JPH11231944A - Temperature controller - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To facilitate the temperature control of a temperature controlled object by connecting a discharge path that is common to plural stage units and returning temperature fluid to a liquid storage tank through the discharge path after it is injected and supplied to each fluid injection chamber. SOLUTION: Plural stage units 10 are mutually laminated and a regenerator tank for low temperature 70 and a regenerator tank for high temperature 80 are respectively provided at positions under the units 10. And a pair of common discharge paths 55 and 65 is connected to each unit 10, the return inlets of the tanks 70 and 80 are respectively connected to the paths 55 and 65 and temperature liquid is returned to the tanks 70 and 80 respectively after it is injected and supplied to the fluid injection chamber of each unit 10 through the paths 55 and 65.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハ等の
被温度制御対象物に対して所定の設定温度に調整した温
度流体を噴射供給することにより、該被温度制御対象物
の温度制御を行う温度制御装置の改良に関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention controls the temperature of an object to be controlled, such as a semiconductor wafer, by injecting and supplying a temperature fluid adjusted to a predetermined temperature to the object to be controlled. The present invention relates to an improvement in a temperature control device.

【０００２】[0002]

【従来の技術】例えば、半導体製造工程においてウェハ
の温度制御を行う装置としては、ウェハを載置させるヒ
ートプレートの内部に密閉の流体供給室を構成したステ
ージユニット（以下、単に密閉型ステージユニットと称
する）を具備し、蓄熱タンクに貯留した温度流体をこの
流体供給室に供給するようにしたものと、ウェハを載置
させるヒートプレートの下方域に流体噴射室を構成した
ステージユニット（以下、単に開放型ステージユニット
と称する）を具備し、蓄熱タンクに貯留した温度流体を
この流体噴射室においてヒートプレートの下面に噴射供
給するようにしたものとがある。2. Description of the Related Art For example, as a device for controlling the temperature of a wafer in a semiconductor manufacturing process, a stage unit having a hermetically sealed fluid supply chamber inside a heat plate on which a wafer is mounted (hereinafter referred to simply as a closed type stage unit). And a stage unit (hereinafter simply referred to as a “fluid injection chamber”) configured to supply a temperature fluid stored in a heat storage tank to the fluid supply chamber and a fluid ejection chamber below a heat plate on which a wafer is placed. (Referred to as an open type stage unit), and the temperature fluid stored in the heat storage tank is injected and supplied to the lower surface of the heat plate in the fluid ejection chamber.

【０００３】これらの温度制御装置は、いずれもヒート
プレートを介してウェハと温度流体との間で熱交換を行
わせるようにしたものであり、該ウェハの温度を高速に
所望の温度に制御することが可能である。All of these temperature control devices are designed to exchange heat between a wafer and a temperature fluid via a heat plate, and control the temperature of the wafer to a desired temperature at a high speed. It is possible.

【０００４】さらに、密閉型ステージユニットを適用す
るものにおいては、循環供給される温度流体に常に圧力
が作用しているため、流体供給室に温度流体を流通させ
る供給通路および排出通路を比較的自由に敷設した場合
であっても当該温度流体を確実に循環供給させることが
できるという特徴を有している。Further, in the case where the closed stage unit is applied, pressure is always applied to the circulating temperature fluid, so that the supply passage and the discharge passage through which the temperature fluid flows through the fluid supply chamber are relatively free. It is characterized in that the temperature fluid can be reliably circulated and supplied even when it is laid.

【０００５】また、開放型ステージユニットを適用する
ものにおいては、流体噴射室の空間を介してヒートプレ
ートの下面に常に新しい温度流体のみが衝突し、しかも
流体噴射を停止することで温度流体との熱的コンタクト
を直ちに絶つことができるため、ウェハの温度分布のば
らつきを防止できるとともに、ウェハを高温状態から低
温状態に切り換えるような温度状態の変更を応答性よく
行うことができる等、前者に比較してウェハの温度制御
をより容易に行うことができるという特徴を有してい
る。[0005] In the case of using an open type stage unit, only the new temperature fluid always collides with the lower surface of the heat plate through the space of the fluid ejection chamber, and the fluid ejection is stopped by stopping the fluid ejection. Thermal contact can be cut off immediately, preventing variations in the temperature distribution of the wafer and changing the temperature state to switch the wafer from a high-temperature state to a low-temperature state with better responsiveness. Thus, the temperature of the wafer can be controlled more easily.

【０００６】[0006]

【発明が解決しようとする課題】ところで、昨今におい
ては、温度制御処理の効率化を向上させるため、ウェハ
を載置させるステージユニットを積層設置し、共通の蓄
熱タンクからこれら複数のステージユニットのそれぞれ
に対して温度流体を供給させようとする試みがなされて
いる。By the way, recently, in order to improve the efficiency of the temperature control process, stage units for mounting wafers are stacked and installed, and each of the plurality of stage units is provided from a common heat storage tank. Attempts have been made to supply temperature fluids to

【０００７】このようにステージユニットを積層設置さ
せるにあたり、密閉型のものを適用する場合には、上述
したように、温度流体の供給通路および排出通路を自由
に敷設することができるため、比較的容易に具現化が可
能である。[0007] When the hermetic type is used for stacking the stage units, the supply passage and the discharge passage for the temperature fluid can be laid freely as described above. It can be easily embodied.

【０００８】しかしながら、開放型ステージユニットに
あっては、流体噴射室に噴射された直後に温度流体の圧
力が大気圧まで降下してしまうため、太径の排出通路を
鉛直方向に沿って敷設し、重力の作用を利用して流体噴
射室から温度流体を排出する必要がある。However, in the open type stage unit, since the pressure of the temperature fluid drops to the atmospheric pressure immediately after being injected into the fluid injection chamber, a large-diameter discharge passage is laid in the vertical direction. It is necessary to discharge the temperature fluid from the fluid ejection chamber using the action of gravity.

【０００９】このため、ウェハの温度制御をより容易に
行うべく開放型ステージユニットを積層設置させる場合
には、太径の排出通路を鉛直方向に沿って多数敷設しな
ければならず、その設置作業を著しく煩雑化することに
なるばかりか、積層できるステージユニットの数に著し
い制限を加えることになる。Therefore, when stacking open stage units in order to more easily control the temperature of the wafer, a large number of large-diameter discharge passages must be laid in the vertical direction. Not only is this considerably complicated, but also the number of stage units that can be stacked is significantly limited.

【００１０】本発明は、上記実情に鑑みて、被温度制御
対象物の温度制御をより容易に行い、かつ設置作業の著
しい煩雑化を招来することなく、温度制御処理の効率化
を図ることのできる温度制御装置を提供することを解決
課題とする。The present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances, and makes it possible to more easily control the temperature of an object to be temperature-controlled and to increase the efficiency of the temperature control process without significantly complicating the installation work. It is an object of the present invention to provide a temperature control device that can be used.

【００１１】[0011]

【課題を解決するための手段および作用効果】請求項１
に記載の発明では、互いに積層設置され、かつそれぞれ
が流体噴射室を有するとともに、該流体噴射室に接する
態様で被温度制御対象物を配置させる複数のステージユ
ニットと、温度流体を貯留する流体貯留タンクとを備
え、該流体貯留タンクから所定の設定温度に調整した温
度流体をそれぞれの流体噴射室に噴射供給することによ
り、各被温度制御対象物の温度制御を行う温度制御装置
であって、前記複数のステージユニットに共通の排出通
路を接続し、各流体噴射室に噴射供給した後の温度流体
を、この排出通路を通じて前記流体貯留タンクに返送さ
せるようにしている。Means for Solving the Problems and Functions and Effects
In the invention described in the above, a plurality of stage units that are stacked and installed on each other, each has a fluid ejection chamber, and an object to be temperature-controlled is arranged so as to be in contact with the fluid ejection chamber, and a fluid storage that stores the temperature fluid A temperature control device that performs temperature control of each temperature-controlled object by injecting and supplying a temperature fluid adjusted to a predetermined set temperature from the fluid storage tank to each fluid ejection chamber, comprising: A common discharge passage is connected to the plurality of stage units, and the temperature fluid after being supplied to each fluid ejection chamber is returned to the fluid storage tank through the discharge passage.

【００１２】この請求項１に記載の発明によれば、温度
制御処理の効率化を図るべく開放型ステージユニットを
積層設置させるにあたり、各ステージユニットに共通の
排出通路を敷設すればよいため、設置作業の煩雑化を招
来することなく被温度制御対象物の温度制御をより容易
に行うことが可能となる。According to the first aspect of the present invention, when the open type stage units are stacked and installed in order to increase the efficiency of the temperature control process, a common discharge passage may be laid in each stage unit. It is possible to more easily control the temperature of the object to be temperature-controlled without complicating the operation.

