JPH11261370A - Surface acoustic wave device - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a SAW(surface acoustic wave) device which can suppress spurious radiation due to an S2 mode of higher order than an S0 mode, suppresses an out-band attenuation and improves the shape of a pass band, and can reduce the level of an unnecessary resonance mode and prevent a frequency jump. SOLUTION: A SAW device is equipped with an input-side IDT 11 and an output-side IDT 12 which have plus-side bus bars 14a and 14c and ground-side bus bars 14b and 14d and are equipped with interdigital electrodes 13a, 13b, 13c and 13d at their openings. The bus bars 14a to 14d are mesh type reflection gratings having a specific tilt angle θ.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、くし形交叉指状電
極を有する弾性表面波（以下「ＳＡＷ」とも言う）デパ
イスに関し、特に、ＳＡＷが伝搬する方向に対して垂直
方向に分布する横モードの高次モードに起因するスプリ
アスを抑圧する弾性表面波デバイスに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface acoustic wave (hereinafter also referred to as "SAW") device having a comb-shaped interdigital electrode, and more particularly, to a transverse mode distributed in a direction perpendicular to the direction in which SAW propagates. The present invention relates to a surface acoustic wave device that suppresses spurious due to higher-order modes.

【０００２】[0002]

【従来の技術】図６は、従来のＳＡＷデバイスを示す。
図６において、従来のＳＡＷデバイスは、入力側弾性表
面波変換器（IDT：Inter Digital Transducer）２１と
出力側弾性表面波変換器（ＩＤＴ）２２とを備えてい
る。また、入力側ＩＤＴ２１および出力側ＩＤＴ２２
は、それぞれ、両側にバスバー２４ａ、２４ｂを有し、
バスバー２４ａおよびバスバー２４ｂの間の開口部に
は、それぞれバスバー２４ａ、２４ｂに接続されたくし
形交叉指状電極２３ａ、２３ｂを備えている。ここで、
バスバー２４ａおよびバスバー２４ｂの間の開口部の長
さ（開口長）は、Ｗであり、くし形交叉指状電極２３
ａ、２３ｂの厚さ（図示せず）は、Ｈとなっている。2. Description of the Related Art FIG. 6 shows a conventional SAW device.
In FIG. 6, a conventional SAW device includes an input-side surface acoustic wave converter (IDT: Inter Digital Transducer) 21 and an output-side surface acoustic wave converter (IDT) 22. Also, the input IDT 21 and the output IDT 22
Has bus bars 24a, 24b on both sides, respectively.
The openings between the bus bars 24a and 24b are provided with interdigital electrodes 23a and 23b connected to the bus bars 24a and 24b, respectively. here,
The length of the opening (opening length) between the bus bar 24a and the bus bar 24b is W, and the comb-shaped interdigital electrode 23
The thickness (not shown) of a and 23b is H.

【０００３】図６に示した従来のＳＡＷデバイスにおい
て、入力側ＩＤＴ２１から波長λで励振されたＳＡＷ
は、出力側ＩＤＴ２２で受信されることになる。In the conventional SAW device shown in FIG. 6, a SAW excited at a wavelength λ from an input IDT 21 is used.
Is received by the output-side IDT 22.

【０００４】この時、図６に示したようなくし形交叉指
状電極２３ａ、２３ｂを電気的に接続するバスバー２４
ａ、２４ｂが均一なベタ電極で構成されたＳＡＷデバイ
スの場合では、ＳＡＷの伝搬の際、ＳＡＷデバイスの開
口長Ｗ、ＳＡＷの波長λ、およびくし形交叉指状電極２
３ａ、２３ｂの膜厚Ｈによって、ＳＡＷの主伝搬モード
である横基本（Ｓ０）モードの他に、高次横モードであ
る横２次（Ｓ２）モード、横４次（Ｓ４）モードといっ
たスプリアスモードも伝搬可能となるため、このモード
がデバイス特性に悪影響を与える場合があった。例え
ば、ＳＡＷデバイスをフィルタとして使用した場合、帯
域外減衰量の悪化や通過域内のリツプルが生じ、レゾネ
ータとして使用した場合には、不要共振モードが発生し
共振周波数のジャンプが発生する等のデバイス特性を劣
化させる要因となっていたため、改善が望まれていた。At this time, a bus bar 24 for electrically connecting the comb-shaped interdigital electrodes 23a and 23b as shown in FIG.
In the case of a SAW device in which a and 24b are composed of uniform solid electrodes, the aperture length W of the SAW device, the wavelength λ of the SAW, and the interdigital electrode 2
Depending on the film thickness H of the layers 3a and 23b, spurious modes such as a horizontal second-order (S2) mode and a high-order horizontal mode (S2) mode and a horizontal fourth-order (S4) mode in addition to the horizontal basic (S0) mode which is the main propagation mode of the SAW This mode can also have an adverse effect on the device characteristics because the signal can also propagate. For example, when a SAW device is used as a filter, deterioration of out-of-band attenuation and ripple in a pass band occur, and when the SAW device is used as a resonator, an unnecessary resonance mode occurs and a resonance frequency jump occurs. Therefore, improvement has been desired.

