JPH11260681A - Controller provided with plurality of processors and projection aligner - Google Patents

Controller provided with plurality of processors and projection aligner

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JPH11260681A
JPH11260681A JP10056951A JP5695198A JPH11260681A JP H11260681 A JPH11260681 A JP H11260681A JP 10056951 A JP10056951 A JP 10056951A JP 5695198 A JP5695198 A JP 5695198A JP H11260681 A JPH11260681 A JP H11260681A
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JP
Japan
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processor
reticle
storage device
stage
interrupt
Prior art date
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Application number
JP10056951A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yasutoshi Kaneko
泰俊 金子
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
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Publication of JPH11260681A publication Critical patent/JPH11260681A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Multi Processors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Control By Computers (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a projection aligner which uses effectively at least two processors and has throughput enhanced. SOLUTION: A first processor 51A transfers position data RX, RY, Rθ and WX, WY, Wθ to a memory 51C of a second processor 51B for setting interrupt to a second processor 51B and calculates for control of fine moving position to be transferred to a memory 51D. The second processor 51B performs calculation for control of the fine moving position based on position data in the memory 51C, through an interrupt command by the first processor 51A to be transferred to the memory 51D to interrupt to the first processor 51A. The first processor 51A drives a reticle fine moving stage 23, according to drive signals SX, SY, Sθ stored in the memory 51D by an interrupt output from the second processor 51B. The first processor 51A executes other processes until it is interrupted by the second processor 51B, and the second processor 51B executes other processes until being interrupted by the first processor 51A.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、複数のプロセッサ
を有する制御装置、および、例えば半導体集積回路や液
晶標示素子などをリソグラフィ行程で製造する際に使用
される投影露光装置に関する。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a control device having a plurality of processors, and a projection exposure apparatus used for manufacturing, for example, a semiconductor integrated circuit or a liquid crystal display device in a lithography process.

【０００２】[0002]

【従来の技術】特開平６−１４０３０５号公報に開示さ
れているスリットスキャン露光方式の投影露光装置で
は、スリットスキャン露光中のレチクルとウエハの位置
合わせ精度を向上させるために、レチクルを粗動ステー
ジで等速度制御しつつ微動ステージでウエハとの位置ず
れを除去している。2. Description of the Related Art In a projection exposure apparatus of a slit scan exposure system disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-140305, a reticle is moved coarsely in order to improve the alignment accuracy between a reticle and a wafer during slit scan exposure. The position deviation from the wafer is removed by the fine movement stage while controlling at the same speed.

【０００３】このような投影露光装置では、レチクルと
ウエハのＸ方向，Ｙ方向およびθ回転方向の位置ずれと
その位置ずれを補正するためにレチクルステージを駆動
する駆動信号とをそれぞれ演算する必要があるが、１つ
のプロセッサで時系列的に演算を行うと処理時間が長く
なる。そこで、従来は処理時間を短縮するために２つの
プロセッサにより種々の演算を分担している。例えば一
方のプロセッサはＸ方向，Ｙ方向の位置ずれに関する演
算を行い、他方のプロセッサはθ回転方向の位置ずれに
関する演算を行うようにしている。In such a projection exposure apparatus, it is necessary to calculate the positional deviation of the reticle and the wafer in the X, Y and θ rotation directions and the drive signal for driving the reticle stage in order to correct the positional deviation. However, if a single processor performs calculations in time series, the processing time becomes longer. Therefore, conventionally, two processors share various operations in order to reduce the processing time. For example, one processor performs an operation on the displacement in the X and Y directions, and the other processor performs an operation on the displacement in the θ rotation direction.

【０００４】このように２つのプロセッサで異なった演
算を分担する場合、従来は、２つのプロセッサが共通に
アクセスできるメモリを設け、そのメモリに所定のデー
タが書き込まれているかをプロセッサは常時監視し、所
定のデータの書込みを認識すると各々のプロセッサは分
担した演算を実行するように構成されている。In the case where two processors share different operations in this manner, conventionally, a memory that can be commonly accessed by the two processors is provided, and the processor constantly monitors whether predetermined data is written in the memory. Each processor is configured to execute a shared operation upon recognizing writing of predetermined data.

【０００５】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の方式では、双方のプロセッサは常時メモリを
監視する必要があり、その間、その他の処理を実行する
ことができないという問題がある。However, such a conventional system has a problem that both processors need to constantly monitor the memory, and cannot execute other processing during that time.

【０００６】本発明の第１の目的は、少なくとも２つの
プロセッサを有効に使用することができる複数のプロセ
ッサを有する制御装置を提供することにある。また本発
明の第２の目的は、少なくとも２つのプロセッサを有効
に使用してスループットを向上させた投影露光装置を提
供することにある。[0006] A first object of the present invention is to provide a control device having a plurality of processors that can effectively use at least two processors. It is a second object of the present invention to provide a projection exposure apparatus in which at least two processors are effectively used to improve throughput.

