JPH1123822A - 回折光学素子及び該素子の製造装置及び該素子を搭載した光学装置 - Google Patents
回折光学素子及び該素子の製造装置及び該素子を搭載した光学装置Info
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- JPH1123822A JPH1123822A JP18737897A JP18737897A JPH1123822A JP H1123822 A JPH1123822 A JP H1123822A JP 18737897 A JP18737897 A JP 18737897A JP 18737897 A JP18737897 A JP 18737897A JP H1123822 A JPH1123822 A JP H1123822A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 球面の接線方向に対して垂直にエッチング加
工する。 【解決手段】 注入されたアルゴンガスはイオン放電電
極１２の近傍においてイオンＡｒ+ 化され、カソード電
極１１からの電子ビームの照射により、グリッド電極１
３、中和電極１４を通過し、イオン用レンズ１９により
イオンの軌道が制御され、基板ホルダ１５上の試料基板
Ｓの曲面に垂直に入射してマスクＭの形状を転写する。
工する。 【解決手段】 注入されたアルゴンガスはイオン放電電
極１２の近傍においてイオンＡｒ+ 化され、カソード電
極１１からの電子ビームの照射により、グリッド電極１
３、中和電極１４を通過し、イオン用レンズ１９により
イオンの軌道が制御され、基板ホルダ１５上の試料基板
Ｓの曲面に垂直に入射してマスクＭの形状を転写する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、曲面形状のエッチ
ング加工を行って階段構造を形成した回折光学素子及び
該素子の製造装置及び該素子を搭載した光学装置に関す
るものである。
ング加工を行って階段構造を形成した回折光学素子及び
該素子の製造装置及び該素子を搭載した光学装置に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の異方性エッチング装置は垂直な加
工断面の形成を目的とし、ＲＩＥ法、イオンミリング
法、反応性イオンビームエッチング法等の方法が実用化
されている。
工断面の形成を目的とし、ＲＩＥ法、イオンミリング
法、反応性イオンビームエッチング法等の方法が実用化
されている。
【０００３】例えば、図８は反応性イオンビームエッチ
ング装置の構成図を示し、カウフマン型と呼ばれるイオ
ン源１と試料室２から構成されている。ガス注入口３か
ら注入されたアルゴンガスは、イオン源１でイオン化さ
れた後に加速されて、経路Ｌを通って試料Ｓに垂直に入
射する。ここで、マスクＭの形状が試料Ｓに転写され、
イオンの方向性によって垂直な断面形状が形成される。
ング装置の構成図を示し、カウフマン型と呼ばれるイオ
ン源１と試料室２から構成されている。ガス注入口３か
ら注入されたアルゴンガスは、イオン源１でイオン化さ
れた後に加速されて、経路Ｌを通って試料Ｓに垂直に入
射する。ここで、マスクＭの形状が試料Ｓに転写され、
イオンの方向性によって垂直な断面形状が形成される。
【０００４】また、微細な階段状の断面構造を有する回
折光学素子及びその製法が特開平７−７２３１９号公報
に開示されている。このような回折光学素子は、半導体
素子の製造過程で用いる露光装置等によって、回折光学
素子となる基板上に塗布したレジストにパターン焼き付
けを行う工程と、現像されたレジストをエッチングマス
クとして、エッチング装置によって基板に垂直にエッチ
ングを行う工程とを複数回繰り返すことにより、基板上
に階段状の凹凸パターンを形成して製造されている。
折光学素子及びその製法が特開平７−７２３１９号公報
に開示されている。このような回折光学素子は、半導体
素子の製造過程で用いる露光装置等によって、回折光学
素子となる基板上に塗布したレジストにパターン焼き付
けを行う工程と、現像されたレジストをエッチングマス
クとして、エッチング装置によって基板に垂直にエッチ