【００１３】請求項２に記載の発明では、互いに積層設
置され、かつそれぞれが流体噴射室を有するとともに、
該流体噴射室に接する態様で被温度制御対象物を配置さ
せる複数のステージユニットと、温度流体を貯留する複
数の流体貯留タンクとを備え、これら流体貯留タンクか
ら互いに異なる設定温度に調整した温度流体をそれぞれ
の流体噴射室に選択的に噴射供給することにより、各被
温度制御対象物の温度制御を行う温度制御装置であっ
て、前記複数のステージユニットに、前記複数の流体貯
留タンク毎に共通となる排出通路を接続し、さらにこれ
ら排出通路と各ステージユニットとの間に当該排出通路
を択一的に選択する通路選択手段を介在させ、各流体噴
射室に噴射供給された後の温度流体を、前記排出通路を
通じて対応する流体貯留タンクに返送させるようにして
いる。[0013] According to the second aspect of the present invention, while being stacked and installed on each other and each having a fluid ejection chamber,
A plurality of stage units for disposing a temperature-controlled object in contact with the fluid ejection chamber, and a plurality of fluid storage tanks for storing a temperature fluid, and a temperature fluid adjusted from these fluid storage tanks to different set temperatures from each other A temperature controller for selectively controlling the temperature of each temperature-controlled object by selectively injecting and supplying the fluid to each of the fluid ejection chambers, wherein the plurality of stage units are common to each of the plurality of fluid storage tanks. And a passage selecting means for selectively selecting the discharge passage between the discharge passage and each of the stage units. Is returned to the corresponding fluid storage tank through the discharge passage.

【００１４】この請求項２に記載の発明によれば、温度
制御処理の効率化を図るべく開放型ステージユニットを
積層設置させるにあたり、各ステージユニットに、複数
の流体貯留タンク毎に共通となる排出通路を敷設すれば
よいため、設置作業の煩雑化を招来することなく被温度
制御対象物の温度制御をより容易に行うことが可能とな
る。According to the second aspect of the present invention, when the open-type stage units are stacked and installed in order to increase the efficiency of the temperature control process, the discharge common to each of the plurality of fluid storage tanks is provided to each stage unit. Since the passage may be laid, the temperature of the temperature-controlled object can be more easily controlled without incurring complicated installation work.

【００１５】請求項３に記載の発明では、前記複数のス
テージユニットのそれぞれが、互いに積層設置させた場
合に前記排出通路を構成する排出管モジュールを備える
ようにしている。According to the third aspect of the present invention, each of the plurality of stage units is provided with a discharge pipe module constituting the discharge passage when they are stacked and installed.

【００１６】この請求項３に記載の発明によれば、複数
のステージユニットを積層設置するだけで共通の排出通
路が構成されることになるため、設置作業のより容易化
を図ることができるようになる。According to the third aspect of the present invention, since a common discharge passage is formed only by stacking a plurality of stage units, the installation work can be further facilitated. become.

【００１７】請求項４に記載の発明では、前記排出通路
から前記流体貯留タンクに至る間にサブタンクを介在さ
せ、該排出通路を通過した温度流体をこのサブタンクに
一旦収容させるようにしている。In the invention described in claim 4, a sub-tank is interposed between the discharge passage and the fluid storage tank, and the temperature fluid passing through the discharge passage is temporarily stored in the sub-tank.

【００１８】この請求項４に記載の発明によれば、排出
通路の下方に流体貯留タンクを配設する必要がなく、よ
り小型のサブタンクを配設すればよいため、設置作業の
更なる容易化、並びに設置スペースの縮小化を図ること
が可能となる。According to the fourth aspect of the present invention, there is no need to dispose a fluid storage tank below the discharge passage, and it is sufficient to dispose a smaller sub-tank. , And the installation space can be reduced.

【００１９】[0019]

【発明の実施の形態】以下、一実施の形態を示す図面に
基づいて本発明を詳細に説明する。図３は、本発明に係
る温度制御装置の第１実施形態を示したものである。こ
こで例示する温度制御装置は、 （１）ウェハ洗浄 （２）レジストコーティング （３）プリベーキング（１１０〜１３０℃）＋クーリン
グ（２０℃） （４）露光 （５）現像 （６）リンス （７）ポストベーキング（１２０〜１５０℃）＋クーリ
ング（２０℃） （８）エッチング というプロセスを経てレジスト膜を成膜する半導体製造
工程において、上述したプリベーキング＋クーリング、
またはポストベーキング＋クーリングの際に用いられる
もので、最初に被温度制御対象物であるウェハＷを高温
に加熱し（ベーキング）、その後このウェハＷを室温ま
で冷却する（クーリング）というサイクルをウェハ単位
に数十秒間隔で繰り返す制御を行う。すなわち、上記温
度制御装置は、加熱の際の目標温度と、冷却の際の目標
温度という２つの目標温度をもっており、加熱・冷却を
交互に繰り返す制御を行うものである。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below in detail with reference to the drawings showing one embodiment. FIG. 3 shows a first embodiment of the temperature control device according to the present invention. The temperature control device exemplified here includes (1) wafer cleaning (2) resist coating (3) pre-baking (110 to 130 ° C.) + Cooling (20 ° C.) (4) exposure (5) development (6) rinsing (7) ) Post baking (120-150 ° C.) + Cooling (20 ° C.) (8) In a semiconductor manufacturing process of forming a resist film through a process called etching, the above-described pre-baking + cooling,
Alternatively, a cycle used in post-baking + cooling, in which a wafer W to be temperature-controlled is first heated to a high temperature (baking) and then cooled to room temperature (cooling), is a wafer unit. Control is repeated every several tens of seconds. That is, the temperature control device has two target temperatures, that is, a target temperature for heating and a target temperature for cooling, and performs control to alternately repeat heating and cooling.

【００２０】図１乃至図３に示すように、この温度制御
装置では、複数の開放型ステージユニット１０を互いに
積層設置させている。As shown in FIGS. 1 to 3, in this temperature control device, a plurality of open-type stage units 10 are stacked on each other.

【００２１】開放型ステージユニット１０は、それぞれ
チャンバ構成体１１を備えているとともに、各チャンバ
構成体１１の内部にヒートプレート２０および流体噴射
体３０を収容している。Each of the open stage units 10 has a chamber component 11 and houses a heat plate 20 and a fluid ejecting body 30 inside each chamber component 11.

【００２２】チャンバ構成体１１は、上方に開口する有
底円筒状の筐体１２と、下方に開口し、かつ上記筐体１
２よりも僅かに大径の有底円筒状を成す蓋体１３とを備
えており、筐体１２の周壁外周部に蓋体１３の周壁を嵌
合させ、さらに筐体１２における周壁の外周面に保持さ
せたシールリング１４を蓋体１３における周壁の内周面
に圧接させることによってこれら筐体１２と蓋体１３と
の間にチャンバ１５を構成している。The chamber structure 11 has a cylindrical housing 12 having a bottom and an upper opening, and a housing 1 having a lower opening and
A lid 13 having a bottomed cylindrical shape having a diameter slightly larger than that of the housing 2, the peripheral wall of the lid 13 is fitted to the outer peripheral portion of the peripheral wall of the housing 12, and the outer peripheral surface of the peripheral wall in the housing 12. By pressing the seal ring 14 held on the inner surface of the lid 13 against the inner peripheral surface of the peripheral wall, a chamber 15 is formed between the housing 12 and the lid 13.

【００２３】筐体１２は、その底壁が一方方向に向けて
漸次低くなるように傾斜し、その最低部に排出口１６
ａ，１６ｂを有している。排出口１６ａ，１６ｂは、筐
体１２の底壁から一旦下方に延在し、そこから外周方向
に向けて直角に屈曲したもので、図には明示していない
が、各筐体１２にそれぞれ一対ずつ設けている。また蓋
体１３には、上記底壁の最高部に位置する周壁の上端部
にロボットハンドＲを挿抜させるための挿抜口１３ａを
形成している。The housing 12 is inclined so that its bottom wall becomes gradually lower in one direction, and the bottom of the housing 12 has an outlet 16.
a and 16b. The outlets 16a and 16b extend downward from the bottom wall of the housing 12 once, and are bent at right angles toward the outer periphery from the bottom wall. One pair is provided. The lid 13 is formed with an insertion / extraction opening 13a for inserting / removing the robot hand R at the upper end of the peripheral wall positioned at the highest part of the bottom wall.

