JPH11233329A - 圧粉磁芯、およびその製造方法、それを用いた巻線部品 - Google Patents
圧粉磁芯、およびその製造方法、それを用いた巻線部品Info
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- JPH11233329A JPH11233329A JP10054467A JP5446798A JPH11233329A JP H11233329 A JPH11233329 A JP H11233329A JP 10054467 A JP10054467 A JP 10054467A JP 5446798 A JP5446798 A JP 5446798A JP H11233329 A JPH11233329 A JP H11233329A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 飽和磁束密度が高く、ヒステリシス損失また
は残留損失の少ない圧粉磁芯およびその製造方法と、直
流重畳性に優れ、低損失の巻線部品を提供する。 【解決手段】 Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌを主成分とする合金の
粉末と前記合金に対し、２５ｗｔ％以下のＮｉ−Ｚｎフ
ェライト粉末と、バインダとを混合した混合物を加圧成
形して得られる圧粉磁芯と、前記圧粉磁芯を有する巻線
部品。
は残留損失の少ない圧粉磁芯およびその製造方法と、直
流重畳性に優れ、低損失の巻線部品を提供する。 【解決手段】 Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌを主成分とする合金の
粉末と前記合金に対し、２５ｗｔ％以下のＮｉ−Ｚｎフ
ェライト粉末と、バインダとを混合した混合物を加圧成
形して得られる圧粉磁芯と、前記圧粉磁芯を有する巻線
部品。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子機器用の直流
電源等に用いられる巻線部品に関し、特に、トランス、
インダクタ等の巻線部品に用いて好適な圧粉磁芯と、そ
の製造方法に関する。
電源等に用いられる巻線部品に関し、特に、トランス、
インダクタ等の巻線部品に用いて好適な圧粉磁芯と、そ
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子機器用の直流電源等において、高周
波で用いられる巻線部品であるチョークコイルは、一般
に、フェライト磁芯や圧粉磁芯が使用されている。この
内、フェライト磁芯は、飽和磁束密度が低いという欠点
を有している。また、合金粉末を圧縮成形して作製され
る圧粉磁芯は、軟磁性フェライトに比べて、高い飽和磁
束密度を持つ。そのため、圧粉磁芯を用いた巻線部品は
直流重畳特性に優れている、という長所がある。
波で用いられる巻線部品であるチョークコイルは、一般
に、フェライト磁芯や圧粉磁芯が使用されている。この
内、フェライト磁芯は、飽和磁束密度が低いという欠点
を有している。また、合金粉末を圧縮成形して作製され
る圧粉磁芯は、軟磁性フェライトに比べて、高い飽和磁
束密度を持つ。そのため、圧粉磁芯を用いた巻線部品は
直流重畳特性に優れている、という長所がある。
【０００３】一方、近年の電子機器の小型化および高周
波化に伴い、巻線部品の低損失化と、直流重畳特性の向
上が要求されている。すなわち、圧粉磁芯の低損失化
と、飽和磁束密度の向上が要求されている。
波化に伴い、巻線部品の低損失化と、直流重畳特性の向
上が要求されている。すなわち、圧粉磁芯の低損失化
と、飽和磁束密度の向上が要求されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】巻線部品の損失は、い