ングを行う工程とを複数回繰り返すことにより、基板上
に階段状の凹凸パターンを形成して製造されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、エッチ
ング装置を利用して製造した回折光学素子を実際の光学
系に適用した場合には、平均的な入射方向と面に垂直な
エッチング側壁の向きが必ずしも一致しないことによっ
て、散乱光が多くなり結像性能が劣化し、また光の利用
効率が低下するなどの問題が生ずる。
ング装置を利用して製造した回折光学素子を実際の光学
系に適用した場合には、平均的な入射方向と面に垂直な
エッチング側壁の向きが必ずしも一致しないことによっ
て、散乱光が多くなり結像性能が劣化し、また光の利用
効率が低下するなどの問題が生ずる。
【０００６】本発明の目的は、上述の問題点を解消し、
基板に垂直な方向だけでなく任意の方向にエッチングを
行って階段構造を形成した回折光学素子を提供すること
にある。
基板に垂直な方向だけでなく任意の方向にエッチングを
行って階段構造を形成した回折光学素子を提供すること
にある。
【０００７】本発明の他の目的は、基板に垂直な方向だ
けでなく任意の方向にエッチング可能な回折光学素子の
製造装置を提供することにある。
けでなく任意の方向にエッチング可能な回折光学素子の
製造装置を提供することにある。
【０００８】本発明の更に他の目的は、基板に垂直な方
向だけでなく任意の方向にエッチングを行って階段構造
を形成した回折光学素子を搭載した光学装置を提供する
ことにある。
向だけでなく任意の方向にエッチングを行って階段構造
を形成した回折光学素子を搭載した光学装置を提供する
ことにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明に係る回折光学素子は、イオン源からイオンビ
ームを発生し、該イオンビームをイオン用レンズにより
基板に集束又は発散して前記基板上に階段構造を形成し
たことを特徴とする。
の本発明に係る回折光学素子は、イオン源からイオンビ
ームを発生し、該イオンビームをイオン用レンズにより
基板に集束又は発散して前記基板上に階段構造を形成し
たことを特徴とする。
【００１０】また、本発明に係る回折光学素子の製造装
置は、イオンビームを発生するイオン源と、該イオンビ
ームを基板に集束又は発散するイオン用レンズとを備
え、前記基板上に階段構造を形成することを特徴とす
る。
置は、イオンビームを発生するイオン源と、該イオンビ
ームを基板に集束又は発散するイオン用レンズとを備
え、前記基板上に階段構造を形成することを特徴とす
る。
【００１１】本発明に係る光学装置は、イオン源からイ
オンビームを発生し、該イオンビームをイオン用レンズ
により基板に集束又は発散して前記基板上に階段構造を
形成した回折光学素子を搭載したことを特徴とする。
オンビームを発生し、該イオンビームをイオン用レンズ
により基板に集束又は発散して前記基板上に階段構造を
形成した回折光学素子を搭載したことを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明を図１〜図５に図示の実施
例に基づいて詳細に説明する。図１は第１の実施例の反
応性イオンビームエッチング装置の構成図を示し、装置
本体１０内には、上からカソード電極１１、イオン放電
電極１２、グリッド電極１３、中和電極１４が配置され
ている。中和電極１４の下側は試料室とされ、アノード
電極となる基板ホルダ１５が配置されている。そして、
本体１０の上面にはガスの注入口１６、下面にはガスの
排気口１７が設けられている。また、本体１０の外側に
は、イオン放電電極１１の位置に磁界コイル１８が配置
され、中和電極１４と基板ホルダ１５の中間位置に、イ
オン用レンズ１９が配置されている。カソード電極１１
にはカソード電源２０の出力が接続され、放電電源２１
の出力の一方がカソード電極１１に、他方がイオン放電
電極１２に接続されている。また、グリッド電極用電源
２２の出力はグリッド電極１３に接続され、加速電源２
３の出力はカソード電極１１及びグリッド電極１３にそ
れぞれ接続されている。
例に基づいて詳細に説明する。図１は第１の実施例の反
応性イオンビームエッチング装置の構成図を示し、装置