【００２４】図からも明らかなように、上述したチャン
バ構成体１１には、筐体１２の下端部にチャンバ支持ケ
ース１７を取り付けている。このチャンバ支持ケース１
７は、筐体１２と同一の外径を有した円筒状を成し、か
つ筐体１２の排出口１６ａ，１６ｂに対応する部位に当
該排出口１６ａ，１６ｂを外部に露出するための開口１
７ａを有したもので、開放型ステージユニット１０を互
いに積層設置した場合に、上方に配置したものの筐体１
２と下方に配置したものの蓋体１３との間を互いに接続
する機能を有している。As apparent from the drawing, a chamber support case 17 is attached to the lower end of the housing 12 in the above-described chamber structure 11. This chamber support case 1
Reference numeral 7 denotes an opening 1 for forming a cylindrical shape having the same outer diameter as the housing 12 and exposing the outlets 16a and 16b to the outside at portions corresponding to the outlets 16a and 16b of the housing 12.
7a, and when the open-type stage units 10 are stacked one on top of the other,
It has a function of connecting the lid 2 and the lid 13 arranged below to each other.

【００２５】ヒートプレート２０は、円形の薄板状に成
形したもので、その外周縁部の下面を筐体１２における
周壁の上面に載置させた後、その外周縁部の上面に挟持
用円環部材２１を配置し、さらに挟持用円環部材２１か
ら筐体１２の周壁に挟持用ボルト２２を締結することに
より、水平方向に延在した状態で当該筐体１２の周壁に
挟装保持されている。このヒートプレート２０は、筐体
１２の周壁との間、並びに挟持用円環部材２１との間に
それぞれシール部材２３，２４を介装しており、上述し
た筐体１２における底壁および周壁との間に水密性を有
し、かつ排出口１６ａ，１６ｂによって大気開放された
流体噴射室２５を画成している。The heat plate 20 is formed in the shape of a circular thin plate. After the lower surface of the outer peripheral edge is placed on the upper surface of the peripheral wall of the housing 12, the holding ring is attached to the upper surface of the outer peripheral edge. By arranging the member 21 and fastening the holding bolt 22 from the holding ring member 21 to the peripheral wall of the housing 12, the member 21 is sandwiched and held on the peripheral wall of the housing 12 while extending in the horizontal direction. I have. The heat plate 20 has seal members 23 and 24 interposed between the peripheral wall of the housing 12 and the holding annular member 21, respectively. A fluid injection chamber 25 having watertightness therebetween and opened to the atmosphere by the discharge ports 16a and 16b is defined.

【００２６】流体噴射体３０は、上記流体噴射室２５に
収容可能となる小さな高さを有した有底円筒状を成し、
中心部に供給口３１を有した下部構造部材３２と、多数
のノズル３３を有し、下部構造部材３２の上端を閉塞す
る態様で該下部構造部材３２を上端に取り付けたノズル
プレート３４とを備えて構成したもので、各ノズル３３
の上端からヒートプレート２０の下面までの距離が相互
に同一となる状態で、筐体１２の底壁から立設した柱状
部材１２ｂを介して該筐体１２に取り付けられている。
この流体噴射体３０の供給口３１は、筐体１２の底壁を
貫通して下方に延在した後、そこから直角に屈曲し、上
述した筐体１２の排出口１６ａ，１６ｂと同一方向に向
けて延在している。The fluid ejecting body 30 has a bottomed cylindrical shape having a small height that can be accommodated in the fluid ejecting chamber 25.
A lower structural member 32 having a supply port 31 at a central portion, and a nozzle plate 34 having a number of nozzles 33 and having the lower structural member 32 attached to the upper end so as to close the upper end of the lower structural member 32 are provided. Each nozzle 33
Are attached to the housing 12 via a columnar member 12b erected from the bottom wall of the housing 12 in a state where the distance from the upper end to the lower surface of the heat plate 20 is the same.
The supply port 31 of the fluid ejecting body 30 extends downward through the bottom wall of the housing 12 and then bends at a right angle therefrom in the same direction as the outlets 16a and 16b of the housing 12 described above. It extends toward.

【００２７】ここで、チャンバ構成体１１、チャンバ支
持ケース１７および流体噴射体３０は、いずれも熱伝導
率の小さい材質によって成形し、一方、ヒートプレート
２０は、アルミニウムや銅等の熱伝導率の高い材質によ
って成形している。Here, the chamber structure 11, the chamber support case 17 and the fluid ejecting body 30 are all formed of a material having a low thermal conductivity, while the heat plate 20 is formed of a material having a low thermal conductivity such as aluminum or copper. Molded with high material.

【００２８】なお、図中の符号４０は、筐体１２の底
壁、流体噴射体３０およびヒートプレート２０のそれぞ
れを貫通する態様で配設したサセプタピンであり、適宜
上下動することにより、蓋体１３の挿抜口１３ａを通じ
て挿入されたロボットハンドＲとヒートプレート２０と
の間においてウェハＷの移載を行う機能を有している。
また、上記温度制御装置では、このサセプタピン４０と
ヒートプレート２０および筐体１２の底壁との間にそれ
ぞれシール部材４１，４２を介在させ、さらにこれらシ
ール部材４１，４２間をベローズパイプ４３で接続する
ことにより、上述した流体噴射室２５の水密性を確保し
ている。Reference numeral 40 in the figure denotes a susceptor pin disposed so as to penetrate the bottom wall of the housing 12, the fluid ejecting body 30, and the heat plate 20, and the lid is moved up and down as needed. It has a function of transferring a wafer W between the robot hand R inserted through the insertion opening 13a of the thirteen and the heat plate 20.
In the temperature control device, seal members 41 and 42 are interposed between the susceptor pin 40 and the bottom wall of the heat plate 20 and the housing 12, respectively, and the seal members 41 and 42 are connected by a bellows pipe 43. By doing so, the water tightness of the fluid ejection chamber 25 described above is ensured.

【００２９】また、上記開放型ステージユニット１０に
は、それぞれ一対の排出管モジュール５０，６０を配設
している。なお、これら一対の排出管モジュール５０，
６０は、いずれも同一の構成を有したものであるため、
以下の詳細においては一方についてのみ説明する。Further, the open stage unit 10 is provided with a pair of discharge pipe modules 50 and 60, respectively. The pair of discharge pipe modules 50,
60 have the same configuration,
In the following details, only one will be described.

【００３０】排出管モジュール５０は、図２に示すよう
に、直線状に延在する連通部５１ａおよび該連通部５１
ａの中間から直角方向に分岐延在する流入部５１ｂを有
したＴ字管５１と、該Ｔ字管５１において流入部５１ｂ
と連通部５１ａとの間を開閉させる選択バルブ（通路選
択手段）５２と、Ｔ字管５１の連通部５１ａに接続し、
該連通部５１ａの延在方向に沿って延在する接続管５３
とを備えたもので、上記接続管５３を鉛直上方に向けて
延在させた状態で、Ｔ字管５１の流入部５１ｂを介して
各開放型ステージユニット１０に設けた一対の排出口１
６ａ，１６ｂにそれぞれ接続している。As shown in FIG. 2, the discharge pipe module 50 includes a communicating portion 51a extending linearly and a communicating portion 51a.
a T-shaped pipe 51 having an inflow portion 51b branching and extending in a direction perpendicular to the middle of the T-shaped pipe 51;
A selection valve (passage selecting means) 52 for opening and closing between the communication section 51a and the communication section 51a of the T-tube 51,
Connection pipe 53 extending along the direction in which communication portion 51a extends
A pair of outlets 1 provided in each open stage unit 10 via the inflow portion 51b of the T-tube 51 in a state where the connection pipe 53 is extended vertically upward.
6a, 16b.

【００３１】図からも明らかなように、上記排出管モジ
ュール５０，６０は、各要素５１，５３がいずれも流体
噴射体３０の供給口３１よりも十分に大きな内径を有し
ており、しかもＴ字管５１の下端面５１ｃがチャンバ支
持ケース１７の下端面に合致し、かつ接続管５３の上端
面５３ａが蓋体１３の上端面に合致しており、開放型ス
テージユニット１０を互いに積層設置していくだけの操
作により、図１に示すように、下方に配置したものの接
続管５３と上方に配置したもののＴ字管５１とが互いに
接合し、鉛直方向に沿って延在する太径の排出通路５
５，６５を一対構成することになる。なお、同図１に示
すように、最上部に配置する開放型ステージユニット１
０に限っては、排出通路５５，６５の上端部を閉塞する
ために接続管５３を省略し、かつＴ字管５１′における
連通部５１ａ′の上端を閉塞した排出管モジュール５
０′，６０′をそれぞれの排出口１６ａ，１６ｂに接続
するようにしている。As is apparent from the figure, in the discharge pipe modules 50 and 60, each of the elements 51 and 53 has an inner diameter sufficiently larger than the supply port 31 of the fluid ejecting body 30, and The lower end surface 51c of the tube 51 matches the lower end surface of the chamber support case 17, and the upper end surface 53a of the connecting tube 53 matches the upper end surface of the lid 13. By a simple operation, as shown in FIG. 1, the connecting pipe 53 arranged below and the T-shaped pipe 51 arranged above are joined to each other, and a large-diameter discharge passage extending along the vertical direction. 5
5, 65 are paired. As shown in FIG. 1, the open type stage unit 1 disposed at the top is
0, the connection pipe 53 is omitted in order to close the upper ends of the discharge passages 55 and 65, and the discharge pipe module 5 in which the upper end of the communication part 51a 'in the T-shaped pipe 51' is closed.
0 'and 60' are connected to the respective outlets 16a and 16b.

