JPH11265678A - 基板検査用高速電子線計測装置及び基板検査方法 - Google Patents
基板検査用高速電子線計測装置及び基板検査方法Info
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Abstract
方法において、高速検査を行い、また、大面積の基板の
検査を行う。 【解決手段】 基板検査用高速電子線計測装置は、基板
4に電子線14を導入する少なくとも1つのCRT銃1
と、実質的に作業領域Rを定め、該作業領域において真
空状態の基板の少なくとも一部分を含み、作業領域内の
基板に電子線の照射を行う真空室2と、基板からの電子
を検出する電子検出器3とを備え、電子線を基板で走査
して得られる電子の電圧コントラストを用いて基板検査
を行う構成とする。
Description
子線計測装置及び基板検査方法に関し、特に電子線を用
いたFPD等の基板を高速検査する検査装置及び検査方
法に関する。
は、電子情報を表示する陰極線管(CRT)と置換可能
な表示装置である。フラットパネルディスプレイ(以
下、FPDと称する)は、小型や低消費電力の点で利点
がある。しかしながら、FPDの製造工程において所定
の性能を検査する能力等の、製造上におけるいくつか問
題のために、一般的な陰極線管(以下、CRTと称す
る)よりも高価となっている。TVのような消費商品に
おいて、CRTをFPDに置き換えるには、FPDのコ
ストを下げる必要がある。
ランジスタ(TFT)液晶ディスプレイ(LCD)であ
る。TFT液晶ディスプレイは、一般の電機製品ほど価
格が重要でないため、高性能ラップトップコンピュータ
に用いられている。
概略図である。単一のガラス基板4上には、集積回路の
製造で用いられるプロセスと同様に、リソグラフと半導
体製造プロセスを用いてTFT FPD5が多数形成さ
れている(図15(a))。各TFT FPD5は、ア
レイ状に配列されたピクセル電極で構成されている。ピ
クセル電極を個々に繰り返して駆動することにより液晶
の発光制御が行われ、これによって二次元画像が形成さ
れる。ピクセル51は、図15(b),(c)に示すよ
うに、縦行と横列のマトリックス状に配列される。図1
5(c)において、各ピクセル51の横列Lrと縦行L
cとの選択信号をアドレスとすることによって、TFT
FPD5の表示操作を行う。
ある。図16において、各ピクセルは、ピクセル電極5
2とTFT53と蓄積容量54とを備える。TFT53
はスイッチを構成する。TFTのゲートあるいはスイッ
チ制御電極Gにはディスプレイの列選択信号Lrが接続
され、TFTのソース電極Sにはディスプレイの行選択
信号Lcが接続される。ピクセルの駆動時には、ピクセ
ルに必要な電圧信号(図16(b)の55)が縦行Lc
のラインに印加されており、横列Lrに横列信号(図1
6(b)の56)が立ち上げることによって、短時間の
間にTFTがオン状態となる。このTFTがオン状態の
間に、蓄積容量54は、TFTのソースに印加される電
圧値までチャージされ、次のピクセルのリフレッシュサ
イクルまでその電圧を維持する。
ィスプレイ上に二次元画像が表示される。TFT FP
D基板の検査においてよく用いられる技術として、機械
的接触プローブによって直接求めた電気測定値に基づく
ものが知られている。図17,18は機械的接触プロー
ブによる基板の一検査方法を説明するための図である。
ネル60の縦行の端子及び横列の端子を備え、両端子に
は縦行及び横列の駆動信号が印加される。通常、縦行の
ライン61と横列のライン62には、静電放電(ES
D)からTFT FPDを保護するために、抵抗回路に
接続されている。この抵抗回路は、製造工程の最終工程
の間にTFT FPDから切り離される。図18に示す
ように、抵抗回路の接続の有無にかかわらず、機械的プ
