JPH11249177A - アクティブマトリクス基板およびその製造方法ならびに液晶表示パネル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 視覚特性に優れた駆動が可能なアクティブマ
トリクス基板、およびこれを用いた、コントラストが高
く、高画質の液晶表示パネルを提供する。 【解決手段】 アクティブマトリクス基板１００は、基
板３０、この基板３０上に所定のパターンで配設された
第１の信号電極１２および第２の信号電極１４、第１の
信号電極１２と電気的に接続され、画素領域２０に延設
された複数の単位電極２２ａを有する第１の画素電極２
２、および第２の信号電極１４と電気的に接続され、第
１の画素電極２２の単位電極２２ａに対向する状態で画
素領域２０に延設された複数の単位電極２４ａを有する
第２の画素電極２４、を有する。第１の信号電極１２と
第１の画素電極２２との間、および第２の信号電極１４
と第２の画素電極２４との間のいずれか一方に、２端子
型非線形素子が接続される。そして、第１の画素電極２
２の単位電極２２ａと前記第２の画素電極２４の単位電
極２４ａとの間に生じる電界は、前記基板３０に平行な
成分を含む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、スイッチング素子
として２端子型非線形素子を含むアクティブマトリクス
基板およびその製造方法ならびに液晶表示パネルに関す
る。

【０００２】

【背景技術および発明が解決しようとする課題】アクテ
ィブマトリクス方式の液晶表示装置は、画素領域毎にス
イッチング素子を設けてマトリクスアレイを形成したア
クティブマトリクス基板と、たとえばカラーフィルタを
設けた対向基板との間に液晶を充填しておき、各画素領
域毎の液晶の配向状態を制御して、所定の画像情報を表
示するものである。スイッチング素子としては、一般
に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などの３端子素子また
は金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）型非線形素子などの２
端子素子が用いられている。そして、２端子素子を用い
たスイッチング素子は、３端子素子に比べ、原理的には
開口率を大きくでき、また製造工程を簡略化できるとい
う点で優れている。

【０００３】図６に、２端子型非線形素子を用いた液晶
表示パネルの従来構造の一例を模式的に示す。液晶表示
パネルは、２枚の基板、すなわちアクティブマトリクス
基板１と対向基板２とが対向して設けられ、これらの基
板１および２の間に液晶層５が封入されている。そし
て、アクティブマトリクス基板１には、一方の信号線
（図示せず）およびこの信号線と接続された２端子型非
線形素子６によって駆動される画素電極３が形成され、
対向基板２には、画素電極３に対向するように他方の信
号線４が形成されている。この液晶表示パネルにおいて
は、図６において鎖線で示すように、液晶層５に対して
主に垂直に電界が印加される。この液晶表示パネルにお
いては、ＩＴＯ膜などから構成される画素電極３が必要
であり、そのため基板の製造工程数が多い。また、液晶
の駆動方式では、液晶の光学特性により視角特性が劣
る。すなわち、このタイプの液晶表示パネルに用いられ
る、ＴＮ型のような液晶分子の長軸を基板界面に垂直に
立ち上がらせる方式の場合、複屈折位相差がゼロとなる
視角方向は正面、すなわち基板界面に対して垂直な方向
のみであり、視角方向が垂直方向より傾斜すると複屈折
位相差が現れる。その結果、ノーマリーホワイト型の液
晶表示パネルでは光がもれ、コントラストの低下や階調
レベルの反転を引き起こす。

【０００４】本発明の目的は、視角特性が優れた駆動が
可能で、簡易な工程によって製造することができるアク
ティブマトリクス基板、およびこれを用いた、コントラ
ストが高く高画質の液晶表示パネルを提供することにあ
る。