【０００５】図６で示したような従来のＳＡＷデバイス
においては、スブリアスとなる横（Ｓ２、Ｓ４）モード
は、ＳＡＷの伝搬方向に対して垂直方向に分布してお
り、そのポテンシャル・エネルギは、パスパー２４ａ、
２４ｂ全体に渡って１割程度漏れ出している。そこで、
特開平５−９５２５０に示された従来のＳＡＷデバイス
においては、バスバー部に漏れ出した不要なＳＡＷを、
反射させるようにしている。In a conventional SAW device as shown in FIG. 6, lateral (S2, S4) modes, which are spurious, are distributed in a direction perpendicular to the SAW propagation direction, and the potential energy is Passper 24a,
About 10% has leaked out over the entire 24b. Therefore,
In a conventional SAW device disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-95250, unnecessary SAW leaked to a bus bar portion is removed.
I make it reflect.

【０００６】図７（ａ）および（ｂ）は、特開平５−９
５２５０に記載されている従来のＳＡＷデバイスを示
す。図７（ａ）に示した従来のＳＡＷデバイスは、圧電
基板の表面に、＋側パスパー１Ａおよび接地側パスパー
１Ｂを有する入カ側トランスデューサ５１と、＋側パス
バー４Ａ、接地側バスパー４Ｂを有する出カ側トランス
デューサ５２を備えている。また、入力側および出力側
バスパー１Ａ，１Ｂ、および４Ａ、４Ｂは、＋側電極指
２Ａ、２Ｂ、２Ｃ、および５Ａ、５Ｂ、５Ｃと接地側電
極指３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、および６Ａ、６Ｂ、６Ｃとがそ
れぞれ所定の間隔を保持して対向している。ここで対向
している部分の長さＬ５は電極指２Ａと２Ｂとを比較す
るとＬ１だけ変えており、電極指２Ｂと電極指２Ｃとを
比較するとＬ３だけ変えて実質的に開口部の幅にテーパ
を付与している。また接地側電極指３Ａ、３Ｂもこの電
極指の両側の対向部分の長さがそれぞれＬ２、Ｌ４だけ
変えている。このように、対向する電極指の間隔を弾性
表面波の伝搬方向への距離の変化にともなって変化させ
ることによって、バスバー１Ａ、１Ｂ、４Ａ、４Ｂで弾
性表面波の反射波を散乱し易くなるので、横モード（Ｓ
２、Ｓ４）の発生を防ぐことができ、トランスデューサ
間の横モード結合によるスプリアスをおさえることがで
きる。FIGS. 7 (a) and 7 (b) show Japanese Unexamined Patent Application Publication No.
5 illustrates a conventional SAW device described in US Pat. The conventional SAW device shown in FIG. 7A has an input-side transducer 51 having a plus-side pass par 1A and a ground-side pass par 1B and an output side having a plus-side pass bar 4A and a ground-side bus par 4B on the surface of the piezoelectric substrate. A power transducer 52 is provided. The input side and output side bus bars 1A, 1B, and 4A, 4B are connected to the + side electrode fingers 2A, 2B, 2C, and 5A, 5B, 5C and the ground side electrode fingers 3A, 3B, 3C, 6A, 6B, 6C are opposed to each other while maintaining a predetermined interval. Here, the length L5 of the facing portion is changed by L1 when comparing the electrode fingers 2A and 2B, and is changed by L3 when comparing the electrode finger 2B and the electrode finger 2C to substantially the width of the opening. It has a taper. Also, the lengths of the opposing portions on both sides of the ground-side electrode fingers 3A and 3B are changed by L2 and L4, respectively. Thus, by changing the distance between the opposing electrode fingers in accordance with the change in the distance in the propagation direction of the surface acoustic wave, the reflected waves of the surface acoustic wave are easily scattered by the bus bars 1A, 1B, 4A, and 4B. Therefore, the horizontal mode (S
2, S4) can be prevented, and spurious due to transverse mode coupling between transducers can be suppressed.