ローブ75を検査ピクセルに接続するように配置する。
また、検査ピクセルに対応する横列ライン62及び縦行
ライン61に対して、機械的プローブ72,71を接続
する。機械的プローブ72,71の二つのプローブは、
信号源73、74からTFTのピクセルを駆動する駆動
信号を検査ピクセルに印加する。検査ピクセルに接続さ
れた機械的プローブ75は、検査ピクセルのピクセル信
号を測定し、マルチメータタイプのテスター81によっ
て検査ピクセルの動作状態を評価する。
列と縦行のラインに生成される電流信号を測定し、この
測定電流によってピクセル状態を間接的に表示する、他
の機械的接触プローブ技術も知られている。図19は他
の機械的接触プローブによる基板の一検査方法を説明す
るための図である。
検査を行う場合には、プローブ76を横列あるいはTF
Tゲートの信号ライン62に接続し、信号源77から信
号を供給する。一方、プローブ78をTFTソースライ
ンに接続し、信号源79から信号を供給し、電流をマル
チメータタイプの検出器82で測定する。このような構
成によって、検査ピクセル内に機械的接触プローブを直
接挿入することなく、検査ピクセルを間接的に検査する
ことができる。
以下のような大きな問題がある。これらの方法は、多く
の機械的接点(横列及び縦行毎に1つの機械的プロー
ブ)と、信号発生器と、信号検出器とを必要とする。こ
れらの機械的プローブは非常に高価であり、また、全プ
ローブを定期的に交換する必要がある。このプローブの
交換には、およそ100,000$の費用を要する。
対して、光学的検査方法も知られている。この光学的検
査システムでは、ESD短絡バーを用いて全ての横列と
縦行とを同時に駆動し、パネルに対してピエゾ光学変調
器を最接近させて走査することによって、ピクセルに電
圧値を記録する。この光学的検査方法は、多数のプロー
ブを不要とすることができるが、検査速度が低速であ
り、大量生産に適していない。
より知られているFPDの検査では、機械的プローブに
よる検査では、多くの高価で定期的交換を要する機械的
接点を要し、また、光学的な検査では、検査に時間を要
するためFPDの大量生産に適していないという問題が
ある。
方法として、電子線によって生成される電圧コントラス
ト現象がある。図20,21,22を用いて、電圧コン
トラスト現象を簡単に説明する。図20において、電子
線EBが導電性の試料sに照射されると、試料sの表面
から二次電子SEが放出される。二次電子SEは静電的
特性であり、二次電子検出器DEに向かって進む。二次
電子検出器DEは電子数を電気信号に変換し検出信号D
Sを出力する。
る。図21において、試料sが接地電位に接続されてい
る場合には、二次電子のエネルギー分布はVGで示され
るグラフとなる。これに対して、試料sが図20に示さ
れるように、電圧Vの電気的バイアスがかけられている
場合には、二次電子のエネルギー分布はVxで示される
グラフとなり、VGのグラフから電圧Vに比例してシフ
トする。
子のエネルギーの関数である場合には、エネルギー分布
のシフトは検出信号DSの出力を変化させる。この出力
変化を測定することによって、試料の電圧を推量するこ
とができる。通常の検査システムでは、試料の電圧Vと
検出器の信号Oとの関係を表す移動関数は、図22に示
すように非直線的である。電子スペクトロメーターのよ
うな特殊な検出器では、移動関数は直線化され、検出器
の検出信号から試料の電圧を直接測定することができ
る。
行物や特許に示されている。参考文献として、例えば、
米国特許番号3,961,190,“走査電子線装置の
ための電圧コントラスト検出器”Lukianoff et al.197
6、“走査電子線マイクロスコープにおける電圧検出装
置としての円筒型二次電子検出器”Ballantyne et al.
