JPH11232618A - 磁気センサ及びその製造方法 - Google Patents
磁気センサ及びその製造方法Info
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- JPH11232618A JPH11232618A JP3310898A JP3310898A JPH11232618A JP H11232618 A JPH11232618 A JP H11232618A JP 3310898 A JP3310898 A JP 3310898A JP 3310898 A JP3310898 A JP 3310898A JP H11232618 A JPH11232618 A JP H11232618A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 記録密度の向上、高い精度での測定、並びに
製造工程数の削減を課題とする。 【解決手段】 基板11と、基板11上に形成される良
導体層12と、良導体層12上に所定の距離を隔てて夫
々形成される多層膜構造の超格子GMR膜13a及び1
3bと有し、超格子GMR膜13a及び13bが良導体
層12により電気的に直列に接続されて成る磁気セン
サ。
製造工程数の削減を課題とする。 【解決手段】 基板11と、基板11上に形成される良
導体層12と、良導体層12上に所定の距離を隔てて夫
々形成される多層膜構造の超格子GMR膜13a及び1
3bと有し、超格子GMR膜13a及び13bが良導体
層12により電気的に直列に接続されて成る磁気セン
サ。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気センサ及びその
製造方法に関するものであり、更に詳しく言えば巨大磁
気抵抗効果(GMR:giantmagnetoresistive )を利用した
磁気センサ(以下、GMRセンサと称する)及びその製
造方法に関する。
製造方法に関するものであり、更に詳しく言えば巨大磁
気抵抗効果(GMR:giantmagnetoresistive )を利用した
磁気センサ(以下、GMRセンサと称する)及びその製
造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】磁気センサは、主としてコンピュータの
記録装置である、ハードディスクドライブの磁気ヘッド
として用いられている。周知のように、従来、ハードデ
ィスクドライブに用いられていた磁気ヘッドは、コイル
に発生する誘導電流により磁場を感知するといったもの
であった。しかしながら、技術の高度化に伴って要求さ
れる高記録密度化、読み出し及び書き込み速度の高速化
に対応すべく、上述したようなコイルに発生する誘導電
流により磁場を感知する磁気ヘッドにとってかわり、磁
場そのものを感知する磁気センサが用いられてきてい
る。周知なように、記録密度を高めると、その分、1ビ
ットのデータを記録するためのハードディスク上の面積
が縮まるので、ハードディスク上の1ビット分の記録領
域から発生する磁場は当然小さくなる。
記録装置である、ハードディスクドライブの磁気ヘッド
として用いられている。周知のように、従来、ハードデ
ィスクドライブに用いられていた磁気ヘッドは、コイル
に発生する誘導電流により磁場を感知するといったもの
であった。しかしながら、技術の高度化に伴って要求さ
れる高記録密度化、読み出し及び書き込み速度の高速化
に対応すべく、上述したようなコイルに発生する誘導電
流により磁場を感知する磁気ヘッドにとってかわり、磁
場そのものを感知する磁気センサが用いられてきてい
る。周知なように、記録密度を高めると、その分、1ビ
ットのデータを記録するためのハードディスク上の面積
が縮まるので、ハードディスク上の1ビット分の記録領
域から発生する磁場は当然小さくなる。
【0003】このような小さな磁場を感知することので
きる磁気センサとして、磁気抵抗効果(MR:magnetoresi
stive )を利用した磁気センサ(以下、MRセンサと称
する)が提案されている。磁気抵抗効果は、磁性材料の
磁化方向と、この磁性材料に近接する例えば媒体の磁化
方向とが0度〜180度の範囲で異なるとき、その大き
さに応じて当該磁性材料の抵抗値が0から最大値までの
範囲で変わるといったものである。磁気ヘッド(再生ヘ
ッド)として用いられたMRセンサは、ハードディスク
等の媒体から発生する磁界を抵抗変化としてとらえ、こ
れを電圧変化として出力する。このMRセンサを磁気ヘ
ッドに用いることにより、ハードディスクドライブの記
録密度並びに読み出し、書き込み速度は大幅に向上し
た。しかしながら、MRセンサは、外部から与えられる
磁界の大きさに対して抵抗値が変化する度合いが比較的
低い。従って、媒体の高記録密度化への寄与にも限界が
ある。一方、更なるコンピュータの小型化、高密度化が
進む中で、ハードディスクドライブの小型化、或いはハ
ードディスクのより一層の高記録密度化が要求されてい
る。
きる磁気センサとして、磁気抵抗効果(MR:magnetoresi
stive )を利用した磁気センサ(以下、MRセンサと称
する)が提案されている。磁気抵抗効果は、磁性材料の
磁化方向と、この磁性材料に近接する例えば媒体の磁化
方向とが0度〜180度の範囲で異なるとき、その大き
さに応じて当該磁性材料の抵抗値が0から最大値までの
範囲で変わるといったものである。磁気ヘッド(再生ヘ
ッド)として用いられたMRセンサは、ハードディスク
等の媒体から発生する磁界を抵抗変化としてとらえ、こ
れを電圧変化として出力する。このMRセンサを磁気ヘ
ッドに用いることにより、ハードディスクドライブの記
録密度並びに読み出し、書き込み速度は大幅に向上し
た。しかしながら、MRセンサは、外部から与えられる
磁界の大きさに対して抵抗値が変化する度合いが比較的
低い。従って、媒体の高記録密度化への寄与にも限界が
ある。一方、更なるコンピュータの小型化、高密度化が
進む中で、ハードディスクドライブの小型化、或いはハ
ードディスクのより一層の高記録密度化が要求されてい
る。
【0004】そこで、同じ強度の磁界に対する抵抗変化
が上記磁気抵抗効果よりも大きく、更なる高記録密度化
を図ることのできる巨大磁気抵抗効果を利用したGMR
センサの開発が進められている。磁気ヘッドに用いるG
MRセンサの構造としては、スピンバルブ構造のGMR
膜、及び多層膜構造の超格子GMR膜が有望と考えられ
ている。スピンバルブ構造のGMR膜は、基板上にニッ
ケル鉄(Ni-Fe )(フリー層)等の磁性層、銅(Cu)等
の非磁性層、ニッケル鉄(Ni-Fe )(ピン層)等の磁性
層、及び鉄マンガン(Fe-Mn )等の反強磁性層が形成さ
れて成る。ここで、ピン層は、磁化方向がある一定方向
に固定されている層であり、フリー層は、外部磁界の影
響で磁化方向が変わる層である。そして、GMR膜は、
ピン層の磁化方向と、フリー層の磁化方向とが、0度〜
180度の範囲で異なるとき、その大きさに応じて抵抗
値が0から最大値までの範囲で変わる。よって、媒体上
の磁化パターンを、上記抵抗値の変化、即ち、電流或い
は電圧の変化として取り出すことができるのである。し
かしながら、このスピンバルブ構造のGMR膜は、その
MR比が10%以下であるため、20Gbit/in2
以上の記録密度に対応することが殆ど不可能とみられて
いる。
が上記磁気抵抗効果よりも大きく、更なる高記録密度化
を図ることのできる巨大磁気抵抗効果を利用したGMR
センサの開発が進められている。磁気ヘッドに用いるG
MRセンサの構造としては、スピンバルブ構造のGMR
膜、及び多層膜構造の超格子GMR膜が有望と考えられ
ている。スピンバルブ構造のGMR膜は、基板上にニッ
ケル鉄(Ni-Fe )(フリー層)等の磁性層、銅(Cu)等
の非磁性層、ニッケル鉄(Ni-Fe )(ピン層)等の磁性
層、及び鉄マンガン(Fe-Mn )等の反強磁性層が形成さ
れて成る。ここで、ピン層は、磁化方向がある一定方向
に固定されている層であり、フリー層は、外部磁界の影
響で磁化方向が変わる層である。そして、GMR膜は、
ピン層の磁化方向と、フリー層の磁化方向とが、0度〜
180度の範囲で異なるとき、その大きさに応じて抵抗
値が0から最大値までの範囲で変わる。よって、媒体上
の磁化パターンを、上記抵抗値の変化、即ち、電流或い
は電圧の変化として取り出すことができるのである。し
かしながら、このスピンバルブ構造のGMR膜は、その
MR比が10%以下であるため、20Gbit/in2
以上の記録密度に対応することが殆ど不可能とみられて
いる。
【0005】一方、超格子GMR膜は、保磁力の大きい
硬質磁性層(ピン層)と保磁力の小さい磁性層(フリー
層)が多数積層されると共に、これらピン層及びフリー
層間に非磁性層が設けられて成る。この超格子GMR膜
に外部磁界が加えられると、ピン層とフリー層の磁化方
向が一致し、超格子GMR膜の抵抗値は最小となる。こ
の状態で逆方向の弱い外部磁界が超格子GMR膜に加え
られると、保磁力の小さいフリー層の磁化方向だけが反
転するので、ピン層とフリー層の磁化方向が逆になり、
超格子GMR膜の抵抗値は最大となる。
硬質磁性層(ピン層)と保磁力の小さい磁性層(フリー
層)が多数積層されると共に、これらピン層及びフリー
層間に非磁性層が設けられて成る。この超格子GMR膜
に外部磁界が加えられると、ピン層とフリー層の磁化方
向が一致し、超格子GMR膜の抵抗値は最小となる。こ
の状態で逆方向の弱い外部磁界が超格子GMR膜に加え
られると、保磁力の小さいフリー層の磁化方向だけが反
転するので、ピン層とフリー層の磁化方向が逆になり、