【０００７】また、図７（ｂ）に示した従来のＳＡＷデ
バイスは、＋側バスパー７Ａおよび接地側バスバー７Ｂ
を有する入力側トランスデューサ５３と、＋側バスバー
１０Ａおよび接地側パスパー１０Ｂを有する出力側トラ
ンスデューサ５４とで構成されている。ここで＋側電極
指８Ａと８Ｂは、対向する面の長さが相違しており、両
電極指８Ａ、８Ｂの間でテーパ状に間隔を変えている。
接地側の電極指９Ａ、９Ｂも対向する面の長さが相違し
ており、両電極指９Ａ、９Ｂの間でテーパ状に間隔を変
えている。従って、図７（ａ）と同様に、両方のバスパ
ー部７Ａ、７Ｂ、および１０Ａ、１０Ｂのテーパ状の部
分でＳＡＷの反射波を散乱して、横モード（Ｓ２、Ｓ
４）の発生を防止している。Further, the conventional SAW device shown in FIG. 7B has a positive side bus bar 7A and a ground side bus bar 7B.
, And an output transducer 54 having a + busbar 10A and a grounding passper 10B. Here, the + side electrode fingers 8A and 8B have different lengths of opposing surfaces, and the interval between the two electrode fingers 8A and 8B is changed in a tapered manner.
The grounded electrode fingers 9A and 9B also have different lengths of opposing surfaces, and the distance between the electrode fingers 9A and 9B is changed in a tapered manner. Therefore, similarly to FIG. 7A, the reflected waves of the SAW are scattered at the tapered portions of both bus bur portions 7A and 7B and 10A and 10B, and the transverse modes (S2 and S2) are scattered.
4) is prevented.

【０００８】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図７
（ａ）および（ｂ）に示した従来のＳＡＷデバイスによ
れば、不要なＳＡＷを反射させるテーパ部をバスパーの
一部分だけに設けているため、パスパーの他の部分に分
布する横モード（Ｓ２、Ｓ４）は散乱されず、そのまま
スプリアスとして受信されてしまうという問題があっ
た。However, FIG.
According to the conventional SAW device shown in (a) and (b), since the taper portion for reflecting the unnecessary SAW is provided only in a part of the busper, the transverse mode (S2, There is a problem that S4) is not scattered and is received as spurious as it is.

【０００９】また、図７（ａ）に示した従来のＳＡＷデ
バイスによれば、バスバーに設けられたテーパは、ＳＡ
Ｗの伝搬方向に対して平行方向に均一であるため、その
反射および散乱の効果は極めて少ないという問題があっ
た。According to the conventional SAW device shown in FIG. 7A, the taper provided on the bus bar is
Since it is uniform in the direction parallel to the propagation direction of W, there is a problem that the effect of its reflection and scattering is extremely small.

【００１０】更に、図７（ｂ）に示した従来のＳＡＷデ
バイスによれば、バスバー部の斜め状のテーパが全て同
一の方向に形成されているので、反射されるＳＡＷは極
めて少なく、横モードの高次モード（Ｓ２、Ｓ４）に起
因するスプリアスを十分に抑圧することができないとい
う問題があった。Further, according to the conventional SAW device shown in FIG. 7B, since the slant taper of the bus bar portion is all formed in the same direction, the reflected SAW is extremely small, and the transverse mode is reduced. However, there is a problem that spurious due to the higher-order modes (S2, S4) cannot be sufficiently suppressed.

【００１１】従って、本発明の目的は、主伝搬モード
（Ｓ０モード）より高次のモード（Ｓ２、Ｓ４モード）
に起因するスプリアスを抑圧することができ、フィルタ
においては帯域外減衰量の改善及び通過帯域の形状改善
が図れ、また、レゾネータにおいては不要共振モードの
レベルが低減でき、周波数ジャンブなどの間題点を改善
することができるＳＡＷデバイスを提供することであ
る。Accordingly, an object of the present invention is to provide a mode (S2, S4 mode) higher than the main propagation mode (S0 mode).
Can reduce spurious due to noise, improve out-of-band attenuation and improve the shape of the pass band in filters, and reduce the level of unwanted resonance modes in resonators, To provide a SAW device that can improve the performance.

【００１２】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明は、以上に述べた
目的を実現するため、圧電基板上に形成された＋側バス
バーと、圧電基板上に形成された接地側バスバーと、＋
側バスバーに所定の間隔で接続された複数の電極と、複
数の電極の間に設けられ、接地側バスバーに所定の間隔
で接続された複数の電極とを備え、＋側バスバーおよび
接地側バスバーのうち少なくとも何れか１つは、斜めの
反射格子であることを特徴とする弾性表面波デバイスを
提供する。SUMMARY OF THE INVENTION In order to achieve the above-mentioned object, the present invention provides a + busbar formed on a piezoelectric substrate, a ground busbar formed on a piezoelectric substrate, and a + busbar.
A plurality of electrodes connected to the side bus bar at predetermined intervals; and a plurality of electrodes provided between the plurality of electrodes and connected to the ground side bus bar at predetermined intervals. At least one of them is a surface acoustic wave device characterized by being an oblique reflection grating.

【００１３】[0013]

【発明の実施の形態】以下本発明の弾性表面波（ＳＡ
Ｗ）デバイスを詳細に説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The surface acoustic wave (SA) of the present invention
W) The device will be described in detail.