本体１０内には、上からカソード電極１１、イオン放電
電極１２、グリッド電極１３、中和電極１４が配置され
ている。中和電極１４の下側は試料室とされ、アノード
電極となる基板ホルダ１５が配置されている。そして、
本体１０の上面にはガスの注入口１６、下面にはガスの
排気口１７が設けられている。また、本体１０の外側に
は、イオン放電電極１１の位置に磁界コイル１８が配置
され、中和電極１４と基板ホルダ１５の中間位置に、イ
オン用レンズ１９が配置されている。カソード電極１１
にはカソード電源２０の出力が接続され、放電電源２１
の出力の一方がカソード電極１１に、他方がイオン放電
電極１２に接続されている。また、グリッド電極用電源
２２の出力はグリッド電極１３に接続され、加速電源２
３の出力はカソード電極１１及びグリッド電極１３にそ
れぞれ接続されている。
【００１３】例えば、アルゴンガスを用いて凸面状のＳ
ｉＯ2 レンズの表面にグレーティングを形成する場合に
は、先ずＳｉＯ2 レンズ上にフォトレジストＲを塗布
し、マスクパターンを転写して、図２に示すような試料
基板Ｓを形成する。このときのフォトレジストＲの厚さ
は、ＳｉＯ2 とのエッチングレート選択比とＳｉＯ2 の
エッチング深さから決定する。即ち、エッチング終了時
にもフォトレジストＲが残っているように設定する。
ｉＯ2 レンズの表面にグレーティングを形成する場合に
は、先ずＳｉＯ2 レンズ上にフォトレジストＲを塗布
し、マスクパターンを転写して、図２に示すような試料
基板Ｓを形成する。このときのフォトレジストＲの厚さ
は、ＳｉＯ2 とのエッチングレート選択比とＳｉＯ2 の
エッチング深さから決定する。即ち、エッチング終了時
にもフォトレジストＲが残っているように設定する。
【００１４】次に、図１のエッチング装置によりエッチ
ングを行う。このときのエッチング条件は、例えば加速
電圧を５００Ｖ、イオン電流密度をｌｍＡ／ｃｍ2 、圧
力をイオンの散乱が少なく、かつ所望のイオン電流密度
が得られるように設定する。基板ホルダ１５上に試料基
板Ｓを載置し、ガス注入口１６からイオンの原料となる
アルゴンガスを注入する。注入されたアルゴンガスはイ
オン電源２１によりイオン放電電極１２の近傍において
イオンＡｒ+ 化される。カソード電源２０によるカソー
ド電極１１からの電子ビームの照射によって、アルゴン
イオンＡｒ+ はグリッド電極１３、中和電極１４を通過
して、イオン用レンズ１９により軌道Ｌが制御され、試
料基板Ｓの曲面に対して垂直に法線Ｐ方向から入射して
エッチングが行われ、試料基板Ｓは図３に示す状態とな
る。
ングを行う。このときのエッチング条件は、例えば加速
電圧を５００Ｖ、イオン電流密度をｌｍＡ／ｃｍ2 、圧
力をイオンの散乱が少なく、かつ所望のイオン電流密度
が得られるように設定する。基板ホルダ１５上に試料基
板Ｓを載置し、ガス注入口１６からイオンの原料となる
アルゴンガスを注入する。注入されたアルゴンガスはイ
オン電源２１によりイオン放電電極１２の近傍において
イオンＡｒ+ 化される。カソード電源２０によるカソー
ド電極１１からの電子ビームの照射によって、アルゴン
イオンＡｒ+ はグリッド電極１３、中和電極１４を通過
して、イオン用レンズ１９により軌道Ｌが制御され、試
料基板Ｓの曲面に対して垂直に法線Ｐ方向から入射して
エッチングが行われ、試料基板Ｓは図３に示す状態とな
る。
【００１５】このとき、ＳｉＯ2 のエッチングレートを
３５μｍ／分とし、フォトレジストＲのエッチングレー
トを２０μｍ／分とする条件で、ＳｉＯ2 を４２７．０
ｎｍエッチングすると図４に示す状態となる。続いて、
フォトレジストＲを剥離液又は酸素アッシングにより除
去し、図４に示すようにレンズ曲面上のグレーティング
が完成する。
３５μｍ／分とし、フォトレジストＲのエッチングレー
トを２０μｍ／分とする条件で、ＳｉＯ2 を４２７．０
ｎｍエッチングすると図４に示す状態となる。続いて、
フォトレジストＲを剥離液又は酸素アッシングにより除
去し、図４に示すようにレンズ曲面上のグレーティング
が完成する。
【００１６】このように、イオン用レンズ１９の曲率を
調整することによってイオンの軌道Ｌを制御し、凸面状
の基板Ｓに垂直に又は目的に応じ任意の角度分布にイオ