【０００５】さらに本発明の他の目的は、上述した優れ
た特性を有するアクティブマトリクス基板の製造方法を
提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明に係るアクティブ
マトリクス基板は、基板、この基板上に所定のパターン
で配設された第１の信号電極、前記基板上に所定のパタ
ーンで配設され、前記第１の信号電極と電気的に分離さ
れた第２の信号電極、前記第１の信号電極と電気的に接
続され、画素領域に延設された複数の単位電極を有する
第１の画素電極、前記第２の信号電極と電気的に接続さ
れ、前記第１の画素電極の単位電極に対向する状態で画
素領域に延設された複数の単位電極を有する第２の画素
電極、前記第１の信号電極と前記第１の画素電極との
間、および前記第２の信号電極と前記第２の画素電極と
の間のいずれか一方に接続され、かつ、第１の導電膜、
絶縁膜および第２の導電膜を有する２端子型非線形素
子、を備え、前記第１の画素電極の単位電極と前記第２
の画素電極の単位電極との間に生じる電界は、前記基板
に平行な成分を含む。

【０００７】このアクティブマトリクス基板において
は、基板に第１および第２の信号電極、つまり走査線お
よびデータ線の両者を形成し、さらに画素電極の代わり
に、複数の単位電極を有する第１の画素電極および第２
の画素電極を設け、両者の単位電極を交互にかつ対向さ
せて形成している。そのため、前記第１の画素電極の単
位電極と前記第２の画素電極の単位電極との間に生じる
電界は、前記基板に平行な成分を含むことになる。この
ように液晶層に主として平行な電界を印加することによ
り、液晶の透過率を変化させて表示画像を形成すること
ができる。このような方式では、液晶層に対して垂直に
電界を印加する従来の方式に比べて、視角が拡大され
る。その理由は、上述したように液晶層に基板に対して
ほぼ平行に電界を印加させることにより、液晶分子の長
軸は基板とほぼ平行にあり、従って視角方向の変化に対
する明るさの変化の依存性が小さいことによる。また、
前記画素電極は前記信号電極と同一の工程で形成するこ
とができるため、ＩＴＯ膜などの画素電極を形成する場
合に比べて工程数を減らすことができ、製造プロセスの
点でも有利である。

【０００８】前記第１の画素電極と前記第２の画素電極
とは、それらの単位電極が平行かつ交互に配置されてい
ることが望ましい。このようないわゆるくし形構造を取
ることにより、均一で良好な電界を印加することができ
る。

【０００９】また、前記第１の信号電極と前記第２の信
号電極とは同一基板に形成されているので電気的に分離
されていることが必要であり、そのため両者が交差する
部分は相互に絶縁される必要がある。そのための構造と
しては、下層となる一方の信号電極の最上層は、陽極酸
化によって絶縁膜を形成し得る物質によって構成される
ことが望ましい。このような物質としては、導電性が高
くかつ容易に陽極酸化が可能なアルミニウム、タンタ
ル、チタン、タングステン、ジルコニウムおよびこれら
の金属の合金から選択される物質が好ましい。

【００１０】本発明のアクティブマトリクス基板の製造
方法は、以下の工程（ａ）〜（ｅ）を含むことが望まし
い。

【００１１】（ａ） 基板上に所定のパターンで第１の
信号電極を形成する工程、（ｂ） 前記基板上に所定の
パターンを有し、前記第１の信号電極と電気的に分離さ
れた第２の信号電極を形成する工程、（ｃ） 前記第１
の信号電極と電気的に接続され、画素領域に延設された
複数の単位電極を有する第１の画素電極を形成する工
程、（ｄ） 前記第２の信号電極と電気的に接続され、
前記第１の画素電極の単位電極に対向する状態で画素領
域に延設された複数の単位電極を有する第２の画素電極
を形成する工程、（ｅ） 前記第１の信号電極と前記第
１の画素電極との間、および前記第２の信号電極と前記
第２の画素電極との間のいずれか一方に接続され、か
つ、第１の導電膜、絶縁膜および第２の導電膜を有する
２端子型非線形素子を形成する工程、を含み、前記工程
（ａ）と工程（ｃ）、および前記工程（ｂ）と工程
（ｄ）の組合せのうち少なくとも一方は、両者の工程の
全部あるいは一部が同じ工程で行われる。

【００１２】この製造方法においては、第１の信号電極
と第１の画素電極とを同じ工程で形成することができ、
および／または第２の信号電極と第２の画素電極と同じ
工程で形成することができるため、製造プロセスが少な
くてよい。

