JPH11251634A - Led素子 - Google Patents

Led素子

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JPH11251634A
JPH11251634A JP4649398A JP4649398A JPH11251634A JP H11251634 A JPH11251634 A JP H11251634A JP 4649398 A JP4649398 A JP 4649398A JP 4649398 A JP4649398 A JP 4649398A JP H11251634 A JPH11251634 A JP H11251634A
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JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
electrode
light
grid
emitting layer
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP4649398A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasushi Akiba
泰史 秋庭
Hideki Fukusono
秀樹 福園
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Matsushita Electric Works Ltd
Priority to JP4649398A priority Critical patent/JPH11251634A/ja
Publication of JPH11251634A publication Critical patent/JPH11251634A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 単位面積当たりの放出光を多くできる面発光
型のLED素子を提供する。 【解決手段】 シリコン基板1の一面11に形成されて
放出光を一面11側へ放出する発光層2と、発光層2に
積層形成された薄膜状の透明電極3と、透明電極3に積
層形成されて複数の開口部42を外囲する金属格子41
が設けられた格子状電極4と、シリコン基板1の他面1
2に形成されて格子状電極4に対面する対面電極5とを
備え、各金属格子41の中央部における発光層2の発光
効率を減少させることなく格子間間隔を広くする構成に
してある。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光層がシリコン
基板の一面に形成された面発光型のLED素子に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】従来、この種のLED素子として、特開
平5−291620号に開示された図2に示す構成のも
のが存在する。このものは、シリコン基板A1の一面に
バッファ層A2を介して形成されて放出光を一面側へ放
出する発光層Aと、発光層Aに積層形成されて複数の開
口部B1を外囲する格子B2が設けられた格子状電極B
と、シリコン基板A1の他面に形成されて格子状電極B
に対面する対面電極Cとを備えている。
【0003】さらに詳しくは、発光層Aで発光した放出
光は、格子B2によって外囲された複数の開口部B1か
ら、シリコン基板A1の一面側へ面状に放出される。ま
た、シリコン基板A1は一辺が5mm以上であり、格子
状電極Bは開口部B1が四角状に形成されて、一辺が
0.2mm乃至1.0mmに形成されるよう、格子B2
が所定の格子間間隔に形成される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来のLED
素子では、発光層Aで発光した放出光を複数の開口部B
1から面状に放出させて、薄型の面発光素子を得ること
ができる。
【0005】しかしながら、発光層Aで発光した放出光
は格子状電極Bの格子B2が透明ではないので、その格
子B2によって遮蔽され、開口部B1からのみ放出され
て、単位面積当たりの放出光量で定義される光放出効率
が劣化する。また、光放出効率を向上させるために格子
B2の格子間間隔を広くすると、各格子B2の中央部にお
ける発光層Aは発光効率が減少して、同様に光放出効率
が劣化する。
【0006】本発明は、上記問題点に鑑みてなしたもの
で、その目的とするところは、単位面積当たりの放出光
量を多くできる面発光型のLED素子を提供することに
ある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記した課題を解決する
ために、請求項1記載のものは、シリコン基板の一面に
形成されて放出光を一面側へ放出する発光層と、発光層
に積層形成された薄膜状の透明電極と、透明電極に積層
形成されて複数の開口部を外囲する金属格子が設けられ
た格子状電極と、シリコン基板の他面に形成されて格子
状電極に対面する対面電極とを備えた構成にしてある。
【0008】請求項2記載のものは、請求項1記載のも
のにおいて、前記透明電極は酸化インジウムからなる構
成にしてある。
【0009】
【発明の実施の形態】本発明の一実施形態を図1に基づ
いて以下に説明する。
【0010】1はシリコン基板で、一面11及び他面1
2を有した薄板四角状に形成され、板厚が0.3mm乃
至0.8mm、一辺が約10mmで、導電性を有して、
強度、及び放熱性に優れる。
【0011】2は発光層で、第1導電型でp型のGaA
lAs層21、及び第2導電型でn型のGaAlAs層
22とで構成され、p型のGaAlAs層21及びn型
のGaAlAs層22が、シリコン基板1の一面11に
順次積層されて形成される。ここで、n型のGaAlA
s層22が薄膜状に形成されて、両層の界面で発光した
放出光が、n型のGaAlAs層22を透過してシリコ
ン基板1の一面11側へ放出される。
【0012】3は透明電極で、導電性を有した酸化イン
ジウムにより、透明性を有し、発光層2に薄膜状に積層
形成されて、発光層2によって発光した放出光を遮蔽す
ることなく、シリコン基板1の一面11側へ放出する。
【0013】4は格子状電極で、金属により、薄板状に
形成され、電気伝導度が透明電極3と比較して良好であ
り、格子状に形成された金属格子41が設けられて、四
角状に形成された複数の開口部42が開口し、その開口
部42を外囲して透明電極3に接触した状態で積層形成
される。ここで、金属格子41が約2mmの格子間間隔
をなすよう形成される。5は対面電極で、シリコン基板
1の他面12に形成されて格子状電極4に対面する。
【0014】このものの動作を説明する。対面電極5か
ら格子状電極4へ電流を通電すると、発光層2は放出光
をシリコン基板1の一面11側へ放出する。放出光は透
明電極3が透明であるので遮蔽されることなく放出さ
れ、かつ金属格子41の格子間間隔が約2mmであって
従来と比較して広いので、金属格子41によって遮蔽さ
れる光量が少なく、単位面積当たりの放出光量で定義さ
れる光放出効率の劣化が少なくなる。
【0015】さらに、導電性を有した透明電極3が発光
層2に積層形成されているので、格子間間隔を広くして
も、各金属格子41の中央部における発光層2の発光効
率が減少することもない。したがって、放出光は光量の
多い状態で複数の開口部42から放出される。
【0016】また、格子状電極4は金属格子41の電気
伝導度が透明電極3と比較して良好であるので、対面電
極5間に大きな電流を流しても発熱量が少なく、したが
って放出光は大電流を流すことによって、さらに光量の
多い状態で開口部42から放出される。
【0017】かかる一実施形態のLED素子にあって
は、上記したように、透明電極3を発光層2に積層形成
し、さらに格子状電極4が透明電極3に積層形成され
て、複数の開口部42を外囲する金属格子41を設けた
から、各金属格子41の中央部における発光層2の発光
効率を減少させることなく、格子間間隔を広くして単位
面積当たりの放出光を多くできるとともに、金属格子4
1の電気伝導度が透明電極3と比較して良好であって、
金属格子41の発熱量が少ないので、格子状電極4及び
対面電極5間に大電流を流して、光量の多い放出光を開
口部42から放出させることができる。
【0018】また、透明電極3が酸化インジウムからな
るから、成膜しやすく安価な酸化インジウムを用いて、
薄膜状の透明電極3を発光層2に容易に積層形成するこ
とができる。
【0019】なお、本実施形態では、発光層2が第1導
電型をp型、及び第2導電型をn型にそれぞれ形成され
たが、第1導電型をn型、及び第2導電型をp型に形成
してもよく、限定されない。
【0020】
【発明の効果】請求項1記載のものは、透明電極を発光
層に積層形成し、格子状電極が透明電極に積層形成され
て、複数の開口部を外囲する金属格子を設けたから、各
金属格子の中央部における発光層の発光効率を減少させ
ることなく、金属格子間間隔を広くして単位面積当たり
の放出光を多くできるとともに、金属格子の電気伝導度
が透明電極と比較して良好であって金属格子の発熱量が
少ないので、格子状電極及び対面電極間に大電流を流し
て、光量の多い放出光を開口部から放出させることがで
きる。
【0021】請求項2記載のものは、請求項1記載のも
のの効果に加えて、透明電極が酸化インジウムからなる
から、成膜しやすく安価な酸化インジウムを用いて、薄
膜状の透明電極を発光層に容易に積層形成することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態を示す概念斜視図である。
【図2】従来例を示す概念斜視図である。
【符号の説明】
1 シリコン基板 11 一面 12 他面 2 発光層 3 透明電極 4 格子状電極 41 金属格子 42 開口部 5 対面電極

