JPH11266057A - Semiconductor laser and optical pickup device - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical pickup device, which is capable of obtaining various detection signals required for tracking control without generating unnecessary or harmful laser beams in a semiconductor laser device and a detector. SOLUTION: A semiconductor laser 1 is arranged with a semiconductor board 11 mounted with photodetectors PDA and PDB, a semiconductor laser 12 arranged on the semiconductor board 11, and a spectroscopic means 14 arranged covering the photodetectors PDA and PDB, where the photodetectors PDA and PDB are divided into sections which detect the spots of laser rays, and an optical pickup device is equipped with the semiconductor laser 1, a polarization hologram element, and a focusing means which focuses the laser rays emitted from the semiconductor laser 1, in which the polarization hologram element is arranged between the semiconductor laser 1 and the focusing means for splitting the laser beams projected from the semiconductor laser 12 into diffracted light beams, and a storage medium is irradiated with plural light spots.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基体上に半
導体レーザや光検出器、分光手段を配置して成る半導体
レーザ装置に係わり、また例えばコンパクトディスクや
記録再生光ディスク等の記録媒体の情報の読み出し又は
書き込みを行う光ディスク用光ピックアップ装置に係わ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor laser device having a semiconductor substrate, a semiconductor laser, a photodetector, and a spectroscopic means arranged on a semiconductor substrate. The present invention relates to an optical pickup device for an optical disk that performs reading or writing.

【０００２】[0002]

【従来の技術】先に提案した光学ピックアップ装置の構
成図を図６に示す（特開昭６２−１９６８８０号参
照）。この光学ピックアップ装置５０は、光検出部とし
てフォトダイオードＰＤから成る光検出器５３を有する
シリコン等から成る半導体基板５２上に半導体レーザ５
１を配し、更に半導体基板５２上に半導体レーザ５１か
ら出射されるレーザ光Ｌを記録媒体５５上に導くプリズ
ム５４を設けている。2. Description of the Related Art FIG. 6 shows the configuration of an optical pickup device proposed earlier (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-196880). The optical pickup device 50 includes a semiconductor laser 5 on a semiconductor substrate 52 made of silicon or the like having a photodetector 53 composed of a photodiode PD as a photodetector.
1, and a prism 54 for guiding the laser light L emitted from the semiconductor laser 51 onto the recording medium 55 is provided on the semiconductor substrate 52.

【０００３】プリズム５４は、その半導体レーザ５１に
対向する面５４ａが半透過反射面とされ、半導体レーザ
５１から出射されたレーザ光Ｌを反射し、記録媒体５５
からの戻り光を透過する。また半導体基板５２に対接し
ている面５４ｂのうちで光検出器５３の近傍以外の部分
と面５４ｂに対向している面５４ｃとが共に反射面とな
っている。The prism 54 has a surface 54a facing the semiconductor laser 51 as a semi-transmissive reflection surface, reflects the laser beam L emitted from the semiconductor laser 51, and
Transmits the return light from Further, of the surface 54b in contact with the semiconductor substrate 52, a portion other than the vicinity of the photodetector 53 and the surface 54c facing the surface 54b are both reflection surfaces.

【０００４】そして、記録媒体５５からの反射光は、プ
リズム５４の面５４ａを透過して面５４ｂ及び面面５４
ｃで反射されて、半導体基板５２上に設けられたフォト
ダイオードＰＤから成る光検出器５３に導かれ検出され
る。Then, the reflected light from the recording medium 55 passes through the surface 54a of the prism 54 and passes through the surface 54b and the surface 54b.
The light reflected by c is guided to a photodetector 53 composed of a photodiode PD provided on a semiconductor substrate 52 and detected.

【０００５】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
光学ピックアップ装置５０では記録媒体５５上に複数の
記録再生スポットを生成する方法が示されておらず、特
に記録媒体５５の再生時において、高速アクセスが難し
い、もしくはトラッキング制御に必要な信号が得にくい
といった問題があった。However, the above-described optical pickup device 50 does not show a method of generating a plurality of recording / reproducing spots on the recording medium 55. Or it is difficult to obtain signals required for tracking control.

【０００６】一方、回折格子を通過させることにより複
数の記録再生スポットを形成した場合には、往路で回折
格子を通過する際に複数のスポットが形成された後、復
路で回折格子を通過する際に、各スポットがさらに複数
の光に分かれるため、光学ピックアップ装置の動作にと
って不要なもしくは有害な光を生じてしまう。On the other hand, when a plurality of recording / reproducing spots are formed by passing through a diffraction grating, a plurality of spots are formed when passing through the diffraction grating on the outward path, and thereafter, when a plurality of spots are formed on the return path. In addition, since each spot is further divided into a plurality of lights, unnecessary or harmful lights are generated for the operation of the optical pickup device.

【０００７】上述した問題の解決のために、本発明にお
いては、複数のレーザ光のスポットの検出を行うことが
できる半導体レーザ装置、及び検出器上に不要な又は有
害なレーザ光を発生することなくトラッキング制御に必
要な信号を得ることができる光学ピックアップ装置を提
供するものである。In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a semiconductor laser device capable of detecting a plurality of laser light spots, and generating unnecessary or harmful laser light on a detector. It is an object of the present invention to provide an optical pickup device capable of obtaining a signal necessary for tracking control without using the signal.

【０００８】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ装
置は、光検出器が形成された半導体基体を有し、この半
導体基体上に半導体レーザが配置され、かつ光検出器を
覆って分光手段が配置され、光検出器は複数のレーザ光
スポットの各スポットの検出を行う複数の部分に分割さ
れて成るものである。SUMMARY OF THE INVENTION A semiconductor laser device according to the present invention has a semiconductor substrate on which a photodetector is formed, on which a semiconductor laser is disposed, and which covers the photodetector. And the photodetector is divided into a plurality of portions for detecting each of the plurality of laser light spots.

【０００９】本発明の光学ピックアップ装置は、半導体
基体上に半導体レーザが配置され、複数のレーザ光スポ
ットの各スポットの検出を行う複数の部分に分割された
光検出器を覆って分光手段が配置されて成る半導体レー
ザ装置と、偏光ホログラム素子と、半導体レーザ装置か
らのレーザ光を収束する収束手段とを有し、偏光ホログ
ラム素子は、半導体レーザ装置と収束手段との間に配置
され、半導体レーザからのレーザ光を複数の回折光に分
割して、複数の光スポットを記録媒体に照射するもので
ある。In the optical pickup device according to the present invention, a semiconductor laser is disposed on a semiconductor substrate, and a spectral unit is disposed so as to cover a photodetector divided into a plurality of portions for detecting each of a plurality of laser light spots. A semiconductor laser device, a polarization hologram element, and a converging means for converging laser light from the semiconductor laser apparatus, wherein the polarization hologram element is disposed between the semiconductor laser apparatus and the converging means. Is divided into a plurality of diffracted light beams, and a plurality of light spots are irradiated on a recording medium.