超格子GMR膜の抵抗値は最大となる。
【0006】ここで、図8を参照して、上記超格子GM
R膜を有する磁気センサについて説明する。図8は、従
来の磁気センサを説明するための構造図である。この図
8に示されるように、従来の磁気センサは、基板1上に
下端子2が形成され、この下端子2上に超格子GMR膜
3が形成され、この超格子GMR膜3の左右に夫々絶縁
層4が形成され、超格子GMR膜3及び絶縁層4の上部
に上端子5が形成されて構成される。ここで、上記下端
子2及び上端子5の材料として銅(Cu)が用いられ、絶
縁層4の材料としてアルミナ(Al2O3 )が用いられる。
R膜を有する磁気センサについて説明する。図8は、従
来の磁気センサを説明するための構造図である。この図
8に示されるように、従来の磁気センサは、基板1上に
下端子2が形成され、この下端子2上に超格子GMR膜
3が形成され、この超格子GMR膜3の左右に夫々絶縁
層4が形成され、超格子GMR膜3及び絶縁層4の上部
に上端子5が形成されて構成される。ここで、上記下端
子2及び上端子5の材料として銅(Cu)が用いられ、絶
縁層4の材料としてアルミナ(Al2O3 )が用いられる。
【0007】このような超格子GMR膜においては、膜
面に平行に電流を流す方法である、CIP(Current In
Plane)と、膜面に垂直に電流を流す方法である、CP
P(Current Perpendical to the Plane)とがあり。上
記CPPのMR比は、室温で上記CIPのMR比の2倍
以上であることが知られている。図8に示した磁気セン
サは、上記CPPの方法が採用されたものである。
面に平行に電流を流す方法である、CIP(Current In
Plane)と、膜面に垂直に電流を流す方法である、CP
P(Current Perpendical to the Plane)とがあり。上
記CPPのMR比は、室温で上記CIPのMR比の2倍
以上であることが知られている。図8に示した磁気セン
サは、上記CPPの方法が採用されたものである。
【0008】ここで、図9を参照して、上記超格子GM
R膜について更に説明する。図9は、MR比と膜厚の関
係を示すグラフであり、縦軸はMR比を示し、横軸は膜
厚(単位はオングストローム)を示す。この図9に示さ
れるように、膜厚が10オングストロームのときに、一
般に最も大きなMR比とされる、30%から50%のM
R比を得ることができる。また、膜厚が20オングスト
ロームのときのMR比は10%から15%となってい
る。上記超格子GMR膜の膜厚が第1ピークP1に相当
する10オングストロームの膜厚のとき、超格子GMR
膜の抵抗を変化させるために数kOe以上の強い外部磁
界が必要となる。
R膜について更に説明する。図9は、MR比と膜厚の関
係を示すグラフであり、縦軸はMR比を示し、横軸は膜
厚(単位はオングストローム)を示す。この図9に示さ
れるように、膜厚が10オングストロームのときに、一
般に最も大きなMR比とされる、30%から50%のM
R比を得ることができる。また、膜厚が20オングスト
ロームのときのMR比は10%から15%となってい
る。上記超格子GMR膜の膜厚が第1ピークP1に相当
する10オングストロームの膜厚のとき、超格子GMR
膜の抵抗を変化させるために数kOe以上の強い外部磁
界が必要となる。
【0009】一方、上記超格子GMR膜の膜厚が第2ピ
ークP2に相当する20オングストロームの膜厚のと
き、超格子GMR膜の抵抗を変化させるために100O
e前後の弱い外部磁界で十分である。この特性から、超
格子GMR膜を用いた磁気センサは、十分、磁気ヘッド
に適用可能である。尚、本出願人は、直流4端子法を用
い、センス電流100mAで上記超格子GMR膜のMR
比を測定した。その結果、断面積が1μm2のときに約
10%のMR比が得られた。このときの最小抵抗値は1
0mΩで、電圧計は1mVを示していた。
ークP2に相当する20オングストロームの膜厚のと
き、超格子GMR膜の抵抗を変化させるために100O
e前後の弱い外部磁界で十分である。この特性から、超
格子GMR膜を用いた磁気センサは、十分、磁気ヘッド
に適用可能である。尚、本出願人は、直流4端子法を用
い、センス電流100mAで上記超格子GMR膜のMR
比を測定した。その結果、断面積が1μm2のときに約
10%のMR比が得られた。このときの最小抵抗値は1
0mΩで、電圧計は1mVを示していた。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、20G
bit/in2以上の記録密度に対応するためには、更
なるMR比の向上が必要とされ、上記超格子GMR膜を
用いた磁気センサをもってしてもまだ不十分である。
また、高い精度で抵抗変化を測定するためには、超格子
GMR膜の抵抗値が高くなければならない。そのため、
超格子GMR膜の断面積を小さくしなければならない
が、断面積の小さい超格子GMR膜を製造するのは困難
である。
bit/in2以上の記録密度に対応するためには、更
なるMR比の向上が必要とされ、上記超格子GMR膜を
用いた磁気センサをもってしてもまだ不十分である。
また、高い精度で抵抗変化を測定するためには、超格子
GMR膜の抵抗値が高くなければならない。そのため、
超格子GMR膜の断面積を小さくしなければならない
が、断面積の小さい超格子GMR膜を製造するのは困難
である。
【0011】また、図8に示されているように、従来の
磁気センサでは、超格子GMR膜3の上下に夫々上端子
5と下端子2を形成しなければならないので、製造工程
数が増加するといった問題点がある。 本発明は以上の
問題点に鑑み、記録密度の向上、高い精度での測定、並
びに製造工程数の削減を目的とする。
磁気センサでは、超格子GMR膜3の上下に夫々上端子
5と下端子2を形成しなければならないので、製造工程
数が増加するといった問題点がある。 本発明は以上の
問題点に鑑み、記録密度の向上、高い精度での測定、並
びに製造工程数の削減を目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記した課題は、第1の
発明である、基板と、上記基板上に形成される導体層
と、上記導体層上に所定の距離を隔てて夫々形成される
多層膜構造の第1及び第2の巨大磁気抵抗効果膜と有
し、上記第1の巨大磁気抵抗効果膜及び上記第2の巨大
磁気抵抗効果膜が、上記導体層を介して膜面に対して垂
直方向に電気的に直列に接続されて成る磁気センサによ
って解決され、第2の発明である、導体層と、上記導体
層上に所定の距離を隔てて夫々形成される多層膜構造の
第1及び第2の巨大磁気抵抗効果膜とからなり、上記第
1の巨大磁気抵抗効果膜及び上記第2の巨大磁気抵抗効
果膜が、上記導体層を介して膜面に対して垂直方向に電
気的に直列に接続されて成る単位素子が、基板上に横一
列に複数個並べられて成る第1の発明に記載の磁気セン
サによって解決され、第3の発明である、導体層と、上
記導体層上に所定の距離を隔てて夫々形成される多層膜
構造の第1及び第2の巨大磁気抵抗効果膜とからなり、
上記第1の巨大磁気抵抗効果膜及び上記第2の巨大磁気
抵抗効果膜が、上記導体層を介して膜面に対して垂直方
向に電気的に直列に接続されて成る単位素子が、基板上
に横一列にN個並べられて成る第1の部材と、導体層
と、上記導体層上に所定の距離を隔てて夫々形成される
第1及び第2の巨大磁気抵抗効果膜とからなり、上記第
1の巨大磁気抵抗効果膜及び上記第2の巨大磁気抵抗効
果膜が、上記導体層を介して膜面に対して垂直方向に電
気的に直列に接続されて成る単位素子が、基板上に横一
列に(N−2)個並べられて成る第2の部材とを有し、
上記第1の部材の上記第1及び第2の巨大磁気抵抗効果
膜と、上記第2の部材の第1及び第2の巨大磁気抵抗効
果膜とが、夫々接合用導体にて接着されることにより、
上記第1の部材と第2の部材が電気的に接合されて成る
磁気センサによって解決され、第4の発明である、上記
接合用導体の材料が低温ハンダであることを特徴とする
第3の発明に記載の磁気センサによって解決され、第5
の発明である、上記接合用導体は、上記第1の部材と上
記第2の部材との接合時に、上記第1の部材に付着若し
くは塗布若しくは形成される第1の接合用導体と、上記
第2の部材に付着若しくは塗布若しくは形成される第2
の接合用導体とからなり、上記第1の接合用導体は、常
温において液体である金属、若しくは当該金属と固溶す
ると融点が室温以上となる金属であり、上記第2の接合
用導体は、常温において液体である金属と固溶すると融
点が室温以上となる金属、若しくは常温において液体で
ある金属であることを特徴とする請求項3記載の磁気セ
ンサによって解決され、第6の発明である、基板上に導
体層を形成する工程と、上記導体層上に多層膜構造の巨
大磁気抵抗効果膜を形成する工程と、上記巨大磁気抵抗
効果膜上にレジスト層を形成する工程と、上記巨大磁気
抵抗効果膜及び上記導体層の一部をエッチングする工程
と、上記レジスト層を剥離する工程と、上記巨大抵抗効
果膜上に所定領域を除いてレジスト層を形成する工程
と、上記巨大抵抗効果膜の一部をエッチングすることに
より、上記巨大抵抗効果膜を複数の巨大抵抗効果膜に分
離する工程と、上記基板及び上記巨大抵抗効果膜を覆う
ように絶縁層を形成する工程と、上記絶縁層上に上記複
数の巨大抵抗効果膜を露出させるための範囲を除いてレ
ジスト層を形成する工程と、上記絶縁層の一部をエッチ
ングする工程と、上記レジスと層を剥離する工程と、上
記絶縁層の内、中心の絶縁層上にレジスト層を形成する
工程と、上記絶縁層、上記巨大抵抗効果膜及び上記レジ