【００３２】一方、上記温度制御装置は、図３に示すよ
うに、低温用蓄熱タンク７０と高温用蓄熱タンク８０と
を備えている。これら蓄熱タンク７０，８０は、それぞ
れの内部に温度流体、具体的にはフッ化炭素液（＝フロ
リナート：登録商標）、エチレングリコール、オイル、
水等の液体や窒素、空気、ヘリウム等の気体の中から制
御すべき目標温度に応じて適宜選択したものを貯留する
もので、低温用のものはチラータンク７１との間におい
て適宜温度流体を流通させることによって当該温度流体
を２０℃程度の温度に維持し、高温用のものは内蔵する
ヒータ８１の駆動によって温度流体を１５０℃程度の温
度に維持する作用を成す。On the other hand, as shown in FIG. 3, the temperature control device includes a low-temperature heat storage tank 70 and a high-temperature heat storage tank 80. Each of the heat storage tanks 70 and 80 has a temperature fluid therein, specifically, a fluorocarbon liquid (= Fluorinert: registered trademark), ethylene glycol, oil,
It stores what is appropriately selected according to a target temperature to be controlled from a liquid such as water or a gas such as nitrogen, air, or helium. By doing so, the temperature fluid is maintained at a temperature of about 20 ° C., and the high-temperature fluid operates by driving a built-in heater 81 to maintain the temperature fluid at a temperature of about 150 ° C.

【００３３】これら蓄熱タンク７０，８０には、それぞ
れの吐出口に専用の吐出通路７２，８２を接続する一
方、それぞれの返入口に専用の返送通路７３，８３を接
続している。In these heat storage tanks 70 and 80, dedicated discharge passages 72 and 82 are connected to respective discharge ports, and dedicated return passages 73 and 83 are connected to respective return ports.

【００３４】低温用蓄熱タンク７０の吐出口に接続した
低温用吐出通路７２および高温用蓄熱タンク８０の吐出
口に接続した高温用吐出通路８２は、それぞれ供給ポン
プ７４，８４およびフィルター７５，８５を順次介在
し、各供給ポンプ７４，８４の作動によってそれぞれの
蓄熱タンク７０，８０に貯留した温度流体を下流に送給
するもので、それぞれ供給切換バルブ７６，８６を介し
て共通の供給通路９０に接続されている。The low-temperature discharge passage 72 connected to the discharge port of the low-temperature heat storage tank 70 and the high-temperature discharge passage 82 connected to the discharge port of the high-temperature heat storage tank 80 are connected to supply pumps 74 and 84 and filters 75 and 85, respectively. The temperature fluid stored in the heat storage tanks 70 and 80 is supplied downstream by the operation of the supply pumps 74 and 84 in sequence, and is supplied to the common supply passage 90 via the supply switching valves 76 and 86, respectively. It is connected.

【００３５】供給通路９０は、上記供給切換バルブ７
６，８６によって選択的に接続された吐出通路７２，８
２をさらに各開放型ステージユニット１０における流体
噴射体３０の供給口３１に分岐接続させるもので、分岐
する以前の上流側に位置する部位に微温調節ユニット１
００を備えている。微温調節ユニット１００は、互いに
並列接続された一対の可変流量バルブ１０１，１０２
と、一方の可変流量バルブ１０２を通過した温度流体を
加熱するためのランプヒータ１０３とを備えたもので、
各可変流量バルブ１０１，１０２を通過する温度流体の
流量を適宜変更することにより、下流に送給する温度流
体の温度を最終的に調整する作用を成す。The supply passage 90 is connected to the supply switching valve 7.
Discharge passages 72, 8 selectively connected by
2 is branched and connected to the supply port 31 of the fluid ejecting body 30 in each open-type stage unit 10.
00 is provided. The temperature control unit 100 includes a pair of variable flow valves 101 and 102 connected in parallel to each other.
And a lamp heater 103 for heating the temperature fluid passing through one of the variable flow valves 102.
By appropriately changing the flow rate of the temperature fluid passing through each of the variable flow valves 101 and 102, an action of finally adjusting the temperature of the temperature fluid to be sent downstream is achieved.

【００３６】低温用蓄熱タンク７０の返入口に接続した
低温用返送通路７３および高温用蓄熱タンク８０の返入
口に接続した高温用返送通路８３は、それぞれ返送ポン
プ７７，８７を介在し、各返送ポンプ７７，８７の作動
によって上流側の温度流体をそれぞれの蓄熱タンク７
０，８０に返送させるもので、各上流側端部が個別のサ
ブタンク１１０，１２０に接続されている。The low-temperature return path 73 connected to the return port of the low-temperature heat storage tank 70 and the high-temperature return path 83 connected to the return port of the high-temperature heat storage tank 80 interpose return pumps 77 and 87, respectively. The operation of the pumps 77 and 87 causes the temperature fluid on the upstream side to be stored in the respective heat storage tanks 7.
The upstream ends are connected to individual sub-tanks 110 and 120, respectively.

【００３７】低温用返送通路７３に接続した低温用サブ
タンク１１０および高温用返送通路８３に接続した高温
用サブタンク１２０は、それぞれ蓄熱タンク７０，８０
よりも十分に小型のもので、例えば低温用蓄熱タンク７
０とチラータンク７１との合計容量が９０リットル（そ
のうちチラータンク７１が５０リットル）の場合に低温
用サブタンク１１０が２０リットルの容量を有し、また
高温用蓄熱タンク８０の容量が８０リットルの場合に高
温用サブタンク１２０が２０リットルの容量を有したも
ので、それぞれ積層設置した開放型ステージユニット１
０よりも下方となる位置に設置しており、各返入口がそ
れぞれ上述した一対の排出通路５５，６５のいずれか一
方に接続されている。The low-temperature sub-tank 110 connected to the low-temperature return passage 73 and the high-temperature sub-tank 120 connected to the high-temperature return passage 83 are heat storage tanks 70 and 80, respectively.
For example, a low-temperature heat storage tank 7
0 has a capacity of 20 liters when the total capacity of the chiller tank 71 is 90 liters (of which the chiller tank 71 is 50 liters), and has a capacity of 20 liters when the capacity of the high-temperature storage tank 80 is 80 liters. Open stage units 1 each having a capacity of 20 liters, and
It is installed at a position lower than 0, and each return port is connected to one of the pair of discharge passages 55 and 65 described above.

【００３８】ここで、上記温度制御装置では、上述した
構成のうち、一対の排出通路５５，６５、低温用サブタ
ンク１１０、高温用サブタンク１２０、微温調節ユニッ
ト１００および供給切換バルブ７６，８６を、それぞれ
積層設置した開放型ステージユニット１０とともにクリ
ーンルームＣの内部に配設する一方、その他の構成を機
械室等、クリーンルームＣの外部に配設している。Here, in the temperature control device, the pair of discharge passages 55 and 65, the low-temperature sub-tank 110, the high-temperature sub-tank 120, the weak temperature control unit 100, and the supply switching valves 76 and 86, respectively, in the above-described configuration, While being disposed inside the clean room C together with the open-type stage units 10 stacked, other components are disposed outside the clean room C such as a machine room.

【００３９】なお、図３中の符号７８，８８は、供給切
換バルブ７６，８６がＯＦＦの場合に蓄熱タンク７０，
８０の温度流体を循環させておくための自己循環系であ
り、また符号７９は低温用蓄熱タンク７０と高温用蓄熱
タンク８０とを互いに連通し、温度流体が偏って貯留さ
れる事態を防止するための連絡通路である。Reference numerals 78 and 88 in FIG. 3 denote heat storage tanks 70 and 88 when the supply switching valves 76 and 86 are OFF.
Reference numeral 79 denotes a self-circulation system for circulating the temperature fluid 80. The reference numeral 79 communicates the low-temperature heat storage tank 70 and the high-temperature heat storage tank 80 with each other to prevent a situation where the temperature fluid is unevenly stored. It is a communication passage for.