わゆるコアロス（磁芯による損失）とオーミックロス
（巻線の抵抗損）に分解される。一般に、高周波で稼働
する巻線部品の場合、抵抗損は比較的小さく、磁芯によ
る損失が大きい。そして、磁芯による損失は、ヒステリ
シス損失、渦電流損失および残留損失に分けられる。
わゆるコアロス（磁芯による損失）とオーミックロス
（巻線の抵抗損）に分解される。一般に、高周波で稼働
する巻線部品の場合、抵抗損は比較的小さく、磁芯によ
る損失が大きい。そして、磁芯による損失は、ヒステリ
シス損失、渦電流損失および残留損失に分けられる。
【０００５】このうち、渦電流損失の低減のために、合
金の粉末の表面に絶縁膜を形成する方法や絶縁性のバイ
ンダを混合する方法などが用いられているが、さらに損
失を低減するためには、ヒステリシス損失、あるいは残
留損失の低減が必要である。
金の粉末の表面に絶縁膜を形成する方法や絶縁性のバイ
ンダを混合する方法などが用いられているが、さらに損
失を低減するためには、ヒステリシス損失、あるいは残
留損失の低減が必要である。
【０００６】そこで、本発明の課題は、飽和磁束密度は
高く、ヒステリシス損失または残留損失の少ない圧粉磁
芯およびその製造方法と、直流重畳性に優れ、低損失の
巻線部品を提供することである。
高く、ヒステリシス損失または残留損失の少ない圧粉磁
芯およびその製造方法と、直流重畳性に優れ、低損失の
巻線部品を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】そこで、我々は種々の検
討を行った結果、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌを主成分とする合金
の粉末と前記合金に対し、２５ｗｔ％以下のＮｉ−Ｚｎ
フェライト粉末と、バインダとを混合した混合物を圧縮
成形して得られる圧粉磁芯を用いることにより、直流重
畳性に優れ、かつ、透磁率、飽和磁束密度をほとんど低
下させることなく、低損失な軟磁性材料が得られること
を見いだした。
討を行った結果、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌを主成分とする合金
の粉末と前記合金に対し、２５ｗｔ％以下のＮｉ−Ｚｎ
フェライト粉末と、バインダとを混合した混合物を圧縮
成形して得られる圧粉磁芯を用いることにより、直流重
畳性に優れ、かつ、透磁率、飽和磁束密度をほとんど低
下させることなく、低損失な軟磁性材料が得られること
を見いだした。
【０００８】ヒステリシス損失は、磁壁の非可逆的運動
により発生する損失である。一般に、結晶粒を均質にす
ることにより、ヒステリシス損失は低減できるとされて
いる。これは、不純物、粒内のポアなどの磁壁の運動を
妨げる要因が存在すると磁壁エネルギーが増大し、ヒス
テリシス損失が増大することによる。
により発生する損失である。一般に、結晶粒を均質にす
ることにより、ヒステリシス損失は低減できるとされて
いる。これは、不純物、粒内のポアなどの磁壁の運動を
妨げる要因が存在すると磁壁エネルギーが増大し、ヒス
テリシス損失が増大することによる。
【０００９】しかしながら、均質な材料ほど磁壁の数が
少なくなる。これら少数の磁壁に一定の磁化変化を行わ
せるためには、磁壁は長い距離を移動しなければならな
い。これは、一定の周波数で交番的に磁化変化を行わせ
る時には、磁壁の移動速度が速くなることを示してい
る。ヒステリシス損失は、磁壁の移動速度が速いほど増
大するので、均質すぎると、逆にヒステリシス損失は高
くなる。すなわち、圧粉磁芯の結晶粒を不均質にするこ
とによって、磁芯の低損失化を図ることができる。
少なくなる。これら少数の磁壁に一定の磁化変化を行わ
せるためには、磁壁は長い距離を移動しなければならな