【０００７】[0007]

【課題を解決するための手段】一実施の形態の図１〜４
に対応づけて説明する。 （１）請求項１の発明は、第１データにより第１演算を
実行する第１プロセッサ５１Ａと、第１データにより第
２演算を実行する第２プロセッサ５１Ｂとを備え、第１
および第２演算の結果に基づいて被駆動機器２３を駆動
する駆動信号ＳＸ，ＳＹ，Ｓθを出力する制御装置５０
に適用される。そして上述した目的はつぎのように構成
して達成される。第１プロセッサ５１Ａは、第１データ
ＲＸ，ＲＹ，ＲθおよびＷＸ，ＷＹ，Ｗθを読み込んで
第２プロセッサ５１Ｂの第２記憶装置５１Ｃへ転送し、
第２プロセッサ５１Ｂに割込み指令を行い、第１演算を
実行して第１記憶装置５１Ｄへ第１演算の結果ＳＸ，Ｓ
Ｙを転送し、第１演算が終了すると第２プロセッサ５１
Ｂから割込み指令が出力されるまで他の処理を実行し、
第２プロセッサ５１Ｂは、第１プロセッサからの割込み
指令により第２記憶装置５１Ｃから第１データＲＸ，Ｒ
Ｙ，ＲθおよびＷＸ，ＷＹ，Ｗθを入手して第２演算を
実行し、第２演算の結果Ｓθを第１記憶装置５１Ｄへ転
送し、第１プロセッサ５１Ａに割込み指令を行い、第１
プロセッサ５１Ａから割込み指令が出力されるまで他の
処理を実行し、第１プロセッサ５１Ａは、第２プロセッ
サ５１Ａからの割込み指令により第１記憶装置５１Ｄに
記憶されている第１演算および第２演算の結果ＳＸ、Ｓ
Ｙ、Ｓθに基づいて被駆動機器２３を駆動する駆動信号
を出力する。 （２）請求項２の発明は、レチクルＲを保持し少なくと
もＸＹ方向およびθ回転方向に移動するレチクルステー
ジ２３と、感応基板Ｗを保持し少なくともＸＹ方向に移
動する基板ステージ３２，３３と、レチクルステージ２
３の位置を計測するレチクル位置検出器２７Ｘ，２７
Ｙ，２７θと、基板ステージ３２，３３の位置を計測す
る基板位置検出器３６Ｘ，３６Ｙ，３６θと、レチクル
ステージ２２，２３と基板ステージ３２，３３を互に逆
方向に等速度でスキャンさせながら、計測されたレチク
ルステージ２３の位置と基板ステージ３３の位置とに応
じてレチクルステージ２３を微動位置制御する駆動制御
手段５０，４２と、レチクルＲを照明する照明光学系１
１と、レチクルＲに形成されたパターンの像を感応基板
Ｗに投影露光する投影光学系ＰＬとを備えた投影露光装
置に適用される。そして、上述した目的はつぎのように
構成して達成される。位置制御手段５０は、Ｘ，Ｙ，θ
の３方向のうちの２つの方向の微動位置制御のための第
１演算を実行する第１プロセッサ５１Ａと残りの１つの
方向の微動位置制御のための第２演算を実行する第２プ
ロセッサ５１Ｂとを備え、第１プロセッサ５１Ａは、位
置データＲＸ，ＲＹ，ＲθおよびＷＸ，ＷＹ，Ｗθを読
み込んで第２プロセッサ５１Ｂの第２記憶装置５１Ｃへ
転送し、第２プロセッサ５１Ｂに割込み指令を行い、第
１演算を実行して第１記憶装置５１Ｄへその結果を転送
し、この演算が終了すると第２のプロセッサ５１Ｂから
割込み指令が出力されるまで他の処理を実行し、第２プ
ロセッサ５１Ｂは第１プロセッサ５１Ａからの割込み指
令により第２記憶装置５１Ｃから位置データＲＸ，Ｒ
Ｙ，ＲθおよびＷＸ，ＷＹ，Ｗθを入手して第２演算を
実行して第１記憶装置５１Ｄへその結果を転送し、第１
プロセッサ５１Ａに割込み指令を行い、第１プロセッサ
５１Ａから割込み指令が指令されるまで他の処理を実行
し、第１プロセッサ５１Ａは、記第２プロセッサ５１Ｂ
からの割込み指令により第１記憶装置５１Ｄに記憶され
ている第１演算および第２演算結果に基づいて被駆動機
器２３を駆動する駆動信号ＳＸ，ＳＹ，Ｓθを出力す
る。Means for Solving the Problems FIGS. 1 to 4 of an embodiment.
Explanation will be given in association with. (1) The invention of claim 1 includes a first processor 51A that executes a first operation based on first data, and a second processor 51B that executes a second operation based on the first data.
And control device 50 for outputting drive signals SX, SY, Sθ for driving driven device 23 based on the result of second calculation.
Applied to The above-described object is achieved by the following configuration. The first processor 51A reads the first data RX, RY, Rθ and WX, WY, Wθ and transfers them to the second storage device 51C of the second processor 51B.
An interrupt command is issued to the second processor 51B, the first operation is executed, and the results SX, S of the first operation are stored in the first storage device 51D.
Y, and when the first operation is completed, the second processor 51
Perform other processing until an interrupt command is output from B,
The second processor 51B sends the first data RX, R from the second storage device 51C in response to an interrupt command from the first processor.
Y, Rθ and WX, WY, Wθ are obtained, a second operation is executed, the result Sθ of the second operation is transferred to the first storage device 51D, an interrupt command is issued to the first processor 51A, and the first operation is performed.
The first processor 51A executes another process until an interrupt command is output from the processor 51A, and the first processor 51A executes the first and second calculations stored in the first storage device 51D in response to the interrupt command from the second processor 51A. Result SX, S
A drive signal for driving the driven device 23 is output based on Y and Sθ. (2) A reticle stage 23 that holds a reticle R and moves at least in the XY directions and θ rotation directions, a substrate stage 32 and 33 that holds a sensitive substrate W and moves at least in the XY directions, Stage 2
Reticle position detector 27X, 27 for measuring the position of 3
Y, 27θ, substrate position detectors 36X, 36Y, 36θ for measuring the positions of the substrate stages 32, 33, and the reticle stages 22, 23 and the substrate stages 32, 33 are scanned at the same speed in opposite directions at the same time. Drive control means 50 and 42 for fine-moving position control of reticle stage 23 according to the measured position of reticle stage 23 and the position of substrate stage 33, and illumination optical system 1 for illuminating reticle R
The present invention is applied to a projection exposure apparatus provided with a projection optical system PL for projecting and exposing a pattern image formed on a reticle R onto a sensitive substrate W. The above-mentioned object is achieved by the following configuration. X, Y, θ
A first processor 51A that executes a first operation for fine movement position control in two of the three directions, and a second processor 51B that executes a second operation for fine movement position control in the remaining one direction The first processor 51A reads the position data RX, RY, Rθ and WX, WY, Wθ, transfers them to the second storage device 51C of the second processor 51B, issues an interrupt command to the second processor 51B, One operation is executed and the result is transferred to the first storage device 51D. When this operation is completed, another process is executed until an interrupt command is output from the second processor 51B, and the second processor 51B executes the first operation. In response to an interrupt command from the processor 51A, the position data RX, R
Y, Rθ and WX, WY, Wθ are obtained, the second operation is executed, and the result is transferred to the first storage device 51D.
An interrupt command is issued to the processor 51A, and other processing is executed until the interrupt command is issued from the first processor 51A.
And outputs drive signals SX, SY, and Sθ for driving the driven device 23 based on the first calculation result and the second calculation result stored in the first storage device 51D in response to an interrupt command from.