【００４０】以下、上記のように構成した温度制御装置
において、ウェハＷの温度を１５０℃と２０℃とに数十
秒間隔で交互に温度制御する場合の動作、すなわち、ウ
ェハＷの温度を１５０℃にして行うベーキングと、その
後ウェハＷの温度を２０℃に冷却するクーリングとを交
互に実行する場合の動作について説明する。なお、初期
状態としては、低温用吐出通路７２および高温用吐出通
路８２に介在させた供給切換バルブ７６，８６をいずれ
もＯＦＦし、かつ各供給ポンプ７４，８４を駆動するこ
とにより、それぞれ自己循環系７８，８８において温度
流体を循環させているとともに、各開放型ステージユニ
ット１０の排出通路５５，６５に介在させた選択バルブ
５２，６２をＯＦＦすることにより、流入部５１ｂ，６
１ｂと連通部５１ａ，６１ａとの間をいずれも閉成され
た状態に保持し、さらに低温用返送ポンプ７７および高
温用返送ポンプ８７をいずれも停止させた状態に保持し
ているものとする。Hereinafter, in the temperature control device configured as described above, the operation when the temperature of the wafer W is alternately controlled to 150 ° C. and 20 ° C. at intervals of several tens of seconds, that is, the temperature of the wafer W is set to 150 ° C. A description will be given of an operation in a case where baking performed at a temperature of ° C. and cooling for subsequently cooling the temperature of the wafer W to 20 ° C. are alternately performed. In the initial state, the supply switching valves 76 and 86 interposed in the low-temperature discharge passage 72 and the high-temperature discharge passage 82 are both turned off, and the supply pumps 74 and 84 are driven. By circulating the temperature fluid in the systems 78 and 88 and turning off the selection valves 52 and 62 interposed in the discharge passages 55 and 65 of each open type stage unit 10, the inflow portions 51b and 6 are turned off.
1b and the communication portions 51a and 61a are both kept closed, and the low-temperature return pump 77 and the high-temperature return pump 87 are both kept stopped.

【００４１】まず、レジストを塗布したウェハＷがロボ
ットハンドＲに載置された状態で蓋体１３の挿抜口１３
ａから各チャンバ１５の内部に搬入されると、複数のサ
セプタピン４０が同期して上動し、これらサセプタピン
４０によってウェハＷが受け取られる。さらに、この状
態からロボットハンドＲが待避すると、複数のサセプタ
ピン４０が同期して下動し、該サセプタピン４０によっ
て受け取られたウェハＷがそれぞれの開放型ステージユ
ニット１０においてヒートプレート２０の上面に載置さ
れることになる。First, with the wafer W coated with the resist placed on the robot hand R, the insertion opening 13
When the wafer W is carried into each chamber 15 from a, the plurality of susceptor pins 40 move upward in synchronization with each other, and the wafer W is received by these susceptor pins 40. Further, when the robot hand R retreats from this state, the plurality of susceptor pins 40 move down synchronously, and the wafers W received by the susceptor pins 40 are placed on the upper surface of the heat plate 20 in the respective open type stage units 10. Will be done.

【００４２】ヒートプレート２０の上面にウェハＷが載
置されると、高温用吐出通路８２の供給切換バルブ８６
がＯＮされるとともに、高温用サブタンク１２０に接続
された排出通路５５の各選択バルブ５２がＯＮされ、さ
らに高温用返送ポンプ８７が駆動されることになる。When the wafer W is placed on the upper surface of the heat plate 20, the supply switching valve 86 of the high-temperature discharge passage 82
Is turned on, the respective selection valves 52 of the discharge passage 55 connected to the high-temperature sub-tank 120 are turned on, and the high-temperature return pump 87 is driven.

【００４３】この状態においては、供給ポンプ８４の作
動により、高温用蓄熱タンク８０に貯留していた温度流
体（以下、単に高温流体と称する）が高温用吐出通路８
２を通じて微温調節ユニット１００に送給され、この微
温調節ユニット１００によって最終的に高温流体の温度
が調節された後、供給通路９０を通じて各開放型ステー
ジユニット１０の流体噴射体３０に供給されることにな
り、該流体噴射体３０に供給された高温流体が各ノズル
３３から流体噴射室２５の空間を介してヒートプレート
２０の下面に噴射供給される。In this state, the operation of the supply pump 84 causes the temperature fluid (hereinafter simply referred to as the high-temperature fluid) stored in the high-temperature heat storage tank 80 to be discharged to the high-temperature discharge passage 8.
2, the temperature of the high-temperature fluid is finally adjusted by the fine temperature control unit 100, and then supplied to the fluid ejecting body 30 of each open type stage unit 10 through the supply passage 90. The high-temperature fluid supplied to the fluid ejecting body 30 is ejected from each nozzle 33 to the lower surface of the heat plate 20 via the space of the fluid ejecting chamber 25.

【００４４】ヒートプレート２０に高温流体が噴射供給
されると、この高温流体の温度がヒートプレート２０に
伝達され、該ヒートプレート２０が高速に高温流体の温
度に近づくことになり、さらにこのヒートプレート２０
に伝達された熱が速やかにウェハＷに伝達され、各開放
型ステージユニット１０においてそれぞれのウェハＷが
１５０℃に加熱される。このとき、上記温度制御装置で
は、常に流体噴射体３０から噴射された新しい高温流体
のみがヒートプレート２０の下面に衝突することになる
ため、当該ヒートプレート２０を均一、かつ正確に加熱
することができ、この結果、ウェハＷの温度も正確に制
御することができるようになる。When the high-temperature fluid is injected and supplied to the heat plate 20, the temperature of the high-temperature fluid is transmitted to the heat plate 20, and the heat plate 20 quickly approaches the temperature of the high-temperature fluid. 20
Is transferred to the wafer W promptly, and each wafer W is heated to 150 ° C. in each open stage unit 10. At this time, in the temperature control device, only the new high-temperature fluid ejected from the fluid ejecting body 30 always collides with the lower surface of the heat plate 20, so that the heat plate 20 can be uniformly and accurately heated. As a result, the temperature of the wafer W can be accurately controlled.

【００４５】上述した動作の間、上記温度制御装置で
は、流体噴射室２５に噴射供給された高温流体が、排出
口１６ａおよび排出通路５５を通じて順次高温用サブタ
ンク１２０に一旦収容され、さらに高温用返送ポンプ８
７の作動により、高温用サブタンク１２０に収容された
高温流体が高温用返送通路８３を通じて高温用蓄熱タン
ク８０に返送される。During the above-described operation, in the temperature control device, the high-temperature fluid injected and supplied to the fluid injection chamber 25 is temporarily stored in the high-temperature sub-tank 120 sequentially through the discharge port 16a and the discharge passage 55, and then returned to the high-temperature sub-tank. Pump 8
By the operation of 7, the high temperature fluid stored in the high temperature sub tank 120 is returned to the high temperature heat storage tank 80 through the high temperature return passage 83.

【００４６】その際、高温用返送通路８３は、上述した
ように、流体噴射体３０の供給口３１よりも十分に太径
に構成し、かつ鉛直方向に沿って延在したものであるた
め、流体噴射室２５に噴射供給された高温流体を重力の
作用のみによっても、滞りなく速やかに高温用サブタン
ク１２０に排出することができる。したがって、上記温
度制御装置によれば、流体噴射室２５の内部圧力が増大
する虞れがなく、流体噴射体３０から噴射された高温流
体がヒートプレート２０の下面に確実に衝突されること
になり、つまり流体噴射室２５の圧力上昇に起因してノ
ズル３３からの流体噴射が妨げられる虞れがないため、
継続的にヒートプレート２０およびウェハＷの温度を正
確に温度に制御することが可能となる。At this time, as described above, the high-temperature return passage 83 has a diameter sufficiently larger than the supply port 31 of the fluid ejecting body 30 and extends along the vertical direction. The high-temperature fluid injected and supplied to the fluid injection chamber 25 can be quickly and smoothly discharged to the high-temperature sub-tank 120 only by the action of gravity. Therefore, according to the temperature control device, there is no possibility that the internal pressure of the fluid ejection chamber 25 will increase, and the high-temperature fluid ejected from the fluid ejection body 30 will surely collide with the lower surface of the heat plate 20. That is, since there is no possibility that the fluid ejection from the nozzle 33 will be hindered due to the increase in the pressure of the fluid ejection chamber 25,
It is possible to continuously control the temperature of the heat plate 20 and the temperature of the wafer W accurately.

【００４７】以上のような動作によってウェハＷを１５
０℃に加熱して行うベーキングが終了すると、今度はウ
ェハＷの温度を２０℃まで冷却するクーリングが実行さ
れる。すなわち、ベーキングが終了すると、高温用吐出
通路８２の供給切換バルブ８６および排出通路５５の各
選択バルブ５２がＯＦＦされ、かつ高温用返送ポンプ８
７が停止する一方、低温用吐出通路７２の供給切換バル
ブ７６および低温用サブタンク１１０に接続された排出
通路６５の各選択バルブ６２がＯＮされ、かつ低温用返
送ポンプ７７が駆動される。The wafer W is moved to 15 by the above operation.
When the baking performed by heating to 0 ° C. is completed, cooling for cooling the temperature of the wafer W to 20 ° C. is performed. That is, when the baking is completed, the supply switching valve 86 of the discharge passage 82 for high temperature and the selection valve 52 of the discharge passage 55 are turned off, and the return pump 8 for high temperature is turned off.
7 is stopped, the supply switching valve 76 of the low-temperature discharge passage 72 and the selection valve 62 of the discharge passage 65 connected to the low-temperature sub-tank 110 are turned on, and the low-temperature return pump 77 is driven.