スト層を覆うように導体層を形成する工程と、上記レジ
スト層上の導体層を除去する工程と、上記レジスト層を
剥離する工程とを含む磁気センサの製造方法によって解
決され、第7の発明である、第1の部材を形成する第1
の工程と、第2の部材を形成する第2の工程と、上記第
1の部材の多層膜構造の巨大磁気抵抗効果膜と上記第2
の部材の多層膜構造の巨大磁気抵抗効果膜を接合用導体
で接着する第3の工程とを含み、上記第1の工程及び上
記第2の工程は、夫々、下記の工程、即ち、(a)基板
上に導体層を形成する工程、(b)上記導体層上に多層
膜構造の巨大磁気抵抗効果膜を形成する工程、(c)上
記巨大磁気抵抗効果膜上にレジスト層を形成する工程、
(d)上記巨大磁気抵抗効果膜及び上記導体層の一部を
エッチングする工程、(e)上記レジスト層を剥離する
工程、(f)上記巨大抵抗効果膜上に所定領域を除いて
レジスト層を形成する工程、(g)上記巨大抵抗効果膜
の一部をエッチングすることにより、上記巨大抵抗効果
膜を複数の巨大抵抗効果膜に分離する工程を含むことを
特徴とする磁気センサの製造方法によって解決され、第
8の発明である、基板上に導体層を形成し、上記導体層
上に多層膜構造の巨大磁気抵抗効果膜を形成し、上記巨
大磁気抵抗効果膜上にレジスト層を形成し、上記巨大磁
気抵抗効果膜及び上記導体層の一部をエッチングし、上
記レジスト層を剥離し、上記巨大抵抗効果膜上に所定領
域を除いてレジスト層を形成し、上記巨大抵抗効果膜の
一部をエッチングすることにより第1及び第2の部材を
夫々形成する第1及び第2の工程と、上記第1の部材の
巨大磁気抵抗効果膜と上記第2の部材の巨大磁気抵抗効
果膜を接合用導体で接着する第3の工程とを含むことを
特徴とする磁気センサの製造方法によって解決され、第
9の発明である、上記接合用導体の材料が低温ハンダで
あることを特徴とする第8の発明に記載の磁気センサの
製造方法によって解決され、第10の発明である、上記
接合用導体は、上記第1の部材と上記第2の部材との接
合時に、上記第1の部材に付着若しくは塗布若しくは形
成される第1の接合用導体と、上記第2の部材に付着若
しくは塗布若しくは形成される第2の接合用導体とから
なり、上記第1の接合用導体は、常温において液体であ
る金属、若しくは当該金属と固溶すると融点が室温以上
となる金属であり、上記第2の接合用導体は、常温にお
いて液体である金属と固溶すると融点が室温以上となる
金属、若しくは常温において液体である金属であること
を特徴とする第8の発明に記載の磁気センサの製造方法
によって解決される。
発明である、基板と、上記基板上に形成される導体層
と、上記導体層上に所定の距離を隔てて夫々形成される
多層膜構造の第1及び第2の巨大磁気抵抗効果膜と有
し、上記第1の巨大磁気抵抗効果膜及び上記第2の巨大
磁気抵抗効果膜が、上記導体層を介して膜面に対して垂
直方向に電気的に直列に接続されて成る磁気センサによ
って解決され、第2の発明である、導体層と、上記導体
層上に所定の距離を隔てて夫々形成される多層膜構造の
第1及び第2の巨大磁気抵抗効果膜とからなり、上記第
1の巨大磁気抵抗効果膜及び上記第2の巨大磁気抵抗効
果膜が、上記導体層を介して膜面に対して垂直方向に電
気的に直列に接続されて成る単位素子が、基板上に横一
列に複数個並べられて成る第1の発明に記載の磁気セン
サによって解決され、第3の発明である、導体層と、上
記導体層上に所定の距離を隔てて夫々形成される多層膜
構造の第1及び第2の巨大磁気抵抗効果膜とからなり、
上記第1の巨大磁気抵抗効果膜及び上記第2の巨大磁気
抵抗効果膜が、上記導体層を介して膜面に対して垂直方
向に電気的に直列に接続されて成る単位素子が、基板上
に横一列にN個並べられて成る第1の部材と、導体層
と、上記導体層上に所定の距離を隔てて夫々形成される
第1及び第2の巨大磁気抵抗効果膜とからなり、上記第
1の巨大磁気抵抗効果膜及び上記第2の巨大磁気抵抗効
果膜が、上記導体層を介して膜面に対して垂直方向に電
気的に直列に接続されて成る単位素子が、基板上に横一
列に(N−2)個並べられて成る第2の部材とを有し、
上記第1の部材の上記第1及び第2の巨大磁気抵抗効果
膜と、上記第2の部材の第1及び第2の巨大磁気抵抗効
果膜とが、夫々接合用導体にて接着されることにより、
上記第1の部材と第2の部材が電気的に接合されて成る
磁気センサによって解決され、第4の発明である、上記
接合用導体の材料が低温ハンダであることを特徴とする
第3の発明に記載の磁気センサによって解決され、第5
の発明である、上記接合用導体は、上記第1の部材と上
記第2の部材との接合時に、上記第1の部材に付着若し
くは塗布若しくは形成される第1の接合用導体と、上記
第2の部材に付着若しくは塗布若しくは形成される第2
の接合用導体とからなり、上記第1の接合用導体は、常
温において液体である金属、若しくは当該金属と固溶す
ると融点が室温以上となる金属であり、上記第2の接合
用導体は、常温において液体である金属と固溶すると融
点が室温以上となる金属、若しくは常温において液体で
ある金属であることを特徴とする請求項3記載の磁気セ
ンサによって解決され、第6の発明である、基板上に導
体層を形成する工程と、上記導体層上に多層膜構造の巨
大磁気抵抗効果膜を形成する工程と、上記巨大磁気抵抗
効果膜上にレジスト層を形成する工程と、上記巨大磁気
抵抗効果膜及び上記導体層の一部をエッチングする工程
と、上記レジスト層を剥離する工程と、上記巨大抵抗効
果膜上に所定領域を除いてレジスト層を形成する工程
と、上記巨大抵抗効果膜の一部をエッチングすることに
より、上記巨大抵抗効果膜を複数の巨大抵抗効果膜に分
離する工程と、上記基板及び上記巨大抵抗効果膜を覆う
ように絶縁層を形成する工程と、上記絶縁層上に上記複
数の巨大抵抗効果膜を露出させるための範囲を除いてレ
ジスト層を形成する工程と、上記絶縁層の一部をエッチ
ングする工程と、上記レジスと層を剥離する工程と、上
記絶縁層の内、中心の絶縁層上にレジスト層を形成する
工程と、上記絶縁層、上記巨大抵抗効果膜及び上記レジ
スト層を覆うように導体層を形成する工程と、上記レジ
スト層上の導体層を除去する工程と、上記レジスト層を
剥離する工程とを含む磁気センサの製造方法によって解
決され、第7の発明である、第1の部材を形成する第1
の工程と、第2の部材を形成する第2の工程と、上記第
1の部材の多層膜構造の巨大磁気抵抗効果膜と上記第2
の部材の多層膜構造の巨大磁気抵抗効果膜を接合用導体
で接着する第3の工程とを含み、上記第1の工程及び上
記第2の工程は、夫々、下記の工程、即ち、(a)基板
上に導体層を形成する工程、(b)上記導体層上に多層
膜構造の巨大磁気抵抗効果膜を形成する工程、(c)上
記巨大磁気抵抗効果膜上にレジスト層を形成する工程、
(d)上記巨大磁気抵抗効果膜及び上記導体層の一部を
エッチングする工程、(e)上記レジスト層を剥離する
工程、(f)上記巨大抵抗効果膜上に所定領域を除いて
レジスト層を形成する工程、(g)上記巨大抵抗効果膜
の一部をエッチングすることにより、上記巨大抵抗効果
膜を複数の巨大抵抗効果膜に分離する工程を含むことを
特徴とする磁気センサの製造方法によって解決され、第
8の発明である、基板上に導体層を形成し、上記導体層
上に多層膜構造の巨大磁気抵抗効果膜を形成し、上記巨
大磁気抵抗効果膜上にレジスト層を形成し、上記巨大磁
気抵抗効果膜及び上記導体層の一部をエッチングし、上
記レジスト層を剥離し、上記巨大抵抗効果膜上に所定領
域を除いてレジスト層を形成し、上記巨大抵抗効果膜の
一部をエッチングすることにより第1及び第2の部材を
夫々形成する第1及び第2の工程と、上記第1の部材の
巨大磁気抵抗効果膜と上記第2の部材の巨大磁気抵抗効
果膜を接合用導体で接着する第3の工程とを含むことを
特徴とする磁気センサの製造方法によって解決され、第
9の発明である、上記接合用導体の材料が低温ハンダで
あることを特徴とする第8の発明に記載の磁気センサの
製造方法によって解決され、第10の発明である、上記
接合用導体は、上記第1の部材と上記第2の部材との接
合時に、上記第1の部材に付着若しくは塗布若しくは形
成される第1の接合用導体と、上記第2の部材に付着若
しくは塗布若しくは形成される第2の接合用導体とから
なり、上記第1の接合用導体は、常温において液体であ
る金属、若しくは当該金属と固溶すると融点が室温以上
となる金属であり、上記第2の接合用導体は、常温にお
いて液体である金属と固溶すると融点が室温以上となる
金属、若しくは常温において液体である金属であること
を特徴とする第8の発明に記載の磁気センサの製造方法
によって解決される。
【0013】本発明の磁気センサの製造方法により製造
される磁気センサによれば、基板上の多層膜構造の第1
及び第2の巨大磁気抵抗効果膜が導体層を介して膜面に
対して垂直方向に電気的に直列に接続されているので、
電流が第1の巨大磁気抵抗効果膜、導体層、第2の磁気
抵抗効果膜を順次流れる。従って、第1の巨大磁気抵抗
効果膜及び第2の磁気抵抗効果膜の合成抵抗値が磁気セ
ンサの抵抗値となる。
される磁気センサによれば、基板上の多層膜構造の第1
及び第2の巨大磁気抵抗効果膜が導体層を介して膜面に
対して垂直方向に電気的に直列に接続されているので、
電流が第1の巨大磁気抵抗効果膜、導体層、第2の磁気
抵抗効果膜を順次流れる。従って、第1の巨大磁気抵抗
効果膜及び第2の磁気抵抗効果膜の合成抵抗値が磁気セ
ンサの抵抗値となる。
【0014】これにより、巨大磁気抵抗効果膜を小さく
せずとも十分な抵抗値を得、以て十分に精度の高い測定
を行うことができ、且つ、記録密度の向上を図ることの
