substrate, 53: photodetector, 54: prism, 55: recording medium, PD A , PD B : 8-division photodiode, A1, A2, A3, A4, A5, A6, A
7, A8, B1, B2, B3, B4, B5, B6, B
7, B8: Section of 8-division photodiode, S p : reproduction signal, S R : recording signal, D p : reproduction data, D R : recording data, TE: tracking error signal, FE: focus error signal, FC … Focus coil, TC…
Tracking coil, L: laser beam, G: groove, L: gap, P1, P2, P3, P4, P5, P6, P7, P
8, P9: dividing line (of the photodiode), S: surface through which the reflected beam passes
Claims (8)
し、 上記半導体基体上に、半導体レーザが配置され、かつ上
記光検出器を覆って分光手段が配置され、 上記光検出器は、複数のレーザ光スポットの各スポット
の検出を行う複数の部分に分割されて成ることを特徴と
する半導体レーザ装置。1. A semiconductor substrate having a photodetector formed thereon, a semiconductor laser disposed on the semiconductor substrate, and spectral means covering the photodetector, wherein the photodetector comprises: A semiconductor laser device which is divided into a plurality of portions for detecting each of a plurality of laser light spots.
光スポットの検出を行う3つの部分に分割されているこ
とを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ装置。2. The semiconductor laser device according to claim 1, wherein the photodetector is divided into three portions for detecting each of the three light spots.
さらに上記3つの部分の内1つの部分がさらに2分割さ
れて4分割され、合計8分割の上記光検出器が形成され
て成ることを特徴とする請求項2に記載の半導体レーザ
装置。3. The three parts are each divided into two parts,
3. The semiconductor laser device according to claim 2, wherein one of said three parts is further divided into two parts and divided into four parts to form a total of eight divisions of said photodetector.
する半透過反射面を有して成ることを特徴とする請求項
1に記載の半導体レーザ装置。4. The semiconductor laser device according to claim 1, wherein said spectral means has a semi-transmissive reflection surface facing said semiconductor laser.
れ、複数のレーザ光スポットの各スポットの検出を行う
複数の部分に分割された光検出器を覆って分光手段が配
置されて成る半導体レーザ装置と、 偏光ホログラム素子と、 上記半導体レーザ装置からのレーザ光を収束する収束手
段とを有し、 上記偏光ホログラム素子は、上記半導体レーザ装置と上
記収束手段との間に配置され、上記半導体レーザからの
レーザ光を複数の回折光に分割して、複数の光スポット
を記録媒体に照射することを特徴とする光学ピックアッ
プ装置。5. A semiconductor laser device comprising: a semiconductor laser disposed on a semiconductor substrate; and a spectroscopic means disposed over a photodetector divided into a plurality of portions for detecting each of a plurality of laser light spots. A polarization hologram element; and converging means for converging laser light from the semiconductor laser device. The polarization hologram element is disposed between the semiconductor laser device and the converging means, and is provided from the semiconductor laser. An optical pickup device which divides the laser light into a plurality of diffracted lights and irradiates a plurality of light spots to a recording medium.
の側に1/4波長板が配置されたことを特徴とする請求
項5に記載の光学ピックアップ装置。6. The optical pickup device according to claim 5, wherein a quarter-wave plate is arranged on the side of the recording medium of the polarization hologram element.
光検出器においてトラッキングエラー信号を得ることを
特徴とする請求項5に記載の光学ピックアップ装置。7. The optical pickup device according to claim 5, wherein a tracking error signal is obtained in the photodetector using reflected light of the plurality of diffracted lights.
光検出器においてクロストラッキング信号を得ることを
特徴とする請求項5に記載の光学ピックアップ装置。8. The optical pickup device according to claim 5, wherein a cross-tracking signal is obtained in the photodetector using reflected light of the plurality of diffracted lights.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10065875A JPH11266057A (en) | 1998-03-16 | 1998-03-16 | Semiconductor laser and optical pickup device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10065875A JPH11266057A (en) | 1998-03-16 | 1998-03-16 | Semiconductor laser and optical pickup device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11266057A true JPH11266057A (en) | 1999-09-28 |
Family
ID=13299601
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10065875A Pending JPH11266057A (en) | 1998-03-16 | 1998-03-16 | Semiconductor laser and optical pickup device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11266057A (en) |
-
1998
- 1998-03-16 JP JP10065875A patent/JPH11266057A/en active Pending
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