JPH11233240A - 電熱器 - Google Patents
電熱器Info
- Publication number
- JPH11233240A JPH11233240A JP5294498A JP5294498A JPH11233240A JP H11233240 A JPH11233240 A JP H11233240A JP 5294498 A JP5294498 A JP 5294498A JP 5294498 A JP5294498 A JP 5294498A JP H11233240 A JPH11233240 A JP H11233240A
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- JP
- Japan
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- heater
- package
- electric heater
- air
- thin film
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- Feedback Control In General (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 温度の上昇による特性変動の小さい電熱器を
提供すること。 【解決手段】 マイクロセンサチップ９を収納するパッ
ケージ１０の底部に通気孔１３を設けた電熱器。
提供すること。 【解決手段】 マイクロセンサチップ９を収納するパッ
ケージ１０の底部に通気孔１３を設けた電熱器。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコン加工技
術、薄膜技術等を応用して作製されるマイクロヒーター
をパッケージ等に実装した電熱器に関する。
術、薄膜技術等を応用して作製されるマイクロヒーター
をパッケージ等に実装した電熱器に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来技術による電熱器について、図２及
び図３を参照して説明する。なお、図２は、電熱器の分
解斜視図である。図３は、電熱器に内蔵しているマイク
ロセンサチップの説明図、図３（ａ）は、マイクロセン
サチップの平面図、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ−Ａ
断面図、図３（ｃ）は、電極部及びヒーター部を有する
ヒーターの概略図である。
び図３を参照して説明する。なお、図２は、電熱器の分
解斜視図である。図３は、電熱器に内蔵しているマイク
ロセンサチップの説明図、図３（ａ）は、マイクロセン
サチップの平面図、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ−Ａ
断面図、図３（ｃ）は、電極部及びヒーター部を有する
ヒーターの概略図である。
【０００３】従来技術による電熱器の作製手順は、以下
の通りである。
の通りである。
【０００４】まず、電熱器に内蔵されるマイクロセンサ
チップの作製手順について説明する。
チップの作製手順について説明する。
【０００５】図３に示すように、シリコン基板１上
に、例えば、スパッタ法、ＣＶＤ法等でＳｉＯ2膜等か
らなる単層あるいは複数層からなる第１の電気絶縁薄膜
層２を約１.５μｍ厚に形成する。
に、例えば、スパッタ法、ＣＶＤ法等でＳｉＯ2膜等か
らなる単層あるいは複数層からなる第１の電気絶縁薄膜
層２を約１.５μｍ厚に形成する。
【０００６】第１の電気絶縁薄膜層２上にスパッタ法
等で白金等からなるヒーター部３及び第１の電極部４を
形成する。
等で白金等からなるヒーター部３及び第１の電極部４を
形成する。
【０００７】ヒーター部３上にスパッタ法、ＣＶＤ法
等でＳｉＯ2膜等の単層あるいは複数層からなる第２の
電気絶縁薄膜層５を約１.５μｍ厚に形成する。
等でＳｉＯ2膜等の単層あるいは複数層からなる第２の
電気絶縁薄膜層５を約１.５μｍ厚に形成する。
【０００８】この第２の電気絶縁薄膜層５上に、感応
物質の電気特性（インピーダンス、キャパシタンス、イ
ンダクタンス）を測定するための導電性材料からなる第
２の電極部７をスパッタ法等で形成した後、ガス感応物
質、温度感応物質、磁気感応物質等の感応物質からなる
感応部６をスパッタ法、ＣＶＤ法等で形成する。
物質の電気特性（インピーダンス、キャパシタンス、イ
ンダクタンス）を測定するための導電性材料からなる第
２の電極部７をスパッタ法等で形成した後、ガス感応物
質、温度感応物質、磁気感応物質等の感応物質からなる
感応部６をスパッタ法、ＣＶＤ法等で形成する。
【０００９】ヒーター部３の下部のシリコン基板１を
水酸化カリウム（ＫＯＨ）等のエッチングにより取り除
き、空洞部８を形成する。
水酸化カリウム（ＫＯＨ）等のエッチングにより取り除
き、空洞部８を形成する。
【００１０】これにより、ヒーター部３の周辺に熱伝導
に関わる物質は、空気以外では、第１の電気絶縁薄膜層
２と第２の電気絶縁薄膜層５と感応部６だけになり、感