【０００８】なお、本発明の構成を説明する上記課題を
解決するための手段の項では、本発明を分かり易くする
ために発明の実施の形態の図を用いたが、これにより本
発明が実施の形態に限定されるものではない。[0008] In the section of the means for solving the above-mentioned problems, which explains the configuration of the present invention, the drawings of the embodiments of the present invention are used to make the present invention easier to understand. However, the present invention is not limited to this.

【０００９】[0009]

【発明の実施の形態】図１〜図４により、本発明が適用
されたスリットスキャン露光方式の投影露光装置につい
て説明する。図１は本実施の形態にかかるスリットスキ
ャン露光方式の投影露光装置を示し、図１において、レ
チクルＲに平行な面内で図１の紙面に垂直な方向にＸ
軸、このＸ軸と直交して図１の紙面に平行な方向にＹ軸
をとり、ＸＹ平面に垂直にＺ軸をとる。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A projection exposure apparatus of the slit scan exposure type to which the present invention is applied will be described with reference to FIGS. FIG. 1 shows a projection exposure apparatus of a slit scan exposure type according to the present embodiment. In FIG. 1, X is applied in a direction parallel to the reticle R in a direction perpendicular to the plane of FIG.
Axis, the Y axis is taken in a direction perpendicular to the X axis and parallel to the plane of FIG. 1, and the Z axis is taken perpendicular to the XY plane.

【００１０】図１において、露光時は、照明光学系１１
からの露光光ＩＬによりスリット状の照明光束６１Ｒ
（図２も参照）をレチクルＲに照明しつつ、レチクルＲ
をＸ方向もしくは−Ｘ方向に、ウエハＷを−Ｘ方向もし
くはＸ方向に走査する。レチクルＲには半導体回路パタ
ーンや液晶素子パターンが形成されており、そのパター
ンを透過した透過光は投影レンズＰＬによりウエハＷ上
にスリット光像６１Ｗ（図３も参照）として投影され
る。ウエハＷの表面にはフォトレジストが塗布されてお
り、投影されたパターン像がレジスト上に露光されて潜
像が形成される。In FIG. 1, during exposure, an illumination optical system 11 is used.
Illumination light beam 61R with exposure light IL
(See also FIG. 2) while illuminating the reticle R
Is scanned in the X direction or the −X direction, and the wafer W is scanned in the −X direction or the X direction. The reticle R has a semiconductor circuit pattern and a liquid crystal element pattern formed thereon, and the transmitted light transmitted through the pattern is projected on the wafer W by the projection lens PL as a slit light image 61W (see also FIG. 3). A photoresist is applied to the surface of the wafer W, and the projected pattern image is exposed on the resist to form a latent image.