走査電子線マイクロスコープ/1972(PartI)がある。
理的にはFPDの電極基板上の電気信号の検査に適用す
ることができる。しかしながら、電子線を微小領域で走
査する速度制限や、高真空を要する条件から、この技術
はFPDの量産には適していない。FPDの量産には、
検査速度は重要な要件である。
査は、集積回路(IC)に利用されている。これらの利
用では、電子線を微小照射点とすることによって、像の
形成を行い、また、ICにおいて1μmよりも小さな領
域で発生する電圧を測定する。しかしながら、FPDの
製造中に求められる高速検査には、種々の技術的制限に
よって実用的ではない。一つの制限は、得られる最大の
電子線走査領域はせいぜい数ミリメーターに過ぎないと
いう検査領域の面積にかかわる制限である。近い将来の
FPDの基板は、1000×1000ミリメーターの面
積を備えることになる。他の制限は、電子線が必要とす
る高真空環境によって、膨大な検査時間が必要とされる
という検査時間にかかわる制限である。
解決し、基板検査用高速電子線計測装置及び基板検査方
法において、高速検査を行うことを目的とし、また、大
面積の基板の検査を行うことを目的とする。
線管)の表示装置を改良した電子線源、及びCRTと同
様の電子線を発生する機能を有する電子線源を用いて、
大型の基板の高速検査を行うために電子線の走査領域を
拡大して、従来技術の問題点を解決するものである。
は、基板に電子線を導入する少なくとも1つのCRT銃
と、実質的に作業領域を定め、該作業領域において真空
状態の基板の少なくとも一部分を含み、作業領域内の基
板に電子線の照射を行う真空室と、基板からの電子を検
出する電子検出器とを備え、電子線を基板で走査して得
られる電子の電圧コントラストを用いて基板検査を行う
構成とする。
内で作業領域を囲む工程と、作業領域内に基板の少なく
とも一部を配置する工程と、CRT銃から電子線の少な
くとも一部を作業領域内の基板に導く工程と、基板から
の電子を検出する工程とを備え、電子線を基板で走査し
て得られる電子の電圧コントラストを用いて基板検査を
行う。
を行う基板を配置し、CRT銃から基板に電子線を導入
し、基板上で電子線を走査させる。CRT銃は、CRT
の表示装置においてガラス容器とスクリーンを除いた部
分であり、電子線発生部と発生した電子線を走査する走
査部とを備えた部分である。また、本発明のCRT銃
は、前記したCRTの表示装置からガラス容器とスクリ
ーンとを除いた構成の他に、電子線の発生及び走査につ
いて同等の特性を備える電子銃を用いることができる。
面を走査する。電子線によって基板の表面で発生した二
次電子等の電子は電子検出器で検出される。電子の電圧
コントラストに基づいて、電子検出器の検出出力の変化
から基板の電位を求め、求めた基板の電位によって基板
及び該基板を備える装置の検査を行う。
数のCRT銃を設ける構成とすることができる。複数の
CRT銃を用いる場合には、複数のCRT銃は共通の真
空室を備え、該真空室内においてFPDの基板を検査す
るように複数のCRT銃を設ける。
設けることも、あるいは全CRT銃に共用させることも
できる。複数の電子検出器を用いる場合には、各電子検
出器の検出範囲を分離するために静電遮蔽を備えること
ができる。
T銃の走査領域に重なり部分が形成されるようにオーバ
ーラップさせる構成とすることも、また、走査領域の間
にギャップを設ける構成とすることもできる。走査領域
の間にギャップを設ける構成では、ギャップ部分の走査
を行うために、走査軌跡が重なるように基板の走査を行
う必要がある。
び基板検査方法は、以下の各実施形態を備える。本発明
の第1の実施態様は、電子検出器は基板から放出された
二次電子を検出する。また、本発明の第2の実施態様
は、電子検出器を真空室内に配置する。
の少なくとも一部を真空室内に配置し、CRT銃と真空
室とを結合する真空シールを備え、該真空シールによっ
て真空室内を実質的に真空状態に維持する。本発明の第
4の実施態様は、真空室内を真空状態とする真空ポンプ
を備える。
(フラットパネルディスプレイ)を構成する。これによ
ってFPDの製造中での高速検査、及び大型のFPDの
検査を行うことができる。
銃を備え、各CRT銃は真空室内の作業領域内の副作業
領域に電子線を走査させ、本発明の第7の実施態様は、
各副作業領域に電子検出器を備える。また、本発明の第
8の実施態様は、副作業領域から発生する電子を各電子
検出器で検出するように、電子検出を制限する静電遮蔽
を備える。