【００１３】さらに、本発明の液晶表示パネルは、上述
したアクティブマトリクス基板を備えたことを特徴と
し、より具体的には、請求項１〜４のいずれかに記載の
アクティブマトリクス基板、前記アクティブマトリクス
基板に対向する位置に配置された対向基板、および、前
記アクティブマトリクス基板と前記対向基板との間に封
入された液晶層、を含むことを特徴とする。

【００１４】この液晶表示パネルによれば、視角特性が
よくコントラストが高く、従って高品質の画像表示が可
能である。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
について、図面を参照しながら説明する。

【００１６】（アクティブマトリクス基板および液晶表
示パネル）図１は、本発明の実施の形態にかかるアクテ
ィブマトリクス基板の液晶駆動領域の１単位を模式的に
示す平面図であり、図２は、図１におけるＡ−Ａ線に沿
った部分を模式的に示す断面図、図３は、図１における
Ｂ−Ｂ線に沿った部分を模式的に示す断面図である。

【００１７】アクティブマトリクス基板１００は、絶縁
性を有する、たとえばガラス，プラスチックなどからな
る基板３０上に、第１の信号電極（走査線）１２と、こ
の走査線１２に直交する方向に第２の信号電極（データ
線）１４が形成されている。これらの走査線１２および
データ線１４によって囲まれた画素領域２０には、くし
形状の第１の画素電極２２と、第２の画素電極２４とが
形成されている。前記第１の画素電極２２は、前記走査
線１２と平行に配列された、複数の単位電極２２ａと、
これらの単位電極２２ａを端部で連結する連結部２２ｂ
とから構成されている。また、前記第２の画素電極２４
は、前記走査線１２と平行に配列された、複数の単位電
極２４ａを有し、各単位電極２４ａは前記データ線１４
にそれぞれ接続されている。そして、前記単位電極２２
ａと前記単位電極２４ａとは交互にかつ等間隔で平行に
配列されている。また、前記第１の画素電極２２は、２
端子型非線形素子４０を介して走査線１２に接続されて
いる。

【００１８】前記走査線１２とデータ線１４とは、相互
に電気的に絶縁されている必要がある。そのために、下
に位置する走査線１２の表面には絶縁層が形成されてい
る。より具体的には、図２に示すように、走査線１２
は、第１の導電膜１２ａと、第１の絶縁膜１２ｂと、第
２の導電膜１２ｃと、第２の絶縁膜１２ｄとから構成さ
れている。そして、第１の導電膜１２ａは、後に詳述す
る２端子型非線形素子４０の陽極酸化に際して配線電極
として利用される。また、第１の絶縁膜１２ｂは第１の
導電膜１２ａの陽極酸化によって形成される。第２の導
電膜１２ｃは、主として配線電極として機能し、導電率
が高くかつ陽極酸化が可能な金属から構成される。この
ような金属としては、例えばアルミニウム、タンタル、
チタン、タングステン、ジルコニウムおよびこれらの合
金などから構成されている。この第２の導電膜１２ｃを
陽極酸化させることによって、第２の導電膜１２ｃの表
面に比較的簡易なプロセスで第２の絶縁膜１２ｄを形成
することができる。この第２の絶縁膜１２ｄは、走査線
１２とデータ線１４との短絡を防止するために十分な厚
みを有していることが必要となる。

【００１９】前記データ線１４を構成する物質は特に限
定されないが、導電性などを考慮すると、アルミニウ
ム、銅、銀、クロムあるいはこれらの合金からなること
が望ましい。

【００２０】前記２端子型非線形素子４０は、バック・
ツー・バック（ｂａｃｋ−ｔｏ−ｂａｃｋ）構造を有す
る。つまり、２端子型非線形素子４０は、第１の２端子
型非線形素子４０ａと第２の２端子型非線形素子４０ｂ
とを、極性を反対にして直列に接続した構造を有する。