できる磁気センサを得ることができる。更に、巨大磁気
抵抗効果膜の上部に夫々端子を設けることができるの
で、上下に端子を設ける場合と比して、その製造工程数
を減らすことができる。
せずとも十分な抵抗値を得、以て十分に精度の高い測定
を行うことができ、且つ、記録密度の向上を図ることの
できる磁気センサを得ることができる。更に、巨大磁気
抵抗効果膜の上部に夫々端子を設けることができるの
で、上下に端子を設ける場合と比して、その製造工程数
を減らすことができる。
【0015】また、本発明の磁気センサの製造方法によ
り製造される磁気センサによれば、多層膜構造の第1の
巨大磁気抵抗効果膜及び多層膜構造の第2の巨大磁気抵
抗効果膜が上記導体層を介して膜面に対して垂直方向に
電気的に直列に接続されて成る単位素子が、基板上に横
一列に複数個並べられて成るので、電流が各単位素子の
第1の巨大磁気抵抗効果膜、導体層、第2の磁気抵抗効
果膜を順次流れる。従って、各単位素子の第1の巨大磁
気抵抗効果膜及び第2の磁気抵抗効果膜の合成抵抗値が
磁気センサの抵抗値となる。
り製造される磁気センサによれば、多層膜構造の第1の
巨大磁気抵抗効果膜及び多層膜構造の第2の巨大磁気抵
抗効果膜が上記導体層を介して膜面に対して垂直方向に
電気的に直列に接続されて成る単位素子が、基板上に横
一列に複数個並べられて成るので、電流が各単位素子の
第1の巨大磁気抵抗効果膜、導体層、第2の磁気抵抗効
果膜を順次流れる。従って、各単位素子の第1の巨大磁
気抵抗効果膜及び第2の磁気抵抗効果膜の合成抵抗値が
磁気センサの抵抗値となる。
【0016】これにより、巨大磁気抵抗効果膜を小さく
せずとも十分な抵抗値を得、以て十分に精度の高い測定
を行うことができ、且つ、記録密度の向上を図ることの
できる磁気センサを得ることができる。更に、両端の巨
大磁気抵抗効果膜を夫々端子することができるので、上
下に端子を設ける場合と比して、その製造工程数を減ら
すことができる。
せずとも十分な抵抗値を得、以て十分に精度の高い測定
を行うことができ、且つ、記録密度の向上を図ることの
できる磁気センサを得ることができる。更に、両端の巨
大磁気抵抗効果膜を夫々端子することができるので、上
下に端子を設ける場合と比して、その製造工程数を減ら
すことができる。
【0017】また、本発明の磁気センサの製造方法によ
り製造される磁気センサによれば、導体層上に所定の距
離を隔てて夫々形成される多層膜構造の第1及び第2の
巨大磁気抵抗効果膜が導体層を介して膜面に対して垂直
方向に電気的に直列に接続されて成る単位素子が、基板
上に横一列にN個並べられて成る第1の部材の第1及び
第2の巨大抵抗効果膜と、導体層上に所定の距離を隔て
て夫々形成される第1及び第2の巨大磁気抵抗効果膜が
導体層を介して膜面に対して垂直方向に電気的に直列に
接続されて成る単位素子が基板上に横一列に(N−2)
個並べられて成る第2の部材の第1及び第2の巨大抵抗
効果膜が夫々接合用導体にて接着されてなるので、電流
が第1の部材の第1及び第2の巨大磁気抵抗効果膜、接
着用導体、第2の部材の第2及び第1の巨大抵抗効果
膜、接着用導体を順次流れる。従って、第1及び第2の
部材の全ての第1の巨大磁気抵抗効果膜及び第2の磁気
抵抗効果膜の合成抵抗値が磁気センサの抵抗値となる。
り製造される磁気センサによれば、導体層上に所定の距
離を隔てて夫々形成される多層膜構造の第1及び第2の
巨大磁気抵抗効果膜が導体層を介して膜面に対して垂直
方向に電気的に直列に接続されて成る単位素子が、基板
上に横一列にN個並べられて成る第1の部材の第1及び
第2の巨大抵抗効果膜と、導体層上に所定の距離を隔て
て夫々形成される第1及び第2の巨大磁気抵抗効果膜が
導体層を介して膜面に対して垂直方向に電気的に直列に
接続されて成る単位素子が基板上に横一列に(N−2)
個並べられて成る第2の部材の第1及び第2の巨大抵抗
効果膜が夫々接合用導体にて接着されてなるので、電流
が第1の部材の第1及び第2の巨大磁気抵抗効果膜、接
着用導体、第2の部材の第2及び第1の巨大抵抗効果
膜、接着用導体を順次流れる。従って、第1及び第2の
部材の全ての第1の巨大磁気抵抗効果膜及び第2の磁気
抵抗効果膜の合成抵抗値が磁気センサの抵抗値となる。
【0018】これにより、巨大磁気抵抗効果膜を小さく
せずとも十分な抵抗値を得、以て十分に精度の高い測定
を行うことができ、且つ、記録密度の向上を図ることの
できる磁気センサを得ることができる。更に、両端の巨
大磁気抵抗効果膜を夫々端子することができると共に絶
縁層を不要とできるので、上下に端子を設ける場合と比
して、その製造工程数を減らすことができる。
せずとも十分な抵抗値を得、以て十分に精度の高い測定
を行うことができ、且つ、記録密度の向上を図ることの
できる磁気センサを得ることができる。更に、両端の巨
大磁気抵抗効果膜を夫々端子することができると共に絶
縁層を不要とできるので、上下に端子を設ける場合と比
して、その製造工程数を減らすことができる。
【0019】
【発明の実施の形態】次に図を参照しながら本発明の実
施例について説明する。 (第1の実施の形態)図1は本発明の第1実施例に係る
磁気センサを説明するための構造図、図2〜図4は本発
明の第1実施例に係る磁気センサの製造方法を説明する
ための製造フロー、図5は本発明の第1実施例に係る磁
気センサが磁気ディスクドライブの磁気ヘッドとして用
いられた場合の斜視図である。
施例について説明する。 (第1の実施の形態)図1は本発明の第1実施例に係る
磁気センサを説明するための構造図、図2〜図4は本発
明の第1実施例に係る磁気センサの製造方法を説明する
ための製造フロー、図5は本発明の第1実施例に係る磁
気センサが磁気ディスクドライブの磁気ヘッドとして用
いられた場合の斜視図である。
【0020】図1に示される磁気センサは、基板11上
に良導体層(導体層)12が形成され、この良導体層1
2上に超格子GMR膜13a及び13bが夫々形成さ
れ、これら超格子GMR膜13a及び13b上に端子1
5a及び15bが夫々形成されて構成される。ここで、
上記良導体層12、並びに上記端子15a及び15bの
材料は、例えば銅(Cu)が用いられる。また、上記超格
子GMR膜13a及び13bは、例えばコバルト鉄(Co
Fe)の層と、銅(Cu)の層とが交互に合計20層分積層
されて形成される。ここで、銅の層は非磁性層としての
役割を有する。また、上記超格子GMR層13a及び1
3bの各端部断面積は、夫々例えば1(1×1)−10
0(10×10)μm2である。直流4端子法によりセ
ンス電流100mAでMR比を測定した結果、上記端部
断面積が1μm2のとき約20%のMR比が、上記端部
断面積が2μm2のとき約10%のMR比が得られた。
に良導体層(導体層)12が形成され、この良導体層1
2上に超格子GMR膜13a及び13bが夫々形成さ
れ、これら超格子GMR膜13a及び13b上に端子1
5a及び15bが夫々形成されて構成される。ここで、
上記良導体層12、並びに上記端子15a及び15bの
材料は、例えば銅(Cu)が用いられる。また、上記超格
子GMR膜13a及び13bは、例えばコバルト鉄(Co
Fe)の層と、銅(Cu)の層とが交互に合計20層分積層
されて形成される。ここで、銅の層は非磁性層としての
役割を有する。また、上記超格子GMR層13a及び1
3bの各端部断面積は、夫々例えば1(1×1)−10
0(10×10)μm2である。直流4端子法によりセ
ンス電流100mAでMR比を測定した結果、上記端部
断面積が1μm2のとき約20%のMR比が、上記端部
断面積が2μm2のとき約10%のMR比が得られた。
【0021】このような結果が得られるのは、端部断面
積が1μm2のときの最小抵抗値が20mΩと非常に大
きくなったためであると考えられる。この抵抗値は、既
に説明した従来の超格子GMR膜の断面積が1μm2の
ときの抵抗値10mΩの2倍の値である。尚、上記超格
子GMR膜13a及び13bの各MR比は、CIPの方
法で測定した結果、15%、最小抵抗は23μΩcmで
あった。
積が1μm2のときの最小抵抗値が20mΩと非常に大
きくなったためであると考えられる。この抵抗値は、既
に説明した従来の超格子GMR膜の断面積が1μm2の
ときの抵抗値10mΩの2倍の値である。尚、上記超格
子GMR膜13a及び13bの各MR比は、CIPの方
法で測定した結果、15%、最小抵抗は23μΩcmで
あった。
【0022】媒体に記録されている情報のセンシング
は、図中、太い実線の矢印及び破線で示す方向に電流を
流しておき、この磁気センサの下部に位置する(図示せ
ず)媒体上の磁化方向に応じた抵抗値変化を、電圧変化
として抽出することによって行われる。ここで重要なこ
とは、電流が、超格子GMR膜13a及び13bを、夫
々CPPの方向、即ち、膜面に対して垂直方向に流れる
ことである。各超格子GMR膜13a及び13bの抵抗
値を夫々Ra及びRbとし、Ra=Rbとすると、上記
2つの超格子GMR膜13a及び13bの合計の抵抗値
は、Ra+Rbとなる。つまり、超格子GMR膜を1個
使用した場合の抵抗値の2倍の抵抗値を得ることができ
る。1個の超格子GMR膜で同じ抵抗値を得るためには
断面積をかなり小さくしなければならず製造が困難であ
る。
は、図中、太い実線の矢印及び破線で示す方向に電流を
流しておき、この磁気センサの下部に位置する(図示せ
ず)媒体上の磁化方向に応じた抵抗値変化を、電圧変化
として抽出することによって行われる。ここで重要なこ
とは、電流が、超格子GMR膜13a及び13bを、夫
々CPPの方向、即ち、膜面に対して垂直方向に流れる