【００１１】レチクルＲはレチクルベース２１上をＸＹ
方向（特に言及しない場合は正方向と負方向を含む）お
よびθ回転方向（特に言及しない場合は時計回転方向と
反時計回転方向を含む）に移動可能に保持されている。
すなわち、レチクルベース２１には粗動ステージ２２が
設けられ、粗動ステージ２２上には微動ステージ２３が
設けられ、レチクルＲは微動ステージ２３上に保持され
る。The reticle R is XY on the reticle base 21.
It is held so as to be movable in directions (including a positive direction and a negative direction unless otherwise specified) and a θ rotation direction (including a clockwise direction and a counterclockwise direction unless otherwise specified).
That is, the reticle base 21 is provided with the coarse movement stage 22, the fine movement stage 23 is provided on the coarse movement stage 22, and the reticle R is held on the fine movement stage 23.

【００１２】図２に示すように、粗動ステージ２２はレ
チクルベース２１上でＸ方向に延在するエアガイド２１
ａで支持され、その裏面には永久磁石（不図示）が設け
られ、エアガイド２１ａに沿って所定間隔で延在する電
磁石２１ｂによりＸ方向に移動する。微動ステージ２３
と粗動ステージ２１との間には図示のように引張りばね
２４Ｘ，２４Ｙ，２４θが介装され、微動ステージ２３
はＸ，Ｙ方向およびθ回転方向に付勢されている。そし
て、微動ステージ２３は、これらのばねの付勢力に抗し
て、粗動ステージ２２との間に図示のように設置されて
いるアクチュエータ２５Ｘ，２５Ｙ，２５θによりＸ，
Ｙ方向およびθ回転方向に移動する。As shown in FIG. 2, a coarse movement stage 22 has an air guide 21 extending on a reticle base 21 in the X direction.
a permanent magnet (not shown) is provided on the back surface thereof, and is moved in the X direction by an electromagnet 21b extending at a predetermined interval along the air guide 21a. Fine movement stage 23
Tension springs 24X, 24Y, 24θ are interposed between the fine movement stage 23 and the fine movement stage 21 as shown in FIG.
Are urged in the X, Y and θ rotation directions. The fine movement stage 23 is opposed to the coarse movement stage 22 by the actuators 25X, 25Y, and 25θ, as shown in the drawing, against the urging forces of these springs.
It moves in the Y direction and the θ rotation direction.

【００１３】また図２に示すように、微動ステージ２３
上には移動鏡２６Ｘ，２６Ｙ，２６θが固定され、レー
ザ干渉計２７Ｘ，２７Ｙ，２７θからのレーザビームが
移動鏡２６Ｘ，２６Ｙ，２６θに照射され、その反射ビ
ームを干渉計２７Ｘ，２７Ｙ，２７θが受光してレチク
ル微動ステージ２３のＸ方向，Ｙ方向およびθ回転方向
の位置座標が計測される。これらのＸ，Ｙ方向およびθ
回転方向の位置座標は投影露光装置全体を統轄する図１
に示す主制御系５０に入力される。主制御系５０は、レ
チクル粗動ステージ駆動回路４１により電磁石２１ｂを
駆動してレチクルＲのＸ方向のスキャン速度を制御する
とともに、レチクル微動ステージ駆動回路４２によりア
クチュエータ２５Ｘ，２５Ｙ，２５θを駆動してウエハ
Ｗに対するレチクルＲの位置ずれを制御する。Further, as shown in FIG.
The movable mirrors 26X, 26Y, 26θ are fixed on the upper side, and the laser beams from the laser interferometers 27X, 27Y, 27θ are applied to the movable mirrors 26X, 26Y, 26θ, and the reflected beams are transmitted to the interferometers 27X, 27Y, 27θ. Upon receiving the light, the position coordinates of the reticle fine movement stage 23 in the X direction, the Y direction, and the θ rotation direction are measured. These X and Y directions and θ
The position coordinates in the rotation direction are shown in FIG.
Is input to the main control system 50 shown in FIG. The main control system 50 controls the scanning speed of the reticle R in the X direction by driving the electromagnet 21b by the reticle coarse movement stage drive circuit 41 and drives the actuators 25X, 25Y, 25θ by the reticle fine movement stage drive circuit 42. The displacement of the reticle R with respect to the wafer W is controlled.

【００１４】図３も参照して説明すると、ウエハＷはウ
エハベース３１上をＸＹ方向（特に言及しない場合は正
方向と負方向を含む）およびθ回転方向（特に言及しな
い場合は時計回転方向と反時計回転方向を含む）に移動
可能に保持されている。この発明ではウエハＷのθ回転
は関係がないので説明を省略する。ウエハベース３１に
はＸステージ３２が設けられ、Ｘステージ３２上にはＹ
ステージ３３が設けられ、レチクルＲはＹステージ３３
上に保持される。Referring also to FIG. 3, the wafer W is moved on the wafer base 31 in the XY directions (including the positive direction and the negative direction unless otherwise specified) and the θ rotation direction (the clockwise direction unless otherwise specified). (Including the counterclockwise rotation direction). In the present invention, since the θ rotation of the wafer W has no relation, the description is omitted. An X stage 32 is provided on the wafer base 31, and a Y stage is provided on the X stage 32.
A stage 33 is provided, and reticle R is a Y stage 33
Held on.