【００２１】具体的には、図３に示すように、２端子型
非線形素子４０は、基板３０の表面に積層された、タン
タルあるいはタンタル合金からなる第１の導電膜４２
と、この第１の導電膜４２の表面に形成された絶縁膜４
４と、この絶縁膜４４の表面に形成され、相互に離間し
た第２の導電膜４６ａ，４６ｂとから構成されている。
そして、第１の導電膜４２、絶縁膜４４および一方の第
２の導電膜４６ａから第１の２端子型非線形素子４０ａ
が構成され、第１の導電膜４２、絶縁膜４４および他方
の第２の導電膜４６ｂから第２の２端子型非線形素子４
０ｂが構成されている。

【００２２】そして、一方の第２の導電膜４６ａは前記
第１の画素電極２２を構成する最も外側の単位電極２２
ａの端部と一体的に接続され、他方の第２の導電膜４６
ｂは前記走査線１２と一体的に接続されている。

【００２３】前記第１の導電膜４２は、タンタル単体、
あるいはタンタルを主成分とし、これに周期律表で６，
７および８族に属する元素を含ませた合金膜としてもよ
い。合金に添加される元素としては、たとえばタングス
テン，クロム，モリブデン，レニウム，イットリウム，
ランタン，ディスプロリウムなどを好ましく例示するこ
とができる。特に、前記元素としてはタングステンが好
ましく、その含有割合はたとえば０．１〜６原子％であ
ることが好ましい。また、前記走査線１２を構成する第
１の導電膜１２ａは、前記第１の導電膜４２と同一工程
で形成される。

【００２４】前記絶縁膜４４は、前記第１の導電膜４２
を陽極酸化することによって得られる酸化膜から構成さ
れている。また、前記走査線１２を構成する第１の絶縁
膜１２ｂは、前記絶縁膜４４と同一の工程によって形成
される。

【００２５】また、前記第２の導電膜４６ａ，４６ｂ、
走査線１２を構成する第２の導電膜１２ｃおよび第１の
画素電極２２は、同一の工程で形成される導電膜によっ
て構成されている。このように第２の導電膜４６ａ，４
６ｂ，１２ｃおよび第１の画素電極２２を同じ膜で形成
することにより、膜形成に要する製造工程を少なくする
ことができる。なお、前記第１の画素電極２２の表面に
は、走査線１２の第２の絶縁膜１２ｄを形成する際に絶
縁膜２３が同時に形成される。

【００２６】前記第２の導電膜４６ａ，４６ｂ、第２の
導電膜１２ｃおよび第１の画素電極２２を構成する金属
としては、例えばアルミニウム、タンタル、チタン、タ
ングステン、ジルコニウムなどを例示することができ、
導電性およびコストの点でアルミニウムあるいはアルミ
ニウムの合金が好ましい。アルミニウムの合金として
は、例えば、Ａｌ−Ｓｃ、Ａｌ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａ
ｌ−Ｃｕ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｃｕ−Ｔｉ−Ｂ、Ａｌ−Ｎｄお
よびＡｌ−Ｍｇなどを例示することができる。

【００２７】本実施の形態に係るバック・ツー・バック
構造の２端子型非線形素子は、図４に示すように、機能
的には、容量４８と、双方向非線形素子４９とを並列に
接続した回路と見なすことができる。バック・ツー・バ
ック構造の２端子型非線形素子４０は、電圧−電流特性
の対称性が、クロス型の２端子型非線形素子に比べて優
れている。電圧−電流特性の対称性がよいとは、ある電
圧において、信号線たとえばデータ線から走査線に電流
を流すときと、走査線からデータ線に電流を流すときと
の電流の絶対値の差が十分に小さいことである。

【００２８】次に、前記２端子型非線形素子４０を用い
た液晶表示パネルの一例について説明する。図４は、前
記２端子型非線形素子４０を用いたアクティブマトリク
ス方式の液晶表示パネルの等価回路の一例を示す。