ことである。各超格子GMR膜13a及び13bの抵抗
値を夫々Ra及びRbとし、Ra=Rbとすると、上記
2つの超格子GMR膜13a及び13bの合計の抵抗値
は、Ra+Rbとなる。つまり、超格子GMR膜を1個
使用した場合の抵抗値の2倍の抵抗値を得ることができ
る。1個の超格子GMR膜で同じ抵抗値を得るためには
断面積をかなり小さくしなければならず製造が困難であ
る。
【0023】しかしながら、本実施例においては、図1
に示すように、2個の超格子GMR膜13a及び13b
を形成し、これらに順次電流が流れるよう磁気センサの
形状をU字型にしたので、2個の超格子GMR膜13a
及び13bが膜面に対して垂直方向に電気的に直列に接
続され、これらの合計抵抗値を等価的に1つの超格子G
MR膜の抵抗値として得ることができる。よって、超格
子GMR膜を小さくせずとも十分な抵抗値を得、以て十
分に精度の高い測定を行うことができ、且つ、記録密度
の向上を図ることのできる磁気センサを得ることができ
る。また、各超格子GMR膜13a及び13bの上部に
夫々端子15a及び15bを形成しており、各超格子G
MR膜13a及び13bの下部に良導体層12を形成し
ているので、上下に端子を設ける場合と比して、その製
造工程数を減らすことができることは明かである。
に示すように、2個の超格子GMR膜13a及び13b
を形成し、これらに順次電流が流れるよう磁気センサの
形状をU字型にしたので、2個の超格子GMR膜13a
及び13bが膜面に対して垂直方向に電気的に直列に接
続され、これらの合計抵抗値を等価的に1つの超格子G
MR膜の抵抗値として得ることができる。よって、超格
子GMR膜を小さくせずとも十分な抵抗値を得、以て十
分に精度の高い測定を行うことができ、且つ、記録密度
の向上を図ることのできる磁気センサを得ることができ
る。また、各超格子GMR膜13a及び13bの上部に
夫々端子15a及び15bを形成しており、各超格子G
MR膜13a及び13bの下部に良導体層12を形成し
ているので、上下に端子を設ける場合と比して、その製
造工程数を減らすことができることは明かである。
【0024】次に、図2〜図4に示す製造フローを順次
参照して、図1に示した磁気センサの製造方法について
説明する。図2〜図4において、(a1)〜(l1)は
夫々磁気センサの平面図、(a2)〜(l2)は夫々上
記(a1)〜(l1)の断面図である。第1工程におい
ては、図2(a1)及び図2(a2)に示すように、基
板11上に銅を材料とした良導体層12を形成し、この
良導体層12上にコバルト鉄の層と銅の層を交互に合計
20層形成して、超格子GMR膜13を形成する。
参照して、図1に示した磁気センサの製造方法について
説明する。図2〜図4において、(a1)〜(l1)は
夫々磁気センサの平面図、(a2)〜(l2)は夫々上
記(a1)〜(l1)の断面図である。第1工程におい
ては、図2(a1)及び図2(a2)に示すように、基
板11上に銅を材料とした良導体層12を形成し、この
良導体層12上にコバルト鉄の層と銅の層を交互に合計
20層形成して、超格子GMR膜13を形成する。
【0025】第2工程においては、図2(b1)及び図
2(b2)に示すように、上記超格子GMR層13上に
レジスト層16を形成する。第3工程においては、図2
(c1)及び図2(c2)に示すように、ミリング法に
より超格子GMR層13及び良導体層12の一部をエッ
チングする。ここで、超格子GMR層13及び良導体層
12の残り部分は、図2(c1)において、縦0.5μ
m、横1.5μm程度である。
2(b2)に示すように、上記超格子GMR層13上に
レジスト層16を形成する。第3工程においては、図2
(c1)及び図2(c2)に示すように、ミリング法に
より超格子GMR層13及び良導体層12の一部をエッ
チングする。ここで、超格子GMR層13及び良導体層
12の残り部分は、図2(c1)において、縦0.5μ
m、横1.5μm程度である。
【0026】第4工程においては、図2(d1)及び図
2(d2)に示すように、レジスト16を剥離する。第
5工程においては、図2(e1)及び図2(e2)に示
すように、縦0.5μm、横0.5μm残して、レジス
ト層17を形成する。第6工程においては、図2(f
1)及び図2(f2)に示すように、ミリング法により
超格子GMR膜13の一部、即ち、縦0.5μm、横
0.5μmの範囲をエッチングし、レジスト層17を剥
離する。これにより、超格子GMR膜13を、超格子G
MR膜13aと、13bとに分離する。
2(d2)に示すように、レジスト16を剥離する。第
5工程においては、図2(e1)及び図2(e2)に示
すように、縦0.5μm、横0.5μm残して、レジス
ト層17を形成する。第6工程においては、図2(f
1)及び図2(f2)に示すように、ミリング法により
超格子GMR膜13の一部、即ち、縦0.5μm、横
0.5μmの範囲をエッチングし、レジスト層17を剥
離する。これにより、超格子GMR膜13を、超格子G
MR膜13aと、13bとに分離する。
【0027】第7工程においては、図2(g1)及び図
2(g2)に示すように、基板11、良導体層12、超
格子GMR膜13a及び13bを覆うようにアルミナを
材料とする絶縁層14を形成する。第8工程において
は、図2(h1)及び図2(h2)に示すように、上記
絶縁層14上に2つの正方形の領域を残してレジスト層
18を形成する。
2(g2)に示すように、基板11、良導体層12、超
格子GMR膜13a及び13bを覆うようにアルミナを
材料とする絶縁層14を形成する。第8工程において
は、図2(h1)及び図2(h2)に示すように、上記
絶縁層14上に2つの正方形の領域を残してレジスト層
18を形成する。
【0028】第9工程においては、図2(i1)及び図
2(i2)に示すように、ミリング法により絶縁層14
の一部、即ち、2つの正方形の範囲をエッチングし、レ
ジスト層18を剥離する。これにより、上記2つの正方
形の範囲だけ、超格子GMR膜13aと、13bが現れ
る。第10工程においては、図2(j1)及び図2(j
2)に示すように、中央の絶縁層14上にレジスト層1
9を形成する。
2(i2)に示すように、ミリング法により絶縁層14
の一部、即ち、2つの正方形の範囲をエッチングし、レ
ジスト層18を剥離する。これにより、上記2つの正方
形の範囲だけ、超格子GMR膜13aと、13bが現れ
る。第10工程においては、図2(j1)及び図2(j
2)に示すように、中央の絶縁層14上にレジスト層1
9を形成する。
【0029】第11工程においては、図2(k1)及び
図2(k2)に示すように、超格子GMR膜13a及び
13b、絶縁層14並びにレジスト層14を覆うよう
に、銅を材料とする端子層15を形成する。第12工程
においては、図2(l1)及び図2(l2)に示すよう
に、リフトオフ法により、レジスト層19並びにレジス
ト層19上の端子層15を剥離する。これにより、端子
15a及び15bが形成される。
図2(k2)に示すように、超格子GMR膜13a及び
13b、絶縁層14並びにレジスト層14を覆うよう
に、銅を材料とする端子層15を形成する。第12工程
においては、図2(l1)及び図2(l2)に示すよう
に、リフトオフ法により、レジスト層19並びにレジス
ト層19上の端子層15を剥離する。これにより、端子
15a及び15bが形成される。
【0030】以上のような製造工程を経て製造された磁
気センサは、図5に示すように磁気ヘッドとして使用さ
れる。図5に示されるように、磁気センサは、各端子1
5a及び15bに夫々ヘッド支持部(図示せず)の端子
Ta及びTbが接合されることによって、ヘッド支持部
に支持される。そして、ハードディスクHDのトラック
TR上の磁化方向に応じた電圧が抽出されることによっ
て、情報の読み込みが行われる。 (第2の実施の形態)図6は本発明の第2実施例に係る
磁気センサを説明するための構造図である。
気センサは、図5に示すように磁気ヘッドとして使用さ
れる。図5に示されるように、磁気センサは、各端子1
5a及び15bに夫々ヘッド支持部(図示せず)の端子
Ta及びTbが接合されることによって、ヘッド支持部
に支持される。そして、ハードディスクHDのトラック
TR上の磁化方向に応じた電圧が抽出されることによっ
て、情報の読み込みが行われる。 (第2の実施の形態)図6は本発明の第2実施例に係る
磁気センサを説明するための構造図である。
【0031】この図6に示される磁気センサは、基板1
01上に良導体層102が形成され、これら良導体層1
02上に複数の超格子GMR膜103が形成され、上記
良導体層102、並びに上記超格子GMR膜103を夫
々挟むように、また、上記超格子GMR膜103の間に
夫々絶縁層104が形成され、上記超格子GMR膜10
3並びに上記絶縁層104上に複数の端子105が形成
されて構成される。尚、図6に示される磁気センサの製
造工程は、既に説明した図2〜図4に示される製造フロ
ーを基本として実現できるので、図示及びその説明を省
略する。
01上に良導体層102が形成され、これら良導体層1
02上に複数の超格子GMR膜103が形成され、上記
良導体層102、並びに上記超格子GMR膜103を夫
々挟むように、また、上記超格子GMR膜103の間に
夫々絶縁層104が形成され、上記超格子GMR膜10
3並びに上記絶縁層104上に複数の端子105が形成
されて構成される。尚、図6に示される磁気センサの製
造工程は、既に説明した図2〜図4に示される製造フロ
ーを基本として実現できるので、図示及びその説明を省
略する。
【0032】ここで、上記良導体層102、並びに上記