ンが入射するように調整することができる。このとき、
イオン用レンズ１９の曲率はイオンの重さで決まるの
で、主要なイオンの種類を１種類とするか又は多種類の
場合は同一の質量とする必要がある。なお、アルゴンガ
スではなく、キセノン、ヘリュウム、ラドンガスをイオ
ン化したＸｅ+ 、Ｈｅ+ 、Ｒｎ+ によりイオンビームエ
ッチングを行うこともできる。
調整することによってイオンの軌道Ｌを制御し、凸面状
の基板Ｓに垂直に又は目的に応じ任意の角度分布にイオ
ンが入射するように調整することができる。このとき、
イオン用レンズ１９の曲率はイオンの重さで決まるの
で、主要なイオンの種類を１種類とするか又は多種類の
場合は同一の質量とする必要がある。なお、アルゴンガ
スではなく、キセノン、ヘリュウム、ラドンガスをイオ
ン化したＸｅ+ 、Ｈｅ+ 、Ｒｎ+ によりイオンビームエ
ッチングを行うこともできる。
【００１７】また、ＣＦ4 ガスを用いて上述と同様のエ
ッチング加工を実施する場合は、加速電圧を５００Ｖ、
イオン電流密度をｌｍＡ／ｃｍ2 、圧力をイオンの散乱
が少なく、かつ所望のイオン電流密度が得られる条件
で、図１に示す装置でエッチングを行う。
ッチング加工を実施する場合は、加速電圧を５００Ｖ、
イオン電流密度をｌｍＡ／ｃｍ2 、圧力をイオンの散乱
が少なく、かつ所望のイオン電流密度が得られる条件
で、図１に示す装置でエッチングを行う。
【００１８】このとき、ＳｉＯ2 のエッチングレートを
１００μｍ／分とし、フォトレジストＲのエッチングレ
ートを６０μｍ／分とする条件で、ＳｉＯ2 を４２７．
０ｎｍエッチングすると、同様に図４に示す状態とな
り、続いてフォトレジストＲを除去してグレーティング
が完成する。
１００μｍ／分とし、フォトレジストＲのエッチングレ
ートを６０μｍ／分とする条件で、ＳｉＯ2 を４２７．
０ｎｍエッチングすると、同様に図４に示す状態とな
り、続いてフォトレジストＲを除去してグレーティング
が完成する。
【００１９】なお、本実施例では２段の階段構造を有す
る回折光学素子の製造工程について説明したが、マスク
パターンの周期とエッチング深さを適宜に設定して、図
２〜図４のプロセスを繰り返すことにより、２段以上の
階段構造を形成することも可能である。
る回折光学素子の製造工程について説明したが、マスク
パターンの周期とエッチング深さを適宜に設定して、図
２〜図４のプロセスを繰り返すことにより、２段以上の
階段構造を形成することも可能である。
【００２０】このように本実施例によれば、エッチング
側壁の傾きを試料基板Ｓに対して任意の方向Ｐにするこ
とができるので、不要な回折光が減少し光学的性能が向
上する。
側壁の傾きを試料基板Ｓに対して任意の方向Ｐにするこ
とができるので、不要な回折光が減少し光学的性能が向
上する。
【００２１】図５は第２の実施例の反応性イオンビーム
エッチング装置の構成図を示し、基板Ｓの近傍付近の本
体１の側面に、他の注入口２５が設けられている。
エッチング装置の構成図を示し、基板Ｓの近傍付近の本
体１の側面に、他の注入口２５が設けられている。
【００２２】第１の実施例と同様に、注入口１６からイ
オン放電電極１２の近傍にアルゴンガスを注入する。更
に、注入口２５からはＣＦ4 ガス又はＣＨＦ3 ガスを注
入する。このとき、ＣＨＦ3 ガスの方がＳｉＯ2 とレジ
ストの選択比が向上するので、目的によって使い分ける
ようにすることが好ましい。
オン放電電極１２の近傍にアルゴンガスを注入する。更
に、注入口２５からはＣＦ4 ガス又はＣＨＦ3 ガスを注
入する。このとき、ＣＨＦ3 ガスの方がＳｉＯ2 とレジ
ストの選択比が向上するので、目的によって使い分ける
ようにすることが好ましい。
【００２３】このようにして、ケミカルアシストイオン
ビームエッチングが可能となり、第１の実施例と同様
に、エッチング側壁の傾きを試料基板Ｓに対して任意の
方向にすることができるので、不要な回折光が減少して
光学的性能が向上する。
ビームエッチングが可能となり、第１の実施例と同様
に、エッチング側壁の傾きを試料基板Ｓに対して任意の
方向にすることができるので、不要な回折光が減少して
光学的性能が向上する。
【００２４】なお、上述の第１及び第２の実施例におい