オーバーラップするようCRT銃を配置する。本発明の
第10の実施態様は、副作業領域が分離するようCRT
銃を配置し、基板の走査を段階的に行い、全基板にわた
る電圧コントラストの検出を行う。
によって、FPDの製造過程中において短時間でFPD
の検査を完了させ、これによって、FPDの製造時間を
短縮することができる。また、本発明をFPDの基板検
査に適用することによって、大型のFPDの検査を行う
ことができる。
て図を参照しながら詳細に説明する。図1は通常知られ
るCRT(陰極線管)の図である。図1に示される基本
的なCRT10はCRTディスプレイ管として10-5
から10-8 Torrの高真空のガラス容器13を備える。
CRT10は電子線源11から発した電子線を電子線制
御部12で走査し、内部発光燐コーティング15に照射
し、表示を行う。電子線源11は、熱−イオン放射型の
電子線源を用いることができ、また、電子線制御部12
は静電レンズ及び又は電磁レンズ、及び反射装置等を備
え、電子線源11から放射された電子線を制御して内部
発光燐コーティング15上で走査させる。以下では、通
常のCRT10をCRTディスプレイと呼び、ガラス容
器13及び内部発光燐コーティング15を除いた部分を
CRT銃1と呼ぶこととする。
装置の構成例の概略ブロック図である。以下、基板とし
てFPDが備える基板を例として説明する。図2に示す
基板検査用高速電子線計測装置は、要部を切り開いたC
RTを用いて、高真空室内で検査用のFPDを挿入した
状態を示している。図2において、CRT銃1は、通常
のCRTが備えるガラス容器13(破線で示している)
を取り除き、該ガラス容器13の代わりに高真空の真空
室2を真空シール21を用いて結合している。真空室2
は高真空ポンプ装置22によって、CRT銃1に適した
圧力に調圧される。CRT銃1で発生された電子線は、
作業領域R内において検査中のFPDの基板4上を走査
し、走査によって基板から放出された電子は電子検出器
3によって検出される。電子検出器3は、二次電子を検
出するエバーハート−ソンリー型(Evehart−T
hornley type)を用いることができる。二次電
子は、電圧コントラスト情報を有しており、電子検出器
3で検出した二次電子の電圧変化を求めることによっ
て、FPDの基板上の電圧を測定することができる。
との対応は、電子線14を走査する走査制御信号に同期
して、検出信号を信号処理することによって行うことが
できる。
用高速電子線計測装置の基本構成を示すと共に、一つの
CRT銃を備えた構成例を示している。
えた構成例を示している。本発明が備える改良した複数
のCRTディスプレイを用いて、有効的に走査領域を拡
大することが望ましい。各改良したCRTディスプレイ
は、対応する副作業領域を備える。この構成は、電流に
よる電子線テスターや走査電子線マイクロスコープ(S
EM)を複数用いた複雑な電子線銃と比較して低コスト
であるCRTディスプレイを用いることによって構成す
ることができる。また、CRTの配列は、複数の電子線
を近接させた集積配列を可能としている。
はライン状に配列され、真空ポンプ装置22で排気され
る共通の真空室2を共有している。各CRT銃1A〜1
Dは、それぞれ副作業領域SRA〜SRDを備え、該副
作業領域SRA〜SRDの基板4から放出された電子
を、図示しない二次電子検出器で検出する。二次電子検
出器は全CRT銃1A〜1Dに対してただ1つ備える構
成、あるいは各CRT銃1A〜1Dに対してそれぞれ備
える構成とすることができる。二次電子検出器をいずれ
の配置構成とするかは、基板検査で要求される操作速度
に基づいて定められる。複数の電子検出器を配列する場
合には、パラレル処理を行うことによって検査の操作を
より速めることができる。
える構成例であるが、任意のFPDの領域をカバーする
ために、必要に応じて増加させることができる。また、
CRT銃1は、間隔を開けて配置したり、走査領域が重
なるように隣接させることができる。この配置間隔の選
択は、基板検査において要求される性能とコストとの比
率や、二次電子検出器の構成等の要素に応じて行われ
る。
てFPDの基板の2度走査範囲は、基板の合計の範囲と
なる。このとき、各CRT銃1はCRT銃の配置間隔の
半分の距離をオフセットして配置される。なお、他の走
査の構成も本発明に含まれる。
場合には、CRT銃から発生した二次電子が1つの電子
検出器以上の電子検出器に入射することによる影響が生
じないように配慮する必要がある。各CRT銃の走査路
に対する各電子検出器の距離によって、CRT銃は図3