端子105の材料は、例えば銅(Cu)が用いられる。ま
た、上記超格子GMR膜103は、例えばコバルト鉄
(CoFe)の層と、銅(Cu)の層とが交互に合計20層分
積層されて形成される。ここで、銅の層は非磁性層とし
ての役割を有する。また、上記超格子GMR層103の
各端部断面積は、夫々例えば1(1×1)−100(1
0×10)μm2である。
端子105の材料は、例えば銅(Cu)が用いられる。ま
た、上記超格子GMR膜103は、例えばコバルト鉄
(CoFe)の層と、銅(Cu)の層とが交互に合計20層分
積層されて形成される。ここで、銅の層は非磁性層とし
ての役割を有する。また、上記超格子GMR層103の
各端部断面積は、夫々例えば1(1×1)−100(1
0×10)μm2である。
【0033】紙面の都合上、6個の超格子GMR膜10
3しか示していないが、実際は20個の超格子GMR膜
103を用いている。この場合、直流4端子法によりセ
ンス電流100mAでMR比を測定した結果、上記端部
断面積が20μm2以下のとき約20%のMR比が得ら
れた。媒体に記録されている情報のセンシングは、図
中、太い実線の矢印及び破線で示す方向に電流を流して
おき、この磁気センサの下部に位置する(図示せず)媒
体上の磁化方向に応じた抵抗値変化を、電圧変化として
抽出することによって行われる。
3しか示していないが、実際は20個の超格子GMR膜
103を用いている。この場合、直流4端子法によりセ
ンス電流100mAでMR比を測定した結果、上記端部
断面積が20μm2以下のとき約20%のMR比が得ら
れた。媒体に記録されている情報のセンシングは、図
中、太い実線の矢印及び破線で示す方向に電流を流して
おき、この磁気センサの下部に位置する(図示せず)媒
体上の磁化方向に応じた抵抗値変化を、電圧変化として
抽出することによって行われる。
【0034】ここで重要なことは、電流が、20個の超
格子GMR膜103を、夫々CPPの方向、即ち、膜面
に対して垂直方向に流れることである。各超格子GMR
膜103の各抵抗値を夫々Rとすると、上記20個の超
格子GMR膜103の合計の抵抗値は、20・Rとな
る。つまり、超格子GMR膜を1個使用した場合の抵抗
値の20倍の抵抗値を得ることができる。1個の超格子
GMR膜で同じ抵抗値を得るためには断面積をかなり小
さくしなければならず製造が困難である。
格子GMR膜103を、夫々CPPの方向、即ち、膜面
に対して垂直方向に流れることである。各超格子GMR
膜103の各抵抗値を夫々Rとすると、上記20個の超
格子GMR膜103の合計の抵抗値は、20・Rとな
る。つまり、超格子GMR膜を1個使用した場合の抵抗
値の20倍の抵抗値を得ることができる。1個の超格子
GMR膜で同じ抵抗値を得るためには断面積をかなり小
さくしなければならず製造が困難である。
【0035】しかしながら、本実施例においては、図6
に示すように、20個の超格子GMR膜103を形成
し、これらに順次電流が流れるよう磁気センサの形状を
多数のU字型素子を結合して構成したので、20個の超
格子GMR膜103が膜面に対して垂直に電気的に直列
に接続され、これらの合計抵抗値を等価的に1つの超格
子GMR膜の抵抗値として得ることができる。
に示すように、20個の超格子GMR膜103を形成
し、これらに順次電流が流れるよう磁気センサの形状を
多数のU字型素子を結合して構成したので、20個の超
格子GMR膜103が膜面に対して垂直に電気的に直列
に接続され、これらの合計抵抗値を等価的に1つの超格
子GMR膜の抵抗値として得ることができる。
【0036】よって、超格子GMR膜を小さくせずとも
十分な抵抗値を得、以て十分に精度の高い測定を行うこ
とができ、且つ、記録密度の向上を図ることのできる磁
気センサを得ることができる。また、両端の超格子GM
R膜103の上部に夫々端子105を形成しており、各
超格子GMR膜103の下部に良導体層102を形成し
ているので、上下に端子を設ける場合と比して、その製
造工程数を減らすことができることは明かである。 (第3の実施の形態)図7は本発明の第2実施例に係る
磁気センサを説明するための構造図である。
十分な抵抗値を得、以て十分に精度の高い測定を行うこ
とができ、且つ、記録密度の向上を図ることのできる磁
気センサを得ることができる。また、両端の超格子GM
R膜103の上部に夫々端子105を形成しており、各
超格子GMR膜103の下部に良導体層102を形成し
ているので、上下に端子を設ける場合と比して、その製
造工程数を減らすことができることは明かである。 (第3の実施の形態)図7は本発明の第2実施例に係る
磁気センサを説明するための構造図である。
【0037】この図7に示される磁気センサは次のよう
にして構成される。即ち、基板201上に複数の良導体
層202が形成され、これらの良導体層202の各両端
部に夫々超格子GMR膜203が形成されて第1の部材
が構成される。一方、基板206上に複数の良導体層2
05が形成され、これら良導体層205の各両端部に夫
々超格子GMR膜203が形成されて第2の部材が構成
される。そして、上記第1の部材の各超格子GMR膜2
03と、上記第2の部材の各超格子GMR膜203とが
接合用導体210で接着されて磁気センサが構成され
る。
にして構成される。即ち、基板201上に複数の良導体
層202が形成され、これらの良導体層202の各両端
部に夫々超格子GMR膜203が形成されて第1の部材
が構成される。一方、基板206上に複数の良導体層2
05が形成され、これら良導体層205の各両端部に夫
々超格子GMR膜203が形成されて第2の部材が構成
される。そして、上記第1の部材の各超格子GMR膜2
03と、上記第2の部材の各超格子GMR膜203とが
接合用導体210で接着されて磁気センサが構成され
る。
【0038】このとき、図7に示されるように、良導体
層205、超格子GMR膜203、接合用導体210、
基板201に囲まれる空隙211が形成され、これは各
部間のスペーサとして機能する。尚、図7に示される磁
気センサの製造工程は、既に説明した図2〜図4に示さ
れる製造フローを基本にし、上記第1の部材と第2の部
材の接合工程を加えるだけで実現できるので、図示及び
その説明を省略する。
層205、超格子GMR膜203、接合用導体210、
基板201に囲まれる空隙211が形成され、これは各
部間のスペーサとして機能する。尚、図7に示される磁
気センサの製造工程は、既に説明した図2〜図4に示さ
れる製造フローを基本にし、上記第1の部材と第2の部
材の接合工程を加えるだけで実現できるので、図示及び
その説明を省略する。
【0039】ここで、上記良導体層202の材料は、例
えば銅(Cu)が用いられる。また、上記超格子GMR膜
203は、例えばコバルト鉄(CoFe)の層と、銅(Cu)
の層とが交互に合計20層分積層されて形成される。こ
こで、銅の層は非磁性層としての役割を有する。また、
上記超格子GMR層203の各端部断面積は、夫々例え
ば1(1×1)−100(10×10)μm2である。
ここで、上記接着材としては、例えば低温ハンダを用い
る。この場合の接合は、蒸着→接合→熱処理の順で行わ
れる。
えば銅(Cu)が用いられる。また、上記超格子GMR膜
203は、例えばコバルト鉄(CoFe)の層と、銅(Cu)
の層とが交互に合計20層分積層されて形成される。こ
こで、銅の層は非磁性層としての役割を有する。また、
上記超格子GMR層203の各端部断面積は、夫々例え
ば1(1×1)−100(10×10)μm2である。
ここで、上記接着材としては、例えば低温ハンダを用い
る。この場合の接合は、蒸着→接合→熱処理の順で行わ
れる。
【0040】尚、上記接合用導体としては、上記第1の
部材と第2の部材との接合時には液体で、接合後には固
体となる金属が望ましい。例えば、第1の部材の各超格
子GMR膜203に夫々水銀(Hg)を塗布し、第2の部
材の各超格子GMR膜203に夫々リチウム(Li)の層
を形成し、これらを接合することにより、リチウム水銀
(LiHg)といった、融点が約590°Cの金属間化合物
が形成される。従って、第1の部材と第2の部材を容易
に堅固に接合することが可能となる。またこの方法を採
用した場合には、熱をかけることなく第1の部材と第2
の部材を接合できるので、超格子GMR膜203を熱に
より劣化させることがない。尚、本出願人は、実験によ
り、上記方法によって接合した第1の部材と第2の部材
が、250°Cの熱処理にも耐えることができることを
確認した。
部材と第2の部材との接合時には液体で、接合後には固
体となる金属が望ましい。例えば、第1の部材の各超格
子GMR膜203に夫々水銀(Hg)を塗布し、第2の部
材の各超格子GMR膜203に夫々リチウム(Li)の層
を形成し、これらを接合することにより、リチウム水銀
(LiHg)といった、融点が約590°Cの金属間化合物
が形成される。従って、第1の部材と第2の部材を容易
に堅固に接合することが可能となる。またこの方法を採
用した場合には、熱をかけることなく第1の部材と第2
の部材を接合できるので、超格子GMR膜203を熱に
より劣化させることがない。尚、本出願人は、実験によ
り、上記方法によって接合した第1の部材と第2の部材
が、250°Cの熱処理にも耐えることができることを
確認した。
【0041】紙面の都合上、第1の部材に8個の超格子
GMR膜203、第2の部材に6個の超格子GMR膜2
03しか示していないが、実際は第1の部材に20個の
超格子GMR膜203、第2の部材に18個の超格子G
MR膜203を用いている。直流4端子法によりセンス