【００１４】図１（ａ）は、本発明のくし形交叉指状電
極を有する弾性表面波（ＳＡＷ）デパイスを示し、図１
（ｂ）は、伝搬されるＳＡＷのポテンシャル分布を示
す。図１（ａ）において、ＳＡＷデバイスは、入力側弾
性表面波変換器（IDT：Inter Digital Transducer）１
１と出力側弾性表面波変換器（ＩＤＴ）１２とを備えて
いる。また、入力側ＩＤＴ１１および出力側ＩＤＴ１２
は、それぞれ、両側に＋側バスバー１４ａ、１４ｃと接
地側バスバー１４ｂ、１４ｄを有し、＋側バスバー１４
ａ、１４ｃおよび接地側バスバー１４ｂ、１４ｄの間の
開口部には、それぞれバスバー１４ａ、１４ｂ、１４
ｃ、１４ｄに接続されたくし形交叉指状電極１３ａ、１
３ｂ、１３ｃ、１３ｄを備えている。FIG. 1 (a) shows a surface acoustic wave (SAW) device having a comb-shaped interdigital electrode of the present invention.
(B) shows the potential distribution of the propagated SAW. In FIG. 1A, an SAW device is an input-side surface acoustic wave converter (IDT: Inter Digital Transducer) 1
1 and an output-side surface acoustic wave converter (IDT) 12. Further, the input IDT 11 and the output IDT 12
Have + bus bars 14a, 14c and ground bus bars 14b, 14d on both sides, respectively.
a, 14c and the ground-side busbars 14b, 14d have busbars 14a, 14b, 14d, respectively.
c, 14d connected to the interdigital electrodes 13a, 13d
3b, 13c, and 13d.

【００１５】ここで、＋側バスバー１４ａ、１４ｃおよ
び接地側バスバー１４ｂ、１４ｄの間の開口部の長さ
（開口長）は、Ｗであり、くし形交叉指状電極１３ａ〜
１３ｄの厚さは、Ｈとなっている。また、バスバー１４
ａ〜１４ｄは、所定の角度θの傾斜角を有する網目状の
反射格子となっている。Here, the length (opening length) of the opening between the positive side bus bars 14a, 14c and the ground side bus bars 14b, 14d is W, and the comb-shaped interdigital electrodes 13a to 13d.
The thickness of 13d is H. In addition, bus bar 14
a to 14d are mesh-like reflection gratings having an inclination angle of a predetermined angle θ.

【００１６】図１（ａ）において、入力側ＩＤＴ１１よ
り励振されたＳＡＷは、出カ側ＩＤＴ１２にて受信され
る。この時、従来のＳＡＷデバイスでは、図１（ｂ）の
ＳＡＷのポテンシャル分布に示したように、ＳＡＷの伝
搬の際、ＳＡＷデバイスの開口長Ｗ、ＳＡＷの波長λ、
およびくし形交叉指状電極１３ａ〜１３ｄの膜厚Ｈによ
って、ＳＡＷの主伝搬モードである横基本（Ｓ０）モー
ドの他に、高次横モードである横２次（Ｓ２）モードな
どが発生する。ここで、ＳＡＷの主伝搬モードとして横
基本（Ｓ０）モードを利用したＳＡＷデバイスにおいて
は、一般にそれより高次の横モード（Ｓ２、Ｓ
４、．．．モード）は不要なモード（スプリアスモー
ド）となる。In FIG. 1A, the SAW excited by the input IDT 11 is received by the output IDT 12. At this time, in the conventional SAW device, as shown in the potential distribution of the SAW in FIG. 1B, the aperture length W of the SAW device, the wavelength λ of the SAW,
And, depending on the film thickness H of the interdigital electrodes 13a to 13d, in addition to the horizontal fundamental (S0) mode, which is the main propagation mode of the SAW, a horizontal secondary (S2) mode, which is a higher-order horizontal mode, and the like are generated. . Here, in a SAW device using the transverse fundamental (S0) mode as the main propagation mode of the SAW, generally, a higher-order transverse mode (S2, S2) is used.
4,. . . Mode) is an unnecessary mode (spurious mode).

【００１７】一般に、ＳＡＷデバイスでは、どのような
モードでも、パスバー１４ａ〜１４ｄへのポテンシャル
・エネルギの漏れがあるが、その漏れ量は、図１（ｂ）
に示したように、モードの次数が大きくなるに従い増大
する。しかしながら、横基本（Ｓ０）モ−ドの漏れ量１
５は他の高次モード（Ｓ２、Ｓ４、．．．モード）の漏
れ量、例えば、横２次（Ｓ２）モードの漏れ量１６に比
較して非常に僅かであり、バスバー１４ａ〜１４ｄを伝
搬する成分は殆どない。In general, in any mode of the SAW device, there is leakage of potential energy to the pass bars 14a to 14d in any mode, and the leakage amount is as shown in FIG.
As shown in (1), it increases as the order of the mode increases. However, the leakage amount of the horizontal basic (S0) mode is 1
5 is very small compared to the leakage amount of the other higher-order modes (S2, S4,... Modes), for example, the leakage amount 16 of the transverse second-order (S2) mode, and propagates through the bus bars 14a to 14d. There are few components to do.