て、エッチング側壁の傾きつまり階段構造側面の傾き
は、完成した回折光学素子のその点に入射する光線の入
射角に対する光強度分布に基づいて決められている。即
ち、その点に入射する光線の光強度分布の重心の入射角
の光線に対して、又は最も強度の大きい入射角の光線に
対して、エッチング側壁の傾きを平行にすることによっ
て、上述の効果を得ている。
て、エッチング側壁の傾きつまり階段構造側面の傾き
は、完成した回折光学素子のその点に入射する光線の入
射角に対する光強度分布に基づいて決められている。即
ち、その点に入射する光線の光強度分布の重心の入射角
の光線に対して、又は最も強度の大きい入射角の光線に
対して、エッチング側壁の傾きを平行にすることによっ
て、上述の効果を得ている。
【００２５】図６は本発明のエッチング装置を利用して
製造した回折光学素子を適用した半導体素子製造用のス
テッパの構成図を示し、照明光学系３１、レチクル３
２、回折光学素子３３を組込んだ結像光学系３４、被加
工物である半導体基板３５を載置するウェハステージ３
６から構成されている。
製造した回折光学素子を適用した半導体素子製造用のス
テッパの構成図を示し、照明光学系３１、レチクル３
２、回折光学素子３３を組込んだ結像光学系３４、被加
工物である半導体基板３５を載置するウェハステージ３
６から構成されている。
【００２６】照明光学系３１からの光はレチクル３２に
照射され、レチクル３２に描かれたパターンが回折光学
素子３３を有する結像光学系３４によって、ウェハステ
ージ３６上の半導体基板３５に結像する。
照射され、レチクル３２に描かれたパターンが回折光学
素子３３を有する結像光学系３４によって、ウェハステ
ージ３６上の半導体基板３５に結像する。
【００２７】ここで、回折光学素子３３は例えば図７に
示すような断面形状を有し、ステッパ中に本素子が配置
される場合の光の平均的な入射方向つまり光強度分布の
重心の入射角の光線に対して、段差部分の傾斜ができる
だけ同じ向きになるように、イオンビームエッチング装
置におけるイオン用レンズ１９の曲率を調整して作製さ
れている。なお、光の平均的な入射方向は光線追跡によ
り容易に求めることができ、このようなステッパにより
不要光が減少して良好な像性能が得られる。
示すような断面形状を有し、ステッパ中に本素子が配置
される場合の光の平均的な入射方向つまり光強度分布の
重心の入射角の光線に対して、段差部分の傾斜ができる
だけ同じ向きになるように、イオンビームエッチング装
置におけるイオン用レンズ１９の曲率を調整して作製さ
れている。なお、光の平均的な入射方向は光線追跡によ
り容易に求めることができ、このようなステッパにより
不要光が減少して良好な像性能が得られる。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る回折光
学素子は、イオンビームをイオン用レンズによって集束
又は発散してエッチングを行うことにより、平面や球面
又は円筒面などの凸面や凹面上に階段構造が形成でき、
不要光を低減して光学性能を向上させることができる。
学素子は、イオンビームをイオン用レンズによって集束
又は発散してエッチングを行うことにより、平面や球面
又は円筒面などの凸面や凹面上に階段構造が形成でき、
不要光を低減して光学性能を向上させることができる。
【００２９】また、本発明に係る回折光学素子の装置
は、イオンビームをイオン用レンズにより集束又は発散
させることにより、任意の方向にエッチング加工するこ
とができ、垂直方向だけでなく平面や球面又は円筒面な
どの凸面や凹面上に加工することが可能となる。
は、イオンビームをイオン用レンズにより集束又は発散
させることにより、任意の方向にエッチング加工するこ
とができ、垂直方向だけでなく平面や球面又は円筒面な
どの凸面や凹面上に加工することが可能となる。
【００３０】本発明に係る光学装置は、イオンビームを
イオン用レンズにより集束又は発散して階段構造を形成
した回折光学素子を搭載することにより高性能な光学特
性を発揮することができる。
イオン用レンズにより集束又は発散して階段構造を形成
した回折光学素子を搭載することにより高性能な光学特
性を発揮することができる。
【図１】第１の実施例の構成図である。