中の破線23で示す領域で静電遮蔽を行う必要がある。
この静電遮蔽の目的は、各CRT銃から発生した電子の
みが、対応する電子検出器で検出することにあり、クロ
ストークを低減させることができる。
いて、図4〜図14を用いて説明する。図4は複数のC
RT銃を備えた第1の構成例の概略ブロック図であり、
図5は第1の構成例による走査領域を説明する図であ
る。第1の構成例は、前記した図3の構成において、1
つの電子検出器3を備え、各CRT銃1A〜1Dの副作
業領域を重なるようにCRT銃を配列する構成である。
この構成によって各CRT銃の各走査領域はオーバーラ
ップし、基板4上で走査漏れとなる領域を除去すること
ができる。
順次駆動し、各駆動毎に放出される二次電子を電子検出
器3で検査する。図5(a)〜図5(d)は、CRT銃
1A〜1Dを順次駆動して得られる走査領域であり、各
副作業領域SRA〜SRDに対応している。
検出結果を重ねた状態を示している。各副作業領域SR
A〜SRDに重複部分ORAB,ORBC,ORCDの
重なりを設けることによって、走査漏れを除去すること
ができる。
て、該CRT銃の走査制御信号と同期して検出信号を検
出する。
例の概略ブロック図であり、図7は第2の構成例による
走査領域を説明する図である。第2の構成例は、前記し
た図3の構成において、1つの電子検出器3を備え、各
CRT銃1A〜1Dの副作業領域を重なりがないよう分
離してCRT銃を配列する構成である。この構成によっ
て各CRT銃の各走査領域は分離するため、基板を移動
させて段階的に走査を行い、検出した信号を重ねること
によって、基板4上で走査漏れとなる領域を除去するこ
とができる。
よる順次駆動を段階的に行い、各駆動毎に放出される二
次電子を電子検出器3で検査する。図7(a)〜図7
(d)は、第1段において、CRT銃1A〜1Dを順次
駆動して得られる走査領域であり、各副作業領域SRA
〜SRDに対応している。また、図7(e)〜図7
(f)は、基板4を所定距離移動させた第2段におい
て、CRT銃1A〜1Dを順次駆動して得られる走査領
域であり、各副作業領域SRA〜SRDに対応してい
る。
検出結果を重ねた状態を示している。基板4の移動量
を、副作業領域SRA〜SRDに重複部分が生じるよう
に定めることによって、走査漏れを除去することができ
る。
〜SRDの配置間隔をDとし、各副作業領域SRA〜S
RDの間のオフセット距離をdとし、基板4の移動量を
aとしてる。ここで、CRT銃の配置間隔Dの半分の距
離をオフセット距離dし、移動量aをオフセット距離d
とすることによって、重複部分を零とすることができ
る。電子検出器3は、駆動するCRT銃について、該C
RT銃の走査制御信号と同期して検出信号を検出する。
例の概略ブロック図であり、図9は第3の構成例による
走査領域を説明する図である。第3の構成例は、前記し
た図3の構成において、各CRT銃1A〜1D毎に電子
検出器3a〜3dを備え、各CRT銃1A〜1Dの副作
業領域を重なるようにCRT銃を配列する構成である。
この構成によって各CRT銃の各走査領域はオーバーラ
ップし、基板4上で走査漏れとなる領域を除去すること
ができる。
順次駆動し、各駆動毎に放出される二次電子を各電子検
出器3a〜3dで検査する。図9(a)〜図9(d)
は、CRT銃1A〜1Dを順次駆動し、各電子検出器3
a〜3dで検出される走査領域であり、各副作業領域S
RA〜SRDに対応している。
検出結果を重ねた状態を示している。各副作業領域SR
A〜SRD(電子検出器3a〜3dの検出領域)に重複
部分ORAB,ORBC,ORCDの重なりを設けるこ
とによって、走査漏れを除去することができる。電子検
出器3は、駆動するCRT銃について、該CRT銃の走
査制御信号と同期して検出信号を検出する。
成例の概略ブロック図であり、図10は第4の構成例に
よる走査領域を説明する図である。第4の構成例は、前
記した図3の構成において、各CRT銃1A〜1D毎に
電子検出器3a〜3dを備え、各CRT銃1A〜1Dの
副作業領域を重なりがないよう分離してCRT銃を配列
する構成である。この構成によって各CRT銃の各走査
領域は分離するため、基板を移動させて段階的に走査を
行い、検出した信号を重ねることによって、基板4上で
走査漏れとなる領域を除去することができる。
よる順次駆動を段階的に行い、各駆動毎に放出される二
次電子を電子検出器3で検査する。図11(a)〜図1
1(d)は、第1段において、CRT銃1A〜1Dを順
