JPH11233240A - 電熱器 - Google Patents
電熱器Info
- Publication number
- JPH11233240A JPH11233240A JP5294498A JP5294498A JPH11233240A JP H11233240 A JPH11233240 A JP H11233240A JP 5294498 A JP5294498 A JP 5294498A JP 5294498 A JP5294498 A JP 5294498A JP H11233240 A JPH11233240 A JP H11233240A
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- JP
- Japan
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- heater
- package
- electric heater
- air
- thin film
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- Feedback Control In General (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 温度の上昇による特性変動の小さい電熱器を
提供すること。 【解決手段】 マイクロセンサチップ9を収納するパッ
ケージ10の底部に通気孔13を設けた電熱器。
提供すること。 【解決手段】 マイクロセンサチップ9を収納するパッ
ケージ10の底部に通気孔13を設けた電熱器。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコン加工技
術、薄膜技術等を応用して作製されるマイクロヒーター
をパッケージ等に実装した電熱器に関する。
術、薄膜技術等を応用して作製されるマイクロヒーター
をパッケージ等に実装した電熱器に関する。
【0002】
【従来の技術】従来技術による電熱器について、図2及
び図3を参照して説明する。なお、図2は、電熱器の分
解斜視図である。図3は、電熱器に内蔵しているマイク
ロセンサチップの説明図、図3(a)は、マイクロセン
サチップの平面図、図3(b)は、図3(a)のA−A
断面図、図3(c)は、電極部及びヒーター部を有する
ヒーターの概略図である。
び図3を参照して説明する。なお、図2は、電熱器の分
解斜視図である。図3は、電熱器に内蔵しているマイク
ロセンサチップの説明図、図3(a)は、マイクロセン
サチップの平面図、図3(b)は、図3(a)のA−A
断面図、図3(c)は、電極部及びヒーター部を有する
ヒーターの概略図である。
【0003】従来技術による電熱器の作製手順は、以下
の通りである。
の通りである。
【0004】まず、電熱器に内蔵されるマイクロセンサ
チップの作製手順について説明する。
チップの作製手順について説明する。
【0005】図3に示すように、シリコン基板1上
に、例えば、スパッタ法、CVD法等でSiO2膜等か
らなる単層あるいは複数層からなる第1の電気絶縁薄膜
層2を約1.5μm厚に形成する。
に、例えば、スパッタ法、CVD法等でSiO2膜等か
らなる単層あるいは複数層からなる第1の電気絶縁薄膜
層2を約1.5μm厚に形成する。
【0006】第1の電気絶縁薄膜層2上にスパッタ法
等で白金等からなるヒーター部3及び第1の電極部4を
形成する。
等で白金等からなるヒーター部3及び第1の電極部4を
形成する。
【0007】ヒーター部3上にスパッタ法、CVD法
等でSiO2膜等の単層あるいは複数層からなる第2の
電気絶縁薄膜層5を約1.5μm厚に形成する。
等でSiO2膜等の単層あるいは複数層からなる第2の
電気絶縁薄膜層5を約1.5μm厚に形成する。
【0008】この第2の電気絶縁薄膜層5上に、感応
物質の電気特性(インピーダンス、キャパシタンス、イ
ンダクタンス)を測定するための導電性材料からなる第
2の電極部7をスパッタ法等で形成した後、ガス感応物
質、温度感応物質、磁気感応物質等の感応物質からなる
感応部6をスパッタ法、CVD法等で形成する。
物質の電気特性(インピーダンス、キャパシタンス、イ
ンダクタンス)を測定するための導電性材料からなる第
2の電極部7をスパッタ法等で形成した後、ガス感応物
質、温度感応物質、磁気感応物質等の感応物質からなる
感応部6をスパッタ法、CVD法等で形成する。
【0009】ヒーター部3の下部のシリコン基板1を
水酸化カリウム(KOH)等のエッチングにより取り除
き、空洞部8を形成する。
水酸化カリウム(KOH)等のエッチングにより取り除
き、空洞部8を形成する。
【0010】これにより、ヒーター部3の周辺に熱伝導
に関わる物質は、空気以外では、第1の電気絶縁薄膜層
2と第2の電気絶縁薄膜層5と感応部6だけになり、感
応部6を効率よく加熱できる。なお、このヒーター部3
とヒーター部3の周辺の構造体は、架橋構造、片持ち梁