い。これは、一定の周波数で交番的に磁化変化を行わせ
る時には、磁壁の移動速度が速くなることを示してい
る。ヒステリシス損失は、磁壁の移動速度が速いほど増
大するので、均質すぎると、逆にヒステリシス損失は高
くなる。すなわち、圧粉磁芯の結晶粒を不均質にするこ
とによって、磁芯の低損失化を図ることができる。
【００１０】そこで、本発明は、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌを主
成分とする合金の粉末と、Ｎｉ−Ｚｎフェライトの粉末
と、バインダとの混合物を圧縮成型して得られる圧粉磁
芯であって、前記合金中にＮｉ−Ｚｎフェライトが分散
している圧粉磁芯である。
成分とする合金の粉末と、Ｎｉ−Ｚｎフェライトの粉末
と、バインダとの混合物を圧縮成型して得られる圧粉磁
芯であって、前記合金中にＮｉ−Ｚｎフェライトが分散
している圧粉磁芯である。
【００１１】さらに、本発明は、Ｎｉ−Ｚｎフェライト
の混在比が、前記合金に対し２５ｗｔ％以下である上記
の圧粉磁芯である。
の混在比が、前記合金に対し２５ｗｔ％以下である上記
の圧粉磁芯である。
【００１２】また、本発明は、前記Ｎｉ−Ｚｎフェライ
トが、２０〜４０（ｍｏｌ％）ＮｉＯ、１０〜３０（ｍ
ｏｌ％）ＺｎＯ、ｂａｌＦｅ2Ｏ3の組成範囲にある上記
の圧粉磁芯である。
トが、２０〜４０（ｍｏｌ％）ＮｉＯ、１０〜３０（ｍ
ｏｌ％）ＺｎＯ、ｂａｌＦｅ2Ｏ3の組成範囲にある上記
の圧粉磁芯である。
【００１３】また、本発明は、アトマイズ法により得ら
れたＦｅ−Ｓｉ−Ａｌを主成分とする合金の粉末に、Ｎ
ｉ−Ｚｎフェライトの粉末を混合し、前記合金中にＮｉ
−Ｚｎフェライトを分散させる上記の低損失圧粉磁芯の
製造方法である。
れたＦｅ−Ｓｉ−Ａｌを主成分とする合金の粉末に、Ｎ
ｉ−Ｚｎフェライトの粉末を混合し、前記合金中にＮｉ
−Ｚｎフェライトを分散させる上記の低損失圧粉磁芯の
製造方法である。
【００１４】また、本発明は、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌを主成
分とする塊状の合金を粗粉砕して得られた前記合金の粉
末中に、Ｎｉ−Ｚｎフェライトの粉末を混合し、前記合
金中にＮｉ−Ｚｎフェライトを分散させる上記の低損失
圧粉磁芯の製造方法である。
分とする塊状の合金を粗粉砕して得られた前記合金の粉
末中に、Ｎｉ−Ｚｎフェライトの粉末を混合し、前記合
金中にＮｉ−Ｚｎフェライトを分散させる上記の低損失
圧粉磁芯の製造方法である。
【００１５】また、本発明は、上記の圧粉磁芯を有する
巻線部品である。
巻線部品である。
【００１６】本発明により得られる圧粉磁芯は、合金の
粉末中にＮｉ−Ｚｎフェライト粉末を分散させることに
より磁区を分断し、多磁区構造となる。多磁区化して、
磁壁の数が多くなることにより、一つあたりの磁壁の移
動距離は短くなり、ヒステリシス損失は低くなる。
粉末中にＮｉ−Ｚｎフェライト粉末を分散させることに
より磁区を分断し、多磁区構造となる。多磁区化して、
磁壁の数が多くなることにより、一つあたりの磁壁の移
動距離は短くなり、ヒステリシス損失は低くなる。
【００１７】また、本発明品の圧粉磁芯は、合金中にＮ
ｉ−Ｚｎフェライト粉末が分散しているので、比抵抗が
高くなり、渦電流損失も低減される。
ｉ−Ｚｎフェライト粉末が分散しているので、比抵抗が
高くなり、渦電流損失も低減される。
【００１８】また、合金中に分散させる粉末が、軟磁性
材料であるＮｉ−Ｚｎフェライト粉末であるためμ、飽
和磁束密度も、ほとんど低下させることはない。
材料であるＮｉ−Ｚｎフェライト粉末であるためμ、飽
和磁束密度も、ほとんど低下させることはない。
【００１９】本発明において、Ｎｉ−Ｚｎフェライト粉
末の混在比を、合金の粉末量に対し２５ｗｔ％以下とし