次駆動して各電子検出器3a〜3dで得られる走査領域
であり、各副作業領域SRA〜SRDに対応している。
また、図11(e)〜図11(f)は、基板4を所定距
離移動させた第2段において、CRT銃1A〜1Dを順
次駆動して各電子検出器3a〜3dで得られる走査領域
であり、各副作業領域SRA〜SRDに対応している。
(f)の検出結果を重ねた状態を示している。基板4の
移動量を、副作業領域SRA〜SRDに重複部分が生じ
るように定めることによって、走査漏れを除去すること
ができる。電子検出器3は、駆動するCRT銃につい
て、該CRT銃の走査制御信号と同期して検出信号を検
出する。
成例の概略ブロック図であり、図13は第5の構成例に
よる走査領域を説明する図である。第5の構成例は、第
4の構成例と同様に、各CRT銃1A〜1D毎に電子検
出器3a〜3dを備え、各CRT銃1A〜1Dの副作業
領域を重なりがないよう分離してCRT銃を配列する構
成であり、各CRT銃1A〜1D及び対応する電子検出
器3a〜3dの間に静電遮蔽を設け、各電子検出器は、
対応しないCRT銃の影響を受けることなく検出を行
う。
よる駆動を段階的に行い、各駆動毎に放出される二次電
子を電子検出器3で検査する。図13(a)は、第1段
において、CRT銃1A〜1Dを駆動して各電子検出器
3a〜3dで得られる走査領域であり、各副作業領域S
RA〜SRDに対応している。また、図13(b)は、
基板4を所定距離移動させた第2段において、CRT銃
1A〜1Dを駆動して各電子検出器3a〜3dで得られ
る走査領域であり、各副作業領域SRA〜SRDに対応
している。
子検出器3a〜3dの検出は、静電遮蔽を設けることに
よって同時に行うことができる。
(b)の検出結果を重ねた状態を示している。基板4の
移動量を、副作業領域SRA〜SRDに重複部分が生じ
るように定めることによって、走査漏れを除去すること
ができる。電子検出器3は、駆動するCRT銃につい
て、該CRT銃の走査制御信号と同期して検出信号を検
出する。
電子検出器3を二次元に配列した状態を示す図である。
真空室2内において、基板4を実線と破線の間で移動さ
せ、各位置で走査することによって、大型の基板4を二
次元的に検査することができる。 なお、上記説明で
は、CRT銃は、CRTの表示装置からガラス容器とス
クリーンとを除いた構成を用いているが、CRT銃は該
構成に限らず、電子線の発生及び走査について同等の特
性を備える電子銃とすることができることは明らかであ
る。
基板検査用高速電子線計測装置及び基板検査方法におい
て、高速検査を行うことができる。また、大面積の基板
の検査を行うことができる。
例の概略ブロック図である。
のCRT銃を備えた構成例の概略ブロック図である。
ロック図である。
る。
ロック図である。
る。
ロック図である。
る。
ブロック図である。
ある。
ブロック図である。
ある。
次元に配列した状態を示す図である。
る。
図である
を説明するための図である。
を説明するための図である。
方法を説明するための図である。
である。
分布図である。
である。
d…電子検出器、4…基板、11…電子線源、12…電
子線制御部、15…内部発光燐コーティング、22…真
空ポンプ装置、23…静電遮蔽領域、51…ピクセル、
52…ピクセル電極、53…TFT、54…蓄積容量、
60…パネル、61…縦行のライン、62…横列のライ
ン、71,72,75…機械的プローブ、73,74,
77,79…信号源、76,78…プローブ、s…試
料、EB…電子線、SE…二次電子、DE…電子検出
器、ORAB〜ORCD…重複部分、R…作業領域、S
RA〜SRD…副作業領域。
Claims (2)
- 【請求項1】 基板に電子線を導入する少なくとも1つ
のCRT銃と、実質的に作業領域を定め、該作業領域に
おいて真空状態の基板の少なくとも一部分を含み、作業
領域内の基板に電子線の照射を行う真空室と、基板から
の電子を検出する電子検出器とを備え、電子線を基板で
走査して得られる二次電子の電圧コントラストを用いて
基板検査を行う、基板検査用高速電子線計測装置。 - 【請求項2】 真空状態内で作業領域を囲む工程と、作
業領域内に基板の少なくとも一部を配置する工程と、C
RT銃から電子線の少なくとも一部を作業領域内の基板
に導く工程と、基板からの電子を検出する工程とを備
え、電子線を基板で走査して得られる電子の電圧コント
ラストを用いて基板検査を行う、基板検査方法。
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