【００２９】この液晶表示パネル１０は、走査信号駆動
回路１２０およびデータ信号駆動回路１１０を含む。液
晶表示パネル１０には、信号線、すなわち複数の走査線
１２および複数のデータ線１４が設けられ、前記走査線
１２は前記走査信号駆動回路１２０により、前記データ
線１４は前記データ信号駆動回路１１０により駆動され
る。そして、各単位画素１８において、走査線１２とデ
ータ線１４との間に２端子型非線形素子４０と液晶表示
要素（液晶層）５０とが直列に接続されている。なお、
図４では、２端子型非線形素子４０が走査線１２側に接
続され、液晶表示要素５０がデータ線１４側に接続され
ているが、これとは逆に２端子型非線形素子４０をデー
タ線１４側に、液晶表示要素５０を走査線１２側に設け
る構成としてもよい。つまり、図１において、走査線１
２とデータ線１４とを入れ替えることもできる。

【００３０】図５は、本実施の形態にかかる液晶表示パ
ネルの構造の一例を模式的に示す断面図である。この液
晶表示パネル１０は、２枚の基板、すなわち前述したア
クティブマトリクス基板１００と対向基板２００とが対
向して設けられ、これらの基板１００，２００間に液晶
層５０が存在する。この液晶表示パネル１０において
は、前述したように、アクティブマトリクス基板１００
の上に走査線１２とデータ線１４とを形成するため、対
向基板２００には信号電極を形成する必要がない。

【００３１】このように対向基板２００に信号電極がな
いと、対向基板の形成が容易となるだけでなく、各基板
に形成された画素電極と信号電極とを位置合わせする必
要がないので、液晶表示パネルの組立が容易となる。上
述したように、位置合わせの必要がなくなると、位置合
わせのためのマージンが不要となるので、より画素の開
口率を大きくすることができる。

【００３２】そして、前記アクティブマトリクス基板１
００においては、前述したように、基板３０に第１およ
び第２の信号電極、つまり走査線１２およびデータ線１
４の両者を形成し、さらに、第１の画素電極２２を構成
する複数の単位電極２２ａと、第２の画素電極２４を構
成する複数の単位電極２４ａとが交互にかつ対向して設
けられている。そのため、前記第１の画素電極２２の単
位電極２２ａと前記第２の画素電極２４の単位電極２４
ａとの間に生じる電界は、図５において鎖線で示すよう
に、前記基板３０に平行な成分を含むことになる。この
ように液晶層５０に主として平行な電界を印加すること
により、液晶の透過率を変化させて表示画像を形成する
ことができる。このような方式では、液晶層に対して垂
直に電界を印加する従来の方式に比べて、視角が拡大さ
れる。その理由については、既に述べたので省略する。

【００３３】そして、走査線１２とデータ線１４とに印
加された信号に基づいて、液晶表示要素（液晶層）５０
を表示状態，非表示状態またはその中間状態に切り替え
て表示動作を制御する。表示動作の制御方法について
は、一般的に用いられる方法を適用できる。

【００３４】（アクティブマトリクス基板の製造プロセ
ス）次に、たとえば図１〜図３に示すアクティブマトリ
クス基板１００の製造方法について説明する。アクティ
ブマトリクス基板１００は、たとえば以下のプロセスに
よって製造される。

【００３５】（ａ）まず、基板３０上に、タンタルある
いはタンタル合金からなる２端子型非線形素子４０の第
１の導電膜４２のための導電膜が形成される。そして、
この第１の導電膜４２の形成工程と同じ工程で、走査線
１２の第１の導電膜１２ａのための導電膜が形成され
る。この導電膜は、スパッタリング法や電子ビーム蒸着
法で形成することができ、さらに、一般に用いられてい
るフォトリソグラフィおよびエッチング技術によってパ
ターニングされ、第１の導電膜４２および１２ａが形成
される。

【００３６】前記第１の導電膜４２および１２ａの膜厚
は、２端子型非線形素子の特性などを考慮して好適な値
が選択され、好ましくは１００〜５００ｎｍとされる。
タンタル合金からなる第１の導電膜を形成する方法とし
ては、混合ターゲットを用いたスパッタリング法、コス
パッタリング法あるいは電子ビーム蒸着法などを用いる
ことができる。タンタル合金に含まれる元素としては、
周期律表で６，７および８族の元素、好ましくはタング
ステン、クロム、モリブデン、レニウムなどの前述した
元素を選択することができる。