【００１５】図３に示すように、Ｘステージ３２はウエ
ハベース３１上でＸ方向に延在するエアガイド３１ａで
支持され、その裏面には永久磁石（不図示）が設けら
れ、エアガイド３１ａに沿って所定間隔で延在する電磁
石３１ｂによりＸ方向に移動する。Ｙステージ３３はＸ
ステージ３２上でＹ方向に延在するリニアガイド３２ａ
で支持され、ボールネジ直進駆動装置３４によりリニア
ガイド３２ａに沿ってＹ方向に移動する。したがって、
ウエハＷはＸ，Ｙ方向に移動する。ボールネジ直進駆動
装置３４に代えてリニアモータを用いてもよい。As shown in FIG. 3, the X stage 32 is supported by an air guide 31a extending in the X direction on the wafer base 31, and a permanent magnet (not shown) is provided on the back surface thereof. It is moved in the X direction by an electromagnet 31b extending at predetermined intervals along the axis. Y stage 33 is X
Linear guide 32a extending in Y direction on stage 32
, And is moved in the Y direction along the linear guide 32a by the ball screw linear driving device 34. Therefore,
The wafer W moves in the X and Y directions. A linear motor may be used instead of the ball screw linear drive device 34.

【００１６】また図３に示すように、Ｙステージ３３上
には移動鏡３５Ｘ，３５Ｙθが固定され、レーザ干渉計
３６Ｘ，３６Ｙ，３６θからのレーザビームが移動鏡３
５Ｘ，３５Ｙθに照射され、その反射ビームを干渉計３
６Ｘ，３６Ｙ，３６θが受光してウエハＹステージ３３
のＸ方向，Ｙ方向およびθ回転方向の位置座標が計測さ
れる。これらのＸ，Ｙ方向およびθ回転方向の位置座標
は投影露光装置全体を統轄する図１に示す主制御系５０
に入力される。主制御系５０は、ウエハＸステージ駆動
回路４３により電磁石３１ｂを駆動してウエハＷのＸ方
向のスキャン速度を制御するとともにボールネジ直進駆
動装置３４を駆動して露光領域を選択する。As shown in FIG. 3, movable mirrors 35X, 35Yθ are fixed on a Y stage 33, and laser beams from laser interferometers 36X, 36Y, 36θ are
5X, 35Yθ, and the reflected beam is interferometer 3
6X, 36Y and 36θ receive light and the wafer Y stage 33
Are measured in the X direction, the Y direction, and the θ rotation direction. The position coordinates in the X, Y and θ rotation directions are determined by the main control system 50 shown in FIG.
Is input to The main control system 50 controls the scanning speed of the wafer W in the X direction by driving the electromagnet 31b by the wafer X stage drive circuit 43 and drives the ball screw linear drive device 34 to select an exposure area.

【００１７】たとえば投影レンズＰＬが投影倍率β（た
とえば１／４）で倒立像を投影する場合、レチクル粗動
ステージ２２を介してレチクルＲを照明領域に対して＋
Ｘ方向、あるいは−Ｘ方向に速度ＶＲで走査するのと同
期して、Ｘステージ３２を介してウエハＷが−Ｘ方向、
あるいは＋Ｘ方向に速度ＶＷで走査される。ここで、ウ
エハ速度ＶＷは（１／β）・ＶＲで表される。またこの
とき、レチクル微動ステージ２３は、ウエハＷの現在の
位置とレチクルＲの現在の位置に応じて駆動制御され
る。For example, when the projection lens PL projects an inverted image at a projection magnification β (for example, 1/4), the reticle R is moved through the reticle coarse movement stage 22 with respect to the illumination area.
In synchronization with scanning at the speed VR in the X direction or the −X direction, the wafer W is moved through the X stage 32 in the −X direction,
Alternatively, scanning is performed at a speed VW in the + X direction. Here, the wafer speed VW is represented by (1 / β) · VR. At this time, the reticle fine movement stage 23 is driven and controlled according to the current position of the wafer W and the current position of the reticle R.

【００１８】主制御系５０には第１および第２プロセッ
サ５１Ａ，５１Ｂが設けられ、それぞれ図４に示すよう
な処理を行なって、スリットスキャン露光時のレチクル
微動ステージ２３の移動を制御する。プロセッサ５１Ａ
はメモリ５１Ｄを、プロセッサ５１Ｂはメモリ５１Ｃを
それぞれ有し、演算結果などが記憶される。なお、図４
では、粗動ステージ２２とウエハＸステージ３２を互に
逆方向にスキャンする際の等速度制御を省略している
が、その制御も主制御系５０が行なう。The main control system 50 is provided with first and second processors 51A and 51B, each of which performs processing as shown in FIG. 4 to control the movement of the reticle fine movement stage 23 during slit scan exposure. Processor 51A
Has a memory 51D, and the processor 51B has a memory 51C, and stores calculation results and the like. FIG.
Although the constant velocity control for scanning the coarse movement stage 22 and the wafer X stage 32 in directions opposite to each other is omitted, the control is also performed by the main control system 50.