【００１８】従って、図１（ａ）に示した本発明のＳＡ
Ｗデバイスによれば、横基本（Ｓ０）モ−ドのバスバー
１４ａ〜１４ｄを伝搬するポテンシャル・エネルギが、
バスバー１４ａ〜１４ｄの網目状の反射格子によって散
乱されても、横基本（Ｓ０）モ−ド全体のポテンシャル
・エネルギの分布には殆ど影響を与えないため、基本横
（Ｓ０）モードには何ら影響を与えず、Ｓ２、Ｓ４など
の高次のモードだけを選択的に散乱し抑制できる。Therefore, the SA of the present invention shown in FIG.
According to the W device, the potential energy propagating through the bus bars 14a to 14d in the horizontal basic (S0) mode is:
Even if the light is scattered by the mesh-like reflection gratings of the bus bars 14a to 14d, it hardly affects the potential energy distribution of the entire lateral basic (S0) mode, and therefore has no effect on the basic lateral (S0) mode. , Only high-order modes such as S2 and S4 can be selectively scattered and suppressed.

【００１９】これは、バスバー１４ａ〜１４ｄの網目状
の反射格子によって反射されるＳＡＷは、くし形交叉指
状電極１３ａ〜１３ｄを伝搬するＳＡＷに対して直角方
向に反射させ、バスバー１４ａ〜１４ｄを伝搬するＳＡ
Ｗと平行方向のエネルギ成分を無くせば、網目状の反射
格子によって反射されたＳＡＷは、出力側ＩＤＴ１２に
よって受信されることが無くなり、スプリアスが生じな
い。This is because the SAW reflected by the mesh-like reflection gratings of the bus bars 14a to 14d is reflected at right angles to the SAW propagating through the interdigital electrodes 13a to 13d, and the bus bars 14a to 14d are reflected. Propagating SA
If the energy component in the direction parallel to W is eliminated, the SAW reflected by the mesh-like reflection grating will not be received by the output side IDT 12, and no spurious will occur.

【００２０】ここで、θの値としては４５度付近が望ま
しいが、ＳＡＷデバイスを形成する電圧基板は異方性を
もち、一般に反射角と入射角が僅かに異なり、この反射
角は、電極の膜厚や材質、ＳＡＷの波長λに応じて決ま
るため、反射格子のθは、反射角に応じて適当に設定す
れば良い。Here, the value of θ is desirably around 45 degrees, but the voltage substrate forming the SAW device has anisotropy, and the reflection angle and the incident angle are generally slightly different. Since it is determined according to the film thickness, the material, and the wavelength λ of the SAW, θ of the reflection grating may be appropriately set according to the reflection angle.

【００２１】また、バスバー１４ａ〜１４ｄを伝搬する
ＳＡＷの波長λは、くし形交叉指状電極１３ａ〜１３ｄ
を伝搬するＳＡＷの波長λ’とほぼ等しいので、抑圧を
図りたい高次のモードを効率よく反射させるためには、
反射格子のピッチｐをＩＤＴ１１、１２のピッチｐ’と
等しくすることが望ましい。The wavelength λ of the SAW propagating through the bus bars 14a to 14d is changed by the interdigital electrodes 13a to 13d.
Is almost equal to the wavelength λ ′ of the SAW that propagates, so that in order to efficiently reflect a higher-order mode to be suppressed,
It is desirable that the pitch p of the reflection grating is equal to the pitch p ′ of the IDTs 11 and 12.

【００２２】図２（ａ）は、従来のＳＡＷデバイスの通
過特性を示し、図２（ｂ）は、本発明のＳＡＷデバイス
の通過特性を示す。図２（ａ）の従来のＳＡＷデバイス
において現れている高次の横モードによるスプリアス３
１は、図２（ｂ）の本発明のＳＡＷデバイスの場合には
抑圧され、ＳＡＷデバイスの帯域外減衰量が改善してい
る。FIG. 2A shows the pass characteristics of the conventional SAW device, and FIG. 2B shows the pass characteristics of the SAW device of the present invention. Spurious 3 due to higher-order transverse modes appearing in the conventional SAW device of FIG.
1 is suppressed in the case of the SAW device of the present invention in FIG. 2B, and the out-of-band attenuation of the SAW device is improved.