【００３７】（ｂ）ついで、２端子型非線形素子４０を
構成する第１の導電膜４２および走査線１２を構成する
第１の導電膜１２ａ上に、酸化タンタルからなる絶縁膜
４４および第１の絶縁膜１２ｂが形成される。この絶縁
膜４４および１２ｂは、陽極酸化法を用いて前記第１の
導電膜４２および１２ａの表面を酸化させることにより
形成される。陽極酸化に用いられる化成液は特に限定さ
れないが、例えば０．０１〜０．１重量％のクエン酸水
溶液を用いることができる。前記絶縁膜４４は、２端子
型非線形素子の特性などによって好ましい膜厚が選択さ
れ、たとえば２０〜７０ｎｍ程度とされる。

【００３８】（ｃ）ついで、走査線１２の第２の導電膜
１２ｃ、２端子型非線形素子４０の第２の導電膜４６
ａ，４６ｂおよび第１の画素電極２２のための、例えば
アルミニウム膜からなる導電膜が形成される。この導電
膜の膜厚は、２端子型非線形素子や走査線の特性などに
よって好適な値が選択され、通常３０〜２００ｎｍとさ
れる。この導電膜は、スパッタリング法や電子ビーム蒸
着法で形成することができる。そして、前記第２の導電
膜１２ｃ，４６ａ，４６ｂおよび第１の画素電極２２
は、一般に用いられているフォトリソグラフィおよびエ
ッチング技術によってパターニングされる。

【００３９】（ｄ）ついで、走査線１２を構成する第２
の導電膜１２ｃの表面に例えば酸化アルミニウムからな
る第２の絶縁膜１２ｄが形成される。この第２の絶縁膜
１２ｄは、陽極酸化法を用いて前記第２の導電膜１２ｃ
の表面を酸化させることにより形成される。陽極酸化に
用いられる化成液は特に限定されないが、例えば、酒石
酸アンモニウム、フタル酸アンモニウム、安息香酸アン
モニウムなどの水溶液を用いることができる。ここで特
に注意したいのは化成液のｐＨであり、絶縁性のよい膜
にするためには、ｐＨ６〜８の溶液を用いることが好ま
しい。

【００４０】前記第２の絶縁膜１２ｄは、この絶縁膜１
２ｄの上に形成されるデータ線１４との電気的絶縁性を
考慮して好ましい膜厚が選択され、例えば１００〜５０
０ｎｍ程度とされる。なお、この工程では、前記第１の
画素電極２２の単位電極２２ａの表面にも同時に陽極酸
化膜（絶縁膜２３）が形成される。

【００４１】（ｅ）ついで、データ線１４および第２の
画素電極２４のための導電膜が形成される。この導電膜
は、スパッタリング法や電子ビーム蒸着法で形成するこ
とができ、さらに、一般に用いられているフォトリソグ
ラフィおよびエッチング技術によってパターニングさ
れ、データ線１４および第２の画素電極２４の単位電極
２４ａが形成される。

【００４２】上述した実施の形態においては、２端子型
非線形素子として、いわゆるバック・ツー・バック構造
の素子を用いたが、これに限定されず、いわゆる単一の
第１の導電膜−絶縁膜−第２の導電膜から成るクロス型
の２端子型非線形素子を用いてもよい。

【００４３】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態に係るアクティブマトリク
ス基板の要部を模式的に示す平面図である。

【図２】図１におけるＡ−Ａ線に沿った断面図である。

【図３】図１におけるＢ−Ｂ線に沿った断面図である。

【図４】本発明に係る液晶表示パネルの等価回路を示す
図である。

【図５】本発明に係る液晶表示パネルの断面図である。

【図６】従来の液晶表示パネルの一例を示す断面図であ
る。

【符号の説明】

１０ 液晶表示パネル １２ 走査線（第１の信号電極） １４ データ線（第２の信号電極） ２０ 画素領域 ２２ 第１の画素電極 ２２ａ 単位電極 ２４ 第２の画素電極 ２４ａ 単位電極 ３０ 基板 ４０ ２端子型非線形素子 ４０ａ 第１の２端子型非線形素子 ４０ｂ 第２の２端子型非線形素子 ４２ 第１の導電膜 ４４ 絶縁膜 ４６ａ，４６ｂ 第２の導電膜 ５０ 液晶層（液晶表示要素） １００ アクティブマトリクス基板 ２００ 対向基板