【００１９】図４において、タイマ割込みにより第１プ
ロセッサ５１Ａの制御ルーチンがステップＳ１１で起動
されると、ステップＳ１２においてレチクル微動ステー
ジ２３の位置ＲＸ，ＲＹ，Ｒθを検出する干渉計２７
Ｘ，２７Ｙ，２７θおよびＹステージ３３の位置ＷＸ，
ＷＹ，Ｗθを検出する干渉計３６Ｘ，３６Ｙ，３６θか
らレチクルＲとウエハＷのそれぞれの位置データを入力
する。ステップＳ１３では、これらの位置データを第２
プロセッサ用メモリ５１Ｃに転送する。ステップＳ１４
では、第１プロセッサ５１Ａから第２プロセッサ５１Ｂ
へ割込み指令を出力する。第２プロセッサ５１Ｂに割込
み指令を出力した後、第１プロセッサ５１Ａはステップ
Ｓ１５において、レチクル位置データＲＸ，ＲＹに基づ
いてレチクル目標位置に対するレチクル現在位置の偏差
ΔＲＸとΔＲＹを演算し、さらに、ＰＩＤ制御演算を行
ない、偏差ΔＲＸとΔＲＹを除去するためにアクチュエ
ータ２５Ｘ，２５Ｙを駆動する駆動信号ＳＸ，ＳＹを算
出してメモリ５１Ｄに転送する。Referring to FIG. 4, when a control routine of the first processor 51A is started in step S11 by a timer interrupt, an interferometer 27 for detecting the positions RX, RY and Rθ of the reticle fine movement stage 23 in step S12.
X, 27Y, 27θ and the position WX of the Y stage 33,
The position data of the reticle R and the position data of the wafer W are input from the interferometers 36X, 36Y, and 36θ that detect WY and Wθ. In step S13, these position data are
The data is transferred to the processor memory 51C. Step S14
Now, from the first processor 51A to the second processor 51B
Output an interrupt command to After outputting the interrupt command to the second processor 51B, the first processor 51A calculates the deviations .DELTA.RX and .DELTA.RY of the reticle current position with respect to the reticle target position based on the reticle position data RX and RY in step S15. Calculation is performed to calculate drive signals SX and SY for driving the actuators 25X and 25Y in order to remove the deviations ΔRX and ΔRY, and transfer them to the memory 51D.

【００２０】ステップＳ１６において第１プロセッサ５
１Ａは第２プロセッサ５１Ｂから割込み指令が出力され
ているかを判定する。否定されると制御ルーチンを終了
させて割込み指令が判定されるまでの間、ステップＳ１
７において、他のルーチンを実行する。ステップＳ１６
で割込み指令の出力が判定されると、第１プロセッサ５
１ＡはステップＳ１８でデータ出力ルーチンを起動し、
ステップＳ１９において、メモリ５１Ｄから駆動信号Ｓ
Ｘ，ＳＹ，Ｓθを読み出してレチクル駆動回路４２へそ
れらの駆動信号ＳＸ，ＳＹ，Ｓθを出力してレチクル微
動ステージ２３を駆動制御する。なお、駆動信号Ｓθは
後述するように第２プロセッサ５１Ｂにより算出されて
メモリ５１Ｄに転送されるものである。In step S16, the first processor 5
1A determines whether an interrupt command is output from the second processor 51B. If the result is negative, step S1 is performed until the control routine is terminated and an interrupt command is determined.
At 7, another routine is executed. Step S16
When the output of the interrupt command is determined by the first processor 5
1A starts a data output routine in step S18,
In step S19, the drive signal S is output from the memory 51D.
X, SY, and Sθ are read, and drive signals SX, SY, and Sθ are output to the reticle drive circuit 42 to drive and control the reticle fine movement stage 23. The drive signal Sθ is calculated by the second processor 51B and transferred to the memory 51D as described later.

【００２１】一方、第２プロセッサ５１Ｂは所定のタイ
ミングで起動されてステップＳ２１で以下の制御ルーチ
ンとは異なる他のルーチンを実行する。第２プロセッサ
５１Ｂは第１プロセッサ５１Ａから割込み指令が出力さ
れるとステップＳ２２を肯定し、ステップＳ２３で制御
ルーチンを起動する。ステップＳ２４において、メモリ
５１Ｃに格納されているレチクルＲの位置データＲＸ，
ＲＹ，ＲθとウエハＷの位置データＷＸ，ＷＹ，Ｗθを
読み込む。そして、それらの位置データに基づいてレチ
クル目標位置に対するレチクル現在位置の偏差ΔＲθを
演算し、さらに、ＰＩＤ制御演算を行なってレチクル駆
動回路４２への駆動信号Ｓθを演算する。ステップＳ２
５では、第２プロセッサ用メモリ５１Ｄに駆動信号Ｓθ
を転送し、ステップＳ２６で第１プロセッサ５１Ａに割
込み指令を出力する。その後、ステップＳ２１に戻り、
その他のルーチンを実行する。On the other hand, the second processor 51B is started at a predetermined timing and executes another routine different from the following control routine in step S21. When the interrupt command is output from the first processor 51A, the second processor 51B affirms step S22 and starts the control routine in step S23. In step S24, the position data RX of the reticle R stored in the memory 51C,
RY, Rθ and the position data WX, WY, Wθ of the wafer W are read. Then, a deviation ΔRθ of the reticle current position from the reticle target position is calculated based on the position data, and a PID control calculation is further performed to calculate a drive signal Sθ to the reticle drive circuit 42. Step S2
5, the drive signal Sθ is supplied to the second processor memory 51D.
Is transferred to the first processor 51A in step S26. Then, returning to step S21,
Perform other routines.