応部６を効率よく加熱できる。なお、このヒーター部３
とヒーター部３の周辺の構造体は、架橋構造、片持ち梁
構造、ダイヤフラム構造等の形状にもできる。
に関わる物質は、空気以外では、第１の電気絶縁薄膜層
２と第２の電気絶縁薄膜層５と感応部６だけになり、感
応部６を効率よく加熱できる。なお、このヒーター部３
とヒーター部３の周辺の構造体は、架橋構造、片持ち梁
構造、ダイヤフラム構造等の形状にもできる。
【００１１】次に、上述により作製されたマイクロセン
サチップを用いた電熱器の作製手順について説明する。
サチップを用いた電熱器の作製手順について説明する。
【００１２】図２に示すように、マイクロセンサチッ
プ９をパッケージ１０に実装し、接着する。
プ９をパッケージ１０に実装し、接着する。
【００１３】マイクロセンサチップ９の第１の電極部
及び第２の電極部をパッケージ１０の端子１１にワイヤ
ボンディング等で電気接続をする。
及び第２の電極部をパッケージ１０の端子１１にワイヤ
ボンディング等で電気接続をする。
【００１４】マイクロセンサチップ９が内蔵されたパ
ッケージ１０にカバー１２をかぶせて固定させる。
ッケージ１０にカバー１２をかぶせて固定させる。
【００１５】以上の工程により、電熱器が得られる。こ
のようにして得られた電熱器は、ヒーター部３及びヒー
ター部３周辺が、非常に小さく加工でき、熱容量を小さ
くできるため、周囲温度の変化に伴う感応部６の温度追
従性が高いという特長がある。
のようにして得られた電熱器は、ヒーター部３及びヒー
ター部３周辺が、非常に小さく加工でき、熱容量を小さ
くできるため、周囲温度の変化に伴う感応部６の温度追
従性が高いという特長がある。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、使用時
において、ヒーター部３の熱の影響で、パッケージ１０
内の空気の温度が、徐々に上昇し、特性変動を起こすと
いう欠点があった。
において、ヒーター部３の熱の影響で、パッケージ１０
内の空気の温度が、徐々に上昇し、特性変動を起こすと
いう欠点があった。
【００１７】従って、本発明は、かかる欠点を解決し、
パッケージ１０内の空気の温度上昇を防ぐことで、特性
変動を小さくできる電熱器を提供することを目的とす
る。
パッケージ１０内の空気の温度上昇を防ぐことで、特性
変動を小さくできる電熱器を提供することを目的とす
る。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、ヒータ
ー部と対向するパッケージの下部に通気孔を設け、ヒー
ターで発生する熱をパッケージの外に放熱できるように
した電熱器が得られる。
ー部と対向するパッケージの下部に通気孔を設け、ヒー
ターで発生する熱をパッケージの外に放熱できるように
した電熱器が得られる。
【００１９】即ち、本発明は、シリコン基板上に、第１
の電気絶縁薄膜層が形成され、該第１の電気絶縁薄膜層
上にヒーター部が形成され、かつ、該ヒーター部の下部
に位置するシリコン基板が取り除かれて、空洞部を有す
るマイクロセンサチップをパッケージに収納してなる電
熱器において、前記ヒーター部の下部に位置するパッケ
ージの底部に通気孔を設けた電熱器である。
の電気絶縁薄膜層が形成され、該第１の電気絶縁薄膜層
上にヒーター部が形成され、かつ、該ヒーター部の下部
に位置するシリコン基板が取り除かれて、空洞部を有す
るマイクロセンサチップをパッケージに収納してなる電
熱器において、前記ヒーター部の下部に位置するパッケ
ージの底部に通気孔を設けた電熱器である。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。
て、図面を参照して説明する。
【００２１】図１に、本発明の実施の形態の電熱器の分
解斜視図を示す。なお、本発明でのマイクロセンサチッ
プの構造及び作製手順は、従来と同様であるので、詳細
な説明を省略する。
解斜視図を示す。なお、本発明でのマイクロセンサチッ
プの構造及び作製手順は、従来と同様であるので、詳細
な説明を省略する。
【００２２】図１において、従来と同様の手順で作製さ
れたマイクロセンサチップ９は、下部に通気孔１３を設
けたパッケージ１０に収納され、従来と同様に、マイク
ロセンサチップ９の第１の電極部及び第２の電極部をパ
ッケージ１０の端子１１にワイヤボンディングして電気
接続される。
れたマイクロセンサチップ９は、下部に通気孔１３を設
けたパッケージ１０に収納され、従来と同様に、マイク
ロセンサチップ９の第１の電極部及び第２の電極部をパ
ッケージ１０の端子１１にワイヤボンディングして電気
接続される。
【００２３】次に、パッケージ１０にカバー１２をかぶ
せて固定する。
せて固定する。
【００２４】このようにして得られる本発明の電熱器
は、パッケージ１０に通気孔１３を設けていることによ
り、ヒーター部とパッケージ１０間の暖まった空気が、
通気孔１３を通して外気と循環し、パッケージ１０内の
空気の温度上昇を防止するため、温度上昇による特性変
動が小さい。
は、パッケージ１０に通気孔１３を設けていることによ