【００１０】上述の本発明の半導体レーザ装置によれ
ば、光検出器が複数のレーザ光スポットの各スポットの
検出を行う複数の部分に分割されて成ることにより、例
えば分割された各回折光をそれぞれ検出して、トラッキ
ングエラー信号の検出等に利用することができる。According to the above-described semiconductor laser device of the present invention, the photodetector is divided into a plurality of portions for detecting each of the plurality of laser light spots. Each of them can be detected and used for detecting a tracking error signal.

【００１１】上述の本発明の光学ピックアップ装置によ
れば、偏光ホログラム素子によって半導体レーザからの
レーザ光を複数の回折光に分割して、複数の光スポット
を記録媒体に照射するため、この複数の光スポットを用
いて、トラッキングエラー信号の検出等に利用すること
ができる。According to the above-described optical pickup apparatus of the present invention, the laser beam from the semiconductor laser is divided into a plurality of diffracted lights by the polarization hologram element and a plurality of light spots are irradiated on the recording medium. The light spot can be used for detecting a tracking error signal.

【００１２】[0012]

【発明の実施の形態】本発明は、光検出器が形成された
半導体基体を有し、この半導体基体上に半導体レーザが
配置され、かつ光検出器を覆って分光手段が配置され、
光検出器は、複数のレーザ光スポットの各スポットの検
出を行う複数の部分に分割されて成る半導体レーザ装置
である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention has a semiconductor substrate on which a photodetector is formed, a semiconductor laser is disposed on the semiconductor substrate, and a spectral means is disposed over the photodetector.
The photodetector is a semiconductor laser device divided into a plurality of portions for detecting each of a plurality of laser light spots.

【００１３】また本発明は、上記半導体レーザ装置にお
いて、光検出器が、３つの光スポットの各光スポットの
検出を行う３つの部分に分割されている構成とする。Further, according to the present invention, in the semiconductor laser device described above, the photodetector is divided into three portions for detecting each of the three light spots.

【００１４】また本発明は、上記半導体レーザ装置にお
いて、３つの部分がそれぞれ２分割され、さらに３つの
部分の内１つの部分がさらに２分割されて４分割され、
合計８分割の光検出器が形成されて成る構成とする。According to the present invention, in the above-described semiconductor laser device, three portions are each divided into two, and one of the three portions is further divided into two to be divided into four,
It is assumed that a total of eight photodetectors are formed.

【００１５】また本発明は、上記半導体レーザ装置にお
いて、分光手段が半導体レーザに対向する半透過反射面
を有して成る構成とする。Further, according to the present invention, in the above-mentioned semiconductor laser device, the spectroscopic means has a semi-transmissive reflection surface facing the semiconductor laser.

【００１６】本発明は、半導体基体上に半導体レーザが
配置され、複数のレーザ光スポットの各スポットの検出
を行う複数の部分に分割された光検出器を覆って分光手
段が配置されて成る半導体レーザ装置と、偏光ホログラ
ム素子と、半導体レーザ装置からのレーザ光を収束する
収束手段とを有し、偏光ホログラム素子は、半導体レー
ザ装置と収束手段との間に配置され、半導体レーザから
のレーザ光を複数の回折光に分割して、複数の光スポッ
トを記録媒体に照射する光学ピックアップ装置である。According to the present invention, there is provided a semiconductor device in which a semiconductor laser is arranged on a semiconductor substrate, and a spectral means is arranged so as to cover a photodetector divided into a plurality of portions for detecting each of a plurality of laser light spots. A laser device, a polarization hologram element, and convergence means for converging laser light from the semiconductor laser device, wherein the polarization hologram element is disposed between the semiconductor laser device and the convergence means; Is an optical pickup device that divides a light beam into a plurality of diffracted light beams and irradiates a recording medium with a plurality of light spots.

【００１７】また本発明は、上記光学ピックアップ装置
において、偏光ホログラム素子の記録媒体の側に１／４
波長板が配置された構成とする。Further, according to the present invention, in the above optical pickup device, a quarter of the polarization hologram element is provided on the side of the recording medium.
The configuration is such that a wave plate is arranged.

【００１８】また本発明は、上記光学ピックアップ装置
において、複数の回折光の反射光を用いて光検出器にお
いてトラッキングエラー信号を得る構成とする。Further, the present invention is configured such that in the optical pickup device, a tracking error signal is obtained in a photodetector using reflected light of a plurality of diffracted lights.

【００１９】また本発明は、上記光学ピックアップ装置
において、複数の回折光の反射光を用いて光検出器にお
いてクロストラッキング信号を得る構成とする。Further, according to the present invention, in the above-described optical pickup device, a cross-tracking signal is obtained in a photodetector using reflected light of a plurality of diffracted lights.

【００２０】図１は本発明に係る光学ピックアップ装置
の一実施の形態の装置全体のブロック図を示す。FIG. 1 is a block diagram of the entire optical pickup device according to an embodiment of the present invention.

【００２１】まず、記録時において、記録用データＤ_R
は、記録媒体例えば光ディスク４３に効率よく記録する
ため、変調器３４により変調を受けて、この変調を受け
た記録信号Ｓ_R がレーザドライバ３３を経て光学ブロッ
ク４１内のレーザダイオードＬＤに供給され、この記録
信号Ｓ_R によってレーザビームの強度が変調される。First, at the time of recording, the recording data D _R
Is modulated by a modulator 34 to efficiently record on a recording medium, for example, an optical disk 43, and the modulated recording signal S _R is supplied to a laser diode LD in an optical block 41 via a laser driver 33, The intensity of the laser beam is modulated by the recording signal S _R.

【００２２】記録信号Ｓ_R により強度変調されたレーザ
ビームは、光学ブロック４１内の対物レンズ（図示せ
ず）により絞り込まれ、スピンドルモーター４２で回転
駆動されている光ディスク４３に焦点を結ぶ。The laser beam intensity-modulated by the recording signal S _R is narrowed down by an objective lens (not shown) in the optical block 41, and focuses on an optical disk 43 driven by a spindle motor 42.

【００２３】光ディスク４３には予めスピンコート或い
はスパッタリング等により成膜された記録膜が設けられ
ており、レーザスポットの光エネルギー或いは熱エネル
ギーにより形成される記録マークの並んだ信号トラック
が記録される。The optical disc 43 is provided with a recording film previously formed by spin coating, sputtering, or the like, and records a signal track in which recording marks formed by light energy or heat energy of a laser spot are arranged.

【００２４】一方、再生時には、弱い光強度のレーザビ
ームにより、光ディスク４３の信号トラックが読み出さ
れ、これにより得られた再生信号Ｓ_p は、再生イコライ
ザ／ＰＬＬ回路３１を経てクロック再生された後、復調
器３２により復調され再生用データＤ_p となる。On the other hand, at the time of reproduction, a laser beam of low light intensity, the signal track of the optical disc 43 is read out, the reproduction signal S _p thereby obtained, after being clock recovery through a playback equalizer / PLL circuit 31 , demodulated by the demodulator 32 the data for reproduction D _p.