構造、ダイヤフラム構造等の形状にもできる。
に関わる物質は、空気以外では、第1の電気絶縁薄膜層
2と第2の電気絶縁薄膜層5と感応部6だけになり、感
応部6を効率よく加熱できる。なお、このヒーター部3
とヒーター部3の周辺の構造体は、架橋構造、片持ち梁
構造、ダイヤフラム構造等の形状にもできる。
【0011】次に、上述により作製されたマイクロセン
サチップを用いた電熱器の作製手順について説明する。
サチップを用いた電熱器の作製手順について説明する。
【0012】図2に示すように、マイクロセンサチッ
プ9をパッケージ10に実装し、接着する。
プ9をパッケージ10に実装し、接着する。
【0013】マイクロセンサチップ9の第1の電極部
及び第2の電極部をパッケージ10の端子11にワイヤ
ボンディング等で電気接続をする。
及び第2の電極部をパッケージ10の端子11にワイヤ
ボンディング等で電気接続をする。
【0014】マイクロセンサチップ9が内蔵されたパ
ッケージ10にカバー12をかぶせて固定させる。
ッケージ10にカバー12をかぶせて固定させる。
【0015】以上の工程により、電熱器が得られる。こ
のようにして得られた電熱器は、ヒーター部3及びヒー
ター部3周辺が、非常に小さく加工でき、熱容量を小さ
くできるため、周囲温度の変化に伴う感応部6の温度追
従性が高いという特長がある。
のようにして得られた電熱器は、ヒーター部3及びヒー
ター部3周辺が、非常に小さく加工でき、熱容量を小さ
くできるため、周囲温度の変化に伴う感応部6の温度追
従性が高いという特長がある。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、使用時
において、ヒーター部3の熱の影響で、パッケージ10
内の空気の温度が、徐々に上昇し、特性変動を起こすと
いう欠点があった。
において、ヒーター部3の熱の影響で、パッケージ10
内の空気の温度が、徐々に上昇し、特性変動を起こすと
いう欠点があった。
【0017】従って、本発明は、かかる欠点を解決し、
パッケージ10内の空気の温度上昇を防ぐことで、特性
変動を小さくできる電熱器を提供することを目的とす
る。
パッケージ10内の空気の温度上昇を防ぐことで、特性
変動を小さくできる電熱器を提供することを目的とす
る。
【0018】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、ヒータ
ー部と対向するパッケージの下部に通気孔を設け、ヒー
ターで発生する熱をパッケージの外に放熱できるように
した電熱器が得られる。
ー部と対向するパッケージの下部に通気孔を設け、ヒー
ターで発生する熱をパッケージの外に放熱できるように
した電熱器が得られる。
【0019】即ち、本発明は、シリコン基板上に、第1
の電気絶縁薄膜層が形成され、該第1の電気絶縁薄膜層
上にヒーター部が形成され、かつ、該ヒーター部の下部
に位置するシリコン基板が取り除かれて、空洞部を有す
るマイクロセンサチップをパッケージに収納してなる電
熱器において、前記ヒーター部の下部に位置するパッケ
ージの底部に通気孔を設けた電熱器である。
の電気絶縁薄膜層が形成され、該第1の電気絶縁薄膜層
上にヒーター部が形成され、かつ、該ヒーター部の下部
に位置するシリコン基板が取り除かれて、空洞部を有す
るマイクロセンサチップをパッケージに収納してなる電
熱器において、前記ヒーター部の下部に位置するパッケ
ージの底部に通気孔を設けた電熱器である。
【0020】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。
て、図面を参照して説明する。
【0021】図1に、本発明の実施の形態の電熱器の分
解斜視図を示す。なお、本発明でのマイクロセンサチッ
プの構造及び作製手順は、従来と同様であるので、詳細
な説明を省略する。
解斜視図を示す。なお、本発明でのマイクロセンサチッ
プの構造及び作製手順は、従来と同様であるので、詳細
な説明を省略する。
【0022】図1において、従来と同様の手順で作製さ
れたマイクロセンサチップ9は、下部に通気孔13を設
けたパッケージ10に収納され、従来と同様に、マイク
ロセンサチップ9の第1の電極部及び第2の電極部をパ
ッケージ10の端子11にワイヤボンディングして電気
接続される。
れたマイクロセンサチップ9は、下部に通気孔13を設
けたパッケージ10に収納され、従来と同様に、マイク
ロセンサチップ9の第1の電極部及び第2の電極部をパ
ッケージ10の端子11にワイヤボンディングして電気
接続される。
【0023】次に、パッケージ10にカバー12をかぶ
せて固定する。
せて固定する。
【0024】このようにして得られる本発明の電熱器
は、パッケージ10に通気孔13を設けていることによ
り、ヒーター部とパッケージ10間の暖まった空気が、
通気孔13を通して外気と循環し、パッケージ10内の
空気の温度上昇を防止するため、温度上昇による特性変
動が小さい。