り、ヒーター部とパッケージ１０間の暖まった空気が、
通気孔１３を通して外気と循環し、パッケージ１０内の
空気の温度上昇を防止するため、温度上昇による特性変
動が小さい。
【００２５】また、同様に、本発明で用いたパッケージ
をガスセンサ、湿度センサ、温度センサ、フローセンサ
等のセンサに用いれば、特性変動の小さい、高性能なセ
ンサが得られる。
をガスセンサ、湿度センサ、温度センサ、フローセンサ
等のセンサに用いれば、特性変動の小さい、高性能なセ
ンサが得られる。
【００２６】
【発明の効果】以上、説明したごとく、本発明によれ
ば、温度による特性変動の小さい電熱器が得られる。
ば、温度による特性変動の小さい電熱器が得られる。
【図１】本発明の実施の形態の電熱器の分解斜視図。
【図２】従来の電熱器の分解斜視図。
【図３】電熱器に内蔵されているマイクロセンサチップ
の説明図。図３（ａ）は、マイクロセンサチップの平面
図。図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ−Ａ断面図。図３
（ｃ）は、電極部及びヒーター部を有するヒーターの概
略図。
の説明図。図３（ａ）は、マイクロセンサチップの平面
図。図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ−Ａ断面図。図３
（ｃ）は、電極部及びヒーター部を有するヒーターの概
略図。
１ シリコン基板 ２ 第１の電気絶縁薄膜層 ３ ヒーター部 ４ 第１の電極部 ５ 第２の電気絶縁薄膜層 ６ 感応部 ７ 第２の電極部 ８ 空洞部 ９ マイクロセンサチップ １０ パッケージ １１ 端子 １２ カバー １３ 通気孔
Claims (1)
- 【請求項１】 シリコン基板（１）上に、第１の電気絶
縁薄膜層（２）が形成され、該第１の電気絶縁薄膜層
（２）上にヒーター部（３）が形成され、かつ、該ヒー
ター部（３）の下部に位置するシリコン基板（１）が取
り除かれて、空洞部（８）を有するマイクロセンサチッ
プ（９）をパッケージ（１０）に収納してなる電熱器に
おいて、前記ヒーター部（３）の下部に位置するパッケ
ージ（１０）の底部に通気孔（１３）を設けたことを特
徴とする電熱器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5294498A JPH11233240A (ja) | 1998-02-17 | 1998-02-17 | 電熱器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5294498A JPH11233240A (ja) | 1998-02-17 | 1998-02-17 | 電熱器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11233240A true JPH11233240A (ja) | 1999-08-27 |
Family
ID=12928990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5294498A Withdrawn JPH11233240A (ja) | 1998-02-17 | 1998-02-17 | 電熱器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11233240A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005054835A1 (ja) | 2003-12-01 | 2005-06-16 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | ガスセンサ |
| JP2013239401A (ja) * | 2012-05-17 | 2013-11-28 | Tdk Corp | マイクロヒータ素子 |
-
1998
- 1998-02-17 JP JP5294498A patent/JPH11233240A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005054835A1 (ja) | 2003-12-01 | 2005-06-16 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | ガスセンサ |
| US7712349B2 (en) | 2003-12-01 | 2010-05-11 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Gas sensor |
| JP2013239401A (ja) * | 2012-05-17 | 2013-11-28 | Tdk Corp | マイクロヒータ素子 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20040618 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20060425 |