【００２５】また、このとき、再生信号Ｓ_p は、アドレ
スデコーダ３５にも送られることより、光ディスク４３
内に予め印された記録トラックやセクタを示すコードを
検出し、レーザビームが当たっている光ディスク４３内
の位置が識別される。At this time, the reproduction signal _Sp is also sent to the address decoder 35, so that the optical disk 43
A code indicating a recording track or a sector marked in advance is detected, and a position in the optical disk 43 to which the laser beam is irradiated is identified.

【００２６】また、記録時及び再生時には、光ディスク
４３の面ぶれや、記録トラックの偏芯等に対して、記録
スポットを元通りトラックに追従させるための焦点（フ
ォーカス）制御、トラッキング制御がなされる。これら
フォーカス制御やトラッキング制御は、次のように行わ
れる。At the time of recording and reproduction, focus control and tracking control are performed for causing the recording spot to follow the track as it is with respect to the deviation of the surface of the optical disk 43 and the eccentricity of the recording track. . These focus control and tracking control are performed as follows.

【００２７】光学ブロック４１内に設けられた、焦点誤
差信号（いわゆるフォーカスエラー信号ＦＥ）や、トラ
ック外れ誤差信号（いわゆるトラッキングエラー信号Ｔ
Ｅ）の検出器、即ちフォトダイオードからなる光検出器
ＰＤ_A ，ＰＤ_B （図４参照）からの出力、即ちフォーカ
スエラー信号ＦＥ及びトラッキングエラー信号ＴＥによ
り、フォーカス制御回路３６、トラッキング制御回路３
７が働く。そして、これらの制御信号ＦＥ，ＴＥは、光
学ブロック４１内の対物レンズを駆動する二軸デバイス
（図示せず）のそれぞれフォーカスコイルＦＣ、トラッ
キングコイルＴＣに供給され、これにより光ディスク４
３に対する対物レンズの位置調整が行われる。A focus error signal (so-called focus error signal FE) and an off-track error signal (so-called tracking error signal T) provided in the optical block 41 are provided.
E), that is, the outputs from the photodetectors PD _A and PD _B (see FIG. 4) composed of photodiodes, that is, the focus error signal FE and the tracking error signal TE, and the focus control circuit 36 and the tracking control circuit 3
7 works. Then, these control signals FE and TE are supplied to a focus coil FC and a tracking coil TC of a biaxial device (not shown) for driving an objective lens in the optical block 41.
The position of the objective lens with respect to 3 is adjusted.

【００２８】また、光ディスク４３の記録部の内周から
外周まで追従させるための光学ブロック４１の移動は、
スライド制御回路３８から供給される制御信号により制
御される。光ディスク４３の回転スピンドルモーター４
２の駆動は、スピンドル制御回路３９から供給される制
御信号により制御される。The movement of the optical block 41 for following from the inner circumference to the outer circumference of the recording portion of the optical disk 43 is as follows.
It is controlled by a control signal supplied from the slide control circuit 38. Rotary spindle motor 4 for optical disk 43
2 is controlled by a control signal supplied from the spindle control circuit 39.

【００２９】そして、アドレスデコーダ３５及び各制御
回路３６，３７，３８，３９の制御は、これらの回路と
バスラインＢＬを介して接続されたシステムコントロー
ル部４０によって行われる。The address decoder 35 and the control circuits 36, 37, 38, 39 are controlled by a system control unit 40 connected to these circuits via a bus line BL.

【００３０】次に、光学ブロックの構成の一形態を図２
に示す。この光学ブロック１０は、半導体レーザ装置と
してのレーザフォトダイオードユニット１、コリメート
レンズ２、偏光ホログラム素子３、１／４波長板４、及
び対物レンズ５から構成されている。レーザフォトダイ
オードユニット１は、後述するように光源としての半導
体レーザ、光検出器としてのフォトダイオードが作り込
まれた半導体基板、及びプリズム等のその他の光学部品
から構成される。Next, one embodiment of the configuration of the optical block is shown in FIG.
Shown in The optical block 10 includes a laser photodiode unit 1 as a semiconductor laser device, a collimator lens 2, a polarization hologram element 3, a quarter-wave plate 4, and an objective lens 5. The laser photodiode unit 1 includes a semiconductor laser as a light source, a semiconductor substrate in which a photodiode as a photodetector is built, and other optical components such as a prism, as described later.

【００３１】レーザフォトダイオードユニット１に設け
られた半導体レーザから出射したレーザビームは、例え
ばレーザフォトダイオードユニット１の基板に垂直な方
向に進み、コリメートレンズ２により平行ビームに変換
された後に、偏光ホログラム素子３に導かれる。The laser beam emitted from the semiconductor laser provided in the laser photodiode unit 1 travels, for example, in a direction perpendicular to the substrate of the laser photodiode unit 1 and is converted into a parallel beam by the collimating lens 2 before being converted into a polarization hologram. It is led to the element 3.

【００３２】そして、この平行ビームは、偏光ホログラ
ム素子３により回折を受けて、３つ以上のビーム、この
図２の場合は、０次回折光と±１次回折光の３本のビー
ムに分かれ、分かれたビームが１／４波長板４を透過す
ることにより円偏光になって、対物レンズ５に導かれ、
ここで絞り込まれる。The parallel beam is diffracted by the polarization hologram element 3 and is divided into three or more beams, in this case, three beams of 0th-order diffracted light and ± 1st-order diffracted light, and is divided into three beams. The transmitted beam passes through the quarter wavelength plate 4 to become circularly polarized light, and is guided to the objective lens 5,
It is narrowed down here.

【００３３】対物レンズ５により絞り込まれたレーザ光
の３つのスポットは、例えば図３に示すように案内溝
（グルーブ）部Ｇ及び溝間（ランド）部Ｌが設けられた
光ディスク等の記録媒体に配置される。図３の場合は、
中央のスポットＳ₀ が溝間部Ｌに、外側のスポットＳ₁
が溝間部Ｌから案内溝部Ｇに向かって、互いに逆の方向
に、溝の幅の１／４シフトした位置にそれぞれ配置され
ている。The three spots of the laser beam narrowed by the objective lens 5 are applied to a recording medium such as an optical disk provided with a guide groove (groove) portion G and an inter-groove (land) portion L as shown in FIG. Be placed. In the case of FIG.
The center spot S ₀ is in the inter-groove portion L, and the outer spot S ₁
Are arranged in positions opposite to each other from the inter-groove portion L toward the guide groove portion G at positions shifted by ４ of the width of the groove.