たのは、２５ｗｔ％を越えるとと、合金粉末の占める割
合が相対的に低くなることより、飽和磁束密度の低下、
透磁率の低下によるヒステリシス損失が増大するためで
ある。
末の混在比を、合金の粉末量に対し２５ｗｔ％以下とし
たのは、２５ｗｔ％を越えるとと、合金粉末の占める割
合が相対的に低くなることより、飽和磁束密度の低下、
透磁率の低下によるヒステリシス損失が増大するためで
ある。
【００２０】また、本発明において、Ｎｉ−Ｚｎフェラ
イトの組成範囲を、２０〜４０（ｍｏｌ％）ＮｉＯ、１
０〜３０（ｍｏｌ％）ＺｎＯ、ｂａｌＦｅ2Ｏ3としたの
は、この組成範囲外では、Ｎｉ−Ｚｎフェライトの磁気
特性が低く、本発明の効果が半減するからである。
イトの組成範囲を、２０〜４０（ｍｏｌ％）ＮｉＯ、１
０〜３０（ｍｏｌ％）ＺｎＯ、ｂａｌＦｅ2Ｏ3としたの
は、この組成範囲外では、Ｎｉ−Ｚｎフェライトの磁気
特性が低く、本発明の効果が半減するからである。
【００２１】すなわち、ＮｉＯが多ければ、透磁率が低
下して損失が増え、少なければ、飽和磁束密度が下がっ
て巻線部品の直流重畳特性を低下させる。また、ＺｎＯ
が多ければ、ＮｉＯが少ないときと同じように、飽和磁
束密度が下がって、巻線部品の直流重畳特性を低下さ
せ、ＺｎＯが少なければ、ＮｉＯが多いときと同じよう
に、透磁率が低下して損失が増えてしまい、本発明の効
果は得られない。
下して損失が増え、少なければ、飽和磁束密度が下がっ
て巻線部品の直流重畳特性を低下させる。また、ＺｎＯ
が多ければ、ＮｉＯが少ないときと同じように、飽和磁
束密度が下がって、巻線部品の直流重畳特性を低下さ
せ、ＺｎＯが少なければ、ＮｉＯが多いときと同じよう
に、透磁率が低下して損失が増えてしまい、本発明の効
果は得られない。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下に、実施例によって、本発明
の実施の形態を説明する。
の実施の形態を説明する。
【００２３】
【実施例】（実施例１）アトマイズ法によって得られた
ｂａｌＦｅ−１０ｗｔ％Ｓｉ−５ｗｔ％Ａｌ合金の粉末
中に、焼結体を解砕して粉末にした、表１に示す組成の
Ｎｉ−Ｚｎフェライトの粉末を４ｗｔ％混合し、ボール
ミルを用いて分散させ、合金とフェライトとの混合粉末
の試料を得た。
ｂａｌＦｅ−１０ｗｔ％Ｓｉ−５ｗｔ％Ａｌ合金の粉末
中に、焼結体を解砕して粉末にした、表１に示す組成の
Ｎｉ−Ｚｎフェライトの粉末を４ｗｔ％混合し、ボール
ミルを用いて分散させ、合金とフェライトとの混合粉末
の試料を得た。
【００２４】
【００２５】次に、前記混合粉末に、シリコーン樹脂
（バインダ）を３ｗｔ％混合して、混合物を得、前記混
合物を外径２０ｍｍ、内径１０ｍｍの金型を用い、室温
で圧縮成形し（５ｔｏｎ／ｃｍ2）、主成分がＦｅ−Ｓ
ｉ−Ａｌで、Ｎｉ−Ｚｎのフェライトの混在比が４％の
トロイダル形状の圧粉磁芯を得た。
（バインダ）を３ｗｔ％混合して、混合物を得、前記混
合物を外径２０ｍｍ、内径１０ｍｍの金型を用い、室温
で圧縮成形し（５ｔｏｎ／ｃｍ2）、主成分がＦｅ−Ｓ
ｉ−Ａｌで、Ｎｉ−Ｚｎのフェライトの混在比が４％の
トロイダル形状の圧粉磁芯を得た。
【００２６】次に、前記圧粉磁芯を１７０℃で２時間大
気中で熱処理を行い、バインダ硬化を行った。次に、酸
化性雰囲気である大気中で、７００℃×２時間の熱処理
を行った。
気中で熱処理を行い、バインダ硬化を行った。次に、酸
化性雰囲気である大気中で、７００℃×２時間の熱処理
を行った。
【００２７】次に、上記のようにして得られた圧粉磁芯
（試料Ｎｏ.１〜４）に巻線を施し、Ｂ−Ｈトレーサを
用いて、損失、飽和磁束密度、透磁率を求めた。
（試料Ｎｏ.１〜４）に巻線を施し、Ｂ−Ｈトレーサを
用いて、損失、飽和磁束密度、透磁率を求めた。