【００２３】図３は、本発明のＳＡＷデバイスの他の形
態例を示す。図３に示したＳＡＷデバイスは、ＩＤＴ４
１と、ＩＤＴ４１の左右に設けられたグレーティング反
射器４２、４３を備えており、ＳＴカット水晶基板上に
形成された横モード結合型ＳＡＷフィルタになってい
る。また、ＩＤＴ４１は、両側にバスバー４７ａ、４７
ｂを有し、バスバー４７ａ、４７ｂには、指状電極４５
ａ、４５ｂが接続されている。グレーティング反射器４
２および４３は、それぞれバスバー４８ａ、４８ｂ、お
よび４９ａ、４９ｂを有し、バスバー４８ａ、４８ｂに
は、電極４６ａが接続され、バスバー４９ａ、４９ｂに
は、電極４６ｂが接続されている。更に、電極４６ａと
電極４６ｂの間には、指状電極４５ａ、４５ｂが接続さ
れ、このグレーティング反射器４２、４３の指状電極４
５ａ、４５ｂとＩＤＴ４１の指状電極４４ａ、４４ｂと
によって、交叉指状電極が構成されている。FIG. 3 shows another embodiment of the SAW device of the present invention. The SAW device shown in FIG.
1 and grating reflectors 42 and 43 provided on the left and right sides of the IDT 41, respectively, to form a transverse mode coupled SAW filter formed on an ST cut quartz substrate. The IDT 41 has bus bars 47a, 47 on both sides.
b, and the finger electrodes 45 are provided on the bus bars 47a and 47b.
a and 45b are connected. Grating reflector 4
2 and 43 have bus bars 48a, 48b and 49a, 49b, respectively. The electrodes 46a are connected to the bus bars 48a, 48b, and the electrodes 46b are connected to the bus bars 49a, 49b. Further, finger electrodes 45a and 45b are connected between the electrodes 46a and 46b, and the finger electrodes 4 of the grating reflectors 42 and 43 are connected.
5a, 45b and the finger electrodes 44a, 44b of the IDT 41 form a cross finger electrode.

【００２４】ここで、ＳＡＷの波長をλとした場合、こ
の交叉指状電極の幅はλ／４であり、電極の間隔はλ／
４である。また、バスバー４４ａ、４４ｂ、４８ａ、４
８ｂ、４９ａ、４９ｂは、図１に示したバスバー１４ａ
〜１４ｄと同様に、所定の角度θの傾斜角を有する網目
状の反射格子となっており、その反射格子のピッチは、
ＳＡＷの波長λとほぼ等しい大きさにするのが望まし
い。Here, when the wavelength of the SAW is λ, the width of this interdigital electrode is λ / 4, and the interval between the electrodes is λ /
4. In addition, the bus bars 44a, 44b, 48a, 4
8b, 49a and 49b are the bus bars 14a shown in FIG.
14d, a mesh-like reflection grating having an inclination angle of a predetermined angle θ, and the pitch of the reflection grating is
It is desirable that the size be approximately equal to the wavelength λ of the SAW.

【００２５】図４は、本発明のＳＡＷデバイスの他の形
態例を示す。図４に示したＳＡＷデバイスは、ＩＤＴ６
１と、ＩＤＴ６１の左右に設けられたグレーティング反
射器６２、６３を備えており、ＳＡＷレゾネータになっ
ている。また、ＩＤＴ６１は、両側にバスバー６４ａ、
６４ｂを有し、バスバー６４ａ、６４ｂには、くし形交
叉指状電極６５ａ、６５ｂが接続されている。グレーテ
ィング反射器６２および６３は、それぞれバスバー６６
ａ、６６ｂ、および６７ａ、６７ｂを有し、バスバー６
６ａ、６６ｂには、電極６８ａが接続され、バスバー６
７ａ、６７ｂには、電極６８ｂが接続されている。FIG. 4 shows another embodiment of the SAW device of the present invention. The SAW device shown in FIG.
1 and grating reflectors 62 and 63 provided on the left and right sides of the IDT 61, respectively, and constitute a SAW resonator. The IDT 61 has bus bars 64a on both sides,
Comb-shaped interdigital electrodes 65a and 65b are connected to the bus bars 64a and 64b. Each of the grating reflectors 62 and 63 has a bus bar 66.
a, 66b, and 67a, 67b,
The electrodes 68a are connected to the bus bars 6a and 66b.
An electrode 68b is connected to 7a and 67b.

【００２６】ここで、ＳＡＷの波長をλとした場合、こ
の交叉指状電極の幅はλ／４であり、電極の間隔はλ／
４である。また、バスバー６４ａ、６４ｂ、６６ａ、６
６ｂ、６７ａ、６７ｂは、図１に示したバスバー１４ａ
〜１４ｄと同様に、所定の角度θの傾斜角を有する網目
状の反射格子となっており、その反射格子のピッチは、
ＳＡＷの波長λとほぼ等しい大きさにするのが望まし
い。また、反射格子は、前述の網目構造ではなく、単に
斜め電極構造とすることもでき、この斜め電極構造によ
って、そこを伝搬するＳＡＷが散乱されるために、スプ
リアス抑圧の効果を得ることができる。Here, when the wavelength of the SAW is λ, the width of the interdigital electrode is λ / 4, and the interval between the electrodes is λ /
4. Further, the bus bars 64a, 64b, 66a, 6
6b, 67a, 67b are the bus bars 14a shown in FIG.
14d, a mesh-like reflection grating having an inclination angle of a predetermined angle θ, and the pitch of the reflection grating is
It is desirable that the size be approximately equal to the wavelength λ of the SAW. Further, the reflection grating may be simply a diagonal electrode structure instead of the above-described mesh structure. Since the SAW propagating therethrough is scattered by the diagonal electrode structure, a spurious suppression effect can be obtained. .