【００３４】記録媒体６から反射されたビーム（戻り
光）は、対物レンズ５、１／４波長板４、偏光ホログラ
ム素子３を通過し、更にコリメートレンズ２を通過しレ
ーザ・フォトダイオードユニット１に戻り、このフォト
ダイオードユニット１に形成されたフォトダイオード上
に結像される。尚、復路では、１／４波長板４により偏
光方向が９０°異なる偏光ビームとされ、この偏光ビー
ムが偏光ホログラム素子３を透過するため、ビームの回
折が起こらない。従って、ビームが往路で分かれた本数
以上に増えることがなく、半導体レーザ装置の動作に不
要な光や異常な光を生じることがない。The beam (return light) reflected from the recording medium 6 passes through the objective lens 5, the quarter-wave plate 4, the polarization hologram element 3, and further passes through the collimator lens 2 to the laser photodiode unit 1. Then, the image is formed on the photodiode formed in the photodiode unit 1. In the return path, the quarter-wave plate 4 forms a polarized beam whose polarization direction is different by 90 °, and since this polarized beam passes through the polarization hologram element 3, the beam does not undergo diffraction. Therefore, the beam does not increase more than the number of beams split on the outward path, and unnecessary light or abnormal light for the operation of the semiconductor laser device does not occur.

【００３５】図４に本発明の半導体レーザ装置の一実施
の形態として、図２のレーザフォトダイオードユニット
１の概略構成図を示す。図４Ａは、レーザ光が通過する
面による断面図、図４Ｂは平面図を示す。FIG. 4 is a schematic configuration diagram of the laser photodiode unit 1 of FIG. 2 as one embodiment of the semiconductor laser device of the present invention. FIG. 4A is a cross-sectional view of a surface through which laser light passes, and FIG. 4B is a plan view.

【００３６】半導体レーザ１２は、シリコン、窒化アル
ミニウム等から成るサブマウント材１３を介して、シリ
コン基板１１上に固定されている。このシリコン基板１
１には、光検出器として２つのフォトダイオードＰＤ_A
及びＰＤ_B が予め形成されている。The semiconductor laser 12 is fixed on the silicon substrate 11 via a submount 13 made of silicon, aluminum nitride or the like. This silicon substrate 1
1 has two photodiodes PD _A as photodetectors.
And PD _B are preformed.

【００３７】そして、２つのフォトダイオードＰＤ_A ，
ＰＤ_B を覆ってシリコン基板１１上に、ガラスプリズム
１４が配置されている。このガラスプリズム１４は、半
導体レーザ１２に対向して設けられた斜面１４ａと、底
面１４ｂ及び上面１４ｃとを有している。斜面１４ａは
半透過反射面とされ、半導体レーザ１２からのレーザ光
を反射し、記録媒体６からの戻り光を透過するように構
成される。また、底面１４ｂ及び上面１４ｃにおいて、
レーザ光が反射するように構成される。Then, the two photodiodes PD _A ,
On the silicon substrate 11 to cover the PD _B, the glass prisms 14 are disposed. The glass prism 14 has a slope 14a provided to face the semiconductor laser 12, and a bottom surface 14b and a top surface 14c. The slope 14 a is a semi-transmissive reflection surface, and is configured to reflect the laser light from the semiconductor laser 12 and transmit the return light from the recording medium 6. Also, on the bottom surface 14b and the upper surface 14c,
The laser light is configured to be reflected.

【００３８】また、一般に半導体レーザは、発散ビーム
広がり角に異方性があるため、この図４の場合は、この
レーザ光の異方性を補正するためのアナモルフィックレ
ンズ１５をレーザ光の出射位置の前に配置している。そ
して、レーザ光をこのアナモルフィックレンズ１５に通
過させることにより、レーザ光の有効利用を図るように
している。Since a semiconductor laser generally has an anisotropic diverging beam divergence angle, in the case of FIG. 4, an anamorphic lens 15 for correcting the anisotropy of the laser beam is used. It is arranged before the emission position. The laser light is passed through the anamorphic lens 15 so that the laser light can be effectively used.

【００３９】半導体レーザ１２から出射したレーザビー
ムは、アナモルフィックレンズ１５を通過して異方性が
補正された後、半導体レーザ１２に対向して配置された
ガラスプリズム１４の半透過反射面とされた斜面１４ａ
で反射して記録媒体６に向かう。その後、記録媒体６で
反射された反射ビーム、この場合は図２に示した偏光ホ
ログラム素子３により３本に分割された反射ビームは、
半導体レーザ１２に対向して配置されたガラスプリズム
１４の半透過反射面とされた斜面１４ａを透過し、この
透過の際に屈折する。After the laser beam emitted from the semiconductor laser 12 passes through the anamorphic lens 15 and the anisotropy is corrected, the laser beam passes through the semi-transmissive reflection surface of the glass prism 14 disposed opposite to the semiconductor laser 12. Slope 14a
At the recording medium 6. Thereafter, the reflected beam reflected by the recording medium 6, in this case, the reflected beam divided into three by the polarization hologram element 3 shown in FIG.
The light passes through an inclined surface 14a, which is a semi-transmissive reflection surface, of a glass prism 14 arranged to face the semiconductor laser 12, and is refracted during this transmission.

【００４０】そして、３本の反射ビームは、さらにガラ
スプリズム１４の底面１４ｂ及び上面１４ｃで反射を繰
り返して、それぞれシリコン基板１１に形成された２つ
のフォトダイオードＰＤ_A ，ＰＤ_B に導かれる。３本の
反射ビームは、前方のフォトダイオードＰＤ_A に入射か
つ反射する際には、横長即ち反射ビームが通過する面Ｓ
方向に長い楕円形状の光スポットとなり、ガラスプリズ
ム１４の上面１４ｃで反射し、後方のフォトダイオード
ＰＤ_B に入射する際には、縦長即ち反射ビームが通過す
る面Ｓに垂直な方向に長い楕円形状の光スポットとな
る。The three reflected beams are repeatedly reflected on the bottom surface 14b and the top surface 14c of the glass prism 14, and are guided to two photodiodes PD _A and PD _B formed on the silicon substrate 11, respectively. 3 reflected beam of the present, when incident and reflected forward of the photodiode PD _A passes the horizontal i.e. reflected beam plane S
Become light spot long elliptical shape in the direction, reflected by the top surface 14c of the glass prism 14, a long oval shape when it enters the rear of the photo diode PD _B is a vertically elongated i.e. a direction perpendicular to the surface S of the reflected beam passes Light spot.

【００４１】この図４の場合は、前方のフォトダイオー
ドＰＤ_A が、反射ビームの中央のビームを検出し、後方
のフォトダイオードＰＤ_B が、反射ビームの３つのビー
ムを検出するように形成されている。In the case of FIG. 4, the front photodiode PD _A is formed to detect the central beam of the reflected beam, and the rear photodiode PD _B is formed to detect the three reflected beams. I have.