【００４８】この状態においては、供給ポンプ７４の作
動により、低温用蓄熱タンク７０に貯留していた温度流
体（以下、単に低温流体と称する）が低温用吐出通路７
２を通じて微温調節ユニット１００に送給され、この微
温調節ユニット１００によって最終的に低温流体の温度
が調節された後、供給通路９０を通じて各開放型ステー
ジユニット１０の流体噴射体３０に供給されることにな
り、該流体噴射体３０に供給された低温流体が各ノズル
３３から流体噴射室２５の空間を介してヒートプレート
２０の下面に噴射供給される。In this state, the operation of the supply pump 74 causes the temperature fluid (hereinafter simply referred to as low-temperature fluid) stored in the low-temperature heat storage tank 70 to be discharged to the low-temperature discharge passage 7.
2, the temperature of the low-temperature fluid is finally adjusted by the low-temperature control unit 100, and then supplied to the fluid ejecting body 30 of each open-type stage unit 10 through the supply passage 90. The low-temperature fluid supplied to the fluid ejecting body 30 is ejected from each nozzle 33 to the lower surface of the heat plate 20 via the space of the fluid ejecting chamber 25.

【００４９】ヒートプレート２０に低温流体が噴射供給
されると、該ヒートプレート２０が高速に低温流体の温
度近くまで冷却され、さらにウェハＷの熱がヒートプレ
ート２０を介して放熱されることになり、各開放型ステ
ージユニット１０においてそれぞれのウェハＷが２０℃
に冷却される。When the low-temperature fluid is jetted and supplied to the heat plate 20, the heat plate 20 is rapidly cooled to near the temperature of the low-temperature fluid, and the heat of the wafer W is radiated through the heat plate 20. The temperature of each wafer W in each open type stage unit 10 is 20 ° C.
Is cooled.

【００５０】この間、上記温度制御装置によれば、高温
用吐出通路８２の供給切換バルブ８６をＯＦＦした時点
でヒートプレート２０と高温流体との熱的コンタクトが
直ちに絶たれるため、当該ヒートプレート２０の冷却を
応答性よく行うことができる。しかも、上記温度制御装
置では、常に流体噴射体３０から噴射された新しい低温
流体のみがヒートプレート２０の下面に衝突することに
なるため、当該ヒートプレート２０を均一、かつ正確に
冷却することができ、この結果、ウェハＷの温度も正確
に制御することができるようになる。During this time, according to the temperature control device, when the supply switching valve 86 of the high-temperature discharge passage 82 is turned off, the thermal contact between the heat plate 20 and the high-temperature fluid is immediately cut off. Cooling can be performed with good responsiveness. Moreover, in the above temperature control device, only the new low-temperature fluid jetted from the fluid jetting body 30 always hits the lower surface of the heat plate 20, so that the heat plate 20 can be uniformly and accurately cooled. As a result, the temperature of the wafer W can be accurately controlled.

【００５１】上述した動作の間、上記温度制御装置で
は、流体噴射室２５に噴射供給された低温流体が、排出
口１６ｂおよび排出通路６５を通じて順次低温用サブタ
ンク１１０に一旦収容され、さらに低温用返送ポンプ７
７の作動により、低温用サブタンク１１０に収容された
低温流体が低温用返送通路７３を通じて低温用蓄熱タン
ク７０に返送される。During the above-described operation, in the temperature control device, the low-temperature fluid injected and supplied to the fluid injection chamber 25 is temporarily stored in the low-temperature sub-tank 110 sequentially through the discharge port 16b and the discharge passage 65, and then returned to the low-temperature sub-tank. Pump 7
By the operation of 7, the low-temperature fluid stored in the low-temperature sub-tank 110 is returned to the low-temperature heat storage tank 70 through the low-temperature return passage 73.

【００５２】この場合においても上記温度制御装置によ
れば、低温用返送通路７３が十分太径で、かつ鉛直方向
に沿って延在したものであるため、流体噴射室２５に噴
射供給された低温流体が重力の作用のみによっても、滞
りなく速やかに低温用サブタンク１１０に排出されるこ
とになり、その後に流体噴射体３０から噴射された低温
流体もヒートプレート２０の下面に確実に衝突されるこ
とになる。Also in this case, according to the temperature control device, since the low-temperature return passage 73 has a sufficiently large diameter and extends along the vertical direction, the low-temperature return passage 73 injected into the fluid injection chamber 25 is supplied. The fluid is immediately discharged to the low-temperature sub-tank 110 without delay only by the action of gravity, and the low-temperature fluid ejected from the fluid ejecting body 30 surely collides with the lower surface of the heat plate 20. become.

【００５３】以上のようにして、ウェハＷのクーリング
が終了すると、各開放型ステージユニット１０において
上述したロボットハンドＲおよびサセプタピン４０の作
動により、当該ウェハＷが新たなウェハＷと交換され、
この新たなウェハＷに対して同様の加熱、冷却が繰り返
し行われる。As described above, when the cooling of the wafer W is completed, the wafer W is replaced with a new wafer W by the operation of the robot hand R and the susceptor pins 40 in each of the open stage units 10.
The same heating and cooling are repeatedly performed on the new wafer W.

【００５４】以上説明したように、上記温度制御装置に
よれば、積層設置した複数の開放型ステージユニット１
０において複数のウェハＷを同時に温度制御するように
しているため、その処理の効率化を図り、ウェハＷの生
産性を向上させることができるようになる。As described above, according to the above temperature control device, the plurality of open stage units 1
Since the temperature of a plurality of wafers W is controlled simultaneously at 0, the efficiency of the processing can be improved and the productivity of the wafers W can be improved.

【００５５】しかも、積層設置した複数の開放型ステー
ジユニット１０に対して、低温用蓄熱タンク７０に接続
する共通の排出通路６５および高温用蓄熱タンク８０に
接続する共通の排出通路５５を敷設すればよいため、設
置作業の煩雑化が招来される虞れもない。さらに、各開
放型ステージユニット１０に排出管モジュール５０，６
０を設けるようにし、これら開放型ステージユニット１
０を積層設置させることで、上述した一対の排出通路５
５，６５を構成するようにしているため、設置作業の容
易化を図ることも可能である。Moreover, a common discharge passage 65 connected to the low-temperature heat storage tank 70 and a common discharge passage 55 connected to the high-temperature heat storage tank 80 are laid for the plurality of open stage units 10 stacked. Therefore, there is no possibility that the installation work is complicated. Further, each open type stage unit 10 is provided with a discharge pipe module 50,6.
0, and these open stage units 1
0, the pair of discharge passages 5 described above are stacked.
Since the configuration is made up of 5, 65, the installation work can be facilitated.

【００５６】また、排出通路５５，６５を通過した温度
流体を一旦サブタンク１１０，１２０に収容させるよう
にしているため、各排出通路５５，６５の下方にはこの
サブタンク１１０，１２０のみを配設すればよいことに
なり、クリーンルームＣの縮小化を図ることができる。Since the temperature fluid that has passed through the discharge passages 55 and 65 is temporarily stored in the sub-tanks 110 and 120, only the sub-tanks 110 and 120 are disposed below the discharge passages 55 and 65. Thus, the size of the clean room C can be reduced.

【００５７】図４および図５は、本発明に係る温度制御
装置の第２実施形態を概念的に示したものである。この
第２実施形態で示す温度制御装置においても、先に示し
た第１実施形態と同様に、半導体製造工程において、プ
リベーキング＋クーリング、またはポストベーキング＋
クーリングの際に用いられるもので、複数の開放型ステ
ージユニット２１０を互いに積層設置させている。FIGS. 4 and 5 conceptually show a second embodiment of the temperature control device according to the present invention. In the temperature control device according to the second embodiment, as in the first embodiment, the pre-baking + cooling or post-baking +
This is used for cooling, and a plurality of open stage units 210 are stacked on each other.

【００５８】開放型ステージユニット２１０は、それぞ
れチャンバ１５にヒートプレート２０および流体噴射体
３０を収容した円筒状のチャンバ構成体１１と、各チャ
ンバ構成体１１の側方に配設した直方状の微温調節シス
テムボックス２２０とを備えている。なお、チャンバ構
成体１１、並びにこのチャンバ構成体１１のチャンバ１
５に収容したヒートプレート２０および流体噴射体３０
に関しては、上述した第１実施形態と同様の構成である
ため、同一の符号を付してそれぞれの詳細説明を省略す
る。The open type stage unit 210 includes a cylindrical chamber member 11 in which the heat plate 20 and the fluid ejecting body 30 are accommodated in the chamber 15, and a rectangular low temperature member disposed on the side of each chamber member 11. An adjustment system box 220 is provided. The chamber component 11 and the chamber 1 of the chamber component 11
5. Heat plate 20 and fluid ejector 30 housed in 5
Is the same as that of the first embodiment described above, and thus the same reference numerals are given and the detailed description of each is omitted.