【００２７】図５は、本発明のＳＡＷデバイスの他の形
態例を示す。このＳＡＷデバイスは、入力側ＩＤＴ７１
および出力側ＩＤＴ７２を有し、ＩＤＴ７１および７２
は、それぞれ両側にバスバー７３ａ、７３ｂ、および７
４ａ、７４ｂを有し、バスバー７３ａ、７３ｂ、および
７４ａ、７４ｂには、それぞれくし形交叉指状電極７５
ａ、７５ｂ、および７６ａ、７６ｂが接続されている。FIG. 5 shows another embodiment of the SAW device of the present invention. This SAW device has an input IDT 71
And an output side IDT 72,
Have bus bars 73a, 73b, and 7 on each side.
4a, 74b, and the bus bars 73a, 73b, and 74a, 74b are provided with comb-shaped interdigital electrodes 75, respectively.
a, 75b and 76a, 76b are connected.

【００２８】ここで、バスバー７３ａ、７４ａは、図１
に示したバスバー１４ａ、１４ｂと同じ構成となってお
り、バスバー７３ｂ、７４ｂは、従来のＳＡＷデバイス
のように均一なベタ電極になっている。即ち、ＩＤＴ７
１、７２の片側のバスバー７３ａ、７４ａのみを所定の
角度θの傾斜角を有する網目状の反射格子にしたもので
ある。この様に、斜め反射格子型のバスバーを交叉指状
電極の片側だけに設けている場合でも、高次横（Ｓ２）
モードのポテンシャルレベルを低減することができ、ス
プリアスの発生を抑圧することができる。Here, the bus bars 73a and 74a are shown in FIG.
Has the same configuration as the bus bars 14a and 14b, and the bus bars 73b and 74b are uniform solid electrodes like a conventional SAW device. That is, IDT7
Only one of the bus bars 73a and 74a on one side of the reference numerals 1 and 72 is a mesh-like reflection grating having an inclination angle of a predetermined angle θ. As described above, even when the oblique reflection grating type bus bar is provided only on one side of the interdigital electrode, the high-order horizontal (S2)
The potential level of the mode can be reduced, and the occurrence of spurious can be suppressed.

【００２９】[0029]

【発明の効果】以上述べた通り、本発明のＳＡＷデバイ
スによれば、パスパー全体に渡ってＳＡＷの反射格子を
形成しているため、パスパー部分に分布する全てのＳＡ
Ｗを反射して散乱することができ、しかも、反射格子を
４５度付近の角度（交叉角は約９０度）で網目状にする
ことによって、左右両方向へ伝搬するＳＡＷを同時に反
射して散乱することができ、主伝搬モード（Ｓ０モー
ド）より高次のモード（Ｓ２、Ｓ４モード）に起因する
スプリアスを抑圧し、フィルタにおいては帯域外減衰量
の改善及び通過帯域の形状改善が図れ、また、レゾネー
タにおいては不要共振モードのレベルが低減でき、周波
数ジャンブなどの間題点を改善することができるように
なった。As described above, according to the SAW device of the present invention, since the SAW reflection grating is formed over the entire passper, all the SAs distributed in the passper portion are formed.
W can be reflected and scattered, and the reflection grating is meshed at an angle of about 45 degrees (intersection angle is about 90 degrees), thereby simultaneously reflecting and scattering SAW propagating in both the left and right directions. It is possible to suppress spurious due to higher-order modes (S2 and S4 modes) than the main propagation mode (S0 mode), and to improve the out-of-band attenuation and the shape of the pass band in the filter. In the resonator, the level of the unnecessary resonance mode can be reduced, and problems such as frequency jump can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明による弾性表面波デバイスと弾性表面波
のポテンシャル分布を示す概略図である。FIG. 1 is a schematic view showing a surface acoustic wave device according to the present invention and a potential distribution of the surface acoustic wave.

【図２】従来と本発明の弾性表面波デバイスの通過特性
を示す概略図である。FIG. 2 is a schematic diagram illustrating transmission characteristics of a surface acoustic wave device according to the related art and the present invention.

【図３】本発明による弾性表面波デバイスを示す概略図
である。FIG. 3 is a schematic view showing a surface acoustic wave device according to the present invention.

【図４】本発明による弾性表面波デバイスを示す概略図
である。FIG. 4 is a schematic view showing a surface acoustic wave device according to the present invention.

【図５】本発明による弾性表面波デバイスを示す概略図
である。FIG. 5 is a schematic view showing a surface acoustic wave device according to the present invention.

【図６】従来の弾性表面波デバイスを示す概略図であ
る。FIG. 6 is a schematic view showing a conventional surface acoustic wave device.