【００４２】これら２つのフォトダイオードＰＤ_A ，Ｐ
Ｄ_B 付近の拡大図を図５に示す。２つのフォトダイオー
ドＰＤ_A ，ＰＤ_B の内、先に反射ビームが入射するフォ
トダイオードＰＤ_A は、反射ビームの中央のビームの光
軸の照射位置を交点として、反射ビームの通過する面Ｓ
上の分割線Ｐ１と、この面Ｓと垂直な方向の分割線Ｐ２
とにより４分割され、さらに反射ビームの通過する面Ｓ
と平行な方向の分割線Ｐ３，Ｐ４により４分割された各
区画が２分割されて、８分割フォトダイオードＡ１，Ａ
２，Ａ３，Ａ４，Ａ５，Ａ６，Ａ７，Ａ８を形成してい
る。These two photodiodes PD _A , P
An enlarged view of the vicinity of D _B shown in FIG. Two photodiodes PD _A, among the PD _B, the photodiode PD _A the previously reflected beam is incident, as the intersection of the irradiation position of the optical axis of the central beam of the reflected beam, the surface S passing the reflected beam
The upper dividing line P1 and the dividing line P2 in the direction perpendicular to the surface S
And the surface S through which the reflected beam passes
Each section divided into four by the dividing lines P3 and P4 in the direction parallel to the above is divided into two, and divided into eight divided photodiodes A1 and A
2, A3, A4, A5, A6, A7, and A8.

【００４３】そして、反射ビームの通過する面Ｓと平行
な方向の分割線Ｐ３，Ｐ４は、反射ビームがジャストフ
ォーカスの状態にある時に、反射ビームの通過する面Ｓ
側の区画Ａ１，Ａ２，Ａ５，Ａ８が受ける光量と反対側
の区画Ａ３，Ａ４，Ａ６，Ａ７が受ける光量とが等しく
なるようにする。The dividing lines P3 and P4 in the direction parallel to the surface S through which the reflected beam passes indicate the surface S through which the reflected beam passes when the reflected beam is in the just focus state.
The amount of light received by the sections A1, A2, A5, and A8 on the side is made equal to the amount of light received by the sections A3, A4, A6, and A7 on the opposite side.

【００４４】一方、反射ビームがガラスプリズム１４の
上面１４ｃで反射した後に入射するフォトダイオードＰ
Ｄ_B は、上述のフォトダイオードＰＤ_A とは異なる形態
で８分割されている。即ち、反射ビームの通過する面Ｓ
上の分割線Ｐ５により、２分割された各区画が、さらに
反射ビームの通過する面Ｓと垂直な方向の分割線Ｐ６，
Ｐ７により３つに分割され、３本の反射ビームの内の１
つのスポットを受光するように形成される。また３分割
された中央の部分は、さらに反射ビームの通過する面Ｓ
と平行な方向の分割線Ｐ８，Ｐ９により２分割される。
これにより、この中央の部分は４分割、両外側の部分は
各２分割されて、合計８分割フォトダイオードＢ１，Ｂ
２，Ｂ３，Ｂ４，Ｂ５，Ｂ６，Ｂ７，Ｂ８を形成してい
る。On the other hand, the photodiode P which enters after the reflected beam is reflected by the upper surface 14c of the glass prism 14
D _B is divided into eight in different forms from the photodiode PD _A above. That is, the surface S through which the reflected beam passes
Each of the sections divided into two by the upper dividing line P5 further becomes a dividing line P6 in a direction perpendicular to the surface S through which the reflected beam passes.
Divided into three by P7, one of the three reflected beams
It is formed to receive two spots. Further, the central portion divided into three is a surface S through which the reflected beam passes.
Are divided into two by the dividing lines P8 and P9 in the direction parallel to.
As a result, the central part is divided into four parts, and both outer parts are divided into two parts, respectively, so that a total of eight divided photodiodes B1, B
2, B3, B4, B5, B6, B7, and B8.

【００４５】この８分割フォトダイオードＰＤ_B の反射
ビームの通過する面Ｓと平行な方向の分割線Ｐ８，Ｐ９
も、反射ビームがジャストフォーカスの状態にある時
に、反射ビームの通過する面Ｓ側の区画Ｂ１，Ｂ３が受
ける光量と反対側の区画Ｂ２，Ｂ４が受ける光量とが等
しくなるようにする。[0045] The 8 divided photodiode PD _B passing surfaces S in a direction parallel to the reflected beam of the dividing line P8, P9
Also, when the reflected beam is in the just focus state, the amount of light received by the sections B1 and B3 on the surface S through which the reflected beam passes and the amount of light received by the opposite sections B2 and B4 are made equal.

【００４６】そして、２つの８分割フォトダイオードＰ
Ｄ_A ，ＰＤ_B を用いて、次のように信号の検出を行う。Then, the two 8-division photodiodes P
D _A, using a PD _B, to detect the signals as follows.

【００４７】まず、ＲＦ信号は、前方の８分割フォトダ
イオードＰＤ_A において、８つの区画Ａ１〜Ａ８の和信
号を検出することによって得ることができる。Firstly, RF signals, in front of the 8 divided photodiode PD _A, can be obtained by detecting the sum signal of eight compartments A1 to A8.

【００４８】また、焦点誤差信号即ちフォーカスエラー
信号ＦＥは、フォトダイオードＰＤ_A 上のスポット径と
フォトダイオードＰＤ_B 上の反射ビームの中央のスポッ
ト径の変化を検出する。即ち、例えば数１のように演算
を行うことにより、フォーカスエラー信号ＦＥを得る。
尚、以下各区画Ａ１〜Ａ８及びＢ１〜Ｂ８が検出する信
号を、それぞれＡ１〜Ａ８及びＢ１〜Ｂ８と表す。[0048] Further, the focus error signal or a focus error signal FE detects the center of a change in the spot diameter of the reflected beam on the photodiode PD _A on the spot diameter and the photodiode PD _B. That is, the focus error signal FE is obtained by, for example, performing an operation as shown in Expression 1.
Hereinafter, signals detected by the sections A1 to A8 and B1 to B8 are represented as A1 to A8 and B1 to B8, respectively.

【００４９】[0049]

【数１】フォーカスエラー信号ＦＥ＝（Ａ１＋Ａ２＋Ａ
５＋Ａ８）−（Ａ３＋Ａ４＋Ａ６＋Ａ７）−｛（Ｂ１＋
Ｂ３）−（Ｂ２＋Ｂ４）｝## EQU1 ## Focus error signal FE = (A1 + A2 + A)
5 + A8)-(A3 + A4 + A6 + A7)-｛(B1 +
B3)-(B2 + B4)｝

【００５０】即ち記録媒体上の焦点ずれにより、フォト
ダイオードＰＤ_A ，ＰＤ_B 上の反射ビームのスポット径
が変化するが、このとき一方の８分割フォトダイオード
ＰＤ_A におけるスポット径の変化と他方の８分割フォト
ダイオードＰＤ_B におけるスポット径の変化がお互いに
逆になることを利用して、反射ビームが通過する面Ｓと
垂直な方向のスポット径の変化を検出する。[0050] That the defocusing on the recording medium, the photodiodes PD _A, although the spot diameter of the reflected beam on the PD _B is changed, the change and the other of the spot diameter of 8 split photodiode PD _A on one this time 8 change the spot diameter in the divided photodiode PD _B is based on the fact that reversed to each other, the reflected beam to detect changes in the vertical direction of the spot diameter and the surface S passing through.