電流100mAでMR比を測定した結果、上記端部断面
積が40μm2以下のとき約20%のMR比が得られ
た。
GMR膜203、第2の部材に6個の超格子GMR膜2
03しか示していないが、実際は第1の部材に20個の
超格子GMR膜203、第2の部材に18個の超格子G
MR膜203を用いている。直流4端子法によりセンス
電流100mAでMR比を測定した結果、上記端部断面
積が40μm2以下のとき約20%のMR比が得られ
た。
【0042】媒体に記録されている情報のセンシング
は、図中、太い実線の矢印及び破線で示す方向に電流を
流しておき、この磁気センサの下部に位置する(図示せ
ず)媒体上の磁化方向に応じた抵抗値変化を、電圧変化
として抽出することによって行われる。尚、この磁気セ
ンサでは、第1の部材の両端の超格子GMR膜203が
夫々端子となる。
は、図中、太い実線の矢印及び破線で示す方向に電流を
流しておき、この磁気センサの下部に位置する(図示せ
ず)媒体上の磁化方向に応じた抵抗値変化を、電圧変化
として抽出することによって行われる。尚、この磁気セ
ンサでは、第1の部材の両端の超格子GMR膜203が
夫々端子となる。
【0043】ここで重要なことは、電流が、複数の超格
子GMR膜203を、夫々CPPの方向、即ち、膜面に
対して垂直方向に流れることである。各超格子GMR膜
203の各抵抗値を夫々Rとすると、上記38個の超格
子GMR膜203の合計の抵抗値は、38・Rとなる。
つまり、超格子GMR膜を1個使用した場合の抵抗値の
38倍の抵抗値を得ることができる。1個の超格子GM
R膜で同じ抵抗値を得るためには断面積をかなり小さく
しなければならず製造が困難である。
子GMR膜203を、夫々CPPの方向、即ち、膜面に
対して垂直方向に流れることである。各超格子GMR膜
203の各抵抗値を夫々Rとすると、上記38個の超格
子GMR膜203の合計の抵抗値は、38・Rとなる。
つまり、超格子GMR膜を1個使用した場合の抵抗値の
38倍の抵抗値を得ることができる。1個の超格子GM
R膜で同じ抵抗値を得るためには断面積をかなり小さく
しなければならず製造が困難である。
【0044】しかしながら、本実施例においては、図7
に示すように、38個の超格子GMR膜203を形成
し、これらに順次電流が流れるよう磁気センサの形状を
多数のU字型素子を結合して構成したので、38個の超
格子GMR膜203が膜面に対して垂直に電気的に直列
に接続され、これらの合計抵抗値を等価的に1つの超格
子GMR膜の抵抗値として得ることができる。よって、
超格子GMR膜を小さくせずとも十分な抵抗値を得、以
て十分に精度の高い測定を行うことができ、且つ、記録
密度の向上を図ることのできる磁気センサを得ることが
できる。また、第1の部材の両端の超格子GMR膜20
3を端子としているので、上下に端子を設ける場合と比
して、その製造工程数を減らすことができることは明か
である。
に示すように、38個の超格子GMR膜203を形成
し、これらに順次電流が流れるよう磁気センサの形状を
多数のU字型素子を結合して構成したので、38個の超
格子GMR膜203が膜面に対して垂直に電気的に直列
に接続され、これらの合計抵抗値を等価的に1つの超格
子GMR膜の抵抗値として得ることができる。よって、
超格子GMR膜を小さくせずとも十分な抵抗値を得、以
て十分に精度の高い測定を行うことができ、且つ、記録
密度の向上を図ることのできる磁気センサを得ることが
できる。また、第1の部材の両端の超格子GMR膜20
3を端子としているので、上下に端子を設ける場合と比
して、その製造工程数を減らすことができることは明か
である。
【0045】
【発明の効果】本発明の磁気センサの製造方法により製
造される磁気センサによれば、基板上の多層膜構造の第
1及び第2の巨大磁気抵抗効果膜が導体層を介して膜面
に対して垂直方向に電気的に直列に接続されているの
で、電流が第1の巨大磁気抵抗効果膜、導体層、第2の
磁気抵抗効果膜を順次流れる。従って、第1の巨大磁気
抵抗効果膜及び第2の磁気抵抗効果膜の合成抵抗値が磁
気センサの抵抗値となる。
造される磁気センサによれば、基板上の多層膜構造の第
1及び第2の巨大磁気抵抗効果膜が導体層を介して膜面
に対して垂直方向に電気的に直列に接続されているの
で、電流が第1の巨大磁気抵抗効果膜、導体層、第2の
磁気抵抗効果膜を順次流れる。従って、第1の巨大磁気
抵抗効果膜及び第2の磁気抵抗効果膜の合成抵抗値が磁
気センサの抵抗値となる。
【0046】これにより、巨大磁気抵抗効果膜を小さく
せずとも十分な抵抗値を得、以て十分に精度の高い測定
を行うことができ、且つ、記録密度の向上を図ることの
できる磁気センサを得ることができる。更に、巨大磁気
抵抗効果膜の上部に夫々端子を設けることができるの
で、上下に端子を設ける場合と比して、その製造工程数
を減らすことができる。
せずとも十分な抵抗値を得、以て十分に精度の高い測定
を行うことができ、且つ、記録密度の向上を図ることの
できる磁気センサを得ることができる。更に、巨大磁気
抵抗効果膜の上部に夫々端子を設けることができるの
で、上下に端子を設ける場合と比して、その製造工程数
を減らすことができる。
【0047】また、本発明の磁気センサの製造方法によ
り製造される磁気センサによれば、多層膜構造の第1の
巨大磁気抵抗効果膜及び多層膜構造の第2の巨大磁気抵
抗効果膜が上記導体層を介して膜面に対して垂直方向に
電気的に直列に接続されて成る単位素子が、基板上に横
一列に複数個並べられて成るので、電流が各単位素子の
第1の巨大磁気抵抗効果膜、導体層、第2の磁気抵抗効
果膜を順次流れる。従って、各単位素子の第1の巨大磁
気抵抗効果膜及び第2の磁気抵抗効果膜の合成抵抗値が
磁気センサの抵抗値となる。
り製造される磁気センサによれば、多層膜構造の第1の
巨大磁気抵抗効果膜及び多層膜構造の第2の巨大磁気抵
抗効果膜が上記導体層を介して膜面に対して垂直方向に
電気的に直列に接続されて成る単位素子が、基板上に横
一列に複数個並べられて成るので、電流が各単位素子の
第1の巨大磁気抵抗効果膜、導体層、第2の磁気抵抗効
果膜を順次流れる。従って、各単位素子の第1の巨大磁
気抵抗効果膜及び第2の磁気抵抗効果膜の合成抵抗値が
磁気センサの抵抗値となる。
【0048】これにより、巨大磁気抵抗効果膜を小さく
せずとも十分な抵抗値を得、以て十分に精度の高い測定
を行うことができ、且つ、記録密度の向上を図ることの
できる磁気センサを得ることができる。更に、両端の巨
大磁気抵抗効果膜を夫々端子することができるので、上
下に端子を設ける場合と比して、その製造工程数を減ら
すことができる。
せずとも十分な抵抗値を得、以て十分に精度の高い測定
を行うことができ、且つ、記録密度の向上を図ることの
できる磁気センサを得ることができる。更に、両端の巨
大磁気抵抗効果膜を夫々端子することができるので、上
下に端子を設ける場合と比して、その製造工程数を減ら
すことができる。
【0049】また、本発明の磁気センサの製造方法によ
り製造される磁気センサによれば、導体層上に所定の距
離を隔てて夫々形成される多層膜構造の第1及び第2の
巨大磁気抵抗効果膜が導体層を介して膜面に対して垂直
方向に電気的に直列に接続されて成る単位素子が、基板
上に横一列にN個並べられて成る第1の部材の第1及び
第2の巨大抵抗効果膜と、導体層上に所定の距離を隔て
て夫々形成される第1及び第2の巨大磁気抵抗効果膜が
導体層を介して膜面に対して垂直方向に電気的に直列に
接続されて成る単位素子が基板上に横一列に(N−2)
個並べられて成る第2の部材の第1及び第2の巨大抵抗
効果膜が夫々接合用導体にて接着されてなるので、電流
が第1の部材の第1及び第2の巨大磁気抵抗効果膜、接
着用導体、第2の部材の第2及び第1の巨大抵抗効果
膜、接着用導体を順次流れる。従って、第1及び第2の
部材の全ての第1の巨大磁気抵抗効果膜及び第2の磁気
抵抗効果膜の合成抵抗値が磁気センサの抵抗値となる。
り製造される磁気センサによれば、導体層上に所定の距
離を隔てて夫々形成される多層膜構造の第1及び第2の
巨大磁気抵抗効果膜が導体層を介して膜面に対して垂直
方向に電気的に直列に接続されて成る単位素子が、基板
上に横一列にN個並べられて成る第1の部材の第1及び
第2の巨大抵抗効果膜と、導体層上に所定の距離を隔て
て夫々形成される第1及び第2の巨大磁気抵抗効果膜が
導体層を介して膜面に対して垂直方向に電気的に直列に
接続されて成る単位素子が基板上に横一列に(N−2)
個並べられて成る第2の部材の第1及び第2の巨大抵抗
効果膜が夫々接合用導体にて接着されてなるので、電流
が第1の部材の第1及び第2の巨大磁気抵抗効果膜、接
着用導体、第2の部材の第2及び第1の巨大抵抗効果
膜、接着用導体を順次流れる。従って、第1及び第2の
部材の全ての第1の巨大磁気抵抗効果膜及び第2の磁気
抵抗効果膜の合成抵抗値が磁気センサの抵抗値となる。
【0050】これにより、巨大磁気抵抗効果膜を小さく
せずとも十分な抵抗値を得、以て十分に精度の高い測定
を行うことができ、且つ、記録密度の向上を図ることの
できる磁気センサを得ることができる。更に、両端の巨
大磁気抵抗効果膜を夫々端子することができると共に絶
縁層を不要とできるので、上下に端子を設ける場合と比
して、その製造工程数を減らすことができる。
せずとも十分な抵抗値を得、以て十分に精度の高い測定
を行うことができ、且つ、記録密度の向上を図ることの
できる磁気センサを得ることができる。更に、両端の巨
大磁気抵抗効果膜を夫々端子することができると共に絶
縁層を不要とできるので、上下に端子を設ける場合と比
して、その製造工程数を減らすことができる。