【００２８】また、比較例として、アトマイズ法によっ
て得たｂａｌＦｅ−１０ｗｔ％Ｓｉ−５ｗｔ％Ａｌ合金
の粉末を、試料と同様に、圧縮成形、熱処理、巻線を施
し、Ｂ−Ｈトレーサを用いて、損失、飽和磁束密度、透
磁率を求めた。
て得たｂａｌＦｅ−１０ｗｔ％Ｓｉ−５ｗｔ％Ａｌ合金
の粉末を、試料と同様に、圧縮成形、熱処理、巻線を施
し、Ｂ−Ｈトレーサを用いて、損失、飽和磁束密度、透
磁率を求めた。
【００２９】表２に、Ｎｉ−Ｚｎフェライトの組成を変
化させたときの本実施例の圧粉磁芯と、比較例の圧粉磁
芯の、１００ｋＨｚ−１００ｍＴにおける、常温時のト
ータル損失（Ｐｃｖ）、ヒステリシス損失（Ｐｈ）、及
びその他の損失（Ｐｃｖ−Ｐｈ）、飽和磁束密度（Ｂ
ｓ）、透磁率（μ）を示す。
化させたときの本実施例の圧粉磁芯と、比較例の圧粉磁
芯の、１００ｋＨｚ−１００ｍＴにおける、常温時のト
ータル損失（Ｐｃｖ）、ヒステリシス損失（Ｐｈ）、及
びその他の損失（Ｐｃｖ−Ｐｈ）、飽和磁束密度（Ｂ
ｓ）、透磁率（μ）を示す。
【００３０】
【００３１】表２に示すように、比較例の圧粉磁芯と比
較し、本実施例の圧粉磁芯（試料Ｎｏ.１〜４）は、飽
和磁束密度Ｂｓ、透磁率μは、ほとんど変わらずに、損
失は１０〜５０％程低くなった。
較し、本実施例の圧粉磁芯（試料Ｎｏ.１〜４）は、飽
和磁束密度Ｂｓ、透磁率μは、ほとんど変わらずに、損
失は１０〜５０％程低くなった。
【００３２】また、本実施例では、表１の組成のＮｉ−
Ｚｎフェライトを用いて説明したが、２０〜４０（ｍｏ
ｌ％）ＮｉＯ、１０〜３０（ｍｏｌ％）ＺｎＯ、ｂａｌ
Ｆｅ2Ｏ3の組成範囲のＮｉ−Ｚｎフェライトを用いて、
同様の効果が得られた。
Ｚｎフェライトを用いて説明したが、２０〜４０（ｍｏ
ｌ％）ＮｉＯ、１０〜３０（ｍｏｌ％）ＺｎＯ、ｂａｌ
Ｆｅ2Ｏ3の組成範囲のＮｉ−Ｚｎフェライトを用いて、
同様の効果が得られた。
【００３３】（実施例２）塊状の合金を粗粉砕して得ら
れたｂａｌＦｅ−１０ｗｔ％Ｓｉ−５ｗｔ％Ａｌの合金
の粉末中に、実施例１と同様の方法で得られた、組成が
２６ＮｉＯ−２５ＺｎＯ−４９Ｆｅ2Ｏ3（ｍｏｌ％）の
Ｎｉ−Ｚｎフェライトの粉末を０.８ｗｔ％、３.８ｗｔ
％、７.８ｗｔ％、１６.０ｗｔ％、２５.０ｗｔ％、２
６.３ｗｔ％混合し、ボールミルを用いて分散させ、合
金とフェライトとの混在比の異なる混合粉末を得た。
れたｂａｌＦｅ−１０ｗｔ％Ｓｉ−５ｗｔ％Ａｌの合金
の粉末中に、実施例１と同様の方法で得られた、組成が
２６ＮｉＯ−２５ＺｎＯ−４９Ｆｅ2Ｏ3（ｍｏｌ％）の
Ｎｉ−Ｚｎフェライトの粉末を０.８ｗｔ％、３.８ｗｔ
％、７.８ｗｔ％、１６.０ｗｔ％、２５.０ｗｔ％、２
６.３ｗｔ％混合し、ボールミルを用いて分散させ、合
金とフェライトとの混在比の異なる混合粉末を得た。
【００３４】次に、前記混合粉末に、シリコーン樹脂
（バインダ）を３ｗｔ％混合して、混合物を得、前記混
合物を外径２０ｍｍ、内径１０ｍｍの金型を用い、室温
で圧縮成形し（５ｔｏｎ／ｃｍ2）、Ｎｉ−Ｚｎフェラ
イトの混在比の異なるトロイダル形状の圧粉磁芯を得
た。
（バインダ）を３ｗｔ％混合して、混合物を得、前記混
合物を外径２０ｍｍ、内径１０ｍｍの金型を用い、室温
で圧縮成形し（５ｔｏｎ／ｃｍ2）、Ｎｉ−Ｚｎフェラ
イトの混在比の異なるトロイダル形状の圧粉磁芯を得
た。
【００３５】次に、前記圧粉磁芯を１７０℃で２時間大
気中で熱処理を行い、バインダ硬化を行った。次に、酸
化性雰囲気である大気中で、７００℃×２時間の熱処理
を行った。
気中で熱処理を行い、バインダ硬化を行った。次に、酸
化性雰囲気である大気中で、７００℃×２時間の熱処理
を行った。
【００３６】次に、上記のようにして得られた圧粉磁芯
に巻線を施し、Ｂ−Ｈトレーサを用いて、トータル損失
（Ｐｃｖ）、飽和磁束密度、透磁率を求めた。