【００２２】なお、第１プロセッサ５１Ａと第２プロセ
ッサ５１Ｂで行なわれる位置ずれΔＸ，ΔＹ，Δθ演算
は次式のように表わすことができる。The calculation of the displacements ΔX, ΔY, Δθ performed by the first processor 51A and the second processor 51B can be expressed by the following equations.

【数１】 (Equation 1)

【００２３】以上のように、第２プロセッサ５１Ｂは第
１プロセッサ５１Ａから割込み指令がかかるまで開放さ
れており、ステップＳ２１において全く別の独自の処理
を実行することができる。たとえば、ステージがリミッ
ト位置に達しているかを判定する処理を実行したり、あ
るいは上位プロセッサとの間の通信を行なう処理を実行
することができる。また、第２プロセッサ５１Ｂは、ス
テップＳ２６で第１プロセッサ５１Ａに対して割込み起
動を指令して第１プロセッサ５１Ａによる処理を開始す
るようにしているから、第１プロセッサ５１Ａは第２プ
ロセッサ５１Ｂから割込み指令がかかるまで開放されて
おり、ステップＳ１７において全く別の独自の処理を実
行することができる。さらに、第２プロセッサ５１Ｂ
は、ステップＳ２６で第１プロセッサ５１Ａの割込み指
令を出力した後は開放されるから、第２プロセッサ５１
ＢはステップＳ２１で全く別の独自の処理を実行するこ
とができる。As described above, the second processor 51B is open until an interrupt command is issued from the first processor 51A, and can execute completely different original processing in step S21. For example, it is possible to execute processing for determining whether the stage has reached the limit position, or to execute processing for communicating with a host processor. In addition, since the second processor 51B instructs the first processor 51A to start an interrupt in step S26 and starts processing by the first processor 51A, the first processor 51A receives an interrupt from the second processor 51B. It is open until the command is issued, and it is possible to execute completely different original processing in step S17. Further, the second processor 51B
Is released after outputting the interrupt command of the first processor 51A in step S26,
B can execute completely different original processing in step S21.

【００２４】なお、以上では２つのプロセッサを用いた
投影露光装置について説明したが、２以上のプロセッサ
により同様な演算処理を実行する装置であれば投影露光
装置以外の種々の装置に本発明を適用できる。In the above, the projection exposure apparatus using two processors has been described. However, the present invention is applicable to various apparatuses other than the projection exposure apparatus as long as the apparatus executes the same arithmetic processing by two or more processors. it can.

【００２５】[0025]

【発明の効果】（１）請求項１の発明によれば、第１プ
ロセッサと第２プロセッサを有効に使用して各種の制御
理時間を短縮することができる。 （２）請求項２の発明によれば、スキャン露光方式の投
影露光装置において、第１プロセッサと第２プロセッサ
を有効に使用してスキャン中のウエハ位置に対するレチ
クルの微小位置決め制御時間を短縮することができ、ス
ループットを向上することができる。(1) According to the first aspect of the present invention, it is possible to effectively use the first processor and the second processor to reduce various control times. (2) According to the second aspect of the present invention, in the projection exposure apparatus of the scan exposure system, the first processor and the second processor are effectively used to reduce the time for controlling the fine positioning of the reticle with respect to the wafer position being scanned. And the throughput can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本実施の形態に係る投影露光装置の構成を示す
図FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a projection exposure apparatus according to the present embodiment.

【図２】レチクルステージの平面図FIG. 2 is a plan view of a reticle stage.

【図３】ウエハステージの平面図FIG. 3 is a plan view of a wafer stage.

【図４】第１および第２のプロセッサによる処理の一例
を示すフローチャートFIG. 4 is a flowchart showing an example of processing by the first and second processors;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

２２ 粗動ステージ ２３ 微動ステージ ３２ Ｘステージ ３３ Ｙステージ ２７Ｘ，２７Ｙ，２７θ 干渉計 ３６Ｘ，３６Ｙ，３６θ 干渉計 ５０ 主制御系 ５１Ａ 第１プロセッサ ５１Ｂ 第２プロセッサ ５１Ｃ，５１Ｄ メモリ Reference Signs List 22 coarse movement stage 23 fine movement stage 32 X stage 33 Y stage 27X, 27Y, 27θ interferometer 36X, 36Y, 36θ interferometer 50 Main control system 51A First processor 51B Second processor 51C, 51D Memory

フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５１６Ｂ ５２５Ｄ Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification symbol FI H01L 21/30 516B 525D