【図1】図1は本発明の第1の実施例に係る磁気センサ
の断面図である。
の断面図である。
【図2】図2は図1に示した第1の実施例に係る磁気セ
ンサの製造方法を説明するための平面図と断面図(その
1)である。
ンサの製造方法を説明するための平面図と断面図(その
1)である。
【図3】図3は図1に示した第1の実施例に係る磁気セ
ンサの製造方法を説明するための平面図と断面図(その
2)である。
ンサの製造方法を説明するための平面図と断面図(その
2)である。
【図4】図4は図1に示した第1の実施例に係る磁気セ
ンサの製造方法を説明するための平面図と断面図(その
3)である。
ンサの製造方法を説明するための平面図と断面図(その
3)である。
【図5】図5は図1に示した第1の実施例に係る磁気セ
ンサの斜視図である。
ンサの斜視図である。
【図6】図6は本発明の第2実施例に係る磁気センサの
断面図である。
断面図である。
【図7】図7は本発明の第3実施例に係る磁気センサの
断面図である。
断面図である。
【図8】図8は従来例に係る磁気センサの断面図であ
る。
る。
【図9】図9は従来例に係る磁気センサの説明に供する
MR比とGMR部の膜厚との関係を示すグラフである。
MR比とGMR部の膜厚との関係を示すグラフである。
11、101、201 基板 12、102、202、205 良導体層 13(13a、13b)、103、203 超格子GM
R膜 14、104 絶縁層 15、105 端子層 15a、15b、105 端子 16、17、18、19 レジスト 210 接合用導体 211 空隙部
R膜 14、104 絶縁層 15、105 端子層 15a、15b、105 端子 16、17、18、19 レジスト 210 接合用導体 211 空隙部
Claims (10)
- 【請求項1】 基板と、 基板上に形成された導体層と、 上記導体層上に所定の距離を隔てて形成された第1及び
第2の多層膜構造の巨大磁気抵抗効果膜とを有し、 前記第1の巨大磁気抵抗効果膜及び前記第2の巨大磁気
抵抗効果膜が、前記導体層上に膜面に対して垂直方向に
電気的に直列に接続されて成る磁気センサ。 - 【請求項2】 前記導体層上に前記導体層の表面に対し
て垂直方向に形成され電気的に直列に接続されて成る単
位素子が、基板上に横一列に複数個並べられて成る請求
項1記載の磁気センサ。 - 【請求項3】 導体層と、上記導体層上に所定の距離を
隔てて夫々形成される多層膜構造の第1及び第2の巨大
磁気抵抗効果膜とからなり、上記第1の巨大磁気抵抗効
果膜及び上記第2の巨大磁気抵抗効果膜が、上記導体層
を介して膜面に対して垂直方向に電気的に直列に接続さ
れて成る単位素子が、基板上に横一列にN個並べられて
成る第1の部材と、 導体層と、上記導体層上に所定の距離を隔てて夫々形成
される多層膜構造の第1及び第2の巨大磁気抵抗効果膜
とからなり、上記第1の巨大磁気抵抗効果膜及び上記第
2の巨大磁気抵抗効果膜が、上記導体層を介して膜面に
対して垂直方向に電気的に直列に接続されて成る単位素
子が、基板上に横一列に(N−2)個並べられて成る第
2の部材とを有し、 上記第1の部材の上記第1及び第2の巨大磁気抵抗効果
膜と、上記第2の部材の第1及び第2の巨大磁気抵抗効
果膜とが、夫々接合用導体にて接着されることにより、
上記第1の部材と第2の部材が電気的に接合されて成る
磁気センサ。 - 【請求項4】 上記接合用導体の材料が低温ハンダであ
ることを特徴とする請求項3記載の磁気センサ。 - 【請求項5】 上記接合用導体は、上記第1の部材と上
記第2の部材との接合時に、上記第1の部材に付着若し
くは塗布若しくは形成される第1の接合用導体と、上記
第2の部材に付着若しくは塗布若しくは形成される第2
の接合用導体とからなり、 上記第1の接合用導体は、常温において液体である金
属、若しくは当該金属と固溶すると融点が室温以上とな
る金属であり、 上記第2の接合用導体は、常温において液体である金属
と固溶すると融点が室温以上となる金属、若しくは常温
において液体である金属であることを特徴とする請求項
3記載の磁気センサ。 - 【請求項6】 基板上に導体層を形成する工程と、 上記導体層上に多層膜構造の巨大磁気抵抗効果膜を形成
する工程と、 上記巨大磁気抵抗効果膜上にレジスト層を形成する工程
と、 上記巨大磁気抵抗効果膜及び上記導体層の一部をエッチ
ングする工程と、 上記レジスト層を剥離する工程と、 上記巨大抵抗効果膜上に所定領域を除いてレジスト層を
形成する工程と、 上記巨大抵抗効果膜の一部をエッチングすることによ
り、上記巨大抵抗効果膜を複数の巨大抵抗効果膜に分離
する工程と、 上記基板及び上記巨大抵抗効果膜を覆うように絶縁層を
形成する工程と、 上記絶縁層上に上記複数の巨大抵抗効果膜を露出させる
ための範囲を除いてレジスト層を形成する工程と、 上記絶縁層の一部をエッチングする工程と、 上記レジスと層を剥離する工程と、 上記絶縁層の内、中心の絶縁層上にレジスト層を形成す
る工程と、 上記絶縁層、上記巨大抵抗効果膜及び上記レジスト層を
覆うように導体層を形成する工程と、 上記レジスト層
上の導体層を除去する工程と、 上記レジスト層を剥離する工程とを含む磁気センサの製
造方法。 - 【請求項7】 第1の部材を形成する第1の工程と、 第2の部材を形成する第2の工程と、 上記第1の部材の多層膜構造の巨大磁気抵抗効果膜と上
記第2の部材の多層膜構造の巨大磁気抵抗効果膜を接合
用導体で接着する第3の工程とを含み、 上記第1の工程及び上記第2の工程は、夫々、下記の工
程を含むことを特徴とする磁気センサの製造方法。 (a)基板上に導体層を形成する工程、 (b)上記導体層上に多層膜構造の巨大磁気抵抗効果膜
を形成する工程、 (c)上記巨大磁気抵抗効果膜上にレジスト層を形成す
る工程、 (d)上記巨大磁気抵抗効果膜及び上記導体層の一部を
エッチングする工程、 (e)上記レジスト層を剥離する工程、 (f)上記巨大抵抗効果膜上に所定領域を除いてレジス
ト層を形成する工程、 (g)上記巨大抵抗効果膜の一部をエッチングすること
により、上記巨大抵抗効果膜を複数の巨大抵抗効果膜に
分離する工程。 - 【請求項8】基板上に導体層を形成し、上記導体層上に
多層膜構造の巨大磁気抵抗効果膜を形成し、上記巨大磁
気抵抗効果膜上にレジスト層を形成し、上記巨大磁気抵
抗効果膜及び上記導体層の一部をエッチングし、上記レ
ジスト層を剥離し、上記巨大抵抗効果膜上に所定領域を
除いてレジスト層を形成し、上記巨大抵抗効果膜の一部
をエッチングすることにより第1及び第2の部材を夫々
形成する第1及び第2の工程と、 上記第1の部材の巨大磁気抵抗効果膜と上記第2の部材
の巨大磁気抵抗効果膜を接合用導体で接着する第3の工
程とを含むことを特徴とする磁気センサの製造方法。 - 【請求項9】 上記接合用導体の材料が低温ハンダであ
ることを特徴とする請求項8記載の磁気センサの製造方
法。 - 【請求項10】 上記接合用導体は、上記第1の部材と
上記第2の部材との接合時に、上記第1の部材に付着若
しくは塗布若しくは形成される第1の接合用導体と、上
記第2の部材に付着若しくは塗布若しくは形成される第
2の接合用導体とからなり、 上記第1の接合用導体は、常温において液体である金
属、若しくは当該金属と固溶すると融点が室温以上とな
る金属であり、 上記第2の接合用導体は、常温において液体である金属
と固溶すると融点が室温以上となる金属、若しくは常温
において液体である金属であることを特徴とする請求項
8記載の磁気センサの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3310898A JPH11232618A (ja) | 1998-02-16 | 1998-02-16 | 磁気センサ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3310898A JPH11232618A (ja) | 1998-02-16 | 1998-02-16 | 磁気センサ及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11232618A true JPH11232618A (ja) | 1999-08-27 |
Family
ID=12377478
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3310898A Withdrawn JPH11232618A (ja) | 1998-02-16 | 1998-02-16 | 磁気センサ及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11232618A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US6717780B2 (en) | 2000-05-10 | 2004-04-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetoresistive device and/or multi-magnetoresistive device |
CN103886873A (zh) * | 2012-12-21 | 2014-06-25 | 希捷科技有限公司 | 多读取器方法和装置 |
-
1998
- 1998-02-16 JP JP3310898A patent/JPH11232618A/ja not_active Withdrawn
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