【００５９】微温調節システムボックス２２０は、それ
ぞれの内部に微温調節ユニット１００、つまり第１実施
形態で示したように、互いに並列接続された一対の可変
流量バルブ１０１，１０２と、一方の可変流量バルブ１
０１，１０２を通過した温度流体を加熱するためのラン
プヒータ１０３とを備えたユニットと、一対の選択バル
ブ２５２，２６２とを備えたもので、微温調節ユニット
１００の出力端が対応するチャンバ構成体１１に収容さ
せた流体噴射体３０の供給口３１に接続され、かつ該微
温調節ユニット１００の入力端が２分岐し、それぞれが
供給切換バルブ２７６，２８６を介して外部に開口する
一方、一対の選択バルブ２５２，２６２の各入力端がそ
れぞれ対応するチャンバ構成体１１の排出口１６ａ，１
６ｂに接続され、かつ該選択バルブ２５２，２６２の各
出力端がそのまま外部に開口している。The low temperature control system box 220 includes a low temperature control unit 100 therein, that is, as shown in the first embodiment, a pair of variable flow valves 101 and 102 connected in parallel with each other, and one variable flow valve 1
A unit provided with a lamp heater 103 for heating the temperature fluid passing through the chambers 01 and 102, and a pair of selection valves 252 and 262, and an output end of the weak temperature control unit 100 corresponding to a chamber component. 11 is connected to the supply port 31 of the fluid ejecting body 30 accommodated in the unit 11, and the input end of the weak temperature control unit 100 is branched into two parts, each of which opens to the outside via the supply switching valve 276, 286, and a pair of The respective input ends of the selection valves 252 and 262 correspond to the outlets 16 a and 1 of the corresponding chamber structure 11.
6b, and the output terminals of the selection valves 252 and 262 are open to the outside as they are.

【００６０】これら積層設置させた複数の微温調節シス
テムボックス２２０には、各供給切換バルブ２７６，２
８６毎に分岐接続する共通の低温用供給通路２９０およ
び共通の高温用供給通路３００を接続しているととも
に、各選択バルブ２５２，２６２毎に分岐接続する共通
の低温用排出通路２５５および共通の高温用排出通路２
６５を接続している。A plurality of supply switching valves 276, 2
86, a common low-temperature supply passage 290 and a common high-temperature supply passage 300 that are branched and connected to each other, and a common low-temperature discharge passage 255 and a common high temperature that are branched and connected to each of the selection valves 252 and 262. Discharge passage 2
65 are connected.

【００６１】低温用供給通路２９０および高温用供給通
路３００は、積層設置させた複数の微温調節システムボ
ックス２２０の外表面に沿って鉛直下方に延在した後、
フィルター２７５，２８５および供給ポンプ２７４，２
８４を介してそれぞれ専用蓄熱タンク２７０，２８０の
吐出口に接続されている。低温用供給通路２９０が接続
した低温用蓄熱タンク２７０および高温用供給通路３０
０が接続した高温用蓄熱タンク２８０は、それぞれの内
部に温度流体、具体的にはフッ化炭素液（＝フロリナー
ト：登録商標）、エチレングリコール、オイル、水等の
液体や窒素、空気、ヘリウム等の気体の中から制御すべ
き目標温度に応じて適宜選択したものを貯留するもの
で、低温用のものはチラータンク２７１との間において
適宜温度流体を流通させることによって当該温度流体を
２０℃程度の温度に維持し、高温用のものは内蔵するヒ
ータ２８１の駆動によって温度流体を１５０℃程度の温
度に維持する作用を成す。The low-temperature supply passage 290 and the high-temperature supply passage 300 extend vertically downward along the outer surface of the plurality of low-temperature control system boxes 220 stacked and installed.
Filters 275, 285 and feed pumps 274, 2
84 are connected to the discharge ports of the dedicated heat storage tanks 270 and 280, respectively. Low-temperature heat storage tank 270 connected to low-temperature supply passage 290 and high-temperature supply passage 30
The high-temperature storage tanks 280 connected to the high-temperature storage tanks 280 each have a temperature fluid, specifically, a liquid such as a fluorocarbon liquid (= Fluorinert: registered trademark), ethylene glycol, oil, water, nitrogen, air, helium, or the like. The temperature fluid is appropriately selected according to the target temperature to be controlled from among the above gases, and the temperature fluid of about 20 ° C. is supplied to the chiller tank 271 by appropriately flowing the temperature fluid to the chiller tank 271. The temperature is maintained, and the heater for high temperature has an operation of maintaining the temperature fluid at a temperature of about 150 ° C. by driving the built-in heater 281.

【００６２】一方、低温用排出通路２５５および高温用
排出通路２６５は、上述した供給通路２９０，３００よ
りも十分太径に構成したもので、積層設置させた複数の
微温調節システムボックス２２０の外表面に沿って鉛直
下方に延在した後、それぞれ専用のサブタンク３１０，
３２０に接続している。低温用排出通路２５５が接続し
た低温用サブタンク３１０および高温用排出通路２６５
が接続した高温用サブタンク３２０は、第１実施形態の
ものと同様、それぞれ蓄熱タンク２７０，２８０よりも
十分に小型のもので、それぞれ積層設置した開放型ステ
ージユニット２１０よりも下方となる位置に設置されて
おり、各返送口が返送ポンプ２７７，２８７を介して対
応する蓄熱タンク２７０，２８０の返入口に接続されて
いる。On the other hand, the low-temperature discharge passage 255 and the high-temperature discharge passage 265 have a diameter sufficiently larger than the supply passages 290 and 300 described above. After extending vertically downward along the sub-tank 310,
320. The low-temperature sub-tank 310 and the high-temperature discharge passage 265 to which the low-temperature discharge passage 255 is connected.
The high-temperature subtank 320 connected to the high-temperature sub-tank 320 is, as in the first embodiment, sufficiently smaller than the heat storage tanks 270 and 280, respectively, and is installed at a position below the open-type stage unit 210 that is stacked and installed. Each return port is connected to return ports of the corresponding heat storage tanks 270 and 280 via return pumps 277 and 287.

【００６３】ここで、上記温度制御装置では、上述した
構成のうち、低温用排出通路２５５、高温用排出通路２
６５、低温用サブタンク３１０、高温用サブタンク３２
０、低温用返送ポンプ２７７、高温用返送ポンプ２８７
を、それぞれ積層設置した開放型ステージユニット２１
０とともにクリーンルームＣの内部に配設する一方、そ
の他の構成を機械室等、クリーンルームＣの外部に配設
している。Here, in the above-described temperature control device, the low-temperature discharge passage 255 and the high-temperature discharge passage 2
65, low temperature sub-tank 310, high temperature sub-tank 32
0, low-temperature return pump 277, high-temperature return pump 287
, The open type stage unit 21
0, the other components are disposed outside the clean room C, such as a machine room.

【００６４】なお、図５中の符号２７８，２８８は、供
給切換バルブ２７６，２８６がＯＦＦの場合に蓄熱タン
ク２７０，２８０の温度流体を循環させておくための自
己循環系であり、また符号は低温用蓄熱タンク２７０と
高温用蓄熱タンク２８０とを互いに連通し、温度流体が
偏って貯留される事態を防止するための連絡通路２７９
である。Reference numerals 278 and 288 in FIG. 5 denote self-circulation systems for circulating the temperature fluid in the heat storage tanks 270 and 280 when the supply switching valves 276 and 286 are OFF. A communication passage 279 for communicating the low-temperature heat storage tank 270 and the high-temperature heat storage tank 280 with each other to prevent the temperature fluid from being stored unevenly.
It is.

【００６５】上記のように構成した温度制御装置におい
ても、第１実施形態と同様の動作によって各開放型ステ
ージユニット２１０においてウェハＷの温度が正確に制
御され、各ウェハＷに対して所望のベーキングおよびク
ーリングが順次施されることになる。Also in the temperature control device configured as described above, the temperature of the wafer W is accurately controlled in each open stage unit 210 by the same operation as in the first embodiment, and the desired baking for each wafer W is performed. And cooling are sequentially performed.

【００６６】また、この温度制御装置においても、積層
設置した複数の開放型ステージユニット２１０に対し
て、低温用蓄熱タンク２７０に接続する共通の低温用排
出通路２５５および高温用蓄熱タンク２８０に接続する
共通の高温用排出通路２６５を敷設すればよいため、設
置作業の煩雑化が招来される虞れがない。Also in this temperature control device, the plurality of open stage units 210 stacked and connected are connected to a common low-temperature discharge passage 255 and a high-temperature heat storage tank 280 connected to the low-temperature heat storage tank 270. Since the common high-temperature discharge passage 265 may be laid, there is no possibility that the installation work may be complicated.