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板、 この基板上に所定のパターンで配設された第１の信号電
   極、 前記基板上に所定のパターンで配設され、前記第１の信
   号電極と電気的に分離された第２の信号電極、 前記第１の信号電極と電気的に接続され、画素領域に延
   設された複数の単位電極を有する第１の画素電極、 前記第２の信号電極と電気的に接続され、前記第１の画
   素電極の単位電極に対向する状態で画素領域に延設され
   た複数の単位電極を有する第２の画素電極、 前記第１の信号電極と前記第１の画素電極との間、およ
   び前記第２の信号電極と前記第２の画素電極との間のい
   ずれか一方に接続され、かつ、第１の導電膜、絶縁膜お
   よび第２の導電膜を有する２端子型非線形素子、を備
   え、 前記第１の画素電極の単位電極と前記第２の画素電極の
   単位電極との間に生じる電界は、前記基板に平行な成分
   を含むアクティブマトリクス基板。
2. 【請求項２】 請求項１において、 前記第１の画素電極と前記第２の画素電極とは、それら
   の単位電極が平行かつ交互に配置されているアクティブ
   マトリクス基板。
3. 【請求項３】 請求項１または２において、 前記第１の信号電極および前記第２の信号電極のうち、
   下層となる信号電極の最上層は陽極酸化によって該層を
   構成する金属の酸化物となりうる物質によって構成され
   るアクティブマトリクス基板。
4. 【請求項４】 請求項３において、 前記物質は、アルミニウム、タンタル、チタン、タング
   ステン、ジルコニウムおよびこれらの金属の合金から選
   択される物質からなるアクティブマトリクス基板。
5. 【請求項５】以下の工程（ａ）〜（ｅ）を含むアクティ
   ブマトリクス基板の製造方法。 （ａ） 基板上に所定のパターンで第１の信号電極を形
   成する工程、（ｂ） 前記基板上に所定のパターンを有
   し、前記第１の信号電極と電気的に分離された第２の信
   号電極を形成する工程、（ｃ） 前記第１の信号電極と
   電気的に接続され、画素領域に延設された複数の単位電
   極を有する第１の画素電極を形成する工程、（ｄ） 前
   記第２の信号電極と電気的に接続され、前記第１の画素
   電極の単位電極に対向する状態で画素領域に延設された
   複数の単位電極を有する第２の画素電極を形成する工
   程、（ｅ） 前記第１の信号電極と前記第１の画素電極
   との間、および前記第２の信号電極と前記第２の画素電
   極との間のいずれか一方に接続され、かつ、第１の導電
   膜、絶縁膜および第２の導電膜を有する２端子型非線形
   素子を形成する工程、を含み、 前記工程（ａ）と工程（ｃ）、および前記工程（ｂ）と
   工程（ｄ）の組合せのうち少なくとも一方は、両者の工
   程の全部あるいは一部が同じ工程で行われるアクティブ
   マトリクス基板の製造方法。
6. 【請求項６】 請求項５において、 前記第１の信号電極および第２の信号電極のうち、下層
   となる信号電極の最上層は陽極酸化によって該層を構成
   する金属の酸化物となりうる物質によって構成されるア
   クティブマトリクス基板の製造方法。
7. 【請求項７】 請求項６において、 前記物質は、アルミニウム、タンタル、チタン、タング
   ステン、ジルコニウムおよびこれらの金属の合金から選
   択される物質からなるアクティブマトリクス基板の製造
   方法。
8. 【請求項８】 請求項１〜４のいずれかに記載のアクテ
   ィブマトリクス基板、 前記アクティブマトリクス基板に対向する位置に配置さ
   れた対向基板、および前記アクティブマトリクス基板と
   前記対向基板との間に封入された液晶層、 を含む液晶表示パネル。