【図２】回折光学素子作製時の断面図である。
【図３】回折光学素子作製時の断面図である。
【図４】回折光学素子完成時の断面図である。
【図５】第２の実施例の構成図である。
【図６】ステッパの構成図である。
【図７】回折光学素子の断面図である。
【図８】従来例の構成図である。
１１ カソード電極 １２ イオン放電電極 １３ グリッド電極 １４ 中和電極 １５ 基板ホルダ １８ 磁界コイル １９ イオン用レンズ ２０ カソード電源 ２１ 放電電源 ２２ グリッド電極電源 ２３ 加速電源 ３１ 照明光学系 ３２ レチクル ３３ 回折光学素子 ３４ 結像光学系 ３５ 半導体基板 ３６ ウェハステージ
Claims (8)
- 【請求項１】 イオン源からイオンビームを発生し、該
イオンビームをイオン用レンズにより基板に集束又は発
散して前記基板上に階段構造を形成したことを特徴とす
る回折光学素子。 - 【請求項２】 前記階段構造の側面の傾きは、前記基板
に入射する光線の入射角に対する光強度分布に基づいて
決める請求項１に記載の回折光学素子。 - 【請求項３】 前記階段構造の側面は前記光強度分布の
重心の入射角の光線に対して平行とした請求項２に記載
の回折光学素子。 - 【請求項４】 イオンビームを発生するイオン源と、該
イオンビームを基板に集束又は発散するイオン用レンズ
とを備え、前記基板上に階段構造を形成することを特徴
とする回折光学素子の製造装置。 - 【請求項５】 前記イオン源はＡｒ+ 、Ｘｅ+ 、Ｈｅ
+ 、Ｒｎ+ の何れかとした請求項４に記載の回折光学素
子の製造装置。 - 【請求項６】 前記イオン源はＣＦ3 +とした請求項４に
記載の回折光学素子の製造装置。 - 【請求項７】 前記イオン源とは別に、前記基板付近に
ＣＦ4 ガスを供給するようにした請求項４又は５に記載
の回折光学素子の製造装置。 - 【請求項８】 イオン源からイオンビームを発生し、該
イオンビームをイオン用レンズにより基板に集束又は発
散して前記基板上に階段構造を形成した回折光学素子を
搭載したことを特徴とする光学装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18737897A JPH1123822A (ja) | 1997-06-27 | 1997-06-27 | 回折光学素子及び該素子の製造装置及び該素子を搭載した光学装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18737897A JPH1123822A (ja) | 1997-06-27 | 1997-06-27 | 回折光学素子及び該素子の製造装置及び該素子を搭載した光学装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1123822A true JPH1123822A (ja) | 1999-01-29 |
Family
ID=16204975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18737897A Pending JPH1123822A (ja) | 1997-06-27 | 1997-06-27 | 回折光学素子及び該素子の製造装置及び該素子を搭載した光学装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1123822A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018081132A (ja) * | 2016-11-14 | 2018-05-24 | 大日本印刷株式会社 | 回折光学素子、保持具、光照射装置 |
-
1997
- 1997-06-27 JP JP18737897A patent/JPH1123822A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018081132A (ja) * | 2016-11-14 | 2018-05-24 | 大日本印刷株式会社 | 回折光学素子、保持具、光照射装置 |
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