【００５１】次に、トラッキング誤差信号（トラッキン
グ外れ信号）即ちトラッキングエラー信号ＴＥは、例え
ばプッシュプル法を利用し、後方の８分割フォトダイオ
ードＰＤ_B の反射ビームの中央のスポットに対応する部
分により、次の数２に示すように演算を行って検出する
ことができる。Next, the tracking error signal (tracking off signal) i.e. the tracking error signal TE, for example using a push-pull method, by a portion corresponding to the center of the spot of the reflected beam behind the 8 divided photodiode PD _B, It can be detected by performing an operation as shown in the following Expression 2.

【００５２】[0052]

【数２】トラッキングエラー信号ＴＥ＝（Ｂ１＋Ｂ２）
−（Ｂ３＋Ｂ４）## EQU2 ## Tracking error signal TE = (B1 + B2)
− (B3 + B4)

【００５３】尚、例えばＤＶＤ ＲＯＭ（読み出し専用
Digital Versatile Disk）等の光学記録媒体では、トラ
ッキングエラー信号の検出方法として、いわゆるＤＰＤ
（diffrencial phase detection ）法が規格として採用
されている。このような記録媒体を再生する場合には、
トラッキングエラー信号ＴＥは、前方の８分割フォトダ
イオードＰＤ_A によりＤＰＤ法に従ってたすき掛けの演
算を行い、例えば次の数３に示す演算式により検出す
る。For example, a DVD ROM (read only)
Optical recording media such as Digital Versatile Disk) use a so-called DPD as a method of detecting a tracking error signal.
(Diffrencial phase detection) method has been adopted as a standard. When reproducing such a recording medium,
Tracking error signal TE performs calculation of crosswise according DPD method by the front of the 8 divided photodiode PD _A, detected by the calculation expressions shown example in the following equation (3).

【００５４】[0054]

【数３】トラッキングエラー信号ＴＥ＝（Ａ１＋Ａ４＋
Ａ７＋Ａ８）−（Ａ２＋Ａ３＋Ａ５＋Ａ６）## EQU3 ## Tracking error signal TE = (A1 + A4 +)
A7 + A8)-(A2 + A3 + A5 + A6)

【００５５】ここで、通常コンパクトディスク（ＣＤ）
等の記録媒体では、記録トラックとなるピットの幅が記
録トラック間の間隔よりも小さいので、光スポットがピ
ットにある場合は反射ビームが暗くなり、光スポットが
記録トラック間となるピット列の間にある場合は反射ビ
ームが明るくなる。従って、記録信号であるＲＦ信号を
兼ねる反射ビームの和信号の大小によって、レーザ光の
スポットが記録トラック上にあるかどうか判別すること
ができる。Here, usually, a compact disc (CD)
In a recording medium such as that described above, the width of the pits serving as recording tracks is smaller than the interval between the recording tracks, so that when the light spot is in the pits, the reflected beam is darkened, and the light spot is located between the pit trains in the recording tracks , The reflected beam becomes brighter. Therefore, it is possible to determine whether or not the spot of the laser beam is on the recording track, based on the magnitude of the sum signal of the reflected beam that also serves as the RF signal that is the recording signal.

【００５６】これに対して、ＤＶＤ ＲＡＭ（書き換え
可能Digital Versatile Disk）等の記録媒体では、案内
溝形式として、案内溝（グルーブ）部Ｇと溝間（ラン
ド）部Ｌの両方に記録する方式であるランド／グルーブ
方式が採用されている。この記録媒体の場合には、案内
溝部Ｇの幅と溝間部Ｌの幅が等しく形成され、これらが
等間隔で並んでいるため、上述の明暗の差がなく、上述
の和信号（ＲＦ信号）を検出する方法では、和信号（Ｒ
Ｆ信号）に変化が生じないので、案内溝部Ｇと溝間部Ｌ
とを識別するための信号、即ちいわゆるクロストラック
シグナルが得られにくい。On the other hand, in a recording medium such as a DVD RAM (rewritable digital versatile disk), a guide groove format is used in which recording is performed in both the guide groove (groove) portion G and the inter-groove (land) portion L. A certain land / groove method is adopted. In the case of this recording medium, the width of the guide groove portion G and the width of the inter-groove portion L are formed to be equal, and these are arranged at equal intervals. ), The sum signal (R
F signal), the guide groove G and the inter-groove L
, That is, a so-called cross-track signal is difficult to obtain.

【００５７】そこで、本発明を適用して、先に図３に示
したように、記録媒体６上に３つのスポットを生成し、
記録再生用スポットの両外側のスポットＳ₁ を、溝ピッ
チ幅の１／４ずつ傾けて配置する。Therefore, by applying the present invention, three spots are generated on the recording medium 6 as shown in FIG.
Spots S ₁ on both outer recording reproducing spot, is arranged to be inclined by a 1/4 of the groove pitch.

【００５８】そして、後方の８分割フォトダイオードＰ
Ｄ_B の反射ビームの両外側のスポットに対応する部分Ｂ
５，Ｂ６及びＢ７，Ｂ８を用いて、次の数４に演算式を
示すクロストラッキングシグナルＣＴＳを得ることによ
って、トラッキングエラー信号ＴＥと９０°位相が異な
る信号が得られる。Then, the rear eight-division photodiode P
Portion B corresponding to the both outer sides of the spot of the reflected beam D _B
5, B6 and B7, B8 are used to obtain a cross-tracking signal CTS represented by the following equation (4), whereby a signal having a 90 ° phase difference from the tracking error signal TE is obtained.

【００５９】[0059]

【数４】クロストラッキングシグナルＣＴＳ＝（Ｂ５−
Ｂ８）−（Ｂ６−Ｂ７）## EQU4 ## Cross tracking signal CTS = (B5-
B8)-(B6-B7)

【００６０】この信号ＣＴＳによって、レーザ光のスポ
ットが記録媒体の案内溝部Ｇにあるか、或いは溝間部Ｌ
にあるかを判別することができる。例えば、レーザ光の
スポットが案内溝部Ｇにある場合にクロストラッキング
シグナルＣＴＳが正の値、レーザ光のスポットが溝間部
Ｌにある場合にクロストラッキングシグナルＣＴＳが負
の値になるように、或いは正負が逆になるように構成す
ればよい。尚、クロストラッキングシグナルＣＴＳの値
が０となるのは、レーザ光のスポットが案内溝部Ｇと溝
間部Ｌとの肩の部分に照射されているときである。According to the signal CTS, the spot of the laser beam is located in the guide groove G of the recording medium or the gap L between the grooves.
Can be determined. For example, the cross-tracking signal CTS has a positive value when the laser light spot is in the guide groove G, and the cross-tracking signal CTS has a negative value when the laser light spot is in the inter-groove L, or What is necessary is just to comprise so that positive and negative may be reversed. The value of the cross tracking signal CTS becomes 0 when the spot of the laser beam is applied to the shoulder between the guide groove G and the groove L.