に巻線を施し、Ｂ−Ｈトレーサを用いて、トータル損失
（Ｐｃｖ）、飽和磁束密度、透磁率を求めた。
【００３７】表３に、Ｎｉ−Ｚｎフェライト粉末の混在
比を変化させた時の１００ｋＨｚ−１００ｍＴ、常温に
おけるトータル損失（Ｐｃｖ）、ヒステリシス損失（Ｐ
ｈ）、その他の損失（Ｐｃｖ−Ｐｈ）、飽和磁束密度
（Ｂｓ）、透磁率（μ）を示す。
比を変化させた時の１００ｋＨｚ−１００ｍＴ、常温に
おけるトータル損失（Ｐｃｖ）、ヒステリシス損失（Ｐ
ｈ）、その他の損失（Ｐｃｖ−Ｐｈ）、飽和磁束密度
（Ｂｓ）、透磁率（μ）を示す。
【００３８】
【００３９】表３に示すように、Ｎｉ−Ｚｎフェライト
粉末の混在比が、２５ｗｔ％以下の範囲で、従来の圧粉
磁芯（表２の比較例）に比べ、損失が少なく、飽和磁束
密度（Ｂｓ）、透磁率（μ）には、ほとんど低下がみら
れない。また、Ｎｉ−Ｚｎフェライト粉末の混在比が２
５ｗｔ％を越えると（表３の範囲外）、損失は、むしろ
増加し、飽和磁束密度は低くなる。
粉末の混在比が、２５ｗｔ％以下の範囲で、従来の圧粉
磁芯（表２の比較例）に比べ、損失が少なく、飽和磁束
密度（Ｂｓ）、透磁率（μ）には、ほとんど低下がみら
れない。また、Ｎｉ−Ｚｎフェライト粉末の混在比が２
５ｗｔ％を越えると（表３の範囲外）、損失は、むしろ
増加し、飽和磁束密度は低くなる。
【００４０】上記のようにして得られた圧粉磁芯に巻線
を施して得たインダクタの特性を評価したところ、本発
明の圧粉磁芯を有するインダクタは、優れた直流重畳特
性を示すとともに、その損失も少なかった。
を施して得たインダクタの特性を評価したところ、本発
明の圧粉磁芯を有するインダクタは、優れた直流重畳特
性を示すとともに、その損失も少なかった。
【００４１】
【発明の効果】本発明によれば、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌを主
成分とする合金と、前記合金量に対し、２５ｗｔ％以下
のＮｉ−Ｚｎフェライト粉末、及び、バインダとを混合
した混合物を圧縮成型して得られる圧粉磁芯を用いるこ
とにより、直流重畳特性に優れ、かつ、低損失な圧粉磁
芯が得られる。本発明により得られた圧粉磁芯は、ほと
んど飽和磁束密度、透磁率を低下させることはなく、合
金粉末中にＮｉ−Ｚｎフェライト粉末が混合、分散され
ているため、多磁区構造となり、ヒステリシス損失が低
減でき、比抵抗が高くなることにより渦電流損失が低減
できる。
成分とする合金と、前記合金量に対し、２５ｗｔ％以下
のＮｉ−Ｚｎフェライト粉末、及び、バインダとを混合
した混合物を圧縮成型して得られる圧粉磁芯を用いるこ
とにより、直流重畳特性に優れ、かつ、低損失な圧粉磁
芯が得られる。本発明により得られた圧粉磁芯は、ほと
んど飽和磁束密度、透磁率を低下させることはなく、合
金粉末中にＮｉ−Ｚｎフェライト粉末が混合、分散され
ているため、多磁区構造となり、ヒステリシス損失が低
減でき、比抵抗が高くなることにより渦電流損失が低減
できる。
【００４２】すなわち、本発明によれば、飽和磁束密度
が高く、ヒステリシス損失または残留損失の少ない圧粉
磁芯およびその製造方法と、直流重畳性に優れ、低損失
の巻線部品が得られる。
が高く、ヒステリシス損失または残留損失の少ない圧粉
磁芯およびその製造方法と、直流重畳性に優れ、低損失
の巻線部品が得られる。
Claims (6)
- 【請求項１】 Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌを主成分とする合金の
粉末と、Ｎｉ−Ｚｎフェライトの粉末と、バインダとの
混合物を圧縮成型して得られる圧粉磁芯であって、前記
合金中にＮｉ−Ｚｎフェライトが分散していることを特
徴とする圧粉磁芯。 - 【請求項２】 Ｎｉ−Ｚｎフェライトの混在比は、前記