は、パッケージ10に通気孔13を設けていることによ
り、ヒーター部とパッケージ10間の暖まった空気が、
通気孔13を通して外気と循環し、パッケージ10内の
空気の温度上昇を防止するため、温度上昇による特性変
動が小さい。
【0025】また、同様に、本発明で用いたパッケージ
をガスセンサ、湿度センサ、温度センサ、フローセンサ
等のセンサに用いれば、特性変動の小さい、高性能なセ
ンサが得られる。
をガスセンサ、湿度センサ、温度センサ、フローセンサ
等のセンサに用いれば、特性変動の小さい、高性能なセ
ンサが得られる。
【0026】
【発明の効果】以上、説明したごとく、本発明によれ
ば、温度による特性変動の小さい電熱器が得られる。
ば、温度による特性変動の小さい電熱器が得られる。
【図1】本発明の実施の形態の電熱器の分解斜視図。
【図2】従来の電熱器の分解斜視図。
【図3】電熱器に内蔵されているマイクロセンサチップ
の説明図。図3(a)は、マイクロセンサチップの平面
図。図3(b)は、図3(a)のA−A断面図。図3
(c)は、電極部及びヒーター部を有するヒーターの概
略図。
の説明図。図3(a)は、マイクロセンサチップの平面
図。図3(b)は、図3(a)のA−A断面図。図3
(c)は、電極部及びヒーター部を有するヒーターの概
略図。
1 シリコン基板 2 第1の電気絶縁薄膜層 3 ヒーター部 4 第1の電極部 5 第2の電気絶縁薄膜層 6 感応部 7 第2の電極部 8 空洞部 9 マイクロセンサチップ 10 パッケージ 11 端子 12 カバー 13 通気孔
Claims (1)
- 【請求項1】 シリコン基板(1)上に、第1の電気絶
縁薄膜層(2)が形成され、該第1の電気絶縁薄膜層
(2)上にヒーター部(3)が形成され、かつ、該ヒー
ター部(3)の下部に位置するシリコン基板(1)が取
り除かれて、空洞部(8)を有するマイクロセンサチッ
プ(9)をパッケージ(10)に収納してなる電熱器に
おいて、前記ヒーター部(3)の下部に位置するパッケ
ージ(10)の底部に通気孔(13)を設けたことを特
徴とする電熱器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5294498A JPH11233240A (ja) | 1998-02-17 | 1998-02-17 | 電熱器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5294498A JPH11233240A (ja) | 1998-02-17 | 1998-02-17 | 電熱器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11233240A true JPH11233240A (ja) | 1999-08-27 |
Family
ID=12928990
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5294498A Withdrawn JPH11233240A (ja) | 1998-02-17 | 1998-02-17 | 電熱器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11233240A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005054835A1 (ja) | 2003-12-01 | 2005-06-16 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | ガスセンサ |
JP2013239401A (ja) * | 2012-05-17 | 2013-11-28 | Tdk Corp | マイクロヒータ素子 |
-
1998
- 1998-02-17 JP JP5294498A patent/JPH11233240A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005054835A1 (ja) | 2003-12-01 | 2005-06-16 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | ガスセンサ |
US7712349B2 (en) | 2003-12-01 | 2010-05-11 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Gas sensor |
JP2013239401A (ja) * | 2012-05-17 | 2013-11-28 | Tdk Corp | マイクロヒータ素子 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20040618 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20060425 |