【００６１】上述の実施の形態によれば、レーザフォト
ダイオードユニット１の後方の８分割フォトダイオード
ＰＤ_B が、反射ビームの３つのビームのスポットに対応
する３つの部分Ｂ１〜Ｂ４、Ｂ５及びＢ６、Ｂ７及びＢ
８から構成されているため、３つのビームを検出して、
トラッキングエラー信号ＴＥの検出や、クロストラッキ
ングシグナルＣＴＳの検出等の制御信号の検出を行うこ
とができる。[0061] According to the above-described embodiment, the laser photodiode unit 1 of the rear of the 8 divided photodiode PD _B, three portions corresponding to three beam spot of the reflected beam B1 to B4, B5 and B6, B7 and B
8, it detects three beams,
Detection of a control signal such as detection of the tracking error signal TE and detection of the cross tracking signal CTS can be performed.

【００６２】また、光学ピックアップ装置を構成する光
学ブロック１０が、対物レンズ５とレーザフォトダイオ
ードユニット１との間に偏光ホログラム素子３が配置さ
れ、この偏光ホログラム素子３でレーザ光を３つに分割
して記録媒体６に照射することによって、トラッキング
エラー信号等の制御信号を検出可能な反射ビームを得る
ことができる。従って、記録媒体６へのレーザ光の照射
位置の制御を行うことができる。The optical block 10 constituting the optical pickup device has a polarization hologram element 3 disposed between the objective lens 5 and the laser photodiode unit 1, and the polarization hologram element 3 divides laser light into three. Then, by irradiating the recording medium 6, a reflected beam capable of detecting a control signal such as a tracking error signal can be obtained. Therefore, the irradiation position of the laser beam on the recording medium 6 can be controlled.

【００６３】また、偏光ホログラム素子３を用いること
により、回折格子を用いた場合に生じるような光学ピッ
クアップ装置の動作に不要な信号や有害な信号を生じな
いので、より高性能な信号検出を行うことができる。In addition, by using the polarization hologram element 3, unnecessary or harmful signals are not generated for the operation of the optical pickup device as occurs when a diffraction grating is used, so that higher-performance signal detection is performed. be able to.

【００６４】また、ガラスプリズム１４を、フォトダイ
オードＰＤ_A ，ＰＤ_B を覆ってシリコン基板１１上に配
置し、半導体レーザ１２に対向する半透過反射面である
斜面１４ａを設けているため、この斜面１４ａにおい
て、半導体レーザ１２からのレーザ光を反射し、記録媒
体６からの反射ビームを透過させることができる。これ
によりビームスプリッタＢＳ等の反射ビームを分離する
ための光学部品を別途設ける必要がなく、分光手段であ
るガラスプリズム１４をシリコン基板１１上に配置して
いるので、光学ピックアップの低価格化及び小型化を図
ることができる。Further, the glass prism 14 is disposed on the silicon substrate 11 so as to cover the photodiodes PD _A and PD _B , and the inclined surface 14 a which is a semi-transmissive reflection surface facing the semiconductor laser 12 is provided. At 14a, the laser beam from the semiconductor laser 12 is reflected, and the reflected beam from the recording medium 6 can be transmitted. Accordingly, there is no need to separately provide an optical component for separating the reflected beam such as the beam splitter BS, and since the glass prism 14 serving as the spectral unit is disposed on the silicon substrate 11, the optical pickup can be reduced in cost and reduced in size. Can be achieved.

【００６５】尚、上述の実施の形態では、図４及び図５
に示した２つの８分割フォトダイオードＰＤ_A ，ＰＤ_B
を形成した例であったが、フォトダイオードはその他の
形態を採ることもできる。例えばフォトダイオードをＰ
Ｄ_A ，ＰＤ_B の内一方のみ形成する形態や、両外側のビ
ームの検出を前方のフォトダイオードＰＤ_A で行う形態
等を採ることも可能である。In the above-described embodiment, FIGS.
The two 8-part photodiodes PD _A and PD _{B shown in FIG.}
However, the photodiode may take other forms. For example, if the photodiode is P
D _A, and the form to form only one of PD _B, it is also possible to adopt a form or the like for detecting the beam of both outer sides in front of the photodiode PD _A.

【００６６】いずれのフォトダイオードの形態であって
も、分割された反射ビームの各ビームを検出することが
でき、かつＲＦ信号や、トラッキングエラー信号ＴＥ、
フォーカスエラー信号ＦＥ、クロストラッキング信号Ｃ
ＴＳ等の制御信号を検出することができるように構成す
ればよい。In any type of photodiode, each of the divided reflected beams can be detected, and the RF signal, the tracking error signal TE,
Focus error signal FE, cross tracking signal C
What is necessary is just to comprise so that control signals, such as TS, can be detected.

【００６７】本発明の半導体レーザ装置及び光学ピック
アップ装置は、上述の実施の形態に限定されるものでは
なく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構
成が取り得る。The semiconductor laser device and the optical pickup device of the present invention are not limited to the above-described embodiment, but may have various other configurations without departing from the gist of the present invention.

【００６８】[0068]

【発明の効果】上述の本発明によれば、小型低価格化が
可能なレーザフォトダイオードユニットの利点を損なわ
ず、より高性能なトラッキング制御を行うことができ
る。According to the present invention described above, a higher performance tracking control can be performed without deteriorating the advantages of the laser photodiode unit which can be reduced in size and cost.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明に係る光学ピックアップ装置のブロック
図である。FIG. 1 is a block diagram of an optical pickup device according to the present invention.

【図２】本発明に係る光学ピックアップ装置の概略構成
図である。FIG. 2 is a schematic configuration diagram of an optical pickup device according to the present invention.

【図３】記録媒体上に照射されるスポットを示す図であ
る。FIG. 3 is a diagram showing spots irradiated on a recording medium.

【図４】本発明に係る光学ピックアップ装置のレーザフ
ォトダイオードユニットの概略構成図である。 Ａ レーザ光の通過する面における断面図である。 Ｂ 平面図である。FIG. 4 is a schematic configuration diagram of a laser photodiode unit of the optical pickup device according to the present invention. FIG. 2A is a cross-sectional view of a surface through which laser light passes. B is a plan view.

【図５】図４のレーザフォトダイオードユニットのフォ
トダイオード付近の拡大図である。FIG. 5 is an enlarged view of the vicinity of a photodiode of the laser photodiode unit of FIG.