【図７】従来の弾性表面波デバイスを示す概略図であ
る。FIG. 7 is a schematic view showing a conventional surface acoustic wave device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１Ａ、４Ａ、７Ａ、１０Ａ、１４ａ、１４ｃ、２４ａ、
７３ａ、７４ａ ＋側パスパー １Ｂ、４Ｂ、７Ｂ、１０Ｂ、１４ｂ、１４ｄ、２４ｂ、
７３ｂ、７４ｂ 接地側パスパー ２Ａ、２Ｂ、２Ｃ、５Ａ、５Ｂ、５Ｃ、８Ａ、８Ｂ ＋
側電極指 ３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、６Ａ、６Ｂ、６Ｃ、９Ａ、９Ｂ 接
地側電極指 １１、２１、７１ 入力側ＩＤＴ １２、２２、７２ 出力側ＩＤＴ １３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ、２３ａ、２３ｂ、６
５ａ、６５ｂ、７５ａ、７５ｂ、７６ａ、７６ｂ くし
形交叉指状電極 １５、１６ ポテンシャル・エネルギの漏れ量 ３１ スプリアス ４１、６１ ＩＤＴ ４２、４３、６２、６３ グレーティング反射器 ４４ａ、４４ｂ、４５ａ、４５ｂ 指状電極 ４６ａ、４６ｂ、６８ａ、６８ｂ 電極 ４７ａ、４７ｂ、４８ａ、４８ｂ、４９ａ、４９ｂ、６
４ａ、６４ｂ、６６ａ、６６ｂ、６７ａ、６７ｂ バス
バー ５１、５３ 入カ側トランスデューサ ５２、５４ 出カ側トランスデューサ1A, 4A, 7A, 10A, 14a, 14c, 24a,
73a, 74a + side pass par 1B, 4B, 7B, 10B, 14b, 14d, 24b,
73b, 74b Ground-side passpar 2A, 2B, 2C, 5A, 5B, 5C, 8A, 8B +
Side electrode fingers 3A, 3B, 3C, 6A, 6B, 6C, 9A, 9B Ground electrode fingers 11, 21, 71 Input side IDT 12, 22, 72 Output side IDT 13a, 13b, 13c, 13d, 23a, 23b, 6
5a, 65b, 75a, 75b, 76a, 76b Comb-shaped interdigital electrode 15, 16 Leakage amount of potential energy 31 Spurious 41, 61 IDT 42, 43, 62, 63 Grating reflector 44a, 44b, 45a, 45b Finger Electrodes 46a, 46b, 68a, 68b Electrodes 47a, 47b, 48a, 48b, 49a, 49b, 6
4a, 64b, 66a, 66b, 67a, 67b Bus bar 51, 53 Input side transducer 52, 54 Output side transducer

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】圧電基板上に形成された＋側バスバーと、 圧電基板上に形成された接地側バスバーと、 前記＋側バスバーに所定の間隔で接続された複数の電極
と、 前記複数の電極の間に設けられ、前記接地側バスバーに
所定の間隔で接続された複数の電極とを備え、 前記＋側バスバーおよび前記接地側バスバーのうち少な
くとも何れか１つは、斜めの反射格子であることを特徴
とする弾性表面波デバイス。A positive side bus bar formed on the piezoelectric substrate; a ground side bus bar formed on the piezoelectric substrate; a plurality of electrodes connected to the positive side bus bar at predetermined intervals; And a plurality of electrodes connected to the ground-side bus bar at predetermined intervals, and at least one of the + -side bus bar and the ground-side bus bar is an oblique reflection grating. A surface acoustic wave device. 【請求項２】前記＋側バスバーは、前記接地側バスバー
と対向した位置に形成されていることを特徴とする請求
項１記載の弾性表面波デバイス。2. The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein said + side bus bar is formed at a position facing said ground side bus bar. 【請求項３】前記＋側バスバーは、２つの前記接地側バ
スバーによって挟まれた位置に形成されたことを特徴と
する請求項１記載の弾性表面波デバイス。3. The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein the positive side bus bar is formed at a position sandwiched between the two ground side bus bars. 【請求項４】前記複数の電極は、伝搬される弾性表面波
の波長の１／４の大きさの幅を有し、隣り合う電極間の
間隔が前記弾性表面波の波長の１／４の大きさであるこ
とを特徴とする請求項１乃至３記載の弾性表面波デバイ
ス。4. The plurality of electrodes have a width of 1/4 of the wavelength of the surface acoustic wave to be propagated, and the interval between adjacent electrodes is 1/4 of the wavelength of the surface acoustic wave. 4. The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein the surface acoustic wave device has a size. 【請求項５】前記斜めの反射格子は、傾斜角が約４５度
であることを特徴とする請求項１乃至４記載の弾性表面
波デバイス。5. The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein the oblique reflection grating has an inclination angle of about 45 degrees.