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】第１データにより第１演算を実行する第１
プロセッサと、 前記第１データにより第２演算を実行する第２プロセッ
サとを備え、第１および第２演算の結果に基づいて被駆
動機器を駆動する駆動信号を出力する制御装置におい
て、 前記第１プロセッサは、前記第１データを読み込みんで
前記第２プロセッサの第２記憶装置へ転送し、前記第２
プロセッサに割込み指令を行い、前記第１演算を実行し
て第１プロセッサの記憶装置へ前記第１演算の結果を転
送し、第１演算が終了すると前記第２プロセッサからの
割込み指令があるまで他の処理を実行し、 前記第２プロセッサは、前記第１プロセッサからの前記
割込み指令により前記第２記憶装置から前記第１データ
を入手して第２演算を実行し、前記第１プロセッサの第
１記憶装置へ前記第２演算の結果を転送し、前記第１プ
ロセッサに割込み指令を行い、前記第１プロセッサから
前記割込み指令があるまで他の処理を実行し、 前記第１プロセッサは、前記第２プロセッサからの前記
割込み指令により前記第１記憶装置に記憶されている第
１演算および第２演算の結果に基づいて前記被駆動機器
を駆動する駆動信号を出力することを特徴とする複数の
プロセッサを有する制御装置。A first operation for executing a first operation based on the first data;
A control device, comprising: a processor; and a second processor that executes a second operation based on the first data, and outputs a drive signal for driving a driven device based on a result of the first and second operations. A processor for reading the first data and transferring the first data to a second storage device of the second processor;
An interrupt instruction is issued to the processor, the first operation is executed, the result of the first operation is transferred to the storage device of the first processor, and when the first operation is completed, the other operation is performed until an interrupt instruction is issued from the second processor. The second processor obtains the first data from the second storage device in response to the interrupt command from the first processor, executes a second operation, and executes a first operation of the first processor. Transferring the result of the second operation to a storage device, issuing an interrupt instruction to the first processor, and performing other processing until the interrupt instruction is received from the first processor; Outputting a drive signal for driving the driven device based on a result of the first operation and the second operation stored in the first storage device in response to the interrupt command from the processor. Controller having a plurality of processors to symptoms. 【請求項２】レチクルを保持し少なくともＸＹ方向およ
びθ回転方向に移動するレチクルステージと、 感応基板を保持し少なくともＸＹ方向に移動する基板ス
テージと、 前記レチクルステージの位置を計測するレチクル位置検
出器と、 前記基板ステージの位置を計測する基板位置検出器と、 前記レチクルステージと前記基板ステージを互に逆方向
に等速度でスキャンさせながら、前記計測された前記レ
チクルステージの位置と前記基板ステージの位置とに応
じて前記レチクルステージを微動位置制御する駆動制御
手段と、 前記レチクルを照明する照明光学系と前記レチクルに形
成されたパターンの像を前記感応基板に投影露光する投
影光学系とを備えた投影露光装置において、 前記駆動制御手段は、前記Ｘ，Ｙ，θの３方向のうちの
２つの方向の前記微動位置制御のための第１演算を実行
する第１プロセッサと残りの１つの方向の微動位置制御
のための第２演算を実行する第２プロセッサとを備え、 前記第１プロセッサは、前記位置データを読み込んで第
２プロセッサの第２記憶装置へ転送し、前記第２プロセ
ッサに割込み指令を行い、前記第１演算を実行して前記
第１プロセッサ５１Ａの第１記憶装置へその結果を転送
し、この第１演算が終了すると前記第２プロセッサから
割込み指令が出力されるまで他の処理を実行し、 前記第２プロセッサは前記第１プロセッサからの割込み
指令により前記第２記憶装置から前記位置データを入手
して前記第２演算を実行し、前記第１記憶装置へその結
果を転送し、第１プロセッサに割込み指令を行い、前記
第１プロセッサから割込み指令が出力されるまで他の処
理を実行し、 前記第１プロセッサは、前記第２プロセッサからの割込
み指令により前記第１記憶装置に記憶されている前記第
１および第２演算の結果に基づいて前記被駆動機器を駆
動する駆動信号を出力することを特徴とする投影露光装
置。2. A reticle stage that holds a reticle and moves at least in XY and θ directions, a substrate stage that holds a sensitive substrate and moves at least in XY directions, and a reticle position detector that measures the position of the reticle stage. And a substrate position detector for measuring the position of the substrate stage, while scanning the reticle stage and the substrate stage at a constant speed in opposite directions to each other, while measuring the measured position of the reticle stage and the substrate stage. Drive control means for finely controlling the position of the reticle stage in accordance with the position; an illumination optical system for illuminating the reticle; and a projection optical system for projecting and exposing an image of a pattern formed on the reticle to the sensitive substrate. In the projection exposure apparatus described above, the drive control means includes two of the three directions of X, Y, and θ. A first processor for executing a first operation for the fine movement position control in a direction and a second processor for executing a second operation for the fine movement position control in the remaining one direction, wherein the first processor comprises: The position data is read and transferred to the second storage device of the second processor, an interrupt command is issued to the second processor, the first operation is executed, and the result is stored in the first storage device of the first processor 51A. When the first operation is completed, the other processing is performed until an interrupt command is output from the second processor. The second processor receives the interrupt command from the first processor and outputs the same from the second storage device. The position data is obtained, the second operation is executed, the result is transferred to the first storage device, an interrupt command is issued to a first processor, and an interrupt command is issued from the first processor. The first processor executes the other processing until is output, based on the results of the first and second calculations stored in the first storage device by an interrupt command from the second processor A projection exposure apparatus for outputting a drive signal for driving a driven device.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2014002165A (en) * 2013-08-08 2014-01-09 Nippon Thompson Co Ltd Small slide device
TWI424283B (en) * 2010-02-24 2014-01-21 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method for correcting a position of an stage of a lithographic apparatus

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI424283B (en) * 2010-02-24 2014-01-21 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method for correcting a position of an stage of a lithographic apparatus
US8781775B2 (en) 2010-02-24 2014-07-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method for correcting a position of a stage of a lithographic apparatus
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