【図６】光学ピックアップ装置の概略構成図である。FIG. 6 is a schematic configuration diagram of an optical pickup device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１…レーザフォトダイオードユニット、２…コリメート
レンズ、３…偏光ホログラム素子、４…１／４波長板、
５…対物レンズ、６…記録媒体、１０，４１…光学ブロ
ック、１１…シリコン基板、１２…半導体レーザ、１３
…サブマウント材、１４…ガラスプリズム、１５…アナ
モルフィックレンズ、３１…再生イコライザ／ＰＬＬ回
路、３２…復調器、３３…レーザドライバ、３４…変調
器、３５…アドレスデコーダ、３６…フォーカス制御回
路、３７…トラッキング制御回路、３８…スライド制御
回路、３９…スピンドル制御回路、４０…システムコン
トロール部、４２…スピンドルモーター、４３…光ディ
スク、５０…光学ピックアップ装置、５１…半導体レー
ザ、５２…半導体基板、５３…光検出器、５４…プリズ
ム、５５…記録媒体、ＰＤ_A ，ＰＤ_B …８分割フォトダ
イオード、Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４，Ａ５，Ａ６，Ａ
７，Ａ８，Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４，Ｂ５，Ｂ６，Ｂ
７，Ｂ８…８分割フォトダイオードの区画、Ｓ_p …再生
信号、Ｓ_R …記録信号、Ｄ_p …再生用データ、Ｄ_R …記
録用データ、ＴＥ…トラッキングエラー信号、ＦＥ…フ
ォーカスエラー信号、ＦＣ…フォーカスコイル、ＴＣ…
トラッキングコイル、Ｌ…レーザ光、Ｇ…溝部、Ｌ…溝
間部、Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５，Ｐ６，Ｐ７，Ｐ
８，Ｐ９…（フォトダイオードの）分割線、Ｓ…反射ビ
ームが通過する面DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Laser photodiode unit, 2 ... Collimating lens, 3 ... Polarization hologram element, 4 ... 1/4 wavelength plate,
5 Objective lens, 6 Recording medium, 10 41 Optical block, 11 Silicon substrate, 12 Semiconductor laser, 13
... Submount material, 14 ... Glass prism, 15 ... Anamorphic lens, 31 ... Playback equalizer / PLL circuit, 32 ... Demodulator, 33 ... Laser driver, 34 ... Modulator, 35 ... Address decoder, 36 ... Focus control circuit 37, a tracking control circuit, 38, a slide control circuit, 39, a spindle control circuit, 40, a system control unit, 42, a spindle motor, 43, an optical disk, 50, an optical pickup device, 51, a semiconductor laser, 52, a semiconductor substrate, 53: photodetector, 54: prism, 55: recording medium, PD _A , PD _B : 8-division photodiode, A1, A2, A3, A4, A5, A6, A
7, A8, B1, B2, B3, B4, B5, B6, B
7, B8: Section of 8-division photodiode, S _p : reproduction signal, S _R : recording signal, D _p : reproduction data, D _R : recording data, TE: tracking error signal, FE: focus error signal, FC … Focus coil, TC…
Tracking coil, L: laser beam, G: groove, L: gap, P1, P2, P3, P4, P5, P6, P7, P
8, P9: dividing line (of the photodiode), S: surface through which the reflected beam passes

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 光検出器が形成された半導体基体を有
し、 上記半導体基体上に、半導体レーザが配置され、かつ上
記光検出器を覆って分光手段が配置され、 上記光検出器は、複数のレーザ光スポットの各スポット
の検出を行う複数の部分に分割されて成ることを特徴と
する半導体レーザ装置。1. A semiconductor substrate having a photodetector formed thereon, a semiconductor laser disposed on the semiconductor substrate, and spectral means covering the photodetector, wherein the photodetector comprises: A semiconductor laser device which is divided into a plurality of portions for detecting each of a plurality of laser light spots. 【請求項２】 上記光検出器が、３つの光スポットの各
光スポットの検出を行う３つの部分に分割されているこ
とを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。2. The semiconductor laser device according to claim 1, wherein the photodetector is divided into three portions for detecting each of the three light spots. 【請求項３】 上記３つの部分がそれぞれ２分割され、
さらに上記３つの部分の内１つの部分がさらに２分割さ
れて４分割され、合計８分割の上記光検出器が形成され
て成ることを特徴とする請求項２に記載の半導体レーザ
装置。3. The three parts are each divided into two parts,
3. The semiconductor laser device according to claim 2, wherein one of said three parts is further divided into two parts and divided into four parts to form a total of eight divisions of said photodetector. 【請求項４】 上記分光手段が上記半導体レーザに対向
する半透過反射面を有して成ることを特徴とする請求項
１に記載の半導体レーザ装置。4. The semiconductor laser device according to claim 1, wherein said spectral means has a semi-transmissive reflection surface facing said semiconductor laser. 【請求項５】 半導体基体上に半導体レーザが配置さ
れ、複数のレーザ光スポットの各スポットの検出を行う
複数の部分に分割された光検出器を覆って分光手段が配
置されて成る半導体レーザ装置と、 偏光ホログラム素子と、 上記半導体レーザ装置からのレーザ光を収束する収束手
段とを有し、 上記偏光ホログラム素子は、上記半導体レーザ装置と上
記収束手段との間に配置され、上記半導体レーザからの
レーザ光を複数の回折光に分割して、複数の光スポット
を記録媒体に照射することを特徴とする光学ピックアッ
プ装置。5. A semiconductor laser device comprising: a semiconductor laser disposed on a semiconductor substrate; and a spectroscopic means disposed over a photodetector divided into a plurality of portions for detecting each of a plurality of laser light spots. A polarization hologram element; and converging means for converging laser light from the semiconductor laser device. The polarization hologram element is disposed between the semiconductor laser device and the converging means, and is provided from the semiconductor laser. An optical pickup device which divides the laser light into a plurality of diffracted lights and irradiates a plurality of light spots to a recording medium. 【請求項６】 上記偏光ホログラム素子の上記記録媒体
の側に１／４波長板が配置されたことを特徴とする請求
項５に記載の光学ピックアップ装置。6. The optical pickup device according to claim 5, wherein a quarter-wave plate is arranged on the side of the recording medium of the polarization hologram element. 【請求項７】 上記複数の回折光の反射光を用いて上記
光検出器においてトラッキングエラー信号を得ることを
特徴とする請求項５に記載の光学ピックアップ装置。7. The optical pickup device according to claim 5, wherein a tracking error signal is obtained in the photodetector using reflected light of the plurality of diffracted lights. 【請求項８】 上記複数の回折光の反射光を用いて上記
光検出器においてクロストラッキング信号を得ることを
特徴とする請求項５に記載の光学ピックアップ装置。8. The optical pickup device according to claim 5, wherein a cross-tracking signal is obtained in the photodetector using reflected light of the plurality of diffracted lights.