合金に対し２５ｗｔ％以下であることを特徴とする請求
項１記載の圧粉磁芯。 - 【請求項３】 前記Ｎｉ−Ｚｎフェライトは、２０〜４
０（ｍｏｌ％）ＮｉＯ、１０〜３０（ｍｏｌ％）Ｚｎ
Ｏ、ｂａｌＦｅ2Ｏ3の組成範囲にあることを特徴とする
請求項１または２記載の圧粉磁芯。 - 【請求項４】 アトマイズ法により得られたＦｅ−Ｓｉ
−Ａｌを主成分とする合金の粉末に、Ｎｉ−Ｚｎフェラ
イトの粉末を混合し、前記合金中にＮｉ−Ｚｎフェライ
トを分散させることを特徴とする請求項１ないし３のい
ずれかに記載の低損失圧粉磁芯の製造方法。 - 【請求項５】 Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌを主成分とする塊状の
合金を粗粉砕して得られた前記合金の粉末中に、Ｎｉ−
Ｚｎフェライトの粉末を混合し、前記合金中にＮｉ−Ｚ
ｎフェライトを分散させることを特徴とする請求項１な
いし３のいずれかに記載の低損失圧粉磁芯の製造方法。 - 【請求項６】 請求項１ないし３のいずれかに記載の圧
粉磁芯を有することを特徴とする巻線部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10054467A JPH11233329A (ja) | 1998-02-18 | 1998-02-18 | 圧粉磁芯、およびその製造方法、それを用いた巻線部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10054467A JPH11233329A (ja) | 1998-02-18 | 1998-02-18 | 圧粉磁芯、およびその製造方法、それを用いた巻線部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11233329A true JPH11233329A (ja) | 1999-08-27 |
Family
ID=12971484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10054467A Pending JPH11233329A (ja) | 1998-02-18 | 1998-02-18 | 圧粉磁芯、およびその製造方法、それを用いた巻線部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11233329A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101342140B1 (ko) * | 2006-12-20 | 2014-01-07 | 재단법인 포항산업과학연구원 | 롤연마칩을 이용한 센더스트계 소결코아와 그 제조방법 |
| CN104992806A (zh) * | 2015-07-20 | 2015-10-21 | 深圳顺络电子股份有限公司 | 一种磁导率75的复合FeSiAl材料及其制造方法 |
-
1998
- 1998-02-18 JP JP10054467A patent/JPH11233329A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101342140B1 (ko) * | 2006-12-20 | 2014-01-07 | 재단법인 포항산업과학연구원 | 롤연마칩을 이용한 센더스트계 소결코아와 그 제조방법 |
| CN104992806A (zh) * | 2015-07-20 | 2015-10-21 | 深圳顺络电子股份有限公司 | 一种磁导率75的复合FeSiAl材料及其制造方法 |
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