【００６７】さらに、排出通路２５５，２６５を通過し
た温度流体を一旦サブタンク３１０，３２０に収容させ
るようにしているため、各排出通路２５５，２６５の下
方にはこれらサブタンク３１０，３２０のみを配設する
ことが可能となり、クリーンルームＣの縮小化を図るこ
とができる。Further, since the temperature fluid that has passed through the discharge passages 255 and 265 is temporarily stored in the sub-tanks 310 and 320, only the sub-tanks 310 and 320 are disposed below each of the discharge passages 255 and 265. And the size of the clean room C can be reduced.

【００６８】なお、上述した実施の形態では、いずれも
半導体製造工程においてウェハの温度制御を行うものを
例示しているが、その他の被温度制御対象物の温度制御
を行う場合に適用することももちろん可能である。In each of the above-described embodiments, an example in which the temperature of a wafer is controlled in a semiconductor manufacturing process is described. However, the present invention may be applied to a case in which the temperature of another object to be controlled is controlled. Of course it is possible.

【００６９】また、上述した実施の形態では、いずれも
被温度制御対象物を加熱する場合にも温度流体を適用し
ているが、例えばヒートプレートに薄膜ヒータを接着
し、該薄膜ヒータによって被温度制御対象物を加熱する
ようにしても構わない。この場合、高温流体の循環供給
系および供給切換バルブが不要用となるばかりでなく、
選択バルブを設ける必要がなくなる。In each of the above-described embodiments, the temperature fluid is also applied to heating the temperature-controlled object. For example, a thin-film heater is bonded to a heat plate, and the temperature-controlled object is heated by the thin-film heater. The object to be controlled may be heated. In this case, a high-temperature fluid circulation supply system and a supply switching valve are not only unnecessary, but also
There is no need to provide a selection valve.

【００７０】さらに、上述した実施の形態では、いずれ
も排出通路を通過した温度流体を一旦サブタンクに収容
させるようにしているが、本発明ではこれに限定され
ず、例えば、クリーンルームに蓄熱タンクを設置できる
スペースを確保することができれば、サブタンクに代え
て直接蓄熱タンクを配置するようにしても構わない。Further, in each of the above-described embodiments, the temperature fluid that has passed through the discharge passage is temporarily stored in the sub-tank. However, the present invention is not limited to this. For example, a heat storage tank may be installed in a clean room. If a sufficient space can be ensured, a heat storage tank may be directly disposed instead of the sub tank.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明に係る温度制御装置の第１実施形態を示
した要部断面図である。FIG. 1 is a sectional view of a main part showing a first embodiment of a temperature control device according to the present invention.

【図２】図１に示した温度制御装置に適用するステージ
ユニットの詳細を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing details of a stage unit applied to the temperature control device shown in FIG.

【図３】図１に示した温度制御装置の回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram of the temperature control device shown in FIG.

【図４】本発明に係る温度制御装置の第２実施形態を概
念的に示した斜視図である。FIG. 4 is a perspective view conceptually showing a second embodiment of the temperature control device according to the present invention.

【図５】図４に示した温度制御装置の回路図である。5 is a circuit diagram of the temperature control device shown in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１０，２１０…ステージユニット、２５…流体噴射室、
５０，６０…排出管モジュール、５２，６２，２５２，
２６２…選択バルブ、５５，６５，２５５，２６５…排
出通路、７０，８０，２７０，２８０…蓄熱タンク、１
１０，１２０，３１０，３２０…サブタンク、Ｗ…ウェ
ハ。10, 210: stage unit, 25: fluid ejection chamber,
50, 60 ... discharge pipe module, 52, 62, 252,
262: selection valve, 55, 65, 255, 265: discharge passage, 70, 80, 270, 280: heat storage tank, 1
10, 120, 310, 320: Sub tank, W: Wafer.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｆ２８Ｄ 20/00 Ｆ２８Ｄ 20/00 Ｂ (72)発明者 山下 敏雄 神奈川県平塚市万田1200 株式会社小松製 作所研究所内 (72)発明者 増谷 栄伸 神奈川県平塚市万田1200 株式会社小松製 作所研究所内 (72)発明者 大沢 昭浩 神奈川県平塚市万田1200 株式会社小松製 作所研究所内 (72)発明者 斉尾 克男 神奈川県平塚市万田1200 株式会社小松製 作所研究所内──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. ⁶ Identification code FI F28D 20/00 F28D 20/00 B (72) Inventor Toshio Yamashita 1200 Manda, Hiratsuka-shi, Kanagawa Prefecture, Komatsu Ltd. (72 Inventor: Eibu Masutani 1200, Manda, Hiratsuka-shi, Kanagawa Prefecture, Japan Komatsu Ltd. (72) Inventor: Akihiro Osawa 1200, Manda, Hiratsuka-shi, Kanagawa: Komatsu Seisakusho, Ltd. 1200, Manda, Hiratsuka-shi, Japan Komatsu Ltd.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 互いに積層設置され、かつそれぞれが流
体噴射室を有するとともに、該流体噴射室に接する態様
で被温度制御対象物を配置させる複数のステージユニッ
トと、温度流体を貯留する流体貯留タンクとを備え、該
流体貯留タンクから所定の設定温度に調整した温度流体
をそれぞれの流体噴射室に噴射供給することにより、各
被温度制御対象物の温度制御を行う温度制御装置であっ
て、 前記複数のステージユニットに共通の排出通路を接続
し、各流体噴射室に噴射供給した後の温度流体を、この
排出通路を通じて前記流体貯留タンクに返送させること
を特徴とする温度制御装置。1. A plurality of stage units that are stacked and installed on each other, each has a fluid ejection chamber, and an object to be temperature-controlled is arranged in a manner to be in contact with the fluid ejection chamber, and a fluid storage tank that stores a temperature fluid. A temperature control device that controls the temperature of each temperature-controlled object by injecting and supplying a temperature fluid adjusted to a predetermined set temperature from the fluid storage tank to each fluid ejection chamber, A temperature control device, wherein a common discharge passage is connected to a plurality of stage units, and the temperature fluid that has been jetted and supplied to each fluid jet chamber is returned to the fluid storage tank through the discharge passage. 【請求項２】 互いに積層設置され、かつそれぞれが流
体噴射室を有するとともに、該流体噴射室に接する態様
で被温度制御対象物を配置させる複数のステージユニッ
トと、温度流体を貯留する複数の流体貯留タンクとを備
え、これら流体貯留タンクから互いに異なる設定温度に
調整した温度流体をそれぞれの流体噴射室に選択的に噴
射供給することにより、各被温度制御対象物の温度制御
を行う温度制御装置であって、 前記複数のステージユニットに、前記複数の流体貯留タ
ンク毎に共通となる排出通路を接続し、さらにこれら排
出通路と各ステージユニットとの間に当該排出通路を択
一的に選択する通路選択手段を介在させ、各流体噴射室
に噴射供給された後の温度流体を、前記排出通路を通じ
て対応する流体貯留タンクに返送させることを特徴とす
る温度制御装置。2. A plurality of stage units which are stacked and installed on each other, each of which has a fluid ejection chamber, and on which an object to be temperature-controlled is arranged so as to be in contact with the fluid ejection chamber, and a plurality of fluids which store a temperature fluid. A temperature control device for controlling the temperature of each temperature-controlled object by selectively injecting and supplying the temperature fluids adjusted to different set temperatures to the respective fluid ejection chambers from the fluid storage tanks. A discharge passage common to each of the plurality of fluid storage tanks is connected to the plurality of stage units, and the discharge passage is alternatively selected between the discharge passage and each of the stage units. Through the passage selecting means, it is possible to return the temperature fluid after being supplied to each fluid ejection chamber to the corresponding fluid storage tank through the discharge passage. Temperature control apparatus according to claim. 【請求項３】 前記複数のステージユニットのそれぞれ
が、互いに積層設置させた場合に前記排出通路を構成す
る排出管モジュールを備えることを特徴とする請求項１
または請求項２記載の温度制御装置。3. The apparatus according to claim 1, wherein each of the plurality of stage units includes a discharge pipe module constituting the discharge passage when the stage units are stacked and installed.
Or the temperature control device according to claim 2. 【請求項４】 前記排出通路から前記流体貯留タンクに
至る間にサブタンクを介在させ、該排出通路を通過した
温度流体をこのサブタンクに一旦収容させることを特徴
とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の温度
制御装置。4. A sub-tank is interposed between the discharge passage and the fluid storage tank, and the temperature fluid passing through the discharge passage is temporarily stored in the sub-tank. The temperature control device according to claim 1.