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 シリコン基板の一面に形成されて放出光
    を一面側へ放出する発光層と、発光層に積層形成された
    薄膜状の透明電極と、透明電極に積層形成されて複数の
    開口部を外囲する金属格子が設けられた格子状電極と、
    シリコン基板の他面に形成されて格子状電極に対面する
    対面電極とを備えたことを特徴とするLED素子。
  2. 【請求項2】 前記透明電極は酸化インジウムからなる
    ことを特徴とする請求項1記載のLED素子。
JP4649398A 1998-02-27 1998-02-27 Led素子 Withdrawn JPH11251634A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003523636A (ja) * 2000-02-15 2003-08-05 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 放射線を発する半導体デバイス及びその製造方法
US7691656B2 (en) 2000-10-17 2010-04-06 Osram Gmbh Method for fabricating a semiconductor component based on GaN
WO2011118629A1 (ja) * 2010-03-23 2011-09-29 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子
US8866165B2 (en) 2009-10-01 2014-10-21 Oki Data Corporation Light emitting apparatus
JP2020191460A (ja) * 2016-12-22 2020-11-26 シャープ株式会社 表示装置および製造方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003523636A (ja) * 2000-02-15 2003-08-05 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 放射線を発する半導体デバイス及びその製造方法
US7691656B2 (en) 2000-10-17 2010-04-06 Osram Gmbh Method for fabricating a semiconductor component based on GaN
US8866165B2 (en) 2009-10-01 2014-10-21 Oki Data Corporation Light emitting apparatus
WO2011118629A1 (ja) * 2010-03-23 2011-09-29 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子
JP5633560B2 (ja) * 2010-03-23 2014-12-03 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子
JP2020191460A (ja) * 2016-12-22 2020-11-26 シャープ株式会社 表示装置および製造方法
US11289015B2 (en) 2016-12-22 2022-03-29 Sharp Kabushiki Kaisha Display device

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